JP2014224313A - Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board - Google Patents

Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board Download PDF

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敦史 三木
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友太 永浦
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide copper foil for high-frequency circuits which suppresses transmission loss well when used in high-frequency circuit substrates and also suppresses occurrence of powder falling on the surface of the copper foil well.SOLUTION: In copper foil for high-frequency circuits, a primary particle layer of copper is formed on the surface of the copper foil, and a secondary particle layer of a ternary-system alloy consisting of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. The average of heights of irregularities on the roughened surface is 1,500 or greater, observed with a laser microscope.

Description

本発明は、高周波回路用銅箔、高周波回路用銅張積層板、高周波回路用プリント配線板、高周波回路用キャリア付銅箔、電子機器、及びプリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a copper foil for high-frequency circuits, a copper-clad laminate for high-frequency circuits, a printed wiring board for high-frequency circuits, a copper foil with a carrier for high-frequency circuits, an electronic device, and a method for manufacturing a printed wiring board.

プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して優れた高周波対応が求められている。   Printed wiring boards have made great progress over the last half century and are now used in almost all electronic devices. In recent years, with the increasing demand for miniaturization and high performance of electronic devices, high density mounting of mounted components and high frequency of signals have progressed, and excellent high frequency response is required for printed wiring boards.

高周波用基板には、出力信号の品質を確保するため、伝送損失の低減が求められている。伝送損失は、主に、樹脂(基板側)に起因する誘電体損失と、導体(銅箔側)に起因する導体損失からなっている。誘電体損失は、樹脂の誘電率及び誘電正接が小さくなるほど減少する。高周波信号において、導体損失は、周波数が高くなるほど電流は導体の表面しか流れなくなるという表皮効果によって電流が流れる断面積が減少し、抵抗が高くなることが主な原因となっている。   The high frequency board is required to reduce transmission loss in order to ensure the quality of the output signal. The transmission loss mainly consists of a dielectric loss due to the resin (substrate side) and a conductor loss due to the conductor (copper foil side). The dielectric loss decreases as the dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin decrease. In a high-frequency signal, the conductor loss is mainly caused by a decrease in the cross-sectional area through which the current flows due to the skin effect that only the surface of the conductor flows as the frequency increases, and the resistance increases.

高周波用銅箔の伝送損失を低減させることを目的とした技術としては、例えば、特許文献1に、金属箔表面の片面又は両面に、銀又は銀合金属を被覆し、該銀又は銀合金被覆層の上に、銀又は銀合金以外の被覆層が前記銀又は銀合金被覆層の厚さより薄く施されている高周波回路用金属箔が開示されている。そして、これによれば、衛星通信で使用されるような超高周波領域においても表皮効果による損失を小さくした金属箔を提供することができると記載されている。   As a technique aimed at reducing the transmission loss of the high-frequency copper foil, for example, Patent Document 1 covers one or both surfaces of a metal foil surface with silver or a silver alloy metal, and the silver or silver alloy coating. A metal foil for a high-frequency circuit is disclosed in which a coating layer other than silver or a silver alloy is applied on the layer thinner than the thickness of the silver or silver alloy coating layer. And according to this, it is described that it is possible to provide a metal foil in which the loss due to the skin effect is reduced even in an ultra-high frequency region used in satellite communications.

また、特許文献2には、圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))が、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(I0(200))に対し、I(200)/I0(200)>40であり、該圧延面に電解メッキによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)が0.1μm〜1.5μmであって、プリント回路基板用素材であることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔が開示されている。そして、これによれば、1GHzを超える高周波数下での使用が可能なプリント回路板を提供することができると記載されている。   Patent Document 2 discloses that the integrated intensity (I (200)) of (200) plane obtained by X-ray diffraction on the rolled surface after recrystallization annealing of the rolled copper foil is the X-ray diffraction of fine powder copper. Roughening treatment after I (200) / I0 (200)> 40 with respect to the obtained integrated strength (I0 (200)) of (200) plane, and after performing roughening treatment by electrolytic plating on the rolled surface The arithmetic average roughness (hereinafter referred to as Ra) of the surface is 0.02 μm to 0.2 μm, the ten-point average roughness (hereinafter referred to as Rz) is 0.1 μm to 1.5 μm, and for printed circuit boards A roughened rolled copper foil for high-frequency circuits, characterized by being a material, is disclosed. And it is described that according to this, the printed circuit board which can be used under the high frequency exceeding 1 GHz can be provided.

さらに、特許文献3には、銅箔の表面の一部がコブ状突起からなる表面粗度が2μm〜4μmの凹凸面であることを特徴とする電解銅箔が開示されている。そして、これによれば、高周波伝送特性に優れた電解銅箔を提供することができると記載されている。   Further, Patent Document 3 discloses an electrolytic copper foil characterized in that a part of the surface of the copper foil is an uneven surface having a surface roughness of 2 μm to 4 μm made of bump-shaped protrusions. And according to this, it describes that the electrolytic copper foil excellent in the high frequency transmission characteristic can be provided.

特許第4161304号公報Japanese Patent No. 4161304 特許第4704025号公報Japanese Patent No. 4770425 特開2004−244656号公報JP 2004-244656 A

導体(銅箔側)に起因する導体損失は、上述のように表皮効果によって抵抗が大きくなることに起因するが、この抵抗は、銅箔自体の抵抗のみならず、銅箔表面において樹脂基板との接着性を確保するために行われる粗化処理によって形成された表面処理層の抵抗の影響もあること、具体的には、銅箔表面の粗さが導体損失の主たる要因であり、粗さが小さいほど伝送損失が減少することが知られている。   The conductor loss due to the conductor (copper foil side) is caused by the increase in resistance due to the skin effect as described above. This resistance is not only the resistance of the copper foil itself but also the resin substrate on the copper foil surface. There is also the influence of the resistance of the surface treatment layer formed by the roughening process performed to ensure the adhesion of the copper, specifically, the roughness of the copper foil surface is the main factor of the conductor loss, the roughness It is known that the transmission loss decreases as the value decreases.

本発明者は、銅箔表面の粗さと伝送損失との関係についてさらに踏み込んだ検討を行ったところ、必ずしも銅箔表面の粗さが小さいほど伝送損失が減少するとは限らず、特に、銅箔表面の粗さがある程度まで小さくなると、伝送損失の減少と銅箔表面の粗さとの関係に顕著なバラツキが見られ、銅箔表面の粗さの制御のみでは伝送損失を良好に減少させることが困難となることを見出した。   The present inventor conducted further studies on the relationship between the roughness of the copper foil surface and the transmission loss. The smaller the roughness of the copper foil surface, the more the transmission loss does not necessarily decrease. When the roughness of the copper is reduced to a certain extent, there is a marked variation in the relationship between the reduction in transmission loss and the roughness of the copper foil surface, and it is difficult to satisfactorily reduce the transmission loss only by controlling the roughness of the copper foil surface. I found out that

また、銅箔表面の粗化処理としては、コバルト−ニッケル合金メッキ層の形成が知られているが、従来のコバルト−ニッケル合金メッキ層を形成した銅箔は、その表面に形成された銅−コバルト−ニッケル合金メッキからなる粗化粒子の形状が樹枝状であるために、この樹枝の上部又は根元から剥がれ落ち、一般に粉落ち現象と言われる問題を生じた。   Further, as the roughening treatment of the copper foil surface, the formation of a cobalt-nickel alloy plating layer is known, but the conventional copper foil having a cobalt-nickel alloy plating layer formed thereon is a copper- Since the shape of the roughened particles made of cobalt-nickel alloy plating is dendritic, it peels off from the upper part or the root of the dendron, causing a problem generally referred to as a powder-off phenomenon.

この粉落ち現象は厄介な問題であり、銅−コバルト−ニッケル合金メッキの粗化処理層は、耐熱性に優れているという特徴を有しているにもかかわらず、外力により粒子が脱落し易く、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が生ずるという問題を生じた。   This powder-off phenomenon is a troublesome problem. Despite the fact that the roughened layer of copper-cobalt-nickel alloy plating has excellent heat resistance, particles can easily fall off due to external force. The problem was that peeling due to “rubbing” during processing, contamination of the roll with peeling powder, and etching residue due to peeling powder were generated.

そこで、本発明は、高周波回路基板に用いても伝送損失が良好に抑制されると共に、銅箔表面に形成された粗化粒子が当該表面から剥がれ落ちる現象、いわゆる「粉落ち」の発生が良好に抑制された高周波回路用銅箔を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention suppresses transmission loss satisfactorily even when used for a high-frequency circuit board, and causes a phenomenon in which roughened particles formed on the surface of the copper foil peel off from the surface, so-called “powder-off”. An object of the present invention is to provide a copper foil for a high-frequency circuit that is suppressed by the above.

本発明者は、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に所定の粗化粒子層を形成し、且つ、当該粗化粒子層の表面の凹凸の高さの平均値を制御することが、高周波回路基板に用いたときの伝送損失の抑制、及び、銅箔表面における粉落ちの抑制に極めて効果的であることを見出した。   The inventor forms a predetermined roughened particle layer on the surface of the ultrathin copper layer of the carrier-attached copper foil and controls the average value of the unevenness on the surface of the roughened particle layer. The present inventors have found that it is extremely effective in suppressing transmission loss when used for a circuit board and suppressing powder falling on the copper foil surface.

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅箔の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金の二次粒子層を形成した銅箔であって、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500以上である高周波回路用銅箔である。   The present invention has been completed on the basis of the above knowledge. In one aspect, after a primary particle layer of copper is formed on the surface of a copper foil, the primary particle layer is made of copper, cobalt and nickel. A copper foil for forming a secondary particle layer of a ternary alloy, the copper foil for a high frequency circuit having an average height of unevenness of the roughened surface by a laser microscope of 1500 or more.

本発明の高周波回路用銅箔は一実施形態において、前記銅の一次粒子層の平均粒子径が0.25〜0.45μmであり、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径が0.35μm以下である。   In one embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention has an average particle diameter of the copper primary particle layer of 0.25 to 0.45 μm, and a secondary alloy composed of a ternary alloy composed of copper, cobalt, and nickel. The average particle size of the particle layer is 0.35 μm or less.

本発明の高周波回路用銅箔は別の一実施形態において、前記一次粒子層及び二次粒子層が、電気メッキ層である。   In another embodiment of the copper foil for a high frequency circuit of the present invention, the primary particle layer and the secondary particle layer are electroplated layers.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、二次粒子が、前記一次粒子の上に成長した1又は複数個の樹枝状の粒子または前記一次粒子の上に成長した正常メッキ層である。   In yet another embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, the secondary particles are one or more dendritic particles grown on the primary particles or normal plating grown on the primary particles. Is a layer.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、レーザー顕微鏡による前記粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500以上、2000以下である。   In yet another embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, the average value of the unevenness of the roughened surface by a laser microscope is 1500 or more and 2000 or less.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、一次粒子層及び二次粒子層のピール強度が0.80kg/cm以上である。   In yet another embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, the peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer is 0.80 kg / cm or more.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、一次粒子層及び二次粒子層のピール強度が0.90kg/cm以上である。   In yet another embodiment of the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, the peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer is 0.90 kg / cm or more.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記二次粒子層上に、
(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、
(B)クロメート層
のいずれか一方、又は、両方が形成されている。
In yet another embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, on the secondary particle layer,
(A) an alloy layer composed of Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, and
(B) Either one or both of the chromate layers are formed.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記二次粒子層上に、
(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、
(B)クロメート層
のいずれか一方、又は、両方と、
シランカップリング層と
がこの順で形成されている。
In yet another embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, on the secondary particle layer,
(A) an alloy layer composed of Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, and
(B) one or both of the chromate layers,
The silane coupling layer is formed in this order.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記二次粒子層上に、
Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方が形成されている。
In yet another embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, on the secondary particle layer,
Either one or both of the Ni—Zn alloy layer and the chromate layer are formed.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記二次粒子層上に、
Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方と、
シランカップリング層と
がこの順で形成されている。
In yet another embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit of the present invention, on the secondary particle layer,
Either one or both of the Ni-Zn alloy layer and the chromate layer,
The silane coupling layer is formed in this order.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記二次粒子層の表面に樹脂層を備える。   In yet another embodiment, the high-frequency circuit copper foil of the present invention comprises a resin layer on the surface of the secondary particle layer.

本発明の高周波回路用銅箔は更に別の一実施形態において、前記Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、又は、前記クロメート層、又は、前記シランカップリング層、又は、前記Ni−Zn合金層の表面に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the copper foil for a high-frequency circuit according to the present invention is from the group consisting of Ni, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti. A resin layer is provided on the surface of the alloy layer composed of one or more selected elements, the chromate layer, the silane coupling layer, or the Ni—Zn alloy layer.

本発明は別の一側面において、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が本発明の高周波回路用銅箔であるキャリア付銅箔である。   Another aspect of the present invention is a copper foil with a carrier having an intermediate layer and an ultrathin copper layer in this order on one or both sides of the carrier, wherein the ultrathin copper layer is the present invention. It is a copper foil with a carrier which is a copper foil for high frequency circuits.

本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄銅層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する。   In one embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has the intermediate layer and the ultrathin copper layer in this order on one surface of the carrier, and a roughening treatment layer on the other surface of the carrier.

本発明は更に別の一側面において、本発明の銅箔を用いた高周波回路用銅張積層板である。   In yet another aspect, the present invention is a copper clad laminate for a high frequency circuit using the copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の銅箔を用いた高周波回路用プリント配線板である。   In yet another aspect, the present invention is a printed wiring board for a high-frequency circuit using the copper foil of the present invention.

本発明の高周波回路用銅張積層板は一実施形態において、前記銅箔とポリイミド、液晶ポリマーまたはフッ素樹脂とが積層されている。   In one embodiment, the copper clad laminate for a high-frequency circuit of the present invention is formed by laminating the copper foil and polyimide, liquid crystal polymer, or fluororesin.

本発明は更に別の一側面において、ポリイミド、液晶ポリマーまたはフッ素樹脂のいずれかを用いた本発明の高周波回路用プリント配線板である。   In still another aspect, the present invention is the printed wiring board for a high-frequency circuit according to the present invention using any one of polyimide, liquid crystal polymer, and fluororesin.

本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を用いた電子機器である。   In still another aspect, the present invention is an electronic device using the printed wiring board of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, a step of preparing the carrier-attached copper foil of the present invention and an insulating substrate
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the carrier-attached copper foil and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the carrier-attached copper foil,
Thereafter, the printed wiring board manufacturing method includes a step of forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In yet another aspect of the present invention, a step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier of the present invention,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Is the method.

本発明によれば、高周波回路基板に用いても伝送損失が良好に抑制されると共に、銅箔表面に形成された粗化粒子が当該表面から剥がれ落ちる現象、いわゆる「粉落ち」の発生が良好に抑制された高周波回路用銅箔を提供することができる。   According to the present invention, transmission loss is satisfactorily suppressed even when used for a high-frequency circuit board, and the occurrence of so-called “powder-off” phenomenon in which roughened particles formed on the surface of the copper foil peel off from the surface is good. It is possible to provide a copper foil for a high-frequency circuit that is suppressed by the above.

従来の銅箔上に、銅−コバルト−ニッケル合金メッキからなる粗化処理を行った場合の粉落ちの様子を示す概念説明図である。It is a conceptual explanatory drawing which shows the mode of the powder fall at the time of performing the roughening process which consists of copper-cobalt-nickel alloy plating on the conventional copper foil. 本発明の、銅箔上に予め一次粒子層を形成し、この一次粒子層の上に銅−コバルト−ニッケル合金メッキからなる二次粒子層を形成した粉落ちのない銅箔処理層の概念説明図である。Conceptual explanation of a copper foil treatment layer without powder falling, wherein a primary particle layer is formed in advance on a copper foil and a secondary particle layer made of copper-cobalt-nickel alloy plating is formed on the primary particle layer of the present invention. FIG. 従来の銅箔上に、銅−コバルト−ニッケル合金メッキからなる粗化処理を行った場合の表面の顕微鏡写真である。It is a microscope picture of the surface at the time of performing the roughening process which consists of copper-cobalt-nickel alloy plating on the conventional copper foil. 本発明の、銅箔上に予め一次粒子層を形成し、この一次粒子層の上に銅−コバルト−ニッケル合金メッキからなる二次粒子層を形成した粉落ちのない銅箔処理面の層の顕微鏡写真である。The primary particle layer is formed in advance on the copper foil of the present invention, and the secondary particle layer made of copper-cobalt-nickel alloy plating is formed on the primary particle layer. It is a micrograph. A〜Cは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路メッキ・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。AC is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process to circuit plating and the resist removal based on the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention. D〜Fは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び2層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。DF is a schematic diagram of a cross section of a wiring board in a process from lamination of a resin and copper foil with a second layer carrier to laser drilling according to a specific example of a method for producing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. It is. G〜Iは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から1層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。GI is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process from the via fill formation to the first layer carrier peeling according to a specific example of the method for manufacturing a printed wiring board using the carrier-attached copper foil of the present invention. J〜Kは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。J to K are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from flash etching to bump / copper pillar formation according to a specific example of a method of manufacturing a printed wiring board using the carrier-attached copper foil of the present invention. 実施例1の高さヒストグラムの平均値(凹凸高さ)の解析ソフトKVH1A9による解析結果を示すコンピューター画面の画像である。It is an image of the computer screen which shows the analysis result by the analysis software KVH1A9 of the average value (unevenness height) of the height histogram of Example 1. 解析ソフトKVH1A9のVK−8500ユーザーズマニュアル4−3ページの「DISTANCE・PITCHの設定」に掲載された操作画面の例である。It is an example of the operation screen published in “Setting of DISTANCE / PITCH” on page 4-3 of VK-8500 user's manual of analysis software KVH1A9.

本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はなく、典型的には本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。一般的には、電解銅箔は硫酸銅メッキ浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。
銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、銅箔基材の板厚は特に限定する必要は無いが、例えば1〜1000μm、あるいは1〜500μm、あるいは1〜300μm、あるいは3〜100μm、あるいは5〜70μm、あるいは6〜35μm、あるいは9〜18μmである。
また、本発明は別の側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が本発明の高周波回路用銅箔であるキャリア付銅箔である。すなわち、本発明には別の側面においてキャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔を銅箔基材として用いることができる。本発明においてキャリア付銅箔を使用する場合、極薄銅層表面に以下の粗化処理層等の表面処理層を設ける。なお、キャリア付銅箔の別の実施の形態については後述する。
There is no restriction | limiting in particular in the form of the copper foil base material which can be used for this invention, Typically, the copper foil used in this invention may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. Rolled copper foil is often used for applications that require flexibility.
In addition to high-purity copper such as tough pitch copper and oxygen-free copper, which are usually used as conductor patterns for printed wiring boards, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr, Zr or Mg are added as the copper foil base material. It is also possible to use a copper alloy such as a copper alloy, a Corson copper alloy to which Ni, Si and the like are added. In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included.
The thickness of the copper foil substrate need not be particularly limited, but for example, 1 to 1000 μm, alternatively 1 to 500 μm, alternatively 1 to 300 μm, alternatively 3 to 100 μm, alternatively 5 to 70 μm, alternatively 6 to 35 μm, or 9 ˜18 μm.
Moreover, this invention is a copper foil with a carrier which has a carrier, an intermediate | middle layer, and an ultra-thin copper layer in this order in another side surface, Comprising: The copper with a carrier whose said ultra-thin copper layer is a copper foil for high frequency circuits of this invention It is a foil. That is, in another aspect of the present invention, a copper foil with a carrier having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order can be used as a copper foil base material. When using copper foil with a carrier in this invention, surface treatment layers, such as the following roughening process layers, are provided in the ultra-thin copper layer surface. In addition, another embodiment of the copper foil with a carrier will be described later.

通常、銅箔の、樹脂基材と接着する面、即ち粗化面には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面に、「ふしこぶ」状の電着を行なう粗化処理が施される。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくする。粗化前の前処理として通常の銅メッキ等が行われることがあり、粗化後の仕上げ処理として電着物の脱落を防止するために通常の銅メッキ等が行なわれることもある。
本発明においては、こうした前処理及び仕上げ処理をも含め、銅箔粗化と関連する公知の処理を必要に応じて含め、「粗化処理」と云っている。
Usually, the surface of the copper foil to be bonded to the resin base material, that is, the roughened surface, is formed on the surface of the copper foil after degreasing for the purpose of improving the peel strength of the copper foil after lamination. A roughening process is performed for electrodeposition. Although the electrolytic copper foil has irregularities at the time of manufacture, the irregularities are further increased by enhancing the convex portions of the electrolytic copper foil by roughening treatment. Ordinary copper plating or the like may be performed as a pretreatment before roughening, and ordinary copper plating or the like may be performed as a finishing treatment after roughening in order to prevent electrodeposits from dropping off.
In the present invention, including such pretreatment and finishing treatment, a known treatment related to copper foil roughening is included as necessary, and is referred to as “roughening treatment”.

この粗化処理を、銅−コバルト−ニッケル合金メッキにより行おうとするのである(以下の説明においては、銅−コバルト−ニッケル合金メッキの粗化処理を、前工程との差異を明確にするために、「二次粒子層」と呼称する。)が、上記の通り、単純に銅箔の上に銅−コバルト−ニッケル合金メッキ層を形成しただけでは、上記の通り粉落ち等の問題が発生する。   This roughening treatment is performed by copper-cobalt-nickel alloy plating (in the following description, the roughening treatment of copper-cobalt-nickel alloy plating is performed to clarify the difference from the previous step. , Referred to as “secondary particle layer”), as described above, simply forming a copper-cobalt-nickel alloy plating layer on the copper foil causes problems such as powder falling as described above. .

銅箔の上に銅−コバルト−ニッケル合金メッキ層を形成した銅箔の表面の顕微鏡写真を図3に示す。この図3に示すように、樹枝状に発達した微細な粒子を見ることができる。一般に、この図3に示す樹枝状に発達した微細な粒子は高電流密度で作製される。
このような高電流密度で処理された場合には、初期電着における粒子の核生成が抑制されるため、粒子先端に新たな粒子の核が形成されるため、次第に樹枝状に、細く長く粒子が成長することになる。
したがって、これを防止するために、電流密度を下げて電気メッキすると、鋭い立ち上がりがなくなり、粒子が増加し、丸みを帯びた形状の粒子が成長する。しかし、このような状況下においても、粉落ちはやや改善されるが、十分なピール強度が得られず、本願発明の目的を達成するためには十分でない。
The microscope picture of the surface of the copper foil which formed the copper-cobalt-nickel alloy plating layer on copper foil is shown in FIG. As shown in FIG. 3, fine particles developed in a dendritic shape can be seen. In general, the fine particles developed in a dendritic shape shown in FIG. 3 are produced at a high current density.
When processed at such a high current density, particle nucleation during initial electrodeposition is suppressed, and new particle nuclei are formed at the tip of the particle. Will grow.
Therefore, to prevent this, when electroplating is performed at a reduced current density, there is no sharp rise, the number of particles increases, and rounded particles grow. However, even under such circumstances, powder fall is slightly improved, but sufficient peel strength is not obtained, which is not sufficient for achieving the object of the present invention.

図3に示すような銅−コバルト−ニッケル合金メッキ層が形成された場合の、粉落ちの様子を、図1の概念説明図に示す。この粉落ちの原因は、上記の通り銅箔上に樹枝状に微細な粒子が生ずるためであるが、この樹枝状の粒子は、外力により樹枝の一部が折れ易く、又根元から脱落する。この微細な樹枝状の粒子は、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が生ずる原因となる。   The state of powder falling when the copper-cobalt-nickel alloy plating layer as shown in FIG. 3 is formed is shown in the conceptual explanatory diagram of FIG. The cause of this powder fall is that fine particles are formed in a dendritic shape on the copper foil as described above. However, the dendritic particles are easily broken by an external force and fall off from the root. The fine dendritic particles cause peeling due to “rubbing” during the process, contamination of the roll with peeling powder, and etching residue due to peeling powder.

本発明においては、銅箔の表面に、事前に銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層を形成するものである。銅箔上に、この一次粒子及び二次粒子を形成した表面の顕微鏡写真を図4に示す(詳細は後述する)。
これによって、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が無くなり、すなわち粉落ちと言われる現象を抑制することができ、ピール強度を高め、かつ高周波特性を向上させることのできる高周波回路用銅箔を得ることができる。
In the present invention, a primary particle layer of copper is formed in advance on the surface of the copper foil, and then a secondary particle layer composed of a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. To do. FIG. 4 shows a micrograph of the surface on which the primary particles and secondary particles are formed on the copper foil (details will be described later).
This eliminates peeling due to “rubbing” during processing, dirt on the roll due to peeling powder, and etching residue due to peeling powder, that is, a phenomenon called powder falling can be suppressed, peel strength is increased, and high-frequency characteristics are improved. The copper foil for high frequency circuits which can be improved can be obtained.

前記一次粒子層の平均粒子径を0.25〜0.45μm、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径を0.35μm以下とするのが、下記に示す実施例から明らかなように、粉落ちを防止する最適な条件である。前記一次粒子層の平均粒子径の下限は好ましくは0.27μm以上、好ましくは0.29μm以上、より好ましくは0.30μm以上、より好ましくは0.33μm以上である。前記一次粒子層の平均粒子径の上限は、好ましくは0.44μm以下、好ましくは0.43μm以下、好ましくは0.40μm以下、好ましくは0.39μm以下である。また、前記二次粒子層の平均粒子径の上限は好ましくは0.34μm以下、好ましくは0.33μm以下、好ましくは0.32μm以下、好ましくは0.31μm以下、好ましくは0.30μm以下、好ましくは0.28μm以下、好ましくは0.27μm以下である。また、二次粒子層の平均粒子径の下限は特に限定する必要はないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.01μm以上、あるいは0.05μm以上、あるいは0.09μm以上、あるいは0.10μm以上、あるいは0.12μm以上、あるいは0.15μm以上である。   The average particle diameter of the primary particle layer is 0.25 to 0.45 μm, and the average particle diameter of the secondary particle layer made of a ternary alloy made of copper, cobalt and nickel is 0.35 μm or less. As is clear from the examples shown, this is the optimum condition for preventing powder falling. The lower limit of the average particle diameter of the primary particle layer is preferably 0.27 μm or more, preferably 0.29 μm or more, more preferably 0.30 μm or more, more preferably 0.33 μm or more. The upper limit of the average particle diameter of the primary particle layer is preferably 0.44 μm or less, preferably 0.43 μm or less, preferably 0.40 μm or less, preferably 0.39 μm or less. The upper limit of the average particle size of the secondary particle layer is preferably 0.34 μm or less, preferably 0.33 μm or less, preferably 0.32 μm or less, preferably 0.31 μm or less, preferably 0.30 μm or less, preferably Is 0.28 μm or less, preferably 0.27 μm or less. Further, the lower limit of the average particle diameter of the secondary particle layer is not particularly limited. For example, 0.001 μm or more, or 0.01 μm or more, or 0.05 μm or more, or 0.09 μm or more, or 0.10 μm or more. Or 0.12 μm or more, or 0.15 μm or more.

上記一次粒子層及び二次粒子層は、電気メッキ層により形成する。この二次粒子の特徴は、前記一次粒子の上に成長した1又は複数個の樹枝状の粒子である。または前記一次粒子の上に成長した正常メッキである。すなわち、本明細書において用語「二次粒子層」を用いた場合には、被せメッキ等の正常メッキ層も含まれるものとする。また、二次粒子層は粗化粒子により形成される層を一層以上有する層であってもよく、正常メッキ層を一層以上有する層であってもよく、粗化粒子により形成される層と正常メッキ層とをそれぞれ一層以上有する層であってもよい。
このようにして形成された一次粒子層及び二次粒子層のピール強度0.80kg/cm以上、さらにはピール強度0.90kg/cm以上を達成することができる。
The primary particle layer and the secondary particle layer are formed by an electroplating layer. The secondary particles are characterized by one or more dendritic particles grown on the primary particles. Or normal plating grown on the primary particles. That is, in the present specification, when the term “secondary particle layer” is used, a normal plating layer such as overlay plating is also included. Further, the secondary particle layer may be a layer having one or more layers formed of roughened particles, or may be a layer having one or more normal plating layers, and is normal with a layer formed of roughened particles. It may be a layer having one or more plating layers.
The peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer thus formed can be 0.80 kg / cm or more, and further, the peel strength can be 0.90 kg / cm or more.

一次粒子層及び二次粒子層を形成した銅箔において、さらに重要なことは、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値を1500以上、好ましくは1600以上、好ましくは1700以上、好ましくは1800以上、より好ましくは1900以上とすることである。なお、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値の上限は特に設ける必要は無いが、例えば4500以下、あるいは3500以下、あるいは3100以下、あるいは3000以下、あるいは2900以下、あるいは2800以下である。   In the copper foil formed with the primary particle layer and the secondary particle layer, more importantly, the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope is 1500 or more, preferably 1600 or more, preferably 1700 or more, Preferably it is 1800 or more, More preferably, it is 1900 or more. In addition, although it is not necessary to provide the upper limit of the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope, for example, 4500 or less, 3500 or less, 3100 or less, or 3000 or less, or 2900 or less, or 2800 or less. It is.

本発明の特徴は、一次粒子層と二次粒子層を形成した層化処理層を形成することにあり、その粗化処理層は、図2に示すような大きな一次粒子層1層の上に小さな二次粒子層を1〜2層形成された状態が理想的な状態である。現実的には、一次粒子も二次粒子も粒子がいく段かに重なっている場合もあり、複雑な層を形成しており、粒子径から層の高さを推測することは困難である。一般的な傾向としては、例えば、小さめの一次粒子に一次粒子と同じくらいかそれ以上の大きさの二次粒子を形成する場合、大きめの一次粒子に小さめの二次粒子を厚めに形成した場合、好ましくないが、この組合せを具体的に制御することは困難である。そこで、本発明では、「レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値」というマクロな指標に着目し、これを制御することで、一次粒子と二次粒子の組合せの詳細な構造を制御しなくても、安定したピール強度の向上と安定した粉落ち現象を防止できる効果を有する粗化処理層を形成することができることを見出した。なお、「レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値」における「粗化処理面」とは、最終製品上の表面を意味し、一次粒子層及び二次粒子層を形成した側の最表面を意味する。また、二次粒子層上に、例えば、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層等の表面処理層が形成されているときは、当該表面処理層の最表面を意味する。なお、後述の「樹脂層」が形成されているときは、当該樹脂層を除いた銅箔の一次粒子層及び二次粒子層を形成した側の最表面を意味する。   A feature of the present invention is to form a layered treatment layer in which a primary particle layer and a secondary particle layer are formed. The roughened treatment layer is formed on one large primary particle layer as shown in FIG. A state where one or two small secondary particle layers are formed is an ideal state. Actually, the primary particles and the secondary particles may overlap with each other in some stages, forming a complicated layer, and it is difficult to estimate the layer height from the particle diameter. As a general tendency, for example, when secondary particles that are as large as or larger than the primary particles are formed on the smaller primary particles, when smaller secondary particles are formed thicker on the larger primary particles Although not preferable, it is difficult to specifically control this combination. Therefore, in the present invention, paying attention to a macro index “average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope”, and controlling this, a detailed structure of the combination of primary particles and secondary particles It has been found that a roughening treatment layer having an effect of improving the stable peel strength and preventing the stable powder falling phenomenon can be formed without controlling the above. The “roughened surface” in the “average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope” means the surface on the final product, and the side on which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed. Means the outermost surface. Moreover, when surface treatment layers, such as a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a silane coupling process layer, are formed on a secondary particle layer, the outermost surface of the said surface treatment layer is meant. In addition, when the below-mentioned "resin layer" is formed, the outermost surface of the side in which the primary particle layer and secondary particle layer of the copper foil except the said resin layer were formed is meant.

レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500未満では、一次粒子層及び二次粒子層を形成した銅箔において、二次粒子層が積み重なったことで、粗化粒子のマクロな高さの凹凸差が小さくなり、粉落ち現象が発生し易くなる。
レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値の測定法は、株式会社キーエンス製レーザーマイクロスコープVK8500を用いて倍率を1000倍に設定して、粗化処理面を測定した結果について、有効面積が786432μm2(測定領域100%)における計測解析により凹凸の高さを、解析ソフトKVH1A9を用いてヒストグラム化し、その平均値を求める手法により設定を行う。
When the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope is less than 1500, the secondary particle layer is stacked in the copper foil on which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed, so that As a result, the uneven height difference is reduced, and the powder falling phenomenon is likely to occur.
About the measurement method of the average value of the unevenness of the roughened surface by a laser microscope, the magnification was set to 1000 times using a Keyence Corporation laser microscope VK8500, and the result of measuring the roughened surface was The height of the unevenness is measured using analysis software KVH1A9 by measurement analysis with an effective area of 786432 μm 2 (measurement region 100%), and setting is performed by a method of obtaining an average value thereof.

二次粒子層上に、
(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、(B)クロメート層のいずれか一方、又は、両方が形成されていてもよい。
また、二次粒子層上に、(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、(B)クロメート層のいずれか一方、又は、両方と、シランカップリング層とがこの順で形成されていてもよい。
さらに、二次粒子層上に、Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方が形成されていてもよい。
さらに、二次粒子層上に、Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方と、シランカップリング層とがこの順で形成されていてもよい。
このような構成によれば、ピール強度を維持したまま、高周波伝送特性を向上させることが可能である。
On the secondary particle layer,
(A) an alloy layer composed of Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, and (B) Either one or both of the chromate layers may be formed.
Further, on the secondary particle layer, (A) one or more selected from the group consisting of Ni, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti One or both of the alloy layer made of the element and the (B) chromate layer, and the silane coupling layer may be formed in this order.
Furthermore, either or both of the Ni—Zn alloy layer and the chromate layer may be formed on the secondary particle layer.
Furthermore, a Ni—Zn alloy layer and / or a chromate layer, or both, and a silane coupling layer may be formed in this order on the secondary particle layer.
According to such a configuration, it is possible to improve the high-frequency transmission characteristics while maintaining the peel strength.

[伝送損失]
伝送損失が小さい場合、高周波で信号伝送を行う際の、信号の減衰が抑制されるため、高周波で信号の伝送を行う回路において、安定した信号の伝送を行うことができる。そのため、伝送損失の値が小さい方が、高周波で信号の伝送を行う回路用途に用いることに適するため好ましい。表面処理銅箔を、市販の液晶ポリマー樹脂(株式会社クラレ製Vecstar CTZ−50μm)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzおよび周波数40GHzでの伝送損失を求めた場合に、周波数20GHzにおける伝送損失が、5.0dB/10cm未満が好ましく、4.1dB/10cm未満がより好ましく、3.7dB/10cm未満が更により好ましい。
[Transmission loss]
When the transmission loss is small, attenuation of the signal when performing signal transmission at a high frequency is suppressed, so that a stable signal transmission can be performed in a circuit that transmits the signal at a high frequency. Therefore, a smaller transmission loss value is preferable because it is suitable for use in a circuit for transmitting a signal at a high frequency. After bonding the surface-treated copper foil to a commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 μm manufactured by Kuraray Co., Ltd.), a microstrip line is formed by etching so that the characteristic impedance is 50Ω, and a network analyzer manufactured by HP When the transmission coefficient is measured using HP8720C and the transmission loss at the frequency of 20 GHz and the frequency of 40 GHz is determined, the transmission loss at the frequency of 20 GHz is preferably less than 5.0 dB / 10 cm, and more preferably less than 4.1 dB / 10 cm. Even more preferred is less than 3.7 dB / 10 cm.

本発明の表面処理銅箔を、粗化処理面側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、フッ素樹脂等を使用する事ができる。なお、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムを用いた場合、ポリイミドフィルムを用いた場合よりも、当該フィルムと表面処理銅箔とのピール強度が小さくなる傾向にある。よって、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムを用いた場合には、銅回路を形成後、銅回路をカバーレイで覆うことによって、当該フィルムと銅回路とが剥がれにくくし、ピール強度の低下による当該フィルムと銅回路との剥離を防止することができる。
なお、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムは誘電正接が小さいため、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムと本願発明に係る表面処理銅箔とを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板は高周波回路(高周波で信号の伝送を行う回路)用途に適する。また、本願発明に係る表面処理銅箔は表面粗さRzが小さく、光沢度が高いため表面が平滑であり、高周波回路用途にも適する。
The surface-treated copper foil of the present invention can be bonded to a resin substrate from the roughened surface side to produce a laminate. The resin substrate is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board or the like. For example, a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber cloth base epoxy resin for rigid PWB Glass cloth / paper composite base material epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base material epoxy resin and glass cloth base material epoxy resin, etc. are used, polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film, fluorine for FPC Resin etc. can be used. In addition, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, the peel strength between the film and the surface-treated copper foil tends to be smaller than when a polyimide film is used. Therefore, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, the copper circuit is covered with a coverlay after the copper circuit is formed, so that the film and the copper circuit are not easily peeled off, and the peel strength is reduced. The film can be prevented from peeling off from the copper circuit.
In addition, since a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film has a small dielectric loss tangent, a copper clad laminate or a printed wiring board using the liquid crystal polymer (LCP) film or the fluororesin film and the surface-treated copper foil according to the present invention. The printed circuit board is suitable for high-frequency circuits (circuits that transmit signals at high frequencies). Further, the surface-treated copper foil according to the present invention has a small surface roughness Rz and a high glossiness, so that the surface is smooth and suitable for high-frequency circuit applications.

貼り合わせの方法は、リジッドPWB用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。FPCの場合、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。   In the case of the rigid PWB, a prepreg is prepared by impregnating a base material such as a glass cloth with a resin and curing the resin to a semi-cured state. It can be carried out by superposing a copper foil on the prepreg from the opposite surface of the coating layer and heating and pressing. In the case of FPC, it is laminated on a copper foil under high temperature and high pressure without using an adhesive on a substrate such as a polyimide film, or a polyimide precursor is applied, dried, cured, etc. A laminated board can be manufactured by performing.

本発明の積層体は各種のプリント配線板(PWB)に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面PWB、両面PWB、多層PWB(3層以上)に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドPWB、フレキシブルPWB(FPC)、リジッド・フレックスPWBに適用可能である。   The laminate of the present invention can be used for various printed wiring boards (PWB) and is not particularly limited. For example, from the viewpoint of the number of layers of the conductor pattern, the single-sided PWB, the double-sided PWB, and the multilayer PWB (3 It is applicable to rigid PWB, flexible PWB (FPC), and rigid flex PWB from the viewpoint of the type of insulating substrate material.

更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。
Furthermore, a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board. In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which electronic parts are mounted as described above.
In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, and a print on which the electronic components are mounted. An electronic device may be manufactured using a substrate.

(銅の一次粒子のメッキ条件)
銅の一次粒子のメッキ条件の一例を挙げると、下記の通りである。
なお、このメッキ条件はあくまで好適な例を示すものであり、銅の一次粒子は銅箔上に形成される平均粒子径が粉落ち防止の役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のメッキ条件であることは何ら妨げるものではない。本発明はこれらを包含するものである。
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜50℃
電流密度 :1〜58A/dm2
クーロン量:4〜81As/dm2
(Plating conditions for primary particles of copper)
An example of copper primary particle plating conditions is as follows.
In addition, this plating condition shows a suitable example to the last, and the average particle diameter formed on copper foil plays the role of powder fall-off prevention as the primary particle of copper. Therefore, as long as the average particle diameter is within the range of the present invention, the plating conditions other than those indicated below are not disturbed. The present invention includes these.
Liquid composition: Copper 10-20 g / L, sulfuric acid 50-100 g / L
Liquid temperature: 25-50 degreeC
Current density: 1 to 58 A / dm 2
Coulomb amount: 4 to 81 As / dm 2

(二次粒子のメッキ条件)
なお、上記と同様に、このメッキ条件はあくまで好適な例を示すものであり、二次粒子は一次粒子の上に形成されるものであり、平均粒子径が粉落ち防止の役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のメッキ条件であることは何ら妨げるものではない。本発明はこれらを包含するものである。
液組成 :銅10〜20g/L、ニッケル5〜15g/L、コバルト5〜15g/L
pH :2〜3
液温 :30〜50℃
電流密度 :24〜50A/dm2
クーロン量:34〜48As/dm2
(Plating conditions for secondary particles)
As described above, this plating condition is only a preferable example, the secondary particles are formed on the primary particles, and the average particle diameter plays a role of preventing powder falling. is there. Therefore, as long as the average particle diameter is within the range of the present invention, the plating conditions other than those indicated below are not disturbed. The present invention includes these.
Liquid composition: Copper 10-20 g / L, nickel 5-15 g / L, cobalt 5-15 g / L
pH: 2-3
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 24 to 50 A / dm 2
Coulomb amount: 34 to 48 As / dm 2

(耐熱層1を形成するメッキ条件)(Co−Niメッキ:コバルトニッケル合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル5〜20g/L、コバルト1〜8g/L
pH :2〜3
液温 :40〜60℃
電流密度 :5〜20A/dm2
クーロン量:10〜20As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 1) (Co-Ni plating: cobalt nickel alloy plating)
In the present invention, a heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Nickel 5-20 g / L, cobalt 1-8 g / L
pH: 2-3
Liquid temperature: 40-60 degreeC
Current density: 5 to 20 A / dm 2
Coulomb amount: 10-20 As / dm 2

(耐熱層2を形成するメッキ条件)(Ni−Znメッキ:ニッケル亜鉛合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル2〜30g/L、亜鉛2〜30g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 2) (Ni-Zn plating: nickel zinc alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: nickel 2-30 g / L, zinc 2-30 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層3を形成するメッキ条件)(Ni−Cuメッキ:ニッケル銅合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル2〜30g/L、銅2〜30g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 3) (Ni-Cu plating: nickel copper alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, Copper 2-30 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層4を形成するメッキ条件)(Ni−Moメッキ:ニッケルモリブデン合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :硫酸Ni六水和物:45〜55g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:50〜70g/dm3、クエン酸ナトリウム:80〜100g/dm3
液温 :20〜40℃
電流密度 :1〜4A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 4) (Ni-Mo plating: nickel molybdenum alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Ni sulfate hexahydrate: 45-55 g / dm 3 , Sodium molybdate dihydrate: 50-70 g / dm 3 , Sodium citrate: 80-100 g / dm 3
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Current density: 1 to 4 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層5を形成するメッキ条件)(Ni−Snメッキ:ニッケル錫合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル2〜30g/L、錫2〜30g/L
pH :1.5〜4.5
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 5) (Ni-Sn plating: nickel tin alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, tin 2-30 g / L
pH: 1.5-4.5
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層6を形成するメッキ条件)(Ni−Pメッキ:ニッケルリン合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル30〜70g/L、リン0.2〜1.2g/L
pH :1.5〜2.5
液温 :30〜40℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 6) (Ni-P plating: nickel phosphorus alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: nickel 30-70 g / L, phosphorus 0.2-1.2 g / L
pH: 1.5-2.5
Liquid temperature: 30-40 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層7を形成するメッキ条件)(Ni−Wメッキ:ニッケルタングステン合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル2〜30g/L、W0.01〜5g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 7) (Ni-W plating: nickel tungsten alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, W 0.01-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(耐熱層8を形成するメッキ条件)(Ni−Crメッキ:ニッケルクロム合金メッキ)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。
Ni:65〜85mass%、Cr:15〜35mass%の組成のスパッタリングターゲットを用いてニッケルクロム合金メッキ層を形成した。
ターゲット:Ni:65〜85mass%、Cr:15〜35mass%
装置:株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力:DC50W
アルゴン圧力:0.2Pa
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 8) (Ni-Cr plating: nickel chromium alloy plating)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
A nickel chromium alloy plating layer was formed using a sputtering target having a composition of Ni: 65 to 85 mass% and Cr: 15 to 35 mass%.
Target: Ni: 65-85 mass%, Cr: 15-35 mass%
Equipment: Sputtering equipment manufactured by ULVAC, Inc. Output: DC50W
Argon pressure: 0.2 Pa

(防錆層を形成するメッキ条件)
本発明は、さらに次の防錆層を形成することができる。このメッキ条件を下記に示す。下記においては、浸漬クロメート処理の条件を示したが、電解クロメート処理でも良い。
液組成 :重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH :3〜4
液温 :50〜60℃
電流密度 :0〜2A/dm2(0A/dm2は浸漬クロメート処理の場合である。)
クーロン量:0〜2As/dm2(0As/dm2は浸漬クロメート処理の場合である。)
(Plating conditions for forming a rust prevention layer)
The present invention can further form the following antirust layer. The plating conditions are shown below. In the following, conditions for the immersion chromate treatment are shown, but electrolytic chromate treatment may be used.
Liquid composition: potassium dichromate 1-10 g / L, zinc 0-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 50-60 degreeC
Current density: 0 to 2 A / dm 2 (0 A / dm 2 is the case of immersion chromate treatment)
Coulomb amount: 0 to 2 As / dm 2 (0 As / dm 2 is the case of immersion chromate treatment.)

(耐候性層(シランカップリング層)の種類)
一例として、ジアミノシラン水溶液の塗布を挙げることができる。
なお、耐熱層等の金属層、メッキ層がスパッタリング等の乾式メッキにより設けられている場合、および、耐熱層等の金属層、メッキ層が湿式メッキにより設けられている場合であって、耐熱層等の金属層、メッキ層が正常メッキ(平滑メッキ、すなわち、限界電流密度未満の電流密度で行うメッキ)で有る場合、当該金属層、メッキ層は銅箔の表面の形状に影響を及ぼさない。
限界電流密度は、金属濃度、pH、給液速度、極間距離、メッキ液温度によって変化するが、本発明では正常メッキ(メッキされた金属が層状に析出している状態)と粗化メッキ(焼けメッキ、メッキされた金属が結晶状(球状や針状や樹氷状等)に析出している状態、凹凸がある。)との境界の電流密度を限界電流密度と定義し、ハルセル試験にて正常メッキとなる限界(焼けメッキとなる直前)の電流密度(目視判断)を限界電流密度とする。
具体的には、金属濃度、pH、メッキ液温度をメッキの製造条件に設定し、ハルセル試験を行う。そして、当該メッキ液組成、メッキ液温度における金属層形成状態(メッキされた金属が層状に析出しているか結晶状に形成しているか)を調査する。そして、株式会社山本鍍金試験器製の電流密度早見表に基づいて、テストピースの正常メッキと粗化メッキの境界が存在する箇所のテストピースの位置から、当該境界の位置における電流密度を求める。そして、当該境界の位置における電流密度を限界電流密度と規定する。これにより、当該メッキ液組成、メッキ液温度での限界電流密度が分かる。一般的には極間距離が短いと、限界電流密度が高くなる傾向にある。
ハルセル試験の方法は例えば「メッキ実務読本」 丸山 清 著 日刊工業新聞社 1983年6月30日の157ページから160ページに記載されている。
なお、限界電流密度未満でメッキ処理を行うために、メッキ処理の際の電流密度を20A/dm2以下とすることが好ましく、10A/dm2以下とすることが好ましく、8A/dm2以下とすることが好ましい。
また、クロメート層、シランカップリング層は、その厚みが極端に薄いため、銅箔の表面の形状に影響を及ぼさない。
(Type of weathering layer (silane coupling layer))
As an example, application of a diaminosilane aqueous solution can be mentioned.
In addition, when a metal layer such as a heat-resistant layer and a plating layer are provided by dry plating such as sputtering, and when a metal layer such as a heat-resistant layer and a plating layer are provided by wet plating, the heat-resistant layer When the metal layer and the plating layer are normal plating (smooth plating, that is, plating performed at a current density lower than the limit current density), the metal layer and the plating layer do not affect the shape of the surface of the copper foil.
The limit current density varies depending on the metal concentration, pH, liquid supply speed, distance between electrodes, and plating solution temperature. In the present invention, normal plating (a state where the plated metal is deposited in a layered manner) and rough plating ( The limiting current density is defined as the current density at the boundary between the burned plating and the plated metal being crystallized (spherical, needle-like or rime-like, etc.). The current density (visual judgment) at the limit for normal plating (immediately before the burn plating) is defined as the limit current density.
Specifically, the metal concentration, pH, and plating solution temperature are set as plating production conditions, and a hull cell test is performed. Then, the metal layer formation state at the plating solution composition and the plating solution temperature (whether the plated metal is deposited in a layer form or a crystal form) is investigated. Then, based on the current density quick reference table manufactured by Yamamoto Co., Ltd., the current density at the boundary position is determined from the position of the test piece where the normal plating / roughening plating boundary exists. The current density at the boundary position is defined as the limit current density. Thereby, the limiting current density at the plating solution composition and the plating solution temperature is known. Generally, when the distance between the electrodes is short, the limit current density tends to increase.
The method of the Hull cell test is described in, for example, “Plating Practice Reader”, Kiyoshi Maruyama, Nikkan Kogyo Shimbun, Ltd., pages 157 to 160 on June 30, 1983.
In addition, in order to perform the plating process below the limit current density, the current density during the plating process is preferably 20 A / dm 2 or less, preferably 10 A / dm 2 or less, and 8 A / dm 2 or less. It is preferable to do.
Moreover, since the thickness of the chromate layer and the silane coupling layer is extremely thin, the shape of the surface of the copper foil is not affected.

上記二次粒子としての銅−コバルト−ニッケル合金メッキは、電解メッキにより、付着量が10〜30mg/dm2銅−100〜3000μg/dm2コバルト−50〜500μg/dm2ニッケルの3元系合金層を形成することができる。
Co付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性が悪くなり、またエッチング性も悪くなる。Co付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化が考慮され得る。
The copper-cobalt-nickel alloy plating as the secondary particles is a ternary alloy of 10-30 mg / dm 2 copper-100-3000 μg / dm 2 cobalt-50-500 μg / dm 2 nickel by electrolytic plating. A layer can be formed.
When the amount of deposited Co is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance is deteriorated and the etching property is also deteriorated. When the amount of Co deposition exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into account, etching spots occur, and deterioration of acid resistance and chemical resistance can be considered.

Ni付着量が50μg/dm2未満であると、耐熱性が悪くなる。他方、Ni付着量が500μg/dm2を超えると、エッチング性が低下する。すなわち、エッチング残ができ、またエッチングできないというレベルではないが、ファインパターン化が難しくなる。好ましいCo付着量は500〜2000μg/dm2であり、そして好ましいニッケル付着量は50〜300μg/dm2である。
以上から、銅−コバルト−ニッケル合金メッキの付着量は、10〜30mg/dm2銅−100〜3000μg/dm2コバルト−50〜500μg/dm2ニッケルであることが望ましいと言える。この3元系合金層の各付着量はあくまで、望ましい条件であり、この量を超える範囲を否定するものではない。
When the Ni adhesion amount is less than 50 μg / dm 2 , the heat resistance deteriorates. On the other hand, when the Ni adhesion amount exceeds 500 μg / dm 2 , the etching property is lowered. That is, although it is not at a level where etching remains and etching cannot be performed, it becomes difficult to form a fine pattern. Preferred Co deposition amount is 500~2000μg / dm 2, and preferably nickel coating weight is 50~300μg / dm 2.
From the above, it can be said that the adhesion amount of the copper-cobalt-nickel alloy plating is desirably 10 to 30 mg / dm 2 copper-100 to 3000 μg / dm 2 cobalt-50 to 500 μg / dm 2 nickel. Each adhesion amount of the ternary alloy layer is a desirable condition, and a range exceeding this amount is not denied.

ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Coが溶解せずに残ってしまうことを意味し、そしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Niが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。
一般に、回路を形成する場合には、下記の実施例の中で説明するようなアルカリ性エッチング液及び塩化銅系エッチング液を用いて行われる。このエッチング液及びエッチング条件は、汎用性のあるものであるが、この条件に限定されることはなく、任意に選択できることは理解されるべきことである。
Here, the etching stain means that Co remains without being dissolved when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni remains undissolved when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means to end.
In general, when a circuit is formed, an alkaline etching solution and a copper chloride based etching solution as described in the following examples are used. Although this etching solution and etching conditions are versatile, it should be understood that they are not limited to these conditions and can be arbitrarily selected.

本発明は上記の通り、二次粒子を形成した後(粗化処理後)、粗化面上にコバルト−ニッケル合金メッキ層を形成することができる。
このコバルト−ニッケル合金メッキ層は、コバルトの付着量が200〜3000μg/dm2であり、かつコバルトの比率が60〜66質量%とするのが望ましい。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。
このコバルト−ニッケル合金メッキ層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行なう必要がある。コバルト付着量が200μg/dm2未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪くなり、また処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。
また、コバルト付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化が考慮される。好ましいコバルト付着量は400〜2500μg/dm2である。
In the present invention, as described above, after the secondary particles are formed (after the roughening treatment), a cobalt-nickel alloy plating layer can be formed on the roughened surface.
The cobalt-nickel alloy plating layer preferably has a cobalt adhesion amount of 200 to 3000 μg / dm 2 and a cobalt ratio of 60 to 66 mass%. This treatment can be regarded as a kind of rust prevention treatment in a broad sense.
This cobalt-nickel alloy plating layer needs to be performed to such an extent that the adhesive strength between the copper foil and the substrate is not substantially lowered. A cobalt adhesion amount of less than 200 μg / dm 2 is not preferable because the heat-resistant peel strength is lowered, the oxidation resistance and chemical resistance are deteriorated, and the treated surface becomes reddish.
On the other hand, when the cobalt adhesion amount exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into consideration, etching spots occur, and deterioration of acid resistance and chemical resistance is considered. A preferable cobalt adhesion amount is 400 to 2500 μg / dm 2 .

また、コバルト付着量が多いと、ソフトエッチングの染み込み発生の原因となる場合がある。このことからコバルトの比率が60〜66質量%とするのが望ましいと言える。
後述するように、ソフトエッチングの染み込み発生の直接の大きな原因は、亜鉛−ニッケル合金メッキ層からなる耐熱防錆層であるが、コバルトもソフトエッチングの際の染み発生の原因になることもあるので、上記に調整することが、より望ましいとする条件である。
一方、ニッケル付着量が少ない場合には、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が低下する。また、ニッケル付着量が多すぎる場合には、アルカリエッチング性が悪くなるので、上記コバルト含有量とのバランスで決めることが望ましい。
Moreover, when there is much cobalt adhesion amount, it may become a cause of generation | occurrence | production of a soft etching penetration. From this, it can be said that the ratio of cobalt is preferably 60 to 66 mass%.
As will be described later, the direct cause of soft etching soaking is a heat-resistant rust-proof layer composed of a zinc-nickel alloy plating layer, but cobalt may also cause stains during soft etching. The above adjustment is a more desirable condition.
On the other hand, when the nickel adhesion amount is small, the heat-resistant peel strength is lowered, and the oxidation resistance and chemical resistance are lowered. Further, when the nickel adhesion amount is too large, the alkali etching property is deteriorated, so it is desirable to determine the balance with the cobalt content.

本発明は、コバルト−ニッケル合金メッキ上に更に、亜鉛−ニッケル合金メッキ層を形成することができる。亜鉛−ニッケル合金メッキ層の総量を150〜500μg/dm2とし、かつニッケルの比率を16〜40質量%とする。これは、耐熱防錆層という役割を有するものである。この条件も、あくまで好ましい条件であって、他の公知の亜鉛−ニッケル合金メッキを使用することができる。この亜鉛−ニッケル合金メッキは、本発明においては、好ましい付加的条件であることが理解されるであろう。
回路の製造工程で行われる処理が一段と高温となり、また製品となった後の機器使用中の熱発生がある。例えば、樹脂に銅箔を熱圧着で接合する、いわゆる二層材では、接合の際に300℃以上の熱を受ける。このような状況の中でも、銅箔と樹脂基材との間での接合力の低下を防止することが必要であり、この亜鉛−ニッケル合金メッキは有効である。
In the present invention, a zinc-nickel alloy plating layer can be further formed on the cobalt-nickel alloy plating. The total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 μg / dm 2 , and the nickel ratio is 16 to 40% by mass. This has a role of a heat-resistant rust-proof layer. This condition is also a preferable condition, and other known zinc-nickel alloy plating can be used. It will be understood that this zinc-nickel alloy plating is a preferred additional condition in the present invention.
The processing performed in the circuit manufacturing process becomes much hotter, and there is heat generation during use of the device after it has become a product. For example, in a so-called two-layer material in which a copper foil is bonded to a resin by thermocompression bonding, the resin receives heat of 300 ° C. or higher. Even in such a situation, it is necessary to prevent a decrease in bonding force between the copper foil and the resin base material, and this zinc-nickel alloy plating is effective.

また、従来の技術では、樹脂に銅箔を熱圧着で接合した二層材における亜鉛−ニッケル合金メッキ層を備えた微小な回路では、ソフトエッチングの際に、回路のエッジ部に染み込みによる変色が発生する。ニッケルは、ソフトエッチングの際に使用するエッチング剤(H2SO4:10wt%、H22:2wt%のエッチング水溶液)の染み込みを抑制する効果がある。
上記の通り、前記亜鉛−ニッケル合金メッキ層の総量を150〜500μg/dm2とすると共に、当該合金層中のニッケル比率の下限値を16質量%に、上限値を40質量%とし、かつニッケルの含有量を50μg/dm2以上とすることが、耐熱防錆層という役割を備えると共に、ソフトエッチングの際に使用するエッチング剤の染み込みを抑制し、腐食に回路の接合強度の弱体化を防止することができるという効果を有する。
In addition, in the conventional technology, in a minute circuit provided with a zinc-nickel alloy plating layer in a two-layer material in which a copper foil is bonded to a resin by thermocompression bonding, discoloration due to penetration into the edge portion of the circuit is caused during soft etching. Occur. Nickel has an effect of suppressing penetration of an etching agent (etching aqueous solution of H 2 SO 4 : 10 wt%, H 2 O 2 : 2 wt%) used in soft etching.
As described above, the total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 μg / dm 2 , the lower limit of the nickel ratio in the alloy layer is 16% by mass, the upper limit is 40% by mass, and nickel A content of 50 μg / dm 2 or more serves as a heat-resistant rust-preventing layer and suppresses the penetration of the etchant used during soft etching to prevent weakening of the circuit joint strength due to corrosion. It has the effect that it can be done.

なお、亜鉛−ニッケル合金メッキ層の総量が150μg/dm2未満では、耐熱防錆力が低下して耐熱防錆層としての役割を担うことが難しくなり、同総量が500μg/dm2を超えると、耐塩酸性が悪くなる傾向がある。
また、合金層中のニッケル比率の下限値が16質量%未満では、ソフトエッチングの際の染み込み量が9μmを超えるので、好ましくない。ニッケル比率の上限値40質量%については、亜鉛−ニッケル合金メッキ層を形成できる技術上の限界値である。
Incidentally, zinc - in the total amount is less than 150 [mu] g / dm 2 of nickel alloy plating layer, it is difficult to play a role as a heat-resistant anticorrosive layer heat rust prevention is reduced and the total amount is more than 500 [mu] g / dm 2 The hydrochloric acid resistance tends to deteriorate.
Moreover, if the lower limit of the nickel ratio in the alloy layer is less than 16% by mass, the amount of penetration at the time of soft etching exceeds 9 μm, which is not preferable. The upper limit value of 40% by mass of the nickel ratio is a technical limit value at which a zinc-nickel alloy plating layer can be formed.

上記の通り、本発明は、二次粒子層としての銅−コバルト−ニッケル合金メッキ層上に、必要に応じてコバルト−ニッケル合金メッキ層、さらには亜鉛−ニッケル合金メッキ層を順次形成することができる。これら層における合計量のコバルト付着量及びニッケル付着量を調節することもできる。コバルトの合計付着量が300〜4000μg/dm2、ニッケルの合計付着量が100〜1500μg/dm2とすることが望ましい。
コバルトの合計付着量が300μg/dm2未満では、耐熱性及び耐薬品性が低下し、コバルトの合計付着量が4000μg/dm2を超えると、エッチングシミが生じることがあり、また伝送損失が大きくなる場合がある。また、ニッケルの合計付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性及び耐薬品性が低下する場合がある。ニッケルの合計付着量が1500μg/dm2を超えると、エッチング残が生じる場合があり、また、伝送損失が大きくなる場合がある。
好ましくは、コバルトの合計付着量は300〜3500μg/dm2、より好ましくは300〜3000μg/dm2、より好ましくは300〜2500μg/dm2、より好ましくは300〜2000μg/dm2であり、ニッケルの合計付着量は好ましくは100〜1000μg/dm2、より好ましくは100〜900μg/dm2である。上記の条件を満たせば、特にこの段落に記載する条件に制限される必要はない。
As described above, the present invention can sequentially form a cobalt-nickel alloy plating layer and further a zinc-nickel alloy plating layer on the copper-cobalt-nickel alloy plating layer as the secondary particle layer as necessary. it can. The total amount of cobalt and nickel deposited in these layers can also be adjusted. It is desirable that the total adhesion amount of cobalt is 300 to 4000 μg / dm 2 and the total adhesion amount of nickel is 100 to 1500 μg / dm 2 .
When the total deposit amount of cobalt is less than 300 μg / dm 2 , the heat resistance and chemical resistance are deteriorated. When the total deposit amount of cobalt exceeds 4000 μg / dm 2 , etching spots may occur and transmission loss is large. There is a case. Moreover, if the total adhesion amount of nickel is less than 100 μg / dm 2 , heat resistance and chemical resistance may be deteriorated. If the total adhesion amount of nickel exceeds 1500 μg / dm 2 , etching residue may occur and transmission loss may increase.
Preferably, the total deposition amount of cobalt 300~3500μg / dm 2, more preferably 300~3000μg / dm 2, more preferably 300~2500μg / dm 2, more preferably 300~2000μg / dm 2, the nickel the total coating weight is preferably 100-1000 / dm 2, more preferably a 100~900μg / dm 2. If the above conditions are satisfied, the conditions described in this paragraph need not be particularly limited.

この後、必要に応じ、防錆処理が実施される。本発明において好ましい防錆処理は、クロム酸化物単独の皮膜処理或いはクロム酸化物と亜鉛/亜鉛酸化物との混合物皮膜処理である。クロム酸化物と亜鉛/亜鉛酸化物との混合物皮膜処理とは、亜鉛塩または酸化亜鉛とクロム酸塩とを含むメッキ浴を用いて電気メッキにより亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とより成る亜鉛−クロム基混合物の防錆層を被覆する処理である。
メッキ浴としては、代表的には、K2Cr27、Na2Cr27等の重クロム酸塩やCrO3等の少なくとも一種と、水溶性亜鉛塩、例えばZnO、ZnSO4・7H2Oなど少なくとも一種と、水酸化アルカリとの混合水溶液が用いられる。代表的なメッキ浴組成と電解条件例は次の通りである。
Thereafter, a rust prevention treatment is performed as necessary. In the present invention, a preferable antirust treatment is a coating treatment of chromium oxide alone or a mixture coating treatment of chromium oxide and zinc / zinc oxide. Chromium oxide and zinc / zinc oxide mixture coating treatment is zinc or zinc comprising zinc oxide and chromium oxide by electroplating using a plating bath containing zinc salt or zinc oxide and chromate. It is the process which coat | covers the antirust layer of a chromium group mixture.
As the plating bath, typically, at least one kind of dichromate such as K 2 Cr 2 O 7 and Na 2 Cr 2 O 7 and CrO 3 and a water-soluble zinc salt such as ZnO and ZnSO 4 · 7H are typically used. A mixed aqueous solution of at least one kind of 2 O and an alkali hydroxide is used. Typical plating bath compositions and electrolysis conditions are as follows.

こうして得られた銅箔は、優れた耐熱性剥離強度、耐酸化性及び耐塩酸性を有する。また、CuCl2エッチング液で150μmピッチ回路巾以下の回路をエッチングでき、しかもアルカリエッチングも可能とする。また、ソフトエッチングの際の、回路エッジ部への染み込みを抑制できる。
ソフトエッチング液には、H2SO4:10wt%、H22:2wt%の水溶液が使用できる。処理時間と温度は任意に調節できる。
アルカリエッチング液としては、例えば、NH4OH:6モル/リットル、NH4Cl:5モル/リットル、CuCl2:2モル/リットル(温度50℃)等の液が知られている。
The copper foil thus obtained has excellent heat resistance peel strength, oxidation resistance and hydrochloric acid resistance. In addition, a circuit having a pitch of 150 μm or less can be etched with the CuCl 2 etching solution, and alkali etching can be performed. In addition, penetration into the circuit edge portion during soft etching can be suppressed.
As the soft etching solution, an aqueous solution of H 2 SO 4 : 10 wt% and H 2 O 2 : 2 wt% can be used. Processing time and temperature can be adjusted arbitrarily.
As the alkaline etching solution, for example, NH 4 OH: 6 mol / liter, NH 4 Cl: 5 mol / liter, CuCl 2 : 2 mol / liter (temperature: 50 ° C.) and the like are known.

上記の全工程で得られた銅箔は、黒色〜灰色を有している。黒色〜灰色は、位置合わせ精度及び熱吸収率の高いことの点から、意味がある。例えば、リジッド基板及びフレキシブル基板を含め回路基板は、ICや抵抗、コンデンサ等の部品を自動工程で搭載していくが、その際センサーにより回路を読み取りながらチップマウントを行なっている。このとき、カプトンなどのフィルムを通して銅箔処理面での位置合わせを行なうことがある。また、スルーホール形成時の位置決めも同様である。
処理面が黒に近い程、光の吸収が良いため、位置決めの精度が高くなる。更には、基板を作製する際、銅箔とフィルムとを熱を加えながらキュワリングして接着させることが多い。このとき、遠赤外線、赤外線等の長波を用いることにより加熱する場合、処理面の色調が黒い方が、加熱効率が良くなる。
The copper foil obtained in all the above steps has a black to gray color. Black to gray is significant in terms of alignment accuracy and high heat absorption rate. For example, circuit boards including rigid boards and flexible boards are mounted with components such as ICs, resistors and capacitors in an automatic process, and chip mounting is performed while reading circuits with sensors. At this time, alignment on the copper foil treated surface may be performed through a film such as Kapton. This also applies to positioning when forming a through hole.
The closer the processing surface is to black, the better the light absorption and the higher the positioning accuracy. Furthermore, when producing a substrate, the copper foil and the film are often cured and bonded together while applying heat. At this time, when heating is performed by using long waves such as far infrared rays and infrared rays, the heating efficiency is improved when the color tone of the treated surface is black.

最後に、必要に応じ、銅箔と樹脂基板との接着力の改善を主目的として、防錆層上の少なくとも粗化面にシランカップリング剤を塗布するシラン処理が施される。このシラン処理に使用するシランカップリング剤としては、オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シランを挙げることができるが、これらを適宜選択して使用することができる。なお、樹脂として液晶ポリマーを用いる場合には、シランカップリング剤としてアミノ系シラン(アミノ基を有するシラン)を用いることが好ましい。また、シランカップリング剤としてジアミノシランを用いることより好ましい。
塗布方法は、シランカップリング剤溶液のスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれでもよい。例えば、特公昭60−15654号は、銅箔の粗面側にクロメート処理を施した後シランカップリング剤処理を行なうことによって銅箔と樹脂基板との接着力を改善することを記載している。詳細はこれを参照されたい。この後、必要なら、銅箔の延性を改善する目的で焼鈍処理を施すこともある。
Finally, if necessary, silane treatment for applying a silane coupling agent to at least the roughened surface on the rust preventive layer is performed mainly for the purpose of improving the adhesive force between the copper foil and the resin substrate. Examples of the silane coupling agent used for the silane treatment include olefin silane, epoxy silane, acrylic silane, amino silane, and mercapto silane, which can be appropriately selected and used. . In addition, when using a liquid crystal polymer as resin, it is preferable to use amino-type silane (silane which has an amino group) as a silane coupling agent. Moreover, it is more preferable to use diaminosilane as a silane coupling agent.
The application method may be any of spraying a silane coupling agent solution by spraying, coating with a coater, dipping, pouring and the like. For example, Japanese Examined Patent Publication No. 60-15654 describes that the adhesion between the copper foil and the resin substrate is improved by performing a chromate treatment on the rough side of the copper foil followed by a silane coupling agent treatment. . Refer to this for details. Thereafter, if necessary, an annealing treatment may be performed for the purpose of improving the ductility of the copper foil.

〔キャリア付銅箔〕
本発明の別の実施の形態であるキャリア付銅箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有する。そして、前記極薄銅層が前述の本発明の一つの実施の形態である高周波回路用銅箔である。
[Copper foil with carrier]
The copper foil with a carrier which is another embodiment of the present invention has an intermediate layer and an ultrathin copper layer in this order on one side or both sides of the carrier. And the said ultra-thin copper layer is the copper foil for high frequency circuits which is one embodiment of the above-mentioned this invention.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム(例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等)の形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄銅層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅メッキ浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
<Career>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum. It is provided in the form of alloy foil, insulating resin film (for example, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film, polyethylene terephthalate (PET) film, polyamide film, polyester film, fluororesin film, etc.).
It is preferable to use a copper foil as a carrier that can be used in the present invention. This is because the copper foil has a high electrical conductivity, so that subsequent formation of an intermediate layer and an ultrathin copper layer becomes easy. The carrier is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. In addition to high-purity copper such as tough pitch copper and oxygen-free copper, the copper foil material is, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy added with Cr, Zr, Mg, etc., and Corson-based added with Ni, Si, etc. Copper alloys such as copper alloys can also be used.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば5μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、上述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。
The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, and may be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 12-70 μm, more typically 18-35 μm.
In addition, you may provide a roughening process layer in the surface on the opposite side to the surface in the side which provides the ultra-thin copper layer of a carrier. The said roughening process layer may be provided using a well-known method, and may be provided by the above-mentioned roughening process. Providing a roughened layer on the surface opposite to the surface on which the ultrathin copper layer of the carrier is provided, when laminating the carrier from the surface side having the roughened layer to a support such as a resin substrate, There is an advantage that the carrier and the resin substrate are hardly peeled off.

<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物、あるいは有機物からなる層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included. The intermediate layer may be a plurality of layers.
Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A hydrate or oxide of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn, or an organic substance Or a single metal layer made of one element selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, or Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al It can be constructed by forming an alloy layer made of a selected one or more elements from the configured group of elements in Zn.

中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiメッキ層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やメッキ処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。
When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that some of the attached metal such as chromium and zinc may be hydrates or oxides.
Further, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the amount of chromium deposited on the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気メッキにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μm、更に典型的には1.5〜5μm、更に典型的には2〜5μmである。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Another layer may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used in general electrolytic copper foil with high current density. Since a copper foil can be formed, a copper sulfate bath is preferable. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5 to 12 μm, more typically 1 to 5 μm, more typically 1.5 to 5 μm, and more typically 2 to 5 μm. In addition, you may provide an ultra-thin copper layer on both surfaces of a carrier.

このようにして、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔が製造される。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がして銅張積層板とし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。   In this manner, a carrier-attached copper foil including a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer is manufactured. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art. For example, the surface of the ultra-thin copper layer is made of paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite. Base epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resin and glass cloth base epoxy resin, polyester film, polyimide film, etc. The printed wiring board can be finally manufactured by etching the ultrathin copper layer adhered to the substrate into a desired conductor pattern.

また、キャリアと、キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えており、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート(処理)層およびシランカップリング(処理)層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。   Further, the carrier-attached copper foil comprising a carrier and an ultra-thin copper layer laminated on the intermediate layer on the carrier comprises a roughening treatment layer on the ultra-thin copper layer. On the roughening treatment layer, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate (treatment) layer, and a silane coupling (treatment) layer may be provided.

〔樹脂層〕
本発明の高周波回路用銅箔(高周波回路用銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合も含む)の二次粒子層の表面に樹脂層を形成してもよい。また、樹脂層は、それぞれ高周波回路用銅箔の二次粒子層上に形成された、Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層の表面に形成してもよく、クロメート層の表面に形成してもよく、シランカップリング層の表面に形成してもよく、Ni−Zn合金層の表面に形成してもよい。また、樹脂層は、高周波回路用銅箔の最表面に形成されているのがより好ましい。また、前記キャリア付銅箔は前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート(処理)層、あるいはシランカップリング(処理)層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
[Resin layer]
You may form a resin layer in the surface of the secondary particle layer of the copper foil for high frequency circuits of this invention (The case where the copper foil for high frequency circuits is a very thin copper layer of copper foil with a carrier is included). In addition, the resin layer is formed on the secondary particle layer of the copper foil for high-frequency circuits, Ni, Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and It may be formed on the surface of an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Ti, may be formed on the surface of a chromate layer, may be formed on the surface of a silane coupling layer, You may form in the surface of a Ni-Zn alloy layer. The resin layer is more preferably formed on the outermost surface of the high-frequency circuit copper foil. The carrier-attached copper foil may include a resin layer on the roughening treatment layer, or on the heat-resistant layer, the rust prevention layer, the chromate (treatment) layer, or the silane coupling (treatment) layer. The resin layer may be an insulating resin layer.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. Although the type is not particularly limited, for example, a resin including an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, or the like can be given as a preferable one. .

前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体(無機化合物及び/または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい)、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。   The resin layer may be made of any known dielectric such as a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric (dielectric including an inorganic compound and / or organic compound, dielectric including a metal oxide). May be included), a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 No. 249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO 2006/028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記銅箔上又は極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。   For example, these resins are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) and toluene to form a resin solution, which is formed on the copper foil or ultrathin copper layer, or the heat-resistant layer, the rust-proof layer, or the chromate film layer, Or it apply | coats on the said silane coupling agent layer, for example by the roll coater method etc., Then, it heat-drys as needed, a solvent is removed, and it will be in a B stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

前記樹脂層を備えた高周波回路用銅箔(樹脂付き高周波回路用銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで銅箔に所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
また、前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
The high-frequency circuit copper foil (resin-equipped high-frequency circuit copper foil) provided with the resin layer is obtained by superposing the resin layer on a base material and then thermocompressing the entire resin layer to thermally cure the resin layer. And a predetermined wiring pattern is used.
The carrier-attached copper foil with the resin layer (copper foil with resin carrier) is laminated with the resin layer on the base material, and the entire resin layer is thermocompression-bonded to thermally cure the resin layer. The ultrathin copper layer is peeled off to expose it (which is naturally the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon.

この樹脂付き高周波回路用銅箔または樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   Use of this resin-coated high-frequency circuit copper foil or resin-coated copper foil with carrier can reduce the number of prepreg materials used in the production of a multilayer printed wiring board. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。   In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.

この樹脂層の厚みは0.1〜80μmであることが好ましい。   The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 μm.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。   When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with the resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two.

一方、樹脂層の厚みを80μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。   On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 80 μm, it is difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

なお、樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート層、あるいは前記シランカップリング層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔(極薄銅層)の形で製造することも可能である。   In addition, as another product form of the copper foil with a carrier with a resin, a resin layer is formed on the ultrathin copper layer, or on the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate layer, or the silane coupling layer. After coating and making it into a semi-cured state, the carrier can then be peeled off and manufactured in the form of a resin-coated copper foil (ultra-thin copper layer) in which no carrier is present.

ここで、以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。   Here, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown below.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, and with the carrier After laminating the copper foil and the insulating substrate so that the ultrathin copper layer side faces the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method, a modified semi-conductor A step of forming a circuit by any one of an additive method, a partial additive method, and a subtractive method. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解メッキを行い、メッキレジストのパターンを形成後、電気メッキ、メッキレジストの除去及びエッチングを行うことにより導体パターンを形成することを含む方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method is a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a plating resist pattern is formed, and then a conductive pattern is formed by electroplating, removing the plating resist, and etching. Refers to a method comprising forming.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、メッキレジストにより非回路形成部を保護し、電解メッキにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成することを含む方法を指す。   In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming part is protected by a plating resist, and a copper is thickened in the circuit forming part by electrolytic plating, and then the resist is removed. The method further includes forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解メッキ処理によって厚付けを行うことを含む方法により、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. A method of manufacturing a printed wiring board by a method including, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, thickening the through hole or via hole by electroless plating on the conductor circuit Point to.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成することを含む方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method including selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.

なお、本発明において、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法およびサブトラクティブ法として公知の方法を用いることができる。また、本発明において、上述のセミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法およびサブトラクティブ法において、絶縁基板等にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設けてもよい。   In the present invention, known methods can be used as a semi-additive method, a modified semi-additive method, a partly additive method, and a subtractive method. In the present invention, through holes or / and blind vias may be provided in an insulating substrate or the like in the above-described semi-additive method, modified semi-additive method, partly additive method, and subtractive method.

ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。
まず、図5−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図5−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図5−Cに示すように、回路用のメッキを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路メッキを形成する。
次に、図6−Dに示すように、回路メッキを覆うように(回路メッキが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図6−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図6−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路メッキを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図7−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図7−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図5−B及び図5−Cのようにして回路メッキを形成する。
次に、図7−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図8−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路メッキの表面を露出させる。
次に、図8−Kに示すように、樹脂層内の回路メッキ上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing.
First, as shown to FIG. 5-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed on the surface is prepared.
Next, as shown in FIG. 5B, a resist is applied on the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 5C, after forming a plating for a circuit, the resist is removed to form a circuit plating having a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 6-D, an embedded resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and then the resin layer is laminated, followed by another carrier attachment. A copper foil (second layer) is bonded from the ultrathin copper layer side.
Next, as shown to FIG. 6-E, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 2nd layer.
Next, as shown in FIG. 6-F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating and form a blind via.
Next, as shown in FIG. 7-G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 7H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 5-B and 5-C.
Next, as shown to FIG. 7-I, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 1st layer.
Next, as shown in FIG. 8J, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 8K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is produced.

上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図7−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。   As the another copper foil with a carrier (second layer), the copper foil with a carrier of the present invention may be used, a conventional copper foil with a carrier may be used, and a normal copper foil may be further used. Further, one or more circuits may be formed on the second-layer circuit shown in FIG. 7-H, and these circuits may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-conductor method. You may carry out by any method of an additive method.

上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路メッキが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図8−Jに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路メッキが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路メッキが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図8−J及び図8−Kに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路メッキの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路メッキ上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。   According to the printed wiring board manufacturing method as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, for example, when removing the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. In addition, the circuit plating is protected by the resin layer and the shape thereof is maintained, thereby facilitating the formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved, and the continuity of the circuit wiring is satisfactorily suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. Also, as shown in FIGS. 8J and 8K, when the ultrathin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating is recessed from the resin layer, so that bumps are formed on the circuit plating. In addition, copper pillars can be easily formed thereon, and the production efficiency is improved.

なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。   A known resin or prepreg can be used as the embedding resin (resin). For example, a prepreg that is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, an ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. Moreover, the resin layer and / or resin and / or prepreg as described in this specification can be used for the embedding resin (resin).

また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。   Moreover, the copper foil with a carrier used for the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil with a carrier. By having the said board | substrate or resin layer, the copper foil with a carrier used for the first layer is supported, and since it becomes difficult to wrinkle, there exists an advantage that productivity improves. As the substrate or resin layer, any substrate or resin layer can be used as long as it has an effect of supporting the copper foil with carrier used in the first layer. For example, as the substrate or resin layer, the carrier, prepreg, resin layer and known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate described in the present specification, Organic compound foils can be used.

以下、実施例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。なお、以下の実施例1〜6、11〜15及び比較例1〜5の原箔には、標準圧延銅箔TPC(JIS H3100 C1100に規格されているタフピッチ銅、JX日鉱日石金属製)18μmを使用した。
また、実施例7〜10の原箔には以下の方法により製造したキャリア付銅箔を用いた。
実施例7〜10は、厚さ18μmの電解銅箔(JX日鉱日石金属製 JTC箔)をキャリアとして準備し、実施例12については上述の厚さ18μmの標準圧延銅箔TPCをキャリアとして準備した。そして下記条件で、キャリアの表面に中間層を形成し、中間層の表面に極薄銅層を形成した。なお、キャリアが電解銅箔の場合には光沢面(S面)に中間層を形成した。
Hereinafter, description will be made based on Examples and Comparative Examples. In addition, a present Example is an example to the last, and is not restrict | limited only to this example. That is, other aspects or modifications included in the present invention are included. In addition, in the following raw foils of Examples 1 to 6, 11 to 15 and Comparative Examples 1 to 5, standard rolled copper foil TPC (tough pitch copper standardized in JIS H3100 C1100, manufactured by JX Nippon Mining & Metals) 18 μm It was used.
Moreover, the copper foil with a carrier manufactured with the following method was used for the original foil of Examples 7-10.
In Examples 7 to 10, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm (JTC foil made by JX Nippon Mining & Metals) was prepared as a carrier, and in Example 12, the above-described standard rolled copper foil TPC having a thickness of 18 μm was prepared as a carrier. did. Under the following conditions, an intermediate layer was formed on the surface of the carrier, and an ultrathin copper layer was formed on the surface of the intermediate layer. When the carrier was an electrolytic copper foil, an intermediate layer was formed on the glossy surface (S surface).

・実施例7
<中間層>
(1)Ni層(Niメッキ)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより1000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル:270〜280g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
ホウ酸:30〜40g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
pH:4〜6
浴温:55〜65℃
電流密度:10A/dm2
(2)Cr層(電解クロメート処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でNi層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0g/L
pH:7〜10
液温:40〜60℃
電流密度:2A/dm2
<極薄銅層>
次に、(2)にて形成したCr層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Cr層の上に厚み1.5μmの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付銅箔を作製した。
銅濃度:90〜110g/L
硫酸濃度:90〜110g/L
塩化物イオン濃度:50〜90ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
なお、レベリング剤2として下記のアミン化合物を用いた。
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:50〜80℃
電流密度:100A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
-Example 7
<Intermediate layer>
(1) Ni layer (Ni plating)
An Ni layer having an adhesion amount of 1000 μg / dm 2 was formed on the carrier by electroplating on a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
Nickel sulfate: 270-280 g / L
Nickel chloride: 35 to 45 g / L
Nickel acetate: 10-20g / L
Boric acid: 30-40 g / L
Brightener: Saccharin, butynediol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 55-75 ppm
pH: 4-6
Bath temperature: 55-65 ° C
Current density: 10 A / dm 2
(2) Cr layer (electrolytic chromate treatment)
Next, after the surface of the Ni layer formed in (1) was washed with water and pickled, a Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was subsequently formed on the Ni layer on a roll-to-roll type continuous plating line. It was made to adhere by carrying out the electrolytic chromate process on the conditions of.
Potassium dichromate 1-10g / L, zinc 0g / L
pH: 7-10
Liquid temperature: 40-60 degreeC
Current density: 2 A / dm 2
<Ultrathin copper layer>
Next, after the surface of the Cr layer formed in (2) is washed with water and pickled, an ultrathin copper layer having a thickness of 1.5 μm is continuously formed on the Cr layer on a roll-to-roll-type continuous plating line. It formed by electroplating on condition of the following, and produced copper foil with a carrier.
Copper concentration: 90-110 g / L
Sulfuric acid concentration: 90-110 g / L
Chloride ion concentration: 50-90ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
In addition, the following amine compound was used as the leveling agent 2.
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)
Electrolyte temperature: 50-80 ° C
Current density: 100 A / dm 2
Electrolyte linear velocity: 1.5-5 m / sec

・実施例8
<中間層>
(1)Ni−Mo層(ニッケルモリブデン合金メッキ)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより3000μg/dm2の付着量のNi−Mo層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
(液組成)硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
<極薄銅層>
(1)で形成したNi−Mo層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを2μmとした以外は実施例7と同様の条件で極薄銅層を形成した。
Example 8
<Intermediate layer>
(1) Ni-Mo layer (nickel molybdenum alloy plating)
A Ni—Mo layer having an adhesion amount of 3000 μg / dm 2 was formed on the carrier by electroplating on a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
(Liquid composition) Ni sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds <Ultra-thin copper layer>
An ultrathin copper layer was formed on the Ni-Mo layer formed in (1). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 2 μm.

・実施例9
<中間層>
(1)Ni層(Niメッキ)
実施例7と同じ条件でNi層を形成した。
(2)有機物層(有機物層形成処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でNi層表面に対して濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
<極薄銅層>
(2)で形成した有機物層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを3μmとした以外は実施例7と同様の条件で極薄銅層を形成した。
Example 9
<Intermediate layer>
(1) Ni layer (Ni plating)
A Ni layer was formed under the same conditions as in Example 7.
(2) Organic layer (Organic layer formation treatment)
Next, the surface of the Ni layer formed in (1) is washed with water and pickled, and subsequently contains carboxybenzotriazole (CBTA) at a concentration of 1 to 30 g / L with respect to the Ni layer surface under the following conditions. An organic layer was formed by spraying an aqueous solution of 40 ° C. and pH 5 after 20 to 120 seconds of showering.
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer was formed on the organic layer formed in (2). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 3 μm.

・実施例10
<中間層>
(1)Co−Mo層(コバルトモリブデン合金メッキ)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより4000μg/dm2の付着量のCo−Mo層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
(液組成)硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
<極薄銅層>
(1)で形成したCo−Mo層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを実施例7は5μmとした以外は実施例7と同様の条件で極薄銅層を形成した。
Example 10
<Intermediate layer>
(1) Co-Mo layer (cobalt molybdenum alloy plating)
A Co—Mo layer having an adhesion amount of 4000 μg / dm 2 was formed on the carrier by electroplating using a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
(Liquid composition) Co sulfate 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds <Ultra-thin copper layer>
An ultrathin copper layer was formed on the Co—Mo layer formed in (1). The ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 7 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 5 μm in Example 7.

(実施例1〜15)
圧延銅箔(実施例1〜6、11〜15)またはキャリア付銅箔の極薄銅層表面(実施例7〜10)に、下記に示す条件範囲で、一次粒子層(Cu)、二次粒子層(銅−コバルト−ニッケル合金メッキ)形成した。
使用した浴組成及びメッキ条件は、次の通りである。
(Examples 1 to 15)
On the surface of the ultrathin copper layer (Examples 7 to 10) of the rolled copper foil (Examples 1 to 6, 11 to 15) or the copper foil with carrier (Examples 7 to 10), the primary particle layer (Cu) and the secondary are within the following condition ranges. A particle layer (copper-cobalt-nickel alloy plating) was formed.
The bath composition and plating conditions used are as follows.

[浴組成及びメッキ条件]
(A)一次粒子層の形成(Cuメッキ)
液組成 :銅15g/L、硫酸75g/L
液温 :25〜30℃
電流密度 :1〜70A/dm2
クーロン量:2〜90As/dm2
(B)二次粒子層の形成(Cu−Co−Ni合金メッキ)
液組成 :銅15g/L、ニッケル8g/L、コバルト8g/L
pH :2
液温 :40℃
電流密度 :10〜50A/dm2
クーロン量:10〜80As/dm2
[Bath composition and plating conditions]
(A) Formation of primary particle layer (Cu plating)
Liquid composition: Copper 15g / L, sulfuric acid 75g / L
Liquid temperature: 25-30 degreeC
Current density: 1 to 70 A / dm 2
Coulomb amount: 2 to 90 As / dm 2
(B) Formation of secondary particle layer (Cu—Co—Ni alloy plating)
Liquid composition: Copper 15g / L, nickel 8g / L, cobalt 8g / L
pH: 2
Liquid temperature: 40 ° C
Current density: 10 to 50 A / dm 2
Coulomb amount: 10-80 As / dm 2

上記の一次粒子層の形成(Cuメッキ)及び二次粒子層の形成(Cu−Co−Ni合金メッキ)の条件を調整して、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500以上となるようにした。表面積の測定は、上記レーザー顕微鏡による測定法を用いた。   By adjusting the conditions of the formation of the primary particle layer (Cu plating) and the formation of the secondary particle layer (Cu-Co-Ni alloy plating), the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope is It was made to become 1500 or more. The surface area was measured by the measurement method using the laser microscope.

(比較例1〜5)
比較例において、使用した浴組成及びメッキ条件は、次の通りである。
[浴組成及びメッキ条件]
(A)一次粒子層の形成(銅メッキ)
液組成 :銅15g/L、硫酸75g/L
液温 :25〜35℃
電流密度 :1〜70A/dm2
クーロン量:2〜90As/dm2
(B)二次粒子層の形成(Cu−Co−Ni合金メッキ条件)
液組成 :銅15g/L、ニッケル8g/L、コバルト8g/L
pH :2
液温 :40℃
電流密度 :20〜50A/dm2
クーロン量:30〜80As/dm2
(Comparative Examples 1-5)
In the comparative example, the bath composition and plating conditions used are as follows.
[Bath composition and plating conditions]
(A) Formation of primary particle layer (copper plating)
Liquid composition: Copper 15g / L, sulfuric acid 75g / L
Liquid temperature: 25-35 degreeC
Current density: 1 to 70 A / dm 2
Coulomb amount: 2 to 90 As / dm 2
(B) Formation of secondary particle layer (Cu—Co—Ni alloy plating conditions)
Liquid composition: Copper 15g / L, nickel 8g / L, cobalt 8g / L
pH: 2
Liquid temperature: 40 ° C
Current density: 20 to 50 A / dm 2
Coulomb amount: 30-80 As / dm 2

<一次粒子層及び二次粒子層以外の表面処理層>
一次粒子層及び二次粒子層の形成後、一部の実施例及び比較例については、以下の条件による表面処理層を行った。
(実施例3、4、8、9、比較例1〜4)
・Co−Niメッキ:コバルトニッケル合金メッキ
液組成 :ニッケル5〜20g/L、コバルト1〜8g/L
pH :2〜3
液温 :40〜60℃
電流密度 :5〜20A/dm2
クーロン量:10〜20As/dm2
<Surface treatment layer other than primary particle layer and secondary particle layer>
After the formation of the primary particle layer and the secondary particle layer, a surface treatment layer was performed under the following conditions for some examples and comparative examples.
(Examples 3, 4, 8, 9 and Comparative Examples 1 to 4)
Co-Ni plating: Cobalt-nickel alloy plating Liquid composition: Nickel 5-20 g / L, cobalt 1-8 g / L
pH: 2-3
Liquid temperature: 40-60 degreeC
Current density: 5 to 20 A / dm 2
Coulomb amount: 10-20 As / dm 2

(実施例5、10)
・Ni−Znメッキ:ニッケル亜鉛合金メッキ
液組成 :ニッケル2〜30g/L、亜鉛2〜30g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
なお、実施例5及び10については、Ni−Znメッキ後に、電解クロメート処理並びにジアミノシランを用いたシランカップリング処理を行った。
(Examples 5 and 10)
Ni-Zn plating: Nickel zinc alloy plating Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, zinc 2-30 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2
In Examples 5 and 10, after Ni-Zn plating, electrolytic chromate treatment and silane coupling treatment using diaminosilane were performed.

(実施例6)
・Ni−Cuメッキ:ニッケル銅合金メッキ
液組成 :ニッケル2〜30g/L、銅2〜30g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Example 6)
Ni-Cu plating: Nickel copper alloy plating Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, Copper 2-30 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(実施例11)
・Ni−Moメッキ:ニッケルモリブデン合金メッキ
液組成 :硫酸Ni六水和物:45〜55g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:50〜70g/dm3、クエン酸ナトリウム:80〜100g/dm3
液温 :20〜40℃
電流密度 :1〜4A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
なお、実施例11については、Ni−Moメッキ後に、電解クロメート処理を行った。
(Example 11)
Ni-Mo plating: nickel molybdenum alloy plating Liquid composition: Ni sulfate sulfate hexahydrate: 45-55 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 50-70 g / dm 3 , sodium citrate: 80-100 g / dm 3
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Current density: 1 to 4 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2
In addition, about Example 11, the electrolytic chromate process was performed after Ni-Mo plating.

(実施例12)
・Ni−Snメッキ:ニッケル錫合金メッキ
液組成 :ニッケル2〜30g/L、錫2〜30g/L
pH :1.5〜4.5
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
なお、実施例12については、Ni−Snメッキ後に、ジアミノシランを用いたシランカップリング処理を行った。
(Example 12)
Ni-Sn plating: Nickel tin alloy plating Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, tin 2-30 g / L
pH: 1.5-4.5
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2
In addition, about Example 12, the silane coupling process using diaminosilane was performed after Ni-Sn plating.

(実施例13)
・Ni−Pメッキ:ニッケルリン合金メッキ
液組成 :ニッケル30〜70g/L、リン0.2〜1.2g/L
pH :1.5〜2.5
液温 :30〜40℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Example 13)
Ni-P plating: Nickel phosphorus alloy plating Liquid composition: Nickel 30-70 g / L, Phosphorus 0.2-1.2 g / L
pH: 1.5-2.5
Liquid temperature: 30-40 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(実施例14)
・Ni−Wメッキ:ニッケルタングステン合金メッキ
液組成 :ニッケル2〜30g/L、W0.01〜5g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
なお、実施例14については、Ni−Wメッキ後に、電解クロメート処理並びにジアミノシランを用いたシランカップリング処理を行った。
(Example 14)
-Ni-W plating: Nickel tungsten alloy plating Liquid composition: Nickel 2-30 g / L, W 0.01-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2
In Example 14, after the Ni-W plating, electrolytic chromate treatment and silane coupling treatment using diaminosilane were performed.

(実施例15)
・Ni−Crメッキ:ニッケルクロム合金メッキ
Ni:80mass%、Cr:20mass%の組成のスパッタリングターゲットを用いてニッケルクロム合金メッキ層を形成した。
ターゲット:Ni:80mass%、Cr:20mass%
装置:株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力:DC50W
アルゴン圧力:0.2Pa
(Example 15)
Ni-Cr plating: nickel chromium alloy plating A nickel chromium alloy plating layer was formed using a sputtering target having a composition of Ni: 80 mass% and Cr: 20 mass%.
Target: Ni: 80 mass%, Cr: 20 mass%
Equipment: Sputtering equipment manufactured by ULVAC, Inc. Output: DC50W
Argon pressure: 0.2 Pa

上記実施例により形成した銅箔上の一次粒子層(Cuメッキ)及び二次粒子層(Cu−Co−Ni合金メッキ)を形成した場合の、一次粒子の平均粒子径、二次粒子の平均粒子径、粉落ち、ピール強度、耐熱性、粗化処理面の一定領域の高さヒストグラムの平均値(凹凸高さ)を測定した結果を表1に示す。ここで、測定した「粗化処理面」は、一次粒子層及び二次粒子層を形成した側の最表面とした。なお、二次粒子層上に、Co−Niメッキ、Ni−Znメッキ、クロメート層、シランカップリング層等の、一次粒子層及び二次粒子層以外の表面処理層が形成されているものは、これらの層のうちの最表層の表面を粗化処理面として測定した(すなわち、銅箔の全ての表面処理層が形成された後の一次粒子層及び二次粒子層が存在する側の表面を測定した)。
粗化処理面の一次粒子および二次粒子の平均粒子径は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製S4700(走査型電子顕微鏡)を用いて、30000倍の倍率で粒子観察および写真撮影を行い、得られた写真に基づいて各一次粒子および二次粒子についてそれぞれ粒子径を測定した。そして、当該得られた各一次粒子および二次粒子の粒子径の算術平均値を一次粒子の平均粒子径および二次粒子の平均粒子径の値とした。なお、走査型電子顕微鏡写真の粒子の上に直線を引いた場合に、粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の粒子の長さをその粒子の粒径とした。なお測定視野の大きさは1視野当たり面積13.44μm2(=4.2μm×3.2μm)とし、1視野について測定した。なお、走査型電子顕微鏡写真で観察した際に、重なって見える粒子であって銅箔側(下方)に存在する粒子、および、重なっていない粒子を一次粒子とし、重なって見える粒子であって他の粒子の上に存在する粒子を二次粒子と判定した。
Average particle diameter of primary particles and average particle of secondary particles when primary particle layer (Cu plating) and secondary particle layer (Cu-Co-Ni alloy plating) on copper foil formed according to the above example are formed. Table 1 shows the results of measuring the average value (unevenness height) of the diameter, powder fall, peel strength, heat resistance, and height histogram of a certain region of the roughened surface. Here, the measured “roughening surface” was the outermost surface on the side where the primary particle layer and the secondary particle layer were formed. In addition, on the secondary particle layer, a surface treatment layer other than the primary particle layer and the secondary particle layer, such as Co-Ni plating, Ni-Zn plating, chromate layer, silane coupling layer, is formed. The surface of the outermost layer of these layers was measured as a roughened surface (that is, the surface on the side where the primary particle layer and the secondary particle layer existed after all the surface treatment layers of the copper foil were formed). It was measured).
The average particle size of the primary and secondary particles on the roughened surface was obtained by performing particle observation and photography at a magnification of 30000 times using S4700 (scanning electron microscope) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation. The particle diameter was measured for each primary particle and secondary particle based on the photograph. And the arithmetic average value of the particle diameter of each obtained primary particle and secondary particle was made into the value of the average particle diameter of a primary particle, and the average particle diameter of a secondary particle. In addition, when a straight line was drawn on the particle | grains of the scanning electron micrograph, the length of the particle | grain of the part with the longest length of the straight line crossing particle | grains was made into the particle size of the particle | grain. The size of the measurement visual field was 13.44 μm 2 (= 4.2 μm × 3.2 μm) per visual field, and measurement was performed for one visual field. In addition, when observed with a scanning electron micrograph, particles that appear to overlap and exist on the copper foil side (lower side), and particles that do not overlap are primary particles, and other particles that appear to overlap. Particles existing on the particles were determined as secondary particles.

レーザー顕微鏡による粗化処理面の高さヒストグラムの平均値(凹凸高さ)の測定法は、株式会社キーエンス製レーザーマイクロスコープVK8500を用いて倍率を1000倍に設定して、レーザー顕微鏡のステージに測定対象である銅箔を載せた後に、フォーカシングハンドルで当該ステージの位置を調整して、銅箔の粗化処理面にレーザー顕微鏡のレンズのピント(焦点)が合うようにした後に、以下の「DISTANCE・PITCHの設定」を行った後に、銅箔の粗化処理面を測定した。
「DISTANCE・PITCHの設定」は、VK−8500ユーザーズマニュアル4−3ページの記載に基づいて行った。PITCHは0.1μmに設定した。なお、参考に、当該VK−8500ユーザーズマニュアル4−3ページの「DISTANCE・PITCHの設定」に掲載された操作画面の例を図10に示す。
また、VK−8500ユーザーズマニュアル4−3ページの「1〔▲〕(レンズ位置移動)ボタンをクリックして画像のピントが合わなくなる位置までレンズを上に動かします。」の「画像のピントが合わなくなる位置」は、像が見えているレンズの高さから、〔▲〕(レンズ位置移動)ボタンをクリックして徐々にレンズの高さを上げて、そのレンズを対象(粗化処理面)から遠ざけていき、粗化処理面の像が明らかにぼやけて見える位置とした。
また、VK−8500ユーザーズマニュアル4−3ページの「3〔▼〕(レンズ位置移動)ボタンをクリックして画像のピントが合わなくなる位置までレンズを下に動かします。」の「画像のピントが合わなくなる位置」は、像が見えているレンズの高さから、〔▼〕(レンズ位置移動)ボタンをクリックして徐々にレンズの高さを下げて、レンズを粗化処理面に近づけ、粗化処理面の像が明らかにぼやけて見える位置とした。なお、上記「DISTANCE・PITCHの設定」及びレーザー顕微鏡のステージの位置の調整は各実施例、比較例毎に行った。
そして、得られた結果について、有効面積が786432μm2(測定領域100%)における計測解析により凹凸の高さを、解析ソフトKVH1A9を用いてヒストグラム化し、その平均値を求めた。具体的には、「ヒストグラム詳細(濃淡特徴)」の画面を表示し、「表示データ」として「高さ」を選択し、「表示形式」として「ヒストグラム」を選択し、「濃度計測」の表の「項目:平均」の値を読み取り、当該読み取った値の小数点以下を四捨五入した値を「レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値」とした。なお、前記解析ソフトKVH1A9は、株式会社キーエンス製レーザーマイクロスコープVK8500に備え付けられているものを用いた。
The measurement method of the average value (unevenness height) of the height histogram of the roughened surface by a laser microscope is set on a laser microscope stage using a Keyence Corporation laser microscope VK8500 with a magnification of 1000 times. After placing the target copper foil, the position of the stage is adjusted with the focusing handle so that the roughened surface of the copper foil is brought into focus with the lens of the laser microscope. After “PITCH setting”, the roughened surface of the copper foil was measured.
“DISTANCE / PITCH setting” was performed based on the description in page 4-3 of the VK-8500 User's Manual. PITCH was set to 0.1 μm. For reference, FIG. 10 shows an example of an operation screen published in “DISTANCE / PITCH setting” on page 4-3 of the VK-8500 user's manual.
Also, on page 4-3 of the VK-8500 User's Manual, click “1 [▲] (Lens position move) button and move the lens up to a position where the image is out of focus”. “Position of disappearance” refers to the height of the lens where the image is visible, click the [▲] (Move lens position) button, gradually increase the lens height, and move the lens away from the target (roughening surface). The position of the roughened surface was clearly blurred as it moved away.
Also, on page 4-3 of the VK-8500 User's Manual, click “3 [▼] (Move lens position) button and move the lens down to a position where the image is out of focus.” The “position where it disappears” refers to the height of the lens where the image is visible. Click the [▼] (Move lens position) button and gradually lower the lens height to bring the lens closer to the roughened surface. The processing surface image was clearly blurred. In addition, the above-mentioned “DISTANCE / PITCH setting” and adjustment of the position of the stage of the laser microscope were performed for each example and comparative example.
And about the obtained result, the height of the unevenness | corrugation was made into a histogram using the analysis software KVH1A9 by the measurement analysis in the effective area of 786432 μm 2 (measurement region 100%), and the average value was obtained. Specifically, display the “Histogram details (shading characteristics)” screen, select “Height” as “Display data”, select “Histogram” as “Display format”, and display the table of “Density measurement”. The value of “item: average” was read, and the value obtained by rounding off the decimal point of the read value was defined as “the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope”. Note that the analysis software KVH1A9 used was equipped with a laser microscope VK8500 manufactured by Keyence Corporation.

粉落ち特性は銅箔の粗化処理面上に透明なメンディングテープを貼り付け、このテープを剥がした際にテープ粘着面に付着する脱落粗化粒子により、テープが変色する様子から粉落ち特性を評価した。すなわちテープの変色が無い、または僅かな場合は粉落ちOKとして、テープが灰色に変色する場合は粉落ちNGとした。常態ピール強度は銅箔粗化処理面とFR4樹脂基板を熱プレスにて貼り合わせて銅張積層板を作製し、一般的な塩化銅回路エッチング液を使用して10mm回路を作製し、10mm回路銅箔を基板から剥いて、90°方向に引っ張りながら常態ピール強度を測定した。   The powder-off characteristics are based on the appearance of the tape discoloring due to the falling roughened particles adhering to the adhesive surface of the tape when a transparent mending tape is applied on the roughened surface of the copper foil. Evaluated. That is, when there was no or slight discoloration of the tape, the powder was OK, and when the tape was gray, the powder was NG. The normal peel strength is obtained by bonding a copper foil roughened surface and an FR4 resin substrate by hot pressing to produce a copper clad laminate, producing a 10 mm circuit using a general copper chloride circuit etching solution, and producing a 10 mm circuit. The copper foil was peeled from the substrate, and the normal peel strength was measured while pulling in the 90 ° direction.

(伝送損失の測定)
18μm厚の各サンプルについて、表1に記載の樹脂基板(LCP:液晶ポリマー樹脂(株式会社クラレ製Vecstar CTZ−50μm)、ポリイミド:カネカ製 厚み50μm、フッ素樹脂 厚み50μm:デュポン製)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzおよび周波数40GHzでの伝送損失を求めた。なお、実施例7〜10については、キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面を表1に記載の樹脂基板と貼り合わせた後、キャリアを剥離した後、銅メッキをして、極薄銅層と銅メッキとの合計厚みを18μmとした後に、上記と同様の伝送損失の測定を行った。周波数20GHzにおける伝送損失の評価として、3.7dB/10cm未満を◎、3.7dB/10cm以上且つ4.1dB/10cm未満を○、4.1dB/10cm以上且つ5.0dB/10cm未満を△、5.0dB/10cm以上を×とした。
(Measurement of transmission loss)
About each sample of 18 micrometers thickness, it bonded together with the resin substrate (LCP: liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50micrometer made by Kuraray Co., Ltd.), polyimide: Kaneka thickness 50 micrometers, fluororesin thickness 50 micrometers: DuPont) about each sample of 18 micrometers. Thereafter, a microstrip line was formed by etching so that the characteristic impedance was 50Ω, and a transmission coefficient was measured using a network analyzer HP8720C manufactured by HP, and transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz was obtained. In addition, about Examples 7-10, after bonding the surface by the side of the ultra-thin copper layer of copper foil with a carrier with the resin substrate of Table 1, after peeling a carrier, copper plating was carried out, and ultra-thin After the total thickness of the copper layer and the copper plating was 18 μm, the transmission loss was measured as described above. As an evaluation of transmission loss at a frequency of 20 GHz, 未 満 less than 3.7 dB / 10 cm, ◎ 3.7 dB / 10 cm or more and less than 4.1 dB / 10 cm, 、 4 4.1 dB / 10 cm or more and less than 5.0 dB / 10 cm, △, 5.0 dB / 10 cm or more was defined as x.

また、比較例として、同様の結果を表1に示す。
なお、表1の一次粒子電流条件欄に電流条件、クーロン量が2つ記載されている例は、左に記載されている条件でメッキを行った後に、右に記載されている条件で更にメッキを行ったことを意味する。例えば、実施例1の一次粒子電流条件欄には「(65A/dm2、80As/dm2)+(20A/dm2、30As/dm2)」と記載されているが、これは一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2、クーロン量を80As/dm2でメッキを行った後に、更に一次粒子を形成する電流密度を20A/dm2、クーロン量を30As/dm2としてメッキを行ったことを示す。
Moreover, the same result is shown in Table 1 as a comparative example.
In addition, in the example where the current condition and two coulomb amounts are described in the primary particle current condition column in Table 1, after performing plating under the conditions described on the left, further plating is performed under the conditions described on the right. Means that For example, in the primary particle current condition column of Example 1, “(65 A / dm 2 , 80 As / dm 2 ) + (20 A / dm 2 , 30 As / dm 2 )” is described. After plating with a current density of 65 A / dm 2 and a coulomb amount of 80 As / dm 2 , plating was further performed with a current density of forming primary particles of 20 A / dm 2 and a coulomb amount of 30 As / dm 2 . It shows that.

表1から明らかなように、本発明の実施例の結果は、次の通りである。
実施例1は、一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2と20A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と30As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を28A/dm2とし、クーロン量を20As/dm2とした場合である。
なお、一次粒子を形成する電流密度とクーロン量が2段階になっているが、通常一次粒子を形成する場合には、2段階の電気メッキが必要となる。すなわち、第1段階の核粒子形成のメッキ条件と第2段階の核粒子の成長の電気メッキである。
最初のメッキ条件は、第1段階の核形成粒子形成のための電気メッキ条件であり、次のメッキ条件は、第2段階の核粒子の成長のための電気メッキ条件である。以下の実施例及び比較例についても同様なので、説明は省略する。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.45μmで、二次粒子の平均粒子径が0.30μmであり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は2689となり、本願発明の条件を満たしていた。
この結果、粉落ちが少なく、常態ピール強度が1.16kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
なお、耐熱劣化率は以下の式で求めた。
耐熱劣化率(%)=(常態ピール強度(kg/cm)−180℃48時間加熱後のピール強度(kg/cm))/常態ピール強度(kg/cm)×100
As is apparent from Table 1, the results of the examples of the present invention are as follows.
In Example 1, the current density for forming the primary particles is 65 A / dm 2 and 20 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 30 As / dm 2. This is a case where 28 A / dm 2 is used and the coulomb amount is 20 As / dm 2 .
In addition, although the current density and the amount of Coulomb which form primary particles are two steps, when forming primary particles normally, two steps of electroplating are required. That is, the plating conditions for the first stage nuclear particle formation and the electroplating for the growth of the second stage nuclear particles.
The first plating condition is an electroplating condition for forming the first stage nucleation particles, and the next plating condition is an electroplating condition for growing the second stage nucleation particles. The same applies to the following examples and comparative examples, and the description is omitted.
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.45 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.30 μm, and the average height of the irregularities on the roughened surface by the laser microscope was 2689. The conditions were met.
As a result, there was little powder falling and the normal peel strength was as high as 1.16 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement was measured and the difference was taken as the deterioration rate) Was less than 30%.
In addition, the heat-resistant deterioration rate was calculated | required with the following formula | equation.
Thermal degradation rate (%) = (Normal peel strength (kg / cm) −Peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours) / Normal peel strength (kg / cm) × 100

実施例2は、一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2と2A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と4As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を15As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.40μmで、二次粒子の平均粒子径が0.15μmであり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1556となり、本願発明の条件を満たしていた。
この結果、粉落ちがなく、常態ピール強度が1.08kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 2, the current density for forming the primary particles is 65 A / dm 2 and 2 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 4 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 is used and the coulomb amount is 15 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.40 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.15 μm, and the average height of the irregularities on the roughened surface by the laser microscope was 1556, which is the invention of the present application. The conditions were met.
As a result, there was no powder falling and the normal peel strength was as high as 1.08 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement was measured and the difference was taken as the deterioration rate) Was less than 30%.

実施例3は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と10A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による凹凸の高さの平均値は1809となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちは無かった。常態ピール強度が0.92kg/cmと高く、また、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
Example 3 is a case where the current density for forming the primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles is 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles is 0.25 μm, and the average height of the irregularities by the laser microscope on the roughened surface is 1809, which is the invention of the present application. The conditions were met.
There was no powder fall. The normal peel strength is as high as 0.92 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the deterioration rate) is as small as 30% or less. It had the characteristics.

実施例4は、一次粒子を形成する電流密度を55A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を75As/dm2と5As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1862となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちがなく、常態ピール強度が0.94kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 4, the current density for forming the primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1862, which is the condition of the present invention. Was met.
No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.94 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例5は、一次粒子を形成する電流密度を50A/dm2と5A/dm2とし、クーロン量を70As/dm2と10As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1857となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちがなく、常態ピール強度が0.94kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 5, the current density for forming the primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average value of the height of the roughened surface by the laser microscope was 1857, which is the condition of the present invention. Was met. No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.94 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例6は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と15A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子(二次粒子層)を形成する電流密度を20A/dm2とし、クーロン量を60As/dm2として被せメッキ(正常メッキ)をした後に、さらに電流密度を20A/dm2とし、クーロン量20As/dm2として粒子を形成した場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子は被せ(正常)メッキ状態(粒径は0.1μm未満)および平均粒子径0.15μmの2段階構成となり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1752となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちがなく、常態ピール強度が0.83kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
Example 6 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 15 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2. Secondary particles (secondary particle layer) After forming a current density of 20 A / dm 2 and a coulomb amount of 60 As / dm 2 and performing plating (normal plating), the current density is further set to 20 A / dm 2 and the particles are formed with a coulomb amount of 20 As / dm 2. This is the case.
As a result, the primary particle has an average particle size of 0.35 μm, the secondary particles are covered (normal) in a plated state (particle size is less than 0.1 μm), and the average particle size is 0.15 μm. The average height of the irregularities on the roughened surface was 1752, which satisfied the conditions of the present invention. No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.83 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after measurement of normal peel, and the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例7は、一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2と2A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と4As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を15As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.41μmで、二次粒子の平均粒子径が0.16μmであり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1560となり、本願発明の条件を満たしていた。
この結果、粉落ちがなく、常態ピール強度が1.09kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 7, the current density for forming the primary particles is 65 A / dm 2 and 2 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 4 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 is used and the coulomb amount is 15 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles is 0.41 μm, the average particle diameter of the secondary particles is 0.16 μm, and the average height of the irregularities on the roughened surface by the laser microscope is 1560, which is the present invention. The conditions were met.
As a result, there was no powder falling, the normal peel strength was as high as 1.09 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (after measuring the normal peel, the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours was measured and the difference was taken as the deterioration rate) Was less than 30%.

実施例8は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と10A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.31μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による凹凸の高さの平均値は1814となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちは無かった。常態ピール強度が0.93kg/cmと高く、また、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
Example 8 is a case where the current density for forming the primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2 and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.31 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average height of the irregularities by the laser microscope on the roughened surface was 1814. The conditions were met.
There was no powder fall. The normal peel strength is as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the difference) is as small as 30% or less. It had the characteristics.

実施例9は、一次粒子を形成する電流密度を55A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を75As/dm2と5As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子の平均粒子径が0.26μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1866となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちがなく、常態ピール強度が0.95kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
Example 9 is a case where the current density for forming the primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2 and the coulomb amounts are 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.26 μm, and the average value of the height of the roughened surface by the laser microscope was 1866, which is the condition of the present invention. Was met.
No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.95 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, and the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例10は、一次粒子を形成する電流密度を50A/dm2と5A/dm2とし、クーロン量を70As/dm2と10As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1858となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちがなく、常態ピール強度が0.94kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 10, the current density for forming the primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1858. Was met. No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.94 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例11は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と10A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による凹凸の高さの平均値は1808となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちは無かった。常態ピール強度が0.93kg/cmと高く、また、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 11, when the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2 and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2 , the current density for forming secondary particles is This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles is 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles is 0.25 μm, and the average value of the height of the irregularities by the laser microscope on the roughened surface is 1808, which is the invention of the present application. The conditions were met.
There was no powder fall. The normal peel strength is as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the difference) is as small as 30% or less. It had the characteristics.

実施例12は、一次粒子を形成する電流密度を55A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を75As/dm2と5As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1861となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちがなく、常態ピール強度が0.94kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 12, the current density for forming primary particles is 55 A / dm 2 and 1 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 75 As / dm 2 and 5 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average value of the height of the roughened surface by the laser microscope was 1861, which is the condition of the present invention. Was met.
No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.94 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例13は、一次粒子を形成する電流密度を50A/dm2と5A/dm2とし、クーロン量を70As/dm2と10As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1858となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちがなく、常態ピール強度が0.94kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 13, the current density for forming the primary particles is 50 A / dm 2 and 5 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 70 As / dm 2 and 10 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.25 μm, and the average height of the roughened surface by the laser microscope was 1858. Was met. No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.94 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例14は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と15A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子(二次粒子層)を形成する電流密度を20A/dm2とし、クーロン量を60As/dm2として被せメッキ(正常メッキ)をした後に、さらに電流密度を20A/dm2とし、クーロン量20As/dm2として粒子を形成した場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子は被せ(正常)メッキ状態(粒径は0.1μm未満)および平均粒子径0.15μmの2段階構成となり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1751となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちがなく、常態ピール強度が0.84kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
Example 14 is a case where the current density for forming primary particles is 60 A / dm 2 and 15 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2. Secondary particles (secondary particle layer) After forming a current density of 20 A / dm 2 and a coulomb amount of 60 As / dm 2 and performing plating (normal plating), the current density is further set to 20 A / dm 2 and the particles are formed with a coulomb amount of 20 As / dm 2. This is the case.
As a result, the primary particle has an average particle size of 0.35 μm, the secondary particles are covered (normal) in a plated state (particle size is less than 0.1 μm), and the average particle size is 0.15 μm. The average value of the unevenness of the roughened surface was 1751, which satisfied the conditions of the present invention. No powder fall off, normal peel strength is as high as 0.84 kg / cm, heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after normal peel measurement, and the difference was taken as the deterioration rate) 30% It had the following small features.

実施例15は、一次粒子を形成する電流密度を60A/dm2と10A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と20As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を25A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.30μmで、二次粒子の平均粒子径が0.25μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による凹凸の高さの平均値は1805となり、本願発明の条件を満たしていた。
粉落ちは無かった。常態ピール強度が0.93kg/cmと高く、また、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいという特徴を備えていた。
In Example 15, the current density for forming the primary particles is 60 A / dm 2 and 10 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 20 As / dm 2. This is a case where 25 A / dm 2 and the coulomb amount are 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles is 0.30 μm, the average particle diameter of the secondary particles is 0.25 μm, and the average height of the irregularities by the laser microscope on the roughened surface is 1805, which is the invention of the present application. The conditions were met.
There was no powder fall. The normal peel strength is as high as 0.93 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the difference) is as small as 30% or less. It had the characteristics.

これに対して、比較例は、次の結果となった。
比較例1は、一次粒子を形成する電流密度を63A/dm2と10A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と30As/dm2とした場合で、二次粒子は形成しなかった場合である。この結果、一次粒子の平均粒子径が0.50μmとなり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による凹凸の高さの平均値は2001となり、本願発明の条件を満たしていた。粉落ちはなく常態ピール強度が1.38kg/cmと高く実施例レベルであった。しかし耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定し手その差を劣化率とした)が60%と著しく悪かった。全体的な高周波回路用銅箔としての評価は、不良であった。
On the other hand, the comparative example has the following results.
In Comparative Example 1, the current density for forming primary particles is 63 A / dm 2 and 10 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 30 As / dm 2, and the secondary particles are not formed. It is. As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.50 μm, and the average value of the unevenness height of the roughened surface by the laser microscope was 2001, which satisfied the conditions of the present invention. There was no powder fall off and the normal peel strength was as high as 1.38 kg / cm, which was an example level. However, the heat resistance deterioration rate (measured peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after measurement of normal peel and the difference was taken as the deterioration rate) was extremely bad at 60%. The overall evaluation as a copper foil for high-frequency circuits was poor.

比較例2は、一次粒子径が存在せず、二次粒子層のみの従来例を示すものである。すなわち、二次粒子を形成する電流密度を50A/dm2とし、クーロン量を30As/dm2とした場合である。
この結果、二次粒子の平均粒子径が0.30μmとなり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は294となり、本発明の条件を満たしていなかった。
粗化粒子の粉落ちが多量に発生した。常態ピール強度が1.25kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいと実施例レベルであった。上記の通り、粉落ちが多量に発生するという問題があるため、全体的な高周波回路用銅箔としての総合評価は、不良であった。
Comparative Example 2 shows a conventional example in which there is no primary particle size and only a secondary particle layer. That is, the current density for forming the secondary particles is 50 A / dm 2 and the coulomb amount is 30 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the secondary particles was 0.30 μm, and the average value of the height of the roughened surface with a laser microscope was 294, which did not satisfy the conditions of the present invention.
A large amount of powdered coarse particles occurred. When the normal peel strength is as high as 1.25 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the deterioration rate) is less than 30% Example level. As described above, since there is a problem that a large amount of powder falls off, the overall evaluation as a copper foil for high-frequency circuits was poor.

比較例3は、一次粒子を形成する電流密度を63A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と2As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を28A/dm2とし、クーロン量を73As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子の平均粒子径が0.60μmであり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1298となり、本発明の条件を満たしていなかった。粉落ちが多量に発生した。常態ピール強度が1.42kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいと実施例レベルであったが、粉落ちが多量に発生した。全体的な高周波回路用銅箔としての評価は、不良であった。
In Comparative Example 3, the current density for forming the primary particles is 63 A / dm 2 and 1 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 2 As / dm 2. This is a case where 28 A / dm 2 and the coulomb amount are 73 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.60 μm, and the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1298, and the present invention The condition of was not satisfied. A large amount of powder fall occurred. When the normal peel strength is as high as 1.42 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the deterioration rate) is as small as 30% or less. Although it was an example level, a large amount of powder falling occurred. The overall evaluation as a copper foil for high-frequency circuits was poor.

比較例4は、一次粒子を形成する電流密度を63A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と2As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を31A/dm2とし、クーロン量を40As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.35μmで、二次粒子の平均粒子径が0.40μmであり、粗化処理面のレーザー顕微鏡による高さの平均値は1227となり、本発明の条件を満たしていなかった。
常態ピール強度が1.37kg/cmと高く、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が30%以下と小さいと実施例レベルであったが、粉落ちが多量に発生した。全体的な高周波回路用銅箔としての評価は、不良であった。
In Comparative Example 4, the current density for forming the primary particles is 63 A / dm 2 and 1 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 2 As / dm 2. This is a case where 31 A / dm 2 and the coulomb amount are 40 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.35 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.40 μm, and the average value of the height of the roughened surface by the laser microscope was 1227, which is the condition of the present invention Did not meet.
When the normal peel strength is as high as 1.37 kg / cm and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement is taken as the deterioration rate) is as small as 30% or less. Although it was an example level, a large amount of powder falling occurred. The overall evaluation as a copper foil for high-frequency circuits was poor.

比較例5は、一次粒子を形成する電流密度を40A/dm2と1A/dm2とし、クーロン量を40As/dm2と2As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を20A/dm2とし、クーロン量を20As/dm2とした場合である。
この結果、一次粒子の平均粒子径が0.15μmで、二次粒子の平均粒子径が0.15μmであり、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値は1367となり、本発明の条件を満たしていなかった。粉落ちは発生しなかった。また、常態ピール強度は0.71kg/cmであり、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)は35%であった。
In Comparative Example 5, the current density for forming the primary particles is 40 A / dm 2 and 1 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 40 As / dm 2 and 2 As / dm 2. This is a case where 20 A / dm 2 is used and the coulomb amount is 20 As / dm 2 .
As a result, the average particle diameter of the primary particles was 0.15 μm, the average particle diameter of the secondary particles was 0.15 μm, and the average value of the unevenness of the roughened surface by the laser microscope was 1367, and the present invention The condition of was not satisfied. Powder fall did not occur. Further, the normal peel strength was 0.71 kg / cm, and the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement was measured and the difference was taken as the deterioration rate) was 35%. .

上記実施例及び比較例の対比から明らかなように、銅箔(原箔)の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層を形成した場合において、粗化処理面の一定領域のレーザー顕微鏡による計測解析において、粗化処理面の凹凸の高さの平均値を1500以上とすることにより、粉落ちと言われる現象を、安定して抑制することができるという優れた効果を有し、さらにピール強度を高め、かつ高周波特性を向上させることができる。
また、一次粒子層の平均粒径を0.25〜0.45μm、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径を0.35μm以下とするのが、上記の効果を達成する上で、さらに有効である。
なお、耐熱処理層にCoが含まれる場合、伝送損失が大きくなる傾向があった。
図9に、実施例1の高さヒストグラムの平均値(凹凸高さ)の解析ソフトKVH1A9による解析結果を示すコンピューター画面の画像を示す。高さヒストグラムの平均値(凹凸高さ)は、図9において、右上の表(濃度計測)の項目「平均」(ここでは2688.98と表示されている)を読み取ったものである。
As is clear from the comparison of the above Examples and Comparative Examples, after forming a primary particle layer of copper on the surface of the copper foil (raw foil), 3 consisting of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. In the case of forming a secondary particle layer made of a base alloy, in the measurement analysis with a laser microscope of a certain region of the roughened surface, by setting the average value of the unevenness of the roughened surface to 1500 or more, It has an excellent effect of being able to stably suppress the phenomenon called powder falling, can further increase peel strength, and can improve high-frequency characteristics.
The average particle diameter of the primary particle layer is 0.25 to 0.45 μm, and the average particle diameter of the secondary particle layer made of a ternary alloy made of copper, cobalt and nickel is 0.35 μm or less. It is more effective in achieving the effect.
When Co is contained in the heat resistant treatment layer, the transmission loss tends to increase.
FIG. 9 shows an image of a computer screen showing an analysis result by the analysis software KVH1A9 of the average value (unevenness height) of the height histogram of the first embodiment. The average value (height of unevenness) of the height histogram is obtained by reading the item “average” (shown here as 2688.98) in the upper right table (density measurement) in FIG. 9.

Claims (22)

銅箔の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金の二次粒子層を形成した銅箔であって、レーザー顕微鏡による粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500以上である高周波回路用銅箔。   A copper foil in which a primary particle layer of copper is formed on the surface of the copper foil, and then a secondary particle layer of a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer, the laser The copper foil for high frequency circuits whose average value of the unevenness | corrugation height of the roughening process surface by a microscope is 1500 or more. 前記銅の一次粒子層の平均粒子径が0.25〜0.45μmであり、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径が0.35μm以下である請求項1に記載の高周波回路用銅箔   The average particle size of the primary particle layer of copper is 0.25 to 0.45 μm, and the average particle size of the secondary particle layer made of a ternary alloy made of copper, cobalt and nickel is 0.35 μm or less. Item 1. Copper foil for high-frequency circuits 前記一次粒子層及び二次粒子層が、電気メッキ層である請求項1又は2に記載の高周波回路用銅箔。   The copper foil for high-frequency circuits according to claim 1 or 2, wherein the primary particle layer and the secondary particle layer are electroplated layers. 前記二次粒子が、前記一次粒子の上に成長した1又は複数個の樹枝状の粒子または前記一次粒子の上に成長した正常メッキ層である請求項1〜3のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   The secondary particle is one or a plurality of dendritic particles grown on the primary particle or a normal plating layer grown on the primary particle. Copper foil for high frequency circuits. レーザー顕微鏡による前記粗化処理面の凹凸の高さの平均値が1500以上、2000以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   The copper foil for high-frequency circuits according to any one of claims 1 to 4, wherein an average value of the height of the unevenness of the roughened surface by a laser microscope is 1500 or more and 2000 or less. 前記一次粒子層及び二次粒子層のピール強度が0.80kg/cm以上である請求項1〜5のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   The peel strength of the said primary particle layer and a secondary particle layer is 0.80 kg / cm or more, The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 1-5. 前記一次粒子層及び二次粒子層のピール強度が0.90kg/cm以上である請求項1〜6のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   The copper foil for a high-frequency circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein a peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer is 0.90 kg / cm or more. 前記二次粒子層上に、
(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、
(B)クロメート層
のいずれか一方、又は、両方が形成された請求項1〜7のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。
On the secondary particle layer,
(A) an alloy layer composed of Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, and
(B) The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 1-7 in which any one or both of the chromate layers were formed.
前記二次粒子層上に、
(A)Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、及び、
(B)クロメート層
のいずれか一方、又は、両方と、
シランカップリング層と
がこの順で形成された請求項1〜8のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。
On the secondary particle layer,
(A) an alloy layer composed of Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, and
(B) one or both of the chromate layers,
The copper foil for high frequency circuits according to any one of claims 1 to 8, wherein the silane coupling layer is formed in this order.
前記二次粒子層上に、
Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方が形成された請求項1〜9のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。
On the secondary particle layer,
The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 1-9 in which any one or both of a Ni-Zn alloy layer and a chromate layer were formed.
前記二次粒子層上に、
Ni−Zn合金層、及び、クロメート層のいずれか一方、又は、両方と、
シランカップリング層と
がこの順で形成された請求項1〜10のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。
On the secondary particle layer,
Either one or both of the Ni-Zn alloy layer and the chromate layer,
The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 1-10 in which the silane coupling layer was formed in this order.
前記二次粒子層の表面に樹脂層を備える請求項1〜7のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 1-7 which equips the surface of the said secondary particle layer with a resin layer. 前記Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、又は、前記クロメート層、又は、前記シランカップリング層、又は、前記Ni−Zn合金層の表面に樹脂層を備える請求項8〜11のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔。   An alloy layer comprising Ni and one or more elements selected from the group consisting of Fe, Cr, Mo, Zn, Ta, Cu, Al, P, W, Mn, Sn, As, and Ti, or the chromate The copper foil for high frequency circuits as described in any one of Claims 8-11 provided with the resin layer on the surface of a layer or the said silane coupling layer, or the said Ni-Zn alloy layer. キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項1〜13のいずれか一項に記載の高周波回路用銅箔であるキャリア付銅箔。   It is a copper foil with a carrier which has an intermediate | middle layer and an ultra-thin copper layer in this order on the one surface of a carrier, or both surfaces, Comprising: The said ultra-thin copper layer is any one of Claims 1-13. Copper foil with carrier, which is a copper foil for high-frequency circuits. 前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄銅層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する請求項14に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to claim 14, wherein the intermediate layer and the ultrathin copper layer are provided in this order on one surface of the carrier, and a roughening treatment layer is provided on the other surface of the carrier. 請求項1〜15のいずれか一項に記載の銅箔を用いた高周波回路用銅張積層板。   The copper clad laminated board for high frequency circuits using the copper foil as described in any one of Claims 1-15. 請求項1〜15のいずれか一項に記載の銅箔を用いた高周波回路用プリント配線板。   The printed wiring board for high frequency circuits using the copper foil as described in any one of Claims 1-15. 前記銅箔とポリイミド、液晶ポリマーまたはフッ素樹脂とを積層した請求項16に記載の高周波回路用銅張積層板。   The copper-clad laminate for a high frequency circuit according to claim 16, wherein the copper foil and polyimide, liquid crystal polymer, or fluororesin are laminated. ポリイミド、液晶ポリマーまたはフッ素樹脂のいずれかを用いた請求項17に記載の高周波回路用プリント配線板。   The printed wiring board for a high-frequency circuit according to claim 17, wherein any one of polyimide, liquid crystal polymer, and fluororesin is used. 請求項17又は19に記載のプリント配線板を用いた電子機器。   An electronic device using the printed wiring board according to claim 17 or 19. 請求項14又は15に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
A step of preparing the carrier-attached copper foil according to claim 14 or 15 and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the carrier-attached copper foil and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the carrier-attached copper foil,
Then, the manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit by any method of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
請求項14又は15に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier according to claim 14 or 15,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Method.
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