KR101866448B1 - 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템 - Google Patents

포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101866448B1
KR101866448B1 KR1020110011926A KR20110011926A KR101866448B1 KR 101866448 B1 KR101866448 B1 KR 101866448B1 KR 1020110011926 A KR1020110011926 A KR 1020110011926A KR 20110011926 A KR20110011926 A KR 20110011926A KR 101866448 B1 KR101866448 B1 KR 101866448B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
actual
patterns
force
pattern
magnitude
Prior art date
Application number
KR1020110011926A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120091866A (ko
Inventor
이미경
최성운
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020110011926A priority Critical patent/KR101866448B1/ko
Priority to US13/281,787 priority patent/US8484584B2/en
Publication of KR20120091866A publication Critical patent/KR20120091866A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101866448B1 publication Critical patent/KR101866448B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은, 실제 패턴의 불량을 방지할 수 있는 포토마스크 형성방법을 제공한다. 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성방법은, 설계 패턴들을 제공하는 단계; 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계; 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계; 및 산출된 힘들을 기준으로, 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계;를 포함한다.

Description

포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템{Method of manufacturing photomask using the same, computer readable media including a sequence of programmed instructions stored thereon for implementing the same and mask imaging system}
본 발명은 포토마스크 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 미세 패턴의 정밀한 형성을 위한 표면 장력에 기초한 외력에 의한 패턴 붕괴를 방지할 수 있는 포토마스크 형성 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피 기술의 발전으로 인하여 집적 회로의 스케일 축소는 가속화되고 있다. 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 크기는 작아지고 있으며, 이에 따라 광의 회절 및 간섭 현상을 보정하는 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC)을 수행하는 것이 일반적이다. 그러나, 실제 패턴을 형성하는 과정에서, 광 근접 보정으로 예측하지 못하는 실제 패턴의 불량이 발생하는 경우가 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는, 실제 패턴의 불량을 방지할 수 있는 포토마스크의 형성 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 포토마스크의 형성 방법을 수행하는 프로그램된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상기 포토마스크의 형성 방법을 수행하는 마스크 이미징 시스템을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 포토마스크의 형성 방법은, 설계 패턴들을 제공하는 단계; 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계; 상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계; 및 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 실제 패턴들에 관련된 상기 힘들을 산출하는 단계는, 상기 실제 패턴들에 내재된 제1 힘을 산출하는 단계; 및 상기 실제 패턴들에 외부로부터 작용되는 제2 힘을 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기를 비교하여 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기를 비교하여 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 큰 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계; 및 상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 작은 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제1 비율 이하인 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계; 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제2 비율 이상인 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계; 및 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 상기 제1 비율과 상기 제2 비율 사이인 경우에는 상기 실제 패턴들을 경고 대상 실제 패턴으로 분류하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 비율은 80% 내지 90%의 범위이고, 상기 제2 비율은 100% 또는 그 이상일 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 힘은 상기 실제 패턴들의 탄성력에 비례할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 실제 패턴들의 상기 탄성력은 상기 실제 패턴들의 폭과 높이에 관련될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 힘은 상기 실제 패턴들 사이에 충전되는 충전 물질의 특성에 의존할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 충전 물질은 포토레지스트 현상액 또는 세정액을 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 힘은 상기 실제 패턴들에 작용하고 상기 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 표면 장력에 기초한 외력은 온도에 의존하여 변화할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 힘은 하기의 관계를 가질 수 있다.
Figure 112011009600045-pat00001
(여기에서, F2는 제2 힘, γ는 표면 장력, θ는 접촉 각도, S는 상기 실제 패턴 사이의 거리, H는 상기 실제 패턴의 높이, L은 상기 실제 패턴의 길이임)
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 실제 패턴들은 포토레지스트 패턴, 하드 마스크 패턴, 에어리얼 이미지 에뮬레이팅 패턴 또는 소자 패턴 중에 하나일 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계를 수행한 후에, 상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 포토마스크의 형성 방법은, 설계 패턴들을 제공하는 단계; 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계; 상기 실제 패턴들에서 평가 대상 실제 패턴을 선택하는 단계; 상기 평가 대상 실제 패턴에 인접한 인접 실제 패턴들을 선택하는 단계; 상기 인접 실제 패턴들을 기준으로 상기 평가 대상 실제 패턴을 구획하는 단계; 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각에 상응하는 상기 인접 실제 패턴들에 의하여 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들에 작용되는 작용력들을 산출하는 단계; 및 상기 평가 대상 실제 패턴에 내재된 힘과 상기 작용력들을 비교하여, 상기 평가 대상 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 작용력들을 산출하는 단계는, 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각에 대한 평가 지점들을 선택하는 단계; 및 상기 평가 지점들 각각에서 상기 작용력들을 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 평가 지점들 각각은 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각의 중앙에 위치할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 포토마스크의 형성 방법은, 포토 마스크를 이용하여 형성한 실제 패턴들이 현상 공정이나 세정 공정에서 사용되는 현상액 또는 세정액에 기인하는 표면 장력에 기초한 외력에 의하여 붕괴되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 신뢰성있는 실제 패턴을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 개략적으로 도시한다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위하여, 실제 패턴들에 관련된 힘을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 포토마스크 형성 방법의 단계들을 설명하는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 포토마스크 형성 방법의 단계들을 설명하는 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위하여, 실제 패턴들에 관련된 힘을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 12의 실제 패턴들을 보정한 보정 실제 패턴들을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 수행하는 이미징 시스템을 도시하는 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법은, 설계 패턴들(20, 도 2 참조)을 제공하는 단계(S1), 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들(40, 도 2 참조)을 형성하는 단계(S2), 상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계(S3), 및 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴(collapse) 여부를 평가하는 단계(S4)를 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계(S4)를 수행한 후에, 상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계(S5)를 더 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 개략적으로 도시한다.
도 2를 참조하면, 포토마스크(10)는 설계 패턴들(20)을 포함한다. 설계 패턴들(20)을 이용하여 대상물(30) 상에 실제 패턴들(40)을 형성한다.
포토마스크(10)는 석영 등을 포함할 수 있다. 설계 패턴들(20)은 포토마스크(10) 상에 형성된 패턴들로서 크롬과 같은 금속을 포함할 수 있으며, 실제 패턴들(40)의 수 배 크기로 형성될 수 있다,
실제 패턴들(40)은 포토레지스트 패턴, 하드 마스크 패턴, 에어리얼 이미지 에뮬레이팅 패턴(aerial image emulating pattern), 또는 소자 패턴 중에 하나일 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴은 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 포토레지스트 물질을 이용하여 형성한 패턴일 수 있다. 상기 하드 마스크 패턴은 다양한 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 에어리얼 이미지 에뮬레이팅 패턴은 포토레지스트 상에 만들어진 이미지를 일반적으로 지칭한다. 상기 에어리얼 이미지 에뮬레이팅 패턴은 에어리얼 이미지 에뮬레이터에 의하여 형성한 패턴으로서 노광 공정을 수행하지 않고 형성된다. 이러한 에어리얼 이미지 에뮬레이터는 예를 들어 칼 자이스(Carl Zeiss)사의 AIMS(Aerial Image Measurement System) 장비 또는 마스크 검사 장비(mask inspection tool) 등이 있다. 상기 소자 패턴은 실리콘 등과 같은 기판 상에 형성되는 트랜지스터, 캐패시터, 배선 등을 포함할 수 있다. 또한, 설계 패턴들(20) 및/또는 실제 패턴들(40)의 형상은, 예를 들어 라인 형상일 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 설계 패턴들(20) 및/또는 실제 패턴들(40)은, 예를 들어 삼각형, 직사각형, 정사각형, 평행사변형, 마름모, 사다리꼴, 반원형, 원형, 및 타원형 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 대상물(30)은 실리콘 등과 같은 기판일 수 있다.
도 3을 참조하면, 도 2에 형성된 실제 패턴들(40)이 붕괴되는 것으로 평가되는 경우, 이러한 붕괴를 방지하도록 설계 패턴들(20)을 보정하는 것을 개략적으로 도시한다. 예를 들어, 보조 설계 패턴(20a)을 추가하여 보조 실제 패턴(40a)을 형성하거나, 폭을 변경된 설계 패턴(20b)을 설계하여, 폭이 변경된 실제 패턴(40b)을 형성한다. 도 3에서는 패턴의 폭을 증가시킨 경우가 도시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 폭을 감소시키거나 불균일하게 변경하는 경우도 가능하다. 또한, 실제 패턴들(40)의 붕괴를 방지하는 다양한 다른 방법들도 본 발명의 기술적 사상에 포함됨을 이해할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위하여, 실제 패턴들에 관련된 힘을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 실제 패턴들(40)이 형성되어 있고, 실제 패턴들(40) 사이에 충전(充塡) 물질(50)이 충전되어 있다. 충전 물질(50)은 액체일 수 있고, 예를 들어 포토레지스트 현상액 또는 세정액일 수 있다. 충전 물질(50)은 실제 패턴들(40) 사이에서 접촉각도(θ)를 가지고 충전될 수 있다. 충전 물질(50)은 표면 장력을 가질 수 있고, 상기 표면 장력에 의하여 실제 패턴들(40)을 끌어당기는 표면 장력에 기초한 외력을 발생시킬 수 있다. 이러한 표면 장력은 온도에 따라 변화할 수 있고, 이에 따라 상기 표면 장력에 기초한 외력도 온도에 따라 변화할 수 있다. 통상적으로 온도가 증가하면, 충전 물질(50)의 표면 장력은 감소할 수 있다. 예를 들어, 물은 0℃에서 75.64 mN/m, 25℃에서 71.97 mN/m, 50℃에서 67.91 mN/m, 100℃에서 58.85 mN/m 일 수 있다. 또한, 표면 장력은 수은(487 mN/m, 15℃), 물(71.97, 25℃), 아세톤(23.7 mN/m, 20℃) 에탄올(22.27 mN/m, 15℃) 순으로 표면 장력은 감소된다. 또한, 비누나 합성 세제와 같은 계면활성제는 물에 녹아서 물의 표면 장력을 감소시킨다. 표면장력이 클수록 분자 간의 인력이 강하기 때문에 증발하는 데 많은 시간이 걸린다.
실제 패턴들(40)은 내재된 힘, 예를 들어 탄성력(F1)을 가질 수 있다. 또한, 실제 패턴들(40)에는 외부로부터 작용되는 힘, 예를 들어 충전 물질(50)에 의한 표면 장력에 기초한 외력(F2)이 존재할 수 있다. 외력(F2)은 실제 패턴들(40)을 끌어당기는 인력일 수 있다. 이러한 탄성력(F1)과 표면 장력에 기초한 외력(F2)의 합력에 의하여, 실제 패턴들(40)의 붕괴 여부를 판단할 수 있다.
실제 패턴들(40) 중에 최외측에 위치하는 실제 패턴(42)에 작용하는 힘들을 고려하기로 한다. 실제 패턴(42)은 탄성력(F1)을 가진다. 탄성력(F1)은 실제 패턴(42)의 폭(W)과 관련될 수 있고, 실제 패턴(42)의 폭(W)이 증가될수록 탄성력(F1)이 증가될 수 있다. 또한, 실제 패턴(42)과 그에 인접한 실제 패턴(44) 사이의 충전 물질(50)로부터 표면 장력에 기초한 외력(F2)이 발생한다. 탄성력(F1)과 표면 장력에 기초한 외력(F2)의 합력에 의하여, 실제 패턴(42)의 붕괴 여부를 판단할 수 있다.
이어서, 실제 패턴들(40) 사이에 위치하는, 즉 실제 패턴(42)과 실제 패턴(46) 사이에 위치하는 실제 패턴(44)에 작용하는 힘들을 고려하기로 한다. 실제 패턴(44)은 탄성력(F1a)을 가진다. 탄성력(F1a)은 상술한 탄성력(F1)과 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 실제 패턴(44)과 그에 인접한 실제 패턴(42) 사이의 충전 물질(50)로부터 표면 장력에 기초한 외력(F2a)이 발생한다. 또한, 실제 패턴(44)과 그에 인접한 실제 패턴(46) 사이의 충전 물질(50)로부터 표면 장력에 기초한 외력(F2b)이 발생한다. 이에 따라, 탄성력(F1a), 표면 장력에 기초한 외력(F2a), 및 표면 장력에 기초한 외력(F2b)의 합력에 의하여, 실제 패턴(44)의 붕괴 여부를 판단할 수 있다. 표면 장력에 기초한 외력(F2a)과 표면 장력에 기초한 외력(F2b)이 서로 방향이 반대이므로 서로 일정 크기로 상쇄될 수 있고, 실제 패턴(44)은 실제 패턴(42)에 비하여 붕괴될 우려가 낮을 수 있다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 포토마스크 형성 방법의 단계들을 설명하는 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계(S3)는, 상기 실제 패턴들에 내재된 제1 힘을 산출하는 단계(S32), 및 상기 실제 패턴들에 외부로부터 작용되는 제2 힘을 산출하는 단계(S34)를 포함할 수 있다.
상기 제1 힘은, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 실제 패턴들(40)의 탄성력이거나 상기 탄성력에 비례할 수 있다. 또한, 상기 탄성력은 상기 실제 패턴들(40)의 폭(W)과 높이(H)에 관련될 수 있다.
상기 제2 힘은, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 실제 패턴들(40) 사이에 충전되는 충전 물질(50)의 특성에 의존할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 힘은 상기 실제 패턴들에 작용하고 상기 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 상기 표면 장력에 기초한 외력은 온도에 의존하여 변화할 수 있다. 상기 제2 힘은 하기의 수학식 1의 관계를 가질 수 있다.
Figure 112011009600045-pat00002
(여기에서, F2는 제2 힘, γ는 표면 장력, θ는 접촉 각도, S는 상기 실제 패턴 사이의 거리, H는 상기 실제 패턴의 높이, L은 상기 실제 패턴의 길이임)
도 6을 참조하면, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계(S4)는 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기를 비교하여 상기 실제 패턴을 분류하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 힘의 크기에 비하여 상기 제2 힘의 크기가 큰 경우에는 상기 실제 패턴이 붕괴될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기를 비교하여 상기 실제 패턴을 분류하는 단계(S40)는, 상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 큰 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계(S41) 및 상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 작은 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계(S42)를 포함한다.
상기 안전 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들은 상기 표면 장력에 기초한 외력 등에 대하여 붕괴 위험이 낮은 패턴들을 의미할 수 있다. 상기 안전 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들에 대하여는 해당되는 설계 패턴을 보정하지 않을 수 있다. 상기 붕괴 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들은 상기 표면 장력에 기초한 외력 등에 대하여 붕괴 위험이 높은 패턴들을 의미할 수 있다. 상기 붕괴 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들에 대하여는 해당되는 설계 패턴을 보정할 수 있다.
도 8를 참조하면, 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계(S4)는, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계(S40a)을 포함할 수 있다.
도 9을 참조하면, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계(S40a)는, 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제1 비율 이하인 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계(S43), 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제2 비율 이상인 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계(S44), 및 상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 상기 제1 비율과 상기 제2 비율 사이인 경우에는 상기 실제 패턴들을 경고 대상 실제 패턴으로 분류하는 단계(S45)을 포함할 수 있다.
상기 제1 비율은, 예를 들어 80% 내지 90%의 범위일 수 있고, 상기 제2 비율은, 예를 들어 100%(즉, 상기 제1 힘과 상기 제2 힘의 동일한 크기임) 또는 그 이상일 수 있다. 상기 제1 비율과 상기 제2 비율의 범위는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 안전 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들은 상기 표면 장력에 기초한 외력 등에 대하여 붕괴 위험이 낮은 패턴들을 의미할 수 있다. 상기 안전 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들에 대하여는 해당되는 설계 패턴을 보정하지 않을 수 있다. 상기 붕괴 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들은 상기 표면 장력에 기초한 외력 등에 대하여 붕괴 위험이 높은 패턴들을 의미할 수 있다. 상기 붕괴 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들에 대하여는 해당되는 설계 패턴을 보정할 수 있다. 상기 경고 대상 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들은 상기 표면 장력에 기초한 외력 등에 대하여 붕괴 위험이 상기 안전 실제 패턴과 상기 붕괴 실제 패턴 사이에 있는 패턴들을 의미할 수 있다. 상기 경고 대상 실제 패턴으로 분류된 실제 패턴들에 대하여는 해당되는 설계 패턴을 보정하지 않을 수 있으나, 검토하지 않은 다른 외력 등에 의하여 붕괴를 방지하기 위하여 보정할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 포토마스크 형성 방법의 단계들을 설명하는 흐름도이다. 도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위하여, 실제 패턴들에 관련된 힘을 개념적으로 도시한 도면이다. 도 13은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 12의 실제 패턴들을 보정한 보정 실제 패턴들을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하여 설명한 실시예와 비교하면, 본 실시예에서는 선택된 실제 패턴의 주위에 형성되는 인접 패턴이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서, 상술한 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법은, 설계 패턴들을 제공하는 단계(S100), 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계(S110), 상기 실제 패턴들에서 평가 대상 실제 패턴을 선택하는 단계(S120), 상기 평가 대상 실제 패턴에 인접한 인접 실제 패턴들을 선택하는 단계(S130), 상기 인접 실제 패턴들을 기준으로 상기 평가 대상 실제 패턴을 구획하는 단계(S140), 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각에 상응하는 상기 인접 실제 패턴들에 의하여 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들에 작용되는 작용력들을 산출하는 단계(S150), 및 상기 평가 대상 실제 패턴에 내재된 힘과 상기 작용력들을 비교하여, 상기 평가 대상 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계(S160)를 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 상기 평가 대상 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계(S160)를 수행한 후에, 상기 평가 대상 실제 패턴의 붕괴를 방지하도록 상기 평가 대상 설계 패턴을 보정하는 단계(S170)를 더 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 평가 대상 실제 패턴에 내재된 힘은 상술한 바와 같은 탄성력에 상응할 수 있고, 상기 작용력들은 상기 표면 장력에 기초한 외력에 상응할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 작용력들을 산출하는 단계(S150)는, 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각에 대한 평가 지점들을 선택하는 단계(S152), 및 상기 평가 지점들 각각에서 상기 작용력들을 산출하는 단계(S154)를 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 평가 지점들 각각은 상기 구획된 평가 대상 실제 패턴들 각각의 중앙에 위치할 수 있다. 그러나, 상기 평가 지점들의 위치는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
도 12를 참조하면, 평가 대상 실제 패턴(400)의 주위에 복수의 인접 실제 패턴들(410, 420, 430, 440)이 도시되어 있다. 평가 대상 실제 패턴(400)은 상술한 단계(S120)에 의하여 선택될 수 있고, 인접 실제 패턴들(410, 420, 430, 440)은 상술한 단계(S130)에 의하여 선택될 수 있다. 또한, 평가 대상 실제 패턴(400)은 임의로 선택된 것으로서 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 인접 실제 패턴들(410, 420, 430, 440)도 평가 대상 실제 패턴으로서 선택될 수 있다.
평가 대상 실제 패턴(400)은 인접 실제 패턴들(410, 420, 430, 440)을 기준으로 구획될 수 있다. 이와 같이 구획된 영역은 제1 영역(I), 제2 영역(II), 및 제3 영역(III)으로 나타낼 수 있다.
제1 영역(I)에서는, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)은 제1 인접 실제 패턴(410)에 대하여 제1 작용력(F10)이 발생할 수 있다. 또한, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)은 제2 인접 실제 패턴(420)의 일부에 대하여, 즉 제1 영역(I)에 포함되는 제2 인접 실제 패턴(420)의 제1 부분(422)에 대하여 제2 작용력(F20)이 발생할 수 있다. 제1 작용력(F10)과 제2 작용력(F20)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)에 전체적으로 균일하게 작용될 수 있다. 또는, 제1 작용력(F10)과 제2 작용력(F20)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)의 제1 평가 지점(P1)에 작용하는 것으로 설정할 수 있다. 제1 평가 지점(P1)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)의 중앙에 위치할 수 있다. 제1 작용력(F10)과 제2 작용력(F20)은 상술한 제2 힘일 수 있다. 제1 작용력(F10)과 제2 작용력(F20)은 서로 반대 방향으로 작용할 수 있다. 제1 작용력(F10)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)과 제1 인접 실제 패턴(410) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제2 작용력(F20)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)과 제2 인접 실제 패턴(420)의 제1 부분(422) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제1 작용력(F10)과 제2 작용력(F20)은 상기 수학식 1에 의하여 산출될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)과 제1 인접 실제 패턴(410) 사이의 거리가 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)과 제2 인접 실제 패턴(420)의 제1 부분(422) 사이의 거리에 비하여 작으므로, 제1 작용력(F10)이 제2 작용력(F20)에 비하여 클 수 있다. 제1 인접 실제 패턴(410)에 의하여 차단되므로, 평가 대상 실제 패턴(400)의 제1 부분(402)과 제3 인접 실제 패턴(430)의 제1 부분(432) 사이에는 작용력이 발생하지 않는 것으로 고려할 수 있다.
제2 영역(II)에서는, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)은 제3 인접 실제 패턴(430)의 일부에 대하여, 제2 영역(II)에 포함되는 제3 인접 실제 패턴(430)의 제2 부분(432)에 대하여 제3 작용력(F30)이 발생할 수 있다. 또한, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)은 제2 인접 실제 패턴(420)의 일부에 대하여, 즉 제2 영역(II)에 포함되는 제2 인접 실제 패턴(420)의 제2 부분(424)에 대하여 제4 작용력(F40)이 발생할 수 있다. 제3 작용력(F30)과 제4 작용력(F40)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)에 전체적으로 균일하게 작용될 수 있다. 또는, 제3 작용력(F30)과 제4 작용력(F40)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)의 제2 평가 지점(P2)에 작용하는 것으로 설정할 수 있다. 제2 평가 지점(P2)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)의 중앙에 위치할 수 있다. 제3 작용력(F30)과 제4 작용력(F40)은 상술한 제2 힘일 수 있다. 제3 작용력(F30)과 제4 작용력(F40)은 서로 반대 방향으로 작용할 수 있다. 제3 작용력(F30)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)과 제3 인접 실제 패턴(430)의 제2 부분(432) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제4 작용력(F40)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제2 부분(404)과 제2 인접 실제 패턴(420)의 제2 부분(424) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제3 작용력(F30)과 제4 작용력(F40)은 상기 수학식 1에 의하여 산출될 수 있다.
제3 영역(III)에서는, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)은 제3 인접 실제 패턴(430)의 일부에 대하여, 즉 제3 인접 실제 패턴(430)의 제3 부분(436)에 대하여 제5 작용력(F50)이 발생할 수 있다. 또한, 구획된 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)은 제4 인접 실제 패턴(440)에 대하여 제6 작용력(F60)이 발생할 수 있다. 제5 작용력(F50)과 제6 작용력(F60)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)에 전체적으로 균일하게 작용될 수 있다. 또는, 제5 작용력(F50)과 제6 작용력(F60)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)의 제3 평가 지점(P3)에 작용하는 것으로 설정할 수 있다. 제3 평가 지점(P3)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)의 중앙에 위치할 수 있다. 제5 작용력(F50)과 제6 작용력(F60)은 상술한 제2 힘일 수 있다. 제5 작용력(F50)과 제6 작용력(F60)은 서로 반대 방향으로 작용할 수 있다. 제5 작용력(F50)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)과 제3 인접 실제 패턴(430)의 제3 부분(436) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제6 작용력(F60)은 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)과 제4 인접 실제 패턴(440) 사이를 충전하는 충전 물질에 의한 표면 장력에 기초한 외력일 수 있다. 제5 작용력(F50)과 제6 작용력(F60)은 상기 수학식 1에 의하여 산출될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)과 제4 인접 실제 패턴 사이의 거리가 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)과 제3 인접 실제 패턴(430)의 제3 부분(436) 사이의 거리에 비하여 작으므로, 제6 작용력(F60)이 제5 작용력(F50)에 비하여 클 수 있다. 제4 인접 실제 패턴(430)에 의하여 차단되므로, 평가 대상 실제 패턴(400)의 제3 부분(406)과 제2 인접 실제 패턴(420)의 제3 부분(436) 사이에는 작용력이 발생하지 않는 것으로 고려할 수 있다.
이어서, 제1 내지 제6 작용력(F10, F20, F30, F40, F50, F60)을 합산하면, 평가 대상 실제 패턴(400)에 발생하는 전체 작용력을 산출할 수 있다. 상기 전체 작용력과 평가 대상 실제 패턴(400)에 내재된 힘, 예를 들어 탄성력을 비교하여, 상술한 바와 같이 평가 대상 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가한다.
이어서, 다른 실제 패턴을 평가 대상 실제 패턴으로 설정하여, 상술한 단계들을 반복적으로 수행한다. 모든 실제 패턴에 대하여 상술한 단계들을 수행하는 것이 바람직하다. 그러나, 이는 예시적이며 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 평가 결과를 데이터 베이스로서 구축할 수 있다.
이어서, 평가 대상 실제 패턴(400)의 붕괴를 방지하도록 평가 대상 실제 패턴(400)에 상응하는 설계 패턴을 보정할 수 있다.
도 13을 참조하면, 보정 실재 패턴들이 도시되어 있다. 보정의 일 예로서, 표면장력에 기인하는 작용력(도면에서는 제 6 작용력(60))이 상쇄되도록, 상기 작용력의 방향과 반대되는 위치에 보조 패턴(450)을 추가적으로 형성할 수 있다. 또는, 보정의 다른 예로서, 평가 대상 실제 패턴(400)의 적어도 일부 영역의 두께를 증가시킨 영역(460)을 형성함으로써, 평가 대상 실제 패턴(400)의 탄성력을 증가시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 사상은 이러한 보정 방법에 한정되는 것은 아니며, 평가 대상 실제 패턴(400)의 붕괴를 방지하는 다양한 다른 방법들도 본 발명의 기술적 사상에 포함됨을 이해할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 수행한 후에, 상기 포토 마스크에 대한 광 근접 보정을 수행할 수 있다. 이러한 광 근접 보정은 모든 칩(full-chip)에 대해 단 하나의 모델을 적용하는 모델-기초(model-based) 광 근접 보정이거나 한 가지 종류의 룰(rule)을 적용하는 룰-기초(rule-based) 광 근접 보정일 수 있다. 또한, 상기 광 근접 보정을 먼저 수행한 후 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 수행하는 것도 본 발명의 기술적 사상에 포함됨을 이해할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 수행하는 이미징 시스템(1000)을 도시하는 개략도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 포토마스크 형성 방법을 수행하기 컴퓨터 시스템(1300)은 일반적인 목적으로 사용되는 워크스테이션일 수 있다. 컴퓨터 시스템(1300)은 단독형(stand alone) 또는 네트워크 형일 수 있으며, 연산을 위한 싱글 또는 멀티 프로세서를 포함할 수 있으며, 병렬 처리 컴퓨터 시스템일 수 있다.
컴퓨터 시스템(1300)은 프로그램 저장 매체(1100), 예를 들면 컴팩트 디스크(CD), 디지털 비디오 디스크(DVD)에 기록되어 있거나, 인터넷과 같은 유무선 통신망을 통하여 전달되는 실행 가능한 일련의 명령을 수행한다. 컴퓨터 시스템(1300)은 상술한 설계 패턴들에 관한 정보를 저장하는 파일 저장소(1200), 예를 들면, 데이터베이스 또는 다른 저장 매체로부터 설계 패턴 또는 포토마스크 레이아웃에 관한 정보가 담긴 파일을 제공받아 이를 독출하는 명령을 수행한다. 컴퓨터 시스템(1300)은 설계 패턴에 대하여 본 발명의 일부 실시예들에 따른 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계 및/또는 상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계를 수행한 후, 상기 처리에 관한 정보가 담긴 파일을 생성한다. 이어서, 포토마스크 레이아웃은 마스크 기록 장치(1400)에 전달되고, 이에 의해 포토마스크가 제조된다.
시스템(1000)은 설계 패턴들을 제공하는 제공 메커니즘, 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 형성 메커니즘, 상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 산출 메커니즘, 및 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 평가 메커니즘을 포함할 수 있다. 또한, 선택적으로(optionally), 시스템(1000)은 상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 보정 메커니즘을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 기술적 사상은 또한 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 판독 가능한 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장장치를 포함한다. 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, DVD, 자기 테이프, 플로피디스크, 광데이터 저장장치, 플래시 메모리 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터에서 판독 가능한 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 여기서, 저장 매체에 저장되는 프로그램 또는 코드라 함은 특정한 결과를 얻기 위하여 컴퓨터 등이 정보처리능력을 갖는 장치 내에서 직접적 또는 간접적으로 사용되는 일련의 지시 명령으로 표현된 것을 의미한다. 따라서, 컴퓨터라는 용어도 실제 사용되는 명칭에 여하를 불구하고 메모리, 입출력장치, 연산장치를 구비하여 프로그램에 의하여 특정의 기능을 수행하기 위한 정보처리능력을 가진 모든 장치를 총괄하는 의미로 사용된다.
상기 저장 매체는, 설계 패턴들을 제공하는 단계, 상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계, 상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계, 및 상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴(collapse) 여부를 평가하는 단계를 포함하는 포토마스크 형성방법을 컴퓨터에서 수행시킬 때, 상기 각 단계들을 수행하도록 하는 프로그래밍된 명령을 저장할 수 있다. 또한, 선택적으로(optionally), 상기 저장 매체는 상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계를 수행하도록 하는 프로그래밍된 명령을 더 저장 할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
10: 포토마스크, 20: 설계 패턴, 30: 대상물,
40, 42, 44, 46: 실제 패턴, 50: 충전 물질
400: 평가 대상 실제 패턴,
410, 420, 430, 440: 인접 실제 패턴, 450: 보조 패턴

Claims (10)

  1. 설계 패턴들을 제공하는 단계;
    상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계; 및
    상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴(collapse) 여부를 평가하는 단계; 및
    상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 실제 패턴들에 관련된 상기 힘들을 산출하는 단계는,
    상기 실제 패턴들에 내재된 제1 힘을 산출하는 단계; 및
    상기 실제 패턴들에 외부로부터 작용되는 제2 힘을 산출하는 단계;를 포함하고,
    상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 큰 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계; 및
    상기 제1 힘의 크기가 상기 제2 힘의 크기에 비하여 작은 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계;
    를 포함하고
    상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계는 상기 붕괴 실제 패턴에 작용하는 상기 제2 힘을 감소시키도록 보조 설계 패턴을 추가하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 형성방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 설계 패턴들을 제공하는 단계;
    상기 설계 패턴들을 이용하여 실제 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 실제 패턴들에 관련된 힘들을 산출하는 단계; 및
    상기 산출된 힘들을 기준으로, 상기 실제 패턴들의 붕괴(collapse) 여부를 평가하는 단계; 및
    상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 실제 패턴들에 관련된 상기 힘들을 산출하는 단계는,
    상기 실제 패턴들에 내재된 제1 힘을 산출하는 단계; 및
    상기 실제 패턴들에 외부로부터 작용되는 제2 힘을 산출하는 단계;를 포함하고,
    상기 실제 패턴들의 붕괴 여부를 평가하는 단계는, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계;
    를 포함하고
    상기 실제 패턴들의 붕괴를 방지하도록 상기 설계 패턴을 보정하는 단계는 붕괴하는 것으로 평가된 상기 실제 패턴에 작용하는 상기 제2 힘을 감소 시키도록 보조 설계 패턴을 추가하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 힘의 크기와 상기 제2 힘의 크기의 비율에 따라 상기 실제 패턴들을 분류하는 단계는,
    상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제1 비율 이하인 경우에는 상기 실제 패턴들을 안전 실제 패턴으로 분류하는 단계;
    상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 제2 비율 이상인 경우에는 상기 실제 패턴들을 붕괴 실제 패턴으로 분류하는 단계; 및
    상기 제1 힘의 크기에 대한 상기 제2 힘의 크기의 비율이 상기 제1 비율과 상기 제2 비율의 사이인 경우에는 상기 실제 패턴들을 경고 대상 실제 패턴으로 분류하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 형성방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020110011926A 2011-02-10 2011-02-10 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템 KR101866448B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110011926A KR101866448B1 (ko) 2011-02-10 2011-02-10 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템
US13/281,787 US8484584B2 (en) 2011-02-10 2011-10-26 Systems, methods and computer program products for forming photomasks with reduced likelihood of feature collapse, and photomasks so formed

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110011926A KR101866448B1 (ko) 2011-02-10 2011-02-10 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120091866A KR20120091866A (ko) 2012-08-20
KR101866448B1 true KR101866448B1 (ko) 2018-06-11

Family

ID=46637893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110011926A KR101866448B1 (ko) 2011-02-10 2011-02-10 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8484584B2 (ko)
KR (1) KR101866448B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130081528A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 이를 이용한 증착 설비

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010434B2 (en) 2003-04-16 2006-03-07 Sony Corporation Complementary division condition determining method and program and complementary division method

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040029395A1 (en) 2002-08-12 2004-02-12 Peng Zhang Process solutions containing acetylenic diol surfactants
US7521405B2 (en) 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7444616B2 (en) * 1999-05-20 2008-10-28 Micronic Laser Systems Ab Method for error reduction in lithography
US6855467B2 (en) * 2000-09-05 2005-02-15 Hoya Corporation Transfer mask, method of dividing pattern or transfer mask, and method of manufacturing transfer mask
US6847433B2 (en) * 2001-06-01 2005-01-25 Agere Systems, Inc. Holder, system, and process for improving overlay in lithography
US7504182B2 (en) * 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
JP4342783B2 (ja) * 2002-09-24 2009-10-14 株式会社ルネサステクノロジ マスクデータ加工装置
US7296249B2 (en) * 2003-10-10 2007-11-13 Thomas Hans Rinderknecht Using constrained scan cells to test integrated circuits
KR100567622B1 (ko) * 2003-12-29 2006-04-04 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 선폭 측정 방법 및 장치
JP2005217070A (ja) 2004-01-28 2005-08-11 Renesas Technology Corp パターン倒れ測定方法
JP4550453B2 (ja) * 2004-03-23 2010-09-22 株式会社東芝 工程管理システム、及び工程管理方法
JP2005309140A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Toshiba Corp フォトマスク製造方法、フォトマスク欠陥修正箇所判定方法、及びフォトマスク欠陥修正箇所判定装置
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101379435A (zh) * 2004-06-03 2009-03-04 得克萨斯州大学系统董事会 用于改进显微蚀刻的对齐和覆盖的系统和方法
JP2006078763A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujitsu Ltd 露光用マスクの製造方法
US7171637B2 (en) * 2005-01-14 2007-01-30 Intel Corporation Translation generation for a mask pattern
KR20060103651A (ko) * 2005-03-28 2006-10-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 포토레지스트 패턴 형성 방법
US7572572B2 (en) * 2005-09-01 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming arrays of small, closely spaced features
CN101305320B (zh) * 2005-09-09 2012-07-04 Asml荷兰有限公司 采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法
US7549141B2 (en) * 2005-09-12 2009-06-16 Asahi Glass Company, Ltd. Photomask, photomask manufacturing method, and photomask processing device
JP2007213269A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Toshiba Corp 応力解析方法、配線構造設計方法、プログラム及び半導体装置の製造方法
JP2008028037A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
KR20080092548A (ko) * 2007-04-12 2008-10-16 주식회사 하이닉스반도체 인접 패턴의 영향을 고려한 보조 패턴 생성 방법
KR101296290B1 (ko) * 2007-12-07 2013-08-14 삼성전자주식회사 패턴 면적 측정에 기반한 ｍｔｔ 측정방법 및 이를 이용한포토마스크 교정방법
JP5193582B2 (ja) * 2007-12-12 2013-05-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR101077453B1 (ko) * 2009-03-31 2011-10-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US8279409B1 (en) * 2009-08-05 2012-10-02 Cadence Design Systems, Inc. System and method for calibrating a lithography model
JP5201761B2 (ja) 2010-03-26 2013-06-05 Ｈｏｙａ株式会社 現像処理評価方法
US8533638B2 (en) * 2011-04-05 2013-09-10 Nanya Technology Corporation Post-optical proximity correction photoresist pattern collapse rule

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010434B2 (en) 2003-04-16 2006-03-07 Sony Corporation Complementary division condition determining method and program and complementary division method

Also Published As

Publication number Publication date
US8484584B2 (en) 2013-07-09
US20120210278A1 (en) 2012-08-16
KR20120091866A (ko) 2012-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101096145B1 (ko) 모델-기반 리소그래피 안내 레이아웃 설계를 수행하는 방법들
JP6192372B2 (ja) マスクパターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置
US9754068B2 (en) Method, computer readable storage medium and computer system for creating a layout of a photomask
US8792080B2 (en) Method and system to predict lithography focus error using simulated or measured topography
JP6108693B2 (ja) パターン作成方法
US20090064085A1 (en) Method of creating photo mask layout, computer readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system
TWI539312B (zh) 光罩圖案之產生方法，儲存媒體，電腦，光罩之製造方法，曝光方法，製造用於生成光罩之裝置與系統的方法
US20190130552A1 (en) Methods of inspecting defect and methods of fabricating a semiconductor device using the same
US20220129775A1 (en) Prediction and metrology of stochastic photoresist thickness defects
US20110211748A1 (en) Full-Field Mask Error Enhancement Function
KR102078067B1 (ko) 평가방법, 기록매체, 노광장치, 노광방법, 및 물품의 제조방법
US20030061587A1 (en) Method and apparatus for visualizing optical proximity correction process information and output
KR20170048281A (ko) 패턴 생성 방법, 프로그램, 정보 처리 장치, 및 마스크 제조 방법
KR101866448B1 (ko) 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템
US8943446B2 (en) Generation method, storage medium and information processing apparatus
TWI474105B (zh) 遮罩資料產生方法
KR20140021246A (ko) 패터닝 방법, 그 패터닝 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법, 및 반도체 소자 제조장치
US11727552B2 (en) Method of verifying optical proximity effect correction
KR20230143774A (ko) 머신 러닝 기반 공정 근접 보정 검증 방법 및 그것을 이용한 반도체 칩 제조 방법
CN117010320A (zh) 用于半导体芯片的布局方法以及制造半导体芯片的方法
US9152037B2 (en) Pattern correction method, storage medium, information processing apparatus, method of manufacturing mask, exposure apparatus, and method of manufacturing device
JP2008182114A (ja) 露光余裕度の算出方法、露光評価装置及び露光評価用プログラム
JP2006210669A (ja) レジストパターン予測方法、その装置および記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant