CN117750795A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 16
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 60
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 38
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical class C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 11
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- XTLNYNMNUCLWEZ-UHFFFAOYSA-N ethanol;propan-2-one Chemical compound CCO.CC(C)=O XTLNYNMNUCLWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Landscapes
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，N型电荷产生层的材料包括络合物，络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，N型电荷产生层掺杂金属后会使N型电荷产生层的LUMO能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)因其在显示和照明领域的巨大应用市场而被广泛关注。与其他显示技术相比，OLED显示面板具有很多优势，例如，视角宽、响应速度快、驱动电压低、可实现柔性显示等优点。
OLED显示面板虽然已经步入产业化的阶段，但是OLED存在一些问题，例如发光器件的寿命较短、效率较低、电压较高，导致发光器件的性能不高，影响发光器件的发光效果，进而影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，用以提高显示面板的发光效率和寿命。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括层叠设置的阳极、发光结构和阴极；所述发光结构包括层叠设置的至少两个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有连接结构；
所述连接结构包括依次层叠设置的N型电荷产生层和P型电荷产生层，所述N型电荷产生层靠近所述阳极设置，所述P型电荷产生层靠近所述阴极设置；其中，
所述N型电荷产生层的材料包括络合物，所述络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述掺杂金属包括碱金属、镧系金属、Liq中的至少一种。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元包括层叠设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，所述第一空穴传输层靠近所述阳极，所述电子传输层靠近所述阴极；所述第一空穴传输层的材料和所述第二空穴传输层的材料不同；其中，
所述电子传输层的迁移率大于或等于所述N型电荷产生层的迁移率，且所述N型电荷产生层的迁移率大于所述空穴阻挡层的迁移率。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述N型电荷产生层的偶极矩大于或等于所述电子传输层的偶极矩，且所述电子传输层的偶极矩大于所述空穴阻挡层的偶极矩。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述N型电荷产生层的玻璃态转变温度大于120℃。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物中的杂原子包括氮原子，所述氮原子的数量大于或等于4。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物的结构片段包括 至少其中之一；
其中，X为CR8、NR8、O或S，R1-R8、Ar1-Ar3为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物的结构包括 至少其中之一。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述阴极背离所述阳极一侧的第一光取出层，以及位于所述第一光取出层背离所述阳极一侧的第二光取出层；所述第一光取出层的折射率大于所述第二光取出层的折射率。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在波长为520nm的光照射下，所述第一光取出层的折射率与所述第二光取出层的折射率之差大于0.4，且所述第二光取出层的折射率小于1.7。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第一光取出层的材料和所述第二光取出层的材料不包括F原子。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二光取出层的材料结构包括
其中，X为O、S、CR5、NR6；
其中，R5、R6为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基；
其中，L1、L2为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯、取代或未取代的三联苯、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷、取代或未取代的杂芳基；
其中，R1-R4为取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基，且当R1-R4、L1、L2为芳基或杂芳基取代时，其中至少一个芳基或杂芳基具有取代或未取代的C1至C18烷基或Si原子取代基。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二光取出层的材料结构包括 至少其中之一。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元靠近所述阳极；
