JP6522974B2 - Copper foil with carrier, laminate, method of producing laminate, and method of producing printed wiring board - Google Patents

Copper foil with carrier, laminate, method of producing laminate, and method of producing printed wiring board Download PDF

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Description

本発明は、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a copper foil with carrier, a laminate, a printed wiring board, and a method of manufacturing the printed wiring board.

プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にICチップを載せる場合、L(ライン)/S(スペース)=20μm/20μm以下のファインピッチ化が求められている。   Printed wiring boards have made great strides over the past half century, and are now used in almost all electronic devices. In recent years, with the miniaturization of electronic devices and the increase in needs for high performance, high density mounting of mounted components and high frequency of signals have progressed, and the conductor pattern has been miniaturized (fine pitched) or high frequency for printed wiring boards. Correspondence etc. are calculated | required, and when mounting an IC chip especially on a printed wiring board, fine pitch formation of L (line) / S (space) = 20 micrometers / 20 micrometers or less is calculated | required.

プリント配線板はまず、銅箔とガラスエポキシ基板、BT樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法(ラミネート法)、または、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法(キャスティング法)が用いられる。   First, the printed wiring board is manufactured as a copper-clad laminate in which a copper foil and an insulating substrate mainly made of a glass epoxy substrate, a BT resin, a polyimide film or the like are bonded. Bonding may be performed by laminating an insulating substrate and a copper foil and forming them by heating and pressing (lamination method), or applying a varnish, which is a precursor of an insulating substrate material, to a surface having a copper foil covering layer, A heating and curing method (casting method) is used.

ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも9μm、さらには5μm以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が9μm以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。キャリア付銅箔の一般的な使用方法としては、特許文献1等に開示されているように、極薄銅層の表面を樹脂基板に貼り合わせて熱圧着後に、キャリアを、剥離層を介して剥離する。   The thickness of the copper foil used in the copper-clad laminate is becoming 9 μm or even 5 μm or less as the fine pitch is being made, and the foil thickness is becoming thinner. However, when the foil thickness is 9 μm or less, the handling property when forming a copper-clad laminate by the above-mentioned laminating method or casting method is extremely deteriorated. Then, the copper foil with a carrier which used the thick metal foil as a carrier, and formed the ultra-thin copper layer in this via the peeling layer has appeared. As a general usage method of the copper foil with a carrier, as disclosed by patent document 1 grade | etc., After bonding the surface of an ultra-thin copper layer to a resin substrate and thermocompression-bonding, a carrier is via a peeling layer. Peel off.

キャリア付銅箔を用いたプリント配線板の作製において、キャリア付銅箔の典型的な使用方法は、まず、キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基板へ積層した後に極薄銅層からキャリアを剥離する。次に、キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上に光硬化性樹脂で形成されためっきレジストを設ける。次に、めっきレジストの所定領域に対して露光することで当該領域を硬化させる。続いて、非露光領域の硬化されていないめっきレジストを除去した後、当該レジスト除去領域に電解めっき層を設ける。次に、硬化しためっきレジストを除去することで、回路が形成された樹脂基板が得られ、これを用いてプリント配線板を作製する。   In the production of a printed wiring board using a copper foil with a carrier, a typical usage of the copper foil with a carrier is to first laminate a copper foil with a carrier from an ultrathin copper layer side to a resin substrate and then from an ultrathin copper layer Peel the carrier. Next, a plating resist formed of a photocurable resin is provided on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier. Next, the predetermined area of the plating resist is exposed to light to harden the area. Then, after removing the unhardened plating resist of a non-exposure area | region, an electrolytic-plating layer is provided in the said resist removal area | region. Next, the cured plating resist is removed to obtain a resin substrate on which a circuit is formed, and a printed wiring board is manufactured using this.

特開2006−022406号公報JP, 2006-022406, A

上記のようなキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法において、一般に、キャリア付銅箔の表面やプリント配線板の表面上の異物を、粘着性を有する合成ゴム製のクリーニングローラーを用いて除去することがある。このとき、絶縁樹脂との密着性を向上させるためにキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に付与される粗化処理層は前述のように配線の微細化や高周波信号伝送への対応のため平滑かつ微細になっている。このため、クリーニングローラーをかけた時に粗化処理層を構成する微細な粗化粒子が銅箔の表面から脱落してクリーニングローラー上に導電性異物として転写し、付着してしまう。このようにクリーニングローラーの表面に付着した導電性異物は、さらにクリーニングを続けると元の銅箔やプリント配線板表面に再び移ることがあり、そのような場合は、当該銅箔に形成する回路に短絡が発生する原因となる。   In the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier as described above, in general, the foreign material on the surface of the copper foil with a carrier or the surface of the printed wiring board is made using a synthetic rubber cleaning roller having adhesiveness. May be removed. At this time, the roughening treatment layer provided on the very thin copper layer side surface of the copper foil with carrier in order to improve the adhesion to the insulating resin corresponds to the miniaturization of wiring and high frequency signal transmission as described above. Because it is smooth and fine. For this reason, when the cleaning roller is applied, the fine roughening particles constituting the roughening treatment layer fall off from the surface of the copper foil and are transferred and adhered as conductive foreign matter on the cleaning roller. The conductive foreign matter adhering to the surface of the cleaning roller in this way may move again to the original copper foil or printed wiring board surface if the cleaning is further continued, and in such a case, the circuit to be formed on the copper foil It causes the short circuit to occur.

そこで、本発明は、極薄銅層側表面に設けられた粗化粒子層中の粗化粒子の脱落が良好に抑制され、且つ、ピール強度が良好なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。   Therefore, it is an object of the present invention to provide a copper foil with carrier in which the falling off of the roughened particles in the roughened particle layer provided on the very thin copper layer side surface is well suppressed and the peel strength is good. I assume.

上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を重ねたところ、キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面に処理される粗化処理層を構成する粗化粒子のうち、直径が1μmを超える粗化粒子の発生密度を抑制すること、及び、直径が0.1μm以上1.0μm以下の粗化粒子の密度を制御することで、当該課題が解決されることを見出した。   In order to achieve the above object, the inventors of the present invention conducted intensive studies to find that the diameter of the roughened particles constituting the roughened layer to be treated on the surface of the copper foil with a carrier is very thin. It has been found that the problem can be solved by suppressing the generation density of roughened particles exceeding 1 μm and controlling the density of roughened particles having a diameter of 0.1 μm or more and 1.0 μm or less.

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層、及び、粗化処理層を含む表面処理層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に5個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に500個以上3000個以下の密度で存在し、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の10点平均粗さRzが0.3〜1.5μmであるキャリア付銅箔である。 The present invention has been completed on the basis of the above findings, and in one aspect, it is a copper foil with a carrier having a surface treatment layer including a carrier, an intermediate layer, an extremely thin copper layer, and a roughening treatment layer in this order Among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter of more than 1 μm are suppressed to 5 or less in a range of 10 μm square, and 10 μm of roughening particles having a diameter of 0.1 μm or more and 1 μm or less The carrier-attached copper foil which has a density of 500 or more and 3000 or less in a square range, and has a 10-point average roughness Rz of 0.3 to 1.5 μm on the surface of the copper foil with a carrier on the very thin copper layer side. is there.

本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に2個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に500個以上3000個以下の密度で存在する。   In one embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter exceeding 1 μm are suppressed to 2 or less in a 10 μm square range, and 0.1 μm Roughened particles having a diameter of 1 μm or more are present in a 10 μm square at a density of 500 or more and 3,000 or less.

本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に2個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に2000個以上3000個以下の密度で存在する。   In another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter exceeding 1 μm are suppressed to 2 or less in a 10 μm square range, and 0 Roughened particles having a diameter of 1 μm or more and 1 μm or less are present at a density of 2000 or more and 3000 or less in a 10 μm square range.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の厚みが0.1μm以上6μm以下である。   In still another embodiment, the copper foil with a carrier according to the present invention has a thickness of 0.1 μm to 6 μm both inclusive.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層の単位面積あたりの付着量が0.1g/m2以上5g/m2以下である。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the adhesion amount per unit area of the surface treatment layer is 0.1 g / m 2 or more and 5 g / m 2 or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層の単位面積あたりの付着量が0.8g/m2以上1.5g/m2以下である。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the adhesion amount per unit area of the surface treatment layer is 0.8 g / m 2 or more and 1.5 g / m 2 or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に粗化処理層が形成されている。   In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, a roughened layer is formed on the surface of the carrier opposite to the very thin copper layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である。   In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer is made of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc. A layer consisting of an alloy containing any one or more selected from the group consisting of

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、樹脂層を備える。   In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention includes a resin layer on the surface of the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。   In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention has a heat-resistant layer, an anticorrosive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on the surface of the roughening treatment layer formed on the surface of the ultrathin copper layer. And one or more layers selected from the group consisting of

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に設けられた、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the copper foil with a carrier according to the present invention is the heat resistant layer, the rustproof layer, the chromate treated layer, and the silane provided on the surface of the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer. A resin layer is provided on one or more layers selected from the group consisting of a coupling treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層表面に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention comprises a resin layer on the surface treatment layer surface.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が接着用樹脂である。   In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the resin layer is a bonding resin.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である。   In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the resin layer is a resin in a semi-cured state.

本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する積層体の製造方法である。 The present invention in another aspect, a method for producing a laminate for producing a product Sotai using copper foil with carrier of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a laminate comprising the copper foil with carrier of the present invention and a resin, wherein a part or all of the end face of the copper foil with carrier is covered with the resin. It is.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法である。 In the present invention yet another aspect, a method for manufacturing a printed wiring board for producing a print wiring board using the copper foil with carrier of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In still another aspect of the present invention, the process of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate of the present invention, the process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the copper foil with carrier and the insulating substrate After laminating, a copper-clad laminate is formed through the step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier, and then the circuit is formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method or a modified semi-additive method. It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming these.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In still another aspect of the present invention, a process of forming a circuit on the surface of the copper foil with a carrier according to the present invention, the ultra thin copper layer of the copper foil with a carrier such that the circuit is embedded. A step of forming a resin layer on the side surface, a step of forming a circuit on the resin layer, a step of peeling the carrier after forming the circuit on the resin layer, and the step of peeling the carrier It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of exposing the circuit buried in the resin layer which was formed in the ultra-thin copper layer side surface by removing the ultra-thin copper layer.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。
In still another aspect of the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier according to the present invention on the resin substrate from the carrier side, the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier,
Forming a resin layer on the surface of the copper foil with carrier so as to bury the circuit, forming a circuit on the resin layer, and forming the circuit on the resin layer, The step of peeling the carrier, and after peeling the carrier, the ultra-thin copper layer is removed to expose the circuit embedded in the resin layer formed on the very-thin copper layer side surface. It is a manufacturing method of a printed wiring board including a process of

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In still another aspect of the present invention, the step of laminating the resin substrate and the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention, the resin substrate of the copper foil with carrier is laminated Providing the resin layer and the circuit two layers at least once on the ultrathin copper layer side surface opposite to the side or the carrier side surface, and after forming the resin layer and the circuit two layers, It is a manufacturing method of a printed wired board including the process of exfoliating the above-mentioned career or the above-mentioned ultra-thin copper layer from copper foil with a career.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In still another aspect of the present invention, the step of laminating the carrier side surface of the copper foil with carrier according to the present invention and the resin substrate, the ultrathin side of the copper foil with carrier opposite to the side laminated with the resin substrate The process of providing two layers of a resin layer and a circuit on the copper layer side surface at least once, and a process of peeling the carrier from the copper foil with carrier after forming the two layers of the resin layer and the circuit It is a manufacturing method of a printed wiring board.

本発明によれば、極薄銅層側表面に設けられた粗化粒子層中の粗化粒子の脱落が良好に抑制され、且つ、ピール強度が良好なキャリア付銅箔を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, drop-off | omission of roughening particle | grains in the roughening particle layer provided in the ultra-thin copper layer side surface can be suppressed favorably, and the copper foil with a carrier with favorable peeling strength can be provided. .

A〜Cは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。A to C are schematic views of the cross section of the wiring board in the steps up to circuit plating and resist removal, according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention. D〜Fは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び2層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。D to F are schematic views of a cross section of a wiring board in a process from resin and second layer copper foil lamination with carrier to laser drilling according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention It is. G〜Iは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から1層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。G to I are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from via fill formation to first layer carrier peeling according to a specific example of a method for producing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. J〜Kは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。J to K are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from flash etching to formation of bumps and copper pillars according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention. 実施例2の銅箔の粗化処理後の表面SEM観察写真を示す。The surface SEM observation photograph after the roughening process of the copper foil of Example 2 is shown. 比較例1の銅箔の粗化処理後の表面SEM観察写真を示す。The surface SEM observation photograph after the roughening process of the copper foil of the comparative example 1 is shown. 比較例1の粘着シート上の脱落粗化粒子のSEM観察写真を示す。The SEM observation photograph of the drop-off roughening particle | grains on the adhesive sheet of the comparative example 1 is shown.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCDフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。キャリアは電気伝導率が高いことから電解銅箔または圧延銅箔であることが好ましく、更に製造コストが低いこと及びキャリア側表面の粗さをより制御しやすいことから電解銅箔であることがより好ましい。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Carrier>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum It is provided in the form of an alloy foil, an insulating resin film, a polyimide film, and an LCD film.
The carrier that can be used in the present invention is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. Generally, an electrolytic copper foil is manufactured by electrolytically depositing copper on a drum of titanium or stainless steel from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by rolling rolls. In addition to copper of high purity such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy No. C1100) and oxygen free copper (JIS H3100 alloy No. C1020 or JIS H3510 alloy No. C1011) as copper foil materials, for example, Sn containing copper, Ag containing copper, Cr It is also possible to use a copper alloy such as a copper alloy to which Zr, Mg or the like is added, or a Corson-based copper alloy to which Ni, Si or the like is added. The carrier is preferably an electrodeposited copper foil or a rolled copper foil because of its high electrical conductivity, and it is further preferred that the electrodeposited copper foil is low in manufacturing cost and easier to control the surface roughness of the carrier side. preferable. In addition, when the term "copper foil" is used independently in this specification, copper alloy foil shall also be included.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば12μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には12〜300μmであり、より典型的には12〜150μmであり、より典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。   The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be suitably adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, for example, 12 μm or more. However, if it is too thick, the production cost will increase, so in general, the thickness is preferably 35 μm or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 12 to 300 μm, more typically 12 to 150 μm, more typically 12 to 70 μm, and more typically 18 to 35 μm.

<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物または有機物からなる層を形成することで構成することができる。
また、例えば中間層は、キャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層、その次にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層で構成することができる。また、他の層には中間層として用いることができる層構成を用いてもよい。
<Middle class>
An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is difficult to peel from the carrier prior to the lamination step on the insulating substrate with the copper foil with carrier, while the ultrathin copper layer from the carrier is after the lamination step on the insulating substrate The configuration is not particularly limited as long as it is a configuration that allows peeling. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier according to the present invention may be made of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, their alloys, their hydrates, their oxides, One or more selected from the group consisting of organic substances may be included. Also, the intermediate layer may be a plurality of layers.
Also, for example, the intermediate layer is a single metal layer consisting of a kind of element selected from the group of elements consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side Or form an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of elements composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, Hydrates or oxides or organic substances of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn It can be constituted by forming the following layer.
Also, for example, the intermediate layer may be a single metal layer made of any one element in the group of elements of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side, or Cr An alloy layer composed of one or more elements selected from the group of elements of Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, and then Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti , W, P, Cu, Al, Zn, or a single metal layer of any one element group, or Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn It can be constituted by an alloy layer composed of one or more elements selected from the element group. In addition, a layer configuration that can be used as an intermediate layer may be used for other layers.

また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル層、ニッケル−リン合金層又はニッケル−コバルト合金層と、クロム含有層とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上500μg/dm2以下であることが好ましく、5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることがより好ましい。 Also, for example, the intermediate layer can be configured by laminating a nickel layer, a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-cobalt alloy layer, and a chromium-containing layer in this order on the carrier. Since the adhesion between nickel and copper is higher than the adhesion between chromium and copper, when peeling off the very thin copper layer, it peels off at the interface between the very thin copper layer and the chromium. In addition, a barrier effect is expected in the nickel of the intermediate layer to prevent the diffusion of the copper component from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of chromium in the intermediate layer is 5 μg / dm 2 or more and 500 μg / dm 2 or less, and 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less It is more preferable that

クロム含有層はクロムめっき層であってもよく、クロム合金めっき層であってもよく、クロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。   The chromium-containing layer may be a chromium plating layer, a chromium alloy plating layer, or a chromate-treated layer. Here, the chromate-treated layer means a layer treated with a solution containing chromic acid anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, titanium and other elements (metals, alloys, oxides, nitrides, sulfides, etc.) May be included. Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with a chromic acid anhydride or potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing chromic acid anhydride or potassium dichromate and zinc, etc. .

本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。 The intermediate layer of the copper foil with carrier according to the present invention is formed by laminating the nickel layer or the alloy layer containing nickel on the carrier, and the organic layer containing any of the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound and the carboxylic acid. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40000 μg / dm 2 .

また、例えば、中間層が含有する有機物としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなるものを用いることが好ましい。窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のうち、窒素含有有機化合物は、置換基を有する窒素含有有機化合物を含んでいる。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで8nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
Also, for example, as the organic substance contained in the intermediate layer, it is preferable to use one or two or more selected from nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, and carboxylic acids. Among nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds and carboxylic acids, nitrogen-containing organic compounds include nitrogen-containing organic compounds having a substituent. As specific nitrogen-containing organic compounds, 1,2,3-benzotriazole which is a triazole compound having a substituent, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1 It is preferable to use 2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like.
As the sulfur-containing organic compound, mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid, 2-benzimidazole thiol and the like are preferably used.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and among them, it is preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid and the like.
It is preferable to contain 8 nm-80 nm by thickness of the above-mentioned organic substance, and it is more preferable to contain 30 nm-70 nm. The intermediate layer may contain a plurality of types (one or more) of the aforementioned organic substances.
The thickness of the organic substance can be measured as follows.

<中間層の有機物厚み>
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
<Organic thickness of the middle layer>
After peeling the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier from the carrier, the surface of the exposed ultrathin copper layer on the intermediate layer side and the surface of the exposed carrier on the intermediate layer side are measured by XPS to create a depth profile. Then, let A (nm) be the depth at which the carbon concentration first falls to 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer, and the carbon concentration to 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the carrier first. The obtained depth can be B (nm), and the sum of A and B can be the thickness (nm) of the organic substance in the intermediate layer.
The operating conditions of XPS are shown below.
-Device: XPS measuring device (ULVAC-PHI, model 5600 MC)
-Ultimate vacuum: 3.8 × 10-7 Pa
X-ray: monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle 45 ° between sample and detector
・ Ion line: ion species Ar + , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm × 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (SiO 2 equivalent)

中間層が含有する有機物の使用方法について、以下に、キャリア箔上への中間層の形成方法についても述べつつ説明する。キャリア上への中間層の形成は、上述した有機物を溶媒に溶解させ、その溶媒中にキャリアを浸漬させるか、中間層を形成しようとする面に対するシャワーリング、噴霧法、滴下法及び電着法等を用いて行うことができ、特に限定した手法を採用する必要性はない。このときの溶媒中の有機系剤の濃度は、上述した有機物の全てにおいて、濃度0.01g/L〜30g/L、液温20〜60℃の範囲が好ましい。有機物の濃度は、特に限定されるものではなく、本来濃度が高くとも低くとも問題のないものである。なお、有機物の濃度が高いほど、また、上述した有機物を溶解させた溶媒へのキャリアの接触時間が長いほど、中間層の有機物厚みは大きくなる傾向にある。   The method of using the organic substance contained in the intermediate layer will be described below while also describing the method of forming the intermediate layer on the carrier foil. The formation of the intermediate layer on the carrier is carried out by dissolving the above-mentioned organic substance in a solvent and immersing the carrier in the solvent, or showering the surface on which the intermediate layer is to be formed, a spraying method, a dropping method and an electrodeposition method There is no need to adopt a particularly limited method. The concentration of the organic agent in the solvent at this time is preferably in the range of 0.01 g / L to 30 g / L and the liquid temperature of 20 to 60 ° C. in all of the aforementioned organic substances. The concentration of the organic substance is not particularly limited, and the high or low concentration of the organic substance is not a problem. In addition, the organic substance thickness of an intermediate | middle layer tends to become large, so that the contact time of the carrier to the solvent which dissolved the organic substance mentioned above is so long that the density | concentration of organic substance is high.

また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力は、モリブデンまたはコバルトと銅との接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。
中間層において、ニッケルの付着量は100〜40000μg/dm2であり、モリブデンの付着量は10〜1000μg/dm2であり、コバルトの付着量は10〜1000μg/dm2である。上述のように、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量が制御されているが、このように剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Co、Mo)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、ニッケル付着量は100〜40000μg/dm2とすることが好ましく、200〜20000μg/dm2とすることが好ましく、300〜15000μg/dm2とすることがより好ましく、300〜10000μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にモリブデンが含まれる場合には、モリブデン付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、モリブデン付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にコバルトが含まれる場合には、コバルト付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、コバルト付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。
なお、上述のように中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層した場合には、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けるためのめっき処理での電流密度を低くし、キャリアの搬送速度を遅くするとモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層の密度が高くなる傾向にある。モリブデン及び/またはコバルトを含む層の密度が高くなると、ニッケル層のニッケルが拡散し難くなり、剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御することができる。
Also, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel and molybdenum or cobalt or a molybdenum-cobalt alloy in this order on the carrier. The adhesion between nickel and copper is higher than the adhesion between molybdenum or cobalt and copper, so when peeling off the ultrathin copper layer, the interface between the ultrathin copper layer and the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy It comes to peel off. In addition, a barrier effect is expected in the nickel of the intermediate layer to prevent the diffusion of the copper component from the carrier into the ultrathin copper layer.
In the intermediate layer, the adhesion amount of nickel is 100 to 40000 μg / dm 2 , the adhesion amount of molybdenum is 10 to 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of cobalt is 10 to 1000 μg / dm 2 . As described above, in the copper foil with carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling off the ultrathin copper layer from the copper foil with carrier is controlled. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer, the amount of Ni attached to the intermediate layer is reduced, and metal species (Co, Mo) to suppress the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer are added to the intermediate layer Is preferably contained. From this viewpoint, the amount of nickel deposited is preferably to 100~40000μg / dm 2, preferably to 200~20000μg / dm 2, more preferably to 300~15000μg / dm 2, 300~10000μg It is more preferable to set / dm 2 . If included molybdenum in the intermediate layer, a molybdenum deposition amount is preferably set to 10~1000μg / dm 2, the molybdenum deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 It is more preferable to do. If included cobalt in the intermediate layer, the cobalt coating weight is preferably set to 10~1000μg / dm 2, cobalt deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 It is more preferable to do.
As described above, when the intermediate layer is formed by stacking nickel and molybdenum or cobalt or a molybdenum-cobalt alloy in this order on the carrier, plating for providing a molybdenum or cobalt or a molybdenum-cobalt alloy layer is performed. If the current density in the process is lowered and the carrier transport rate is decreased, the density of the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer tends to be increased. As the density of the layer containing molybdenum and / or cobalt increases, the nickel in the nickel layer is less likely to diffuse, and the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling can be controlled.

<ストライクめっき>
中間層の上には極薄銅層を設ける。その前に極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。
<Strike plating>
An ultra-thin copper layer is provided on the middle layer. This may be preceded by strike plating with a copper-phosphorus alloy to reduce pinholes in the ultra-thin copper layer. The strike plating includes copper pyrophosphate plating solution and the like.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。なお、中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは0.1μm以上6μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、微細配線形成性が向上する。極薄銅層の厚みは0.1μm以上3μm以下であるのがより好ましく、0.2μm以上1.5μm以下であるのが更により好ましく、0.3μm以上1.2μm以下であるのが更により好ましい。また、他の層には中間層として用いることができる構成の層を用いてもよい。
<Ultra-thin copper layer>
An ultra-thin copper layer is provided on the middle layer. In addition, another layer may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. The extremely thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath of copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used for general electrolytic copper foils, with high current density A copper sulfate bath is preferred because copper foil formation is possible. The thickness of the ultrathin copper layer is preferably 0.1 μm to 6 μm. According to such a configuration, the fine wiring formability is improved. The thickness of the ultrathin copper layer is more preferably 0.1 μm or more and 3 μm or less, still more preferably 0.2 μm or more and 1.5 μm or less, and still more preferably 0.3 μm or more and 1.2 μm or less preferable. Moreover, you may use the layer of the structure which can be used as an intermediate | middle layer in another layer.

本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体(銅張積層体等)を作製することができる。当該積層体としては、例えば、「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂又はプリプレグ/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂又はプリプレグ/極薄銅層/中間層/キャリア」の順に積層された構成であってもよい。前記樹脂又はプリプレグは後述する樹脂層であってもよく、後述する樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。   A laminate (such as a copper-clad laminate) can be produced using the copper foil with a carrier of the present invention. The laminate may be, for example, a configuration in which "ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg" is laminated in order, "carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer / resin or prepreg" The structure may be laminated in the order of “very thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg / carrier / intermediate layer / very thin copper layer”, or The structure may be laminated in the order of carrier / intermediate layer / very thin copper layer / resin or prepreg / very thin copper layer / intermediate layer / carrier. The resin or the prepreg may be a resin layer to be described later, and a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, etc. May be included. The copper foil with carrier may be smaller than the resin or the prepreg in plan view.

<キャリア付銅箔>
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層、及び、粗化処理層を含む表面処理層をこの順に有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的に積層体(銅張積層体等)、又は、プリント配線板等を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with carrier of the present invention has a surface treatment layer including a carrier, an intermediate layer, a very thin copper layer, and a roughening treatment layer in this order. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art, for example, the surface of a very thin copper layer is a paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite Ultra-thin film bonded to insulating substrate such as base epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resin and glass cloth base epoxy resin, polyester film, polyimide film etc A copper layer can be etched to a target conductor pattern, and finally a laminate (copper-clad laminate etc.), a printed wiring board or the like can be manufactured.

表面処理層における粗化処理層は粗化粒子を有し、粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に5個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に500個以上3000個以下の密度で存在するように制御されている。ここで、粗化粒子の直径は、粗化処理粒子を取り囲む円の最小直径を示す。このような構成により、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の粉の発生が良好に抑制される。粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に2個以下であるのが好ましく、1個以下であるのがより好ましく、0個であるのが更により好ましい。また、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に2000個以上3000個以下の密度で存在するのが好ましく、2000個以上2800個以下の密度で存在するのがより好ましく、2000個以上2500個以下の密度で存在するのが更により好ましい。   The roughening treatment layer in the surface treatment layer has roughening particles, and among roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter exceeding 1 μm are suppressed to 5 or less in a 10 μm square range, and 0 . Roughened particles having a diameter of 1 μm or more and 1 μm or less are controlled to be present at a density of 500 or more and 3,000 or less in a 10 μm square range. Here, the diameter of the roughened particles indicates the minimum diameter of the circle surrounding the roughened particles. With such a configuration, the generation of powder on the surface of the copper foil with a carrier on the very thin copper layer side is favorably suppressed. Among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter of more than 1 μm are preferably 2 or less in a 10 μm square, more preferably 1 or less, further preferably 0. More preferable. In addition, roughened particles having a diameter of 0.1 μm to 1 μm are preferably present at a density of 2000 to 3000 in a 10 μm square, and more preferably at a density of 2000 to 2800. Preferably, it is even more preferably present at a density of 2000 or more and 2500 or less.

また、表面処理層の単位面積あたりの付着量が0.1g/m2以上5g/m2以下であるのが好ましい。このような構成により、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の粉の発生がより良好に抑制される。表面処理層の単位面積あたりの付着量は0.8g/m2以上1.5g/m2以下であるのがより好ましく、0.9g/m2以上1.4g/m2以下であるのが更により好ましく、1g/m2以上1.2g/m2以下であるのが更により好ましい。 Also, preferably the amount deposited per unit area of the surface treated layer is 0.1 g / m 2 or more 5 g / m 2 or less. With such a configuration, the generation of powder on the surface of the copper foil with a carrier on the very thin copper layer side is better suppressed. The adhesion amount per unit area of the surface treatment layer is more preferably 0.8 g / m 2 or more and 1.5 g / m 2 or less, and preferably 0.9 g / m 2 or more and 1.4 g / m 2 or less It is further more preferable, and it is still more preferable that it is 1 g / m 2 or more and 1.2 g / m 2 or less.

粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。また、粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステン及び砒素からなる群から選択された1種以上を含む硫酸・硫酸銅電解浴を用いて形成してもよい。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、キャリアまたは極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。なお、これらの表面処理はキャリア及び極薄銅層の表面粗さにほとんど影響を与えない。   The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer is a layer made of an alloy containing any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, and the like. It is also good. In addition, after roughening particles are formed of copper or copper alloy, roughening treatment may be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc, an alloy or the like. The roughening treatment layer may be formed using a sulfuric acid / copper sulfate electrolytic bath containing one or more selected from the group consisting of a sulfuric acid alkyl ester salt, tungsten and arsenic. Thereafter, the heat-resistant layer or the rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc singly or as an alloy or the like, and the surface may be further subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. Alternatively, a heat-resistant layer or rustproof layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc singly or as an alloy without roughening, and the surface may be further treated by chromate treatment, silane coupling treatment, etc. Good. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an antirust layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer, a carrier or ultrathin copper At least one layer selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an antirust layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the layer. The above-mentioned heat-resistant layer, rust-preventive layer, chromate-treated layer, and silane coupling-treated layer may each be formed of a plurality of layers (for example, two or more layers, three or more layers, etc.). Note that these surface treatments hardly affect the surface roughness of the carrier and the ultrathin copper layer.

粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理層は、ファインピッチ形成の観点から微細な粒子で構成されるのが好ましい。粗化粒子を形成する際の電気めっき条件について、電流密度を高く、めっき液中の銅濃度を低く、又は、クーロン量を大きくすると粒子が微細化する傾向にある。   The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughened layer is preferably composed of fine particles from the viewpoint of fine pitch formation. With regard to electroplating conditions for forming roughened particles, the particles tend to be finer if the current density is high, the copper concentration in the plating solution is low, or the coulomb amount is large.

キャリアの極薄銅層側とは反対側の表面には、例えば樹脂基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。このような構成によれば、本発明のキャリア付銅箔をキャリア側から樹脂基板に積層する処理を行うとき、キャリアと樹脂基板との密着性が向上し、プリント配線板の製造工程においてキャリアと樹脂基板とが剥離し難くなる。
また、キャリアの極薄銅層側と反対側の表面には、粗化処理層を形成しなくてもよい。キャリアの極薄銅層側と反対側の表面には、粗化処理層を形成しない場合、キャリアと極薄銅層との剥離強度を制御しやすくなるという利点がある。
また、極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。
A roughening treatment layer may be provided on the surface of the carrier opposite to the very thin copper layer side, for example, by performing a roughening treatment to improve the adhesion to the resin substrate. According to such a configuration, when the copper foil with a carrier according to the present invention is laminated on a resin substrate from the carrier side, the adhesion between the carrier and the resin substrate is improved, and the carrier is produced in the process of producing a printed wiring board. It becomes difficult to peel off the resin substrate.
Moreover, it is not necessary to form a roughening process layer in the surface on the opposite side to the very thin copper layer side of a carrier. When the roughened layer is not formed on the surface of the carrier opposite to the very thin copper layer side, there is an advantage that the peel strength between the carrier and the very thin copper layer can be easily controlled.
In addition, a roughening treatment layer may be provided on the surface of the ultrathin copper layer by performing a roughening treatment, for example, to improve the adhesion to the insulating substrate.

なお、本発明において、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の表面処理層を形成する、或いは、粗化処理層が形成されていない「キャリアの極薄銅層と反対側の表面」は、キャリアに関して極薄銅層と反対側に位置している表面であれば、特に限定するものではなく、例えば、当該キャリアそのものの表面であってもよく、キャリアの極薄銅層と反対側に表面処理層が形成されている場合は、当該表面処理層におけるいずれかの層の表面(最表層の表面も含む)であってもよい。   In the present invention, a surface treatment layer such as a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, an anticorrosion layer, a chromate treatment layer, or a silane coupling treatment layer is formed, or no roughening treatment layer is formed. The surface opposite to the ultrathin copper layer is not particularly limited as long as it is the surface opposite to the ultrathin copper layer with respect to the carrier, and may be, for example, the surface of the carrier itself When the surface treatment layer is formed on the side opposite to the ultrathin copper layer of the carrier, it may be the surface (including the surface of the outermost layer) of any layer in the surface treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層側表面の10点平均粗さRzが0.3〜1.5μmであるのが好ましい。また、当該キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の10点平均粗さRzは、0.5〜1.4μmであるのがより好ましい。   The copper foil with a carrier according to the present invention preferably has a ten-point average roughness Rz of 0.3 to 1.5 μm on the surface on the very thin copper layer side. Moreover, it is more preferable that 10-point average roughness Rz of the ultra-thin copper layer side surface of the said copper foil with a carrier is 0.5-1.4 micrometers.

<プリント配線板及び積層体>
キャリア付銅箔を、例えば、極薄銅層側から絶縁樹脂板に貼り付けて熱圧着させ、キャリアを剥がすことで積層体(銅張積層体等)を作製することができる。また、その後、極薄銅層部分をエッチングすることにより、プリント配線板の銅回路を形成することができる。ここで用いる絶縁樹脂板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。このようにして作製したプリント配線板、積層体は、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。
なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を2つ以上接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。
<Printed wiring board and laminate>
A laminated body (copper-clad laminate etc.) can be produced by, for example, sticking a copper foil with a carrier from the ultra-thin copper layer side to an insulating resin board, thermocompression-bonding, and peeling off a carrier. Thereafter, the copper circuit of the printed wiring board can be formed by etching the ultrathin copper layer portion. The insulating resin board used here is not particularly limited as long as it has properties applicable to a printed wiring board, but for example, paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base for rigid PWB Materials such as epoxy resin, glass cloth / paper composite base epoxy resin, glass cloth / glass non-woven composite base epoxy resin, glass cloth base epoxy resin, etc., and using polyester film or polyimide film for FPC it can. The printed wiring board and the laminate produced in this manner can be mounted on various electronic components that require high-density mounting of the mounted components.
In the present invention, a "printed wiring board" includes a printed wiring board on which components are mounted, a printed circuit board and a printed circuit board. In addition, two or more printed wiring boards of the present invention can be connected to produce a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected, and at least one printed wiring board of the present invention and another Two printed wiring boards according to the present invention or printed wiring boards not corresponding to the printed wiring board according to the present invention can be connected, and electronic devices can be manufactured using such printed wiring boards. In the present invention, "copper circuit" includes copper wiring.

また、キャリア付銅箔は、極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備え、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。
In addition, the copper foil with carrier may be provided with a roughening treatment layer on an extremely thin copper layer, and on the roughening treatment layer, a heat-resistant layer, an anticorrosion layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer And one or more layers selected from the group consisting of
In addition, a roughening treatment layer may be provided on the ultrathin copper layer, a heat-resistant layer and an anticorrosion layer may be provided on the roughening treatment layer, and a chromate treatment layer is provided on the heat-resistant layer and the anticorrosion layer. A silane coupling treatment layer may be provided on the chromate treatment layer.
Further, the copper foil with carrier is provided with a resin layer on the ultra-thin copper layer, on the roughening treatment layer, or on the heat-resistant layer, anticorrosive layer, chromate treatment layer, or silane coupling treatment layer. It is good.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive or may be an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. In the semi-cured state (B-stage state), there is no sticky feeling even when the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when heat treatment is further performed. Including.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399号、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. In addition, the resin layer may contain a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton and the like. In addition, the resin layer may be formed of, for example, International Publication Number WO2008 / 004399, International Publication Number WO2008 / 053878, International Publication Number WO2009 / 084533, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-5828, Japanese Patent Application No. 11-140281, Patent No. 3184485, International Publication Nos. WO 97/02728, Patent No. 3676375, JP-A 2000-43188, Patent No. 3612594, JP-A 2002-179772, JP-A 2002-359444, JP-A 2003-304068, JP 3992225, JP-A 2003 No. 249739, Patent No. 4136509, Japanese Patent No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent No. 20 Patent No. 5-53218, Patent No. 3949676, Patent No. 4178415, International Publication No. WO 2004/005588, Japanese Patent Publication No. 2006-257153, Japanese Patent Publication 2007-326923, Japanese Patent Publication 2008-111169, Patent No. 5024930, International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, Japanese Patent Application Publication No. 2009-67029, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, Japanese Patent Application Publication No. 2009-1730017, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Publication No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication No. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeletal material, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.

また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。   The type of the resin layer is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymaleimide compound, maleimide resin, aromatic maleimide resin , Polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyether sulfone (also referred to as polyether sulfone or polyether sulfone), polyether sulfone (also referred to as polyether sulfone or polyether sulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic Polyamide resin polymer, rubber resin, polyamine, aromatic polyamine, polyamide imide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin Fat, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, anhydride of carboxylic acid, anhydride of polyvalent carboxylic acid, linear polymer having crosslinkable functional group, polyphenylene ether resin, 2, 2-bis (4 -Cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compound, manganese naphthenate, 2,2-bis (4-glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane modified polyamideimide resin, cyano ester resin, phosphazene resin, Select from the group of rubber modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, high molecular weight epoxy, aromatic polyamide, fluorocarbon resin, bisphenol, block copolymer polyimide resin and cyano ester resin It can be mentioned resins containing one or more kinds as suitable to be.

また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
The epoxy resin may be used without particular problems as long as it has two or more epoxy groups in the molecule and can be used for electrical and electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin which is epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. In addition, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (brominated) epoxy Resin, phenol novolac epoxy resin, naphthalene epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, ortho cresol novolac epoxy resin, rubber modified bisphenol A epoxy resin, glycidyl amine epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, N, N Glycidyl amine compounds such as -diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl It may be used by mixing one or two or more selected from the group consisting of phenyl novolac epoxy resin, trishydroxyphenylmethane epoxy resin, tetraphenylethane epoxy resin, or a hydrogenated product of the above epoxy resin or Halogenated products can be used.
A phosphorus-containing epoxy resin known as the phosphorus-containing epoxy resin can be used. Also, the phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferred.

(樹脂層が誘電体(誘電体フィラー)を含む場合)
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta29(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler))
The resin layer may contain a dielectric (dielectric filler).
When a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for forming a capacitor layer to increase the electric capacity of the capacitor circuit. As the dielectric (dielectric filler), BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Zr-Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (common name SBT), etc. The dielectric powder of complex oxide having a pebroskite structure is used.

誘電体(誘電体フィラー)は粉状であってもよい。誘電体(誘電体フィラー)が粉状である場合、この誘電体(誘電体フィラー)の粉体特性は、粒径が0.01μm〜3.0μm、好ましくは0.02μm〜2.0μmの範囲のものであることが好ましい。なお、誘電体を走査型電子顕微鏡(SEM)で写真撮影し、当該写真上の誘電体の粒子の上に直線を引いた場合に、誘電体の粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の誘電体の粒子の長さをその誘電体の粒子の径とする。そして、測定視野における誘電体の粒子の径の平均値を、誘電体の粒径とする。   The dielectric (dielectric filler) may be powdery. When the dielectric (dielectric filler) is powdery, the powder properties of the dielectric (dielectric filler) have a particle diameter in the range of 0.01 μm to 3.0 μm, preferably 0.02 μm to 2.0 μm. It is preferable that When the dielectric is photographed with a scanning electron microscope (SEM) and a straight line is drawn on the dielectric particle on the photograph, the length of the straight line across the dielectric particle is the longest. The length of a dielectric particle is taken as the diameter of the dielectric particle. And let the average value of the diameter of the particle | grains of the dielectric in a measurement visual field be the particle size of a dielectric.

前述の樹脂層に含まれる樹脂および/または樹脂組成物および/または化合物を例えばメチルエチルケトン(MEK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液(樹脂ワニス)とし、これを前記キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分3wt%〜70wt%、好ましくは、3wt%〜60wt%、好ましくは10wt%〜40wt%、より好ましくは25wt%〜40wt%の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が50℃〜200℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付表面処理銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。
The resin and / or resin composition and / or compound contained in the aforementioned resin layer may be, for example, methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether The resin solution (resin varnish) is dissolved in a solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc. The carrier-coated copper foil is coated, for example, by a roll coater method on the surface on the very thin copper layer side, and then dried by heating if necessary to remove the solvent and make it into a B-stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C., preferably 130 to 200 ° C. The composition of the resin layer is dissolved using a solvent, and the resin solid content is 3 wt% to 70 wt%, preferably 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt% It may be a resin liquid. In addition, it is most preferable at the present stage from the environmental point of view to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone. In addition, it is preferable to use the solvent whose boiling point is the range of 50 degreeC-200 degreeC for a solvent.
Moreover, it is preferable that the said resin layer is a semi-hardened resin film which has a resin flow in the range of 5%-35% when it measures based on MIL-P-13949G in MIL specification.
In the present specification, resin flow refers to four 10 cm square samples from a resin-coated surface-treated copper foil having a resin thickness of 55 μm in accordance with MIL-P-13949G in the MIL standard. In a state where samples are stacked (laminate), they are bonded under the conditions of press temperature 171 ° C, press pressure 14kgf / cm2 and press time 10 minutes, and the resin outflow weight at that time is measured by the value calculated based on equation 1 from the result of measurement. is there.

前記樹脂層を備えた表面処理銅箔(樹脂付き表面処理銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、表面処理銅箔の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The surface-treated copper foil provided with the resin layer (surface-treated copper foil with resin) is made by laminating the resin layer on a substrate and then thermocompression bonding the whole to thermally cure the resin layer, and then the surface-treated copper foil When the carrier is an ultrathin copper layer of copper foil with carrier, the carrier is peeled off to expose the ultrathin copper layer (naturally, it is the surface on the middle layer side of the ultrathin copper layer) It is used in the aspect of forming a predetermined | prescribed wiring pattern from the surface on the opposite side to the side by which the roughening process of the surface treatment copper foil is carried out.

この樹脂付き表面処理銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層体を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   By using this surface-treated copper foil with resin, it is possible to reduce the number of used prepreg materials at the time of manufacturing a multilayer printed wiring board. In addition, the thickness of the resin layer can be made such that interlayer insulation can be secured, or a copper-clad laminate can be produced even when no prepreg material is used at all. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the surface smoothness.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは0.1〜500μmであることが好ましく、0.1〜300μmであることがより好ましく、0.1〜200μmであることがより好ましく、0.1〜120μmであることがより好ましい。
In the case where a prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved, and the lamination process is simplified, which is economically advantageous. Furthermore, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 500 μm, more preferably 0.1 to 300 μm, still more preferably 0.1 to 200 μm, and 0.1 to 120 μm. More preferable.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを120μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
なお、樹脂層を有するキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは0.1〜50μmであることが好ましく、0.5μm〜25μmであることが好ましく、1.0μm〜15μmであることがより好ましい。
また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは0.1μm〜120μmであるものが好ましく、5μm〜120μmであるものが好ましく、10μm〜120μmであるものが好ましく、10μm〜60μmのものがより好ましい。そして、硬化樹脂層の厚みは2μm〜30μmであることが好ましく、3μm〜30μmであることが好ましく、5〜20μmであることがより好ましい。また、半硬化樹脂層の厚みは3μm〜55μmであることが好ましく、7μm〜55μmであることが好ましく、15〜115μmであることがより望ましい。総樹脂層厚みが120μmを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、5μm未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが2μm未満であると、銅箔粗化面の表面粗度を考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが20μmを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。
When the thickness of the resin layer is smaller than 0.1 μm, the adhesive force is reduced, and the circuit of the inner layer material when the copper foil with a carrier with a resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material. It may be difficult to secure interlayer insulation between them. On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 120 μm, it may be difficult to form the resin layer of the desired thickness in one application step, which may be economically disadvantageous because extra material costs and man-hours are required.
In addition, when the copper foil with a carrier which has a resin layer is used for manufacturing an ultra-thin multilayer printed wiring board, the thickness of the said resin layer is 0.1 micrometer-5 micrometers, More preferably, 0.5 micrometer-5 micrometers, More preferably, the thickness is 1 μm to 5 μm to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board.
When the resin layer contains a dielectric, the thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 50 μm, more preferably 0.5 μm to 25 μm, and more preferably 1.0 μm to 15 μm. preferable.
The total resin layer thickness of the cured resin layer and the semi-cured resin layer is preferably 0.1 μm to 120 μm, preferably 5 μm to 120 μm, and preferably 10 μm to 120 μm, and 10 μm to 60 μm. Is more preferable. The thickness of the cured resin layer is preferably 2 μm to 30 μm, preferably 3 μm to 30 μm, and more preferably 5 to 20 μm. The thickness of the semi-cured resin layer is preferably 3 μm to 55 μm, preferably 7 μm to 55 μm, and more preferably 15 to 115 μm. If the total resin layer thickness exceeds 120 μm, it may be difficult to produce a thin multilayer printed wiring board, and if it is less than 5 μm, it becomes easy to form a thin multilayer printed wiring board, but the insulating layer between the inner layer circuits This is because the resin layer may be too thin, which may make the insulation between the circuits in the inner layer unstable. When the thickness of the cured resin layer is less than 2 μm, it may be necessary to consider the surface roughness of the copper foil roughened surface. On the other hand, when the thickness of the cured resin layer exceeds 20 μm, the effect of the cured resin layer may not be particularly improved, and the total insulating layer thickness becomes large.

なお、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μmとする場合には、樹脂層とキャリア付銅箔との密着性を向上させるため、極薄銅層の上に耐熱層および/または防錆層および/またはクロメート処理層および/またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
In addition, when the thickness of the said resin layer shall be 0.1 micrometer-5 micrometers, in order to improve the adhesiveness of a resin layer and copper foil with a carrier, a heat-resistant layer and / or an anticorrosion layer on an ultra-thin copper layer After providing the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer, it is preferable to form a resin layer on the heat-resistant layer, the rustproof layer, or the chromate treatment layer or the silane coupling treatment layer.
In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in ten arbitrary points.

更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。   Furthermore, as another product form of the carrier-coated copper foil with resin, it is possible to form the above-mentioned ultra-thin copper layer, or the above-mentioned heat-resistant layer, anticorrosive layer, or the above chromate treated layer, or the above silane coupling treated layer After coating with a resin layer and bringing it into a semi-cured state, it is also possible to peel off the carrier and produce it in the form of a resin-coated copper foil without a carrier.

更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。   Furthermore, as another product form of the carrier-coated copper foil with resin, it is possible to form the above-mentioned ultra-thin copper layer, or the above-mentioned heat-resistant layer, anticorrosive layer, or the above chromate treated layer, or the above silane coupling treated layer After coating with a resin layer and bringing it into a semi-cured state, it is also possible to peel off the carrier and produce it in the form of a resin-coated copper foil without a carrier.

<プリント配線板の製造方法>
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
<Method of manufacturing printed wiring board>
In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and the insulating substrate, the carrier After laminating the attached copper foil and the insulating substrate so that the very thin copper layer side faces the insulating substrate, the carrier of the copper foil with carrier is peeled off to form a copper-clad laminate, and then a semi-additive method, Forming a circuit by any one of a modified semi-additive method, a partly additive method and a subtractive method. The insulating substrate may be one including an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method refers to a method of performing thin electroless plating on an insulating substrate or a copper foil seed layer, forming a pattern, and then forming a conductor pattern using electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the very thin copper layer by etching;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on a region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, in the modified semi-additive method, a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, copper plating of the circuit forming portion is performed by electrolytic plating, and then the resist is removed. And a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit formation portion by (flash) etching.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultrathin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, in the partly additive method, a catalyst core is provided on a substrate provided with a conductor layer, and a substrate provided with holes for through holes and via holes as necessary, and a conductor circuit is formed by etching. And a method of manufacturing a printed wiring board by providing a solder resist or a plating resist as necessary, and thickening the through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the partory additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Applying catalytic nuclei to the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma,
Removing the etching resist;
Providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided;
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層体上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method of selectively removing an unnecessary portion of the copper foil on the copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer, the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer where the mask is not formed;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid;
Removing the etching resist;
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The step of providing through holes or / and blind vias and the subsequent desmear step may not be performed.

ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
Here, a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, as shown to FIG. 1-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer by which the roughening process layer was formed in the surface is prepared.
Next, as shown to FIG. 1-B, a resist is apply | coated on the roughening process layer of an ultra-thin copper layer, exposure and image development are performed, and a resist is etched in a defined shape.
Next, as shown in FIG. 1C, plating for a circuit is formed, and then the resist is removed to form a circuit plating of a predetermined shape.
Next, as shown in Fig. 2-D, the embedded resin is provided on the ultrathin copper layer to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and the resin layer is laminated, and then another carrier is attached. Bond the copper foil (second layer) from the very thin copper layer side.
Next, as shown in FIG. 2E, the carrier is peeled off from the second layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 2F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating to form a blind via.
Next, as shown in FIG. 3G, copper is buried in the blind vias to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 3-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIG. 1-B and FIG. 1-C.
Next, as shown in FIG. 3I, the carrier is peeled off from the first layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 4J, the ultrathin copper layer on both surfaces is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 4K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention is produced.

上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図3−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。   The other copper foil with carrier (second layer) may use the copper foil with carrier of the present invention, may use a conventional copper foil with carrier, and may further use a normal copper foil. Further, one or more layers of circuits may be further formed on the circuit of the second layer shown in FIG. 3H, and the circuit formation thereof may be carried out by the semi-additive method, the subtractive method, the partory additive method or the modified semi It may be carried out by any of the additive methods.

また、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで1層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。   Further, the copper foil with carrier used in the first layer may have a substrate on the carrier side surface of the copper foil with carrier. By having the said board | substrate or a resin layer, since the copper foil with a carrier used for 1st layer is supported and it becomes difficult to get wrinkled, there exists an advantage that productivity improves. As the substrate, any substrate can be used as long as it supports the copper foil with carrier used in the first layer. For example, the carrier described in the present specification as the substrate, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, a foil of an inorganic compound, a plate of an organic compound, an organic compound Foil can be used.

キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the timing which forms a board | substrate in the carrier side surface, It is necessary to form before peeling a carrier. In particular, it is preferable to form it before the step of forming a resin layer on the surface of the copper foil with a carrier on the ultra thin copper layer side, and in the step of forming a circuit on the surface of the copper foil with a carrier on the ultra thin copper layer side. It is more preferable to form before.

本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の色差が以下(1)を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄銅層表面の色差」とは、極薄銅層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が以下(1)を満たすように制御されていることが好ましい。
(1)極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abが45以上である。
It is preferable that the copper foil with a carrier which concerns on this invention is controlled so that the color difference of the ultra-thin copper layer surface may satisfy following (1). In the present invention, the "color difference on the surface of the very thin copper layer" refers to the color difference on the surface of the very thin copper layer, or the color difference on the surface of the surface treatment layer when various surface treatments such as roughening treatment are applied. . That is, in the copper foil with carrier according to the present invention, the color difference of the surface of the ultrathin copper layer or roughened layer, heat resistant layer, rustproof layer, chromate treated layer or silane coupling layer satisfies the following (1) It is preferable that it is controlled.
(1) The color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the surface of the ultrathin copper layer or roughened layer, heat resistant layer, rustproof layer, chromate layer or silane coupling layer is 45 or more.

ここで、色差ΔL、Δa、Δbは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、JIS Z8730に基づくL*a*b表色系を用いて示される総合指標であり、ΔL:白黒、Δa:赤緑、Δb:黄青として表される。また、ΔE*abはこれらの色差を用いて下記式で表される。   Here, the color differences ΔL, Δa, Δb are each measured with a color difference meter, are added black / white / red / green / yellow / blue, and are shown using the L * a * b color system based on JIS Z8730. It is a comprehensive index, and is expressed as ΔL: black and white, Δa: red-green, Δb: yellow-blue. Further, ΔE * ab is expressed by the following equation using these color differences.

上述の色差は、極薄銅層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電界液を用いて、従来よりも電流密度を高く(例えば40〜60A/dm2)し、処理時間を短く(例えば0.1〜1.3秒)することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Niの濃度をその他の元素の2倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にNi合金メッキ(例えばNi−W合金メッキ、Ni−Co−P合金メッキ、Ni−Zn合金めっき)を従来よりも低電流密度(0.1〜1.3A/dm2)で処理時間を長く(20秒〜40秒)設定して処理することで達成できる。
The above color difference can be adjusted by increasing the current density when forming the ultrathin copper layer, decreasing the copper concentration in the plating solution, and increasing the linear flow velocity of the plating solution.
The color difference described above can also be adjusted by roughening the surface of the very thin copper layer and providing a roughened layer. In the case of providing the roughened layer, the current density is made higher (for example, 40 to 60 A) by using an electrolytic solution containing one or more elements selected from the group consisting of copper and nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum. / Dm < 2 > and it can adjust by shortening processing time (for example, 0.1-1.3 second). When a roughening treatment layer is not provided on the surface of the ultrathin copper layer, a plating bath in which the concentration of Ni is twice or more that of other elements is used to form an ultrathin copper layer or heat resistant layer or a rustproof layer or chromate Ni alloy plating (for example, Ni-W alloy plating, Ni-Co-P alloy plating, Ni-Zn alloy plating) on the surface of the treated layer or silane coupling treated layer has a lower current density (0.1 to 1. This can be achieved by setting the processing time to be longer (20 seconds to 40 seconds) at 3 A / dm 2 ).

極薄銅層表面のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abが45以上であると、例えば、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に回路を形成する際に、極薄銅層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄銅層表面のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abは、好ましくは50以上であり、より好ましくは55以上であり、更により好ましくは60以上である。   The contrast between the ultrathin copper layer and the circuit when forming the circuit on the ultrathin copper layer surface of the copper foil with carrier, for example, when the color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 of the ultrathin copper layer surface is 45 or more As a result, visibility is improved and circuit alignment can be performed with high accuracy. The color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the surface of the ultrathin copper layer is preferably 50 or more, more preferably 55 or more, and still more preferably 60 or more.

極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の例えば図2−Cに示すような製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図4−Jに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図4−J及び図4−Kに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。   When the color difference on the surface of the ultrathin copper layer or roughened layer, heat resistant layer, rustproof layer, chromate layer or silane coupling layer is controlled as described above, the contrast with the circuit plating becomes sharp. , The visibility becomes good. Therefore, in the manufacturing process of the printed wiring board as described above, for example, as shown in FIG. 2C, it is possible to form the circuit plating at a predetermined position with high accuracy. Further, according to the method for manufacturing a printed wiring board as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, removal of the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. 4-J, for example In this case, the circuit plating is protected by the resin layer and its shape is maintained, thereby facilitating the formation of the fine circuit. In addition, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved and the conduction of the wiring of the circuit is well suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. In addition, as shown in Fig. 4-J and Fig. 4-K, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating has a concaved shape from the resin layer, so bumps are formed on the circuit plating. Further, copper pillars can be easily formed thereon, and the manufacturing efficiency is improved.

なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。   In addition, well-known resin and a prepreg can be used for embedding resin (resin). For example, a prepreg which is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. In addition, the resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in the present specification can be used as the embedding resin (resin).

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法(コアレス工法)であってもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側から積層してもよい。この場合、樹脂基板を中心として当該樹脂基板の両表面側に、キャリア/中間層/極薄銅層の順あるいは極薄銅層/中間層/キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成となっている。両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層を設けた後、当該銅層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を1回以上設けてもよい(ビルドアップ工法)。そして、このようにして形成した積層体について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。   Further, in the method for producing a printed wiring board of the present invention, a step of laminating the resin substrate and the surface on the very thin copper layer side or the carrier side of the copper foil with carrier of the present invention, ultrathin laminated with the resin substrate The process of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of copper foil with a carrier on the opposite side to the copper layer side surface or the said carrier side surface, and forming two layers of the said resin layer and a circuit It may be the manufacturing method (coreless construction method) of a printed wired board including the process of making the above-mentioned career or the ultra-thin copper layer exfoliate from the above-mentioned copper foil with a carrier after carrying out. About the said coreless construction method, first, the ultra-thin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention is laminated on a resin substrate. Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the very thin copper layer side laminated on the resin substrate or the surface of the copper foil with carrier opposite to the surface on the carrier side. Another copper foil with a carrier may be laminated from the carrier side to the resin layer formed on the carrier side surface. In this case, a carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer or a copper foil with carrier is laminated in the order of carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer or in the order of ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier on both surface sides of the resin substrate centering on the resin substrate It has become. Another resin layer may be provided on the exposed surfaces of the ultrathin copper layers or carriers at both ends, and a copper layer may be provided, and then the copper layer may be processed to form a circuit. Furthermore, another resin layer may be provided on the circuit so as to embed the circuit. Moreover, you may provide formation of such a circuit and a resin layer once or more (build-up method). And about the laminated body formed in this way, the ultra-thin copper layer or carrier of each copper foil with a carrier can be peeled from a carrier or an ultra-thin copper layer, and a coreless board | substrate can be produced.

なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層への薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂を使用することができる。なお、キャリアと極薄銅層とを分離する際には、キャリア付銅箔の端面の樹脂で覆われた部分は、切断等により除去する必要がある。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔の積層部分の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔を平面視したときに、キャリア付銅箔の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔(極薄銅層)を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔の積層部分を切断等により除去する必要がある。   In the method of manufacturing a coreless substrate described above, when a printed wiring board is manufactured by a build-up method, soaking of the chemical solution into the intermediate layer is performed by covering a part or all of the end face of the copper foil with carrier with resin. It is possible to prevent the separation of the very thin copper layer and the carrier due to the infiltration of the chemical solution, and the yield can be improved. As "resin which covers a part or all of the end face of copper foil with a carrier" used here, resin which can be used for a resin layer can be used. In order to separate the carrier and the ultrathin copper layer, it is necessary to cut off the portion of the end face of the copper foil with carrier covered with the resin. Further, in the method of manufacturing a coreless substrate described above, at least a part of the outer periphery of the laminated portion of the copper foil with carrier may be covered with a resin or a prepreg when viewed in plan in the copper foil with carrier. Moreover, the laminated body formed with the manufacturing method of the above-mentioned coreless board | substrate may make a pair of copper foil with a carrier contact mutually separably. Moreover, when it planarly views in the said copper foil with a carrier, it may be covered with resin or a prepreg over the whole outer periphery of the lamination | stacking part of copper foil with a carrier. With such a configuration, when the copper foil with carrier is viewed in plan, the laminated portion of the copper foil with carrier is covered with the resin or the prepreg, and the other members are in the lateral direction of this portion, that is, with respect to the laminating direction. As a result, it is possible to prevent contact from the direction from the side, and as a result, it is possible to reduce peeling of the copper foils with carrier during handling. In addition, by covering the outer periphery of the laminated portion of the carrier-attached copper foil with the resin or the prepreg so as not to expose, it is possible to prevent the chemical solution from entering the interface in the chemical treatment process as described above. It can prevent corrosion and erosion. When one copper foil with carrier is separated from a pair of copper foil with carrier, or when the copper foil of carrier with copper foil and the copper foil (very thin copper layer) are separated, they are covered with resin or prepreg. It is necessary to remove the laminated portion of the copper foil with carrier by cutting or the like.

以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be described in more detail by the following examples of the present invention, but the present invention is not limited by these examples.

1.キャリア付銅箔の製造
実施例1〜7及び比較例1〜4として、厚み18μmの電解銅箔(JX日鉱日石金属株式会社製 JTC箔、実施例5以外の実施例、比較例)または圧延銅箔(タフピッチ銅箔 JIS H3100 合金番号:C1100、実施例5のみ)をキャリアとし、当該キャリア上(電解銅箔を用いた場合には、光沢面に中間層を形成した。)に中間層及び極薄銅層をこの順で形成し、厚み0.6〜5μmのキャリア付銅箔を得た。
1. Production of Carrier Attached Copper Foil As Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm (JTC foil manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Examples other than Example 5, Comparative Examples) or rolled A copper foil (tough pitch copper foil JIS H3100 alloy number: C1100, only in Example 5) is used as a carrier, and an intermediate layer and an intermediate layer are formed on the carrier (in the case of using an electrodeposited copper foil, a glossy surface is formed). An ultrathin copper layer was formed in this order to obtain a copper foil with a carrier having a thickness of 0.6 to 5 μm.

・中間層形成
表の「中間層」欄に記載のように、キャリアに中間層を形成した。当該処理条件を以下に示す。なお、例えば「Ni/有機物」は、ニッケルめっき処理を行った後に、有機物処理を行ったことを意味する。
(1)「Ni」:Ni処理
上記電解銅箔の光沢面(シャイニー面)または圧延銅箔に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより8000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。
液組成:硫酸ニッケル濃度200〜300g/L、クエン酸三ナトリウム濃度2〜10g/L
pH:2〜4
液温:40〜70℃
電流密度:1〜15A/dm2
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
-Intermediate layer formation The intermediate layer was formed in the carrier as described in the "intermediate layer" column of the table. The processing conditions are shown below. For example, “Ni / organic matter” means that the organic matter treatment is performed after the nickel plating treatment.
(1) "Ni": Ni treatment The shiny side (shiny side) of the above-mentioned electrodeposited copper foil or rolled copper foil is electroplated in a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions: 8000 μg / A deposited amount of dm 2 Ni layer was formed.
Liquid composition: Nickel sulfate concentration 200 to 300 g / L, trisodium citrate concentration 2 to 10 g / L
pH: 2 to 4
Liquid temperature: 40 to 70 ° C
Current density: 1 to 15 A / dm 2
The remainder of the treatment liquid used for electrolysis, surface treatment, plating or the like used in the present invention is water unless otherwise specified.

(2)「クロメート」:電解クロメート処理
10μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
液組成:重クロム酸カリウム濃度1〜10g/L、亜鉛濃度0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜3.0A/dm2
(2) "Chromate": Electrolytic chromate treatment A Cr layer with a loading amount of 10 μg / dm 2 was deposited by electrolytic chromate treatment under the following conditions.
Liquid composition: potassium dichromate concentration 1 to 10 g / L, zinc concentration 0 to 5 g / L
pH: 3 to 4
Liquid temperature: 50 to 60 ° C
Current density: 0.1 to 3.0 A / dm 2

・「有機物」:有機物層形成処理
濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより行った。
上述の方法で有機物層の厚みを測定した結果、有機物層の厚みは13nmであった。
-"Organic substance": Organic layer formation process It carried out by showering and spraying aqueous solution of 40 degreeC of liquid temperature and pH 5 containing a density | concentration of 1-30 g / L for 20 to 120 seconds.
The thickness of the organic layer was 13 nm as a result of measuring the thickness of the organic layer by the method described above.

・「Ni−Mo」:ニッケルモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
Ni付着量:3250μg/dm2
Mo付着量:420μg/dm2
・ "Ni-Mo": Nickel-molybdenum alloy plating (Liquid composition) Nitric sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds Ni adhesion amount: 3250 μg / dm 2
Mo adhesion amount: 420 μg / dm 2

・「Cr」:クロムめっき
(液組成)CrO3:200〜400g/L、H2SO4:1.5〜4g/L
(pH)1〜4
(液温)45〜60℃
(電流密度)10〜40A/dm2
(通電時間)1〜20秒
Cr付着量:350μg/dm2
・ "Cr": Chromium plating (Liquid composition) CrO 3 : 200 to 400 g / L, H 2 SO 4 : 1.5 to 4 g / L
(PH) 1 to 4
(Liquid temperature) 45-60 ° C
(Current density) 10 to 40 A / dm 2
(Energization time) 1 to 20 seconds Cr adhesion amount: 350 μg / dm 2

・「Co−Mo」:コバルトモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30〜80℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
Co付着量:420μg/dm2
Mo付着量:560μg/dm2
・ "Co-Mo": Cobalt-Molybdenum alloy plating (Liquid composition) Sulfuric acid Co: 50 g / dm 3 , Sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , Sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30-80 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds Co adhesion amount: 420 μg / dm 2
Mo adhesion amount: 560 μg / dm 2

・極薄銅層形成
引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に厚み0.6〜5μmの極薄銅層を、以下に示す条件で電気めっきすることにより形成して、キャリア付銅箔を製造した。
液組成:銅濃度30〜120g/L、硫酸濃度20〜120g/L、Cl-:20〜50質量ppm、ポリエチレングリコール:10〜100質量ppm、ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド:10〜30質量ppm、チオ尿素:10〜50質量ppm
液温:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
Ultra-thin copper layer formation Subsequently, on a roll-to-roll continuous plating line, an ultra-thin copper layer with a thickness of 0.6 to 5 μm is formed on the intermediate layer by electroplating under the conditions shown below. To produce a copper foil with a carrier.
Liquid composition: Copper concentration 30 to 120 g / L, sulfuric acid concentration 20 to 120 g / L, Cl : 20 to 50 mass ppm, polyethylene glycol: 10 to 100 mass ppm, bis (3 sulfopropyl) disulfide: 10 to 30 mass ppm , Thiourea: 10 to 50 mass ppm
Liquid temperature: 20 to 80 ° C
Current density: 10 to 100 A / dm 2

次に、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に、表に記載の粗化処理(1)〜(3)のいずれか単独、または(1)と(3)、(2)と(3)をこの順に連続して行い、さらに耐熱処理、防錆処理、シランカップリング剤塗布の各表面処理を施した。なお、比較例3は、粗化処理を行わなかった。各処理条件を以下に示す。   Next, any one of the roughening treatments (1) to (3) described in the table, or (1) and (3), (2) and (3), on the surface of the copper foil with carrier on the ultrathin copper layer side ) Were successively performed in this order, and further, each surface treatment of heat resistance treatment, rust prevention treatment, and silane coupling agent application was applied. In Comparative Example 3, no roughening treatment was performed. Each processing condition is shown below.

〔粗化処理〕
・粗化処理(1)(実施例1、7、比較例1):
電解液組成:Cu25〜40g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)、硫酸80〜120g/L
液温:20〜40℃
電流密度:80〜120A/dm2
通電時間:0.5〜1.5秒
上記粗化処理(1)を施したキャリア付銅箔のキャリア側表面又は極薄銅層側表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
液組成:銅濃度20〜40g/L、硫酸濃度80〜120g/L
液温:20〜40℃
電流密度:1〜15A/dm2
通電時間:1〜3秒
[Roughening treatment]
Roughening treatment (1) (Examples 1 and 7 and Comparative Example 1):
Electrolyte composition: Cu 25-40 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same applies hereinafter), sulfuric acid 80-120 g / L
Liquid temperature: 20 to 40 ° C
Current density: 80 to 120 A / dm 2
Energization time: 0.5 to 1.5 seconds For the carrier side surface of the copper foil with a carrier subjected to the above roughening treatment (1) or the very thin copper layer side surface, for prevention of falling off of roughened particles and improvement of peel strength The plating was performed in a copper electrolytic bath consisting of sulfuric acid and copper sulfate. Cover plating conditions are described below.
Liquid composition: Copper concentration 20 to 40 g / L, sulfuric acid concentration 80 to 120 g / L
Liquid temperature: 20 to 40 ° C
Current density: 1 to 15 A / dm 2
Energization time: 1 to 3 seconds

・粗化処理(2)(実施例5、6、比較例2):
液組成:銅濃度10〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)、硫酸濃度80〜120g/L
液温:15〜30℃
電流密度:60〜100A/dm2
通電時間:1.0〜1.5秒
Roughening treatment (2) (Examples 5 and 6, Comparative Example 2):
Liquid composition: Copper concentration 10 to 30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same shall apply hereinafter), sulfuric acid concentration 80 to 120 g / L
Liquid temperature: 15 to 30 ° C
Current density: 60 to 100 A / dm 2
Energization time: 1.0 to 1.5 seconds

上記粗化処理(2)を施したキャリア付銅箔のキャリア側表面又は極薄銅層側表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
液組成:銅濃度20〜40g/L、硫酸濃度80〜120g/L
液温:40〜50℃
電流密度:5〜20A/dm2
通電時間:1〜6秒
A copper electrolytic bath consisting of sulfuric acid and copper sulfate on the carrier side surface of the copper foil with a carrier that has been subjected to the above roughening treatment (2) or on the very thin copper layer side surface in order to prevent the falling off of roughened particles and improve the peel strength. Cover plating was done. Cover plating conditions are described below.
Liquid composition: Copper concentration 20 to 40 g / L, sulfuric acid concentration 80 to 120 g / L
Liquid temperature: 40 to 50 ° C
Current density: 5 to 20 A / dm 2
Energization time: 1 to 6 seconds

・粗化処理(3)(実施例1〜5、比較例1、4):
液組成:銅濃度10〜20g/L、コバルト濃度1〜10g/L、ニッケル濃度1〜10g/L
pH:1〜4
液温:30〜50℃
電流密度:30〜70A/dm2
通電時間:0.1〜1.0秒
Roughening treatment (3) (Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 and 4):
Liquid composition: Copper concentration 10 to 20 g / L, cobalt concentration 1 to 10 g / L, nickel concentration 1 to 10 g / L
pH: 1 to 4
Liquid temperature: 30 to 50 ° C
Current density: 30 to 70 A / dm 2
Energization time: 0.1 to 1.0 seconds

なお、粗化処理(1)、(2)および(3)の電流密度が高いと異常析出の頻度がまし、1μm以上の粒子の個数が多くなる。これは、後述の実施例1と比較例1、実施例6と比較例2を対比することでもわかる。
また、粗化処理(3)においても、通電を複数回に分け、電流密度を低めに設定するのが良い。電流密度が70A/dm2を超えると局所的な電流集中が生じて直径1μmを超える粗化粒子密度が急激に増加し始めるとともに、その他大多数の直径1μm以下の粗化粒子直径が小さくなりすぎて極薄銅層との密着性が損なわれて脱落しやすくなる。その場合、絶縁樹脂との間の密着性(ピール強度)も低下する。これは、実施例2〜4と比較例4を対比することでもわかる。
また、粗化処理(1)、(2)における被せめっきの通電量(電流密度と通電時間の積)は、粗化処理の通電量に対して50〜90%とするのが粗化粒子脱落を防止するうえで好ましい。
In addition, when the current density of roughening treatment (1), (2) and (3) is high, the frequency of abnormal deposition is improved, and the number of particles of 1 μm or more increases. This can also be understood by comparing Example 1 with Comparative Example 1 and Example 6 with Comparative Example 2 described later.
Also in the roughening treatment (3), it is preferable to divide the energization into a plurality of times to set the current density lower. When the current density exceeds 70 A / dm 2 , local current concentration occurs, and the coarsened particle density exceeding 1 μm in diameter starts to increase rapidly, and the other large number of coarsened particles smaller than 1 μm in diameter become too small. The adhesion with the ultrathin copper layer is impaired, and it becomes easy to drop off. In that case, the adhesion (peel strength) with the insulating resin also decreases. This can also be understood by comparing Examples 2 to 4 and Comparative Example 4.
In addition, the amount of current flow (the product of current density and current flow time) of plating in roughening treatment (1) and (2) is 50 to 90% of the current amount of roughening treatment. To prevent the

上記条件で粗化処理を施したキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に、Co−Ni合金めっきとZn−Ni合金めっきを行い耐熱層を形成した。メッキ条件を以下に記す。
液組成:コバルト濃度1〜30g/L、ニッケル濃度1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
液温:30〜80℃
電流密度1〜10A/dm2
通電時間:1〜10秒
Co-Ni alloy plating and Zn-Ni alloy plating were performed on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier roughened under the above conditions to form a heat-resistant layer. The plating conditions are described below.
Liquid composition: Cobalt concentration 1 to 30 g / L, Nickel concentration 1 to 30 g / L
pH: 1.0 to 3.5
Liquid temperature: 30 to 80 ° C
Current density 1 to 10 A / dm 2
Energization time: 1 to 10 seconds

〔耐熱処理〕
・耐熱層(亜鉛・ニッケルメッキ)形成処理:
液組成:ニッケル濃度10〜30g/L、亜鉛濃度1〜15g/L
液温:30〜50℃
電流密度1〜10A/dm2
通電時間:1〜10秒
[Heat resistant treatment]
Heat-resistant layer (zinc, nickel plating) formation processing:
Liquid composition: Nickel concentration 10 to 30 g / L, zinc concentration 1 to 15 g / L
Liquid temperature: 30 to 50 ° C
Current density 1 to 10 A / dm 2
Energization time: 1 to 10 seconds

〔防錆処理〕
・クロメート処理:
液組成:重クロム酸カリウム濃度3〜5g/L、亜鉛濃度0.1〜1g/L
液温:30〜50℃
電流密度0.1〜3.0A/dm2
通電時間:1〜10秒
[Antirust treatment]
・ Chromate treatment:
Liquid composition: Potassium dichromate concentration 3 to 5 g / L, zinc concentration 0.1 to 1 g / L
Liquid temperature: 30 to 50 ° C
Current density 0.1 to 3.0 A / dm 2
Energization time: 1 to 10 seconds

〔シランカップリング処理〕
0.2〜2重量%のアルコキシシランを含有するpH7〜8の溶液を噴霧することで、シランカップリング剤を塗布し処理を実施した。
[Silane coupling treatment]
The silane coupling agent was applied and treated by spraying a solution of pH 7 to 8 containing 0.2 to 2% by weight of alkoxysilane.

2.キャリア付銅箔の評価
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で評価を実施した。
<粗化粒子の個数>
粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲における個数、及び、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子の10μm四方の範囲における個数を以下の方法で測定した。10000倍で撮影したSEM写真を用いて、粒子の大きさと個数をカウントした。粒子の大きさの測定方法はメールで別途お送りしております。横12.7μm縦10.2μmのSEM写真を1視野測定した。当該粗化粒子の直径は、粗化処理粒子を取り囲む円の最小直径とした。また、積み重なっている粗化処理粒子は1個の粗化処理粒子として判定し、積み重なった粗化処理粒子全体を取り囲む最小円の直径を当該積み重なった粗化処理粒子の直径とした。
2. Evaluation of Copper Foil with Carrier The copper foil with carrier obtained as described above was evaluated by the following method.
<Number of roughened particles>
Among coarsening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter exceeding 1 μm in the range of 10 μm square and the number in the range of 10 μm square of the roughening particles having a diameter of 0.1 μm or more and 1 μm or less It measured by the method of. The size and number of particles were counted using a SEM photograph taken at 10000 ×. The measurement method of the particle size is separately sent by e-mail. An SEM photograph of 12.7 μm in width and 10.2 μm in height was measured in one field. The diameter of the roughened particles was the smallest diameter of the circle surrounding the roughened particles. The stacked roughened particles were determined as one roughened particle, and the diameter of the smallest circle surrounding the entire stacked roughened particles was taken as the diameter of the stacked roughened particles.

<表面処理層の単位面積あたりの付着量>
表面処理層の単位面積あたりの付着量を以下の方法で測定した。
10cm角の粗化処理前のキャリア付銅箔の重量(1)、及び、10cm角の粗化処理後のキャリア付銅箔の重量(2)をそれぞれ測定し、重量(1)−重量(2)の式にて当該付着量を算出した。
<Attachment amount per unit area of surface treatment layer>
The adhesion amount per unit area of the surface treatment layer was measured by the following method.
The weight (1) of the copper foil with carrier before roughening treatment of 10 cm square and the weight (2) of the copper foil with carrier after roughening treatment of 10 cm square are respectively measured, weight (1)-weight (2) The said adhesion amount was computed by the formula of.

なお、表面処理層の単位面積あたりの付着量は、下記のようにしても測定することが可能である。
<極薄銅層の厚み>
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層の厚みは、FIB−SIMを用いて観察する(倍率:10000〜30000倍)。極薄銅層の断面を観察することで30μm間隔で5箇所測定し、平均値を求める。
<極薄銅層の重量Bの算出>
極薄銅層の重量Bを、以下の式で算出する。
極薄銅層の重量B(g/cm2)=極薄銅層の厚み(μm)×単位面積(100cm2/cm2)×銅の密度(8.94g/cm3)×10-4(cm/μm)
<表面処理層の付着量の算出>
表面処理層の付着量(g/m2)=((「極薄銅層+表面処理層」の重量A(10cm角のサンプルで測定)(g/cm2))−極薄銅層の重量B(g/cm2))×104cm2/m2
<「極薄銅層+粗化処理層」の重量Aの測定>
作製したキャリア付銅箔の「極薄銅層+粗化処理層」の重量Aは下記により測定する。
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、粗化処理層付の極薄銅層を引き剥がし、得られたキャリアの重量を測定し、前者と後者との差を「極薄銅層+粗化処理層」の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた10cm角シートとする。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製HF−400を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製HAP−12を用いる。
The adhesion amount per unit area of the surface treatment layer can also be measured as follows.
<Thickness of ultra-thin copper layer>
The thickness of the ultra-thin copper layer of the produced copper foil with a carrier is observed using FIB-SIM (magnification: 10000-30000 times). Five sections are measured at intervals of 30 μm by observing the cross section of the ultrathin copper layer, and the average value is determined.
<Calculation of Weight B of Ultrathin Copper Layer>
The weight B of the ultrathin copper layer is calculated by the following equation.
Weight of ultra-thin copper layer B (g / cm 2 ) = Thickness of ultra-thin copper layer (μm) × unit area (100 cm 2 / cm 2 ) × density of copper (8.94 g / cm 3 ) × 10 −4 cm / μm)
<Calculation of adhesion amount of surface treatment layer>
Adhesion amount of surface treatment layer (g / m 2 ) = ((weight of “very thin copper layer + surface treatment layer” A (measured with a sample of 10 cm square) (g / cm 2 )) — weight of very thin copper layer B (g / cm 2 )) × 10 4 cm 2 / m 2
<Measurement of Weight A of "Ultrathin Copper Layer + Roughened Layer"
The weight A of the "ultrathin copper layer + roughened layer" of the produced copper foil with carrier is measured by the following method.
First, after measuring the weight of the copper foil with carrier, the ultrathin copper layer with the roughening treatment layer is peeled off, the weight of the obtained carrier is measured, and the difference between the former and the latter is It was defined as the weight of the roughened layer. The ultrathin copper layer piece to be measured is a 10 cm square sheet punched out with a press.
The weight scale uses HF-400 manufactured by A & D Co., Ltd., and the press uses HAP-12 manufactured by Noguchi Press Co., Ltd.

<表面処理後10点平均粗さ>
表面処理後のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面について、株式会社小阪研究所製接触式粗さ計Surfcorder SE−3Cを使用してJIS B0601−1994に準拠して十点平均粗さRzを、TD方向(横方向)について測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.25mm、送り速さ0.1mm/秒の条件で、キャリアの製造装置におけるキャリアの進行方向と垂直な方向(TD、すなわち幅方向)に、測定位置を変えて、それぞれ10回行い、10回の測定値の平均値を十点平均粗さ(Rz)の値とした。
<10-point average roughness after surface treatment>
About the ultrathin copper layer side surface of copper foil with a carrier after surface treatment, using Kosaka Research Institute Ltd. contact-type roughness meter Surfcorder SE-3C according to JIS B0601-1994, ten point average roughness Rz Was measured in the TD direction (lateral direction). Under the conditions of measurement reference length 0.8 mm, evaluation length 4 mm, cutoff value 0.25 mm, feed speed 0.1 mm / sec, the direction (TD, ie width) perpendicular to the traveling direction of the carrier in the carrier manufacturing device The measurement position was changed in the direction, and the measurement was performed ten times, and the average value of ten measurement values was taken as the value of the ten-point average roughness (Rz).

<ピール強度>
実施例、比較例の表面処理後のキャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材(三菱ガス化学(株)製:GHPL−832NX−A)に対して、大気中、30kgf/cm2、220℃で2時間加熱の積層プレスを行って積層した後、キャリア付銅箔からキャリアを剥離した。その後、露出した極薄銅層の中間層側表面に銅めっきを行い、極薄銅層と銅めっき層との合計の厚みが18μmとした。その後、極薄銅層と銅めっき層を樹脂基材からJIS C 6471(1995、なお、銅箔を引き剥がす方法は、8.1 銅箔の引き剥がし強さ 8.1.1試験方法の種類(1)方法A(銅箔を銅箔除去面に対して90°方向に引き剥がす方法)とした。)に準拠して引き剥がし、その際のピール強度を測定した。
<Peel strength>
30 kgf / cm 2 in air with respect to the resin base material (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. product: GHPL-832NX-A) from the copper foil with a carrier after the surface treatment of an Example and a comparative example from the ultra-thin copper layer side After laminating and laminating was performed by heating at 220 ° C. for 2 hours, the carrier was peeled off from the copper foil with carrier. Thereafter, the intermediate layer side surface of the exposed ultrathin copper layer was plated with copper, and the total thickness of the ultrathin copper layer and the copper plating layer was 18 μm. After that, JIS C 6471 (1995, the method of peeling the copper foil from the resin base material by the method of peeling the copper foil from the resin base material in the extremely thin copper layer and the copper plating layer is 8.1. (1) Peeling off was performed according to method A (a method of peeling the copper foil in the direction of 90 ° with respect to the copper foil-removed surface), and the peel strength at that time was measured.

<転写シート汚れ>
キャリア付銅箔の極薄銅層側表面において、以下の方法により転写シート汚れの評価を行った。
・採取面積:面積250000mm2(幅250mm×長さ1000mm)
・使用した採取用クリーニングローラー:Teknek(テクネック・ジャパン・リミテッド)社製 Nanocleenローラー
上記採取用ローラーで極薄銅層側表面をクリーニングした後、当該ローラーから転写シート(転写シート型番:ARBS-1400)に粉を転写させた。続いて、転写シートを光学顕微鏡を用いて500倍で観察して脱落した粗化処理粒子の観察をすることで、転写シートの汚れを評価した。
上記転写シートの汚れについて、以下の基準で評価した。
◎:脱落した粗化粒子が観察されない
〇:脱落した粗化粒子がほとんど観察されない。(直径1μm未満)
×:脱落した粗化粒子(直径1μm以上)が観察された。
試験条件及び結果を表1及び表2に示す。
<Transfer sheet dirt>
On the very thin copper layer side surface of copper foil with a carrier, transfer sheet dirt was evaluated by the following method.
・ Collecting area: Area 250000 mm 2 (width 250 mm × length 1000 mm)
Cleaning roller used for collection: Nanocleen roller manufactured by Teknek (Techneck Japan Ltd.) After cleaning the very thin copper layer side surface with the above collection roller, a transfer sheet (transfer sheet model number: ARBS-1400) from the roller The powder was transferred to Subsequently, the transfer sheet was observed at 500 times using an optical microscope, and the roughened particles that had fallen off were observed to evaluate the stain of the transfer sheet.
The contamination of the transfer sheet was evaluated according to the following criteria.
◎: Drop-off roughened particles are not observed :: Drop-off roughened particles are hardly observed. (Less than 1 μm in diameter)
X: The roughening particle | grains (diameter 1 micrometer or more) which fell off were observed.
Test conditions and results are shown in Table 1 and Table 2.

(評価結果)
実施例1〜7は、いずれも極薄銅層側表面に設けられた粗化粒子層中の粗化粒子の脱落が良好に抑制され、且つ、ピール強度が良好なキャリア付銅箔が得られている。
一方、比較例1〜4は、いずれも極薄銅層側表面に設けられた粗化粒子層中の粗化粒子の脱落が不良であり、或いは、ピール強度が不良であった。
図5に、実施例2の銅箔の粗化処理後の表面SEM観察写真を示す。
図6に、比較例1の銅箔の粗化処理後の表面SEM観察写真を示す。
図7に、比較例1の粘着シート上の脱落粗化粒子のSEM観察写真を示す。
(Evaluation results)
In Examples 1 to 7, in all cases, the falling off of the roughening particles in the roughening particle layer provided on the very thin copper layer side surface is favorably suppressed, and the copper foil with carrier having good peel strength is obtained. ing.
On the other hand, in all of Comparative Examples 1 to 4, the falling off of the roughening particles in the roughening particle layer provided on the very thin copper layer side surface was poor, or the peel strength was poor.
The surface SEM observation photograph after the roughening process of the copper foil of Example 2 is shown in FIG.
The surface SEM observation photograph after the roughening process of the copper foil of the comparative example 1 is shown in FIG.
The SEM observation photograph of the drop-off roughening particle | grains on the adhesive sheet of the comparative example 1 is shown in FIG.

Claims (22)

キャリア、中間層、極薄銅層、及び、粗化処理層を含む表面処理層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に5個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に500個以上3000個以下の密度で存在し、
前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の10点平均粗さRzが0.3〜1.5μmであるキャリア付銅箔。
It is a copper foil with a carrier having a surface treatment layer including a carrier, an intermediate layer, an ultrathin copper layer, and a roughening treatment layer in this order, wherein the diameter of the roughening particles constituting the roughening treatment layer is 1 μm. Roughened particles having a diameter of not less than 5 in a range of 10 μm to 10 μm and having a diameter of 0.1 μm to 1 μm are present at a density of 500 to 3000 in a range of 10 μm .
The carrier attached copper foil in which the 10-point average roughness Rz of the ultrathin copper layer side surface of the carrier attached copper foil is 0.3 to 1.5 μm.
前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に2個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に500個以上3000個以下の密度で存在する請求項1に記載のキャリア付銅箔。   Among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter of more than 1 μm are suppressed to 2 or less in a 10 μm square range, and 10 μm square of roughening particles having a diameter of 0.1 μm or more and 1 μm or less The copper foil with a carrier according to claim 1, wherein the density is in the range of 500 to 3,000. 前記粗化処理層を構成する粗化粒子のうち直径が1μmを超えるものが10μm四方の範囲に2個以下に抑制され、且つ、0.1μm以上1μm以下の直径を有する粗化粒子が10μm四方の範囲に2000個以上3000個以下の密度で存在する請求項2に記載のキャリア付銅箔。   Among the roughening particles constituting the roughening treatment layer, those having a diameter of more than 1 μm are suppressed to 2 or less in a 10 μm square range, and 10 μm square of roughening particles having a diameter of 0.1 μm or more and 1 μm or less The copper foil with a carrier according to claim 2, wherein the density is in the range of 2,000 to 3,000. 前記極薄銅層の厚みが0.1μm以上6μm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness of the ultrathin copper layer is 0.1 μm or more and 6 μm or less. 前記表面処理層の単位面積あたりの付着量が0.1g/m2以上5g/m2以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesion amount per unit area of the surface treatment layer is 0.1 g / m 2 or more and 5 g / m 2 or less. 前記表面処理層の単位面積あたりの付着量が0.8g/m2以上1.5g/m2以下である請求項5に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to claim 5, wherein the adhesion amount per unit area of the surface treatment layer is 0.8 g / m 2 or more and 1.5 g / m 2 or less. 前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に粗化処理層が形成されている請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-6 in which the roughening process layer is formed in the surface on the opposite side to the said ultra-thin copper layer of the said carrier. 前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 Any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, and the roughened layer formed on the surface of the ultra-thin copper layer The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 7 , which is a layer comprising an alloy containing 前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、樹脂層を備える請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 8 , wherein a resin layer is provided on the surface of the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer. 前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The surface of the roughening treatment layer formed on the surface of the ultrathin copper layer has one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an anticorrosion layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. The copper foil with a carrier as described in any one of 1-8 . 前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に設けられた、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項10に記載のキャリア付銅箔。 One or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rustproof layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer provided on the surface of the roughening treatment layer formed on the surface of the ultrathin copper layer The copper foil with a carrier according to claim 10 , wherein a resin layer is provided on the top. 前記表面処理層表面に樹脂層を備える請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 11 , wherein a resin layer is provided on the surface treatment layer surface. 前記樹脂層が接着用樹脂である請求項11及び12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with carrier according to any one of claims 9 , 11 and 12 , wherein the resin layer is a bonding resin. 前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である請求項1113のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 Copper foil with carrier according to any one of the claims 9 resin layer is a semi-cured resin, 11-13. 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する積層体の製造方法 Method for producing a laminate for producing a product Sotai using copper foil with carrier according to any one of claims 1-14. 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。 A laminate comprising a copper foil and resin coated carrier according to any one of claims 1-14, laminate part or all of the end face of the copper foil the carrier is covered with the resin . 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法 Method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with carrier to produce a print wiring board according to any one of claims 1-14. 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
A process of preparing the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 14 and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier.
And then forming a circuit by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi-additive method.
請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Forming a circuit on the ultra-thin copper layer-side surface of the copper foil with carrier according to any one of claims 1-14,
Forming a resin layer on the very thin copper layer side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Separating the carrier after forming a circuit on the resin layer;
A process for producing a printed wiring board including the step of exposing a circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer after peeling off the carrier. Method.
請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of laminating the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 14 onto the resin substrate from the carrier side,
Forming a circuit on the very thin copper layer side surface of the copper foil with carrier;
Forming a resin layer on the very thin copper layer side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Separating the carrier after forming a circuit on the resin layer;
A process for producing a printed wiring board including the step of exposing a circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer after peeling off the carrier. Method.
請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of laminating the resin substrate with the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 14 ,
Providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the very thin copper layer side surface opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier or the carrier side surface;
The manufacturing method of the printed wiring board including the process of making the said carrier or the ultra-thin copper layer peel from the said copper foil with a carrier, after forming two layers of the said resin layer and a circuit.
請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A process of laminating the carrier side surface of the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 14 and a resin substrate,
Providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the very thin copper layer side surface opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier;
The manufacturing method of the printed wiring board including the process of making the said carrier peel from the said copper foil with a carrier, after forming two layers of the said resin layer and a circuit.
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