JP2013001993A - Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same - Google Patents

Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2013001993A
JP2013001993A JP2011137580A JP2011137580A JP2013001993A JP 2013001993 A JP2013001993 A JP 2013001993A JP 2011137580 A JP2011137580 A JP 2011137580A JP 2011137580 A JP2011137580 A JP 2011137580A JP 2013001993 A JP2013001993 A JP 2013001993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
copper foil
nickel
foil
ultrathin copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011137580A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaru Kiyota
優 清田
Atsushi Kondo
厚 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meltex Inc
Original Assignee
Meltex Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meltex Inc filed Critical Meltex Inc
Priority to JP2011137580A priority Critical patent/JP2013001993A/en
Publication of JP2013001993A publication Critical patent/JP2013001993A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrathin copper foil with carrier foil, in which the ultrathin copper foil is surely tightly held on the carrier foil and the carrier foil after thermocompression bonding is easily peeled off, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: The ultrathin copper foil with carrier foil is made by providing the ultrathin copper foil onto the carrier foil of copper via a nickel layer or a nickel alloy layer, and a peeling layer. The peeling layer contains nickel oxyhydroxide, and the thickness of the layer is in a range of 20-60 nm, and variation of the thickness is 20% or less.

Description

本発明はキャリア箔付き極薄銅箔とその製造方法に係り、特にプリント配線基板のファインパターン形成等に適したピーラブルタイプのキャリア箔付き極薄銅箔とその製造方法に関する。   The present invention relates to an ultrathin copper foil with a carrier foil and a method for producing the same, and more particularly to an ultrathin copper foil with a peelable carrier foil suitable for forming a fine pattern on a printed wiring board and a method for producing the same.

近年、電子機器の軽薄短小化が急速に進み、これらに用いられる各種プリント配線基板もファインパターン形成による高密度化、高多層化、薄型化等が要求されている。そのため、ICやLSI等の電子部品を搭載する各種パッケージ基板は無論のこと、マザーボードにおいても同様に、高密度化、高多層化、薄型化が要望されている。
現在、プリント配線基板の製造の主流であるサブトラクティブ法では、ファインピッチ化に対応するため、エッチングする銅膜厚を可能な限り低減する傾向が強くなってきている。この場合、プリント配線基板等に用いる絶縁体表面に積層される銅箔膜厚を薄くすればよいのであるが、例えば、厚さ9μm以下の極薄銅箔は機械的強度が弱く、生産現場での取り扱いが非常に困難である。この問題を解決するために、絶縁体表面に厚さ十数μmの銅箔を積層し、この銅箔をハーフエッチングして膜厚を低減させる方法が採られているが、ハーフエッチングによる銅膜厚の制御が難しく煩雑でるという問題があった。
In recent years, electronic devices are rapidly becoming lighter, thinner, and shorter, and various printed wiring boards used for these devices are required to have higher density, higher multilayer, and thinner thickness by forming fine patterns. For this reason, various package substrates on which electronic components such as ICs and LSIs are mounted are, of course, demanded for higher density, higher multi-layers, and thinner thickness on the motherboard as well.
At present, in the subtractive method, which is the mainstream in the production of printed wiring boards, there is a strong tendency to reduce the copper film thickness to be etched as much as possible in order to cope with the fine pitch. In this case, it is only necessary to reduce the thickness of the copper foil laminated on the surface of an insulator used for a printed wiring board or the like. For example, an ultrathin copper foil having a thickness of 9 μm or less has a low mechanical strength, and it is Is very difficult to handle. In order to solve this problem, a method of laminating a copper foil with a thickness of several tens of μm on the insulator surface and half-etching the copper foil to reduce the film thickness has been adopted. There was a problem that thickness control was difficult and complicated.

このような問題を解決するために、機械的強度が弱い厚み1〜5μmの極薄銅箔を保持するためのキャリア箔として、厚みが18〜35μm程度の銅箔を使用したピーラブルタイプのキャリア箔付き極薄銅箔を作製し、絶縁体表面への熱圧着処理による積層後、キャリア箔を剥離して極薄銅箔を絶縁体表面に転写する方法が提案され、実施されてきている。しかし、このようなピーラブルタイプのキャリア箔付き極薄銅箔を用いたプレス機による熱圧着処理では、絶縁体がガラスエポキシプリプレグ(FR−4グレード)の場合には170℃以上、絶縁体がポリイミド等の高耐熱性樹脂の場合には300℃以上の高温下に数十分間曝されるため、銅の熱拡散が生じてキャリア箔と極薄銅箔との剥離が困難になるという問題があった。   In order to solve such a problem, a peelable type carrier using a copper foil having a thickness of about 18 to 35 μm as a carrier foil for holding a very thin copper foil having a thickness of 1 to 5 μm having a low mechanical strength. A method has been proposed and practiced in which an ultrathin copper foil with a foil is prepared and laminated by thermocompression bonding to the insulator surface, and then the carrier foil is peeled off to transfer the ultrathin copper foil to the insulator surface. However, in the thermocompression treatment by a press using such a peelable type ultrathin copper foil with a carrier foil, when the insulator is a glass epoxy prepreg (FR-4 grade), the insulator is at least 170 ° C. In the case of a high heat-resistant resin such as polyimide, since it is exposed for several tens of minutes at a high temperature of 300 ° C. or more, the thermal diffusion of copper occurs and it becomes difficult to peel off the carrier foil and the ultrathin copper foil was there.

このような問題を解決し、プレス機による熱圧着処理後に安定してキャリア箔と極薄銅箔との剥離を行うために、例えば、キャリア箔上にカルボキシベンゾトリアゾールを用いて有機接合界面層を形成し、その上に極薄銅箔を形成したもの(特許文献1)、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上を用いてキャリア箔上に接合界面層を形成し、その上に極薄銅箔を形成したもの(特許文献2)、キャリア箔と極薄銅箔の間に熱拡散防止層と剥離層を介在させ、剥離層は有機物質を含む溶液に浸漬して形成した有機皮膜、あるいは、Ni合金層に陰極処理や陽極酸化、あるいは酸化剤浸漬を施して形成した金属酸化物皮膜としたもの(特許文献3)、キャリア箔と極薄銅箔との間に剥離層を介在させ、剥離層は剥離性を保持する金属A(Mo,Ta,V,MN,W,Cr)と、極薄銅箔のめっき形成を容易にする金属B(Fe,Co,Ni,Cr)とが所定の比率となるようにしたもの(特許文献4)、キャリア箔上に物理蒸着法で炭素層、または、金属層と炭素層とからなる複合層である接合界面層を形成し、その上に極薄銅箔を形成したもの(特許文献5)、キャリア箔上にトリアゾール化合物である窒素含有有機化合物からなる有機剤層を接合界面層として形成し、その上にニッケル層、ニッケル合金層、コバルト層、コバルト合金層のいずれかである耐熱金属層を介して極薄銅箔を形成したもの(特許文献6)等の種々のキャリア箔付き極薄銅箔が提供されている。   In order to solve such a problem and stably peel off the carrier foil and the ultrathin copper foil after the thermocompression treatment by the press machine, for example, an organic bonding interface layer is formed using carboxybenzotriazole on the carrier foil. On the carrier foil using one or more selected from among those formed and formed with an ultrathin copper foil (Patent Document 1), a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid A bonding interface layer is formed, and an ultrathin copper foil is formed thereon (Patent Document 2). A thermal diffusion prevention layer and a release layer are interposed between the carrier foil and the ultrathin copper foil, and the release layer is organic. An organic film formed by immersing in a solution containing a substance, or a metal oxide film formed by subjecting a Ni alloy layer to cathodic treatment, anodic oxidation, or oxidant immersion (Patent Document 3), carrier foil and Release layer between ultrathin copper foil Metal A (Mo, Ta, V, MN, W, Cr) that maintains the peelability and metal B (Fe, Co, Ni, Cr) that facilitates the formation of ultrathin copper foil plating. And a bonding interface layer that is a carbon layer or a composite layer composed of a metal layer and a carbon layer is formed on the carrier foil by physical vapor deposition on the carrier foil. An ultra-thin copper foil is formed thereon (Patent Document 5), and an organic agent layer made of a nitrogen-containing organic compound, which is a triazole compound, is formed as a bonding interface layer on a carrier foil, and a nickel layer and a nickel alloy layer are formed thereon. Various ultrathin copper foils with a carrier foil, such as those obtained by forming an ultrathin copper foil through a heat-resistant metal layer that is either a cobalt layer or a cobalt alloy layer (Patent Document 6), are provided.

特開2001−89892号公報JP 2001-89892 A 特開2001−140090号公報JP 2001-140090 A 特開2002−292788号公報JP 2002-292788 A 特開2007−186781号公報JP 2007-186781 A 特開2007−307767号公報JP 2007-307767 A 特開2010−222657号公報JP 2010-222657 A

しかしながら、上記の特許文献1、2、6に記載のキャリア箔付き極薄銅箔は、キャリア箔と極薄銅箔との剥離に寄与する接合界面層が有機皮膜であるため、高温での熱圧着処理後の剥離性に問題があった。また、特許文献3に記載のキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層が有機皮膜である場合には、高温での熱圧着処理後の剥離性に問題があり、剥離層が金属酸化物皮膜である場合には、キャリア箔に形成した剥離層と極薄銅箔形成前の銅ストライクめっきとの密着性が不十分であり、極薄銅箔の脱落が生じるおそれがあるという問題があった。特許文献4に記載のキャリア箔付き極薄銅箔は、金属Aに使用される金属が高価であり、また、金属Aと金属Bとを所定の比率とするための厳密な制御が必要であり、製造コストの低減に限界があった。さらに、特許文献5に記載のキャリア箔付き極薄銅箔は、物理蒸着法で接合界面層を形成するため、設備のイニシャルコストが極めて高く、また、ランニングコストも高いという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、キャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実であるとともに、熱圧着処理後のキャリア箔の剥離が容易であるキャリア箔付き極薄銅箔と、これを製造するための製造方法を提供することを目的とする。
However, the ultrathin copper foil with carrier foil described in Patent Documents 1, 2, and 6 described above has an organic film as the bonding interface layer that contributes to the separation between the carrier foil and the ultrathin copper foil, and thus heat at high temperatures. There was a problem in the peelability after the crimping process. In addition, the ultrathin copper foil with a carrier foil described in Patent Document 3 has a problem in peelability after thermocompression treatment at a high temperature when the release layer is an organic film, and the release layer is a metal oxide film. In this case, there is a problem that the adhesion between the release layer formed on the carrier foil and the copper strike plating before the ultrathin copper foil formation is insufficient, and the ultrathin copper foil may fall off. . The ultra-thin copper foil with a carrier foil described in Patent Document 4 is expensive for the metal A, and requires strict control to set the ratio of the metal A and the metal B to a predetermined ratio. There was a limit to the reduction of manufacturing costs. Furthermore, since the ultrathin copper foil with a carrier foil described in Patent Document 5 forms a bonding interface layer by a physical vapor deposition method, there is a problem that the initial cost of equipment is extremely high and the running cost is also high.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a carrier in which the ultrathin copper foil is securely adhered and held on the carrier foil and the carrier foil is easily peeled off after the thermocompression treatment. It aims at providing the ultrathin copper foil with foil, and the manufacturing method for manufacturing this.

このような目的を達成するために、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔は、キャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備え、前記剥離層はオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが20〜60nmの範囲内であり、厚みのバラツキが20%以下であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記剥離層は、イオウを0.5〜4.5重量%の範囲で含有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記ニッケル合金層は、ニッケル−リン合金層またはニッケル−クロム合金層であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記剥離層と前記極薄銅箔との間に銅ストライクめっき膜を有し、前記極薄銅箔と前記銅ストライクめっき膜との合計厚みは1〜5μmの範囲であるような構成とした。
In order to achieve such an object, the ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention comprises an ultrathin copper foil on a carrier foil via a nickel layer or a nickel alloy layer and a release layer, and the release The layer contained nickel oxyhydroxide, had a thickness in the range of 20 to 60 nm, and had a thickness variation of 20% or less.
As a preferred embodiment of the present invention, the release layer is configured to contain sulfur in the range of 0.5 to 4.5% by weight.
As a preferred embodiment of the present invention, the nickel alloy layer is a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-chromium alloy layer.
As a preferred embodiment of the present invention, a copper strike plating film is provided between the release layer and the ultrathin copper foil, and the total thickness of the ultrathin copper foil and the copper strike plating film is in the range of 1 to 5 μm. A certain configuration was adopted.

本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔は10点平均粗さRzが0.8〜4μmの範囲であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔は表面に亜鉛めっき層、亜鉛合金めっき層、スズめっき層、スズ合金めっき層、ニッケルめっき層、亜鉛めっきとクロム酸塩皮膜の複合層のいずれかを有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔は表面にシランカップリング剤層を有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔は表面にトリアジンチオール誘導体層を有するような構成とした。
As a preferred aspect of the present invention, the ultrathin copper foil has a 10-point average roughness Rz in the range of 0.8 to 4 μm.
As a preferred embodiment of the present invention, the ultra-thin copper foil has any of a zinc plating layer, a zinc alloy plating layer, a tin plating layer, a tin alloy plating layer, a nickel plating layer, a composite layer of zinc plating and a chromate film on the surface. It was set as the structure which has.
As a preferred embodiment of the present invention, the ultrathin copper foil has a silane coupling agent layer on the surface.
As a preferred embodiment of the present invention, the ultrathin copper foil is configured to have a triazine thiol derivative layer on the surface.

本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法は、キャリア箔上にニッケル層またはニッケル合金層を形成した後、アルカリ性溶液中に浸漬することにより、前記ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nmの範囲内である剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に銅ストライクめっきを行い、次いで、銅ストライクめっき膜上に極薄銅箔を形成する工程と、を有し、前記アルカリ性溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムの1種または2種以上を10〜200g/Lの範囲で含有し、液温が40〜60℃の範囲であるような構成とした。   According to the method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention, a nickel layer or a nickel alloy layer is formed on a carrier foil, and then immersed in an alkaline solution, whereby oxywater is formed on the nickel layer or the nickel alloy layer. A step of forming a release layer containing nickel oxide and having a thickness in the range of 20 to 60 nm, copper strike plating is performed on the release layer, and then an ultrathin copper foil is formed on the copper strike plating film The alkaline solution contains one or more of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide in a range of 10 to 200 g / L, and the liquid temperature is 40 to 60 ° C. It was set as the structure which is a range.