所述显示面板还包括：位于所述阳极和所述第一发光单元之间的空穴注入层，以及位于所述第二光取出层背离所述阳极一侧的封装层。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光层包括不同发光波长的多个子发光层，各所述子发光层在所述阳极上的正投影互不交叠，且所述子发光层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二空穴传输层包括与各所述子发光层一一对应且独立设置的多个第二子空穴传输层，各所述第二子空穴传输层的材料互不相同，且所述第二子空穴传输层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光层包括红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，所述红色子发光层和所述绿色子发光层为磷光发光，所述蓝色子发光层为荧光发光。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的显示面板。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种显示面板及显示装置，该显示面板通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，N型电荷产生层的材料包括络合物，络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，N型电荷产生层掺杂金属后会使N型电荷产生层的LUMO能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供了一种显示面板，如图1所示，包括层叠设置的阳极1、发光结构2和阴极3；发光结构2包括层叠设置的至少两个发光单元(以两个发光单元为例，分别为21和22)，相邻两个发光单元(21和22)之间设置有连接结构4；
连接结构4包括依次层叠设置的N型电荷产生层41和P型电荷产生层42，N型电荷产生层41靠近阳极1设置，P型电荷产生层42靠近阴极2设置；N型电荷产生层41用于在导电状态下产生电子，P型电荷产生层42用于在导电状态下产生空穴；其中，
N型电荷产生层41的材料包括络合物，该络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物。
本发明实施例提供的上述显示面板，通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，N型电荷产生层的材料包括络合物，该络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，包括含氮原子的杂环化合物的N型电荷产生层掺杂金属后会使N型电荷产生层的LUMO能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，掺杂金属可以包括碱金属、镧系金属、Liq中的至少一种。具体地，碱金属可以为Li，镧系金属可以为Yb。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，发光单元(21和22)包括层叠设置的第一空穴传输层201、第二空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204和电子传输层205，第一空穴传输层201靠近阳极1，电子传输层205靠近阴极3；第一空穴传输层201的材料和第二空穴传输层202的材料不同；通过第一空穴传输层201和第二空穴传输层202有利于空穴的传输，通过空穴阻挡层204可以阻挡空穴，通过电子传输层205有利于电子的传输；其中，
N型电荷产生层41需保证高效的电荷产生、快速的电荷传输和有效的注入三个过程，结合本发明中的器件结构，要保证激子复合区更靠近发光层203中心，提高发光器件的发光效率，迁移率和偶极矩需要同时满足：电子传输层205的迁移率μ1大于或等于N型电荷产生层41的迁移率μ2，且N型电荷产生层41的迁移率μ2大于空穴阻挡层204的迁移率μ3，即μ1≥μ2＞μ3；N型电荷产生层41的偶极矩D1大于或等于电子传输层205的偶极矩D2，且电子传输层205的偶极矩D2大于空穴阻挡层204的偶极矩D3，即D1≥D2＞D3。
在具体实施时，为了保证N型电荷产生层满足蒸镀条件，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，N型电荷产生层41的玻璃态转变温度大于120℃，这样在蒸镀N型电荷产生层41时不易分解。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，N型电荷产生层41包括的杂环化合物中的杂原子包括氮原子(N)，氮原子的数量大于或等于4，这样在制作N型电荷产生层41时，杂环化合物可以作为基质材料，通过在该基质材料中掺杂金属，由于杂环化合物中的氮原子数量大于或等于4，因此该杂环化合物具备与掺杂的金属结合的位点，掺杂的金属和杂环化合物可以形成稳定的络合物，从而可以增加器件稳定性，提升器件的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，N型电荷产生层41中杂环化合物的结构片段可以包括 至少其中之一；
其中，X为CR8、NR8、O或S，R1-R8、Ar1-Ar3为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基。具体地，在采用具有上述任意结构片段的材料作为N型电荷产生层41的基质材料时，相邻结构片段的基团可以彼此连接以形成稠合环，使得形成的杂环化合物中氮原子的数量大于或等于4，从而可以和掺杂金属形成温度的络合物。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，N型电荷产生层41中杂环化合物的结构可以包括但不限于 至少其中之一。具体地，上述这些任意的结构中的氮原子可以和掺杂的金属(例如Li)配位，形成稳定的络合物，从而可以增加器件稳定性，提升器件的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，P型电荷产生层42的材料可以为但不限于P型电荷产生层42的材料还可以是掺杂的材料，例如/>
具体地，空穴阻挡层204的厚度可以为5nm～15nm，电子传输层205的厚度可以为20nm～100nm，N型电荷产生层41的厚度可以为15nm～25nm)，P型电荷产生层42的厚度可以为5nm～15nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，还包括：位于阴极3背离阳极1一侧的第一光取出层5，以及位于第一光取出层5背离阳极1一侧的第二光取出层6；第一光取出层5的折射率大于第二光取出层6的折射率。通过折射率不同的第一光取出层5和第二光取出层6的相互配合，可以使得发光器件的出光效率达到最佳。
