KR101974255B1 - 유기발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 공개하였다. 해당 유기발광 다이오드은 양극, 홀 전송층, 유기발광층, 전자전송층과 음극을 포함하며, 상기 전자전송층은 유기금속 배위화합물과 활성 금속화합물을 혼합하며, 그가운데 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이다. 그 제조방법은 하기와 같다. ITO 유리기판 위에 순차적으로 양극도형 식각하고, 홀 전송층과 유기발광층을 증착시키며; 상기 유기발광층 위에 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물을 동시에 증착시켜 전자전송층을 형성하며; 상기 전자전송층 위에 음극을 증착시킨다. 본 발명을 적용하면 구동전압이 훨씬 낮고 효율이 훨씬 높은 음극 구조를 취득할 수 있을 뿐만아니라, 다양한 재료를 음극으로 사용할 수 있다.

Description

유기발광 다이오드 및 그 제조방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT AND PREPARATION METHOD THEREOF}
본 발명은 유기발광 다이오드 기술분야의 유기발광 다이오드(OLED)부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 다이오드 (OLED)는 액티브 발광부품이다. OLED는 기존 평판디스플레이 기술 트렌드인 박막 필름 트랜지스터액정디스플레이(TFT-LCD)에 비해 비해 훨씬 높은 명암비, 넓은 시각, 낮은 전력소모, 엷은 부피 등 장점 등을 구비하여 LCD의 뒤를 이을 차세대 평판디스플레이 기술로서 기존 평판디스플레이 기술 중에서 가장 각광받는 기술의 하나이다.
OLED 부품은 일반적으로 양극, 홀 전송층(HTL), 발광층(EL), 전자전송층(ETL) 및 음극으로 구성된다. 그 중에서, 기존 기술하에 전자전송층은 흔히 단일한 유기재료를 사용하지만, 단일한 유기재료는 전자전송층 제작 시 OLED 부품으로 사용하면 보통 구동전압이 높고 생산성이 떨어져 OLED 스크린패널 전력소모 과대, 수명이 짧은 등 문제점을 유발하고 있다. OLED 부품 중에서 부품의 작동전압을 낮추고, 전자와 홀 간 전하 불균형을 개선하며, 전자의 주입율과 전송효율을 높이는 것은 필수적이다. 현재 전자주입 효율 향상 기술 중에서 전자전송층을 한정한 후 음극과 연결되는 재료를 필요로 하며, 해당 음극재료는 어떤 금속을 필요로 하며, 해당 금속은 진공상태에서 유기 배위화합물의 금속이온을 상응한 금속으로 환원시킬 수 있어야 하는데, 이 점은 음극재료의 선택 여지를 제한하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전자주입 효율이 높은 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 마련하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 일종 유기발광 다이오드을 제공하고, 양극, 홀 전송층, 유기발광층, 전자전송층과 음극을 포함하고, 상기 전자전송층에는 유기금속 배위화합물과 활성 금속화합물이 혼합되어 있으며, 그 중에서 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이다.
또한, 상기 유기금속 배위화합물은 퀴놀린 금속 배위화합물이다.
또한, 상기 퀴놀린 금속 배위화합물은 Alq3 혹은 Gaq3이다.
또한, 상기 알칼리성 금속화합물은 알칼리성 금속질화물 혹은 알칼리성 금속 수소화붕소이며; 상기 알칼리토류 금속화합물은 알칼리토류 금속질화물 혹은 알칼리토류 금속 수소화붕소이며; 상기 란탄족 금속화합물은 란탄족 금속질화물 혹은 란탄족 금속 수소화붕소이다.
또한, 상기 알칼리성 금속질화물은 Li3N, Na3N, K3N 혹은 Rb3N를 포함하며;, 상기 알칼리토류 금속질화물은 Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2 혹은 Ba3N2를 포함하며; 상기 란탄족 금속질화물은 LaN를 포함하며; 상기 알칼리성 금속 수소화붕소는 LiBH4, NaBH4 혹은 KBH4를 포함한다.
