KR101976250B1 - 알루미늄으로 구성되는 금속화 기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판(1)이 적어도 부분적으로 그리고 좋기로는 전체적으로 알루미늄 및/또는 알루미늄 합금을 포함하는 금속화 기판(1)의 제조방법에 관한 것으로, 도체 페이스트(3)가 기판(1)의 표면(2)에 적어도 영역별로 도포되고, 제1 소성단계(B1)에서 도체 페이스트(3)가 실질적으로 연속하여 증가하는 소성온도(T)에 노출되며, 소성온도(T)가 약 660℃ 이하의 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)로 증가되고, 제2 소성단계(B2)에서 도체 페이스트(3)가 사전에 결정가능한 시간(tB) 동안 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)에 실질적으로 노출되며, 냉각단계(A)에서 도체 페이스트(3)가 냉각되고, 후처리단계에서 도체 페이스트(3)의 표면(4)이 기계적으로 후처리, 좋기로는 브러쉬처리됨을 특징으로 한다.

Description

알루미늄으로 구성되는 금속화 기판의 제조방법 {METHOD FOR PRODUCING A METALLISED SUBSTRATE CONSISTING OF ALUMINIUM}
본 발명은 금속화 기판의 제조방법에 관한 것으로, 기판이 적어도 부분적으로 그리고 좋기로는 전체적으로 알루미늄 및/또는 알루미늄 합금을 포함하는 금속화 기판의 제조방법에 관한 것이다.
알루미늄 물질은 특히 파워 일렉트로닉스(power electronics)의 분야에서 중요성이 크게 증가하고 있다. 비교적 가벼운 하중과 낮은 비용 때문에 알루미늄은 예를 들어 파워 일렉트로닉스 모듈(예를 들어, LED, IGBT 또는 MOSFET)과 같은 전자부품을 위한 냉각체 또는 직접적으로 전류운반도체(current-carrying conductor), 특히 전류바 또는 버스 바(current or bus bar)로서 주로 사용된다. 이러한 용도로 사용하기 위하여, 알루미늄은 약 235W/(m*K)의 매우 높은 레벨의 열전도성과 약 37*106A/(V*m)의 매우 높은 레벨의 전기적인 전도성을 갖는다. 알루미늄의 화학적인 특성은 공기와 접촉할 때 신속히 형성되고 알루미늄 동체의 표면에 산화과정의 결과로 대기중의 산소와 접촉하여 얇은 산화물층이 형성되는 것이다. 확실히 이러한 산화물층은 한편으로는 부식을 방지하는데 기여하고는 있지만 다른 한편으로 이는 알루미늄을 융접(soldering), 용접(welding) 또는 다른 알려진 연결방법으로 다른 물질에 연결하는 것을 어렵게 한다.
따라서 본 발명의 목적은 대부분 알루미늄 및/또는 알루미늄 합금을 포함하는 금속화 기판을 제조하는 개선된 방법을 제공하는데 있다. 특히 본 발명은 기판의 표면이 기판과의 전기적인 접촉이 이루어질 수 있도록 융접가능하게 하는데 있다.
본 발명에 따라서 이러한 목적은 청구범위 제1항의 특징부에 의하여 달성된다. 본 발명의 유리한 구성들이 첨부된 청구범위에서 열거된다.
따라서, 본 발명에 따라 도체 페이스트(conductor paste)가 기판의 표면에 적어도 영역별(region-wise)로 도포되고, 제1 소성단계에서 도체 페이스트가 실질적으로 연속하여 증가하는 소성온도에 노출되며, 여기에서 소성온도는 약 660℃ 이하의 사전에 결정가능한 최대소성온도로 증가되며, 제2 소성단계에서 도체 페이스트가 사전에 결정가능한 시간 동안 사전에 결정가능한 최대소성온도에 실질적으로 노출되고, 냉각단계에서 도체 페이스트가 냉각되고, 후처리단계에서 도체 페이스트의 표면이 기계적으로 후처리, 좋기로는 브러쉬처리된다.
기판, 특히 알루미늄 기판의 표면은 특정방법의 단계에 의하여 신뢰가능하게 금속화될 수 있다. 도체 페이스트가 특정방법에 의하여 도포되고 방법의 단계에 따라서 소결되는 영역이 이러한 영역에서 일어나기 쉬운 기판의 산화된 표면을 대신하여 기판의 전기적인 접촉이 이루어질 수 있도록 한다. 도체 페이스트의 도포와 소결에 의하여 적어도 영역별로 형성되는 전기적인 전도층은 이에 따라 예를 들어 이에 전자구성요소를 융접하거나 또한 냉각체상에 융접하기 위하여 사용될 수 있으며, 냉각체 자체도 역시 알루미늄을 포함할 수 있다.
