JPS61133382A - Ａｌ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法 - Google Patents
Ａｌ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法Info
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- JPS61133382A JPS61133382A JP25455584A JP25455584A JPS61133382A JP S61133382 A JPS61133382 A JP S61133382A JP 25455584 A JP25455584 A JP 25455584A JP 25455584 A JP25455584 A JP 25455584A JP S61133382 A JPS61133382 A JP S61133382A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ａｌ又はＡｌ合金材の表面に均一で密着性の
優れた銅被膜を形成する方法に関するものである。
優れた銅被膜を形成する方法に関するものである。
半導体利用分野に詔いては、該半導体素子の容量増大、
小型化、軽量化更には低コスト化等の要請が強く、こう
した要請に答えるヒートシンク（半導体素子用の放熱板
）材料としてＡｌ又はＡｌ合金（以下単にＡｌと言う）
が注目を集めている。
小型化、軽量化更には低コスト化等の要請が強く、こう
した要請に答えるヒートシンク（半導体素子用の放熱板
）材料としてＡｌ又はＡｌ合金（以下単にＡｌと言う）
が注目を集めている。
但しＡｌ製ヒートシンクでは半導体を直接半田付けする
ことが困難であるので、通常はＡｌ素材に銅を被覆した
後プレス等によって所定の形状・寸法に成形し、半導体
とのはんだ付けが支障な（行なわれる様に工夫している
。
ことが困難であるので、通常はＡｌ素材に銅を被覆した
後プレス等によって所定の形状・寸法に成形し、半導体
とのはんだ付けが支障な（行なわれる様に工夫している
。
本発明の銅被膜形成方法は上記の様な銅被膜Ａｌ製ヒー
トシンクを製造する方法として極めて適した方法である
が、本発明は勿論これらの用途に限定されるものではな
く他の様々なＡｌ成形品に銅被膜を形成する方法として
広く活用することがてきる。
トシンクを製造する方法として極めて適した方法である
が、本発明は勿論これらの用途に限定されるものではな
く他の様々なＡｌ成形品に銅被膜を形成する方法として
広く活用することがてきる。
ところでＡＩ材表面への銅被膜形成法として′は従来よ
り亜鉛置換法による電気銅めっき法が採用されていたが
、この方法では半導体のはんだ付は工程で銅被膜の剥離
や膨れを生ずることがあり、更にははんだ付けされた半
導体素子がヒートシンクから剥落するといった問題をし
ばしば生じていた。こうした問題を解消することのでき
る銅被膜形成法として、例えば特公昭４３−８１６１号
、同５５−２１９１０号、特開１１８５７−９４５６７
号等に開示されている様な拡散浸透処理法が開発された
。この方法は、Ａｌ成形品の表面に粉末状の塩化銅を付
着させ、これを加熱することによって銅をＡｌ材の表層
部へ拡散浸透させる一方、表面に生成してくるＡｌ塩化
物は昇華させることによりＡｌ成形品の表層部に銅被膜
を形成するものであり、ＡＩに対し強固に一体化した銅
被膜を得ることができる。
り亜鉛置換法による電気銅めっき法が採用されていたが
、この方法では半導体のはんだ付は工程で銅被膜の剥離
や膨れを生ずることがあり、更にははんだ付けされた半
導体素子がヒートシンクから剥落するといった問題をし
ばしば生じていた。こうした問題を解消することのでき
る銅被膜形成法として、例えば特公昭４３−８１６１号
、同５５−２１９１０号、特開１１８５７−９４５６７
号等に開示されている様な拡散浸透処理法が開発された
。この方法は、Ａｌ成形品の表面に粉末状の塩化銅を付
着させ、これを加熱することによって銅をＡｌ材の表層
