KR101942967B1 - 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 - Google Patents

실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101942967B1
KR101942967B1 KR1020120144807A KR20120144807A KR101942967B1 KR 101942967 B1 KR101942967 B1 KR 101942967B1 KR 1020120144807 A KR1020120144807 A KR 1020120144807A KR 20120144807 A KR20120144807 A KR 20120144807A KR 101942967 B1 KR101942967 B1 KR 101942967B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
siloxane
based monomer
layer
dangling bond
Prior art date
Application number
KR1020120144807A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140076358A (ko
Inventor
이정엽
선우문욱
황준식
문창렬
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120144807A priority Critical patent/KR101942967B1/ko
Priority to US13/866,389 priority patent/US20140162053A1/en
Publication of KR20140076358A publication Critical patent/KR20140076358A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101942967B1 publication Critical patent/KR101942967B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/302—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0008—Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/10—Interconnection of layers at least one layer having inter-reactive properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/8258—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L21/8206, H01L21/8213, H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/16—Drying; Softening; Cleaning
    • B32B38/162—Cleaning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Abstract

실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체는 제1 기판 및 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접착시키는 실록산계 단량체층을 포함한다. 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판일 수 있다.

Description

실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법{Bonded substrate structure using siloxane-based monomer and method of fabricating the same}
개시된 실시예는 실록산계 단량체를 이용하여 두 기판을 본딩한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 그래핀 등을 포함하는 경우, 대략 100℃ 이하의 저온 웨이퍼 본딩이 필요하며, 본딩 후의 웨이퍼 접합 구조체는 전극 형성공정 등을 위해 대략 900℃ 이상의 고온에서 형태가 변하지 않아야 한다.
또한, 본딩 계면은 전기 누설을 방지하기 위해서 절연물질이 형성되어야 한다.
종래에는 두 장의 웨이퍼를 접합하기 위해 에폭시계 접착제, 우레탄계 접착제, 실리콘(silicone)계 접착제 등이 사용된다. 이러한 접착제를 하나의 웨이퍼 위에 도포한 후, 다른 웨이퍼를 그 위에 밀착하여 웨이퍼 본딩을 할 수 있다. 접착제와 웨이퍼의 열 팽창율 계수의 차이와 접착제의 두꺼운 두께로 인해 고온에서 본딩된 구조체가 휘어지는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 접착 강도가 낮을 수 있으며, 저온에서 경화시간이 길어질 수 있다.
본 개시는 저온에서 웨이퍼들 사이의 본딩력이 강한 실록산 단량체를 이용하여 본딩된 접합 구조체 및 그 제조방법을 제공한다.
일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체는:
제1 기판 및 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접착시키는 실록산계 단량체층;을 포함하며,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판이다.
상기 실록산계 단량체층은 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산을 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 실록산계 단량체층은 1nm ~ 30nm 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 기판은 산소 플라즈마 처리되어서 그 상면에 제1 댕글링 본드를 포함하며, 상기 실록산계 단량체층은 상기 제1 댕글링 본드와 결합하여 상기 제1 기판에 밀착되며,
상기 실록산계 단량체는 상기 제2 기판과 밀착되는 쪽이 산소 플라즈마 처리되어서 제2 댕글링 본드를 포함하며, 상기 제2 댕글링 본드는 상기 제2 기판과 결합할 수 있다.
일 국면에 따르면, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 그 상면에 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층이 형성된 기판일 수 있다.
상기 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 또는 메탈로 이루어질 수 있다.
다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법은:
제1 기판의 제1면에 제1 댕글링 본드를 형성하는 표면처리 단계;
상기 제1면 상으로 실록산 액체를 도포하는 단계;
상기 제1면 상을 세정하여 상기 제1면 상에 상기 제1 댕글링 본드와 결합한 실록산계 단량체 층을 형성하는 단계;
상기 실록산계 단량체 층의 표면에 제2 댕글링 본드를 형성하는 단계; 및
제2 기판을 상기 실록산계 단량체 층 상으로 접착시키는 단계;를 포함하며,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각 실리콘 또는 실리콘 옥사이드로 이루어진다.
상기 제1 댕글링 본드를 형성하는 단계는 산소 플라즈마로 상기 제1면을 표면처리하는 단계일 수 있다.
상기 실록산 액체 도포 단계는, 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산을 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 도포하는 단계일 수 있다.
