KR101983160B1 - 전력반도체 모듈 - Google Patents

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KR101983160B1
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곽영훈
홍창섭
이영기
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 전력반도체 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 내부에 수용공간이 형성되고, 상기 수용공간의 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징, 상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 회로패턴이 형성된 기판 및 상기 고정부에 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 전력소자 사이의 회로패턴에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 터미널을 포함한다. 따라서 표류 인덕턴스를 효과적으로 저감토록 하여 전력소자 간 전류분배의 밸런스가 균형을 이루도록 함으로써, 서지 전압의 상승을 효과적으로 방지할 수 있다.

Description

전력반도체 모듈{HIGH POWER SEMICONDUCTOR MODULE}
본 발명은 전력반도체 모듈에 관한 것이다.
전력반도체 모듈은 (특허문헌 1)에서 상세히 개시하고 있다. 상기 (특허문헌 1)에 따르면, 전력반도체 모듈은 하우징 프레임(Housing frame)을 갖는 하우징(Housing) 및 상기 하우징 프레임에 끼워 넣을 수 있는 캐리어(Carrier)를 포함하고 있다. 그리고 상기 캐리어는 하우징 안에서 배열되는 내부 부분 및 상기 하우징의 외부에 배치되는 외부 부분을 포함하는 리드를 갖추고 있다.
여기서 상기 캐리어의 내부 부분은 전기적으로 전력반도체 모듈의 전자 소자에 결합하게 되고, 외부 부분은 전기적으로 전력반도체 모듈을 커플링(Coupling) 하게 된다. 또한 상기 하우징 프레임에 끼워 넣을 수 있는 캐리어는 하우징 프레임에서 플러깅되고 있다.
US 2010-0014269 A1
본 발명은 상기에서 기술한 (특허문헌 1)을 포함하여 종래기술에 따른 전력반도체 모듈을 개선하기 위한 것이다.
본 발명의 관점은, 소자 간 전력분배의 밸런스를 용이하게 맞출 수 있고, 아울러 전력반도체 모듈에 터미널을 용이하게 접합할 수 있도록 한 전력반도체 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 관점을 달성하기 위해,
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징;
상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 회로패턴이 형성된 기판; 및
상기 고정부에 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 전력소자 사이의 회로패턴에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 터미널;
을 포함한다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 고정부는 터미널의 양단이 수용되도록 오목하게 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 터미널은 모듈 하우징의 고정부에 볼트 체결되어 고정될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 터미널은 입력단이 형성된 몸체부;
상기 몸체부에서 인출되어 모듈 하우징의 고정부에 체결고정된 체결부; 및
상기 몸체부에서 인출되어 끝단에 리드가 형성된 접합부;
를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 터미널의 양단과 모듈 하우징의 고정부 사이에 개재된 스프링;
을 더 포함할 수 있다.
한편 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징;
상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 제1 회로패턴, 상기 제1 회로패턴과 전기적으로 연결되며, 전력소자가 배열되는 제2 회로패턴 및 상기 제2 회로패턴과 전기적으로 연결된 제3 회로패턴이 형성된 기판;
상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 제1 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 제1 터미널;
상기 고정부에 일단이 체결되어 고정되며, 전류를 출력하는 출력단이 형성되고, 상기 제2 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되어 전류를 분배하는 리드가 형성된 제2 터미널; 및
상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 상기 제3 회로패턴에 접합되는 리드가 형성된 제3 터미널;
을 포함한다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 고정부는 홈의 형상으로 오목하게 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 제1,2,3 터미널은 모듈 하우징의 고정부에 볼트 체결되어 고정될 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 제1 터미널은 입력단이 형성된 제1 몸체부;
상기 제1 몸체부의 양단에서 인출되어 모듈 하우징의 고정부에 체결고정된 제1 체결부; 및
상기 제1 몸체부에서 인출되어 끝단에 리드가 형성된 제1 접합부;
를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 제2 터미널은 출력단이 형성된 제2 몸체부;
상기 제2 몸체부의 일단에서 인출되어 모듈 하우징의 고정부에 체결고정된 제2 체결부; 및
상기 제2 몸체부에서 인출되어 끝단에 리드가 형성된 제2 접합부;
를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 제3 터미널은 제3 몸체부;
상기 제3 몸체부의 양단에서 인출되어 모듈 하우징의 고정부에 체결고정된 제3 체결부; 및
상기 제3 몸체부에서 인출되어 끝단에 리드가 형성된 제3 접합부;
를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전력반도체 모듈에 있어서, 상기 제1,2,3 터미널과 모듈 하우징의 고정부 사이에 개재된 스프링;
을 더 포함할 수 있다.