또한, 상기 전자전송층의 전자전송 재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:(0.01~5):(0.01~5)이다.
또한, 상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:1:1이다.
이외 본 발명은 일종 유기발광 다이오드의 제조방법을 제공하며, 아래 내용을 포함한다.
ITO 유리기판에서 순차적으로 양극 도형 식각하고, 홀 전송층과 유기발광층 증착하며; 상기 유기발광층 위에 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물을 동시에 증착시켜 전자전송층을 형성하며, 그가운데 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물에 속하며; 상기 전자전송층 위에 음극을 증착한다.
또한, 상기 유기금속 배위화합물은 퀴놀린 금속 배위화합물이다.
또한, 상기 퀴놀린 금속 배위화합물은 Alq3 혹은 Gaq3이다.
또한, 상기 알칼리성 금속화합물은 알칼리성 금속질화물 혹은 알칼리성 금속 수소화붕소이며; 상기 알칼리토류 금속화합물은 알칼리토류 금속질화물 혹은 알칼리토류 금속 수소화붕소이며; 상기 란탄족 금속화합물은 란탄족 금속질화물 혹은 란탄족 금속 수소화붕소이다.
또한, 상기 알칼리성 금속질화물은 Li3N, Na3N, K3N 혹은 Rb3N을 포함하며; 상기 알칼리토류 금속질화물은 Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2 혹은 Ba3N2를 포함하며; 상기 란탄족 금속질화물은 LaN을 포함하며; 상기 알칼리성 금속 수소화붕소는 LiBH4, NaBH4 혹은 KBH4을 포함한다.
또한, 상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:(0.01~5):(0.01~5)이다.
또한, 상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:1:1이다.
본 발명은 전자전송층에 유기금속 배위화합물과 활성 금속화합물을 혼합시켜, 고온 진공상태에서 활성 금속화합물로 하여금 활성 금속을 분해하고, 활성 금속은 전자전송재료 화합물과 유기금속 배위화합물을 효과적으로 환원시켜 활성 금속혼합층을 형성한다. 이에 따라 구동전압이 훨씬 낮고, 효율도 월등한 음극구조를 취득하며, 더욱 다양한 재료를 음극으로 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 유기발광 다이오드 구조 예시도이다.
아래에 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 진일보로 설명하여, 해당 영역의 기술자들로 하여금 본 발명에 대한 이해를 더욱 깊이 하고 실시에 도움을 주고자 한다. 단, 본문에서 언급한 실시예는 본 발명에 대하여 한정하는 것은 아니다.
도 1을 보면 본 발명 중의 유기발광 다이오드는 투명기판(1), 투명양극(2), 홀 전송층(3), 유기발광층(4), 전자전송층(5)와 음극(6) 외에도 홀주입층, 전자주입층 등을 포함하며, 그 구조는 기존 유기발광 다이오드와 동일하다. 본 발명은 전자전송층에 유기금속 배위화합물 및 활성 금속화합물을 혼합해 전자전송 혼합층을 형성한다. 그중 유기금속 배위화합물은 Alq3, Gaq3 등 안정성이 월등한 퀴놀린 금속 배위화합물을 우선적으로 택한다. 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이다. 그가운데 알칼리성 금속화합물은 알칼리성 금속질화물, 예를들면 Li3N, Na3N, K3N 혹은 Rb3N일 수 있고, 또한 알칼리성 금속 수소화붕소, 예를들면 LiBH4, NaBH4 혹은 KBH4 등일 수도 있으며; 알칼리토류 금속화합물은 알칼리토류 금속질화물, 예를들면 Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2 혹은 Ba3N2 등일 수 있고, 또한 알칼리토류 금속 수소화붕소일 수도 있으며; 란탄족 금속화합물은 란탄족 금속질화물, 예를 들면 LaN 등 일 수 있고,또한 란탄족 금속 수소화붕소일 수도 있다.
전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:(0.01~5):(0.01~5), 바람직하게 1:1:1이다. 그중 전자전송재료는 기존 기술에 통상적인 재료 예를 들면Bphen, TPBi, Bebq2 혹은 Bepp2 등 재료를 사용할 수 있으며, 전자 이동도가 높은 기타 유형의 전자전송재료를 사용할 수도 있으며. 예를 들면 공고번호가 CN101875637B인 중국발명특허에 공개된 재료:
Figure 112016070665982-pct00001
；
혹은 공고번호가 CN101891673B인 중국발명특허에 공개된 재료:
Figure 112016070665982-pct00002
.
본 발명의 유기발광 다이오드 제조방법:
ITO(인듐주석 산화물) 유리기판 위에서 순차적으로 양극도형 식각, 홀 전송층과 유기발광층 증착을 실시하며;
상기 유기발광층 위에 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물을 동시에 증착시켜, 전자전송층을 형성하고, 그가운데 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이며;
상기 전자전송층 위에 음극을 증착한다.
본 발명은 전자전송층에서 유기금속 배위화합물과 활성 금속화합물을 혼합한다. 그가운데 전자전송재료는 높은 이동도을 구비하고, 유기금속 배위화합물은 열안정성이 뛰어나며, 전자전송층은 높은 이동도과 안정성을 겸하여 구비하였다. 한편 활성 금속화합물은 진공상태에서 가열 시 활성 금속을 방출하고, 활성 금속은 전자전송재료 화합물과 유기금속 배위화합물을 효과적으로 환원시켜 N혼합구조를 형성하는데, 이는 전자의 주입과 전송에 이롭다. 그리하여 구동전압이 훨씬 낮고, 효율도 월등한 음극구조를 취득할 수 있다. 이외 본 발명은 활성 금속화합물을 통해 고온 진공상태에서 활성 금속을 방출하기에 음극 재료에 대한 제한조건이 없으며, 따라서 더욱 다양한 재료를 음극으로 사용할 수 있다.
아래에 구체적인 실시예로 설명하기로 한다.
실시예1:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm):Alq3(100%):Li3N(100%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께가 50nm이며;. 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께가 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bebq2이고, Alq3(유기금속 배위화합물)와 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며;. 전자전송층의 총두께는 45nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bebq2, Alq3, Li3N이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:1:1이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께가 150nm이다.
본 실시예의 OLED 부품의 제조방법은 하기와 같다.
1) 설계에 따라 ITO기판 위에서 양극도형을 식각해 고정하며;
2)세척제 초음파 및 탈이온수 초음파 방법을 적용해 식각 고정시킨 도형의 ITO 유리기판을 세척한 후, 적외선등 밑에 놓아 건조시키며;
3) 상기 처리한 유리기판을 진공챔버에 내장하여 압력세기를1×10-5Pa에 도달시고, 상기 양극층 필름 위에 홀 전송층(NPB)을 지속적으로 증착시키며, 해당 층의 필름화 속도는 0.1nm/s이고, 필름두께는 50nm이며;
4) 홀 전송층 위에 Alq3을 증착시켜 발광층으로 삼고, 증착속도는 0.1nm/s이며, 총 필름두께는 50nm이며;
5) 발광층 위에 전자전송층을 증착시키고, 증착 시 Bebq2, Alq3, Li3N재료를 동시에 증착시키며, 각자의 몰 비율은 1:1:1이고, 증착속도는 0.1nm/s이며, 총 필름두께는 45nm이며;
6) 상기 전자전송층 위에 알루미늄층을 지속적으로 증착시켜 부품의 음극층으로 삼으며, 알루미늄층의 증착속도는 1nm/s이고, 두께는 150nm이다.
실시예2:
실시예1에 제시된 유기발광 다이오드의 제조방법에 따라 하기 부품를 제작한다.
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm):Alq3(100%):Li3N(100%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO(인듐주석 산화물)이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bphen이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며, 전자전송층의 두께는 45nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bphen, Alq3, Li3N이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:1:1이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
실시예3:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm):Alq3(100%):KBH4(50%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO(인듐주석 산화물)이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bphen이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과 KBH4(알칼리성 금속 수소화붕소)을 혼합하며, 전자전송층의 두께는 35nm이고, Bebq2와 비교한 Alq3와 Li3N의 몰 비율(%), 즉 Bphen, Alq3, Li3N이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:1:0.5이며;. 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
실시예4:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm):Alq3(1%):Li3N(500%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bebq2이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며, 전자전송층의 총두께는 90nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bebq2, Alq3, Li3N이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:0.01:5이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
실시예5:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm):Alq3(500%):Li3N(1%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bebq2이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며, 전자전송층의 총두께는 90nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bebq2, Alq3, Li3N 이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:5:0.01이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
실시예6:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm):Alq3(1%):Li3N(1%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bebq2이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며, 전자전송층의 총두께는 15nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bebq2, Alq3, Li3N 이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:0.01:0.01이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
실시예7:
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm):Alq3(500%):Li3N(500%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bebq2이고, Alq3(유기금속 배위화합물)과와 Li3N(알칼리성 금속질화물)을 혼합하며, 전자전송층의 총두께는 165nm이고, Alq3와 Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bebq2, Alq3, Li3N이 세가지 재료 간 몰 비율은 1:5:5이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
비교예1:
실시예1의 유기발광 다이오드의 제조방법에 따라 하기 부품를 제작한다.
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm):Alq3(100%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO(인듐주석 산화물)이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bphen이고, Alq3(유기금속 배위화합물)을 혼합하며, 전자전송층의 두께는 30nm이고, Alq3은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bphen, Alq3 이 두가지 재료 간 몰 비율은 1:1이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
비교예2:
실시예1의 유기발광 다이오드의 제조방법에 따라 하기 부품를 제작한다.
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm):Li3N(100%)/Al(150nm)
여기에서 양극은 ITO(인듐주석 산화물)이며; 홀 전송층의 재료는 NPB이고, 두께는 50nm이며; 유기발광층의 재료는 Alq3이고, 두께는 50nm이며; 전자전송층을 구성하는 재료는 Bphen이고, Li3N(알칼리성 금속/알칼리토류 금속/란탄족 금속화합물)을 혼합하며, 전자전송층의 두께는 30nm이고, Li3N은 Bebq2에 기준해 각각 몰 비율로 산정하며, 즉 Bphen, Alq3 이 두가지 재료 간 몰 비율은 1:1이며; 음극재료는 알루미늄이고, 두께는 150nm이다.
휘도 1000cd/m2 하에 실시예와 비교예의 부품성능
번호 전자전송층 구조 전압
(실시예1에 기준함)		 전류효율
(실시예1에 기준함)
실시예1 Bebq2(15nm):Alq3(100%):Li3N(100%) 1 1
실시예2 Bphen(15nm):Alq3(100%):Li3N(100%) 0.98 1.12
실시예3 Bphen(15nm):Alq3(100%):KBH4(50%) 1.06 0.97
실시예4 Bebq2(15nm):Alq3(1%):Li3N(500%) 1.08 0.98
실시예5 Bebq2(15nm):Alq3(500%):Li3N(1%) 1.55 0.76
실시예6 Bebq2(15nm):Alq3(1%):Li3N(1%) 1.22 0.92
실시예7 Bebq2(15nm):Alq3(500%):Li3N(500%) 1.35 0.82
비교예1 Bphen(15nm):Alq3(100%) 1.97 0.65
비교예2 Bphen(15nm):Li3N(100%) 1.63 0.68
위 표 1을 보면 실시예1-7에 따라 제작된 부품은 비교예1-2에 따라 제작된 부품에 비해 훨씬 낮은 구동전압과 훨씬 높은 전류효율을 구비함을 알 수 있다. 이는 고이동도 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 알칼리성 금속/알칼리토류 금속/란탄족 금속화합물을 동시 증착시켜 형성한 전자전송층의 부품 성능이 전자전송재료와 유기금속 배위화합물 혹은 알칼리성 금속/알칼리토류 금속/란탄족 금속화합물로만 형성된 전자전송층의 부품에 비해 월등함을 단적으로 보여준다.