상기 실록산 액체 도포 단계는, 상기 실록산 액체를 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 댕글링 본드를 형성하는 단계는 상기 실록산계 단량체 층의 표면을 산소 플라즈마로 표면처리하는 단계를 포함한다.
상기 접착단계는 상기 제2 기판의 제2면을 산소 플라즈마로 표면처리하여 상기 제2면에 제3 댕글링 본드를 형성한 후, 상기 제2면을 상기 실록산계 단량체층 상으로 접착하는 단계일 수 있다.
상기 접착단계는 진공챔버 내에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 대해서 기계적 압력을 가하는 단계일 수 있다.
일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체는 공유결합으로 두 기판이 접합되어서 강한 접착력을 가진다.
두 기판 사이에 실록산계 단량체층은 수 nm ~ 수 십 nm 두께를 가지므로, 기판과 단량체층 사이의 열팽창률 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 문제가 크게 발생되지 않는다.
또한, 단량체층은 후술되는 고온 공정, 예컨대 900℃ 이상의 고온에서도 변형이 일어나지 않으므로, 기판의 재질에 따라 접합 기판 구조체에 고온 공정을 적용할 수 있다.
또한, 제1 기판 및 제2 기판이 실록산계 단량체층으로 밀착되므로, 제1 기판 및 제2 기판 사이의 오염 문제가 거의 발생되지 않는다.
제조방법의 일 실시에에 따르면, 저온에서 기판들이 본딩되므로, 기판 상에 형성되는 그래핀, 플라스틱, 폴리머 등 열에 약한 물질들이 본딩 공정 중 손상되지 않는다.
도 1은 일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 또 다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4f는 또 다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
이하에서, "상부" 또는 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(100)를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 두 개의 웨이퍼 사이에 실록산계 단량체층(130)이 개재되어 있다. 이하에서는, 편의상 웨이퍼를 기판으로도 칭한다. 제1 기판(110) 상에 실록산계 단량체층(130)이 부착되어 있으며, 실록산계 단량체층(130) 상에 제2 기판(120)이 부착되어 있다. 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)은 각각 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판일 수 있다. 또한, 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)은 각각 실리콘 기판 상에 실리콘 옥사이드층이 형성된 기판일 수 있다.
제1 기판(110)은 상면인 제1면(112)이 산소 플라즈마로 표면처리가 되어서 제1면(112)에 복수의 제1 댕글링 본드(141)가 생긴다. 제1 댕글링 본드(141)는 실록산계 단량체층(130)의 실록산계 단량체와 공유결합을 한다. 이 공유결합으로 실록산계 단량체층(130)은 제1 기판(110) 상에 강하게 부착된다.
실록산계 단량체층(130)은 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산 등으로 형성될 수 있다. 도 1에는 디메틸 실록산으로 이루어진 단량체층(130)을 도시하였다.
실록산계 단량체층(130)은 하나의 단량체로 이루어진 경우 대략 1nm 두께로 형성된다. 실록산계 단량체층(130)이 선형 사슬 단량체(linear chain monomers)로도 이루어질 수 있다. 실록산 단량체층(130)이 대략 30개의 선행 사슬로 이루어진 경우, 실록산 단량체층(130)은 대략 30nm 두께로 형성될 수 있다. 실록산 단량체층(130)이 30nm 보다 더 두꺼울 경우 폴리머 특성이 발현되어서 열팽창으로 인한 구조체(100)의 변형이 일어날 수 있다.
실록산계 단량체층(130)은 제2 기판(120)과 밀착되는 쪽이 산소 플라즈마 처리되어서 복수의 제2 댕글링 본드(142)가 형성되며, 제2 기판(120)의 제2면(122)은 제2 댕글링 본드(142)와 강한 공유결합을 할 수 있다.
일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(100)는 공유결합으로 두 기판이 접합되어서 강한 접착력을 가진다. 예컨대, 20 MPa 이상의 전단 강도(shear strength)를 가진다.
두 기판 사이에 실록산계 단량체층(130)은 수 nm ~ 수 십 nm두께를 가지므로, 기판(110, 120)과 단량체층(130) 사이의 열팽창률 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 문제가 크게 발생되지 않는다. 또한, 단량체층(130)은 후술되는 고온 공정, 예컨대 900℃ 이상의 고온에서도 변형이 일어나지 않으므로, 고온 공정을 적용할 수 있다.
또한, 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)이 실록산계 단량체층(130)으로 밀착되므로, 제1 기판(110) 및 제2 기판(120) 사이의 오염 문제가 거의 발생되지 않는다.
도 2는 일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(200)를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 두 개의 웨이퍼 사이에 실록산계 단량체층(230)이 개재되어 있다. 이하에서는, 편의상 웨이퍼를 기판으로도 칭한다.
제1 기판(210) 및 제2 기판(220)은 각각, 비 실리콘계 기판일 수 있다. 제1 기판(210) 상에 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층으로 이루어진 제1층(211)이 형성되어 있다. 제1 기판(210)은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드를 제외한 기판일 수 있다. 제1 기판(210)은 GaN, GaAs 등과 같은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 메탈은 예컨대 알루미늄, 구리, 니켈 등일 수 있다. 플라스틱은 예컨대 폴리에틸렌, 폴리이미드, 폴리시티렌 등일 수 있다.
제2 기판(220)은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드를 제외한 기판일 수 있다. 제2 기판(220)은 GaN, GaAs 등과 같은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈 등으로 이루어질 수 있다. 제2 기판(220) 상에는 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층으로 이루어진 제2층(221)이 형성될 수 있다.
제1층(211) 상에 실록산계 단량체층(230)이 부착되어 있으며, 실록산계 단량체층(230) 상에 제2층(221)이 부착되어 있다.
제1층(211)은 접촉면인 제1면(212)이 산소 플라즈마로 표면처리가 되어서 제1면(212)에 제1 댕글링 본드(241)가 형성되어 있다. 제1 댕글링 본드는 실록산계 단량체층(230)의 실록산계 단량체와 공유결합을 한다. 이 공유결합으로 실록산계 단량체층(230)은 제1 기판(210) 상에 강하게 부착된다.
실록산계 단량체층(230)은 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산 등으로 형성될 수 있다. 도 2에는 디메틸 실록산으로 이루어진 단량체층(230)을 도시하였다.
실록산계 단량체층(230)은 하나의 단량체로 이루어진 경우 대략 1nm 두께로 형성된다. 실록산계 단량체층(230)이 선형 사슬 단량체(linear chain monomers)로도 이루어질 수 있다. 실록산 단량체층(230)이 대략 30개의 선행 사슬로 이루어진 경우, 실록산 단량체층(230)은 대략 30nm 두께로 형성될 수 있다. 실록산 단량체층(230)이 30nm 보다 더 두꺼울 경우 폴리머 특성이 발현되어서 열팽창으로 인한 구조체(200)의 변형이 일어날 수 있다.
실록산계 단량체층(230)은 제2 기판(220) 상의 제2층(221)과 밀착되는 쪽이 산소 플라즈마 처리되어서 제2 댕글링 본드(242)가 형성되며, 제2층(221)의 제2면(222)은 제2 댕글링 본드(242)와 강한 공유결합을 할 수 있다.
일 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(200)는 그 접촉면에 각각 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층이 형성된 비 실리콘계 기판의 접합에 이용될 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 또 다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(300)를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 도면이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 제1 기판(310)을 준비한다. 제1 기판(310)은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드로 이루어질 수 있다. 또한, 실리콘 기판 상에 실리콘 옥사이드층이 형성될 수도 있다.
제1 기판(310)의 제1면(312)을 산소 플라즈마로 표면처리하여 제1면(312)에 복수의 제1 댕글링 본드(341)를 형성한다.
산소 플라즈마는 대략 20~60W 파워로 수행될 수 있다. 산소 플라즈마 파워가 20W 보다 낮은 경우 플라즈마가 생기지 않을 수 있다. 산소 플라즈마 파워가 60W 보다 크면 과다한 산소가 댕글링 본드와 결합하며, 결과적으로 댕글링 본드수가 감소할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 제1 기판(310)의 제1면(312) 상으로 실록산 액체(siloxane liquid)(350)를 도포한다. 실록산 액체는 디메틸 실록산 단량체, 메틸-페닐 실록산 단량체, 및 메틸-비닐 실록산 단량체 등으로 이루어질 수 있다. 도 3b에서는 실록산 액체(350)가 디메틸 실록산 단량체로 이루어진 것을 도시하였다.
제1 기판(310)을 상온에서 24시간 또는 대략 80℃에서 대략 1시간 배치하여 실록산 액체(350)를 경화시킨다. 경화과정에서 실록산 액체(350)는 제1 댕글링 본드(341)와 공유결합하는 실록산계 단량체층(330)과, 단량체층(330) 상의 실록산계 단량체들(352)를 포함한다. 실록산계 단량체층(330) 상의 실록산계 단량체들(352)은 단량체층(330)과 약한 결합력을 가진다.
도 3c를 참조하면, 제1 기판(310)의 제1면(312)을 아세톤과 IPA (Iso Propyl Alcohol)의 혼합액으로 클리닝한다. 제1 기판(310)의 제1면(312) 상에서 실록산 단량체층(330)과 약한 결합력을 가진 실록산계 단량체들(352)이 제거된다. 결과적으로, 제1 기판(310)의 제1면(312) 상에 실록산계 단량체층(330)만이 형성될 수 있다.
실록산계 단량체층(330)은 하나의 단량체로 이루어진 경우 대략 1nm 두께로 형성되며, 선형 사슬 단량체로도 이루어질 수 있다. 실록산 단량체층(330)이 대략 30개의 사슬로 이루어진 경우, 실록산 단량체층(330)은 대략 30nm 두께로 형성될 수 있다. 실록산 단량체층(330)이 30nm 보다 더 두껍게 형성시 폴리머 특성이 발현되어 기판과의 열팽창률 차이로 구조체(300)의 변형을 가져올 수 있다.
도 3d를 참조하면, 실록산 단량체층(330) 표면을 산소 플라즈마 처리한다. 대략 25W 파워로 표면처리를 수행할 수 있다. 실록산 단량체층(330)의 표면에 제2 댕글링 본드(342)들이 형성된다.
도 3e를 참조하면, 제2 기판(320)의 제2면(322)인 접촉면을 제1 기판(310)의 제1면(312)에 대향되게 하여, 대략 2 mtorr 진공 상태에서 제1 기판(310) 및 제2 기판(320)에 대해서 화살표로 표시된 방향으로 기계적으로 압력을 가하여 본딩한다. 기계적 압력은 대략 100N 압력으로 1시간 동안 가압할 수 있다. 진공 상태에서 본딩시 제1 기판(310) 및 제2 기판(320) 사이의 기포 형성을 방지할 수 있다.
한편, 제2 기판(320)의 제2면에 사전에 산소 플라즈마 처리를 하여 제2면에 제3 댕글링 본드들을 미리 형성한 후, 상기 본딩공정을 수행할 수도 있다.
도 3f를 참조하면, 결과물을 상온에서 24시간 또는 대략 80℃에서 대략 1시간 배치하여 경화시킨다. 실록산 단량체층(330)의 제2 댕글링 본드(342)가 제2 기판(320)과도 실록산 액체를 경화시킨다. 경화과정에서 제 댕글링 본드(342)는 제2 기판(320)과 강한 공유결합을 한다. 제1 기판(310) 및 제2 기판(320)이 실록산계 단량체층(330)에 의해 강한 결합력으로 본딩되며, 결과적으로 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(300)가 제조된다.
제조방법의 일 실시예에 따르면, 저온에서 기판들이 본딩되므로, 기판 상에 형성되는 그래핀, 플라스틱, 폴리머 등 열에 약한 물질들이 본딩 공정 중 손상되지 않는다.
도 4a 내지 도 4f는 또 다른 실시예에 따른 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(400)를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 도면이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 제1 기판(410)을 준비한다. 제1 기판(410)은 비 실리콘계 기판(408)과 그 위의 제1층(409)을 포함한다. 제1층(409)은 비 실리콘계 기판(408) 상에 실리콘 또는 실리콘 옥사이드를 증착하여 형성될 수 있다. 증착방법으로는 스퍼터링 또는 증발법(evaporation)을 사용하는 물리적 기상 증착과, 화학적 기상 증착을 이용할 수 있다. 화학적 기상 증착시 표면에 수소가 생성될 수 있으며, 수소를 제거하기 위해서 400℃ 이상에서 열처리를 더 할 수 있다. 비 실리콘계 기판(408)은 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.
제1 기판(410)의 제1면(412)을 산소 플라즈마로 표면처리하여 제1면(412)에 복수의 제1 댕글링 본드(441)를 형성한다.
산소 플라즈마는 대략 20~60W 파워로 수행될 수 있다. 산소 플라즈마 파워가 20W 보다 낮은 경우 플라즈마가 생기지 않을 수 있다. 산소 플라즈마 파워가 60W 보다 크면 과다한 산소가 댕글링 본드와 결합하며, 결과적으로 댕글링 본드수가 감소할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제1 기판(410)의 제1면(412) 상으로 실록산 액체(siloxane liquid)(450)를 도포한다. 실록산 액체는 디메틸 실록산 단량체, 메틸-페닐 실록산 단량체, 및 메틸-비닐 실록산 단량체 등으로 이루어질 수 있다. 도 4b에서는 실록산 액체(450)가 디메틸 실록산 단량체로 이루어진 것을 도시하였다.
제1 기판(410)을 상온에서 24시간 또는 대략 80℃에서 대략 1시간 배치하여 실록산 액체(450)를 경화시킨다. 경화과정에서 실록산 액체(450)는 제1 댕글링 본드(441)와 공유결합하는 실록산계 단량체층(430)과, 단량체층(430) 상의 실록산계 단량체들(452)를 포함한다. 실록산계 단량체층(430) 상의 실록산계 단량체들(452)은 단량체층(430)과 약한 결합력을 가진다.
도 4c를 참조하면, 제1 기판(410)의 제1면(412)을 아세톤과 IPA (Iso Propyl Alcohol)의 혼합액으로 클리닝한다. 제1 기판(410)의 제1면(412) 상에서 실록산 단량체층(430)과 약한 결합력을 가진 실록산계 단량체들(452)이 제거된다. 결과적으로, 제1 기판(410)의 제1면(412) 상에 실록산계 단량체층(430)만이 형성될 수 있다.
실록산계 단량체층(430)은 하나의 단량체로 이루어진 경우 대략 1nm 두께로 형성되며, 선형 사슬 단량체로도 이루어질 수 있다. 실록산 단량체층(430)이 대략 30개의 사슬로 이루어진 경우, 실록산 단량체층(430)은 대략 30nm 두께로 형성될 수 있다. 실록산 단량체층(430)이 30nm 보다 더 두껍게 형성시 폴리머 특성이 발현되어 기판과의 열팽창률 차이로 구조체(400)의 변형을 가져올 수 있다.
도 4d를 참조하면, 실록산 단량체층(430) 표면을 산소 플라즈마 처리한다. 대략 25W 파워로 표면처리를 수행할 수 있다. 실록산 단량체층(430)의 표면에 제2 댕글링 본드(442)들이 형성된다.
도 4e를 참조하면, 제2 기판(420)을 준비한다. 제2 기판(420)은 비 실리콘계 기판(418) 및 그 위의 제2층(419)을 포함한다. 제2층(419)은 비 실리콘계 기판(418) 상에 실리콘 또는 실리콘 옥사이드를 증착하여 형성될 수 있다. 증착방법으로는 스퍼터링 또는 증발법 (evaporation) 을 사용하는 물리적 기상 증착과, 화학적 기상 증착을 이용할 수 있다. 화학적 기상 증착시 표면에 수소가 생성될 수 있으며, 수소를 제거하기 위해서 400℃ 이상에서 열처리를 더 할 수 있다. 비 실리콘계 기판(418)은 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.
제2 기판(420)의 제2면(422)인 접촉면을 제1 기판(410)의 제1면(412)에 대향되게 하여, 대략 2 mtorr 진공 상태에서 제1 기판(410) 및 제2 기판(420)에 대해서 화살표로 표시된 방향으로 기계적으로 압력을 가하여 본딩한다. 기계적 압력은 대략 100N 압력으로 1시간 동안 가압할 수 있다. 진공 상태에서 본딩시 제1 기판(410) 및 제2 기판(420) 사이의 기포 형성을 방지할 수 있다.
한편, 제2 기판(420)의 제2면에 사전에 산소 플라즈마 처리를 하여 제2면에 제3 댕글링 본드들을 미리 형성한 후, 상기 본딩공정을 수행할 수도 있다.
도 4f를 참조하면, 결과물을 상온에서 24시간 또는 대략 80℃에서 대략 1시간 배치하여 경화시킨다. 실록산 단량체층(430)의 제2 댕글링 본드(442)가 제2 기판(420)과도 실록산 액체를 경화시킨다. 경화과정에서 제 댕글링 본드(442)는 제2 기판(420)과 강한 공유결합을 한다. 제1 기판(410) 및 제2 기판(420)이 실록산계 단량체층(430)에 의해 강한 결합력으로 본딩되며, 결과적으로 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체(400)가 제조된다.
일 실시예는 실리콘-실리콘, 실리콘-실리콘 옥사이드, 실리콘 옥사이드-실리콘 옥사이드 사이의 본딩을 위해 실록산계 단량체를 사용한다. 도 4a 내지 도 4f에서는 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판을 제1 기판(410) 및 제2 기판(420)으로 사용하였으나, 이에 한정되지 않는다. 비 실리콘계 기판, 예컨대 GaN 와 같은 Ⅲ-Ⅴ반도체 기판 또는 메탈 기판을 준비하고, 그 표면 상에 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층을 비 실리콘계 기판 상에 증착하여 제1 기판(410) 또는 제2 기판(420)으로 사용할 수도 있다. 증착방법으로는 스퍼터링 또는 증발법 (evaporation) 을 사용하는 물리적 기상 증착과, 화학적 기상 증착을 이용할 수 있다. 화학적 기상 증착시 표면에 수소가 생성될 수 있으며, 수소를 제거하기 위해서 400℃ 이상에서 열처리를 더 할 수 있다. 실록산계 단량체를 이용하여 이러한 비 실리콘계 기판들을 접합하는 방법은 상술한 방법으로부터 잘 알 수 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체
110: 제1 기판 112: 제1면
120: 제2 기판 122: 제2면
130: 실록산계 단량체층 141: 제1 댕글링 본드
142: 제2 댕글링 본드

Claims (15)

  1. 제1 기판 및 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접착시키며 하나의 층인 실록산계 단량체층;을 포함하며,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판이며,
    상기 실록산계 단량체층은 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산을 포함하는 그룹으로부터 선택된 하나로 이루어진 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실록산계 단량체층은 1nm 두께를 가진 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 산소 플라즈마 처리되어서 그 상면에 제1 댕글링 본드를 포함하며, 상기 실록산계 단량체층은 상기 제1 댕글링 본드와 결합하여 상기 제1 기판에 밀착되며,
    상기 실록산계 단량체는 상기 제2 기판과 밀착되는 쪽이 산소 플라즈마 처리되어서 제2 댕글링 본드를 포함하며, 상기 제2 댕글링 본드는 상기 제2 기판과 결합하는 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 그 상면에 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층이 형성된 기판인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈, 플라스틱으로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체.
  7. 제1 기판의 제1면에 제1 댕글링 본드를 형성하는 표면처리 단계;
    상기 제1면 상으로 실록산 액체를 도포하는 단계;
    상기 실록산 액체를 경화시키는 단계;
    상기 제1면 상을 세정하여 상기 제1면 상에 상기 제1 댕글링 본드와 결합한 실록산계 단량체 층을 형성하는 단계;
    상기 실록산계 단량체 층의 표면에 제2 댕글링 본드를 형성하는 단계; 및
    제2 기판을 상기 실록산계 단량체 층 상으로 접착시키는 단계;를 포함하며,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각 실리콘 또는 실리콘 옥사이드로 이루어지며,
    상기 실록산 액체 도포 단계는, 디메틸 실록산, 메틸-페닐 실록산, 및 메틸-비닐 실록산을 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 도포하는 단계이며,
    상기 세정 단계는 상기 제1기판의 제1면 상에서 상기 실록산 단량체층과 약한 결합을 가지는 실록산계 단량체들을 제거하는 단계를 포함하며, 결과물인 상기 실록산 단량체층은 하나의 층인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 댕글링 본드를 형성하는 단계는 산소 플라즈마로 상기 제1면을 표면처리하는 단계인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 댕글링 본드를 형성하는 단계는 상기 실록산계 단량체 층의 표면을 산소 플라즈마로 표면처리하는 단계인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 접착단계는 상기 제2 기판의 제2면을 산소 플라즈마로 표면처리하여 상기 제2면에 제3 댕글링 본드를 형성한 후, 상기 제2면을 상기 실록산계 단량체층 상으로 접착하는 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 접착단계는 진공챔버 내에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 대해서 기계적 압력을 가하는 단계인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 그 상면에 실리콘층 또는 실리콘 옥사이드층이 형성된 기판인 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 메탈, 플라스틱으로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 제조방법.
KR1020120144807A 2012-12-12 2012-12-12 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 KR101942967B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120144807A KR101942967B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법
US13/866,389 US20140162053A1 (en) 2012-12-12 2013-04-19 Bonded substrate structure using siloxane-based monomer and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120144807A KR101942967B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140076358A KR20140076358A (ko) 2014-06-20
KR101942967B1 true KR101942967B1 (ko) 2019-01-28

Family

ID=50881252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120144807A KR101942967B1 (ko) 2012-12-12 2012-12-12 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140162053A1 (ko)
KR (1) KR101942967B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101953962B1 (ko) 2017-01-09 2019-03-04 서울대학교산학협력단 비아를 포함하는 신축성 기판 형성 방법 및 비아를 가지는 신축성 기판
KR101949575B1 (ko) * 2017-01-10 2019-02-18 서울대학교산학협력단 신축성 플랫폼 형성 방법 및 신축성 플랫폼
US20220274314A1 (en) * 2019-10-02 2022-09-01 Toyobo Co., Ltd. Apparatus for manufacturing laminate and method for manufacturing laminate
CN111192822B (zh) * 2020-01-10 2023-10-20 上海大学 硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法
TW202304706A (zh) * 2021-07-20 2023-02-01 日商東洋紡股份有限公司 積層體
TW202319233A (zh) * 2021-07-20 2023-05-16 日商東洋紡股份有限公司 積層體卷

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006505418A (ja) * 2002-11-08 2006-02-16 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 微小接合部付きコンポーネントの製造方法及び該製造方法により製造されたコンポーネント

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU3137097A (en) * 1996-05-16 1997-12-05 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Low temperature material bonding technique
JP2001156321A (ja) * 1999-03-09 2001-06-08 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6582985B2 (en) * 2000-12-27 2003-06-24 Honeywell International Inc. SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures
US6936491B2 (en) * 2003-06-04 2005-08-30 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts
JP2008013623A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物
JP2009035721A (ja) * 2007-07-11 2009-02-19 Seiko Epson Corp 接合膜付き基材、接合方法および接合体
JP2011505078A (ja) * 2007-11-28 2011-02-17 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノ構造有機太陽電池

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006505418A (ja) * 2002-11-08 2006-02-16 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 微小接合部付きコンポーネントの製造方法及び該製造方法により製造されたコンポーネント

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140076358A (ko) 2014-06-20
US20140162053A1 (en) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101942967B1 (ko) 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법
KR101458143B1 (ko) 처리방법, 특히, 웨이퍼의 얇은 배면 처리방법, 웨이퍼-캐리어 배열 및 상기 타입의 웨이퍼-캐리어 배열의 제조방법
US9679814B2 (en) Epitaxial lift off stack having a pre-curved handle and methods thereof
JP6778184B2 (ja) 低粗度金属層を介した直接接着のための方法
JP5676059B2 (ja) ２段階層移動方法
JP5704783B2 (ja) ウエハをボンディングするための処理及び装置
JP2009521813A (ja) 歪み薄膜の緩和方法
KR102096818B1 (ko) 층의 이착에 의한 유연성 구조체의 제조
TWI492275B (zh) The method of manufacturing the bonded substrate
KR20060028391A (ko) 실온 공유 결합 방법
JP2009500819A (ja) 酸化物もしくは窒化物の薄い結合層を堆積することによる基板の組み立て方法
KR20120112533A (ko) 접합 웨이퍼의 제조 방법
KR102046405B1 (ko) 소자 처리용 반도체-다이아몬드 웨이퍼의 부착 방법
KR102155074B1 (ko) 분자 접착에 의한 접합 방법
JP7309692B2 (ja) 半導体ウェハのハイブリッド接合方法及び関連する３次元集積デバイス
US20020134503A1 (en) Silicon wafers bonded to insulator substrates by low viscosity epoxy wicking
WO2016006640A1 (ja) ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び炭化珪素複合基板
CN103426725B (zh) 由锌金属和过氧化锌的反应性结合形成的层状结合的结构
CN103803488A (zh) 封装纳米结构组件和用于制作封装纳米结构组件的方法
US8039370B2 (en) Method of transferring a layer onto a liquid material
JP5613580B2 (ja) 基板の製造方法
JP2012519372A (ja) ドナー基板の引張り応力状態を低減させることを目的としたヘテロ構造を製造する方法
JP2013038316A (ja) Ｉｉｉ族窒化物層複合基板の製造方法
JP7475503B2 (ja) 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
WO2022168217A1 (ja) 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant