CN102097456B - 有机发光二极管装置 - Google Patents

有机发光二极管装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102097456B
CN102097456B CN201010586061.2A CN201010586061A CN102097456B CN 102097456 B CN102097456 B CN 102097456B CN 201010586061 A CN201010586061 A CN 201010586061A CN 102097456 B CN102097456 B CN 102097456B
Authority
CN
China
Prior art keywords
generation layer
charge generation
sub
layer
oled device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010586061.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102097456A (zh
Inventor
李晟熏
宋正培
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN102097456A publication Critical patent/CN102097456A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102097456B publication Critical patent/CN102097456B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values

Abstract

一种有机发光二极管装置，包括：阳极，与所述阳极面对的阴极，和在所述阳极与所述阴极之间的发光组件，其中所述发光组件包括：显示彼此相同或不同颜色的至少两个发光单元，和在所述至少两个发光单元之间的电荷产生层，所述电荷产生层包括第一电荷产生层和第二电荷产生层第一电荷产生层和第二电荷产生层各自包括未掺杂材料，并且其中所述第一电荷产生层具有大致与所述第二电荷产生层的电子亲和势相等或比所述第二电荷产生层的电子亲和势小的电离能。

Description

有机发光二极管装置
技术领域
实施例涉及有机发光二极管装置。
背景技术
近来，有机发光二极管(OLED)装置作为显示装置和照明设备得到了关注。
有机发光二极管装置可以包括两个电极和介于两个电极之间的发射层。从一个电极注入的电子可以在发射层中与从另一电极注入的空穴复合产生激子，这些激子以发射的光的形式释放能量。
由于有机发光二极管装置在没有独立光源的情况下自发光，因此它具有极低的功耗和优良的响应速度、视角和对比度。此外，还期望这种有机发光二极管装置来改善电流特性，从而降低驱动电压并提高亮度。
发明内容
实施例致力于一种有机发光二极管装置，其可以实质上克服由于相关技术的限制和缺点而导致的问题中的一个或多个。
实施例的特征在于提供一种有机发光二极管装置，具有改善的电流特性、降低的驱动电压和高的亮度。
以上和其它特征及优点中至少之一可以通过提供一种有机发光二极管装置来实现，所述有机发光二极管装置包括：阳极，与所述阳极面对的阴极，和在所述阳极与所述阴极之间的发光组件，其中所述发光组件包括：显示彼此相同或不同颜色的至少两个发光单元，和在所述至少两个发光单元之间的电荷产生层，所述电荷产生层包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层各自包括未掺杂材料，并且其中所述第一电荷产生层具有大致与所述第二电荷产生层的电子亲和势相等或比所述第二电荷产生层的电子亲和势小的电离能。
所述第一电荷产生层可以具有电子传输特性，并且所述第二电荷产生层可以具有空穴传输特性。
所述第一电荷产生层可以在所述阳极与所述第二电荷产生层之间。
所述至少两个发光单元可以包括：在所述阳极与所述第一电荷产生层之间的第一发光单元；和在所述阴极与所述第二电荷产生层之间的第二发光单元。
所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层可以包括彼此不同的材料。
所述电荷产生层可以具有电离能，所述电离能为从大致与所述第二电荷产生层的电子亲和势相等到比所述第二电荷产生层的电子亲和势小大约5eV。
所述电离能可以为从比所述第二电荷产生层的电子亲和势小大约1eV到大约4eV。
所述第一电荷产生层可以具有大约2.0eV至大约5.0eV的电离能，并且所述第二电荷产生层可以具有大约4.0eV至大约7.0eV的电子亲和势。
所述第一电荷产生层可以包括化合物，所述化合物包括金属取代的(metal-substituted)四(六氢嘧啶并嘧啶)、碱金属和碱金属的合金中至少之一。
所述第一电荷产生层可以包括所述金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)，这种金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)包括四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨(W2(hpp)4)和四(六氢嘧啶并嘧啶)合二铬(Cr2(hpp)4)中至少之一。
所述第一电荷产生层可以包括所述碱金属，这种碱金属包括锂(Li)、钠(Na)、铯(Cs)、铷(Rb)、钫(Fr)中至少之一。
所述第二电荷产生层可以包括六氮杂苯并菲衍生物、四氟四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)衍生物和金属氧化物中至少之一。
所述第二电荷产生层可以包括所述金属氧化物，这种金属氧化物包括氧化钒(V2O5)、氧化钨(WO3)和氧化钼(MoO3)中至少之一。
