KR101868606B1 - Shift register and display device including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 3 이상의 자연수)상 클럭들의 폴링 에지의 전압을 게이트 하이 전압보다 낮은 전압으로 변조하는 클럭 펄스 변조회로; 및 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 전압 또는 전단 캐리신호에 응답하여 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 펄스 변조회로로부터 변조된 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지를 포함한다. 게이트 펄스 변조회로는, 게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제1 TFT; 및 게이트 전극은 상기 제m+2 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제2 TFT를 포함한다. 게이트 펄스 변조회로는, 게이트 로우 전압 라인에 인가되는 전압레벨을 바탕으로 상기 게이트펄스의 폴링 에지 전압의 크기를 조절한다.The present invention relates to a shift register and a display device including the shift register. A shift register according to an embodiment of the present invention includes a clock pulse modulation circuit for modulating a voltage of a falling edge of i (i is a natural number equal to or greater than 3) phase clocks sequentially delayed in phase to a voltage lower than a gate high voltage; And a plurality of stages for outputting a gate pulse having the same pulse as a clock modulated from the clock pulse modulation circuit input through a clock terminal in response to a start voltage or a carry signal inputted through a start terminal. In the gate pulse modulation circuit, the gate electrode is connected to the output line of the m-th (m is a natural number) stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m + A first TFT; And the gate electrode is connected to the output line of the (m + 2) th stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m + . The gate pulse modulation circuit adjusts the magnitude of the falling edge voltage of the gate pulse based on the voltage level applied to the gate low voltage line.

Description

쉬프트 레지스터와 이를 포함한 표시장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}[0001] SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME [0002]

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a shift register and a display device including the shift register.

액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기, 옥내외 광고 표시장치 등으로 이용되고 있다. 액정표시장치는 액정셀들에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다.BACKGROUND ART [0002] Liquid crystal display devices are becoming increasingly widespread due to features such as light weight, thinness, and low power consumption driving. The liquid crystal display device is used as a portable computer such as a notebook PC, an office automation device, an audio / video device, and an indoor / outdoor advertisement display device. A liquid crystal display controls an electric field applied to liquid crystal cells to modulate light incident from a backlight unit to display an image.

액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소마다 형성되어 화소전극에 공급되는 데이터 전압을 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한 액정표시패널, 액정표시패널의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로, 액정표시패널의 게이트 라인들에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)(GP)를 순차적으로 공급하기 위한 게이트 구동회로, 및 상기 구동회로들의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러 등을 구비한다.The active matrix type liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel including a TFT (Thin Film Transistor) formed for each pixel and switching a data voltage supplied to the pixel electrode, a data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines of the liquid crystal display panel A gate driving circuit for sequentially supplying gate pulses (or scan pulses) GP to the gate lines of the liquid crystal display panel, and a timing controller for controlling the operation timing of the driving circuits.

액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치에서 액정셀에 충전되는 전압은 TFT의 기생용량으로 인하여 발생되는 킥백전압(kickback voltage, 또는 feed through voltage, △Vp)에 영향을 받는다. 킥백전압(△Vp)은 수학식 1과 같다. In an active matrix type liquid crystal display device, the voltage charged in the liquid crystal cell is affected by a kickback voltage (or a feed-through voltage, DELTA Vp) caused by the parasitic capacitance of the TFT. The kickback voltage (Vp) is expressed by Equation (1).

Figure 112011102459973-pat00001
Figure 112011102459973-pat00001

여기서, 'Clc'는 액정셀의 용량, 'Cst'는 스토리지 캐패시터(storage capacitor)의 용량, 'Cgd'는 게이트 라인에 접속된 TFT의 게이트 단자와 액정셀의 화소 전극에 접속된 TFT의 드레인 단자 사이에 형성되는 기생용량이고, 'VGH-VGL'는 도 1과 같이 게이트 펄스(GP)의 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)의 차전압이다.Here, 'Clc' denotes the capacitance of the liquid crystal cell, 'Cst' denotes the capacitance of the storage capacitor, and 'Cgd' denotes the gate terminal of the TFT connected to the gate line and the drain terminal of the TFT connected to the pixel electrode of the liquid crystal cell 'VGH-VGL' is a difference voltage between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL of the gate pulse GP as shown in FIG.

킥백전압(△Vp)으로 인하여 액정셀의 화소 전극에 인가되는 전압이 변동되어 표시화상에서 플리커, 잔상, 색편차 등이 보일 수 있다. 킥백전압(△Vp)을 줄이기 위하여, 게이트 펄스(GP)의 폴링 에지에서 게이트 하이 전압(VGH)을 변조하는 게이트 펄스 변조방법(Gate Pulse Modulation)이 적용되고 있다.The voltage applied to the pixel electrode of the liquid crystal cell varies due to the kickback voltage Vp, and flicker, afterimage, color deviation, and the like can be seen in the display image. A gate pulse modulation method of modulating the gate high voltage VGH at the polling edge of the gate pulse GP is applied to reduce the kickback voltage Vp.

한편, 액정표시장치의 게이트 구동회로는 게이트 드라이브 직접회로(Integrated Circuit)를 PCB(Printed Circuit Board) 상에 실장하고 TAB(Tape Automated Bonding) 방식으로 표시패널에 부착함으로써 형성될 수 있고, 표시패널의 하부에 GIP(Gate Drive IC in Panel) 방식으로 형성될 수 있다. GIP 방식으로 게이트 구동회로를 형성할 경우 TAB 방식으로 게이트 구동회로를 형성하는 경우에 비하여, 액정표시장치의 슬림화가 가능하므로 외적 미관을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 비용 절감이 가능하며, 게이트 펄스 변조회로를 표시패널 메이커(maker)가 직접 설계할 수 있는 장점이 있다.
On the other hand, the gate drive circuit of the liquid crystal display device can be formed by mounting a gate drive integrated circuit on a PCB (Printed Circuit Board) and attaching the gate drive integrated circuit to a display panel by TAB (Tape Automated Bonding) And a gate drive IC in panel (GIP) method. In the case of forming the gate driving circuit by the GIP method, the liquid crystal display device can be made slimmer as compared with the case where the gate driving circuit is formed by the TAB method, so that the external appearance can be increased and the cost can be reduced. Can be directly designed by a display panel maker.

본 발명은 GIP 방식으로 게이트 구동회로를 형성함과 동시에, 킥백 전압을 줄일 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 포함한 표시장치를 제공한다.
The present invention provides a shift register capable of reducing a kickback voltage and a display device including the gate driver circuit in a GIP scheme.

본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 3 이상의 자연수)상 클럭들의 폴링 에지의 전압을 게이트 하이 전압보다 낮은 전압으로 변조하는 클럭 펄스 변조회로; 및 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 전압 또는 전단 캐리신호에 응답하여 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 펄스 변조회로로부터 변조된 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지를 포함한다. 게이트 펄스 변조회로는, 게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제1 TFT; 및 게이트 전극은 상기 제m+2 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제2 TFT를 포함한다. 게이트 펄스 변조회로는, 게이트 로우 전압 라인에 인가되는 전압레벨을 바탕으로 상기 게이트펄스의 폴링 에지 전압의 크기를 조절한다.A shift register according to an embodiment of the present invention includes: a clock pulse modulation circuit for modulating a voltage of a falling edge of i (i is a natural number equal to or greater than 3) phase clocks sequentially delayed in phase to a voltage lower than a gate high voltage; And a plurality of stages for outputting a gate pulse having the same pulse as a clock modulated from the clock pulse modulation circuit input through a clock terminal in response to a start voltage or a carry signal inputted through a start terminal. In the gate pulse modulation circuit, the gate electrode is connected to the output line of the m-th (m is a natural number) stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m + A first TFT; And the gate electrode is connected to the output line of the (m + 2) th stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m + . The gate pulse modulation circuit adjusts the magnitude of the falling edge voltage of the gate pulse based on the voltage level applied to the gate low voltage line.