이와 같은 경우, 기판은 적어도 부분적으로 그리고 좋기로는 완전히 가능한 한 알루미늄의 비율이 높은 알루미늄 물질을 포함할 수 있다. 좋기로는 알루미늄 물질은 적어도 99.5중량%의 알루미늄 또는 99.6중량%의 알루미늄을 함유하는 유럽규격 EN 573에 따라서 양질의 EN AW-1050A 또는 EN AW-1060A가 사용된다. 상기 언급된 실질적으로 순수한 알루미늄 물질에 비교하여 어느 정도 낮은 액상선 온도와 낮은 열전도성에도 불구하고 알루미늄 합금, 예를 들어 EN AW-3003 (AlMn1Cu), EN AW-3103 (AlMn1), EN AW-5005 (AlMg1) 또는 EN AW-5754 (AlMg3)와 같이 망간 또는 마그네슘을 함유하는 알루미늄 합금이 사용될 수 있다.
제안된 방법은 알루미늄계 기판의 표면의 각 영역을 선택적으로 금속화할 수 있는 가능성을 제공하는 것으로, 금속화 영역은 관련된 물질의 직접적인 결합접합(bonding joining)으로 기판에 소결된 도체 페이스트의 형태로 접합되고, 이와 같이 함으로써, 기판에 대한 도체 페이스트 또는 도체 페이스트에 대한 기판의 높은 전기적인 전도성과 높은 열전도성을 얻을 수 있다. 금속화 영역은 부가적으로 융접가능한 영역을 제공함으로써 이에 의하여 기판이 잘 알려진 방식으로 다른 구성요소에 접합될 수 있다. 따라서 예를 들어 각 전자구성요소들은 공융 Sn-Pb-, Sn-Ag-Cu- 또는 Sn-Au-솔더(solder)와 같은 통상적인 융접제(soldering agent)를 이용하여 금속화 영역에 융접될 수 있다.
개선된 방열(放熱)을 위하여, 고출력 LED 모듈 또는 전력전자모듈과 같은 구성요소의 무전위(potential-free) 연결이 중간에 절연유전체층을 사용하지 않고 고가의 은계통 열전도성 페이스트 없이 금속화 영역에 의하여 알루미늄 기판에 융접될 수 있어 전체적으로 열저항이 낮게 유지될 수 있다. 감소된 열저항과 증가된 열전도성에 의하여 기판에 접합되는 구성요소의 구조적인 크기가 감소되거나 또는 이들이 고출력의 전력전달로 작동될 수 있다. 통상적인 융접제(상기 언급된 바 있음)는 구성요소를 금속화 영역에 융접하기 위하여 사용될 수 있다. 따라서, 흔히 할로겐 및 기타 건강에 해로운 다른 물질을 함유하는 특수 알루미늄 융접제를 사용하지 않아도 된다.
제안된 방법을 이용하는 다른 영역은 연결되는 전류케이블의 연결신뢰성을 개선하기 위한 알루미늄 전류 버스바의 금속화이다. 구리계 도체 페이스트를 이용한 알루미늄 버스바의 표면의 금속화는 특히 금속간 확산 현상과 이에 연결되는 구리전류케이블과의 전기화학반응을 방지할 수 있도록 한다.
특별히 유리한 실시형태에 따라서, 도체 페이스트는 스크린인쇄방법으로 기판의 표면에 도포될 수 있다. 스크린인쇄기술은 기판상에 도체 트랙을 생성하기 위하여 확립된 방법이다. 파워 일렉트로닉스의 분야에서 소위 "절연금속기판"(IMS)이 주로 기판으로 사용되는데, 이는 알루미늄 코어를 포함하고 전기적인 절연층 또는 유전체층에 의하여 둘러싸인다. 이러한 경우에 있어서, 알루미늄 코어는 열전도성의 개선을 위하여 사용된다. 예를 들어 스크린인쇄방법으로 절연층에 도포되는 도체 트랙 자체는 이 경우에 있어서 알루미늄 코어와 전기적으로 접촉하지 않는다.
