KR101990013B1 - Cutting Blade and Cutting Device using the same - Google Patents

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KR101990013B1 KR1020190005497A KR20190005497A KR101990013B1 KR 101990013 B1 KR101990013 B1 KR 101990013B1 KR 1020190005497 A KR1020190005497 A KR 1020190005497A KR 20190005497 A KR20190005497 A KR 20190005497A KR 101990013 B1 KR101990013 B1 KR 101990013B1
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Abstract

A cutting blade for manufacturing semiconductor components including a multi-layer ceramic condenser (MLCC) includes: a blade unit having a cutting part made of a polycrystalline diamond (PCD) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure, having a mutually opposite nose inclined surface, and forming a cutting nose in a longitudinal direction and a support extension part extended from the other side of the cutting part to support the cutting unit; and a blade support unit having a receiving coupling part dented to receive a part of the support extension part in a longitudinal direction and to be coupled thereto.

Description

절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치{Cutting Blade and Cutting Device using the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cutting blade,

본 발명은 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위한 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting blade and a cutting apparatus using the same, and more particularly, to a cutting blade for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser) and a cutting apparatus using the same.

스마트폰이나 전기자동차의 개발이 이루어지면서 부품으로 사용되는 적층 세라믹 콘덴서나 칩 인덕터와 같은 부품들은 고기능화, 경량화 및 소형화되고 있다. 특히, 커퍼시터를 여러 층으로 적층하는 MLCC(적층세라믹콘덴서, Multi-Layer Ceramic Condenser(또는 Capacitor))는 그 적층수도 증가하며 소형화가 동시에 진행되고 있다. MLCC는 넓게 적층된 판상으로 제조되는 과정 후에 MLCC 소재를 블레이드를 갖는 절단장치로 원하는 크기로 절단하여 완성된 부품으로 제조된다. 적층수와 소형화가 진행되면서 MLCC를 절단하기 위하여 블레이드의 재질은 경도가 향상된 초경합금 재질을 이용한다.With the development of smart phones and electric vehicles, components such as multilayer ceramic capacitors and chip inductors used as components are becoming more sophisticated, lighter, and smaller. In particular, MLCC (Multi-Layer Ceramic Condenser (or Capacitor)) in which a plurality of capacitors are laminated is increasing in size and miniaturization is progressing at the same time. The MLCC is manufactured as a finished part by cutting the MLCC material into a desired size with a cutting device having a blade, after the process of being made into a widely laminated plate. In order to cut the MLCC as the number of layers and the miniaturization progress, the material of the blades is made of a cemented carbide material having an improved hardness.

그러나 MLCC의 적층수와 소형화가 고도화되면서 초경합금으로 이루어진 블레이드를 이용하여 MLCC 소재를 절단하는 경우 절단면의 균일성 향상이나 층간의 전기도통이 되는 등의 불량률 저하 요구가 증가하게 되었고, 블레이드의 사용시간도 문제가 되어 장시간 사용 가능한 블레이드에 대한 필요성이 증가하였다. 이에 절단력이 개선된 초고경도의 블레이드가 요구된다.However, as the number of stacked MLCCs and their miniaturization have increased, there has been an increase in demand for lowering the defect rate, such as improving the uniformity of cut surfaces and electric conduction between layers, when cutting MLCC materials using blades made of cemented carbide. There has been an increased need for blades that are problematic and that can be used for a long time. Therefore, ultra high hardness blades having improved cutting force are required.

고도화된 MLCC 절단용으로 초경합금보다 10배정도의 경도를 갖는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질을 이용하여 칼날을 개발하고 있다. 하나의 방법으로 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질의 블레이드를 개발하려고 하였다. 그러나 블레이드몸체와 칼날이 모두 PCD(Polycrystalline Diamond)인 경우 고정밀의 블레이드 칼날을 형성시키기 어려우며 매우 고가로 형성된다는 문제점이 있다. We are developing blade using Polycrystalline Diamond (PCD) material, which has hardness about 10 times harder than cemented carbide for advanced MLCC cutting. One method was to develop blades made of PCD (Polycrystalline Diamond). However, when both the blade body and the blade are made of PCD (Polycrystalline Diamond), it is difficult to form blade blades of high precision and is formed at a very high price.

따라서, 본 발명의 목적은 고도화된 부품을 불량없이 절단할 수 있도록 초고경도의 재질을 적용하여 절단력과 사용시간이 개선 및 증가된 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a blade for cutting and a cutting device using the same, which is improved and improved in cutting power and use time by applying an ultra-high hardness material so as to cut an advanced part without defects.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위한 절단용 블레이드는, 소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선을 형성하는 절단부와 상기 절단부의 타측으로부터 연장되어 상기 절단부를 지지하는 지지연장부를 갖는 칼날부; 및 길이방향을 따른 상기 지지연장부의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부를 갖는 칼날지지부를 포함한다. 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력과 수명을 향상시킬 수 있다.A cutting blade for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser) for achieving the object of the present invention comprises a PCD (Polycrystalline Diamond) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure, A blade portion having a cutting edge portion having a cutting edge inclined to form a cutting edge along a longitudinal direction of one side thereof and a support extension portion extending from the other side of the cutting edge portion and supporting the cutting portion; And a blade support portion having a receiving engagement portion formed to receive and engage with at least a portion of the support extension along the longitudinal direction. The cutting force and the life can be improved by providing the cut-out portion for cutting the semiconductor component using a PCD (Polycrystalline Diamond) material.

여기서, 상기 지지연장부는 상기 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 상기 절단부로부터 연장 형성되는 연장구간을 가지면 MLCC의 절단과정 중 MLCC의 절단면이 블레이드의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있어 바람직하다.Here, if the support extension portion has an extension section extending from the cutting section and having an escape angle smaller than the cutting angle of the cutting section, the cut surface of the MLCC contacts the side surface of the blade during the cutting process of the MLCC, .

그리고 상기 칼날부의 일부와 상기 칼날지지부는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어지며, 상기 수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합되면 칼날지지부가 칼날부를 지지할 수 있어 바람직하다.The blade support portion may be formed of a cemented carbide material having the same or different properties. When the blade support portion is coupled by metal adhesive, brazing or soldering, the blade support portion may support the blade portion. .

여기서, 상기 수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며, 상기 지지연장부는 상기 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC를 절단하는 과정에서 칼날부가 MLCC의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있어 바람직하다.The receiving portion has a pair of depressed side surfaces having outward inclination angles. When the supporting extension portion has a cross-sectional shape tangent to the pair of depressed side surfaces, the blade portion is perpendicular to the plate surface of the MLCC So that it is preferable.

한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 절단장치는 상기의 블레이드; 및 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위하여 상기 블레이드를 상기 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시키는 블레이드구동부를 갖는다. 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cutting apparatus comprising: the blade; And a blade driving unit for linearly moving the blade so as to cut perpendicularly to the surface of the workpiece of the semiconductor component for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser). The cutting portion for cutting the semiconductor component may be made of PCD (Polycrystalline Diamond) and cut perpendicularly to the surface of the semiconductor component.

본 발명에 따르면 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that cutting force can be improved by providing a cutting portion for cutting a semiconductor component with a PCD (Polycrystalline Diamond) material.

지지연장부는 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖는 구간이 있으므로 MLCC의 절단과정 중 MLCC의 절단면이 블레이드의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The support extension portion has a section having an escape angle smaller than the cutting edge angle of the cut portion, so that the cut surface of the MLCC is contacted with the side surface of the blade during the cutting process of the MLCC.

수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 지지연장부와 결합되면 칼날지지부가 칼날부를 지지할 수 있는 효과가 있다.The blade support portion can support the blade portion when the support portion is coupled to the support extension portion by any one of metal adhesive, brazing, and soldering in the receiving and coupling portion.

수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며, 지지연장부는 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC를 절단하는 과정에서 칼날부가 MLCC의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있는 효과가 있다.The receiving portion has a pair of depressed side surfaces having an outward inclination angle and the supporting extension portion has a sectional shape tangent to a pair of depressed side surfaces, the blade portion can maintain a vertical state with respect to the surface of the MLCC during the cutting of the MLCC have.

블레이드를 갖는 절단장치를 이용하여 반도체부품을 절단하는 절단부를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있는 효과가 있다.It is possible to provide a cutting portion for cutting a semiconductor component by using a cutting device having a blade made of a PCD (Polycrystalline Diamond) material and cutting the semiconductor component perpendicularly to the surface of the substrate.

도 1은 본 발명에 따른 절단장치의 간략예시도.
도 2는 블레이드의 상세도.
도 3은 블레이드의 변형예시도.
도 4는 블레이드의 제조공정도.
1 is a simplified illustration of a cutting apparatus according to the present invention;
2 is a detailed view of the blade.
3 is a modification of the blade.
Fig. 4 is a manufacturing process diagram of the blade. Fig.

이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 절단장치(1) 및 블레이드(10)를 상세히 설명한다.Hereinafter, a cutting apparatus 1 and a blade 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 절단장치(1)의 간략예시도이고, 도 2는 블레이드(10)의 상세도 (a), (b)이며, 도 3은 블레이드(10)의 변형예시도이고, 도 4는 블레이드(10)의 제조공정도이다.2 is a detailed view (a), (b) of the blade 10, FIG. 3 is a view showing a modification of the blade 10, and FIG. Fig. 4 is a manufacturing process diagram of the blade 10. Fig.

절단장치(1)는 블레이드(10)와 블레이드구동부(20)를 포함한다. 블레이드구동부(20)는 블레이드(10)를 파지하는 블레이드파지부(미도시), 블레이드파지부와 연결된 상하이동축(미도시)과 상하이동축을 회전시키며 블레이드파지부를 상하로 이동시키는 상하이동모터(미도시)를 구비한다. 블레이드구동부(20)는 MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser,2)를 포함하는 반도체부품(2)의 제조를 위하여 블레이드(10)를 반도체부품(2)의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시킨다. 절단장치(1)는 제어부(미도시)를 더 구비하여 블레이드구동부(20)를 제어하며 절단속도를 포함하는 제반사항을 제어하게 할 수 있다. 반도체부품(2) 소재 판면의 가로/세로 크기는 블레이드(10)의 최대 절단 길이 이내로 설정될 수 있다. 소재 판면의 가로방향 절단과 세로방향 절단을 위하여 블레이드구동부(20)에 구비된 상하이동축이 축심에 대하여 회전동작하거나, 소재 판면을 고정하는 지지부가 축심에 대하여 회전동작할 수 있다.The cutting apparatus (1) includes a blade (10) and a blade driving unit (20). The blade drive unit 20 includes a blade grip unit (not shown) for gripping the blade 10, a vertical coaxial shaft (not shown) connected to the blade grip unit, and a vertical movement motor (Not shown). The blade driving unit 20 linearly moves the blade 10 so as to cut perpendicularly to the surface of the workpiece of the semiconductor component 2 for manufacturing the semiconductor component 2 including the MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser 2). The cutting apparatus 1 further includes a control unit (not shown) to control the blade driving unit 20 and to control various matters including the cutting speed. The horizontal / vertical size of the surface of the semiconductor part (2) can be set within the maximum cutting length of the blade (10). The upper and lower coaxial shafts provided in the blade driving unit 20 may be rotated with respect to the axis for the cutting in the transverse direction and the cutting in the longitudinal direction of the substrate surface or the supporting unit for fixing the surface of the workpiece may be rotated with respect to the axis.

블레이드(10)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)를 포함한다. 블레이드(10)의 형상은 넓고 평평한 형상의 일면과 타면을 갖고, 일면과 타면은 한 쌍의 장변과 단변을 갖는 긴 직사각형을 동일하게 가진다. 한 쌍의 장변 중 일측에는 절단을 위한 칼날부(100)가 결합되고 타측은 칼날이 형성되지 않고 칼날부(100)를 지지하는 칼날지지부(200)로 형성되어 블레이드파지부에 결합된다. 칼날부(100)는 절단부(110)와 지지연장부(120)를 갖는다.The blade 10 includes a blade portion 100 and a blade support portion 200. The blade 10 has a wide and flat shape having one side and the other side, and one side and the other side have a pair of long side and a long side having a short side. The blade unit 100 for cutting is coupled to one side of the pair of long sides and the blade support unit 200 for supporting the blade unit 100 without forming a blade. The blade portion 100 has a cutting portion 110 and a support extension portion 120.

절단부(110)는 소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면(111)을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선(112)을 형성한다. 인선경사면(111)은 칼날부(100)의 길이방향에 대한 절단면 중 단면의 중심으로부터 소정의 인선각도가 형성되도록 가공되어 형성된다. 이에 의해 인선경사면(111)이 형성되면서 상호 대향한 인선경사면(111)에 의해 커팅인선(112)이 직선으로 형성되어 블레이드(10)의 최대 절단 길이가 설정된다.The cutting unit 110 is made of PCD (Polycrystalline Diamond) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure, and has cutting edge slopes 111 facing each other to form a cutting edge 112 along the longitudinal direction of one side. The slope inclined plane 111 is formed by machining the cut edge of the blade unit 100 so as to form a predetermined cutting angle from the center of the slice. As a result, the cutting edge 112 is formed in a straight line by the slanting slant face 111 which is mutually opposite while the slant face 111 is formed, so that the maximum cutting length of the blade 10 is set.

지지연장부(120)는 절단부(110)의 타측으로부터 연장되어 절단부(110)를 지지한다. 지지연장부(120)는 텅스텐(w)을 포함하는 초경합금으로 이루어지며 절단부(110)와는 다른 재질이지만 일체로 이루어져 있다. 지지연장부(120)는 도피연장부(121)와 지지연장본체부(122)를 갖는다. 도피연장부(121)는 절단부(110)의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 절단부(110)로부터 연장 형성되는 연장구간이다. 해당 연장구간은 평면, 오목 또는 볼록의 곡면, 또는 이들의 복합면으로 형성될 수 있다. 지지연장본체부(122)는 도피연장부(121)로부터 연장형성되며, 가공을 쉽게 할 수 있으므로 인선각도나 도피각도를 갖지 않는 것이 바람직하다. 경우에 따라서는 여러 각도를 갖고 연장될 수도 있으며 다양한 형상을 가질 수도 있다.The support extension 120 extends from the other side of the cutout 110 and supports the cutout 110. The support extension 120 is made of a cemented carbide containing tungsten (w) and is made of a different material from the cut portion 110, but is integrally formed. The support extension 120 has an escape extension 121 and a support extension body 122. The escape extension portion 121 is an extension portion extending from the cutout portion 110 at an escape angle smaller than the cutoff angle of the cutout portion 110. The extension section may be formed of a flat, concave or convex curved surface, or a composite surface thereof. It is preferable that the support extending body portion 122 extends from the escape extension portion 121 and does not have a pulling angle or an escape angle because it can be easily processed. In some cases, it may extend at various angles and may have various shapes.

또한 칼날부(100)는 지지연장부(120)에 도피연장부(121)를 형성하지 않고 절단부(110)의 인선경사면(111)에서 지지연장본체부(122)로 연장하여 형성될 수도 있다. 또한 커팅인선(112)에서 시작하는 인선경사면(111)의 끝부분에 근접한 절단부(110)로부터 소정 도피각도에 따른 도피연장부(121)가 연장되어 시작되거나, 도피연장부(121)가 없는 지지연장본체부(122)가 연장되어 시작될 수 있다. 또한 칼날부(100)는 지지연장부(120)에 지지연장본체부(122)를 형성하지 않고 소정의 도피각도를 갖는 도피연장부(121)만으로 형성될 수 있다. 또한 지지연장부(120)는 도피연장부로부터 지지연장본체부 영역까지 소정의 도피각도로 시작하여 점진적인 곡률을 갖도록 일체화하여 형성될 수 있으며, 오목형 또는 볼록형으로 형성될 수 있다.The blade part 100 may be formed extending from the slope 111 of the cutting part 110 to the support extension body 122 without forming the escape extension part 121 in the support extension part 120. It is also possible to start the escape extension portion 121 extending from the cut portion 110 near the end portion of the incline slope 111 starting from the cutting incision 112 at a predetermined escape angle, The elongated body portion 122 can be extended and started. The blade portion 100 may be formed only by the escape extension portion 121 having a predetermined escape angle without forming the support extension main body portion 122 in the support extension portion 120. The support extension 120 may be formed integrally with the support extension body to have a gradually increasing curvature beginning at a predetermined escape angle from the escape extension to the support extension main body area, and may be concave or convex.

절단부(110)는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지고, 지지연장부(120)는 초경합금으로 이루어진다고 했으나 절단부(110)와 지지연장부(120)는 상호 정확한 경계를 가지는 것은 아니고 상호 일체로 제조하여 이루어지므로 그 경계영역에서 조금은 상호의 재질이 섞여있는 부분이 존재할 수 있다. 또한 지지연장부(120)도 PCD 재질로 이루어져서 절단부(110)와 일체로 형성할 수 있다.Although the cutting portion 110 is formed of polycrystalline diamond (PCD) and the support extension 120 is made of cemented carbide, the cut portion 110 and the support extension 120 do not have mutually accurate boundaries, So that there may be a portion where a material of a mutual mixture is slightly mixed in the boundary region. Also, the support extension 120 may be made of PCD material and formed integrally with the cutout 110.

칼날지지부(200)는 수용결합부(210)와 지지리브(220)를 갖는다. 칼날지지부(200)는 판상으로 이루어지며 한 쌍의 판면과 한 쌍의 판면을 연결하며 형성된 한 쌍의 장면과 단면의 측면을 갖는다. 한 쌍의 장면 중 일측에는 길이방향을 따른 지지연장부(120)의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부(210)를 갖는다. 그에 따라 수용결합부(210)는 수용되는 칼날부(100) 즉 지지연장부(120)를 사이에 두고 함몰좌측면(211)과 함몰우측면(212)을 갖는다. 수용결합부(210)는 수용되는 지지연장부(120), 가령 지지연장본체부(122)의 두께에 대응하여 그와 동일 또는 유사하게 함몰 형성되며 바람직하게는 지지연장본체부(122)의 두께보다 크게 함몰 형성되어 금속접착제가 투입될 수 있도록 할 수 있다. 지지리브(220)는 수용결합부(210)가 칼날지지부(200)의 장면의 일측에서 함몰형성됨으로써 형성된다. The blade supporting portion 200 has a receiving portion 210 and a supporting rib 220. The blade support 200 has a pair of planes and a pair of planes formed by connecting a pair of planes and a pair of planes. One of the pair of scenes has a receiving engagement portion 210 formed to receive and engage with at least a portion of the support extension 120 along the length direction. The receiving coupling portion 210 has a recessed left side surface 211 and a recessed right side surface 212 with the blade portion 100 or the supporting extension portion 120 interposed therebetween. The receiving engagement portion 210 is formed to be recessed in the same or similar shape corresponding to the thickness of the support extension portion 120 to be received, that is, the support extension body portion 122, and preferably the thickness of the support extension body portion 122 So that the metal adhesive can be injected. The supporting ribs 220 are formed by recessing at one side of the scene of the blade supporting portion 200.

그에 따라 수용되는 칼날부(100)를 사이에 두고 좌지지리브(221)와 우지지리브(222)가 형성된다. 각 지지리브(221, 222)의 외측으로 각 함몰측면(211, 212) 영역의 일부 또는 전체에 대응하여 소정의 경사각을 갖는 리브경사면을 형성할 수 있으며, 또한 해당 리브경사면이 생략될 수도 있다. 또한 각 지지리브(221, 222)의 리브경사면은 도피연장부(121)의 도피각도의 연장선을 따라서 동일한 각도로 형성되거나 만곡형상으로 형성될 수 있다. 또한 각 지지리브(221, 222)와 해당 리브경사면의 경계영역, 즉 모서리영역은 소정 각도의 경사부 또는 소정 곡률의 만곡부를 포함할 수 있다.The left support ribs 221 and the right support ribs 222 are formed with the blade part 100 accommodated therebetween. A rib inclined surface having a predetermined inclination angle corresponding to a part or the whole of each of the depressed side surfaces 211 and 212 may be formed outside each of the support ribs 221 and 222 and the rib inclined surface may be omitted. The inclined surfaces of the ribs of the support ribs 221 and 222 may be formed at the same angle or in a curved shape along the extension of the escape angle of the escape extension 121. In addition, the boundary region between the support ribs 221 and 222 and the corresponding rib inclined surface, that is, the edge region, may include a slope portion at a predetermined angle or a curved portion with a predetermined curvature.

또한 수용결합부(210)의 깊이 또는 그에 대응 형성되는 지지리브(220)의 높이는 칼날부(100)에 형성되는 지지연장부(120)의 일부, 가령 도시된 바와 같이 지지연장본체부(122)의 일부를 수용하거나 또는 지지연장본체부(122)의 전부를 수용하도록 형성될 수 있으며, 이외에 도피연장부(121)의 일부 또는 전부까지 수용하도록 형성될 수도 있다.The depth of the receiving coupling part 210 or the height of the supporting rib 220 formed corresponding thereto may be adjusted by a part of the supporting extension part 120 formed on the blade part 100, Or may be configured to receive a portion of or all of the escape extension 121. In one embodiment,

칼날부(100)의 지지연장부(120), 가령 지지연장본체부(122)는 칼날지지부(200)의 수용결합부(210)에 수용된 상태에서 상호 결합된다. 칼날부(100)의 일부, 즉 지지연장부(120), 가령 도피연장부(121) 및/또는 지지연장본체부(122)와 칼날지지부(200)는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어질 수 있다. 가령, 각 재질의 속성은 경도, 성분비, 성분의 종류, 또는 입자크기 등 다양한 요소를 포함하며, 적어도 어느 한 가지 요소가 상이하게 마련될 수 있으며, 어느 하나의 경도가 더 높을 수 있다. 바람직하게는 유사한 금속성분 분포를 갖는 초경합금으로 이루어진다. 칼날지지부(120), 가령 지지연장본체부(122)는 수용결합부(210)에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합될 수 있다.The support extension part 120 of the blade part 100, that is, the support extension main part 122, is coupled to each other while being received in the receiving part 210 of the blade support part 200. A part of the blade part 100, that is, the support extension part 120, for example, the escape extension part 121 and / or the support extension main part 122 and the blade support part 200 are made of cemented carbide materials having the same or different properties . For example, the properties of each material include various factors such as hardness, component ratio, kind of component, or particle size, and at least one of the elements may be provided differently, and one of the hardness may be higher. Preferably a cemented carbide having a similar metal component distribution. The blade support 120, e.g., the support extension body 122, may be coupled to each other at either of the receiving joints 210 by metal adhesive, brazing, or soldering.

도 3은 블레이드(10)의 변형예시도이다.Fig. 3 is a view showing a modification of the blade 10. Fig.

도 3(a)의 실시예는, 칼날부(100)의 지지연장부(120)가 하부로 갈수록 좁아지는 형상을 가지고, 지지리브(320) 및 수용결합부(310)도 지지연장부(120)의 형상에 맞도록 형성되어 있다. 수용결합부(310)는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면(311, 312)을 갖는다. 지지연장부(120)는 한 쌍의 함몰측면(311, 312)에 접하는 단면형상을 갖는다.3 (a), the supporting extension 320 of the blade unit 100 has a shape becoming narrower as it goes downward, and the supporting rib 320 and the receiving coupling unit 310 are also extended from the supporting extension 120 As shown in Fig. The receiving coupling portion 310 has a pair of depressed side surfaces 311 and 312 having outward inclination angles. The support extension 120 has a cross-sectional shape in contact with the pair of recessed side surfaces 311, 312.

도 3 (b)의 실시예는, 지지연장부(120)의 하부단면 모서리영역이 둥근 형상을 갖는다. 지지리브(420)는 수용결합부(410)의 함몰형성에 의해 형성된다. 수용결합부(410)의 함몰영역에 형성되는 함몰측면(411, 412)은 서로 평행하게 형성되나 하부의 함몰측면은 지지연장부(120)의 하부단면 모서리영역의 둥근 형상에 맞게 둥글게 형성되며, 가공의 편의를 위하여 수용결합부(410)의 바닥면도 둥들게 형성하여 가공시킨다. 지지연장부(120)의 단면이 둥근 형상의 한 쌍의 모서리영역으로 형성되므로 절단 시의 힘이 분산될 수 있으므로 바람직한 단면일 수 있다.In the embodiment of FIG. 3 (b), the lower end edge region of the support extension 120 has a rounded shape. The supporting ribs 420 are formed by depression of the receiving engagement portion 410. The depressed side surfaces 411 and 412 formed in the depressed area of the receiving engagement part 410 are formed parallel to each other but the depressed side surface of the lower depressed part is rounded to conform to the circular shape of the lower end edge area of the supporting extension part 120, The bottom surface of the receiving and engaging portion 410 is rounded and machined. Since the support extension part 120 is formed by a pair of rounded corner areas, the force at the time of cutting can be dispersed, so that it can be a preferable cross-section.

도 3(a), 3(b) 각 함몰측면(311, 312; 411, 412)의 대응 영역에 각 지지리브(321, 322; 421, 422)의 외측에서 리브경사면이 마련되는 것은 도 2의 실시예와 마찬가지이다.The provision of the rib inclined surfaces at the outer sides of the respective support ribs 321, 322 (421, 422) in the corresponding regions of the recessed side surfaces 311, 312, 411, 412 in FIGS. This is the same as the embodiment.

도 4는 블레이드(10)의 제조공정도이다.Fig. 4 is a manufacturing process diagram of the blade 10. Fig.

도 4(a)는 PCD 구조물로 된 소결판(A)을 설명의 편의를 위하여 과장하여 도시한 것이다. 소결판(A) 제조를 위하여 소정 치수를 갖는 둥근 틀에서 초경합금의 분말을 바닥에 깔고 그 위에 흑연을 적층한다. 초경합금 분말과 흑연을 적층한 상태에서 1,400℃ 이상, 5GPa 이상의 초고온.초고압 소결공정을 진행한다. 이에 의해 흑연이 다결정 다이아몬드로 상변화를 하며 초경합금 분말도 고경도의 초경합금으로 소결되어 상측의 PCD층과 하부의 초경합금층이 형성된다. 이에 따라 소정의 두께와 직경을 갖는 원반 형상의 다결정 다이아몬드(PCD) 구조물로 된 소결판(A)을 형성한다. 이렇게 소결되어 상측 영역에는 다결정 다이아몬드층, 즉 PCD층과 그 하부에는 초경합금층으로 이루어진 둥근 판상의 소결판(A)의 판면과 수직방향을 따라서 가장 길게 커팅이 가능한 부분을 선정하고 연마 전의 칼날부(100)로 사용할 수 있도록 블레이드(10)의 성형시의 칼날부(100) 두께에 대응하여 소정의 두께를 갖는 박판재 소결물로 커팅한다. 즉 블레이드(10)의 최대 절단길이는 소결판(A)의 직경 부분에서 소정의 영역 이내에서 확보할 수 있으며, 이에 따라 절단하여야 하는 반도체부품 소재의 판면 크기가 설정될 수 있다. 여기서 최종 가공 후의 블레이드(10)는 장방형으로 1mm 이하 두께를 갖는 박판으로 설정될 수 있으며, 칼날부(100)는 블레이드(10)의 두께 미만으로, 가령 블레이드 두께의 10% 내지 50% 사이로 설정될 수 있다.4 (a) is an exaggerated view of the sintered plate A as a PCD structure for convenience of explanation. For the manufacture of sintered plate (A), powder of cemented carbide is laid on the bottom in a round frame having a predetermined dimension, and graphite is stacked thereon. The super-high-pressure and ultra-high-pressure sintering process of 1,400 ° C or more and 5 GPa or more is carried out in the state where the cemented carbide powder and graphite are laminated. As a result, the graphite undergoes a phase change to polycrystalline diamond, and the cemented carbide powder is also sintered with the hard cemented carbide to form the upper PCD layer and the lower cemented carbide layer. Thereby forming a sintered plate (A) made of a disk-shaped polycrystalline diamond (PCD) structure having a predetermined thickness and diameter. The portion that can be cut to the longest along the plane perpendicular to the plane of the sintered plate (A) having a round plate shape composed of the polycrystalline diamond layer, i.e., the PCD layer and the cemented carbide layer is selected in the upper region, 100 is cut into a thin plate sintered material having a predetermined thickness corresponding to the thickness of the blade portion 100 at the time of forming the blade 10. That is, the maximum cutting length of the blade 10 can be ensured within a predetermined area in the diameter portion of the sintered plate (A), whereby the size of the surface of the semiconductor component material to be cut can be set. Here, the blade 10 after final processing can be set to a thin plate having a thickness of 1 mm or less in a rectangular shape, and the blade portion 100 is set to be less than the thickness of the blade 10, for example, between 10% and 50% .

도 4(b)는 칼날부(100)로 사용되는 커팅된 박판재 소결물과 칼날지지부(200)를 형성하는 것을 도시한 것으로 두께를 과장하여 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물 외측을 소정의 두께와 높이가 되도록 연마한다. 칼날지지부(200)의 상면에 칼날부(100)가 수용되는 수용결합부(210)를 연마하여 내측에 함몰측면을 갖도록 형성한다. 함몰 형성된 수용결합부(210)에 금속접착제(B)를 발라준다. 금속접착제(B)는 수용결합부(210) 또는 칼날부(100)의 수용영역 중 하나 또는 양측에 도포될 수 있으며, 양자를 브레이징 또는 솔더링에 의해 결합할 경우 금속접착제 도포는 생략할 수 있다.FIG. 4 (b) illustrates forming the cut sheet metal sinter and the blade support 200 used for the blade part 100, with the thickness exaggerated. The outer side of the sintered thin sheet material to be used as the blade section 100 before polishing is polished to have a predetermined thickness and height. The receiving part 210 is formed on the upper surface of the blade supporting part 200 to receive the blade part 100 and is formed to have a depressed side on the inner side. A metal adhesive (B) is applied to the recessed receiving portion (210). The metal adhesive B may be applied to one or both of the receiving areas of the receiving part 210 or the blade part 100 and the application of the metal adhesive may be omitted when the two are joined by brazing or soldering.

도 4(c)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)의 결합과정을 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물을 수용결합부(210)에 삽입시킨 후 상호 결합시킨다. 결합시 소정의 압력, 온도, 시간 등의 조건에 따라 결합력을 증대할 수 있다.4 (c) shows a process of joining the blade unit 100 and the blade support unit 200. FIG. The sintered thin plate material to be used as the blade portion 100 before polishing is inserted into the receiving portion 210 and then bonded to each other. The bonding force can be increased according to conditions such as a predetermined pressure, temperature, time, and the like.

도 4(d)는 칼날부(100)와 칼날지지부(200)의 연마과정을 도시한 것이다. 연마 전의 칼날부(100)로 사용될 커팅된 박판재 소결물이 수용결합부(210)에 결합된 후 연마작업을 하여 인선경사면(111), 커팅인선(112), 도피연장부(121) 및 칼날지지부(200)의 상부 모서리부분의 형상과 그 외측으로 각 리브경사면을 형성한다. 인선경사면(111)을 최종적으로 형성하면서 커팅인선(112)의 센터링 위치를 확보할 수 있으며, 절단된 양측 반도체부품의 절단면의 균일성이 증대된다. 이렇게 제조된 블레이드(10)를 절단장치(1)의 블레이드구동부(20)에 장착한 후 판상의 MLCC(2)를 포함하는 반도체부품의 소재를 절단한다.FIG. 4 (d) shows the polishing process of the blade unit 100 and the blade support unit 200. The cut thin plate sintered material to be used as the blade section 100 before polishing is joined to the receiving engagement section 210 and polished to form the cutting edge 111, the cutting edge 112, the escape extension section 121, The shape of the upper edge portion of the rib 200 and the rib inclined surface are formed on the outer side thereof. It is possible to secure the centering position of the cutting edge 112 while finally forming the edge slope 111 and to increase the uniformity of the cut surfaces of the cut side semiconductor parts. After the blades 10 thus manufactured are mounted on the blade driving unit 20 of the cutting apparatus 1, the material of the semiconductor parts including the plate-shaped MLCC 2 is cut.

상기의 실시 예 이외의 변형된 예를 설명한다.A modified example other than the above embodiment will be described.

상기의 절단장치(1)는 블레이드(10)의 커팅인선(112)를 촬상하는 카메라를 더 포함할 수 있으며, 커팅인선(112)이 정상인지 아닌지를 판단하도록 할 수 있다. 이에 의해 불량이 발생하기 이전에 블레이드를 교체하여 불량륭을 감소시키며, 커팅인선(112)의 비정상을 파악하고 블레이드를 교체하므로 블레이드 교체시간을 감소시키므로 MLCC의 생산성을 향상시킬 수 있다.The cutting device 1 may further include a camera for picking up a cutting edge 112 of the blade 10 so as to determine whether the cutting edge 112 is normal or not. As a result, it is possible to improve the productivity of the MLCC because it is possible to replace the blades before the defects occur, to reduce the defects, to detect the abnormality of the cutting edges 112 and to replace the blades, thereby reducing the blade replacement time.

절단장치는 절단작업이 이루어지는 절단위치를 향해 클린에어를 분사하는 클린에어분사부를 더 가질 수 있다. 이에 의해 불량률이 더욱 감소될 수 있다.The cutting device may further have a clean air jetting portion for jetting clean air toward a cutting position where the cutting operation is performed. Thereby, the defect rate can be further reduced.

절단장치는 블레이드를 파지하는 파지부를 복수로 마련하고, 파지부를 상하이동축에 대하여 회전 가능하게 마련하여 블레이드를 교체해야하는 경우에 파지부를 상하이동축에 대하여 회전시켜 정상의 블레이드로 MLCC의 절단작업이 장시간 중단되지 않도록 할 수도 있다.The cutting apparatus includes a plurality of gripping portions for gripping the blades, and the gripping portions are rotatably provided with respect to the upper and lower coaxial axes. When the blades are to be replaced, the gripping portions are rotated with respect to the upper and lower coaxial axes, It is also possible to prevent this from being interrupted for a long time.

상기의 절단장치(1) 및 블레이드(10)로 인하여, 반도체부품(2) 소재를 절단하는 절단부(110)를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련함으로써 절단력을 향상시킬 수 있다. 지지연장부(120)는 절단부(110)의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖는 구간이 있으므로 MLCC(2)의 절단과정 중 MLCC(2)의 절단면이 블레이드(10)의 측면에 접촉되어 절단 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 수용결합부(210)에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 지지연장부(120)와 결합되면 칼날지지부(200)가 칼날부(100)를 견고하게 지지할 수 있다. 수용결합부(210)는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면(211, 212)을 가지며, 지지연장부(120)는 한 쌍의 함몰측면(211, 212)에 접하는 단면형상을 가지면 MLCC(2)를 절단하는 과정에서 칼날부(100)가 MLCC(2)의 판면에 대하여 수직상태를 유지할 수 있다. 블레이드(10)를 갖는 절단장치(1)를 이용하여 반도체부품(2)을 절단하는 절단부(110)를 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 마련하고 반도체부품(2)의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단할 수 있다.The cutting force can be improved by providing the cutting portion 110 for cutting the material of the semiconductor part 2 with a PCD (Polycrystalline Diamond) material because of the cutting device 1 and the blade 10 described above. Since the support extension 120 has a section having an escape angle smaller than the cutting angle of the cutting portion 110, the cutting surface of the MLCC 2 contacts the side surface of the blade 10 during the cutting process of the MLCC 2, Can be prevented. The blade support portion 200 can firmly support the blade portion 100 when the blade support portion 200 is coupled with the support extension portion 120 by any one of metal adhesive, brazing or soldering. The receiving extension 210 has a pair of depressed side surfaces 211 and 212 having outward inclination angles and the supporting extension 120 has a cross sectional shape tangent to the pair of depressed side surfaces 211 and 212 so that the MLCC 2 The blade unit 100 can maintain a vertical state with respect to the surface of the MLCC 2. The cutting portion 110 for cutting the semiconductor component 2 is made of PCD (Polycrystalline Diamond) using the cutting device 1 having the blade 10 and cut perpendicularly to the surface of the workpiece of the semiconductor component 2 .

1 : 절단장치 2 : MLCC, 반도체부품
10 : 블레이드 20 : 블레이드구동부
100 : 칼날부 110 : 절단부
111 : 인선경사면 112 : 커팅인선
120 : 지지연장부 121 : 도피연장부
122 : 지지연장본체부 200 : 칼날지지부
210 : 수용결합부 211 : 함몰좌측면
212 : 함몰우측면 220 : 지지리브
221 : 좌지지리브 222 : 우지지리브
1: Cutting device 2: MLCC, semiconductor parts
10: blade 20: blade driving part
100: blade part 110:
111: inclined slope 112: cutting edge
120: support extension part 121: escape extension part
122: support extension body 200: blade support
210: receiving portion 211: depressed left side
212: depression right side surface 220: support rib
221: left support rib 222: right support rib

Claims (5)

MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위한 절단용 블레이드에 있어서,
소정의 온도과 소정의 압력에서 제조되는 PCD(Polycrystalline Diamond) 재질로 이루어지며 상호 대향한 인선경사면을 갖고 일측의 길이방향을 따라 커팅인선을 형성하는 절단부와 상기 절단부의 타측으로부터 연장되어 상기 절단부를 지지하는 지지연장부를 갖는 칼날부; 및
길이방향을 따른 상기 지지연장부의 적어도 일부를 수용하며 결합되도록 함몰 형성된 수용결합부를 갖는 칼날지지부를 포함하며,
상기 블레이드는 한 쌍의 장변과 단변을 갖는 직사각형의 평평한 형상을 가지며, 상기 칼날부는 일측 장변에 마련되고 상기 칼날지지부는 타측 장변에 마련되는 것을 특징으로 하는 블레이드.
1. A cutting blade for manufacturing a semiconductor component comprising a Multi Layer Ceramic Condenser (MLCC)
A cutting portion formed of a polycrystalline diamond (PCD) material manufactured at a predetermined temperature and a predetermined pressure and having cutting edge slopes facing each other and forming a cutting edge along a longitudinal direction of one side thereof, and a cutting portion extending from the other side of the cutting portion to support the cutting portion A blade portion having a support extension; And
And a blade support portion having a receiving engagement portion formed to receive and engage with at least a portion of the support extension along the longitudinal direction,
Wherein the blade has a rectangular flat shape having a pair of long sides and short sides, the blade portion is provided at one long side, and the blade supporting portion is provided at the other long side.
제 1 항에 있어서,
상기 지지연장부는 상기 절단부의 인선각도보다 작은 도피각도를 갖고 상기 절단부로부터 연장 형성되는 연장구간을 갖는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein the support extension has an extension section that has an escape angle smaller than the cut angle of the cut section and extends from the cut section.
제 1 항에 있어서,
상기 칼날부의 일부와 상기 칼날지지부는 상호 동일 또는 상이한 속성의 초경합금 재질로 이루어지며, 상기 수용결합부에서 상호 간에 금속접착제, 브레이징 또는 솔더링 중 어느 하나에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein a portion of the blade portion and the blade support portion are made of a cemented carbide material having the same or different properties and are coupled to each other by one of metal bonding, brazing, and soldering in the receiving coupling portion.
제 1 항에 있어서,
상기 수용결합부는 외향 경사각을 갖는 한 쌍의 함몰측면을 가지며,
상기 지지연장부는 상기 한 쌍의 함몰측면에 접하는 단면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 블레이드.
The method according to claim 1,
Wherein the receiving engagement portion has a pair of depressed side surfaces having outward inclination angles,
And the support extension has a cross-sectional shape in contact with the pair of depressed side surfaces.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 블레이드; 및
MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser)를 포함하는 반도체부품의 제조를 위하여 상기 블레이드를 상기 반도체부품의 소재 판면에 대하여 수직하게 절단하도록 직선이동시키는 블레이드구동부를 갖는 것을 특징으로 하는 절단장치.
A blade according to any one of claims 1 to 4; And
And a blade driving unit for linearly moving the blade so as to cut perpendicularly to the surface of the material of the semiconductor component for manufacturing a semiconductor component including an MLCC (Multi Layer Ceramic Condenser).
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