KR101897433B1 - 후면 조사 센서에 대한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
후면 조사(BSI) 이미지 센서 디바이스에 대한 방법 및 장치가 개시된다. BSI 센서 디바이스는 감광 다이오드를 포함하는 기판 상에 형성된다. 기판은 후면에서 박형화될 수 있고, 그 다음 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층이 기판의 후면 표면 상에 형성될 수 있다. B 도핑된 에피-Si(Ge) 층 상에 금속 쉴드 층, 유전체 층, 마이크로렌즈 및 컬러 필터와 같은 추가의 층이 형성될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 분야에 관한 것이다.
상보형 금속 산화물 반도체(CMOS; complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서는 종래의 CCD(charged-coupled device) 이상으로 인기를 얻고 있다. CMOS 이미지 센서는 통상적으로 화소(picture element)(픽셀) 어레이를 포함하며, 이는 감광 CMOS 회로를 이용하여 광자를 전자로 전환한다. 감광 CMOS 회로는 통상적으로 실리콘 기판에 형성된 포토다이오드(photo-diode)를 포함한다. 포토다이오드가 광에 노출됨에 따라, 포토다이오드에서 전기 전하가 유도된다. 광이 대상 장면(subject scene)으로부터의 픽셀에 입사될 때 각각의 픽셀은 픽셀에 떨어지는 광의 양에 비례하는 전자를 생성할 수 있다. 전자는 픽셀에서 전압 신호로 전환되고 디지털 신호로 더 변환된다.
CMOS 센서로 지칭될 수 있는 CMOS 이미지 센서는 복수의 유전체 층과, 기판 상에 형성되며 기판에 있는 포토다이오드를 주변 회로에 접속시키는 상호접속 층을 포함할 수 있다. 유전체 층과 상호접속 층을 갖는 면은 일반적으로 전면(front side)으로 지칭되며, 기판을 갖는 면은 후면(backside)으로 지칭된다. 광 경로 차이에 따라, CMOS 이미지 센서는 전면 조사(FSI; front-side illuminated) 이미지 센서와 후면 조사(BSI; back-side illuminated) 센서로 분류될 수 있다.
FSI 이미지 센서에서는, 대상 장면으로부터의 광이 CMOS 이미지 센서의 전면에 입사되고 유전체 층 및 상호접속 층을 통과하며 포토다이오드에 떨어진다. 이와 달리, BSI 이미지 센서에서는, 광이 유전체 층 및 상호접속 층으로부터의 차단 없이 CMOS 이미지 센서의 후면에 입사된다. 그 결과, 광은 직접 경로를 통해 포토다이오드를 칠 수 있다. 이러한 직접 경로는 전자로 전환되는 광자의 수를 증가시키도록 도우며, 이는 CMOS 센서를 광원에 보다 민감하게 한다.
BSI 이미지 센서의 양자 효율을 개선하기 위하여, BSI 이미지 센서의 기판은 박형화될(thinned) 수 있다. 또한, 이온 주입 공정을 통해, 양자 효율을 더 개선하도록 얇은 P+ 층이 박형화된 기판 상에 형성될 수 있다. 나중에, 주입된 P+ 이온을 활성화시키고 또한 이온 주입 공정에 의해 야기된 결정 결함을 보수(repair)하도록 레이저 어닐링 공정이 수행될 수 있다. 이러한 레이저 어닐링 공정은 이미지 센서에 미치는 레이너 스캐닝 경계 효과로 인해 다크 모드 이미지 스트라이프 패턴(dark mode image stripe pattern)을 야기할 수 있다. 이러한 다크 모드 스트라이프 패턴을 피하기 위해, 실리콘 표면을 보호하도록 얇은 산화물 층이 성장할 수 있다. 기판의 후면에 대한 이러한 공정 순서는 길고 비용이 든다. BSI 센서에 대한 공정 순서를 감소시키면서 양자 효율을 개선하기 위한 방법이 관심 대상이다.
후면 조사(BSI) 이미지 센서 디바이스에 대한 방법 및 장치가 개시된다.
BSI 센서 디바이스는 감광 다이오드를 포함하는 기판 상에 형성된다. 기판은 후면에서 박형화될 수 있고, 그 다음 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층이 기판의 후면 표면 상에 형성될 수 있다. B 도핑된 에피-Si(Ge) 층 상에 금속 쉴드 층, 유전체 층, 마이크로렌즈 및 컬러 필터와 같은 추가의 층이 형성될 수 있다.
본 발명에 따라 후면 조사(BSI) 이미지 센서 디바이스에 대한 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
본 개시 및 이의 이점의 보다 완전한 이해를 위해, 이제 첨부 도면과 함께 취한 다음의 설명을 참조한다.
도 1a 및 도 1b는 BSI 센서 디바이스의 전면 형성을 예시한다.
도 2a 내지 도 2g는 실시예에 따른 BSI 센서 디바이스를 형성하기 위해 배면 처리를 위한 방법 및 장치를 예시한다.
상이한 도면에서 대응하는 번호 및 부호는 달리 나타내지 않는 한 일반적으로 대응하는 부분을 지칭한다. 도면은 다양한 실시예의 관련 양상을 명확하게 예시하고자 도시된 것이며 반드시 축척 대로 도시된 것은 아니다.
도 1a 및 도 1b는 BSI 센서 디바이스의 전면 형성을 예시한다.
도 2a 내지 도 2g는 실시예에 따른 BSI 센서 디바이스를 형성하기 위해 배면 처리를 위한 방법 및 장치를 예시한다.
상이한 도면에서 대응하는 번호 및 부호는 달리 나타내지 않는 한 일반적으로 대응하는 부분을 지칭한다. 도면은 다양한 실시예의 관련 양상을 명확하게 예시하고자 도시된 것이며 반드시 축척 대로 도시된 것은 아니다.
본 실시예를 형성하고 사용하는 것이 아래에 상세하게 설명된다. 그러나, 본 개시는 광범위하게 다양한 특정 상황에서 구현될 수 있는 수많은 적용 가능한 발명의 개념을 제공하는 것임을 알아야 한다. 설명되는 특정 실시예는 단지 본 개시의 실시예를 형성하고 사용하는 특정 방식을 예시한 것이며 본 개시의 범위를 한정하지 않는다.
본 개시는 후면 조사(BSI) 이미지 센서 또는 BSI 센서 디바이스에 대한 장치 및 방법을 개시한다. 실시예에 따라, BSI 센서 디바이스의 기판은 후면에서 박형화될 수 있고, 그 다음 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층이 기판의 후면 표면 상에 형성될 수 있다. 에피-Si(Ge) 시드 층은 BSI 박형화 공정 동안 야기된 Si 표면 손상을 보수할 수 있으며, 원자가 Si보다 4% 더 큰 Ge는 양자 효율을 개선할 수 있다. 인시추(in-situ) B 도핑된 에피-Si(Ge) 층은 BSI Si 표면에서 p-n 접합인 것으로서 제어 가능한 P 타입 층을 생성할 수 있으며, 이는 전자 누설 및 백색 픽셀 성능을 개선할 수 있다. 본 개시의 실시예는 다양한 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 센서에 적용될 수 있다. 실시예는 예로서 센서 디바이스의 하나의 픽셀 영역을 사용하여 예시된다.
도 1a는 개별 픽셀 영역(200)의 단순화된 단면도를 예시한다. 픽셀 영역(200)은 BSI 센서 요소(sensor element)가 픽셀 영역 내에 형성될 수 있으므로 본 개시에서 BSI 센서 디바이스로도 지칭될 수 있다. 이미지 센서는 픽셀 영역 상에 형성된 이러한 픽셀 영역 또는 센서 요소의 어레이 또는 그리드를 포함할 수 있다. 픽셀 영역(200)은 전면(291)과 후면(293)을 갖는 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 기판(210)은 실리콘, 게르마늄, 다이아몬드 등과 같은 반도체 재료일 수 있다. 기판(210)은 붕소, 알루미늄, 갈륨 등과 같은 p 타입 도펀트로 도핑될 수 있지만, 당해 기술 분야에서 공지되어 있는 바와 같이, 기판은 대안으로서 n 타입 도펀트로 도핑될 수 있다.
기판(210)은 기판(210) 상에 형성된 다양한 디바이스들을 분리시키고 격리하도록 그리고 또한 이미지 센서의 다른 로직 영역으로부터 픽셀 영역(200)을 분리시키도록 복수의 격리 영역(isolation area)(294)을 포함할 수 있다. 격리 영역(294)은 당해 기술 분야에 공지되어 있는 바와 같이, 일반적으로 트렌치를 형성하도록 기판(210)을 에칭하고 트렌치를 유전체 재료로 채움으로써 형성되는 쉘로우 트렌치 아이솔레이션(shallow trench isolation)일 수 있다. 선택적으로, 산화물 라이너(296)가 격리 영역(294)의 측벽을 따라 형성될 수 있다.
기판(210)은 간단히 포토다이오드(297)로 지칭되는 감광 다이오드(297)를 포함할 수 있으며, 이는 감광 다이오드(297)에 부딪히는 광의 강도 또는 휘도에 관련된 신호를 발생시킬 수 있다. 실시예에서, 감광 다이오드(297)는 고정 층(pinned layer) 포토다이오드일 수 있다. 고정 층 포토다이오드(297)는 기판(210)에 형성된 n 타입 도핑된 영역(281)을 포함할 수 있으며, 기판(210)은 이 실시예에서 p 타입 기판일 수 있다. 이는 또한 p-n-p 접합을 형성하도록 n 타입 도핑된 영역(281)의 표면 상에 형성된 고농도 도핑된(heavily doped) p 타입 영역(283)(고정 층으로 지칭됨)을 포함할 수 있다. 당해 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자라면 알 수 있듯이, 상기 기재된 고정 층 포토다이오드는 단순히 실시예에서 사용될 수 있는 한 유형의 감광 다이오드(297)일 뿐이다. 예를 들어, 비고정(non-pinned) 층 포토다이오드가 대안으로서 사용될 수 있다. 실시예를 이용해 임의의 적합한 포토다이오드가 이용될 수 있고, 이들 모든 포토다이오드는 본 실시예의 범위 내에 포함되고자 한다.
픽셀 영역(200)은 트랜지스터(299)를 포함할 수 있으며, 트랜지스터(299)는 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor), 리셋 트랜지스터(reset transistor), 소스 팔로워 트랜지스터(source follower transistor), 또는 선택 트랜지스터일 수 있다. 트랜지스터(299)는 기판(210)에 인접한 게이트 유전체(285), 게이트 유전체 위의 게이트 전극(287), 및 게이트 유전체(285)와 게이트 전극(287)의 측벽을 따른 스페이서를 포함할 수 있다. 게이트 유전체(285) 및 게이트 전극(287)은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 공정에 의해 기판(210) 상에 형성되고 패터닝될 수 있다.
트랜지스터의 소스/드레인 영역(284)은 감광 다이오드(297)로부터 게이트 유전체(285)의 반대 면에 기판(210)에 형성될 수 있다. 기판(210)이 p 타입 기판인 실시예에서, 소스/드레인 영역(284)은 인, 비소, 안티몬 등과 같은 적합한 n 타입 도펀트를 주입함으로써 형성될 수 있다. 당해 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자라면 소스/드레인 영역(284) 및 감광 다이오드(297)를 형성하는데 많은 다른 공정, 단계 등이 사용될 수 있다는 것을 알 것임을 유의하여야 한다.
층간 유전체(ILD) 층(230)이 픽셀 영역(200) 위에 형성될 수 있다. ILD 층(230)은 BPSG(boron phosphorous silicate glass)와 같은 재료를 포함할 수 있지만, 임의의 적합한 유전체가 어느 층에든 사용될 수 있다. 적합한 포토리소그래피 및 에칭 기술을 이용해 컨택(231)이 ILD 층(230)을 통해 형성될 수 있다. 컨택(231)은 확산을 막고 컨택에 대한 보다 나은 접착력을 제공하도록 도시되지는 않은 배리어/접착 층을 포함할 수 있다.
다양한 디바이스들을 서로 접속시키도록 다양한 전도성 및 유전체 층이 ILD 층(230) 상에 형성될 수 있으며, 이는 도 1a에서 금속간 유전체(IMD; inter-metal dielectric) 층(240)으로서 집합적으로 지칭된다. 이들 상호접속부는 임의의 적합한 형성 공정을 통해(예를 들어, 에칭을 이용한 리소그래피, 다마신, 듀얼 다마신 등) 제조될 수 있고, 알루미늄 합금, 구리 합금 등과 같은 적합한 전도성 재료를 사용하여 형성될 수 있다.
또한, 상호접속부가 ILD 층(230) 및 IMD 층(240) 위에 형성되면, 아래의 층을 물리적 및 화학적 손상으로부터 보호하기 위하여 패시베이션 층(250)이 형성될 수 있다. 패시베이션 층(250)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 탄소 도핑된 산화물과 같은 로우 k 유전체, 다공성 탄소 도핑된 실리콘 이산화물과 같은 매우 낮은 k 유전체, 이들의 조합 등과 같은 하나 이상의 적합한 유전체 재료로 제조될 수 있다. 패시베이션 층(250)은 화학적 기상 증착(CVD)과 같은 공정을 통해 형성될 수 있지만, 임의의 적합한 공정이 이용될 수 있다.
도 1a에 도시된 상세도는 도 1b에서 보다 추상적인 방식으로 도시될 수 있다. 이 단계에서의 픽셀 영역(200)은 실리콘 기판(210), ILD 층(230), 다수의 금속화 레벨을 분리하는 IMD 층(240), 및 패시베이션 층(250)을 포함한다. 층(210, 230 및 240)의 예시적인 세부 사항은 도 1a에 예시되어 있다. ILD 및 IMD 층은 대안으로서 단일 유전체 층을 집합적으로 형성하는 것으로서 나타날 수 있다. 상호접속부, 게이트 또는 기타 회로 요소와 같은 다양한 이미지 센서 특징부가 종래의 기술을 사용하여 소정의 유전체 층 내에 형성될 수 있다. 픽셀 영역(200)은 또한 본 개시에서 BSI 센서 요소가 픽셀 영역에 형성될 수 있으므로 BSI 센서 디바이스(200) 또는 BSI 센서 요소로도 지칭될 수 있고, BSI 센서 또는 BSI 센서 디바이스는 복수의 BSI 센서 요소를 포함한다.
도 2a에 단면도로 예시된 바와 같이, 캐리어 웨이퍼(202)는 BSI 센서 디바이스(200)에 본딩 공정(211)에 의해 본딩될 수 있으며, BSI 센서 디바이스(200)는 도 1b에 예시된 바와 같이 실리콘 기판(210), ILD 층(230), 다수의 금속화 레벨을 분리하는 IMD 층(240), 및 패시베이션 층(250)을 포함한다. 본딩 공정(211)은 패시베이션 층(250) 상의 디바이스(200)에 캐리어 웨이퍼(202)를 결합시키기 위한 통상의 본딩 공정을 포함할 수 있다. 일부 기타 실시예에서 캐리어 웨이퍼(202)는 패시베이션 층(250) 대신에 IMD 층(240)에 직접 본딩될 수 있다. 캐리어 웨이퍼(202)는 예를 들어 핸들 웨이퍼로 일반적으로 지칭되는 웨이퍼의 유형을 포함할 수 있다.
도 2b에 단면도로 예시된 바와 같이, 캐리어 웨이퍼(202)가 구조에 대한 지지를 제공하는 바닥에 있도록 디바이스(200)와 함께 캐리어 웨이퍼(202)가 뒤집어진다. 기판(200)의 후면 표면을 통해 지향된 광이 기판 내에 형성된 센서 요소에 효과적으로 도달할 수 있도록 구조는 후면에서 기판(210)을 박형화하도록 에칭 또는 박형화 공정(213)을 더 겪는다.
도 2c에 단면도로 예시된 바와 같이, 에피-Si(Ge) 시드 층(201)이 후면에서 박형화된 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 에피-Si(Ge) 시드 층(201)은 다음과 같이 형성될 수 있다. 먼저 Si(Ge) 재료의 시드 층이 약 100 내지 700 Å 범위 그리고 가능하면 약 200 내지 500 Å 범위의 두께를 가지고 형성된다. 에피-Si(Ge) 층은 다음의 예시적인 조건 하에 형성될 수 있는데, Si 전구체는 바람직하게 SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3 또는 SiCl4 그리고 보다 바람직하게는 SiH4일 수 있고, Ge 전구체는 바람직하게 GeH4 또는 GeCl4 그리고 보다 바람직하게는 GeH4일 수 있고, 온도는 바람직하게 약 500 내지 750 ℃ 그리고 보다 바람직하게는 약 600 내지 700 ℃로부터 이루어질 수 있고, 압력은 바람직하게 약 5 내지 100 Torr 그리고 보다 바람직하게는 약 10 내지 60 Torr로부터 이루어질 수 있다. 에피-Si(Ge) 시드 층은 BSI 박형화 공정 중에 야기된 Si 표면 손상을 보수할 수 있으며, 원자가 Si보다 4% 더 큰 Ge는 양자 효율을 개선할 수 있다.
도 2d에 단면도로 예시된 바와 같이, B 도핑된 에피-Si(Ge) 층(201)으로 지칭되는 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층이 형성될 수 있다. 층(201)은 바람직하게 도핑 공정(217)을 통해 붕소(B)로 도핑된다. 붕소로 도핑할 경우, B2H6은 다음 조건 하에서 바람직하게 약 5 내지 100 sccm 그리고 보다 바람직하게는 약 10 내지 50 sccm의 속도로 유입될 수 있는데, 온도는 바람직하게 약 500 내지 750 ℃ 그리고 보다 바람직하게는 약 600 내지 700 ℃로부터 이루어질 수 있고, 압력은 바람직하게 약 5 내지 100 Torr 그리고 보다 바람직하게는 약 10 내지 60 Torr로부터 이루어질 수 있고, 시간은 바람직하게 10 내지 120초 그리고 보다 바람직하게는 약 10 내지 60초로부터 이루어질 수 있다. 도펀트는 바람직하게 약 1E18 내지 1E22 원자/cm2 그리고 보다 바람직하게는 약 1E19/cm2의 농도를 가질 수 있다. 인시추 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층은 BSI Si 표면에서 p-n 접합인 것으로서 제어 가능한 P 타입 층을 생성할 수 있으며, 이는 전자 누설 및 백색 픽셀 성능을 개선할 수 있다.
도 2e에 단면도로 예시된 바와 같이, 금속 컨택(203)이 B 도핑된 에피-Si(Ge) 층(201) 상에 형성될 수 있다. 금속 컨택(203) 또는 복수의 이러한 컨택(203)은 금속 컨택 층을 형성할 수 있다. 금속 컨택(203)은 임의의 적합한 형성 공정을 통해(예를 들어, 에칭을 이용한 리소그래피, 다마신, 듀얼 다마신 등) 제조될 수 있고, 알루미늄 합금, 구리 합금 등과 같은 적합한 전도성 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 금속 컨택(203)은 센서 요소에 대한 블랙 레벨 보정(BLC; black level correction)을 제공하도록 금속 쉴드로서 작용할 수 있다.
도 2f에 단면도로 예시된 바와 같이, 유전체 층(204)이 기판(210)의 후면 표면 상에 금속 쉴드 층 상에 형성될 수 있다. 유전체 층(204)은 SiN, SiON, SiC, Ta2O5, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 유전체 층(204)은 약 200 옹스트롬 내지 약 2,000 옹스트롬 사이의 두께로 증착될 수 있다. 유리하게는, 기계적 지지 및/또는 수분에 대한 보호를 위한 후면 패시베이션 층으로서, 후속 공정을 위한 에칭 정지 층으로서, 그리고/또는 양자 효율을 최대화하도록 반사방지 코팅(ARC; antireflective coating)으로서 기능하도록, 유전체 층(204)이 또한 형성될 수 있다. 하나의 실시예에서, 유전체 층(204)은 기판 내의 디바이스의 내부 구조에 대한 응력을 감소시키고 보호를 위해 형성될 수 있다. 유전체 층(204)은 층(201) 바로 위에 형성될 수 있다. 일부 기타 실시예에 대하여 유전체 층(204)은 전혀 형성되지 않을 수 있다.
도 2g에 단면도로 예시된 바와 같이, 마이크로렌즈(208)와 컬러 필터 요소(209)가 컬러 이미징 응용을 위해 유전체 층(204) 상에 형성될 수 있다. 마이크로렌즈 렌즈(208)는 후면 조사된 광이 광 감지 영역에 포커싱될 수 있도록 컬러 필터(209) 위에 위치될 수 있다. 마이크로렌즈(208)는 기판(210)의 후면으로부터 포토다이오드로 조사된 광을 수렴한다. 컬러 필터 요소(209)의 각각이 대응하는 마이크로 렌즈(208)와 연관된다. 컬러 필터 요소 및 연관된 마이크로 렌즈는 정렬 마크를 사용하여 센서 층의 감광 요소에 맞춰 정렬될 수 있지만, 이러한 마크는 도시되지 않는다.
개시된 구조 및 이를 제조하기 위한 방법에서, 적용 중 조사된 광은 가시광 빔에 한정되지 않고, 적외선(IR) 및 자외선(UV)과 같은 기타 옵티컬 광, 및 기타 적합한 방사선 빔으로 확장될 수 있다.
반도체 디바이스의 제조를 완료시키도록 추가적인 공정이 수행될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 이들 추가적인 공정은 패시베이션 층의 증착, 컨택의 형성, 및 상호접속 구조의 형성(예를 들어, 라인 및 비아, 금속 층 및 형성된 금속 게이트를 포함한 디바이스에의 전기적 상호접속을 제공하는 층간 유전체)을 포함할 수 있다. 복수의 집적 회로 디바이스가 또한 기판(210)의 전면 표면 상에 형성될 수 있다. 단순화를 돕기 위해, 이들 추가적인 공정은 여기에 기재되지 않는다.
본 개시의 실시예 및 이의 이점이 상세하게 기재되었지만, 첨부된 청구항에 의해 정의되는 본 개시의 진정한 의미 및 범위로부터 벗어나지 않고서 치환 및 대안이 여기에 행해질 수 있다.
또한, 본 출원의 범위는 명세서에 기재된 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 및 단계의 특정 실시예에 한정되고자 하는 것이 아니다. 당해 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시로부터 용이하게 알 수 있듯이, 여기에 기재된 대응하는 실시예와 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 달성하는 현재 존재하거나 추후에 개발될 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 또는 단계가 본 개시에 따라 이용될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항은 이러한 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 또는 단계를 본 발명의 범위 내에 포함하고자 한다.
200: 픽셀 영역 210: 기판
230: 층간 유전체(ILD) 층 231: 컨택
240: 금속간 유전체(IMD) 층 250: 패시베이션 층
284: 소스/드레인 영역 285: 게이트 유전체
287: 게이트 전극 288: 스페이서
294: 격리 영역 297: 감광 다이오드
299: 트랜지스터
230: 층간 유전체(ILD) 층 231: 컨택
240: 금속간 유전체(IMD) 층 250: 패시베이션 층
284: 소스/드레인 영역 285: 게이트 유전체
287: 게이트 전극 288: 스페이서
294: 격리 영역 297: 감광 다이오드
299: 트랜지스터
Claims (6)
- 후면 조사(BSI; backside illuminated) 센서 디바이스를 제조하기 위한 방법에 있어서,
기판 - 상기 기판은 상기 기판의 전면(front side) 표면을 따라 위치되는 감광 다이오드를 포함함 - 의 전면에 캐리어 웨이퍼를 본딩하는 단계와;
상기 캐리어 웨이퍼가 바닥에 있도록 상기 캐리어 웨이퍼 및 상기 기판을 뒤집는(flipping over) 단계와;
상기 기판의 후면에서 상기 기판을 박형화(thinning)하는 단계와;
상기 기판의 후면에서 박형화된 기판 상에 에피-SiGe 시드 층을 형성하는 단계와;
상기 에피-SiGe 시드 층에 B 타입 도펀트를 도핑하여 B 도핑된 에피-SiGe 층을 형성하는 단계 - B2H6가 500 ℃ 내지 750 ℃의 온도 및 5 내지 100 Torr의 압력에서 5 내지 100 sccm의 속도로 10 내지 120초 동안 도입될 때, 상기 B 도핑된 에피-SiGe 층은 1E18 내지 1E22 원자/cm2의 B 도펀트 농도를 가짐 - 를 포함하는, 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서, 블랙 레벨 보정(BLC; black level correction)을 제공하도록 상기 B 도핑된 에피-SiGe 층 상에 금속 쉴드(metal shield) 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 B 도핑된 에피-SiGe 층 상에 유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 B 도핑된 에피-SiGe 층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 B 도핑된 에피-SiGe 층 상에 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 전면 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 조사 센서 디바이스의 제조 방법.
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