KR101942189B1 - 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치와 방법에 관한 것으로, 본 장치는 지그 회전 모터와 연통하는, 선형 이온 소스로부터 방출되는 산소 이온을 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분에 골고루 공급하기 위해서 각 공구를 회전시키는 기어 지그를 포함하며, 상기 선형 이온 소스는 상기 기어 지구에 장착된 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분의 위치에 따라서 상기 선형 이온 소스에서 배출된 산소 이온의 방향을 변경해서 설정되어 있다. 또한 본 장치를 이용해서 ta-C 코팅을 에칭하여 박리하는 방법에 관한 것이다. 본 장치와 방법에 따라서 고가의 비철금속 가공용 공구의 표면에 날카로운 또는 복잡한 형상을 날에 형성된 ta-C 코팅을 보다 완벽하게 박리할 수 있으며, 또한 박리 시간을 단축하여, 공정 단가를 현저히 낮출 수 있다.

Description

선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치 및 방법{Apparatus and method for stripping ta-C coating using a linear ion source}

선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 선형 이온 소스와 지그의 위치를 설정한 장치와 공정 변수의 설정하는 방법에 관한 것이다.

DLC(Diamond-Like Carbon) 코팅은 그 명칭과 같이 다이아몬드와 매우 유사한 높은 경도와 내마모성, 윤활성, 전기적 절연성, 화학적 안정성 그리고 적외선 영역의 광투과성 등의 물리화학적 특성을 보유한 탄소의 비정질 화합물의 코팅이다.

DLC코팅의 일반적 공정은 첫째로 Ar+이온과 같은 비활성 가스의 충돌 에너지를 이용하여 표면의 산화막 또는 불순물을 제거하고 기판 표면을 활성화 시켜 코팅물질과의 결합이 용이하도록 하는 클리닝 공정이 우선된다. 이를 위하여 각 코팅 업체에서는 이온 건(Ion gun)을 이용하거나 PECVD 형태의 플라즈마 방전 또는 스퍼터를 이용한다.

두 번째로 DLC와 기판 사이의 밀착력(adhesion) 향상을 위하여 버퍼층(buffer layer)을 사용하게 된다. 버퍼층을 위한 물질은 텅스텐, 크롬, 및 티타늄 등을 사용하고 기판의 물성 및 사용 환경에 맞추어 물질을 선택하게 된다. 이러한 버퍼층은 일반적으로 스퍼터링 공법을 통하여 증착시키고 각 코팅 업체마다의 기술력을 바탕으로 한 질화물 층 및 카바이드 층을 설계하여 버퍼층의 박막 조직을 조밀하게 하고 기판과 DLC층간의 밀착력을 증진시킨다. 그리고 마지막으로 가스를 이용한 PECVD 공법 및 고체 카본 타겟을 이용한 PVD 공법으로 고경도 및 저마찰의 특성을 지닌 DLC 박막을 증착시킨다.

이렇게 증착된 DLC 코팅층의 상업적 응용은 아래의 표와 같이 일반적인 응용분야인 자동차 파워트레인 부품, 슬라이딩 파트의 금형, 비철금속류 가공의 공구 등에 사용되어 왔다.

DLC의 일종인 ta-C(Tetrahedral Amorphous Carbon)란 다이아몬드, 흑연과 같은 탄소 원자로부터 만들어지고 있다. 이는 화학적 안정성이 우수하고 내융착 특성이 우수한 ta-C를 비철가공용 공구의 날에 코팅하여 공구의 수명을 3-5배 증가하고 모재의 피해를 줄이고 있다.

그리고 ta-C 이형막 코팅한 비철가공용 공구로는 예로서는 초경 드릴, 앤드밀 등을 포함한다. 이들 비철가공용 공구에서 ta-C 코팅 공정상 문제로 코팅 박막이 불량시에 ta-C 이형막의 디코팅(박리)하여 다시 ta-C 코팅을 실시해야 한다. 또한 ta-C 이형막이 코팅된 공구는 비용이 고가이어서 재연마하여 3-6번 사용해야 하는데, 재연마를 위해서 전처리로 ta-C 이형막을 공구로부터 완벽하게 박리해야 한다.

ta-C의 박리에 관한 종래 기술로서는 한국특허 공개번호 1020160017662 (공개일 2016.02.16)에서, 표면에 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상을 가질 수 있는 고가의 공구 및 부품으로부터 ta-C층을 공업적으로 또는 경제적으로 제거하기 위해서 ta-C층의 박리를 실질적으로 플라즈마를 이용한 화학 반응에 의해 이루어지고, 모든 스퍼터링, 즉 이온 충격에 의한 재료제거는 방지되어야 한다라고 명시하고 있다. 이에 대해서 청구항1에서는, "기판으로부터 탄소층의 반응성 박리를 위한 방법으로서, 박리될 기판은 진공 챔버의 기판 홀더 상에 배치되고, 진공 챔버는 가스 형태의 탄소의 배기를 지원하는 적어도 하나의 반응성 가스로 충전되며, 코팅된 기판의 박리를 위해 필요한 화학 반응 또는 반응들을 지원하기 위해 진공 챔버에서 플라즈마 방전이 점화되고, 반응성 박리가 하나 또는 다수의 단계로 실시되는 방법에 있어서, 플라즈마 방전은 직류 저전압 아크 방전으로서 만들어지는데, 상기 아크 방전은 20 A 및 1000 A 사이의 방전 전류와 최대 120 V 의 방전 전압을 갖고, 반응성 박리의 마지막 단계가 아닌, 반응성 박리의 하나의 단계 동안 기판으로부터 탄소 코팅의 적어도 일부를 제거하기 위해 반응성 가스로서 산소 함유 가스가 사용되고, 산소 함유 반응성 가스의 유동은, 탄소층이 기판의 어떠한 부분에서든 산소와 반응에 의해 완전히 제거되기 전에 종료되어, 박리된 기판의 어떠한 표면도 산소와 반응에 의해 산화되는 것을 방지하며, 산소 함유 반응성 가스의 유동이 종료된 후에, 수소 가스가 박리 챔버 내로 도입되어, 코팅 내의 산소 성분 및 기판 표면의 산소의 바람직하지 않은 잔류물이 감소되는 것을 특징으로 하는 방법"을 개시하고 있다.

그러나, 이 방법은 단순히 필라멘트에서 전자를 방출하는 것으로, 박리 작업의 시간이 많이 소요되며, 또한 표면에 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상을 가질 수 있는 고가의 공구의 날에 형성된 ta-C 코팅을 완벽하게 디코팅(박리)하지 못하여, 공구의 날을 재 ta-C 코팅할 때, 코팅의 두께가 일정하지 못하는 결과를 가져온다. 그리고 디코팅후 공구의 날을 재연마할 때, 날의 표면에 ta-C의 남아 있는 부분이 있어서 재연마 시간이 많이 걸리는 문제점이 있다.

또한 (1) SUS 상 ta-C 이형막 코팅을 한 시편과 (2) 앤드밀 공구상 ta-C 이형막 코팅을 각각 박리용 시편으로 사용하여, O₂압력과 Bias 변화에 따른 ta-C 이형막 박리 색상을 관찰한 결과, 도 1에 도시한 바와 같이, PECVD법을 이용한 ta-C 이형막의 완전한 박리를 위해서 O₂가스의 압력과 Bias 전원의 세기 변경하여 여러 테스트를 하였으나, PECVD법을 이용한 ta-C 이형막의 박리는 기판에서는 가능하나, 앤드밀과 같은 복잡한 형상의 에지에서의 완벽한 박리 어렵다고 판단된다. 그리고 양호한 박리를 위해서 많은 시간이 필요하다.

상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해서, 본 발명의 목적은 고가의 비철금속 가공용 공구의 표면에 날카로운 또는 복잡한 형상을 날(blade)에 형성된 ta-C 코팅을 보다 완벽하게 박리하기 위한 것으로, 선형 이온 소스로 다량의 산소 이온을 방출하여 이용하여) ta-C 코팅을 에칭하여 박리하는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 여러 테스트를 통해서 비철금속 가공용 공구의 표면에 날카로운 또는 복잡한 형상을 날(blade)에 형성된 ta-C 코팅을 보다 완벽하게 박리시킬 수 있는, 변수, 예를 들어, 바이어스 전압, 공정 압력 및 반응 시간을 설정하는 것이다.

본 발명은 비철금속 가공용 공구의 표면에 날카로운 또는 복잡한 형상을 날(blade)에 형성된 ta-C 코팅을 보다 완벽하게 박리기 위한 장치에 관한 것으로, 특히 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치는 공정제어부, 진공시스템, Bias 전원 공급 장치, 지그 회전 모터, 냉각수가스 공급부 및 선형 이온 소스를 포함하며, 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치로서, 상기 선형 이온 소스는 공구의 표면과 대면해서 놓여 있으며, 상단에 위치된 양극과 이들 사이에 형성된 이온 소스 인출구와 양극 아래에 위치된 음극, 상기 음극 사이에 놓여진 자석과 음극을 통해서 양극의 이온 인출구와 연결된 이온 공급홀을 포함하는 이온 소스 안내 장치를 포함하며, 선형 이온 소스로부터 방출되는 이온을 상기 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분에 골고루 공급하기 위해서 각 공구를 회전시키는 기어 지그를 포함하며, 상기 이온 소스 안내 장치는 상기 기어 지구에 장착된 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분의 위치에 따라서 상기 선형 이온 소스에서 배출된 이온의 방향을 변경해서 설정되어진다.

양호한 실시 예에서는, 상기 양극의 형상이 선형 이온의 배출방향을 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분에 집중할 수 있는, 집속형이다.

본 발명의 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치를 이용한 박리 방법에서, 상기 공정 제어부에서 산소의 공정 압력을 약 5mTorr 설정한다.

양호한 실시 예에서, 상기 선형 이온 소스의 전류를 400mA로 설정한다.

상술한 해결 수단에 의해서 고가의 비철금속 가공용 공구의 표면에 날카로운 또는 복잡한 형상을 날(blade)에 형성된 ta-C 코팅을 보다 완벽하게 박리할 수 있으며, 또한 박리 시간을 단축하여, 공정 단가를 현저히 낮출 수 있다.

도 1은 기존의 ta-C 코팅을 에칭하여 박리하는 장치에 의해 실험된 결과를 나타내는 도표이다.
도 2는 본 발명의 장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 이온 소스 안내 장치를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 장치의 선형 이온 소스를 사용 실험된 결과를 나타내는 도표이다.
도 5는 이온빔 전류 400mA에서의 박리율과 시간을 나타내는 그래프이다.
도 6은 여러 이온빔 전류에 따른 박리율과 시간을 나타내는 그래프이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

먼저, 절삭공구의 사용후 재연마 또는 불량 코팅막의 박리를 위한 연구를 위해서 도 2에서는 본 발명에 사용되는 ta-C 이형막을 완벽하게 박리할 수 있는 이형막 박리 장치를 도시한다. 이형막 박리 장치는 절삭공구(1, 1')가 놓여지는 진공 챔버(8), 회전주축(6)에 의해 회전하는 챔버의 하부에 제공된 턴테이블(4), 턴테이블에서 수직으로 챔버내에서 뻗은 지그 봉(7), 진공 챔버(8)의 내벽에 두 개 이상 제공되어 지그 봉(7)에 장착된 절삭공구(1, 1')에 이온 공급하는 선형 이온 소스(2)와 선형 이온 소스(2) 앞쪽에 설치되어 선형 이온 소스(2)로부터 나오는 이온을 안내하는 이온 소스 안내 장치(3)를 포함한다.

먼저, 본 발명의 구성요소인 이온 소스 안내 장치에 대해서 도 3을 참고로 설명한다. 도 3은 선형 이온 소스는 이온빔 발생 장치로서도 언급되며 대전 입자빔을 생성하기 위한 전자기 장치이다. 상단에 위치된 양극(10)과 이들 사이에 형성된 이온 소스 인출구(14)와 양극(10) 아래에 위치된 음극(11), 음극(11) 사이에 놓여진 자석(12)과 음극(11)을 통해서 양극의 이온 인출구(14)와 연결된 이온 공급홀(13)을 포함한다.

자석(12)에 의해 발생된 자기장과 양극 및 음극 사이에 형성된 전기장에 의해 전자는 원형 또는 타원형 궤도를 따라 회전운동을 하며, 전자-중성입자 충돌에 의해 이온을 발생시킨다. 양극(10) 부근에 형성된 강한 전기장(E)에 의해 가속되어 이온 인출구(14)를 통해서 방출된다. 이온은 양극 사이의 자기장에 수직인 방향으로 방출된다.

방출된 이온, 즉 산소 이온은 플라즈마 상태의 챔버에서 지그에 설치된 절삭공구에 코팅된 티ta-C의 C와 반응하여 CO₂를 생성하여 증발한다. 이로서 공구에 코팅된 ta-C 막은 공구로부터 박리된다.

상술한 본 발명의 과제에서 언급한 바와 같이, 본 발명에서는 표면에 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상을 가지는 고가의 공구에 형성된 ta-C 코팅을 1) 골고루 완벽하게 박리하고, 2) 이의 작업 시간을 단축하기 위한 수단을 제공하는 것이다.

먼저, ta-C 코팅을 골고루 신속하고 완벽하게 박리하기 위한 박리 장치에서의 챔버의 내부를 도시하는 도 2를 다시 참고로 설명하겠다. 본 발명에서는 단순히 필라멘트에서 이온을 방출하는 종래 기술에 비해서 이온의 직진성 및 이동 속도가 빠른 선형 이온 소스(2)를 이용한 것이다. 더욱이, 선형 이온 소스(2)로부터 방출되는 이온, 즉 산소 이온을 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분에 골고루 공급하기 위해서 기어 지그(5)를 더 포함하고 있다. 기어 지그(5)에는 절삭 공구, 예를 들어서 평 엔드밀(1) 또는 볼 엔드밀(1')가 놓여진다. 먼저 회전 주축(6)이 도시 생략된 모터에 의해 회전하면 턴테이블(4)가 회전하고, 턴테이블 내부에서 기어방식 또는 벨트방식으로 회전주축(6)과 연결된 기어(도시 생략)에 고정되고 챔버로 연장되는 지그 봉(7)이 회전하고, 그리고 지그 봉(7)에 고정된 기어 지그(5)가 회전한다. 기어 지그(5)에 대해서 본 출원인에 의해 이미 특허 등록된 등록번호 10-1646698(등록일자 2016년08월02일)의 공자전 지그 시스템에서의 내접기어와 이와 맞물려 있는 자전기어를 참고하시면 쉽게 이해될 것이다. 기어 지그(5)의 자전 기어(도시 생략)의 중심 홈에 절삭공구(1, 1')가 삽입된다. 따라서 절삭공구(1, 1')는 도시한 회전 방향으로 회전된다. 따라서 선형 이온 소스(2)에서 나온 산소 이온은 직선형으로 고속으로 절삭공구의 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분에 밀착하여 ta-C 의 C와 반응하여 CO₂로 생성하여 ta-C 코팅막을 박리하다. 여기서 기어 지그(5)의 자전기어에 의해 절삭공구(1, 1') 자체가 회전되기 때문에 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분의 ta-C 을 골고루 박리할 수 있다.

여기서 도 4를 참조하면, 도 1의 공정 압력에 비해서 공정압력을 30mTorr에서 3mTorr로 현저하게 낮추어도 공정시간을 360에서 240분으로 단축할 수 있으며, 박리효과도 휠씬 향상됨을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 장치에 의해서 ta-C의 박리를 보다 효과적으로 할 수 있음이 증명되었다.

양호한 실시 예에서는 도 3의 양극(10)의 형상을 변경하여 인출부(14)의 형상을 도시한 바와 같이 분산형(도면의 좌측에 도시함) 대신에 집속형(도면의 우측에 도시함)으로 변경하여 선형 이온의 배출방향을 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분에 집중적으로 할 수 있다. 이 경우에는, 인출부(14)에서의 이온 배출 방향에 절삭 공구의 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분을 맞추어 지그의 높이를 조절해야 한다. 통상의 기술자는 지그의 높이를 변경해서 이온 배출 방향과 맞추는 일은 번거롭고 힘들 일이기 때문에, 이러한 발명은 상상하지 못하고 시도하지 못하고 었다.

다음으로, ta-C 코팅을 골고루 신속하고 완벽하게 박리하기 위한 방법에서의 박리 시의 가장 중요한 변수는 여러 가지 공정 인자를 잘 제어해 주어야 하지만 가장 대표적인 함수가 산소가스의 유량(압력)과 이온 빔 전류이며, 이를 위해서 본 발명자는 다음의 실험을 했다.

본 발명의 박리 장치의 선형 이온 소스를 활용한 ta-C 이형막 박리 선행 비교 테스트를 진행하였으며, 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 이형막 박리 공정 조건은 O₂가스만을 이용해 공정 압력 3mTorr, 바이어스 전압 600V, 이온 빔 전압을 1400 내지 1800V로 그리고 이온 빔 전류를 400mA로 하여 아래와 같이 30분/60분/120분/240분 연속 진행하였다. 이의 결과는 도 4에 도시되어 있다.

여기서 알 수 있듯이, 선형 이온 소스를 이용해서 30분 진행시 SUS 시편외에 앤드밀도 색상변화를 통해 ta-C 이형막의 박리가 진행됨을 볼 수 있으며, 240분 진행시 앤드밀의 경우 ta-C 코팅막이 모두 박리됐음을 알 수 있다. PECVD법을 이용한 ta-C 이형막 박리 테스트(도 1참조)에서 박리가 완전하게 진행되지 않는 반면, 선형 이온 소스를 이용한 박리 실험에서는 박리가 매우 잘 진행됨을 확인할 수 있다.

박리시간을 줄이기 위해서 다시 공정 변수에 따른 여러 번의 테스트를 더 실시하여, 다음의 결과를 얻을 수 있었다.

도 5의 시간과 박리율(stripping)의 관계를 나타내는 그래프이고 이온 빔 전류를 400mA로 하고 산소 가스의 압력을 2 내지 6 mTorr로 변동하여 시험한 결과를 나타낸다. 본 발명자는 도 5의 그래프와 아래의 표 1로부터 다음과 같은 사항을 발견했다.

표 1

1) O₂ 가스의 양이 증가할수록 빠르게 박리현상이 진행되며,

2) 5mTorr 이상에서는 박리 진행이 동일하나, 진공 압력 공정 제어가 불안정하고 가스 소모량등을 고려시, 5mTorr가 최적이며,

3)선형 이온 소스의 전류가 400mA이고 산소 압력이 5 및 6mTorr일때 30분만에 박리가 100%진행 되었으며,

다음으로 도 6의 그래프와 아래의 표 2에서 알 수 있듯이,

표 2

4) 전류가 400mA 이상으로 증가할수록 박리가 역으로 저하되는

현상이 발생 되었는데, 이는 높은 파워로 인해 역으로 코팅막이 박리되는 것보다 막이 손상되거나 이색지는 현상이 발생 되기 때문이다.

본 발명자는 한 번의 실험 하는데 많은 노력과 비용이 소요되지만, 공정 변수를 따라서 수 백번의 실험을 통해서, 박리율을 높이고, 박리시간을 줄이기 위한 최적의 조건을 찾아냈다.

가장 양호하게는 이온 빔 전류를 약 400mA로 하는 것이다. 도 6의 그래프에서 알 수 있듯이, 그 이하이면 낮을수록 박리율이 떨어지고 박리시간도 길이지며, 그 이상이어도 예를 들어 500mA 및 600mA에서도 박리율이 떨어지고 박리시간도 길어진다.

다음으로는 양호하게, 산소의 압력을 약 5mTorr로 하는 것이다. 도 5의 그래프에서 알 수 있듯이, 그 이상 예를 들어서 6mTorr로 할 경우에 박리율과 시간의 그래프는 5mTorr와 동일하다. 따라서 압력을 더 높게 할 수로 이를 제어하기 힘들도 산소의 소모량의 증가로 해서 비용을 증가시킨다. 그리고 산소의 압력이 약 5mTorr이하이면 박리율이 현저하기 떨어진다. 본 발명은 거의 100%의 박리를 목적으로 하기 때문에 본 발명의 공정에 사용할 수 없다.

본 발명의 공정 조건을 이온 빔 전류를 약 400mA로 하고 산소의 압력을 약 5mTorr로 설정하면, 도 4에 도시한 240분의 박리 결과를 약 10분 내지 30분 사이로 단축할 수 있다. 이는 박리의 공정 시간을 현저하게 줄이는 효과이다.

이상 본 발명을 양호한 실시 예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 지식을 가지고 있는 사람이라면, 위 실시 예를 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 특허청구범위로 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 아래의 특허청구범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.

1.1': 절삭 공구
2: 선형 이온 소스
5: 기어 지그
7: 지그 봉
10: 양극
11: 음극
12: 자석
13: 이온 공급홀
14: 이온 인출구

Claims (4)

1. 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치로서,
   상기 선형 이온 소스는 공구의 표면과 대면해서 놓여 있으며, 상단에 위치된 양극과 이들 사이에 형성된 이온 소스 인출구와 양극 아래에 위치된 음극, 상기 음극 사이에 놓여진 자석과 음극을 통해서 양극의 이온 인출구와 연결된 이온 공급홀을 포함하는 이온 소스 안내 장치를 포함하며,
   상기 박리 장치의 챔버의 하단에 설치되며, 모터에 의해 회전되는 회전 주축에 고정된 턴테이블과 상기 턴테이블 내부에서 기어방식 또는 벨트방식으로 회전주축과 연결된 기어에 고정되고 챔버로 연장되는 지그 봉에 고정된 기어 지그를 포함하며,
   상기 기어 지그는 상기 선형 이온 소스로부터 방출되는 이온을 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분에 골고루 공급하기 위해서 상기 공구 각각을 회전시키는 자전 기어를 포함하며,
   상기 이온 소스 안내 장치는 상기 기어 지그에 장착된 공구의 표면중 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상부분의 위치에 따라서 상기 선형 이온 소스에서 배출된 이온의 방향을 변경해서 설정되는, 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치.
2. 제 1항에 있어서,
   상기 양극의 형상이 선형 이온의 배출방향을 날카로운 에지 및/또는 복잡한 형상 부분에 집중할 수 있는 집속형인, 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치.
3. 제 1항 또는 제 2항에 따른 선형 이온 소스를 이용한 ta-C 코팅의 박리 장치를 이용한 ta-C 코팅의 박리 방법으로서,
   공정 제어부에서 산소의 공정 압력을 5mTorr 설정하는, ta-C 코팅의 박리 방법.
4. 제 3항에 있어서,
   상기 선형 이온 소스에서의 전류를 400mA로 설정하는, ta-C 코팅의 박리 방법.

Images