KR101952652B1 - 성형 블록용 소결 지르콘 재료 - Google Patents
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- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 665
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 660
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 50
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 345
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 171
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 783
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 392
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 131
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 79
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 71
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims description 39
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 15
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 140
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 96
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 86
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 74
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 74
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 72
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 71
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 68
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 59
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 43
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 24
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 13
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000177 wavelength dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 7
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 sintering aid Substances 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 3
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 2
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 239000005358 alkali aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 230000037396 body weight Effects 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
내화체는 지르콘 몸체를 포함하고, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3를 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함한다.
Description
본 개시는 포괄적으로 지르콘 내화체 및 지르콘 내화체의 성형 및 이용방법에 관한 것이다.
높은 스트레인 점의 무 알칼리 알루미노-실리케이트 유리, 예컨대, 비정질 실리콘 또는 산화물 박막 트랜지스터 (TFTs)를 이용하는 초고해상도 액정 디스플레이 (LCD) 기판용 유리, 또는 저온 폴리실리콘 (LTPS) TFT 증착을 이용하는 유기 발광 다이오드 (OLED) 기판용 유리는 TFT의 고온 처리 (700 ℃ 한도)가 가능하고 변형이 없도록 설계되었다. 이러한 유리는 용융인발공정으로 형성되며, 액체 유리는 지르콘 (ZrSiO4) 재료로 제작되는 유리 넘침 (overflow) 성형 블록 립을 넘쳐 흐르고 유리 넘침 성형 블록 바닥에서 융합되어 시트를 형성한다. 무 알칼리 알루미노-보로-실리케이트 유리와 접촉하는 지르콘 성형 블록은 유리 성형 온도에서 양호한 침식 저항성 및 기계적 특성을 제공한다.
그러나, 더 높은 스트레인점의 이들 무 알칼리 알루미노-실리케이트 유리에 있어서 더욱 높은 성형 온도 (+ 30 내지 120 ℃)에서의 성형이 성형 블록에서 더욱 요구된다. 더욱 높은 성형 온도로 인하여 유리 및 지르콘 재료 사이 반응 속도가 커지고 현재 지르콘 재료로는 유리에 더욱 많은 기포가 형성되어 초고해상도 TFT 용도에는 적합하지 않다. 둘째, 더욱 높은 성형 온도로 지르콘 재료의 크리프 변형 속도를 활성화시켜 성형 블록의 더욱 큰 새그 (sag) (10 배 이상 변형)가 발생되고 이는 이들 유리 성형에서 허용되지 않는다. 따라서 고온에서 개선된 특성을 가지는 새로운 범위의 지르콘 재료가 요구된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.% 이하의 SiO2 성분을 더욱 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 지르콘 몸체는 적어도 약 5 내지 약 50 이하의 비율 CBSiO2/CBAlC를 더욱 포함한다. CBSiO2 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타내고 및 CBAlC 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 총량을 나타낸다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 그레인 (grains) 및 지르콘 그레인들 사이에 존재하는 유리 실리카 입계상 (free silica intergranular phase)을 포함한다. 유리 실리카 입계상은 지르콘 몸체에 실질적으로 균일하게 분포된다. 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 더욱 포함한다. 또한 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. LCD A 유리로 1200 ℃에서 8 시간 후 측정될 때 지르콘 몸체는 mm2 당 약 8 기포 이하의 블리스터링 값 (blistering value)을 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. LCD A 유리로 1200 ℃에서360 시간 후 측정될 때 지르콘 몸체는 mm2 당 약 1 기포 이하의 블리스터링 값을 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서3-점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체는 약 1.1 E -04 h-1 이하의 크리프 변형 속도를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서4-점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체는 약 5.0 E -5 h-1 이하의 크리프 변형 속도를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체는 지르콘 몸체를 포함한다. 지르콘 몸체는 지르콘 회분 (batch)에서 성형된다. 지르콘 회분은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 더욱 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 내화체 성형 방법은 지르콘 회분 제공 단계를 포함한다. 지르콘 회분은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 내지 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 더욱 포함한다. 내화체 성형 방법은 지르콘 회분을 지르콘 몸체로 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
첨부한 도면들을 참조함으로써, 본 개시 및 당업자에게 명백한 많은 그 특징들과 장점들이 보다 더 잘 이해될 수 있다. 구현예들은 예로써 설명되고 첨부한 도면들로 제한되지 않는다.
도 1은 블리스터링 시험이 수행된 후 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 재료 표면 및 유리 층 간 계면의 단면 사진이다.
도 2는 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 지르콘 몸체의 미세조직 사진이다.
도 3은 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 지르콘 몸체의 미세조직 파장 분산형 X-선 분광 맵이다.
도 4는 종래 지르콘 몸체의 미세조직에너지 분산형 X-선 분광 맵이다.
도 5는 유리 넘침 성형 블록의 특정 실시태양을 보이는 도면이다.
도 6은 유리 넘침 성형 블록의 다양한 단면 사시도 특정 세트를 도시한 것이다.
도면에서 요소들은 간결성과 명확성을 위해 예시되는 것이며 일정한 비례로 그려질 필요는 없다는 것을 당업자는 이해해야 한다. 예를들면, 도면들에서 일부 요소들의 치수는 발명의 구현예들의 이해를 높이도록 돕기 위해 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다.
도 2는 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 지르콘 몸체의 미세조직 사진이다.
도 3은 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 지르콘 몸체의 미세조직 파장 분산형 X-선 분광 맵이다.
도 4는 종래 지르콘 몸체의 미세조직에너지 분산형 X-선 분광 맵이다.
도 5는 유리 넘침 성형 블록의 특정 실시태양을 보이는 도면이다.
도 6은 유리 넘침 성형 블록의 다양한 단면 사시도 특정 세트를 도시한 것이다.
도면에서 요소들은 간결성과 명확성을 위해 예시되는 것이며 일정한 비례로 그려질 필요는 없다는 것을 당업자는 이해해야 한다. 예를들면, 도면들에서 일부 요소들의 치수는 발명의 구현예들의 이해를 높이도록 돕기 위해 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다.
다음 설명은 포괄적으로 지르콘 몸체를 가지는 내화체 및 지르콘 몸체를 가지는 내화체 성형 방법에 관한 것이다. 특히, 지르콘 몸체는 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 몸체로 정의되고, 지르콘 몸체 조성물 대부분은 지르콘 재료이다 (즉, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 지르콘 함량이 적어도 약 50 wt.%이다). 지르콘 몸체는 Al2O3 함유 성분 및 SiO2 성분을 더욱 포함한다.
특정 실시태양에 따르면, 본원에 기재된 실시태양들에 의해 지르콘 몸체를 가지는 내화체 성형 방법은 지르콘 회분을 제공하는 단계 및 지르콘 회분을 내화체의 지르콘 몸체로 성형하는 단계를 포함한다.
지르콘 회분은 지르콘 몸체 성형에 이용되는 원재료 분말 혼합물을 포함한다. 이러한 원재료 분말은 먼저 미처리 (unprocessed) 원재료, 예를들면, 미처리 지르콘 재료 (즉, 샌드), Al2O3 함유 재료 및 SiO2 함유 재료를 포함한다. 먼저 미처리 원재료로부터 바람직하지 않은 성분 (예를들면, 불순물)이 분리된다. 미처리 원재료는 선별 기술, 예를들면, 입도분리, 진동 또는 비중 테이블 분리, 정전분리, 전자기 분리 또는 임의의 이들 조합으로 처리된다. 입도분리는 크기에 따라 분말 내의 입자들을 분리하여, 불순물 함량을 줄인다. 진동 또는 비중 테이블 선별은 밀도에 따라 분말 내의 입자들을 분리하고, 원재료 분말에서 알루미나 풍부 실리케이트 및 실리카 그레인들 함량이 감소한다. 정전분리는 전기 전도성에 따라 분말 내의 입자들을 분리하고, 함티탄 광물 입자들, 티탄철석 및 금홍석을 선별한다. 전자기 선별은 입자의 자기적 성질에 따라 분말 내의 입자들을 분리한다. 미처리 원재료 출발 공정은 임의의 상기 선별 방법들의 조합을 포함할 수 있고 임의의 상기 선별 방법들의 다중 적용을 포함할 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한 미처리 원재료 출발 공정은 상기 선별 방법의 직렬 또는 병렬적 적용을 포함한다는 것을 이해하여야 한다.
지르콘 회분 제공 단계는 원재료 분말 및 임의의 추가 재료 (즉, 소결제 (sintering aid), 결합제, 기타 첨가제, 등)의 임의의 적합한 방법으로 조합 또는 혼합 단계를 포함한다. 혼합 또는 회분 (batch) 제조 단계는 건식 또는 습식으로 진행될 수 있다. 혼합 단계는 과립화 단계를 추가할 수 있다. 과립화 단계는 회분의 유동성 개선을 위하여 추가되고 따라서 미가공 (green) 몸체의 겉보기 밀도를 증가시킨다. 하나의 예시적 실시태양에서, 과립화는 분무 건조로 수행된다. 원재료 분말은 반죽 탱크에서 혼합된 후 분무 건조된다.
지르콘 회분을 지르콘 몸체로 성형하는 단계는 특정 형상을 가지는 미가공 몸체를 형성하기 위하여 분무 건조된 분말 또는 회분을 등압압축성형으로 형상화 하는 단계를 포함한다. 분무 건조된 분말은 고도의 유동 분말을 형성하고 이는 등압 성형 캔에 충전되어 충전결함, 예컨대, 압분체 밀도의 불균일한 다짐, 공극 또는 균열을 최소화한다. 원재료 분말은 고체 금속 캔에 유지되는 고무 몰드에 채워진다. 이어 백을 밀봉하고 원재료 분말에 진공을 인가한다. 이어 캔을 유체가 담긴 가압 용기에 담지한 후 압축한다. 압축 후 가압용기에서 몰드를 꺼내고 미가공 몸체를 꺼낸다.
형상화 단계는 특정 압력에서, 예를들면, 적어도 약 50 MPa, 예컨대, 적어도 약 60 MPa, 적어도 약 70 MPa, 적어도 약 80 MPa, 적어도 약 90 MPa, 적어도 약 100 MPa, 적어도 약 110 MPa, 적어도 약 120 MPa, 적어도 약 130 MPa, 적어도 약 140 MPa 또는 적어도 약 150 MPa에서 등압압축성형에 의해 수행된다. 압력은 약 10 분 내지 약 120 분 동안 지속되는 등압압축성형 주기로 단계별로 미가공 몸체에 인가된다. 이들 압축 주기는 압축 단계에서의 결함 형성을 제한할 수 있다. 형상화는 또한 대안 기술 예컨대 슬립주입 또는 단방향 압축으로 진행될 수 있다.
미가공 몸체 형상은 직선형, 원통형, 구형, 타원형 또는 거의 임의의 기타 형상일 수 있다. 특정 실시태양에서, 미가공 몸체는 블랭크라고 칭하는 직선형 블록 형상이고 이후 기계 가공되어 유리 넘침통, 스파우트 립 또는 부싱 블록을 형성한다. 또 다른 특정 실시태양에서, 미가공 몸체의 적어도 하나의 치수는 약 100 mm 이상, 예컨대, 약 200 mm 이상, 약 300 mm 이상, 약 400 mm 이상, 약 500 mm 이상, 약 600 mm 이상, 약 700 mm 이상 또는 약 800 mm 이상이다. 또 다른 실시태양에서, 미가공 몸체는 최종 부품에 더욱 일치되도록, 예를들면, 성형 블록으로 구조화되어 성형 후 공정들을 줄일 수 있다.
도 5는 성형 블록 (200)을 도시한다. 성형 블록 (200)은 넘침통 부분 (202) 및 경사 부분 (204)을 포함한다. 넘침통 부분 (202)은 성형 블록 (200) 길이를 따라 깊이가 감소되는 통을 포함한다. 도 6은 경사 부분 (204)의 예시적 형상 단면들을 포함한다. 더욱 상세하게는, 경사 부분은 쐐기 형상 (2042), 오목 형상 (2044), 또는 볼록 형상 (2046)을 포함한다. 특정 분야의 필요성 또는 소망에 따라 다른 형상들이 적용될 수 있다.
미가공 몸체 형성 후, 미가공 몸체는 오븐, 히터, 로, 또는 기타 등에서 가열되어 지르콘 재료를 포함하는 몸체를 형성한다. 가열 공정은 습기, 용매, 또는 기타 휘발성분이 증발되고, 유기 물질이 기화되거나, 또는 임의의 이들 조합이 진행되는 초기 가열을 포함한다. 초기 가열은 대략 100 ℃ 내지 대략 300 ℃에서 대략 10 시간 내지 대략 200 시간 수행된다. 하나의 실시태양에서, 초기 가열 후, 미가공 몸체는 적어도 약 1450 ℃, 예컨대, 적어도 약 1500 ℃ 이상, 적어도 약 1550 ℃ 이상, 적어도 약 1600 ℃에서 소결된다. 또 다른 실시태양에서, 초기 가열에 이어, 미가공 몸체는 약 1650 ℃ 이하, 예컨대, 약 1600 ℃ 이하, 약 1600 ℃ 이하, 약 1550 ℃ 이하, 약 1500 ℃ 이하에서 소결된다. 미가공 몸체는 대략 10 시간 내지 대략 100 시간 소결되어 몸체를 형성한다.
소결 단계는 설정 기간 동안 소결 주기에서 다중 시간 주기로 미가공 몸체를 특정 가열 속도로 소결 온도로 가열하고 소결된 몸체를 특정 냉각 속도로 냉각하는 단계를 포함한다.
일 특정 실시태양에 따르면, 가열 속도는 적어도 약 1 ℃/h, 예컨대, 적어도 약 3 ℃/h, 적어도 약 5 ℃/h, 적어도 약 8 ℃/h, 적어도 약 10 ℃/h, 적어도 약 13 ℃/h, 적어도 약 15 ℃/h, 적어도 약 18 ℃/h, 적어도 약 20 ℃/h, 적어도 약 23 ℃/h, 적어도 약 25 ℃/h, 적어도 약 28 ℃/h 또는 적어도 약 29 ℃/h이다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 가열 속도는 약 30 ℃/h 이하, 예컨대 이하, 약 27 ℃/h 이하, 약 25 ℃/h 이하, 약 22 ℃/h 이하, 약 20 ℃/h 이하, 약 17 ℃/h 이하, 약 15 ℃/h 이하, 약 12 ℃/h 이하, 약 10 ℃/h 이하, 약 7 ℃/h 이하, 약 5 ℃/h 이하 또는 약 2 ℃/h 이하이다. 가열 속도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 가열 속도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 소결 주기 기간은 적어도 약 15 일, 예컨대, 적어도 약 35 일, 적어도 약 40 일, 적어도 약 45 일, 적어도 약 50 일, 적어도 약 55 일, 적어도 약 60 일, 적어도 약 65 일, 적어도 약 70 일, 적어도 약 75 일, 적어도 약 80 일 또는 적어도 약 85 일이다. 또한, 소결 주기 기간은 약 90 일 이하, 예컨대 이하, 약 85 일 이하, 약 80 일 이하, 약 75 일 이하, 약 70 일 이하, 약 65 일 이하, 약 60 일 이하, 약 55 일 이하, 약 50 일 이하, 약 45 일 이하 또는 약 30 일 이하이다. 소결 주기 기간은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 소결 주기 기간은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
일 특정 실시태양에 따르면, 냉각 속도는 적어도 약 1 ℃/h, 예컨대, 적어도 약 3 ℃/h, 적어도 약 5 ℃/h, 적어도 약 8 ℃/h, 적어도 약 10 ℃/h, 적어도 약 13 ℃/h, 적어도 약 15 ℃/h, 적어도 약 18 ℃/h, 적어도 약 20 ℃/h, 적어도 약 23 ℃/h, 적어도 약 25 ℃/h, 적어도 약 28 ℃/h 또는 적어도 약 29 ℃/h이다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 가열 속도는 약 30 ℃/h 이하, 예컨대 이하, 약 27 ℃/h 이하, 약 25 ℃/h 이하, 약 22 ℃/h 이하, 약 20 ℃/h 이하, 약 17 ℃/h 이하, 약 15 ℃/h 이하, 약 12 ℃/h 이하, 약 10 ℃/h 이하, 약 7 ℃/h 이하, 약 5 ℃/h 이하 또는 약 2 ℃/h 이하이다. 냉각 속도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 냉각 속도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
소결 후 몸체의 형상은 대체로 소결 전 미가공 몸체의 형상에 상응된다. 따라서, 몸체는 미가공 몸체에 대하여 전기된 임의의 형상들을 가질 수 있다. 소결 과정에서, 일부 수축이 발생되고, 몸체는 미가공 몸체보다 더 작아질 수 있다
애벌 가공 및 분쇄 후, 지르콘 회분 중 원재료 분말은 특정 중간 (D50) 입도를 가지는 지르콘 그레인을 포함한다. 예를들면, 지르콘 그레인의 중간 (D50) 입도는 약 15 μm 이하, 예컨대 이하, 약 14 μm 이하, 약 12 μm 이하, 약 10 μm 이하, 약 9 이하, μm 이하, 약 8 μm 이하, 약 7 μm 이하, 약 6 μm 이하, 약 5 μm 이하, 약 4 μm 이하, 약 3 μm 이하 또는 약 2 μm 이하이다. 또 다른 실시예들에 의하면, 지르콘 그레인의 중간 (D50) 입도는 적어도 약 1 μm, 예컨대, 적어도 약 2 μm, 적어도 약 3, μm, 적어도 약 4 μm, 적어도 약 5 μm, 적어도 약 6 μm, 적어도 약 7 μm, 적어도 약 8 μm, 적어도 약 9 μm, 적어도 약 10 μm, 적어도 약 12 μm 또는 적어도 약 14 μm이다. 지르콘 그레인의 중간 (D50) 입도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 그레인의 중간 (D50) 입도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분 중 원재료 분말의 입도 분포는 지르콘 그레인이 특정 D90 입도를 가지도록 조절된다. 예를들면, 지르콘 그레인의 D90 입도는 약 40 μm 이하, 예컨대 이하, 약 30 μm 이하, 약 20 μm 이하, 약 15 μm 이하 또는 약 10 μm 이하이다. 또 다른 예시들에서, 지르콘 그레인의 D90 입도는 적어도 약 5 μm, 예컨대, 적어도 약 10 μm, 적어도 약 15 μm, 적어도 약 20 μm 또는 적어도 약 30 μm이다. 지르콘 그레인의 D90 입도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 그레인의 D90 입도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분 중 원재료 분말의 입도 분포는 지르콘 그레인이 특정 D10 입도를 가지도록 조절된다. 예를들면, 지르콘 그레인의 D10 입도는 적어도 약 0.2 μm, 예컨대, 적어도 약 0.5 μm, 적어도 약 0.8 μm 또는 적어도 약 1.0 μm이다. 또 다른 예시들에서, 원재료 분말의 D10 입도는 약 1.1 μm 이하, 예컨대 이하, 약 1.0 μm 이하, 약 0.8 μm 이하 또는 약 0.5 μm 이하이다. 원재료 분말의 D10 입도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다. 원재료 분말의 D10 입도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 원재료 분말은 광폭 입도 분포를 가진다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분 중 원재료 분말은 비-정규 입도 분포를 가진다. 특정 실시태양에 따르면, 원재료 분말의 비-정규 입도 분포는 적어도 2개의 상이한 평균 입도를 이용한 분포를 포함할 수 있다. 이러한 분포의 하나는 쌍봉 입도 분포일 수 있다. 특정 예시들에서, 또 다른 입도보다 유의하게 더욱 큰 적어도 하나의 입도를 선택하는 것이 적합하다. 더욱 이해되듯, 지르콘 회분 중 원재료 분말에 대하여 선택된 비-정규 입도 분포를 형성할 때 더 큰 모드 수, 예컨대, 3, 4, 또는 이상이 적용될 수 있다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 광폭-입도 분포는 반드시 2 (또는 이상)의 개별 입도의 선택 및 조합을 포함하지 않지만, 완전 분포 범위에 걸쳐 각각의 입도에 대한 균일성을 가지는 특정 광폭 입도 분포의 생성을 포함한다.
지르콘 회분은 특정 함량의 지르콘을 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분의 지르콘 함량은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 50 wt.%, 예컨대, 적어도 약 52 wt.%, 적어도 약 53 wt.%, 적어도 약 54 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 56 wt.%, 적어도 약 57 wt.%, 적어도 약 57.5 wt.%, 적어도 약 58 wt.%, 적어도 약 58.5 wt.%, 적어도 약 59 wt.%, 적어도 약 59.5 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 60.5 wt.%, 적어도 약 61 wt.%, 적어도 약 61.5, wt.%, 적어도 약 62 wt.%, 적어도 약 62.5 wt.%, 적어도 약 63 wt.%, 적어도 약 62.5 wt.%, 적어도 약 64 wt.%, 적어도 약 64.5 wt.%, 적어도 약 five wt.%, 적어도 약 65.5 wt.%, 적어도 약 66 wt.%, 적어도 약 66.5 wt.%, 적어도 약 67 wt.%, 적어도 약 68 wt.%, 적어도 약 69 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 75 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.%, 적어도 약 90 wt.% 또는 적어도 약 95 wt.% 이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분의 지르콘 함량은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 99 wt.% 이하, 예컨대 이하, 약 95 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 69 wt.% 이하, 약 68 wt.% 이하, 약 67 wt.% 이하, 약 66.5 wt.% 이하, 약 66 wt.% 이하, 적어도 약 66.5 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하, 약 64.5 wt.% 이하, 약 64 wt.% 이하, 약 63.5 wt.% 이하, 약 53 wt.% 이하, 약 62.5 wt.% 이하, 약 62 wt.% 이하, 약 61.5 wt.% 이하, 약 61 wt.% 이하, 약 60.5 wt.% 이하, 약 60 wt.% 이하, 약 59.5 wt.% 이하, 약 59 wt.% 이하, 약 58 wt.% 이하, 약 58 wt.% 이하, 약 57 wt.% 이하, 약 57 wt.% 이하, 약 56 wt.% 이하, 약 55 wt.% 이하, 약 54 wt.% 이하, 약 53 wt.% 이하, 약 52 wt.% 이하 또는 약 51 wt.% 이하이다. 지르콘 함량은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 4.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 예컨대, 약 4.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.4 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.3 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.2 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.1 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.0 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분 또는 약 3.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.%의 Al2O3 함유 성분, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.3 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.4 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 3.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분 또는 적어도 약 3.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 알루미나를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 알루미나를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% 알루미나, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 알루미나, 적어도 약 5 wt.% 알루미나, 적어도 약 10 wt.% 알루미나, 적어도 약 15 wt.% 알루미나, 적어도 약 20 wt.% 알루미나, 적어도 약 25 wt.% 알루미나, 적어도 약 30 wt.% 알루미나, 적어도 약 35 wt.% 알루미나, 적어도 약 40 wt.% 알루미나, 적어도 약 45 wt.% 알루미나, 적어도 약 50 wt.% 알루미나, 적어도 약 55 wt.% 알루미나, 적어도 약 60 wt.% 알루미나, 적어도 약 65 wt.% 알루미나, 적어도 약 70 wt.% 알루미나, 적어도 약 75 wt.% 알루미나, 적어도 약 80 wt.% 알루미나, 적어도 약 85 wt.% 알루미나, 적어도 약 90 wt.% 알루미나, 적어도 약 95 wt.% 알루미나를 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 알루미나로 이루어진다. 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분에서 알루미나 함량은 상기 임의의 값들 사이 임의의 값 또는 적어도 약 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 강옥 (corundum)을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 강옥을 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.%의 강옥, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 강옥, 적어도 약 5 wt.% 강옥, 적어도 약 10 wt.% 강옥, 적어도 약 15 wt.% 강옥, 적어도 약 20 wt.% 강옥, 적어도 약 25 wt.% 강옥, 적어도 약 30 wt.% 강옥, 적어도 약 35 wt.% 강옥, 적어도 약 40 wt.% 강옥, 적어도 약 45 wt.% 강옥, 적어도 약 50 wt.% 강옥, 적어도 약 55 wt.% 강옥, 적어도 약 60 wt.% 강옥, 적어도 약 65 wt.% 강옥, 적어도 약 70 wt.% 강옥, 적어도 약 75 wt.% 강옥, 적어도 약 80 wt.% 강옥, 적어도 약 85 wt.% 강옥, 적어도 약 90 wt.% 강옥, 적어도 약 95 wt.% 강옥을 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 강옥으로 이루어진다. 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분에서 강옥 함량은 상기 임의의 값들 사이 임의의 값 또는 적어도 약 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 알루미나 결정학적 형태 (즉, 보헤마이트, 기타 등)를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.%의 알루미나 결정학적 형태, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 5 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 10 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 15 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 20 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 25 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 30 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 35 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 40 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 45 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 50 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 55 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 60 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 65 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 70 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 75 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 80 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 85 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 90 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태, 적어도 약 95 wt.% 의 알루미나 결정학적 형태를 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 알루미나 결정학적 형태로 이루어진다. 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분에서 알루미나 결정학적 형태 함량은 상기 임의의 값들 사이 임의의 값 또는 적어도 약 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
특정 실시태양에 따르면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 멀라이트 (mullite)를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 멀라이트를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.%의 멀라이트, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 멀라이트, 적어도 약 5 wt.% 멀라이트, 적어도 약 10 wt.% 멀라이트, 적어도 약 15 wt.% 멀라이트, 적어도 약 20 wt.% 멀라이트, 적어도 약 25 wt.% 멀라이트, 적어도 약 30 wt.% 멀라이트, 적어도 약 35 wt.% 멀라이트, 적어도 약 40 wt.% 멀라이트, 적어도 약 45 wt.% 멀라이트, 적어도 약 50 wt.% 멀라이트, 적어도 약 55 wt.% 멀라이트, 적어도 약 60 wt.% 멀라이트, 적어도 약 65 wt.% 멀라이트, 적어도 약 70 wt.% 멀라이트, 적어도 약 75 wt.% 멀라이트, 적어도 약 80 wt.% 멀라이트, 적어도 약 85 wt.% 멀라이트, 적어도 약 90 wt.% 멀라이트, 적어도 약 95 wt.% 멀라이트를 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 멀라이트로 이루어진다. 지르콘 회분 중 Al2O3 함유 성분에서 멀라이트 함량은 상기 임의 값 또는 임의 값들 사이 적어도 대략 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 멀라이트는 Al6Si2O13을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분 중 멀라이트는 특정 함량의 Al6Si2O13을 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분 중 멀라이트는 멀라이트 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% Al6Si2O13, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 5 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 10 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 15 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 20 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 25 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 30 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 35 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 40 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 45 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 50 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 55 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 60 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 65 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 70 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 75 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 80 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 85 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 90 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 95 wt.% Al6Si2O13 을 포함하고 또는지르콘 회분 중 멀라이트는 실질적으로 Al6Si2O13으로 이루어진다. 지르콘 회분 중멀라이트에서 Al6Si2O13 함량은 상기 임의 값 또는 임의 값들 사이 적어도 대략 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, Al2O3 함유 성분은 알루미노실리케이트 종을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 알루미노실리케이트 종은 비-화학양론적 멀라이트, 화학양론적 멀라이트, 및 이들 조합 중 적어도 하나를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 함유 성분은 알루미네이트 종 및 알루미노실리케이트 종의 조합을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 알루미노실리케이트 종은 알루미네이트 종보다 더욱 대량으로 존재한다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 SiO2 성분을 포함한다. SiO2 성분은 지르콘 회분에 지르콘 재료 일부로 첨가되는 SiO2, 지르콘 회분에 Al2O3 함유 성분 일부로 첨가되는 SiO2및 지르콘 회분에 유리 실리카로서 첨가되는 SiO2의 조합을 포함한다. 유리 실리카는 지르콘 재료 또는 Al2O3 함유 성분의 결정질 형태 일부로서 결합되지 않는 SiO2로 정의된다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 34.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 33 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 31.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 30 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27 wt.% 이하의 SiO2 성분 또는 약 26.5 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 25.5 wt.%의 SiO2 성분, 적어도 약 26 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 26.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33.5 wt.% 의 SiO2 성분, 약 34 wt.% 의 SiO2 성분 또는 적어도 약 34.5 wt.% 의 SiO2 성분을 포함한다. SiO2 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. SiO2 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 유리 실리카를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 4.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 예컨대, 약 4.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.0 wt.% 이하의 유리 실리카 또는 약 0.5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함한다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 유리 실리카, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 4.0 wt.% 의 유리 실리카 또는 적어도 약 4.5 wt.% 의 유리 실리카를 포함한다. 유리 실리카 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 유리 실리카 함량은 wt.% 단위로 지르콘 회분 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMSiO2/CMAlC을 포함한다. CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타내고 CMAlC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량을 나타낸다. 예를들면, 지르콘 회분의 비율 CMSiO2/CMAlC 은 적어도 약 5, 예컨대, 적어도 약 8, 적어도 약 10, 적어도 약 13, 적어도 약 15, 적어도 약 18, 적어도 약 20, 적어도 약 23, 적어도 약 25, 적어도 약 28, 적어도 약 30, 적어도 약 33, 적어도 약 35, 적어도 약 38, 적어도 약 40, 적어도 약 43, 적어도 약 45 또는 적어도 약 48이다. 또 다른 실시태양에 따르면, 지르콘 회분의 비율 CMSiO2/CMAlC 은 약 50 이하, 예컨대 이하, 약 47 이하, 약 45 이하, 약 42 이하, 약 40 이하, 약 37 이하, 약 35 이하, 약 32 이하, 약 30 이하, 약 27 이하, 약 20 이하, 약 17 이하, 약 12 이하, 약 10 이하 또는 약 7 이하이다. 비율 CMSiO2/CMAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CMSiO2/CMAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMFS/CMAlC을 포함한다. CMFS 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 유리 실리카 함량이고 CMAlC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이다. 예를들면, 지르콘 회분의 비율 CMFS/CMAlC 은 적어도 약 0.3, 예컨대, 적어도 약 0.5, 적어도 약 0.7, 적어도 약 1.0, 적어도 약 1.3, 적어도 약 1.5, 적어도 약 1.7, 적어도 약 2.0, 적어도 약 2.3, 적어도 약 2.7, 적어도 약 3.0, 적어도 약 3.3, 적어도 약 3.5 또는 적어도 약 3.7이다. 또 다른 실시태양에 따르면, 지르콘 회분의 비율 CMFS/CMAlC 은 약 3.8 이하, 예컨대 이하, 약 3.5 이하, 약 3.3 이하, 약 3.0 이하, 약 2.8 이하, 약 2.5 이하, 약 2.3 이하, 약 2.0 이하, 약 1.8 이하, 약 1.5 이하, 약 1.3 이하, 약 1.0 이하, 약 0.8 이하 또는 약 0.5 이하이다. 비율 CMFS/CMAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CMFS/CMAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMAlC/CMZ을 포함한다. CMALC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CMZ 은 혼합물 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 지르콘 함량을 나타낸다. 예를들면, 지르콘 회분의 비율 CMAlC/CMZ 은 약 0.08 이하, 예컨대 이하, 약 0.075 이하, 약 0.07 이하, 약 0.065 이하, 약 0.06 이하, 약 0.055 이하, 약 0.05 이하, 약 0.045 이하, 약 0.04 이하, 약 0.035 이하, 약 0.030 이하, 약 0.025 이하, 약 0.02 이하, 약 0.015 이하 또는 약 0.01 이하이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMAlC/CMZ 은 적어도 약 0.002, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.035, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.045, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.055, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.065, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.075, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.085 또는 적어도 약 0.09이다. 비율 CMAlC/CMZ 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CMAlC/CMZ 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 소결 조제, 예를들면, Ta2O5또는Yb2O3를 포함한다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 소결 조제를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 소결 조제, 예컨대, 약 4.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 4.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 3.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 3.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 2.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 2.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 1.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 1.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 0.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 0.1 wt.% 이하의 소결 조제를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 소결 조제가부재이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.2 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.3 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.4 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.5 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.6 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.7 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.8 wt.% 의 소결 조제 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 소결 조제를 포함한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 소결 조제 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 소결 조제 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMSA/CMSiO2을 포함한다. CMSA 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 소결 조제 함량이고 CMSiO2 은지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타낸다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMSA/CMSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMSA/ CMSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CMSA/ CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CMSA/ CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Ta2O5를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Ta2O5, 예컨대, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Ta2O5 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 Ta2O5를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 3.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 예컨대, 약 2.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 2.0 wt.% 이하의Ta2O5, 약 1.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 1.0 wt.% 이하의Ta2O5, 약 0.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 0.1 wt.% 이하의Ta2O5 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 Ta2O5가 부재이다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Ta2O5 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Ta2O5 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMTa2O5/CMSiO2을 포함한다. CMTa2O5 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMTa2O5/CMSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMTa2O5/ CMSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CMTa2O5/ CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CMTa2O5/ CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Yb2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 예컨대, 약 4.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Yb2O3 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 Yb2O3가 부재이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Yb2O3 또는적어도 약 0.9 wt.% 의 Yb2O3를 포함한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Yb2O3 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Yb2O3 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 비율의 CMYb2O3/CMSiO2을 포함한다. CMYb2O3 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Yb2O3 함량이고 CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타낸다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMYb2O3/CMSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 회분의 비율 CMYb2O3/CMSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CMYb2O3/CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 비율 CMYb2O3/CMSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 예컨대, 약 4.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 조합된 Ta2O5 및Yb2O3가 부재이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 예컨대, 적어도 약 0.2 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3를 포함한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 TiO2를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 TiO2, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.5 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.4 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.3 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.2 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.1 wt.% 이하의 TiO2 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 TiO2 가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 CaO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 CaO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 CaO, 약 0.5 wt.% 이하의 CaO, 약 0.4 wt.% 이하의 CaO, 약 0.3 wt.% 이하의 CaO, 약 0.2 wt.% 이하의 CaO, 약 0.1 wt.% 이하의 CaO를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 CaO가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 MgO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 MgO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 MgO, 약 0.5 wt.% 이하의 MgO, 약 0.4 wt.% 이하의 MgO, 약 0.3 wt.% 이하의 MgO, 약 0.2 wt.% 이하의 MgO, 약 0.1 wt.% 이하의 MgO를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 MgO가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 K2O를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 K2O, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 K2O, 약 0.5 wt.% 이하의 K2O, 약 0.4 wt.% 이하의 K2O, 약 0.3 wt.% 이하의 K2O, 약 0.2 wt.% 이하의 K2O, 약 0.1 wt.% 이하의 K2O를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 K2O가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Na2O 를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Na2O, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.5 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.4 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.3 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.2 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.1 wt.% 이하의 Na2O를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 Na2O가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Y2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Y2O3, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Y2O3 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 Y2O3가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 P2O5를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 P2O5, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.4 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.3 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.2 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 P2O5 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 P2O5가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 Fe2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Fe2O3, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Fe2O3를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 Fe2O3가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 ZnO 를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 ZnO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.4 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.3 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 ZnO 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 ZnO 가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 회분은 특정 함량의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 예컨대, 약 1.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.7 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 를 포함하고 또는 지르콘 회분은 실질적으로 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO가 부재이다.
