JP2018534437A - コーティングのための表面を前処理するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
− 真空チャンバ10内にアルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンを主として含むプラズマを供給することと、
− 基板200上に第1の負の電気ポテンシャル(P1)を印加することと
を含み、第2のステップ2000が、
− 真空チャンバ10内に金属イオンを主として含むプラズマを供給することと、
− 基板上に第2の負の電気ポテンシャル(P2)を印加することであり、第1の電気ポテンシャル(P1)が第2の電気ポテンシャル(P2)よりも低い、第2の負の電気ポテンシャル(P2)を印加することと
を含み、
第1の負のポテンシャル(P1)の大きさが100〜1500Vである、
表面コーティングのための基板200を前処理するための方法によって達成される。
− アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンがプラズマ中に主として存在するようにマグネトロン20を動作させること
を含み、第2のステップは、
− 金属イオンがプラズマ中に主として存在するようにマグネトロン20を動作させること
を含む。
− アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンを主として含むプラズマを得るように、所定の時間にわたりグローフィラメント14を動作させることを含み、第2のステップ2000は、
− プラズマが金属イオンを主として含むようにするためにマグネトロン20を動作させることを含む。
プラズマ中の「アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオン、およびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンを主として」とは、プラズマ中のイオンのうちの50〜100%または75〜100%または90〜100%または95〜100%または98〜100%または99〜100%が、アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオン、およびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンにより構成されることを意味する。プラズマ中の「金属イオンを主として」とは、プラズマ中のイオンのうちの50〜100%または90〜100%または75〜100%または95〜100%または98〜100%または99〜100%が、金属イオンにより構成されることを意味する。
本開示にしたがって基板を前処理するための方法のエッチングステップを下記に、具体的な実験で説明する。
− 400Vの一定の負のポテンシャル(UBIAS)を、エッチングの間中試料の第2のグループに印加した。
− 1000Vの一定の負のポテンシャル(UBIAS)を、エッチングの間中試料の第3のグループに印加した。
Claims (15)
- 真空チャンバ(10)内で基板(200)を金属イオンならびにアルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンにさらすことと、前記基板(200)上に負の電気ポテンシャル(P1、P2)を印加することとによって表面コーティングのための前記基板(200)を前処理するための方法であって、前記基板(200)が少なくとも2つのステップ(1000、2000)で前処理され、前記ステップが前記真空チャンバ(10)内で連続して実行され、前記第1のステップ(1000)は、
− 前記真空チャンバ(10)内にアルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンを主として含むプラズマを供給することと、
− 前記基板(200)上に第1の負の電気ポテンシャル(P1)を印加することと
を含み、前記第2のステップ(2000)は、
− 前記真空チャンバ(10)内に金属イオンを主として含むプラズマを供給することと、
− 前記基板(200)上に第2の負の電気ポテンシャル(P2)を印加することであり、前記第1の電気ポテンシャル(P1)が前記第2の電気ポテンシャル(P2)よりも低い、第2の負の電気ポテンシャル(P2)を印加することと
を含み、
前記第1の負のポテンシャル(P1)の大きさが100〜1500Vである、
表面コーティングのための基板(200)を前処理するための方法。 - 前記真空チャンバ(10)が、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノンおよびヘリウムの群から選択される希ガスまたは複数の希ガスの混合物を含む雰囲気と、
HIPIMSモードで動作可能なマグネトロン(20)と、
金属ターゲット(21)とを含み、前記第1のステップ(1000)が、
− アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンが前記プラズマ中に主として存在するように前記マグネトロン(20)を動作させること
を含み、前記第2のステップ(2000)が、
− 金属イオンが前記プラズマ中に主として存在するように前記マグネトロン(20)を動作させること
を含む、請求項1に記載の、表面コーティングのための基板(1)を前処理するための方法。 - 前記真空チャンバ(10)が、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノンおよびヘリウムの群から選択される希ガスまたは複数の希ガスの混合物を含む雰囲気と、
HIPIMSモードで動作可能なマグネトロン(20)と、
金属ターゲット(21)と、
グローフィラメント(14)と
を含み、前記第1のステップ(1000)が、
− プラズマが、アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンを主として含むようにするために、所定の時間にわたり前記グローフィラメント(14)を動作させること
を含み、前記第2のステップ(2000)が、
− プラズマが金属イオンを主として含むようにするために、前記マグネトロン(20)を動作させること
を含む、請求項1に記載の、表面コーティングのための基板(1)を前処理するための方法。 - 前記第1の電気ポテンシャル(P1)の大きさが、前記基板(200)の表面がエッチングされるように選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の電気ポテンシャル(P2)の大きさが、金属イオンが前記基板(200)の前記表面へと導入されるように選択される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の負のポテンシャル(P1)の大きさが100〜1000Vまたは100〜500Vである、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の負のポテンシャル(P1)の大きさが300〜1000Vまたは300〜500Vである、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の負のポテンシャル(P1)の大きさが100〜1000Vまたは100〜500Vである、請求項3に記載の方法。
- 前記第2の負のポテンシャル(P2)の大きさが300〜3000Vまたは300〜2000Vまたは400〜1000Vである、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のステップ(1000)が、
− アルゴンイオン、クリプトンイオン、ネオンイオン、キセノンイオンおよびヘリウムイオンの群から選択される希ガスイオンが前記プラズマ中に主として存在するように、第1のピーク電力密度(PD1)で前記マグネトロン(20)を動作させること
を含む、請求項2および4から7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1のピーク電力密度(PD1)が0.1〜0.5kW/cm2または0.1〜0.3kW/cm2または0.15〜0.25kW/cm2である、請求項10に記載の方法。
- 前記第2のステップ(2000)が、
− プラズマが金属イオンを主として含むようにするために第2のピーク電力密度(PD2)で前記マグネトロン(20)を動作させること
を含む、請求項2から11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2のピーク電力密度(PD2)が0.5〜4kW/cm2または0.6〜4kW/cm2または1〜4kW/cm2または1.5〜3.5kW/cm2である、請求項12に記載の方法。
- 前記金属イオンが、元素の周期律表の4族、5族または6族から選択される金属イオンまたは複数の金属イオンの混合物である、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- − 請求項1から14のいずれか一項に記載の基板(200)を前処理することと、
− 前記前処理した基板上にコーティング(3000)を堆積することと
を含む、コーティングした基板(1)を製造するための方法。
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