KR101885582B1

KR101885582B1 - 경화성 아민 플럭스 조성물 및 솔더링 방법

Info

Publication number: KR101885582B1
Application number: KR1020110128555A
Authority: KR
Inventors: 데이비드 디. 플레밍; 마이크 케이. 갤래거; 김상호; 시앙-퀴안 리우; 에스거 에크버 피이라; 글렌 로빈슨; 이안 톰린슨; 마크 알. 윈클
Original assignee: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨; 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
Priority date: 2010-12-02
Filing date: 2011-12-02
Publication date: 2018-08-06
Also published as: US8070045B1; FR2968227A1; TWI419860B; TW201231439A; CN102554517A; FR2968227B1; KR20120060775A; DE102011120044A1; CN102554517B; JP2012135814A; JP6012955B2

Abstract

본 발명은 초기 성분으로서, 분자당 적어도 두 개의 옥시란기를 갖는 수지 성분; 화학식 I로 표현되는 아민 플럭스제; 및 임의로 경화제를 포함하는, 경화성 아민 플럭스 조성물 및 경화성 아민 플럭스 조성물을 이용하여 전기 접점을 솔더링하는 방법에 관한 것이다:

(I)
상기 식에서, R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-80 알킬기, 비치환된 C₁ _-80알킬기, 치환된 C₇ _-80아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-80 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고; R⁷ 및 R⁸는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, 또는 R⁷ 및 R⁸는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; R¹⁰ 및 R¹¹ 는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, 또는 R¹⁰ 및 R¹¹는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; 및, R⁹는 수소, C₁ _--30 알킬기, 치환된 C₁ _-30알킬기, C₆ _-30 아릴기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 선택된다.

Description

경화성 아민 플럭스 조성물 및 솔더링 방법{A curable amine flux composition and method of soldering}

본 발명은 경화성 아민 플럭스 조성물에 관한 것으로, 본 조성물은 초기 성분으로서, 분자당 적어도 두 개의 옥시란기를 갖는 수지 성분; 화학식 I로 표현되는 아민 플럭스제; 및, 임의로 경화제를 포함하며, 상기 식에서, R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-80 알킬기, 비치환된 C₁ _-80알킬기, 치환된 C₇ _-80아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-80 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고; R⁷ 및 R⁸는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C_6-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, R⁷ 및 R⁸는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; R¹⁰ 및 R¹¹는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, 또는 R¹⁰ 및 R¹¹는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; 및, R⁹는 수소, C₁ _--30 알킬기, 치환된 C₁ _-30알킬기, C₆ _-30 아릴기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기이다. 본 발명은 추가로 경화성 플럭스 조성물을 이용하여 전기 접점을 솔더링하는 방법에 관한 것이다.

플럭스(flux)는 전자 부품(예컨대, 반도체 칩)을 기판(예컨대, 인쇄회로기판, 인쇄회로카드, 유기 기판, 실리콘 인터포저, 다른 반도체 칩) 위에 올리는 것을 포함하는 전기 장치의 생산에 이용되는 중요한 도구이다.

플립 칩(flip chip) 방법은 전자 부품을 기판에 올리기 위하여 사용되는 더욱 중요해지는 방법이다. 반도체 칩을 기판에 올리는데 사용되는 플립 칩 방법의 한 예에서, 솔더는 반도체 칩이 위치한 접점(예컨대, 접촉 패드, 접촉 핀)에 (예컨대, 솔더 볼로서) 제공된다. 또는 솔더는 기판에 위치한 대응 접점(예컨대, 접촉 패드, 구멍을 통해 도금된 구리)에 제공된다. 플럭스는 솔더의 표면 또는 반도체 칩이나 기판 위의 접점의 표면에 존재할 수 있는 산화막을 제거하기 위해서 적용된다. 플럭스는 또한 리플로우 동안에 솔더에 의한 접점의 증가된 습윤성을 제공하는 기능을 한다. 다음으로 반도체 칩 위의 솔더 또는 접점을 기판의 대응하는 접점 또는 솔더와 물리적으로 접촉시킨다. 그리고 나서 반도체 칩 및/또는 기판의 솔더는 리플로우를 위하여 가열된다. 냉각되면서, 반도체 칩과 기판 사이의 내부 접속(inter connection)이 형성된다. 전형적으로, 이러한 내부 접속은 순차적으로 반도체 칩/기판 결합의 신뢰성을 증대시키기 위하여 (예컨대, 에폭시 수지로) 밀폐(encapsulated)된다. 즉, 밀폐된 수지는 그렇지 않으면 반도체 칩과 기판의 열팽창 계수의 주어진 차이를 발생시킬 수 있는 긴장을 완화하도록 돕는다.

상기 서술된 방법에서 플럭스의 실제 선택은 매우 중요하다. 많은 통상적인 플럭스의 사용은 제품 장치의 신뢰성을 감소시킬 수 있는 바람직하지 않은 이온성 잔류물을 형성한다. 따라서 그러한 바람직하지 않은 이온성 잔류물은 장치로부터 제거되어야 한다. 그러나 그러한 장치의 세척은 솔더된 내부 접속의 형성에 따른 반도체 칩과 기판(예컨대, 인쇄회로기판) 사이의 거리가 매우 작다는 사실에 의해서 저해된다. 이것은 솔더링 과정에서 어떤 바람직하지 않은 이온성 잔류물의 제거 과정을 상당히 복잡하게 만든다.

통상적으로, 경화성 유기 물질(전형적으로 유기 또는 무기 필러를 포함)은 반도체 칩과 기판 사이의 틈을 채우고 반도체 칩과 기판이 전기적으로 내부 접속된 솔더 연결을 강화하기 위해서 사용된다. 이러한 언더필 물질은 모세관 활동에 의존하여 틈을 채운다.

반도체 칩과 기판 사이의 틈은 제품 전기 부품의 최대의 신뢰성을 제공하기 위하여 반드시 완벽하게 채워져야 한다. 그러나 경화성 유기 물질이 반도체 칩과 기판 사이 틈의 주변에 적용될 때, 틈의 중심 위치에 공간이 남을 수 있다. 전기 부품 수축(즉, 틈의 높이가 작아지는)의 크기 때문에, 모세관 활동의 제한된 효과는 채워지지 않은 중심 부분의 확장을 유발한다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 몇몇은 틈 부분의 중심 근처에 대응하여 기판에 구멍을 제공해 왔다. 그러면 언더필 물질은 이 구멍을 통하여 틈으로 그리고 주변으로 제공된다. 그러나 이러한 접근에는 장치가 중심 구멍이 위치하는 것을 가능하게 하는 회로 없는 부분이 제공되도록 설계될 것이 요구된다.

언더필 문제의 다른 접근은 "노 플로우(no flow)"방법이라고 언급되어 왔고, 여기서 언더필 물질은 솔더링 전에 반도체 칩 및/또는 기판에 미리 제공된다. 이 물질은 이어서 내부 접속된 부품을 생성하기 위하여 반도체 칩과 기판 사이의 틈을 채우고, (전형적으로 열을 가함으로써) 경화된다.

이러한 노 플로우 과정에서 언더필 물질은 플럭스 및 밀폐 기능성을 모두 제공하는 것으로 알려져 있다. 그러한 물질은 반도체 칩을 기판에 패키지하는 데 필요한 여러 단계를 감소시킨다. 즉, 이러한 물질은 플럭스 및 언더필 단계를 하나로 합치고 세척 단계의 요구를 없앤다.

이러한 노 플로우 언더필 물질의 하나는 Pennisi 등의 미국 특허 번호 제5,128,746호에 개시되어 있다. Pennisi 등은 전기 부품 또는 기판으로부터 산화물 코팅을 제거하고 솔더링 온도로 가열할 때 적어도 부분적으로 경화하는 접착제를 포함하고, 전기 부품 및 기판의 리플로우 솔더링에서 사용하는 플럭스제를 가지며, 상기접착제는 필수적으로 열가소성 수지, 상기 부품 또는 상기 기판으로부터 상기 산화물 코팅을 제거하기에 효율적인 양의 플럭스제 및 열적 경화성 접착제가 가열될 때 열경화성 수지와 반응하여 경화하는 경화제로 구성되는, 열적 경화성 접착제를 개시한다.

다른 노 플로우 언더필 접근은 Chen 등에 의해서 미국 특허 번호 제7,303,944호에 개시되어 있다. Chen 등은 플럭스제로서 로진(rosin) 화합물의 무수 부가물을 포함하는 언더필 물질을 기판의 표면 위의 접촉 패드에 적용하고; 활성 표면을 갖는 미세전자 장치, 및 노 플로우 언더필 물질 내에 배치된 다수의 솔더 범프(bump)를 갖는 활성 표면 위의 다수의 접촉점에 있는 다수의 솔더 범프를 기판에 대하여 위치시키고; 플럭스제로 솔더 범프로부터 금속 산화물을 제거하고; 솔더의 녹는점 온도보다 높은 온도로 가열함으로써 솔더 범프를 리플로우 하고; 언더필 물질을 경화시키는 것을 포함하는 방법을 개시한다.

이와 같이 알려진 많은 통상적인 노 플로우 언더필 물질은 에폭시 화학에 의해 만들어졌고 플럭싱을 제공하기 위하여 카복실산 및 무수물에 의존한다. 또한, 유기 알코올을 무수물과 반응시켜 카복실산 플럭스제를 형성한다는 점에서, 그것은 일정하게 촉진제로서 이용되었다. 그러나 카복실산은 솔더링 및 밀폐 과정에서 휘발되는 경향이 있다. 이것은 제품 장치의 신뢰성을 감소시키는 반도체와 기판 사이 틈에 공간을 형성할 수 있다는 점에서 바람직하지 않다. 따라서 전기 부품에서 신뢰할 수 있는 솔더 및 밀폐된 내부 접속(예컨대, 반도체 칩과 인쇄회로기판 사이의 내부 접속)의 생산을 용이하게 하는 경화성 플럭스 물질의 요구가 있다.

미국 특허 제5,128,746호 미국 특허 제7,303,944호

본 발명은 전기 부품에서 신뢰할 수 있는 솔더 및 밀폐된 내부 접속(예컨대, 반도체 칩과 인쇄회로기판 사이의 내부 접속)의 생산을 용이하게 하는 경화성 플럭스 물질을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 초기 성분으로서, 분자당 적어도 두 개의 옥시란기를 갖는 수지 성분; 화학식 I로 표현되는 아민 플럭스제 및 임의로 경화제를 포함하는, 경화성 아민 플럭스 조성물을 제공한다.

(I)

상기 식에서, R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-80 알킬기, 비치환된 C₁ _-80알킬기, 치환된 C₇ _-80아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-80 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고; R⁷ 및 R⁸는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, 또는 R⁷ 및 R⁸는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; R¹⁰ 및 R¹¹는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되거나, 또는 R¹⁰ 및 R¹¹는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며; 및, R⁹는 수소, C₁ _--30 알킬기, 치환된 C₁ _-30알킬기, C₆ _-30 아릴기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 선택된다.

본 발명은 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물을 제공하고; 다수의 일차 전기 접점을 제공하고; 다수의 대응하는 이차 전기 접점을 제공하고; 솔더를 제공하고; 경화성 아민 플럭스 조성물을 적어도 하나의 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 적용하고; 다수의 일차 전기 접점을 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 근접하도록 위치시키고; 솔더를 그것의 리플로우 온도 이상으로 가열하여 용융 솔더를 형성하고 용융 솔더를 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 노출시키고; 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점으로부터 경화성 아민 플럭스 조성물을 용융 솔더로 대체시키고(displacing) 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점 사이에 다수의 전기적 내부 접속을 형성시키며; 수지 성분을 경화시키고, 다수의 전기적 내부 접속을 밀폐시키는 것을 포함하는, 밀폐된 금속적 결합을 형성하는 방법을 제공한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 경화 및 밀폐된 전기적 내부 접속을 갖는 전기 부품의 생산을 용이하게 하며, 반도체 장치의 생산에서 노 플로우 언더필 조성물로서 바람직하게 기능한다.

본 명세서 및 첨부된 청구항에서 사용된 용어 "노 플로우 언더필 조성물"은 솔더 플럭싱 활성 및 솔더된 접속간의 밀폐를 용이하게 하는 잠재적인 경화성 모두를 나타내는 경화성 아민 플럭스 조성물이다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에 관하여(하나의 팩(pack) 시스템에서) 본 명세서 및 첨부된 청구항에서 사용된 용어 "저장 안정성"은 경화성 플럭스 조성물의 점도가 55℃에서 일주일 동안 저장된 후 5% 미만으로 증가된 것을 의미하고, 여기서 점도는 100 rpm에서 Brookfield #S00 스핀들 세트를 사용하여 20℃에서 Brookfield DV-I+ 점도계를 사용하여 측정하였다.

본 발명의 경화성 플럭스 조성물에 관하여 본 명세서 및 첨부된 청구항에서 사용된 용어 "저장 안정"은 경화성 아민 플럭스 조성물이 저장 안정성을 나타내는 것을 의미한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 (필수적으로 구성되는) 초기 성분으로서: 분자당 적어도 두 개의 옥시란기를 갖는 수지 성분; 화학식 I로 표현되는 아민 플럭스제; 및 임의로 경화제를 포함한다. 바람직하게 경화성 아민 플럭스 조성물은 25℃에서 시작하는 10℃/분의 온도 램프를 사용하는 열무게 분석(TGA)에 의하여 측정할 때, 250℃까지 가열시 휘발되는 물질을 10중량% 미만으로 포함한다. 언더필 조성물로부터 가스의 발생은 반도체 웨이퍼와 기판 사이의 틈에서 공간을 유발하는 경향이 있고, 제품 패키지된 장치의 잠재적인 신뢰성에 대한 우려를 발생시킨다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 수지 성분은 분자당 적어도 두개의 옥시란기를 갖는 물질을 포함한다. 바람직하게, 사용된 수지 성분은 분자당 적어도 두개의 옥시란기를 갖는 에폭시 수지가 사용되고, 예를 들어, 치환되거나 비치환된 지방족, 사이클로지방족, 방향족 및 헤테로사이클릭 폴리에폭사이드이다. 더욱 바람직하게 수지 성분은 비스페놀 타입 에폭시 수지(예컨대, 비스페놀 A 타입 에폭시 수지, 비스페놀 F 타입 에폭시 수지, 비스페놀 S 타입 에폭시 수지); 방향족 디글리시딜 에테르; 방향족 다작용기 글리시딜 에테르, 지방족 디글리시딜 에테르 및 지방족 다작용기 글리시딜 에테르로부터 선택된 에폭시 수지이다. 더욱 더 바람직하게, 수지 성분은 비스페놀 타입 에폭시 수지이다. 가장 바람직하게 수지 성분은 비스페놀 A 타입 에폭시 수지이다. 경화성 아민 플럭스 조성물은 바람직하게 10 내지 99 중량% (더욱 바람직하게 20 내지 90 중량%; 더욱 더 바람직하게 30 내지 75 중량%, 가장 바람직하게 30 내지 50 중량%) 수지 성분을 포함한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 수지 성분은 임의로 분자당 적어도 세 개의 옥시란기를 갖는 물질을 추가로 포함한다. 분자당 적어도 세 개의 옥시란기를 갖는 물질은 임의로 경화된 수지 제품의 유리 전이 온도를 증가시키고 조성물의 겔화 시간을 감소시키기 위하여 수지 성분에 포함된다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 플럭스제는 화학식 I에 따르고, 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-80 알킬기, 비치환된 C₁ _-80알킬기, 치환된 C₇ _-80아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-80 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고 (바람직하게 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-20 알킬기, 비치환된 C₁ _-20알킬기, 치환된 C₇ _-30아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-30 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고); R⁷ 및 R⁸는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되며(또는, R⁷ 및 R⁸는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며); R¹⁰ 및 R¹¹ 는 C_1-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되며(또는 R¹⁰ 및 R¹¹는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며); 및, R⁹는 수소, C₁ _--30 알킬기, 치환된 C₁ _-30알킬기, C₆ _-30 아릴기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 선택된다.

바람직하게, R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 0 내지 3개는 수소이다. 식 I에 따른 아민 플럭스제의 R¹, R², R³, R⁴, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰ 및 R¹¹ 기는, 바람직한 유동학적 특성을 갖는 경화성 아민 플럭스 조성물을 제공할 수 있도록, 경화성 아민 플럭스 조성물을 솔더될 표면에 운반하기 위해 아민 플럭스제를 바람직한 용매 패키지와 맞출 수 있도록, 아민 플럭스제를 수지 성분과 맞추기 위해 또는 수지 성분에 대한 경화 초기 온도를 맞출 수 있도록, 임의로 선택된다. 또한, 식 I에 따른 아민 플럭스제의 R¹, R², R³, R⁴, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰ 및 R¹¹ 기는 바람직하게 25℃에서 시작하고 10 ℃/분의 램프를 사용하는 시차주사 열량 측정법에 의하여 결정시, 125℃ 이상(더욱 바람직하게 250℃이상)의 끓는점 온도를 갖는 아민 플럭스제를 제공하도록 선택된다.

바람직하게 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-80 알킬기, 비치환된 C₁ _-80알킬기, 치환된 C₇ _-80아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-80 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고; 및, 여기에서 치환된 C₁ _-80 알킬기 및 치환된 C₇ _-80아릴알킬기의 치환체는 -OH기, -OR⁵기, -COR⁵-기, -COR⁵기, -C(O)R⁵기, -CHO기, -COOR⁵기, -OC(O)OR⁵기, -S(O)(O)R⁵기, -S(O)R⁵기, -S(O)(O)NR⁵ ₂ 기, -OC(O)NR⁶ ₂기, -C(O)NR⁶ ₂ 기, -CN기, -N(R⁶)- 기 및 -NO₂기에서 적어도 하나(바람직하게 -OH기, -OR⁵기, -COR⁵-기, -COR⁵기, -C(O)R⁵기, -CHO기, -COOR⁵기, -OC(O)OR⁵기, -S(O)(O)R⁵기, -S(O)R⁵기, -S(O)(O)NR⁵ ₂ 기, -OC(O)NR⁶ ₂기, -C(O)NR⁶ ₂ 기, -CN기 및 -NO₂기에서 적어도 하나)에서 선택되고; 여기서 R⁵는 C₁ _-28 알킬기, C₃ _-28 사이클로알킬기, C₆ _-15 아릴기, C₇ _-28 아릴알킬기 및 C₇ _-28 알킬아릴기에서 선택되고; 여기서 R⁶는 수소, C₁ _-28 알킬기, C₃ _-28 사이클로알킬기, C₆ _-15 아릴기, C₇ _-28 아릴알킬기 및 C₇ _-28 알킬아릴기에서 선택된다. 치환된 C₁ _- ₈₀알킬기 및 치환된 C₇ _-80아릴알킬기는 치환체의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 치환된 C₁ _-80 알킬기 및 치환된 C₇ _-80아릴알킬기는; 같은 종류 치환체를 하나 이상 포함할 수 있고(예컨대, 두 개의 -OH기); 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있고(예컨대, -OH기 및 -COR⁵-기); 같은 종류의 치환체를 하나 이상 갖는 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있다(예컨대, 두 개의 -OH기 및 -OR⁵-기).

바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R⁷ 및 R⁸는 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되고 (또는 R⁷ 및 R⁸는 이들이 결합되는 탄소와 함께 C₁ _-6 알킬기에 의해 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬 고리를 형성하며); 여기에서 치환된 C₁ _-20 알킬기 및 치환된 C₆ _-20아릴기의 치환체는 -OH기, 페닐기, C₁ _-14 알킬기, -OR¹²기, -COR¹²기, -COR¹²기, -C(O)R¹²기, -CHO기, -COOR¹²기, -OC(O)OR¹²기, -S(O)(O)R¹²기, -S(O)R¹²기, -S(O)(O)NR¹² ₂기, -OC(O)NR¹³ ₂기, -C(O)NR¹³ ₂기, -CN기 , -N(R¹³)-기 및 -NO₂기의 적어도 하나 (바람직하게 -OH기, -OR¹²기, -COR¹²-기, -COR¹²기, -C(O)R¹²기, -CHO기, -COOR¹²기, -OC(O)OR¹²기, -S(O)(O)R¹²기, -S(O)R¹²기, -S(O)(O)NR¹² ₂기, -OC(O)NR¹³ ₂기, -C(O)NR¹³ ₂기, -CN기 및 -NO₂기의 적어도 하나)에서 선택되고; R¹²는 C₁ _-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-19 아릴기, C₇ _-19 아릴알킬기 및 C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택되고; 여기서 R¹³는 수소, C_1-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-19 아릴기, C₇ _-19 아릴알킬기 및 C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택된다. 치환된 C₁ _- ₂₀알킬기 및 치환된 C₆ _- ₂₀아릴기는 치환체의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어 치환된 C₁ _- ₂₀알킬기 및 치환된 C₆ _- ₂₀아릴기는; 같은 종류 치환체를 하나 이상 포함할 수 있고(예컨대, 두 개의 -OH기); 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있고(예컨대, -OH기 및 -COR¹²-기); 같은 종류의 치환체를 하나 이상 갖는 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있다(예컨대, 두 개의 -OH기 및 -OR¹²-기).

바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R¹⁰ 및 R¹¹은 C₁ _-20 알킬기, 치환된 C₁ _-20 알킬기, C₆ _-20 아릴기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 독립적으로 선택되고(또는, R¹⁰ 및 R¹¹는 이들이 결합하는 탄소와 함께 C₁ _-20 알킬기가 치환될 수 있는 C₃ _-20 사이클로알킬고리를 형성한다); 및 치환된 C₁ _-20 알킬기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 치환체는 -OH기, -OR¹²기, -COR¹²-기, -COR¹²기, -C(O)R¹²기, -CHO기, -COOR¹²기, -OC(O)OR¹²기, -S(O)(O)R¹²기, -S(O)R¹²기, -S(O)(O)NR¹² ₂ 기, -OC(O)NR¹³ ₂기, -C(O)NR¹³ ₂ 기, -CN기, -N(R¹³)-기 및 -NO₂기의 적어도 하나(바람직하게 하나 이상의 -OH기, -OR¹²기, -COR¹²-기, -COR¹²기, -C(O)R¹²기, -CHO기, -COOR¹²기, -OC(O)OR¹²기, -S(O)(O)R¹²기, -S(O)R¹²기, -S(O)(O)NR¹² ₂ 기, -OC(O)NR¹³ ₂ 기, -C(O)NR¹³ ₂ 기, -CN기 및 -NO₂기)에서 선택되고; 여기에서 R¹²는 C₁ _-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-19 아릴기, C₇ _-19아릴알킬기 및C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택되고; 여기에서 R¹³는 수소, C₁ _-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-19 아릴기, C₇ _-19아릴알킬기 및 C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택된다. 치환된 C₁ _-20 알킬기 및 치환된 C₆ _-20 아릴기에서 치환체는 치환체의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환된 C₁ _- ₂₀알킬기 및 치환된 C₆ _- ₂₀아릴기는; 같은 종류 치환체를 하나 이상 포함할 수 있고(예컨대, 두 개의 -OH기); 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있고(예컨대, -OH기 및 -COR¹²-기); 같은 종류의 치환체를 하나 이상 갖는 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있다(예컨대, 두 개의 -OH기 및 -OR¹²-기).

바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R⁹은 수소, C₁ _-30 알킬기, 치환된 C₁ _-30알킬기, C_6-30 아릴기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 선택되며; 치환된 C₁ _-30 알킬기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 치환체는 -OH기, -OR¹⁴기, -COR¹⁴-기, -COR¹⁴기, -C(O)R¹⁴기, -CHO기, -COOR¹⁴기, -OC(O)OR¹⁴기, -S(O)(O)R¹⁴기, -S(O)R¹⁴기, -S(O)(O)NR¹⁴ ₂기, -OC(O)NR¹⁵ ₂기, -C(O)NR¹⁵ ₂기, -CN기, -N(R¹⁵)-기 및 -NO₂기의 적어도 하나(바람직하게 -OH기, -OR¹⁴기, -COR¹⁴-기, -COR¹⁴기, -C(O)R¹⁴기, -CHO기, -COOR¹⁴기, -OC(O)OR¹⁴기, -S(O)(O)R¹⁴기, -S(O)R¹⁴기, -S(O)(O)NR¹⁴ ₂기, -OC(O)NR¹⁵ ₂ 기, -C(O)NR¹⁵ ₂기, -CN기 및 -NO₂기의 적어도 하나)에서 선택되고; 여기에서 R¹⁴는 C₁ _-29 알킬기, C₃ _-29 사이클로알킬기, C₆ _-29 아릴기, C₇ _-29아릴알킬기 및C₇ _-29 알킬아릴기에서 선택되고; 여기에서 R¹⁵는 수소, C₁ _-29 알킬기, C₃ _-29 사이클로알킬기, C₆ _-29 아릴기, C₇ _-29아릴알킬기 및 C₇ _-29 알킬아릴기에서 선택된다. 치환된 C₁ _-30 알킬기 및 치환된 C₆ _-30 아릴기에서 치환체는 치환체의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환된 C₁ _-30알킬기 및 치환된 C₆ _-30아릴기는; 같은 종류 치환체를 하나 이상 포함할 수 있고(예컨대, 두 개의 -OH기); 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있고(예컨대, -OH기 및 -COR¹⁴-기); 같은 종류의 치환체를 하나 이상 갖는 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있다(예컨대, 두 개의 -OH기 및 -OR¹⁴-기).

더욱 바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, 치환된 C₁ _-20 알킬기, 비치환된 C₁ _-20알킬기, 치환된 C₇ _-30아릴알킬기 및 비치환된 C₇ _-30 아릴알킬기에서 독립적으로 선택되고; 및, 여기에서 치환된 C₁ _-20 알킬기 및 치환된 C₇ _-30아릴알킬기의 치환체는 -OH기, -OR¹⁶기, -COR¹⁶-기, -COR¹⁶기, -C(O)R¹⁶기, -CHO기, -COOR¹⁶기, -OC(O)OR¹⁶기, -S(O)(O)R¹⁶기, -S(O)R¹⁶기, -S(O)(O)NR¹⁶ ₂ 기, -OC(O)NR¹⁷ ₂기, -C(O)NR¹⁷ ₂ 기, -CN기, -N(R¹⁷)-기 및 -NO₂기의 적어도 하나(바람직하게 -OH기, -OR¹⁶기, -COR¹⁶-기, -COR¹⁶기, -C(O)R¹⁶기, -CHO기, -COOR¹⁶기, -OC(O)OR¹⁶기, -S(O)(O)R¹⁶기, -S(O)R¹⁶기, -S(O)(O)NR¹⁶ ₂ 기, -OC(O)NR¹⁷ ₂기, -C(O)NR¹⁷ ₂ 기, -CN기 및 -NO₂기 중 적어도 하나)에서 선택되고; 여기서 R¹⁶는 C₁ _-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-15 아릴기, C₇ _-19 아릴알킬기 및 C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택되고; 여기서 R¹⁷은 수소, C₁ _-19 알킬기, C₃ _-19 사이클로알킬기, C₆ _-15 아릴기, C₇ _-19 아릴알킬기 및 C₇ _-19 알킬아릴기에서 선택되며; R⁷ 및 R⁸는 독립적으로 C₁ _-4 알킬기 및 C₁ _-4 하이드록시알킬기에서 선택되며 (더욱 바람직하게는 R⁷ 및 R⁸는 독립적으로 메틸기 및 하이드록시메틸기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R⁷ 및 R⁸는 모두 메틸기이다); R¹⁰ 및 R¹¹은 독립적으로 C₁ _-4 알킬기 및 C₁ _-4 하이드록시알킬기에서 선택되며(더욱 바람직하게는 R¹⁰ 및 R¹¹은 독립적으로 메틸기 및 하이드록시메틸기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R¹⁰ 및 R¹¹은 모두 메틸기이다); R⁹은 수소, C₁ _-10 알킬기, C₁ _-10하이드록시알킬기, 페닐기, 하이드록시페닐기, C₇ _-10 알킬아릴기, C₇ _-10 아릴알킬기 및 나프틸기에서 선택되며(더욱 바람직하게 R⁹는 수소, C₁ _-4 알킬기, C₁ _-4 하이드록시알킬기, 페닐기, 하이드록시페닐기, C₇ 알킬아릴기 및 C₇ 아릴알킬기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R⁹는 메틸기 및 페닐기에서 선택된다). R¹, R², R³ 및 R⁴가 선택되는 치환된 C₁ _-20 알킬기 및 치환된 C₇ _-30 아릴알킬기는 치환체 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환된 C₁ _-20알킬기 및 치환된 C₇ _- ₃₀아릴기는; 같은 종류 치환체를 하나 이상 포함할 수 있고(예컨대, 두 개의 -OH기); 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있고(예컨대, -OH기 및 -COR¹⁶-기); 같은 종류의 치환체를 하나 이상 갖는 한 종류 이상의 치환체를 포함할 수 있다(예컨대, 두 개의 -OH기 및 -OR¹⁶-기). 바람직하게 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 0 내지 3개는 수소이다. 더욱 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 1 내지 3개는 수소이다. 보다 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2 내지 3개는 수소이다. 더욱 더 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2개는 수소이다. 가장 바람직하게는 R¹ 및 R²중 1개가 수소이고, R³ 및 R⁴ 중 1개가 수소이다.

더욱 바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, -CH₂CH(OH)R¹⁸ 및 -CH₂CH(OH)CH₂-O-R¹⁸기에서 선택되고; R¹⁸는 수소, C₁ _-28 알킬기, C₆ _-15 아릴기, C₇ _-28 아릴알킬기 및 C₇ _-28 알킬아릴기에서 선택되고(바람직하게, R¹⁸는 C₅ _-10 알킬기, C₃ _-10 사이클로알킬기, C₆ _-15 아릴기 및 C₇ _-15 알킬아릴기에서 선택되고; 가장 바람직하게 R¹⁸는 C₈ 알킬기, C₇ 알킬아릴기 및 C₁₀ 나프틸기에서 선택된다); R⁷ 및 R⁸는 독립적으로 C₁ _-4 알킬기 및 C₁ _-4 하이드록시알킬기에서 선택되며 (더욱 바람직하게 R⁷ 및 R⁸는 독립적으로 메틸기 및 하이드록시 메틸기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R⁷ 및 R⁸는 모두 메틸기이다); R¹⁰ 및 R¹¹는 독립적으로 C₁ _-4 알킬기 및 C₁ _-4 하이드록시알킬기에서 선택되며 (더욱 바람직하게 R¹⁰ 및 R¹¹는 독립적으로 메틸기 및 하이드록시 메틸기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R¹⁰ 및 R¹¹는 모두 메틸기이다); R⁹는 수소, C₁ _-10 알킬기, C₁ _-10 하이드록시알킬기, 페닐기, 하이드록시페닐기, C₇ _-10 알킬아릴기, C₇ _-10 아릴알킬기 및 나프틸기에서 선택된다 (더욱 바람직하게 R⁹는 수소, C₁ _-4 알킬기, C₁ _-4 하이드록시알킬기, 페닐기, 하이드록시페닐기,C₇ 알킬아릴기 및 C₇ 아릴알킬기에서 선택되며; 가장 바람직하게는 R⁹는 메틸기 및 페닐기에서 선택된다). 바람직하게 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 0 내지 3개는 수소이다. 더욱 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 1 내지 3개는 수소이다. 보다 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2 내지 3개는 수소이다. 더욱 더 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2개가 수소이다. 가장 바람직하게는 R¹ 및 R²중 1개가 수소이고, R³ 및 R⁴ 중 1개가 수소이다.

더욱 바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 아민 플럭스제는 화학식 I에 따르고; 상기 식에서 R¹, R², R³ 및 R⁴는 수소, -CH₂CH(OH)R¹⁸ 및 -CH₂CH(OH)CH₂-O-R¹⁸ 기에서 독립적으로 선택되고; R¹⁸은 수소, C₁ _-28 알킬기, C₃ _-28 사이클로알킬기, C₆ _-16 아릴기, C₇ _-28 아릴알킬기 및 C₇ _-28 알킬아릴기에서 선택되고(바람직하게, R¹⁸은 C₅ _-10 알킬기, C₆ _-16 아릴기 및 C₇ _-15 알킬아릴기에서 선택되고; 더욱 바람직하게 R¹⁸은 C₈ 알킬기, C₇ 알킬아릴기, 나프틸기, 바이페닐기 및 치환된 C₁₂ _-16 바이페닐기에서 선택되고; 가장 바람직하게 R¹⁸은 C₈ 알킬기, C₇ 알킬아릴기 및 나프틸기에서 선택된다); R⁷ 및 R⁸은 모두 메틸기이며; R¹⁰ 및 R¹¹은 모두 메틸기이고; R⁹은 메틸기 및 페닐기에서 선택된다. 바람직하게 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 0 내지 3개는 수소이다. 더욱 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 1 내지 3개는 수소이다. 보다 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2 내지 3개는 수소이다. 더욱 더 바람직하게는 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 2개가 수소이다. 가장 바람직하게는 R¹ 및 R³가 수소이고, R² 및 R⁴가 -CH₂CH(OH)R¹⁸및 -CH₂CH(OH)CH₂-O-R¹⁸기에서 선택된다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 경화제를 추가로 포함한다. 통상적인 경화제는 경화제가 수지 성분을 경화시킬 수 있으면 수지 성분 및 아민 플럭스제와 함께 사용될 수 있다. 예를 들면, 통상적인 경화제는 다작용기 페놀, 다작용기 알코올, 아민, 이미다졸 화합물, 산 무수물, 유기 인 화합물 및 이들의 할로겐화물을 포함한다. 바람직하게, 사용되는 모든 경화제는 방해 없이 솔더 리플로우가 가능하게 하고 하나의 팩 시스템에서 경화성 아민 플럭스 조성물의 저장 안정성을 용이하게 하는 잠재적인 경화제(즉, 225℃ 이하의 온도에서 수지 성분의 겔화의 개시가 작용하지 않는 경화제)이어야 한다.

본 발명의 아민 경화성 플럭스 조성물은 임의로 용매를 추가로 포함한다. 용매는 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에 임의로 포함되어 수지 성분 및 아민 플럭스제가 솔더될 표면 또는 표면들로 운반되는 것을 용이하게 한다. 바람직하게, 경화성 아민 플럭스 조성물은 1 내지 70중량% 용매(더욱 바람직하게 1 내지 35 중량% 용매; 가장 바람직하게 1 내지 20 중량% 용매)를 포함한다. 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용되는 용매는 바람직하게 탄화수소(예컨대, 도데칸, 테트라데칸); 방향족 탄화수소(예컨대, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 트리메틸벤젠, 부틸 벤조에이트, 도데실벤젠); 케톤(예컨대, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 사이클로헥사논); 에테르(예컨대, 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인 및 테트라하이드로퓨란, 1,3-디옥살레인, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르); 알코올(예컨대, 2-메톡시-에탄올, 2-부톡시에탄올, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, α-테르핀올, 벤질 알코올, 2-헥실데칸올); 에스테르(예컨대, 에틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 디에틸 아디페이트, 디에틸 프탈레이트, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 메틸 2-하이드록시이소푸티레이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트); 및, 아마이드(예컨대, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아마이드 및 N,N-디메틸에세트아마이드); 글리콜 유도체(예컨대, 셀로솔브, 부틸 셀로솔브); 글리콜(예컨대, 에틸렌 글리콜; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 트리에틸렌 글리콜; 헥실렌 글리콜; 1,5-펜탄디올); 글리콜 에테르(예컨대, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 메틸 카르비톨, 부틸 카르비톨); 및 석유 용매(예컨대, 석유 에테르, 나프타)에서 선택되는 유기 용매이다. 더욱 바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용되는 용매는 메틸 에틸 케톤; 2-프로판올; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트; 에틸 락테이트 및 메틸 2-하이드록시 이소부티레이트에서 선택되는 유기 용매이다. 가장 바람직하게, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용된 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르이다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 농조화제를 추가로 포함한다. 바람직하게 경화성 플럭스 조성물은 0 내지 30 중량% 농조화제를 포함한다. 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용되는 농조화제는 예를 들어 비-경화성 노볼락 수지와 같은 비-경화성 수지 물질(즉, 분자당 2 미만의 활성 작용기)에서 선택될 수 있다. 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용되는 농조화제는 바람직하게 (경화되지 않은 형태에서의) 수지 성분에서 나타나는 것보다 더 큰 점성을 나타낸다. 존재할 때, 농조화제는 경화성 아민 플럭스 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.1 내지 35 중량%의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 틱소트로픽제를 추가로 포함한다. 바람직하게 경화성 아민 플럭스 조성물은 1 내지 30 중량% 틱소트로픽제를 포함한다. 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에 사용되는 틱소트로픽 제제는 지방산 아마이드(예컨대, 스테아르아마이드, 하이드록시스테아르산 비스아마이드); 지방산 에테르(에컨대, 카스터 왁스(castor wax), 밀랍, 카르나바 왁스(carnauba wax); 유기 틱소트로픽제(예컨대, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 산화물, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 하이드록시에틸 셀룰로오스, 하이드록시프로필 셀룰로오스, 디글리세린 모노올레이트, 디글리세린 라우레이트, 데카글리세린 올레이트, 디글리세린 모노라우레이트, 소르비탄 라우레이트); 무기 틱소트로픽제(예컨대, 실리카 분말, 카놀린 분말)에서 선택될 수 있다. 바람직하게 사용되는 틱소트로픽제는 폴리에틸렌 글리콜 및 지방산 아마이드로부터 선택된다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 무기 필러를 추가로 포함한다. 무기 필러는 알루미나, 수산화 알루미늄, 알루미노실리케이트, 근청석, 리튬 알루미늄 실리케이트, 마그네슘 알루미네이트, 수산화 마그네슘, 점토, 활석, 삼산화 안티몬, 오산화 안티몬, 산화 아연, 콜로이드 실리카, 용융 실리카, 유리 분말, 석영 분말 및 유리 마이크로스피어에서 선택될 수 있다. 존재할 때, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 바람직하게 0 내지 70 중량%(더욱 바람직하게 0 내지 35중량%, 더욱 더 바람직 하게 0 내지 20 중량 %; 가장 바람직하게 0.1 내지 20 중량%) 무기 필러를 포함한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 항산화제를 추가로 포함한다. 존재할 때, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 바람직하게 0.01 내지 30 중량% (더욱 바람직하게 0.01 내지 20 중량%) 항산화제를 포함한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 반응성 희석제를 추가로 포함한다. 바람직하게, 임의적인 반응성 희석제는 (그것이 경화되지 않은 형태에서의) 수지 성분에서 나타나는 것보다 더 낮은 점성을 나타내야 한다. 반응성 희석제는 바람직하게 단일 작용기 에폭시(예컨대, C₆ _-28 알킬 글리시딜 에테르; C₆ _-28 지방산 글리시딜 에스테르; C₆ _-28 알킬페놀 글리시딜 에테르) 및 어떤 다작용기 에폭시(예컨대, 트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르; 디글리시딜 아닐린)에서 선택될 수 있다. 존재할 경우에, 반응성 희석제는 (수지 성분의 중량을 기초로) 50 중량% 미만의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 통상적인 공기방출제를 추가로 포함한다. 공기방출제는 솔더 리플로우 중에 솔더될 표면의 습윤성을 증가시키는 것으로 여겨진다. 존재할 때, 공기방출제는 경화성 아민 플럭스 조성물의 전체 중량을 기준으로, 1 중량% 미만의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 통상적인 소포제를 추가로 포함한다. 소포제는 솔더 리플로우 중에 솔더될 표면의 습윤성을 증가시키고, 경화성 아민 플럭스 조성물의 경화시에 가스 봉합(inclusion) 결함을 감소시키는 것으로 여겨진다. 존재할 때, 소포제는 경화성 아민 플럭스 조성물의 1 중량% 미만의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 통상적인 접착 촉진제를 추가로 포함한다. 통상적인 접착 촉진제는 예를 들어, 글리시드옥시프로필 트리메톡시실란; γ-아미노 프로필 트리토시실란; 트리메톡시실릴프로필레이티드 이소시아누레이트; β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리에톡시실란; 글리시도프로필 디에톡시메틸실란; β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란; γ-글리시드옥시프로필트리에톡시실란; γ-머캅토프로필트리메톡시실란; N-베타-(아미노에틸)-감마 -아미노프로필트리메톡시실란; 비스(트리메톡시실릴프로필)아민; 및, γ-우레이도프로필트리에톡시실란과 같은 실란을 포함한다. 존재할 때, 접착 촉진제는 경화성 플럭스 조성물의 2 중량% 미만의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 통상적인 내연제를 추가로 포함한다. 통상적인 내연제는 브롬 화합물(예컨대, 데카브로모디페닐 에테르, 테트라브로모비스페놀 A, 테트라브로모프탈 무수물, 트리브로모페놀); 인 화합물(예컨대, 트리페닐 포스페이트, 트리크레실 포스페이트, 트리자일릴 포스페이트, 크레실 디페닐 포스페이트); 금속 수산화물(예컨대, 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄); 적린 및 그것의 변형된 산물; 안티몬 화합물(예컨대, 삼산화 안티몬, 오산화 안티몬); 및 트리아진 화합물(예컨대, 멜라민, 시아누르산, 멜라민 시아누레이트)를 포함한다. 존재할 때, 내연제는 경화성 플럭스 조성물의 0.01 내지 35 중량%(바람직하게 0.01 내지 10 중량%)의 양으로 사용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 매팅제(matting agent), 착색제, 분산 안정제, 킬레이트제, 열가소성 입자, UV 불투과제, 균염제(leveling agent) 및 환원제에서 선택되는 추가의 첨가제를 더 포함한다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 모든 성분들을 포함하여 하나의 팩 시스템으로서 제공될 수 있다. 대체적으로, 경화성 아민 플럭스 조성물은 두 개의 팩 시스템으로 제공될 수 있고; 여기서 수지 성분은 첫번째 부분에서 제공되고 아민 플럭스제 및, 임의적인 경화제는 두 번째 부분에서 제공되고; 여기서 첫 번째 부분 및 두 번째 부분은 사용 전에 합쳐진다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 예를 들면, 전자 부품, 전자 모듈 및 인쇄회로기판의 생산에 사용된다. 경화성 아민 플럭스 조성물은 액체 스프레이 기술, 액체 포밍(foaming) 기술, 픽 앤드 딥(pick and dip) 기술, 웨이브(wave) 기술, 또는 액체나 반고체를 실리콘 다이(die) 또는 기판에 배치시킬 수 있는 모든 다른 통상적인 기술을 포함하는 모든 통상적인 기술에 의해 솔더되는 표면에 적용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 임의로 솔더 분말을 추가로 포함하고; 여기서 경화성 아민 플럭스 조성물은 솔더 페이스트이다. 바람직하게 솔더 분말은 Sn/Pb, Sn/Ag, Sn/Ag/Cu, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi/In, Sn/Bi 및 Sn/In 에서 선택되는 합금이다(바람직하게 여기서 솔더 분말은 63중량% Sn/37 중량% Pb; 96.5 중량% Sn/3.5 중량% Ag; 96 중량% Sn/3.5 중량% Ag/0.5 중량% Cu; 96.4 중량% Sn/2.9 중량% Ag/0.5 중량% Cu; 96.5 중량% Sn/3 중량% Ag/0.5 중량% Cu; 42 중량% Sn/58 중량% Bi; 99.3 중량% Sn/0.7 중량% Cu; 91 중량% Sn/9 중량% Zn 및 89 중량% Sn/8 중량% Zn/3 중량% Bi에서 선택되는 합금이다).

솔더 페이스트는 바람직하게 1 내지 50 중량%(더욱 바람직하게 5 내지 30 중량%, 가장 바람직하게 5 내지 15 중량%)의 아민 플럭스제 및 결합된 수지 성분 및 50 내지 99 중량%의 솔더 파우더를 포함한다. 솔더페이스트는 예컨대 그러한 작용을 위한 통상적인 장비를 사용하여 솔더 파우더를 아민 플럭스제 및 수지 성분와 반죽 및 혼합하는 통상적인 기술에 의해 화합될 수 있다.

솔더 페이스트는 예를 들어, 전자 부품, 전자 모듈 및 인쇄회로기판의 생산에 사용될 수 있다. 솔더 페이스트는 솔더 프린터 또는 스크린 프린터를 이용하는 통상적인 솔더 마스크를 통하여 솔더 페이스트를 프린팅하는 것을 포함하는 모든 통상적인 기술에 의해서 솔더될 표면에 적용될 수 있다.

본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물에서 사용되는 화학식 I로 표현되는 아민 플럭스제는 당업자에게 공지된 통상적인 합성 기술을 사용하여 제조될 수 있다.

본 발명의 다수의 밀폐된 전기적 내부 접속을 형성시키는 방법은 임의로 플립 칩 솔더링 과정의 부분으로 될 수 있고, 여기서 반도체 칩은 인쇄회로기판에 올려지고, 여기서 반도체 칩은 다수의 일차 전기 접점을 포함하고, 여기서 인쇄회로기판은 다수의 대응하는 이차 전기 접점을 포함한다. 이러한 플립 칩 과정에서, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점의 어느 하나 또는 모두에 적용되어, 전기적 내부 접속을 형성하기 위한 다수의 일차 전기 접점의 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 대한 솔더 결합을 용이하게 한다. 바람직하게, 필립 칩 솔더 과정은 추가로 경화 단계를 포함하고, 여기서 수지 성분은 경화되고, 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 이차 전기 접점 사이의 전기적 내부 접속을 밀폐한다.

본 발명의 다수의 밀폐된 전기적 내부 접속을 형성하는 방법 중에, 본 발명의 경화성 아민 플럭스 조성물은 바람직하게 다수의 일차 전기 접점 위에 스무딩 어플리케이션(smoothing application)이 있거나 없이 인쇄회로기판에 적용된다. 바람직하게 솔더는 솔더 볼의 형태로 반도체 칩 상의 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 적용된다. 다음으로 부착된 솔더가 있는 반도체 칩을 경화성 아민 플럭스 조성물 처리된 인쇄회로 기판에 분포된다. 그리고 나서 반도체 칩은 인쇄회로기판에 배열되고 솔더는 그것의 리플로우 온도 이상으로 가열된다. 리플로우 동안에, 경화성 아민 플럭스 조성물은 플럭스로 작용하여 솔더가 다수의 일차 전기 접점과 다수의 대응하는 이차 전기 접점 사이의 다수의 전기적 내부 접속을 형성하는 인쇄회로기판 상의 다수의 일차 전기 접점에 부착하는 것을 촉진시킨다. 다음으로 수지 성분은 경화되어 다수의 전기적 내부 접속을 밀폐한다.

리플로우 동안에, 솔더는 녹아 흘러서 다수의 전기적 내부 접속을 형성한다. 경화성 아민 플럭스 조성물은 바람직하게 솔더가 흘러서 다수의 전기적 내부 접속을 형성할 때까지 겔화되어서는 안되고, 그렇지 않으면 인쇄회로기판 및 반도체 칩은 정확하게 배열되지 않을 것이다. 경화성 아민 플럭스 조성물에서 수지 성분이 완전하게 경화되고 이어지는 솔더 리플로우로 밀폐된 전기적 연결을 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일부 구체예가 하기 실시예에서 구체적으로 설명될 것이다.

실시예 1: 아민 플럭스제의 합성

2,6-디아미노-2,5,6-트리메틸헵탄-3-올 아민 플럭스제는 하기 과정으로 제조되었다. 먼저 2,5,6-트리메틸-2,6-디니트로헵탄-3-올 중간체를 하기 합성법으로 제조하였다.

구체적으로 3구 둥근바닥 플라스크는 교반바, 열전대(thermocouple), 질소 주입구가 캡핑된 적하 깔대기 및 콘댄서를 장착하였다. 플라스크에 2-니트로프로판(50 g, 0.56 mol, 5.0 당량) 및 촉매량의 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운덱-7-엔을 채웠다. 플라스크의 내용물을 30분간 질소하에 교반하였다. 그후 크로톤알데하이드(7.9 g, 9.2 mL, 0.112 moles, 1.0 당량)을 플라스크에 20분에 걸쳐 적가하였다. 플라스크의 내용물을 질소하에서 5-6 시간동안 교반하였고, 교반되는 동안 용액에서 백색 고체가 침전되었다. 이 때, GC 분석결과 반응 혼합물에는 크로톤알데하이드가 전혀 없었다. 플라스크 내용물을 질소하에서 밤새 교반하였다. 이후 용액으로부터 침전을 진공 여과하고 물로 완전히 세척하여 백색 고체를 수득하였다. 이 중간체 고체를 공기중에 건조하고, 이어 45℃에서 진공건조하였다. 중간체 디니트로알콜의 총수율은 72% (27.8 g)였다. 핵자기공명 검사 ("NMR") 및 액체 크로마토그라피 ("LC")로 분석한 결과, 이 중간체는 99% 이상 순수하였다.

두번째로, 산물 2,6-디아미노-2,5,6-트리메틸헵탄-3-올 아민 플럭스제는 상기 중간체 디니트로알콜로부터 하기 합성법으로 제조되었다.

구체적으로, 상기 25 g의 중간체 디니트로알콜을 200 mL 메탄올에 14.2 g의 촉매 RaNi 3111과 함께 녹였다. 혼합물을 오토클레이브에서 4,137 kPa (600 psi) 수소압력하에서 60℃에서 수소화하였다. 첨가된 촉매를 여과하고 메탄올을 제거하는 작업을 거쳐, 11 g (59% 수율)의 저점도 액체 산물을 수득하였다. NMR 및 가스크로마토그라피-질량 분광기 ("GC-MS") 분석결과 목적 산물 2,6-디아미노-2,5,6-트라미텔헵탄-3-올 아민 플럭스제의 존재가 확인되었다. 화학적 이온화 질량 스펙트럼(CI-MS) 결과 [M+H] = 189 및 GC 분석결과 산물의 순도는 94%였다. 물질의 끓는점은 0.68 kPa (5.1 torr)에서 125℃ 내지 135℃ 였다. ¹³C NMR (CDCl₃): δ 16.8, 25.2, 27.9, 30.8, 34.7, 42.2, 51.8, 52.8 및 77.3 ppm.

실시예 2: 아민 플럭스제의 합성

2,6-디아미노-2,6-디메틸-5-페닐헵탄-3-올 아민 플럭스제는 하기 과정으로 제조되었다. 먼저 2,6-디메틸-2,6-디니트로-5-페닐헵탄-3-올 중간체를 하기 합성법으로 제조하였다.

구체적으로 3구 둥근바닥 플라스크는 교반바, 열전대(thermocouple), 질소 주입구가 캡핑된 적하 깔대기 및 콘댄서를 장착하였다. 플라스크에 2-니트로프로판(101.1 g, 1.14 mols, 6.0당량) 및 촉매량의 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운덱-7-엔("DBU")을 채웠다. 플라스크의 내용물을 20분간 질소하에 교반하였다. 그후 트랜스-신남알데하이드(25.0 g, 0.19 moles, 1.0 당량)을 플라스크에 20분에 걸쳐 적가하였다. 트랜스-신남알데하이드가 가해지는 동안, 약 22℃의 발열이 관찰되었다. 트랜스-신남알데하이드를 모두 가한 후, 플라스크의 내용물을 50℃로 가열하고 그 온도에서 4시간 동안 유지하였다. 이후 혼합물을 실온으로 냉각하였다. 플라스크 내용물의 온도가 36.8℃가 되었을 때, 엷은 황색 고체가 용액으로부터 형성되었다. 플라스크 내용물을 부쳐너 깔대기로 여과하고 회수한 중간체 디아미노알콜 분말을 펜탄 및 에테르로 완전히 세척하였다. 중간체 디아미노알콜 분말을 1시간 동안 진공하 방치하여 건조하였다. 원하는 디아미노알콜 중간체의 총수율은 62% (36 g)였다. NMR 분석결과 디아미노알콜 중간체는 99% 이상 순수하였다. ¹H NMR (CDCl₃): δ 1.45-2.27 (m, 15H), 3.52-3.54 (m, 1H), 3.67-3.74 (m, 1H), 7.17-7.34 (m, 5H). ¹³C NMR (CDCl₃): δ 20.8, 22.4, 23.2, 25.8, 31.3, 50.3, 72.9, 91.5, 91.6, 128.1, 128.7, 129.4, 136.6 ppm.

두번째로, 산물 2,6-디아미노-2,6-디메틸-5-페닐헵탄-3-올 아민 플럭스제는 상기 중간체 디니트로알콜로부터 하기 합성법으로 제조되었다.

구체적으로 50g의 디니트로 알콜 중간체는 300 mL 메탄올에 24.3 g의 촉매 RaNi 3111와 함께 녹였다. 혼합물은 오토클레이브에서 60℃, 4137 kPa (600 psi) 수소압력 하에서 수소화하였다. 촉매를 여과하고 메탄올을 제거하는 작업을 거친 후, 40 g (68% 수율)의 고점도 액체 산물이 수득되었다. NMR 및 가스 크로마토그라피-질량 분광기("GC-MS") 분석결과 목적 산물 2,6-디아미노-2,6-디메틸-5-페닐헵탄-3-올 아민 플럭스제의 존재가 확인되었다. 화학적 이온화 질량 스펙트럼(CI-MS) 결과 [M+H] = 251이고, GC 분석 결과 산물의 순도는 오토클레이브에 나왔을 때, 78%이었다. 존재하는 나머지 물질은 헨리 반응의 역전에서 수득되는 모노 부가물로 보였다. 산물을 진공 증류로 96.2% 순도로 정제하였다. 정제된 산물의 끓는 점은 0.67 kPa (5.0 torr)에서 150℃ 내지 160℃였다. ¹H NMR (CDCl₃): δ 0.91-0.99 (m, 12H), 1.67-1.81 (m, 3H), 2.71-2.76 (m, 2H), 7.08-7.23 (m, 5H). ¹³C NMR (CDCl₃): δ 24.6, 27.9, 28.3, 29.8, 31.6, 51.8, 52.6, 54.2, 75.9, 126.3, 127.8, 129.4, 142.0 ppm.

실시예 3: 아민 플럭스제의 합성

하기 구조를 갖는 아민 플럭스제를 하기 과정으로 제조하였다.

구체적으로, 교반 바가 들어있는 반응 용기내에 0.05 mol의 실시예 1 산물을 가하였다. 반응 용기를 자성 교반바를 돌릴 수 있는 열판위에 놓았다. 반응용기를 질소로 불활성화시키고, 0.1 mol의 2-에틸헥실 글리시딜 에테르(Momentive Performance Materials사)를 반응용기에 실온에서 교반하면서 첨가하였다. 열판의 온도는 75℃로 올라가도록 세팅하고 반응 용기내 내용물을 2시간 동안 계속하여 교반하였다. 열판온도는 이후 140℃로 세팅하고 2시간 더 계속하여 교반하였다. 열판의 세팅 온도를 80℃로 낮추고 용기내 압력을 30 mm Hg로 감압하여 진공화하였다. 반응 혼합물을 이 조건하에서 2시간 더 계속하여 교반하여 산물 플럭스제를 산출하였다. 25℃에서 시작하여 10℃/분의 온도 램프가 되도록 한 열무게 분석(TGA)으로, 상기 산물 플럭스제를 250℃까지 가열하였을 때의 중량 감소를 측정하였다. 산물 플럭스제의 중량 감소(WL)은 9 wt%로 측정되었다.

실시예 4: 아민 플럭스제의 합성

구체적으로, 교반 바가 들어있는 반응 용기내에 0.05 mol의 실시예 2 산물을 가하였다. 반응 용기를 자성 교반바를 돌릴 수 있는 열판위에 놓았다. 반응용기를 질소로 불활성화시키고, 0.1 mol의 2-에틸헥실 글리시딜 에테르(Momentive Performance Materials사)를 반응용기에 실온에서 교반하면서 첨가하였다. 열판의 온도는 75℃로 올라가도록 세팅하고 반응 용기내 내용물을 2시간 동안 계속하여 교반하였다. 열판온도는 이후 140℃로 세팅하고 2시간 더 계속하여 교반하였다. 열판의 세팅 온도를 80℃로 낮추고 용기내 압력을 30 mm Hg로 감압하여 진공화하였다. 반응 혼합물을 이 조건하에서 2시간 더 계속하여 교반하여 산물 플럭스제를 산출하였다. 25℃에서 시작하여 10℃/분의 온도 램프가 되도록 한 열무게 분석(TGA)으로, 상기 산물 플럭스제를 250℃까지 가열하였을 때의 중량 감소를 측정하였다. 산물 플럭스제의 중량 감소(WL)은 5 wt%로 측정되었다.

실시예 5-6: 경화성 아민 플럭스 조성물의 제조

실시예 3-4에서 제조된 아민 플럭스제들을 각각 에피클로로하이드린 및 비스페놀 A의 액체 에폭시 레진 반응 산물(다우 케미컬사 시판 D.E.R™ 331™ )과 1:3의 중량비로 혼합하여 각각 실시예 5 및 6의 경화성 아민 플럭스 조성물을 형성하였다.

실시예 7: 플럭스 능력의 평가

실시예 5-6에 따라 제조된 경화성 아민 플럭스 조성물의 플럭스 능력을 하기 방법을 이용하여 측정하였다. 각 측정에서, 구리 쿠폰(copper coupon)이 솔더되는 전기 접점으로 사용되었다. 각 구리 쿠폰 위에 솔더될 표면을 (1) 우선 미세한 연마지(600 grit)로 광택을 내고, (2) 다음으로 5% NH₄ 과황산염 용액으로 세척하고, (3) 그리고 나서 탈염수로 헹구고, (4) 그 다음 1% 벤조트리아졸 용액에 30초 동안 담그고, (5) 그 다음 질소로 건조하여 날림으로써 전처리하였다. 구리 쿠폰을 전처리한 다음, 각 하나의 경화성 아민 플럭스 조성물의 작은 드롭은 구리 쿠폰의 하나의 솔더될 표면에 개별적으로 분포시켰다. 리드(lead)가 없는 솔더의 4개의 볼(지름: 381mm, 95.5 중량% Sn/4.0중량% Ag/0.5 중량% Cu)을 각 구리 쿠폰위의 플럭스 조성물의 드롭에 위치시켰다. 사용된 리드 없는 솔더의 녹는 범위는 217 내지 221℃이다. 다음으로 구리 쿠폰을 145℃로 예열된 열판에 위치시키고 2분 동안 유지하였다. 그리고 나서 구리 쿠폰을 260℃로 예열된 다른 열판에 위치시키고 솔더가 리플로우 조건(45초 내지 3분, 존재하는 플럭스 조성물에 따라 다름)에 도달할 때까지 유지하였다. 그 다음 구리 쿠폰을 열에서 제거하고 (a) 본래 위치시킨 4 개의 솔더 볼의 융합 및 유착 정도, (b) 흐름과 퍼짐을 평가하기 위한 생성된 유착 솔더의 크기 및 (c) 솔더의 구리 쿠폰 표면에의 결합으로 평가하였다. 하기와 같이 0 내지 4 범위로 플럭스 조성물과 하이드록시 스테아르산 표준 물질의 플럭스 능력을 나타내었다.

0 = 솔더 드롭 사이에 융합이 없고 구리 쿠폰에 솔더 결합 없음;

1, 2= 솔더 드롭 사이에 부분적으로 완전한 융합이 있으나, 구리 쿠폰에 솔더 결합은 없음;

3= 솔더 드롭 사이에 완전한 융합이 있으나, 최소한의 솔더 퍼짐 및 흐름;

4= 솔더 드롭 사이에 완전한 융합, 구리 쿠폰 표면에서 우수한 솔더 퍼짐과 흐름 및 구리 쿠폰에 솔더 결합.

각각의 플럭스 조성물의 평가 결과를 하기 표에 나타내었다.

경화성 아민 플럭스 조성물	평가 결과
실시예 5	4
실시예 6	4

Claims

초기 성분으로서, 분자당 적어도 두 개의 옥시란기를 갖는 수지 성분; 및 하기 화학식 I로 표시되는 아민 플럭스제;를 포함하는, 경화성 아민 플럭스 조성물:

상기 식에서,
R¹, R², R³ 및 R⁴는 독립적으로 수소, -CH₂CH(OH)R¹⁸ 및 -CH₂CH(OH)CH₂-O-R¹⁸기에서 독립적으로 선택되고, 여기서 R¹⁸은 수소, C_1-28 알킬기, C_3-28 사이클로알킬기, C_6-28 아릴기, C_7-28 아릴알킬기 및 C_7-28 알킬아릴기에서 선택되며, 또한 여기서 R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 0 내지 3개가 수소이고;
R⁷ 및 R⁸은 모두 메틸기이며;
R⁹는 메틸기 및 페닐기에서 선택되며;
R¹⁰ 및 R¹¹은 모두 메틸기이다.
제1항에 있어서, R¹, R², R³ 및 R⁴ 중 1 내지 3개가 수소인 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 있어서, R¹및 R²중 1개가 수소이고, R³ 및 R⁴ 중 1개가 수소인 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 있어서, 용매를 추가로 포함하고, 상기 용매는 탄화수소, 방향족 탄화수소, 케톤, 에테르, 알코올, 에스테르, 아마이드, 글리콜, 글리콜 에테르, 글리콜 유도체 및 석유 용매에서 선택되는 유기 용매인 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 있어서, 농조화제, 틱소트로픽제, 무기 필러, 항산화제, 반응성 희석제, 공기방출제, 소포제, 접착 촉진제 및 내연제 중 적어도 하나를 추가로 포함하는 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 있어서, 매팅제(matting agent), 착색제, 분산 안정제, 킬레이트제, 열가소성 입자, UV 불투과제, 균염제 및 환원제에서 선택되는 추가의 첨가제를 더 포함하는 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 있어서, 솔더 분말을 추가로 포함하는 경화성 아민 플럭스 조성물.
제1항에 따른 경화성 아민 플럭스 조성물을 제공하고;
다수의 일차 전기 접점을 제공하고;
다수의 대응하는 이차 전기 접점을 제공하고;
솔더를 제공하고;
경화성 아민 플럭스 조성물을 적어도 하나의 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 적용하고;
다수의 일차 전기 접점을 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 근접하도록 위치시키고;
솔더를 자신의 리플로우 온도 이상으로 가열하여 용융 솔더를 형성하고 용융 솔더를 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점에 노출시키고;
다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점으로부터 경화성 플럭스 조성물을 용융 솔더로 대체시키고 다수의 일차 전기 접점 및 다수의 대응하는 이차 전기 접점 사이에 다수의 전기적 내부 접속을 형성시키며;
수지 성분을 경화시키고, 다수의 전기적 내부 접속을 밀폐하는 것을 포함하는, 밀폐된 금속적 결합을 형성하는 방법.
제1항에 있어서, 경화제를 추가로 포함하는 경화성 아민 플럭스 조성물.
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