每个发光单元可以包括：显示颜色的发射层；和布置在所述发射层的上侧和下侧中至少之一上的辅助层。
所述发光组件可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元、橙色发光单元和白色发光单元中至少之一。
所述发光组件可以包括所述橙色发光单元，这种橙色发光单元包括红色发射层和绿色发射层。
所述发光组件可以包括所述橙色发光单元，所述橙色发光单元包括掺有红色发光材料和绿色发光材料的主体。
所述发光组件可以被制成为通过合并从所述至少两个发光单元中发射的光而发射白光。
所述有机发光二极管装置可以进一步包括显示彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，以及白色子像素，其中所述发光组件公共地布置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述白色子像素上，并且其中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括布置在所述发光组件下侧或上侧的红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。
附图说明
对于本领域技术人员来说，以上及其它特征和优点将通过参照附图对示例性实施例进行详细描述而变得更加明显，在附图中：
图1示出根据实施例的有机发光二极管装置的截面图；
图2示出图1的有机发光二极管装置中电荷产生层的能级的示意图；
图3示出图1的有机发光二极管装置中多个像素的排列的俯视图；
图4示出图1的有机发光二极管装置的结构的截面图；
图5示出根据实例(Example)和比较性实例(Comparative Example)的有机发光二极管装置的依据亮度的电流效率的图；
图6示出有机发光二极管的依据波长的发光强度/电流密度图；
图7示出根据实例和比较性实例的有机发光二极管装置的依据电压的电流密度的图；以及
图8示出根据实例和比较性实例的有机发光二极管装置的依据电压的亮度的图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，这些实施例可以不同的形式体现，并且不应当被理解为仅于这里所记载的实施例。相反，提供这些实施例的目的在于使该公开内容全面完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
在附图中，层和区域的尺寸可能为了图示的清晰而被放大。还可以理解，当一层或元件被称作位于另一层或元件“上”时，该层或元件可以直接位于另一层或元件上，也可以存在中间层。另外，也可以理解，当一层被称作为位于两层“之间”时，该层可以是这两个元件之间仅有的层，也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。
以下将参照附图更充分地描述本公开内容，附图中示出本公开内容的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式来对所描述的实施例进行修改，而均不超出本公开内容的精神或范围。
参见图1，详细描述根据实施例的有机发光二极管装置。
图1示出根据实施例的有机发光二极管装置的截面图。
参见图1，根据本实施例的有机发光二极管(OLED)装置可以包括彼此面对的阳极100和阴极200。有机发光组件300可以介于阳极100与阴极200之间。
阳极100和阴极200中的至少一个可以是透明电极。当阳极100是透明电极时，OLED装置可以是向底部侧发光的底部发射装置。当阴极200是透明电极时，OLED装置可以是向顶部侧发光的顶部发射装置。然而，当阳极100和阴极200的上部和下部的布置改变时，底部发射和顶部发射配置可以转换。另外，当阳极100和阴极200都是透明电极时，OLED装置可以是向下侧和上侧发光的两侧发射装置。
在实施方式中，透明电极可以由例如ITO、IZO或其组合形成。在另一实施方式中，透明电极可以由例如铝(Al)、银(Ag)或其组合形成，并且可以具有薄的配置。当阳极100或阴极200是不透明电极时，其可以由例如铝(Al)、银(Ag)等不透明金属形成。
有机发光装置300可以包括多个发光单元20和30以及在多个发光单元20和30之间的电荷产生层50。
多个发光单元20和30可以显示彼此不同的光颜色。它也可以通过合并从发光单元20和30发射的光而发射白光。
第一发光单元20可以包括发射可见光区域的光的发射层22和布置在发射层22的下侧和上侧的辅助层21和23。一个辅助层21可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。另一辅助层23可以包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。在一个实施方式中，辅助层21和23中的至少一个可以省略。
第二发光单元30可以包括发射可见光区域的光的发射层32和布置在发射层32的下侧和上侧上的辅助层31和33。一个辅助层31可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。另一辅助层33可以包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。在一个实施方式中，辅助层31和33中的至少一个可以省略。
第一发光单元20和第二发光单元30可以各自独立地包括例如发射红光的红色发光单元、发射绿光的绿色发光单元、发射蓝光的蓝色发光单元、发射橙光的橙色发光单元或者通过合并从以上发光单元中选择的两个发光单元所发射的光而发射白光的白色发光单元。
例如，第一发光单元20可以是蓝色发光单元，并且第二发光单元30可以是橙色发光单元。
橙色发光单元中包括的橙色发射层可以是例如发射一种颜色的单层或各发射与其它层不同的颜色的至少两层，即多层。
当橙色发射层是单层时，橙色发射层可以由发射波长为大约550nm至大约650nm的橙光的发光材料形成。
在一个实施方式中，橙色发射层可以包括掺有红色发光材料和绿色发光材料的主体材料。在这种情况下，主体材料可以包括用于绿色发射层的主体的材料或具有比搀杂剂高的三线态能量(triplet energy)的材料。该搀杂剂可以包括磷光材料。
在橙色发射层具有多层结构时，橙色发射层可以包括发射红光波长区域的光的红色发射层和发射绿光波长区域的光的绿色发射层。在这种情况下，绿色发射层的主体可以呈现空穴传输特性，并且可以包括例如三苯胺衍生物。绿色发射层的主体可以呈现电子传输特性，并且可以包括例如螺芴(spirofluorene)衍生物。
电荷产生层50可以是能够提供电子-空穴对的层。所产生的电子和空穴可以被分离，并分别传输到第一发光单元20和第二发光单元30中。
电荷产生层50可以包括可被堆叠的第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b。第一电荷产生层50a可以位于阳极100与第二电荷产生层50b之间。第二电荷产生层50b可以位于阴极200与第二电荷产生层50a之间。因此，对于电荷产生层50所产生的每个电子-空穴对来说，电子可以被传输至与阳极100相邻的第一发光单元20，而空穴可以被传输至与阴极200相邻的第二发光单元30。
具体来说，第一电荷产生层50a可以呈现电子传输特性。因此，从电荷产生层50产生的电子可以通过第一电荷产生层50a传递到第一发光单元20，并且可以在发射层22中与从阳极100传输的空穴复合以提供激子，并且通过释放能量发射可见光区域的光。
第二电荷产生层50b可以呈现空穴传输特性。因此，从电荷产生层50产生的空穴可以穿过第二电荷产生层50b并被传输到第二发光单元30，并且可以在发射层32中与从阴极200传输的电子复合以提供激子，并且通过释放能量发射可见光区域的光。
第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b可以具有如图2所示的能级的结(junction)结构，以分别促进电子和空穴的传输。
将参照图2与图1一起描述电子和空穴传输。
图2示出有机发光二极管装置中的电荷产生层50的能级的示意图。
第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b可以各自具有HOMO(最高占有分子轨道)能级和LUMO(最低未占分子轨道)能级。能带隙(energy bandgap)可以是每一层的HOMO能级与LUMO能级之间的能量值。
用真空能级(vacuum level)作为基准，电离能(IE)可以定义为从真空能级到HOMO能级的能量的绝对值，而电子亲和势(EA)被定义为从真空能级到LUMO能级的能量的绝对值。
第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)可以大致与第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)相等或比第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)小。由于第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)可以大致与第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)相等或比第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)小，因此即使从外部仅施加较小的电场，也可以在第一电荷产生层50a与第二电荷产生层50b之间的界面处产生电子-空穴对。所产生的电子和空穴可以在没有能垒(energy barrier)的情况下分别被传输到第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b中，从而降低从外部施加的电压降。因此，第一电荷产生层50a与第二电荷产生层50b(具有促进电子和空穴向相反方向传输的结结构)之间的界面处所产生的电子和空穴可以有助于确保可以降低从外部施加的电压降，从而降低驱动电压。
第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)和第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)可以依赖于其材料而变化。在一个实施方式中，第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)可以为大约2.0eV至大约5.0eV，并且第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)可以为大约4.0eV至大约7.0eV。第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)可以为从大致与第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)相等到比第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)小大约5.0eV。在一个实施方式中，第一电荷产生层50a的电离能(IE50a)可以比第二电荷产生层50b的电子亲和势(EA50b)小大约1.0eV至4.0eV。
第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b可以由彼此不同的材料形成，并且各自可以由未掺杂的材料形成。因此，可以有利地在使用掺杂材料时降低所产生的电压降并且完全省略掺杂工艺，从而简化OLED装置的制造工艺。
作为未掺杂的纯材料，第一电荷产生层50a可以包括例如金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)(tetra(hexahydropyrimidopyrimidine))或具有低电离能的金属。
金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)可以包括例如四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨(W2(hpp)4)、四(六氢嘧啶并嘧啶)合二铬(Cr2(hpp)4)或其组合。具有低电离能的金属可以包括例如具有碱金属、碱金属合金和/或其组合的化合物，例如碱金属的氧化物、碳化物、氮化物等。碱金属可以包括例如锂(Li)、钠(Na)、铯(Cs)、铷(Rb)、钫(Fr)或其组合。
第二电荷产生层50b可以包括例如六氮杂苯并菲(hexaazatriphenylene)衍生物、四氟四氰二甲基对苯醌(tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane)(F4-TCNQ)衍生物、金属氧化物或其组合。金属氧化物可以包括例如氧化钒(V2O5)、氧化钨(WO3)、氧化钼(MoO3)或其组合。
在一个实施方式中，第一电荷产生层50a可以包括例如电离能为大约3.51eV的四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨(W2(hpp)4)，并且第二电荷产生层50b可以包括例如电子亲和势为大约6.0eV的六氮杂苯并菲衍生物。
有机发光二极管装置可以包括多个像素。每个像素可以包括多个子像素。以下将参考图3和图4描述这些像素。
图3示出根据实施例的有机发光二极管装置中多个像素的排列的俯视图。图4示出根据实施例的有机发光二极管装置的截面图。
在根据本实施例的有机发光二极管装置中，可以交替布置显示红光的红色子像素(R)、显示绿光的绿色子像素(G)、显示蓝光的蓝色子像素(B)和显示无色光即显示白光的白色子像素(W)。
红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)可以是用于显示全彩色的主像素。白色子像素(W)可以增大光透射，并且可以增强装置的亮度。
包括红色子像素(R)、绿色子像素(G)、蓝色子像素(B)和白色子像素(W)的四个子像素可以形成一个像素。该像素可以沿行和/或列重复。然而，像素的排列可以有所变化。
将参照图4描述包括红色子像素(R)、绿色子像素(G)、蓝色子像素(B)和白色子像素(W)的有机发光二极管的结构。
多个薄膜晶体管阵列可以布置在绝缘基板110上。薄膜晶体管阵列可以包括布置在每个子像素中并且彼此电连接的开关薄膜晶体管Qs和驱动薄膜晶体管Qd。图4仅示出每个子像素一个开关薄膜晶体管Qs和一个驱动薄膜晶体管Qd，但是实施例不限于此，而是可以以每个子像素多种数目来包括晶体管。
下绝缘层112可以布置在薄膜晶体管阵列上。多个接触孔(未示出)可以布置在下绝缘层112上，用以部分地暴露开关薄膜晶体管Qs和驱动薄膜晶体管Qd。
在下绝缘层112上，红色滤光片230R可以布置在红色子像素(R)中，绿色滤光片230G可以布置在绿色子像素(G)中，并且蓝色滤光片230B可以布置在蓝色子像素(B)中。颜色滤光片230R、230G和230B可以根据阵列上颜色滤光片(CoA)方案布置。
透明绝缘层235而非颜色滤光片可以布置在白色子像素(W)中，以便于与其它子像素的颜色滤光片维持平坦的平面。在一个实施方式中，透明绝缘层235可以省略。
挡光组件220可以布置在红色滤光片230R、绿色滤光片230G、蓝色滤光片230B和透明绝缘层235中的每一个之间。挡光组件220可以阻挡子像素之间的光泄漏。
上绝缘层114可以布置在红色滤光片230R、绿色滤光片230G、蓝色滤光片230B、透明绝缘层235和挡光组件220上。多个接触孔(未示出)可以形成在上绝缘层114中。
像素电极100R、100G、100B、100W可以布置在上绝缘层114上。像素电极100R、100G、100B、100W可以通过接触孔(未示出)电连接至相应子像素的驱动薄膜晶体管Qd，并且可以包括例如阳极。
多个绝缘组件361可以布置在各像素电极100R、100G、100B、100W之间用以限定各个子像素。有机发光组件300可以布置在像素电极100R、100G、100B、100W和绝缘组件361上。
如图1所示，有机发光组件300可以包括包含发射层22及辅助层21和23的第一发光单元20、包含发射层32及辅助层31和33的第二发光单元30以及布置在第一发光单元20与第二发光单元30之间的电荷产生层50。然而，这些实施例不限于此，并且有机发光组件300可以包括例如三个或更多发光单元。在这种情况下，电荷产生层可以布置在每组发光单元之间。
电荷产生层50可以包括第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b。第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b可以分别呈现电子传输特性和空穴传输特性。第一电荷产生层50a和第二电荷产生层50b中的每一个可以由例如未掺杂的材料形成。由于第一电荷产生层50a的电离能可以大致与第二电荷产生层50b的电子亲和势相等或比第二电荷产生层50b的电子亲和势小，因此可以提供促进电子和空穴以相反方向传输的结结构。因此，可以降低电压降，从而降低驱动电压。
在一个实施方式中，有机发光组件300可以发射白光。
公共电极200可以布置在有机发光组件300上。公共电极200可以形成在基板的整个表面上，并且可以包括例如阴极。公共电极200可以通过与像素电极100R、100G、100B、100W成对来促进电流流向有机发光组件300。
在下文中，参照图5和图6描述根据一实例和一比较性实例的有机发光二极管装置的电流特性和发光特性。
图5示出根据实施例的有机发光二极管装置的依据亮度的电流效率的曲线图。图6示出根据实施例的有机发光二极管装置的依据波长的发光强度/电流密度的曲线图。