部へ拡散浸透させる一方、表面に生成してくるＡｌ塩化
物は昇華させることによりＡｌ成形品の表層部に銅被膜
を形成するものであり、ＡＩに対し強固に一体化した銅
被膜を得ることができる。
しかしながら上記の拡散浸透処理法には下記の様な未解
決問題が幾つか残されている。
決問題が幾つか残されている。
■塩化銅粉末付着に際してはバインダが使用されこれら
の混線物を被処理材表面に均一に付着させることが意外
に困難であり、厚さの均一な銅被膜が得られ難い。殊に
形状の複雑な被処理材の場合はこの欠点が顕著に現われ
る他、塗布作業も極めて煩雑になる。
の混線物を被処理材表面に均一に付着させることが意外
に困難であり、厚さの均一な銅被膜が得られ難い。殊に
形状の複雑な被処理材の場合はこの欠点が顕著に現われ
る他、塗布作業も極めて煩雑になる。
■バインダの種類によっては熱処理後の銅被膜表面に炭
化物等の異物が付着し、その除去が煩雑になる。
化物等の異物が付着し、その除去が煩雑になる。
■肉厚の異なる複雑な形状のものでは塩化銅粉末被覆面
の昇温速度が不均一になり易く、均一な銅被膜が得られ
難い。
の昇温速度が不均一になり易く、均一な銅被膜が得られ
難い。
■塩化銅粉末被覆後の加熱条件によっては塩化銅が酸化
を受け、健全な銅被膜が得られなくなる。
を受け、健全な銅被膜が得られなくなる。
本発明は、上記の様な欠点を解消し優れた作業性のもと
でＡｌ材の表面に均質で且つ健全な銅被膜を形成するこ
とのできる方法を提供しようとするものである。
でＡｌ材の表面に均質で且つ健全な銅被膜を形成するこ
とのできる方法を提供しようとするものである。
本発明に係る銅被膜形成方法は、粒径が３００μｍ以下
である塩化銅粉末を常温の乾燥気体により浮遊させてな
る流動床に、ポリブテン溶液の塗布されたＡｌ（又はＡ
ｌ合金）村を浸漬して該塗膜上に塩化銅粉末を付着させ
、次いで５０°Ｃ／分 −以上の昇温速度で３
００〜６００℃に加熱するところに要旨が存在する。
である塩化銅粉末を常温の乾燥気体により浮遊させてな
る流動床に、ポリブテン溶液の塗布されたＡｌ（又はＡ
ｌ合金）村を浸漬して該塗膜上に塩化銅粉末を付着させ
、次いで５０°Ｃ／分 −以上の昇温速度で３
００〜６００℃に加熱するところに要旨が存在する。
本発明では、Ａｌ材表面に塩化銅粉末を付着させる為の
流動床として、粒径が３００μｍ以下である塩化銅粉末
を常温の乾燥空気により浮遊させた流動床を使用し、こ
れにポリブテン溶液（バインダ）の塗布されたＡｌ（又
はＡｌ合金）材を浸漬して該塗膜上番こ塩化銅粉末を付
着させる。バインダとしてポリブテンを選択した理由は
次の通りである。即ちポリブテンは化学的１こ極めて安
定で且つ無毒であり、しかも各種有機溶剤に対して相溶
性が良く容易に希釈することができ、被塗物の表面にバ
インダとして万遍なく塗布することができる。更にポリ
ブテンは後述する拡散の為の熱処理工程でほぼ完全に焼
失しカーボン残渣が殆んど残らないので、加熱拡散処理
後の清浄化処理も極めて容易になる。尚溶媒はポリブテ
ンを溶解し得る限りどの様なものでもよいが、最も好ま
しいのは、■ポリブテンとの相溶性が良く、■化学的に
安定であり、■火災爆発の危険がなく、■低毒性で取扱
いが容易である、等の理由から塩素化炭化水素（トリク
ロルエタン等）或はハロゲン化炭化水素系の共沸混合物
（トリクロルエタンとトリフルオロエタンの混合物等）
である。またポリブテン溶液を被塗物表面に均一に付着
させる為には、ポリブテンの濃度を１０％以下、より好
ましくは１〜１０％とするのがよい。しかしてポリブテ
ン濃度が高過ぎるとバインダとしての粘性が高くなり過
ぎて粘着層の厚さが不拘一番こなり易く、しかも塩化銅
粉末の付着量が過大となって、加熱拡散処理後も一部の
塩化銅粉末が未反応のままで残りロス分が多くなるから
である。
流動床として、粒径が３００μｍ以下である塩化銅粉末
を常温の乾燥空気により浮遊させた流動床を使用し、こ
れにポリブテン溶液（バインダ）の塗布されたＡｌ（又
はＡｌ合金）材を浸漬して該塗膜上番こ塩化銅粉末を付
着させる。バインダとしてポリブテンを選択した理由は
次の通りである。即ちポリブテンは化学的１こ極めて安
定で且つ無毒であり、しかも各種有機溶剤に対して相溶
性が良く容易に希釈することができ、被塗物の表面にバ
インダとして万遍なく塗布することができる。更にポリ
ブテンは後述する拡散の為の熱処理工程でほぼ完全に焼
失しカーボン残渣が殆んど残らないので、加熱拡散処理
後の清浄化処理も極めて容易になる。尚溶媒はポリブテ
ンを溶解し得る限りどの様なものでもよいが、最も好ま
しいのは、■ポリブテンとの相溶性が良く、■化学的に
安定であり、■火災爆発の危険がなく、■低毒性で取扱
いが容易である、等の理由から塩素化炭化水素（トリク
ロルエタン等）或はハロゲン化炭化水素系の共沸混合物
（トリクロルエタンとトリフルオロエタンの混合物等）
である。またポリブテン溶液を被塗物表面に均一に付着
させる為には、ポリブテンの濃度を１０％以下、より好
ましくは１〜１０％とするのがよい。しかしてポリブテ
ン濃度が高過ぎるとバインダとしての粘性が高くなり過
ぎて粘着層の厚さが不拘一番こなり易く、しかも塩化銅
粉末の付着量が過大となって、加熱拡散処理後も一部の
塩化銅粉末が未反応のままで残りロス分が多くなるから
である。
上記バインダの塗布されたＡｌ材への塩化銅粉末の付着
は、該Ａｌ材を塩化銅粉末の浮遊流動床へ浸漬すること
によって行なわれる。この浮遊流動床の構成は塩化銅粉
末をＡｌ材表面に均一に付着させるうえで極めて重要で
あり、粒径が３００μｍ以下である塩化銅粉末を常温の
乾燥空気により浮遊させたものでなければならない。即
ち塩化銅粉末が３００μｍを超える粗粒物であると該粉
末の付着状態が粗（なり、加熱拡散が不十分になつて最
終製品の銅被膜にピンホール欠陥を生ずる恐れが出てく
るばかりでなく、該粉末の浮遊流動状態が不安定になっ
て均一な付着状態が得られにくくなる。また該粉末を浮
遊させる為の気体が湿潤していると、水分を含む塩化銅
がＡｌ材の表面に接触して次式の反応を起こし、Ａｌ材
表面が腐食されて外観が劣悪になる。
は、該Ａｌ材を塩化銅粉末の浮遊流動床へ浸漬すること
によって行なわれる。この浮遊流動床の構成は塩化銅粉
末をＡｌ材表面に均一に付着させるうえで極めて重要で
あり、粒径が３００μｍ以下である塩化銅粉末を常温の
乾燥空気により浮遊させたものでなければならない。即
ち塩化銅粉末が３００μｍを超える粗粒物であると該粉
末の付着状態が粗（なり、加熱拡散が不十分になつて最
終製品の銅被膜にピンホール欠陥を生ずる恐れが出てく
るばかりでなく、該粉末の浮遊流動状態が不安定になっ
て均一な付着状態が得られにくくなる。また該粉末を浮
遊させる為の気体が湿潤していると、水分を含む塩化銅
がＡｌ材の表面に接触して次式の反応を起こし、Ａｌ材
表面が腐食されて外観が劣悪になる。
（Ｈ２Ｏの存在下） ８ＣｕＣ１−８Ｃｕ＋１−８Ｃ１
−・・・〔■〕 Ａｌ ＋ ８Ｃ１−＋ ８Ｃｕ −Ａｌ ＋ ８Ｃ１
−＋８Ｃｕ・・・〔■〕 従ってこの様な腐食反応を阻止する為には、塩化銅粉末
を浮遊させる為の気体として乾燥気体（一般的には乾燥
空気）を使用しなければならない。
−・・・〔■〕 Ａｌ ＋ ８Ｃ１−＋ ８Ｃｕ −Ａｌ ＋ ８Ｃ１
−＋８Ｃｕ・・・〔■〕 従ってこの様な腐食反応を阻止する為には、塩化銅粉末
を浮遊させる為の気体として乾燥気体（一般的には乾燥
空気）を使用しなければならない。
また本発明では上記乾燥気体として常温のものを使用す
るが、これにより■形状の複雑なものでも付着むらを生
じることがなく塩化銅粉末を均一に付着させることがで
きる、■バインダの軟化が起こらないので、付着した塩
化銅粉末の垂れ落ちが生じない、■被塗物が常温である
ので塩化物粉末付着の為の作業性が良く、しかも部分的
な付着も容易に行なうことができる、といった実用に即
した効果を享受することができる。
るが、これにより■形状の複雑なものでも付着むらを生
じることがなく塩化銅粉末を均一に付着させることがで
きる、■バインダの軟化が起こらないので、付着した塩
化銅粉末の垂れ落ちが生じない、■被塗物が常温である
ので塩化物粉末付着の為の作業性が良く、しかも部分的
な付着も容易に行なうことができる、といった実用に即
した効果を享受することができる。
常温の乾燥気体を用いた流動床内に詔ける塩化銅粉末の
付着工程では同時にバインダ中に残っている溶媒も除去
され、Ａｌ・材の表面には塩化銅粉末が万遍なく均−且
つ強固に付着する。本発明ではこのＡｌ材を加熱炉へ装
入して３００〜６００℃に加熱する。そうするとＡｌ材
表面に付着した塩化銅とＡｌの間で置換反応が起こり銅
がＡｌ材の表層部へ拡散移行していくと共に表面には塩
化アルミニウムが生成し、この塩化アルミニウムは徐々
にＡｌ材表面から昇華していき表層部には銅被覆層が形
成される。塩化アルミニウムの昇華開始温度は１８８℃
であるが、上記置換反応と塩化アルミニウムの昇華を短
時間で効率良く進行させる為には加熱温度を３００℃以
上に設定しなければならない。但し加熱温度が高過ぎる
と、Ａｌ材表層部での拡散移行が促進され、銅被覆層が
消失するおそれがあるので６００℃以下に抑える必要が
ある。尚塩化銅粉末を長時間高温に曝らすと、Ａｌとの
置換反応を起こす前に塩化銅が酸化されて健全な銅被膜
が得られなくなる。従ってこうした問題を回避する為に
は塩化銅粉末の付着したＡｌ材を上記加熱処理温度まで
急速に昇温する必要があり、覆々実験を重ねた結果好適
熱処理温度までを５０℃／分以上の速度で急速昇温させ
れば、塩化銅粉末の酸化消耗を殆んど生ずることなく塩
化銅とＡｌとの置換反応及び塩化アルミニウムの昇華を
効率良く進め得ることが確認された。この熱処理工程で
Ａｌ材表面のバインダ（ポリブテン）も殆んどが完全燃
焼して消失するので、熱処理後は未反応のままで残った
少量の塩化銅や微量の酸化物等の不純物を除去すること
によって、表層部を銅で被覆されたＡｌ材を得ることが
できる。
付着工程では同時にバインダ中に残っている溶媒も除去
され、Ａｌ・材の表面には塩化銅粉末が万遍なく均−且
つ強固に付着する。本発明ではこのＡｌ材を加熱炉へ装
入して３００〜６００℃に加熱する。そうするとＡｌ材
表面に付着した塩化銅とＡｌの間で置換反応が起こり銅
がＡｌ材の表層部へ拡散移行していくと共に表面には塩
化アルミニウムが生成し、この塩化アルミニウムは徐々
にＡｌ材表面から昇華していき表層部には銅被覆層が形
成される。塩化アルミニウムの昇華開始温度は１８８℃
であるが、上記置換反応と塩化アルミニウムの昇華を短
時間で効率良く進行させる為には加熱温度を３００℃以
上に設定しなければならない。但し加熱温度が高過ぎる
と、Ａｌ材表層部での拡散移行が促進され、銅被覆層が
消失するおそれがあるので６００℃以下に抑える必要が
ある。尚塩化銅粉末を長時間高温に曝らすと、Ａｌとの
置換反応を起こす前に塩化銅が酸化されて健全な銅被膜
が得られなくなる。従ってこうした問題を回避する為に
は塩化銅粉末の付着したＡｌ材を上記加熱処理温度まで
急速に昇温する必要があり、覆々実験を重ねた結果好適
熱処理温度までを５０℃／分以上の速度で急速昇温させ
れば、塩化銅粉末の酸化消耗を殆んど生ずることなく塩
化銅とＡｌとの置換反応及び塩化アルミニウムの昇華を
効率良く進め得ることが確認された。この熱処理工程で
Ａｌ材表面のバインダ（ポリブテン）も殆んどが完全燃
焼して消失するので、熱処理後は未反応のままで残った
少量の塩化銅や微量の酸化物等の不純物を除去すること
によって、表層部を銅で被覆されたＡｌ材を得ることが
できる。
実施例Ｉ
ＪＩＳ Ａｌ１００ＰのＡｌ合金材（幅１００ｆｌＸ
長さ１０１０Ｏｓ厚さ４ ｔｔｒｍ ）を溶剤で脱脂処
理した後、ポリブテンの１％トリクレン溶液に浸漬 。
長さ１０１０Ｏｓ厚さ４ ｔｔｒｍ ）を溶剤で脱脂処
理した後、ポリブテンの１％トリクレン溶液に浸漬 。
し、引き上げて風乾により溶媒を蒸発除去した。
−万粒径２００４ｍ以下（９０９６以上が５０７４ｍ以
下のもので占められている）の塩化第１銅粉末を使用し
、合成ゼオライトにより除湿した常温の乾燥空気を流体
として浮遊流動床を形成しておき、これにポリブテン溶
液の塗布されたＡｌ材を浸漬し、表面に塩化第１銅を均
一に付着させた。次いでこれを加熱炉へ装入し、５０℃
／分の速度で４７０℃まで昇温した後同温度で２０分間
保持した。炉から取出し、空冷後表面の残液を水洗除去
した。得られたＡｌ材の表面には約８μｍの均一な銅被
膜が全体に亘り万遍なく形成されていた。
下のもので占められている）の塩化第１銅粉末を使用し
、合成ゼオライトにより除湿した常温の乾燥空気を流体
として浮遊流動床を形成しておき、これにポリブテン溶
液の塗布されたＡｌ材を浸漬し、表面に塩化第１銅を均
一に付着させた。次いでこれを加熱炉へ装入し、５０℃
／分の速度で４７０℃まで昇温した後同温度で２０分間
保持した。炉から取出し、空冷後表面の残液を水洗除去
した。得られたＡｌ材の表面には約８μｍの均一な銅被
膜が全体に亘り万遍なく形成されていた。
これに対し合成ゼオライトによる除湿を省略し常温の未
乾燥空気を塩化第１銅の浮遊に使用した他は上記と同様
にして銅被膜の形成を行なったところ、流動床で塩化第
１銅を付着した段階でＡｌ材の表面に銅の生成を示す茶
褐色の斑点が無数に観察され、また熱処理後表面を清浄
にして銅被膜の状態を調べたところ全面に無数の微小孔
食が生じていた。これは、先に説明した様に流動床を形
成する為の空気に含まれる水分によって前記〔Ｉ〕。
乾燥空気を塩化第１銅の浮遊に使用した他は上記と同様
にして銅被膜の形成を行なったところ、流動床で塩化第
１銅を付着した段階でＡｌ材の表面に銅の生成を示す茶
褐色の斑点が無数に観察され、また熱処理後表面を清浄
にして銅被膜の状態を調べたところ全面に無数の微小孔
食が生じていた。これは、先に説明した様に流動床を形
成する為の空気に含まれる水分によって前記〔Ｉ〕。
（ＩＩ）式の反応が起こり、Ａｌ材の表面が腐食される
と共に銅が遊離した為であることは明白である。
と共に銅が遊離した為であることは明白である。
実施例２
第１図に示す如く肉厚の異なる断面コ宇状のＡｌ材（Ｊ
ＩＳ Ａ６０６８Ｓ）の上面及び側面に夫々直径４０
ｗφの円を画き、該円の内表面だけにトリクロロエタン
−トリフルオロエタン共沸混合液を溶媒とする１９６の
ポリブテン溶液を塗布し風乾した。これを実施例１と同
様の塩化第１Ｉ！！浮遊流動床に浸漬して丸孔部分に同
粉末を付着させた後、５００℃に保った加熱炉へ装入し
てＡｌ材の実体温度が４００℃に達するまで５０’Ｃ／
分の速度で急速加熱し、更に１７分間保持した。その後
加熱炉から取出して空冷し残液を水洗除去した後各円内
表面の銅被膜形成状況を調べたところ、何れの円内表面
にも約８〜９μｍの均一な銅被膜が形成されていた。
ＩＳ Ａ６０６８Ｓ）の上面及び側面に夫々直径４０
ｗφの円を画き、該円の内表面だけにトリクロロエタン
−トリフルオロエタン共沸混合液を溶媒とする１９６の
ポリブテン溶液を塗布し風乾した。これを実施例１と同
様の塩化第１Ｉ！！浮遊流動床に浸漬して丸孔部分に同
粉末を付着させた後、５００℃に保った加熱炉へ装入し
てＡｌ材の実体温度が４００℃に達するまで５０’Ｃ／
分の速度で急速加熱し、更に１７分間保持した。その後
加熱炉から取出して空冷し残液を水洗除去した後各円内
表面の銅被膜形成状況を調べたところ、何れの円内表面
にも約８〜９μｍの均一な銅被膜が形成されていた。
比較例１
熱処理工程でＡｌ材を８０℃／分の実体昇温速度で加熱
しながら８５分間保持した他は実施例２と同様にして各
円内表面に銅被膜を形成したととろ、肉厚の薄い側面（
３１ｍｔ、８ＩｌｊＩｔ）に画いた円の内表面には厚さ
が約８μｍの均一な銅被膜が形成されていたが、肉厚の
大きい上面（１５ｍｔ ）に画いた円の内表面に形成さ
れた銅被膜には茶褐色のじみが無数に観察された。これ
は、肉厚の大きい上面においては特に昇温速度が遅すぎ
る為塩化アルミニウムの昇華に要する温度及び時間が不
十分になる為、一部の塩化アルミニウムが未昇華のまま
で残り、特に銅被膜層に生じたしみは未昇華の塩化アル
ミニウムが被膜中にとり残された為にできたものと考え
られる。
しながら８５分間保持した他は実施例２と同様にして各
円内表面に銅被膜を形成したととろ、肉厚の薄い側面（
３１ｍｔ、８ＩｌｊＩｔ）に画いた円の内表面には厚さ
が約８μｍの均一な銅被膜が形成されていたが、肉厚の
大きい上面（１５ｍｔ ）に画いた円の内表面に形成さ
れた銅被膜には茶褐色のじみが無数に観察された。これ
は、肉厚の大きい上面においては特に昇温速度が遅すぎ
る為塩化アルミニウムの昇華に要する温度及び時間が不
十分になる為、一部の塩化アルミニウムが未昇華のまま
で残り、特に銅被膜層に生じたしみは未昇華の塩化アル
ミニウムが被膜中にとり残された為にできたものと考え
られる。
比較例２
Ａｌ材を８０℃／分の実体昇温速度で加熱しながら４５
分間保持した他は実施例２と同様にして銅被膜を形成し
たきころ、肉厚の大きい上面の円 ６内表面に
は約８μｍの均一な銅被膜が形成されていたが、肉厚の
薄い両側酉の円内表面に形成された銅被膜には部分的に
黄灰色の色調むらが見られ、外観上極めて不均一であっ
た。
分間保持した他は実施例２と同様にして銅被膜を形成し
たきころ、肉厚の大きい上面の円 ６内表面に
は約８μｍの均一な銅被膜が形成されていたが、肉厚の
薄い両側酉の円内表面に形成された銅被膜には部分的に
黄灰色の色調むらが見られ、外観上極めて不均一であっ
た。
これは一旦形成された銅被膜層が長時間加熱された為、
銅の一部がＡｌ母材中へ拡散移行し銅被膜が局部的に薄
くなった為と考えられる。
銅の一部がＡｌ母材中へ拡散移行し銅被膜が局部的に薄
くなった為と考えられる。
上記で得た各銅被膜形成Ａｌ材を、温度５０℃、相対湿
度９８９６の恒温恒湿雰囲気に２４時間放置し銅被膜形
成部の状態を調べたところ、実施例１及び２で得た銅被
膜形成部には全く変化が認められず、優れた耐食性を発
揮することが確認された。
度９８９６の恒温恒湿雰囲気に２４時間放置し銅被膜形
成部の状態を調べたところ、実施例１及び２で得た銅被
膜形成部には全く変化が認められず、優れた耐食性を発
揮することが確認された。
しかしながら茶褐色のじみが無数に生じた比較例１の銅
被膜では全面に亘って孔食が発生し白色の腐食生成物が
生じていることが確認された。
被膜では全面に亘って孔食が発生し白色の腐食生成物が
生じていることが確認された。
本発明は以上の様に構成されて奢り、その効果を要約す
れば下記の通りである。
れば下記の通りである。
■バインダとして化学的に安定で無毒性であり且つ加熱
によりほぼ完全に焼失するポリブテンを使用しているの
で、塗布作業性、取扱い性が良好であり、しかも銅被膜
形成後の後処理が極めて簡単である。
によりほぼ完全に焼失するポリブテンを使用しているの
で、塗布作業性、取扱い性が良好であり、しかも銅被膜
形成後の後処理が極めて簡単である。
■塩化銅の浮遊流動床は微細な塩化銅粉末と常温の乾燥
気体により構成されているので、複雑な形状の被処理材
であっても表面全体に塩化銅を万遍な（均一に付着させ
ることができ、しかも塩化銅が熱変質を起こしたり水分
による変質を受ける恐れがない。しかも常温処理法であ
るから作業性が良く、部分的に銅被膜を形成することも
容易である。
気体により構成されているので、複雑な形状の被処理材
であっても表面全体に塩化銅を万遍な（均一に付着させ
ることができ、しかも塩化銅が熱変質を起こしたり水分
による変質を受ける恐れがない。しかも常温処理法であ
るから作業性が良く、部分的に銅被膜を形成することも
容易である。
■拡散の為の加熱条件、殊に昇温速度を厳密に規定して
いるので、肉厚の異なる複雑な形状のものでも表面全体
の昇温速度のばらつきを少なくすることができ、局部的
な熱量不足威は熱量過多の問題を可及的に抑えることが
できる。
いるので、肉厚の異なる複雑な形状のものでも表面全体
の昇温速度のばらつきを少なくすることができ、局部的
な熱量不足威は熱量過多の問題を可及的に抑えることが
できる。
第１図は実験例で銅被膜形成処理の素材として用いたＡ
ｌ型材を示す説明図である。 代理人 弁理士植木久−ゼー；、ｊ 第１図 ８ｍｍｔ 手続補正書（自発） 昭和６０年 １月１６日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２５４５５５号 ２、発明の名称 ＡＩ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 神戸市中央区脇浜町−丁目３番１８号 （１１９）株式会社 神戸製鋼所 代表者 牧 冬 彦 ４６代理人〒５３０ 大阪市北区堂島２丁目３番７号 シンコービル 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の各欄並びに図面 ６、補正の内容 （１）「特許請求の範囲」を別紙の通り訂正します。 （２）明細書第７頁第１０行目（７）ｒ３Ｃｕ−Ｊをｒ
３Ｃｕ“」に訂正します。 （３）第１図を別紙第１＠と差し替えます。 特許請求の範囲 粒径が３００ ｇｍ以下である塩化銅粉末を常温の乾燥
気体により浮遊させてなる流動床に、ボリブ士ン溶液の
塗布されたＡｌ又はＡ、１合金材を浸漬して＃、塗膜上
に塩化銅粉末を付着させ１次いで５０℃／分以上の昇温
速度で３００〜６００℃に加熱することを特徴とするＡ
Ｉ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法。
ｌ型材を示す説明図である。 代理人 弁理士植木久−ゼー；、ｊ 第１図 ８ｍｍｔ 手続補正書（自発） 昭和６０年 １月１６日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２５４５５５号 ２、発明の名称 ＡＩ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 神戸市中央区脇浜町−丁目３番１８号 （１１９）株式会社 神戸製鋼所 代表者 牧 冬 彦 ４６代理人〒５３０ 大阪市北区堂島２丁目３番７号 シンコービル 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の各欄並びに図面 ６、補正の内容 （１）「特許請求の範囲」を別紙の通り訂正します。 （２）明細書第７頁第１０行目（７）ｒ３Ｃｕ−Ｊをｒ
３Ｃｕ“」に訂正します。 （３）第１図を別紙第１＠と差し替えます。 特許請求の範囲 粒径が３００ ｇｍ以下である塩化銅粉末を常温の乾燥
気体により浮遊させてなる流動床に、ボリブ士ン溶液の
塗布されたＡｌ又はＡ、１合金材を浸漬して＃、塗膜上
に塩化銅粉末を付着させ１次いで５０℃／分以上の昇温
速度で３００〜６００℃に加熱することを特徴とするＡ
Ｉ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法。
Claims (1)
- 粒径が３００μｍ以下である塩化銅粉末を常温の乾燥気
体により浮遊させてなる流動床に、ポリブデン溶液の塗
布されたＡｌ又はＡｌ合金材を浸漬して該塗膜上に塩化
銅粉末を付着させ、次いで５０℃／分以上の昇温速度で
３００〜６００℃に加熱することを特徴とするＡｌ又は
Ａｌ合金材への銅被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25455584A JPS61133382A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | Ａｌ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25455584A JPS61133382A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | Ａｌ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133382A true JPS61133382A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH0320469B2 JPH0320469B2 (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=17266666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25455584A Granted JPS61133382A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | Ａｌ又はＡｌ合金材への銅被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015518523A (ja) * | 2012-05-04 | 2015-07-02 | アー．ベー．ミクロエレクトロニクゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング | アルミニウムからなる金属化基板の製造方法 |
| US11222878B2 (en) | 2019-04-30 | 2022-01-11 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Electronic power module |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170110091A (ko) * | 2015-02-04 | 2017-10-10 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 방향족 폴리케톤 및 그 제조 방법, 방향족 폴리케톤 조성물, 방향족 폴리케톤막, 광학 소자 및 화상 표시 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794567A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-12 | Aichi Steel Works Ltd | Method for coating dissimilar metal on metal |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25455584A patent/JPS61133382A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794567A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-12 | Aichi Steel Works Ltd | Method for coating dissimilar metal on metal |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015518523A (ja) * | 2012-05-04 | 2015-07-02 | アー．ベー．ミクロエレクトロニクゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング | アルミニウムからなる金属化基板の製造方法 |
| KR20160140925A (ko) * | 2012-05-04 | 2016-12-07 | 아베 미크로엘렉트로닉 게젤샤프트 미트 베슈렝크터 하프퉁 | 알루미늄으로 구성되는 금속화 기판의 제조방법 |
| US11222878B2 (en) | 2019-04-30 | 2022-01-11 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Electronic power module |
| US11776940B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-10-03 | Kyocera AVX Components (Salzburg) GmbH | Electronic power module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320469B2 (ja) | 1991-03-19 |
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