また、キャリア箔付き極薄銅箔の製造方法は、キャリア箔上にニッケル層またはニッケル合金層を形成した後、アルカリ性溶液中に浸漬することにより、前記ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nmの範囲内である剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に銅ストライクめっきを行い、次いで、銅ストライクめっき膜上に極薄銅箔を形成する工程と、を有し、前記アルカリ性溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムの1種または2種以上を10〜500g/Lの範囲で含有し、かつ、金属硫化物として硫化ナトリウム、硫化カリウムおよび硫化リチウムの1種または2種以上を0.005〜0.05重量%の範囲で含有し、液温が40〜60℃の範囲であるような構成とした。   In addition, a method for producing an ultra-thin copper foil with a carrier foil comprises forming a nickel layer or a nickel alloy layer on a carrier foil and then immersing it in an alkaline solution to thereby form an oxyhydroxide on the nickel layer or the nickel alloy layer. A step of forming a release layer containing nickel and having a thickness in the range of 20 to 60 nm, a step of performing copper strike plating on the release layer, and then forming an ultrathin copper foil on the copper strike plating film The alkaline solution contains one or more of sodium hydroxide, potassium hydroxide, and lithium hydroxide in a range of 10 to 500 g / L, and sodium sulfide as a metal sulfide, One or more of potassium sulfide and lithium sulfide is contained in the range of 0.005 to 0.05% by weight, and the liquid temperature is in the range of 40 to 60 ° C. And the.

本発明の好ましい態様として、前記アルカリ性溶液への浸漬時間は30〜180秒間の範囲であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記ニッケル層またはニッケル合金層の形成では、無電解めっき法または電解めっき法によりニッケル層またはニッケル−リン合金層を形成するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記ニッケル層またはニッケル合金層の形成では、真空成膜法によりニッケル層またはニッケル−クロム合金層を形成するような構成とした。
As a preferred embodiment of the present invention, the immersion time in the alkaline solution is in the range of 30 to 180 seconds.
As a preferred embodiment of the present invention, the nickel layer or the nickel alloy layer is formed by forming the nickel layer or the nickel-phosphorus alloy layer by an electroless plating method or an electrolytic plating method.
As a preferred embodiment of the present invention, the nickel layer or the nickel alloy layer is formed by forming a nickel layer or a nickel-chromium alloy layer by a vacuum film forming method.

本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔に10点平均粗さRzが0.8〜4μmの範囲となるように粗化処理を施し、その後、防錆処理を施す工程を有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔上にシランカップリング剤層を形成する工程を有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記極薄銅箔上にトリアジンチオール誘導体層を形成する工程を有するような構成とした。
As a preferred embodiment of the present invention, the ultrathin copper foil is subjected to a roughening treatment so that a 10-point average roughness Rz is in a range of 0.8 to 4 μm, and then a step of performing a rust prevention treatment. It was.
As a preferred embodiment of the present invention, a configuration including a step of forming a silane coupling agent layer on the ultrathin copper foil is adopted.
As a preferred embodiment of the present invention, a configuration including a step of forming a triazine thiol derivative layer on the ultrathin copper foil is adopted.

本発明のキャリア箔付き極薄銅箔は、熱圧着処理前のキャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実で取り扱い性に優れるとともに、例えば、300℃以上の高温での熱圧着処理後における剥離性も良好である。
また、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法は、アルカリ性溶液への浸漬によって、ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが20〜60nmの範囲内である剥離層を形成するので、剥離層上に形成される極薄銅箔の保持性と剥離性という二律背反の特性をバランスよく具備したキャリア箔付き極薄銅箔の製造が可能である。
The ultra-thin copper foil with a carrier foil of the present invention is reliable and excellent in handleability of the ultra-thin copper foil on the carrier foil before the thermo-compression treatment, and is, for example, thermo-compression treatment at a high temperature of 300 ° C. or higher. The later peelability is also good.
Moreover, the manufacturing method of the ultra-thin copper foil with a carrier foil of this invention contains nickel oxyhydroxide on a nickel layer or a nickel alloy layer by immersion in an alkaline solution, and the thickness is within a range of 20 to 60 nm. Since a certain release layer is formed, it is possible to produce an ultrathin copper foil with a carrier foil that has a well-balanced tradeoff between retention and peelability of the ultrathin copper foil formed on the release layer.

次に、本発明の最適な実施形態について説明する。
[キャリア箔付き極薄銅箔]
本発明のキャリア箔付き極薄銅箔は、キャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備えている。
本発明のキャリア箔付き極薄銅箔を構成するキャリア箔は、銅箔、銅合金箔、ステンレス鋼箔、鉄合金箔、チタン箔、チタン合金箔等が使用可能であるが、極薄銅箔との熱膨張係数が整合する銅箔が最も適している。また、キャリア箔の厚みは特に限定されず、例えば、7〜35μmの範囲で設定することができる。キャリア箔の厚みが7μm未満であると、機械的強度が低く、絶縁体等への熱圧着による積層時にシワや折れ目が発生し易く、好ましくない。また、キャリア箔の厚みが35μmを超えると、キャリア箔付き極薄銅箔の製造時のテンション制御の問題や、キャリア箔付き極薄銅箔を巻き取ったコイルの重量増加の問題等が生じるので好ましくない。さらに、極薄銅箔を備える側のキャリア箔の表面形状は、積層した極薄銅箔の表面形状に影響を与えるので、ファインパターン形成を考慮して、キャリア箔の表面形状は、例えば、10点平均粗さRzが0.01〜2μm程度であることが好ましい。尚、本発明では、10点平均粗さRzはKEYENCE社製 レーザーマイクロスコープ VK−8700を用いて測定する。
Next, an optimal embodiment of the present invention will be described.
[Ultra thin copper foil with carrier foil]
The ultra-thin copper foil with a carrier foil of the present invention includes an ultra-thin copper foil on a carrier foil via a nickel layer or a nickel alloy layer and a release layer.
The carrier foil constituting the ultrathin copper foil with the carrier foil of the present invention can be copper foil, copper alloy foil, stainless steel foil, iron alloy foil, titanium foil, titanium alloy foil, etc. A copper foil having the same thermal expansion coefficient is most suitable. Moreover, the thickness of carrier foil is not specifically limited, For example, it can set in the range of 7-35 micrometers. If the thickness of the carrier foil is less than 7 μm, the mechanical strength is low, and wrinkles and creases are likely to occur during lamination by thermocompression bonding to an insulator or the like, which is not preferable. In addition, if the thickness of the carrier foil exceeds 35 μm, problems such as tension control during the production of the ultrathin copper foil with the carrier foil and an increase in the weight of the coil wound with the ultrathin copper foil with the carrier foil may occur. It is not preferable. Furthermore, since the surface shape of the carrier foil on the side provided with the ultrathin copper foil affects the surface shape of the laminated ultrathin copper foil, the surface shape of the carrier foil is, for example, 10 The point average roughness Rz is preferably about 0.01 to 2 μm. In the present invention, the 10-point average roughness Rz is measured using a laser microscope VK-8700 manufactured by KEYENCE.

本発明のキャリア箔付き極薄銅箔を構成するニッケル層またはニッケル合金層は、剥離層のベース基材であるとともに、銅の熱拡散を防止する作用をなすものである。ニッケル合金層は、ニッケル−リン合金層またはニッケル−クロム合金層とすることができ、ニッケル合金層におけるニッケル含有量は85重量%以上が好ましい。このようなニッケル層またはニッケル合金層の厚みは、例えば、0.001〜0.5μm、好ましくは0.01〜0.3μmの範囲で適宜設定することができる。ニッケル層またはニッケル合金層の厚みが0.001μm未満であると、銅の熱拡散防止の作用が不十分となり、0.5μmを超えると生産性の低下、製造コストの増大を来すことがあり好ましくない。   The nickel layer or nickel alloy layer constituting the ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention serves as a base substrate for the release layer and serves to prevent thermal diffusion of copper. The nickel alloy layer can be a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-chromium alloy layer, and the nickel content in the nickel alloy layer is preferably 85% by weight or more. The thickness of such a nickel layer or nickel alloy layer can be appropriately set, for example, in the range of 0.001 to 0.5 μm, preferably 0.01 to 0.3 μm. When the thickness of the nickel layer or the nickel alloy layer is less than 0.001 μm, the effect of preventing copper thermal diffusion is insufficient, and when it exceeds 0.5 μm, the productivity may decrease and the manufacturing cost may increase. It is not preferable.

本発明のキャリア箔付き極薄銅箔を構成する剥離層は、オキシ水酸化ニッケルを含有するものであり、剥離層におけるオキシ水酸化ニッケルの含有量は、50〜100重量%、好ましくは60〜100重量%の範囲である。このような剥離層は、その厚みが20〜60nm、好ましくは25〜50nmの範囲内にあり、厚みのバラツキは20%以下、好ましくは10%以下である。尚、剥離層中のオキシ水酸化ニッケルの含有量の測定はESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)を用いて行い、また、剥離層の厚み、および、厚みのバラツキは、剥離層の断面を ESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)で観察し、長さ50mmにおける最大厚みTmax、最小厚みTmin、平均厚みTaを測定し、平均厚みTaを剥離層の厚みとし、剥離層のバラツキは(Tmax−Tmin)/Ta×100により算出するものとする。 The release layer constituting the ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention contains nickel oxyhydroxide, and the content of nickel oxyhydroxide in the release layer is 50 to 100% by weight, preferably 60 to 60%. It is in the range of 100% by weight. Such a release layer has a thickness in the range of 20 to 60 nm, preferably 25 to 50 nm, and the variation in thickness is 20% or less, preferably 10% or less. The content of nickel oxyhydroxide in the release layer is measured using ESCA PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC-PHI). The thickness of the release layer and the variation in thickness are determined by the cross section of the release layer. was observed by ESCA PHI Quantera SXM (ULVAC-PHI, Inc.), the maximum thickness T max, the minimum thickness T min in the length 50 mm, measured an average thickness T a, the average thickness T a is the thickness of the peeling layer, the peeling The variation of the layers is calculated by (T max −T min ) / T a × 100.

上記の剥離層におけるオキシ水酸化ニッケルの含有量が50重量%未満であると、極薄銅箔との剥離性が低下し、特に300℃以上の高温での熱圧着処理後の剥離性が不十分なものとなる。また、上記の剥離層の厚みが20nm未満であると、極薄銅箔との剥離性が低下し、特に300℃以上の高温での熱圧着処理後の剥離性が不十分なものとなる。また、剥離層の厚みが60nmを超えると、極薄銅箔との密着性が低下し、特に、後述するように、剥離層と極薄銅箔との間に銅ストライクめっき膜を介在させる場合、剥離層と銅ストライクめっき膜との浮きが生じて極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。また、剥離層の厚みのバラツキが20%を超えると、極薄銅箔との密着性が低下して脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。   When the content of the nickel oxyhydroxide in the release layer is less than 50% by weight, the peelability from the ultrathin copper foil is lowered, and in particular, the peelability after thermocompression treatment at a high temperature of 300 ° C. or higher is not good. It will be enough. Moreover, when the thickness of the release layer is less than 20 nm, the peelability from the ultrathin copper foil is lowered, and the peelability after the thermocompression treatment at a high temperature of 300 ° C. or higher is particularly insufficient. Further, when the thickness of the release layer exceeds 60 nm, the adhesion with the ultrathin copper foil is lowered, and in particular, when a copper strike plating film is interposed between the release layer and the ultrathin copper foil as described later. The peeling layer and the copper strike plating film are floated, and the ultrathin copper foil is likely to fall off, which is not preferable in terms of handling. On the other hand, when the variation in the thickness of the release layer exceeds 20%, the adhesion with the ultrathin copper foil is lowered and the film tends to fall off, which is not preferable from the viewpoint of handleability.

また、本発明では、剥離層上に形成される極薄銅箔の保持性と剥離性という二律背反の特性を更にバランスよく具備するために、剥離層がイオウを含有することが好ましい。剥離層中のイオウは、例えば、硫化ニッケルとして均一に分散しており、剥離層におけるイオウの含有量は、例えば、0.5〜4.5重量%、好ましくは1〜4重量%の範囲とすることができる。イオウの含有量が0.5重量%未満であると、イオウ含有による効果が得られず、4.5重量%を超えると、高温での熱圧着処理後の剥離性が不十分となり好ましくない。尚、本発明では、剥離層中のイオウの含有量の測定をESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)を用いて行う。   In the present invention, it is preferable that the release layer contains sulfur in order to provide a well-balanced tradeoff between the retention and release properties of the ultrathin copper foil formed on the release layer. The sulfur in the release layer is uniformly dispersed as, for example, nickel sulfide, and the sulfur content in the release layer is, for example, in the range of 0.5 to 4.5% by weight, preferably 1 to 4% by weight. can do. If the sulfur content is less than 0.5% by weight, the effect due to the sulfur content cannot be obtained, and if it exceeds 4.5% by weight, the peelability after thermocompression treatment at a high temperature becomes insufficient. In the present invention, the sulfur content in the release layer is measured using ESCA PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC-PHI).

本発明のキャリア箔付き極薄銅箔を構成する極薄銅箔は、厚さ9μm以下であり、好ましくは1〜5μmでピンホールのない均一な厚みの銅箔である。このような銅箔は、例えば、銅めっきにより形成することができる。また、本発明では、剥離層と極薄銅箔との間に銅ストライクめっき膜を介在させてもよく、この場合、極薄銅箔と銅ストライクめっき膜との合計厚みを9μm以下、好ましくは1〜5μmとすることができる。
このような本発明のキャリア箔付き極薄銅箔は、熱圧着処理前のキャリア箔上での極薄銅箔の密着保持が確実で取り扱い性に優れており、また、例えば、300℃以上の高温での熱圧着処理後における剥離層と極薄銅箔との剥離性が良好である。
The ultrathin copper foil which comprises the ultrathin copper foil with a carrier foil of this invention is 9 micrometers or less in thickness, Preferably it is 1-5 micrometers, and is a copper foil of uniform thickness without a pinhole. Such a copper foil can be formed by, for example, copper plating. In the present invention, a copper strike plating film may be interposed between the release layer and the ultrathin copper foil. In this case, the total thickness of the ultrathin copper foil and the copper strike plating film is 9 μm or less, preferably It can be set to 1 to 5 μm.
Such an ultra-thin copper foil with a carrier foil of the present invention has excellent adhesion and excellent adhesion of the ultra-thin copper foil on the carrier foil before the thermocompression treatment, and is, for example, 300 ° C. or higher. The peelability between the release layer and the ultrathin copper foil after the thermocompression treatment at high temperature is good.

上述の実施形態は例示であり、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔は、これらに限定されるものではない。例えば、絶縁体表面との密着性を向上させるために、極薄銅箔の表面粗度を、10点平均粗さRzが0.8〜4μm、好ましくは2.5〜3.5μmの範囲となるように設定することができる。
また、極薄銅箔の防錆を目的として、極薄銅箔の表面に亜鉛めっき層、亜鉛合金めっき層、スズめっき層、スズ合金めっき層、ニッケルめっき層、亜鉛めっきとクロム酸塩皮膜の複合層等の防錆層を有するものであってもよい。このような防錆層の厚みは、例えば、0.1〜2μmの範囲で適宜設定することができる。
The above-mentioned embodiment is an illustration and the ultra-thin copper foil with a carrier foil of this invention is not limited to these. For example, in order to improve the adhesion to the insulator surface, the surface roughness of the ultrathin copper foil is such that the 10-point average roughness Rz is in the range of 0.8 to 4 μm, preferably 2.5 to 3.5 μm. Can be set to
In addition, for the purpose of rust prevention of ultra-thin copper foil, the surface of ultra-thin copper foil is coated with zinc plating layer, zinc alloy plating layer, tin plating layer, tin alloy plating layer, nickel plating layer, zinc plating and chromate film. It may have a rust prevention layer such as a composite layer. The thickness of such a rust prevention layer can be suitably set, for example in the range of 0.1-2 micrometers.

また、絶縁体表面との密着性を向上させるために、極薄銅箔の表面にシランカップリング剤層を設けてもよい。使用するシランカップリング剤としては、例えば、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができる。
さらに、プリント配線基板等における信号の高速伝送(表皮効果による導体表面における伝送)を目的として、極薄銅箔の表面を平滑(例えば、10点平均粗さRzが1.3〜1.7μm)にした場合、極薄銅箔と絶縁体表面との密着性を向上させるために、極薄銅箔の平滑表面に有機皮膜を設けてもよい。このような有機皮膜としては、例えば、トリアジンチオール誘導体層を挙げることができ、厚みは、0.01〜1μm、好ましくは0.1〜0.5μmの範囲で適宜設定することができる。
Moreover, in order to improve adhesiveness with the insulator surface, a silane coupling agent layer may be provided on the surface of the ultrathin copper foil. Examples of the silane coupling agent used include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-aminopropyltriethoxysilane. , 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane and the like.
Furthermore, the surface of the ultrathin copper foil is smoothed (for example, 10-point average roughness Rz is 1.3 to 1.7 μm) for the purpose of high-speed signal transmission on a printed wiring board or the like (transmission on the conductor surface by the skin effect). In this case, an organic film may be provided on the smooth surface of the ultrathin copper foil in order to improve the adhesion between the ultrathin copper foil and the insulator surface. Examples of such an organic film include a triazine thiol derivative layer, and the thickness can be appropriately set within a range of 0.01 to 1 μm, preferably 0.1 to 0.5 μm.

[キャリア箔付き極薄銅箔の製造方法]
本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法では、まず、キャリア箔上にニッケル層またはニッケル合金層を形成した後、アルカリ性溶液中に浸漬することにより、ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nm、好ましくは25〜50nmの範囲内である剥離層を形成する。
[Method of manufacturing ultrathin copper foil with carrier foil]
In the method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention, first, a nickel layer or a nickel alloy layer is formed on the carrier foil, and then immersed in an alkaline solution to thereby form an oxygen on the nickel layer or the nickel alloy layer. A release layer containing nickel hydroxide and having a thickness in the range of 20 to 60 nm, preferably 25 to 50 nm is formed.

本発明に使用するキャリア箔は、銅箔、銅合金箔、ステンレス鋼箔、鉄合金箔、チタン箔、チタン合金箔等が使用可能であり、これらの中で極薄銅箔との熱膨張係数が整合する銅箔を好適に使用することができる。また、キャリア箔の厚みは特に限定されず、例えば、7〜35μmの範囲で設定することができる。キャリア箔の厚みが7μm未満であると、機械的強度が低く、絶縁体等への熱圧着による積層時にシワや折れ目が発生し易く、好ましくない。また、キャリア箔の厚みが35μmを超えると、キャリア箔付き極薄銅箔の製造時のテンション制御の問題や、キャリア箔付き極薄銅箔を巻き取ったコイルの重量増加の問題等が生じるので好ましくない。さらに、極薄銅箔を備える側のキャリア箔の表面形状は、積層した極薄銅箔によるファインパターン形成を考慮すると、表面粗度が小さいことが望ましく、例えば、10点平均粗さRzが0.01〜2μm程度であることが好ましい。   The carrier foil used in the present invention can be a copper foil, a copper alloy foil, a stainless steel foil, an iron alloy foil, a titanium foil, a titanium alloy foil, etc. Among them, a thermal expansion coefficient with an ultrathin copper foil Can be used suitably. Moreover, the thickness of carrier foil is not specifically limited, For example, it can set in the range of 7-35 micrometers. If the thickness of the carrier foil is less than 7 μm, the mechanical strength is low, and wrinkles and creases are likely to occur during lamination by thermocompression bonding to an insulator or the like, which is not preferable. In addition, if the thickness of the carrier foil exceeds 35 μm, problems such as tension control during the production of the ultrathin copper foil with the carrier foil and an increase in the weight of the coil wound with the ultrathin copper foil with the carrier foil may occur. It is not preferable. Furthermore, it is desirable that the surface shape of the carrier foil on the side provided with the ultrathin copper foil has a small surface roughness considering the fine pattern formation by the laminated ultrathin copper foil, for example, the 10-point average roughness Rz is 0. It is preferably about 0.01 to 2 μm.

また、キャリア箔上へのニッケル層またはニッケル合金層の形成は、湿式法または乾式法により行うことができる。湿式法では、無電解めっき法または電解めっき法によりニッケル層、ニッケル−リン合金層等を形成することができる。無電解めっき法に使用するめっき浴としては、例えば、エンプレートNI−426(メルテックス(株)製 低リンタイプ)、メルプレートNI−865(メルテックス(株)製 中リンタイプ)、メルプレートNI−875M(メルテックス(株)製 高リンタイプ)等を挙げることができる。また、電解めっき法に使用するニッケルめっき浴としては、例えば、エルピライトGS−6(メルテックス(株)製)、エルピライトGS−7(メルテックス(株)製)等を挙げることができる。また、ニッケル−リン合金めっき浴としては、例えば、クエン酸ニッケル−リン合金めっき浴、ワット型ニッケル−リン合金めっき浴等を挙げることできる。
また、乾式法では、例えば、スパッタリング法によりニッケル層、ニッケル−クロム合金層(ニッケル含有量85重量%以下)等を形成することができる。
The nickel layer or nickel alloy layer can be formed on the carrier foil by a wet method or a dry method. In the wet method, a nickel layer, a nickel-phosphorus alloy layer, or the like can be formed by an electroless plating method or an electrolytic plating method. Examples of plating baths used in the electroless plating method include Enplate NI-426 (Meltex Co., Ltd. low phosphorus type), Melplate NI-865 (Meltex Co., Ltd. medium phosphorus type), Melplate NI-875M (Meltex Co., Ltd. high phosphorus type) etc. can be mentioned. Examples of the nickel plating bath used in the electrolytic plating method include Elpilite GS-6 (manufactured by Meltex Co., Ltd.) and Elpilite GS-7 (manufactured by Meltex Co., Ltd.). Examples of the nickel-phosphorus alloy plating bath include a nickel citrate-phosphorus alloy plating bath and a watt-type nickel-phosphorus alloy plating bath.
In the dry method, for example, a nickel layer, a nickel-chromium alloy layer (nickel content: 85% by weight or less), and the like can be formed by a sputtering method.

上記のようなニッケル層またはニッケル合金層の厚みは、0.001〜0.5μm、好ましくは0.01〜0.3μmの範囲で適宜設定することができる。ニッケル層またはニッケル合金層の厚みが0.001μm未満であると、後述の剥離層形成に支障を来し、また、銅の熱拡散防止の作用が不十分となることがあり好ましくない。一方、厚みが0.5μmを超えると、生産性の低下、製造コスト増大を招き好ましくない。   The thickness of the nickel layer or nickel alloy layer as described above can be appropriately set in the range of 0.001 to 0.5 μm, preferably 0.01 to 0.3 μm. If the thickness of the nickel layer or the nickel alloy layer is less than 0.001 μm, it will hinder the formation of a release layer, which will be described later, and the effect of preventing the thermal diffusion of copper may be insufficient. On the other hand, if the thickness exceeds 0.5 μm, the productivity is lowered and the production cost is increased, which is not preferable.

オキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nm、好ましくは25〜50nmの範囲内である剥離層の形成は、上記のようにニッケル層またはニッケル合金層を形成したキャリア箔をアルカリ性溶液中に浸漬することにより行う。形成する剥離層の厚みが20nm未満であると、後工程で形成する極薄銅箔との剥離性が低下し、特に300℃以上の高温での熱圧着処理後の剥離性が低下する。また、剥離層の厚みが60nmを超えると、後工程で形成する銅ストライクめっき膜の浮きが生じて極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。   The release layer containing nickel oxyhydroxide and having a thickness in the range of 20 to 60 nm, preferably 25 to 50 nm is obtained by placing a carrier foil having a nickel layer or a nickel alloy layer as described above in an alkaline solution. This is done by dipping. When the thickness of the release layer to be formed is less than 20 nm, the peelability from the ultrathin copper foil to be formed in the subsequent process is lowered, and in particular, the peelability after the thermocompression treatment at a high temperature of 300 ° C. or higher is lowered. On the other hand, if the thickness of the release layer exceeds 60 nm, the copper strike plating film to be formed in the subsequent process is floated and the ultrathin copper foil is likely to fall off, which is not preferable in terms of handling.

使用するアルカリ性溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムの1種または2種以上を20〜200g/L、好ましくは50〜200g/Lの範囲で含有し、液温が40〜60℃の範囲にあるものとする。上記の濃度が20g/L未満であると、オキシ水酸化ニッケルを含有する剥離層の厚みを上記の範囲とするために要する浸漬時間が長くなり、また、濃度が200g/Lを超えると、剥離層の厚みのバラツキが20%を超え易く、後述の銅ストライクめっき膜の浮きが生じるおそれがあり好ましくない。また、アルカリ性溶液の液温が40℃未満であると、オキシ水酸化ニッケルを含有する剥離層の厚みを上記の範囲とするために要する浸漬時間が長くなり、また、液温が60℃を超えると、剥離層の厚みのバラツキが20%を超え易く、後述の銅ストライクめっき膜の浮きが生じるおそれがあり好ましくない。   The alkaline solution to be used contains one or more of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide in the range of 20 to 200 g / L, preferably 50 to 200 g / L, and the liquid temperature is 40 to 60. It shall be in the range of ° C. When the above concentration is less than 20 g / L, the immersion time required to bring the thickness of the release layer containing nickel oxyhydroxide into the above range becomes longer, and when the concentration exceeds 200 g / L, the release The thickness variation of the layer tends to exceed 20%, and there is a possibility that the later-described copper strike plating film may float, which is not preferable. Moreover, when the liquid temperature of the alkaline solution is lower than 40 ° C., the immersion time required for setting the thickness of the release layer containing nickel oxyhydroxide to be in the above range becomes longer, and the liquid temperature exceeds 60 ° C. In addition, the variation in the thickness of the release layer tends to exceed 20%, which may cause the later-described copper strike plating film to float.

また、本発明では、剥離層上に形成する極薄銅箔の保持性と剥離性という二律背反の特性バランスを更に向上させるために、上記のアルカリ性溶液に金属硫化物として硫化ナトリウム、硫化カリウムおよび硫化リチウムの1種または2種以上を0.005〜0.05重量%の範囲で含有したものを使用することができる。このような金属硫化物を含有したアルカリ性溶液を使用することにより、イオウがオキシ水酸化ニッケル中に均一に分散した剥離層を形成することができる。アルカリ性溶液中の上記の金属硫化物の含有量が0.005重量%未満であると、金属硫化物添加の効果が得られず、また、上記の金属硫化物の含有量が0.05重量%を超えると、剥離層に含有されるイオウの含有量が多くなりすぎ、後述の銅ストライクめっき膜の330℃以上の高温での熱圧着処理後の密着性が高くなりすぎ好ましくない。   Further, in the present invention, in order to further improve the trade-off characteristic balance between retention and peelability of the ultrathin copper foil formed on the release layer, sodium sulfide, potassium sulfide and sulfide as metal sulfides are added to the alkaline solution. What contains 1 type, or 2 or more types of lithium in 0.005-0.05 weight% can be used. By using an alkaline solution containing such a metal sulfide, a release layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide can be formed. If the content of the metal sulfide in the alkaline solution is less than 0.005% by weight, the effect of adding the metal sulfide cannot be obtained, and the content of the metal sulfide is 0.05% by weight. If it exceeds 1, the content of sulfur contained in the release layer is excessively increased, and the adhesion after the thermocompression treatment at a high temperature of 330 ° C. or higher of the copper strike plating film described later becomes too high.

このように金属硫化物として硫化ナトリウム、硫化カリウムおよび硫化リチウムの1種または2種以上を上記の含有量の範囲内で含有したアルカリ性溶液を使用する場合、アルカリ性溶液に含有される水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムの1種または2種以上の濃度は、20〜500g/L、好ましくは50〜500g/Lの範囲とする。上記の濃度が20g/L未満であると、オキシ水酸化ニッケルを含有する剥離層の厚みを上記の範囲とするために要する浸漬時間が長くなり、また、濃度が500g/Lを超えると、剥離層の厚みのバラツキが20%を超え易く、後述の銅ストライクめっき膜の浮きが生じるおそれがあり好ましくない。
上記のようなアルカリ性溶液への浸漬時間は、例えば、30〜180秒の範囲で設定することができる。
Thus, when using an alkaline solution containing one or more of sodium sulfide, potassium sulfide and lithium sulfide within the above content range as the metal sulfide, sodium hydroxide contained in the alkaline solution, The concentration of one or more of potassium hydroxide and lithium hydroxide is 20 to 500 g / L, preferably 50 to 500 g / L. When the above concentration is less than 20 g / L, the immersion time required to bring the thickness of the release layer containing nickel oxyhydroxide into the above range becomes longer, and when the concentration exceeds 500 g / L, the release is peeled off. The thickness variation of the layer tends to exceed 20%, and there is a possibility that the later-described copper strike plating film may float, which is not preferable.
The immersion time in the alkaline solution as described above can be set in the range of 30 to 180 seconds, for example.

本発明の製造方法では、上記のように形成した剥離層上に銅ストライクめっきを行い、次いで、銅ストライクめっき膜上に極薄銅箔を形成する。
銅ストライクめっき膜の形成は、後工程の極薄銅箔形成において、ピンホールのない均一な厚みの銅箔を形成するうえで有効である。形成する銅ストライクめっき膜の厚みは、特に限定されないが、0.001〜1μmの範囲とすることが好ましい。使用する銅ストライクめっき液としては、例えば、メルカパーCF−2120(メルテックス(株)製)、メルカパーCF−2130(メルテックス(株)製)メルカパーCF−2140(メルテックス(株)製)メルカパーCF−2170(メルテックス(株)製)等を使用することができる。
In the production method of the present invention, copper strike plating is performed on the release layer formed as described above, and then an ultrathin copper foil is formed on the copper strike plating film.
The formation of the copper strike plating film is effective in forming a copper foil having a uniform thickness without pinholes in the formation of an ultrathin copper foil in a later step. Although the thickness of the copper strike plating film to form is not specifically limited, It is preferable to set it as the range of 0.001-1 micrometer. Examples of the copper strike plating solution to be used include Mercapa CF-2120 (Meltex Co., Ltd.), Mercapa CF-2130 (Meltex Co., Ltd.), Mercapa CF-2140 (Meltex Co., Ltd.) Mercapa CF. -2170 (Meltex Co., Ltd.) etc. can be used.

より具体的には、メルカパーCF−2120の浴組成は、下記の範囲とすることが好ましい。
(メルカパーCF−2120の浴組成)
・メルカパーCF−2120A … 60〜80mL/L
・メルカパーCF−2120B … 360〜400mL/L
More specifically, the bath composition of Mercapa CF-2120 is preferably set within the following range.
(Mercapar CF-2120 bath composition)
-Mercapa CF-2120A ... 60-80mL / L
-Mercapa CF-2120B ... 360-400mL / L

CF−2120A濃度が上記範囲未満の場合は、ヤケが生じ易くなり、上記範囲を超える場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。また、CF−2120B濃度が上記範囲未満の場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易くなり、取り扱い性の点で好ましなく、上記範囲を超える場合は、浴の濁りや沈殿を生じることがある。浴のpHは、8.4〜10の範囲で設定することができるが、銅置換を抑制するためにpHを9.0〜9.5とすることが好ましい。また、浴温度は、20〜40℃の範囲で設定することができるが、めっき皮膜の内部応力が低い35〜40℃の範囲で設定することが好ましい。銅ストライクめっきにおける陰極電流密度は、0.3〜1.0A/dm2の範囲とすることができ、陽極にはOFHC、SUS304、SUS316等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌を使用し、連続ろ過を行う。 If the CF-2120A concentration is less than the above range, burns are likely to occur, and if it exceeds the above range, the adhesion to the release layer tends to decrease and the ultrathin copper foil is likely to fall off, which is preferable in terms of handleability. Absent. In addition, when the CF-2120B concentration is less than the above range, the adhesion to the release layer is reduced and the ultrathin copper foil is liable to fall off, which is not preferable in terms of handleability. May cause bath turbidity and precipitation. The pH of the bath can be set in the range of 8.4 to 10, but the pH is preferably 9.0 to 9.5 in order to suppress copper substitution. Moreover, although bath temperature can be set in the range of 20-40 degreeC, it is preferable to set in the range of 35-40 degreeC with a low internal stress of a plating film. The cathode current density in copper strike plating can be in the range of 0.3 to 1.0 A / dm 2 , and OFHC, SUS304, SUS316, or the like can be used for the anode. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation.

また、メルカパーCF−2130の浴組成は、下記の範囲とすることが好ましい。
(メルカパーCF−2130の浴組成)
・メルカパーCF−2130A … 200〜240mL/L
・メルカパーCF−2130B … 440〜560mL/L
Moreover, it is preferable that the bath composition of Mercapa CF-2130 be in the following range.
(Mercapar CF-2130 bath composition)
・ Mercapa CF-2130A: 200 to 240 mL / L
-Mercapa CF-2130B: 440-560 mL / L

CF−2130A濃度が上記範囲未満の場合は、ヤケが生じ易くなり、上記範囲を超える場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。また、CF−2130B濃度が上記範囲未満の場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易くなり、取り扱い性の点で好ましなく、上記範囲を超える場合は、浴の濁りや沈殿を生じることがある。浴のpHは、8.3〜10の範囲で設定することができるが、銅置換を抑制するためにpHを9.0〜9.5とすることが好ましい。また、浴温度は、20〜40℃の範囲で設定することができるが、めっき皮膜の内部応力が低い35〜40℃の範囲で設定することが好ましい。銅ストライクめっきにおける陰極電流密度は、0.3〜1.0A/dm2の範囲とすることができ、陽極にはOFHC、または電気銅等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌を使用し、連続ろ過を行う。 If the CF-2130A concentration is less than the above range, burns are likely to occur, and if it exceeds the above range, adhesion to the release layer tends to decrease and the ultrathin copper foil is likely to fall off, which is preferable in terms of handling. Absent. In addition, when the CF-2130B concentration is less than the above range, the adhesion to the release layer is reduced and the ultrathin copper foil is likely to drop off, which is not preferable in terms of handling properties, and exceeds the above range. May cause bath turbidity and precipitation. The pH of the bath can be set in the range of 8.3 to 10, but the pH is preferably 9.0 to 9.5 in order to suppress copper substitution. Moreover, although bath temperature can be set in the range of 20-40 degreeC, it is preferable to set in the range of 35-40 degreeC with a low internal stress of a plating film. The cathode current density in the copper strike plating can be in the range of 0.3 to 1.0 A / dm 2 , and OFHC, electrolytic copper, or the like can be used for the anode. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation.

また、メルカパーCF−2140の浴組成は、下記の範囲とすることが好ましい。
(メルカパーCF−2140の浴組成)
・メルカパーCF−2140A … 150〜190mL/L
・メルカパーCF−2140B … 340〜420mL/L
In addition, the bath composition of Mercapa CF-2140 is preferably in the following range.
(Mercapar CF-2140 bath composition)
-Mercapa CF-2140A ... 150-190mL / L
-Mercapa CF-2140B: 340 to 420 mL / L

CF−2140A濃度が上記範囲未満の場合は、ヤケが生じ易くなり、上記範囲を超える場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。また、CF−2140B濃度が上記範囲未満の場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易くなり、取り扱い性の点で好ましなく、上記範囲を超える場合は、浴の濁りや沈殿を生じることがある。浴のpHは、8.4〜10の範囲で設定することができるが、銅置換を抑制するためにpHを9.0〜9.5とすることが好ましい。また、浴温度は、20〜40℃の範囲で設定することができるが、めっき皮膜の内部応力が低い35〜40℃の範囲で設定することが好ましい。銅ストライクめっきにおける陰極電流密度は、0.3〜1.0A/dm2の範囲とすることができ、陽極にはOFHC、または電気銅等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌を使用し、連続ろ過を行う。 If the CF-2140A concentration is less than the above range, burns are likely to occur, and if it exceeds the above range, adhesion to the release layer tends to decrease and the ultrathin copper foil tends to fall off, which is preferable in terms of handling. Absent. In addition, when the CF-2140B concentration is less than the above range, the adhesion to the release layer is reduced and the ultrathin copper foil is likely to drop off, which is not preferable in terms of handling properties, and exceeds the above range. May cause bath turbidity and precipitation. The pH of the bath can be set in the range of 8.4 to 10, but the pH is preferably 9.0 to 9.5 in order to suppress copper substitution. Moreover, although bath temperature can be set in the range of 20-40 degreeC, it is preferable to set in the range of 35-40 degreeC with a low internal stress of a plating film. The cathode current density in the copper strike plating can be in the range of 0.3 to 1.0 A / dm 2 , and OFHC, electrolytic copper, or the like can be used for the anode. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation.

また、メルカパーCF−2170の浴組成は、下記の範囲とすることが好ましい。
(メルカパーCF−2170の浴組成)
・メルカパーCF−2170A … 170〜270mL/L
・メルカパーCF−2170B … 420〜580mL/L
・メルカパーCF−2170C … 30g/L
Moreover, it is preferable that the bath composition of Mercapa CF-2170 be in the following range.
(Mercapar CF-2170 bath composition)
-Mercapa CF-2170A ... 170-270 mL / L
・ Mercapa CF-2170B ... 420-580mL / L
・ Mercaper CF-2170C: 30 g / L

CF−2170A濃度が上記範囲未満の場合は、ヤケが生じ易くなり、上記範囲を超える場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易く、取り扱い性の点で好ましくない。また、CF−2170B濃度が上記範囲未満の場合は、剥離層に対する密着性が低下して極薄銅箔の脱落を生じ易くなり、取り扱い性の点で好ましなく、上記範囲を超える場合は、浴の濁りや沈殿を生じることがある。浴のpHは、8.4〜9.4の範囲で設定することができるが、銅置換を抑制するためにpHを9.0〜9.4とすることが好ましい。また、浴温度は、25〜55℃の範囲で設定することができるが、めっき皮膜の内部応力が低い35〜45℃の範囲で設定することが好ましい。銅ストライクめっきにおける陰極電流密度は、1〜3A/dm2の範囲とすることができ、陽極にはOFHC、または電気銅等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌を使用し、連続ろ過を行う。 If the CF-2170A concentration is less than the above range, burns are likely to occur, and if it exceeds the above range, adhesion to the release layer tends to decrease and the ultrathin copper foil tends to fall off, which is preferable in terms of handling. Absent. In addition, when the CF-2170B concentration is less than the above range, the adhesion to the release layer tends to decrease, and the ultrathin copper foil is liable to fall off, which is not preferable in terms of handling properties. May cause bath turbidity and precipitation. The pH of the bath can be set in the range of 8.4 to 9.4, but the pH is preferably 9.0 to 9.4 in order to suppress copper substitution. Moreover, although bath temperature can be set in 25-55 degreeC, it is preferable to set in 35-45 degreeC with a low internal stress of a plating film. The cathode current density in copper strike plating can be in the range of 1 to 3 A / dm 2 , and OFHC, electrolytic copper, or the like can be used for the anode. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation.

銅ストライクめっき膜上への極薄銅箔の形成には、硫酸銅めっきを用いることができる。例えば、下記組成の基本浴に市販の硫酸銅めっき添加剤を添加して使用することができる。
(基本浴組成)
・硫酸銅・五水塩 … 30〜220g/L
・硫酸 … 70〜300g/L
・塩化物イオン … 30〜75mg/L
Copper sulfate plating can be used to form an ultrathin copper foil on the copper strike plating film. For example, a commercially available copper sulfate plating additive can be added to a basic bath having the following composition.
(Basic bath composition)
・ Copper sulfate / pentahydrate: 30-220 g / L
・ Sulfuric acid: 70 to 300 g / L
・ Chloride ion: 30-75mg / L

硫酸銅めっきの浴温度は、20〜40℃の範囲で設定することができるが、めっき皮膜の内部応力が低い22〜28℃の範囲で設定することが好ましい。また、陰極電流密度は、0.5〜15A/dm2の範囲とすることができるが、めっき皮膜の内部応力を考慮して2〜6A/dm2の範囲とすることが好ましい。陽極には含リン銅、または不溶性陽極(例えば、チタン上に酸化イリジウムをコートした電極)等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌または噴流を使用し、連続ろ過を行う。
また、上記の銅ストライクめっきに使用したノーシアンアルカリ電気銅ストライク浴であるメルカパーCF−2170(メルテックス(株)製)も極薄銅箔の形成に使用することができる。
形成する極薄銅箔の厚みは、上記の銅ストライクめっき膜との合計厚みが9μm以下、好ましくは1〜5μmの範囲となるように設定することができる。
The bath temperature of copper sulfate plating can be set in the range of 20 to 40 ° C., but is preferably set in the range of 22 to 28 ° C. where the internal stress of the plating film is low. The cathode current density may be in the range of 0.5~15A / dm 2, it is preferably in the range of 2~6A / dm 2 taking into account the internal stress of the plating film. For the anode, phosphorous copper, an insoluble anode (for example, an electrode in which iridium oxide is coated on titanium) or the like can be used. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation or jet flow.
Further, Mercapa CF-2170 (Meltex Co., Ltd.), which is a non-cyanic alkaline copper strike bath used for the above copper strike plating, can also be used for forming an ultrathin copper foil.
The thickness of the ultrathin copper foil to be formed can be set so that the total thickness with the copper strike plating film is 9 μm or less, preferably in the range of 1 to 5 μm.

上述のような本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法は、アルカリ性溶液への浸漬によって、ニッケル層またはニッケル合金層上に、オキシ水酸化ニッケルを含有する厚みが20〜55nmの範囲内の剥離層を形成するので、剥離層上に形成される極薄銅箔の保持性と剥離性という二律背反の特性をバランスよく具備したキャリア箔付き極薄銅箔の製造が可能である。
また、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法では、上記の極薄銅箔表面に、絶縁体表面との密着性を向上させるための銅微粒子形成めっき、銅微粒子固定のための被せめっき、ヒゲめっきからなる一連の粗化処理を施してもよい。このような粗化処理により、極薄銅箔の表面粗度を、10点平均粗さRzが0.8〜4μm、好ましくは2.5〜3.5μmの範囲とすることができる。
The manufacturing method of the ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention as described above is such that the thickness containing nickel oxyhydroxide is within a range of 20 to 55 nm on the nickel layer or nickel alloy layer by immersion in an alkaline solution. Therefore, it is possible to produce an ultrathin copper foil with a carrier foil that has a well-balanced tradeoff between retention and peelability of an ultrathin copper foil formed on the release layer.
Moreover, in the manufacturing method of the ultra-thin copper foil with a carrier foil of the present invention, the above-mentioned ultra-thin copper foil surface is covered with a copper fine particle forming plating for improving the adhesion to the insulator surface and the copper fine particle fixing. A series of roughening treatments including plating and beard plating may be performed. By such a roughening treatment, the surface roughness of the ultrathin copper foil can be in a range of 10-point average roughness Rz of 0.8 to 4 μm, preferably 2.5 to 3.5 μm.

上記の銅微粒子形成めっきは、微粒子状の銅電着物を極薄銅箔表面に形成するものであり、例えば、下記組成の銅微粒子形成めっき浴を使用することができる。
(銅微粒子形成めっき浴組成)
・硫酸銅・五水塩 … 30〜200g/L
・硫酸 … 50〜300g/L
・塩化物イオン … 30〜80mg/L
また、銅微粒子形成めっき浴の浴温度は20〜40℃、陰極電流密度は1〜50A/dm2、めっき時間は5〜15秒間とすることができる。陽極には含リン銅、または不溶性陽極(例えば、チタン上に酸化イリジウムをコートした電極)等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌または噴流を使用し、連続ろ過を行う。
The copper fine particle forming plating is to form a finely divided copper electrodeposit on the surface of an ultrathin copper foil. For example, a copper fine particle forming plating bath having the following composition can be used.
(Cu fine particle forming plating bath composition)
・ Copper sulfate / pentahydrate: 30-200 g / L
・ Sulfuric acid: 50 to 300 g / L
・ Chloride ion: 30-80mg / L
The bath temperature of the copper fine particle forming plating bath may be 20 to 40 ° C., the cathode current density may be 1 to 50 A / dm 2 , and the plating time may be 5 to 15 seconds. For the anode, phosphorous copper, an insoluble anode (for example, an electrode in which iridium oxide is coated on titanium) or the like can be used. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation or jet flow.

銅微粒固定のための被せめっきは、上記のように極薄銅箔表面に形成した微粒子状上に析出させて銅微粒子を固定するものであり、例えば、下記組成の被せめっき浴を使用することができる。
(被せめっき浴組成)
・硫酸銅・五水塩 … 100〜300g/L
・硫酸 … 50〜150g/L
・塩化物イオン … 30〜80mg/L
また、被せめっき浴の浴温度は40〜60℃、陰極電流密度は5〜50A/dm2、めっき時間は5〜15秒間とすることができる。陽極には含リン銅、または不溶性陽極(例えば、チタン上に酸化イリジウムをコートした電極)等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌または噴流を使用し、連続ろ過を行う。
The covering plating for fixing copper fine particles is to deposit copper fine particles by depositing on the fine particles formed on the surface of the ultrathin copper foil as described above. For example, a covering plating bath having the following composition should be used. Can do.
(Cover plating bath composition)
・ Copper sulfate / pentahydrate: 100 to 300 g / L
・ Sulfuric acid: 50 to 150 g / L
・ Chloride ion: 30-80mg / L
Further, the bath temperature of the covering plating bath can be 40 to 60 ° C., the cathode current density can be 5 to 50 A / dm 2 , and the plating time can be 5 to 15 seconds. For the anode, phosphorous copper, an insoluble anode (for example, an electrode in which iridium oxide is coated on titanium) or the like can be used. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation or jet flow.

ヒゲめっきは、被せめっきが施された表面に、絶縁体との密着性を更に向上させるために施すものであり、例えば、下記組成のヒゲめっき浴を使用することができる。
(ヒゲめっき浴組成)
・硫酸銅・五水塩 … 30〜150g/L
・硫酸 … 30〜100g/L
・塩化物イオン … 30〜80mg/L
また、ヒゲめっき浴の浴温度は20〜30℃、陰極電流密度は5〜40A/dm2、めっき時間は5〜15秒間とすることができる。陽極には含リン銅、または不溶性陽極(例えば、チタン上に酸化イリジウムをコートした電極)等を使用することができる。また、浴の撹拌は、エアー撹拌または噴流を使用し、連続ろ過を行う。
The beard plating is performed to further improve the adhesion to the insulator on the surface on which the covering plating is performed. For example, a beard plating bath having the following composition can be used.
(Beard plating bath composition)
・ Copper sulfate / pentahydrate 30 to 150 g / L
・ Sulfuric acid: 30-100 g / L
・ Chloride ion: 30-80mg / L
Further, the bath temperature of the beard plating bath may be 20 to 30 ° C., the cathode current density may be 5 to 40 A / dm 2 , and the plating time may be 5 to 15 seconds. For the anode, phosphorous copper, an insoluble anode (for example, an electrode in which iridium oxide is coated on titanium) or the like can be used. In addition, the agitation of the bath is performed by continuous filtration using air agitation or jet flow.

また、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法では、上記の一連の粗化処理を施した表面に防錆めっき処理を施してもよい。このような粗化処理は、防錆効果および耐熱効果を有する金属めっき層、合金めっき層を形成するものであり、例えば、亜鉛めっき層、スズめっき層、ニッケルめっき層、あるいは、これらの金属の合金めっき層、例えば、スズ−亜鉛合金めっき層、スズ−ニッケル合金めっき層、亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することができる。亜鉛めっき層の形成には、例えば、メルジンク2400(メルテックス(株)製)等を使用することができる。また、スズめっき層の形成には、例えば、硫酸浴、アルカンスルホン酸浴、アルカノールスルホン酸浴等を使用することができる。また、ニッケルめっき層の形成には、例えば、エルピライトGS−6(メルテックス(株)製)、エルピライトGS−7(メルテックス(株)製)等を使用することができる。   Moreover, in the manufacturing method of the ultra-thin copper foil with a carrier foil of this invention, you may give an antirust plating process to the surface which gave said series of roughening processes. Such a roughening treatment is to form a metal plating layer and an alloy plating layer having a rust prevention effect and a heat resistance effect. For example, a galvanization layer, a tin plating layer, a nickel plating layer, or these metals An alloy plating layer, for example, a tin-zinc alloy plating layer, a tin-nickel alloy plating layer, or a zinc-nickel alloy plating layer can be formed. For forming the galvanized layer, for example, Melzinc 2400 (Meltex Co., Ltd.) or the like can be used. For forming the tin plating layer, for example, a sulfuric acid bath, an alkanesulfonic acid bath, an alkanolsulfonic acid bath, or the like can be used. Moreover, for the formation of the nickel plating layer, for example, Elpilite GS-6 (Meltex Co., Ltd.), Elpilite GS-7 (Meltex Co., Ltd.) or the like can be used.

また、更に防錆効果を高めるためにクロメート処理を施してもよい。クロメート処理としては、例えば、三価クロムを使用するスプレンダーブルーTC−1580(メルテックス(株)製)、スプレンダーブルーTC−1581(メルテックス(株)製)等を使用して行うことができる。   Further, a chromate treatment may be applied to further enhance the rust prevention effect. Chromate treatment can be performed using, for example, Splendor Blue TC-1580 (Meltex Co., Ltd.), Splendor Blue TC-1581 (Meltex Co., Ltd.) using trivalent chromium.

また、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法では、極薄銅箔と絶縁体表面の密着性を向上させるために、極薄銅箔表面にシランカップリング剤を塗布することができる。使用するシランカップリング剤としては、例えば、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができる。このようなシランカップリング剤の極薄銅箔表面への塗布方法は、浸漬または噴霧等を用いることができる。   Moreover, in the manufacturing method of the ultra-thin copper foil with carrier foil of this invention, in order to improve the adhesiveness of ultra-thin copper foil and an insulator surface, a silane coupling agent can be apply | coated to the ultra-thin copper foil surface. . Examples of the silane coupling agent used include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-aminopropyltriethoxysilane. , 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane and the like. As a method for applying such a silane coupling agent to the surface of the ultrathin copper foil, dipping or spraying can be used.

さらに、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法では、極薄銅箔に対して上記のような粗化処理および防錆処理を行わず、直接極薄銅箔の平滑面に有機皮膜を形成することにより、高速伝送に求められている導体のノープロファイル銅箔(例えば、10点平均粗さRzが1.3〜1.7μm)を作製することができる。プリント配線基板等で処理される信号が高速度化、高周波数化となるにつれて、信号伝送は表皮効果による導体表面での伝送となる。そのため、従来行われている銅箔と絶縁体との密着性を向上させるための粗化処理は、信号の伝送を遅延させることになり、より密着性の良い平滑面であることが銅箔に要求されている。   Furthermore, in the manufacturing method of the ultrathin copper foil with a carrier foil of the present invention, the organic film is directly applied to the smooth surface of the ultrathin copper foil without performing the roughening treatment and the rust prevention treatment as described above on the ultrathin copper foil. By forming, a no-profile copper foil (for example, 10-point average roughness Rz of 1.3 to 1.7 μm) required for high-speed transmission can be produced. As a signal processed by a printed wiring board or the like increases in speed and frequency, signal transmission is performed on the conductor surface due to the skin effect. Therefore, the conventional roughening process for improving the adhesion between the copper foil and the insulator delays signal transmission, and the copper foil has a smooth surface with better adhesion. It is requested.

このような要求に対応するために、極薄銅箔の平滑面に有機皮膜、例えば、トリアジンチオール誘導体層を形成することができる。トリアジンチオール誘導体層は、例えば、サンチオールN−1(三協化成(株)製)を溶媒に溶解し、この溶液中で陽極酸化を行って電解重合させた後、水洗、乾燥を行うことにより形成することができる。この場合、サンチオールN−1の濃度は0.1〜15g/L、液温度は20〜50℃、電解重合電位は0.1〜2V、電解重合時間は0.1〜10分間、好ましくは0.5〜2分間程度とすることができる。
上述の実施形態は例示であり、本発明のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法は、これらに限定されるものではない。
In order to meet such requirements, an organic film, for example, a triazine thiol derivative layer can be formed on the smooth surface of the ultrathin copper foil. The triazine thiol derivative layer is obtained by, for example, dissolving sun thiol N-1 (manufactured by Sankyo Kasei Co., Ltd.) in a solvent, performing anodization in this solution, performing electrolytic polymerization, washing with water, and drying. Can be formed. In this case, the concentration of sunthiol N-1 is 0.1 to 15 g / L, the liquid temperature is 20 to 50 ° C., the electrolytic polymerization potential is 0.1 to 2 V, and the electrolytic polymerization time is 0.1 to 10 minutes, preferably It can be about 0.5 to 2 minutes.
The above-mentioned embodiment is an illustration and the manufacturing method of the ultra-thin copper foil with a carrier foil of this invention is not limited to these.

次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
[実施例1]
<試料1−1の作製>
キャリア箔として、厚さ35μm、シャイニ面(極薄銅箔を積層する面)の10点平均粗さRzが0.04μmである電解銅箔を準備した。尚、10点平均粗さRzはKEYENCE社製 レーザーマイクロスコープ VK−8700を用いて測定した。
上記のキャリア箔をアルカリ性電解脱脂浴(メルテックス(株)製 クリーナー160)を用いて70℃、5Vにて1分間陰極電解し、充分水洗後、10%硫酸にて中和した。
上記のキャリア箔のシャイニ面に、ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いて、浴温度35℃、電流密度0.5A/dm2にて1分間めっきして、厚み0.05μmのニッケル層を形成し、その後、充分洗浄した。
Next, an Example is shown and this invention is demonstrated further in detail.
[Example 1]
<Preparation of Sample 1-1>
An electrolytic copper foil having a thickness of 35 μm and a 10-point average roughness Rz of 0.04 μm on a shiny surface (surface on which an ultrathin copper foil was laminated) was prepared as a carrier foil. The 10-point average roughness Rz was measured using a laser microscope VK-8700 manufactured by KEYENCE.
The carrier foil was subjected to cathodic electrolysis at 70 ° C. and 5 V for 1 minute using an alkaline electrolytic degreasing bath (Meltex Co., Ltd. cleaner 160), sufficiently washed with water and neutralized with 10% sulfuric acid.
Using a nickel electrolytic plating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6) on the shiny surface of the carrier foil, plating was performed at a bath temperature of 35 ° C. and a current density of 0.5 A / dm 2 for 1 minute. A nickel layer having a thickness of 0.05 μm was formed and then thoroughly washed.

次いで、アルカリ性溶液として、100g/L水酸化ナトリウム水溶液を準備し、液温度を50℃とした上記のアルカリ性溶液に、ニッケル層を形成したキャリア箔を60秒間浸漬し、その後、充分洗浄した。これにより、オキシ水酸化ニッケル皮膜からなる剥離層を形成した。尚、形成した剥離層の組成および厚みは、ESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)を用いて測定し、下記の表1に示した。また、剥離層の長さ50mmにおける最大厚みTmax、最小厚みTmin、平均厚みTaを測定し、平均厚みTaを剥離層の厚みとし、(Tmax−Tmin)/Ta×100から剥離層の厚みのバラツキを算出し、下記の表1に示した。
次に、銅ストライクめっき浴として、メルテックス(株)製 メルカパーCF−2120(メルカパーCF−2120A:70mL/L、メルカパーCF−2120B:100mL/L)を用いて、浴温度35℃、電流密度1A/dm2にて30秒間めっきを行い、充分洗浄後、1%硫酸に室温にて10秒間浸漬した。次いで、充分洗浄後、市販の硫酸銅めっき添加剤を添加した硫酸銅めっき浴を用いて、浴温度25℃、電流密度3A/dm2にて4分間めっきを行い、厚み3μmの極薄銅箔を形成した。尚、極薄銅箔の厚みは銅ストライクめっき膜との合計厚みであり、蛍光X線微小膜厚計 FISHER SCOPE X−ray System XDL(FISHER社製)を用いて測定した。
Next, a 100 g / L sodium hydroxide aqueous solution was prepared as an alkaline solution, and the carrier foil on which the nickel layer was formed was immersed in the alkaline solution having a liquid temperature of 50 ° C. for 60 seconds, and then sufficiently washed. This formed the peeling layer which consists of a nickel oxyhydroxide membrane | film | coat. The composition and thickness of the formed release layer were measured using ESCA PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC-PHI) and are shown in Table 1 below. The maximum thickness T max, the minimum thickness T min in the length 50mm in the release layer, was measured an average thickness T a, the average thickness T a is the thickness of the release layer, (T max -T min) / T a × 100 The thickness variation of the release layer was calculated from the results shown in Table 1 below.
Next, as a copper strike plating bath, Mercapa CF-2120 (Mercapa CF-2120A: 70 mL / L, Mercapa CF-2120B: 100 mL / L) manufactured by Meltex Co., Ltd., bath temperature 35 ° C., current density 1 A Plating was performed at / dm 2 for 30 seconds, and after sufficient washing, it was immersed in 1% sulfuric acid at room temperature for 10 seconds. Next, after thorough cleaning, plating is performed for 4 minutes at a bath temperature of 25 ° C. and a current density of 3 A / dm 2 using a commercially available copper sulfate plating bath to which a copper sulfate plating additive is added. Formed. In addition, the thickness of ultra-thin copper foil is a total thickness with a copper strike plating film | membrane, and it measured using the fluorescent X-ray minute film thickness meter FISHER SCOPE X-ray System XDL (made by FISHER).

次いで、上記の極薄銅箔表面に、絶縁体との密着性を向上させるための銅微粒子形成めっき、被せめっき、および、ヒゲめっきからなる一連の粗化処理を施した。この粗化処理は、上述の銅微粒子形成めっき浴組成の範囲内、被せめっき浴組成の範囲内、ヒゲめっき浴組成の範囲内にある各浴を使用するとともに、各処理に関する上述の条件の範囲内で行った。
さらに、亜鉛めっき浴(メルテックス(株)製 メルジンク2400)を用いて、浴温度25℃、電流密度5A/dm2にて30秒間めっきし、亜鉛めっき層を形成して防錆層とした。その後、液温度25℃のスプレンダーブルーTC−1581(メルテックス(株)製)に10秒間浸漬してクロメート処理を施し、水洗、乾燥して、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−1)を得た。
Next, a series of roughening treatments including copper fine particle forming plating, covering plating, and whisker plating for improving the adhesion to the insulator were performed on the surface of the ultrathin copper foil. This roughening treatment uses each bath within the range of the above-described copper fine particle forming plating bath composition, the range of the covering plating bath composition, and the range of the mustache plating bath composition, and the range of the above-mentioned conditions regarding each treatment. Went in.
Furthermore, using a zinc plating bath (Meltex 2400, Melzinc 2400), plating was performed at a bath temperature of 25 ° C. and a current density of 5 A / dm 2 for 30 seconds to form a galvanized layer to obtain a rust preventive layer. Then, it is immersed in Splendor Blue TC-1581 (manufactured by Meltex Co., Ltd.) with a liquid temperature of 25 ° C. for 10 seconds, subjected to chromate treatment, washed with water and dried, and an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-1) Got.

<試料1−2の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化カリウム水溶液を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−2)を作製した。
<試料1−3の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化リチウム水溶液を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−3)を作製した。
<試料1−4の作製>
アルカリ性溶液として、50g/L水酸化ナトリウム水溶液と50g/L水酸化カリウム水溶液の混合溶液を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−4)を作製した。
<Preparation of Sample 1-2>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 1-2) was prepared in the same manner as in the preparation of sample 1-1 except that a 100 g / L potassium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution.
<Preparation of Sample 1-3>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 1-3) was prepared in the same manner as in the preparation of sample 1-1 except that a 100 g / L lithium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution.
<Preparation of Sample 1-4>
As the alkaline solution, except that a mixed solution of 50 g / L sodium hydroxide aqueous solution and 50 g / L potassium hydroxide aqueous solution was used, an ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 1-4) was produced.

<試料1−5の作製>
アルカリ性溶液として、50g/L水酸化ナトリウム水溶液と50g/L水酸化リチウム水溶液の混合溶液を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−5)を作製した。
<試料1−6の作製>
キャリア箔として、厚さ35μm、シャイニ面(極薄銅箔を積層する面)の10点平均粗さRzが0.2μmである電解銅箔を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−6)を作製した。
<試料1−7の作製>
キャリア箔として、厚さ18μm、シャイニ面(極薄銅箔を積層する面)の10点平均粗さRzが0.04μmである電解銅箔を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−7)を作製した。
<Preparation of Sample 1-5>
As the alkaline solution, except that a mixed solution of 50 g / L sodium hydroxide aqueous solution and 50 g / L lithium hydroxide aqueous solution was used, an ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 1-5) was produced.
<Preparation of Sample 1-6>
Preparation of Sample 1-1 above except that an electrolytic copper foil having a thickness of 35 μm and a 10-point average roughness Rz of 0.2 μm on a shiny surface (surface on which an ultrathin copper foil is laminated) is used as a carrier foil. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-6) was produced.
<Preparation of Sample 1-7>
Preparation of Sample 1-1 above, except that as the carrier foil, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm and a 10-point average roughness Rz of a shiny surface (surface on which ultrathin copper foil is laminated) is 0.04 μm is used. In the same manner as above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-7) was produced.

<試料1−8の作製>
キャリア箔として、厚さ18μm、シャイニ面(極薄銅箔を積層する面)の10点平均粗さRzが0.2μmである電解銅箔を使用した他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−8)を作製した。
<試料1−9の作製>
アルカリ性溶液への浸漬を行わない他は、上記の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−9)を作製した。
<Preparation of Sample 1-8>
Preparation of Sample 1-1 above, except that as the carrier foil, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm and a 10-point average roughness Rz of a shiny surface (surface on which an ultrathin copper foil is laminated) is 0.2 μm is used. In the same manner as above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-8) was produced.
<Preparation of Sample 1-9>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-9) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 except that the immersion in an alkaline solution was not performed.

<試料1−10〜試料1−14の作製>
アルカリ性溶液に浸漬した状態にて、1.5Vで60秒間陽極電解を行って剥離層を形成した他は、上記の試料1−1〜試料1−5の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−10〜試料1−14)を作製した。形成した剥離層はオキシ水酸化ニッケル皮膜からなる剥離層であり、試料1−1と同様に、剥離層の厚み、バラツキを測定して、下記の表1に示した。
<Preparation of Sample 1-10 to Sample 1-14>
The electrode with a carrier foil was prepared in the same manner as in the preparation of Sample 1-1 to Sample 1-5 except that the release layer was formed by anodic electrolysis at 1.5 V for 60 seconds in a state immersed in an alkaline solution. Thin copper foils (Sample 1-10 to Sample 1-14) were prepared. The formed release layer was a release layer composed of a nickel oxyhydroxide film, and the thickness and variation of the release layer were measured in the same manner as in Sample 1-1.

<試料1−15の作製>
試料1−1の作製に使用したものと同じキャリア箔を、硫酸が150g/L、銅濃度が10g/L、カルボキシベンゾトリアゾール濃度が800ppmである有機剤含有希硫酸水溶液(液温度30℃)に30秒浸漬し、キャリア箔表面にカルボキシベンゾトリアゾールを吸着させて有機剤層を形成し接合界面層とした。
次に、硫酸ニッケルが330g/L、塩化ニッケルが45g/L、ホウ酸が35g/L、pH3のワット浴を使用し、浴温度45℃、電流密度2.5A/dm2にてめっきして、上記の有機剤層上に厚み0.01μmのニッケル層を形成し、その後、充分洗浄した。
次いで、銅濃度が65g/L、硫酸濃度が150g/Lの硫酸銅めっき浴を使用し、浴温度45℃、電流密度15A/dm2にてめっきして、上記のニッケル層上に厚み3μmの極薄銅箔を形成した。
その後、試料1−1の作製と同様に、粗化処理、亜鉛めっき層形成、クロメート処理を施し、水洗、乾燥して、キャリア箔付き極薄銅箔(試料1−15)を得た。
<Preparation of Sample 1-15>
The same carrier foil as that used to prepare Sample 1-1 was added to an organic agent-containing dilute sulfuric acid aqueous solution (liquid temperature 30 ° C.) containing 150 g / L of sulfuric acid, 10 g / L of copper, and 800 ppm of carboxybenzotriazole. It was immersed for 30 seconds, and carboxybenzotriazole was adsorbed on the surface of the carrier foil to form an organic agent layer to obtain a bonding interface layer.
Next, using a Watt bath of 330 g / L of nickel sulfate, 45 g / L of nickel chloride, 35 g / L of boric acid, pH 3 and plating at a bath temperature of 45 ° C. and a current density of 2.5 A / dm 2 . A nickel layer having a thickness of 0.01 μm was formed on the organic agent layer, and then thoroughly washed.
Next, using a copper sulfate plating bath having a copper concentration of 65 g / L and a sulfuric acid concentration of 150 g / L, plating was performed at a bath temperature of 45 ° C. and a current density of 15 A / dm 2 , and a thickness of 3 μm was formed on the nickel layer. An ultrathin copper foil was formed.
Then, similarly to preparation of Sample 1-1, roughening treatment, galvanized layer formation, and chromate treatment were performed, washed with water, and dried to obtain an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 1-15).

<キャリア箔付き極薄銅箔の評価>
上述のように作製したキャリア箔付き極薄銅箔(試料1−1〜試料1−15)について、下記の条件で330℃加熱後の剥離性、剥離強度を評価、測定して、結果を下記の表1に示した。
(330℃加熱後の剥離性の評価方法)
絶縁体としてポリイミドフィルム(宇部興産(株)製 UPILEX−VT)
を準備し、この絶縁体にキャリア箔付き極薄銅箔を330℃で圧着(圧力:50
kg/cm2)し、室温まで放冷した後、キャリア箔を絶縁体から剥離したときの
状態を観察し、下記の基準で評価した。
(評価基準)
○ : 熱圧着領域の極薄銅箔が絶縁体表面に積層され、キャリア箔への
極薄銅箔の残存はみられない
△ : 熱圧着領域の極薄銅箔の一部が、剥離したキャリア箔に残存する
× : 熱圧着領域の極薄銅箔とキャリア箔との剥離が不可能である
<Evaluation of ultra-thin copper foil with carrier foil>
The ultrathin copper foils with the carrier foil (Sample 1-1 to Sample 1-15) produced as described above were evaluated and measured for peelability and peel strength after heating at 330 ° C. under the following conditions. It showed in Table 1.
(Evaluation method of peelability after heating at 330 ° C.)
Polyimide film as an insulator (UPILEX-VT manufactured by Ube Industries)
Was prepared, and an ultrathin copper foil with a carrier foil was crimped to this insulator at 330 ° C. (pressure: 50
kg / cm 2 ), allowed to cool to room temperature, and then observed the state when the carrier foil was peeled from the insulator and evaluated according to the following criteria.
(Evaluation criteria)
○: Ultra-thin copper foil in the thermocompression bonding area is laminated on the insulator surface,
No remaining ultrathin copper foil
Δ: Part of the ultrathin copper foil in the thermocompression bonding region remains on the peeled carrier foil
×: Exfoliation between the ultrathin copper foil and the carrier foil in the thermocompression bonding area is impossible

(剥離強度の測定方法)
作製したキャリア箔付き極薄銅箔をJIS C6511に準拠して、キャリア箔
を引き剥がし、剥離強度を3回測定し、その平均値を求めた。
(Measurement method of peel strength)
The produced ultrathin copper foil with carrier foil was peeled off according to JIS C6511, the peel strength was measured three times, and the average value was obtained.

Figure 2013001993
Figure 2013001993

[実施例2]
<試料2−1の作製>
アルカリ性溶液として、10g/L水酸化ナトリウム水溶液を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−1)を作製した。
<試料2−2の作製>
アルカリ性溶液として、20g/L水酸化ナトリウム水溶液を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−2)を作製した。
<試料2−3の作製>
アルカリ性溶液として、200g/L水酸化ナトリウム水溶液を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−3)を作製した。
[Example 2]
<Preparation of Sample 2-1>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-1) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 in Example 1, except that a 10 g / L aqueous sodium hydroxide solution was used as the alkaline solution.
<Preparation of Sample 2-2>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-2) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 of Example 1, except that a 20 g / L aqueous sodium hydroxide solution was used as the alkaline solution.
<Preparation of Sample 2-3>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-3) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 of Example 1 except that a 200 g / L aqueous sodium hydroxide solution was used as the alkaline solution.

<試料2−4の作製>
アルカリ性溶液として、300g/L水酸化ナトリウム水溶液を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−4)を作製した。
<試料2−5の作製>
アルカリ性溶液の液温を30℃とした他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−5)を作製した。
<試料2−6の作製>
アルカリ性溶液の液温を40℃とした他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−6)を作製した。
<Preparation of Sample 2-4>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 2-4) was produced in the same manner as in the production of sample 1-1 in Example 1 except that a 300 g / L aqueous sodium hydroxide solution was used as the alkaline solution.
<Preparation of Sample 2-5>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-5) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 of Example 1, except that the temperature of the alkaline solution was 30 ° C.
<Preparation of Sample 2-6>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-6) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 of Example 1, except that the temperature of the alkaline solution was 40 ° C.

<試料2−7の作製>
アルカリ性溶液の液温を60℃とした他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−7)を作製した。
<試料2−8の作製>
アルカリ性溶液の液温を80℃とした他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料2−8)を作製した。
<Preparation of Sample 2-7>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 2-7) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 in Example 1, except that the temperature of the alkaline solution was 60 ° C.
<Preparation of Sample 2-8>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 2-8) was produced in the same manner as in the production of sample 1-1 in Example 1, except that the temperature of the alkaline solution was 80 ° C.

<キャリア箔付き極薄銅箔の評価>
上述のように作製したキャリア箔付き極薄銅箔(試料2−1〜試料2−8)について、実施例1と同様にして、330℃加熱後の剥離性、剥離強度を評価、測定して、結果を下記の表2に示した。
<Evaluation of ultra-thin copper foil with carrier foil>
About the ultra-thin copper foil with a carrier foil produced as described above (Sample 2-1 to Sample 2-8), the peelability and peel strength after heating at 330 ° C. were evaluated and measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2 below.

Figure 2013001993
Figure 2013001993

[実施例3]
<試料3−1の作製>
実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−1)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルからなる層(オキシ水酸化ニッケル含有率:100重量%)であった。尚、剥離層中のオキシ水酸化ニッケルの含有量の測定は、ESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)を用いて行った。
[Example 3]
<Preparation of Sample 3-1>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-1) was produced in the same manner as in the production of Sample 1-1 in Example 1.
The produced ultrathin copper foil with a carrier foil was a layer (nickel oxyhydroxide content: 100% by weight) in which the release layer was made of nickel oxyhydroxide. The content of nickel oxyhydroxide in the release layer was measured using ESCA PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC-PHI).

<試料3−2の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、ニッケル−リン合金めっき浴(メルテックス(株)製 メルブライトNC−57)を用いて、浴温度55℃、電流密度0.5A/dm2にて30秒間めっきして、厚み0.05μmのニッケル−リン(Ni−P)合金層(ニッケル含有量88重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−2)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを69重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-2>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electrolytic plating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), using a nickel-phosphorus alloy plating bath (Meltex Co., Ltd. Melbright NC-57), The plating was performed at a bath temperature of 55 ° C. and a current density of 0.5 A / dm 2 for 30 seconds to form a 0.05 μm thick nickel-phosphorus (Ni—P) alloy layer (nickel content 88 wt%). An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-2) was produced in the same manner as in the production of Sample 3-1.
The produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which the release layer contains 69% by weight of nickel oxyhydroxide. The thickness and variation of the thickness of this release layer were measured in the same manner as in Example 1 and It is shown in Table 3.

<試料3−3の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、スパッタリング法により厚み0.05μmのニッケル(Ni)層を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−3)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルからなる層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-3>
Sample 3 above except that a nickel (Ni) layer having a thickness of 0.05 μm was formed by sputtering instead of forming a nickel layer using a nickel electroplating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6). In the same manner as in preparation of -1, an ultrathin copper foil with a carrier foil (sample 3-3) was prepared.
The produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which the release layer is made of nickel oxyhydroxide, and the thickness and variation in thickness of the release layer are measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 3 below. It was.

<試料3−4の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、スパッタリング法により厚み0.05μmのニッケル−クロム(Ni−Cr)合金層(ニッケル含有量90重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−4)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを75重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-4>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electroplating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), a 0.05 μm thick nickel-chromium (Ni—Cr) alloy layer (nickel content 90) was formed by sputtering. The ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-4) was produced in the same manner as in the production of Sample 3-1, except that (% by weight) was formed.
The produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which the release layer contains 75% by weight of nickel oxyhydroxide. The thickness and variation in thickness of the release layer were measured in the same manner as in Example 1, and the following It is shown in Table 3.

<試料3−5の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、無電解ニッケル−リンめっき浴(メルテックス(株)製 メルプレートNI−865)を用いて、浴温度85℃にて1分間めっきを行い、厚み0.3μmのニッケル−リン(Ni−P)合金層(ニッケル含有量92重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−5)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを68重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-5>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electroplating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), an electroless nickel-phosphorous plating bath (Meltex Co., Ltd. Melplate NI-865) is used. The sample 3-1 was prepared except that plating was performed at a bath temperature of 85 ° C. for 1 minute to form a nickel-phosphorus (Ni—P) alloy layer (nickel content 92% by weight) having a thickness of 0.3 μm. In the same manner as above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-5) was produced.
The produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which the release layer contains 68% by weight of nickel oxyhydroxide. The thickness and variation in thickness of this release layer were measured in the same manner as in Example 1, and the following It is shown in Table 3.

<試料3−6の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、無電解ニッケル−リンめっき浴(メルテックス(株)製 エンプレートNI−426)を用いて、浴温度80℃にて1分間めっきを行い、厚み0.3μmのニッケル−リン(Ni−P)合金層(ニッケル含有量89重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−6)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを60重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-6>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electrolytic plating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), an electroless nickel-phosphorous plating bath (Meltex Co., Ltd. Enplate NI-426) is used. The sample 3-1 was prepared except that plating was performed at a bath temperature of 80 ° C. for 1 minute to form a nickel-phosphorus (Ni—P) alloy layer (nickel content 89 wt%) having a thickness of 0.3 μm. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-6) was produced.
The produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which the release layer contains 60% by weight of nickel oxyhydroxide, and the thickness and variation of the thickness of the release layer are measured in the same manner as in Example 1 and It is shown in Table 3.

<試料3−7の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、無電解ニッケル−リンめっき浴(メルテックス(株)製 メルプレートNI−865)を用いて、浴温度85℃にて1分間めっきを行い、厚み0.3μmのニッケル−リン(Ni−P)合金層(ニッケル含有量85重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−7)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを50重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-7>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electroplating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), an electroless nickel-phosphorous plating bath (Meltex Co., Ltd. Melplate NI-865) is used. Sample 3-1 was prepared except that plating was performed at a bath temperature of 85 ° C. for 1 minute to form a 0.3 μm-thick nickel-phosphorus (Ni—P) alloy layer (nickel content: 85 wt%). In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-7) was produced.
The produced ultra-thin copper foil with carrier foil is a layer in which the release layer contains 50% by weight of nickel oxyhydroxide. The thickness and variation of the thickness of the release layer were measured in the same manner as in Example 1 and It is shown in Table 3.

<試料3−8の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、無電解ニッケル−リンめっき浴(メルテックス(株)製 メルプレートNI−875)を用いて、浴温度90℃にて1分間めっきを行い、厚み0.3μmのニッケル−リン(Ni−P)合金層(ニッケル含有量80重量%)を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−8)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層がオキシ水酸化ニッケルを40重量%含有する層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-8>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electrolytic plating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), an electroless nickel-phosphorous plating bath (Meltex Co., Ltd. Melplate NI-875) is used. The sample 3-1 was prepared except that plating was performed at a bath temperature of 90 ° C. for 1 minute to form a nickel-phosphorus (Ni—P) alloy layer (nickel content 80 wt%) having a thickness of 0.3 μm. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-8) was produced.
The produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which the release layer contains 40% by weight of nickel oxyhydroxide. The thickness and thickness variation of the release layer were measured in the same manner as in Example 1, and the following It is shown in Table 3.

<試料3−9の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、下記組成のコバルトストライク浴を用いて、浴温度25℃、電流密度10A/dm2にて1分間めっきして、厚み0.05μmのコバルト(Co)層を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−9)を作製した。
(コバルトストライク浴の組成)
・硫酸コバルト … 200g/L
・硫酸 … 80g/L
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層が酸化コバルトからなる層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表2に示した。
<Preparation of Sample 3-9>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electroplating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), a cobalt strike bath having the following composition was used at a bath temperature of 25 ° C. and a current density of 10 A / dm 2 . An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 3-9) was prepared in the same manner as Sample 3-1 above, except that a cobalt (Co) layer having a thickness of 0.05 μm was formed by plating for 1 minute. did.
(Cobalt strike bath composition)
・ Cobalt sulfate: 200 g / L
・ Sulfuric acid: 80 g / L
The produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which the release layer is made of cobalt oxide. The thickness and variation in thickness of the release layer were measured in the same manner as in Example 1 and are shown in Table 2 below.

<試料3−10の作製>
ニッケル電解めっき浴(メルテックス(株)製 エルピライトGS−6)を用いたニッケル層の形成に代えて、下記組成の鉄ストライク浴を用いて、浴温度60℃、電流密度10A/dm2にて30秒間めっきして、厚み0.05μmの鉄(Fe)層を形成した他は、上記の試料3−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料3−10)を作製した。
(鉄ストライク浴の組成)
・硫酸第一鉄・七水塩 … 400g/L
・硫酸アンモニウム … 50g/L
・尿素 … 80g/L
作製したキャリア箔付き極薄銅箔は、剥離層が酸化鉄からなる層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表3に示した。
<Preparation of Sample 3-10>
Instead of forming a nickel layer using a nickel electrolytic plating bath (Mertex Co., Ltd. Elpilite GS-6), an iron strike bath having the following composition was used, with a bath temperature of 60 ° C. and a current density of 10 A / dm 2 . An ultra-thin copper foil with a carrier foil (Sample 3-10) was prepared in the same manner as Sample 3-1 above, except that plating was performed for 30 seconds to form an iron (Fe) layer having a thickness of 0.05 μm. did.
(Composition of iron strike bath)
・ Ferrous sulfate and heptahydrate: 400 g / L
・ Ammonium sulfate: 50 g / L
・ Urea ... 80g / L
The produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which the release layer is made of iron oxide. The thickness and variation in thickness of the release layer were measured in the same manner as in Example 1 and are shown in Table 3 below.

<キャリア箔付き極薄銅箔の評価>
上述のように作製したキャリア箔付き極薄銅箔(試料3−1〜試料3−10)について、実施例1と同様にして、330℃加熱後の剥離性、剥離強度を評価、測定して、結果を下記の表3に示した。
<Evaluation of ultra-thin copper foil with carrier foil>
About the ultra-thin copper foil with a carrier foil (Sample 3-1 to Sample 3-10) produced as described above, the peelability and peel strength after heating at 330 ° C. were evaluated and measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3 below.

Figure 2013001993
Figure 2013001993

[実施例4]
<試料4−1の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化ナトリウム水溶液に硫化リチウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化リチウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−1)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量2.8重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。尚、剥離層におけるイオウの分散状態の確認、および、剥離層中のイオウの含有量の測定は、ESCA PHI Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)を用いた。
[Example 4]
<Preparation of Sample 4-1>
Sample 1-1 of Example 1 was used except that an alkaline solution (lithium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of lithium sulfide to a 100 g / L sodium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-1) was prepared.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 2.8% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below. Note that ESCA PHI Quantera SXM (manufactured by ULVAC-PHI) was used to confirm the dispersion state of sulfur in the release layer and to measure the content of sulfur in the release layer.

<試料4−2の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化ナトリウム水溶液に硫化ナトリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化ナトリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−2)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、がオキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量2.5重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-2>
Sample 1-1 of Example 1 was used except that an alkaline solution (sodium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of sodium sulfide to a 100 g / L sodium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-2) was prepared.
The release layer of the ultra-thin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 2.5% by weight). The thickness of this release layer The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−3の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化ナトリウム水溶液に硫化カリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化カリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−3)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量4.1重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-3>
Sample 1-1 of Example 1 was used except that an alkaline solution (potassium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of potassium sulfide to a 100 g / L sodium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution. In the same manner as in the above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-3) was prepared.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 4.1% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−4の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化カリウム水溶液に硫化ナトリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化ナトリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−2の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−4)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量3.2重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-4>
Sample 1-2 of Example 1 was used except that an alkaline solution (sodium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of sodium sulfide to a 100 g / L potassium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-4) was prepared.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 3.2% by weight). The thickness of the release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−5の作製>
アルカリ性溶液として、100g/L水酸化リチウム水溶液に硫化ナトリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化ナトリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−3の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−5)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量3.5重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-5>
Sample 1-3 of Example 1 except that an alkaline solution (sodium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of sodium sulfide to a 100 g / L lithium hydroxide aqueous solution was used as the alkaline solution. In the same manner as described above, an ultrathin copper foil (sample 4-5) with a carrier foil was prepared.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 3.5% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−6の作製>
アルカリ性溶液として、50g/L水酸化ナトリウム水溶液と50g/L水酸化カリウム水溶液の混合溶液に硫化ナトリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化ナトリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−4の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−6)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量3.0重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-6>
As an alkaline solution, an alkaline solution (sodium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of sodium sulfide to a mixed solution of 50 g / L sodium hydroxide aqueous solution and 50 g / L potassium hydroxide aqueous solution was used. Others were carried out similarly to preparation of the sample 1-4 of Example 1, and produced the ultra-thin copper foil (sample 4-6) with a carrier foil.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 3.0% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−7の作製>
アルカリ性溶液として、50g/L水酸化ナトリウム水溶液と50g/L水酸化リチウム水溶液の混合溶液に硫化ナトリウムを0.1g/L添加したアルカリ性溶液(硫化ナトリウム含有量:0.01重量%)を使用した他は、実施例1の試料1−5の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−7)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量2.8重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4示した。
<Preparation of Sample 4-7>
As the alkaline solution, an alkaline solution (sodium sulfide content: 0.01% by weight) obtained by adding 0.1 g / L of sodium sulfide to a mixed solution of 50 g / L aqueous sodium hydroxide solution and 50 g / L lithium hydroxide aqueous solution was used. Others were carried out similarly to preparation of the sample 1-5 of Example 1, and produced the ultra-thin copper foil (sample 4-7) with a carrier foil.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 2.8% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−8の作製>
アルカリ性溶液中の硫化リチウム量を0.05g/L(0.005重量%)とした他は、試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−8)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量0.5重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-8>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-8) was prepared in the same manner as in Sample 4-1, except that the amount of lithium sulfide in the alkaline solution was 0.05 g / L (0.005 wt%). Produced.
The peeling layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the peeling layer is 0.5% by weight). The thickness of this peeling layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−9の作製>
アルカリ性溶液中の硫化リチウム量を0.08g/L(0.008重量%)とした他は、試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−9)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量1.6重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-9>
Except that the amount of lithium sulfide in the alkaline solution was 0.08 g / L (0.008 wt%), an ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-9) was prepared in the same manner as in Sample 4-1. Produced.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 1.6% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−10の作製>
アルカリ性溶液中の硫化リチウム量を0.5g/L(0.05重量%)とした他は、試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−10)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量4.5重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-10>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-10) was prepared in the same manner as in Sample 4-1, except that the amount of lithium sulfide in the alkaline solution was 0.5 g / L (0.05% by weight). Produced.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 4.5% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−11の作製>
アルカリ性溶液中の硫化リチウム量を0.7g/L(0.07重量%)とした他は、試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−11)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量5.2重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-11>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-11) was prepared in the same manner as in Sample 4-1, except that the amount of lithium sulfide in the alkaline solution was 0.7 g / L (0.07% by weight). Produced.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 5.2% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<試料4−12の作製>
アルカリ性溶液中の硫化リチウム量を1.0g/L(0.1重量%)とした他は、試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料4−12)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散(剥離層中のイオウ含有量6.4重量%)した層であり、この剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表4に示した。
<Preparation of Sample 4-12>
An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 4-12) was prepared in the same manner as Sample 4-1, except that the amount of lithium sulfide in the alkaline solution was 1.0 g / L (0.1% by weight). Produced.
The release layer of the produced ultrathin copper foil with carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide (the sulfur content in the release layer is 6.4% by weight). The thickness of this release layer, The thickness variation was measured in the same manner as in Example 1 and shown in Table 4 below.