在根据实例(A)的有机发光二极管装置中，有机发光二极管装置中的第一电荷产生层由厚度为的四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨(W2(hpp)4)形成。第二电荷产生层由六氮杂苯并菲形成，以具有的厚度。
在根据比较性实例(B)的有机发光二极管装置中，第一电荷产生层由掺有(由Novaled制造的)NDN1的Alq3而非四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨(W2(hpp)4)形成。第二电荷产生层除了使用六氮杂苯并菲之外，根据与实例(A)相同的过程形成。
参见图5，可以是根据实例(A)的有机发光二极管装置在宽的亮度范围内呈现出良好的电流效率，这类似于根据比较性实例(B)的有机发光二极管装置。另外，由于根据实例(A)的有机发光二极管装置极少呈现出滑离(roll-off)特性，因此还可以看出其在宽的电流范围内呈现出良好的电荷产生特性。
参见图6，可以看出是根据实例(A)的有机发光二极管装置呈现出与根据比较性实例(B)的有机发光二极管装置类似的白色发光特性。
在下文中，将根据实例(A)的有机发光二极管装置的电流特性与根据比较性实例(B)的有机发光二极管装置的电流特性进行比较。
表1
如表1所示，根据实例(A)的有机发光二极管装置呈现出与比较实例(B)类似的电流效率和彩色坐标。然而，根据实例(A)的OLED装置呈现出比根据比较性实例(B)的OLED装置低大约0.5V的驱动电压以及改善的发光效率。换句话说，根据实施例的OLED装置可以呈现出与比较性实例(B)同样良好的电流效率和发光效率，但是以较低的即更有效的驱动电压呈现。
将参照图7和图8描述电流特性和亮度。
图7示出根据实例(A)和比较性实例(B)的有机发光二极管装置的依据电压的电流密度的曲线图。图8示出根据实例(A)和比较性实例(B)的有机发光二极管装置的依据电压的亮度的曲线图。
参见图7和图8，可以看出是根据实例(A)的有机发光二极管装置呈现出与根据比较性实例(B)的有机发光二极管装置相比更高的电流密度。
由于根据实施例的有机发光二极管装置可以具有促进电子和空穴在电荷产生层中传输的结结构，因此可以降低电压降，从而降低驱动电压，并改善相同电压下的电流密度和亮度。
这里已经公开了示例性实施例，并且尽管采用了下位概念，但是在广义和描述的意义上使用并解释它们，而并不用于限制的目的。因此，本领域普通技术人员会理解，可以进一步进行各种形式上和细节上的改变，而不超出所附权利要求记载的本发明的精神和范围，。

Claims (17)

1.一种有机发光二极管装置，包括：
阳极，
与所述阳极面对的阴极，和
在所述阳极与所述阴极之间的发光组件，
其中所述发光组件包括：
显示彼此相同或不同颜色的至少两个发光单元，和
在所述至少两个发光单元之间的电荷产生层，所述电荷产生层包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层各自包括未掺杂材料，并且
其中所述第一电荷产生层具有与所述第二电荷产生层的电子亲和势相等或比所述第二电荷产生层的电子亲和势小的电离能，并且
其中所述第一电荷产生层包括金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述第一电荷产生层具有电子传输特性，并且所述第二电荷产生层具有空穴传输特性。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其中所述第一电荷产生层在所述阳极与所述第二电荷产生层之间。
4.根据权利要求2所述有机发光二极管装置，其中所述至少两个发光单元包括：
在所述阳极与所述第一电荷产生层之间的第一发光单元；和
在所述阴极与所述第二电荷产生层之间的第二发光单元。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其中所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层包括彼此不同的材料。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中所述第一电荷产生层具有电离能，所述电离能为从与所述第二电荷产生层的电子亲和势相等到比所述第二电荷产生层的电子亲和势小5eV。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其中所述电离能为从比所述第二电荷产生层的电子亲和势小1eV到比所述第二电荷产生层产生的电子亲和势小4eV。
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中所述第一电荷产生层具有2.0eV至5.0eV的电离能，并且所述第二电荷产生层具有4.0eV至7.0eV的电子亲和势。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述金属取代的四(六氢嘧啶并嘧啶)包括四(六氢嘧啶并嘧啶)合二钨和四(六氢嘧啶并嘧啶)合二铬中至少之一。
10.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中所述第二电荷产生层包括六氮杂苯并菲衍生物、四氟四氰二甲基对苯醌衍生物和金属氧化物中至少之一。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管装置，其中所述第二电荷产生层包括所述金属氧化物，这种金属氧化物包括氧化钒、氧化钨和氧化钼中至少之一。
12.根据权利要求2所述有机发光二极管装置，其中每个发光单元包括：
显示颜色的发射层；和
布置在所述发射层的上侧和下侧中至少之一上的辅助层。
13.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其中所述发光组件包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元、橙色发光单元和白色发光单元中至少之一。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管装置，其中所述发光组件包括所述橙色发光单元，这种橙色发光单元包括红色发射层和绿色发射层。
15.根据权利要求13所述的有机发光二极管装置，其中所述发光组件包括所述橙色发光单元，这种橙色发光单元包括掺有红色发光材料和绿色发光材料的主体。
16.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其中所述发光组件被制成为通过合并从所述至少两个发光单元中发射的光而发射白光。
17.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，进一步包括显示彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，以及白色子像素，
其中所述发光组件公共地布置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述白色子像素上，并且
其中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括布置在所述发光组件下侧或上侧的红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。
CN201010586061.2A 2009-12-04 2010-12-03 有机发光二极管装置 Active CN102097456B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090120032A KR101094282B1 (ko) 2009-12-04 2009-12-04 유기 발광 장치
KR10-2009-0120032 2009-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102097456A CN102097456A (zh) 2011-06-15
CN102097456B true CN102097456B (zh) 2015-03-25

Family

ID=43618118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010586061.2A Active CN102097456B (zh) 2009-12-04 2010-12-03 有机发光二极管装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8829542B2 (zh)
EP (1) EP2330654A1 (zh)
JP (1) JP5805935B2 (zh)
KR (1) KR101094282B1 (zh)
CN (1) CN102097456B (zh)
TW (1) TW201143184A (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8502445B2 (en) * 2011-07-18 2013-08-06 Universal Display Corporation RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption
KR101821256B1 (ko) * 2011-11-03 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
DE102012203466B4 (de) * 2012-03-06 2021-10-28 Pictiva Displays International Limited Organisches licht emittierendes bauelement
DE102012208235B4 (de) * 2012-05-16 2021-05-12 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP5889730B2 (ja) 2012-06-27 2016-03-22 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
KR101952706B1 (ko) * 2012-07-24 2019-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20140063300A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN103972403A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972421A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972400A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972401A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US9494822B2 (en) * 2013-03-07 2016-11-15 Vizio Inc Thin backlight for LCD displays through use of field-induced polymer electro luminescence panels
CN104183587A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
DE102014100993A1 (de) * 2013-12-05 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102014111286A1 (de) * 2014-08-07 2016-02-11 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
KR102348376B1 (ko) 2015-09-30 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102543639B1 (ko) 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
US10770482B2 (en) * 2018-06-06 2020-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11956982B2 (en) 2018-07-19 2024-04-09 Lg Chem, Ltd. Organic light-emitting device
KR102168612B1 (ko) * 2018-12-20 2020-10-21 서울대학교산학협력단 적층형 하이브리드 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR102309628B1 (ko) * 2020-07-20 2021-10-05 한국화학연구원 보호층을 가지는 광소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551707A (zh) * 2003-05-07 2004-12-01 ���ǵ�����ʽ���� 四色数据处理系统
CN1943277A (zh) * 2004-02-18 2007-04-04 索尼株式会社 显示元件
CN101379884A (zh) * 2006-02-07 2009-03-04 住友化学株式会社 有机电致发光元件
CN101490867A (zh) * 2006-07-19 2009-07-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有无机半导体连接层的堆叠式电光活性有机二极管

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0132294B1 (ko) 1989-07-31 1998-10-01 강진구 전자사진 감광체
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
SG176316A1 (en) * 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP2005100921A (ja) * 2003-08-22 2005-04-14 Sony Corp 有機ｅｌ素子および表示装置
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7061011B2 (en) * 2003-11-26 2006-06-13 The Trustees Of Princeton University Bipolar organic devices
JP4461367B2 (ja) * 2004-05-24 2010-05-12 ソニー株式会社 表示素子
JP4513060B2 (ja) * 2004-09-06 2010-07-28 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子
US7560862B2 (en) 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
JP2006127985A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006269351A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aitesu:Kk トップエミッション型マルチフォトン有機ｅｌ表示パネル
JP4792828B2 (ja) * 2005-06-17 2011-10-12 ソニー株式会社 表示素子
TWI256271B (en) * 2005-05-30 2006-06-01 Univision Technology Inc Full-color organic electro-luminescent display device and method for producing the same
KR100713989B1 (ko) * 2005-07-15 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR100721947B1 (ko) 2005-08-29 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 다수의 발광층을 구비하는 유기 전계 발광 소자
EP1786050B1 (de) * 2005-11-10 2010-06-23 Novaled AG Dotiertes organisches Halbleitermaterial
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
JP5303726B2 (ja) * 2006-02-07 2013-10-02 学校法人早稲田大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007132678A1 (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5097700B2 (ja) * 2006-05-11 2012-12-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100825384B1 (ko) 2006-05-16 2008-04-29 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2008120603A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光素子
KR101316752B1 (ko) 2007-05-31 2013-10-08 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
KR101434358B1 (ko) * 2007-07-24 2014-09-23 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
KR20090035869A (ko) * 2007-10-08 2009-04-13 삼성전자주식회사 유기 반도체 소자
JP5325707B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551707A (zh) * 2003-05-07 2004-12-01 ���ǵ�����ʽ���� 四色数据处理系统
CN1943277A (zh) * 2004-02-18 2007-04-04 索尼株式会社 显示元件
CN101379884A (zh) * 2006-02-07 2009-03-04 住友化学株式会社 有机电致发光元件
CN101490867A (zh) * 2006-07-19 2009-07-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有无机半导体连接层的堆叠式电光活性有机二极管

Also Published As

Publication number Publication date
JP5805935B2 (ja) 2015-11-10
TW201143184A (en) 2011-12-01
KR101094282B1 (ko) 2011-12-19
EP2330654A1 (en) 2011-06-08
JP2011119221A (ja) 2011-06-16
US20110133226A1 (en) 2011-06-09
KR20110063090A (ko) 2011-06-10
CN102097456A (zh) 2011-06-15
US8829542B2 (en) 2014-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102097456B (zh) 有机发光二极管装置
CN102097455B (zh) 有机发光二极管装置
CN110544749B (zh) 显示设备
EP2372805B1 (en) Organic light emitting diode device
KR101475118B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US9209422B2 (en) Organic light emitting display device with micro-cavity structure
US9252379B2 (en) Organic light emitting device
KR102059601B1 (ko) 유기 발광 장치
TWI606579B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN110010775B (zh) 有机发光装置及使用其的有机发光显示装置
CN110838554B (zh) 有机电致发光装置
CN103477714A (zh) 有机电致发光元件
US20150255741A1 (en) Organic light emitting diode device
CN104867956A (zh) 有机el显示装置
KR20200038061A (ko) 유기전계발광소자
CN104752613B (zh) 有机发光二极管和包括其的有机发光二极管显示装置
KR101941084B1 (ko) 유기전계발광소자
US10050088B2 (en) Organic light-emitting diode display panel having the hole transport units corresponding to the light emitting devices of two different colors have different mobility
CN106920816B (zh) 有机发光显示装置及有机发光堆叠结构
US20180166644A1 (en) Tandem type organic light emitting device
US10700135B2 (en) Organic light-emitting diode display panel and organic light-emitting diode display device
US10256439B2 (en) Tandem organic light-emitting element
KR102100765B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102358545B1 (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. TO: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant