KR101736537B1 - Copper foil for high frequency circuit, copper clad laminate for high frequency circuit, printed wiring board for high frequency circuit, copper foil attached with carrier for high frequency circuit, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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Abstract

고주파 회로 기판에 사용해도 전송 손실이 양호하게 억제됨과 함께, 동박 표면에 있어서의 가루 떨어짐의 발생이 양호하게 억제된 고주파 회로용 동박을 제공한다. 동박의 표면에, 구리의 1 차 입자층을 형성한 후, 그 1 차 입자층 상에, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금의 2 차 입자층을 형성한 동박으로서, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상인 고주파 회로용 동박.Provided is a copper foil for a high frequency circuit in which transmission loss is suppressed well even when used for a high frequency circuit board and occurrence of dust drop on the surface of the copper foil is satisfactorily suppressed. A copper foil obtained by forming a primary particle layer of copper on the surface of a copper foil and then forming a secondary particle layer of a ternary alloy of copper, cobalt and nickel on the primary particle layer, A copper foil for a high frequency circuit having an average height of unevenness of 1500 or more.

Description

고주파 회로용 동박, 고주파 회로용 구리 피복 적층판, 고주파 회로용 프린트 배선판, 고주파 회로용 캐리어가 부착된 동박, 전자 기기, 및 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER FOIL FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, COPPER CLAD LAMINATE FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, PRINTED WIRING BOARD FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, COPPER FOIL ATTACHED WITH CARRIER FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a copper foil for a high frequency circuit, a copper clad laminate for a high frequency circuit, a printed circuit board for a high frequency circuit, a copper foil with a carrier for a high frequency circuit, CIRCUIT, PRINTED WIRING BOARD FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, COPPER FOIL ATTACHED WITH CARRIER FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 고주파 회로용 동박, 고주파 회로용 구리 피복 적층판, 고주파 회로용 프린트 배선판, 고주파 회로용 캐리어가 부착된 동박, 전자 기기, 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a copper foil for a high frequency circuit, a copper clad laminate for a high frequency circuit, a printed circuit board for a high frequency circuit, a copper foil with a carrier for a high frequency circuit, an electronic device, and a method for producing a printed wiring board.

프린트 배선판은 최근 반세기에 걸쳐 큰 진전을 이루고, 오늘날에는 거의 모든 전자 기기에 사용되기까지 이르고 있다. 최근의 전자 기기의 소형화, 고성능화 요구의 증대에 수반하여 탑재 부품의 고밀도 실장화나 신호의 고주파화가 진전되고, 프린트 배선판에 대해 우수한 고주파 대응이 요구되고 있다.Printed circuit boards have made great strides over the past half century, and today they are used in almost all electronic devices. With recent demands for miniaturization and high performance of electronic apparatuses, mounting of high-density mounting parts and high-frequency signals have progressed, and high-frequency response to printed wiring boards has been demanded.

고주파용 기판에는, 출력 신호의 품질을 확보하기 위해, 전송 손실의 저감이 요구되고 있다. 전송 손실은, 주로 수지 (기판측) 에서 기인하는 유전체 손실과, 도체 (동박측) 에서 기인하는 도체 손실로 이루어져 있다. 유전체 손실은, 수지의 유전율 및 유전 정접이 작아질수록 감소한다. 고주파 신호에 있어서, 도체 손실은, 주파수가 높아질수록 전류는 도체의 표면밖에 흐르지 않게 된다는 표피 효과에 의해 전류가 흐르는 단면적이 감소하고, 저항이 높아지는 것이 주된 원인이 되고 있다.In order to secure the quality of an output signal, a reduction in transmission loss is required for a high frequency substrate. The transmission loss mainly consists of a dielectric loss caused by a resin (substrate side) and a conductor loss caused by a conductor (copper foil side). The dielectric loss decreases as the dielectric constant and dielectric tangent of the resin become smaller. In the high-frequency signal, the conductor loss is mainly caused by the decrease in the cross-sectional area through which the current flows due to the skin effect that the current does not flow outside the surface of the conductor as the frequency increases.

고주파용 동박의 전송 손실을 저감시키는 것을 목적으로 한 기술로서는, 예를 들어, 특허문헌 1 에, 금속박 표면의 편면 또는 양면에, 은 또는 은합금속을 피복하고, 그 은 또는 은합금 피복층 상에, 은 또는 은합금 이외의 피복층이 상기 은 또는 은합금 피복층의 두께보다 얇게 입혀져 있는 고주파 회로용 금속박이 개시되어 있다. 그리고, 이것에 의하면, 위성 통신에서 사용되는 초고주파 영역에 있어서도 표피 효과에 의한 손실을 작게 한 금속박을 제공할 수 있다고 기재되어 있다.As a technique for reducing the transmission loss of the high frequency copper foil, for example, Patent Document 1 discloses a technique of coating a silver or silver alloy on one surface or both surfaces of a surface of a metal foil, And a coating layer other than silver or silver alloy is coated thinner than the thickness of the silver or silver alloy coating layer. According to this, it is described that a metal foil having a reduced loss due to the skin effect can be provided even in a very high frequency region used in satellite communication.

또, 특허문헌 2 에는, 압연 동박의 재결정 어닐링 후의 압연면에서의 X 선 회절에서 구한 (200) 면의 적분 강도 (I (200)) 가, 미분말 구리의 X 선 회절에서 구한 (200) 면의 적분 강도 (I0 (200)) 에 대해, I (200)/I0 (200)> 40 이며, 그 압연면에 전해 도금에 의한 조화(粗化) 처리를 실시한 후의 조화 처리면의 산술 평균 조도 (이하, Ra 라고 한다) 가 0.02 ㎛ ∼ 0.2 ㎛, 10 점 평균 조도 (이하, Rz 라고 한다) 가 0.1 ㎛ ∼ 1.5 ㎛ 로서, 프린트 회로 기판용 소재인 것을 특징으로 하는 고주파 회로용 조화 처리 압연 동박이 개시되어 있다. 그리고, 이것에 의하면, 1 GHz 를 초과하는 고주파수하에서의 사용이 가능한 프린트 회로판을 제공할 수 있다고 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses that the integrated intensity (I (200)) of the (200) plane obtained by X-ray diffraction on the rolled surface after the recrystallization annealing of the rolled copper foil is smaller than the integral intensity (200) / I0 (200) > 40 with respect to the integral intensity (I0 (200)), and the arithmetic average roughness (hereinafter referred to as " roughness ") of the roughened surface after subjected to roughening treatment by electrolytic plating (Hereinafter, referred to as Ra) is 0.02 to 0.2 μm, and 10-point average roughness (hereinafter referred to as Rz) is 0.1 to 1.5 μm, is a material for a printed circuit board. . According to this, it is possible to provide a printed circuit board which can be used under high frequencies exceeding 1 GHz.

또한, 특허문헌 3 에는, 동박의 표면의 일부가 혹형상 돌기로 이루어지는 표면 조도가 2 ㎛ ∼ 4 ㎛ 의 요철면인 것을 특징으로 하는 전해 동박이 개시되어 있다. 그리고, 이것에 의하면, 고주파 전송 특성이 우수한 전해 동박을 제공할 수 있다고 기재되어 있다.Further, Patent Document 3 discloses an electrolytic copper foil characterized in that a part of the surface of the copper foil is an irregular surface having a surface roughness of 2 탆 to 4 탆, which is formed by a lump-like projection. According to this, it is described that an electrolytic copper foil having excellent high-frequency transmission characteristics can be provided.

일본 특허공보 제4161304호Japanese Patent Publication No. 4161304 일본 특허공보 제4704025호Japanese Patent Publication No. 4704025 일본 공개특허공보 2004-244656호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-244656

도체 (동박측) 에서 기인하는 도체 손실은, 상기 서술한 바와 같이 표피 효과에 의해 저항이 커지는 것에서 기인하지만, 이 저항은, 동박 자체의 저항뿐만 아니라, 동박 표면에 있어서 수지 기판과의 접착성을 확보하기 위해서 실시되는 조화 처리에 의해 형성된 표면 처리층의 저항의 영향도 있는 것, 구체적으로는, 동박 표면의 조도가 도체 손실의 주된 요인이며, 조도가 작을수록 전송 손실이 감소하는 것이 알려져 있다.The conductor loss caused by the conductor (copper foil side) is caused by the fact that resistance increases due to the skin effect as described above. However, this resistance is not limited to the resistance of the copper foil itself, It is known that the surface roughness of the surface of the copper foil is a main factor of the conductor loss and that the transmission loss decreases as the roughness becomes smaller.

본 발명자들은, 동박 표면의 조도와 전송 손실의 관계에 대해 한층 더 파고든 검토를 실시한 결과, 반드시 동박 표면의 조도가 작을수록 전송 손실이 감소한다고는 한정되지 않고, 특히, 동박 표면의 조도가 어느 정도까지 작아지면, 전송 손실의 감소와 동박 표면의 조도의 관계에 현저한 편차가 보이고, 동박 표면의 조도의 제어만으로는 전송 손실을 양호하게 감소시키는 것이 곤란해지는 것을 알아냈다.The present inventors further investigated the relationship between the roughness of the surface of the copper foil and the transmission loss. As a result, it was found that the lower the roughness of the surface of the copper foil, the more the transmission loss was not reduced. , It is found that the relationship between the reduction of the transmission loss and the roughness of the surface of the copper foil shows a remarkable variation and it is difficult to reduce the transmission loss well only by controlling the roughness of the surface of the copper foil.

또, 동박 표면의 조화 처리로서는, 코발트-니켈 합금 도금층의 형성이 알려져 있지만, 종래의 코발트-니켈 합금 도금층을 형성한 동박은, 그 표면에 형성된 구리-코발트-니켈 합금 도금으로 이루어지는 조화 입자의 형상이 나뭇가지상이기때문에, 이 수지의 상부 또는 근원으로부터 벗겨져 떨어지고, 일반적으로 가루 떨어짐 현상이라고 하는 문제를 발생했다.Although the formation of the cobalt-nickel alloy plating layer is known as the roughening treatment of the surface of the copper foil, the copper foil on which the conventional cobalt-nickel alloy plating layer is formed has the shape of the roughened particles formed of the copper-cobalt- Since the resin is ground, it peels off from the top or the root of the resin, and generally causes a phenomenon called a powder falling phenomenon.

이 가루 떨어짐 현상은 성가신 문제로, 구리-코발트-니켈 합금 도금의 조화 처리층은, 내열성이 우수하다는 특징을 가지고 있음에도 불구하고, 외력에 의해 입자가 탈락되기 쉽고, 처리 중의 「스침」 에 의한 박리, 박리 가루에 의한 롤의 오염, 박리 가루에 의한 에칭 잔류물이 생긴다는 문제를 발생했다.This powder dripping phenomenon is a troublesome problem, and the roughened layer of the copper-cobalt-nickel alloy plating is characterized in that it has excellent heat resistance, but the particles easily fall off due to external force, , Contamination of the roll by the peeling powder, and etching residue due to the peeling powder.

그래서, 본 발명은, 고주파 회로 기판에 사용해도 전송 손실이 양호하게 억제됨과 함께, 동박 표면에 형성된 조화 입자가 당해 표면으로부터 벗겨져 떨어지는 현상, 이른바 「가루 떨어짐」 의 발생이 양호하게 억제된 고주파 회로용 동박을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a high-frequency circuit device capable of suppressing transmission loss even when used in a high-frequency circuit board, and also capable of suppressing the phenomenon that coarse particles formed on the surface of the copper foil are peeled off from the surface, It is an object of the present invention to provide a copper foil.

본 발명자는, 캐리어가 부착된 동박의 극박 구리층 표면에 소정의 조화 입자층을 형성하고, 또한, 당해 조화 입자층 표면의 요철 높이의 평균치를 제어하는 것이, 고주파 회로 기판에 사용했을 때의 전송 손실의 억제, 및, 동박 표면에 있어서의 가루 떨어짐의 억제에 매우 효과적인 것을 알아냈다.The inventors of the present invention found that it is preferable to form a predetermined roughening particle layer on the surface of the extremely thin copper layer of the copper foil with the carrier and to control the average value of the height of the roughened surface of the roughening particle layer, Suppressing the occurrence of cracks on the surfaces of the copper foil, and suppressing the dropping of the powder on the surface of the copper foil.

본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성된 것이며, 일 측면에 있어서, 동박의 표면에, 구리의 1 차 입자층을 형성한 후, 그 1 차 입자층 상에, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금의 2 차 입자층을 형성한 동박으로서, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상인 고주파 회로용 동박이다.A primary particle layer of copper is formed on the surface of a copper foil on one side, and then a ternary alloy of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. Wherein the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope is 1500 or more.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 구리의 1 차 입자층의 평균 입자경이 0.25 ∼ 0.45 ㎛ 이며, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이하이다.The copper foil for a high-frequency circuit according to one embodiment of the present invention is characterized in that the average particle diameter of the primary particle layer of the copper is 0.25 to 0.45 mu m and the average particle diameter of the secondary particle layer made of a ternary alloy of copper, cobalt and nickel is 0.35 Mu m or less.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층이, 전기 도금층이다.In another embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit according to the present invention, the primary particle layer and the secondary particle layer are electroplating layers.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 2 차 입자가, 상기 1 차 입자 상에 성장한 1 또는 복수 개의 나뭇가지상의 입자 또는 상기 1 차 입자 상에 성장한 정상 도금층이다.The copper foil for a high-frequency circuit of the present invention is a copper foil for a high-frequency circuit according to still another embodiment, wherein the secondary particles are particles of one or a plurality of branches grown on the primary particles or a normal plating layer grown on the primary particles.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 현미경에 의한 상기 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상, 2000 이하이다.In another embodiment of the copper foil for a high frequency circuit according to the present invention, the average value of the unevenness heights of the roughened surface by a laser microscope is 1500 or more and 2000 or less.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 1 차 입자층 및 2 차 입자층의 필 강도가 0.80 kg/cm 이상이다.In a copper foil for a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention, the fill strength of the primary particle layer and the secondary particle layer is 0.80 kg / cm or more.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 1 차 입자층 및 2 차 입자층의 필 강도가 0.90 kg/cm 이상이다.In a copper foil for a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention, the fill strength of the primary particle layer and the secondary particle layer is 0.90 kg / cm or more.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 2 차 입자층 상에,In the copper foil for a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention, on the secondary particle layer,

(A) Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및,(A) an alloy layer comprising Ni and at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn,

(B) 크로메이트층(B) a chromate layer

중 어느 일방, 또는, 양방이 형성되어 있다.Or both of them are formed.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 2 차 입자층 상에,In the copper foil for a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention, on the secondary particle layer,

(A) Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및,(A) an alloy layer comprising Ni and at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn,

(B) 크로메이트층(B) a chromate layer

중 어느 일방, 또는, 양방과,Or both,

실란 커플링층The silane coupling layer

이 이 순서로 형성되어 있다.Are formed in this order.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 2 차 입자층 상에, Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방이 형성되어 있다.In one embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit according to the present invention, either or both of a Ni-Zn alloy layer and a chromate layer are formed on the secondary particle layer.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 2 차 입자층 상에, Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방과, 실란 커플링층이 이 순서로 형성되어 있다.In the copper foil for a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention, either one or both of a Ni-Zn alloy layer and a chromate layer and a silane coupling layer are formed in this order on the secondary particle layer .

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 2 차 입자층의 표면에 수지층을 구비한다.In the copper foil for a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention, a resin layer is provided on the surface of the secondary particle layer.

본 발명의 고주파 회로용 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 또는, 상기 크로메이트층, 또는, 상기 실란 커플링층, 또는, 상기 Ni-Zn 합금층의 표면에 수지층을 구비한다.The copper foil for a high-frequency circuit according to the present invention is a copper foil for a high-frequency circuit, wherein the Ni is at least one selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, An alloy layer comprising at least two kinds of elements, or a chromate layer, a silane coupling layer, or a resin layer on the surface of the Ni-Zn alloy layer.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 본 발명의 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one side or both sides of a carrier, wherein the ultra- It is a copper foil with a carrier which is a copper foil.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는다.In one embodiment, the copper foil with a carrier according to the present invention has the intermediate layer and the ultra-thin copper layer on one surface of the carrier in this order, and the other surface of the carrier has a roughened treatment layer.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 동박을 사용한 고주파 회로용 구리 피복 적층판이다.In another aspect, the present invention is a copper clad laminate for high frequency circuit using the copper foil of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 동박을 사용한 고주파 회로용 프린트 배선판이다.In another aspect, the present invention is a printed circuit board for a high frequency circuit using the copper foil of the present invention.

본 발명의 고주파 회로용 구리 피복 적층판은 일 실시형태에 있어서, 상기 동박과 폴리이미드, 액정 폴리머 또는 불소 수지가 적층되어 있다.In one embodiment of the copper-clad laminate for high frequency circuit of the present invention, the copper foil and polyimide, liquid crystal polymer or fluorine resin are laminated.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 폴리이미드, 액정 폴리머 또는 불소 수지 중 어느 것을 사용한 본 발명의 고주파 회로용 프린트 배선판이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board for a high frequency circuit using the polyimide, the liquid crystal polymer or the fluorine resin.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 사용한 전자 기기이다.In another aspect, the present invention is an electronic apparatus using the printed wiring board of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, A step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, After the step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate is peeled off from the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate,

그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.And thereafter forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a copper-clad laminate, comprising the steps of: forming a circuit on the surface of the copper-

상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, Forming a resin layer on the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,

상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,A step of forming a circuit on the resin layer,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및,A step of forming a circuit on the resin layer and thereafter peeling the carrier,

상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 구리층을 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.And removing the ultra-thin copper layer after the carrier is peeled to expose a circuit buried in the resin layer formed on the surface of the extremely thin copper layer side.

본 발명에 의하면, 고주파 회로 기판에 사용해도 전송 손실이 양호하게 억제됨과 함께, 동박 표면에 형성된 조화 입자가 당해 표면으로부터 벗겨져 떨어지는 현상, 이른바 「가루 떨어짐」 의 발생이 양호하게 억제된 고주파 회로용 동박을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of a phenomenon in which harmful particles formed on the surface of the copper foil are peeled off from the surface of the copper foil, that is, occurrence of so-called " Can be provided.

도 1 은, 종래의 동박 상에, 구리-코발트-니켈 합금 도금으로 이루어지는 조화 처리를 실시한 경우의 가루 떨어짐의 상태를 나타내는 개념 설명도이다.
도 2 는, 본 발명의, 동박 상에 미리 1 차 입자층을 형성하고, 이 1 차 입자층 상에 구리-코발트-니켈 합금 도금으로 이루어지는 2 차 입자층을 형성한 가루 떨어짐이 없는 동박 처리층의 개념 설명도이다.
도 3 은, 종래의 동박 상에, 구리-코발트-니켈 합금 도금으로 이루어지는 조화 처리를 실시한 경우의 표면의 현미경 사진이다.
도 4 는, 본 발명의, 동박 상에 미리 1 차 입자층을 형성하고, 이 1 차 입자층 상에 구리-코발트-니켈 합금 도금으로 이루어지는 2 차 입자층을 형성한 가루 떨어짐이 없는 동박 처리면의 층의 현미경 사진이다.
도 5A ∼ C 는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 회로 도금·레지스트 제거까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 6D ∼ F 는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 수지 및 2 층째 캐리어가 부착된 동박 적층으로부터 레이저 구멍내기까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 7G ∼ I 는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 비어필 형성으로부터 1 층째의 캐리어 박리까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 8J ∼ K 는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 플래시 에칭으로부터 범프·구리 필러 형성까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 9 는, 실시예 1 의 높이 히스토그램의 평균치 (요철 높이) 의 해석 소프트 KVH1A9 에 의한 해석 결과를 나타내는 컴퓨터 화면의 화상이다.
도 10 은, 해석 소프트 KVH1A9 의 VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 「DISTANCE·PITCH 의 설정」 에 게재된 조작 화면의 예이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a conceptual diagram showing the state of powder dropping when a conventional copper foil is subjected to a roughening treatment of copper-cobalt-nickel alloy plating.
Fig. 2 is a conceptual illustration of a copper-clad treatment layer of the present invention, in which a primary particle layer is formed on a copper foil in advance and a secondary particle layer made of copper-cobalt-nickel alloy plating is formed on the primary particle layer, .
Fig. 3 is a micrograph of the surface of a conventional copper foil subjected to a roughening treatment of copper-cobalt-nickel alloy plating.
Fig. 4 is a graph showing the relationship between the thickness of the copper-cobalt-nickel alloy plating layer and the thickness of the copper-cobalt-nickel alloy layer of the present invention, in which the primary particle layer is previously formed on the copper foil, It is a microscopic photograph.
5A to 5C are schematic views of a wiring board section in a process up to circuit plating and resist removal according to a specific example of a method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
Figs. 6D to 6F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention, It is a schematic diagram.
Figs. 7G to I are schematic views of a wiring board section in a process from a non-appealing formation to a carrier peeling of a first layer, according to a concrete example of a production method of a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
Figs. 8J to K are schematic views of a wiring board section in a process from flash etching to bump-copper filler formation, according to a concrete example of a method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.
9 is an image of a computer screen showing the result of analysis by the analysis software KVH1A9 of the mean value (ruggedness height) of the height histogram of the first embodiment.
10 is an example of the operation screen displayed in "DISTANCE · PITCH setting" on page 4-3 of the VK-8500 Users Manual of analysis software KVH1A9.

본 발명에 사용할 수 있는 동박 기재의 형태에 특별히 제한은 없고, 전형적으로는 본 발명에 있어서 사용하는 동박은, 전해 동박 혹은 압연 동박 어느 것이어도 된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 굴곡성이 요구되는 용도에는 압연 동박을 적용하는 경우가 많다.The form of the copper foil substrate usable in the present invention is not particularly limited. Typically, the copper foil used in the present invention may be an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. Generally, the electrolytic copper foil is produced by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by a rolling roll. Rolled copper foil is often applied to applications requiring flexibility.

동박 기재의 재료로서는 프린트 배선판의 도체 패턴으로서 통상적으로 사용되는 터프피치동이나 무산소동과 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다. 또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」 을 단독으로 사용한 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.As the material of the copper-clad base material, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy containing Cr, Zr or Mg, etc., other than copper of high purity such as tough pitch copper or anaerobic copper commonly used as a conductor pattern of a printed wiring board , A copper alloy such as a Colson type copper alloy to which Ni and Si are added. In the present specification, when the term " copper foil " is used alone, copper alloy foil is also included.

또한, 동박 기재의 판두께는 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 1 ∼ 1000 ㎛, 혹은 1 ∼ 500 ㎛, 혹은 1 ∼ 300 ㎛, 혹은 3 ∼ 100 ㎛, 혹은 5 ∼ 70 ㎛, 혹은 6 ∼ 35 ㎛, 혹은 9 ∼ 18 ㎛ 이다.The thickness of the copper foil substrate is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 1000 占 퐉, 1 to 500 占 퐉, 1 to 300 占 퐉, 3 to 100 占 퐉, 5 to 70 占 퐉, 35 mu m, or 9 to 18 mu m.

또, 본 발명은 다른 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 본 발명의 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박이다. 즉, 본 발명에는 다른 측면에 있어서 캐리어, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박을 동박 기재로서 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서 캐리어가 부착된 동박을 사용하는 경우, 극박 구리층 표면에 이하의 조화 처리층 등의 표면 처리층을 형성한다. 또한, 캐리어가 부착된 동박의 다른 실시형태에 대해서는 후술한다.In another aspect of the present invention, there is provided a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, the copper foil having a carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a copper foil for a high frequency circuit of the present invention. That is, in another aspect of the present invention, a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on which a carrier is attached may be used as the copper foil substrate. In the present invention, when a copper foil with a carrier is used, a surface treatment layer such as the following roughening treatment layer is formed on the surface of the ultra-thin copper layer. Further, another embodiment of the copper foil on which the carrier is attached will be described later.

통상적으로, 동박의, 수지 기재와 접착하는 면, 즉 조화면에는 적층 후의 동박의 잡아떼는 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하여, 탈지 후의 동박의 표면에, 「옹두리」 형상의 전착을 행하는 조화 처리가 실시된다. 전해 동박은 제조 시점에서 요철을 가지고 있지만, 조화 처리에 의해 전해 동박의 볼록부를 증강하여 요철을 한층 크게 한다. 조화 전의 전처리로서 통상적인 구리 도금 등이 실시되는 경우가 있고, 조화 후의 마무리 처리로서 전착물의 탈락을 방지하기 위해서 통상적인 구리 도금 등이 실시되는 경우도 있다.Conventionally, the surface of the copper foil to be adhered to the resin base, that is, the roughened surface, is subjected to a roughening treatment for electrodeposition of " tuck " shape on the surface of the copper foil after degreasing in order to improve the strength . The electrolytic copper foil has irregularities at the time of manufacture, but the convex portions of the electrolytic copper foil are strengthened by the roughening treatment to further increase the irregularities. Conventional copper plating or the like may be applied as a pretreatment before conditioning, and copper plating or the like may be performed in order to prevent electrodeposition from coming off as a post-conditioning finishing treatment.

본 발명에 있어서는, 이러한 전처리 및 마무리 처리도 포함하여, 동박 조화와 관련되는 공지된 처리를 필요에 따라 포함하여 「조화 처리」 라고 하고 있다.In the present invention, known processes relating to the copper foil harmonization, including the pretreatment and the finishing process, are referred to as " harmonization process "

이 조화 처리를, 구리-코발트-니켈 합금 도금에 의해 실시하고자 하는 것이지만 (이하의 설명에 있어서는, 구리-코발트-니켈 합금 도금의 조화 처리를, 전 공정과의 차이를 명확하게 하기 위해서, 「2 차 입자층」 이라고 호칭한다.), 상기와 같이, 단순하게 동박 상에 구리-코발트-니켈 합금 도금층을 형성한 것만으로는, 상기와 같이 가루 떨어짐 등의 문제가 발생한다.In order to clarify the difference from the previous step, the roughening treatment of the copper-cobalt-nickel alloy plating is referred to as " 2 (Hereinafter referred to as " copper particle layer "). As described above, simply forming a copper-cobalt-nickel alloy plating layer on a copper foil causes problems such as powder falling as described above.

동박 상에 구리-코발트-니켈 합금 도금층을 형성한 동박의 표면의 현미경 사진을 도 3 에 나타낸다. 이 도 3 에 나타내는 바와 같이, 나뭇가지상으로 발달된 미세한 입자를 볼 수 있다. 일반적으로, 이 도 3 에 나타내는 나뭇가지상으로 발달된 미세한 입자는 고전류 밀도로 제작된다.FIG. 3 shows a micrograph of the surface of the copper foil having the copper-cobalt-nickel alloy plating layer formed on the copper foil. As shown in Fig. 3, fine particles that have developed to the ground can be seen. In general, fine particles as shown in Fig. 3 and developed to the ground are fabricated at a high current density.

이와 같은 고전류 밀도로 처리된 경우에는, 초기 전착에 있어서의 입자의 핵 생성이 억제되기 때문에, 입자 선단에 새로운 입자의 핵이 형성되므로, 점차 나뭇가지상으로, 가늘고 길게 입자가 성장하게 된다.When treated at such a high current density, the nucleation of particles in the initial electrodeposition is inhibited, and nuclei of new particles are formed at the tip of the particles, so that the particles grow gradually and gradually to the ground.

따라서, 이것을 방지하기 위해서, 전류 밀도를 내려서 전기 도금하면, 예리한 상승이 없어지고, 입자가 증가하고, 둥그스름함을 띤 형상의 입자가 성장한다. 그러나, 이와 같은 상황하에 있어서도, 가루 떨어짐은 약간 개선되지만, 충분한 필 강도가 얻어지지 않아, 본원 발명의 목적을 달성하기 위해서는 충분하지 않다.Therefore, in order to prevent this, when the current density is lowered and electroplating is performed, sharp rise is eliminated, particles increase, and rounded particles grow. Even under such circumstances, however, the powder drop is slightly improved, but sufficient fill strength can not be obtained, which is not sufficient to achieve the object of the present invention.

도 3 에 나타내는 구리-코발트-니켈 합금 도금층이 형성된 경우의, 가루 떨어짐의 상태를, 도 1 의 개념 설명도에 나타낸다. 이 가루 떨어짐의 원인은, 상기와 같이 동박 상에 나뭇가지상으로 미세한 입자가 발생하기 때문이지만, 이 나뭇가지상의 입자는, 외력에 의해 나뭇가지의 일부가 부러지기 쉽고, 또 근원으로부터 탈락된다. 이 미세한 나뭇가지상의 입자는, 처리 중의 「스침」 에 의한 박리, 박리 가루에 의한 롤의 오염, 박리 가루에 의한 에칭 잔류물이 생기는 원인이 된다.Fig. 3 is a conceptual explanatory view of Fig. 1 showing a state in which the copper-cobalt-nickel alloy plating layer shown in Fig. 3 is formed. The reason for the dropping of the powder is that fine particles are generated on the copper foil on the copper foil as described above. Particles on the branches are likely to be broken by an external force and fall off from the root. This fine grain-like particle causes peeling due to "squeezing" in processing, contamination of the roll due to peeling powder, and etching residue due to peeling powder.

본 발명에 있어서는, 동박의 표면에, 사전에 구리의 1 차 입자층을 형성한 후, 그 1 차 입자층 상에, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층을 형성하는 것이다. 동박 상에, 이 1 차 입자 및 2 차 입자를 형성한 표면의 현미경 사진을 도 4 에 나타낸다 (자세한 것은 후술한다).In the present invention, a primary particle layer of copper is formed on the surface of a copper foil in advance, and then a secondary particle layer made of a ternary alloy made of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. A micrograph of the surface of the copper foil on which the primary particles and the secondary particles are formed is shown in Fig. 4 (details will be described later).

이로써, 처리 중의 「스침」 에 의한 박리, 박리 가루에 의한 롤의 오염, 박리 가루에 의한 에칭 잔류물이 없어지고, 즉 가루 떨어짐이라고 하는 현상을 억제할 수 있고, 필 강도를 높이고, 또한 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 고주파 회로용 동박을 얻을 수 있다.Thereby, it is possible to suppress the phenomenon of peeling due to " squeeze " during processing, fouling of rolls due to peeling powder, disappearance of etching residue due to peeling powder, that is, falling of powder, The copper foil for a high frequency circuit can be obtained.

상기 1 차 입자층의 평균 입자경을 0.25 ∼ 0.45 ㎛, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층의 평균 입자경을 0.35 ㎛ 이하로 하는 것이, 하기에 나타내는 실시예로부터 분명한 바와 같이, 가루 떨어짐을 방지하는 최적인 조건이다. 상기 1 차 입자층의 평균 입자경의 하한은 바람직하게는 0.27 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.29 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.30 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.33 ㎛ 이상이다. 상기 1 차 입자층의 평균 입자경의 상한은, 바람직하게는 0.44 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.43 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.40 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.39 ㎛ 이하이다. 또, 상기 2 차 입자층의 평균 입자경의 상한은 바람직하게는 0.34 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.33 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.32 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.31 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.30 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.28 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.27 ㎛ 이하이다. 또, 2 차 입자층의 평균 입자경의 하한은 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 0.001 ㎛ 이상, 혹은 0.01 ㎛ 이상, 혹은 0.05 ㎛ 이상, 혹은 0.09 ㎛ 이상, 혹은 0.10 ㎛ 이상, 혹은 0.12 ㎛ 이상, 혹은 0.15 ㎛ 이상이다.It is preferable that the mean particle diameter of the primary particle layer is 0.25 to 0.45 mu m and the average particle diameter of the secondary particle layer made of a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel is 0.35 mu m or less, It is an optimal condition to prevent falling. The lower limit of the average particle size of the primary particle layer is preferably at least 0.27 탆, preferably at least 0.29 탆, more preferably at least 0.30 탆, and still more preferably at least 0.33 탆. The upper limit of the average particle diameter of the primary particle layer is preferably 0.44 占 퐉 or less, preferably 0.43 占 퐉 or less, preferably 0.40 占 퐉 or less, and preferably 0.39 占 퐉 or less. The upper limit of the average particle size of the secondary particle layer is preferably 0.34 μm or less, preferably 0.33 μm or less, preferably 0.32 μm or less, preferably 0.31 μm or less, preferably 0.30 μm or less, 0.28 mu m or less, preferably 0.27 mu m or less. The lower limit of the average particle diameter of the secondary particle layer is not particularly limited, but may be, for example, 0.001 m or more, or 0.01 m or more, or 0.05 m or more, or 0.09 m or more, or 0.10 m or more, Or 0.15 탆 or more.

상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층은, 전기 도금층에 의해 형성한다. 이 2 차 입자의 특징은, 상기 1 차 입자 상에 성장한 1 또는 복수 개의 나뭇가지상의 입자이다. 또는 상기 1 차 입자 상에 성장한 정상 도금이다. 즉, 본 명세서에 있어서 용어 「2 차 입자층」 을 사용한 경우에는, 피복 도금 등의 정상 도금층도 포함되는 것으로 한다. 또, 2 차 입자층은 조화 입자에 의해 형성되는 층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 정상 도금층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 조화 입자에 의해 형성되는 층과 정상 도금층을 각각 1 층 이상 갖는 층이어도 된다.The primary particle layer and the secondary particle layer are formed by an electroplating layer. This secondary particle is characterized by one or a plurality of branch-like particles grown on the primary particles. Or a normal plating grown on the primary particles. That is, in the present specification, when the term " secondary particle layer " is used, a normal plating layer such as coated plating is also included. The secondary particle layer may be a layer having one or more layers formed by coarsely grained grains, a layer having one or more normal plating layers, or a layer having one or more normal plating layers .

이와 같이 하여 형성된 1 차 입자층 및 2 차 입자층의 필 강도 0.80 kg/cm 이상, 나아가서는 필 강도 0.90 kg/cm 이상을 달성할 수 있다.The peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer thus formed can be 0.80 kg / cm or more, and moreover, the peel strength can be 0.90 kg / cm or more.

1 차 입자층 및 2 차 입자층을 형성한 동박에 있어서, 더욱 중요한 것은, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치를 1500 이상, 바람직하게는 1600 이상, 바람직하게는 1700 이상, 바람직하게는 1800 이상, 보다 바람직하게는 1900 이상으로 하는 것이다. 또한, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치의 상한은 특별히 설정할 필요는 없지만, 예를 들어 4500 이하, 혹은 3500 이하, 혹은 3100 이하, 혹은 3000 이하, 혹은 2900 이하, 혹은 2800 이하이다.More importantly, in the copper foil in which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed, the average value of the height of the unevenness of the roughed surface by the laser microscope is 1500 or more, preferably 1,600 or more, preferably 1,700 or more, Or more, and more preferably, 1900 or more. The upper limit of the average value of the concavity and convexity of the roughened surface by the laser microscope is not particularly limited, but is, for example, 4500 or less, or 3500 or less, or 3100 or less, or 3000 or less, or 2900 or less, or 2800 or less.

본 발명의 특징은, 1 차 입자층과 2 차 입자층을 형성한 조화 처리층을 형성하는 것에 있고, 그 조화 처리층은, 도 2 에 나타내는 바와 같은 큰 1 차 입자층 1 층 상에 작은 2 차 입자층이 1 ∼ 2 층 형성된 상태가 이상적인 상태이다. 현실적으로는, 1 차 입자도 2 차 입자도 입자가 여러 단으로 겹쳐져 있는 경우도 있고, 복잡한 층을 형성하고 있어, 입자경으로부터 층의 높이를 추측하는 것은 곤란하다. 일반적인 경향으로서는, 예를 들어, 조금 작은 1 차 입자에 1 차 입자와 동일한 정도나 그 이상의 크기의 2 차 입자를 형성하는 경우, 조금 큰 1 차 입자에 조금 작은 2 차 입자를 조금 두껍게 형성한 경우, 바람직하지 않지만, 이 조합을 구체적으로 제어하는 것은 곤란하다. 그래서, 본 발명에서는, 「레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치」 라는 매크로한 지표에 착안하여, 이것을 제어함으로써, 1 차 입자와 2 차 입자의 조합의 상세한 구조를 제어하지 않아도, 안정적인 필 강도의 향상과 안정적인 가루 떨어짐 현상을 방지할 수 있는 효과를 갖는 조화 처리층을 형성할 수 있는 것을 알아냈다. 또한, 「레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치」 에 있어서의 「조화 처리면」 이란, 최종 제품 상의 표면을 의미하고, 1 차 입자층 및 2 차 입자층을 형성한 측의 최표면을 의미한다. 또, 2 차 입자층 상에, 예를 들어, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 등의 표면 처리층이 형성되어 있을 때에는, 당해 표면 처리층의 최표면을 의미한다. 또한, 후술하는 「수지층」 이 형성되어 있을 때에는, 당해 수지층을 제외한 동박의 1 차 입자층 및 2 차 입자층을 형성한 측의 최표면을 의미한다.A feature of the present invention resides in that a harmonized treatment layer in which a primary particle layer and a secondary particle layer are formed is formed. The harmonized treatment layer has a structure in which a small secondary particle layer The state in which one or two layers are formed is in an ideal state. In reality, there are cases where primary particles and secondary particles are stacked in multiple stages, and complex layers are formed, and it is difficult to estimate the height of the layer from the particle diameter. As a general tendency, for example, in the case of forming secondary particles having the same size as or larger than that of the primary particles in a slightly smaller primary particle and forming a slightly smaller secondary particle in a slightly larger primary particle , But it is difficult to specifically control this combination. Thus, in the present invention, it is possible to provide a stable and stable image by controlling the macroscopic index of the average value of the concavity and convexity of the roughened surface by the laser microscope and by controlling this to control the detailed structure of the combination of the primary particle and the secondary particle It is possible to form a roughened treatment layer having an effect of improving the peel strength and preventing the stable powder falling phenomenon. The " roughened surface " in the " average value of the concavity and convexity of the roughened surface by the laser microscope " means the surface of the final product and means the top surface of the side on which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed do. When a surface treatment layer such as a heat resistant layer, a rust preventive layer or a silane coupling treatment layer is formed on the secondary particle layer, it means the outermost surface of the surface treated layer. When a " resin layer " to be described later is formed, it means the outermost surface of the primary particle layer and the side on which the secondary particle layer is formed of the copper foil excluding the resin layer.

레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 미만에서는, 1 차 입자층 및 2 차 입자층을 형성한 동박에 있어서, 2 차 입자층이 중첩됨으로써, 조화 입자의 매크로한 높이의 요철차가 작아지고, 가루 떨어짐 현상이 발생하기 쉬워진다.When the average value of the concavo-convex height of the roughened surface by the laser microscope is less than 1,500, in the copper foil in which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed, the secondary particle layer is superimposed, The powder falling phenomenon tends to occur.

레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치의 측정법은, 주식회사 키엔스 제조 레이저 마이크로 스코프 VK8500 을 이용하여 배율을 1000 배로 설정하고, 조화 처리면을 측정한 결과에 대해, 유효 면적이 786432 μ㎡ (측정 영역 100 %) 에 있어서의 계측 해석에 의해 요철 높이를, 해석 소프트 KVH1A9 를 이용하여 히스토그램화하고, 그 평균치를 구하는 수법에 의해 설정을 실시한다.The measurement of the average value of the concavo-convex height of the roughened surface by the laser microscope was carried out using a laser microscope VK8500 manufactured by Keith Co., Ltd., with a magnification of 1000 times, and an effective area of 786432 mu m The measurement area 100%), the height of the ruggedness is made into a histogram by using the analysis software KVH1A9, and the setting is performed by a method of obtaining the average value.

2 차 입자층 상에,On the secondary particle layer,

(A) Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및, (B) 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방이 형성되어 있어도 된다.(A) an alloy layer comprising at least one element selected from the group consisting of Ni and Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As and Ti, One or both of the layers may be formed.

또, 2 차 입자층 상에, (A) Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및, (B) 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방과, 실란 커플링층이 이 순서로 형성되어 있어도 된다.(A) an alloy consisting of at least one element selected from the group consisting of Ni, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As and Ti on the secondary particle layer Layer, and (B) the chromate layer, and the silane coupling layer may be formed in this order.

또한, 2 차 입자층 상에, Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방이 형성되어 있어도 된다.Further, either or both of a Ni-Zn alloy layer and a chromate layer may be formed on the secondary particle layer.

또한, 2 차 입자층 상에, Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중 어느 일방, 또는, 양방과, 실란 커플링층이 이 순서로 형성되어 있어도 된다.Further, either or both of the Ni-Zn alloy layer and the chromate layer and the silane coupling layer may be formed in this order on the secondary particle layer.

이와 같은 구성에 의하면, 필 강도를 유지한 채로, 고주파 전송 특성을 향상시키는 것이 가능하다.According to such a configuration, it is possible to improve the high frequency transmission characteristic while maintaining the peel strength.

[전송 손실][Transmission Loss]

전송 손실이 작은 경우, 고주파로 신호 전송을 실시할 때의, 신호의 감쇠가 억제되기 때문에, 고주파로 신호의 전송을 실시하는 회로에 있어서, 안정적인 신호의 전송을 실시할 수 있다. 그 때문에, 전송 손실의 값이 작은 것이, 고주파로 신호의 전송을 실시하는 회로 용도로 사용하는 것에 적합하기 때문에 바람직하다. 표면 처리 동박을, 시판되는 액정 폴리머 수지 (주식회사 쿠라레 제조 Vecstar CTZ-50 ㎛) 와 첩합(貼合)한 후, 에칭으로 특성 임피던스가 50 Ω 이 되도록 마이크로 스트립 선로를 형성하고, HP 사 제조의 네트워크 애널라이저 HP8720C 를 사용하여 투과 계수를 측정하고, 주파수 20 GHz 및 주파수 40 GHz 에서의 전송 손실을 구한 경우에, 주파수 20 GHz 에 있어서의 전송 손실이, 5.0 dB/10 cm 미만이 바람직하고, 4.1 dB/10 cm 미만이 보다 바람직하고, 3.7 dB/10 cm 미만이 한층 더 바람직하다.When the transmission loss is small, attenuation of the signal at the time of performing signal transmission at a high frequency is suppressed, so that it is possible to perform stable signal transmission in a circuit for transmitting a signal at a high frequency. Therefore, it is preferable that the value of the transmission loss is small because it is suitable for use in a circuit application for transmitting a high-frequency signal. The surface-treated copper foil was bonded to a commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 mu m, manufactured by Kuraray Co., Ltd.), and microstrip lines were formed so as to have a characteristic impedance of 50 ohms by etching. When the transmission coefficient is measured using the network analyzer HP8720C and the transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz is obtained, a transmission loss at a frequency of 20 GHz is preferably less than 5.0 dB / 10 cm, and a transmission loss of 4.1 dB / 10 cm is more preferable, and less than 3.7 dB / 10 cm is even more preferable.

본 발명의 표면 처리 동박을, 조화 처리면측으로부터 수지 기판에 첩합하여 적층체를 제조할 수 있다. 수지 기판은 프린트 배선판 등에 적용 가능한 특성을 갖는 것이면 특별히 제한을 받지 않지만, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유 천 기재 에폭시 수지, 유리 천·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 천·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리 천 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, FPC 용으로 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 불소 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 액정 폴리머 (LCP) 필름이나 불소 수지 필름을 사용한 경우, 폴리이미드 필름을 사용한 경우보다, 당해 필름과 표면 처리 동박의 필 강도가 작아지는 경향이 있다. 따라서, 액정 폴리머 (LCP) 필름이나 불소 수지 필름을 사용한 경우에는, 구리 회로를 형성 후, 구리 회로를 커버레이로 덮음으로써, 당해 필름과 구리 회로가 박리되기 어렵게 하고, 필 강도의 저하에 의한 당해 필름과 구리 회로의 박리를 방지할 수 있다.The surface-treated copper foil of the present invention can be laminated on the resin substrate from the roughened surface side to produce a laminate. The resin substrate is not particularly limited as long as it has properties applicable to a printed wiring board and the like. For example, a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber base epoxy resin, a glass cloth, Resin, glass cloth, glass nonwoven fabric composite base epoxy resin, glass cloth base epoxy resin and the like can be used, and polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film, fluorine resin and the like can be used for FPC. In addition, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, the film strength of the film and the surface-treated copper foil tends to be smaller than that in the case of using a polyimide film. Therefore, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, the copper circuit is covered with the cover layer after the formation of the copper circuit, thereby making it difficult for the film and the copper circuit to peel off, The peeling of the film and the copper circuit can be prevented.

또한, 액정 폴리머 (LCP) 필름이나 불소 수지 필름은 유전 정접이 작기 때문에, 액정 폴리머 (LCP) 필름이나 불소 수지 필름과 본원 발명에 관련된 표면 처리 동박을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 프린트 회로판은 고주파 회로 (고주파로 신호의 전송을 실시하는 회로) 용도에 적합하다. 또, 본원 발명에 관련된 표면 처리 동박은 표면 조도 Rz 가 작고, 광택도가 높기 때문에 표면이 평활하여, 고주파 회로 용도에도 적합하다.Since the liquid crystal polymer (LCP) film or the fluororesin film has a small dielectric loss tangent, the copper clad laminate, the printed wiring board and the printed circuit board using the liquid crystal polymer (LCP) film or the fluororesin film and the surface- Circuit (a circuit for transmitting a signal at a high frequency). The surface-treated copper foil according to the present invention has a surface roughness Rz of a small value and a high gloss, so that the surface is smooth and suitable for use in a high-frequency circuit.

첩합 방법은, 리지드 PWB 용의 경우, 유리 천 등의 기재에 수지를 함침시켜, 수지를 반경화 상태까지 경화시킨 프리프레그를 준비한다. 동박을 피복층의 반대측의 면으로부터 프리프레그에 겹쳐서 가열 가압시킴으로써 실시할 수 있다. FPC 의 경우, 폴리이미드 필름 등의 기재에 접착제를 개재하거나, 또는, 접착제를 사용하지 않고 고온 고압하에서 동박에 적층 접착하거나, 또는, 폴리이미드 전구체를 도포·건조·경화 등을 실시함으로써 적층판을 제조할 수 있다.In the case of the rigid PWB, the prepreg is prepared by impregnating a base material such as glass cloth with resin and hardening the resin to a semi-hardened state. The copper foil is superimposed on the prepreg from the opposite surface side of the coating layer and is heated and pressed. In the case of an FPC, a laminate is produced by applying an adhesive to a substrate such as a polyimide film, or by laminating the laminate to a copper foil under high temperature and high pressure without using an adhesive, or by applying a polyimide precursor, can do.

본 발명의 적층체는 각종 프린트 배선판 (PWB) 에 사용 가능하고, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 도체 패턴의 층수의 관점에서는 편면 PWB, 양면 PWB, 다층 PWB (3 층 이상) 에 적용 가능하고, 절연 기판 재료의 종류의 관점에서는 리지드 PWB, 플렉시블 PWB (FPC), 리지드·플렉스 PWB 에 적용 가능하다.The laminate of the present invention can be applied to various printed wiring boards (PWB) and is not particularly limited. For example, it can be applied to single-sided PWB, double-sided PWB, multilayer PWB (three or more layers) And is applicable to rigid PWB, flexible PWB (FPC), and rigid flex PWB from the viewpoint of kinds of insulating substrate materials.

또한, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다. 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 이와 같이 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다.In addition, by mounting electronic parts on the printed wiring board, a printed circuit board is completed. In the present invention, the " printed wiring board " includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which the electronic parts are mounted.

또, 당해 프린트 배선판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 된다.An electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic device is mounted, and an electronic device may be manufactured using the printed board on which the electronic device is mounted .

(구리의 1 차 입자의 도금 조건)(Plating conditions of primary particles of copper)

구리의 1 차 입자의 도금 조건의 일례를 들면, 하기와 같다.An example of plating conditions of primary particles of copper is as follows.

또한, 이 도금 조건은 어디까지나 바람직한 예를 나타내는 것이며, 구리의 1 차 입자는 동박 상에 형성되는 평균 입자경이 가루 떨어짐 방지의 역할을 담당하는 것이다. 따라서, 평균 입자경이 본 발명의 범위에 들어가는 것이면, 하기에 표시하는 것 이외의 도금 조건인 것은 전혀 저해되는 것은 아니다. 본 발명은 이들을 포함하는 것이다.This plating condition is a preferable example only, and the average particle diameter formed on the copper foil of the primary particles of copper plays a role of prevention of fall of the powder. Therefore, if the average particle size falls within the range of the present invention, plating conditions other than those shown below are not inhibited at all. The present invention includes these.

액 조성 : 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 황산 50 ∼ 100 g/ℓ Liquid composition: copper 10 to 20 g / l, sulfuric acid 50 to 100 g / l

액 온도 : 25 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 25 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 58 A/d㎡ Current density: 1 to 58 A / dm 2

쿨롬량 : 4 ∼ 81 As/d㎡Culm volume: 4 ~ 81 As / d㎡

(2 차 입자의 도금 조건)(Plating conditions of secondary particles)

또한, 상기와 마찬가지로, 이 도금 조건은 어디까지나 바람직한 예를 나타내는 것이며, 2 차 입자는 1 차 입자 상에 형성되는 것이며, 평균 입자경이 가루 떨어짐 방지의 역할을 담당하는 것이다. 따라서, 평균 입자경이 본 발명의 범위에 들어가는 것이면, 하기에 표시하는 것 이외의 도금 조건인 것은 전혀 저해되는 것은 아니다. 본 발명은 이들을 포함하는 것이다.In the same manner as described above, this plating condition is a preferable example. Secondary particles are formed on the primary particles, and the average particle diameter plays a role of prevention of dropping of the powder. Therefore, if the average particle size falls within the range of the present invention, plating conditions other than those shown below are not inhibited at all. The present invention includes these.

액 조성 : 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 니켈 5 ∼ 15 g/ℓ, 코발트 5 ∼ 15 g/ℓLiquid composition: copper 10 to 20 g / l, nickel 5 to 15 g / l, cobalt 5 to 15 g / l

pH : 2 ∼ 3pH: 2-3

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 24 ∼ 50 A/d㎡ Current density: 24 ~ 50 A / dm2

쿨롬량 : 34 ∼ 48 As/d㎡Culm volume: 34 ~ 48 As / d㎡

(내열층 1 을 형성하는 도금 조건) (Co-Ni 도금 : 코발트니켈 합금 도금)(Plating condition for forming the heat resistant layer 1) (Co-Ni plating: cobalt nickel alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form a heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 5 ∼ 20 g/ℓ, 코발트 1 ∼ 8 g/ℓLiquid composition: nickel 5 to 20 g / l, cobalt 1 to 8 g / l

pH : 2 ∼ 3pH: 2-3

액 온도 : 40 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 40 ~ 60 ℃

전류 밀도 : 5 ∼ 20 A/d㎡ Current density: 5 to 20 A / dm 2

쿨롬량 : 10 ∼ 20 As/d㎡Culm volume: 10 ~ 20 As / d㎡

(내열층 2 를 형성하는 도금 조건) (Ni-Zn 도금 : 니켈아연 합금 도금)(Plating conditions for forming the heat resistant layer 2) (Ni-Zn plating: nickel zinc alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 아연 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: 2 to 30 g / l of nickel, 2 to 30 g / l of zinc

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 3 을 형성하는 도금 조건) (Ni­Cu 도금 : 니켈구리 합금 도금)(Plating condition for forming the heat resistant layer 3) (NiCu plating: nickel copper alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 구리 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: 2 to 30 g / l of nickel, 2 to 30 g / l of copper

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 4 를 형성하는 도금 조건) (Ni-Mo 도금 : 니켈몰리브덴 합금 도금) (Plating conditions for forming the heat resistant layer 4) (Ni-Mo plating: nickel molybdenum alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 황산 Ni6 수화물 : 45 ∼ 55 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2 수화물 : 50 ∼ 70 g/d㎥, 시트르산나트륨 : 80 ∼ 100 g/d㎥ Liquid composition: sulfuric acid Ni6 hydrate: 45 to 55 g / dm3, sodium molybdate dihydrate: 50 to 70 g / dm3, sodium citrate: 80 to 100 g / dm3

액 온도 : 20 ∼ 40 ℃ Liquid temperature: 20 ~ 40 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 4 A/d㎡ Current density: 1 to 4 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 5 를 형성하는 도금 조건) (Ni-Sn 도금 : 니켈주석 합금 도금) (Plating conditions for forming the heat resistant layer 5) (Ni-Sn plating: nickel tin alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 주석 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: Nickel 2 - 30 g / ℓ, Tin 2 - 30 g / ℓ

pH : 1.5 ∼ 4.5pH: 1.5 to 4.5

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 6 을 형성하는 도금 조건) (Ni-P 도금 : 니켈인 합금 도금) (Plating condition for forming the heat resistant layer 6) (Ni-P plating: Nickel alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 30 ∼ 70 g/ℓ, 인 0.2 ∼ 1.2 g/ℓLiquid composition: 30 to 70 g / l of nickel, 0.2 to 1.2 g / l of phosphorus

pH : 1.5 ∼ 2.5pH: 1.5 to 2.5

액 온도 : 30 ∼ 40 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 40 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 7 을 형성하는 도금 조건) (Ni-W 도금 : 니켈텅스텐 합금 도금)(Plating condition for forming the heat resistant layer 7) (Ni-W plating: nickel tungsten alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, W 0.01 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: nickel 2 to 30 g / l, W 0.01 to 5 g / l

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(내열층 8 을 형성하는 도금 조건) (Ni-Cr 도금 : 니켈크롬 합금 도금) (Plating condition for forming the heat resistant layer 8) (Ni-Cr plating: nickel chromium alloy plating)

본 발명은, 상기 2 차 입자층 상에, 추가로 다음의 내열층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다.The present invention can further form the following heat resistant layer on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.

Ni : 65 ∼ 85 mass%, Cr : 15 ∼ 35 mass% 의 조성의 스퍼터링 타겟을 사용하여 니켈크롬 합금 도금층을 형성했다.A nickel chromium alloy plating layer was formed using a sputtering target having a composition of Ni: 65 to 85 mass% and Cr: 15 to 35 mass%.

타겟 : Ni : 65 ∼ 85 mass%, Cr : 15 ∼ 35 mass%Target: Ni: 65 to 85 mass%, Cr: 15 to 35 mass%

장치 : 주식회사 얼백 제조의 스퍼터 장치 Apparatus: Sputtering apparatus manufactured by Erica Co., Ltd.

출력 : DC50W Output: DC50W

아르곤 압력 : 0.2 PaArgon pressure: 0.2 Pa

(방청층을 형성하는 도금 조건)(Plating conditions for forming a rust preventive layer)

본 발명은, 추가로 다음의 방청층을 형성할 수 있다. 이 도금 조건을 하기에 나타낸다. 하기에 있어서는, 침지 크로메이트 처리의 조건을 나타냈지만, 전해 크로메이트 처리여도 된다.The present invention can further form the following rust preventive layer. The plating conditions are shown below. In the following, the conditions of the immersion chromate treatment are shown, but electrolytic chromate treatment may also be employed.

액 조성 : 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: Potassium dichromate 1 to 10 g / l, zinc 0 to 5 g / l

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 50 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 50 ~ 60 ℃

전류 밀도 : 0 ∼ 2 A/d㎡ (0 A/d㎡ 는 침지 크로메이트 처리의 경우이다.)Current density: 0 to 2 A / dm 2 (0 A / dm 2 is for immersion chromate treatment)

쿨롬량 : 0 ∼ 2 As/d㎡ (0 As/d㎡ 는 침지 크로메이트 처리의 경우이다.)Culm amount: 0 to 2 As / dm 2 (0 As / dm 2 is the case of immersion chromate treatment)

(내후성층 (실란 커플링층) 의 종류)(Kind of weather-resistant layer (silane coupling layer)

일례로서, 디아미노실란 수용액의 도포를 들 수 있다.As an example, application of an aqueous solution of diaminosilane can be mentioned.

또한, 내열층 등의 금속층, 도금층이 스퍼터링 등의 건식 도금에 의해 형성되어 있는 경우, 및, 내열층 등의 금속층, 도금층이 습식 도금에 의해 형성되어 있는 경우로서, 내열층 등의 금속층, 도금층이 정상 도금 (평활 도금, 즉, 한계 전류 밀도 미만의 전류 밀도로 실시하는 도금) 인 경우, 당해 금속층, 도금층은 동박의 표면의 형상에 영향을 미치지 않는다.Further, when a metal layer such as a heat resistant layer, a plating layer formed by dry plating such as sputtering, and a metal layer such as a heat resistant layer or a plating layer formed by wet plating, a metal layer such as a heat resistant layer, In the case of normal plating (smoothing plating, that is, plating performed at a current density less than the critical current density), the metal layer and the plating layer do not affect the shape of the surface of the copper foil.

한계 전류 밀도는, 금속 농도, pH, 급액 속도, 극간 거리, 도금액 온도에 따라 변화하지만, 본 발명에서는 정상 도금 (도금된 금속이 층상으로 석출되어 있는 상태) 과 조화 도금 (베이킹 도금, 도금된 금속이 결정상 (구상이나 침상이나 수빙(樹氷)상 등) 으로 석출되어 있는 상태, 요철이 있다.) 의 경계의 전류 밀도를 한계 전류 밀도라고 정의하고, 헐셀 시험에서 정상 도금이 되는 한계 (베이킹 도금이 되기 직전) 의 전류 밀도 (육안 판단) 를 한계 전류 밀도로 한다.The limiting current density varies depending on the metal concentration, the pH, the liquid supply speed, the distance between the electrodes, and the temperature of the plating solution. In the present invention, the normal plating (the state in which the plated metal is deposited in layers) and the plating (baking plating, The current density at the boundary of the crystalline phase (the state of being precipitated in spherical, needle-like, or ice-tree), irregularities) is defined as the limiting current density. (Visual judgment) of the current density is defined as the limiting current density.

구체적으로는, 금속 농도, pH, 도금액 온도를 도금의 제조 조건으로 설정하여, 헐셀 시험을 실시한다. 그리고, 당해 도금액 조성, 도금액 온도에 있어서의 금속층 형성 상태 (도금된 금속이 층상으로 석출되어 있는지 결정상으로 형성되어 있는지) 를 조사한다. 그리고, 주식회사 야마모토 도금 시험기 제조의 전류 밀도 조견표에 기초하여, 테스트 피스의 정상 도금과 조화 도금의 경계가 존재하는 지점의 테스트 피스의 위치로부터, 당해 경계의 위치에 있어서의 전류 밀도를 구한다. 그리고, 당해 경계의 위치에 있어서의 전류 밀도를 한계 전류 밀도로 규정한다. 이로써, 당해 도금액 조성, 도금액 온도에서의 한계 전류 밀도를 알 수 있다. 일반적으로는 극간 거리가 짧으면 한계 전류 밀도가 높아지는 경향이 있다.More specifically, the metal concentration, the pH, and the plating solution temperature are set as plating conditions, and the hullell test is performed. Then, the composition of the plating solution and the state of metal layer formation at the plating solution temperature (whether the plated metal is deposited in a layer or in a crystal phase) are examined. Based on the current density chart of the Yamamoto plating tester manufactured by the corporation, the current density at the position of the boundary of the test piece is obtained from the position of the test piece at the boundary between the normal plating and the plating plating of the test piece. Then, the current density at the position of the boundary is defined as the limiting current density. Thus, the composition of the plating solution and the critical current density at the plating solution temperature can be found. Generally, when the inter-pole distance is short, the threshold current density tends to increase.

헐셀 시험의 방법은 예를 들어 「도금 실무 독본」 마루야마 키요시 저술 일간 공업 신문사 1983 년 6 월 30 일의 157 페이지 내지 160 페이지에 기재되어 있다.The method of the Hulcel test is described in, for example, "Practice of Plating Practice", Kiyoshi Maruyama, Journal of Industrial Daily Newspaper, June 30, 1983, pp. 157-160.

또한, 한계 전류 밀도 미만에서 도금 처리를 실시하기 위해서, 도금 처리시의 전류 밀도를 20 A/d㎡ 이하로 하는 것이 바람직하고, 10 A/d㎡ 이하로 하는 것이 바람직하고, 8 A/d㎡ 이하로 하는 것이 바람직하다.In order to perform the plating treatment at a current density lower than the critical current density, the current density at the plating treatment is preferably 20 A / dm 2 or less, more preferably 10 A / dm 2 or less, more preferably 8 A / Or less.

또, 크로메이트층, 실란 커플링층은, 그 두께가 극단적으로 얇기 때문에, 동박의 표면의 형상에 영향을 미치지 않는다.Further, the chromate layer and the silane coupling layer have an extremely small thickness, so that the shape of the surface of the copper foil is not affected.

상기 2 차 입자로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금은, 전해 도금에 의해, 부착량이 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈의 3 원계 합금층을 형성할 수 있다.The copper-cobalt-nickel alloy plating as the secondary particles may be formed by electrolytic plating in an amount of 10 to 30 mg / dm 2 of copper-100 to 3000 μg / dm 2 of cobalt-50 to 500 μg / An alloy layer can be formed.

Co 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성이 나빠지고, 또 에칭성도 나빠진다. Co 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안 되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기고, 또, 내산성 및 내약품성의 악화가 고려될 수 있다.When the Co deposition amount is less than 100 占 퐂 / dm2, the heat resistance is deteriorated and the etching property is also deteriorated. When the Co deposition amount exceeds 3,000 占 퐂 / dm2, it is not preferable when the effect of magnetism must be taken into consideration. Etching unevenness occurs and deterioration of acid resistance and chemical resistance can be considered.

Ni 부착량이 50 ㎍/d㎡ 미만이면, 내열성이 나빠진다. 한편, Ni 부착량이 500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭성이 저하된다. 즉, 에칭 잔류물이 생기고, 또 에칭할 수 없는 레벨은 아니지만, 파인 패턴화가 어려워진다. 바람직한 Co 부착량은 500 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 이며, 그리고 바람직한 니켈 부착량은 50 ∼ 300 ㎍/d㎡ 이다.When the Ni adhesion amount is less than 50 占 퐂 / dm2, the heat resistance is deteriorated. On the other hand, if the Ni deposition amount exceeds 500 / / dm 2, the etching property is lowered. That is, etching residues are formed and the etching is not at a level that can not be performed, but fine patterning becomes difficult. The preferable Co deposition amount is 500 to 2000 占 퐂 / dm2, and the preferable nickel deposition amount is 50 to 300 占 퐂 / dm2.

이상으로부터, 구리-코발트-니켈 합금 도금의 부착량은, 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈인 것이 바람직하다고 할 수 있다. 이 3 원계 합금층의 각 부착량은 어디까지나, 바람직한 조건이며, 이 양을 초과하는 범위를 부정하는 것은 아니다.From the above, it can be said that the adhesion amount of the copper-cobalt-nickel alloy plating is preferably 10 to 30 mg / dm 2 copper-100 to 3000 μg / dm 2 cobalt-50 to 500 μg / dm 2 nickel. The deposition amount of the ternary alloy layer is a preferable condition, and the range exceeding this amount is not denied.

여기서, 에칭 얼룩이란, 염화구리로 에칭한 경우, Co 가 용해되지 않고 남게 되는 것을 의미하고, 그리고 에칭 잔류물이란 염화암모늄으로 알칼리 에칭한 경우, Ni 가 용해되지 않고 남게 되는 것을 의미하는 것이다.Here, the term "etching unevenness" means that when Co is etched with copper chloride, Co remains unmelted, and the etching residue means that Ni remains unmelted when subjected to alkali etching with ammonium chloride.

일반적으로, 회로를 형성하는 경우에는, 하기의 실시예 중에서 설명하는 알칼리성 에칭액 및 염화구리계 에칭액을 사용하여 실시된다. 이 에칭액 및 에칭 조건은, 범용성이 있는 것이지만, 이 조건으로 한정되는 일은 없고, 임의로 선택할 수 있는 것은 이해되어야 할 것이다.In general, when a circuit is formed, an alkaline etching solution and a copper chloride etching solution described in the following embodiments are used. Although the etchant and the etching conditions are versatile, it is to be understood that they are not limited to these conditions and can be arbitrarily selected.

본 발명은 상기와 같이, 2 차 입자를 형성한 후 (조화 처리 후), 조화면 상에 코발트-니켈 합금 도금층을 형성할 수 있다.As described above, the present invention can form a cobalt-nickel alloy plating layer on the roughened surface after secondary particles are formed (after the roughening treatment).

이 코발트-니켈 합금 도금층은, 코발트의 부착량이 200 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 이며, 또한 코발트의 비율이 60 ∼ 66 질량% 로 하는 것이 바람직하다. 이 처리는 넓은 의미에서 일종의 방청 처리로 볼 수 있다.In this cobalt-nickel alloy plating layer, the adhesion amount of cobalt is 200 to 3000 占 퐂 / dm2, and the ratio of cobalt is preferably 60 to 66 mass%. This treatment can be seen as a kind of rust treatment in a broad sense.

이 코발트-니켈 합금 도금층은, 동박과 기판의 접착 강도를 실질적으로 저하시키지 않을 정도로 실시할 필요가 있다. 코발트 부착량이 200 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열 박리 강도가 저하되고, 내산화성 및 내약품성이 나빠지고, 또 처리 표면이 불그스름하게 되어 버리므로 바람직하지 않다.This cobalt-nickel alloy plating layer needs to be carried out to such an extent that the bonding strength between the copper foil and the substrate is not substantially lowered. When the cobalt adhesion amount is less than 200 占 퐂 / dm2, the heat peel strength is lowered, the oxidation resistance and the chemical resistance are deteriorated, and the treated surface becomes reddish.

또, 코발트 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기고, 또, 내산성 및 내약품성의 악화가 고려된다. 바람직한 코발트 부착량은 400 ∼ 2500 ㎍/d㎡ 이다.When the amount of cobalt adhered exceeds 3000 占 퐂 / dm2, it is not preferable when the effect of magnetic property must be taken into consideration, and etching unevenness is caused, and acid resistance and chemical resistance deteriorate. The preferred cobalt deposition amount is 400 to 2500 占 퐂 / dm2.

또, 코발트 부착량이 많으면, 소프트 에칭의 번짐 발생의 원인이 되는 경우가 있다. 이 점에서 코발트의 비율이 60 ∼ 66 질량% 로 하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.In addition, if the amount of cobalt adhered is large, the soft etching may cause blurring. In this respect, it can be said that the ratio of cobalt is preferably 60 to 66 mass%.

후술하는 바와 같이, 소프트 에칭의 번짐 발생의 직접적인 큰 원인은, 아연-니켈 합금 도금층으로 이루어지는 내열 방청층이지만, 코발트도 소프트 에칭시의 번짐 발생의 원인이 되는 경우도 있으므로, 상기로 조정하는 것이, 보다 바람직하다고 하는 조건이다.As described later, a direct cause of occurrence of smearing of soft etching is a heat-resistant anticorrosion layer made of a zinc-nickel alloy plating layer, but there is also a case where cobalt causes blurring at the time of soft etching. Is more preferable.

한편, 니켈 부착량이 적은 경우에는, 내열 박리 강도가 저하되고, 내산화성 및 내약품성이 저하된다. 또, 니켈 부착량이 너무 많은 경우에는, 알칼리 에칭성이 나빠지므로, 상기 코발트 함유량과의 밸런스로 결정하는 것이 바람직하다.On the other hand, when the nickel adhesion amount is small, the heat peel strength is lowered, and the oxidation resistance and chemical resistance are lowered. When the amount of nickel adhered is too large, the alkali etching property is deteriorated. Therefore, it is preferable to determine the balance with the cobalt content.

본 발명은, 코발트-니켈 합금 도금 상에 추가로, 아연-니켈 합금 도금층을 형성할 수 있다. 아연-니켈 합금 도금층의 총량을 150 ∼ 500 ㎍/d㎡ 로 하고, 또한 니켈의 비율을 16 ∼ 40 질량% 로 한다. 이것은, 내열 방청층이라는 역할을 갖는 것이다. 이 조건도, 어디까지나 바람직한 조건으로서, 다른 공지된 아연-니켈 합금 도금을 사용할 수 있다. 이 아연-니켈 합금 도금은, 본 발명에 있어서는, 바람직한 부가적 조건인 것이 이해될 것이다.The present invention can further form a zinc-nickel alloy plating layer on the cobalt-nickel alloy plating. The total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 占 퐂 / dm 2, and the proportion of nickel is 16 to 40% by mass. This has a role of a heat-resistant rust-preventive layer. This condition is also a preferable condition, and other known zinc-nickel alloy platings can be used. It will be understood that this zinc-nickel alloy plating is a preferable additional condition in the present invention.

회로의 제조 공정에서 실시되는 처리가 한층 고온이 되고, 또 제품이 된 후의 기기 사용 중의 열 발생이 있다. 예를 들어, 수지에 동박을 열 압착으로 접합하는, 이른바 2 층재에서는, 접합시에 300 ℃ 이상의 열을 받는다. 이와 같은 상황 중에서도, 동박과 수지 기재의 사이에서의 접합력의 저하를 방지하는 것이 필요하고, 이 아연-니켈 합금 도금은 유효하다.The processing performed in the circuit manufacturing process becomes higher in temperature, and there is heat generation during use of the device after the product becomes a product. For example, in a so-called two-layer material in which a copper foil is bonded to a resin by thermocompression bonding, heat is applied at 300 占 폚 or more at the time of bonding. In such a situation, it is necessary to prevent the lowering of the bonding force between the copper foil and the resin substrate, and the zinc-nickel alloy plating is effective.

또, 종래의 기술에서는, 수지에 동박을 열 압착으로 접합한 2 층재에 있어서의 아연-니켈 합금 도금층을 구비한 미소한 회로에서는, 소프트 에칭시에, 회로의 에지부에 번짐에 의한 변색이 발생한다. 니켈은, 소프트 에칭시에 사용하는 에칭제 (H2SO4 : 10 wt%, H2O2 : 2 wt% 의 에칭 수용액) 의 번짐을 억제하는 효과가 있다.In the conventional technique, in a minute circuit including a zinc-nickel alloy plating layer in a two-layer material in which a copper foil is bonded to a resin by thermocompression bonding, discoloration due to smearing occurs at the edge of the circuit during soft etching do. Nickel has an effect of suppressing the bleeding of an etching agent (H 2 SO 4 : 10 wt%, H 2 O 2 : 2 wt% of an etching aqueous solution) used in soft etching.

상기와 같이, 상기 아연-니켈 합금 도금층의 총량을 150 ∼ 500 ㎍/d㎡ 로 함과 함께, 당해 합금층 중의 니켈 비율의 하한치를 16 질량% 로, 상한치를 40 질량% 로 하고, 또한 니켈의 함유량을 50 ㎍/d㎡ 이상으로 하는 것이, 내열 방청층이라는 역할을 구비함과 함께, 소프트 에칭시에 사용하는 에칭제의 번짐을 억제하고, 부식에 회로의 접합 강도의 약체화를 방지할 수 있다는 효과를 갖는다.As described above, the total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 占 퐂 / dm2, the lower limit of the nickel content in the alloy layer is 16 mass%, the upper limit is 40 mass% When the content is set to 50 占 퐂 / dm2 or more, it has a role as a heat-resistant anticorrosion layer and also suppresses the bleeding of the etching agent used in soft etching and prevents the weakening of the bonding strength of the circuit due to corrosion Effect.

또한, 아연-니켈 합금 도금층의 총량이 150 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열 방청력이 저하되어 내열 방청층으로서의 역할을 담당하는 것이 어려워지고, 동 총량이 500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 내염산성이 나빠지는 경향이 있다.When the total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is less than 150 mu g / dm < 2 >, the heat resistance deteriorates and it is difficult to play a role as a heat resistant rust preventive layer. There is a tendency to get worse.

또, 합금층 중의 니켈 비율의 하한치가 16 질량% 미만에서는, 소프트 에칭시의 번짐량이 9 ㎛ 를 초과하므로, 바람직하지 않다. 니켈 비율의 상한치 40 질량% 에 대해서는, 아연-니켈 합금 도금층을 형성할 수 있는 기술 상의 한계치이다.When the lower limit of the nickel percentage in the alloy layer is less than 16 mass%, the amount of bleeding during soft etching exceeds 9 占 퐉, which is not preferable. The upper limit of the nickel content of 40% by mass is a technical limit for forming a zinc-nickel alloy plating layer.

상기와 같이, 본 발명은, 2 차 입자층으로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금층 상에, 필요에 따라 코발트-니켈 합금 도금층, 나아가서는 아연-니켈 합금 도금층을 순차 형성할 수 있다. 이들 층에 있어서의 합계량의 코발트 부착량 및 니켈 부착량을 조절할 수도 있다. 코발트의 합계 부착량이 300 ∼ 4000 ㎍/d㎡, 니켈의 합계 부착량이 100 ∼ 1500 ㎍/d㎡ 로 하는 것이 바람직하다.As described above, in the present invention, a cobalt-nickel alloy plating layer, and further, a zinc-nickel alloy plating layer can be sequentially formed on a copper-cobalt-nickel alloy plating layer as a secondary particle layer. The total amount of cobalt and nickel deposited on these layers may be adjusted. Cobalt is 300 to 4000 占 퐂 / dm2, and the total amount of nickel is 100 to 1,500 占 퐂 / dm2.

코발트의 합계 부착량이 300 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성 및 내약품성이 저하되고, 코발트의 합계 부착량이 4000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭 얼룩이 생기는 경우가 있고, 또 전송 손실이 커지는 경우가 있다. 또, 니켈의 합계 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성 및 내약품성이 저하되는 경우가 있다. 니켈의 합계 부착량이 1500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭 잔류물이 생기는 경우가 있고, 또, 전송 손실이 커지는 경우가 있다.If the total adhesion amount of cobalt is less than 300 占 퐂 / dm2, heat resistance and chemical resistance are lowered. If the total adhesion amount of cobalt exceeds 4000 占 퐂 / dm2, etching unevenness may occur and transmission loss may increase . When the total amount of nickel deposited is less than 100 占 퐂 / dm2, heat resistance and chemical resistance may be lowered. If the total deposition amount of nickel exceeds 1500 占 퐂 / dm2, etching residues may be generated and the transmission loss may increase.

바람직하게는, 코발트의 합계 부착량은 300 ∼ 3500 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 300 ∼ 3000 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 300 ∼ 2500 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 300 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 이며, 니켈의 합계 부착량은 바람직하게는 100 ∼ 1000 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 100 ∼ 900 ㎍/d㎡ 이다. 상기의 조건을 만족시키면, 특히 이 단락에 기재하는 조건에 제한될 필요는 없다.Preferably, the total deposition amount of cobalt is 300 to 3500 占 퐂 / dm2, more preferably 300 to 3000 占 퐂 / dm2, more preferably 300 to 2500 占 퐂 / dm2, still more preferably 300 to 2000 占 퐂 / dm < 2 >, and the total deposition amount of nickel is preferably 100 to 1,000 mu g / dm < 2 >, more preferably 100 to 900 mu g / dm & If the above conditions are satisfied, it is not particularly limited to the conditions described in this paragraph.

이 후, 필요에 따라, 방청 처리가 실시된다. 본 발명에 있어서 바람직한 방청 처리는, 크롬 산화물 단독의 피막 처리 혹은 크롬 산화물과 아연/아연 산화물의 혼합물 피막 처리이다. 크롬 산화물과 아연/아연 산화물의 혼합물 피막 처리란, 아연염 또는 산화아연과 크롬산염을 포함하는 도금욕을 사용하여 전기 도금에 의해 아연 또는 산화아연과 크롬 산화물로 이루어지는 아연-크롬기 혼합물의 방청층을 피복하는 처리이다.Thereafter, rust-preventive treatment is carried out, if necessary. The rust-preventive treatment preferable in the present invention is a film treatment of chromium oxide alone or a treatment of a mixture of chromium oxide and zinc / zinc oxide. The treatment of the mixture of chromium oxide and zinc / zinc oxide is a treatment of zinc or a rust-preventive layer of a zinc-chromium group mixture composed of zinc oxide and chromium oxide by electroplating using a zinc salt or a plating bath containing zinc oxide and chromate .

도금욕으로서는, 대표적으로는, K2Cr2O7, Na2Cr2O7 등의 중크롬산염이나 CrO3 등의 적어도 1 종과, 수용성 아연염, 예를 들어 ZnO, ZnSO4·7H2O 등 적어도 1 종과, 수산화알칼리와의 혼합 수용액이 사용된다. 대표적인 도금욕 조성과 전해 조건예는 다음과 같다.Representative examples of the plating bath include K 2 Cr 2 O 7 , Na 2 Cr 2 O 7 Such as dichromate or CrO 3 And at least one water-soluble zinc salt such as ZnO, ZnSO 4 .7H 2 O, and an alkali hydroxide is used. Typical examples of plating bath composition and electrolysis conditions are as follows.

이렇게 하여 얻어진 동박은, 우수한 내열성 박리 강도, 내산화성 및 내염산성을 갖는다. 또, CuCl2 에칭액으로 150 ㎛ 피치 회로폭 이하의 회로를 에칭할 수 있고, 게다가 알칼리 에칭도 가능하게 한다. 또, 소프트 에칭시의, 회로 에지부에의 번짐을 억제할 수 있다.The thus obtained copper foil has excellent heat resistance peel strength, oxidation resistance and hydrochloric acid resistance. In addition, a circuit with a circuit width of 150 μm pitch or less can be etched with a CuCl 2 etchant, and alkali etching can be performed. In addition, it is possible to suppress the blur on the circuit edge portion at the time of soft etching.

소프트 에칭액에는, H2SO4 : 10 wt%, H2O2 : 2 wt% 의 수용액을 사용할 수 있다. 처리 시간과 온도는 임의로 조절할 수 있다.As the soft etching solution, an aqueous solution of H 2 SO 4 : 10 wt% and H 2 O 2 : 2 wt% may be used. The treatment time and temperature can be arbitrarily controlled.

알칼리 에칭액으로서는, 예를 들어, NH4OH : 6 몰/리터, NH4Cl : 5 몰/리터, CuCl2 : 2 몰/리터 (온도 50 ℃) 등의 액이 알려져 있다.As the alkali etching solution, for example, a solution such as NH 4 OH: 6 moles / liter, NH 4 Cl: 5 moles / liter, CuCl 2 : 2 moles / liter (temperature: 50 ° C) is known.

상기의 전체 공정에서 얻어진 동박은, 흑색 ∼ 회색을 가지고 있다. 흑색 ∼ 회색은, 위치 맞춤 정밀도 및 열 흡수율이 높은 것의 점에서 의미가 있다. 예를 들어, 리지드 기판 및 플렉시블 기판을 포함하여 회로 기판은, IC 나 저항, 콘덴서 등의 부품을 자동 공정으로 탑재해 가지만, 그 때 센서에 의해 회로를 판독하면서 칩 마운트를 실시하고 있다. 이 때, 카프톤 등의 필름을 통해 동박 처리면에서의 위치 맞춤을 실시하는 경우가 있다. 또, 스루홀 형성시의 위치 결정도 동일하다.The copper foil obtained in the whole process has black to gray. Black to gray are meaningful in terms of high alignment accuracy and high heat absorption rate. For example, a circuit board including a rigid board and a flexible board mounts components such as ICs, resistors, and capacitors in an automatic process, and chip mounting is carried out while a circuit is being read by the sensor. At this time, there is a case where alignment is performed on the copper foil-processed surface through a film such as a capton. The positioning in the formation of the through holes is also the same.

처리면이 흑색에 가까울수록, 광의 흡수가 좋기 때문에, 위치 결정의 정밀도가 높아진다. 나아가서는, 기판을 제작할 때, 동박과 필름을 열을 가하면서 큐어링하여 접착시키는 경우가 많다. 이 때, 원적외선, 적외선 등의 장파를 사용함으로써 가열하는 경우, 처리면의 색조가 검은 것이, 가열 효율이 좋아진다.The closer the processing surface is to black, the better the absorption of light, and hence the higher the accuracy of positioning. Further, in the case of manufacturing a substrate, the copper foil and the film are often cured while adhering to heat. At this time, when heating is performed by using long-wave such as far-infrared ray or infrared ray, the color tone of the processed surface is black, and the heating efficiency is improved.

마지막으로, 필요에 따라, 동박과 수지 기판의 접착력의 개선을 주목적으로 하여, 방청층 상의 적어도 조화면에 실란 커플링제를 도포하는 실란 처리가 실시된다. 이 실란 처리에 사용하는 실란 커플링제로서는, 올레핀계 실란, 에폭시계 실란, 아크릴계 실란, 아미노계 실란, 메르캅토계 실란을 들 수 있지만, 이들을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 수지로서 액정 폴리머를 사용하는 경우에는, 실란 커플링제로서 아미노계 실란 (아미노기를 갖는 실란) 을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 실란 커플링제로서 디아미노실란을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Finally, if necessary, a silane treatment is performed to apply a silane coupling agent to at least the roughened surface on the anticorrosive layer, with the primary aim of improving the adhesion between the copper foil and the resin substrate. Examples of the silane coupling agent used in the silane treatment include olefin silane, epoxy silane, acrylic silane, amino silane and mercapto silane, and these can be appropriately selected and used. When a liquid crystal polymer is used as the resin, it is preferable to use an amino-based silane (silane having an amino group) as a silane coupling agent. Further, it is more preferable to use diaminosilane as the silane coupling agent.

도포 방법은, 실란 커플링제 용액의 스프레이에 의한 분사, 코터로의 도포, 침지, 흘려뿌림 등 어느 것이어도 된다. 예를 들어, 일본 특허공보 소60-15654호는, 동박의 조면측에 크로메이트 처리를 실시한 후 실란 커플링제 처리를 실시함으로써 동박과 수지 기판의 접착력을 개선하는 것을 기재하고 있다. 자세한 것은 이것을 참조하기 바란다. 이 후, 필요하면, 동박의 연성을 개선하는 목적으로 어닐링 처리를 실시하는 경우도 있다.The application method may be spraying by spraying a silane coupling agent solution, coating with a coater, dipping, or pouring. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-15654 discloses that the adhesion between a copper foil and a resin substrate is improved by performing a chromate treatment on the roughened surface side of the copper foil and then performing a silane coupling agent treatment. See this for details. Thereafter, if necessary, annealing may be performed for the purpose of improving the ductility of the copper foil.

〔캐리어가 부착된 동박〕[Copper with carrier attached]

본 발명의 다른 실시형태인 캐리어가 부착된 동박은, 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는다. 그리고, 상기 극박 구리층이 전술한 본 발명의 하나의 실시형태인 고주파 회로용 동박이다.The copper foil with the carrier, which is another embodiment of the present invention, has an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one surface of the carrier or on both surfaces thereof. The ultra-thin copper layer is a copper foil for a high-frequency circuit, which is one embodiment of the present invention described above.

<캐리어><Carrier>

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이고, 예를 들어 동박, 동합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철합금박, 스테인리스 박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.The carrier that can be used in the present invention is typically a metal foil or a resin film and may be a metal foil or a resin film such as a copper foil, a copper alloy foil, a nickel foil, a nickel alloy foil, a steel foil, an iron alloy foil, a stainless steel foil, And is provided in the form of a film (for example, a polyimide film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyamide film, a polyester film, a fluororesin film or the like).

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로서는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 동박은 전기 전도도가 높기 때문에, 그 후의 중간층, 극박 구리층의 형성이 용이해지기 때문이다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로서는 터프피치동이나 무산소동과 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.As the carrier usable in the present invention, it is preferable to use a copper foil. This is because the copper foil has a high electrical conductivity, which facilitates formation of the intermediate layer and the extremely thin copper layer thereafter. The carrier is typically provided in the form of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Generally, the electrolytic copper foil is produced by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by a rolling roll. Examples of the material of the copper foil include copper of high purity such as tough pitch copper and oxygen free copper, copper such as Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy containing Cr, Zr or Mg, Copper alloys such as alloys may also be used.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 다하는데 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 5 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 너무 두꺼우면 생산 비용이 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.The thickness of the carrier which can be used in the present invention is not particularly limited, but it may be suitably adjusted to a suitable thickness for fulfilling its role as a carrier, for example, 5 mu m or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, and therefore, it is generally preferable to be 35 mu m or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 12 to 70 占 퐉, and more typically 18 to 35 占 퐉.

또한, 캐리어의 극박 구리층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 이용하여 형성해도 되고, 상기 서술한 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 구리층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.The roughening treatment layer may be formed on the surface of the carrier opposite to the surface on which the extremely thin copper layer is formed. The roughening treatment layer may be formed using a known method, or may be formed by the roughening treatment described above. The roughening treatment layer is formed on the surface of the carrier opposite to the surface on which the extremely thin copper layer is formed because when the carrier is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side having the roughened treatment layer, It has an advantage that it becomes difficult to peel off.

<중간층><Middle layer>

캐리어 상에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어가 부착된 동박이 절연 기판에의 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리되기 어려운 한편, 절연 기판에의 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 구리층이 박리 가능해지는 구성이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.An intermediate layer is formed on the carrier. Another layer may be formed between the carrier and the intermediate layer. The intermediate layer used in the present invention is a structure in which the ultra-thin copper layer is difficult to peel off from the carrier before the step of laminating the copper foil with the carrier to the insulating substrate, while the ultra-thin copper layer is peelable from the carrier after the laminating step to the insulating substrate Is not particularly limited. For example, the intermediate layer of the copper foil with the carrier of the present invention may contain at least one selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, Or one or more selected from the group consisting of The intermediate layer may be a plurality of layers.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물, 혹은 유기물로 이루어지는 층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성함으로써 구성할 수 있다.For example, the intermediate layer may be a single metal layer composed of one element selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Ni, Co, Fe, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al and Zn, A layer made of a hydrate, an oxide or an organic material of one or more elements selected from the group consisting of Mo, Ti, W, P, Cu, Al and Zn; A single metal layer composed of one element selected from the group consisting of W, P, Cu, Al and Zn or a single metal layer composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, And an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of elements.

중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 중간층을 크로메이트 처리나 아연 크로메이트 처리나 도금 처리로 형성한 경우에는, 크롬이나 아연 등, 부착된 금속의 일부는 수화물이나 산화물로 되어 있는 경우가 있다고 생각된다.When the intermediate layer is formed only on one side, it is preferable to form a rust prevention layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is formed by chromate treatment, zinc chromate treatment or plating treatment, it is considered that a part of the attached metal such as chromium or zinc may be a hydrate or an oxide.

또, 예를 들어, 중간층은, 캐리어 상에, 니켈, 니켈-인 합금 또는 니켈-코발트 합금과, 크롬이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 구리층을 박리할 때에, 극박 구리층과 크롬의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 구리층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 베리어 효과가 기대된다. 중간층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이며, 중간층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다.In addition, for example, the intermediate layer can be formed by stacking nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesion force between chrome and copper, it is peeled from the interface between the ultra-thin copper layer and chromium when the ultra-thin copper layer is peeled off. In addition, a barrier effect for preventing the copper component from diffusing from the carrier into the ultra-thin copper layer is expected for nickel in the intermediate layer. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 μg / dm 2 to 40000 μg / dm 2, more preferably 100 μg / dm 2 to 4000 μg / dm 2, and still more preferably 100 μg / Dm 2 or more, more preferably 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2, and the adhesion amount of chromium in the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less.

<극박 구리층><Ultra-thin copper layer>

중간층 상에는 극박 구리층을 형성한다. 중간층과 극박 구리층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 극박 구리층은, 황산구리, 피롤린산구리, 술파민산구리, 시안화구리 등의 전해욕을 이용한 전기 도금에 의해 형성할 수 있고, 일반적인 전해 동박으로 사용되고, 고전류 밀도에서의 동박 형성이 가능한 점에서 황산구리욕이 바람직하다. 극박 구리층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1 ∼ 5 ㎛, 더욱 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛, 더욱 전형적으로는 2 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 캐리어의 양면에 극박 구리층을 형성해도 된다.And an ultra-thin copper layer is formed on the intermediate layer. Another layer may be formed between the intermediate layer and the ultra-thin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamide or copper cyanide, and can be used as a general electrolytic copper foil. In addition, copper foil can be formed at a high current density, . The thickness of the ultra-thin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 占 퐉 or less. Typically from 0.5 to 12 占 퐉, more typically from 1 to 5 占 퐉, more typically from 1.5 to 5 占 퐉, and more typically from 2 to 5 占 퐉. In addition, a very thin copper layer may be formed on both sides of the carrier.

이와 같이 하여, 캐리어와, 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 구리층을 구비한 캐리어가 부착된 동박이 제조된다. 캐리어가 부착된 동박 자체의 사용 방법은 당업자에게 주지이지만, 예를 들어 극박 구리층의 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유 천 기재 에폭시 수지, 유리 천·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 천·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리 천 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 절연 기판에 첩합하여 열 압착 후에 캐리어를 벗겨서 구리 피복 적층판으로 하고, 절연 기판에 접착된 극박 구리층을 목적으로 하는 도체 패턴에 에칭하여, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수 있다.Thus, a copper foil having a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and a carrier having the ultra-thin copper layer laminated on the intermediate layer is produced. For example, the surface of the ultra-thin copper layer may be coated with a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber cloth epoxy resin, a glass cloth / paper composite epoxy resin, Glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resin and glass cloth base epoxy resin, polyester film, polyimide film or the like, peeling the carrier after thermocompression to form a copper clad laminate, The printed wiring board can be finally manufactured.

또, 캐리어와, 캐리어 상에 중간층이 적층되고, 중간층 상에 적층된 극박 구리층을 구비한 캐리어가 부착된 동박은, 상기 극박 구리층 상에 조화 처리층을 구비하고 있고, 상기 조화 처리층 상에, 내열층, 방청층, 크로메이트 (처리) 층 및 실란 커플링 (처리) 층으로 이루어지는 군에서 선택된 층을 하나 이상 구비해도 된다.Further, the copper foil having the carrier and the carrier having the ultra-thin copper layer laminated on the carrier and the intermediate layer laminated on the intermediate layer has the coarsened layer on the extremely thin copper layer, At least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate (treatment) layer and a silane coupling (treatment) layer may be provided.

〔수지층〕[Resin Layer]

본 발명의 고주파 회로용 동박 (고주파 회로용 동박이 캐리어가 부착된 동박의 극박 구리층인 경우도 포함한다) 의 2 차 입자층의 표면에 수지층을 형성해도 된다. 또, 수지층은, 각각 고주파 회로용 동박의 2 차 입자층 상에 형성된, Ni 와 Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층의 표면에 형성해도 되고, 크로메이트층의 표면에 형성해도 되고, 실란 커플링층의 표면에 형성해도 되고, Ni-Zn 합금층의 표면에 형성해도 된다. 또, 수지층은, 고주파 회로용 동박의 최표면에 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 캐리어가 부착된 동박은 상기 조화 처리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 크로메이트 (처리) 층, 혹은 실란 커플링 (처리) 층 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.The resin layer may be formed on the surface of the secondary particle layer of the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention (the copper foil for a high-frequency circuit includes an ultra-thin copper layer of a copper foil having a carrier). In addition, the resin layer is composed of a group consisting of Ni, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As and Ti formed on the secondary particle layer of the high- Or may be formed on the surface of the chromate layer, on the surface of the silane coupling layer, or on the surface of the Ni-Zn alloy layer. It is more preferable that the resin layer is formed on the outermost surface of the copper foil for a high-frequency circuit. The copper foil on which the carrier is adhered may be provided with a resin layer on the roughening treatment layer or on the heat resistant layer, rust preventive layer, or chromate (treatment) layer or silane coupling (treatment) layer. The resin layer may be an insulating resin layer.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩시켜 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.The resin layer may be an adhesive or an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. The semi-cured state (B-stage state) includes a state in which the insulating resin layer can be stacked and stored without being tacky even when the surface is touched with a finger, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 된다. 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지 등을 포함하는 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.The resin layer may include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. The resin layer may contain a thermoplastic resin. The kind thereof is not particularly limited. Preferable resins include, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin and the like.

상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체 (무기 화합물 및/또는 유기 화합물을 포함하는 유전체, 금속 산화물을 포함하는 유전체 등 어떠한 유전체를 사용해도 된다), 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 특허 제3992225호, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 특허 제3949676호, 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 사용하여 형성해도 된다.The resin layer may be formed of any of known resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics (dielectrics including inorganic compounds and / or organic compounds, dielectrics including metal oxides), reaction catalysts, A polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like. In addition, the resin layer may be formed, for example, in International Publication Nos. WO2008 / 004399, WO2008 / 053878, International Publication Nos. WO2009 / 084533, JP-A 11-5828, Japanese Patent Publication No. 3184485, International Publication Nos. WO97 / 02728, 3676375, 2000-43188, 3612594, 2002-179772, 2002-359444, Japan Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2003-304068, 3992225, 2003-249739, 4136509, 2004-82687, 4025177, 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid- -257153, JP-A-2007-326923 Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5024930, International Publication Nos. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, International Publication Nos. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-173017, International Publication Nos. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / A resin, a curing accelerator, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, and the like described in International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication Nos. WO2011 / 068157 and 2013-19056, A skeletal material, etc.) and / or a method of forming a resin layer and a forming apparatus.

이들의 수지를 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 톨루엔 등의 용제에 용해하여 수지액으로 하고, 이것을 상기 동박 상 또는 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트층, 혹은 상기 실란 커플링층 상에, 예를 들어 롤 코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 이용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다.These resins are dissolved in, for example, a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to form a resin solution, which is then coated on the copper foil or ultra thin copper layer, or on the heat resistant layer, rust preventive layer, The silane coupling layer is coated by, for example, a roll coater method, and then, if necessary, heated and dried to remove the solvent to obtain a B-stage state. For drying, for example, a hot-air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

상기 수지층을 구비한 고주파 회로용 동박 (수지가 부착된 고주파 회로용 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열경화시키고, 이어서 동박에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.The copper foil for a high-frequency circuit (copper foil for a high-frequency circuit with a resin) having the resin layer is obtained by superimposing the resin layer on a substrate and then thermally bonding the whole to thermally cure the resin layer, To form a pattern.

또, 상기 수지층을 구비한 캐리어가 부착된 동박 (수지가 부착된 캐리어가 부착된 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열경화시키고, 이어서 캐리어를 박리하여 극박 구리층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 구리층의 중간층측의 표면이다), 거기에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.Further, the copper foil having the carrier layer with the resin layer (the copper foil with the carrier with the resin attached thereto) is superimposed on the base material, and the whole is thermally bonded to thermally cure the resin layer, Is peeled off to expose an extremely thin copper layer (of course, the exposed surface is the surface of the intermediate layer side of the extremely thin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon.

이 수지가 부착된 고주파 회로용 동박 또는 수지가 부착된 캐리어가 부착된 동박을 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하고 있지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더 코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.The use of a copper foil for a high frequency circuit with the resin or a copper foil with a carrier to which a resin is attached can reduce the number of prepreg materials used in the production of a multilayer printed wiring board. In addition, the copper clad laminate can be produced even if the thickness of the resin layer is set to a thickness sufficient for ensuring interlayer insulation or the prepreg material is not used at all. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략하게 되므로 경제적으로 유리해지고, 게다가, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved, and the lamination step is also simplified, which is economically advantageous. Moreover, the thickness of the multilayer printed wiring board produced by the thickness of the prepreg material is It is possible to produce an ultra-thin multilayer printed circuit board having a thickness of 100 m or less in one layer.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 80 ㎛ 인 것이 바람직하다.The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 탆.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지가 부착된 캐리어가 부착된 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.When the thickness of the resin layer is smaller than 0.1 占 퐉, the adhesive force is lowered. When the copper foil with the carrier on which the resin with the resin is adhered is laminated on the base material having the inner layer material without interposing the prepreg material, It may be difficult to secure the interlayer insulation of the semiconductor device.

한편, 수지층의 두께를 80 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해지고, 여분의 재료비와 공정수가 들기 때문에 경제적으로 불리해진다. 나아가서는, 형성된 수지층은 그 가요성이 열등하므로, 핸들링시에 크랙 등이 발생하기 쉬워지고, 또 내층재와의 열압착시에 과잉의 수지 흐름이 일어나 원활한 적층이 곤란해지는 경우가 있다.On the other hand, if the thickness of the resin layer is made thicker than 80 占 퐉, it becomes difficult to form a resin layer having a target thickness in one coating step, resulting in economical disadvantage because extra material cost and number of steps are involved. Further, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks and the like are liable to occur at the time of handling, and excessive resin flow occurs at the time of thermocompression bonding with the inner layer material, which may make it difficult to smoothly laminate the resin layer.

또한, 수지가 부착된 캐리어가 부착된 동박의 또 하나의 제품 형태로서는, 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트층, 혹은 상기 실란 커플링층 상에 수지층으로 피복하고, 반경화 상태로 한 후, 이어서 캐리어를 박리하여, 캐리어가 존재하지 않는 수지가 부착된 동박 (극박 구리층) 의 형태로 제조하는 것도 가능하다.Further, as another product type of the copper foil to which the resin with the resin adhered is adhered, a resin layer is coated on the extremely thin copper layer or on the heat resistant layer, the anticorrosive layer, or the chromate layer or the silane coupling layer , It is possible to manufacture the copper foil in the form of a copper foil (a very thin copper layer) to which a resin free from carriers is adhered by peeling the carrier after it is brought into a semi-cured state.

여기서, 이하에, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다.Hereinafter, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with the carrier according to the present invention are shown.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 극박 구리층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 및 서브 트랙티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로가 있는 것으로 하는 것도 가능하다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of: preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention; laminating the copper foil with the carrier and the insulating substrate; A step of peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate after the laminated copper foil and the insulating substrate are laminated so that the extremely thin copper layer side faces the insulating substrate, A semi-additive process, a partly additive process, and a subtractive process. It is also possible that the insulating substrate has an inner layer circuit.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 도금 레지스트의 패턴을 형성 후, 전기 도금, 도금 레지스트의 제거 및 에칭을 실시함으로써 도체 패턴을 형성하는 것을 포함하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the semi-additive method is a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer to form a plating resist pattern, and then electroplating, removal of the plating resist and etching are performed, Or the like.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 것을 포함하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, a copper thickness is formed in the circuit forming portion by electrolytic plating, , And removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching to form a circuit on the insulating layer.

본 발명에 있어서, 파트리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비어홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비어홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시하는 것을 포함하는 방법에 의해, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the term "partly additive method" refers to a method in which a catalyst layer is formed on a substrate on which a conductor layer is formed and, if necessary, a catalyst core is formed on a substrate formed by punching holes for a through hole or a via hole, Refers to a method for producing a printed wiring board by a method including forming a solder resist or a plating resist as necessary and then carrying out thickness formation by electroless plating on the conductor circuit, through holes, via holes, and the like.

본 발명에 있어서, 서브 트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불요 부분을, 에칭 등에 의해, 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 것을 포함하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the subtractive method refers to a method including a step of selectively removing an unnecessary portion of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.

또한, 본 발명에 있어서, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 및 서브 트랙티브법으로서 공지된 방법을 이용할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서, 상기 서술한 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 및 서브 트랙티브법에 있어서, 절연 기판 등에 스루홀 또는/및 블라인드 비어를 형성해도 된다.In the present invention, known methods such as a semi-additive method, a modified semi-additive method, a partly additive method and a subtractive method can be used. In the present invention, through-holes and / or blind vias may be formed on an insulating substrate in the semi-additive method, the modified semi-additive method, the partly additive method and the subtractive method described above.

여기서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다.Here, specific examples of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저, 도 5-A 에 나타내는 바와 같이, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박 (1 층째) 을 준비한다.First, as shown in Fig. 5-A, a copper foil (first layer) with a carrier having an ultra-thin copper layer having a roughened treatment layer formed on its surface is prepared.

다음으로, 도 5-B 에 나타내는 바와 같이, 극박 구리층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Next, as shown in Fig. 5-B, a resist is coated on the roughened layer of the ultra-thin copper layer, exposure and development are performed, and the resist is etched into a predetermined shape.

다음으로, 도 5-C 에 나타내는 바와 같이, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정 형상의 회로 도금을 형성한다.Next, as shown in Fig. 5-C, a circuit plating for a circuit is formed, and then the resist is removed to form circuit plating of a predetermined shape.

다음으로, 도 6-D 에 나타내는 바와 같이, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 구리층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 을 극박 구리층측으로부터 접착시킨다.Next, as shown in Fig. 6-D, a resin layer is formed on the ultra-thin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried) to laminate the resin layers and then the copper foil 2 Layer) is adhered from the ultra-thin copper layer side.

다음으로, 도 6-E 에 나타내는 바와 같이, 2 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.Next, as shown in Fig. 6-E, the carrier is peeled off from the copper foil with the second-layer carrier.

다음으로, 도 6-F 에 나타내는 바와 같이, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍내기를 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비어를 형성한다.Next, as shown in FIG. 6-F, a laser hole is formed at a predetermined position of the resin layer, and the circuit plating is exposed to form a blind via.

다음으로, 도 7-G 에 나타내는 바와 같이, 블라인드 비어에 구리를 매립하여 비어필을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7-G, copper is buried in the blind via to form a non-appeal.

다음으로, 도 7-H 에 나타내는 바와 같이, 비어필 상에, 상기 도 5-B 및 도 5-C 와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7-H, circuit plating is formed on the non-appealing surface as shown in FIGS. 5-B and 5-C.

다음으로, 도 7-I 에 나타내는 바와 같이, 1 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.Next, as shown in Fig. 7-I, the carrier is peeled off from the copper foil on which the first-layer carrier is adhered.

다음으로, 도 8-J 에 나타내는 바와 같이, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 구리층을 제거하여, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.Next, as shown in Fig. 8-J, the extremely thin copper layer on both surfaces is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.

다음으로, 도 8-K 에 나타내는 바와 같이, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판을 제작한다.Next, as shown in Fig. 8-K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and a copper filler is formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with the carrier of the present invention is manufactured.

상기 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 도 7-H 에 나타내는 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수 층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.The copper foil with the carrier according to the present invention may be used as the copper foil with the other carrier (second layer), or a conventional copper foil with a carrier may be used, or a conventional copper foil may be used. In addition, the circuit may be formed as a single layer or a plurality of layers on the second layer circuit shown in Fig. 7-H, and their circuit formation may be formed by a semiadditive method, a subtractive method, a partly additive method, And a semi-additive method.

상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 도 8-J 에 나타내는 바와 같은 플래시 에칭에 의한 극박 구리층의 제거시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되어, 그 형상이 유지되고, 이로써 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내마이그레이션성이 향상되어, 회로의 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 도 8-J 및 도 8-K 에 나타내는 바와 같이 플래시 에칭에 의해 극박 구리층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 함몰된 형상이 되기 때문에, 당해 회로 도금 상에 범프가, 추가로 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져, 제조 효율이 향상된다.According to the above-described method for producing a printed wiring board, since the circuit plating is embedded in the resin layer, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching as shown in, for example, The circuit plating is protected by the resin layer and the shape thereof is maintained, thereby facilitating formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved, and the conduction of the wiring of the circuit is well suppressed. Therefore, formation of a fine circuit is facilitated. As shown in Figs. 8-J and 8-K, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating becomes a recessed shape from the resin layer, , And the copper filler is more easily formed thereon, thereby improving the manufacturing efficiency.

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리 천인 프리프레그, 아지노모토 파인테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.Known resins and prepregs can be used for the buried resin (resin). For example, glass cloth prepreg impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. or ABF can be used. The resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in this specification can be used for the above-mentioned embedding resin (resin).

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은, 당해 캐리어가 부착된 동박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은 지지되고, 주름이 생기기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판 또는 수지층으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.The copper foil with the carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil on which the carrier is adhered. By having the substrate or the resin layer, the copper foil with the carrier used for the first layer is supported, and wrinkles are less likely to be generated, which is advantageous in that the productivity is improved. Further, any substrate or resin layer may be used for the substrate or resin layer as long as it has the effect of supporting the copper foil with the carrier used for the first layer. For example, the substrate or the resin layer may be a carrier, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, A foil of an organic compound can be used.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이며, 이 예에만 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명에 포함되는 다른 양태 또는 변형을 포함하는 것이다. 또한, 이하의 실시예 1 ∼ 6, 11 ∼ 15 및 비교예 1 ∼ 5 의 원박에는, 표준 압연 동박 TPC (JIS H3100 C1100 으로 규격되어 있는 터프피치동, JX 닛코우 일본 석유 금속제) 18 ㎛ 를 사용했다.The following is a description based on examples and comparative examples. Note that this embodiment is merely an example, and is not limited to this example. That is, the present invention includes other aspects or modifications included in the present invention. 18 탆 of standard rolled copper foil TPC (tough pitch copper standardized by JIS H3100 C1100, manufactured by JX Nikko Japan Petroleum Metals Co., Ltd.) was used for the original foils of Examples 1 to 6, 11 to 15 and Comparative Examples 1 to 5 below did.

또, 실시예 7 ∼ 10 의 원박에는 이하의 방법에 의해 제조한 캐리어가 부착된 동박을 사용했다.In the examples 7 to 10, a copper foil having a carrier prepared by the following method was used.

실시예 7 ∼ 10 은, 두께 18 ㎛ 의 전해 동박 (JX 닛코우 일본 석유 금속제 JTC 박) 을 캐리어로서 준비하고, 실시예 12 에 대해서는 상기 서술한 두께 18 ㎛ 의 표준 압연 동박 TPC 를 캐리어로서 준비했다. 그리고 하기 조건으로, 캐리어의 표면에 중간층을 형성하고, 중간층의 표면에 극박 구리층을 형성했다. 또한, 캐리어가 전해 동박의 경우에는 광택면 (S 면) 에 중간층을 형성했다.In Examples 7 to 10, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 占 퐉 (JTC Nippon Petrochemical JTC foil made by JX Nikko Corp.) was prepared as a carrier, and in Example 12, the aforementioned standard rolled copper foil TPC having a thickness of 18 占 퐉 was prepared as a carrier . Under the following conditions, an intermediate layer was formed on the surface of the carrier, and a very thin copper layer was formed on the surface of the intermediate layer. When the carrier is an electrolytic copper foil, an intermediate layer is formed on the glossy side (S side).

·실시예 7Example 7

<중간층><Middle layer>

(1) Ni 층 (Ni 도금)(1) Ni layer (Ni plating)

캐리어에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 1000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성했다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.The carrier was subjected to electroplating with a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions to form an Ni layer having an adhesion amount of 1000 占 퐂 / dm2. Specific plating conditions will be described below.

황산니켈 : 270 ∼ 280 g/ℓ Nickel sulfate: 270 to 280 g / l

염화니켈 : 35 ∼ 45 g/ℓ Nickel chloride: 35 to 45 g / l

아세트산니켈 : 10 ∼ 20 g/ℓNickel acetate: 10 to 20 g / l

붕산 : 30 ∼ 40 g/ℓ Boric acid: 30 to 40 g / l

광택제 : 사카린, 부틴디올 등 Polishing agents: saccharin, butynediol, etc.

도데실황산나트륨 : 55 ∼ 75 ppmSodium dodecyl sulfate: 55 to 75 ppm

pH : 4 ∼ 6 pH: 4 to 6

욕온 : 55 ∼ 65 ℃ Bath temperature: 55 ~ 65 ℃

전류 밀도 : 10 A/d㎡Current density: 10 A / dm 2

(2) Cr 층 (전해 크로메이트 처리)(2) Cr layer (electrolytic chromate treatment)

다음으로, (1) 에서 형성한 Ni 층 표면을 수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서 Ni 층 상에 11 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.Next, after rinsing and pickling the surface of the Ni layer formed in (1), a Cr layer having an adhesion amount of 11 占 퐂 / dm2 was formed on the Ni layer on a continuous roll line-to-roll type plating line under the following conditions Followed by electrolytic chromate treatment.

중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 g/ℓ1 to 10 g / l potassium dichromate, 0 g / l zinc

pH : 7 ∼ 10pH: 7 ~ 10

액 온도 : 40 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 40 ~ 60 ℃

전류 밀도 : 2 A/d㎡ Current density: 2 A / dm 2

<극박 구리층><Ultra-thin copper layer>

다음으로, (2) 에서 형성한 Cr 층 표면을 수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Cr 층 상에 두께 1.5 ㎛ 의 극박 구리층을 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하고, 캐리어가 부착된 동박을 제작했다.Subsequently, the surface of the Cr layer formed in (2) was washed with water and pickled, and then an ultra-thin copper layer having a thickness of 1.5 탆 was formed on the Cr layer on a continuous roll- To prepare a copper foil with a carrier.

구리 농도 : 90 ∼ 110 g/ℓ Copper concentration: 90 ~ 110 g / ℓ

황산 농도 : 90 ∼ 110 g/ℓ Sulfuric acid concentration: 90 to 110 g / l

염화물 이온 농도 : 50 ∼ 90 ppm Chloride ion concentration: 50 to 90 ppm

레벨링제 1 (비스(3 술포프로필)디술피드) : 10 ∼ 30 ppm Leveling first (bis (3-sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) : 10 ∼ 30 ppm Leveling second (amine compound): 10 to 30 ppm

또한, 레벨링제 2 로서 하기의 아민 화합물을 사용했다.In addition, the following amine compounds were used as the leveling agent 2.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014039916210-pat00001
Figure 112014039916210-pat00001

(상기 화학식 중, R1 및 R2 는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)(Wherein R &lt; 1 &gt; and R &lt; 2 & Is selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.

전해액 온도 : 50 ∼ 80 ℃ Electrolyte temperature: 50 ~ 80 ℃

전류 밀도 : 100 A/d㎡ Current density: 100 A / dm 2

전해액 선속 : 1.5 ∼ 5 m/secElectrolyte flux: 1.5 to 5 m / sec

·실시예 8Example 8

<중간층><Middle layer>

(1) Ni-Mo 층 (니켈몰리브덴 합금 도금)(1) Ni-Mo layer (nickel molybdenum alloy plating)

캐리어에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 3000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Ni-Mo 층을 형성했다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.The carrier was electroplated with a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions to form an Ni-Mo layer having an adhesion amount of 3000 占 퐂 / dm2. Specific plating conditions will be described below.

(액 조성) 황산 Ni 6 수화물 : 50 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2 수화물 : 60 g/d㎥, 시트르산나트륨 : 90 g/d㎥(Liquid composition) Ni sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3, sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3, sodium citrate: 90 g / d 3

(액 온도) 30 ℃(Liquid temperature) 30 DEG C

(전류 밀도) 1 ∼ 4 A/d㎡(Current density) 1 to 4 A / dm 2

(통전 시간) 3 ∼ 25 초(Energization time) 3 to 25 seconds

<극박 구리층><Ultra-thin copper layer>

(1) 에서 형성한 Ni-Mo 층 상에 극박 구리층을 형성했다. 극박 구리층의 두께를 2 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 7 과 동일한 조건으로 극박 구리층을 형성했다.An ultra-thin copper layer was formed on the Ni-Mo layer formed in (1). A very thin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the extremely thin copper layer was 2 占 퐉.

·실시예 9Example 9

<중간층><Middle layer>

(1) Ni 층 (Ni 도금)(1) Ni layer (Ni plating)

실시예 7 과 동일한 조건으로 Ni 층을 형성했다.An Ni layer was formed under the same conditions as in Example 7. [

(2) 유기물층 (유기물층 형성 처리)(2) Organic material layer (organic material layer formation treatment)

다음으로, (1) 에서 형성한 Ni 층 표면을 수세 및 산세 후, 계속해서, 하기의 조건으로 Ni 층 표면에 대해 농도 1 ∼ 30 g/ℓ 의 카르복시벤조트리아졸 (CBTA) 을 포함하는, 액 온도 40 ℃, pH 5 의 수용액을, 20 ∼ 120 초간 샤워링하여 분무함으로써 유기물층을 형성했다.Next, after the surface of the Ni layer formed in (1) was washed with water and pickled, a solution containing a carboxybenzotriazole (CBTA) with a concentration of 1 to 30 g / An aqueous solution having a temperature of 40 占 폚 and a pH of 5 was sprayed by showering for 20 to 120 seconds to form an organic material layer.

<극박 구리층><Ultra-thin copper layer>

(2) 에서 형성한 유기물층 상에 극박 구리층을 형성했다. 극박 구리층의 두께를 3 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 7 과 동일한 조건으로 극박 구리층을 형성했다.An ultra-thin copper layer was formed on the organic material layer formed in (2). The ultra-thin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the ultra-thin copper layer was 3 占 퐉.

·실시예 10Example 10

<중간층><Middle layer>

(1) Co-Mo 층 (코발트몰리브덴 합금 도금)(1) Co-Mo layer (cobalt molybdenum alloy plating)

캐리어에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 4000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Co-Mo 층을 형성했다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.The carrier was subjected to electroplating with a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions to form a Co-Mo layer having an adhesion amount of 4000 / / dm 2. Specific plating conditions will be described below.

(액 조성) 황산 Co : 50 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2 수화물 : 60 g/d㎥, 시트르산나트륨 : 90 g/d㎥(Liquid composition) Sulfuric acid Co: 50 g / dm 3, Sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3, Sodium citrate: 90 g / d 3

(액 온도) 30 ℃(Liquid temperature) 30 DEG C

(전류 밀도) 1 ∼ 4 A/d㎡(Current density) 1 to 4 A / dm 2

(통전 시간) 3 ∼ 25 초(Energization time) 3 to 25 seconds

<극박 구리층><Ultra-thin copper layer>

(1) 에서 형성한 Co-Mo 층 상에 극박 구리층을 형성했다. 극박 구리층의 두께를 실시예 7 은 5 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 7 과 동일한 조건으로 극박 구리층을 형성했다.An ultra-thin copper layer was formed on the Co-Mo layer formed in (1). The ultra-thin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the ultra-thin copper layer was changed to 5 占 퐉 in Example 7.

(실시예 1 ∼ 15)(Examples 1 to 15)

압연 동박 (실시예 1 ∼ 6, 11 ∼ 15) 또는 캐리어가 부착된 동박의 극박 구리층 표면 (실시예 7 ∼ 10) 에, 하기에 나타내는 조건 범위에서, 1 차 입자층 (Cu), 2 차 입자층 (구리-코발트-니켈 합금 도금) 형성했다.(Cu), the secondary particle layer (Cu) and the secondary particle layer (Cu) were laminated on the surface of the ultra-thin copper layer (Examples 7 to 10) of the rolled copper foil (Examples 1 to 6 and 11 to 15) (Copper-cobalt-nickel alloy plating).

사용한 욕 조성 및 도금 조건은, 다음과 같다.The bath composition and plating conditions used are as follows.

[욕 조성 및 도금 조건][Bath composition and plating conditions]

(A) 1 차 입자층의 형성 (Cu 도금)(A) Formation of primary particle layer (Cu plating)

액 조성 : 구리 15 g/ℓ, 황산 75 g/ℓ Liquid composition: copper 15 g / l, sulfuric acid 75 g / l

액 온도 : 25 ∼ 30 ℃ Liquid temperature: 25 ~ 30 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 70 A/d㎡ Current density: 1 to 70 A / dm 2

쿨롬량 : 2 ∼ 90 As/d㎡Culm volume: 2 ~ 90 As / d㎡

(B) 2 차 입자층의 형성 (Cu-Co-Ni 합금 도금)(B) Formation of secondary particle layer (Cu-Co-Ni alloy plating)

액 조성 : 구리 15 g/ℓ, 니켈 8 g/ℓ, 코발트 8 g/ℓLiquid composition: copper 15 g / l, nickel 8 g / l, cobalt 8 g / l

pH : 2pH: 2

액 온도 : 40 ℃ Liquid temperature: 40 ℃

전류 밀도 : 10 ∼ 50 A/d㎡ Current density: 10 to 50 A / dm 2

쿨롬량 : 10 ∼ 80 As/d㎡ Culm volume: 10 ~ 80 As / d㎡

상기의 1 차 입자층의 형성 (Cu 도금) 및 2 차 입자층의 형성 (Cu-Co-Ni 합금 도금) 의 조건을 조정하여, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상이 되도록 했다. 표면적의 측정은, 상기 레이저 현미경에 의한 측정법을 이용했다.The conditions of the formation of the primary particle layer (Cu plating) and the formation of the secondary particle layer (Cu-Co-Ni alloy plating) were adjusted so that the average value of the concavo-convex height of the roughened surface by the laser microscope was 1500 or more . The measurement of the surface area was performed by the laser microscope.

(비교예 1 ∼ 5)(Comparative Examples 1 to 5)

비교예에 있어서, 사용한 욕 조성 및 도금 조건은, 다음과 같다.In the comparative example, the bath composition and plating conditions used are as follows.

[욕 조성 및 도금 조건][Bath composition and plating conditions]

(A) 1 차 입자층의 형성 (구리 도금)(A) Formation of primary particle layer (copper plating)

액 조성 : 구리 15 g/ℓ, 황산 75 g/ℓ Liquid composition: copper 15 g / l, sulfuric acid 75 g / l

액 온도 : 25 ∼ 35 ℃ Liquid temperature: 25 ~ 35 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 70 A/d㎡ Current density: 1 to 70 A / dm 2

쿨롬량 : 2 ∼ 90 As/d㎡Culm volume: 2 ~ 90 As / d㎡

(B) 2 차 입자층의 형성 (Cu-Co-Ni 합금 도금 조건)(B) Formation of Secondary Particle Layer (Cu-Co-Ni alloy plating condition)

액 조성 : 구리 15 g/ℓ, 니켈 8 g/ℓ, 코발트 8 g/ℓLiquid composition: copper 15 g / l, nickel 8 g / l, cobalt 8 g / l

pH : 2pH: 2

액 온도 : 40 ℃ Liquid temperature: 40 ℃

전류 밀도 : 20 ∼ 50 A/d㎡ Current density: 20 to 50 A / dm 2

쿨롬량 : 30 ∼ 80 As/d㎡ Culm volume: 30 ~ 80 As / d㎡

<1 차 입자층 및 2 차 입자층 이외의 표면 처리층>&Lt; Surface treatment layer other than primary particle layer and secondary particle layer &gt;

1 차 입자층 및 2 차 입자층의 형성 후, 일부의 실시예 및 비교예에 대해서는, 이하의 조건에 의한 표면 처리층을 실시했다.After the formation of the primary particle layer and the secondary particle layer, for some of the examples and comparative examples, the surface treatment layer was formed under the following conditions.

(실시예 3, 4, 8, 9, 비교예 1 ∼ 4)(Examples 3, 4, 8, 9 and Comparative Examples 1 to 4)

·Co-Ni 도금 : 코발트니켈 합금 도금 · Co-Ni plating: Cobalt nickel alloy plating

액 조성 : 니켈 5 ∼ 20 g/ℓ, 코발트 1 ∼ 8 g/ℓLiquid composition: nickel 5 to 20 g / l, cobalt 1 to 8 g / l

pH : 2 ∼ 3pH: 2-3

액 온도 : 40 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 40 ~ 60 ℃

전류 밀도 : 5 ∼ 20 A/d㎡ Current density: 5 to 20 A / dm 2

쿨롬량 : 10 ∼ 20 As/d㎡Culm volume: 10 ~ 20 As / d㎡

(실시예 5, 10)(Examples 5 and 10)

·Ni-Zn 도금 : 니켈아연 합금 도금 · Ni-Zn plating: Nickel zinc alloy plating

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 아연 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: 2 to 30 g / l of nickel, 2 to 30 g / l of zinc

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

또한, 실시예 5 및 10 에 대해서는, Ni-Zn 도금 후에, 전해 크로메이트 처리 그리고 디아미노실란을 사용한 실란 커플링 처리를 실시했다.In Examples 5 and 10, after the Ni-Zn plating, an electrolytic chromate treatment and a silane coupling treatment using diaminosilane were carried out.

(실시예 6)(Example 6)

·Ni­Cu 도금 : 니켈구리 합금 도금 · NiCu plating: Nickel copper alloy plating

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 구리 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: 2 to 30 g / l of nickel, 2 to 30 g / l of copper

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(실시예 11)(Example 11)

·Ni-Mo 도금 : 니켈몰리브덴 합금 도금 · Ni-Mo plating: Nickel molybdenum alloy plating

액 조성 : 황산 Ni 6 수화물 : 45 ∼ 55 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2 수화물 : 50 ∼ 70 g/d㎥, 시트르산나트륨 : 80 ∼ 100 g/d㎥ Liquid composition: Ni sulfate hexahydrate: 45 to 55 g / dm 3, sodium molybdate dihydrate: 50 to 70 g / dm 3, sodium citrate: 80 to 100 g / d 3

액 온도 : 20 ∼ 40 ℃ Liquid temperature: 20 ~ 40 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 4 A/d㎡ Current density: 1 to 4 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

또한, 실시예 11 에 대해서는, Ni-Mo 도금 후에, 전해 크로메이트 처리를 실시했다.In Example 11, electrolytic chromate treatment was performed after Ni-Mo plating.

(실시예 12)(Example 12)

·Ni-Sn 도금 : 니켈주석 합금 도금 · Ni-Sn plating: Nickel tin alloy plating

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 주석 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: Nickel 2 - 30 g / ℓ, Tin 2 - 30 g / ℓ

pH : 1.5 ∼ 4.5pH: 1.5 to 4.5

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

또한, 실시예 12 에 대해서는, Ni-Sn 도금 후에, 디아미노실란을 사용한 실란 커플링 처리를 실시했다.In Example 12, after Ni-Sn plating, a silane coupling treatment using diaminosilane was performed.

(실시예 13)(Example 13)

·Ni-P 도금 : 니켈인 합금 도금 · Ni-P plating: nickel-phosphorus alloy plating

액 조성 : 니켈 30 ∼ 70 g/ℓ, 인 0.2 ∼ 1.2 g/ℓLiquid composition: 30 to 70 g / l of nickel, 0.2 to 1.2 g / l of phosphorus

pH : 1.5 ∼ 2.5pH: 1.5 to 2.5

액 온도 : 30 ∼ 40 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 40 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

(실시예 14)(Example 14)

·Ni-W 도금 : 니켈텅스텐 합금 도금 · Ni-W plating: Nickel tungsten alloy plating

액 조성 : 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, W 0.01 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: nickel 2 to 30 g / l, W 0.01 to 5 g / l

pH : 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 : 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 : 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2

쿨롬량 : 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡

또한, 실시예 14 에 대해서는, Ni-W 도금 후에, 전해 크로메이트 처리 그리고 디아미노실란을 사용한 실란 커플링 처리를 실시했다.In Example 14, after Ni-W plating, an electrolytic chromate treatment and a silane coupling treatment using diaminosilane were carried out.

(실시예 15)(Example 15)

·Ni-Cr 도금 : 니켈크롬 합금 도금 · Ni-Cr plating: Nickel chrome alloy plating

Ni : 80 mass%, Cr : 20 mass% 의 조성의 스퍼터링 타겟을 사용하여 니켈크롬 합금 도금층을 형성했다.A nickel chromium alloy plating layer was formed using a sputtering target having a composition of 80 mass% Ni and 20 mass% Cr.

타겟 : Ni : 80 mass%, Cr : 20 mass%Target: Ni: 80 mass%, Cr: 20 mass%

장치 : 주식회사 얼백 제조의 스퍼터 장치 Apparatus: Sputtering apparatus manufactured by Erica Co., Ltd.

출력 : DC50W Output: DC50W

아르곤 압력 : 0.2 PaArgon pressure: 0.2 Pa

상기 실시예에 의해 형성한 동박 상의 1 차 입자층 (Cu 도금) 및 2 차 입자층 (Cu-Co-Ni 합금 도금) 을 형성한 경우의, 1 차 입자의 평균 입자경, 2 차 입자의 평균 입자경, 가루 떨어짐, 필 강도, 내열성, 조화 처리면의 일정 영역의 높이 히스토그램의 평균치 (요철 높이) 를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다. 여기서, 측정한 「조화 처리면」 은, 1 차 입자층 및 2 차 입자층을 형성한 측의 최표면으로 했다. 또한, 2 차 입자층 상에, Co-Ni 도금, Ni-Zn 도금, 크로메이트층, 실란 커플링층 등의, 1 차 입자층 및 2 차 입자층 이외의 표면 처리층이 형성되어 있는 것은, 이들 층 중의 최표층의 표면을 조화 처리면으로 하여 측정했다 (즉, 동박의 모든 표면 처리층이 형성된 후의 1 차 입자층 및 2 차 입자층이 존재하는 측의 표면을 측정했다).The average particle diameter of the primary particles, the average particle diameter of the secondary particles, the average particle diameter of the powder (Cu-Co-Ni alloy plating) in the case of forming the primary particle layer (Cu plating) and the secondary particle layer (Height of concavity and convexity) of a height histogram in a certain region of the surface of the roughened surface are shown in Table 1. The results are shown in Table 1. Here, the "coarsened surface" measured was the outermost surface on the side where the primary particle layer and the secondary particle layer were formed. The reason why the surface treatment layer other than the primary particle layer and the secondary particle layer such as Co-Ni plating, Ni-Zn plating, chromate layer and silane coupling layer is formed on the secondary particle layer is that the outermost layer (I.e., the surface on the side where the primary particle layer and the secondary particle layer exist after all the surface treatment layers of the copper foil are formed) were measured.

조화 처리면의 1 차 입자 및 2 차 입자의 평균 입자경은, 주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제조 S4700 (주사형 전자 현미경) 을 사용하여, 30000 배의 배율로 입자 관찰 및 사진 촬영을 실시하고, 얻어진 사진에 기초하여 각 1 차 입자 및 2 차 입자에 대해 각각 입자경을 측정했다. 그리고, 당해 얻어진 각 1 차 입자 및 2 차 입자의 입자경의 산술 평균치를 1 차 입자의 평균 입자경 및 2 차 입자의 평균 입자경의 값으로 했다. 또한, 주사형 전자 현미경 사진의 입자 상에 직선을 그은 경우에, 입자를 횡단하는 직선의 길이가 가장 긴 부분의 입자의 길이를 그 입자의 입경으로 했다. 또한 측정 시야의 크기는 1 시야당 면적 13.44 μ㎡ (= 4.2 ㎛ × 3.2 ㎛) 로 하고, 1 시야에 대해 측정했다. 또한, 주사형 전자 현미경 사진으로 관찰했을 때에, 겹쳐 보이는 입자로서 동박측 (하방) 에 존재하는 입자, 및, 겹치지 않은 입자를 1 차 입자로 하고, 겹쳐 보이는 입자로서 다른 입자 상에 존재하는 입자를 2 차 입자로 판정했다.The average particle diameter of the primary particles and the secondary particles on the roughened surface was observed with a magnification of 30,000 times and photographed using S4700 (scanning electron microscope) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, The particle diameters of the respective primary particles and secondary particles were measured. The arithmetic average value of the particle diameters of the obtained primary particles and secondary particles was defined as the average particle diameter of the primary particles and the average particle diameter of the secondary particles. Further, in the case of drawing a straight line on the particle of the scanning electron microscopic photograph, the particle length of the longest portion of the straight line traversing the particle was determined as the particle diameter of the particle. In addition, the measurement field size was set at 13.44 mu m per field of view (= 4.2 mu m x 3.2 mu m), and the measurement was performed for 1 field of view. In addition, when observed with a scanning electron microscope photograph, particles existing on the copper foil side (lower side) and non-overlapping particles as primary particles and particles existing on other particles as overlapping particles It was judged as secondary particles.

레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 높이 히스토그램의 평균치 (요철 높이) 의 측정법은, 주식회사 키엔스 제조 레이저 마이크로 스코프 VK8500 을 이용하여 배율을 1000 배로 설정하고, 레이저 현미경의 스테이지에 측정 대상인 동박을 올려놓은 후에, 포커싱 핸들로 당해 스테이지의 위치를 조정하고, 동박의 조화 처리면에 레이저 현미경의 렌즈의 핀트 (초점) 가 맞도록 한 후에, 이하의 「DISTANCE·PITCH 의 설정」 을 실시한 후에, 동박의 조화 처리면을 측정했다.Height of Harmonized Surface by Laser Microscope The average value (uneven height) of the histogram was measured using a laser microscope VK8500 manufactured by Keyens Co., Ltd., and the magnification was set at 1000 times. After the copper foil to be measured was placed on the stage of the laser microscope, After the position of the stage is adjusted by the focusing handle and the focus of the lens of the laser microscope is made to match the roughened surface of the copper foil, the following "DISTANCE · PITCH setting" is carried out, .

「DISTANCE·PITCH 의 설정」 은, VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 기재에 기초하여 실시했다. PITCH 는 0.1 ㎛ 로 설정했다. 또한, 참고로, 당해 VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 「DISTANCE·PITCH 의 설정」 에 게재된 조작 화면의 예를 도 10 에 나타낸다."DISTANCE · PITCH setting" was performed based on the description on page 4-3 of VK-8500 Users Manual. PITCH was set to 0.1 mu m. For reference, FIG. 10 shows an example of the operation screen displayed in "Setting of DISTANCE PITCH" on page 4-3 of this VK-8500 Users Manual.

또, VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 「1〔▲〕(렌즈 위치 이동) 버튼을 클릭하여 화상의 핀트가 맞지 않게 되는 위치까지 렌즈를 위로 움직입니다.」 의 「화상의 핀트가 맞지 않게 되는 위치」 는, 이미지가 보이고 있는 렌즈의 높이로부터, 〔▲〕(렌즈 위치 이동) 버튼을 클릭하여 서서히 렌즈의 높이를 올리고, 그 렌즈를 대상 (조화 처리면) 으로부터 멀리해 가서, 조화 처리면의 이미지가 분명히 희미하게 보이는 위치로 했다.Also, please refer to "VK-8500 User's Manual" on page 4-3 "1 [▲] (Lens shift)" button to move the lens up to the position where the image is out of focus. (Lens position shift) button is clicked from the height of the lens where the image is displayed, the height of the lens is gradually raised, the lens is moved away from the object (blurring processing surface), and the blurring process The image of the face was clearly in a dimly visible position.

또, VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 「3〔▼〕(렌즈 위치 이동) 버튼을 클릭하여 화상의 핀트가 맞지 않게 되는 위치까지 렌즈를 아래로 움직입니다.」 의 「화상의 핀트가 맞지 않게 되는 위치」 는, 이미지가 보이고 있는 렌즈의 높이로부터, 〔▼〕(렌즈 위치 이동) 버튼을 클릭하여 서서히 렌즈의 높이를 내려서, 렌즈를 조화 처리면에 근접시켜, 조화 처리면의 이미지가 분명히 희미하게 보이는 위치로 했다. 또한, 상기 「DISTANCE·PITCH 의 설정」 및 레이저 현미경의 스테이지의 위치의 조정은 각 실시예, 비교예마다 실시했다.Also, please click "3 [▼] (Lens shift) button" on page 4-3 of the VK-8500 User's Manual to move the lens down to the position where the image is out of focus. The position of the lens is shifted from the height of the lens in which the image is displayed, by lowering the height of the lens gradually by clicking the [▼] (lens position shift) button, I decided to look clearly faint. In addition, the above-mentioned "setting of DISTANCE · PITCH" and the adjustment of the position of the stage of the laser microscope were carried out for each of the examples and comparative examples.

그리고, 얻어진 결과에 대해, 유효 면적이 786432 μ㎡ (측정 영역 100 %) 에 있어서의 계측 해석에 의해 요철의 높이를, 해석 소프트 KVH1A9 를 이용하여 히스토그램화하고, 그 평균치를 구했다. 구체적으로는, 「히스토그램 상세 (농담 특징)」 의 화면을 표시하고, 「표시 데이터」 로서 「높이」 를 선택하고, 「표시 형식」 으로서 「히스토그램」 을 선택하고, 「농도 계측」 의 표의 「항목 : 평균」 의 값을 판독하고, 당해 판독한 값의 소수점 이하를 사사오입한 값을 「레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치」 로 했다. 또한, 상기 해석 소프트 KVH1A9 는, 주식회사 키엔스 제조 레이저 마이크로 스코프 VK8500 에 비치되어 있는 것을 사용했다.Then, with respect to the obtained results, the height of the concavities and convexities was measured by the measurement analysis at an effective area of 786432 mu m (measurement area 100%), and the height of the concavities and convexities was converted into a histogram by using the analysis software KVH1A9. More specifically, the screen of the "histogram details (shading feature)" is displayed, the "height" is selected as the "display data", the "histogram" is selected as the "display format" : Average &quot; was read out, and a value obtained by rounding off the decimal point of the readout value was defined as &quot; average value of concavo-convex height of the coarsened surface by laser microscope &quot;. In addition, the analysis software KVH1A9 described above was provided on a laser microscope VK8500 manufactured by Keith Corporation.

가루 떨어짐 특성은 동박의 조화 처리면 상에 투명한 멘딩 테이프를 첩부하고, 이 테이프를 벗겼을 때에 테이프 점착면에 부착되는 탈락 조화 입자에 의해, 테이프가 변색되는 상태로부터 가루 떨어짐 특성을 평가했다. 즉 테이프의 변색이 없거나, 또는 경미한 경우에는 가루 떨어짐 OK 로 하고, 테이프가 회색으로 변색되는 경우에는 가루 떨어짐 NG 로 했다. 상태(常態) 필 강도는 동박 조화 처리면과 FR4 수지 기판을 열 프레스로 첩합하여 구리 피복 적층판을 제작하고, 일반적인 염화구리 회로 에칭액을 사용하여 10 mm 회로를 제작하고, 10 mm 회로 동박을 기판으로부터 벗겨, 90 °방향으로 잡아당기면서 상태 필 강도를 측정했다.The powder dropping property was evaluated by attaching a transparent mending tape on the roughened surface of the copper foil, and detaching loose characteristics from the state where the tape was discolored by the decolorized grains adhering to the tape sticking surface when the tape was peeled off. That is, when there is no discoloration of the tape, or when the tape is slight, it is OK to drop the powder, and when the tape is discolored to gray, the discoloration is NG. The state (normal) fill strength was obtained by a copper clad laminate prepared by bonding a copper foil-roughened surface and an FR4 resin substrate with a hot press, fabricating a 10 mm circuit using a general copper chloride circuit etchant, Peeled, and pulled in the direction of 90 DEG to measure the state peel strength.

(전송 손실의 측정)(Measurement of transmission loss)

18 ㎛ 두께의 각 샘플에 대해, 표 1 에 기재된 수지 기판 (LCP : 액정 폴리머 수지 (주식회사 쿠라레 제조 Vecstar CTZ-50 ㎛), 폴리이미드 : 가네카 제조 두께 50 ㎛, 불소 수지 두께 50 ㎛ : 듀폰 제조) 와 첩합한 후, 에칭으로 특성 임피던스가 50 Ω 이 되도록 마이크로 스트립 선로를 형성하고, HP 사 제조의 네트워크 애널라이저 HP8720C 를 사용하여 투과 계수를 측정하고, 주파수 20 GHz 및 주파수 40 GHz 에서의 전송 손실을 구했다. 또한, 실시예 7 ∼ 10 에 대해서는, 캐리어가 부착된 동박의 극박 구리층측의 표면을 표 1 에 기재된 수지 기판과 첩합한 후, 캐리어를 박리한 후, 구리 도금을 하고, 극박 구리층과 구리 도금의 합계 두께를 18 ㎛ 로 한 후에, 상기와 동일한 전송 손실의 측정을 실시했다. 주파수 20 GHz 에 있어서의 전송 손실의 평가로서, 3.7 dB/10 cm 미만을 ◎, 3.7 dB/10 cm 이상 또한 4.1 dB/10 cm 미만을 ○, 4.1 dB/10 cm 이상 또한 5.0 dB/10 cm 미만을 △, 5.0 dB/10 cm 이상을 × 로 했다.(LCP: liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 占 퐉 manufactured by Kuraray Co., Ltd.), polyimide: Kaneka thickness: 50 占 퐉, fluorine resin thickness: 50 占 퐉: DuPont The microstrip line was formed so as to have a characteristic impedance of 50 OMEGA by etching. The transmission coefficient was measured using a network analyzer HP8720C manufactured by HP, and the transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz Respectively. In Examples 7 to 10, the surface of the copper foil on the carrier-coated copper foil side was laminated with the resin substrate described in Table 1. Then, the carrier was peeled off, then copper plating was performed, Was made to be 18 占 퐉, and then the same measurement of the transmission loss as above was carried out. The evaluation of the transmission loss at 20 GHz is ◎, less than 3.7 dB / 10 cm, less than 4.1 dB / 10 cm, less than 4.1 dB / 10 cm, less than 5.0 dB / 10 cm , And 5.0 dB / 10 cm or more was rated as &quot; C &quot;.

또, 비교예로서 동일한 결과를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the same results as Comparative Examples.

또한, 표 1 의 1 차 입자 전류 조건란에 전류 조건, 쿨롬량이 2 개 기재되어 있는 예는, 왼쪽에 기재되어 있는 조건으로 도금을 실시한 후에, 오른쪽에 기재되어 있는 조건으로 다시 도금을 실시한 것을 의미한다. 예를 들어, 실시예 1 의 1 차 입자 전류 조건란에는 「(65 A/d㎡, 80 As/d㎡) + (20 A/d㎡, 30 As/d㎡)」 라고 기재되어 있지만, 이것은 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 로 도금을 실시한 후에, 다시 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 하여 도금을 실시한 것을 나타낸다.An example in which two current conditions and two amounts of Clemm are described in the primary particle current condition column in Table 1 means that the plating is performed under the conditions described on the left side and then the plating is again performed under the conditions described on the right side . For example, in the primary particle current condition column of Example 1, "(65 A / dm 2, 80 As / dm 2) + (20 A / dm 2, 30 As / dm 2) The current density for forming the primary particles was set to 65 A / dm 2 and the amount of Clemm was set to 80 As / dm 2. Thereafter, the current density for forming the primary particles was set to 20 A / dm 2, dm &lt; 2 &gt;.

Figure 112014039916210-pat00002
Figure 112014039916210-pat00002

표 1 로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 실시예의 결과는, 다음과 같다.As apparent from Table 1, the results of the embodiment of the present invention are as follows.

실시예 1 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡ 와 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 30 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 28 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 20 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 1 is a case where the current density for forming primary particles is 65 A / dm 2 and 20 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 30 As / dm 2, Is 28 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 20 As / dm &lt; 2 &gt;.

또한, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도와 쿨롬량이 2 단계로 되어 있지만, 통상적으로 1 차 입자를 형성하는 경우에는, 2 단계의 전기 도금이 필요하다. 즉, 제 1 단계의 핵입자 형성의 도금 조건과 제 2 단계의 핵입자의 성장의 전기 도금이다.In addition, although the current density and the amount of Clemm forming the primary particles are in two stages, two-stage electroplating is usually required when primary particles are formed. That is, plating conditions for formation of the nuclear particles in the first stage and electroplating for growth of the nuclear particles in the second stage.

최초의 도금 조건은, 제 1 단계의 핵형성 입자 형성을 위한 전기 도금 조건이며, 다음의 도금 조건은, 제 2 단계의 핵입자의 성장을 위한 전기 도금 조건이다. 이하의 실시예 및 비교예에 대해서도 동일하므로, 설명은 생략한다.The first plating condition is an electroplating condition for forming the nucleation particles in the first step, and the following plating conditions are the electroplating conditions for growing the nuclear particles in the second step. The same is applied to the following embodiments and comparative examples, and a description thereof will be omitted.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.45 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이며, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 2689 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.45 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.30 mu m, and the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 2689, satisfying the conditions of the present invention.

이 결과, 가루 떨어짐이 적고, 상태 필 강도가 1.16 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, it was found that when the state peel strength was as high as 1.16 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) As shown in Fig.

또한, 내열 열화율은 이하의 식으로 구했다.The heat-resistant deterioration rate was determined by the following formula.

내열 열화율 (%) = (상태 필 강도 (kg/cm) - 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도 (kg/cm))/상태 필 강도 (kg/cm) × 100(%) = (State Peel Strength (kg / cm) - Peel Strength (kg / cm) after Heating at 180 ° C for 48 hours) / State Peel Strength (kg / cm) × 100

실시예 2 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡ 와 2 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 4 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 15 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 2 is a case where the current density for forming the primary particles is 65 A / dm 2 and 2 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 4 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 15 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.40 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.15 ㎛ 이며, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1556 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.40 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.15 mu m, and the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1556, satisfying the conditions of the present invention.

이 결과, 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 1.08 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the state peel strength was as high as 1.08 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured to determine the difference as the deterioration rate) was 30% or less As shown in Fig.

실시예 3 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 10 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 3 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 요철 높이의 평균치는 1809 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average value of the unevenness height by the laser microscope on the roughened surface was 1809, satisfying the conditions of the present invention.

가루 떨어짐은 없었다. 상태 필 강도가 0.92 kg/cm 로 높고, 또, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.There was no drop of powder. The state peel strength was as high as 0.92 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was 30% or less .

실시예 4 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 55 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 75 As/d㎡ 와 5 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 4 is a case where the current density for forming primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm is 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1862 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.35 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average height of the roughed surface was 1862 by the laser microscope.

가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.94 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.The state peel strength was as high as 0.94 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 5 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 50 A/d㎡ 와 5 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 70 As/d㎡ 와 10 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 5 is a case where the current density for forming the primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2, the amount of Clemm is 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1857 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.94 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1857, satisfying the conditions of the present invention. The state peel strength was as high as 0.94 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 6 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 15 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자 (2 차 입자층) 를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 60 As/d㎡ 로 하여 피복 도금 (정상 도금) 을 한 후에, 다시 전류 밀도를 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량 20 As/d㎡ 로 하여 입자를 형성한 경우이다.Example 6 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 15 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, (Normal plating) with a current density of 20 A / dm 2 and a Coulomb amount of 60 As / dm 2 to form a secondary particle layer (secondary particle layer), the current density was set to 20 A / dm 2 again , And a coke amount of 20 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자는 피복 (정상) 도금 상태 (입경은 0.1 ㎛ 미만) 및 평균 입자경 0.15 ㎛ 의 2 단계 구성이 되고, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1752 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.83 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 mu m, the secondary particles had a two-step structure of a coating (normal) plating state (particle diameter of less than 0.1 mu m) and an average particle diameter of 0.15 mu m, The average value of the height of the concave and the convex was 1752, which satisfied the condition of the present invention. The state peel strength was as high as 0.83 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 7 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡ 와 2 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 4 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 15 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 7 is a case where the current density for forming primary particles is 65 A / dm 2 and 2 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 4 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 15 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.41 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.16 ㎛ 이며, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1560 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.41 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.16 mu m, and the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1560, satisfying the conditions of the present invention.

이 결과, 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 1.09 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, it was found that there was no powder falling, the state peel strength was as high as 1.09 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured, As shown in Fig.

실시예 8 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 10 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 8 is a case in which the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.31 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 요철 높이의 평균치는 1814 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.31 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average value of the unevenness height of the roughened surface by the laser microscope was 1814, satisfying the conditions of the present invention.

가루 떨어짐은 없었다. 상태 필 강도가 0.93 kg/cm 로 높고, 또, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.There was no drop of powder. The state peel strength was as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measurement of the state peel was measured to determine the difference as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 9 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 55 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 75 As/d㎡ 와 5 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 9 is a case where the current density for forming primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm is 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.26 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1866 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.26 mu m, and the average height of the roughed surface was 1866 by the laser microscope.

가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.95 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.The state peel strength was as high as 0.95 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 10 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 50 A/d㎡ 와 5 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 70 As/d㎡ 와 10 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 10 is a case where the current density for forming the primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2, the amount of Clemm is 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1858 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.94 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average height of the roughed surface was 1858 by the laser microscope. The state peel strength was as high as 0.94 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 11 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 10 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 11 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 요철 높이의 평균치는 1808 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average value of the unevenness height of the roughened surface by the laser microscope was 1808, satisfying the conditions of the present invention.

가루 떨어짐은 없었다. 상태 필 강도가 0.93 kg/cm 로 높고, 또, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.There was no drop of powder. The state peel strength was as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measurement of the state peel was measured to determine the difference as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 12 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 55 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 75 As/d㎡ 와 5 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 12 is a case where the current density for forming primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm is 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1861 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.35 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1861, satisfying the conditions of the present invention.

가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.94 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.The state peel strength was as high as 0.94 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 13 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 50 A/d㎡ 와 5 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 70 As/d㎡ 와 10 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 13 is a case where the current density for forming primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2, the amount of Clemm is 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1858 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.94 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average height of the roughed surface was 1858 by the laser microscope. The state peel strength was as high as 0.94 kg / cm, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 14 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 15 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자 (2 차 입자층) 를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 60 As/d㎡ 로 하여 피복 도금 (정상 도금) 을 한 후에, 다시 전류 밀도를 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량 20 As/d㎡ 로 하여 입자를 형성한 경우이다.Example 14 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 15 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, (Normal plating) with a current density of 20 A / dm 2 and a Coulomb amount of 60 As / dm 2 to form a secondary particle layer (secondary particle layer), the current density was set to 20 A / dm 2 again , And a coke amount of 20 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자는 피복 (정상) 도금 상태 (입경은 0.1 ㎛ 미만) 및 평균 입자경 0.15 ㎛ 의 2 단계 구성이 되고, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1751 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐이 없고, 상태 필 강도가 0.84 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 mu m, the secondary particles had a two-step structure of a coating (normal) plating state (particle diameter of less than 0.1 mu m) and an average particle diameter of 0.15 mu m, The average value of the height of the concave and the convex was 1751, which satisfied the condition of the present invention. The state peel strength was as high as 0.84 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

실시예 15 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 60 A/d㎡ 와 10 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 20 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 25 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Example 15 is a case where the current density for forming the primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2, the amount of Clemm is 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2, Is 25 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 30 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.25 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 요철 높이의 평균치는 1805 가 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 mu m, and the average value of the unevenness height of the roughened surface by the laser microscope was 1805, satisfying the conditions of the present invention.

가루 떨어짐은 없었다. 상태 필 강도가 0.93 kg/cm 로 높고, 또, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작다는 특징을 구비하고 있었다.There was no drop of powder. The state peel strength was as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measurement of the state peel was measured to determine the difference as the deterioration rate) was as small as 30% or less .

이에 대하여, 비교예는, 다음의 결과가 되었다.On the other hand, the comparative example has the following results.

비교예 1 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 63 A/d㎡ 와 10 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 30 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자는 형성하지 않은 경우이다. 이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.50 ㎛ 가 되고, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 요철 높이의 평균치는 2001 이 되어, 본원 발명의 조건을 만족시켰다. 가루 떨어짐은 없고 상태 필 강도가 1.38 kg/cm 로 높아 실시예 레벨이었다. 그러나 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 60 % 로 현저하게 나빴다. 전체적인 고주파 회로용 동박으로서의 평가는, 불량이었다.In Comparative Example 1, the current density for forming the primary particles was 63 A / dm 2 and 10 A / dm 2, the amount of Clemm was 80 As / dm 2 and 30 As / dm 2, Is not formed. As a result, the average particle size of the primary particles became 0.50 mu m, and the average value of the height of concavities and convexities by the laser microscope on the roughened surface was 2001, satisfying the conditions of the present invention. There was no flaking and the state peel strength was as high as 1.38 kg / cm, which was the embodiment level. However, the heat resistance deterioration rate (peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured, and the difference was regarded as the deterioration rate) was remarkably bad at 60%. The evaluation as a whole copper foil for a high-frequency circuit was defective.

비교예 2 는, 1 차 입자경이 존재하지 않고, 2 차 입자층만의 종래예를 나타내는 것이다. 즉, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 50 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 30 As/d㎡ 로 한 경우이다.Comparative Example 2 shows a conventional example in which there is no primary particle size but only a secondary particle layer. That is, the current density for forming secondary particles is 50 A / dm 2 and the amount of Clemm is 30 As / dm 2.

이 결과, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.30 ㎛ 가 되고, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 294 가 되어, 본 발명의 조건을 만족시키지 않았다.As a result, the average particle size of the secondary particles became 0.30 mu m, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 294, which did not satisfy the conditions of the present invention.

조화 입자의 가루 떨어짐이 다량으로 발생했다. 상태 필 강도가 1.25 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작으면 실시예 레벨이었다. 상기와 같이, 가루 떨어짐이 다량으로 발생한다는 문제가 있기 때문에, 전체적인 고주파 회로용 동박으로서의 종합 평가는, 불량이었다.A large amount of flaking of coarse particles occurred. The state peel strength was as high as 1.25 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 deg. C for 48 hours after measuring the state peel was measured and the difference was regarded as the deterioration rate) was 30% or less. As described above, since there is a problem that a large amount of flaking occurs, the overall evaluation as a whole copper foil for a high-frequency circuit is defective.

비교예 3 은, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 63 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 2 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 28 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 73 As/d㎡ 로 한 경우이다.In Comparative Example 3, the current density for forming the primary particles was 63 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm was 80 As / dm 2 and 2 As / dm 2, Is 28 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 73 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.60 ㎛ 이며, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1298 이 되어, 본 발명의 조건을 만족시키지 않았다. 가루 떨어짐이 다량으로 발생했다. 상태 필 강도가 1.42 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작으면 실시예 레벨이었지만, 가루 떨어짐이 다량으로 발생했다. 전체적인 고주파 회로용 동박으로서의 평가는, 불량이었다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.60 mu m, and the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1298, . There was a large amount of powder dropping. The state peel strength was as high as 1.42 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after the state peel measurement was regarded as the deterioration rate) was 30% or less. There was a large amount of powder dropping. The evaluation as a whole copper foil for a high-frequency circuit was defective.

비교예 4 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 63 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 80 As/d㎡ 와 2 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 31 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 40 As/d㎡ 로 한 경우이다.In Comparative Example 4, the current density for forming the primary particles was 63 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm was 80 As / dm 2 and 2 As / dm 2, Is 31 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 40 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.40 ㎛ 이며, 조화 처리면의 레이저 현미경에 의한 높이의 평균치는 1227 이 되어, 본 발명의 조건을 만족시키지 않았다.As a result, the average particle size of the primary particles was 0.35 mu m, the average particle size of the secondary particles was 0.40 mu m, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1227,

상태 필 강도가 1.37 kg/cm 로 높고, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 이 30 % 이하로 작으면 실시예 레벨이었지만, 가루 떨어짐이 다량으로 발생했다. 전체적인 고주파 회로용 동박으로서의 평가는, 불량이었다.The state peel strength was as high as 1.37 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after the state peel measurement was regarded as the deterioration rate) was 30% or less. There was a large amount of powder dropping. The evaluation as a whole copper foil for a high-frequency circuit was defective.

비교예 5 는, 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 40 A/d㎡ 와 1 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 40 As/d㎡ 와 2 As/d㎡ 로 한 경우이고, 2 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡ 로 하고, 쿨롬량을 20 As/d㎡ 로 한 경우이다. In Comparative Example 5, the current density for forming primary particles was 40 A / dm 2 and 1 A / dm 2, the amount of Clemm was 40 As / dm 2 and 2 As / dm 2, Is 20 A / dm &lt; 2 &gt;, and the amount of Clemm is 20 As / dm &lt; 2 &gt;.

이 결과, 1 차 입자의 평균 입자경이 0.15 ㎛ 이고, 2 차 입자의 평균 입자경이 0.15 ㎛ 이며, 레이저 현미경에 의한 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는 1367 이 되어, 본 발명의 조건을 만족시키지 않았다. 가루 떨어짐은 발생하지 않았다. 또, 상태 필 강도는 0.71 kg/cm 이며, 내열성 열화율 (상태 필 측정 후에 180 ℃ 48 시간 가열 후의 필 강도를 측정하여 그 차를 열화율로 했다) 은 35 % 였다.As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.15 mu m, the average particle diameter of the secondary particles was 0.15 mu m, and the average height of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1367, . No flaking occurred. The state peel strength was 0.71 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (peel strength after heating at 180 캜 for 48 hours after measuring the state peel was measured, and the difference was regarded as the deterioration rate) was 35%.

상기 실시예 및 비교예의 대비로부터 분명한 바와 같이, 동박 (원박) 의 표면에, 구리의 1 차 입자층을 형성한 후, 그 1 차 입자층 상에, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층을 형성한 경우에 있어서, 조화 처리면의 일정 영역의 레이저 현미경에 의한 계측 해석에 있어서, 조화 처리면의 요철 높이의 평균치를 1500 이상으로 함으로써, 가루 떨어짐이라는 현상을, 안정적으로 억제할 수 있다는 우수한 효과를 가지며, 또한 필 강도를 높이고, 또한 고주파 특성을 향상시킬 수 있다.As is clear from the comparison between the examples and the comparative examples, after the primary particle layer of copper was formed on the surface of the copper foil (original foil), a layer composed of a ternary alloy of copper, cobalt and nickel It is possible to stably suppress the phenomenon of dropping of the powder by setting the average value of the concavo-convex height of the roughened surface to 1,500 or more in the measurement analysis by the laser microscope in a certain region of the roughened surface And further, the peel strength can be increased and the high-frequency characteristics can be improved.

또, 1 차 입자층의 평균 입경을 0.25 ∼ 0.45 ㎛, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층의 평균 입자경을 0.35 ㎛ 이하로 하는 것이, 상기의 효과를 달성하는데 있어서, 더욱 유효하다.It is preferable that the mean particle diameter of the primary particle layer is 0.25 to 0.45 mu m and the average particle diameter of the secondary particle layer made of the ternary alloy made of copper, cobalt and nickel is 0.35 mu m or less in achieving the above effect Do.

또한, 내열 처리층에 Co 가 포함되는 경우, 전송 손실이 커지는 경향이 있었다.In addition, when Co is included in the heat-resistant treated layer, the transmission loss tends to increase.

도 9 에, 실시예 1 의 높이 히스토그램의 평균치 (요철 높이) 의 해석 소프트 KVH1A9 에 의한 해석 결과를 나타내는 컴퓨터 화면의 화상을 나타낸다. 높이 히스토그램의 평균치 (요철 높이) 는, 도 9 에 있어서, 오른쪽 상측의 표 (농도 계측) 의 항목 「평균」 (여기서는 2688.98 로 표시되어 있다) 을 판독한 것이다.Fig. 9 shows an image of a computer screen showing the result of analysis by the analyzing software KVH1A9 of the average value (concavity and convexity height) of the height histogram of the first embodiment. The average value (irregularity height) of the height histogram is obtained by reading the item &quot; average &quot; (indicated here as 2688.98) of the table (concentration measurement) on the upper right side in Fig.

Claims (32)

동박의 표면에, 구리의 1 차 입자층을 형성한 후, 그 1 차 입자층 상에, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금의 2 차 입자층을 형성한 동박으로서, 레이저 현미경으로 관찰했을 때에, 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상이고,
상기 조화 처리면의 요철 높이의 평균치는, 주식회사 키엔스 제조 레이저 마이크로 스코프 VK8500 을 이용하여, VK-8500 유저즈 매뉴얼 4-3 페이지의 기재에 기초하여 DISTANCE·PITCH 를 0.1 μm 로 설정한 후에, 동박의 조화 처리면을 측정하여 얻어진 이미지에 대해, 유효 면적이 786432 μm2 (측정 영역 100 %) 에 있어서의 계측 해석에 의해 요철 높이를, 해석 소프트 KVH1A9 를 이용하여 히스토그램화하여 구한 평균치인 고주파 회로용 동박.
A copper foil in which a primary particle layer of copper is formed on the surface of a copper foil and then a secondary particle layer of a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. When observed with a laser microscope, The average value of the height of the unevenness of the treated surface is 1500 or more,
The average value of the concavity and convexity of the roughened surface was set to 0.1 mu m on the basis of the description on page 4-3 of VK-8500 User's manual using Laser Microscope VK8500 manufactured by Keith Corporation, The image obtained by measuring the roughened surface was subjected to a measurement analysis at an effective area of 786432 μm 2 (measurement area 100%) to obtain a histogram of the rugged height using the analysis software KVH1A9, .
제 1 항에 있어서,
상기 구리의 1 차 입자층의 평균 입자경이 0.25 ∼ 0.45 ㎛ 이며, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 3 원계 합금으로 이루어지는 2 차 입자층의 평균 입자경이 0.35 ㎛ 이하인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the primary particle layer of the copper has an average particle diameter of 0.25 to 0.45 占 퐉 and the secondary particle layer of a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel has an average particle diameter of 0.35 占 퐉 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층이, 전기 도금층인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the primary particle layer and the secondary particle layer are electroplating layers.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자가, 상기 1 차 입자 상에 성장한 1 또는 복수 개의 나뭇가지상의 입자 또는 상기 1 차 입자 상에 성장한 정상 도금층인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the secondary particle is a normal plating layer grown on one or a plurality of branch-like particles grown on the primary particles or on the primary particles.
제 1 항에 있어서,
레이저 현미경으로 관찰했을 때에, 상기 조화 처리면의 요철 높이의 평균치가 1500 이상, 2000 이하인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the average height of the unevenness of the roughened surface when observed with a laser microscope is 1500 or more and 2000 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층의 필 강도가 0.80 kg/cm 이상인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the primary particle layer and the secondary particle layer have a peak strength of 0.80 kg / cm or more.
제 1 항에 있어서,
상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층의 필 강도가 0.90 kg/cm 이상인 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the primary particle layer and the secondary particle layer have a fill strength of 0.90 kg / cm or more.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자층 상에,
(A) Ni 와, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및,
(B) 크로메이트층
중에서, 1 개 또는 2 개가 형성된 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
On the secondary particle layer,
(A) an alloy layer comprising Ni and at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn,
(B) a chromate layer
Wherein one or two copper foils are formed.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자층 상에,
(A) Ni 와, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 및,
(B) 크로메이트층
중에서, 1 개 또는 2 개와,
실란 커플링층
이 이 순서로 형성된 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
On the secondary particle layer,
(A) an alloy layer comprising Ni and at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn,
(B) a chromate layer
1 &lt; / RTI &gt; or 2 &lt;
The silane coupling layer
The copper foil for a high frequency circuit formed in this order.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자층 상에,
Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중에서, 1 개 또는 2 개가 형성된 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
On the secondary particle layer,
A Ni-Zn alloy layer, and a chromate layer.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자층 상에,
Ni-Zn 합금층, 및, 크로메이트층 중에서, 1 개 또는 2 개와,
실란 커플링층
이 이 순서로 형성된 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
On the secondary particle layer,
One or two Ni-Zn alloy layers, and a chromate layer,
The silane coupling layer
The copper foil for a high frequency circuit formed in this order.
제 1 항에 있어서,
상기 2 차 입자층의 표면에 수지층을 구비하는 고주파 회로용 동박.
The method according to claim 1,
And a resin layer on the surface of the secondary particle layer.
제 8 항에 있어서,
상기 Ni 와, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 또는, 상기 크로메이트층의 표면에 수지층을 구비하는 고주파 회로용 동박.
9. The method of claim 8,
An alloy layer comprising at least one element selected from the group consisting of Ni and at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As and Ti; And a resin layer formed on the resin layer.
제 9 항에 있어서,
상기 Ni 와, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As 및 Ti 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 또는, 상기 크로메이트층, 또는, 상기 실란 커플링층의 표면에 수지층을 구비하는 고주파 회로용 동박.
10. The method of claim 9,
An alloy layer comprising at least one element selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As and Ti; And a resin layer on the surface of the silane coupling layer.
캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 제 1 항에 기재된 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박.A copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one surface or both surfaces of the carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a copper foil for a high- . 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 제 2 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박.11. A copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one surface or both surfaces of a carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a high-frequency circuit according to any one of claims 2 to 11, Copper foil with a carrier which is a copper foil. 제 16 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박.
17. The method of claim 16,
Wherein the intermediate layer and the ultra thin copper layer are provided on one side of the carrier in this order and a carrier having a roughened treatment layer is attached to the other side of the carrier.
캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 제 12 항에 기재된 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박.A copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one side or both sides of a carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a copper foil for a high- . 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 제 13 항에 기재된 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박.A copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one surface or both surfaces of the carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a copper foil for a high frequency circuit, . 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 구리층을 이 순서로 갖는 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 구리층이 제 14 항에 기재된 고주파 회로용 동박인 캐리어가 부착된 동박.A copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on one side or both sides of the carrier, wherein the ultra-thin copper layer is a copper foil for a high frequency circuit, . 제 15 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박.
16. The method of claim 15,
Wherein the intermediate layer and the ultra thin copper layer are provided on one side of the carrier in this order and a carrier having a roughened treatment layer is attached to the other side of the carrier.
제 18 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박.
19. The method of claim 18,
Wherein the intermediate layer and the ultra thin copper layer are provided on one side of the carrier in this order and a carrier having a roughened treatment layer is attached to the other side of the carrier.
제 19 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박.
20. The method of claim 19,
Wherein the intermediate layer and the ultra thin copper layer are provided on one side of the carrier in this order and a carrier having a roughened treatment layer is attached to the other side of the carrier.
제 20 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 구리층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어가 부착된 동박.
21. The method of claim 20,
Wherein the intermediate layer and the ultra thin copper layer are provided on one side of the carrier in this order and a carrier having a roughened treatment layer is attached to the other side of the carrier.
제 1 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 동박을 사용한 고주파 회로용 구리 피복 적층판.A copper clad laminate for high frequency circuit using the copper foil according to any one of claims 1 to 15 and 18 to 21. 제 1 항 내지 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 동박을 사용한 고주파 회로용 프린트 배선판.A printed circuit board for a high frequency circuit using the copper foil according to any one of claims 1 to 15 and 18 to 21. 제 25 항에 있어서,
상기 동박과 폴리이미드, 액정 폴리머 또는 불소 수지를 적층한 고주파 회로용 구리 피복 적층판.
26. The method of claim 25,
A copper clad laminate for a high frequency circuit, wherein the copper foil and a polyimide, a liquid crystal polymer or a fluororesin are laminated.
제 26 항에 있어서,
폴리이미드, 액정 폴리머 또는 불소 수지 중 어느 것을 사용한 고주파 회로용 프린트 배선판.
27. The method of claim 26,
A printed circuit board for a high-frequency circuit using any one of polyimide, liquid crystal polymer and fluorine resin.
제 26 항에 기재된 프린트 배선판을 사용한 전자 기기.An electronic device using the printed wiring board according to claim 26. 제 28 항에 기재된 프린트 배선판을 사용한 전자 기기.29. An electronic device using the printed wiring board according to claim 28. 제 15 항 및 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,
그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A step of preparing the copper foil and the insulating substrate with the carrier according to any one of claims 15 and 18 to 23,
A step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate,
After the step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate is peeled off from the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate,
And then forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.
제 15 항 및 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및,
상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 구리층을 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A step of forming a circuit on the surface of the ultra thin copper layer side of the copper foil having the carrier according to any one of claims 15 and 18 to 23,
Forming a resin layer on the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,
A step of forming a circuit on the resin layer,
A step of forming a circuit on the resin layer and thereafter peeling the carrier,
Exposing a circuit buried in the resin layer formed on the extremely thin copper layer side surface by removing the extremely thin copper layer after peeling the carrier.
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