그러나, 본 발명의 목적은 기판상에 배치된 도체 트랙이 기판 자체와 직접적으로 전기적인 접촉이 이루어지는 것이다. 이는 도체 트랙 또는 도체 표면이 중간에 절연층이 개재되지 않고 제안된 방법에 의하여 기판에 직접 배치될 수 있는 한 가능한 것이다. 관련된 물질의 결합접합으로 이루어지는 연결이 소결된 도체 페이스트와 기판 사이에서 이루어지고 이에 의하여 소결된 도체 페이스트가 기판에 전기적이고 열적으로 직접 접촉된다. 이 점에 관하여 후막(thick-layer) 페이스트 또는 소결 페이스트의 형태인 통상적인 도체 페이스트가 사용될 수 있다. 후막 페이스트가 갖는 다공성 때문에, 도체 페이스트와 기판의 상이한 열팽창도를 보상하는 것이 가능하고 이에 의하여 예를 들어 자동차산업분야의 경우와 같이 특히 주요 주기적인 열스트레스가 가하여지는 경우에 도체 페이스트와 기판 사이의 접합의 신뢰도가 증가 될 수 있다.
기판에 층이 형성되는 스크린인쇄방법의 부가적인 특성은 또한 기판 표면의 금속화를 위한 노출 및 에칭방법을 이용하지 않을 수 있어 제안된 방법에서 비용상의 이점을 준다.
통상적으로 후막 도체 페이스트는 전기적인 도전제(conductive agent)로서 적어도 금속분말, 결합제(bonding agent)로서 무기분말(예를 들어 유리 프리트)과, 유기결합제 및 용해제(organic binding and dissolving agents)를 포함한다. 유기결합제 및 용해제는 그러나 도체 페이스트의 다른 구성성분에 의하여 또한 영향을 받는 특정 유동특성을 보이는 페이스트상의 일관성을 갖도록 한다.
전기적인 전도성 금속분말의 구성성분에 관하여, 좋기로는 구리분말을 포함하는 도체 페이스트가 사용될 수 있도록 한다. 그러나, 은 및/또는 금 분말을 포함하는 도체 페이스트를 사용할 수도 있음을 알 수 있을 것이다. 그러나, 구리분말의 사용은 비용을 크게 줄일 수 있도록 한다.
무기분말의 구성성분에 관하여, PbO-B2O3-SiO2 계의 유리 및/또는 Bi2O3 를 포함하는 유리를 함유하는 도체 페이스트가 사용되는 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 제안된 방법에서 소결과정중에, 이러한 상황에서 지배적인 비교적 낮은 소성온도에도 불구하고, 기판에 대한 도체 페이스트의 매우 양호한 접착이 이루어질 수 있다.
도체 페이스트가 예를 들어 종래기술의 스크린인쇄방법과 같은 인쇄방법으로 도포된 후에, 도체 페이스트는 특별히 언급할 정도의 유동이 없이 그 유동특성에 의하여 도포된 영역에서 실질적으로 그대로 유지된다. 기판의 표면에 도포된 도체 페이스트를 최적한 상태로 소성 또는 소결이 이루어질 수 있도록 하기 위하여, 제1 소성단계 이전에 건조단계에서 도체 페이스트는 좋기로는 약 5분에서 약 20분 사이의 시간 동안 약 80℃ 에서 약 200℃ 사이의 온도, 좋기로는 100℃ 에서 150℃ 사이의 온도, 특히 좋기로는 최대 130℃의 온도로 건조된다. 이러한 건조단계에 의하여 도체 페이스트내에 존재하는 용제가 실질적으로 완전히 소멸된다. 이 점에 관하여 예를 들어 적외선 또는 고온공기건조와 같은 공지된 건조방법이 좋다. 건조과정과 도체 페이스트에서 용제의 연관된 소멸에 의하여 도체 페이스트는 어느 정도 체적이 수축된다. 그러나, 그만큼 더 두꺼운 후막의 도체 페이스트를 도포함으로써 사전에 이미 대응할 수 있다.
제안된 방법의 제1 및/또는 제2 소성단계에서 도체 페이스트의 소성 또는 소결은 좋기로는 소성로에서, 소성로에서의 지배적인 소성온도로 이루어질 수 있다. 또한 건조단계 및/또는 냉각단계 역시 소성로에서 이루어질 수 있다. 좋기로는 이와 같은 경우 컨베이어 장치가 구비된 소성로가 사용될 수 있다.
적당한 소성의 프로파일(profile)은 기판과 도체 페이스트의 사용된 물질의 조합에 따라서 적용될 수 있다. 특별한 변형형태에서는 제1 소성단계에서 소성온도는 적어도 일시적으로 약 40℃/분에서 약 60℃/분 사이로 증가된다. 또한 제1 소성단계에서 소성온도는 약 580℃, 좋기로는 약 565℃ 의 온도, 특히 좋기로는 약 548℃의 최대소성온도로 증가될 수 있다.
도체 페이스트를 약 400℃ 에서 450℃ 사이를 넘게 가열함으로써 예를 들어 유기결합제와 같은 도체 페이스트 내의 모든 유기구성성분이 실질적으로 완전히 용해되고 무기구성성분(예를 들어 유리분말 또는 유리 프리트)은 연화된다. 아울러 금속분말 소결과정이 이들 온도에서 시작된다. 또한 도체 페이스트의 연화된 유리구성성분은 기판에 도체 페이스트의 양호한 접착결합이 이루어지도록 한다.
최대소성온도는 기본적으로 약 660℃ 인 알루미늄의 용융온도에 의하여 제한된다. 은계통의 도체 페이스트를 사용할 때, 최대소성온도는 좋기로는 약 565℃인 반면에 구리계 도체 페이스트를 사용할 때 최대소성온도는 좋기로는 약 548℃ 이다. 이들 온도는 이러한 경우에 발생하는 가능한 공융 알루미늄-구리 또는 알루미늄-은 합금의 용융온도로부터 유래된다.
각 최대소성온도에 관하여 도체 페이스트를 위하여 적당한 유리성분이 선택되어야 하며, 이들 성분의 대응하는 유리전이온도(TG) 또는 용융온도(TS)가 그러한 최대소성온도에 적용된다. 따라서 해당 도체 페이스트의 유리성분의 유리전이온도 또는 용융온도는 기판에 대한 도체 페이스트의 최적한 접착이 이루어질 수 있도록 특정된 최대소성온도보다 적당히 낮아야 한다. 특히 PbO-B2O3-SiO2 계의 유리 또는 Bi2O3 를 포함하는 유리가 적당하다.
만약 제2소성단계에서 도체 페이스트의 소성이 약 5분에서 약 30분 사이의 시간동안 이루어지는 경우 특별히 유리한 것으로 입증되었다. 기본적으로, 제2 소성단계(최대소성온도로)에서 소성시간이 길면 길수록 도체 페이스트는 보다 치밀하게 소결되어 추후의 과정(예를 들어 융접 및 용접)을 위하여 더 나은 특성을 갖는다. 그러나, 제2 소성단계에서 시간이 너무 길면 전형적인 소성로에서 체류시간이 상응하여 길어져 전체 처리율에 좋지 않은 영향을 준다.
다른 유리한 변형형태에서 사전에 결정가능한 최대소성온도는 제2 소성단계에서 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다.
아울러, 제1 소성단계 및/또는 제2 소성단계에서 도체 페이스트는 질소를 포함하는 보호가스분위기에 노출된다. 보호가스분위기(예를 들어, 질소)는 도체 트랙 물질의 산화를 방지하기 위하여 구리 도체 트랙 페이스트에서 가열하는 것에 유리하다(소성단계에 따라서 소규모 ppm 함량의 산소가 잔류될 수 있다). 이와 같은 경우에 있어서 이러한 물질 또는 도체 페이스트의 유기결합제는 질소분위기하에서 환원될 수 있을 것이라고 예상할 수 있다. 결국 통상적인 공기분위기가 은재질의 도체 트랙 페이스트를 위하여서는 유리할 수 있는바, 그 이유는 산화로 인한 도체 트랙 표면의 어떠한 심각한 손상도 나타나지 않기 때문이다. 이러한 경우에 사용된 유기결합제는 공기중의 산소에 의하여 산화될 수 있다.
본 발명의 우선 실시형태에서, 냉각단계에서는 소성온도가 적어도 일시적으로 약 20℃/분에서 약 40℃/분 사이, 좋기로는 약 30℃/분으로 감소될 수 있다. 이러한 경우에 있어서 냉각은 주위온도로 이루어지는 것이 좋다. 냉각작용이 느리면 느릴수록 사용된 물질의 상이한 열팽창계수에 의하여 도체 페이스트와 기판 사이의 연결부분에 대한 기계적인 효과가 그만큼 적게 된다.
