KR101896701B1 - Cylindrical sputtering target, and method for manufacturing same - Google Patents

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Abstract

복수의 원통형 타겟재로 이루어진 긴 원통형 스퍼터링 타겟을 이용해서 스퍼터링 성막했을 경우에 있어서도, 성막 공정의 제조 수율이 높은 원통형 스퍼터링 타겟을 제공한다. 원통형 기재와 복수의 원통형 타겟재를 접합재를 이용해서 접합하여 이루어진 다분할의 원통형 스퍼터링 타겟에 있어서, 이웃하는 원통형 타겟재가 간격을 가지고 배치되어 있는 분할부를 지니고, 또한 분할부에 있어서 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면의 단차가 0.5㎜ 이하인 것을 특징으로 한다. 이러한 타겟은, 원통형 기재를 기준으로 해서 원통형 타겟재를 배치할 때, 원통형 타겟재의 외주면을 기준으로 해서 원통형 타겟재를 고정시켜 제조함으로써 얻어진다. A cylindrical sputtering target having a high production yield in a film forming process even when sputtering is formed using a long cylindrical sputtering target made of a plurality of cylindrical target materials. A cylindrical sputtering target of multiple division obtained by joining a cylindrical base material and a plurality of cylindrical target materials using a bonding material, the cylindrical sputtering target having a divided portion in which neighboring cylindrical target materials are arranged with an interval, And the step of the outer peripheral surface of the ash is 0.5 mm or less. Such a target is obtained by manufacturing a cylindrical target material by fixing the cylindrical target material on the basis of the outer circumferential surface of the cylindrical target material when the cylindrical target material is arranged on the basis of the cylindrical base material.

Figure 112011028881014-pct00002
Figure 112011028881014-pct00002

Description

원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법{CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}[0001] CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME [0002]

본 발명은 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cylindrical sputtering target and a manufacturing method thereof.

최근, 평판형 디스플레이나 태양 전지에서 사용되는 유리 기판은 대형화되고, 이 대형화된 기판 상에 박막을 형성하기 위해서, 길이 3m를 넘는 원통형 타겟이 필요로 되고 있다. 이러한 긴 원통형 스퍼터링 타겟은 마그네트론 회전 캐소드 스퍼터링 장치에 이용된다. 원통형 스퍼터링 타겟은, 통상, 긴 원통형 기재 상에 원통형 타겟재가 고정되어서 이루어진 것으로, 원통형 기재로서는, 일반적으로 금속의 이음매 없는 관이 사용된다. 긴 원통형 기재의 전체 면을 연삭 가공하는 것은 비용이 들기 때문에 경제적이지 않고, 또 가공 정밀도에도 문제가 있다. 따라서, 원통형 기재의 양단의 부분만이 스퍼터링 장치에 장착하기 위해서 연삭가공되어, 원통형 타겟재가 고정되는 부분은 이음매 없는 관의 고유관 자체이므로, 진원이 아니라, 굴곡이나 휨 등이 존재한다.In recent years, a glass substrate used in a flat panel display or a solar cell has been enlarged, and a cylindrical target having a length exceeding 3 m is required in order to form a thin film on the enlarged substrate. Such long cylindrical sputtering targets are used in a magnetron rotating cathode sputtering apparatus. A cylindrical sputtering target is usually formed by fixing a cylindrical target material on a long cylindrical substrate, and a seamless tube of metal is generally used as the cylindrical substrate. It is costly to grind the entire surface of the long cylindrical base material, which is costly, and there is also a problem in machining accuracy. Therefore, only the portions of both ends of the cylindrical base material are ground to be mounted on the sputtering apparatus, and the portion where the cylindrical target material is fixed is the high-pressure pipe itself of the seamless pipe, so there is bending or bending.

또, 긴 원통형 스퍼터링 타겟에서는, 소형의 원통형 타겟재를 10개 이상 포개어 쌓아서(즉, 적층) 구성하는 일도 있어, 적층에 의한 어긋남이 원통형 타겟재의 외주면에 단차를 발생시키는 원인으로 된다. 또한, 복수의 원통형 타겟재로 이루어진 다분할의 원통형 스퍼터링 타겟은, 스퍼터링 중의 플라즈마에 의해 원통형 타겟재가 열팽창하여, 타겟끼리 충돌해서 깨지는 것을 방지하기 위하여, 이웃하는 원통형 타겟재가 간격을 가지고 배치되어 있는 분할부가 필요하다. 특히, 이러한 분할부에 있어서, 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면에서 단차가 발생하기 쉽다.In addition, in the case of a long cylindrical sputtering target, ten or more small cylindrical target materials may be superimposed (stacked) to form a layered structure, which causes a step difference in the outer peripheral surface of the cylindrical target material. In addition, in order to prevent the cylindrical target material from thermally expanding due to the plasma during sputtering and to prevent the targets from colliding with each other due to collision, a cylindrical sputtering target of multiple division made of a plurality of cylindrical target materials is divided into segments It is necessary to add. Particularly, in such a divided portion, a step is liable to occur at the outer peripheral surface of the adjacent cylindrical target material.

복수매의 타겟 부재를 단일의 배킹 플레이트(backing plate)에 배치한 평판형의 타겟에 있어서, 단차를 생기지 않도록 하는 방법으로서, 스퍼터링 면의 높이가 높은 타겟 부재의 분할부 측의 스퍼터링 면을, 낮은 쪽의 스퍼터링 면에 이르는 경사면으로 하는 방법(예를 들어, 특허문헌 1)이 알려져 있다. 그러나, 이 방법은 타겟재에 연삭가공을 실시할 필요가 있으므로, 타겟재의 손실이 크다고 하는 문제가 있었다.As a method for preventing a step from occurring in a planar target in which a plurality of target members are arranged on a single backing plate, a sputtering surface on the divided portion side of the target member having a high sputtering surface height is set to a low (For example, Patent Document 1) is known. However, this method has a problem that the target material needs to be subjected to grinding processing, and thus the loss of the target material is large.

또, 원통형 타겟재와 원통형 기재의 중심을 일치시키는 방법으로서, 원통형 기재와 원통형 타겟재의 간격보다도 약간 두꺼운 스페이서를 이용해서, 원통형 기재의 외주면과 타겟재의 내주면에서 중심을 일치시키는 방법(예를 들어, 특허문헌 2 및 3 참조)이 알려져 있다. 그러나, 이 방법에서는, 긴 원통형 기재를 이용했을 경우, 원통형 타겟재가 원통형 기재에 삽입될 수 없게 되거나, 원통형 기재의 형상에 의해 원통형 타겟재의 위치가 제약되어, 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면에 단차가 생기거나 하는 일이 있었다.As a method for aligning the centers of the cylindrical target material and the cylindrical base material, there is a method in which the centers of the outer circumferential surface of the cylindrical base material and the inner circumferential surface of the target material are aligned by using a spacer slightly thicker than the gap between the cylindrical base material and the cylindrical target material See Patent Documents 2 and 3). However, in this method, in the case of using the long cylindrical base material, the cylindrical target material can not be inserted into the cylindrical base material, or the position of the cylindrical target material is restricted by the shape of the cylindrical base material, and a step is formed on the outer peripheral surface of the adjacent cylindrical target material Or something.

JPJP 2000-2044682000-204468 AA JPH08-060351 AJPH08-060351E JPJP 2005-2818622005-281862 AA

본 발명의 과제는, 복수의 원통형 타겟재로 이루어진 긴 원통형 스퍼터링 타겟을 이용해서 스퍼터링 성막했을 경우에 있어서도, 성막 공정의 제조 수율이 높은 원통형 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a cylindrical sputtering target having a high production yield in a film forming process even when a sputtering film is formed using a long cylindrical sputtering target made of a plurality of cylindrical target materials.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 복수의 원통형 타겟재로 이루어진 원통형 스퍼터링 타겟에 있어서, 이웃하는 원통형 타겟재끼리의 외주면의 단차를 억제함으로써, 스퍼터링 성막 시의 이상방전과 파티클의 발생을 억제할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies in order to solve the above problems, the present inventors have found that, in a cylindrical sputtering target composed of a plurality of cylindrical target materials, by suppressing the step on the outer peripheral surface of adjacent cylindrical target materials, The inventors have found out that the generation of particles can be suppressed, and have completed the present invention.

즉, 본 발명은, 원통형 기재의 외주면에 대해서, 복수의 포개어 쌓은 원통형 타겟재를, 접합재를 이용해서 접합하여 이루어지고, 이웃하는 원통형 타겟재가 간격을 가지고 배치되어 있는 분할부를 지니며, 또한 분할부에 있어서 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면의 단차가 0.5㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟이다.That is, the present invention has a divided portion in which a plurality of superimposed cylindrical target materials are bonded to the outer peripheral surface of a cylindrical base material by using a bonding material, and neighboring cylindrical target materials are arranged with an interval, And the step of the outer circumferential surface of the neighboring cylindrical target material in the fill part is 0.5 mm or less.

또, 본 발명은, 원통형 기재의 외주면에 대해서, 복수의 포개어 쌓은 원통형 타겟재를, 접합재를 이용해서 접합함으로써 원통형 스퍼터링 타겟을 제조하고, 원통형 기재를 기준으로 해서 복수의 원통형 타겟재를 배치할 때에, 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면의 단차가 0.5㎜ 이하로 되도록, 한쪽의 원통형 타겟재의 외주면을 기준으로 해서 다른 쪽의 원통형 타겟재를 고정하는 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법이다.The present invention also provides a method of producing a cylindrical sputtering target by joining a plurality of superimposed cylindrical target materials to an outer peripheral surface of a cylindrical base material by using a bonding material and arranging a plurality of cylindrical target materials on the basis of the cylindrical base material , And the other cylindrical target material is fixed with reference to the outer circumferential surface of one cylindrical target material so that the step difference of the outer circumferential surface of the adjacent cylindrical target material is 0.5 mm or less.

본 발명에 의하면, 복수의 원통형 타겟재로 이루어진 긴 원통형 스퍼터링 타겟을 이용해서 스퍼터링 성막했을 경우에 있어서도, 이상방전과 파티클의 발생을 억제하여, 성막 공정의 제조 수율을 높일 수 있다.According to the present invention, even when sputtering is formed by using a long cylindrical sputtering target made of a plurality of cylindrical target materials, abnormal discharge and generation of particles can be suppressed, and the production yield of the film forming process can be increased.

도 1은 본 발명에 있어서의 원통형 스퍼터링 타겟의 조립상태의 일례를 나타낸 길이방향의 단면도;
도 2는 본 발명에 있어서의 원통형 스퍼터링 타겟의 조립상태의 일례를 나타낸 직경방향의 단면도;
도 3은 본 발명에 있어서의 원통형 스퍼터링 타겟의 외주면의 단차를 설명하는 개략도;
도 4는 비교예에 있어서의 원통형 스퍼터링 타겟의 조립상태의 일례를 나타낸 직경방향의 단면도;
도 5는 비교예에 있어서의 원통형 스퍼터링 타겟의 조립상태의 일례를 나타낸 길이방향의 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an assembled state of a cylindrical sputtering target according to the present invention; FIG.
Fig. 2 is a cross-sectional view in the radial direction showing an example of the assembled state of the cylindrical sputtering target in the present invention; Fig.
3 is a schematic view for explaining a step on the outer peripheral surface of a cylindrical sputtering target in the present invention;
Fig. 4 is a cross-sectional view of the cylindrical sputtering target in the radial direction, showing an example of assembled state of the cylindrical sputtering target in the comparative example; Fig.
5 is a longitudinal sectional view showing an example of an assembled state of a cylindrical sputtering target in a comparative example.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하면서, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Figs. 1 to 3. Fig.

본 발명의 원통형 스퍼터링 타겟에 이용되는 원통형 타겟재(2)로서는, 일반적으로 스퍼터링에서 이용되는 각종 재질이 사용가능하며, 예를 들어, In, Sn, Zn, Al, Nb, Ti 등의 금속, 혹은 이들 금속을 함유해서 이루어진 합금, 또는 이들 금속 등의 1종 이상의 산화물이나 질화물 등을 들 수 있다. 산화물로는, 예를 들어, ITO(Indiuｍ Tin Oxide), AZO(Aluｍiniuｍ Zinc Oxide), IZO(Indiuｍ Zinc Oxide), SnO2, In2O3, Al2O3, TiO2, ZnO 등을 들 수 있고, 이들과 같은 무른 세라믹스 재료에서는, 특히 본 발명의 효과가 얻어진다.As the cylindrical target material 2 used in the cylindrical sputtering target of the present invention, various materials generally used for sputtering can be used. For example, metals such as In, Sn, Zn, Al, Nb and Ti, Alloys containing these metals, and oxides or nitrides of at least one of these metals. Examples of the oxide include ITO (Indium Tin Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), SnO 2 , In 2 O 3 , Al 2 O 3 , TiO 2 , And the effect of the present invention is particularly obtained in a ceramics material such as these.

본 발명의 원통형 스퍼터링 타겟에 이용되는 원통형 기재(1)로서는, 각종 재질이 사용가능하다. 이 재질로서는, 타겟을 사용해서 스퍼터링할 때에, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 접합하는 접합재가 열화·용융되지 않도록 충분한 냉각을 행할 수 있는 바와 같은 열전도성을 지니고, 스퍼터링 시 타겟재(2)로부터 방전가능해지는 바와 같은 전기전도성을 지니며, 또한 타겟을 유지하는 것이 가능한 강도 등을 구비하고 있는 것이면 된다. 이러한 재질로서는, 예를 들어, Cu, Ti, Al, Mo, 그들의 금속을 함유하는 합금, SUS 등을 들 수 있다.As the cylindrical base material 1 used for the cylindrical sputtering target of the present invention, various materials can be used. As this material, when the target is used for sputtering, the bonding material joining the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 has thermal conductivity such that sufficient cooling can be performed so that the bonding material is not deteriorated and melted. Any material that has electric conductivity such as to be dischargeable from the material 2 and has strength capable of holding the target. Examples of such a material include Cu, Ti, Al, Mo, alloys containing these metals, SUS, and the like.

또, 원통형 기재(1)의 길이로서는 특별히 제한은 없다. 본 실시형태에서는 1000㎜ 이상의 길이를 가진 원통형 기재를 이용한 원통형 스퍼터링 타겟이더라도, 수율 양호하게 성막하는 것이 가능하다.The length of the cylindrical base material 1 is not particularly limited. Even in the case of a cylindrical sputtering target using a cylindrical substrate having a length of 1000 mm or more in this embodiment, it is possible to form a film with good yield.

본 실시형태의 원통형 스퍼터링 타겟에 이용되는 접합재로서는, 타겟을 사용해서 스퍼터링할 때에, 접합재가 열화·용융되지 않도록 충분한 냉각을 행할 수 있는 바와 같은 열전도성을 지니고, 스퍼터링 시 타겟재(2)로부터 방전가능하게 되는 바와 같은 전기전도성을 지니며, 또한 타겟을 유지하는 것이 가능한 강도 등을 구비하고 있는 재질이면 된다. 예를 들어, 땜납재나 도전성 수지를 들 수 있다.As the bonding material used in the cylindrical sputtering target of the present embodiment, it is preferable that the bonding material has thermal conductivity such that sufficient cooling can be performed so that the bonding material is not deteriorated and melted when the target is sputtered, It may be made of a material having electrical conductivity as much as possible and having strength capable of holding the target. For example, a soldering material or a conductive resin may be used.

땜납재로서는, 일반적으로 땜납재로서 사용되는 것이면 사용가능하다. 바람직하게는, 저융점 땜납이며, 예를 들어, In, In 합금, Sn, Sn 합금 등을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, In 또는 In 합금땜납이다. In 또는 In 합금땜납은 평판형의 타겟에서의 실적도 풍부하며, 또한 전연성이 풍부하므로, 스퍼터링 중에 가열되는 타겟재(2)와 냉각되고 있는 기재(1)와의 열팽창 등의 왜곡을 완화하는 효과도 있다.The soldering material can be used as long as it is generally used as a soldering material. Preferably, the solder is a low melting point solder, and examples thereof include In, In alloy, Sn, and Sn alloy. More preferably, it is an In or In alloy solder. Since the In or In alloy solder is rich in the performance of the flat plate type target and is rich in the ductility, the effect of alleviating the distortion of the thermal expansion of the target material 2 heated during sputtering and the base material 1 being cooled have.

도전성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시, 아크릴, 폴리에스터, 우레탄, 페놀 등의 열경화형 수지에, 필러로서 Ag, C, Cu 등의 도전성 물질을 혼합한 것을 들 수 있다.Examples of the conductive resin include a thermosetting resin such as epoxy, acrylic, polyester, urethane, phenol and the like and a conductive material such as Ag, C or Cu as a filler.

본 실시형태의 원통형 스퍼터링 타겟은, 원통형 기재(1)가 복수의 원통형 타겟재(2)를 접합해서 이루어지고, 이웃하는 원통형 타겟재(2)가 간격을 가지고 배치되어 있는 분할부를 지니며, 그 분할부에 있어서 이웃하는 원통형 타겟재(2)의 외주면의 단차가 0.5㎜ 이하이다. 이 단차는 바람직하게는 0.3㎜ 이하, 더 바람직하게는 0.2㎜ 이하이다. 큰 단차가 존재하는 원통형 스퍼터링 타겟을 이용해서 스퍼터링을 행한 경우, 돌출한 쪽의 원통형 타겟재의 가장자리에 전계가 집중되므로, 이상방전이 발생하여 타겟재의 가장자리가 부서져 파티클이 생기기 쉬워진다. 특히, 원통형 스퍼터링 타겟에 있어서 큰 단차가 존재하면, 원통형이라고 하는 구조 때문에, 단차의 반대쪽에도 요철이 거꾸로 된 단차가 존재하는 것으로 된다. 따라서, 그러한 타겟을 회전시키면, 1회전당 2회의 큰 단차가 나타나는 것으로 된다. 원통형 타겟은 회전하면서 스퍼터링되므로, 이 큰 단차에 의한 전계의 교란이 타겟 1회전당 2회 발생하고, 이 전계의 교란이 이상방전의 원인으로 되는 것으로 여겨지고 있다. 또, 원통형 타겟은, 스퍼터링 시에는 3 내지 15초 정도로 1회전하므로, 3 내지 15초 정도에 2회나 전계의 교란이 발생하여, 이상방전의 원인으로 되는 것으로 여겨진다. 또한, 원통형 스퍼터링 타겟은, 평판형 스퍼터링 타겟과 비교해서 큰 파워를 투입하므로, 분할부에서의 타겟재의 단차의 영향이 극히 크다.The cylindrical sputtering target of the present embodiment is a cylindrical sputtering target in which a cylindrical base material 1 is formed by bonding a plurality of cylindrical target materials 2 and has adjacent divisional cylindrical target materials 2 arranged at intervals, The step difference of the outer circumferential surface of the adjacent cylindrical target material 2 in the divided portion is 0.5 mm or less. This step is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.2 mm or less. When sputtering is performed using a cylindrical sputtering target having a large step difference, an electric field is concentrated on the edge of the cylindrical target material on the protruding side, so an anomalous discharge is caused to cause the edge of the target material to be broken and particles to be easily formed. Particularly, when there is a large step in the cylindrical sputtering target, there is a step in which irregularities are inverted on the opposite side of the step due to the structure of a cylindrical shape. Therefore, when such a target is rotated, two large steps are displayed per one revolution. Since the cylindrical target is sputtered while rotating, disturbance of the electric field due to this large step is generated twice per one revolution of the target, and disturbance of this electric field is considered to cause an abnormal discharge. Further, the cylindrical target rotates about 3 to 15 seconds at the time of sputtering, so that disturbance of an electric field occurs twice at about 3 to 15 seconds, which is considered to cause an abnormal discharge. Further, since the cylindrical sputtering target is loaded with a larger power than the flat sputtering target, the influence of the step difference of the target material in the divided portion is extremely large.

또, 본 실시형태에 있어서, 분할부에 있어서 이웃하는 원통형 타겟재(2)의 외주면의 단차란, 도 3의 화살표가 나타내는 「어긋남」 부분이며, 그 원통형 스퍼터링 타겟 중에서 최대의 값을 말한다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 모든 분할부에 있어서, 그 차이가 0.5㎜ 이하인 것을 의미한다.In the present embodiment, the step on the outer circumferential surface of the adjacent cylindrical target material 2 in the divided portion is a "shift" portion indicated by an arrow in FIG. 3, and refers to the maximum value among the cylindrical sputtering targets. That is, in the present embodiment, it means that the difference is 0.5 mm or less in all divided portions.

본 실시형태의 원통형 스퍼터링 타겟은, 이웃하는 원통형 타겟재(2)가 간격을 가지고 배치되어 있는 분할부를 지니고 있는 것에 의해, 스퍼터링 중의 플라즈마에 의한 원통형 타겟재(2)의 열팽창에 의해, 타겟재(2)끼리 충돌해서 갈라지는 것을 방지하는 것이 가능해진다. 그러나, 분할부의 간격에 분포가 있으면, 원통형 타겟재(2)의 위치 어긋남을 생기게 하여, 원통형 타겟재(2)의 외주면에 단차를 발생시키는 원인으로 된다. 따라서, 분할부의 간격의 분포는 ±0.1㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 ±0.05㎜ 이하이다. 또, 본 실시형태의 분할부의 간격의 분포란, 분할부에 있어서 둘레 방향으로 균등하게 8개소 이상의 간격을 측정했을 때의 평균치에 대한 최대값과 최소치와의 차이이며, 복수의 분할부가 존재하는 경우에는 그 중에서 최대값을 말한다.Since the cylindrical sputtering target of the present embodiment has a divided portion in which adjacent cylindrical target materials 2 are arranged with a gap, thermal expansion of the cylindrical target material 2 due to plasma during sputtering causes the target material (2) can be prevented from colliding with each other. However, if there is a distribution in the intervals of the divided portions, the positional deviation of the cylindrical target material 2 may occur, causing a step on the outer peripheral surface of the cylindrical target material 2. [ Therefore, the distribution of the intervals of the divided portions is preferably ± 0.1 mm or less, and more preferably ± 0.05 mm or less. The distribution of the intervals of the divided portions of the present embodiment means the difference between the maximum value and the minimum value of the average value when eight or more intervals are uniformly measured in the circumferential direction in the divided portion, And the maximum value among them.

이 분할부의 간격은 0이 아니고, 원통형 타겟재(2)의 길이와 열팽창률로부터 적절하게 최적인 값을 설계할 수 있지만, 간격이 좁을 경우, 스퍼터링 중의 플라즈마에 의한 원통형 타겟재(2)의 열팽창에 의해 타겟재끼리 충돌해서 깨질 우려가 있다. 따라서, 이웃하는 타겟재(2)가 가장 근접하고 있는 부분의 간격이 0.1㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또, 분할부의 간격이 큰 경우에는, 접합재가 스퍼터링될 우려가 있다. 그 때문에, 분할부의 간격은 사용하는 스퍼터링 가스의 평균 자유행정과 타겟의 사용효율을 고려해서, 분할부의 접합재가 스퍼터링되지 않는 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이 분할부의 간격의 평균치를 구한 경우, 어느 쪽의 분할부에 있어서도 그 평균치가 0.5㎜ 이하인 것이 실용상 바람직하고, 0.4㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The interval between the divided portions is not zero, and a value optimum for the length and the thermal expansion coefficient of the cylindrical target material 2 can be appropriately designed. However, if the interval is narrow, the distance between the portions of the cylindrical target material 2 due to plasma during sputtering There is a fear that the target materials collide with each other due to the thermal expansion and break. Therefore, it is preferable that the distance between adjacent portions of the adjacent target material 2 is 0.1 mm or more. In addition, when the interval of the divided portions is large, there is a fear that the bonding material is sputtered. Therefore, in consideration of the average free stroke of the sputtering gas to be used and the use efficiency of the target, it is preferable that the interval of the divided portions is determined so that the bonding material of the divided portion is not sputtered. When the average value of the intervals of the divided portions is obtained as described above, it is more preferable that the average value of the divided portions is 0.5 mm or less in practical use, and more preferably 0.4 mm or less.

본 실시형태에 이용하는 원통형 타겟재(2)는 이웃하는 원통형 타겟재(2)의 외주면의 가장자리부를 모따기(chamferring)하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 스퍼터링을 행한 경우, 원통형 타겟재(2)의 가장자리부에 전계가 집중하는 것을 방지할 수 있어, 이상방전의 발생을 억제하는 것이 가능하다. 모따기의 크기(폭 또는 깊이)로서는, 막두께 분포에의 영향으로부터 2㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1㎜ 이하이다. 모따기 형상은, 스퍼터링 성막 시의 전계의 집중을 완화할 수 있으면 특별히 제한은 없고, C면, R면 혹은 계단 형상이어도 된다.It is preferable that the cylindrical target material 2 used in the present embodiment chamfer the edge portion of the outer peripheral surface of the adjacent cylindrical target material 2. [ By doing so, it is possible to prevent the electric field from concentrating on the edge portion of the cylindrical target material 2 when sputtering is performed, and it is possible to suppress occurrence of abnormal discharge. The size (width or depth) of the chamfer is preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less, from the influence on the film thickness distribution. The chamfer shape is not particularly limited as long as the concentration of the electric field at the time of sputtering deposition can be relaxed, and may be a C face, an R face, or a step shape.

본 실시형태의 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법의 일례로서는, 원통형 기재(1)와 복수의 원통형 타겟재(2)와의 간극에 접합재를 충전해서 접합하는 방법을 예시할 수 있다. 접합재를 충전하기 위해서는, 우선 원통형 기재(1)를 기준으로 해서 원통형 타겟재(2)를 배치하고, 예를 들어, 미리 원통형 기재(1)의 외측에 복수의 원통형 타겟재(2)를 포개어 쌓아 배치한다. 그 후, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)와의 간극의 하부를 밀봉하고, 접합재를 충전하기 위한 공간을 형성한다. 그리고, 원통형 타겟재(2)의 외주면을 기준으로 원통형 기재(1)와의 위치맞춤을 행한다. 이러한 원통형 스퍼터링 타겟의 조립은 지그를 이용해서 행하는 것이 바람직하다. 이때 이용하는 지그의 재질은 땜납 충전 시의 가열을 견디어낼 수 있는 재질이면 특별히 제한은 되지 않는다. 예를 들어, 알루미늄, 제랄민 등의 금속을 들 수 있다.As an example of the manufacturing method of the cylindrical sputtering target of the present embodiment, a method of filling the gap between the cylindrical base material 1 and the plurality of cylindrical target materials 2 by filling the bonding material can be exemplified. In order to fill the bonding material, first, the cylindrical target material 2 is disposed on the basis of the cylindrical base material 1, and a plurality of cylindrical target materials 2 are stacked on the outside of the cylindrical base material 1 in advance, . Thereafter, the lower portion of the gap between the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 is sealed to form a space for filling the bonding material. Then, the cylindrical base material 1 is aligned with the outer circumferential surface of the cylindrical target material 2 as a reference. It is preferable that this cylindrical sputtering target is assembled by using a jig. The material of the jig to be used at this time is not particularly limited as long as it is a material that can withstand heating during solder filling. For example, metals such as aluminum and germanium can be mentioned.

보다 구체적으로는, 도 1과 같이, 원통형 기재(1)를 기재 지지부(6a)에 설치되어 있는 오목부에 끼워 넣음으로써 배치하고, 실리콘의 O링을 개재해서 밀봉지그(4)에 의해 고정하였다. 원통형 기재(1)의 양단부는, 스퍼터링 장치에의 장착을 위하여, O링 등을 이용한 진공 밀봉부로 되고, 그 외주면 및/ 또는 내주면은 정밀도 양호하게 연삭 가공되어 있기 때문에, 이 부분을 위치결정의 기준면으로 하는 것이 바람직하다. 또, 밀봉지그(4)의 밑에 임의의 크기의 블록(8)을 배치함으로써 원통형 기재(1)의 단면으로부터 임의의 거리를 두고 원통형 타겟재(2)를 배치할 수 있다.More specifically, as shown in Fig. 1, the cylindrical base material 1 is disposed by fitting it into a recess provided in the base support portion 6a, and is fixed by a sealing jig 4 via an O ring of silicon . Both ends of the cylindrical base material 1 are made into a vacuum sealed portion using an O-ring or the like for attachment to the sputtering apparatus. Since the outer peripheral surface and / or the inner peripheral surface of the cylindrical base material 1 are ground with high precision, . It is also possible to arrange the cylindrical target material 2 at an arbitrary distance from the end face of the cylindrical base material 1 by arranging the block 8 of an arbitrary size under the sealing jig 4. [

그리고, 원통형 기재(1)의 외주면에 있는 밀봉지그(4) 위에 원통형 타겟재(2)를 포개어 쌓아서 배치하여, 접합재를 충전하는 공간(3)을 형성한다. 이때, 원통형 타겟재(2)가 원통형 기재(1)와 동심원 형상으로 되는 것이 바람직하다. 접합재를 충전하는 공간(3)의 밀폐성을 유지하기 위해서, 복수의 원통형 타겟재(2) 사이나 원통형 타겟재(2)와 밀봉지그(4) 사이, 밀봉지그(4)와 원통형 기재(1) 사이, 원통형 타겟재(2)와 기재 지지부(6b) 사이는, 밀봉재(5)로 봉지한다. 접합재가 저융점 땜납이나 도전성 수지 등의 경우, 가열 처리가 행해지므로, 밀봉재(5)는 내열성의 패킹이나 O링을 사용할 필요가 있고, 그 경우 테플론(등록상표)이나 실리콘 등의 재료가 사용가능하다. 특히, 복수의 원통형 타겟재(2) 사이에 밀봉재(5)를 삽입함으로써, 분할부에 소정의 간격을 형성하고, 그 분포를 극히 작게 할 수 있다. 이때 삽입하는 밀봉재(5)의 두께는 소망하는 간격의 설계값에 걸맞은 소정의 두께의 것을 사용한다.Then, the cylindrical target material 2 is stacked and placed on the sealing jig 4 on the outer peripheral surface of the cylindrical base material 1 to form a space 3 for filling the bonding material. At this time, it is preferable that the cylindrical target material 2 be concentric with the cylindrical base material 1. A plurality of cylindrical target materials 2 or between the cylindrical target material 2 and the sealing jig 4 and between the sealing jig 4 and the cylindrical base material 1 in order to maintain the hermeticity of the space 3 filling the bonding material. Between the cylindrical target material 2 and the substrate supporting portion 6b is sealed with the sealing material 5. In the case where the bonding material is a low-melting-point solder or a conductive resin, heat treatment is performed. Therefore, it is necessary to use a heat-resistant packing or an O-ring for the sealing material 5. In this case, materials such as Teflon Do. Particularly, by inserting the sealing material 5 between the plurality of cylindrical target materials 2, a predetermined interval can be formed in the divided portions, and the distribution thereof can be made extremely small. At this time, the thickness of the sealing material 5 to be inserted has a predetermined thickness corresponding to a design value of a desired interval.

그 후, 최상부의 타겟재(2) 상에 밀봉재(5)를 개재해서 기재 지지부(6b)를 놓고, 상하의 기재 지지부(6a), (6b)를 연결 축(9)에 의해 연결하였다. 그리고, 원통형 타겟재(2)는 그 외주면을 기준으로 해서, 예를 들어, 그 외주면을 맞추어서 분할부에서의 어긋남을 최대한 억제하도록 해서, 스프링(도시 생략)과 나사(도시 생략)를 가진 타겟 지지부(7)로 고정하고, 타겟 지지부(7)는 연결 축(9)에 결합시켜서 고정한다. 타겟 지지부(7)는 기재 지지부(6a), (6b)에 대해서 임의의 위치로 조정 가능하게 해서, 도시하고 있는 바와 같이, 접합해야 할 타겟재(2)의 외주면을 1개의 막대 형상체로 고정하는 구조여도 되고, 또한, 타겟재(2)의 분할부를 포함하는 그 주변부분만의 타겟재 외주면을 억제하는 구조여도 된다. 타겟 지지부(7)는, 기재 지지부(6a), (6b)에 대해서 원통형 타겟재(2)의 위치결정을 행하기 위해서, 최저라도 2개가 필요하고, 바람직하게는 3개, 보다 바람직하게는, 도 2와 같이 4개 또는 그 이상의 짝수개로 서로 마주 보는 위치에 균등하게 배치한다. 이렇게 함으로써, 원통형 타겟재의 외주면의 단차를 확실하게 억제하는 것이 가능해진다.Subsequently, the substrate supporting portion 6b was placed on the uppermost target material 2 with the sealing material 5 interposed therebetween, and the upper and lower substrate supporting portions 6a and 6b were connected by the connecting shaft 9. The cylindrical target material 2 is supported by a target support member (not shown) having a spring (not shown) and a screw (not shown) so as to minimize displacement in the divided portion by aligning the outer peripheral surface of the cylindrical target material 2, (7), and the target supporter (7) is fixed to the connection shaft (9). The target supporting portion 7 can be adjusted to an arbitrary position with respect to the substrate supporting portions 6a and 6b so that the outer peripheral surface of the target material 2 to be joined is fixed with one rod- Or may have a structure in which only the peripheral portion of the target material 2 including the divided portion is suppressed from the outer peripheral surface of the target material. The target supporting portion 7 needs to have at least two, preferably three, more preferably three, more preferably three, more preferably two, As shown in Fig. 2, four or more even-numbered portions are evenly arranged at positions facing each other. By doing so, it is possible to reliably suppress the step on the outer peripheral surface of the cylindrical target material.

상기 순서로 조립이 종료하면, 타겟 지지부(7)가 타겟재(2)들을 누르고 있지 않은 장소에서, 0.5㎜를 넘는 단차가 형성되어 있지 않은 것을 확인한다.When the assembling is completed in this order, it is confirmed that a step exceeding 0.5 mm is not formed in a place where the target supporting member 7 does not hold the target materials 2.

접합재로서 땜납재를 이용할 경우, 예를 들어, 도 1과 같이 조립한 원통형 스퍼터링 타겟 전체를 땜납의 융점 이상의 온도로 가열하고, 용융 상태의 땜납을 기재 지지부(6b)의 상부로부터 공간(3)에 유입시켜 충전시킨다. 충전 종료 후, 땜납을 냉각 고착화시킴으로써, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 접합시킨다. 이때 온도가 지나치게 높으면 땜납이 산화되어 접착강도가 저하할 우려가 있으므로, 가열온도로서는 땜납의 융점 내지 땜납의 융점+100℃의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 땜납의 융점+50℃의 범위 내이다. 또한, In 땜납의 융점은 156℃이다. 또, 접합재가 도전성 수지의 경우, 도 1과 같이 조립한 원통형 스퍼터링 타겟의 공간(3)에 도전성 수지를 충전하고, 수지의 경화 조건에 맞춰서 가열 등의 경화 처리를 행하여, 원통형 타겟재(2)과 원통형 기재(1)를 접합한다.When the soldering material is used as the bonding material, for example, the whole cylindrical sputtering target assembled as shown in Fig. 1 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder, and melted solder is supplied from the upper portion of the substrate supporting portion 6b to the space 3 And then charged. After completion of the charging, the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 are bonded to each other by cooling and fixing the solder. At this time, if the temperature is too high, the solder may be oxidized to lower the bonding strength. Therefore, the heating temperature is preferably within the range of the melting point of solder to the melting point of solder + 100 DEG C, more preferably in the range of melting point of solder + 50 DEG C It is mine. The melting point of the In solder is 156 캜. When the bonding material is a conductive resin, the space 3 of the cylindrical sputtering target assembled as shown in Fig. 1 is filled with a conductive resin, and the curing treatment such as heating is performed in accordance with the curing conditions of the resin, And the cylindrical base material 1 are bonded to each other.

또한, 원통형 기재(1) 및 원통형 타겟재(2)의 접합면에는, 접합재의 흡습성을 향상시켜, 접합재가 충전되기 쉽게 하기 위해서, 미리 그들의 접합면을 적시는 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이 처리로서는, 접합재의 젖음성을 개선시키는 것이면 되고, UV 조사, Ni의 도금, 혹은 증착, 또는 초음파 땜납 인두에 의한 밑바탕 처리 등을 들 수 있다.In order to improve the hygroscopicity of the bonding material and facilitate filling of the bonding material, bonding surfaces of the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 are preferably subjected to a treatment in which their bonding surfaces are wetted in advance. This treatment may be any one that improves the wettability of the bonding material, and includes UV irradiation, Ni plating or vapor deposition, or a base treatment by ultrasonic soldering iron.

이상과 같이, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 접합 후, 지그나 여분의 접합재 등을 제거하는 것에 의해 소망의 원통형 스퍼터링 타겟이 얻어진다. 이때, 접합재를 부착시키고 싶지 않은 부분이나 제거하는 지그 등에, 미리 마스킹을 실시함으로써 용이하게 제거작업을 행하는 것이 가능하다. 또, 이웃하는 원통형 타겟재(2) 사이의 밀봉재(5)는, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 접합 후, 가열함으로써, 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)의 열팽창차를 이용해서, 용이하게 제거할 수 있다.As described above, a desired cylindrical sputtering target is obtained by joining the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2, and then removing the jig and the excess bonding material. At this time, it is possible to perform the removing operation easily by performing masking in advance on a portion to which the bonding material is not to be attached or a jig to be removed. The sealing material 5 between adjacent cylindrical target materials 2 is obtained by joining the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 and then heating the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 It can be easily removed by using the thermal expansion difference.

실시예Example

이하, 본 발명을, 실시예를 들어 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 또, 분할부에 있어서의 간격의 분포 및 간격의 평균치는, 전술한 바와 같이 해서 8개소의 간격을 측정해서 구한 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. The average value of the distribution and the interval of the intervals in the divided portions is obtained by measuring the intervals at eight places as described above.

(( 실시예Example 1) One)

ITO 원통형 타겟재(외경: 15㎜φ, 내경: 133㎜φ, 길이: 260㎜)를 12개 준비하여, 원통형 타겟재의 접합면 이외를 내열성 테이프로 마스킹하고, 접합면에 초음파 땜납 인두로 In 땜납을 초벌 도포하였다. 한편, SUS제 원통형 기재(외경: 130㎜φ, 내경: 120㎜φ, 길이: 3200㎜)를 1개 준비하여, 접합면 이외의 면을 접합재가 부착하는 것을 방지하기 위해서 내열성 테이프로 마스킹하고, 접합면에 초음파 땜납 인두로 In 땜납을 초벌 도포하였다.Twelve ITO cylindrical target materials (outer diameter: 15 mmφ, inner diameter: 133 mmφ, length: 260 mm) were prepared, and the surfaces other than the bonding surfaces of the cylindrical target material were masked with heat resistant tape. Ink solder . On the other hand, one cylindrical substrate made of SUS (outer diameter: 130 mm phi, inner diameter: 120 mm phi, length: 3200 mm) was prepared and the surface other than the bonding surface was masked with heat- In solder was applied to the joint surface with ultrasonic soldering iron.

다음에, 상기 처리를 실시한 원통형 기재(1)와 12개의 원통형 타겟재(2)와, 또한, 듀랄라민제의 밀봉지그(4)와, 기재 지지부(6a), (6b)와, 타겟 지지부(7)와, 블록(8)을, 도 1과 같이 조립하였다. 최초에, 원통형 기재(1)를 기재 지지부(6a) 위에 배치하고, 실리콘의 O링을 개재해서 밀봉지그(4)에 의해 고정시켰다. 12개의 원통형 타겟재(2)와 밀봉재(5)를 원통형 기재(1)에 순차 끼워넣어 포개 쌓은 후, 원통형 타겟재(2) 위에 밀봉재(5)를 개재해서 기재 지지부(6b)를 놓았다. 그리고, 상하의 기재 지지부(6a), (6b)를 연결 축(9)으로 연결하고, 원통형 타겟재(2)를 고정하였다. 다음에, 도 2와 같이, 4개의 타겟 지지부(7)를 이용해서, 원통형 타겟재(2)의 위치맞춤과 고정을 행하였다. 이때 밀봉재(5)로서, 이웃하는 원통형 타겟재(2) 사이와 원통형 타겟재(2)와 밀봉지그(4) 사이에는 환상의 테플론(등록상표) 시트를 이용하고, 원통형 기재(1)와 밀봉지그(4) 사이에는 실리콘의 O링을 이용하였다.Next, the cylindrical base material 1, the twelve cylindrical target materials 2, the sealing jig 4 made of duralumin, the base support portions 6a, 6b, and the target support portion 7 and the block 8 were assembled as shown in Fig. First, the cylindrical base material 1 was placed on the base support portion 6a and fixed by the sealing jig 4 via the O ring of silicon. Twelve cylindrical target materials 2 and the sealing material 5 were successively inserted into the cylindrical base material 1 and then the base material supporting portion 6b was placed on the cylindrical target material 2 with the sealing material 5 interposed therebetween. Then, the upper and lower base support portions 6a and 6b were connected by a connection shaft 9, and the cylindrical target material 2 was fixed. Next, as shown in Fig. 2, the cylindrical target material 2 was aligned and fixed using the four target supporting portions 7. At this time, an annular Teflon (registered trademark) sheet is used between the adjacent cylindrical target materials 2 and between the cylindrical target material 2 and the sealing jig 4 as the sealing material 5, An O-ring of silicon was used between the jigs 4. [

다음에, 조립한 원통형 스퍼터링 타겟의 전체를 180℃까지 가열하고, 상측으로부터 용융 In 땜납(융점 156℃)을 공간(3)에 유입시켰다. In 땜납의 유입 종료 후 120℃까지 냉각시키고, In 땜납이 완전하게 고형화된 것을 확인 후, 재차 130℃로 가열해서 이웃하는 원통형 타겟재(2) 사이의 테플론(등록상표) 시트를 절단해서 제거하여, 간극을 지닌 분할부를 형성시켰다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 지그나 마스킹을 제거해서 ITO 원통형 스퍼터링 타겟을 제조하였다.Next, the assembled cylindrical sputtering target was heated up to 180 DEG C, and melted In solder (melting point 156 DEG C) was introduced into the space 3 from above. After the completion of the inflow of the In solder, it was cooled to 120 캜. After confirming that the In solder was solidified completely, the Teflon (registered trademark) sheet between adjacent cylindrical target materials 2 was heated again at 130 캜 to cut and remove , And a partition having a gap was formed. Thereafter, the material was cooled to room temperature, and the jig and masking were removed to prepare an ITO cylindrical sputtering target.

얻어진 원통형 스퍼터링 타겟의 분할부에 있어서의 외주면의 단차는 0.2㎜였고, 분할부의 간격의 분포는 ± 0.05㎜였다. 또, 각 분할부에 있어서의 간격의 평균치는 0.29 내지 0.36㎜였다.The step of the outer circumferential surface of the obtained cylindrical sputtering target in the divided portion was 0.2 mm, and the distribution of the intervals of the divided portions was ± 0.05 mm. The average value of the intervals in the divided portions was 0.29 to 0.36 mm.

(( 비교예Comparative Example 1) One)

실시예 1과 마찬가지로 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 준비하고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 원통형 기재(1)의 외주면 상에, 스페이서(10)로서 8개의 구리 와이어(0.7㎜φ)를 등간격으로 배치하였다. 다음에, 도 5의 조립도로 되도록, 다만 원통형 타겟재(2)를 12개 이용해서, 원통형 타겟재(2)를 원통형 기재(1)에 끼워넣어 삽입해서 행하였지만, 원통형 타겟재(2)가 도중에 움직이지 않게 되어, 원통형 스퍼터링 타겟으로서 조립할 수 없었다.4, a cylindrical base material 1 and a cylindrical target material 2 were prepared in the same manner as in Example 1. On the outer peripheral surface of the cylindrical base material 1, eight copper wires (0.7 mm φ) are arranged at regular intervals. Next, the cylindrical target material 2 is inserted into the cylindrical base material 1 by using twelve cylindrical target materials 2 so as to be assembled as shown in Fig. 5, but the cylindrical target material 2 It could not be assembled as a cylindrical sputtering target.

(( 비교예Comparative Example 2) 2)

비교예 1의 스페이서(10)인 구리 와이어의 직경을 0.6㎜φ로 한 이외에는, 비교예 1과 마찬가지 방법으로 도 5와 같이, 다만 원통형 타겟재를 12개 이용해서, 원통형 스퍼터링 타겟을 조립하였다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지로, In 땜납으로 원통형 기재(1)와 원통형 타겟재(2)를 접합하여, 원통형 타겟재를 제조하였다. 얻어진 원통형 스퍼터링 타겟의 분할부에 있어서의 외주면의 단차는 0.8㎜였고, 분할부의 간격의 분포는 ±0.13㎜였다. 또, 각 분할부에 있어서의 간격의 평균치는 0.30 내지 0.39㎜였다.A cylindrical sputtering target was assembled by using 12 cylindrical target materials as shown in Fig. 5, in the same manner as in Comparative Example 1, except that the diameter of the copper wire as the spacer 10 of Comparative Example 1 was 0.6 mm. Thereafter, similarly to Example 1, the cylindrical base material 1 and the cylindrical target material 2 were jointed with In solder to prepare a cylindrical target material. The step of the outer circumferential surface of the obtained cylindrical sputtering target in the divided portion was 0.8 mm, and the distribution of the intervals of the divided portions was ± 0.13 mm. The average value of the intervals in the divided portions was 0.30 to 0.39 mm.

(( 실시예Example 2) 2)

ITO 원통형 타겟재(외경: 93.0㎜φ, 내경: 78.5㎜φ, 길이: 175㎜)를 2개 준비하고, 원통형 타겟재의 접합면 이외를 내열성 테이프로 마스킹하고, 접합면에 초음파 땜납 인두로 In 땜납을 초벌 도포하였다. 한편, SUS제 원통형 기재(외경: 75.5㎜φ, 내경: 70㎜φ, 길이: 490㎜)를 1개 준비하여, 접합면 이외의 면을 접합재가 부착되는 것을 방지하기 위해서 내열성 테이프로 마스킹하고, 접합면에 초음파 땜납 인두로 In 땜납을 초벌 도포하였다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지 방법으로, 다만 원통형 타겟재를 2개 이용해서, 표 1에 나타낸 분할부를 지닌 타겟 I을 제조하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지 방법으로, 다만 원통형 타겟재를 2개 이용해서, 표 1에 나타낸 분할부를 가진 타겟 II 내지 IV를 제조하였다.Two pieces of the ITO cylindrical target material (outer diameter: 93.0 mm phi, inner diameter: 78.5 mm phi, length: 175 mm) were prepared, and the surfaces other than the bonding surfaces of the cylindrical target material were masked with heat resistant tape. Ink solder . On the other hand, one cylindrical base made of SUS (outer diameter: 75.5 mm phi, inner diameter: 70 mm phi, length: 490 mm) was prepared and the surface other than the bonding surface was masked with heat- In solder was applied to the joint surface with ultrasonic soldering iron. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a target I having a divided portion shown in Table 1 was produced using only two cylindrical target materials. Further, in the same manner as in Example 1, targets II to IV having a divided portion shown in Table 1 were produced using only two cylindrical target materials.

(( 비교예Comparative Example 3) 3)

구리 와이어를 사용하지 않은 이외에는 비교예 2와 마찬가지 방법으로, 단, ITO 원통형 타겟재(외경: 93.0㎜φ, 내경: 78.5㎜φ, 길이: 175㎜) 2개와, SUS제 원통형 기재(외경: 75.5㎜φ, 내경: 70㎜φ, 길이: 490㎜) 1개를 이용해서, 표 1에 나타낸 분할부를 가진 타겟 V 내지 VII을 제조하였다.Except that two ITO cylindrical target materials (outer diameter: 93.0 mmφ, inner diameter: 78.5 mmφ, length: 175 mm) and a cylindrical SUS-made base material (outer diameter: 75.5 mm) were prepared in the same manner as in Comparative Example 2, Mm, inner diameter: 70 mm, length: 490 mm), targets V to VII having the parts shown in Table 1 were produced.

(성막 평가)(Tape evaluation)

이와 같이 해서 제작된 원통형 스퍼터링 타겟을 이하의 스퍼터링 조건에서 20㎾h 스퍼터링을 행하고, 이상방전(아크)의 발생횟수를 측정하였다. 아크의 발생횟수의 측정은, 마이크로아크모니터(랜드마크테크놀러지사 제품)를 이용해서, 방전 전압의 강하 시간을 기준으로 소 아크(2μsec 이상 20μsec 미만)와 대아크(20μsec 이상)로 나누어, 이하의 측정 조건에서 행하였다. 얻어진 방전 결과를 표 1에 나타낸다.The cylindrical sputtering target thus manufactured was sputtered at 20 kWh under the following sputtering conditions, and the number of times of occurrence of an abnormal discharge (arc) was measured. The number of occurrences of the arc was divided into small arcs (less than 20 袖 sec and less than 20 袖 sec) and large arcs (20 袖 sec or more) based on the drop time of the discharge voltage using a micro arc monitor (Landmark Technologies) Under the measurement conditions. The discharge results obtained are shown in Table 1.

스퍼터링 조건Sputtering conditions

DC전력: 15W/㎠(마그넷 면적에 대해서)DC power: 15 W / cm 2 (for magnet area)

타겟 회전수: 6rpm Target RPM: 6 rpm

스퍼터링 가스: Ar+O2 Sputtering gas: Ar + O 2

가스압: 0.5㎩Gas pressure: 0.5 Pa

아크 측정 조건Arc measurement condition

검출 전압: 300VDetection voltage: 300V

소 아크: 2μsec 이상 20μsec 미만Small arc: Less than 2μsec and less than 20μsec

대 아크: 20μsec 이상Large arc: 20μsec or more

Figure 112011028881014-pct00001
Figure 112011028881014-pct00001

타겟 I 내지 IV와 V 내지 VII의 비교로부터, 분할부에 있어서의 외주면의 단차를 0.5㎜ 이하로 함으로써 대 아크의 발생을 억제하는 것이 가능하고, 또 타겟 III과 IV의 비교로부터, 타겟의 외주면의 가장자리의 모따기 가공을 함으로써 소 아크의 발생을 억제하는 것이 가능한 것을 알 수 있다. 또한, 방전 후의 분할부를 마이크로스코프로 관찰한 바, 타겟 V 내지 VII은 돌출한 쪽의 원통형 타겟재의 가장자리가 부서져 있었다.From the comparison of the targets I to IV and V to VII, it is possible to suppress generation of the large arc by making the step difference of the outer peripheral surface in the divided portion 0.5 mm or less, and from the comparison of the targets III and IV, It can be seen that the generation of the small arc can be suppressed by chamfering the edge. Further, when the divided portions after the discharge were observed with a microscope, the edges of the cylindrical target material on the projected side of the targets V to VII were broken.

또, 이상방전(아크)이 발생하면, 성막 속도가 저하하여 생산성이 저하한다. 그중에서도 특히 전압강하시간이 긴 대 아크는, 방출되는 에너지가 크기 때문에, 타겟재나 박막에 손상을 주는 원인으로 되어, 파티클의 발생이나 박막의 막질열화의 원인으로도 되며, 결과적으로 성막 공정의 제조 수율을 저하시키는 것으로 된다. 본 발명에 의하면, 이러한 대 아크의 발생을 억제할 수 있다.In addition, when an abnormal discharge (arc) is generated, the film forming speed is lowered and the productivity is lowered. Particularly, the arc having a long voltage drop time causes a large amount of energy to be emitted, which causes damage to the target material or the thin film, which may cause generation of particles and deterioration of the film quality of the thin film. As a result, . According to the present invention, generation of such a large arc can be suppressed.

본 발명은, 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법을 사용 용도로 하고, 복수의 원통형 타겟재로 이루어진 긴 원통형 스퍼터링 타겟을 이용해서 스퍼터링 성막했을 경우에 있어서도, 성막 공정의 제조 수율이 높은 원통형 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이 가능한 것이다. The present invention provides a cylindrical sputtering target having a high production yield in a film forming process even when a cylindrical sputtering target and a manufacturing method thereof are used for sputtering using a long cylindrical sputtering target composed of a plurality of cylindrical target materials .

1: 원통형 기재 2: 원통형 타겟재
3: 공간 4: 밀봉지그
5: 밀봉재 6a, 6b: 기재 지지부
7: 타겟 지지부 8: 블록
9: 연결 축 10: 스페이서1: Cylindrical base material 2: Cylindrical target material
3: space 4: sealing jig
5: Seal material 6a, 6b:
7: target support 8: block
9: connecting shaft 10: spacer

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 원통형 기재의 외주면에 대해서, 복수의 포개어 쌓은 원통형 타겟재를, 접합재를 이용해서 접합함으로써 원통형 스퍼터링 타겟을 제조하는 단계; 및
원통형 기재를 기준으로 해서 복수의 원통형 타겟재를 배치할 때, 이웃하는 원통형 타겟재의 외주면의 단차가 0.5㎜ 이하로 되도록, 한쪽의 원통형 타겟재의 외주면을 기준으로 해서 다른 쪽의 원통형 타겟재의 외주면을 지그를 사용해서 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법.Fabricating a cylindrical sputtering target by joining a plurality of stacked cylindrical target materials to the outer peripheral surface of the cylindrical substrate using a bonding material; And
When the plurality of cylindrical target members are arranged on the basis of the cylindrical base member, the outer circumferential surface of the other cylindrical target member is jigged with respect to the outer circumferential face of one of the cylindrical target members so that the step difference of the outer circumferential face of the adjacent cylindrical target member becomes 0.5 mm or less, Wherein the step of forming the cylindrical sputtering target comprises the steps of: 제5항에 있어서, 상기 원통형 기재의 적어도 한쪽 단부의 외주면 또는 내주면을 해당 원통형 기재의 기준면으로서 이용하고, 상기 기준면을 기준으로 해서 상기 복수의 원통형 타겟재를 고정하는 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법.The cylindrical sputtering target according to claim 5, wherein an outer circumferential surface or an inner circumferential surface of at least one end of the cylindrical base material is used as a reference surface of the cylindrical base material, and the plurality of cylindrical target materials are fixed with reference to the reference surface Gt; 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 복수의 원통형 타겟재를 고정할 때에는, 상기 원통형 기재에 대해서 고정된 타겟 지지부에 의해서, 상기 복수의 원통형 타겟재의 외주면을 맞추도록 고정하는 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법.The cylindrical target material as set forth in claim 5 or 6, wherein the plurality of cylindrical target materials are fixed by a target supporting portion fixed to the cylindrical base material so as to fit the outer circumferential surfaces of the plurality of cylindrical target materials A method of manufacturing a sputtering target. 제7항에 있어서, 상기 복수의 원통형 타겟재를 고정할 때에는, 짝수개의 상기 타겟 지지부를, 상기 원통형 타겟재에 대해서 서로 마주 보는 위치에 배치하는 것을 특징으로 하는 원통형 스퍼터링 타겟의 제조방법.The method of manufacturing a cylindrical sputtering target according to claim 7, wherein when the plurality of cylindrical target members are fixed, an even number of the target supporting portions are disposed at positions facing each other with respect to the cylindrical target material.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9334563B2 (en) 2010-07-12 2016-05-10 Materion Corporation Direct cooled rotary sputtering target
US9011652B2 (en) 2010-07-12 2015-04-21 Materion Advanced Material Technologies And Services Inc. Rotary target backing tube bonding assembly
CN102337503A (en) * 2010-07-19 2012-02-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Film material processing device and evaporating device with film material processing device
US20120222956A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a cylindrical target assembly
JP2013133490A (en) * 2011-12-26 2013-07-08 Tokuriki Honten Co Ltd Cylindrical sputtering target and method for producing the same
JP5758287B2 (en) * 2011-12-28 2015-08-05 株式会社フジクラ Composite target for laser deposition and manufacturing method of oxide superconducting wire using the same
JP5750060B2 (en) 2012-01-18 2015-07-15 三井金属鉱業株式会社 Ceramic cylindrical sputtering target material and manufacturing method thereof
US9224584B2 (en) * 2012-01-31 2015-12-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target assembly
TWI474929B (en) * 2012-02-08 2015-03-01 Thintech Materials Technology Co Ltd Joined type sputtering target assembly and manufacturing method thereof
JP5830663B2 (en) * 2012-05-21 2015-12-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Sputtering target and sputtering apparatus using the same
WO2014022288A1 (en) * 2012-08-01 2014-02-06 Materion Advanced Materials Technologies And Services Inc. Direct cooled rotary sputtering target
JP6079228B2 (en) * 2012-12-28 2017-02-15 東ソー株式会社 Multi-sputtering target and method for manufacturing the same
JP2015017297A (en) * 2013-07-10 2015-01-29 三菱マテリアル株式会社 In-BASED CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
CN104419899A (en) * 2013-08-22 2015-03-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 Forming method for target material
JP2015183284A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 住友金属鉱山株式会社 Cylindrical sputtering target and method of manufacturing the same
US9368330B2 (en) 2014-05-02 2016-06-14 Bh5773 Ltd Sputtering targets and methods
KR102288720B1 (en) 2014-10-28 2021-08-13 미쓰이금속광업주식회사 Cylindrical ceramic sputtering target and manufacturing device and manufacturing method therefor
JP5947413B1 (en) * 2015-02-13 2016-07-06 Ｊｘ金属株式会社 Sputtering target and manufacturing method thereof
TWI704245B (en) * 2015-02-13 2020-09-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Sputtering target and method of manufacturing the same
CN107109631A (en) * 2015-02-25 2017-08-29 三井金属矿业株式会社 Manufacture method, cylindrical shape sputter target and the firing assisted tool of cylindrical shape target
JP5902333B1 (en) * 2015-02-27 2016-04-13 Ｊｘ金属株式会社 Sputtering target and manufacturing method thereof
CN105154836A (en) * 2015-09-18 2015-12-16 有研亿金新材料有限公司 High-performance ferromagnetic sputtering target material
JP6275896B1 (en) * 2017-02-16 2018-02-07 住友化学株式会社 Sputtering target processing method and sputtering target product manufacturing method
JP6220091B1 (en) * 2017-03-22 2017-10-25 Ｊｘ金属株式会社 Sputtering target and manufacturing method thereof
JP6774910B2 (en) * 2017-06-27 2020-10-28 三井金属鉱業株式会社 Manufacturing method of cylindrical sputtering target
JP6345892B1 (en) * 2018-01-10 2018-06-20 住友化学株式会社 Sputtering target processing method and sputtering target product manufacturing method
SG11202102970TA (en) * 2018-09-26 2021-04-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and method for producing same
US11094514B2 (en) * 2018-12-21 2021-08-17 Oumeida Applied Materials Technology Co., Ltd. Rotatable sputtering target
JP7016432B2 (en) * 2019-06-10 2022-02-04 株式会社アルバック Sputtering target and manufacturing method of sputtering target
KR102376282B1 (en) * 2019-06-10 2022-03-17 가부시키가이샤 아루박 Sputtering target and manufacturing method of sputtering target
CN114651086A (en) 2019-11-21 2022-06-21 三井金属矿业株式会社 Sputtering target and method for producing same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040140206A1 (en) * 2001-05-21 2004-07-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for fabricating silicon targets
US20070074969A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-05 Simpson Wayne R Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing
JP2008038250A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Samsung Corning Co Ltd Rotary target assembly
JP2008184640A (en) * 2007-01-29 2008-08-14 Tosoh Corp Cylindrical sputtering target and method of manufacturing the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3025596A (en) * 1959-06-26 1962-03-20 Combustion Eng Braze bonding of concentric tubes and shells and the like
JPH07228967A (en) * 1994-02-17 1995-08-29 Mitsubishi Materials Corp Long-sized cylindrical sputtering target
JP3618005B2 (en) 1994-08-23 2005-02-09 三井金属鉱業株式会社 Manufacturing method of sputtering target for rotating cathode
JP3760652B2 (en) 1999-01-08 2006-03-29 東ソー株式会社 Multi-split sputtering target
JP4470029B2 (en) * 1999-06-01 2010-06-02 東ソー株式会社 Split ITO sputtering target
JP4614037B2 (en) * 2000-09-08 2011-01-19 Ａｇｃセラミックス株式会社 Cylindrical target
JP4495855B2 (en) * 2000-12-11 2010-07-07 株式会社東芝 Titanium sputtering target and manufacturing method thereof
JP4015874B2 (en) * 2002-04-11 2007-11-28 株式会社神戸製鋼所 Rod evaporation source for arc ion plating
JP4961672B2 (en) 2004-03-05 2012-06-27 東ソー株式会社 Cylindrical sputtering target, ceramic sintered body, and manufacturing method thereof
KR20060043427A (en) 2004-03-05 2006-05-15 토소가부시키가이샤 Cylindrical sputtering target, ceramic sintered body, and process for producing sintered body
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
DE102004060423B4 (en) * 2004-12-14 2016-10-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Pipe target and its use
US20060266639A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Applied Materials, Inc. Sputtering target tiles having structured edges separated by a gap
US7316763B2 (en) 2005-05-24 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Multiple target tiles with complementary beveled edges forming a slanted gap therebetween
EP1752556B1 (en) 2005-08-02 2007-10-31 Applied Materials GmbH & Co. KG Tubular cathode for use in sputtering.
JP2007070715A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Idemitsu Kosan Co Ltd Sputtering target
US7922066B2 (en) * 2005-09-21 2011-04-12 Soleras, LTd. Method of manufacturing a rotary sputtering target using a mold
JP2007277667A (en) * 2006-04-10 2007-10-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd Vacuum chamber, and substrate treatment apparatus having the same
JP5194460B2 (en) * 2007-01-26 2013-05-08 東ソー株式会社 Cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040140206A1 (en) * 2001-05-21 2004-07-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for fabricating silicon targets
US20070074969A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-05 Simpson Wayne R Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing
JP2008038250A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Samsung Corning Co Ltd Rotary target assembly
JP2008184640A (en) * 2007-01-29 2008-08-14 Tosoh Corp Cylindrical sputtering target and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
MY162610A (en) 2017-06-30
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US9127352B2 (en) 2015-09-08
CN102165092A (en) 2011-08-24
JP5482020B2 (en) 2014-04-23

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