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본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 데이터 라인들과 게이트 라인들이 형성된 표시패널; 입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 데이터 라인들에 동기되는 게이트 펄스를 상기 게이트 라인들에 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로를 구비하고, 게이트 구동회로는, 게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제1 TFT; 및 게이트 전극은 상기 제m+2 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제2 TFT를 포함한다. 게이트 구동회로는 게이트 로우 전압 라인에 인가되는 전압레벨을 바탕으로 상기 게이트펄스의 폴링 에지 전압의 크기를 조절한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes: a display panel having data lines and gate lines; A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And a gate driving circuit for sequentially outputting a gate pulse synchronized with the data lines to the gate lines, wherein the gate driving circuit is connected to the output line of the m-th (m is a natural number) stage, A first TFT having a source electrode connected to a gate low voltage line and a drain electrode connected to an output line of the (m + 1) th stage; And the gate electrode is connected to the output line of the (m + 2) th stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m + . The gate drive circuit adjusts the magnitude of the falling edge voltage of the gate pulse based on the voltage level applied to the gate low voltage line.

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본 발명은 스테이지들 각각의 클럭 단자에 입력되는 클럭의 폴링 에지의 전압을 클럭 펄스 변조회로를 이용하여 변조한다. 그 결과, 본 발명은 게이트 펄스의 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압의 차전압을 줄일 수 있으므로, 킥백 전압을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명은 인쇄회로보드가 아닌 쉬프트 레지스터 내에 클럭 펄스 변조회로를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 GIP 방식으로 클럭 펄스 변조회로를 포함한 쉬프트 레지스터를 설계할 수 있으므로, 비용 절감이 가능하다.The present invention modulates the voltage of the falling edge of the clock input to the clock terminal of each of the stages using a clock pulse modulation circuit. As a result, since the present invention can reduce the difference voltage between the gate high voltage and the gate low voltage of the gate pulse, the kickback voltage can be reduced. The present invention also forms a clock pulse modulation circuit in a shift register rather than a printed circuit board. As a result, the present invention can design a shift register including a clock pulse modulation circuit by the GIP method, thereby reducing cost.

본 발명은 스테이지들 각각의 출력 단자로부터 출력되는 게이트 펄스의 폴링 에지의 전압을 게이트 펄스 변조회로를 이용하여 변조한다. 그 결과, 본 발명은 게이트 펄스의 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압의 차전압을 줄일 수 있으므로, 킥백 전압을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명은 인쇄회로보드가 아닌 쉬프트 레지스터 내에 게이트 펄스 변조회로를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 GIP 방식으로 게이트 펄스 변조회로를 포함한 쉬프트 레지스터를 설계할 수 있으므로, 비용 절감이 가능하다.
The present invention modulates the voltage of the falling edge of the gate pulse output from the output terminal of each of the stages using a gate pulse modulation circuit. As a result, since the present invention can reduce the difference voltage between the gate high voltage and the gate low voltage of the gate pulse, the kickback voltage can be reduced. In addition, the present invention forms a gate pulse modulation circuit in a shift register rather than a printed circuit board. As a result, the present invention can design a shift register including a gate pulse modulation circuit by the GIP method, thereby reducing cost.

도 1은 게이트 구동회로로부터 출력되는 게이트 펄스의 일 예를 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 클럭 펄스 변조 신호, 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭들, 클럭 펄스 변조 회로로부터 변조된 클럭들, 및 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 게이트 펄스를 보여주는 파형도.
도 5a 내지 도 5c는 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭, 클럭 펄스 변조회로에 의해 변조된 클럭, 및 제k 스테이지로부터 출력된 게이트 펄스를 보여주는 시뮬레이션 결과 도면.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭들, 스테이지들 각각의 출력들, 및 게이트 펄스 변조회로로부터 출력되는 게이트 펄스들을 보여주는 파형도.
도 8은 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 게이트 펄스를 보여주는 시뮬레이션 결과 도면.
1 is a view showing an example of a gate pulse output from a gate drive circuit;
2 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention;
3 is a block diagram showing a shift register according to a first embodiment of the present invention;
4 is a waveform diagram showing a clock pulse modulation signal according to the first embodiment of the present invention, clocks input to a shift register, clocks modulated from a clock pulse modulation circuit, and gate pulses output from a shift register.
Figs. 5A to 5C are simulation results showing a clock input to a shift register, a clock modulated by a clock pulse modulation circuit, and a gate pulse output from a k-th stage.
6 is a block diagram showing a shift register according to a second embodiment of the present invention;
7 is a waveform diagram showing clocks input to a shift register, outputs of respective stages, and gate pulses output from a gate pulse modulation circuit according to a second embodiment of the present invention;
8 is a simulation result showing a gate pulse output from a shift register;

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The component name used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the actual product name.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 게이트 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.2 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10, a data driving circuit, a gate driving circuit, and a timing controller 11.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 디지털 비디오 데이터를 기입하는 어떠한 표시장치도 포함한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode, OLED), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 중에 어느 하나로 구현될 수 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 표시장치가 액정표시소자로 구현된 것을 중심으로 예시하였지만, 본 발명의 표시장치는 액정표시소자에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 액정표시장치는 투과형 액정표시장치, 반투과형 액정표시장치, 및 반사형 액정표시장치 등 어떠한 형태로도 구현될 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes any display device that sequentially supplies gate pulses (or scan pulses) to gate lines to write digital video data to pixels by line sequential scanning. For example, a display device according to an embodiment of the present invention may include a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a field emission display (FED) , And an electrophoresis display (EPD). While the present invention has been described with reference to the case where a display device is implemented by a liquid crystal display device in the following embodiments, it should be noted that the display device of the present invention is not limited to a liquid crystal display device. The liquid crystal display device can be implemented in any form such as a transmissive liquid crystal display device, a transflective liquid crystal display device, and a reflective liquid crystal display device.

표시패널(10)은 두 장의 기판 사이에 액정층이 형성된다. 표시패널(10)의 하부 기판에는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부마다 형성된 TFT(Thin Film Transistor), TFT에 접속되어 화소 전극과 공통전극 사이의 전계에 의해 구동되는 액정셀들, 및 스토리지 커패시터(storage capacitor) 등을 포함한 TFT 어레이가 형성된다. 표시패널(10)의 상부 기판상에는 블랙매트릭스와 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이가 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 등의 액정모드로도 구현될 수 있다. 공통전극은 TN 모드와 VA 모드와 같은 수직전계 구동방식에서 상부 기판상에 형성되며, IPS 모드와 FFS 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소 전극과 함께 하부 기판상에 형성될 수 있다. 표시패널(10)의 상부 기판과 하부 기판상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고, 액정층과 접하는 계면에 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. In the display panel 10, a liquid crystal layer is formed between two substrates. A TFT (Thin Film Transistor) formed at each intersection of the data lines, the gate lines crossing the data lines, the data lines and the gate lines is connected to the lower substrate of the display panel 10, A liquid crystal cell driven by an electric field between the electrodes, and a storage capacitor. On the upper substrate of the display panel 10, a color filter array including a black matrix and a color filter is formed. The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention may be implemented in a liquid crystal mode such as TN (Twisted Nematic) mode, VA (Vertical Alignment) mode, IPS (In Plane Switching) mode or FFS (Fringe Field Switching) mode. The common electrode may be formed on the upper substrate in a vertical electric field driving mode such as a TN mode and a VA mode, and may be formed on a lower substrate together with the pixel electrode in a horizontal electric field driving mode such as an IPS mode and an FFS mode. On the upper substrate and the lower substrate of the display panel 10, a polarizing plate whose optical axis is orthogonal is attached, and an alignment film for setting a pre-tilt angle of liquid crystal is formed at an interface with the liquid crystal layer.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(12)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)들 각각은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 게이트 펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들에 접속될 수 있다.The data drive circuit includes a plurality of source drive ICs 12. [ The source drive ICs 12 receive digital video data (DATA) from the timing controller 11. [ Each of the source drive ICs 12 converts the digital video data DATA into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 11 to generate a data voltage, To the data lines of the display panel 10. The source drive ICs 12 may be connected to the data lines of the display panel 10 by a COG (Chip On Glass) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process.

게이트 구동회로는 레벨 쉬프터(13)와 쉬프트 레지스터(14)를 포함한다. 레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 클럭들(CLKs)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프트된 클럭들(CLKs)은 쉬프트 레지스터(14)로 입력된다. 쉬프트 레지스터(14)는 표시패널(10)의 게이트 라인들에 연결되어 게이트 라인들에 게이트 펄스를 순차적으로 출력한다. 쉬프트 레지스터(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판상에 직접 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)(15) 상에 실장된다.The gate drive circuit includes a level shifter 13 and a shift register 14. The level shifter 13 level shifts the TTL (Logic-Transistor-Logic) logic level voltage of the clocks CLKs input from the timing controller 11 to the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The level-shifted clocks (CLKs) are input to the shift register (14). The shift register 14 is connected to the gate lines of the display panel 10 to sequentially output gate pulses to the gate lines. The shift register 14 is formed directly on the lower substrate of the display panel 10 by a GIP (Gate Drive-IC In Panel) method. In the GIP scheme, the level shifter 13 is mounted on a printed circuit board 15.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 소스 드라이브 IC(12)들로 전송한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC(12)들의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 포함한다.The timing controller 11 receives digital video data RGB from an external host system through an interface such as a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface or a Transition Minimized Differential Signaling (TMDS) interface. The timing controller 11 transmits the digital video data (DATA) input from the host system to the source drive ICs 12. The timing controller 11 receives a timing signal such as a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, a data enable signal, and a main clock from the host system through the LVDS or TMDS interface receiving circuit. The timing controller 11 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driving circuit and the gate driving circuit based on the timing signal from the host system. The timing control signals include a gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate drive circuit, a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the source drive ICs 12 and the polarity of the data voltage.

게이트 타이밍 제어신호는 스타트 전압과 i(i는 3 이상의 자연수) 상으로 순차적으로 발생하는 클럭들(CLKs) 등을 포함한다. 스타트 전압은 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 클럭들(CLKs)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(14)에 입력되며, 스타트 전압을 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다.The gate timing control signal includes clocks (CLKs) that are sequentially generated on the start voltage and i (i is a natural number of 3 or more). The start voltage is input to the shift register 14 to control the shift start timing of the shift register 14. The clocks CLKs are input to the level shifter 13 and level-shifted, then input to the shift register 14, and used as a clock signal for shifting the start voltage.

데이터 타이밍 제어신호(DCS)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 극성(Polarity) 제어신호, 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이브 IC(12)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(12)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호는 소스 드라이브 IC(12)들로부터 출력되는 데이터 전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이브 IC(12)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
The data timing control signal DCS includes a source start pulse, a source sampling clock, a polarity control signal, and a source output enable signal. The source start pulse controls the shift start timing of the source drive ICs 12. [ The source sampling clock is a clock signal that controls the sampling timing of data within the source drive ICs 12 based on the rising or falling edge. The polarity control signals control the polarity of the data voltages output from the source drive ICs 12. [ If the data transfer interface between the timing controller 11 and the source drive ICs 12 is a mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 자연수로 스테이지의 개수)과, 클럭 펄스 변조회로(CPM)을 구비한다. 도 3에서는 설명의 편의를 제k(1<k<n, k는 2 이상의 자연수) 내지 제k+3 스테이지(ST(k)~ST(k+3))만을 예시하였다.3 is a block diagram showing a shift register according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the shift register 14 according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of stages ST (1) to ST (n) And a clock pulse modulation circuit (CPM). In Fig. 3, convenience of explanation is exemplified only from k (1 <k <n, k is a natural number of 2 or more) to (k + 3) stages ST (k) to ST (k + 3).

이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST(1)) 내지 제k-1 스테이지(ST(k-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 후단 스테이지는 제k+1 스테이지(ST(k+1)) 내지 제k 스테이지(ST(n)) 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the term "front stage" means that the stage is located above the reference stage. For example, on the basis of the k-th stage ST (k), the front stage indicates any one of the first stage ST (1) to the (k-1) th stage ST (k-1). Quot; rear stage "refers to a stage located at the bottom of the reference stage. For example, on the basis of the k-th stage ST (k), the trailing stage indicates any one of the (k + 1) th stages ST (k + 1) to k (n).