在具体实施时，为了保证图1中叠层器件具有较高的出光效率，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在波长为520nm的光照射下，第一光取出层5的折射率与第二光取出层6的折射率之差大于0.4，且第二光取出层6的折射率小于1.7。
相关技术中的光取出层的材料一般含有F原子，会大幅降低器件的寿命，因此为了提高发光器件的寿命，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第一光取出层的材料和第二光取出层的材料均不包括F原子，本发明实施例中的第一光取出层的材料和第二光取出层的材料相较于相关技术中含F的光取出层材料，本发明在保证效率变化较小的同时，具有较高的寿命提升。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第二光取出层的材料结构可以包括
其中，X为O、S、CR5、NR6；
其中，R5、R6为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基；
其中，L1、L2为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯、取代或未取代的三联苯、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷、取代或未取代的杂芳基；
其中，R1-R4为取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基，且当R1-R4、L1、L2为芳基或杂芳基取代时，其中至少一个芳基或杂芳基具有取代或未取代的C1至C18烷基或Si原子取代基。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第二光取出层的材料结构可以包括但不限于 至少其中之一。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，第一光取出层的材料结构可以为但不限于
具体地，第一光取出层5的厚度可以为50nm～200nm，第二光取出层6的厚度可以为5nm～50nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，发光单元包括层叠设置的第一发光单元21和第二发光单元22，第一发光单元21靠近阳极1；
显示面板还包括：位于阳极1和第一发光单元21之间的空穴注入层7，以及位于第二光取出层6背离阳极1一侧的封装层8。具体地，通过空穴注入层7可以注入空穴，空穴注入层7的材料可以为通过封装层8以隔绝水氧。
具体地，空穴注入层7的厚度可以为5nm～30nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，发光层203可以包括不同发光波长的多个子发光层(例如红色子发光层R、绿色子发光层G和蓝色子发光层B)，各子发光层(R、G、B)在阳极1上的正投影互不交叠，且子发光层(R、G、B)的厚度与子发光层(R、G、B)的发光波长呈正相关趋势，例如红色子发光层R的厚度最大，绿色子发光层G的厚度次之，蓝色子发光层B的厚度最小，通过对不同发光波长的子发光层的厚度设计，可以使得不同发光波长的子发光层的发光效率均可以达到最佳。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，第二空穴传输层202包括与各子发光层(R、G、B)一一对应且独立设置的多个第二子空穴传输层(R-HTL2、G-HTL2、B-HTL2)，各第二子空穴传输层(R-HTL2、G-HTL2、B-HTL2)的材料互不相同，且第二子空穴传输层(R-HTL2、G-HTL2、B-HTL2)的厚度与子发光层(R、G、B)的发光波长呈正相关趋势，例如R-HTL2的材料为G-HTL2的材料为/>B-HTL2的材料为/>例如红色子发光层R对应的第二子空穴传输层R-HTL2的厚度最大，绿色子发光层G对应的第二子空穴传输层R-HTL2的厚度次之，蓝色子发光层B对应的第二子空穴传输层R-HTL2的厚度最小，通过对不同发光波长的子发光层对应的第二子空穴传输层的厚度设计，可以使得不同发光波长的子发光层的发光效率均可以达到最佳。
具体地，第二穴传输层202中R-HTL2的厚度可以为5nm～45nm，G-HTL2的厚度可以为10nm～25nm，B-HTL2的厚度可以为5nm～15nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，第一空穴传输层201的材料可以为但不限于第一空穴传输层201的厚度可以为15nm～25nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示面板中，如图1所示，红色子发光层R和绿色子发光层G可以为磷光发光，红色子发光层R和绿色子发光层G均包括主体材料和掺杂材料，且红色子发光层R和绿色子发光层G的主体材料均包括两种材料，例如红色子发光层R的主体材料可以包括绿色子发光层G的主体材料可以包括/>红色子发光层R的掺杂材料可以为/>绿色子发光层G的掺杂材料可以为/>蓝色子发光层B可以为荧光发光，蓝色子发光层B的主体材料可以为/>掺杂材料可以为/>
具体地，红色子发光层R的厚度可以为30nm～50nm，绿色子发光层G的厚度可以为30nm～50nm，蓝色子发光层B的厚度可以为10nm～20nm。
在具体实施时，阳极的材料可以为透明导电材料，例如ITO；阴极的材料可以为但不限于Mg:Ag，阴极的厚度可以为10nm～50nm。
在具体实施时，如图1所示，还可以包括位于阴极3和电子传输层205之间的电子注入层(未示出)，电子注入层的厚度可以为1nm～10nm。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示面板，还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，例如用于界定R、G、B的像素界定层等等。
下面结合一些具体的实施例(本发明)以及对比例对发光器件的电压、发光效率和寿命进行说明，对比例和实施例的器件结构相同，均如图1所示，图1所示的发光器件的制备过程如下：
(1)将带有ITO(阳极1)的玻璃基板在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份。
(2)把上述带有阳极1的玻璃基板置于真空腔内，抽真空至1×10-5～1×10-6，在阳极1上共同蒸镀空穴注入材料与第一空穴传输材料(5％)形成空穴注入层7.
(3)在空穴注入层7上蒸镀第一空穴传输材料，形成第一空穴传输层201。
(4)在第一空穴传输层201上蒸镀第二空穴传输材料，形成第二空穴传输层202。
(5)分别在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域蒸镀红色子发光层R、绿色子发光层G和蓝色子发光层B，形成发光层203。
(6)在发光层203上蒸镀空穴阻挡层204。
(7)在空穴阻挡层204上蒸镀电子传输层205。
(8)在电子传输层205上沉积Yb掺杂比例为1％的N型电荷产生层41，在N型电荷产生层41上方沉积掺杂比例为5％的P型电荷产生层42，形成连接结构4。
(9)在连接结构4上重复制作步骤(3)～(7)。
(10)在第二发光单元22的电子传输层205上真空蒸镀厚度为1nm的Yb作为电子注入层(未示出)。
(11)在电子注入层上蒸镀Mg:Ag(1:9)材料作为阴极3。
(12)在阴极3上依次蒸镀层叠设置的第一光取出层5及第二光取出层6。
(13)在第二光取出层6上形成封装层8。
具体的器件结构和相关参数如下：阳极(ITO)/空穴注入层(10nm)/第一空穴传输层(19nm)/R-HTL2(25nm)，G-HTL2(15nm)，B-HTL2(5nm)/RH:RD(3wt％，42nm)，GH:GD(10wt％，40nm)，BH:BD(3wt％，15nm)/空穴阻挡层(5nm)/电子传输层：LIQ(1:1，35nm)/N型电荷产生层(掺杂1％Yb，9nm)/P型电荷产生层(5％，9nm)/第一空穴传输层(19nm)/R-HTL2(25nm)，G-HTL2(15nm)，B-HTL2(5nm)/RH:RD(3wt％，42nm)，GH:GD(10wt％，40nm)，BH:BD(3wt％，15nm)/空穴阻挡层(5nm)/电子传输层：LIQ(1:1，35nm)/电子注入层(1nm)/阴极(15nm)/第一光取出层(20nm)/第二光取出层(5nm)/封装层。其中，RH:RD代表红色子发光层R中的主体材料(RH)和掺杂材料(RD)，RD的掺杂含量为3wt％；GH:GD代表绿色子发光层G中的主体材料(GH)和掺杂材料(GD)，GD的掺杂含量为10wt％；BH:BD代表蓝色子发光层B中的主体材料(BH)和掺杂材料(BD)，BD的掺杂含量为3wt％。
各膜层的具体材料如下：
空穴注入层7的材料为第一空穴传输层201的材料为R-HTL2的材料为/>G-HTL2的材料为B-HTL2的材料为/>红色子发光层R中的主体材料RH为/>红色子发光层R中的掺杂材料RD为/>绿色子发光层G中的主体材料GH为绿色子发光层G中的掺杂材料GD为/>蓝色子发光层B中的主体材料BH为/>蓝色子发光层B中的掺杂材料BD为/>空穴阻挡层204的材料为空穴传输层205的材料为/>N型电荷产生层41的材料为/>P型电荷产生层42的材料为/> 第一光取出层5的材料为/>第二光取出层6的材料为/>
对比例1：按照上述制备方法及各膜层材料制备器件；
对比例2：按照上述制备方法及各膜层材料制备器件，且将第二光取出层6的材料替换为LiF；
对比例3：按照上述制备方法及各膜层材料制备器件，将第二光取出层6的材料替换为LiF，且将N型电荷产生层41的材料替换为
实施例1：按照上述制备方法及各膜层材料制备器件，将N型电荷产生层41的材料替换为
上述对比例1-3及实施例1对应的器件的电压、效率、寿命实验结果如下表：
| 实施例 | 电压 | 效率 | 寿命 |
| 对比例1 | 100％ | 100％ | 100％ |
| 对比例2 | 100％ | 103％ | 92％ |
| 对比例3 | 98％ | 109％ | 97％ |
| 实施例1 | 98％ | 107％ | 103％ |
从上述表格可以看出，采用本发明实施例提供的第二光取出层6的材料和N型电荷产生层41的材料制备叠层的发光器件，可以使用较低的电压，获得较高的发光效率以及较高的器件寿命。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明提供的一种显示面板及显示装置，该显示面板通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，N型电荷产生层的材料包括络合物，络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，N型电荷产生层掺杂金属后会使N型电荷产生层的LUMO能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (18)
1.一种显示面板，其特征在于，包括层叠设置的阳极、发光结构和阴极；所述发光结构包括层叠设置的至少两个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有连接结构；
所述连接结构包括依次层叠设置的N型电荷产生层和P型电荷产生层，所述N型电荷产生层靠近所述阳极设置，所述P型电荷产生层靠近所述阴极设置；其中，
所述N型电荷产生层的材料包括络合物，所述络合物包括掺杂金属和含杂原子的杂环化合物。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述掺杂金属包括碱金属、镧系金属、Liq中的至少一种。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括层叠设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，所述第一空穴传输层靠近所述阳极，所述电子传输层靠近所述阴极；所述第一空穴传输层的材料和所述第二空穴传输层的材料不同；其中，
所述电子传输层的迁移率大于或等于所述N型电荷产生层的迁移率，且所述N型电荷产生层的迁移率大于所述空穴阻挡层的迁移率。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述N型电荷产生层的偶极矩大于或等于所述电子传输层的偶极矩，且所述电子传输层的偶极矩大于所述空穴阻挡层的偶极矩。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述N型电荷产生层的玻璃态转变温度大于120℃。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物中的杂原子包括氮原子，所述氮原子的数量大于或等于4。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物的结构片段包括 至少其中之一；
其中，X为CR8、NR8、O或S，R1-R8、Ar1-Ar3为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物的结构包括 至少其中之一。
9.如权利要求1-5、7和8任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述阴极背离所述阳极一侧的第一光取出层，以及位于所述第一光取出层背离所述阳极一侧的第二光取出层；所述第一光取出层的折射率大于所述第二光取出层的折射率。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在波长为520nm的光照射下，所述第一光取出层的折射率与所述第二光取出层的折射率之差大于0.4，且所述第二光取出层的折射率小于1.7。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一光取出层的材料和所述第二光取出层的材料不包括F原子。
12.如权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二光取出层的材料结构包括
其中，X为O、S、CR5、NR6；
其中，R5、R6为H、D、取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基；
其中，L1、L2为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯、取代或未取代的三联苯、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷、取代或未取代的杂芳基；
其中，R1-R4为取代或未取代的C1至C18烷基、取代或未取代的C6至C60芳基、取代或未取代的C3至C60杂芳基，且当R1-R4、L1、L2为芳基或杂芳基取代时，其中至少一个芳基或杂芳基具有取代或未取代的C1至C18烷基或Si原子取代基。
13.如权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二光取出层的材料结构包括
至少其中之一。
14.如权利要求1-5、7、8、10-13任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元靠近所述阳极；
所述显示面板还包括：位于所述阳极和所述第一发光单元之间的空穴注入层，以及位于所述第二光取出层背离所述阳极一侧的封装层。
15.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括不同发光波长的多个子发光层，各所述子发光层在所述阳极上的正投影互不交叠，且所述子发光层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。
16.如权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述第二空穴传输层包括与各所述子发光层一一对应且独立设置的多个第二子空穴传输层，各所述第二子空穴传输层的材料互不相同，且所述第二子空穴传输层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。
17.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，所述红色子发光层和所述绿色子发光层为磷光发光，所述蓝色子发光层为荧光发光。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-17任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202211109453.9A CN117750795A (zh) | 2022-09-13 | 2022-09-13 | 一种显示面板及显示装置 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2022
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