다른 실시태양들에서, 지르콘 회분은 최소 함량의 금속산화물, 예컨대, 예를들면, 희토류 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 알칼리 산화물 및 본원에 명기되지 않는 임의의 전이금속 산화물을 가진다. 희토류 산화물은 란탄 계열의 희토류 금속 (즉, 원자번호 57 내지 71의 원소)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화란탄, 산화세륨 및 산화유로퓸을 포함한다. 알칼리 토금속 산화물은 2족 금속 (즉, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 및 라듐)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화마그네슘, 산화칼슘 및 산화바륨을 포함한다. 알칼리 산화물은 1족 금속, (즉, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 및 프란슘)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화리튬, 산화칼륨 및 산화세슘을 포함한다. 최소 함량의 상기 임의의 산화물, 예를들면, 희토류 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 알칼리 산화물 및 본원에 명기되지 않는 임의의 전이금속 산화물을 가지는 지르콘 회분은, 지르콘 회분 총 중량의 약 1 wt.% 이하, 예컨대, 약 0.7 wt.% 이하, 약 0.5 wt.% 이하 또는 약 0.2 wt.% 이하의 산화물을 가진다.
본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 특정 함량의 지르콘을 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체의 지르콘 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 50 wt.%, 예컨대, 적어도 약 52 wt.%, 적어도 약 53 wt.%, 적어도 약 54 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 56 wt.%, 적어도 약 57 wt.%, 적어도 약 57.5 wt.%, 적어도 약 58 wt.%, 적어도 약 58.5 wt.%, 적어도 약 59 wt.%, 적어도 약 59.5 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 60.5 wt.%, 적어도 약 61 wt.%, 적어도 약 61.5, wt.%, 적어도 약 62 wt.%, 적어도 약 62.5 wt.%, 적어도 약 63 wt.%, 적어도 약 62.5 wt.%, 적어도 약 64 wt.%, 적어도 약 64.5 wt.%, 적어도 약 five wt.%, 적어도 약 65.5 wt.%, 적어도 약 66 wt.%, 적어도 약 66.5 wt.%, 적어도 약 67 wt.%, 적어도 약 68 wt.%, 적어도 약 69 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 75 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.%, 적어도 약 90 wt.% 또는 적어도 약 95 wt.% 이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 지르콘 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 99 wt.% 이하, 예컨대 이하, 약 95 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 69 wt.% 이하, 약 68 wt.% 이하, 약 67 wt.% 이하, 약 66.5 wt.% 이하, 약 66 wt.% 이하, 적어도 약 66.5 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하, 약 64.5 wt.% 이하, 약 64 wt.% 이하, 약 63.5 wt.% 이하, 약 53 wt.% 이하, 약 62.5 wt.% 이하, 약 62 wt.% 이하, 약 61.5 wt.% 이하, 약 61 wt.% 이하, 약 60.5 wt.% 이하, 약 60 wt.% 이하, 약 59.5 wt.% 이하, 약 59 wt.% 이하, 약 58 wt.% 이하, 약 58 wt.% 이하, 약 57 wt.% 이하, 약 57 wt.% 이하, 약 56 wt.% 이하, 약 55 wt.% 이하, 약 54 wt.% 이하, 약 53 wt.% 이하, 약 52 wt.% 이하 또는 약 51 wt.% 이하이다. 지르콘 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 4.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 예컨대, 약 4.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.4 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.3 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.2 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.1 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.0 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분 또는 약 3.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.%의 Al2O3 함유 성분, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.3 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.4 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 3.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분 또는 적어도 약 3.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분을 포함한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Al2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.5 wt.% 이하의 Al2O3, 예컨대, 약 5.4 wt.% 이하의 Al2O3, 약 5.3 wt.% 이하의 Al2O3, 약 5.2 wt.% 이하의 Al2O3, 약 5.1 wt.% 이하의 Al2O3, 약 5.0 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.9 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.8 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.7 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.6 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.5 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.4 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.3 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.2 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.1 wt.% 이하의 Al2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 Al2O3, 약 3.9 wt.% 이하의 Al2O3, 약 3.8 wt.% 이하의 Al2O3, 약 3.7 wt.% 이하의 Al2O3, 약 3.6 wt.% 이하의 Al2O3 또는 약 3.5 wt.% 이하의 Al2O3를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.%의 Al2O3, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.0 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.5 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.6 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.7 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.8 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 1.9 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.0 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.1 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.2 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.3 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.4 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.5 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.6 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.7 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.8 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 2.9 wt.% 의 Al2O3, 적어도 약 3.0 wt.% 의 Al2O3 또는 적어도 약 3.1 wt.% 의 Al2O3를 포함한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 함유 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 알루미나를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 알루미나를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% 알루미나, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 알루미나, 적어도 약 5 wt.% 알루미나, 적어도 약 10 wt.% 알루미나, 적어도 약 15 wt.% 알루미나, 적어도 약 20 wt.% 알루미나, 적어도 약 25 wt.% 알루미나, 적어도 약 30 wt.% 알루미나, 적어도 약 35 wt.% 알루미나, 적어도 약 40 wt.% 알루미나, 적어도 약 45 wt.% 알루미나, 적어도 약 50 wt.% 알루미나, 적어도 약 55 wt.% 알루미나, 적어도 약 60 wt.% 알루미나, 적어도 약 65 wt.% 알루미나, 적어도 약 70 wt.% 알루미나, 적어도 약 75 wt.% 알루미나, 적어도 약 80 wt.% 알루미나, 적어도 약 85 wt.% 알루미나, 적어도 약 90 wt.% 알루미나, 적어도 약 95 wt.% 알루미나를 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 알루미나로 이루어진다. 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분에서 알루미나 함량은 상기 임의의 값들 사이 임의의 값 또는 적어도 약 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
특정 실시태양에 따르면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 멀라이트를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 특정 함량의 멀라이트를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.%의 멀라이트, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% 멀라이트, 적어도 약 5 wt.% 멀라이트, 적어도 약 10 wt.% 멀라이트, 적어도 약 15 wt.% 멀라이트, 적어도 약 20 wt.% 멀라이트, 적어도 약 25 wt.% 멀라이트, 적어도 약 30 wt.% 멀라이트, 적어도 약 35 wt.% 멀라이트, 적어도 약 40 wt.% 멀라이트, 적어도 약 45 wt.% 멀라이트, 적어도 약 50 wt.% 멀라이트, 적어도 약 55 wt.% 멀라이트, 적어도 약 60 wt.% 멀라이트, 적어도 약 65 wt.% 멀라이트, 적어도 약 70 wt.% 멀라이트, 적어도 약 75 wt.% 멀라이트, 적어도 약 80 wt.% 멀라이트, 적어도 약 85 wt.% 멀라이트, 적어도 약 90 wt.% 멀라이트, 적어도 약 95 wt.% 멀라이트를 포함하고 또는 Al2O3 함유 성분은 실질적으로 멀라이트로 이루어진다. 지르콘 몸체 중 Al2O3 함유 성분에서 멀라이트 함량은 상기 임의 값 또는 임의 값들 사이 적어도 대략 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체 중 멀라이트는 Al6Si2O13을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체 중 멀라이트는 특정 함량의 Al6Si2O13을 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체 중 멀라이트는 멀라이트 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% Al6Si2O13, 예컨대, 적어도 약 2 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 5 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 10 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 15 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 20 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 25 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 30 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 35 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 40 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 45 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 50 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 55 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 60 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 65 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 70 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 75 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 80 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 85 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 90 wt.% Al6Si2O13, 적어도 약 95 wt.% Al6Si2O13 을 포함하고 또는지르콘 몸체 중 멀라이트는 실질적으로 Al6Si2O13으로 이루어진다. 지르콘 몸체 중 멀라이트에서 Al6Si2O13 함량은 상기 임의 값 또는 임의 값들 사이 적어도 대략 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, Al2O3 함유 성분은 알루미노실리케이트 종을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 알루미노실리케이트 종은 비-화학양론적 멀라이트, 화학양론적 멀라이트, 및 이들 조합 중 적어도 하나를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 함유 성분은 알루미네이트 종 및 알루미노실리케이트 종의 조합을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 알루미노실리케이트 종은 알루미네이트 종보다 더욱 대량으로 존재한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 SiO2 성분을 포함한다. SiO2 성분은 지르콘 몸체에 지르콘 재료 일부로 첨가되는 SiO2, 지르콘 몸체에 Al2O3 함유 성분 일부로 첨가되는 SiO2및 지르콘 몸체에 유리 실리카로서 첨가되는 SiO2의 조합을 포함한다. 유리 실리카는 지르콘 재료 또는 Al2O3 함유 성분의 결정질 형태 일부로서 결합되지 않는 SiO2로 정의된다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 34.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 33 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 31.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 30 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27 wt.% 이하의 SiO2 성분 또는 약 26.5 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25.5 wt.%의 SiO2 성분, 적어도 약 26 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 26.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33.5 wt.% 의 SiO2 성분, 약 34 wt.% 의 SiO2 성분 또는 적어도 약 34.5 wt.% 의 SiO2 성분을 포함한다. SiO2 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. SiO2 성분 함량은 wt.% 단위로 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 비율의 CBSiO2/CBAlC을 포함한다. CBSiO2 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타내고 CBAlC 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량을 나타낸다. 예를들면, 지르콘 몸체의 비율 CBSiO2/CBAlC 은 적어도 약 5, 예컨대, 적어도 약 8, 적어도 약 10, 적어도 약 13, 적어도 약 15, 적어도 약 18, 적어도 약 20, 적어도 약 23, 적어도 약 25, 적어도 약 28, 적어도 약 30, 적어도 약 33, 적어도 약 35, 적어도 약 38, 적어도 약 40, 적어도 약 43, 적어도 약 45 또는 적어도 약 48이다. 또 다른 실시태양에 따르면, 지르콘 몸체의 비율 CBSiO2/CBAlC 은 약 50 이하, 예컨대 이하, 약 47 이하, 약 45 이하, 약 42 이하, 약 40 이하, 약 37 이하, 약 35 이하, 약 32 이하, 약 30 이하, 약 27 이하, 약 20 이하, 약 17 이하, 약 12 이하, 약 10 이하 또는 약 7 이하이다. 비율 CBSiO2/CBAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CBSiO2/CBAlC 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 비율의 CBAlC/CBZ을 포함한다. CBAlC 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CBZ 은 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 지르콘 함량을 나타낸다. 예를들면, 지르콘 몸체의 비율 CBALC/CBZ 은 약 0.08 이하, 예컨대 이하, 약 0.075 이하, 약 0.07 이하, 약 0.065 이하, 약 0.06 이하, 약 0.055 이하, 약 0.05 이하, 약 0.045 이하, 약 0.04 이하, 약 0.035 이하, 약 0.030 이하, 약 0.025 이하, 약 0.02 이하, 약 0.015 이하 또는 약 0.01 이하이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBAlC/CBZ은 적어도 약 0.002, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.035, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.045, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.055, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.065, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.075, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.085 또는 적어도 약 0.09이다. 비율 CBAlC/CBZ은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CBAlC/CBZ은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 소결 조제, 예를들면, Ta2O5또는Yb2O3를 포함한다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 소결 조제를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 소결 조제, 예컨대, 약 4.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 4.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 3.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 3.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 2.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 2.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 1.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 1.0 wt.% 이하의 소결 조제, 약 0.5 wt.% 이하의 소결 조제, 약 0.1 wt.% 이하의 소결 조제를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 소결 조제가부재이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.2 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.3 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.4 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.5 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.6 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.7 wt.% 의 소결 조제, 적어도 약 0.8 wt.% 의 소결 조제 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 소결 조제를 포함한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 소결 조제 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 소결 조제 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 비율의 CBSA/CBSiO2을 포함한다. CBSA 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 소결 조제 함량이고 CBSiO2 은지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타낸다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBSA/CBSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBSA/ CBSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CBSA/ CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CBSA/ CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Ta2O5를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Ta2O5, 예컨대, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Ta2O5 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 Ta2O5를 포함한다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 3.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 예컨대, 약 2.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 2.0 wt.% 이하의Ta2O5, 약 1.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 1.0 wt.% 이하의Ta2O5, 약 0.5 wt.% 이하의Ta2O5, 약 0.1 wt.% 이하의Ta2O5 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 Ta2O5가 부재이다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Ta2O5 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Ta2O5 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 비율의 CBTa2O5/CBSiO2을 포함한다. CBTa2O5 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CBSiO2 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBTa2O5/CBSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBTa2O5/ CBSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CBTa2O5/ CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. CBTa2O5/ CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Yb2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 예컨대, 약 4.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Yb2O3 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 Yb2O3가 부재이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Yb2O3 또는적어도 약 0.9 wt.% 의 Yb2O3를 포함한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Yb2O3 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 Yb2O3 함량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 비율의 CBYb2O3/CBSiO2을 포함한다. CBYb2O3 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Yb2O3 함량이고 CBSiO2 은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량을 나타낸다. 소정의 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBYb2O3/CBSiO2 은 약 0.5 이하, 예컨대 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 또는 약 0.02 이하이다. 또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 비율 CBYb2O3/CBSiO2 은 적어도 약 0.001, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 또는 적어도 약 0.03이다. 비율 CBYb2O3/CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 비율 CBYb2O3/CBSiO2 은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 예컨대, 약 4.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 조합된 Ta2O5 및Yb2O3가 부재이다. 또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 예컨대, 적어도 약 0.2 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 또는 적어도 약 0.9 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3를 포함한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 조합된 Ta2O5 및Yb2O3 는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 TiO2를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 TiO2, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.5 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.4 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.3 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.2 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.1 wt.% 이하의 TiO2 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 TiO2 가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 CaO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 CaO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 CaO, 약 0.5 wt.% 이하의 CaO, 약 0.4 wt.% 이하의 CaO, 약 0.3 wt.% 이하의 CaO, 약 0.2 wt.% 이하의 CaO, 약 0.1 wt.% 이하의 CaO를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 CaO가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 MgO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 MgO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 MgO, 약 0.5 wt.% 이하의 MgO, 약 0.4 wt.% 이하의 MgO, 약 0.3 wt.% 이하의 MgO, 약 0.2 wt.% 이하의 MgO, 약 0.1 wt.% 이하의 MgO를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 MgO가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 K2O를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 K2O, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 K2O, 약 0.5 wt.% 이하의 K2O, 약 0.4 wt.% 이하의 K2O, 약 0.3 wt.% 이하의 K2O, 약 0.2 wt.% 이하의 K2O, 약 0.1 wt.% 이하의 K2O를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 K2O가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Na2O 를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Na2O, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.5 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.4 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.3 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.2 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.1 wt.% 이하의 Na2O를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 Na2O가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Y2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Y2O3, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Y2O3 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 Y2O3가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 P2O5를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 P2O5, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.4 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.3 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.2 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 P2O5 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 P2O5가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 Fe2O3를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Fe2O3, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Fe2O3를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 Fe2O3가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 ZnO 를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 ZnO, 예컨대, 약 0.8 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.4 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.3 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 ZnO 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 ZnO 가 부재이다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 예컨대, 약 1.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.7 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 를 포함하고 또는 지르콘 몸체는 실질적으로 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO가 부재이다.
다른 실시태양들에서, 지르콘 몸체는 최소 함량의 금속산화물, 예컨대, 예를들면, 희토류 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 알칼리 산화물 및 본원에 명기되지 않는 임의의 전이금속 산화물을 가진다. 희토류 산화물은 란탄 계열의 희토류 금속 (즉, 원자번호 57 내지 71의 원소)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화란탄, 산화세륨 및 산화유로퓸을 포함한다. 알칼리 토금속 산화물은 2족 금속 (즉, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 및 라듐)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화마그네슘, 산화칼슘 및 산화바륨을 포함한다. 알칼리 산화물은 1족 금속, (즉, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 및 프란슘)을 포함하는 임의의 산화 조성물을 포함하고, 예를들면, 산화리튬, 산화칼륨 및 산화세슘을 포함한다. 최소 함량의 상기 임의의 산화물, 예를들면, 희토류 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 알칼리 산화물 및 본원에 명기되지 않는 임의의 전이금속 산화물을 가지는 지르콘 몸체는, 지르콘 몸체 총 중량의 약 1 wt.% 이하, 예컨대, 약 0.7 wt.% 이하, 약 0.5 wt.% 이하 또는 약 0.2 wt.% 이하의 산화물을 가진다.
특정 실시태양에 따르면, 본원에 개시된 방법에 의해 형성되는 내화체는 지르콘 몸체를 가지고, 지르콘 몸체는 지르콘 그레인 및 지르콘 그레인들 사이에 존재하는 유리 실리카 입계상을 포함한다. 유리 실리카는 지르콘 재료 또는 Al2O3 함유 성분의 결정질 형태 일부로서 결합되지 않는 SiO2로 정의된다. 유리 실리카 입계상은 지르콘 몸체에 실질적으로 균일하게 분포된다.