본 발명은 활성 금속화합물을 가열시켜 활성 금속을 방출하는 특성을 이용하며, 본 영역의 기술자는 상기 실시예에 근거해 해당 원리를 이해할 수 있으며, 본문에서 언급하지 않은 기타 활성 금속화합물 역시 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 실시예는 본 발명의 충분한 설명을 위해 제시된 바람직한 실시예에 지나지 않으며, 본 발명 하의 보호범위는 이것에만 국한되지 않는다. 해당 기술분야의 기술자가 본 발명을 토대로 실시한 동등한 대체 혹은 변환은 모두 본 발명의 보호범위에 든다. 본 발명의 보호범위는 특허청구범위를 기준으로 한다.

Claims (14)

  1. 양극, 홀 전송층, 유기발광층, 전자전송층과 음극을 포함하는 유기발광 다이오드에 있어서,
    상기 전자전송층은 유기금속 배위화합물과 활성 금속화합물을 혼합하였으며, 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이며,
    상기 활성 금속화합물은 진공상태에서 가열 시 활성 금속을 방출하고, 상기 활성 금속은 전자전송재료와 유기금속 배위화합물을 효과적으로 환원시켜 N혼합구조를 형성하며, 상기 알칼리성 금속화합물은 알칼리성 금속질화물 혹은 알칼리성 금속 수소화붕소이며, 상기 알칼리토류 금속화합물은 알칼리토류 금속질화물 혹은 알칼리토류 금속 수소화붕소이며, 상기 란탄족 금속화합물은 란탄족 금속질화물 혹은 란탄족 금속 수소화붕소이며,
    상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:(0.05~5):(0.01~5)인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기금속 배위화합물은 퀴놀린 금속 배위화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 퀴놀린 금속 배위화합물은 Alq3 혹은 Gaq3인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리성 금속질화물은 Li3N, Na3N, K3N 혹은 Rb3N을 포함하며;
    상기 알칼리토류 금속질화물은 Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2 혹은 Ba3N2를 포함하며;
    상기 란탄족 금속질화물은 LaN을 포함하며;
    상기 알칼리성 금속 수소화붕소는 LiBH4, NaBH4 혹은 KBH4를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 유기발광 다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:1:1인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드.
  6. ITO 유리기판에 순차적으로 양극패턴, 홀 전송층과 유기발광층을 식각하며;
    상기 유기발광층 위에 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물을 동시에 증착시켜 전자전송층을 형성하고, 상기 활성 금속화합물은 알칼리성 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물 혹은 란탄족 금속화합물이며;
    상기 전자전송층 위에 음극을 증착하는 단계;를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조방법에 있어서,
    상기 활성 금속화합물은 진공상태에서 가열 시 활성 금속을 방출하고, 상기 활성 금속은 전자전송재료와 유기금속 배위화합물을 효과적으로 환원시켜 N혼합구조를 형성하며, 상기 알칼리성 금속화합물은 알칼리성 금속질화물 혹은 알칼리성 금속 수소화붕소이며, 상기 알칼리토류 금속화합물은 알칼리토류 금속질화물 혹은 알칼리토류 금속 수소화붕소이며, 상기 란탄족 금속화합물은 란탄족 금속질화물 혹은 란탄족 금속 수소화붕소이며;
    상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:(0.05~5):(0.01~5)인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 유기금속 배위화합물은 퀴놀린 금속 배위화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 퀴놀린 금속 배위화합물은 Alq3 혹은 Gaq3인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 알칼리성 금속질화물은 Li3N, Na3N, K3N 혹은 Rb3N을 포함하며;
    상기 알칼리토류 금속질화물은 Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2 혹은 Ba3N2를 포함하며;
    상기 란탄족 금속질화물은 LaN을 포함하며;
    상기 알칼리성 금속 수소화붕소는 LiBH4, NaBH4 혹은 KBH4를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 전자전송층의 전자전송재료, 유기금속 배위화합물, 활성 금속화합물의 몰 비율은 1:1:1인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법.
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