이러한 해결 수단들은 첨부된 도면에 의거한 다음의 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 1 내지 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전력반도체 모듈을 나타내 보인 단면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전력반도체 모듈을 분해하여 나타내 보인 사시도.
도 4 내지 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전력반도체 모듈을 나타내 보인 평면도.
본 발명의 특이한 관점, 특정한 기술적 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어 지는 이하의 구체적인 내용과 실시 예로부터 더욱 명백해 질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한 "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징(Module housing), 상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 회로패턴(Cu pattern)이 형성된 기판(Printed circuit board) 및 상기 고정부에 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 전력소자 사이의 회로패턴에 접합되어 전류를 분배하는 리드가 형성된 터미널(Terminal)을 포함한다.
일반적으로 전력반도체 모듈, 더욱 구체적으로 대전력 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET) 반도체 모듈을 개발하는데 있어서, 병렬로 연결된 전력소자 간 전류분배는 매우 민감한 부분이다. 이는 상기 전력소자에 전력을 공급하는 터미널에 따라 표류 인덕턴스(Stray inductance)가 바뀌며, 이에 따라 전력소자 간 전류분배의 밸런스(Balance)가 맞지않아 서지(Surge) 전압이 상승할 수 있는 문제점이 있기 때문이다.
여기서 주지된 바와 같이, 전력반도체 모듈에서의 터미널은 통상 모듈 하우징에 인서트(Insert) 사출한 후 초음파 용접(Ultrasonic welding)이나 와이어 본딩(Wire bonding)으로 연결하고 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 이를 개선하여 인가된 전류를 터미널을 통해 각 전력소자에 균등하게 분배하게 됨으로써, 앞서 기술한 표류 인덕턴스(Stray inductance)를 효과적으로 저감토록 하고, 또한 공정상에서 상기 터미널을 기판의 회로패턴(Cu pattern) 위에 접합시 솔더링(Soldering), 초음파 용접(Ultrasonic welding) 또는 프레스 접합(Press contact) 등을 적용하기 용이하게 된다.
다른 한편으로 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징, 상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 제1 회로패턴, 상기 제1 회로패턴과 전기적으로 연결되며, 전력소자가 배열되는 제2 회로패턴 및 상기 제2 회로패턴과 전기적으로 연결된 제3 회로패턴이 형성된 기판을 포함한다.
또한 상기 모듈 하우징의 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 제1 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 제1 터미널(P-Terminal), 상기 고정부에 일단이 체결되어 고정되고, 타단에 전류를 출력하는 출력단이 형성되며, 상기 제2 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되는 리드가 형성된 제2 터미널(Out-Terminal) 및 상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 상기 제3 회로패턴에 접합되는 리드가 형성된 제3 터미널(N-Terminal)을 포함한다.
따라서 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력반도체 모듈은 인가된 전류를 제1,2 터미널을 통해 각 전력소자에 균등하게 분배하고, 상기 제2 터미널을 통해 출력하게 됨으로써, 표류 인덕턴스(Stray inductance)를 효과적으로 저감토록 하여 전력소자 간 전류분배의 밸런스가 균형을 이루도록 함으로써, 서지(Surge) 전압의 상승을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에서 보듯이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전력반도체 모듈(100)은 모듈 하우징(110)에 터미널(130)을 일례로써, 볼트(112a)로 체결고정한 후 상기 터미널(130)의 리드(133a)를 기판(120)에 형성된 회로패턴(121)에 솔더링(Soldering), 초음파 용접(Ultrasonic welding) 또는 프레스 접합(Press contact) 등을 이용하여 접합하게 된다.