소성 또는 소결과정 중에 그때의 지배적인 고온으로 인해 발생하는 소결된 도체 페이스트의 전형적인 산화 때문에, 도체 페이스트의 표면은 추가의 과정, 예를 들어 이후의 융접 또는 용접과정이 용이하게 이루어질 수 있도록 하기 위하여 냉각단계 후에 적당히 기계적으로 후처리된다.
우선 실시형태에 따라서, 도체 페이스트는 기판의 표면에 대하여 약 10㎛ 에서 약 100㎛ 사이의 두께로 도포될 수 있다. 또한 기판의 표면에 대하여 도체 페이스트는 10㎛ 이하의 두께로 도포되거나 또는 도체 페이스트가 100㎛ 이상의 두께로 도포될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한 제안된 방법은 결과적으로 형성된 전체 도체 페이스트의 두께를 증가시키기 위하여 다수회 연속해서 도포할 수 있다.
본 발명의 상세한 내용과 이점이 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 1은 도체 페이스트가 배치된 기판의 단면도.
도 2는 제안된 방법의 실시형태에 대해 시간에 대한 소성온도의 소성프로파일(firing profile)을 보인 그래프.
도 1은 제안된 방법을 수행한 후 실질적으로 순수 알루미늄 또는 고순도의 알루미늄 합금으로 이루어진 기판(1)의 단면(실제의 축척이 아님)을 보인 것이다. 이 경우에 있어서, 기판(1)은 예를 들어 적어도 99.5중량%의 알루미늄을 함유하는 유럽규격 EN 573에 따른 양질의 EN AW-1050A의 알루미늄 물질을 포함한다. 기판(1)의 두께(DS)는 약 2 mm 이고 실질적으로 평면상의 표면(2)을 갖는다. 일반적으로 기판(1)의 두께(DS)는 적어도 1 mm 일 수 있는 반면에 합리적인 최대 두께(DS)는 기판(1)의 추가 가공과정에 의하여 제한될 수 있다.
구리계 도체 페이스트(3)가 스크린인쇄방법에 의하여 기판(1)의 표면(2)에 도포된다. 즉, 사용된 도체 페이스트(3)는 전기적인 전도성 성분으로서 구리분말을 함유한다. 도체 페이스트(3)와 함께 기판(1)은 융접가능한 알루미늄 기판(1)을 얻기 위하여 도 2의 소성프로파일을 이용하여 제안된 방법에 따라서 처리되었다. 이 예에서, 제안된 방법을 이용한 후에 소성 또는 소결된 도체 페이스트(3)의 두께(DL)는 약 35 ㎛ 이다. 소성 또는 소결된 도체 페이스트의 두께(DL)는 예를 들어 구리 도체 트랙 페이스트인 경우에는 약 20 ㎛ 에서 약 40 ㎛ 사이이고 은 도체 트랙 페이스트인 경우에는 약 10 ㎛ 에서 약 20 ㎛ 사이일 수 있다. 제안된 방법으로 소성되거나 소결된 도체 페이스트(3)의 융접특성을 개선하기 위하여 소결된 도체 페이스트의 표면(4)이 기계적으로 후처리, 예를 들어 브러쉬 처리되었다.
도 2는 제안된 방법에 대한 가능한 소성프로파일을 보인 것이다. 이 점에 관하여 도시된 그래프는 소성로에서 소성온도(T)의 시간에 대한 변화를 보인 것으로, 제1 소성단계(B1), 제2 소성단계(B2) 및 냉각단계(A)가 수행되었다. 제1 소성단계(B1)에서, 약 22℃의 주위온도로부터 출발하여, 소성온도(T)는 약 542℃의 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)까지 연속적으로 증가되었다. 이 경우에 있어서 제1 소성단계(B1)에서 소성온도(T)의 시간에 대한 변화는 소성온도(T)가 약 46℃/분의 비율(RB)로 증가되는 실질적으로 직선부분을 갖는 실질적으로 S-형을 이룬다.
사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)에 도달한 후에 도체 페이스트(3)와 기판(1)은 제2 소성단계(B2)에서 약 9분의 사전에 결정가능한 시간(tB )동안 약 542℃의 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)에 노출되어, 도체 페이스트(3)가 소성 또는 소결되었다.
이후의 냉각단계(A)에서 소성온도(T)는 연속하여 감소되었으며, 여기에서 소성온도(T)는 실질적으로 S-형의 형태로 시간(t)에 대하여 감소된다. 냉각단계(A)에서 소성온도(T)의 감소비율(RA)은 대략적으로 평균 약 33℃/분 이었다.
1: 기판, 2: 기판의 표면, 3: 도체 페이스트, 4: 도체 페이스트의 표면.

Claims (16)

  1. 기판(1)이 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 금속분말, 무기분말, 유기결합제 및 용해제(organic binding and dissolving agents)를 포함하는 도체 페이스트(3)가 기판(1)의 표면(2)에 적어도 영역별(region-wise)로 도포되며, 제1 소성단계(B1)에서 도체 페이스트(3)가 실질적으로 연속하여 증가하는 소성온도(T)에 노출되고, 소성온도(T)가 40℃/분에서 60℃/분 사이로 증가되어 660℃ 이하의 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)로 증가되며, 제2 소성단계(B2)에서 도체 페이스트(3)가 사전에 결정가능한 시간(tB) 동안 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)에 실질적으로 노출되고, 냉각단계(A)에서 도체 페이스트(3)가 냉각되며, 후처리단계에서 도체 페이스트(3)의 표면(4)이 기계적으로 후처리되는 금속화 기판의 제조방법에 있어서, 상기 금속분말로서 구리 분말을 포함하는 도체 페이스트(3)가 사용되고, 상기 최대소성온도(Tmax)는 548℃로 결정되어, 상기 최대소성온도(Tmax)가 순수 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 도체 페이스트(3)의 금속분말을 포함하는 기판 재료의 공융온도(the eutectic temperature)보다 낮은 것을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  2. 기판(1)이 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 금속분말, 무기분말, 유기결합제 및 용해제를 포함하는 도체 페이스트(3)가 기판(1)의 표면(2)에 적어도 영역별로 도포되며, 제1 소성단계(B1)에서 도체 페이스트(3)가 실질적으로 연속하여 증가하는 소성온도(T)에 노출되고, 소성온도(T)가 40℃/분에서 60℃/분 사이로 증가되어 660℃ 이하의 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)로 증가되며, 제2 소성단계(B2)에서 도체 페이스트(3)가 사전에 결정가능한 시간(tB) 동안 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)에 실질적으로 노출되고, 냉각단계(A)에서 도체 페이스트(3)가 냉각되며, 후처리단계에서 도체 페이스트(3)의 표면(4)이 기계적으로 후처리되는 금속화 기판의 제조방법에 있어서, 상기 금속분말로서 은 분말을 포함하는 도체 페이스트(3)가 사용되고, 상기 최대소성온도(Tmax)는 565℃로 결정되어, 상기 최대소성온도(Tmax)가 순수 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 도체 페이스트(3)의 금속분말을 포함하는 기판 재료의 공융온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도체 페이스트(3)가 스크린인쇄방법으로 기판(1)의 표면(2)에 도포됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무기분말로서 PbO-B2O3-SiO2 계의 유리 및 Bi2O3 를 포함하는 유리 중 적어도 하나를 포함하는 도체 페이스트(3)가 사용됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 소성단계(B1) 이전에 건조단계에서 도체 페이스트(3)가 80℃ 에서 200℃ 사이의 온도로 건조됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 제1 소성단계(B1) 이전에 건조단계에서 도체 페이스트(3)가 100℃ 에서 150℃ 사이의 온도로 건조됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 제1 소성단계(B1) 이전에 건조단계에서 도체 페이스트(3)가 5분에서 20분 사이의 시간동안 건조됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 소성단계(B1) 및 제2 소성단계(B2) 중 적어도 하나의 단계에서 도체 페이스트(3)의 적어도 소성이 소성로에서, 소성로에서의 지배적인 소성온도(T)로 이루어짐을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도체 페이스트(3)의 소성이 제2 소성단계(B2)에서 5분에서 30분 사이의 시간동안 이루어짐을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2 소성단계(B2)에서 사전에 결정가능한 최대소성온도(Tmax)가 실질적으로 일정하게 유지됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 소성단계(B1) 및 제2 소성단계(B2) 중 적어도 하나의 단계에서 도체 페이스트(3)가 질소를 포함하는 보호가스분위기에 노출됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 냉각단계(A)에서 소성온도(T)가 20℃/분에서 40℃/분 사이로 감소됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 냉각단계(A)에서 소성온도(T)가 30℃/분으로 감소됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도체 페이스트(3)가 기판(1)의 표면(2)에 10㎛에서 100㎛ 사이의 두께로 도포됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서
    후처리단계에서 도체 페이스트(3)의 표면(4)이 브러쉬처리됨을 특징으로 하는 금속화 기판의 제조방법.
  16. 삭제
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