JP5704783B2 - ウエハをボンディングするための処理及び装置 - Google Patents
ウエハをボンディングするための処理及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5704783B2 JP5704783B2 JP2007319924A JP2007319924A JP5704783B2 JP 5704783 B2 JP5704783 B2 JP 5704783B2 JP 2007319924 A JP2007319924 A JP 2007319924A JP 2007319924 A JP2007319924 A JP 2007319924A JP 5704783 B2 JP5704783 B2 JP 5704783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure plate
- substrate
- contact surface
- semiconductor substrate
- lower pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000009824 pressure lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
Description
− 2枚の基板1、2、基板1、2を互いに固定するボンディング層3及び上側の加圧プレート6として基板1の上に積み入れられるさらなる基板を積み入れる工程。
− 処理チャンバ10を閉じる工程。
− 図示しない真空ラインを介して処理チャンバ10内を真空にする工程。
− 上側の加圧プレート6上に力が10Nから1000Nとなるように加熱手段8を降下する工程。
− 例えば350℃のボンディング温度まで加熱する工程。
− アクチュエータ9により1000Nから80000Nの間のボンディング力で上側の加熱手段8を押圧する工程。
− 1分から60分、特に10分から30分のドウェル時間の間、温度及び押圧を保持する工程。
− 20℃から300℃の間の搬出温度まで冷却する工程。
− アクチュエータ9により上側の加熱手段8を上昇させる工程。
− ボンディングされた基板1及び2を積み出す工程。
3 ボンディング手段(ボンディング層)
4,4’ 加熱コイル
5 下側の加圧プレート
5o,6o 基板接触面
6 上側の加圧プレート
7,8 加熱手段
9 アクチュエータ
10 処理チャンバ
Claims (9)
- 少なくとも2枚の半導体基板(1、2)をボンディングするための装置であって、
a)前記半導体基板(1、2)を保持し、圧力及び熱を前記半導体基板(1、2)に伝達するための下側の加圧プレート(5)と、
b)前記下側の加圧プレート(5)に対向して前記下側の加圧プレート(5)の上側に配置され、圧力及び熱を前記半導体基板(1、2)に伝達するための上側の加圧プレート(6)と、
c)前記半導体基板(1、2)を、100℃を超える温度まで加熱するために、前記下側の加圧プレート(5)の基板接触面(5o)とは反対側及び前記上側の加圧プレート(6)の基板接触面(6o)とは反対側にそれぞれ配設された加熱手段(7、8)と、
d)前記下側の加圧プレート(5)および/または上側の加圧プレート(6)に1000Nよりも高い押圧力Fをかけるための圧力付与手段(9)と、
を有し、
前記上側の加圧プレート(6)および/または前記下側の加圧プレート(5)は、前記半導体基板(1、2)を向く少なくとも1つの前記基板接触面(5o、6o)において、Ti及びMoの化学元素を実質的に含有しておらず、前記基板接触面(5o、6o)が前記半導体基板(1、2)の全体にわたって接触しており、
前記半導体基板(1、2)がボンディングされる間に、前記下側の加圧プレート(5)または上側の加圧プレート(6)によって一方向のみの押圧力Fがかけられていることを特徴とする装置。 - 前記上側の加圧プレート(6)および/または下側の加圧プレート(5)は、少なくとも前記基板接触面(5o、6o)において、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、K、Mn、Mo、Na、Ni、Al、V、Zn及びTiの化学元素を実質的に含有していないことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記基板接触面(6o)および/または前記基板接触面(5o)は、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、K、Mn、Mo、Na、Ni及びTiの化学元素のそれぞれが、50×10 10 atoms/cm 2 未満であり、かつ、Al、V及びZnの化学元素のそれぞれが、20×10 11 atoms/cm 2 未満で作製されていることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
- 前記基板接触面(6o)および/または前記基板接触面(5o)は、少なくとも実質的に金属イオンを含有していないことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記上側の加圧プレート(6)および/または下側の加圧プレート(5)は、前記半導体基板(1、2)と実質的に同一の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記上側の加圧プレート(6)および/または下側の加圧プレート(5)が、特定の前記基板接触面(5o、6o)と接触している前記基板(1、2)と同一のベース材料で形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の装置。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の装置を用いて、少なくとも2枚の前記半導体基板(1、2)をボンディングするための方法であって、
a)前記上側の加圧プレート(6)及び前記下側の加圧プレート(5)の間に前記半導体基板(1、2)を導入する工程と、
b)前記上側の加圧プレート(6)上にかかる力が10Nから1000Nとなるように、前記上側の加圧プレート(6)の前記基板接触面(6o)とは反対側の前記加熱手段(8)を降下する工程と、
c)前記加熱手段(7、8)を用いて前記半導体基板(1、2)を350℃の温度まで加熱する工程と、
d)前記圧力付与手段(9)により前記半導体基板(1、2)に1000Nから80000Nの間の押圧力Fをかける工程と、
を有し、
前記基板接触面(5o、6o)が前記半導体基板(1、2)の全体にわたって接触しており、
前記半導体基板(1、2)がボンディングされる間に、前記下側の加圧プレート(5)または上側の加圧プレート(6)によって一方向のみの押圧力Fがかけられていることを特徴とする方法。 - 前記押圧力Fを保持する工程が、1分から60分の間の継続時間で実行されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記押圧力Fを保持する工程が、10分から30分の間の継続時間で実行されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006058493.7 | 2006-12-12 | ||
DE102006058493A DE102006058493B4 (de) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Verfahren und Vorrichtung zum Bonden von Wafern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147676A JP2008147676A (ja) | 2008-06-26 |
JP5704783B2 true JP5704783B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=39399503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007319924A Active JP5704783B2 (ja) | 2006-12-12 | 2007-12-11 | ウエハをボンディングするための処理及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7547611B2 (ja) |
JP (1) | JP5704783B2 (ja) |
AT (1) | AT504567B1 (ja) |
DE (1) | DE102006058493B4 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090289097A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Weng-Jin Wu | Wafer Leveling-Bonding System Using Disposable Foils |
DE102008044200B4 (de) | 2008-11-28 | 2012-08-23 | Thin Materials Ag | Bonding-Verfahren |
US8425715B2 (en) * | 2010-04-12 | 2013-04-23 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for high throughput wafer bonding |
JP4831844B1 (ja) * | 2010-09-28 | 2011-12-07 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
JP2012079818A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Nikon Corp | 基板貼り合せ装置、加熱装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置 |
DE102011080929B4 (de) * | 2011-08-12 | 2014-07-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Leistungshalbleitermoduls |
DE102012111246A1 (de) * | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bonden |
WO2014168578A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Wafer bonding total thickness variation improvement by contour confinement method |
US10411152B2 (en) * | 2016-06-27 | 2019-09-10 | Merlin Solar Technologies, Inc. | Solar cell bonding |
DE102017125140B4 (de) * | 2017-10-26 | 2021-06-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil |
DE102022107462A1 (de) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | Pva Industrial Vacuum Systems Gmbh | Hochtemperatur-Fügeofen |
CN116960035A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-10-27 | 微纳动力(北京)科技有限责任公司 | 一种晶圆键合装置及晶圆键合系统 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195696A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 基板支持台及び基板処理装置 |
AT405700B (de) * | 1998-04-28 | 1999-10-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zum flächigen zusammendrücken zu verbindender scheibenförmiger elemente, sogenannter wafer bei der herstellung von halbleiterbausteinen |
US6008113A (en) * | 1998-05-19 | 1999-12-28 | Kavlico Corporation | Process for wafer bonding in a vacuum |
DE10200538B4 (de) * | 2002-01-09 | 2004-01-08 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum flächigen Zusammendrücken zu verbindender scheibenförmiger Elemente |
DE10242402A1 (de) * | 2002-09-12 | 2004-04-01 | Süss MicroTec Laboratory Equipment GmbH | Vorrichtung und Verfahren für das Verbinden von Objekten |
JP2004221447A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 貼り合わせ基板の製造装置及びこの装置を用いた貼り合わせ基板の製造方法 |
JP2005051055A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 貼合せ方法および貼合せ装置 |
JP2005047059A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 熱圧着装置 |
KR100571431B1 (ko) * | 2004-04-09 | 2006-04-14 | 박재근 | 기판 접착 장치 |
US7948034B2 (en) * | 2006-06-22 | 2011-05-24 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus and method for semiconductor bonding |
-
2006
- 2006-12-12 DE DE102006058493A patent/DE102006058493B4/de active Active
-
2007
- 2007-11-29 AT ATA1957/2007A patent/AT504567B1/de active
- 2007-12-10 US US11/953,553 patent/US7547611B2/en active Active
- 2007-12-11 JP JP2007319924A patent/JP5704783B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102006058493A1 (de) | 2008-06-19 |
DE102006058493B4 (de) | 2012-03-22 |
AT504567B1 (de) | 2015-05-15 |
AT504567A2 (de) | 2008-06-15 |
US7547611B2 (en) | 2009-06-16 |
JP2008147676A (ja) | 2008-06-26 |
AT504567A3 (de) | 2010-06-15 |
US20080153258A1 (en) | 2008-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5704783B2 (ja) | ウエハをボンディングするための処理及び装置 | |
US6908027B2 (en) | Complete device layer transfer without edge exclusion via direct wafer bonding and constrained bond-strengthening process | |
US8551291B2 (en) | Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers | |
JP5256407B2 (ja) | 接合方法およびこの方法により作成されるデバイス、接合装置並びにこの方法により接合される基板 | |
JP5571988B2 (ja) | 接合方法 | |
JP4831844B1 (ja) | 常温接合装置および常温接合方法 | |
CN100454481C (zh) | 支承板的粘贴装置 | |
JP2012524399A (ja) | 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングのための改善された装置 | |
TW201802869A (zh) | 基板貼合裝置及基板貼合方法 | |
WO2018221391A1 (ja) | 基板貼り合わせ方法、積層基板製造装置及び積層基板製造システム | |
JP6843232B2 (ja) | 2つの基板をボンディングするための装置および方法 | |
KR101942967B1 (ko) | 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 | |
JP6290222B2 (ja) | 基板をコーティングする方法及び基板を接合する方法 | |
JP2011071331A (ja) | 基板剥離方法及び基板剥離装置 | |
US7067200B2 (en) | Joined bodies and a method of producing the same | |
JP5255245B2 (ja) | サポートプレートの貼合方法 | |
JP6925160B2 (ja) | 接合装置 | |
KR101234358B1 (ko) | 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
JP2007242805A (ja) | 真空接合装置 | |
JP6032667B2 (ja) | 接合方法 | |
JP2007036130A (ja) | 熱膨張係数の差を利用した基板接合方法及び装置 | |
TWI630048B (zh) | Bonding device, bonding system, bonding method, and computer memory medium | |
TWI604536B (zh) | 用以基板接合之裝置及方法 | |
CN114496891A (zh) | 一种静电卡盘的集成装置及制造方法 | |
JP2016046355A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120424 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130517 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130524 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130802 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140218 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140530 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20141027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5704783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |