KR101933224B1 - 전기 전도성이 향상된 전도성 고분자 및 그 제조방법 - Google Patents

전기 전도성이 향상된 전도성 고분자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 식 1로 표현되는 전구체를 사용하여 형성된 쉘 층을 포함하는 전도성 고분자 및 그 제조방법에 관한 것이다:
[식 1]
Figure 112012091414747-pat00013

상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
상기 전구체는 산화환원 반응 속도의 조절이 용이하므로 응집 현상을 방지하고 고분자 표면에 균일한 두께로 쉘 층을 형성할 수 있다. 본 발명에 의하면 간단하고 용이한 방법으로 전도성 고분자 표면에 금속의 쉘 층을 형성할 수 있다. 또한 본 발명의 전도성 고분자는 유연성, 전도성 및 안정성이 우수하며 경제적으로도 유리한 장점이 있다.

Description

전기 전도성이 향상된 전도성 고분자 및 그 제조방법{Conducting polymers having enhanced conductivity and method of the same}
본 발명은 전도성 고분자의 전기 전도성을 향상시키는 방법 및 그 전도성 고분자에 관한 것이다.
투명 전도성 전극(TCEs; Transparent Conductive Electrodes)의 중요성은 터치 패널, 평판 디스플레이, 다른 광전자 소자등의 응용을 위해 그 중요성이 날로 커져가고 있다. ITO 는 유기 태양전지 등의 분야에서 현재 투명 전극으로 가장 폭넓게 사용되는 재료이지만 소성 재료이므로 공정 온도가 높고 외부의 물리적인 자극에 의하여 깨지기 쉬우며 휨 변형 등에 취약하다. 또한 폴리머 기판 위에 코팅했을때 기판을 구부리면 막이 부서지는 단점이 있다. 그리고, 무엇보다 In의 희소성으로 인하여 가격이 점점 증가하고 있으며, 그 공급에 있어 문제점이 대두되고 있는 현실이다.
최근 이러한 ITO의 문제점들을 해결하기 위한 방안으로 플렉서블 투명 전극이면서 ITO를 대체 할 수 있는 재료로 주목받고 있는 것에 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브, 그래핀, 그리고 금속 나노와이어 및 나노 입자가 있다.
그러나 탄소 나노 튜브 또는 그래핀은 전도도가 낮고 투과도 향상이 어렵다. 또한 Ag 나노와이어로 대표되는 금속 나노와이어는 가격이 높아 Ag 나노와이어만으로 투명 전극 제조시 가격이 비싸고 투명 전극 제조시 표면이 거칠어(roughness) TFT 등의 소자 구현을 위한 다음 소재의 적층 인쇄가 매우 어렵다. 그리고 잉크젯 프린팅이 어렵고 고온 공정이 불가능하다는 등 공정이 제한적이며 스트레칭에 따라 전도도가 감소되는 현상을 보인다.
한편 전도성 고분자는 유연성이 좋고, 우수한 광전자 특성을 갖고 있어 이로부터 얻어진 전극은 투명성과 유연성을 유지하고 구부리거나 (bending)/스트레칭 등의 물리적인 외부 자극에 상대적으로 안전하다. 또한 저온 소성이 가능하며 ITO 전극과 유사한 효율을 얻을 수 있으므로 ITO 대체 유망 전극 재료로 특히 연구 조명을 받고 있다. 그러나 전도성 고분자는 전기 전도성 면에서 ITO 또는 금속 나노구조의 소재들과 비해 비교적 낮으며 광안정성을 포함한 안정성이 떨어진다는 단점이 있다. 따라서 전도성 고분자의 전도성을 향상시키기 위하여 그 내부에 금속 재료들을 함침시키기거나 표면에 도포하는 등 폴리머와 금속 재료를 결합시키는 방안이 강구되고 있다.
그러나 폴리머와 금속 재료는 재료의 성질상 결합이 잘 되지 않아 제품 적용이 가능한 구조로의 생산이 어려우며 그 제조 공정도 복잡하다. 또한 한번 결합된 이후에도 쉽게 분리되어 버리는 경우가 많다. 따라서 전기 전도성이 향상되고 안정적인 전도성 고분자 및 그것을 용이하게 제조하는 방법의 개발에 대한 요구가 계속되어 왔다.
본 발명은 고가의 전극 소재를 대체할 수 있는 소재로서 향상된 전기 전도성을 갖는 전도성 고분자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해 본 발명은 높은 전도도를 가지며 투과도의 확보가 가능하고 안정성이 우수한 전도성 고분자를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 전도성 고분자 표면에 금속의 쉘 층을 형성하는 간단하고 용이한 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자를 제공한다:
[식 1]
Figure 112012091414747-pat00001
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
바람직하게, 상기 코어의 전도성 고분자는 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체로부터 중합된 것이다:
[식 2]
Figure 112012091414747-pat00002
바람직하게, 상기 쉘 층은 코어의 전도성 고분자가 상기 전구체에 대해 환원제로 작용함으로써 형성된 것이다.
바람직하게, 상기 코어의 전도성 고분자는 나노 와이어(NW) 형태이다.
본 발명은 코어의 전도성 고분자 표면에서 하기식으로 표현되는 전구체를 환원시킴으로써 쉘 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법을 제공한다:
[식 1]
Figure 112012091414747-pat00003
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
바람직하게, 상기 코어의 전도성 고분자는 원통형 템플레이트 내부에서의 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체의 중합 반응에 의해 제조된 것이다:
[식 2]
Figure 112012091414747-pat00004
바람직하게, 상기 전구체는 비극성의 용매를 포함하는 용액의 형태로 코어의 전도성 고분자에 투입된다.
바람직하게, 상기 용액은 탄소수 4 내지 18의 알킬기를 갖는 아민을 포함한다.
바람직하게, 상기 코어의 전도성 고분자는 극성의 용매를 포함하는 용액의 형태로 제공된다.
바람직하게, 상기 환원은 실온 내지 40 ℃ 범위의 반응 온도에서 일어난다.
바람직하게, 상기 전구체는 코어의 전도성 고분자 대비 100 내지 200 중량부의 범위로 사용한다.
본 발명에 의하면 전도성 고분자의 표면에 전기 전도성이 높은 금속의 쉘 층을 형성하여 코어-쉘 구조의 전도성이 향상된 고분자를 제공할 수 있다. 본 발명은 고가의 금속을 쉘 층에만 포함하므로 경제적이고, 코어의 고분자가 유연하므로 벤딩 및 스트레칭 시에도 전도도가 감소되지 않는 유연성하고 안정적인 소재를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면 간단하고 용이한 방법으로 전도성 고분자 표면에 금속의 쉘 층을 형성할 수 있고, 코어-쉘 구조가 견고하여 제품에의 적용에 유리하다.
도 1은 코어의 전도성 고분자 합성 과정을 도식화한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예로서 쉘 층 형성 반응을 도식화한 것이다.
본 발명은 전도성 고분자의 전기 전도성을 향상시키기 위하여 코어의 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 쉘 층이 형성된 구조를 포함하는 전도성 고분자를 제공한다.
[식 1]
Figure 112012091414747-pat00005
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
상기 전구체는 비극성의 용매에 대하여 높은 용해도를 가지며 비극성 및 극성 용매 사이에서 분배 평형을 이룬다. 이것은 고분자 표면에 쉘 층을 형성하기 위해 사용되어 오던 기존의 다른 전구체 물질과 비교할 때 문제가 되었던 응집 현상(aggregation)을 방지할 수 있는 수단이 된다. 즉 상기 전구체에 대해서는 비극성 및 극성 용매 사이에서의 분배 평형을 조절하는 것에 의해 응집 현상이 일어나지 않도록 산화환원 반응의 속도를 조절하는 것이 가능하다. 따라서 고분자 표면에 대해 투여된 본 발명의 전구체는 그들끼리 응집되지 않고 고분자 표면에만 흡착되어 쉘 층을 이루게 된다. 이에 따라 본 발명은 표면에 균일한 쉘 층이 형성된 코어-쉘 구조를 제공할 수 있다.
또한 후술될 것이지만 쉘 층 형성 반응 시 반응 온도 및 전구체의 농도를 조절하면 목적으로 하는 두께를 갖는 쉘 층을 형성할 수 있다. 그러므로 본 발명의 전도성 고분자는 표면에 조절된 두께로 균일하게 형성된 쉘 층을 포함하게 된다.
한편, 쉘 층이 형성되는 반응에서 코어의 전도성 고분자는 전구체에 대해 환원제로서 작용한다. 즉 별도의 환원제가 없더라도 전도성 고분자가 전구체를 직접 환원시켜 그 표면에 쉘 층을 형성한다. 그러므로 별도의 환원제에 의한 환원 반응으로부터 쉘 층을 형성하는 경우에 비해 본 발명에서의 쉘 형성 반응은 반응 속도의 조절이 용이하고 그로부터 제조되는 코어와 쉘 층 간의 결합이 견고해지는 특성을 갖는다.
상기 코어의 전도성 고분자는 이에 제한되는 것은 아니나 모노머로서 하기 식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체를 모노머로 하여 합성된다.
[식 2]
Figure 112012091414747-pat00006
상기 모노머의 바람직한 예는 피롤(pyrole), 아닐린(aniline) 또는 씨오펜(thiophene)이다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 코어의 전도성 고분자는 계면활성제로부터 템플레이트로 형성된 헥사고날의 원통형 구조 내부에서 촉매에 의한 모노머의 폴리머리제이션 반응을 통해 나노 와이어 형태로 제조된다. 상기 계면활성제로는 옥틸트리메틸암모늄 브롬(OTAB), 데실트리메틸암모늄 브롬(DeTAB), 도데실트리메틸암모늄 브롬(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브롬(TTAB), 세틸트리메틸암모늄 브롬(CTAB) 등의 양이온 계면활성제를 사용할 수 있으나 이에 것은 아니다. 도 1은 일 실시예로서 나노 와이어 구조의 전도성 고분자 합성의 개념도이다.
0.01 내지 0.9 몰 농도의 계면활성제를 1 내지 3 시간 300 내지 600 rpm의 속도로 교반하여 마이셀(micelle)을 형성하고, 그로부터 원통형 구조의 템플레이트를 형성한다. 다음으로 전도성 고분자 합성을 위한 모노머를 상기 계면활성제에 대하여 50 내지 100 중량부로 주입한 후 원통형 구조 내부에 존재하는 모노머에 대해 중합 반응을 일으킨다. 상기 반응에는 촉매로서 과산화수소, 큐밀페록사이드, 삼염화철(Fe(III)Cl3), 암모늄퍼설페이트, 염화산구리를 사용할 수 있다. 제조된 전도성 고분자는 도시된 바와 같이 나노 와이어 구조이다. 이때 적당한 사이즈를 갖는 나노 와이어 구조를 형성하기 위하여 반응 온도는 1 내지 40 ℃로 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 이렇게 형성된 코어의 전도성 고분자 표면에서 상기식으로 표현되는 전구체를 환원시킴으로써 쉘 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법을 제공한다.
상기 전구체는 비극성의 용매에 대하여 높은 용해도를 가지므로, 비극성 용매를 포함하는 용액의 형태로 제조하여 코어의 전도성 고분자에 대하여 적하 투입된다. 이때 상기 전구체 용액에는 바람직하게 탄소수 4 내지 18의 알킬기를 갖는 아민이 포함된다. 상기 아민으로는 예로서 트리에틸아민, 부틸아민, 옥틸아민, 도데실아민, 올레일아민을 사용할 수 있다.
아민은 하기와 같은 반응 평형에 의해 전구체의 이온화를 조절한다.
Figure 112012091414747-pat00007
또한 전구체는 일 실시예로서 하기와 같이 이온화된 상태에서 전도성 고분자 표면에서 환원되어 쉘 층을 형성하게 되는데 이때 아민은 음이온 도펀트(Dopant)로서 작용한다.
Figure 112012091414747-pat00008
따라서 아민의 농도를 조절하는 것은 쉘 형성 반응의 속도 및 쉘 층의 두께를 조절하는 일 수단이 된다. 본 발명에서는 바람직하게 전구체 용액에 0중량% 초과 및 10중량% 미만의 농도로 아민을 포함시켜 사용한다.
한편 상술한 전도성 고분자는 극성 용매 상에서 합성된 것이다. 전도성 고분자 표면에 쉘 층을 형성시키는 반응은 비극성 용매의 전구체 용액을 극성 용매의 전도성 고분자 용액에 천천히 적하 투입하여 일 실시예로서 도 2와 같은 분배 평형에 의해 진행된다.
이때 반응 온도 및 전구체 농도에 따라 쉘 층의 두께를 조절하는 것이 가능하다. 반응 온도는 실온 내지 40 ℃의 범위에서 실시하고 전구체는 전도성 고분자에 대하여 100 내지 200 중량부의 범위로 사용하는 것이 바람직하다. 저온에서는 폴리머 표면의 활성도가 많이 저하되어 반응이 진행되지 않는다. 반대로 상기 범위보다 반응 온도가 높으면 반응 속도가 너무 빨라져 응집 현상이 일어나며 균일한 쉘 층을 형성할 수 없다. 또한 전구체를 전도성 고분자 대비 100 중량부 미만으로 사용하면 전구체는 자유 분자로 존재하여 폴리머 표면과 반응하지 않거나 전도성 향상을 위한 충분한 두께로 쉘 층이 형성되지 않고 200 중량부를 초과하여 다량 사용하면 전구체 용액의 점도가 상승하여 폴리머 표면 전체에 대하여 균일한 쉘 층이 형성되지 않고 국부적으로 응집 현상이 일어날 가능성이 있다.
따라서 본 발명에서는 전구체 용액의 농도, 반응 온도, 투입 속도 및 상술한 아민의 양을 조절함으로써 쉘 층 형성 반응에서 응집 현상을 막고 바람직한 두께로 쉘 층을 형성할 수 있다.
이하 실시예에 의해 본 발명을 설명한다. 그러나 이것은 발명의 이해를 돕기 위한 것이므로 본 발명에 이에 한정되는 것으로 이해되어서는 안된다.
실시예 1
(1) 전도성 고분자 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))의 합성
25℃로 설정된 항온조 내에 설치된 1 L의 반응 용기에 증류수 50 ml 및 계면활성제로서 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(Dodecyltrimethylammonium bromide,DTAB) 0.1 g을 넣고 용해 시킨 용액을 3 시간 동안 300 rpm의 속도로 교반하여 실린더형 마이셀을 형성하였다. 여기에 모노머로서 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜(3,4-Ethylenedioxythiophene)을 상기 계면활성제에 대하여 50 중량부 투입하였다. 10 ㎖의 증류수에 상기 계면활성제에 대하여 10 중량부의 염화철을 녹인 후, 얻어진 용액을 반응 용기에 첨가하였다. 25℃에서 약 4 시간 정도 교반하며 반응시킨 후 약 500 ㎖의 메탄올을 반응 용기에 첨가하였다. 반응 용액을 분별 깔대기로 옮긴 후, 부드럽게 몇 번 흔들어 용액을 혼합하였다. 나노 중합체(폴리페돗 나노 섬유)의 분리속도를 높여주기 위하여, 비용매인 이소옥탄 100 ㎖ 을 첨가하였다. 침전된 폴리페돗을 회수하기 위해서 이소옥탄과 메탄올의 위층을 피펫을 사용하여 제거하였다. 남은 하층을 상온에서 자연 증발시켜 폴리페돗 나노 섬유를 얻었다.
(2) 쉘 층 형성 반응
25℃로 설정된 항온조 내에 설치된 100ml의 반응 용기에 증류수 20ml 및 상기 제조된 폴리페돗 나노 섬유 0.1g을 넣고 용해시켰다. 여기에 자일렌 20ml에 쉘 층 형성을 위한 전구체로서 상기 나노 섬유 대비 100 중량부의 은 2-메틸 헵타노에이트(Ag 2-metyl heptanoate) 및 나노 섬유 대비 0.1 중량부의 트리에틸아민(triethylamne)을 용해시킨 용액을 첨가하였다. 그런 다음 실온에서 shaker 로 1시간 반응하여 쉘 층이 형성되게 하였다.
실시예 2
실시예 1에서 모노머로서 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜 대신 아닐린(aniline)을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방법으로 전도성 고분자 폴리아닐닌을 합성한 후 쉘 층 형성 반응을 진행하였다.
실시예 3
실시예 1에서 모노머로서 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜 대신 피롤(pyrole)을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방법으로 전도성 고분자 폴리피롤을 합성한 후 쉘 층 형성 반응을 진행하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 항목 (2)의 쉘 층 형성 반응을 위하여 전구체로서 은 2-메틸 헵타노에이트 대신 질산화은(AgNO3) 을 용해시킨 용액을 제조한 다음 폴리페돗 용액에 대해 적가하였다. 그러나 질산화은은 잘 용해되지 않았고 그 상태로 투입시킨 결과 질산화은이 물층으로 떨어지는 것이 관찰되었다.
비교예 2
상기 실시예 2에서 항목 (2)의 쉘 층 형성 반응을 위하여 전구체로서 은 2-메틸 헵타노에이트 대신 질산화은(AgNO3) 을 용해시킨 용액을 제조한 다음 폴리페돗 용액에 대해 적가하였다. 그러나 질산화은은 잘 용해되지 않았고 그 상태로 투입시킨 결과 질산화은이 물층으로 떨어지는 것이 관찰되었다.
비교예 3
상기 실시예 3에서 항목 (2)의 쉘 층 형성 반응을 위하여 전구체로서 은 2-메틸 헵타노에이트 대신 질산화은(AgNO3) 을 용해시킨 용액을 제조한 다음 폴리페돗 용액에 대해 적가하였다. 그러나 질산화은은 잘 용해되지 않았고 그 상태로 투입시킨 결과 질산화은이 물층으로 떨어지는 것이 관찰되었다.
평가예
실시예 1 내지 3에서 얻어진 최종 수득물의 경우 덩어리 등의 응집을 관찰할 수 없었으나 비교예 1 내지 3의 최종 수득물에서는 육안으로도 불균일한 덩어리를 관찰할 수 있을 정도였다. 따라서 비교예 1 내지 3의 경우 도막 형성을 위한 잉크의 제조가 불가능하였다.

Claims (11)

  1. 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자:
    [식 1]
    Figure 112012091414747-pat00009

    상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
  2. 제 1 항에서,
    상기 코어의 전도성 고분자는 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체로부터 중합된 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자:
    [식 2]
    Figure 112012091414747-pat00010
  3. 제 1 항에서,
    상기 쉘 층은 코어의 전도성 고분자가 상기 전구체에 대해 환원제로 작용함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자.
  4. 제 1 항에서,
    상기 코어의 전도성 고분자는 나노 와이어(NW) 형태인 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자.
  5. 코어의 전도성 고분자 표면에서 하기식으로 표현되는 전구체를 환원시킴으로써 쉘 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법:
    [식 1]
    Figure 112012091414747-pat00011

    상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
  6. 제 5 항에서,
    상기 코어의 전도성 고분자는 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체의 중합 반응에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법:
    [식 2]
    Figure 112019500652787-pat00012
  7. 제 5 항에서,
    상기 전구체는 비극성의 용매를 포함하는 용액의 형태로 코어의 전도성 고분자에 대해 투입되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법
  8. 제 7 항에서,
    상기 용액은 탄소수 4 내지 18의 알킬기를 갖는 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법.
  9. 제 7 항에서,
    상기 코어의 전도성 고분자는 극성의 용매를 포함하는 용액의 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법.
  10. 제 5 항에서,
    상기 환원은 실온 내지 40 ℃ 범위의 반응 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법.
  11. 제 5 항에서,
    상기 전구체는 코어의 전도성 고분자 대비 100 내지 200 중량부의 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 전도성 고분자 제조방법.
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