KR101990013B1 - Cutting Blade and Cutting Device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위한 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting blade and a cutting apparatus using the same, and more particularly, to a cutting blade for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser) and a cutting apparatus using the same.
스마트폰이나 전기자동차의 개발이 이루어지면서 부품으로 사용되는 적층 세라믹 콘덴서나 칩 인덕터와 같은 부품들은 고기능화, 경량화 및 소형화되고 있다. 특히, 커퍼시터를 여러 층으로 적층하는 MLCC(적층세라믹콘덴서, Multi-Layer Ceramic Condenser(또는 Capacitor))는 그 적층수도 증가하며 소형화가 동시에 진행되고 있다. MLCC는 넓게 적층된 판상으로 제조되는 과정 후에 MLCC 소재를 블레이드를 갖는 절단장치로 원하는 크기로 절단하여 완성된 부품으로 제조된다. 적층수와 소형화가 진행되면서 MLCC를 절단하기 위하여 블레이드의 재질은 경도가 향상된 초경합금 재질을 이용한다.With the development of smart phones and electric vehicles, components such as multilayer ceramic capacitors and chip inductors used as components are becoming more sophisticated, lighter, and smaller. In particular, MLCC (Multi-Layer Ceramic Condenser (or Capacitor)) in which a plurality of capacitors are laminated is increasing in size and miniaturization is progressing at the same time. The MLCC is manufactured as a finished part by cutting the MLCC material into a desired size with a cutting device having a blade, after the process of being made into a widely laminated plate. In order to cut the MLCC as the number of layers and the miniaturization progress, the material of the blades is made of a cemented carbide material having an improved hardness.
그러나 MLCC의 적층수와 소형화가 고도화되면서 초경합금으로 이루어진 블레이드를 이용하여 MLCC 소재를 절단하는 경우 절단면의 균일성 향상이나 층간의 전기도통이 되는 등의 불량률 저하 요구가 증가하게 되었고, 블레이드의 사용시간도 문제가 되어 장시간 사용 가능한 블레이드에 대한 필요성이 증가하였다. 이에 절단력이 개선된 초고경도의 블레이드가 요구된다.However, as the number of stacked MLCCs and their miniaturization have increased, there has been an increase in demand for lowering the defect rate, such as improving the uniformity of cut surfaces and electric conduction between layers, when cutting MLCC materials using blades made of cemented carbide. There has been an increased need for blades that are problematic and that can be used for a long time. Therefore, ultra high hardness blades having improved cutting force are required.
고도화된 MLCC 절단용으로 초경합금보다 10배정도의 경도를 갖는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질을 이용하여 칼날을 개발하고 있다. 하나의 방법으로 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질의 블레이드를 개발하려고 하였다. 그러나 블레이드몸체와 칼날이 모두 PCD(Polycrystalline Diamond)인 경우 고정밀의 블레이드 칼날을 형성시키기 어려우며 매우 고가로 형성된다는 문제점이 있다. We are developing blade using Polycrystalline Diamond (PCD) material, which has hardness about 10 times harder than cemented carbide for advanced MLCC cutting. One method was to develop blades made of PCD (Polycrystalline Diamond). However, when both the blade body and the blade are made of PCD (Polycrystalline Diamond), it is difficult to form blade blades of high precision and is formed at a very high price.
따라서, 본 발명의 목적은 고도화된 부품을 불량없이 절단할 수 있도록 초고경도의 재질을 적용하여 절단력과 사용시간이 개선 및 증가된 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a blade for cutting and a cutting device using the same, which is improved and improved in cutting power and use time by applying an ultra-high hardness material so as to cut an advanced part without defects.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위한 절단용 블레이드는, 소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선을 형성하는 절단부와 상기 절단부의 타측으로부터 연장되어 상기 절단부를 지지하는 지지연장부를 갖는 칼날부; 및 길이방향을 따른 상기 지지연장부의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부를 갖는 칼날지지부를 포함한다. 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력과 수명을 향상시킬 수 있다.A cutting blade for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser) for achieving the object of the present invention comprises a PCD (Polycrystalline Diamond) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure, A blade portion having a cutting edge portion having a cutting edge inclined to form a cutting edge along a longitudinal direction of one side thereof and a support extension portion extending from the other side of the cutting edge portion and supporting the cutting portion; And a blade support portion having a receiving engagement portion formed to receive and engage with at least a portion of the support extension along the longitudinal direction. The cutting force and the life can be improved by providing the cut-out portion for cutting the semiconductor component using a PCD (Polycrystalline Diamond) material.
여기서, 상기 지지연장부는 상기 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 상기 절단부로부터 연장 형성되는 연장구간을 가지면 MLCC의 절단과정 중 MLCC의 절단면이 블레이드의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있어 바람직하다.Here, if the support extension portion has an extension section extending from the cutting section and having an escape angle smaller than the cutting angle of the cutting section, the cut surface of the MLCC contacts the side surface of the blade during the cutting process of the MLCC, .
그리고 상기 칼날부의 일부와 상기 칼날지지부는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어지며, 상기 수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합되면 칼날지지부가 칼날부를 지지할 수 있어 바람직하다.The blade support portion may be formed of a cemented carbide material having the same or different properties. When the blade support portion is coupled by metal adhesive, brazing or soldering, the blade support portion may support the blade portion. .
여기서, 상기 수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며, 상기 지지연장부는 상기 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC를 절단하는 과정에서 칼날부가 MLCC의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있어 바람직하다.The receiving portion has a pair of depressed side surfaces having outward inclination angles. When the supporting extension portion has a cross-sectional shape tangent to the pair of depressed side surfaces, the blade portion is perpendicular to the plate surface of the MLCC So that it is preferable.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 절단장치는 상기의 블레이드; 및 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위하여 상기 블레이드를 상기 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시키는 블레이드구동부를 갖는다. 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cutting apparatus comprising: the blade; And a blade driving unit for linearly moving the blade so as to cut perpendicularly to the surface of the workpiece of the semiconductor component for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser). The cutting portion for cutting the semiconductor component may be made of PCD (Polycrystalline Diamond) and cut perpendicularly to the surface of the semiconductor component.
본 발명에 따르면 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that cutting force can be improved by providing a cutting portion for cutting a semiconductor component with a PCD (Polycrystalline Diamond) material.
지지연장부는 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖는 구간이 있으므로 MLCC의 절단과정 중 MLCC의 절단면이 블레이드의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The support extension portion has a section having an escape angle smaller than the cutting edge angle of the cut portion, so that the cut surface of the MLCC is contacted with the side surface of the blade during the cutting process of the MLCC.
수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 지지연장부와 결합되면 칼날지지부가 칼날부를 지지할 수 있는 효과가 있다.The blade support portion can support the blade portion when the support portion is coupled to the support extension portion by any one of metal adhesive, brazing, and soldering in the receiving and coupling portion.
수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며, 지지연장부는 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC를 절단하는 과정에서 칼날부가 MLCC의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있는 효과가 있다.The receiving portion has a pair of depressed side surfaces having an outward inclination angle and the supporting extension portion has a sectional shape tangent to a pair of depressed side surfaces, the blade portion can maintain a vertical state with respect to the surface of the MLCC during the cutting of the MLCC have.
블레이드를 갖는 절단장치를 이용하여 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있는 효과가 있다.It is possible to provide a cutting portion for cutting a semiconductor component by using a cutting device having a blade made of a PCD (Polycrystalline Diamond) material and cutting the semiconductor component perpendicularly to the surface of the substrate.
도 1은 본 발명에 따른 절단장치의 간략예시도.
도 2는 블레이드의 상세도.
도 3은 블레이드의 변형예시도.
도 4는 블레이드의 제조공정도.1 is a simplified illustration of a cutting apparatus according to the present invention;
2 is a detailed view of the blade.
3 is a modification of the blade.
Fig. 4 is a manufacturing process diagram of the blade. Fig.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 절단장치(1) 및 블레이드(10)를 상세히 설명한다.Hereinafter, a cutting apparatus 1 and a
도 1은 본 발명에 따른 절단장치(1)의 간략예시도이고, 도 2는 블레이드(10)의 상세도 (a), (b)이며, 도 3은 블레이드(10)의 변형예시도이고, 도 4는 블레이드(10)의 제조공정도이다.2 is a detailed view (a), (b) of the
절단장치(1)는 블레이드(10)와 블레이드구동부(20)를 포함한다. 블레이드구동부(20)는 블레이드(10)를 파지하는 블레이드파지부(미도시), 블레이드파지부와 연결된 상하이동축(미도시)과 상하이동축을 회전시키며 블레이드파지부를 상하로 이동시키는 상하이동모터(미도시)를 구비한다. 블레이드구동부(20)는 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser,2)를 포함하는 반도체부품(2)의 제조를 위하여 블레이드(10)를 반도체부품(2)의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시킨다. 절단장치(1)는 제어부(미도시)를 더 구비하여 블레이드구동부(20)를 제어하며 절단속도를 포함하는 제반사항을 제어하게 할 수 있다. 반도체부품(2) 소재 판면의 가로/세로 크기는 블레이드(10)의 최대 절단 길이 이내로 설정될 수 있다. 소재 판면의 가로방향 절단과 세로방향 절단을 위하여 블레이드구동부(20)에 구비된 상하이동축이 축심에 대하여 회전동작하거나, 소재 판면을 고정하는 지지부가 축심에 대하여 회전동작할 수 있다.The cutting apparatus (1) includes a blade (10) and a blade driving unit (20). The
블레이드(10)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)를 포함한다. 블레이드(10)의 형상은 넓고 평평한 형상의 일면과 타면을 갖고, 일면과 타면은 한 쌍의 장변과 단변을 갖는 긴 직사각형을 동일하게 가진다. 한 쌍의 장변 중 일측에는 절단을 위한 칼날부(100)가 결합되고 타측은 칼날이 형성되지 않고 칼날부(100)를 지지하는 칼날지지부(200)로 형성되어 블레이드파지부에 결합된다. 칼날부(100)는 절단부(110)와 지지연장부(120)를 갖는다.The
절단부(110)는 소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면(111)을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선(112)을 형성한다. 인선경사면(111)은 칼날부(100)의 길이방향에 대한 절단면 중 단면의 중심으로부터 소정의 인선각도가 형성되도록 가공되어 형성된다. 이에 의해 인선경사면(111)이 형성되면서 상호 대향한 인선경사면(111)에 의해 커팅인선(112)이 직선으로 형성되어 블레이드(10)의 최대 절단 길이가 설정된다.The
지지연장부(120)는 절단부(110)의 타측으로부터 연장되어 절단부(110)를 지지한다. 지지연장부(120)는 텅스텐(w)을 포함하는 초경합금으로 이루어지며 절단부(110)와는 다른 재질이지만 일체로 이루어져 있다. 지지연장부(120)는 도피연장부(121)와 지지연장본체부(122)를 갖는다. 도피연장부(121)는 절단부(110)의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 절단부(110)로부터 연장 형성되는 연장구간이다. 해당 연장구간은 평면, 오목 또는 볼록의 곡면, 또는 이들의 복합면으로 형성될 수 있다. 지지연장본체부(122)는 도피연장부(121)로부터 연장형성되며, 가공을 쉽게 할 수 있으므로 인선각도나 도피각도를 갖지 않는 것이 바람직하다. 경우에 따라서는 여러 각도를 갖고 연장될 수도 있으며 다양한 형상을 가질 수도 있다.The
또한 칼날부(100)는 지지연장부(120)에 도피연장부(121)를 형성하지 않고 절단부(110)의 인선경사면(111)에서 지지연장본체부(122)로 연장하여 형성될 수도 있다. 또한 커팅인선(112)에서 시작하는 인선경사면(111)의 끝부분에 근접한 절단부(110)로부터 소정 도피각도에 따른 도피연장부(121)가 연장되어 시작되거나, 도피연장부(121)가 없는 지지연장본체부(122)가 연장되어 시작될 수 있다. 또한 칼날부(100)는 지지연장부(120)에 지지연장본체부(122)를 형성하지 않고 소정의 도피각도를 갖는 도피연장부(121)만으로 형성될 수 있다. 또한 지지연장부(120)는 도피연장부로부터 지지연장본체부 영역까지 소정의 도피각도로 시작하여 점진적인 곡률을 갖도록 일체화하여 형성될 수 있으며, 오목형 또는 볼록형으로 형성될 수 있다.The
절단부(110)는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지고, 지지연장부(120)는 초경합금으로 이루어진다고 했으나 절단부(110)와 지지연장부(120)는 상호 정확한 경계를 가지는 것은 아니고 상호 일체로 제조하여 이루어지므로 그 경계영역에서 조금은 상호의 재질이 섞여있는 부분이 존재할 수 있다. 또한 지지연장부(120)도 PCD 재질로 이루어져서 절단부(110)와 일체로 형성할 수 있다.Although the
칼날지지부(200)는 수용결합부(210)와 지지리브(220)를 갖는다. 칼날지지부(200)는 판상으로 이루어지며 한 쌍의 판면과 한 쌍의 판면을 연결하며 형성된 한 쌍의 장면과 단면의 측면을 갖는다. 한 쌍의 장면 중 일측에는 길이방향을 따른 지지연장부(120)의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부(210)를 갖는다. 그에 따라 수용결합부(210)는 수용되는 칼날부(100) 즉 지지연장부(120)를 사이에 두고 함몰좌측면(211)과 함몰우측면(212)을 갖는다. 수용결합부(210)는 수용되는 지지연장부(120), 가령 지지연장본체부(122)의 두께에 대응하여 그와 동일 또는 유사하게 함몰 형성되며 바람직하게는 지지연장본체부(122)의 두께보다 크게 함몰 형성되어 금속접착제가 투입될 수 있도록 할 수 있다. 지지리브(220)는 수용결합부(210)가 칼날지지부(200)의 장면의 일측에서 함몰형성됨으로써 형성된다. The
그에 따라 수용되는 칼날부(100)를 사이에 두고 좌지지리브(221)와 우지지리브(222)가 형성된다. 각 지지리브(221, 222)의 외측으로 각 함몰측면(211, 212) 영역의 일부 또는 전체에 대응하여 소정의 경사각을 갖는 리브경사면을 형성할 수 있으며, 또한 해당 리브경사면이 생략될 수도 있다. 또한 각 지지리브(221, 222)의 리브경사면은 도피연장부(121)의 도피각도의 연장선을 따라서 동일한 각도로 형성되거나 만곡형상으로 형성될 수 있다. 또한 각 지지리브(221, 222)와 해당 리브경사면의 경계영역, 즉 모서리영역은 소정 각도의 경사부 또는 소정 곡률의 만곡부를 포함할 수 있다.The
또한 수용결합부(210)의 깊이 또는 그에 대응 형성되는 지지리브(220)의 높이는 칼날부(100)에 형성되는 지지연장부(120)의 일부, 가령 도시된 바와 같이 지지연장본체부(122)의 일부를 수용하거나 또는 지지연장본체부(122)의 전부를 수용하도록 형성될 수 있으며, 이외에 도피연장부(121)의 일부 또는 전부까지 수용하도록 형성될 수도 있다.The depth of the receiving
칼날부(100)의 지지연장부(120), 가령 지지연장본체부(122)는 칼날지지부(200)의 수용결합부(210)에 수용된 상태에서 상호 결합된다. 칼날부(100)의 일부, 즉 지지연장부(120), 가령 도피연장부(121) 및/또는 지지연장본체부(122)와 칼날지지부(200)는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어질 수 있다. 가령, 각 재질의 속성은 경도, 성분비, 성분의 종류, 또는 입자크기 등 다양한 요소를 포함하며, 적어도 어느 한 가지 요소가 상이하게 마련될 수 있으며, 어느 하나의 경도가 더 높을 수 있다. 바람직하게는 유사한 금속성분 분포를 갖는 초경합금으로 이루어진다. 칼날지지부(120), 가령 지지연장본체부(122)는 수용결합부(210)에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합될 수 있다.The
도 3은 블레이드(10)의 변형예시도이다.Fig. 3 is a view showing a modification of the
도 3(a)의 실시예는, 칼날부(100)의 지지연장부(120)가 하부로 갈수록 좁아지는 형상을 가지고, 지지리브(320) 및 수용결합부(310)도 지지연장부(120)의 형상에 맞도록 형성되어 있다. 수용결합부(310)는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면(311, 312)을 갖는다. 지지연장부(120)는 한 쌍의 함몰측면(311, 312)에 접하는 단면형상을 갖는다.3 (a), the supporting
도 3 (b)의 실시예는, 지지연장부(120)의 하부단면 모서리영역이 둥근 형상을 갖는다. 지지리브(420)는 수용결합부(410)의 함몰형성에 의해 형성된다. 수용결합부(410)의 함몰영역에 형성되는 함몰측면(411, 412)은 서로 평행하게 형성되나 하부의 함몰측면은 지지연장부(120)의 하부단면 모서리영역의 둥근 형상에 맞게 둥글게 형성되며, 가공의 편의를 위하여 수용결합부(410)의 바닥면도 둥들게 형성하여 가공시킨다. 지지연장부(120)의 단면이 둥근 형상의 한 쌍의 모서리영역으로 형성되므로 절단 시의 힘이 분산될 수 있으므로 바람직한 단면일 수 있다.In the embodiment of FIG. 3 (b), the lower end edge region of the
도 3(a), 3(b) 각 함몰측면(311, 312; 411, 412)의 대응 영역에 각 지지리브(321, 322; 421, 422)의 외측에서 리브경사면이 마련되는 것은 도 2의 실시예와 마찬가지이다.The provision of the rib inclined surfaces at the outer sides of the
도 4는 블레이드(10)의 제조공정도이다.Fig. 4 is a manufacturing process diagram of the
도 4(a)는 PCD 구조물로 된 소결판(A)을 설명의 편의를 위하여 과장하여 도시한 것이다. 소결판(A) 제조를 위하여 소정 치수를 갖는 둥근 틀에서 초경합금의 분말을 바닥에 깔고 그 위에 흑연을 적층한다. 초경합금 분말과 흑연을 적층한 상태에서 1,400℃ 이상, 5GPa 이상의 초고온.초고압 소결공정을 진행한다. 이에 의해 흑연이 다결정 다이아몬드로 상변화를 하며 초경합금 분말도 고경도의 초경합금으로 소결되어 상측의 PCD층과 하부의 초경합금층이 형성된다. 이에 따라 소정의 두께와 직경을 갖는 원반 형상의 다결정 다이아몬드(PCD) 구조물로 된 소결판(A)을 형성한다. 이렇게 소결되어 상측 영역에는 다결정 다이아몬드층, 즉 PCD층과 그 하부에는 초경합금층으로 이루어진 둥근 판상의 소결판(A)의 판면과 수직방향을 따라서 가장 길게 커팅이 가능한 부분을 선정하고 연마 전의 칼날부(100)로 사용할 수 있도록 블레이드(10)의 성형시의 칼날부(100) 두께에 대응하여 소정의 두께를 갖는 박판재 소결물로 커팅한다. 즉 블레이드(10)의 최대 절단길이는 소결판(A)의 직경 부분에서 소정의 영역 이내에서 확보할 수 있으며, 이에 따라 절단하여야 하는 반도체부품 소재의 판면 크기가 설정될 수 있다. 여기서 최종 가공 후의 블레이드(10)는 장방형으로 1mm 이하 두께를 갖는 박판으로 설정될 수 있으며, 칼날부(100)는 블레이드(10)의 두께 미만으로, 가령 블레이드 두께의 10% 내지 50% 사이로 설정될 수 있다.4 (a) is an exaggerated view of the sintered plate A as a PCD structure for convenience of explanation. For the manufacture of sintered plate (A), powder of cemented carbide is laid on the bottom in a round frame having a predetermined dimension, and graphite is stacked thereon. The super-high-pressure and ultra-high-pressure sintering process of 1,400 ° C or more and 5 GPa or more is carried out in the state where the cemented carbide powder and graphite are laminated. As a result, the graphite undergoes a phase change to polycrystalline diamond, and the cemented carbide powder is also sintered with the hard cemented carbide to form the upper PCD layer and the lower cemented carbide layer. Thereby forming a sintered plate (A) made of a disk-shaped polycrystalline diamond (PCD) structure having a predetermined thickness and diameter. The portion that can be cut to the longest along the plane perpendicular to the plane of the sintered plate (A) having a round plate shape composed of the polycrystalline diamond layer, i.e., the PCD layer and the cemented carbide layer is selected in the upper region, 100 is cut into a thin plate sintered material having a predetermined thickness corresponding to the thickness of the
도 4(b)는 칼날부(100)로 사용되는 커팅된 박판재 소결물과 칼날지지부(200)를 형성하는 것을 도시한 것으로 두께를 과장하여 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물 외측을 소정의 두께와 높이가 되도록 연마한다. 칼날지지부(200)의 상면에 칼날부(100)가 수용되는 수용결합부(210)를 연마하여 내측에 함몰측면을 갖도록 형성한다. 함몰 형성된 수용결합부(210)에 금속접착제(B)를 발라준다. 금속접착제(B)는 수용결합부(210) 또는 칼날부(100)의 수용영역 중 하나 또는 양측에 도포될 수 있으며, 양자를 브레이징 또는 솔더링에 의해 결합할 경우 금속접착제 도포는 생략할 수 있다.FIG. 4 (b) illustrates forming the cut sheet metal sinter and the
도 4(c)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)의 결합과정을 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물을 수용결합부(210)에 삽입시킨 후 상호 결합시킨다. 결합시 소정의 압력, 온도, 시간 등의 조건에 따라 결합력을 증대할 수 있다.4 (c) shows a process of joining the
도 4(d)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)의 연마과정을 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물이 수용결합부(210)에 결합된 후 연마작업을 하여 인선경사면(111), 커팅인선(112), 도피연장부(121) 및 칼날지지부(200)의 상부 모서리부분의 형상과 그 외측으로 각 리브경사면을 형성한다. 인선경사면(111)을 최종적으로 형성하면서 커팅인선(112)의 센터링 위치를 확보할 수 있으며, 절단된 양측 반도체부품의 절단면의 균일성이 증대된다. 이렇게 제조된 블레이드(10)를 절단장치(1)의 블레이드구동부(20)에 장착한 후 판상의 MLCC(2)를 포함하는 반도체부품의 소재를 절단한다.FIG. 4 (d) shows the polishing process of the
상기의 실시 예 이외의 변형된 예를 설명한다.A modified example other than the above embodiment will be described.
상기의 절단장치(1)는 블레이드(10)의 커팅인선(112)를 촬상하는 카메라를 더 포함할 수 있으며, 커팅인선(112)이 정상인지 아닌지를 판단하도록 할 수 있다. 이에 의해 불량이 발생하기 이전에 블레이드를 교체하여 불량륭을 감소시키며, 커팅인선(112)의 비정상을 파악하고 블레이드를 교체하므로 블레이드 교체시간을 감소시키므로 MLCC의 생산성을 향상시킬 수 있다.The cutting device 1 may further include a camera for picking up a
절단장치는 절단작업이 이루어지는 절단위치를 향해 클린에어를 분사하는 클린에어분사부를 더 가질 수 있다. 이에 의해 불량률이 더욱 감소될 수 있다.The cutting device may further have a clean air jetting portion for jetting clean air toward a cutting position where the cutting operation is performed. Thereby, the defect rate can be further reduced.
절단장치는 블레이드를 파지하는 파지부를 복수로 마련하고, 파지부를 상하이동축에 대하여 회전 가능하게 마련하여 블레이드를 교체해야하는 경우에 파지부를 상하이동축에 대하여 회전시켜 정상의 블레이드로 MLCC의 절단작업이 장시간 중단되지 않도록 할 수도 있다.The cutting apparatus includes a plurality of gripping portions for gripping the blades, and the gripping portions are rotatably provided with respect to the upper and lower coaxial axes. When the blades are to be replaced, the gripping portions are rotated with respect to the upper and lower coaxial axes, It is also possible to prevent this from being interrupted for a long time.
상기의 절단장치(1) 및 블레이드(10)로 인하여, 반도체부품(2) 소재를 절단하는 절단부(110)를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력을 향상시킬 수 있다. 지지연장부(120)는 절단부(110)의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖는 구간이 있으므로 MLCC(2)의 절단과정 중 MLCC(2)의 절단면이 블레이드(10)의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 수용결합부(210)에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 지지연장부(120)와 결합되면 칼날지지부(200)가 칼날부(100)를 견고하게 지지할 수 있다. 수용결합부(210)는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면(211, 212)을 가지며, 지지연장부(120)는 한 쌍의 함몰측면(211, 212)에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC(2)를 절단하는 과정에서 칼날부(100)가 MLCC(2)의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있다. 블레이드(10)를 갖는 절단장치(1)를 이용하여 반도체부품(2)을 절단하는 절단부(110)를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품(2)의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있다.The cutting force can be improved by providing the cutting
1 : 절단장치 2 : MLCC, 반도체부품
10 : 블레이드 20 : 블레이드구동부
100 : 칼날부 110 : 절단부
111 : 인선경사면 112 : 커팅인선
120 : 지지연장부 121 : 도피연장부
122 : 지지연장본체부 200 : 칼날지지부
210 : 수용결합부 211 : 함몰좌측면
212 : 함몰우측면 220 : 지지리브
221 : 좌지지리브 222 : 우지지리브1: Cutting device 2: MLCC, semiconductor parts
10: blade 20: blade driving part
100: blade part 110:
111: inclined slope 112: cutting edge
120: support extension part 121: escape extension part
122: support extension body 200: blade support
210: receiving portion 211: depressed left side
212: depression right side surface 220: support rib
221: left support rib 222: right support rib
Claims (5)
소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선을 형성하는 절단부와 상기 절단부의 타측으로부터 연장되어 상기 절단부를 지지하는 지지연장부를 갖는 칼날부; 및
길이방향을 따른 상기 지지연장부의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부를 갖는 칼날지지부를 포함하며,
상기 블레이드는 한 쌍의 장변과 단변을 갖는 직사각형의 평평한 형상을 가지며, 상기 칼날부는 일측 장변에 마련되고 상기 칼날지지부는 타측 장변에 마련되는 것을 특징으로 하는 블레이드.
1. A cutting blade for manufacturing a semiconductor component comprising a Multi Layer Ceramic Condenser (MLCC)
A cutting portion formed of a polycrystalline diamond (PCD) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure and having cutting edge slopes facing each other and forming a cutting edge along a longitudinal direction of one side thereof, and a cutting portion extending from the other side of the cutting portion to support the cutting portion A blade portion having a support extension; And
And a blade support portion having a receiving engagement portion formed to receive and engage with at least a portion of the support extension along the longitudinal direction,
Wherein the blade has a rectangular flat shape having a pair of long sides and short sides, the blade portion is provided at one long side, and the blade supporting portion is provided at the other long side.
상기 지지연장부는 상기 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 상기 절단부로부터 연장 형성되는 연장구간을 갖는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein the support extension has an extension section that has an escape angle smaller than the cut angle of the cut section and extends from the cut section.
상기 칼날부의 일부와 상기 칼날지지부는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어지며, 상기 수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein a portion of the blade portion and the blade support portion are made of a cemented carbide material having the same or different properties and are coupled to each other by one of metal bonding, brazing, and soldering in the receiving coupling portion.
상기 수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며,
상기 지지연장부는 상기 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein the receiving engagement portion has a pair of depressed side surfaces having outward inclination angles,
And the support extension has a cross-sectional shape in contact with the pair of depressed side surfaces.
MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위하여 상기 블레이드를 상기 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시키는 블레이드구동부를 갖는 것을 특징으로 하는 절단장치.A blade according to any one of claims 1 to 4; And
And a blade driving unit for linearly moving the blade so as to cut perpendicularly to the surface of the material of the semiconductor component for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser).
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