또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체는 특정 함량의 유리 실리카를 포함한다. 예를들면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 4.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 예컨대, 약 4.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.0 wt.% 이하의 유리 실리카 또는 약 0.5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함한다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 유리 실리카, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 4.0 wt.% 의 유리 실리카 또는 적어도 약 4.5 wt.% 의 유리 실리카를 포함한다. 지르콘 몸체에서 유리 실리카 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체에서 유리 실리카 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체에서 지르콘 그레인은 특정 함량의 유리 실리카를 포함한다. 예를들면, 지르콘 그레인은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 4.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 예컨대, 약 4.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.0 wt.% 이하의 유리 실리카 또는 약 0.5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함한다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 그레인은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.%의 유리 실리카, 예컨대, 적어도 약 0.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 4.0 wt.% 의 유리 실리카 또는 적어도 약 4.5 wt.% 의 유리 실리카를 포함한다. 지르콘 그레인 중 유리 실리카 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 임의의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 그레인 중 유리 실리카 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위로 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체에서 지르콘 그레인은 특정 평균 그레인 크기를 가진다. 예를들면, 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 적어도 약 3 μm, 예컨대, 적어도 약 4 μm, 적어도 약 5 μm, 적어도 약 6 μm, 적어도 약 7 μm, 적어도 약 8 μm, 적어도 약 9 μm, 적어도 약 10 μm, 적어도 약 12 μm 또는 적어도 약 14 μm이다. 또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 약 44 μm 이하, 약 30 μm 이하, 약 20 μm 이하, 약 15 μm 이하 또는 약 10 μm 이하이다. 지르콘 몸체에서 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체에서 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체는 특정의 겉보기 기공률을 포함한다. 겉보기 기공률은 ASTM C20으로 측정된다. 예를들면, 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 지르콘 몸체 총 부피에 대하여 적어도 약 0.1 vol.%, 예컨대, 적어도 약 0.5 vol.%, 적어도 약 1.0 vol.%, 적어도 약 1.5 vol.%, 적어도 약 2.0 vol.%, 적어도 약 2.5 vol.%, 적어도 약 3.0 vol.%, 적어도 약 3.5 vol.%, 적어도 약 4.0 vol.%, 적어도 약 4.5 vol.%, 적어도 약 5.0 vol.%, 적어도 약 6 vol.%, 적어도 약 7 vol.%, 적어도 약 8 vol.%, 적어도 약 9 vol.%, 적어도 약 10 vol.%, 적어도 약 11 vol.%, 적어도 약 12 vol.%, 적어도 약 13 vol.%, 또는 적어도 약 14 vol.%.이다 또 다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 지르콘 몸체 총 부피에 대하여 약 15 vol.% 이하, 예컨대, 약 14 vol.% 이하, 약 13 vol.% 이하, 약 12 vol.% 이하, 약 11 vol.% 이하, 약 10 vol.% 이하, 약 9 vol.% 이하, 약 8 vol.% 이하, 약 7 vol.% 이하, 약 6 vol.% 이하, 약 5 vol.% 이하, 약 4.5 vol.% 이하, 약 4.0 vol.% 이하, 약 3.5 vol.% 이하, 약 3.0 vol.% 이하, 약 2.5 vol.% 이하, 약 2.0 vol.% 이하, 약 1.5 vol.% 이하, 약 1.0 vol.% 이하 및 약 0.5 vol.% 이하이다.지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
다른 양태에 의하면, 본원에 기재된 바와 같이 성형되는 내화체는 지르콘 그레인을 포함하는 지르콘 몸체를 포함하고 지르콘 몸체는 외측부 및 내측부를 가진다. 외측부 및 내측부의 교차점은 몸체 외면으로부터 깊이 5000 μm에서 측정된다. 몸체는 지르콘 그레인들 사이에 존재하는 유리 실리카 입계상을 가진다. 몸체 외측부는 부피%로 측정되는 겉보기 기공률 (Pop)을 가지고 몸체 내측부는 부피%로 측정되는 겉보기 기공률 (Pip)을 가진다.
겉보기 기공률은 ASTM C20으로 측정된다. 소정의 실시태양들에서, Pop 및 Pip 는 실질적으로 유사하다. 예를들면, Pop 및 Pip 의 차이는 약 25% 이하, 예컨대, 약 20% 이하, 약 15 % 이하, 약 10% 이하, 약 5% 이하, 약 4% 이하, 약 3% 이하 또는 약 2부피% 이하이다. 다른 실시태양들에서, Pop 및 Pip 차이는 적어도 약 1%, 예컨대, 적어도 약 2%, 적어도 약 3%, 적어도 약 4%, 적어도 약 5% 또는 적어도 약 9부피% 이다. Pop 및 Pip 간의 겉보기 기공률 차이는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한 Pop 및 Pip 간의 겉보기 기공률 차이는 상기 최대값 및 최소값 사이의 임의의 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
다른 실시태양들에 의하면, 지르콘 몸체는 몸체 내측부 겉보기 기공률 (Pip)에 대한 몸체 외측부 겉보기 기공률 (Pop)의 특정 비율을 가진다. 비율은 수학적으로 Pop/Pip로 표현된다. Pop 는 부피%로 측정되는 지르콘 몸체 외측부 겉보기 기공률을 나타낸다. Pip 는 부피%로 측정되는 몸체 내측부 겉보기 기공률을 나타낸다. 소정의 실시태양들에서, 몸체의 겉보기 기공률 비율 Pop/Pip 는 약 1.9 이하, 예컨대, 약 1.8 이하, 약 1.7 이하, 약 1.6 이하, 약 1.5 이하, 약 1.4 이하, 약 1.3 이하, 약 1.2 이하 또는 약 1.1 이하이다. 다른 실시태양들에서, 몸체의 겉보기 기공률 비율 Pop/Pip 는 약 1이다. 또 다른 실시태양들에서, 몸체의 겉보기 기공률 비율 Pop/Pip 는 적어도 약 0.8, 예컨대, 적어도 약 0.85, 적어도 약 0.9 또는 적어도 약 0.95 이다. 기공률 비율 Pop/Pip 는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한 기공률 비율 Pop/Pip 는 상기 최대값 및 최소값 사이의 임의의 범위에 있을 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 특정 밀도를 가진다. 밀도 (D)는 ASTM C20에 따라 겉보기 비중을 이용하여 결정된다. 하나의 실시태양에서, 지르콘 몸체의 밀도는 적어도 약 3.7 g/cm3, 예컨대, 3.8 g/cm3, 3.9 g/cm3, 4.0 g/cm3, 4.1 g/cm3, 적어도 약 4.2 g/cm3, 적어도 약 4.3 g/cm3 또는 적어도 약 4.4 g/cm3이다. 또 다른 예시들에서, 지르콘 몸체의 밀도는 약 4.5 g/cm3 이하, 예컨대 이하, 약 4.4 g/cm3 이하, 약 4.3 g/cm3 이하, 약 4.2 g/cm3 이하, 약 4.1 g/cm3 이하, 약 4.0 g/cm3 이하, 약 3.9 g/cm3 이하, 약 3.8 g/cm3 이하 또는 약 3.7 g/cm3 이하이다. 밀도는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 밀도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위에 있는 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 특정 온도에 대하여 특정한 크리프 변형 속도를 가진다. 크리프 변형 속도는 등온 3점 또는 4점 크리프 시험으로 결정된다.
3점 등온 크리프 시험에서, 3점 굽힘 시험 구성이 적용되고 2개의 지지대가 샘플 아래에 놓이고 단일 로딩 부재가 샘플 최상부에 힘을 가한다. 샘플 바는 높이 “a” 2.5 mm, 폭 “b” 3 mm 및 길이 15 mm를 가지고 외부 지지대 사이 거리 “L”은 12 mm이다. 시험 중, 샘플 바를 2개의 지지대 위에 놓고 로딩 부재는 2 MPa 응력을 샘플 바 중심에 가한다. 시험은 가열 챔버에서 진행된다. 전체 시험 시간 12 내지 32 시간 동안 시험 중 가열 챔버의 온도는 설정 시험 온도, 예컨대, 1350 ℃, 1325 ℃ 또는 1300 ℃로 유지된다. 시험 중 샘플 최상면에서 단일 로딩 부재의 변위를 측정하여 밀리미터 (mm) 단위로 샘플의 순간 변위를 측정한다. 이어 샘플 변위를 이용하여 Hollenberg 모델을 적용하여 (즉, 크리프 변형 속도 “Rdef” 는 변위 속도 Rdisp 로부터 식: Rdef = Rdisp * (6.a / L2)으로 유도된다)인가 응력 하에서 시험 온도에 대한 샘플의 시간 당 크리프 변형 속도 (즉, 크리프 변형률)을 계산한다.
특정 실시태양에 따르면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정되는 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정되는 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 1.1 E -4*h-1 이하, 예컨대, 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 약 1.0 E -4 h-1 이하, 약 9.5 E -5 h-1 이하, 약 9.0 E -5 h-1 이하, 약 8.5 E -5 h-1 이하, 약 8.0 E -5 h-1 이하 또는 약 7.5 E -5 h-1 이하이다. 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 따르면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 7.4 E-5 h-1 이하, 예컨대 이하, 약 7.0 E -5 h-1 이하, 약 6.5 E -5 h-1 이하, 약 6.0 E -5 h-1 이하, 약 5.5 E -5 h-1 이하 또는 약 5.0 E -5 h-1 이하이다. 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로 3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로 3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 4.0 E -5 h-1 이하, 예컨대, 3.9 E -5 h-1 이하 또는 약 3.8 E -5 h-1 이하이다. 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로3점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
4점 등온 크리프 시험에서, 4점 굽힘 시험 구성이 적용되고 2개의 지지대가 샘플 아래에 놓이고 2개의 내부 로딩 부재들이 샘플 최상부에 힘을 가한다. 외부 지지대 사이 거리 L은 80 mm이고 내부 로딩 부재 사이 거리 l은 40 mm이다. 샘플 바는 높이 “a” 8 mm, 폭 “b” 9 mm 및 길이 100mm를 가진다. 시험 중, 샘플 바를 2개의 지지대 위에 놓고 로딩 부재들은 2 MPa 응력을 샘플 바에 가한다. 시험은 가열 챔버에서 진행된다. 전체 시험 시간 12 내지 48 시간 동안 시험 중 가열 챔버의 온도는 설정 시험 온도, 예컨대, 1350 ℃, 1325 ℃, 1300 ℃ 또는 1275 ℃ 로 유지된다. 시험 중 샘플 바닥면과 접한 LVDT를 이용하여 밀리미터 (mm) 단위로 샘플의 순간 휨을 측정한다. 순간 변위에서 기준 변위를 제하여 시험 중 특정 샘플 변위를 얻는다. 이어 샘플 변위를 이용하여 시간 당 크리프 변형 속도 (즉, 크리프 변형률)을 계산한다. 크리프 변형 속도 Rdef 는 특정 샘플 변위 속도 "Rdisp"로부터 식: Rdef = Rdisp.12.a / (3.L2 - (L - l))2으로 유도된다.
특정 실시태양에 따르면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 5.0 E -5 h-1 이하, 예컨대 이하, 약 4.9 E -5 h-1 이하, 약 4.8 E -5 h-1 이하, 약 4.7 E -5 h-1 이하, 약 4.6 E -5 h-1 이하, 약 4.5 E -5 h-1 이하, 약 4.4 E -5 h-1 이하, 약 4.3 E -5 h-1 이하, 약 4.2 E -5 h-1 이하, 약 4.1 E -5 h-1 이하, 약 4.0 E -5 h-1 이하, 약 3.9 E -5 h-1 이하, 약 3.8 E -5 h-1 이하, 약 3.7 E -5 h-1 이하, 약 3.6 E -5 h-1 이하, 약 3.5 E -5 h-1 이하, 약 3.4 E -5 h-1 이하, 약 3.3 E -5 h-1이하, 약 3.2 E -5 h-1이하, 약 3.1 E -5 h-1 이하 또는 약 3.0 E -5 h-1 이하이다. 1350 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 따르면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 2.6 E -5 h-1 이하, 예컨대 이하, 약 2.5 E -5 h-1 이하, 약 2.4 E -5 h-1 이하, 약 2.3 E -5 h-1 이하, 약 2.2 E -5 h-1 이하, 약 2.1 E -5 h-1 이하, 약 2.0 E -5 h-1 이하, 약 1.5 E -5 h-1 이하 또는 약 1.5 E -5 h-1 이하이다. 1325 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 1.1 E -5 h-1 이하, 예컨대 이하, 약 1.0 E -5 h-1 이하, 약 9 E -6 h-1 이하, 약 8 E -6 h-1 이하, 약 7 E -6 h-1 이하, 약 6 E -6 h-1 이하 또는 약 5 E -6 h-1 이하이다. 1300 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1275 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 특정 크리프 변형 속도를 가진다. 예를들면, 1275 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 5.5 E -6 h-1 이하, 약 5.4 E -6 h-1 이하, 약 5.2 E -6 h-1 이하, 약 5.0 E -6 h-1 이하, 약 4.8 E -6 h-1 이하, 약 4.6 E -6 h-1 이하, 약 4.4 E -6 h-1 이하, 약 4.2 E -6 h-1 이하 또는 약 4.0 E -6 h-1 이하이다. 1275 ℃에서 인가 응력 2 MPa로4점 굽힘 시험을 적용하여 측정될 때 크리프 변형 속도는 상기 임의 값들 사이 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 LCD A 유리로 칭하는 유리를 이용한 단기 (short term) 또는 장기 (long term) 블리스터링 시험으로 측정되는 특정의 블리스터링 값을 가진다. LCD A 유리는 AMLCD 디스플레이 생산에 사용되는 상업적으로 입수되는 무-알칼리 보로알루미노 실리케이트 유리이다. LCD A 유리는 58.5 내지 63.0 wt.% SiO2, 15.5 내지 17.0 wt.% Al2O3, 9 내지 11 wt.% B2O3 및 10 내지 15 wt.%의 알칼리토금속 (MgO, CaO 및 SrO)을 포함한다. LCD A 유리는 다양한 기타 부성분, 예컨대 BaO 및 청징제 (즉 SnO2)를 더욱 포함하고, 실질적으로 As2O3가 부재이다. 이들 성분 합은 100 wt.% 이다. 추가로 LCD A 유리 밀도는 2.4 내지 2.5 g/cc이고 1200 ℃에서8 시간 노출 후 스트레인점은 650 내지 670 ℃이다.
단기 판 (plaque) 블리스터링 시험에서, 사각 또는 원통 샘플을 준비하였다. 사각 샘플의 길이 및 폭은 1 인치이고 두께는 ¼ in이다. 원통 샘플의 직경은 1 in이고 두께는 ¼ in이다. 샘플 면을 30 미크론 표면 마감재로 연마하고, 초음파 조에서 세척하고 건조시켰다. 유리 시트 (즉, LCD A 유리)를 샘플 표면에 올리고 샘플을 분 당5 ℃로 시험 온도 1200 ℃까지 가열하였다. 샘플을 시험 온도에서 8 시간 동안 유지한 후 신속하게 적어도 분 당 10 ℃로 실온으로 냉각하여 유리의 실투를 방지하였다. 이어 샘플을 반으로 절단하고 단면을 1 미크론까지 연마하였다. 입체 현미경 또는 쌍안경으로 단면을 관찰하고 계면을 따라 3000 미크론 및 유리 깊이 500 미크론 영역에서 보이는 기포 수를 계수한다. 이후 기포 수를 1.5로 나누면 샘플 및 유리 사이 계면에서 평방 mm 당 기포 수가 얻어진다.
장기 도가니 (crucible) 블리스터링 시험에서, 샘플 블록에서 도가니 코어를 드릴링 하였다. 도가니 높이는 40 mm이고 직경은 50 mm이고, 도가니 가운데 구멍 높이는 30 mm이고 직경은 30 mm이다. 일단 제작되면, 도가니를 초음파 조에서 DI 수로 세척하여 임의의 잠재적 가공 잔류물들을 제거하고 건조한다. 건조되면, 도가니에 20 g의 유리 파편 (즉, LCD A 유리)을 채운 후 시험 온도까지 가열하고 연장 시간 주기 동안 담지한다 (72 시간, 120 시간, 또는 360 시간). 담지 완료 후 도가니를 실온으로 냉각한다. 이후 도가니를 수직 절단하여 유리를 노출시키고 블리스터링 정도를 관찰한다. 장기 도가니 블리스터링 시험에서, 재료는 LCD 유리 A로 360 시간 동안1200℃로 시험된다. 이어 입체 현미경 또는 쌍안경으로 단면을 관찰하고 계면을 따라 3000 미크론 및 유리 깊이 500 미크론 영역에서 보이는 기포 수를 계수한다. 이후 기포 수를 1.5로 나누면 샘플 및 유리 사이 계면에서 평방 mm 당 기포 수가 얻어진다.
특정 실시태양들에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 LCD A 유리에서 단기 판 블리스터링 시험으로 측정될 때 특정 블리스터링 값을 가진다. 예를들면, 1200 ℃에서8 시간 노출 후 LCD A 유리에서 단기 판 블리스터링 시험으로 측정될 때 블리스터링 값은 mm2 당 약 8 기포들 이하, 예컨대, mm2 당 약 7 기포들 이하, mm2 당 약 6 기포들 이하, mm2 당 약 5 기포들 이하, mm2 당 약 4 기포들 이하, mm2 당 약 3 기포들 이하, mm2 당 약 2 기포들 이하 또는 mm2 당 약 1 기포들 이하이다. 1200 ℃에서8 시간 노출 후 LCD A 유리에서 단기 판 블리스터링 시험으로 측정될 때 블리스터링 값은 상기 임의의 값들 사이의 임의의 값 이하일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또 다른 실시태양에 의하면, 본원에 기술된 방법에 의해 형성되는 지르콘 몸체는 1200 ℃에서360 시간 노출 후 LCD A 유리에서 장기 도가니 블리스터링 시험으로 측정될 때 특정 블리스터링 값을 가진다. 예를들면, 1200 ℃에서360 시간 노출 후 LCD A 유리에서 장기 도가니 블리스터링 시험으로 측정될 때 블리스터링 값은 mm2 당 약 1 기포 이하이다.
특히, 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘을 포함하는 내화체에서블리스터링 값은 종래 방법에 의해 형성되는 종래 지르콘-계열 재료와 비교하면 더욱 낮았다. 예를들면, 도 1은 블리스터링 시험이 수행된 후 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 재료 (102) 표면 및 유리 층 (103) 사이 계면 (101)의 단면 사진을 보인다. 길이 L은 지르콘 재료 (102) 표면에서 유리 층 (103)으로의 거리 500 미크론을 보인다. 도 1은 계면 (101)에서 유리 층 (103)의 깊이 500 미크론으로 계면 (101)을 따라 기포가 형성되지 않으므로 지르콘 재료 (102)에서 블리스터링이 생성되지 않는다는 것을 보인다.
도 2는 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 내화체의 지르콘 몸체의미세조직 사진이다. 특히, 파장 분산형 X-선 분광학 또는 에너지 분산형 X-선 분광학을 구비한 주사전자현미경으로 분석될 때, 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 몸체 (500)는 지르콘 그레인 (501) 및 Al2O3 풍부 입계상 (rich intergranular phases, 502)을 포함한다.
특정 실시태양에 따르면, 지르콘 몸체는 주사전자현미경으로 측정될 때 최대 단면 폭을 포함한다. 예를들면, Al2O3 풍부 입계상의 최대 단면 폭은 적어도 약 0.5 미크론, 예컨대, 적어도 약 0.6 미크론, 적어도 약 0.7 미크론, 적어도 약 0.8 미크론, 적어도 약 0.9 미크론, 적어도 약 1 미크론, 적어도 약 1.1 미크론, 적어도 약 1.2 미크론, 적어도 약 1.3 미크론, 적어도 약 1.4 미크론, 적어도 약 1.5 미크론, 적어도 약 2 미크론, 적어도 약 3 미크론, 적어도 약 4 미크론, 적어도 약 5 미크론, 적어도 약 6 미크론, 적어도 약 7 미크론, 적어도 약 8 미크론, 적어도 약 9 미크론, 적어도 약 10 미크론이다. 또 다른 실시태양들에 의하면, Al2O3 풍부 입계상의 최대 단면 폭은 약 15 미크론 이하, 예컨대 이하, 약 10 미크론 이하, 약 9 미크론 이하, 약 8 미크론 이하, 약 7 미크론 이하, 약 6 미크론 이하, 약 5 미크론 이하, 약 4 미크론 이하, 약 3 미크론 이하, 약 2 미크론 이하, 약 1.5 미크론 이하, 약 1.4 미크론 이하, 약 1.3 미크론 이하, 약 1.2 미크론 이하 또는 약 1.1 미크론 이하이다. Al2O3 풍부 입계상의 최대 단면 폭은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 풍부 입계상의 최대 단면 폭은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 Al2O3 풍부 입계상은 파장 분산형 X-선 분광학을 구비한 주사전자현미경으로 측정될 때 특정 함량의 Al2O3 를 포함한다. 예를들면, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여적어도 약 40 wt.%, 예컨대, 적어도 약 45 wt.%, 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.% 또는 적어도 약 90 wt.% 포함된다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 95 wt.% 이하, 예컨대, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하 또는 약 60 wt.% 이하로 포함된다. Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 Al2O3 풍부 입계상은 에너지 분산형 X-선 분광학을 구비한 주사전자현미경으로 측정될 때 특정 함량의 Al2O3 를 포함한다. 예를들면, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 40 wt.%, 예컨대, 적어도 약 45 wt.%, 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.% 또는 적어도 약 90 wt.% 포함된다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 95 wt.% 이하, 예컨대, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하 또는 약 60 wt.% 이하로 포함된다. Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 Al2O3 풍부 입계상은 파장 분산형 X-선 분광학을 구비한 주사전자현미경으로 측정될 때 특정 함량 SiO2 를 포함한다. 예를들면, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 20 wt.%, 예컨대, 적어도 약 23 wt.%, 적어도 약 25 wt.%, 적어도 약 28 wt.%, 적어도 약 30 wt.%, 적어도 약 33 wt.%, 적어도 약 35 wt.%, 적어도 약 37 wt.%, 적어도 약 40 wt.% 또는 적어도 약 45 wt.% 포함된다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 50 wt.% 이하, 예컨대, 약 45 wt.% 이하, 약 40 wt.% 이하, 약 37 wt.% 이하, 약 35 wt.% 이하, 약 33 wt.% 이하, 약 30 wt.% 이하 또는 약 27 wt.% 이하로 포함된다. Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
또 다른 특정 실시태양에 의하면, 지르콘 몸체의 Al2O3 풍부 입계상은 에너지 분산형 X-선 분광학을 구비한 주사전자현미경으로 측정될 때 특정 함량 SiO2 를 포함한다. 예를들면, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 20 wt.%, 예컨대, 적어도 약 23 wt.%, 적어도 약 25 wt.%, 적어도 약 28 wt.%, 적어도 약 30 wt.%, 적어도 약 33 wt.%, 적어도 약 35 wt.%, 적어도 약 37 wt.%, 적어도 약 40 wt.% 또는 적어도 약 45 wt.% 포함된다. 또 다른 실시태양에 의하면, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보일 때 Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 50 wt.% 이하, 예컨대, 약 45 wt.% 이하, 약 40 wt.% 이하, 약 37 wt.% 이하, 약 35 wt.% 이하, 약 33 wt.% 이하, 약 30 wt.% 이하 또는 약 27 wt.% 이하 포함된다. Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 임의 값일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위의 임의의 값일 수 있다는 것을 더욱 이해하여야 한다.
항목들
많은 상이한 양태들 및 실시태양들이 가능하다. 이들 양태 및 실시태양 일부가 하기된다. 본 명세서를 독해한 후, 당업자는 이들 양태 및 실시태양은 단지 예시적인 것이고 본 발명의 범위를 제한하지 않는다는 것을 이해할 것이다. 실시태양들은 하기 나열된 사항들 중 임의의 하나 이상의 항목들에 따른다.
항목 1. 내화체로서: 지르콘 몸체를 포함하고, 지르콘 몸체는: 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함하는, 내화체.
항목 2. 내화체로서: 지르콘 몸체를 포함하고, 지르콘 몸체는: 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 적어도 약 5 내지 약 50 이하의 비율 CBSiO2/CBAlC 을 포함하고, CBSiO2 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고 CBAlC 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량인, 내화체.
항목 3. 내화체로서: 지르콘 몸체를 포함하고 몸체는 지르콘 그레인 및 지르콘 그레인들 사이에 존재하고 몸체에 실질적으로 균일하게 분포되는 유리 실리카 입계상을 포함하고; 지르콘 몸체는: 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는, 내화체.
항목 4. 내화체로서: 1200 ℃에서8 시간 후 측정될 때 mm2 당 약 8 기포들 이하의 블리스터링 값을 가지는 지르콘 몸체를 포함하는, 내화체.
항목 5. 내화체로서: 1200 ℃에서360 시간 후 측정될 때 mm2 당 약 1 기포 이하의 블리스터링 값을 가지는 지르콘 몸체를 포함하는, 내화체.
항목 6. 내화체로서: 1350℃ 및 응력 2 MPa에서3점 굽힘 시험으로 측정될 때 크리프 변형 속도가 약 1.1 E -4 h-1 이하인 지르콘 몸체를 포함하는, 내화체.
항목 7. 내화체로서: 1350℃ 및 응력 2 MPa에서4점 굽힘 시험으로 측정될 때 크리프 변형 속도가 약 15.0 E -5 h-1 이하인 지르콘 몸체를 포함하는, 내화체.
항목 8. 내화체로서: 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는 지르콘 회분으로 부터 형성되는 지르콘 몸체를 포함하는, 내화체.
항목 9. 내화체 성형 방법으로서: 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는 지르콘 회분을 제공하는 단계; 및 지르콘 회분을 지르콘 몸체로 성형하는 단계를 포함하는, 내화체 성형 방법.
항목 10. 항목들 1, 2, 3, 4, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 지르콘 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 51 wt.%, 적어도 약 52 wt.%, 적어도 약 53 wt.%, 적어도 약 54 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 56 wt.%, 적어도 약 57 wt.%, 적어도 약 57.5 wt.%, 적어도 약 58 wt.%, 적어도 약 58.5 wt.%, 적어도 약 59 wt.%, 적어도 약 59.5 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 60.5 wt.%, 적어도 약 61 wt.%, 적어도 약 61.5 wt.%, 적어도 약 62 wt.%, 적어도 약 62.5 wt.%, 적어도 약 63 wt.%, 적어도 약 63.5 wt.%, 적어도 약 64 wt.%, 적어도 약 64.5 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 65.5 wt.%, 적어도 약 66 wt.%, 적어도 약 66.5 wt.%, 적어도 약 67 wt.%, 적어도 약 68 wt.%, 적어도 약 69 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 75 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.%, 적어도 약 90 wt.% 적어도 약 95 wt.%, 적어도 약 96 wt.%, 적어도 약 97 wt.%, 적어도 약 98 wt.% 및 적어도 약 99 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 11. 항목들 1, 2, 3, 4, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 지르콘 함량은 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 99 wt.% 이하, 약 95 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 69 wt.% 이하, 약 68 wt.% 이하, 약 67 wt.% 이하, 약 66.5 wt.% 이하, 약 66 wt.% 이하, 약 65.5 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하, 약 64.5 wt.% 이하, 약 64 wt.% 이하, 약 63.5 wt.% 이하, 약 63 wt.% 이하, 약 62.5 wt.% 이하, 약 62 wt.% 이하, 약 61.5 wt.% 이하, 약 61 wt.% 이하, 약 60.5 wt.% 이하, 약 60 wt.% 이하, 약 59.5 wt.% 이하, 약 59 wt.% 이하, 약 58.5 wt.% 이하, 약 58 wt.% 이하, 약 57.5 wt.% 이하, 약 57 wt.% 이하, 약 56 wt.% 이하, 약 55 wt.% 이하, 약 54 wt.% 이하, 약 53 wt.% 이하, 약 52 wt.% 이하 및 약 51 wt.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 12. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 지르콘 함량은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 75 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.%, 적어도 약 87 wt.%, 적어도 약 89 wt.%, 적어도 약 90 wt.%, 적어도 약 90.5 wt.%, 적어도 약 91 wt.%, 적어도 약 91.5 wt.%, 적어도 약 92 wt.%, 적어도 약 92.5 wt.%, 적어도 약 93 wt.%, 적어도 약 93.1 wt.%, 적어도 약 93.2 wt.%, 적어도 약 93.3 wt.%, 적어도 약 93.4 wt.%, 적어도 약 93.5 wt.%, 적어도 약 93.6 wt.%, 적어도 약 93.7 wt.%, 적어도 약 93.8 wt.%, 적어도 약 93.9 wt.%, 적어도 약 94 wt.%, 적어도 약 94.1 wt.%, 적어도 약 94.2 wt.%, 적어도 약 94.3 wt.%, 적어도 약 94.4 wt.%, 적어도 약 94.5 wt.%, 적어도 약 94.6 wt.%, 적어도 약 94.7 wt.%, 적어도 약 94.8 wt.%, 적어도 약 94.9 wt.%, 적어도 약 95 wt.%, 적어도 약 96 wt.%, 적어도 약 97 wt.%, 적어도 약 98 wt.% 및 적어도 약 99 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 13. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 지르콘 함량은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 99 wt.% 이하, 약 97.5 wt.% 이하, 약 97 wt.% 이하, 약 96.5 wt.% 이하, 약 96 wt.% 이하, 약 95.5 wt.% 이하, 약 95 wt.% 이하, 약 94.9 wt.% 이하, 약 94.8 wt.% 이하, 약 94.7 wt.% 이하, 약 94.6 wt.% 이하, 약 94.5 wt.% 이하, 약 94.4 wt.% 이하, 약 94.3 wt.% 이하, 약 94.2 wt.% 이하, 약 94.1 wt.% 이하, 약 94 wt.% 이하, 약 93.9 wt.% 이하, 약 93.8 wt.% 이하, 약 93.7 wt.% 이하, 약 93.6 wt.% 이하, 약 93.5 wt.% 이하, 약 93.4 wt.% 이하, 약 93.3 wt.% 이하, 약 93.2 wt.% 이하, 약 93.1 wt.% 이하, 약 93 wt.% 이하, 약 92.5 wt.% 이하, 약 92.0 wt.% 이하, 약 91.5 wt.% 이하, 약 91 wt.% 이하, 약 90.5 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 89 wt.% 이하, 약 87 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하, 약 60 wt.% 이하 및 약 55 wt.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 14. 항목들 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 15. 항목들 1, 2, 3 및 14 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 4.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.4 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.3 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.2 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.1 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.0 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분 내지 약 3.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 16. 항목들 1, 2, 3, 14 및 15 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.3 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.4 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 3.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분 및 적어도 약 3.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 17. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 4.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.4 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.3 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.2 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.1 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 4.0 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.9 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.8 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.7 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분, 약 3.6 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분 내지 약 3.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 18. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 1.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.2 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.3 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.4 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.5 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.6 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.7 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.8 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 2.9 wt.% 의 Al2O3 함유 성분, 적어도 약 3.0 wt.% 의 Al2O3 함유 성분 및 적어도 약 3.1 wt.% 의 Al2O3 함유 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 19. 항목들 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 20. 항목들 1 및 19 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 34.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 33 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 32 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 31.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 30 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 29 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 28 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27.5 wt.% 이하의 SiO2 성분, 약 27 wt.% 이하의 SiO2 성분 내지 약 26.5 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 21. 항목들 1, 13 및 19 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 25.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 26 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 26.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 27.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 28.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 29.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 30.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 31.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 32.5 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33 wt.% 의 SiO2 성분, 적어도 약 33.5 wt.% 의 SiO2 성분, 약 34 wt.% 의 SiO2 성분 및 약 34.5 wt.% 의 SiO2 성분을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 22. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 4.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 4.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.0 wt.% 이하의 유리 실리카 내지 약 0.5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는, 내화체.
항목 23. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 4.0 wt.% 의 유리 실리카 및 적어도 약 4.5 wt.% 의 유리 실리카를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 24. 항목들 1, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBSiO2/CBAlC 은 적어도 약 5 내지 약 50 이하이고, CBSiO2 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고 CBAlC 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량인, 내화체 또는 방법.
항목 25. 항목들 2 및 24 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBSiO2/CBAlC 는 적어도 약 8, 적어도 약 10, 적어도 약 13, 적어도 약 15, 적어도 약 18, 적어도 약 20, 적어도 약 23, 적어도 약 25, 적어도 약 28, 적어도 약 30, 적어도 약 33, 적어도 약 35, 적어도 약 38, 적어도 약 40, 적어도 약 43, 적어도 약 45 및 적어도 약 48인, 내화체 또는 방법.
항목 26. 항목들 2, 24 및 25 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBSiO2/CBAlC 는 약 47 이하, 약 45 이하, 약 42 이하, 약 40 이하, 약 37 이하, 약 35 이하, 약 32 이하, 약 30 이하, 약 27 이하, 약 20 이하, 약 17 이하, 약 12 이하, 약 10 이하 및 약 7 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 27. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMSiO2/CMAlC 은 적어도 약 5 내지 약 50 이하이고, CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고 CMAlC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량인, 내화체 또는 방법.
항목 28. 항목 27에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMSiO2/CMAlC 은 적어도 약 8, 적어도 약 10, 적어도 약 13, 적어도 약 15, 적어도 약 18, 적어도 약 20, 적어도 약 23, 적어도 약 25, 적어도 약 28, 적어도 약 30, 적어도 약 33, 적어도 약 35, 적어도 약 38, 적어도 약 40, 적어도 약 43, 적어도 약 45 및 적어도 약 48인, 내화체 또는 방법.
항목 29. 항목들 27 및 28 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMSiO2/CMAlC 은 약 47 이하, 약 45 이하, 약 42 이하, 약 40 이하, 약 37 이하, 약 35 이하, 약 32 이하, 약 30 이하, 약 27 이하, 약 20 이하, 약 17 이하, 약 12 이하, 약 10 이하 및 약 7 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 30. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBAlC/CBZ 는 약 0.08 이하이고, CBAlC 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CBZ 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 지르콘 함량이고, 약 0.075 이하, 약 0.07 이하, 약 0.065 이하, 약 0.06 이하, 약 0.055 이하, 약 0.05 이하, 약 0.045 이하, 약 0.04 이하, 약 0.035 이하, 약 0.030 이하, 약 0.025 이하, 약 0.02 이하, 약 0.015 이하 내지 약 0.01 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 31. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 30 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 CBAlC/CBZ 비율은 적어도 약 0.002이고, CBAlC 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CBZ 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 지르콘 함량이고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.035, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.045, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.055, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.065, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.075, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.085 및 적어도 약 0.09인, 내화체 또는 방법.
항목 32. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMAlC/CMZ 은 약 0.08 이하이고, CMAlC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CMZ 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 지르콘 함량을 나타내고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.035, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.045, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.055, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.065, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.075, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.085 및 적어도 약 0.09인, 내화체 또는 방법.
항목 33. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMAlC/CMZ 은 적어도 약 0.002이고, CMAlC 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분 함량이고 CMZ 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 지르콘 함량을 나타내고, 적어도 약 0.015, 적어도 약 0.02, 적어도 약 적어도 약 0.025, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.035, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.045, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.055, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.065, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.075, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.085 및 적어도 약 0.09인, 내화체 또는 방법.
항목 34. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBTa2O5/ CBSiO2 는 약 5 이하이고, CBTa2O5는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CBSiO2 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고, 약 4 이하, 약 3 이하, 약 2 이하, 약 1 이하, 약 0.5 이하, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 및 약 0.02 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 35. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 34 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 비율 CBTa2O5/ CBSiO2 는 적어도 약 0.001이고, CBTa2O5는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CBSiO2 는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 및 적어도 약 0.03인, 내화체 또는 방법.
항목 36. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMTa2O5/CMSiO2 은 약 0.5 이하이고, CMTa2O5 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고, 약 0.1 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하, 약 0.03 이하 및 약 0.02 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 37. 항목들 8, 9 및 36 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분의 비율 CMTa2O5/ CMSiO2 은 적어도 약 0.001이고, CMTa2O5 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Ta2O5 함량이고 CMSiO2 은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분 함량이고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02 및 적어도 약 0.03인, 내화체 또는 방법.
항목 38. 항목들 1, 2, 3, 8, 9 및 14 중 어느 하나에 있어서, Al2O3 함유 성분은 알루미나를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 39. 항목 38에 있어서, Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% 알루미나, 적어도 약 2 wt.% 알루미나, 적어도 약 5 wt.% 알루미나, 적어도 약 10 wt.% 알루미나, 적어도 약 15 wt.% 알루미나, 적어도 약 20 wt.% 알루미나, 적어도 약 25 wt.% 알루미나, 적어도 약 30 wt.% 알루미나, 적어도 약 35 wt.% 알루미나, 적어도 약 40 wt.% 알루미나, 적어도 약 45 wt.% 알루미나, 적어도 약 50 wt.% 알루미나, 적어도 약 55 wt.% 알루미나, 적어도 약 60 wt.% 알루미나, 적어도 약 65 wt.% 알루미나, 적어도 약 70 wt.% 알루미나, 적어도 약 75 wt.% 알루미나, 적어도 약 80 wt.% 알루미나, 적어도 약 85 wt.% 알루미나, 적어도 약 90 wt.% 알루미나, 적어도 약 95 wt.% 알루미나를 포함하고 및 실질적으로 알루미나로 이루어지는, 내화체 또는 방법.
항목 40. 항목들 1, 2, 3, 8, 9 및 14 중 어느 하나에 있어서, Al2O3 함유 성분은 멀라이트를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 41. 항목 40에 있어서, Al2O3 함유 성분은 Al2O3 함유 성분 총 중량에 대하여 적어도 약 1 wt.% 멀라이트, 적어도 약 2 wt.% 멀라이트, 적어도 약 5 wt.% 멀라이트, 적어도 약 10 wt.% 멀라이트, 적어도 약 15 wt.% 멀라이트, 적어도 약 20 wt.% 멀라이트, 적어도 약 25 wt.% 멀라이트, 적어도 약 30 wt.% 멀라이트, 적어도 약 35 wt.% 멀라이트, 적어도 약 40 wt.% 멀라이트, 적어도 약 45 wt.% 멀라이트, 적어도 약 50 wt.% 멀라이트, 적어도 약 55 wt.% 멀라이트, 적어도 약 60 wt.% 멀라이트, 적어도 약 65 wt.% 멀라이트, 적어도 약 70 wt.% 멀라이트, 적어도 약 75 wt.% 멀라이트, 적어도 약 80 wt.% 멀라이트, 적어도 약 85 wt.% 멀라이트, 적어도 약 90 wt.% 멀라이트, 적어도 약 95 wt.% 멀라이트를 포함하고 및 실질적으로 멀라이트로 이루어지는, 내화체 또는 방법.
항목 42. 항목들 40 및 41 중 어느 하나에 있어서, 멀라이트는 Al6Si2O13을 포함하고, 멀라이트는 실질적으로 Al6Si2O13로 이루어지는, 내화체 또는 방법.
항목 43. 항목들 1, 2, 3, 8, 9 및 14 중 어느 하나에 있어서, Al2O3 함유 성분은 알루미노실리케이트 종을 포함하고, 알루미노실리케이트 종은 비-화학양론적 멀라이트, 화학양론적 멀라이트, 및 이들 조합 중 적어도 하나를 포함하고, Al2O3 함유 성분은 알루미네이트 종 및 알루미노실리케이트 종의 조합을 포함하고, Al2O3 함유 성분은 알루미네이트 종 및 알루미노실리케이트 종을 포함하고, 알루미노실리케이트 종은 알루미네이트 종보다 더욱 많은 함량으로 존재하는, 내화체 또는 방법.
항목 44. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 3.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 2.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 2.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 1.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 1.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 Ta2O5 를 포함하고 및 실질적으로 Ta2O5 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 45. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.%의 Ta2O5, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Ta2O5 및 적어도 약 0.9 wt.% 의 Ta2O5를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 46. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 3.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 2.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 2.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 1.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 1.0 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 Ta2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 Ta2O5 를 포함하고 실질적으로 Ta2O5 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 47. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Ta2O5, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Ta2O5 및 적어도 약 0.9 wt.% 의 Ta2O5를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 48. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Yb2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Yb2O3가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 49. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Yb2O3 및 적어도 약 0.9 wt.% 의 Yb2O3를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 50. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Yb2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Yb2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 51. 항목들 8 및 9중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 Yb2O3 및 적어도 약 0.9 wt.% 의 Yb2O3를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 52. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 를 포함하고 및 실질적으로 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 53. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 적어도 약 0.9 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 54. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 5.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 4.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 3.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 2.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 를 포함하고 및 실질적으로 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 55. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.2 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.3 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.4 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.5 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.6 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.7 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3, 적어도 약 0.8 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3 및 적어도 약 0.9 wt.% 의 조합된 Ta2O5 및 Yb2O3를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 56. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.8 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.5 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.4 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.3 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.2 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.1 wt.% 이하의 TiO2 를 포함하고 및 실질적으로 TiO2 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 57. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.8 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.5 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.4 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.3 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.2 wt.% 이하의 TiO2, 약 0.1 wt.% 이하의 TiO2 를 포함하고 및 실질적으로 TiO2 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 58. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 CaO, 약 0.8 wt.% 이하의 CaO, 약 0.5 wt.% 이하의 CaO, 약 0.4 wt.% 이하의 CaO, 약 0.3 wt.% 이하의 CaO, 약 0.2 wt.% 이하의 CaO, 약 0.1 wt.% 이하의 CaO 를 포함하고 및 실질적으로 CaO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 59. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 CaO, 약 0.8 wt.% 이하의 CaO, 약 0.5 wt.% 이하의 CaO, 약 0.4 wt.% 이하의 CaO, 약 0.3 wt.% 이하의 CaO, 약 0.2 wt.% 이하의 CaO, 약 0.1 wt.% 이하의 CaO 를 포함하고 및 실질적으로 CaO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 60. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 MgO, 약 0.8 wt.% 이하의 MgO, 약 0.5 wt.% 이하의 MgO, 약 0.4 wt.% 이하의 MgO, 약 0.3 wt.% 이하의 MgO, 약 0.2 wt.% 이하의 MgO, 약 0.1 wt.% 이하의 MgO 를 포함하고 및 실질적으로 MgO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 61. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 MgO, 약 0.8 wt.% 이하의 MgO, 약 0.5 wt.% 이하의 MgO, 약 0.4 wt.% 이하의 MgO, 약 0.3 wt.% 이하의 MgO, 약 0.2 wt.% 이하의 MgO, 약 0.1 wt.% 이하의 MgO 를 포함하고 및 실질적으로 MgO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 62. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 K2O, 약 0.8 wt.% 이하의 K2O, 약 0.5 wt.% 이하의 K2O, 약 0.4 wt.% 이하의 K2O, 약 0.3 wt.% 이하의 K2O, 약 0.2 wt.% 이하의 K2O, 약 0.1 wt.% 이하의 K2O 를 포함하고 및 실질적으로 K2O 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 63. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 K2O, 약 0.8 wt.% 이하의 K2O, 약 0.5 wt.% 이하의 K2O, 약 0.4 wt.% 이하의 K2O, 약 0.3 wt.% 이하의 K2O, 약 0.2 wt.% 이하의 K2O, 약 0.1 wt.% 이하의 K2O 를 포함하고 및 실질적으로 K2O 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 64. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.8 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.5 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.4 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.3 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.2 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.1 wt.% 이하의 Na2O 를 포함하고 및 실질적으로 Na2O 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 65. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.8 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.5 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.4 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.3 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.2 wt.% 이하의 Na2O, 약 0.1 wt.% 이하의 Na2O 를 포함하고 및 실질적으로 Na2O 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 66. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.8 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Y2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Y2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 67. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.8 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Y2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Y2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Y2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 68. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.8 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.4 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.3 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.2 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 P2O5 를 포함하고 및 실질적으로 P2O5 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 69. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.8 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.5 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.4 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.3 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.2 wt.% 이하의 P2O5, 약 0.1 wt.% 이하의 P2O5 를 포함하고 및 실질적으로 P2O5 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 70. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.8 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Fe2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Fe2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 71. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.8 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.5 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.4 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.3 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.2 wt.% 이하의 Fe2O3, 약 0.1 wt.% 이하의 Fe2O3 를 포함하고 및 실질적으로 Fe2O3 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 72. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.8 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.4 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.3 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 ZnO 를 포함하고 및 실질적으로 ZnO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 73. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.0 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.8 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.4 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.3 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 ZnO 를 포함하고 및 실질적으로 ZnO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 74. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 1.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.7 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 를 포함하고 및 실질적으로 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 75. 항목들 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 회분 총 중량에 대하여 약 1.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 1.0 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.7 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.5 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.2 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO, 약 0.1 wt.% 이하의 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 를 포함하고 및 실질적으로 조합된 TiO2, CaO, MgO, K2O, Na2O, Y2O3, P2O5, Fe2O3 및 ZnO 가 부재인, 내화체 또는 방법.
항목 76. 항목들 1, 2, 3, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1200 ℃에서 8 시간 후 측정될 때 지르콘 몸체는 mm2 당 약 8 기포 이하의 블리스터링 값 (blistering value)을 포함하는,
항목 77. 항목들 4 및 76 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 블리스터링 값은 mm2 당 약 7 기포 이하, mm2 당 약 6 기포 이하, mm2 당 약 5 기포 이하, mm2 당 약 4 기포 이하, mm2 당 약 3 기포 이하, mm2 당 약 2 기포 이하, mm2 당 약 1 기포 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 78. 항목들 1, 2, 3, 4, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1200 ℃에서 360 시간 후 측정될 때 지르콘 몸체는 mm2 당 약 1 기포 이하의 블리스터링 값을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 79. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서3 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체는 약 1.1 E -04 h-1 이하의 크리프 변형 속도를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 80. 항목들 6 및 79 중 어느 하나에 있어서, 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서3 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 1.0 E -4 h-1 이하, 약 9.5 E -5 h-1 이하, 약 9.0 E -5 h-1 이하, 약 8.5 E -5 h-1 이하, 약 8.0 E -5 h-1 이하 및 약 7.5 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 81. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1325 ℃ 및 2MPa 응력에서3 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 7.4 E-05 h-1 이하, 약 7.0 E -5 h-1 이하, 약 6.5 E -5 h-1 이하, 약 6.0 E -5 h-1 이하, 약 5.5 E -5 h-1 이하 및 약 5.0 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 82. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1300 ℃ 및 2MPa 응력에서3-점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 4.0 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 83. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서4 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 5.0 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 84. 항목들 7 및 83 중 어느 하나에 있어서, 1350 ℃ 및 2MPa 응력에서4 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 4.9 E -5 h-1 이하, 약 4.8 E -5 h-1 이하, 약 4.7 E -5 h-1 이하, 약 4.6 E -5 h-1 이하, 약 4.5 E -5 h-1 이하, 약 4.4 E -5 h-1 이하, 약 4.3 E -5 h-1 이하, 약 4.2 E -5 h-1 이하, 약 4.1 E -5 h-1 이하, 약 4.0 E -5 h-1 이하, 약 3.9 E -5 h-1 이하, 약 3.8 E -5 h-1 이하, 약 3.7 E -5 h-1 이하, 약 3.6 E -5 h-1 이하, 약 3.5 E -5 h-1 이하, 약 3.4 E -5 h-1 이하, 약 3.3 E -5 h-1 이하, 약 3.2 E -5 h-1 이하, 약 3.1 E -5 h-1 이하 및 약 3.0 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 85. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1325 ℃ 및 2MPa 응력에서4 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 2.7 E-05 h-1 이하, 약 2.6 E -5 h-1 이하, 약 2.5 E -5 h-1 이하, 약 2.4 E -5 h-1 이하, 약 2.3 E -5 h-1 이하, 약 2.2 E -5 h-1 이하, 약 2.1 E -5 h-1 이하, 약 2.0 E -5 h-1 이하, 약 1.5 E -5 h-1 이하 및 약 1.5 E -5 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 86. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1300 ℃ 및 2MPa 응력에서4 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 1.2 E -05 h-1 이하, 약 1.1 E -5 h-1 이하, 약 1.0 E -5 h-1 이하, 약 9 E -6 h-1 이하, 약 8 E -6 h-1 이하, 약 7 E -6 h-1 이하, 약 6 E -6 h-1 이하 및 약 5 E -6 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 87. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 1275 ℃ 및 2MPa 응력에서4 점 굽힘 시험으로 측정될 때 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 약 5.0 E -6 h-1 이하, 약 4.8 E -6 h-1 이하, 약 4.6 E -6 h-1 이하, 약 4.4 E -6 h-1 이하, 약 4.2 E -6 h-1 이하 및 약 4.0 E -6 h-1 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 88. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 밀도는 적어도 약 3.7 g/cm3, 3.8 g/cm3, 3.9 g/cm3, 4.0 g/cm3, 4.1 g/cm3, 적어도 약 4.2 g/cm3, 적어도 약 4.3 g/cm3 및 적어도 약 4.4 g/cm3인, 내화체 또는 방법.
항목 89. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 88 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 밀도는 약 4.5 g/cm3 이하, 약 4.4 g/cm3 이하, 약 4.3 g/cm3 이하, 약 4.2 g/cm3 이하, 약 4.1 g/cm3 이하, 약 4.0 g/cm3 이하, 약 3.9 g/cm3 이하, 약 3.8 g/cm3 이하 및 약 3.7 g/cm3 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 90. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 지르콘 몸체 총 부피에 대하여 적어도 약 0.1 vol.%, 적어도 약 0.5 vol.%, 적어도 약 1.0 vol.%, 적어도 약 1.5 vol.%, 적어도 약 2.0 vol.%, 적어도 약 2.5 vol.%, 적어도 약 3.0 vol.%, 적어도 약 3.5 vol.%, 적어도 약 4.0 vol.%, 적어도 약 4.5 vol.%, 적어도 약 5.0 vol.%, 적어도 약 6 vol.%, 적어도 약 7 vol.%, 적어도 약 8 vol.%, 적어도 약 9 vol.%, 적어도 약 10 vol.%, 적어도 약 11 vol.%, 적어도 약 12 vol.%, 적어도 약 13 vol.%, 적어도 약 및 적어도 약 14 vol.%인, 내화체 또는 방법.
항목 91. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 90 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 지르콘 몸체 총 부피에 대하여 약 15 vol.% 이하, 약 14 vol.% 이하, 약 13 vol.% 이하, 약 12 vol.% 이하, 약 11 vol.% 이하, 약 10 vol.% 이하, 약 9 vol.% 이하, 약 8 vol.% 이하, 약 7 vol.% 이하, 약 6 vol.% 이하, 약 5 vol.% 이하, 약 4.5 vol.% 이하, 약 4.0 vol.% 이하, 약 3.5 vol.% 이하, 약 3.0 vol.% 이하, 약 2.5 vol.% 이하, 약 2.0 vol.% 이하, 약 1.5 vol.% 이하, 약 1.0 vol.% 이하 및 약 0.5 vol.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 92. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 외측부 및 내측부를 포함하고 지르콘 몸체는 약 2 이하의 전체 몸체 기공률 비율 (Pop/Pip)을 더욱 포함하고, Pop 는 지르콘 몸체 외측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 외측부의 겉보기 기공률을 나타내고 Pip 는 몸체 내측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 내측부의 기공률을 나타내고, 약 1.9 이하, 약 1.8 이하, 약 1.7 이하, 약 1.6 이하, 약 1.5 이하, 약 1.4 이하, 약 1.3 이하, 약 1.2 이하, 약 1.0 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 93. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 외측부 및 내측부를 포함하고 지르콘 몸체는 적어도 약 0.1의 전체 몸체 기공률 비율 (Pop/Pip)을 더욱 포함하고, Pop 는 지르콘 몸체 외측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 외측부의 겉보기 기공률을 나타내고 Pip 는 몸체 내측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 내측부의 기공률을 나타내고, 적어도 약 0.2, 적어도 약 0.3, 적어도 약 0.4, 적어도 약 0.5, 적어도 약 0.6, 적어도 약 0.7, 적어도 약 0.8 및 적어도 약 0.9인, 내화체 또는 방법.
항목 94. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 외측부 및 내측부를 포함하고 지르콘 몸체는 약 1의 전체 몸체 기공률 비율 (Pop/Pip)을 더욱 포함하고, Pop 는 지르콘 몸체 외측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 외측부의 겉보기 기공률을 나타내고 Pip 는 몸체 내측부 총 부피에 대하여 vol.%로 측정되는 몸체 내측부의 기공률을 나타내는, 내화체 또는 방법.
항목 95. 항목들 1, 2, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 그레인 및 지르콘 그레인들 사이에 존재하고 몸체에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분포되는 유리 실리카 입계상을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 96. 항목들 3 및 95 중 어느 하나에 있어서, 유리 실리카 입계상은 지르콘 몸체에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분포되는, 내화체 또는 방법.
항목 97. 항목들 3, 95 및 96 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 약 4.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 4.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 3.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 2.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.9 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.8 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.7 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.6 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.5 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.4 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.3 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.2 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.1 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 1.0 wt.% 이하의 유리 실리카, 약 0.5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 98. 항목들 3, 95, 96 및 97 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 약 0.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 0.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 1.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 2.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.0 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.1 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.2 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.3 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.4 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.5 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.6 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.7 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.8 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 3.9 wt.% 의 유리 실리카, 적어도 약 4.0 wt.% 의 유리 실리카 및 적어도 약 4.5 wt.% 의 유리 실리카를 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 99. 항목들 3, 95 및 96 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 적어도 약 3 μm, 적어도 약 4 μm, 적어도 약 5 μm, 적어도 약 6 μm, 적어도 약 7 μm, 적어도 약 8 μm, 적어도 약 9 μm, 적어도 약 10 μm, 적어도 약 12 μm 및 적어도 약 14 μm인, 내화체 또는 방법.
항목 100. 항목들 3, 95, 96 및 99 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 그레인의 평균 그레인 크기는 약 15 μm 이하, 약 14 μm 이하, 약 12 μm 이하, 약 10 μm 이하, 약 9 μm 이하, 약 8 μm 이하, 약 7 μm 이하, 약 6 μm 이하, 약 5 μm 이하, 약 4 μm 내지 약 3 μm 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 101. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 회분은 지르콘 입자들을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 102. 항목 101에 있어서, 지르콘 입자들의 D10 그레인 크기는 약 1.9 μm 이하, 약 1.0 μm 이하, 약 0.8 μm 이하 및 약 0.5 μm 이하인, 내화체 또는 방법. 내화체 또는 방법.
항목 103. 항목들 101 및 102 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 입자들의 중간 그레인 크기 (D50)는 적어도 약 1 μm, 적어도 약 2 μm, 적어도 약 3 μm, 적어도 약 4 μm, 적어도 약 5 μm, 적어도 약 6 μm, 적어도 약 7 μm, 적어도 약 8 μm, 적어도 약 9 μm, 적어도 약 10 μm, 적어도 약 12 μm 및 적어도 약 14 μm인, 내화체 또는 방법.
항목 104. 항목 101, 102 및 103 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 입자들의 중간 그레인 크기 (D50)는 약 20 μm 이하, 약 19 μm 이하, 약 18 μm 이하, 약 17 μm 이하, 약 16 μm 이하, 약 15 μm 이하, 약 14 μm 이하, 약 13 μm 이하, 약 12 μm 이하 및 약 10 μm 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 105. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 몸체 총 중량에 대하여 약 1 wt.% 이하의 희토류 산화물 함량을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 106. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 몸체 총 중량에 대하여 약 1 wt.% 이하의 알칼리 산화물 함량을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 107. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 몸체 총 중량에 대하여 약 1 wt.% 이하의 알칼리 토금속 산화물 함량을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 108. 항목들 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9 중 어느 하나에 있어서, 지르콘 몸체는 지르콘 그레인 및 Al2O3 풍부 입계상을 포함하는, 내화체 또는 방법.
항목 109. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 단면 폭은 적어도 약 0.5 미크론, 적어도 약 0.6 미크론, 적어도 약 0.7 미크론, 적어도 약 0.8 미크론, 적어도 약 0.9 미크론, 적어도 약 1 미크론, 적어도 약 1.1 미크론, 적어도 약 1.2 미크론, 적어도 약 1.3 미크론, 적어도 약 1.4 미크론, 적어도 약 1.5 미크론, 적어도 약 2 미크론 및 적어도 약 3 미크론인, 내화체 또는 방법.
항목 110. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 단면 폭은 약 5 미크론 이하, 약 3 미크론 이하, 약 2 미크론 이하, 약 1.5 미크론 이하, 약 1.4 미크론 이하, 약 1.3 미크론 이하, 약 1.2 미크론 이하 및 약 1.1 미크론 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 111. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 40 wt.%, 적어도 약 45 wt.%, 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.% 및 적어도 약 90 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 112. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 95 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하 및 약 60 wt.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 113. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 40 wt.%, 적어도 약 45 wt.%, 적어도 약 50 wt.%, 적어도 약 55 wt.%, 적어도 약 60 wt.%, 적어도 약 65 wt.%, 적어도 약 70 wt.%, 적어도 약 80 wt.%, 적어도 약 85 wt.% 및 적어도 약 90 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 114. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 Al2O3 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 95 wt.% 이하, 약 90 wt.% 이하, 약 85 wt.% 이하, 약 80 wt.% 이하, 약 75 wt.% 이하, 약 70 wt.% 이하, 약 65 wt.% 이하 및 약 60 wt.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 115. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 20 wt.%, 적어도 약 23 wt.%, 적어도 약 25 wt.%, 적어도 약 28 wt.%, 적어도 약 30 wt.%, 적어도 약 33 wt.%, 적어도 약 35 wt.%, 적어도 약 37 wt.%, 적어도 약 40 wt.% 및 적어도 약 45 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 116. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 파장 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 50 wt.% 이하, 약 45 wt.% 이하, 약 40 wt.% 이하, 약 37 wt.% 이하, 약 35 wt.% 이하, 약 33 wt.% 이하, 약 30 wt.% 이하 및 약 27 wt.% 이하인, 내화체 또는 방법.
항목 117. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 적어도 약 20 wt.%, 적어도 약 23 wt.%, 적어도 약 25 wt.%, 적어도 약 28 wt.%, 적어도 약 30 wt.%, 적어도 약 33 wt.%, 적어도 약 35 wt.%, 적어도 약 37 wt.%, 적어도 약 40 wt.% 및 적어도 약 45 wt.%인, 내화체 또는 방법.
항목 118. 항목 108에 있어서, Al2O3 풍부 입계상의 SiO2 함량은 에너지 분산형 X-선 분광학에 의해 보이는Al2O3 풍부 입계상 총 중량에 대하여 약 50 wt.% 이하, 약 45 wt.% 이하, 약 40 wt.% 이하, 약 37 wt.% 이하, 약 35 wt.% 이하, 약 33 wt.% 이하, 약 30 wt.% 내지 약 27 wt.%인, 내화체 또는 방법.
실시예들
본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 제1 조의 특정 구현 실시예들로 돌아가, 다중 조성물을 제조하고, 지르콘 몸체 재료로 성형하여 시험하였다.
표 1은 실시예 1-8에 대한 지르콘 회분 조성 및 성형된 지르콘 몸체 재료의 측정 물성, 예컨대 3-점 굽힘 시험, 4-점 굽힘 시험을 이용한 크리프 변형 속도 및 단기 블리스터 값들을 요약한다. 실시예들 1-8은 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 몸체 재료의 실시예들이다.
표 1 - 실시예 지르콘 재료
실시예 번호 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
지르콘 혼합물 성분들 (총 혼합물의 wt.%) | ||||||||
ZrSiO4 | 98.30 | 94.30 | ||||||
ZrSiO4 - 1.5%SiO2 (w/ SiO2 도핑된 지르콘) | 94.30 | 94.00 | 98.20 | 96.40 | 95.00 | 94.30 | ||
Ta2O5 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | |||
Al2O3 | 0.20 | 0.20 | 0.20 | 1.50 | 1.30 | 2.60 | 5.00 | 0.20 |
SiO2 | 0.50 | 1.50 | 1.50 | 0.50 | 1.00 | |||
GeO2 | 1.50 | |||||||
TiO2 | ||||||||
Yb2O3 | 3.50 | |||||||
Y2O3 | ||||||||
멀라이트 | 3.00 | 3.00 | 3.00 | |||||
YAG | ||||||||
총 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 |
성형된 지르콘 몸체에서 WT % | ||||||||
ZrO2 | 64.36 | 61.75 | 61.75 | 62.20 | 61.75 | 63.12 | 62.20 | 61.75 |
SiO2 | 32.56 | 32.98 | 32.98 | 30.99 | 32.98 | 32.43 | 30.99 | 32.98 |
Y2O3 | ||||||||
Yb2O3 | 3.50 | |||||||
Al2O3 | 0.39 | 2.63 | 2.63 | 1.68 | 2.63 | 2.78 | 5.18 | 2.63 |
Ta2O5 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | |||
TiO2 | 0.10 | 0.09 | 0.09 | 0.10 | 0.09 | 0.10 | 0.10 | 0.09 |
P2O5 | 0.08 | 0.08 | 0.08 | 0.08 | 0.08 | 0.09 | 0.08 | 0.08 |
Fe2O3 | 0.05 | 0.06 | 0.06 | 0.05 | 0.06 | 0.06 | 0.05 | 0.06 |
CaO | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 |
HfO2 | 1.43 | 1.37 | 1.37 | 1.38 | 1.37 | 1.40 | 1.38 | 1.37 |
Na2O | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | ||||
지르콘 몸체 특성 | ||||||||
겉보기 기공률 (%) | 10.70 | 12.90 | 0.30 | 0.30 | 14.60 | 14.10 | 10.4 | 1.00 |
밀도 (g/cc) | 3.90 | 3.80 | 4.11 | 4.28 | 3.84 | 3.82 | 3.96 | 3.98 |
3-Pts 시험으로 측정된 크리프 변형 속도 (x1E-06/h) | ||||||||
크리프 1300℃ / 2MPa | 37.0 | 19.0 | 15.0 | 26.0 | ||||
크리프 1325℃ / 2MPa | 41.2 | |||||||
크리프 1350℃ / 2MPa | 65.5 | 48.7 | 41.7 | |||||
4-Pts 시험으로 측정된 크리프 변형 속도 (x1E-06/h) | ||||||||
크리프 1275℃ / 2MPa | 2.8 | 3.1 | 7.5 | 4.7 | ||||
크리프 1300℃ / 2MPa | 5.6 | 5.6 | 11.1 | 8.8 | ||||
크리프 1325℃ / 2MPa | 12.9 | 16.8 | 18.2 | 22.6 | ||||
크리프 1350℃ / 2MPa | 28.2 | 26.9 | 26.6 | |||||
단기 블리스터링 값 (mm2 당 기포) | ||||||||
블리스터링 LCD A - 1200C-8h | 4 | <1 | <1 | 3 | ||||
블리스터링 LCD A - 1200C-360h | <1 | <1 |
실시예들 1-8은 지르콘 및 기타 성분들을 포함하는 미처리 원재료로부터 형성되었다. 본원에 기재된 실시태양들에서 개시된 바와 같이, 지르콘 원재료는 Al2O3 함유 성분 (알루미나 또는 멀라이트), SiO2 및, 소정의 예시들에서, 소결 조제와 조합되어 회분을 형성한다. 이후 조합된 재료를 건식 혼합하고 회분 혼합물을 실온 및 100MPa 내지 180MPa의 냉간 등방압 압축기에서 블록 형상으로 압축하였다. 이후 블록을 최대 온도 1600 ℃에서 28h 동안 소결하였다.
표 2는 실시예 9-18에 대한 지르콘 회분 조성, 성형된 지르콘 몸체 재료의 성분 조성 및 성형된 지르콘 몸체 재료의 측정 물성, 예컨대 4-점 굽힘 시험을 이용한 크리프 변형 속도, 단기 블리스터 값들 및 장기 블리스터 값들을 요약한다. 실시예들 9-18은 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 몸체 재료의 실시예들이다.
표 2 - 실시예 지르콘 재료
실시예 번호 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
지르콘 혼합물 성분들 (총 혼합물의 wt.%) | ||||||||||
ZrSiO4 | 94.30 | 95.80 | ||||||||
ZrSiO4 - 1.5%SiO2 | 94.00 | 96.00 | 96.20 | 98.20 | ||||||
Ta2O5 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | |||||
Al2O3 | 0.20 | 1.30 | 1.30 | 0.20 | ||||||
SiO2 | 1.50 | 0.50 | 0.50 | |||||||
GeO2 | ||||||||||
TiO2 | ||||||||||
Yb2O3 | ||||||||||
Y2O3 | ||||||||||
멀라이트 | 3.00 | 5.00 | 3.00 | 1.00 | 3.00 | |||||
YAG | ||||||||||
총 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | ||||
성형된 지르콘 몸체에서 WT % | ||||||||||
ZrO2 | 60.71 | 59.16 | 59.16 | 62.55 | 65.98 | 62.72 | 61.88 | 61.62 | 63.51 | 60.23 |
SiO2 | 33.50 | 33.90 | 33.90 | 32.00 | 30.60 | 31.99 | 33.05 | 32.92 | 32.38 | 30.75 |
Ta2O5 | 0.91 | 0.97 | 0.97 | 0.97 | 0.03 | 1.00 | 0.80 | 1.20 | ||
Al2O3 | 2.68 | 3.90 | 3.90 | 2.12 | 1.40 | 2.63 | 2.63 | 2.62 | 2.43 | 3.92 |
TiO2 | 0.09 | 0.15 | 0.15 | 0.05 | 0.05 | 0.10 | 0.09 | 0.09 | 0.10 | 0.09 |
Yb2O3 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | 3.50 | |||
Y2O3 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 |
P2O5 | 0.18 | 0.34 | 0.34 | 0.28 | 0.26 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 |
Fe2O3 | 0.27 | 0.12 | 0.12 | 0.49 | 0.31 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.1 |
HfO2 | 1.26 | 1.22 | 1.22 | 1.19 | 1.13 | 1.26 | 1.37 | 1.36 | 1.41 | 1.33 |
지르콘 몸체 특성 | ||||||||||
겉보기 기공률 (%) | 11.30 | 10.50 | 8.28 | 10.80 | 14.20 | 14.00 | 12.60 | 12.50 | 13.30 | 7.80 |
밀도 (g/cc) | 3.84 | 3.88 | 3.89 | 3.88 | 3.79 | 3.79 | 0.80 | 0.80 | 0.26 | 0.16 |
4-Pts 시험으로 측정된 크리프 변형 속도 (x1E-06/h) | ||||||||||
크리프 1275℃ / 2MPa | 4.0 | 4.2 | 3.9 | 3.3 | 2.9 | 4.0 | 3.2 | 8.7 | 9.0 | |
크리프 1300℃ / 2MPa | 5.6 | 8.1 | 7.1 | 7.9 | 10.8 | 7.0 | 8.2 | 7.2 | 11.4 | |
크리프 1325℃ / 2MPa | 12.9 | 19.3 | 17.3 | 17.2 | 17.0 | 15.0 | 16.4 | 15.6 | 15.9 | 21.8 |
크리프 1350℃ / 2MPa | 28.2 | 37.0 | 35.6 | 26.6 | 32.2 | 29.2 | 33.9 | 27.8 | 38.6 | |
단기 판 블리스터링 값 (mm2 당 기포) | ||||||||||
블리스터링 LCD A - 1200C-8h | <1 | <1 | 2 | |||||||
장기 도가니 블리스터링 값 (mm2 당 기포) | ||||||||||
블리스터링 LCD A - 1200C-360h | <1 | <1 | <1 | <1 |
실시예들 9-18은 지르콘 및 기타 성분들을 포함하는 미처리 원재료로부터 형성되었다. 본원에 기재된 실시태양들에서 개시된 바와 같이, 지르콘 원재료는 Al2O3 함유 성분 (알루미나 또는 멀라이트), SiO2 및, 소정의 예시들에서, 소결 조제와 조합되어 회분을 형성한다. 이후 조합된 재료를 분무 건조하고 분무 조건된 과립들을 실온 및 100MPa 내지 180MPa의 냉간 등방압 압축기에서 블록 형상으로 압축하였다. 이후 블록을 최대 온도 1600 ℃에서 30h 동안 소결하였다.
또한 실시예 9의 성형된 지르콘 재료를 주사전자현미경 (SEM) 및 파장 분산형 X-선 분광학으로 분석하여 지르콘 재료에서 다중 Al2O3 풍부 상들의 조성물을 확인하고 계산하였다. 도 3은 파장 분산형 X-선 분광 맵(300)을 도시한 것이고 지르콘 재료에서 약 1 미크론보다 큰 Al2O3 풍부 상들 (301)의 존재를 보인다.
