KR20130099194A - Target and target production method - Google Patents
Target and target production method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130099194A KR20130099194A KR1020137018081A KR20137018081A KR20130099194A KR 20130099194 A KR20130099194 A KR 20130099194A KR 1020137018081 A KR1020137018081 A KR 1020137018081A KR 20137018081 A KR20137018081 A KR 20137018081A KR 20130099194 A KR20130099194 A KR 20130099194A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- backing plate
- base material
- main surface
- target
- adhesive member
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Abstract
이 타겟(C)은 제1 주요면(104a, 214a)과, 상기 제1 주요면(104a, 214a)과는 반대측에 위치하는 제2 주요면(104b, 214b)을 갖는 배킹 플레이트(104, 214); 상기 제1 주요면(104a, 214a)에 배치된 제1 모재(105); 상기 제2 주요면(104b, 214b)에 배치된 제2 모재(106);를 포함한다.The target C has backing plates 104 and 214 having first major surfaces 104a and 214a and second major surfaces 104b and 214b positioned opposite to the first major surfaces 104a and 214a. ); A first base material 105 disposed on the first main surfaces 104a and 214a; And a second base material 106 disposed on the second main surfaces 104b and 214b.
Description
본 발명은 스퍼터링법에 따른 성막에 이용하는 타겟 및 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a target used for film formation by the sputtering method and a method for producing the target.
본원은 2011년 4월 12일에 출원된 일본특허출원 2011-088275호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-088275 for which it applied on April 12, 2011, and uses the content here.
반도체 디바이스 분야 또는 플랫 패널 디스플레이(FPD) 분야에 있어서 각종 박막을 형성하는 장치로서 스퍼터링 장치가 이용되고 있다.Sputtering apparatuses are used as devices for forming various thin films in the field of semiconductor devices or flat panel displays (FPD).
일반적인 스퍼터링 장치에서는, 챔버 내에 스퍼터링용 캐소드가 설치되고, 감압한 챔버 내에서 캐소드에 장착된 타겟과 소정 간격을 두고 대향하도록 피처리체가 배치된다.In a general sputtering apparatus, a sputtering cathode is provided in a chamber, and an object to be processed is disposed so as to face a target mounted on the cathode at a predetermined interval in the chamber under reduced pressure.
다음에, 챔버 내에 비활성 가스(예를 들면, 아르곤 가스)를 도입하고, 타겟에 음의 전압을 인가하여 방전시키며, 방전에 의해 이온화한 비활성 가스를 타겟에 충돌시킨다.Next, an inert gas (for example, argon gas) is introduced into the chamber, a negative voltage is applied to the target to discharge it, and the inert gas ionized by the discharge is collided with the target.
그리고, 타겟으로부터 튀어나오는 입자를 피처리체에 부착시킴으로써 성막 처리가 이루어진다.And the film-forming process is performed by adhering the particle which protrudes from a target to a to-be-processed object.
도 4a는, 스퍼터링법을 이용한 종래의 성막 장치(600)의 일례를 도시하고 있다(특허문헌 1 참조).4A illustrates an example of a conventional
도 4b는, 도 4a의 복수의 챔버(601) 각각에서 타겟과 그 근방에 배치된 부재(C)를 도시한 확대도이다(특허문헌 2 참조).FIG. 4B is an enlarged view showing the member C disposed in the vicinity of the target in each of the plurality of
도 4b에 도시된 바와 같이, 타겟은 배킹 플레이트(604)와, 배킹 플레이트(604)의 표면에 배치된 모재(605)로 구성되어 있다. 타겟에 스퍼터링 전압을 인가하는 캐소드 본체(610)는 복수의 볼트 부재를 이용하여 타겟에 장착된다.As shown in FIG. 4B, the target is composed of a
그리고, 캐소드 본체(610)는, 챔버(601) 내에 배치된 캐소드 장착 플랜지(611)에 절연판(612)을 개재하여 복수의 볼트 부재를 이용하여 장착되어 있다.And the cathode
배킹 플레이트(604)의 내부에는, 모재(605)의 표면 상에 누설 자속을 생성하는 자기장 생성부(H)가 설치되어 있다.Inside the
또한, 배킹 플레이트(604)의 내부에는, 타겟을 냉각하기 위해 냉각수가 도입되는 유로(608a) 및 냉각수가 도출되는 유로(608b)로 구성된 순환 유로가 설치되어 있다.Moreover, inside the
배킹 플레이트(604) 및 캐소드 본체(610)는 그라운드 실드(601a)에 의해 덮여 있다. 그라운드 실드(601a)에는, 타겟을 챔버 내의 공간(성막 공간)에 노출시키는 개구가 형성되어 있다.The
그라운드 실드(601a)는, 성막 공간에 면하고 있는 부재 중에서 타겟 이외의 부재에서 생기는 방전을 억제하고, 통상은 챔버(벽부)(601)에 복수의 볼트 부재를 이용하여 장착되어 있다.The
그런데, 스퍼터링에 이용되는 모재는 스퍼터링의 처리량(예를 들면, 처리되는 기판의 매수)에 따라 소모되기 때문에, 소모된 모재와 사용 전 모재를 정기적으로 교환할 필요가 있다.By the way, since the base material used for sputtering is consumed according to the throughput of sputtering (for example, the number of substrates to be processed), it is necessary to regularly exchange the used base material and the base material before use.
모재를 교환하는 작업은 배킹 플레이트와 함께 행해지고, 타겟마다 분리 및 장착 작업이 행해진다.The work of exchanging the base material is carried out together with the backing plate, and the work of separating and mounting is performed for each target.
그 때문에, 모재를 교환할 때에는 챔버 안을 대기압으로 할 필요가 있다.Therefore, when replacing a base material, it is necessary to make atmospheric pressure inside a chamber.
이에 의해, 타겟을 교환한 후에 챔버 내의 기체를 배기하여 챔버 내의 압력을 다시 성막 처리할 수 있는 압력(진공)으로 되돌리는 작업이 발생한다. 그 작업이 종료될 때까지 성막 처리를 행할 수 없다.Thereby, the operation | movement which returns the pressure in a chamber to the pressure (vacuum) which can perform a film-forming process again by exhausting the gas in a chamber after replacing a target is made. The film forming process cannot be performed until the operation is completed.
본 발명은 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 스퍼터링 처리에 따라 소모된 모재와 사용 전 모재를 교환하는 횟수를 줄이고 타겟의 사용 기간을 늘리는 것이 가능한 타겟을 제공하는 것을 제1 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a target capable of reducing the number of times of exchanging the base metal and the base material before use according to the sputtering process and increasing the service life of the target.
또한, 본 발명은 접착 부재를 이용하여 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 개별적으로 모재의 표면이 평탄한 형상이 되도록 모재를 배킹 플레이트에 접합하는 것이 가능한 타겟의 제조 방법을 제공하는 것을 제2 목적으로 한다.In addition, the present invention provides a method for producing a target capable of joining a base material to the backing plate such that the surface of the base material is flat on each of the two main surfaces of the backing plate individually using an adhesive member. do.
본 발명의 제1 태양의 타겟은 제1 주요면과, 상기 제1 주요면과는 반대측에 위치하는 제2 주요면을 갖는 배킹 플레이트; 상기 제1 주요면에 배치된 제1 모재; 상기 제2 주요면에 배치된 제2 모재;를 포함한다.A target of a first aspect of the present invention includes a backing plate having a first main surface and a second main surface positioned opposite to the first main surface; A first base material disposed on the first main surface; And a second base material disposed on the second main surface.
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 제1 주요면 혹은 상기 제2 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로를 포함하고, 상기 배킹 플레이트는 단판으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the 1st aspect of this invention, it is provided in the inside of the said backing plate, is formed in the position close to the said 1st main surface or the said 2nd main surface, and includes the circulation flow path which coolant flows, The said backing plate is a It is preferable that it is formed from a single plate.
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 배킹 플레이트의 최외면인 제1 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로와, 상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 배킹 플레이트의 최외면인 제2 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로를 포함하고, 상기 배킹 플레이트는 복수의 판체가 접합된 합판으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the 1st aspect of this invention, it is provided in the inside of the said backing plate, is formed in the position close to the 1st main surface which is the outermost surface of the said backing plate, and the circulation flow path which coolant flows, and inside the said backing plate. It is preferable that the backing plate is formed at a position close to the second main surface, which is the outermost surface of the backing plate, and includes a circulation passage through which the coolant flows, and the backing plate is formed of a plywood in which a plurality of plate bodies are joined.
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트는 제1 측면과, 상기 제1 주요면과는 반대측에 위치하는 제2 측면과, 상기 제1 측면에서 상기 제2 측면으로 향하여 상기 배킹 플레이트를 관통하는 회전축을 가지고, 상기 회전축의 내부에는 스퍼터링에 이용되는 전력을 공급하는 전력 공급 라인이 설치되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the first aspect of the present invention, the backing plate has a first side surface, a second side surface positioned opposite to the first main surface, and the backing plate facing the second side surface from the first side surface. It is preferable that a power supply line having a rotating shaft penetrating therein is provided inside the rotating shaft for supplying electric power used for sputtering.
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트는 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면과는 다른 제3 측면을 가지고, 상기 제3 측면에는 절연 부재를 개재하여 방착판이 배치되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the 1st aspect of this invention, it is preferable that the said backing plate has the 3rd side surface different from the said 1st side surface and the said 2nd side surface, and the said anti-corrosion plate is arrange | positioned through an insulating member in the said 3rd side surface. .
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있고, 또한 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the 1st aspect of this invention, it is preferable that the said 1st main surface and the said 1st base material of the said backing plate are joined through the adhesive member. It is preferable that the said 2nd main surface and the said 2nd base material of the said backing plate are joined through the adhesive member. It is preferable that the said 1st main surface of the said backing plate and said 1st base material are joined through an adhesive member, and the said 2nd main surface of the said backing plate and said 2nd base material are bonded through an adhesive member. Do.
본 발명의 제1 태양의 타겟에서는, 상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것이 바람직하다. 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것이 바람직하다. 상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 클램프에 의해 고정되어 있고, 또한 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것이 바람직하다.In the target of the 1st aspect of this invention, it is preferable that the said 1st main surface and the said 1st base material of the said backing plate are fixed by the clamp. It is preferable that the said 2nd main surface and the said 2nd base material of the said backing plate are fixed by the clamp. It is preferable that the first main surface and the first base material of the backing plate are fixed by a clamp, and the second main surface and the second base material of the backing plate are fixed by a clamp.
본 발명의 제2 태양의 타겟의 제조 방법은, 제1 모재를 배킹 플레이트의 제1 주요면에 제1 접착 부재를 개재하여 접합하고, 상기 제1 모재와 상기 제1 주요면이 접합되었을 때에 휘어진 상기 배킹 플레이트의 면이 평탄한 형상이 되도록 정형하며, 제2 모재를 배킹 플레이트의 제2 주요면에 제2 접착 부재를 개재하여 접합하고, 상기 제2 모재와 상기 제2 주요면이 접합되었을 때에 휘어진 상기 배킹 플레이트의 면이 평탄한 형상이 되도록 정형한다.The manufacturing method of the target of the 2nd aspect of this invention joined the 1st base material to the 1st main surface of a backing plate via the 1st adhesive member, and was bent when the said 1st base material and said 1st main surface were joined. The surface of the backing plate is shaped to have a flat shape, and the second base material is joined to the second main surface of the backing plate via a second adhesive member, and the second base material and the second main surface are bent when joined. The backing plate is shaped to have a flat surface.
본 발명에 관한 타겟에서는, 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 스퍼터링에 이용되는 모재가 배치되어 있다.In the target which concerns on this invention, the base material used for sputtering is arrange | positioned on each of the two main surfaces of a backing plate.
그 때문에, 챔버 내에서 제1 주요면에 배치된 제1 모재를 이용하여 스퍼터링 처리를 행한 후에, 타겟을 반전시켜 제2 주요면에 배치된 제2 모재를 이용하여 스퍼터링 처리를 행할 수 있다.Therefore, after performing a sputtering process using the 1st base material arrange | positioned on a 1st main surface in a chamber, a target can be reversed and a sputtering process can be performed using the 2nd base material arrange | positioned on a 2nd main surface.
따라서, 제2 모재가 제1 모재와 동일 재료로 구성되는 경우, 종래와 같이 배킹 플레이트의 하나의 주요면에만 배치된 모재를 이용하는 경우에 비해 타겟 하나당 사용 기간을 늘릴 수 있다.Therefore, when the second base material is made of the same material as the first base material, the use period per target can be increased as compared with the case of using the base material disposed on only one main surface of the backing plate as in the prior art.
이에 의해, 모재의 교환 횟수를 줄일 수 있고, 교환에 따라 발생하는 작업 또는 비용을 줄일 수 있다.Thereby, the frequency | count of replacement of a base material can be reduced, and the operation | work or cost which arises by exchange can be reduced.
또한, 제1 모재 및 제2 모재 각각이 피처리 기판 상에 형성되는 적층막의 하층 및 상층을 형성하는 재료로 구성되는 경우, 하나의 타겟만을 이용하여 2개의 성막 처리를 연속하여 행할 수 있다.Moreover, when each of a 1st base material and a 2nd base material is comprised from the material which forms the lower layer and the upper layer of the laminated film formed on a to-be-processed substrate, two film-forming processes can be performed continuously using only one target.
그리고, 연속하는 2개의 성막 처리를 동일 챔버 내에서 행함으로써, 제1 모재를 이용하는 성막 공정(제1 성막 공정)과 제2 모재를 이용하는 성막 공정(제2 성막 공정)의 사이에 행하는 챔버 내의 기체를 배기하는 공정 및 피처리 기판의 반송 등의 작업(공정)이 필요 없어지고, 이러한 작업(공정)에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.The gas in the chamber that is performed between the film forming step (first film forming step) using the first base material and the film forming step (second film forming step) using the second base material by performing two successive film forming processes in the same chamber. The work (process), such as the process of evacuating and conveyance of a to-be-processed board | substrate, becomes unnecessary, and the time required for such a work (process) can be shortened.
또한, 본 발명에 관한 타겟의 제조 방법에서는, 배킹 플레이트의 제1 주요면 혹은 제2 주요면에 모재를 접합시킨 후에, 접합에 의해 휨이 생긴 배킹 플레이트를 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Moreover, in the manufacturing method of the target which concerns on this invention, after joining a base material to the 1st main surface or the 2nd main surface of a backing plate, the backing plate which bend | folded by joining is shape | molded so that it may become a flat shape.
따라서, 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 개별적으로 표면이 평탄한 형상의 모재가 접합된 타겟을 제조할 수 있다.Therefore, it is possible to produce a target in which a base material having a flat surface shape is bonded to each of the two main surfaces of the backing plate.
도 1a는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟을 구비한 성막 장치를 도시한 단면도이다.
도 1b는 제어부에 접속된 본 발명의 제1 실시형태의 타겟을 도시한 사시도이다.
도 1c는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟을 도시한 도면으로서, 회전축에 수직인 면에 대응하는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 2b는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 2c는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 2d는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 2e는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 2f는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태의 타겟을 도시한 도면으로서, 회전축에 수직인 면에 대응하는 단면도이다.
도 4a는 종래 기술에 관한 타겟을 구비한 성막 장치를 도시한 단면도이다.
도 4b는 종래 기술에 관한 타겟을 길이방향으로 수직인 면에 대응하는 단면도이다.1: A is sectional drawing which shows the film-forming apparatus provided with the target of 1st Embodiment of this invention.
1B is a perspective view showing a target of the first embodiment of the present invention connected to a control unit.
1C is a diagram showing a target of the first embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the rotation axis.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention.
FIG. 3 is a diagram showing a target of the second embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the rotation axis.
4A is a cross-sectional view showing a film forming apparatus having a target according to the prior art.
4B is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the longitudinal direction of the target according to the prior art.
이하, 적합한 실시형태에 기초하여 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또, 각 도면에서는 각 구성요소를 도면 상에서 인식할 수 있는 정도의 크기로 하기 때문에, 각 구성요소의 치수 및 비율을 실제의 것과는 적절히 다르게 하고 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings based on suitable embodiment. In addition, in each figure, each component is made into the magnitude which can be recognized on drawing, and the dimension and ratio of each component are suitably different from an actual thing.
<제1 실시형태>First Embodiment
도 1a는, 본 발명의 제1 실시형태의 타겟을 구비한 스퍼터링에 이용하는 성막 장치(100)와, 이에 부설되는 제어부(E), 접지부(G), 자기장 생성부(H), 배기부(P)의 구성에 대해 설명하는 도면이다.1A is a
성막 장치(100)는 챔버(101)와, 챔버(101)의 내부에 배치된 타겟(C)과, 타겟(C)과 대향하는 위치에 배치된 지지대(103)를 가진다. 지지대(103)는 피처리 기판(102)을 지지한다.The
도 1b는 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 사시도이다.1B is a perspective view of a target of the first embodiment of the present invention.
도 1c는 도 1b에 도시된 본 발명의 제1 실시형태의 타겟을 도시한 도면으로서, 길이방향(L)에 수직인 면에 대응하는 단면도이다.FIG. 1C is a diagram showing a target of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1B, which is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the longitudinal direction L. FIG.
타겟(C)은 배킹 플레이트(104), 제1 모재(105), 제2 모재(106), 방착판(109)으로 구성된다. 배킹 플레이트(104)는 평탄한 형상으로 형성되고, 제1 주요면(104a)(한쪽의 주요면) 및 제2 주요면(104b)(다른 쪽의 주요면)을 가진다. 제1 모재(105)는 제1 주요면(104a)에 배치되어 있다. 제2 모재(106)는 제2 주요면(104b)에 배치되어 있다. 방착판(109)은 배킹 플레이트의 길이방향(L)에 평행한 측면(113)(제3 측면)에 배치되어 있다.The target C is comprised by the
배킹 플레이트(104)는, 배킹 플레이트(104)의 제1 측면(111)(한쪽의 측면)에서 제2 측면(112)(다른 쪽의 측면)으로 향하여 배킹 플레이트(104)를 관통하는 회전축(107)을 가진다.The
배킹 플레이트(104) 내에는, 배킹 플레이트(104)의 제1 주요면(104a) 혹은 제2 주요면(104b)에 가까운 위치(근방)에 형성되어 냉각수(냉매)가 유동하는 순환 유로(108a 및 108b)(제1 순환 유로 및 제2 순환 유로)가 설치되어 있다.In the
배킹 플레이트(104)를 구성하는 재료로서는 높은 도전성, 열전도성, 저가스 방출성을 갖는 재료가 바람직하고, 주로 구리 또는 스테인레스가 이용된다.As a material which comprises the
제1 모재(105) 및 제2 모재(106)로서는 금속 또는 절연체 등의 피처리 기판에 형성되는 막의 재료가 이용된다. 또, 제1 모재(105)와 제2 모재(106)는 같은 재료로 구성되어 있어도 되고, 다른 재료로 구성되어 있어도 된다.As the
순환 유로(108a 및 108b)를 흐르는 냉각수(냉매)는 스퍼터링 처리 중의 제1 모재(105) 및 제2 모재(106)를 냉각한다.Cooling water (refrigerant) flowing through the
냉각수는 순환 유로(108a 및 108b) 중에서 한쪽으로부터 도입되고 다른 쪽으로부터 도출된다.Cooling water is introduced from one of the
회전축(107)은 타겟(C)의 외부에 설치된 제어부(E)에 접속되고, 제어부(E)를 이용하여 회전한다.The
그리고, 회전축(107)의 회전에 연동하여 타겟(C)을 회전시킨다.Then, the target C is rotated in conjunction with the rotation of the
안정된 회전을 실현하기 위해, 회전축은 배킹 플레이트(104)의 중심에 일치하도록 관통하고 있는 것이 바람직하다.In order to realize stable rotation, it is preferable that the rotating shaft penetrates to coincide with the center of the
또한, 회전축(107)의 내부에는, 배킹 플레이트(104)에 스퍼터링 전압을 인가하는 전력 공급 라인과, 순환 유로(108a 및 108b)를 흐르는 냉각수의 공급 및 배출용 라인이 설치되어 있다.Further, inside the
배킹 플레이트(104)의 길이방향(L)에 평행한 제3 측면(113)에 설치된 방착판(109)은, 스퍼터링 처리 중에 발생한 입자가 배킹 플레이트의 측면으로 돌아 들어가는 것을 막는다.The
또한, 방착판(109)과 배킹 플레이트(104)의 사이에는 절연 부재(109a)가 배치되고, 절연 부재(109a)는 스퍼터링시에 공급되는 전압에 따라 방착판(109)에 손상이 발생하는 것을 막는다.In addition, an
본 발명의 제1 실시형태의 타겟은, 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 스퍼터링에 이용되는 모재가 배치되어 있다.In the target of 1st Embodiment of this invention, the base material used for sputtering is arrange | positioned at each of two main surfaces of a backing plate.
그 때문에, 챔버 내에서 제1 주요면(104a)에 배치된 제1 모재(105)를 이용하여 스퍼터링 처리를 행한 후에, 타겟을 반전시켜 제2 주요면(104b)에 배치된 제2 모재(106)를 이용하여 스퍼터링 처리를 행할 수 있다.Therefore, after performing sputtering process using the
따라서, 제2 모재(106)가 제1 모재(105)와 동일 재료로 구성되는 경우, 종래와 같이 배킹 플레이트의 하나의 주요면에만 배치된 모재를 이용하는 경우에 비해 타겟 하나당 사용 기간을 늘릴 수 있다.Therefore, when the
이에 의해, 모재의 교환 횟수를 줄일 수 있고, 교환에 따라 발생하는 작업 또는 비용을 줄일 수 있다.Thereby, the frequency | count of replacement of a base material can be reduced, and the operation | work or cost which arises by exchange can be reduced.
또한, 제1 모재(105) 및 제2 모재(106) 각각이 피처리 기판(102) 상에 형성되는 적층막의 하층 및 상층을 형성하는 재료로 구성되는 경우, 하나의 타겟만을 이용하여 2개의 성막 처리를 연속하여 행할 수 있다.In addition, when each of the
그리고, 연속하는 2개의 성막 처리를 동일 챔버 내에서 행함으로써, 제1 모재(105)에 의한 성막 공정과 제2 모재(106)에 의한 성막 공정의 사이에 행하는 챔버 내의 기체를 배기하는 공정 및 피처리 기판의 반송 등의 작업(공정)이 필요 없어지고, 이러한 작업(공정)에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.Then, by performing two successive film forming processes in the same chamber, a step of evacuating the gas in the chamber performed between the film forming process by the
또, 2종류의 성막 공정을 동일 챔버 내에서 행함으로써, 하나의 성막 공정마다 다른 챔버를 이용하는 종래 기술에 비해 성막 공정에 필요한 챔버가 설치되는 공간을 줄일 수 있다.In addition, by performing two kinds of film forming steps in the same chamber, the space for installing the chambers required for the film forming step can be reduced as compared with the conventional art using a different chamber for each film forming step.
<타겟의 제조 방법의 제1 실시형태><1st embodiment of the manufacturing method of a target>
상기 제1 실시형태의 구성을 구비한 타겟의 제조 방법에 대해, 도 2a~도 2f에 도시된 공정도를 이용하여 설명한다.The manufacturing method of the target provided with the structure of said 1st Embodiment is demonstrated using process drawing shown in FIG. 2A-FIG. 2F.
우선, 도 2a에 도시된 제1 공정에서, 제1 모재(105)를 배킹 플레이트(104)의 제1 주요면(104a)에 대향하도록 배치하고, 제2 모재(106)를 배킹 플레이트(104)의 제2 주요면(104b)에 대향하도록 배치한다.First, in the first process shown in FIG. 2A, the
다음에, 도 2b에 도시된 제2 공정에서, 제1 접착 부재(도시생략)를 이용하여 제1 모재(105)를 배킹 플레이트(104)의 제1 주요면(104a)에 접합한다.Next, in the second step shown in FIG. 2B, the
보다 구체적으로는, 접합면을 형성하는 배킹 플레이트(104)의 제1 주요면(104a)에 제1 접착 부재를 도포하고, 배킹 플레이트(104) 및 제1 접착 부재를 융점 이상의 온도로 가열하여 융해시킨다.More specifically, the first adhesive member is applied to the first
그리고, 융해한 제1 접착 부재 상에 제1 모재(105)를 배치하고, 제1 모재(105)와 배킹 플레이트(104)의 사이에 융해한 제1 접착 부재가 끼워진 상태로 실온까지 냉각한다.And the
이 공정에서 이용하는 제1 접착 부재로서는 저융점 금속인 것이 바람직하고, 예를 들면 인듐이 이용된다.As a 1st adhesive member used at this process, it is preferable that it is a low melting metal, and indium is used, for example.
제2 공정에서는, 배킹 플레이트(104)와 제1 모재(105)가 고온 상태에서 접합되고 접합한 상태인 채로 실온까지 냉각된다.In the 2nd process, the
그리고, 냉각에 따라 배킹 플레이트(104)는 압축된다.And the
이 때, 제1 주요면(104a)에만 제1 모재(105)가 접합되어 있기 때문에, 제1 주요면(104a)에서의 배킹 플레이트(104)의 압축률과 제2 주요면(104b)에서의 배킹 플레이트(104)의 압축률은 다르다.At this time, since the
따라서, 배킹 플레이트(104)는 제1 주요면(104a) 혹은 제2 주요면(104b)에서 볼록형상으로 휨이 생긴 형상을 가진다.Accordingly, the
도 2b에서는 배킹 플레이트(104)가 제1 주요면(104a)에 볼록형상의 휨이 생기는 예가 나타나 있지만, 배킹 플레이트(104)와 제1 모재(105)를 구성하는 재료의 조합에 따라서는 제2 주요면(104b)에 볼록형상의 휨이 생기는 경우도 있다.In FIG. 2B, an example is shown in which the
다음에, 도 2c에 도시된 제3 공정에서, 제1 모재(105)와 배킹 플레이트(104)의 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트(104)를 평탄한 형상이 되도록 정형(整形)한다.Next, in the third process shown in FIG. 2C, the
배킹 플레이트(104)를 정형하는 방법은 특정 방법에 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는 배킹 플레이트(104)의 제2 주요면(104b)에 대해 휨이 생기는 방향과는 반대 방향으로 압력을 가하여 기계적으로 교정하는 방법을 이용한다.The method of shaping the
다음에, 도 2d에 도시된 제4 공정에서, 제2 접착 부재(도시생략)를 이용하여 제2 모재(106)를 배킹 플레이트(104)의 제2 주요면(104b)에 접합한다.Next, in the fourth step shown in FIG. 2D, the
보다 구체적으로는, 접합면을 형성하는 배킹 플레이트(104)의 제2 주요면(104b)에 제2 접착 부재를 도포하고, 배킹 플레이트(104) 및 제2 접착 부재를 융점 이상의 온도로 가열하여 융해시킨다.More specifically, a second adhesive member is applied to the second
그리고, 융해한 제2 접착 부재 상에 제2 모재(106)를 배치하고, 제2 모재(106)와 배킹 플레이트(104)의 사이에 융해한 제2 접착 부재가 끼워진 상태로 실온까지 냉각한다.And the
이 공정에서 이용하는 제2 접착 부재로서는 저융점 금속인 것이 바람직하고, 예를 들면 인듐이 이용된다.It is preferable that it is a low melting metal as a 2nd adhesive member used at this process, For example, indium is used.
제4 공정에서는, 배킹 플레이트(104)와 제2 모재(106)는 고온 상태에서 접합되고, 접합한 상태인 채로 실온까지 냉각된다.In the 4th process, the
그리고, 냉각에 따라 배킹 플레이트(104)는 압축된다.And the
이 때, 제1 주요면(104a)에는 제1 모재(105)가 접합되고, 제2 주요면(104b)에는 제2 모재(106)가 접합되어 있기 때문에, 제1 주요면(104a)에서의 배킹 플레이트(104)의 압축률과 제2 주요면(104b)에서의 배킹 플레이트(104)의 압축률은 다르다.At this time, since the
따라서, 배킹 플레이트(104)는 제1 주요면(104a) 혹은 제2 주요면(104b)에서 볼록형상으로 휨이 생긴 형상을 가진다.Accordingly, the
그래서, 도 2e에 도시된 제5 공정에서, 제2 모재(106)와 배킹 플레이트(104)의 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트(104)를 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Therefore, in the fifth process shown in FIG. 2E, the
배킹 플레이트(104)를 정형하는 방법은 특정 방법에 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는 배킹 플레이트(104)에 대해 휨이 생기는 방향과는 반대 방향으로 압력을 가하여 기계적으로 교정하는 방법을 이용한다.Although the method of shaping the
그리고, 도 2f에 도시된 제6 공정에서, 배킹 플레이트(104)의 길이방향(L)에 평행한 측면(113)에 절연성의 접착 부재(절연 부재)(109a)를 이용하여 방착판(109)을 접합함으로써 제1 실시형태의 타겟이 형성되어 있다.And in the 6th process shown in FIG. 2F, the
여기서는, 배킹 플레이트(104)에 대해 제1 모재(105), 제2 모재(106)의 순서로 접합하는 예를 나타내었지만, 접합하는 순서를 반대로 해도 되고, 혹은 배킹 플레이트(104)의 양면에 제1 모재(105) 및 제2 모재(106)를 동시에 접착한 후에 기계적으로 교정하는 방법이어도 된다.Here, although the example which joined the
또, 도 2a~도 2f는 후술하는 제2 실시형태에 대해서도 적용할 수 있다.2A to 2F are also applicable to the second embodiment described later.
상기 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법에 따르면, 볼트 또는 클램프 등의 고정 부재를 이용하여 모재를 배킹 플레이트에 고정하는 경우와 같이 모재에 고정 영역을 설치할 필요가 없다.According to the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of the said invention, it is not necessary to provide a fixed area | region in a base material like the case where a base material is fixed to a backing plate using fixing members, such as a bolt or a clamp.
따라서, 배킹 플레이트(104)의 각각의 주요면에 배치된 제1 모재(105) 및 제2 모재(106)의 전역을 스퍼터링에 이용할 수 있다.Therefore, the whole area | region of the
또한, 본 발명의 제1 실시형태의 타겟의 제조 방법에서는, 배킹 플레이트의 제1 주요면(104a) 혹은 제2 주요면(104b)에 모재를 접합시킨 후에, 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트가 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Moreover, in the manufacturing method of the target of 1st Embodiment of this invention, after joining a base material to the 1st
따라서, 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 개별적으로 표면이 평탄한 형상을 갖는 모재가 접합된 타겟을 제조할 수 있다.Therefore, it is possible to produce a target in which a base material having a shape having a flat surface is bonded to each of the two main surfaces of the backing plate.
이에 의해, 모재와 피처리 기판이 평행하게 배치되기 때문에, 모재로부터 튀어나오는 스퍼터 입자를 피처리 기판의 처리면 내에 균일하게 부착시켜 성막할 수 있다.Thereby, since a base material and a to-be-processed board | substrate are arrange | positioned in parallel, sputtering particles which protrude from a base material can be uniformly adhere | attached in the process surface of a to-be-processed substrate, and can form into a film.
또, 도 2a~도 2f에서는, 접착 부재를 이용하여 제1 모재(105) 및 제2 모재(106)를 배킹 플레이트(104)의 각각의 주요면에 접합하는 방법을 예로서 나타내었다. 다른 예로서, 볼트 또는 클램프 등의 고정용 부재를 이용하여 제1 모재(105) 및 제2 모재(106)를 배킹 플레이트(104)의 각각의 주요면에 고정하는 방법도 있다.In addition, in FIG.2A-2F, the method of joining the
볼트 또는 클램프 등의 고정용 부재를 이용하는 경우에는, 제1 모재(105)와 배킹 플레이트의 열팽창률 차 혹은 제2 모재(106)와 배킹 플레이트의 열팽창률 차에 기인한 휨이 생기는 일은 없다.In the case of using a fixing member such as a bolt or a clamp, warping due to the difference in thermal expansion rate between the
따라서, 상기 제2 공정 및 제4 공정에 상당하는 공정은 필요 없어지고 보다 간략화된 프로세스로 타겟을 제조할 수 있다.Therefore, the process corresponding to the said 2nd process and the 4th process is unnecessary, and a target can be manufactured by a more simplified process.
<제2 실시형태>≪ Second Embodiment >
도 3은 본 발명의 제2 실시형태의 타겟을 도시한 도면으로서, 회전축에 수직인 면에 대응하는 단면도이다.FIG. 3 is a diagram showing a target of the second embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the rotation axis.
제1 실시형태의 배킹 플레이트(104)는 단판으로 형성되어 있었던 것에 대해, 제2 실시형태의 배킹 플레이트(214)는 2장의 판(배킹 플레이트)(204 및 211)이 겹쳐맞춤된(重合) 합판으로 구성되어 있다.While the
배킹 플레이트(214)의 내부에는, 배킹 플레이트의 최외면인 제1 주요면(214a)에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로(208a, 208b)와, 배킹 플레이트의 최외면인 제2 주요면(214b)에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로(213a, 213b)가 설치되어 있다.Inside the
제2 실시형태에 있어서, 타겟에서의 그 밖의 구성은 제1 실시형태의 구성과 동일하다. 도 3에서 제1 실시형태와 동일 부재에는 동일 부호를 부여하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.In 2nd Embodiment, the other structure in a target is the same as that of 1st Embodiment. In FIG. 3, the same code | symbol is attached | subjected to the same member as 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted or simplified.
제1 실시형태의 구성에서는, 냉각수의 순환 유로(108a, 108b)는 배킹 플레이트(104) 내에서 제1 주요면(104a) 및 제2 주요면(104b) 중 어느 한쪽에 가까운 위치에 형성되어 있다.In the structure of 1st Embodiment, the
이에 대해, 제2 실시형태의 구성에서는, 냉각수의 순환 유로(208a, 208b)는 배킹 플레이트(214) 내에서 제1 주요면(214a) 및 제2 주요면(214b) 모두에 가까운 위치에 형성되어 있다.On the other hand, in the structure of 2nd Embodiment, the
따라서, 제2 실시형태의 구성에 따르면, 제1 모재(205) 및 제2 모재(212) 모두를 냉각하는 높은 냉각 기능을 갖는 타겟을 얻을 수 있다.Therefore, according to the structure of 2nd Embodiment, the target which has a high cooling function which cools both the
본 발명의 제2 실시형태의 타겟은, 배킹 플레이트의 최외면인 2개의 주요면 각각에 스퍼터링에 이용되는 모재가 배치되어 있다.In the target of 2nd Embodiment of this invention, the base material used for sputtering is arrange | positioned at each of the two main surfaces which are outermost surfaces of a backing plate.
그 때문에, 챔버 내에서 제1 주요면(214a)에 배치된 제1 모재(205)를 이용하여 스퍼터링 처리를 행한 후에, 타겟을 반전시켜 제2 주요면(214b)에 배치된 제2 모재(212)를 이용하여 스퍼터링 처리를 행할 수 있다.Therefore, after performing sputtering process using the
따라서, 제2 모재(212)가 제1 모재(205)와 동일 재료로 구성되는 경우, 종래와 같이 배킹 플레이트의 하나의 주요면에만 배치된 모재를 이용하는 경우에 비해 타겟 하나당 사용 기간을 늘릴 수 있다.Therefore, when the
이에 의해, 모재의 교환 횟수를 줄일 수 있고, 교환에 따라 발생하는 작업 또는 비용을 줄일 수 있다.Thereby, the frequency | count of replacement of a base material can be reduced, and the operation | work or cost which arises by exchange can be reduced.
또한, 제1 모재(205) 및 제2 모재(212) 각각이 피처리 기판 상에 형성되는 적층막의 하층 및 상층을 형성하는 재료로 구성되는 경우, 하나의 타겟만을 이용하여 2개의 성막 처리를 연속하여 행할 수 있다.In addition, when each of the
그리고, 연속하는 2개의 성막 처리를 동일 챔버 내에서 행함으로써, 제1 모재(205)에 의한 성막 공정과 제2 모재(212)에 의한 성막 공정의 사이에 행하는 챔버 내의 배기하는 공정 및 피처리 기판의 반송 등의 작업(공정)이 필요 없어지고, 이러한 작업(공정)에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.Then, by performing two successive film forming processes in the same chamber, a step of evacuating the chamber and the substrate to be processed between the film forming process by the
또, 2종류의 성막 공정을 동일 챔버 내에서 행함으로써, 하나의 성막 공정마다 다른 챔버를 이용하는 종래 기술에 비해 성막 공정에 필요한 챔버가 설치되는 공간을 줄일 수 있다.In addition, by performing two kinds of film forming steps in the same chamber, the space for installing the chambers required for the film forming step can be reduced as compared with the conventional art using a different chamber for each film forming step.
<타겟의 제조 방법의 제2 실시형태><2nd embodiment of the manufacturing method of a target>
상기 제2 실시형태의 구성을 구비한 타겟의 제조 방법에 대해 설명한다.The manufacturing method of the target provided with the structure of said 2nd Embodiment is demonstrated.
처음에, 제조 방법에 대해 설명한다.First, a manufacturing method is demonstrated.
우선, 제1 공정에서, 제1 접착 부재를 이용하여 제1 모재(205)를 배킹 플레이트(204)의 제1 주요면(204a)에 접합한다.First, in a 1st process, the
보다 구체적으로는, 접합면을 형성하는 배킹 플레이트(204)의 제1 주요면(204a)에 제1 접착 부재를 도포하고, 배킹 플레이트(204) 및 제1 접착 부재를 융점 이상의 온도로 가열하여 융해시킨다.More specifically, the first adhesive member is applied to the first
그리고, 융해한 제1 접착 부재 상에 제1 모재(205)를 배치하고, 제1 모재(205)와 배킹 플레이트(204)의 사이에 융해한 제1 접착 부재가 끼워진 상태로 실온까지 냉각한다.And the
이 공정에서 이용하는 제1 접착 부재로서는 저융점 금속인 것이 바람직하고, 예를 들면 인듐이 이용된다.As a 1st adhesive member used at this process, it is preferable that it is a low melting metal, and indium is used, for example.
제1 공정에서는, 배킹 플레이트(204)와 제1 모재(205)는 고온 상태에서 접합되고, 접합한 상태인 채로 실온까지 냉각된다.In the 1st process, the
그리고, 냉각에 따라 배킹 플레이트(204)는 압축된다.And the
이 때, 제1 주요면(204a)에만 제1 모재(205)가 접합되어 있기 때문에, 제1 주요면(204a)에서의 배킹 플레이트(204)의 압축률과 제2 주요면(204b)에서의 배킹 플레이트(204)의 압축률은 다르다.At this time, since the
따라서, 배킹 플레이트(204)는 제1 주요면(204a) 혹은 제2 주요면(204b)에서 볼록형상으로 휨이 생긴 형상을 가진다.Accordingly, the
다음에, 제2 공정에서, 제1 모재(205)와 배킹 플레이트(204)의 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트(204)를 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Next, in the second step, the
배킹 플레이트(204)를 정형하는 방법은 특정 방법에 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는 배킹 플레이트(204)에 대해 휨이 생기는 방향과는 반대 방향으로 압력을 가하여 기계적으로 교정하는 방법을 이용한다.Although the method of shaping the
다음에, 제3 공정에서, 제2 접착 부재를 이용하여 제2 모재(212)를 배킹 플레이트(211)의 제1 주요면(211a)에 접합한다.Next, in the third step, the
보다 구체적으로는, 접합면을 형성하는 배킹 플레이트(211)의 제1 주요면(211a)에 제2 접착 부재를 도포하고, 배킹 플레이트(211) 및 제2 접착 부재를 융점 이상의 온도로 가열하여 융해시킨다.More specifically, a second adhesive member is applied to the first
그리고, 융해한 제2 접착 부재 상에 제2 모재(212)를 배치하고, 제2 모재(212)와 배킹 플레이트(211)의 사이에 융해한 제2 접착 부재가 끼워진 상태로 실온까지 냉각한다.And the
이 공정에서 이용하는 제2 접착 부재로서는 저융점 금속인 것이 바람직하고, 예를 들면 인듐이 이용된다.It is preferable that it is a low melting metal as a 2nd adhesive member used at this process, For example, indium is used.
다음에, 제4 공정에서, 배킹 플레이트(211)와 제2 모재(212)의 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트(211)를 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Next, in the fourth step, the
배킹 플레이트(211)를 정형하는 방법은 특정 방법에 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는 배킹 플레이트(211)에 대해 휨이 생기는 방향과는 반대 방향으로 압력을 가하여 기계적으로 교정하는 방법을 이용한다.Although the method of shaping the
다음에, 제5 공정에서, 배킹 플레이트(204)의 제2 주요면(204b)과 배킹 플레이트(211)의 제2 주요면(211b)이 서로 마주보도록 배킹 플레이트(204)와 배킹 플레이트(211)를 일체화시킨다.Next, in the fifth process, the
2개의 배킹 플레이트를 일체화시키는 방법으로서는, 예를 들면 주요면(204b)과 주요면(211b)의 사이에 접착 부재를 배치하고 두 플레이트를 접합하는 방법을 들 수 있다. 혹은, 주요면(204b)과 주요면(211b)을 겹쳐맞춘 상태로 두 플레이트를 볼트 또는 클램프 등에 의해 고정하는 방법이 있다.As a method of integrating two backing plates, the method of arrange | positioning an adhesive member between the
다음에, 제6 공정에서, 배킹 플레이트(214)의 길이방향에 평행한 측면(113)(제3 측면)에 절연성의 접착 부재(절연 부재)(209a)를 이용하여 방착판(209)을 접합함으로써 제2 실시형태의 타겟이 형성된다.Next, in the sixth step, the
또, 제1 공정~제2 공정과 제3 공정~제4 공정은 순서를 바꾸어 행해도 되고 동시에 행해도 된다.In addition, a 1st process-a 2nd process, and a 3rd process-a 4th process may be reversed, and may be performed simultaneously.
또한, 제2 실시형태의 타겟은, 2장의 판(204 및 211)을 겹쳐맞춤으로써 배킹 플레이트(214)를 미리 형성하고, 그 후, 제1 실시형태에서의 배킹 플레이트(104)와 같이 상술한 타겟의 제조 방법의 제1 실시형태를 이용함으로써도 형성된다.In addition, the target of 2nd Embodiment forms the
상기 본 발명의 제2 실시형태의 타겟의 제조 방법에 따르면, 볼트 또는 클램프 등의 고정 부재를 이용하여 모재를 배킹 플레이트에 고정하는 경우와 같이 모재에 고정 영역을 설치할 필요가 없다.According to the manufacturing method of the target of 2nd Embodiment of the said invention, it is not necessary to provide a fixed area | region in a base material like the case where a base material is fixed to a backing plate using fixing members, such as a bolt or a clamp.
따라서, 배킹 플레이트(214)의 각각의 주요면에 배치된 제1 모재(205) 및 제2 모재(212)의 전역을 스퍼터링에 이용할 수 있다.Therefore, the whole area | region of the
또한, 본 발명의 제2 실시형태의 타겟의 제조 방법에서는, 배킹 플레이트의 제1 주요면(214a) 혹은 제2 주요면(214b)에 모재를 접합시킨 후에, 접합에 의해 휘어진 배킹 플레이트를 평탄한 형상이 되도록 정형한다.Moreover, in the manufacturing method of the target of 2nd Embodiment of this invention, after joining a base material to the 1st
따라서, 배킹 플레이트의 2개의 주요면 각각에 개별적으로 표면이 평탄한 형상을 갖는 모재가 접합된 타겟을 제조할 수 있다.Therefore, it is possible to produce a target in which a base material having a shape having a flat surface is bonded to each of the two main surfaces of the backing plate.
이에 의해, 모재와 피처리 기판이 평행하게 배치되기 때문에, 모재로부터 튀어나오는 스퍼터 입자를 피처리 기판의 처리면 내에 균일하게 부착시켜 성막할 수 있다.Thereby, since a base material and a to-be-processed board | substrate are arrange | positioned in parallel, sputtering particles which protrude from a base material can be uniformly adhere | attached in the process surface of a to-be-processed substrate, and can form into a film.
본 발명은 피처리체에 스퍼터링법에 따른 성막 공정을 행하는 경우에 대해 널리 적용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to a case where a film forming step by a sputtering method is performed on a workpiece.
104…배킹 플레이트, 104a, 104b, 214a, 214b…주요면, 105…제1 모재, 106…제2 모재, 107, 207…회전축, 108a, 108b…순환 유로, 109…방착판, 109a…절연 부재, C…타겟.104... Backing plate, 104a, 104b, 214a, 214b... Main plane, 105... First substrate, 106. Second base material, 107, 207...
Claims (12)
제1 주요면과, 상기 제1 주요면과는 반대측에 위치하는 제2 주요면을 갖는 배킹 플레이트;
상기 제1 주요면에 배치된 제1 모재;
상기 제2 주요면에 배치된 제2 모재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟.As a target,
A backing plate having a first main surface and a second main surface positioned opposite to the first main surface;
A first base material disposed on the first main surface;
And a second base material disposed on the second main surface.
상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 제1 주요면 혹은 상기 제2 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로를 포함하고,
상기 배킹 플레이트는 단판으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.The method according to claim 1,
It is installed in the backing plate, and formed in a position close to the first main surface or the second main surface and includes a circulation flow path for the cooling water flow,
The backing plate is a target, characterized in that formed of a single plate.
상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 배킹 플레이트의 최외면인 제1 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로;
상기 배킹 플레이트의 내부에 설치되고, 상기 배킹 플레이트의 최외면인 제2 주요면에 가까운 위치에 형성되어 냉각수가 유동하는 순환 유로;를 포함하고,
상기 배킹 플레이트는 복수의 판체가 접합된 합판으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.The method according to claim 1,
A circulation flow path installed inside the backing plate and formed at a position close to the first main surface, which is the outermost surface of the backing plate, to allow cooling water to flow;
A circulation flow path installed inside the backing plate and formed at a position close to the second main surface, which is the outermost surface of the backing plate, to allow the coolant to flow;
The backing plate is a target, characterized in that formed of plywood bonded to a plurality of plate bodies.
상기 배킹 플레이트는 제1 측면과, 상기 제1 주요면과는 반대측에 위치하는 제2 측면과, 상기 제1 측면에서 상기 제2 측면으로 향하여 상기 배킹 플레이트를 관통하는 회전축을 가지고,
상기 회전축의 내부에는 스퍼터링에 이용되는 전력을 공급하는 전력 공급 라인이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The backing plate has a first side surface, a second side surface positioned opposite to the first main surface, and a rotation axis passing through the backing plate from the first side toward the second side surface,
And a power supply line for supplying power for sputtering is provided inside the rotating shaft.
상기 배킹 플레이트는 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면과는 다른 제3 측면을 가지고, 상기 제3 측면에는 절연 부재를 개재하여 방착판이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The backing plate has a third side surface different from the first side surface and the second side surface, and a target plate is disposed on the third side surface via an insulating member.
상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first main surface of the backing plate and the first base material are bonded to each other via an adhesive member.
상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The second main surface of the backing plate and the second base material are bonded to each other via an adhesive member.
상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있고, 또한 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 접착 부재를 개재하여 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first main surface of the backing plate and the first base material are joined via an adhesive member, and the second main surface of the backing plate and the second base material are joined via an adhesive member. Target to be.
상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first main surface and the first base material of the backing plate are fixed by a clamp.
상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The second main surface and the second base material of the backing plate are fixed by a clamp.
상기 배킹 플레이트의 상기 제1 주요면과 상기 제1 모재가 클램프에 의해 고정되어 있고, 또한 상기 배킹 플레이트의 상기 제2 주요면과 상기 제2 모재가 클램프에 의해 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 타겟.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first main surface and the first base material of the backing plate are fixed by a clamp, and the second main surface and the second base material of the backing plate are fixed by a clamp.
제1 모재를 배킹 플레이트의 제1 주요면에 제1 접착 부재를 개재하여 접합하고,
상기 제1 모재와 상기 제1 주요면이 접합되었을 때에 휘어진 상기 배킹 플레이트의 면이 평탄한 형상이 되도록 정형하며,
제2 모재를 배킹 플레이트의 제2 주요면에 제2 접착 부재를 개재하여 접합하고,
상기 제2 모재와 상기 제2 주요면이 접합되었을 때에 휘어진 상기 배킹 플레이트의 면이 평탄한 형상이 되도록 정형하는 것을 특징으로 하는 타겟의 제조 방법.As a manufacturing method of a target,
Joining the first base material to the first main surface of the backing plate through the first adhesive member,
When the first base material and the first main surface are joined to each other, the curved backing plate is shaped to have a flat shape.
Joining the second base material to the second main surface of the backing plate via the second adhesive member,
A method for producing a target, wherein the backing plate is curved to have a flat shape when the second base material and the second main surface are joined to each other.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2011-088275 | 2011-04-12 | ||
JP2011088275 | 2011-04-12 | ||
PCT/JP2011/074033 WO2012140798A1 (en) | 2011-04-12 | 2011-10-19 | Target and target production method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130099194A true KR20130099194A (en) | 2013-09-05 |
Family
ID=47008997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137018081A KR20130099194A (en) | 2011-04-12 | 2011-10-19 | Target and target production method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5721815B2 (en) |
KR (1) | KR20130099194A (en) |
CN (2) | CN107419227A (en) |
TW (1) | TWI481736B (en) |
WO (1) | WO2012140798A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11473188B2 (en) * | 2017-06-28 | 2022-10-18 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02122071A (en) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Manufacture of sputtering target |
JPH06108241A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | Sputtering device |
US6328856B1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-12-11 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device |
JP2002030430A (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Sony Corp | Sputtering system |
JP4071520B2 (en) * | 2002-03-29 | 2008-04-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering equipment |
JP2004292871A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | Ion beam sputtering system |
JP2006233240A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Canon Inc | Sputtering cathode and sputtering system |
JP4707693B2 (en) * | 2007-05-01 | 2011-06-22 | 株式会社アルバック | Sputtering apparatus and sputtering method |
DE102007060306B4 (en) * | 2007-11-29 | 2011-12-15 | W.C. Heraeus Gmbh | Magnetic shunts in tube targets |
JP4382867B1 (en) * | 2009-01-22 | 2009-12-16 | 順 上野 | Target structure and method for manufacturing target structure |
US10586689B2 (en) * | 2009-07-31 | 2020-03-10 | Guardian Europe S.A.R.L. | Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods |
-
2011
- 2011-10-19 CN CN201710291819.1A patent/CN107419227A/en active Pending
- 2011-10-19 WO PCT/JP2011/074033 patent/WO2012140798A1/en active Application Filing
- 2011-10-19 JP JP2013509733A patent/JP5721815B2/en active Active
- 2011-10-19 KR KR1020137018081A patent/KR20130099194A/en active Search and Examination
- 2011-10-19 CN CN2011800638924A patent/CN103282542A/en active Pending
- 2011-10-26 TW TW100138965A patent/TWI481736B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI481736B (en) | 2015-04-21 |
JPWO2012140798A1 (en) | 2014-07-28 |
CN103282542A (en) | 2013-09-04 |
WO2012140798A1 (en) | 2012-10-18 |
JP5721815B2 (en) | 2015-05-20 |
TW201241211A (en) | 2012-10-16 |
CN107419227A (en) | 2017-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101896701B1 (en) | Cylindrical sputtering target, and method for manufacturing same | |
US6199259B1 (en) | Autoclave bonding of sputtering target assembly | |
US20070045108A1 (en) | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages | |
JP6069540B2 (en) | Cathode unit | |
JP6416261B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101515048B1 (en) | Cathode | |
KR20130099194A (en) | Target and target production method | |
JP5465585B2 (en) | Deposition equipment | |
JP2009200156A (en) | Bonding apparatus | |
TWI424079B (en) | Film forming apparatus and target device | |
KR20100069870A (en) | Method for manufacturing backing plate and friction stir welding machine for manufacturing backing plate | |
KR101306203B1 (en) | Film forming apparatus and target apparatus | |
JP2004074180A (en) | Joining method and device | |
JPS63130771A (en) | Sputtering device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101002552; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160428 Effective date: 20180423 |