상기 모듈 하우징(110)은 내부에 수용공간(111)이 형성되고, 외곽에 터미널(130)이 체결고정되는 고정부(112)가 형성된 구성으로서, 이때의 상기 고정부(112)의 경우 홈의 형상으로 오목하게 형성되어 수용공간(111)과 인접하게 형성된다. 따라서 이러한 모듈 하우징(110)의 하부에 기판(120)이 구비됨으로써, 상기 기판(120)의 상부에 형성되어 다수의 전력소자(122), 즉 도면상 4개의 전력소자(122)가 배열되어 있는 회로패턴(121)이 수용공간(111)을 통해 외부로 노출된다.
상기 터미널(130)은 전력소자(122)에 전류를 공급하기 위한 구성으로서, 전류가 인가되는 입력단(131a)이 형성되고, 인가된 전류를 공급하는 리드(133a)가 형성되어 모듈 하우징(110)의 고정부(112)에 양단이 체결고정된다. 더욱 구체적으로 상기 터미널(130)은 입력단(131a)이 형성된 몸체부(131)를 중심으로, 상기 몸체부(131)의 양단에서 볼트(112a)가 삽입되는 홀(Hole)이 형성된 체결부(132)가 인출되어 고정부(112)에 삽입된 후 체결고정되고, 상기 몸체부(131)의 하부로 한 쌍의 접합부(133)가 인출되어 끝단의 리드(133a)가 회로패턴(121)에 접합된다.
여기서 상기 몸체부(131)는 기판(120)의 배치방향(X축)과 수직으로 교차하는 방향인 Z축으로 배치된다. 그리고 체결부(132)는 상기 기판(120)과 동일하게 X축으로 놓이도록 상기 몸체부(131)에서 굴절 형성되며, 접합부(133)의 끝단에 형성된 리드(133a) 역시 Y축으로 놓이도록 상기 접합부(133)에서 굴절 형성된다. 이러한 몸체부(131), 체결부(132) 및 접합부(133)를 포함하는 터미널(130)은 프레스 방식(Press type)으로 제조 가능하다.
따라서 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전력반도체 모듈(100)은 터미널(130)을 모듈 하우징(110)에 고정한 상태에서 기판(120)의 회로패턴(121) 위에 리드(133a)를 접합하는 공정을 용이하게 진행할 수 있으며, 이때의 접합방법으로 솔더링(Soldering) 또는 초음파 용접(Ultrasonic welding) 등을 적용하기 용이하다.
또한 각각의 리드(133a)가 전력소자(122) 사이에 배치됨으로써, 좌,우의 전력소자(122)에 전력을 균등하게 분배하여 표류 인덕턴스(Stray inductance)를 효과적으로 저감토록 하게 되고, 이에 따라 전류분배의 밸런스(Balance)가 균형을 이루게 됨으로써, 서지(Surge) 전압이 상승하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 2에서 보듯이, 터미널(130)과 모듈 하우징(110)의 고정부(112) 사이에는 스프링(Spring)을 삽입하여 개재토록 하게 된다. 그리고 상기 터미널(130)과 볼트(112a) 사이에는 와셔(112c)를 개재하게 된다.
따라서 상기 터미널(130)과 기판(120)의 접합방법으로 프레스 접합을 용이하게 적용 가능하다. 즉 상기 스프링(112b)이 자체탄성력을 통해 터미널(130)을 지지함으로써, 프레스 접합과정에서 발생할 수 있는 기판(120)의 파손을 효과적으로 방지하게 된다.