표 3은 실시예 9의 이들 3종의 Al2O3 풍부 상들의 조성을 요약한 것이다. 결과는 정규화되어 분석 성분들의 합은 100 wt.%이다.
표 3 - 실시예 9에서 Al2O3 풍부 상들의 조성
성분 (wt.%) | 1 | 2 | 3 |
SiO 2 | 28.31 | 34.64 | 29.88 |
Na 2 O | 0.02 | 0.07 | 0.01 |
Al 2 O 3 | 70.00 | 58.04 | 62.64 |
ZrO2 | 1.18 | 6.59 | 7.01 |
CaO | 0.01 | 0.06 | 0.01 |
MgO | 0.01 | 0.06 | 0.03 |
Fe 2 O 3 | 0.25 | 0.34 | 0.24 |
TiO 2 | 0.21 | 0.21 | 0.18 |
Ta 2 O 5 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
총 (wt.%) | 100.00 | 100.00 | 100.00 |
종래 실시예들로 돌아가, 다중 종래 조성물을 제조하고, 종래 성분 재료로 성형하여 시험하고 본원에 기재된 실시태양들에 의해 형성되는 지르콘 몸체 재료와 비교하였다.
표 4는 종래 실시예들 C1-C3에 대한 종래 혼합물 조성, 성형된 종래 재료의 성분 조성 및 성형된 종래 재료의 측정 물성, 예컨대 3-점 굽힘 시험을 이용한 크리프 변형 속도, 4-점 굽힘 시험을 이용한 크리프 변형 속도, 단기 블리스터 값들 및 장기 블리스터 값들을 요약한다.
표 4 - 실시예 종래 재료
실시예 번호 | C1 | C2 | C3 |
지르콘 혼합물 성분들 (총 혼합물의 wt.%) | |||
ZrSiO4 | 97.50 | ||
ZrSiO4 - 1.5%SiO2 | 99.00 | 99.00 | |
Ta2O5 | 1.00 | 1.00 | 1.00 |
Al2O3 | |||
SiO2 | 1.50 | ||
TiO2 | |||
Yb2O3 | |||
Y2O3 | |||
멀라이트 | |||
총 | 100.00 | 100.00 | 100.00 |
성형된 지르콘 재료 성분들 (총 재료의 wt.%) | |||
ZrO2+HfO2 | 64.10 | ||
ZrO2 | 62.84 | ||
SiO2 | 33.60 | ||
Ta2O5 | 0.95 | ||
Al2O3 | 0.44 | ||
TiO2 | 0.16 | ||
Yb2O3 | <0.1 | ||
Y2O3 | <0.1 | ||
P2O5 | 0.37 | ||
Fe2O3 | 0.12 | ||
HfO2 | 1.26 | ||
성형된 지르콘 재료 특성 | |||
겉보기 기공률 (%) | 2.50 | 5.50 | 4.20 |
밀도 (g/cc) | 4.24 | 4.20 | 4.13 |
3-Pts 시험으로 측정된 크리프 속도 (x1E-6/h) | |||
크리프 1300℃ / 2MPa | 72.0 | 40.0 | |
크리프 1325℃ / 2MPa | 74.2 | ||
크리프 1350℃ / 2MPa | 128.0 | 106.0 | |
4-Pts 시험으로 측정된 크리프 속도 (x1E-6/h) | |||
크리프 1275℃ / 2MPa | 6.0 | ||
크리프 1300℃ / 2MPa | 11.8 | ||
크리프 1325℃ / 2MPa | 27.4 | ||
크리프 1350℃ / 2MPa | 49.5 | ||
단기 블리스터링 값 (mm2 당 기포) | |||
블리스터링 LCD A - 1200C-8h | 12 | 8 | |
장기 블리스터링 값 (mm2 당 기포) | |||
블리스터링 LCD A - 1200C-360h | 1 |
종래 실시예들 C1 및 C2는 미처리 원재료 조합으로부터 형성되었다. 이후 조합된 재료를 건식 혼합하고 회분 혼합물을 실온 및 100MPa 내지 180MPa의 냉간 등방압 압축기에서 블록 형상으로 압축하였다. 이후 블록을 최대 온도 1600 ℃에서 30h 동안 소결하였다. 종래 실시예 C3은 미처리 원재료 조합으로부터 형성되었다. 이후 조합된 재료를 분무 건조하고 분무 조건된 과립들을 실온 및 100MPa 내지 180MPa의 냉간 등방압 압축기에서 블록 형상으로 압축하였다. 이후 블록을 최대 온도 1600 ℃에서 30h 동안 소결하였다.
또한 실시예 C3의 성형된 종래 재료를 주사전자현미경 (SEM) 및 파장 분산형 X-선 분광학으로 분석하였다. 도 4는 입계상들 (401)을 가지는 파장 분산형 X-선 분광 맵 (400)을 도시한 것이다. 도 4는 실시예 C3의 종래 재료에서 약 1 미크론보다 큰 Al2O3 풍부 상들을 보이지 않는다.
표 5는 도 4의 파장 분산형 X-선 분광 맵(400)에서 보이는 실시예 C3의 입계상들 (401) 조성을 요약한 것이다. 결과는 정규화되어 분석 성분들의 합은 100 wt.%이다.
표 5 - 실시예 C3의 입계상들 조성
성분 (wt.%) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
SiO 2 | 74.22 | 80.07 | 75.99 | 81.36 | 82.08 | 73.00 | 77.55 | 71.94 | 76.68 | 79.23 |
Na 2 O | 0.09 | 0.30 | 0.33 | 0.42 | 0.33 | 0.57 | 0.39 | 0.44 | 0.44 | 0.41 |
Al 2 O 3 | 7.95 | 7.35 | 7.71 | 8.06 | 8.23 | 7.21 | 7.81 | 7.42 | 7.42 | 7.83 |
ZrO2 | 10.56 | 5.38 | 9.02 | 1.83 | 1.79 | 9.21 | 6.06 | 13.41 | 2.53 | 4.87 |
CaO | 1.64 | 1.53 | 1.51 | 1.49 | 1.56 | 1.40 | 1.67 | 1.51 | 1.40 | 1.62 |
MgO | 0.53 | 0.42 | 0.48 | 0.55 | 0.51 | 0.61 | 0.55 | 0.50 | 0.73 | 0.55 |
Fe 2 O 3 | 0.17 | 0.14 | 0.17 | 0.25 | 0.17 | 0.48 | 0.21 | 0.15 | 0.69 | 0.19 |
TiO 2 | 0.60 | 0.58 | 0.50 | 0.65 | 0.57 | 0.83 | 0.64 | 0.47 | 1.09 | 0.68 |
Ta 2 O 5 | 3.91 | 3.96 | 3.96 | 5.08 | 4.38 | 6.36 | 4.75 | 3.82 | 8.81 | 4.38 |
P 2 O 5 | 0.34 | 0.26 | 0.36 | 0.31 | 0.39 | 0.33 | 0.40 | 0.35 | 0.23 | 0.24 |
총 (wt.%) | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 |
본원은 본 분야의 기술 상태에서 벗어난 것이다. 특히, 본원의 실시태양들은 종래 방법에 의해 형성되는 지르콘 부품보다 개선되고 예기치 못한 효능을 보인다. 특정 이론에 구속되지 않고, 지르콘 원재료 혼합물 및 성형된 지르콘 몸체 재료에서 소정 재료의 조합, 예를들면, 알루미나 함유 조성물 함량, SiO2함량, 소결 조제 함량 및 이들 성분의 상호 비율은 특유한 특징부들의 조합, 예컨대 제한되지는 않지만, 고온에서 낮은 크리프 변형 속도, 낮은 블리스터링 값, 대형 Al2O3 풍부 입계상들, 유리 실리카 분포, 최종 성형된 지르콘 성분에서 유리 실리카 함량, 최종 성형된 지르콘 성분의 겉보기 기공률을 가지는 내화체 또는 성분들 형성을 구현한다는것을 제안한다.
포괄적인 설명 또는 실시예들에서 상기되는 모든 작용들이 요구되지는 않으며, 특정한 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 다른 작용이 기술된 것들에 추가하여 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 게다가, 작용들이 나열되는 순서가 반드시 이들이 실행되는 순서일 필요는 없다. 본원 실시태양들의 특성 또는 특징의 임의 값들은 통계적으로 연관되는 샘플 크기로부터 유도되는 평균 또는 중간 값들을 나타낸다. 달리 언급되지 않는 한, 조성은 총 100% 기준이고 및 성분들 총 함량은 100%를 초과하지 않는다.
상기 명세서에서, 특정 실시태양들을 참고하여 개념을 설명하였다. 그러나, 당업자는 하기 발명의 범위에서 벗어나지 않고도 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적이 아닌 예시적인 것으로 간주되고, 이러한 모든 변형은 본 발명의 범위에 포괄될 의도이다.
본원에서 사용되는 용어 "구성한다(comprises)", "구성하는(comprising)", "포함한다(includes)", "포함하는(including)", "가진다(has)", 가지는(having)" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 커버하기 위한 것이다. 예를들면, 특징부들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는 반드시 이러한 특징부들에만 한정될 필요는 없으며 명시적으로 열거되지 않거나 이와 같은 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 고유한 다른 특징부들을 포함할 수 있다. 게다가, 명시적으로 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 의미의 "또는"을 가리키며 배타적인 의미의 "또는"을 가리키지 않는다. 예를들면, 조건 A 또는 B는 다음 중의 어느 하나에 의해 만족된다: A가 참이고 (또는 존재하고) B는 거짓이며 (또는 존재하지 않으며), A가 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B는 참이며 (또는 존재하며), A와 B 모두가 참 (또는 존재한다)이다.
또한, "하나의 (a)" 또는 "하나의 (an)"은 여기에서 설명되는 요소들과 구성요소들을 설명하는데 사용된다. 이는 단지 편의성을 위해 그리고 본 발명의 범위의 일반적인 의미를 부여하기 위해 행해진다. 이 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 다르게 의미한다는 것이 명백하지 않다면 단수는 또한 복수를 포함한다.
장점들, 다른 이점들, 및 문제점들에 대한 해결방안이 특정한 실시태양들과 관련하여 상기되었다. 그러나, 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결방안, 및 임의의 장점, 이점, 또는 해결방안을 발생하게 하거나 더 현저하게 할 수 있는 임의의 특징(들)이 청구항들의 일부 또는 전부의 중요하거나, 요구되거나, 또는 필수적인 특징으로 해석되지 말아야 한다.
본 명세서를 읽은 후, 당업자는 본원에서 명료성을 위하여 별도 실시태양들로 기재된 소정의 특징부들이 단일 실시태양으로 조합되어 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 역으로, 간결성을 위하여 단일 실시태양으로 기재된 다양한 특징부들이 별도 또는 임의의 부조합으로 제공될 수 있는 것이다. 또한, 범위로 언급된 수치들은 범위 내에서 각각 및 모든 값을 포함하는 것이다.
Claims (15)
- 내화체로서:
지르콘 몸체를 포함하고, 상기 지르콘 몸체는:
상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 1.5 wt.% 내지 3.5 wt.% 이하의 Al2O3;
상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 25 wt.% 내지 35 wt.% 이하의 SiO2 성분;
상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 0.1 wt.%의 Ta2O5; 및
적어도 10의 비율 CBSiO2/CBAlC를 포함하고, 여기서, CBSiO2 는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 상기 SiO2 성분의 함량을 나타내고, CBAlC 는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분의 함량을 나타내는, 내화체. - 제1항에 있어서, 1350℃의 온도 및 2 MPa 응력에서 4점 굽힘 시험으로 측정될 때 상기 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 5.0 E -5 h-1 이하인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체의 지르콘 함량은 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 50 wt.%인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 1.6 wt.% 내지 3.5 wt.% 이하의 Al2O3를 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 30 wt.% 내지 34 wt.% 이하의 SiO2 성분을 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 3.0 wt.% 이하의 Ta2O5를 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 적어도 0.2 wt.%의 Ta2O5를 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 1.0 wt.% 이하의 TiO2를 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 1.0 wt.% 이하의 CaO를 포함하는, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 1350℃의 온도 및 2 MPa 응력에서 3점 굽힘 시험으로 측정될 때 상기 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 1.0 E -4 h-1 이하인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 1350℃의 온도 및 2 MPa 응력에서 4점 굽힘 시험으로 측정될 때 상기 지르콘 몸체의 크리프 변형 속도는 4.9 E -5 h-1 이하인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체의 밀도는 4.5 g/cm3 이하인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지르콘 몸체의 겉보기 기공률은 상기 지르콘 몸체 총 부피에 대하여 15 vol.% 이하인, 내화체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 1200℃의 온도에서 360 시간 후 측정될 때 상기 지르콘 몸체의 블리스터링 값은 mm2 당 1 기포 이하인, 내화체.
- 내화체 성형 방법으로서:
지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 1.5 wt.% 내지 3.5 wt.% 이하의 Al2O3 함유 성분; 및 지르콘 회분 총 중량에 대하여 적어도 0.1 wt.% 내지 5 wt.% 이하의 유리 실리카를 포함하는 지르콘 회분을 제공하는 단계; 및
상기 지르콘 회분을 지르콘 몸체로 성형하는 단계를 포함하고,
상기 지르콘 몸체는 적어도 10의 비율 CBSiO2/CBAlC를 포함하고, 여기서, CBSiO2 는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 SiO2 성분의 함량을 나타내고, CBAlC 는 상기 지르콘 몸체 총 중량에 대하여 wt.% 단위의 Al2O3 함유 성분의 함량을 나타내는, 내화체 성형 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461973133P | 2014-03-31 | 2014-03-31 | |
US61/973,133 | 2014-03-31 | ||
PCT/US2015/023497 WO2015153551A1 (en) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | Sintered zircon material for forming block |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197005141A Division KR102108851B1 (ko) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | 성형 블록용 소결 지르콘 재료 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160136354A KR20160136354A (ko) | 2016-11-29 |
KR101952652B1 true KR101952652B1 (ko) | 2019-02-27 |
Family
ID=54189361
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167028802A KR101952652B1 (ko) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | 성형 블록용 소결 지르콘 재료 |
KR1020197005141A KR102108851B1 (ko) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | 성형 블록용 소결 지르콘 재료 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197005141A KR102108851B1 (ko) | 2014-03-31 | 2015-03-31 | 성형 블록용 소결 지르콘 재료 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9809500B2 (ko) |
EP (1) | EP3126309B1 (ko) |
JP (3) | JP6383432B2 (ko) |
KR (2) | KR101952652B1 (ko) |
CN (2) | CN114031397A (ko) |
HU (1) | HUE055322T2 (ko) |
MY (1) | MY176416A (ko) |
RU (1) | RU2663756C2 (ko) |
TW (1) | TWI628153B (ko) |
WO (1) | WO2015153551A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11465940B2 (en) | 2014-03-31 | 2022-10-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sintered zircon material for forming block |
US10308556B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-06-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sintered zircon material for forming block |
FR3059998B1 (fr) * | 2016-12-14 | 2022-07-15 | Saint Gobain Ct Recherches | Beton fritte a base de zircon |
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-
2015
- 2015-03-31 KR KR1020167028802A patent/KR101952652B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-31 CN CN202111346708.9A patent/CN114031397A/zh active Pending
- 2015-03-31 EP EP15772776.9A patent/EP3126309B1/en active Active
- 2015-03-31 WO PCT/US2015/023497 patent/WO2015153551A1/en active Application Filing
- 2015-03-31 US US14/674,263 patent/US9809500B2/en active Active
- 2015-03-31 KR KR1020197005141A patent/KR102108851B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-31 RU RU2016140099A patent/RU2663756C2/ru active
- 2015-03-31 MY MYPI2016703440A patent/MY176416A/en unknown
- 2015-03-31 CN CN201580015735.4A patent/CN106103382A/zh active Pending
- 2015-03-31 TW TW104110550A patent/TWI628153B/zh active
- 2015-03-31 JP JP2016558400A patent/JP6383432B2/ja active Active
- 2015-03-31 HU HUE15772776A patent/HUE055322T2/hu unknown
-
2018
- 2018-08-03 JP JP2018146791A patent/JP6661873B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-22 JP JP2020008578A patent/JP7032458B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017514777A (ja) | 2017-06-08 |
TW201536714A (zh) | 2015-10-01 |
KR20160136354A (ko) | 2016-11-29 |
TWI628153B (zh) | 2018-07-01 |
WO2015153551A1 (en) | 2015-10-08 |
US20150274599A1 (en) | 2015-10-01 |
RU2663756C2 (ru) | 2018-08-09 |
RU2016140099A (ru) | 2018-04-13 |
JP2020097520A (ja) | 2020-06-25 |
CN106103382A (zh) | 2016-11-09 |
JP7032458B2 (ja) | 2022-03-08 |
MY176416A (en) | 2020-08-06 |
CN114031397A (zh) | 2022-02-11 |
JP2018197189A (ja) | 2018-12-13 |
EP3126309B1 (en) | 2021-04-28 |
JP6661873B2 (ja) | 2020-03-11 |
EP3126309A1 (en) | 2017-02-08 |
US9809500B2 (en) | 2017-11-07 |
EP3126309A4 (en) | 2018-01-03 |
HUE055322T2 (hu) | 2021-11-29 |
JP6383432B2 (ja) | 2018-08-29 |
KR102108851B1 (ko) | 2020-05-12 |
KR20190022904A (ko) | 2019-03-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |