KR101822202B1 - 칩 간격 유지 방법 - Google Patents

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요시아키 요도
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 테이프를 확장 후 가열하여 수축시킨 후에도, 칩의 간격을 테이프를 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서, 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와, 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 따라 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 이 테이프를 확장하여 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 칩을 형성하고, 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와, 이 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계를 구비하고, 상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 한다.

Description

칩 간격 유지 방법{METHOD FOR MAINTAINING SPACES BETWEEN CHIPS}
본 발명은, 디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법에 관한 것이다.
표면에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼는, 이면이 연삭되어 원하는 두께로 가공된 후, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스칩으로 분할되고, 분할된 디바이스칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전기기기에 널리 이용되고 있다.
디바이스 웨이퍼는, 점착테이프인 다이싱 테이프를 개재하여 환형 프레임으로 지지되고, 이 상태로 절삭 장치의 척 테이블에 탑재된다. 디바이스 웨이퍼의 절삭에는, 절삭 블레이드를 회전 가능하게 지지하는 절삭 유닛을 구비한 다이싱소라고 불리는 절삭 장치가 널리 사용되고 있다.
절삭 장치에 의한 절삭에서는, 두께 20 ㎛∼40 ㎛ 정도의 환형의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 고속 회전시켜 웨이퍼를 절입하고, 분할 예정 라인을 따라 분할홈을 형성하기 때문에, 분할 예정 라인에 어느 정도의 폭이 필요하다.
그래서, 최근 분할 예정 라인의 폭을 좁게 하여 1장의 디바이스 웨이퍼에서의 디바이스칩의 부분을 늘리는 방법으로서, 디바이스 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성한 후, 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하고 개질층을 분할 기점으로 하여 개개의 칩으로 분할하는 방법이 예컨대 일본 특허 공개 제2005-129607호 공보에 개시되어 있다.
이 방법에서는, 분할된 칩 사이의 간격이 거의 없기 때문에, 디바이스 웨이퍼 분할 후의 핸들링시 등에서 인접하는 칩끼리가 접촉하여, 칩에 이지러짐을 발생시킨다고 하는 문제가 있다.
이 문제를 해결하기 위해, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-334852호 공보에는, 테이프를 확장하여 디바이스 웨이퍼를 칩으로 분할 후에, 디바이스 웨이퍼의 외주 가장자리와 환형 프레임의 내주 사이 영역의 테이프를 가열하여 수축시킴으로써, 칩 간격을 유지하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-129607호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2002-334852호 공보
그런데, 특허문헌 2에 개시된 방법과 같이 테이프를 확장 후에 가열하여 테이프를 수축시키면, 테이프에 텐션이 걸린 방향에 대하여 직교하는 방향에서 테이프가 중심 방향으로 수축한 주름이 발생한다고 하는 문제가 있다.
이것은 테이프의 제법상, 테이프에는 한 방향으로 텐션이 결려 있기 때문으로 추측된다. 주름이 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인과 평행하게 발생하면, 칩 간격을 유지할 수 없고 인접하는 칩끼리가 접촉하여 칩에 이지러짐을 발생시키는 경우가 있기 때문에 문제가 된다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 테이프를 확장 후 가열하여 수축시킨 후에도, 칩 간격을 테이프를 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 의하면, 디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서, 표면에서 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 디바이스 웨이퍼 준비 단계와, 이 디바이스 웨이퍼 준비 단계에서 준비한 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성(expandability)을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와, 이 테이프 부착 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 따라 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 이 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 테이프를 확장하여 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 칩을 형성하고, 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와, 이 테이프 확장 단계를 실시한 후, 상기 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계를 구비하고, 상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 방법이 제공된다.
본 발명의 칩 간격 유지 방법에서는, 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인과 테이프의 텐션 방향이 평행하지 않게 되도록 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착된다. 따라서, 테이프 확장시의 주름의 발생 방향이 분할 예정 라인과 평행하게 되지 않기 때문에 칩의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있다.
도 1은 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 2는 테이프 부착 장치의 사시도.
도 3은 테이프 부착 장치의 일부 단면 측면도.
도 4는 테이프 부착 단계의 설명도.
도 5는 커터 어셈블리가 작동 위치에 하강되어 있는 상태의 테이프 부착 장치의 일부 단면 측면도.
도 6은 점착테이프를 개재하여 환형 프레임에 지지된 디바이스 웨이퍼의 사시도.
도 7은 분할 기점 형성 단계의 제1 실시형태를 도시하는 사시도.
도 8은 테이프 확장 단계를 도시하는 단면도.
도 9는 칩 간격 유지 단계를 도시하는 단면도.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께가 100 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있으며, 이들 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 디바이스 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 구비하고 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 외주에는, 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성되어 있다.
본 발명의 칩 간격 유지 방법에서는, 우선 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 점착테이프를 부착하고, 점착테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계를 실시한다. 이 테이프 부착 단계에 대해서 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 테이프 부착 단계를 실시하는 데 적합한 테이프 부착 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 테이프 부착 장치(2)는, 롤 형상으로 권취된 점착테이프(4)가 축(5)에 장착된 송출롤(6)과, 사용 완료된 점착테이프(4)를 권취축(18)에 롤 형상으로 권취하는 권취롤(16)을 구비하고 있다. 여기서, 점착테이프(점착 시트)(4)는, 확장성을 가지며 소정 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 특성을 갖고 있다.
송출롤(6)로부터 송출되는 점착테이프(4)는, 고정 롤러(8), 테이프 부착 가동(可動) 롤러(10), 테이프 박리 가동 롤러(12, 14) 사이를 통과하여 권취롤(16)의 권취축(18)에 권취된다.
22는 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 배치하여 흡인 고정하는 유지 테이블이고, 환형 프레임(F)을 배치 고정하는 프레임 배치 영역(24)과, 디바이스 웨이퍼(11)를 배치 고정하는 웨이퍼 배치 영역(26)을 갖고 있다.
유지 테이블(22)은, 점착테이프(4)의 송출 방향에 대하여 직각 방향으로 진퇴하고, 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 유지 테이블(22) 위에 세팅하는 작업 영역(28)과, 점착테이프(4)를 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)에 부착하는 테이프 부착 영역(30)에 위치되어 있다.
20은 커터 어셈블리이며, 도 3의 일부 단면 측면도에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않는 구동 수단에 의해 상하 방향으로 이동하는 부착 헤드(32)와, 부착 헤드(32)에 대하여 축(36) 둘레를 도시하지 않는 구동 수단에 의해 선회하는 선회 아암(34)을 포함하고 있다.
선회 아암(34)에는, 테이프 커터(38)가 수평 방향으로 이동 가능하게 부착되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 인치 직경에 따라, 테이프 커터(38)는 디바이스 웨이퍼(11)의 반경 방향으로 이동 조정된다.
다시 도 2를 참조하면, 테이프 부착 장치(2)의 전면측에는 그 조작을 제어하는 콘솔(33)이 설치되어 있고, 작업자는 콘솔(33)에 터치하는 것에 의해 테이프 부착 장치(2)의 조작을 제어한다.
이하, 이와 같이 구성된 테이프 부착 장치(2)의 작용에 대해서 설명한다. 우선, 작업자가 유지 테이블(22)의 프레임 배치 영역(24)에 환형 프레임(F)을 위치 결정하여 배치하고, 웨이퍼 배치 영역(26)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한다.
웨이퍼 배치 영역(26)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치할 때에 중요한 것은, 도 4에 도시하는 점착테이프(4)의 텐션 방향을 도시하는 화살표 A와 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)과의 관계이다.
즉, 점착테이프(4)의 텐션 방향(A)과 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 평행하지 않게 한 상태에서 점착테이프(4)가 디바이스 웨이퍼(11)에 부착되도록, 웨이퍼 배치 영역(26)에 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한다.
바람직하게는, 점착테이프(4)의 텐션 방향(A)과 분할 예정 라인(13)이 이루는 각이 대략 45˚ 정도가 되도록, 디바이스 웨이퍼(11)를 웨이퍼 배치 영역(26)에 위치 결정하여 배치한다.
이와 같이 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 결정하여 배치한 후, 버튼 A를 누르면, 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)가 유지 테이블(22)에 흡인 유지되고, 화살표 35로 도시하는 방향으로 유지 테이블(22)이 이동하여 테이프 부착 영역(30)에 위치한다.
테이프 부착 영역(30)에 위치한 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)에 대하여 점착테이프(4)를 도 3에서 점선으로 도시하는 바와 같이 부착하기 때문에, 테이프 부착 가동 롤러(10)가 화살표 S로 도시하는 바와 같이 왕복 운동한다. 이것에 의해, 점착테이프(4)는 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)에 일체 접착된다. 이때, 커터 어셈블리(20)는 상승된 대기 위치에 있다.
이어서, 도 5에 도시하는 바와 같이 커터 어셈블리(20)가 하강하고, 테이프 커터(38)에 환형 프레임(F) 상의 점착테이프(4)를 압박시킨다. 이 상태에서, 선회 아암(34)을 축(36)을 중심으로 하여 360˚ 선회시키는 것에 의해, 테이프 커터(38)로 점착테이프(4)를 원형으로 절단한다. 절단이 완료된 후, 커터 어셈블리(20)는 대기 위치에 복귀한다.
이어서, 테이프 커터(38)에 의해 절단된 외측의 사용 완료된 점착테이프(4)가 테이프 박리 롤러(12, 14)의 이동에 의해 환형 프레임(F)으로부터 박리된다. 즉, 테이프 박리 롤러(12, 14)가 도 3에서 화살표 S 방향으로 왕복 운동되어, 사용 완료된 점착테이프(4)를 권취롤(16)에 권취하는 동시에 미사용 점착테이프(4)를 테이프 송출롤(6)로부터 테이프 부착 영역(30)까지 인출한다.
이어서, 점착테이프(4)의 부착이 완료된 환형 프레임(F) 및 디바이스 웨이퍼(11)가 유지 테이블(22)에 배치 고정된 상태에서 도 2에 도시하는 작업 영역(28)까지 이동된다. 이 작업 영역(28)에서, 작업자가 점착테이프(4)에 의해 일체가 된 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)를 취출하여, 웨이퍼 카세트에 수용하거나 또는 다음 공정에 반송한다.
도 6을 참조하면, 점착테이프(4)에 의해 일체화된 환형 프레임(F)과 디바이스 웨이퍼(11)의 사시도가 도시되어 있다. 이 상태에서는, 디바이스 웨이퍼(11)는 점착테이프(4)를 개재하여 환형 프레임(F)으로 지지되게 된다.
테이프 부착 단계에서는, 전술한 세미오토식 테이프 부착 장치 외, 웨이퍼 및 프레임의 세팅도 자동으로 행하는 풀오토식 테이프 부착 장치를 이용하여도 좋고, 작업자가 롤러를 사용하여 수동으로 부착하여도 좋다.
테이프 부착 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 따라 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계를 실시한다. 이 분할 기점 형성 단계의 제1 실시형태는, 레이저 가공 장치에 의해 실시한다.
즉, 도 7에 도시하는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(4)를 개재하여 레이저 가공 장치의 척 테이블(40)로 흡인 유지하고, 레이저 가공 장치의 집광기(42)로 디바이스 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인(13)에 대응하는 웨이퍼(11) 내부에 집광하며, 척 테이블(40)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼 내부에 개질층(23)을 형성한다.
분할 예정 라인(13)의 피치로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼 내부에 개질층(23)을 형성한다. 이어서, 척 테이블(40)을 90˚ 회전시켜, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼 내부에 개질층(23)을 형성한다.
이 분할 기점 형성 단계(개질층 형성 단계)에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저
파장 : 1064 ㎚
출력 : 0.1 W
반복 주파수 : 50 kHz
가공 이송 속도 : 200 ㎜/초
전술한 제1 실시형태에서는, 분할 기점 형성 단계를 실시하는 데 디바이스 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 사용하여, 디바이스 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 것에 의해 실시했지만, 분할 기점 형성 단계의 제2 실시형태에서는, 디바이스 웨이퍼(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 사용하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 따라 어블레이션 가공에 의해 분할 기점이 되는 얕은 가공홈을 형성하도록 하여도 좋다.
이 어블레이션 가공에 의한 분할 기점 형성 단계의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저
파장 : 355 ㎚(YVO4 레이저의 제3 고조파)
출력 : 0.2 W
반복 주파수 : 200 kHz
가공 이송 속도 : 200 ㎜/초
제1 및 제2 실시형태의 분할 기점 형성 단계에서는, 소정의 파장을 갖는 레이저 빔에 의해 분할 기점을 형성했지만, 절삭 장치의 절삭 블레이드에 의한 디바이스 웨이퍼(11)의 하프 커트에 의해, 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)을 따라 절삭홈을 형성하고, 이 절삭홈을 분할 기점으로 하여도 좋다.
본 발명의 칩 간격 유지 방법에서는, 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 점착테이프(4)를 확장하여 디바이스 웨이퍼(11)를 분할 기점을 따라 분할하여 복수의 칩(디바이스칩)(15)을 형성하고, 인접하는 칩(15)의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계를 실시한다.
이 테이프 확장 단계는, 도 8에 도시하는 바와 같은 분할 장치(50)를 사용하여 실시한다. 분할 장치(50)는, 환형 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 유닛(52)과, 프레임 유지 유닛(52)에 유지된 환형 프레임(F)에 부착된 점착테이프(4)를 확장하는 확장 드럼(54)을 구비하고 있다.
프레임 유지 유닛(52)은, 환형의 프레임 유지 부재(56)와, 프레임 유지 부재(56)의 외주에 배치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(58)로 구성된다. 프레임 유지 부재(56)의 상면은 환형 프레임(F)을 배치하는 배치면(56a)을 형성하고 있고, 배치면(56a) 위에 환형 프레임(F)이 배치된다.
환형의 프레임 유지 부재(56)의 내측에 배치된 확장 드럼(54)은, 환형 프레임(F)의 내경보다 작고, 환형 프레임(F)에 부착된 점착테이프(4)에 부착되는 디바이스 웨이퍼(11)의 외경보다 큰 내경을 갖고 있다.
확장 드럼(54)의 상단부에는 다공질 재료로 형성된 흡인 유지부(55)가 배치되어 있다. 흡인 유지부(55)는, 도시하지 않는 흡인로 및 전환 밸브를 통해 흡인원에 선택적으로 접속된다.
환형의 프레임 유지 부재(56)는 구동 수단(70)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 구동 수단(70)은 복수의 에어실린더(72)를 포함하고 있고, 에어실린더(72)의 피스톤 로드(74)가 프레임 유지 부재(56)의 하면에 연결되어 있다.
복수의 에어실린더(72)로 구성되는 구동 수단(70)은, 환형의 프레임 유지 부재(56)를, 그 배치면(56a)이 확장 드럼(54)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 확장 드럼(54)의 상단보다 소정량 하방의 확장 위치 사이를 상하 방향으로 이동한다.
이러한 구성을 갖는 분할 장치(50)에 의한 테이프 확장 단계에서는, 우선 도 8의 (A)에 도시하는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(4)를 개재하여 지지한 환형 프레임(F)을, 프레임 유지 부재(56)의 배치면(56a) 위에 배치하고, 클램프(58)에 의해 프레임 유지 부재(56)를 고정한다. 이때, 프레임 유지 부재(56)는 그 배치면(56a)이 확장 드럼(54)의 상단부에 고정된 흡인 유지부(55)의 상면과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치에 위치한다.
이어서, 에어실린더(72)를 구동하여 프레임 유지 부재(56)를 도 8의 (B)에 도시하는 확장 위치에 하강시킨다. 이것에 의해, 프레임 유지 부재(56)의 배치면(56a) 위에 고정되어 있는 환형 프레임(F)을 하강시키기 때문에, 환형 프레임(F)에 장착된 점착테이프(4)는 확장 드럼(54)의 상단 가장자리에 접촉하여 주로 반경 방향으로 확장된다.
그 결과, 점착테이프(4)에 부착되어 있는 디바이스 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 디바이스 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용하면, 분할 예정 라인(13)을 따라 형성된 개질층(23)은 강도가 저하되어 있기 때문에, 이 개질층(23)이 분할 기점이 되어 디바이스 웨이퍼(11)는 개질층(23)을 따라 파단되고, 개개의 칩(디바이스 칩)(15)으로 분할된다. 또한, 이 테이프 확장 단계에서는, 흡인 유지부(55)는 흡인원으로부터 차단되어, 흡인력이 작용하지 않는다.
테이프 확장 단계를 실시한 후, 칩 사이의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있는 칩 간격 유지 단계를 실시한다. 이 칩 간격 유지 단계에서는, 흡인 유지부(55)를 흡인원에 접속하고, 흡인 유지부(55)로 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하면서, 도 8의 (B)에 도시한 상태로부터 에어실린더(72)를 구동하여, 환형의 프레임 유지 부재(56)의 배치면(56a)이 확장 드럼(54)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치까지 상승시킨다.
점착테이프(4)는 도 8의 (B)에 도시한 상태에서 반경 방향으로 확장되어 있기 때문에, 도 9에 도시하는 바와 같이 프레임 유지 부재(56)를 기준 위치까지 복귀시키면, 디바이스 웨이퍼(11)의 외주 가장자리와 환형 프레임(F)의 내주 사이 영역의 점착테이프(4)에는 이완이 발생한다.
따라서, 본 실시형태의 칩 간격 유지 단계에서는, 흡인 유지부(55)를 흡인원에 접속하고, 흡인 유지부(55)로 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하면서, 가열 히터(96)를 화살표 R 방향으로 회전시켜 디바이스 웨이퍼(11)의 외측과 환형 프레임(F)의 내주 사이의 점착테이프(4)를 가열한다. 이 가열에 의해 점착테이프가 수축하여 이완이 제거된다.
본 실시형태의 테이프 부착 단계에서는, 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)과 테이프(4)의 텐션 방향을 대략 45˚로 설정하여 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(4)에 부착하고 있기 때문에, 종래 문제가 된 주름의 발생 방향이 분할 예정 라인(13)과 평행하게 되지 않으므로 흡인 유지부(55)의 흡인 유지를 해제하여도, 인접하는 칩(15)의 간격을 확장한 상태에서 유지할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 점착테이프(4)에 디바이스 웨이퍼(11)를 직접 부착하고 있지만, 점착테이프(4)에 DAF(Die Attach Film)가 배치된 점착테이프를 이용하여, DAF에 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 부착하고, 점착테이프(4)의 외주부를 환형 프레임(F)에 부착하도록 하여도 좋다. 또는, 테이프 부착 단계 전에 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 DAF를 부착하고, DAF를 갖는 디바이스 웨이퍼(11)를 점착테이프(4)에 부착하도록 하여도 좋다.
이러한 DAF를 갖는 디바이스 웨이퍼(11)의 분할 기점 형성 단계에서는, 레이저 빔의 조사에 의해 디바이스 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(23)을 형성하는 것에 더하여, DAF의 내부에 레이저 빔의 집광점을 위치시켜, DAF내에도 개질층을 형성하도록 하는 것이 바람직하다.
2: 테이프 부착 장치 4: 점착테이프
6: 테이프 송출롤 10: 테이프 부착 가동 롤러
11: 디바이스 웨이퍼 13: 분할 예정 라인(스트리트)
15: 디바이스(칩) 16: 권취롤
20: 커터 어셈블리 22: 유지 테이블
23: 개질층 42: 집광기
50: 분할 장치 52: 프레임 유지 유닛
54: 확장 드럼 55: 흡인 유지부
56: 프레임 유지 부재 76: 가열 히터

Claims (1)

  1. 디바이스 웨이퍼가 분할되어 형성된 복수의 칩의 간격을 확장하여 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서,
    표면에서 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 디바이스 웨이퍼 준비 단계와,
    이 디바이스 웨이퍼 준비 단계에서 준비한 디바이스 웨이퍼의 이면에 확장성을 가지며 정해진 온도 이상의 가열로 수축성을 발현하는 테이프를 부착하고, 이 테이프의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 테이프 부착 단계와,
    이 테이프 부착 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 따라 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와,
    이 분할 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 테이프를 확장하여 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 칩을 형성하고, 인접하는 상기 칩의 간격을 확장하는 테이프 확장 단계와,
    이 테이프 확장 단계를 실시한 후, 상기 복수의 칩으로 분할된 디바이스 웨이퍼가 부착되어 있는 상기 테이프의 영역을 흡인 유지 테이블로 흡인 유지하면서, 상기 테이프의 디바이스 웨이퍼의 외측과 상기 환형 프레임의 내주 사이 영역을 가열하여 상기 테이프를 수축시킴으로써, 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 단계
    를 포함하고,
    상기 테이프 부착 단계에서는, 상기 테이프의 텐션 방향과 디바이스 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 평행하지 않게 한 상태에서 상기 테이프가 디바이스 웨이퍼에 부착되는 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 방법.
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