스타트 전압 라인(미도시)에는 스타트 전압이 인가되고, 클럭 펄스 변조 신호 공급라인(Vcpm Line)에는 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)가 인가되며, 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다. 또한, 제1 클럭 라인(CL1)에는 제1 클럭(CLK1)이 인가되고, 제2 클럭 라인(CL2)에는 제2 클럭(CLK2)이 인가되며, 제3 클럭 라인(CL3)에는 제3 클럭(CLK3)이 인가되고, 제4 클럭 라인(CL4)에는 제4 클럭(CLK4)이 인가된다.A start voltage is applied to a start voltage line (not shown), a clock pulse modulation signal Vcpm is applied to a clock pulse modulation signal supply line Vcpm Line, a gate low voltage VGL Is applied. The first clock CL1 is applied to the first clock line CL1, the second clock CLK2 is applied to the second clock line CL2, and the third clock CL2 is applied to the third clock line CL3. And a fourth clock CLK4 is applied to the fourth clock line CL4.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START), 클럭 단자(CLK), 리셋 단자(RESET), 및 출력 단자(OUT)를 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 전압 또는 전단 캐리 신호에 응답하여 풀-업되고, 리셋 단자(RESET)를 통해 입력되는 후단 캐리 신호에 응답하여 풀-다운된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력 단자(OUT)를 통해 출력한다. Each of the stages ST (1) to ST (n) has a start terminal START, a clock terminal CLK, a reset terminal RESET, and an output terminal OUT. Each of the stages ST (1) to ST (n) is pulled up in response to a start voltage or a preceding carry signal input via a start terminal START, Lt; / RTI &gt; Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs a gate pulse having the same pulse as the clock inputted through the clock terminal CLK through the output terminal OUT.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 전압 또는 전단 스테이지의 캐리 신호가 입력된다. 예를 들어, 도 3과 같이 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 스타트 단자(START)에는 전단 스테이지의 캐리 신호인 제k 스테이지(ST(k))의 출력이 입력된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 리셋 단자(RESET)에는 후단 스테이지의 캐리 신호가 입력된다. 예를 들어, 도 3과 같이 제k 스테이지(ST(k))의 리셋 단자(RESET)에는 후단 스테이지의 캐리 신호인 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력이 입력된다.A start voltage or a carry signal of the previous stage is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). For example, as shown in Fig. 3, the output of the k-th stage ST (k), which is the carry signal of the front stage, is input to the start terminal (START) of the (k + 2) th stage ST (k + 2). The carry signal of the subsequent stage is inputted to the reset terminal RESET of each of the stages ST (1) to ST (n). For example, the output of the (k + 2) -th stage ST (k + 2), which is the carry signal of the subsequent stage, is input to the reset terminal RESET of the k-th stage ST (k) as shown in Fig.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자(CLK)에는 순차적으로 위상이 지연되는 i상 클럭들 중 클럭 펄스 변조회로(CPM)에 의해 변조된 어느 하나의 클럭이 입력된다. 120Hz 이상의 고속 구동시 충분한 충전시간 확보를 위해 i상 클럭들은 4상 이상으로 구현됨이 바람직하다. 예를 들어, i상 클럭들은 도 4와 같이 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)로 구현될 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에서는 설명의 편의를 위해 i상 클럭들이 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)로 구현된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)은 도 3과 같이 소정의 제1 기간마다 순차적으로 위상이 지연될 수 있다. 소정의 제1 기간은 대략 1 수평기간 내지 2 수평기간 내에서 적절하게 구현될 수 있다. 1 수평기간은 표시패널의 1 라인의 픽셀들에 데이터가 기입되는 1 라인 스캐닝 시간을 의미한다. 또한, 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)은 레벨 쉬프터(13)로부터 TTL 로직 레벨로 레벨 쉬프트되므로, 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다. 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 펄스가 발생한다. 게이트 로우 전압(VGL)은 대략 -7V 내지 -15V로 설정될 수 있고, 게이트 하이 전압(VGH)은 대략 15V 내지 30V로 설정될 수 있다. 또한, 제j(j는 자연수) 클럭(CLKj)과 제j+1 클럭(CLKj+1)은 펄스는 도 4와 같이 소정의 제2 기간 동안 중첩된다. 소정의 제2 기간은 대략 제j 클럭(CLKj)의 펄스 폭의 1/4 내지 1/3로 구현될 수 있다.Any clock modulated by the clock pulse modulation circuit CPM among the i-phase clocks whose phases are sequentially delayed is input to the clock terminal CLK of each of the stages ST (1) to ST (n) . In order to secure a sufficient charge time at a high-speed operation of 120 Hz or more, the i-phase clocks are desirably implemented in four or more phases. For example, the i-phase clocks may be implemented with four-phase clocks CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 as shown in FIG. In the first embodiment of the present invention, the i-phase clocks are implemented as four-phase clocks (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) for convenience of description. However, the present invention is not limited thereto. The four-phase clocks CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 may be sequentially delayed in phase for a predetermined first period as shown in FIG. The predetermined first period may be suitably implemented within approximately one horizontal period to two horizontal periods. One horizontal period means one line scanning time at which data is written to pixels of one line of the display panel. Further, the four-phase clocks CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 are level-shifted from the level shifter 13 to the TTL logic level, and thus swing between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The four-phase clocks (CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) are pulsed with the gate high voltage (VGH). The gate low voltage VGL may be set to approximately -7V to -15V and the gate high voltage VGH may be set to approximately 15V to 30V. The jth (j is a natural number) clock CLKj and the (j + 1) th clock CLKj + 1 are overlapped for a predetermined second period as shown in FIG. The predetermined second period may be implemented as 1/4 to 1/3 of the pulse width of the j-th clock CLKj.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 1 개의 출력 단자(OUT)를 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력(ST(1)_out~ST(n)_out)은 표시패널(10)의 게이트 라인들에 게이트 펄스(GP(1)~GP(n))로 출력됨과 동시에, 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 캐리신호로서 입력된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 종속적으로 접속되므로, 제1 스테이지(ST(1))에 스타트 전압이 공급되는 경우에만 제1 스테이지(ST(1))부터 제n 스테이지(ST(n))까지 순차적으로 출력이 발생한다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has one output terminal OUT. The outputs ST (1) _out to ST (n) _out of the stages ST (1) to ST (n) are applied to the gate lines of the display panel 10 by gate pulses GP (1) to GP n), and is input as a carry signal to the start terminal (START) of the subsequent stage. Since the stages ST (1) to ST (n) are connected in a dependent manner, only when the start voltage is supplied to the first stage ST (1) (ST (n)).

클럭 펄스 변조회로(CPM)는 i상 클럭들 각각의 폴링 에지에서 게이트 하이 전압(VGH)을 변조한 후, 변조된 클럭을 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자로 출력한다. 클럭 펄스 변조회로(CPM)는 제1 TFT(T1) 및 제2 TFT(T2)를 포함한다. 제1 TFT(T1)는 제j+1 클럭(CLKj+1)에 응답하여 제j 클럭 라인(CLj)을 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속시킨다. 제1 TFT(T1)의 게이트 전극은 제2 TFT(T2)의 소스 전극에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속되며, 드레인 전극은 제j 클럭 라인(CLj)에 접속된다. 제2 TFT(T2)는 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)에 응답하여 제j+1 클럭(CLKj+1)을 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 게이트 전극은 클럭 펄스 변조 신호 공급라인(Vcpm Line)에 접속되고, 소스 전극은 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제j+1 클럭 라인(CLj+1)에 접속된다.
The clock pulse modulation circuit CPM modulates the gate high voltage VGH at the polling edge of each of the i phase clocks and then outputs the modulated clock to the clock terminal of each of the stages ST (1) to ST (n) Output. The clock pulse modulation circuit CPM includes a first TFT T1 and a second TFT T2. The first TFT T1 connects the jth clock line CLj to the gate low voltage line VGL Line in response to the (j + 1) th clock CLKj + 1. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the source electrode of the second TFT T2, the source electrode thereof is connected to the gate low voltage line VGL Line and the drain electrode thereof is connected to the jth clock line CLj do. The second TFT T2 supplies the (j + 1) th clock (CLKj + 1) to the gate electrode of the first TFT (T1) in response to the clock pulse modulation signal (Vcpm). The gate electrode of the second TFT T2 is connected to the clock pulse modulation signal supply line Vcpm Line, the source electrode thereof is connected to the gate electrode of the first TFT T1, and the drain electrode thereof is connected to the (j + 1) CLj + 1.

도 4는 클럭 펄스 변조 신호, 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭들, 클럭 펄스 변조 회로로부터 변조된 클럭들, 및 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 게이트 펄스를 보여주는 파형도이다. 도 4에는 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm), 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4), 클럭 펄스 변조 회로(CPM)로부터 변조된 클럭들(MCLK1, MCLK2, MCLK3, MCLK4), 및 제k 내지 제k+3 스테이지들(ST(k), ST(k+1), ST(k+2), ST(k+3)) 각각으로부터 출력되는 게이트 펄스들(GP(k), GP(k+1), GP(k+2), GP(k+3))이 나타나 있다. 또한, 도 4에는 제1 라이징 기간(t1), 제1 폴링 기간(t2), 및 제2 폴링 기간(t3)이 나타나 있다. 제1 라이징 기간(t1)은 제j 클럭(CLKj)의 펄스가 발생하였지만 제j+1 클럭(CLKj+1)의 펄스가 발생하지 않는 기간이다. 제1 폴링 기간(t2)은 제j 클럭(CLKj)의 펄스와 제j+1 클럭(CLKj+1)의 펄스가 발생한 기간, 즉 제j 클럭(CLKj)의 펄스와 제j+1 클럭(CLKj+1)의 펄스가 중첩되는 기간이다. 제2 폴링 기간(t3)은 제j 클럭(CLKj)의 펄스가 발생하지 않는 기간이다.4 is a waveform diagram showing a clock pulse modulation signal, clocks input to a shift register, clocks modulated from a clock pulse modulation circuit, and gate pulses output from a shift register. 4 shows the relationship between the clock pulse modulation signal Vcpm, the four-phase clocks CLK1, CLK2, CLK3 and CLK4, the clocks MCLK1, MCLK2, MCLK3 and MCLK4 modulated from the clock pulse modulation circuit CPM, (K), GP (k), and GP (k) output from the (k + 1) th to (k + 3) th stages ST (k), ST 1), GP (k + 2) and GP (k + 3). 4 shows a first rising period t1, a first polling period t2, and a second polling period t3. The first rising period t1 is a period in which the pulse of the j-th clock CLKj is generated but the pulse of the (j + 1) -th clock CLKj + 1 is not generated. The first polling period t2 is a period during which the pulse of the j-th clock CLKj and the pulse of the j + 1-th clock CLKj + 1 are generated, +1) are overlapped with each other. The second polling period t3 is a period during which no pulse of the j-th clock CLKj is generated.

이하에서, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 동작에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the shift register 14 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.

먼저, 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm), 제1 클럭(CLK1), 제2 클럭(CLK2), 및 변조된 제1 클럭(MCLK1)을 참조하여 클럭 펄스 변조회로(CPM)의 제1 클럭(CLK1)의 변조를 상세히 설명한다. 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)는 제1 TFT(T1)의 문턱전압을 고려하여 제1 TFT(T1)를 턴-온시킬 수 있는 직류 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)는 도 4와 같이 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정되거나, 또는 소비 전력 절감을 위해 0V 이상의 전압 중 제1 TFT(T1)를 턴-온시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.The first clock CLK1 of the clock pulse modulation circuit CPM is first referenced with reference to the clock pulse modulation signal Vcpm, the first clock CLK1, the second clock CLK2 and the modulated first clock MCLK1, Will be described in detail. The clock pulse modulation signal Vcpm may be set to a DC voltage capable of turning on the first TFT T1 in consideration of the threshold voltage of the first TFT T1. For example, the clock pulse modulation signal (Vcpm) may be set to the gate high voltage (VGH) as shown in FIG. 4, or a voltage capable of turning on the first TFT (T1) Lt; / RTI &gt;

제1 라이징 기간(t1) 동안 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하고, 제1 클럭(CLK1)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하며, 제2 클럭(CLK2)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다. 제2 TFT(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)에 의해 턴-온되나, 제1 TFT(T1)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-오프된다. 따라서, 제1 라이징 기간(t1) 동안 클럭 펄스 변조회로(CPM)로부터 출력되는 변조된 제1 클럭(MCLK1)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 그대로 출력된다.During the first rising period t1, the clock pulse modulation signal Vcpm is generated at the gate high voltage VGH, the first clock CLK1 is generated at the gate high voltage VGH, and the second clock CLK2 is generated at the gate high voltage VGH. Lt; / RTI &gt; occurs at the gate-low voltage (VGL). The second TFT T2 is turned on by the clock pulse modulation signal Vcpm of the gate high voltage VGH while the first TFT T1 is turned on by the second clock CLK2 of the gate low voltage VGL Turn off. Therefore, the modulated first clock MCLK1 output from the clock pulse modulation circuit CPM during the first rising period t1 is output as it is to the gate high voltage VGH.

제1 폴링 기간(t2) 동안 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하고, 제1 클럭(CLK1)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하며, 제2 클럭(CLK2)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. 제2 TFT(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)에 의해 턴-온되고, 제1 TFT(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-온된다. 제1 및 제2 TFT(T1, T2)의 턴-온으로 인해 제1 클럭 라인(CL1)과 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)이 접속되므로, 제1 클럭(CLK1)은 게이트 하이 전압(VGH)을 유지하지 못하고, 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이의 전압 레벨로 하강한다. 따라서, 제1 폴링 기간(t2) 동안 클럭 펄스 변조회로(CPM)로부터 출력되는 변조된 제1 클럭(MCLK1)은 폴링 에지에서 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 전압으로 하강한다.The clock pulse modulation signal Vcpm is generated at the gate high voltage VGH during the first polling period t2 and the first clock CLK1 is generated at the gate high voltage VGH and the second clock CLK2 is generated at the gate high voltage VGH, Gate high voltage (VGH). The second TFT T2 is turned on by the clock pulse modulation signal Vcpm of the gate high voltage VGH and the first TFT T1 is turned on by the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH Turn on. The first clock CLK1 is connected to the gate high voltage VGH because the first clock line CL1 and the gate low voltage line VGL Line are connected due to the turn-on of the first and second TFTs T1 and T2, And falls to a voltage level between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH. Thus, the modulated first clock MCLK1 output from the clock pulse modulation circuit CPM during the first polling period t2 falls to a voltage lower than the gate high voltage VGH at the falling edge.

제2 폴링 기간(t3) 동안 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하고, 제1 클럭(CLK1)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하며, 제2 클럭(CLK2)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. 제2 TFT(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 클럭 펄스 변조 신호(Vcpm)에 의해 턴-온되고, 제1 TFT(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-온된다. 하지만, 제1 및 제2 TFT(T1, T2)의 턴-온과 상관없이 제1 클럭(CLK1)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 하강하므로, 제2 폴링 기간(t3) 동안 클럭 펄스 변조회로(CPM)로부터 출력되는 변조된 제1 클럭(MCLK1)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 하강한다.During the second polling period t3 the clock pulse modulation signal Vcpm is generated at the gate high voltage VGH and the first clock CLK1 is generated at the gate low voltage VGL and the second clock CLK2 is at the Gate high voltage (VGH). The second TFT T2 is turned on by the clock pulse modulation signal Vcpm of the gate high voltage VGH and the first TFT T1 is turned on by the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH Turn on. However, since the first clock CLK1 falls to the gate-low voltage VGL irrespective of the turn-on of the first and second TFTs T1 and T2, the clock pulse modulation circuit The modulated first clock MCLK1 output from the CPM is lowered to the gate low voltage VGL.

한편, 제j 클럭(CLKj)의 폴링 에지의 전압을 어느 정도로 낮게 변조하는지는 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 얼마나 낮은 전압을 인가하느냐에 달려있다. 본 발명의 제1 실시예에서는 게이트 로우 전압(VGL)을 공급하는 게이트 로우 전압 라인(VGL)을 이용하여 제j 클럭(CLKj)의 폴링 에지의 전압을 낮게 변조하는 것을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에서는 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 소정의 전압을 공급하는 전압 라인을 이용하여 제j 클럭(CLKj)의 폴링 에지의 전압을 낮게 변조할 수 있다.On the other hand, how low the voltage of the polling edge of the j-th clock CLKj is modulated depends on how low the voltage is applied to the gate low voltage line VGL line. Although the first embodiment of the present invention has been described mainly on the low modulation of the voltage at the falling edge of the j-th clock CLKj using the gate low voltage line VGL for supplying the gate low voltage VGL, It should be noted. That is, in the first embodiment of the present invention, the voltage of the polling edge of the j-th clock CLKj can be modulated with a voltage line that supplies a predetermined voltage lower than the gate high voltage VGH.

결국, 클럭 펄스 변조회로(CPM)는 제j 클럭(CLKj)과 제j+1 클럭(CLKj+1)이 중첩되는 제j 클럭(CLKj)의 폴링 에지의 전압을 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 전압으로 변조한다. 즉, 클럭 펄스 변조 회로(CPM)로부터 변조된 제j 클럭(MCLKj)은 쉬프트 레지스터(14)에 입력되는 제j 클럭(CLKj)과 펄스 폭, 위상 지연 등이 실질적으로 동일하다. 다만, 제j 클럭(CLKj)과 제j+1 클럭(CLKj+1)이 중첩되는 제j 클럭(CLKj)의 폴링 에지의 전압은 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 전압으로 변조된다. As a result, the clock pulse modulation circuit CPM changes the voltage of the falling edge of the j-th clock CLKj, which is the overlapping of the j-th clock CLKj and the (j + 1) -th clock CLKj + 1, Modulate with voltage. That is, the j-th clock (MCLKj) modulated from the clock pulse modulation circuit (CPM) is substantially equal to the j-th clock (CLKj) input to the shift register (14) in terms of pulse width and phase delay. However, the voltage of the falling edge of the j-th clock CLKj, in which the j-th clock CLKj and the (j + 1) -th clock CLKj + 1 overlap, is modulated to a voltage lower than the gate high voltage VGH.

두 번째로, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 클럭 단자(CLK)에 입력되는 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력 단자(OUT)를 통해 출력한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자(CLK)에는 클럭 펄스 변조회로(CPM)로부터 변조된 클럭이 입력되므로, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력 단자(OUT)를 통해 출력되는 게이트 펄스의 폴링 에지의 전압은 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 전압이다.Second, each of the stages ST (1) to ST (n) outputs a gate pulse having the same pulse as the clock input to the clock terminal CLK through the output terminal OUT. Since the clocks modulated from the clock pulse modulation circuit CPM are input to the clock terminals CLK of the stages ST (1) to ST (n), the stages ST (1) to ST (n) The voltage of the falling edge of the gate pulse output through the output terminal OUT of the gate high voltage VGH is lower than the gate high voltage VGH.

결국, 본 발명의 제1 실시예는 도 5a와 같이 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자(CLK)에 입력되는 클럭의 폴링 에지의 전압을 클럭 펄스 변조회로(CPM)를 이용하여 도 5b와 같이 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮게 변조한다. 그 결과, 본 발명의 제1 실시예는 도 5c와 같이 수학식 1에서 게이트 펄스(GP)의 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)의 차전압을 줄일 수 있다. 그 결과, 본 발명의 제1 실시예는 킥백 전압을 줄일 수 있다.5A, the voltage of the falling edge of the clock input to the clock terminal CLK of each of the stages ST (1) to ST (n) is supplied to the clock pulse modulation circuit CPM As shown in FIG. 5B, to be lower than the gate high voltage VGH. As a result, the first embodiment of the present invention can reduce the difference voltage between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL of the gate pulse GP in Equation (1) as shown in FIG. 5C. As a result, the first embodiment of the present invention can reduce the kickback voltage.

또한, 본 발명의 제1 실시예는 인쇄회로보드가 아닌 쉬프트 레지스터(14) 내에 클럭 펄스 변조회로(CPM)를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 GIP 방식으로 클럭 펄스 변조회로(CPM)를 포함한 쉬프트 레지스터(14)를 설계할 수 있으므로, 비용 절감이 가능하다.
In addition, the first embodiment of the present invention forms a clock pulse modulation circuit (CPM) in the shift register 14 rather than a printed circuit board. As a result, the present invention can design the shift register 14 including the clock pulse modulation circuit (CPM) by the GIP method, thereby reducing the cost.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 자연수로 스테이지의 개수)과, 게이트 펄스 변조회로(GPM)을 구비한다. 도 6에서는 설명의 편의를 제k(1<k<n, k는 2 이상의 자연수) 내지 제k+3 스테이지(ST(k)~ST(k+3))만을 예시하였다.6 is a block diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, the shift register 14 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of stages ST (1) to ST (n), n being the number of stages, And a gate pulse modulation circuit (GPM). In FIG. 6, only the k-th (k <1) and the (k + 3) stages ST (k) to ST (k + 3) are illustrated.

본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 스테이지들(ST(1)~ST(n))은 도 3을 결부하여 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 스테이지들(ST(1)~ST(n))와 실질적으로 동일하다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 스테이지들(ST(1)~ST(n))에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.The stages ST (1) to ST (n) of the shift register 14 according to the second embodiment of the present invention are the same as those of the shift register 14 according to the first embodiment of the present invention Is substantially the same as the stages ST (1) to ST (n). Therefore, the detailed description of the stages ST (1) to ST (n) of the shift register 14 according to the second embodiment of the present invention will be omitted.

다만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)에는 클럭 펄스 변조 신호 공급라인(Vcpm Line)이 형성되지 않으며, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 클럭 단자(CLK)를 통해 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 4 이상의 자연수)상 클럭들 중 어느 하나의 클럭을 입력받는다.However, in the shift register 14 according to the second embodiment of the present invention, a clock pulse modulation signal supply line (Vcpm Line) is not formed and each of the stages ST (1) to ST (n) (I is a natural number of 4 or more) clocks sequentially delayed in phase through the clock signal CLK.

게이트 펄스 변조회로(GPM)는 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각으로부터 출력되는 게이트 펄스의 폴링 에지에서 게이트 하이 전압(VGH)을 변조한 후, 변조된 게이트 펄스를 표시패널(10)의 게이트 라인들에 출력한다. 게이트 펄스 변조회로(GPM)는 제1 TFT(T1) 및 제2 TFT(T2)를 포함한다. 제1 TFT(T1)는 제m(m은 자연수) 스테이지(ST(m))의 출력(ST(m)_out)에 응답하여 제m+1 스테이지(ST(m+1))의 출력 라인과 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)을 접속시킨다. 제1 TFT(T1)의 게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지(ST(m))의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속되며, 드레인 전극은 제m+1 스테이지(ST(m+1))의 출력 라인에 접속된다. 제2 TFT(T2)는 제m+2 스테이지(ST(m+2))의 출력(ST(m+2)_out)에 응답하여 제m+1 스테이지(ST(m+1))의 출력 라인과 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)을 접속시킨다. 제2 TFT(T2)의 게이트 전극은 제m+2 스테이지(ST(m+2))의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속되며, 드레인 전극은 제m+1 스테이지(ST(m+1))의 출력 라인에 접속된다.
The gate pulse modulation circuit GPM modulates the gate high voltage VGH at the falling edge of the gate pulse output from each of the stages ST (1) to ST (n), and then outputs the modulated gate pulse to the display panel 10). The gate pulse modulation circuit GPM includes a first TFT T1 and a second TFT T2. The first TFT T1 is connected to the output line of the (m + 1) th stage ST (m + 1) in response to the output ST (m) _out of the m (m is a natural number) stage ST Connect the gate low voltage line (VGL Line). The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the output line of the mth stage m (m is a natural number), the source electrode thereof is connected to the gate low voltage line VGL Line, is connected to the output line of the (m + 1) th stage ST (m + 1). The second TFT T2 is turned on in response to the output ST (m + 2) _out of the (m + 2) th stage ST (m + And a gate low voltage line (VGL Line). The gate electrode of the second TFT T2 is connected to the output line of the (m + 2) th stage ST (m + 2), the source electrode thereof is connected to the gate low voltage line VGL Line, And is connected to the output line of the +1 stage ST (m + 1).

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭들, 스테이지들 각각의 출력들, 및 게이트 펄스 변조회로로부터 출력되는 게이트 펄스들을 보여주는 파형도이다. 도 7에는 4상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4), 제k 내지 제k+3 스테이지들(ST(k), ST(k+1), ST(k+2), ST(k+3)) 각각의 출력들(ST(k)_out, ST(k+1)_out, ST(k+2)_out, ST(k+3)_out), 및 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 변조된 게이트 펄스들(GP(k), GP(k+1), GP(k+2), GP(k+3))이 나타나 있다. 또한, 도 7에는 제1 라이징 기간(t1), 제2 라이징 기간(t2), 제1 폴링 기간(t3), 제2 폴링 기간(t4)이 나타나 있다. 제1 라이징 기간(t1)은 상기 제m 스테이지(ST(m))로부터 출력된 게이트 펄스와 제m+1 스테이지(ST(m+1))로부터 출력된 게이트 펄스가 중첩되는 기간이다. 제2 라이징 기간(t2)은 제m 스테이지(ST(m))로부터 출력된 게이트 펄스, 제m+1 스테이지(ST(m+1))로부터 출력된 게이트 펄스, 및 제m+2 스테이지(ST(m+2))로부터 출력된 게이트 펄스가 서로 중첩되지 않는 기간이다. 제1 폴링 기간(t3)은 제m+1 스테이지(ST(m+1))로부터 출력된 게이트 펄스와 제m+2 스테이지(ST(m+2))로부터 출력된 게이트 펄스가 중첩되는 기간이다. 제2 폴링 기간(t4)는 제m+1 스테이지(ST(m+1))로부터 게이트 펄스가 폴링된 기간이다.7 is a waveform diagram showing clocks input to the shift register, outputs of respective stages, and gate pulses output from the gate pulse modulation circuit according to the second embodiment of the present invention. (K + 3) -th stage ST k + 1, ST k + 1, ST k + 2, ST k + (K + 3) _out, ST (k + 3) _out) and the gate pulse modulation circuit GPM output from the respective outputs ST (k) _out, ST Modulated gate pulses GP (k), GP (k + 1), GP (k + 2), and GP (k + 3) are shown. 7 shows a first rising period t1, a second rising period t2, a first polling period t3, and a second polling period t4. The first rising period t1 is a period in which the gate pulse output from the m-th stage ST (m) and the gate pulse output from the (m + 1) th stage ST (m + 1) overlap. The second rising period t2 is a period during which the gate pulse output from the m-th stage ST (m), the gate pulse output from the (m + 1) (m + 2)) are not overlapped with each other. The first polling period t3 is a period in which the gate pulse output from the (m + 1) th stage ST (m + 1) and the gate pulse output from the (m + 2) th stage ST . The second polling period t4 is a period during which the gate pulse is polled from the (m + 1) th stage ST (m + 1).

이하에서, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 동작에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the shift register 14 according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

먼저, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 클럭 단자(CLK)에 입력되는 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력 단자(OUT)를 통해 출력한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자(CLK)에는 클럭 라인들(CL1, CL2, CL3, CL4)로부터 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) 중 어느 하나의 클럭이 입력된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 입력된 클럭과 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력 단자(OUT)를 통해 출력한다.First, each of the stages ST (1) to ST (n) outputs a gate pulse having the same pulse as the clock input to the clock terminal CLK through the output terminal OUT. CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 from the clock lines CL1, CL2, CL3, and CL4 to the clock terminals CLK of the stages ST (1) to ST . Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs a gate pulse having the same pulse as the input clock through the output terminal OUT.

두 번째로, 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out), 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out), 및 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)을 참조하여 게이트 펄스 변조회로(GPM)의 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out) 변조를 상세히 설명한다.Second, the output (ST (k + 1) _out) of the kth stage ST (k) (ST (k) _out), the output of the (k + 1) th stage ST 1 stage (ST (k + 1)) of the gate pulse modulation circuit GPM with reference to the output (ST (k + 2) _out) of the (k + 2) ((ST (k + 1) _out) modulation is described in detail.

제1 라이징 기간(t1) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하고, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하며, 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다. 제1 TFT(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)에 의해 턴-온되고, 제2 TFT(T2)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)에 의해 턴-오프된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력 라인은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속된다. 따라서, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력(ST(k+1))은 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되므로, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력이 게이트 하이 전압(VGH)임에도 불구하고, 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승하지 못한다. 즉, 제1 라이징 기간(t1) 동안 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이의 전압 레벨을 갖는다.The output (ST (k) _out) of the k-th stage ST (k) is generated at the gate high voltage VGH during the first rising period t1, (ST (k + 1) _out) of the (k + 2) th stage ST (k + 2) is generated at the gate high voltage VGH, The first TFT T1 is turned on by the output ST (k) _out of the k-th stage ST (k) of the gate high voltage VGH, The second TFT T2 is turned off by the output ST (k + 2) _out of the (k + 2) th stage of the gate low voltage VGL. 1 stage ST (k + 1) is connected to the gate low voltage line (VGL Line) due to the turn-on of the (k + 1) 1) of the (k + 1) -th stage ST (k + 1) is discharged to the gate low voltage VGL, Output from the pulse modulation circuit GPM The (k + 1) -th gate pulse GP (k + 1) output from the gate pulse modulation circuit GPM during the first rising period t1 does not rise to the gate high voltage VGH. The gate pulse GP (k + 1) has a voltage level between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH.

제2 라이징 기간(t2) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하고, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하며, 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다. 제1 TFT(T1)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)에 의해 턴-오프되고, 제2 TFT(T2)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)에 의해 턴-오프된다. 제1 및 제2 TFT(T1, T2)의 턴-오프로 인해, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력 라인은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속되지 않는다. 따라서, 제2 라이징 기간(t2) 동안 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 하이 전압(VGH)의 전압 레벨을 갖는다.The output (ST (k) _out) of the k-th stage ST (k) is generated as the gate-low voltage VGL during the second rising period t2, (ST (k + 1) _out) of the (k + 2) th stage ST (k + 2) is generated at the gate high voltage VGH, The first TFT T1 is turned off by the output ST (k) _out of the k-th stage ST (k) of the gate low voltage VGL, The second TFT T2 is turned off by the output ST (k + 2) _out of the (k + 2) th stage of the gate low voltage VGL. The output line of the (k + 1) th stage ST (k + 1) is not connected to the gate low voltage line (VGL Line) due to the turn-off of the two TFTs T1 and T2. the (k + 1) -th gate pulse GP (k + 1) output from the gate pulse modulation circuit GPM during the period t2 has the voltage level of the gate high voltage VGH.

제1 폴링 기간(t3) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하고, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하며, 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. 제1 TFT(T1)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)에 의해 턴-오프되고, 제2 TFT(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)에 의해 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력 라인은 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 접속된다. 따라서, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력(ST(k+1))은 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되므로, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력이 게이트 하이 전압(VGH)임에도 불구하고, 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승하지 못한다. 즉, 제1 폴링 기간(t3) 동안 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이의 전압 레벨을 갖는다.The output (ST (k) _out) of the k-th stage ST (k) is generated as the gate-low voltage VGL during the first polling period t3, (ST (k + 1) _out) of the (k + 2) th stage ST (k + 2) is generated at the gate high voltage VGH, Gate high voltage VGH. The first TFT T1 is turned off by the output ST (k) _out of the k-th stage ST (k) of the gate low voltage VGL, The second TFT T2 is turned on by the output (ST (k + 2) _out) of the (k + 2) th stage of the gate high voltage VGH. 1 stage ST (k + 1) is connected to the gate low voltage line (VGL Line) due to the turn-on of the (k + 1) 1) of the (k + 1) -th stage ST (k + 1) is discharged to the gate low voltage VGL, The output from the pulse modulation circuit (GPM) The (k + 1) -th gate pulse GP (k + 1) output from the gate pulse modulation circuit GPM during the first polling period t3 does not rise to the gate high voltage VGH. The gate pulse GP (k + 1) has a voltage level between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH.

제2 폴링 기간(t4) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하고, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력((ST(k+1)_out)은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하며, 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)은 게이트 하이 전압(VGH) 또는 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다. 제1 TFT(T1)는 게이트 로우 전압(VGH)의 제k 스테이지(ST(k))의 출력((ST(k)_out)에 의해 턴-오프되고, 제2 TFT(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제k+2 스테이지(ST(k+2))의 출력((ST(k+2)_out)에 의해 턴-온될 수 있다. 하지만, 제2 TFT(T2)의 턴-온과 관계없이 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 출력은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생하므로, 제1 폴링 기간(t3) 동안 게이트 펄스 변조회로(GPM)로부터 출력되는 제k+1 게이트 펄스(GP(k+1))는 게이트 로우 전압(VGL)의 전압 레벨을 갖는다.The output (ST (k) _out) of the k-th stage ST (k) is generated as the gate-low voltage VGL during the second polling period t4, (ST (k + 1) _out) of the (k + 2) th stage ST (k + 2) is generated as the gate low voltage VGL, Gate high voltage VGH or gate low voltage VGL. The first TFT T1 is connected to the output (ST (k) _out) of the kth stage ST (k) of the gate low voltage VGH, And the second TFT T2 is turned off by the output ST (k + 2) _out of the (k + 2) -th stage ST (k + 2) of the gate high voltage VGH. The output of the (k + 1) th stage ST (k + 1) is generated at the gate low voltage VGL regardless of the turn-on of the second TFT T2, 1) th gate pulse GP (k + 1) output from the gate pulse modulation circuit GPM during the period t3 has a voltage level of the gate low voltage VGL.

한편, 제m 게이트 펄스(GPm)의 폴링 에지의 전압을 어느 정도로 낮게 변조하는지는 게이트 로우 전압 라인(VGL Line)에 얼마나 낮은 전압을 인가하느냐에 달려있다. 본 발명의 제2 실시예에서는 게이트 로우 전압(VGL)을 공급하는 게이트 로우 전압 라인(VGL)을 이용하여 제m 게이트 펄스(GPm)의 폴링 에지의 전압을 낮게 변조하는 것을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 본 발명의 제2 실시예에서는 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 소정의 전압을 공급하는 전압 라인을 이용하여 제m 게이트 펄스(GPm)의 폴링 에지의 전압을 낮게 변조할 수 있다.On the other hand, how low the voltage of the poling edge of the m-th gate pulse GPm is modulated depends on how low the voltage is applied to the gate low voltage line VGL line. Although the second embodiment of the present invention has been described mainly on the low modulation of the voltage of the polling edge of the m-th gate pulse GPm using the gate low voltage line VGL for supplying the gate low voltage VGL, It should be noted that it is not limited. That is, in the second embodiment of the present invention, the voltage of the poling edge of the m-th gate pulse GPm can be modulated with a voltage line that supplies a predetermined voltage lower than the gate high voltage VGH.

결국, 본 발명의 제2 실시예는 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력 단자로부터 출력되는 게이트 펄스의 폴링 에지의 전압을 게이트 펄스 변조회로(GPM)를 이용하여 도 8과 같이 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮게 변조함으로써, 수학식 1에서 게이트 펄스(GP)의 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)의 차전압을 줄일 수 있다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예는 킥백 전압을 줄일 수 있다.As a result, in the second embodiment of the present invention, the voltage of the falling edge of the gate pulse outputted from the output terminal of each of the stages ST (1) to ST (n) The gate-high voltage VGH and the gate-low voltage VGL of the gate pulse GP in the equation (1) can be reduced. As a result, the second embodiment of the present invention can reduce the kickback voltage.

또한, 본 발명의 제2 실시예는 인쇄회로보드가 아닌 쉬프트 레지스터(14) 내에 게이트 펄스 변조회로(GPM)를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 GIP 방식으로 게이트 펄스 변조회로(GPM)를 포함한 쉬프트 레지스터(14)를 설계할 수 있으므로, 비용 절감이 가능하다.
Further, the second embodiment of the present invention forms a gate pulse modulation circuit (GPM) in the shift register 14 rather than the printed circuit board. As a result, the present invention can design the shift register 14 including the gate pulse modulation circuit (GPM) by the GIP method, thereby reducing the cost.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 타이밍 콘트롤러
12: 소스 드라이브 IC 13: 레벨 쉬프터
14: 쉬프트 레지스터 15: 인쇄회로보드
10: Display panel 11: Timing controller
12: Source drive IC 13: Level shifter
14: shift register 15: printed circuit board

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 전압 또는 전단 캐리신호에 응답하여 클럭 단자를 통해 입력되는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 3 이상의 자연수)상 클럭들 중 어느 하나와 동일한 펄스를 갖는 게이트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지; 및
상기 게이트 펄스의 폴링 에지의 전압을 게이트 하이 전압보다 낮은 전압으로 변조하여 출력하는 게이트 펄스 변조회로를 포함하고,
상기 게이트 펄스 변조회로는,
게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제1 TFT; 및 게이트 전극은 제m+2 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제2 TFT를 포함하고,
상기 게이트 로우 전압 라인에 인가되는 전압레벨을 바탕으로 상기 게이트펄스의 폴링 에지 전압의 크기를 조절하는 쉬프트 레지스터.
A gate pulse having the same pulse as any one of i (i is a natural number equal to or greater than 3) phase clocks sequentially input through a clock terminal in response to a start voltage or a carry signal inputted through a start terminal is output A plurality of stages; And
And a gate pulse modulation circuit for modulating the voltage of the falling edge of the gate pulse to a voltage lower than the gate high voltage,
Wherein the gate pulse modulation circuit comprises:
A first TFT having a gate electrode connected to an output line of an mth (m is a natural number) stage, a source electrode connected to a gate low voltage line, and a drain electrode connected to an output line of the (m + 1) th stage; And the gate electrode is connected to the output line of the (m + 2) th stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m +
And adjusts the magnitude of the falling edge voltage of the gate pulse based on a voltage level applied to the gate low voltage line.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 게이트 펄스는,
제1 라이징 기간 동안 게이트 로우 전압에서 상기 게이트 하이 전압보다 낮은 전압으로 상승하고, 제2 라이징 기간 동안 상기 게이트 하이 전압으로 상승하며, 제1 폴링 기간 동안 상기 게이트 하이 전압보다 낮은 전압으로 하강하고, 제2 폴링 기간 동안 상기 게이트 로우 전압으로 하강하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 6,
The gate pulse includes
During the first rising period, to a voltage lower than the gate high voltage at the gate low voltage, to the gate high voltage during the second rising period, to a voltage lower than the gate high voltage during the first polling period, 2 &lt; / RTI &gt; polling period.
삭제delete 데이터 라인들과 게이트 라인들이 형성된 표시패널;
입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 데이터 라인들에 동기되는 게이트 펄스를 상기 게이트 라인들에 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로를 구비하고,
상기 게이트 구동회로는,
게이트 전극은 제m(m은 자연수) 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제1 TFT; 및 게이트 전극은 제m+2 스테이지의 출력 라인에 접속되고, 소스 전극은 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제m+1 스테이지의 출력 라인에 접속되는 제2 TFT를 포함하고,
상기 게이트 로우 전압 라인에 인가되는 전압레벨을 바탕으로 상기 게이트펄스의 폴링 에지 전압의 크기를 조절하는 표시장치.
A display panel on which data lines and gate lines are formed;
A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And
And a gate driving circuit for sequentially outputting gate pulses synchronized with the data lines to the gate lines,
The gate drive circuit includes:
A first TFT having a gate electrode connected to an output line of an mth (m is a natural number) stage, a source electrode connected to a gate low voltage line, and a drain electrode connected to an output line of the (m + 1) th stage; And the gate electrode is connected to the output line of the (m + 2) th stage, the source electrode is connected to the gate low voltage line, and the drain electrode is connected to the output line of the (m +
And adjusts a magnitude of a falling edge voltage of the gate pulse based on a voltage level applied to the gate low voltage line.
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