도 3 내지 5에서 보듯이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전력반도체 모듈(200)은 모듈 하우징(210)에 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)을 일례로써, 볼트(212a)로 체결고정한 후 상기 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)에 형성된 각 리드(233a)(243a)(253a)를 기판(220)에 형성된 제1,2,3 회로패턴(221a)(221b)(221c)에 솔더링(Soldering), 초음파 용접(Ultrasonic welding) 또는 프레스 접합(Press contact) 등을 이용하여 접합하게 된다.
상기 모듈 하우징(210)은 내부에 수용공간(211)이 형성되고, 외곽에 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)이 체결고정되는 고정부(212)가 형성된 구성으로서, 이때의 상기 고정부(212)의 경우 홈의 형상으로 오목하게 형성되어 수용공간(211)과 인접하게 형성된다.
따라서 이러한 모듈 하우징(210)의 하부에 기판(220)이 구비됨으로써, 상기 기판(220)의 상부에 형성된 제1,2,3 회로패턴(221a)(221b)(221c)이 수용공간(211)을 통해 외부로 노출된다. 여기서 상기 제1,2 회로패턴(221a)(221b)에는 다수의 전력소자(222), 즉 도면상 4개의 전력소자(222)가 배열되며, 상기 제3 회로패턴(221c)의 경우, 예비적으로 활용하게 되며, 상기 전력소자(222)와 제2,3 회로패턴(221b)(221c)을 와이어(Wire) 연결함으로써, 전기적으로 연결된다.
상기 제1 터미널(230)은 전력소자(222)에 전류를 공급하기 위한 구성으로서, 전류가 인가되는 입력단(231a)이 형성되고, 인가된 전류를 공급하는 리드(233a)가 형성되어 모듈 하우징(210)의 고정부(212)에 양단이 체결고정된다. 더욱 구체적으로 상기 제1 터미널(230)은 입력단(231a)이 형성된 제1 몸체부(231)를 중심으로, 상기 제1 몸체부(231)의 양단에서 볼트(212a)가 삽입되는 홀(Hole)이 형성된 제1 체결부(232)가 인출되어 고정부(212)에 삽입된 후 체결고정되고, 상기 제1 몸체부(231)의 하부로 한 쌍의 제1 접합부(233)가 인출되어 끝단에 형성된 리드(233a)가 제1 회로패턴(221a)에 접합된다.
상기 제2 터미널(240)은 인가된 전류를 출력하기 위한 구성으로서, 구체적으로는 전류를 출력하는 출력단(241a)이 형성된 제2 몸체부(241)를 중심으로, 상기 제2 몸체부(241)의 일단에서 제2 체결부(242)가 인출되어 고정부(212)에 삽입된 후 체결고정되고, 상기 제2 몸체부(241)의 하부로 한 쌍의 제2 접합부(243)가 인출되어 끝단에 형성된 리드(243a)가 제2 회로패턴(221b)에 접합되어 전류를 분배하게 된다.
상기 제3 터미널(250)은 제3 몸체부(251)를 중심으로, 상기 제3 몸체부(251)의 양단에서 제3 체결부(252)가 인출되어 고정부(212)에 삽입된 후 체결고정되고, 상기 제3 몸체부(251)의 하부로 한 쌍의 제3 접합부(253)가 인출되어 끝단에 형성된 리드(253a)가 제3 회로패턴(221c)에 접합되어 전류를 인가하게 된다.
여기서 상기 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)의 공통적인 사항으로서, 제1,2,3 몸체부(231)(241)(251)는 기판(220)의 배치방향(X축)과 수직으로 교차하는 방향인 Z축으로 배치된다. 그리고 제1,2,3 체결부(232)(242)(252)는 상기 기판(220)과 동일하게 X축으로 놓이도록 상기 제1,2,3 몸체부(231)(241)(251)에서 굴절 형성되며, 제1,2,3 접합부(233)(243)(253)의 끝단에 형성된 리드(233a)(243a)(253a) 역시 Y축으로 놓이도록 상기 제1,2,3 접합부(233)(243)(253)에서 굴절 형성된다. 상기 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)은 프레스 방식(Press type)으로 제조 가능하다.
따라서 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전력반도체 모듈(200)은 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)을 모듈 하우징(210)에 고정한 상태에서 기판(220)의 제1,2,3 회로패턴(221a)(221b)(221c) 위에 리드(233a)(243a)(253a)를 접합하는 공정을 용이하게 진행할 수 있으며, 이때의 접합방법으로 솔더링(Soldering) 또는 초음파 용접(Ultrasonic welding) 등을 적용하기 용이하다.
또한 각각의 리드(233a)(243a)(253a)가 전력소자(222) 사이에 배치됨으로써, 좌,우의 전력소자(222)에 전력을 균등하게 분배하여 표류 인덕턴스(Stray inductance)를 효과적으로 저감토록 하여 전력소자(222)는 물론이고, 제1,2,3 회로패턴(221a)(221b)(221c) 간의 전류분배의 밸런스(Balance)가 균형을 이루게 됨으로써, 서지(Surge) 전압이 상승하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
한편 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)과 모듈 하우징(210)의 고정부(212) 사이에는 스프링(Spring)을 삽입하여 개재토록 하게 된다. 그리고 상기 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)과 볼트(212a) 사이에는 와셔(212c)를 개재하게 된다.
따라서 상기 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)과 기판(220)의 접합방법으로 프레스 접합을 용이하게 적용 가능하다. 즉 상기 스프링(212b)이 자체탄성력을 통해 제1,2,3 터미널(230)(240)(250)을 지지함으로써, 프레스 접합과정에서 발생할 수 있는 기판(220)의 파손을 효과적으로 방지하게 된다.
이상 본 발명을 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 전력반도체 모듈은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100, 200 - 전력반도체 모듈 110, 210 - 모듈 하우징
111, 211 - 수용공간 112, 212 - 고정부
112a, 212a - 볼트 112b, 212b - 스프링
112c, 212c - 와셔 120, 220 - 기판
121 - 회로패턴 122, 222 - 전력소자
130 - 터미널 131 - 몸체부
131a, 231a - 입력단 132 - 체결부
133 - 접합부 133a, 233a, 243a, 253a - 출력단
221a - 제1 회로패턴 221b - 제2 회로패턴
221c - 제3 회로패턴 230 - 제1 터미널
231 - 제1 몸체부 232 - 제1 체결부
233 - 제1 접합부 240 - 제2 터미널
241 - 제2 몸체부 241a - 출력단
242 - 제2 체결부 243 - 제2 접합부
250 - 제3 터미널 251 - 제3 몸체부
252 - 제3 체결부 253 - 제3 접합부

Claims (12)

  1. 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징(Module housing);
    상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 다수의 전력소자가 배열되는 회로패턴(Cu pattern)이 형성된 기판(Printed circuit board); 및
    상기 고정부에 체결되어 고정되며, 상기 회로패턴에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 터미널(Terminal);
    을 포함하며,
    상기 터미널은 전류가 인가되는 입력단이 형성된 몸체부, 상기 몸체부에서 인출되어 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 체결고정된 체결부, 및 상기 몸체부에서 인출되어 끝단에 다수의 리드가 형성된 접합부를 포함하며,
    상기 몸체부는 상기 모듈 하우징의 상기 수용공간을 가로지르도록 배치되고,
    상기 체결부는 상기 몸체부의 양 단에 각각 배치되어 상기 고정부에 체결되며,
    상기 리드는 다수개가 각각 상기 다수의 전력소자들 사이의 회로패턴에 접합되는 전력반도체 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고정부는 상기 터미널의 양단이 수용되도록 오목하게 형성된 전력반도체 모듈.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 터미널은 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 볼트 체결되어 고정된 전력반도체 모듈.
  4. 삭제
  5. 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징(Module housing);
    상기 모듈 하우징에 구비되어 상기 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 회로패턴(Cu pattern)이 형성된 기판(Printed circuit board);
    상기 고정부에 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 전력소자 사이의 회로패턴에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 터미널(Terminal); 및
    상기 터미널의 양단과 상기 모듈 하우징의 상기 고정부 사이에 개재된 스프링;
    을 포함하는 전력반도체 모듈.
  6. 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징;
    상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 다수의 전력소자가 배열되는 제1 회로패턴, 상기 제1 회로패턴과 전기적으로 연결되며, 다수의 전력소자가 배열되는 제2 회로패턴 및 상기 제2 회로패턴과 전기적으로 연결된 제3 회로패턴이 형성된 기판;
    상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 제1 회로패턴의 전력소자들 사이에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 다수의 리드가 형성된 제1 터미널(P-Terminal);
    상기 고정부에 일단이 체결되어 고정되며, 전류를 출력하는 출력단이 형성되고, 상기 제2 회로패턴의 전력소자들 사이에 접합되어 전류를 분배하는 다수의 리드가 형성된 제2 터미널(Out-Terminal); 및
    상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 상기 제3 회로패턴에 접합되는 다수의 리드가 형성된 제3 터미널(N-Terminal);
    을 포함하고,
    상기 제1, 제2, 제3 터미널은 각각 상기 모듈 하우징의 수용 공간을 가로지르도록 배치되는 전력반도체 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 고정부는 홈의 형상으로 오목하게 형성된 전력반도체 모듈.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1,2,3 터미널은 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 볼트 체결되어 고정된 전력반도체 모듈.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 터미널은 입력단이 형성된 제1 몸체부;
    상기 제1 몸체부의 양단에서 인출되어 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 체결고정된 제1 체결부; 및
    상기 제1 몸체부에서 인출되어 끝단에 상기 다수의 리드가 형성된 제1 접합부;
    를 포함하는 전력반도체 모듈.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 터미널은 출력단이 형성된 제2 몸체부;
    상기 제2 몸체부의 일단에서 인출되어 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 체결고정된 제2 체결부; 및
    상기 제2 몸체부에서 인출되어 끝단에 상기 다수의 리드가 형성된 제2 접합부;
    를 포함하는 전력반도체 모듈.
  11. 청구항 6에 있어서,
    상기 제3 터미널은 제3 몸체부;
    상기 제3 몸체부의 양단에서 인출되어 상기 모듈 하우징의 상기 고정부에 체결고정된 제3 체결부; 및
    상기 제3 몸체부에서 인출되어 끝단에 상기 다수의 리드가 형성된 제3 접합부;
    를 포함하는 전력반도체 모듈.
  12. 내부에 수용공간이 형성되고, 외곽으로 고정부가 형성된 모듈 하우징;
    상기 모듈 하우징에 구비되어 수용공간으로 노출되며, 전력소자가 배열되는 제1 회로패턴, 상기 제1 회로패턴과 전기적으로 연결되며, 전력소자가 배열되는 제2 회로패턴 및 상기 제2 회로패턴과 전기적으로 연결된 제3 회로패턴이 형성된 기판;
    상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 전력을 인가받는 입력단이 형성되고, 상기 제1 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되어 인가된 전류를 분배하는 리드가 형성된 제1 터미널(P-Terminal);
    상기 고정부에 일단이 체결되어 고정되며, 전류를 출력하는 출력단이 형성되고, 상기 제2 회로패턴의 전력소자 사이에 접합되어 전류를 분배하는 리드가 형성된 제2 터미널(Out-Terminal);
    상기 고정부에 양단이 체결되어 고정되며, 상기 제3 회로패턴에 접합되는 리드가 형성된 제3 터미널(N-Terminal); 및
    상기 제1,2,3 터미널과 상기 모듈 하우징의 상기 고정부 사이에 개재된 스프링;
    을 포함하는 전력반도체 모듈.
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