<キャリア箔付き極薄銅箔の評価>
上述のように作製したキャリア箔付き極薄銅箔(試料4−1〜試料4−12)について、実施例1と同様にして、330℃加熱後の剥離性、剥離強度を評価、測定して、結果を下記の表4に示した。
<Evaluation of ultra-thin copper foil with carrier foil>
About the ultra-thin copper foil with a carrier foil produced as described above (Sample 4-1 to Sample 4-12), the peelability and peel strength after heating at 330 ° C. were evaluated and measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4 below.

Figure 2013001993
Figure 2013001993

[実施例5]
<試料5−1〜試料5−5の作製>
アルカリ性溶液として、5種の濃度(10g/L、20g/L、200g/L、500g/L、800g/L)の各水酸化ナトリウム水溶液に硫化リチウムを0.1g/L(0.01重量%)添加したものを使用した他は、実施例4の試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料5−1〜試料5−5)を作製した。
作製したキャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散した層であり、各剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表5に示した。
[Example 5]
<Preparation of Sample 5-1 to Sample 5-5>
As an alkaline solution, 0.1 g / L (0.01% by weight) of lithium sulfide was added to each sodium hydroxide aqueous solution of five concentrations (10 g / L, 20 g / L, 200 g / L, 500 g / L, 800 g / L). ) An ultrathin copper foil with a carrier foil (Sample 5-1 to Sample 5-5) was produced in the same manner as in the production of Sample 4-1 of Example 4 except that the added one was used.
The peeled layer of the produced ultrathin copper foil with a carrier foil is a layer in which sulfur is uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide, and the thickness and variation in thickness of each peeled layer are measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5 below.

<試料5−6〜試料5−9の作製>
アルカリ性溶液の液温度を4種(30℃、40℃、60℃、80℃)に設定した他は、実施例4の試料4−1の作製と同様にして、キャリア箔付き極薄銅箔(試料5−6〜試料5−9)を作製した。
作製した各キャリア箔付き極薄銅箔の剥離層は、オキシ水酸化ニッケル中にイオウが均一に分散した層であり、各剥離層の厚み、厚みのバラツキを実施例1と同様に測定して、下記の表5に示した。
<Preparation of Sample 5-6 to Sample 5-9>
Except for setting the liquid temperature of the alkaline solution to 4 types (30 ° C., 40 ° C., 60 ° C., 80 ° C.), in the same manner as in the preparation of Sample 4-1 of Example 4, Samples 5-6 to 5-9) were prepared.
The peeled layer of each ultrathin copper foil with a carrier foil was a layer in which sulfur was uniformly dispersed in nickel oxyhydroxide. The thickness and thickness variation of each peeled layer were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5 below.

<キャリア箔付き極薄銅箔の評価>
上述のように作製したキャリア箔付き極薄銅箔(試料5−1〜試料5−9)について、実施例1と同様にして、330℃加熱後の剥離性、剥離強度を評価、測定して、結果を下記の表5に示した。
<Evaluation of ultra-thin copper foil with carrier foil>
About the ultra-thin copper foil with a carrier foil produced as described above (Sample 5-1 to Sample 5-9), the peelability and peel strength after heating at 330 ° C. were evaluated and measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5 below.

Figure 2013001993
Figure 2013001993

極薄銅箔を表面に備える種々の基板等の作製、および、このような基板等を用いた種々の製品の製造に有用である。   It is useful for producing various substrates having ultrathin copper foil on the surface and for producing various products using such substrates.

Claims (16)

キャリア箔上に、ニッケル層またはニッケル合金層、および、剥離層を介して極薄銅箔を備え、前記剥離層はオキシ水酸化ニッケルを含有するとともに、厚みが20〜60nmの範囲内であり、厚みのバラツキが20%以下であることを特徴とするキャリア箔付き極薄銅箔。   On the carrier foil, a nickel layer or nickel alloy layer, and an ultrathin copper foil through a release layer, the release layer contains nickel oxyhydroxide and has a thickness in the range of 20 to 60 nm, An ultrathin copper foil with a carrier foil, wherein the thickness variation is 20% or less. 前記剥離層は、イオウを0.5〜4.5重量%の範囲で含有することを特徴とする請求項1に記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   2. The ultrathin copper foil with a carrier foil according to claim 1, wherein the release layer contains sulfur in a range of 0.5 to 4.5 wt%. 前記ニッケル合金層は、ニッケル−リン合金層またはニッケル−クロム合金層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   The ultrathin copper foil with a carrier foil according to claim 1 or 2, wherein the nickel alloy layer is a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-chromium alloy layer. 前記剥離層と前記極薄銅箔との間に銅ストライクめっき膜を有し、前記極薄銅箔と前記銅ストライクめっき膜との合計厚みは1〜5μmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   It has a copper strike plating film between the said peeling layer and the said ultra-thin copper foil, The total thickness of the said ultra-thin copper foil and the said copper strike plating film is the range of 1-5 micrometers, It is characterized by the above-mentioned. The ultra-thin copper foil with a carrier foil in any one of Claims 1 thru | or 3. 前記極薄銅箔は10点平均粗さRzが0.8〜4μmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   The ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of claims 1 to 4, wherein the ultrathin copper foil has a 10-point average roughness Rz in a range of 0.8 to 4 µm. 前記極薄銅箔は表面に亜鉛めっき層、亜鉛合金めっき層、スズめっき層、スズ合金めっき層、ニッケルめっき層、亜鉛めっきとクロム酸塩皮膜の複合層のいずれかを有することを特徴とする請求項5に記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   The ultra-thin copper foil has a zinc plating layer, a zinc alloy plating layer, a tin plating layer, a tin alloy plating layer, a nickel plating layer, or a composite layer of zinc plating and chromate film on the surface. The ultrathin copper foil with a carrier foil according to claim 5. 前記極薄銅箔は表面にシランカップリング剤層を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   The ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of claims 1 to 4, wherein the ultrathin copper foil has a silane coupling agent layer on a surface thereof. 前記極薄銅箔は表面にトリアジンチオール誘導体層を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔。   The ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of claims 1 to 4, wherein the ultrathin copper foil has a triazine thiol derivative layer on a surface thereof. キャリア箔上にニッケル層またはニッケル合金層を形成した後、アルカリ性溶液中に浸漬することにより、前記ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nmの範囲内である剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に銅ストライクめっきを行い、次いで、銅ストライクめっき膜上に極薄銅箔を形成する工程と、を有し、
前記アルカリ性溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムの1種または2種以上を10〜200g/Lの範囲で含有し、液温が40〜60℃の範囲であることを特徴とするキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。
After forming a nickel layer or a nickel alloy layer on the carrier foil, it is immersed in an alkaline solution to contain nickel oxyhydroxide on the nickel layer or the nickel alloy layer, and the thickness is within a range of 20 to 60 nm. Forming a release layer;
Performing copper strike plating on the release layer, and then forming an ultrathin copper foil on the copper strike plating film,
The alkaline solution contains one or more of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide in the range of 10 to 200 g / L, and the liquid temperature is in the range of 40 to 60 ° C. To produce ultrathin copper foil with carrier foil.
キャリア箔上にニッケル層またはニッケル合金層を形成した後、アルカリ性溶液中に浸漬することにより、前記ニッケル層またはニッケル合金層上にオキシ水酸化ニッケルを含有し、厚みが20〜60nmの範囲内である剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に銅ストライクめっきを行い、次いで、銅ストライクめっき膜上に極薄銅箔を形成する工程と、を有し、
前記アルカリ性溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムの1種または2種以上を10〜500g/Lの範囲で含有し、かつ、金属硫化物として硫化ナトリウム、硫化カリウムおよび硫化リチウムの1種または2種以上を0.005〜0.05重量%の範囲で含有し、液温が40〜60℃の範囲であることを特徴とするキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。
After forming a nickel layer or a nickel alloy layer on the carrier foil, it is immersed in an alkaline solution to contain nickel oxyhydroxide on the nickel layer or the nickel alloy layer, and the thickness is within a range of 20 to 60 nm. Forming a release layer;
Performing copper strike plating on the release layer, and then forming an ultrathin copper foil on the copper strike plating film,
The alkaline solution contains one or more of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide in a range of 10 to 500 g / L, and includes sodium sulfide, potassium sulfide and lithium sulfide as metal sulfides. The manufacturing method of the ultra-thin copper foil with a carrier foil characterized by containing 1 type (s) or 2 or more types in the range of 0.005-0.05 weight%, and liquid temperature being the range of 40-60 degreeC.
前記アルカリ性溶液への浸漬時間は30〜180秒間の範囲であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   The method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil according to claim 9 or 10, wherein the immersion time in the alkaline solution is in the range of 30 to 180 seconds. 前記ニッケル層またはニッケル合金層の形成では、無電解めっき法または電解めっき法によりニッケル層またはニッケル−リン合金層を形成することを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   The carrier according to any one of claims 9 to 11, wherein in the formation of the nickel layer or the nickel alloy layer, the nickel layer or the nickel-phosphorus alloy layer is formed by an electroless plating method or an electrolytic plating method. Manufacturing method of ultra-thin copper foil with foil. 前記ニッケル層またはニッケル合金層の形成では、真空成膜法によりニッケル層またはニッケル−クロム合金層を形成することを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   12. The ultrathin with a carrier foil according to claim 9, wherein the nickel layer or the nickel alloy layer is formed by forming a nickel layer or a nickel-chromium alloy layer by a vacuum film forming method. A method for producing copper foil. 前記極薄銅箔に10点平均粗さRzが0.8〜4μmの範囲となるように粗化処理を施し、その後、防錆処理を施す工程を有することを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   The ultrathin copper foil is subjected to a roughening treatment so that a 10-point average roughness Rz is in a range of 0.8 to 4 µm, and then a rust prevention treatment is performed. Item 14. A method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of Items13. 前記極薄銅箔上にシランカップリング剤層を形成する工程を有することを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   The method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of claims 9 to 13, further comprising a step of forming a silane coupling agent layer on the ultrathin copper foil. 前記極薄銅箔上にトリアジンチオール誘導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれかに記載のキャリア箔付き極薄銅箔の製造方法。   The method for producing an ultrathin copper foil with a carrier foil according to any one of claims 9 to 13, further comprising a step of forming a triazine thiol derivative layer on the ultrathin copper foil.
JP2011137580A 2011-06-21 2011-06-21 Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same Withdrawn JP2013001993A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011137580A JP2013001993A (en) 2011-06-21 2011-06-21 Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011137580A JP2013001993A (en) 2011-06-21 2011-06-21 Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013001993A true JP2013001993A (en) 2013-01-07

Family

ID=47670876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011137580A Withdrawn JP2013001993A (en) 2011-06-21 2011-06-21 Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013001993A (en)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014172179A (en) * 2013-03-05 2014-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-provided copper foil, method of producing carrier-provided copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate and method of producing printed wiring board
JP2014172181A (en) * 2013-03-05 2014-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-provided copper foil, method of producing carrier-provided copper foil, printed wire board, printed circuit board, copper-clad laminate and method of producing printed wiring board
JP2014198884A (en) * 2013-03-29 2014-10-23 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with carrier, print wiring board, print circuit sheet, copper clad laminate and manufacturing method of print wiring board
JP2014201777A (en) * 2013-04-02 2014-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil
JP2014201830A (en) * 2013-04-03 2014-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil, production method thereof, extremely thin copper layer and printed wiring board
JP2014224313A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board
JP2014224318A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board
JP2015076610A (en) * 2013-10-10 2015-04-20 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Surface-treated copper foil and copper-clad laminate plate including the same, printed circuit board using the same, and method for manufacturing the same
JP2015142976A (en) * 2014-01-31 2015-08-06 セーレン株式会社 Metal foil laminate, and manufacturing method thereof
JP2015199355A (en) * 2014-03-31 2015-11-12 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil, printed wiring board, laminate, laminate sheet, electronic equipment and method of producing printed wiring board
CN105408525A (en) * 2013-07-23 2016-03-16 Jx日矿日石金属株式会社 Treated surface copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed circuit board, copper clad laminate, and printed circuit board manufacturing method
WO2016067943A1 (en) * 2014-10-29 2016-05-06 住友金属鉱山株式会社 Laminate film and electrode substrate film, and production method therefor
JP2016194112A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 Jx金属株式会社 Metal foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, manufacturing method of metal foil with carrier and manufacturing method of printed wiring board
JP2017114070A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 三井金属鉱業株式会社 Carrier-fitted copper foil, laminated sheet for core-less supporting body, wiring layer-fitted core-less supporting body, and method for producing print circuit board
JP2017137583A (en) * 2017-05-08 2017-08-10 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier and manufacturing method therefor, ultrathin copper layer, manufacturing method of copper-clad laminate and manufacturing method of printed wiring board
JP2017172047A (en) * 2017-05-08 2017-09-28 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier and manufacturing method therefor, ultrathin copper layer, manufacturing method of copper-clad laminate and manufacturing method of printed wiring board
JP2020183572A (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Production method of metallic component having metal layer
WO2020226161A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Composite copper member
CN112226790A (en) * 2020-10-19 2021-01-15 九江德福科技股份有限公司 Production method of ultrathin high-strength electronic copper foil
CN112853408A (en) * 2020-12-31 2021-05-28 江西理工大学 Preparation method of ultrathin carrier-attached copper foil easy to peel and pure in interface
CN114540606A (en) * 2022-03-09 2022-05-27 西部金属材料股份有限公司 Preparation method of high-hardness titanium alloy sheet and foil
CN115948773A (en) * 2023-01-04 2023-04-11 山东大学 Preparation method of ultrathin copper foil based on crystalline-amorphous composite stripping layer

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014172181A (en) * 2013-03-05 2014-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-provided copper foil, method of producing carrier-provided copper foil, printed wire board, printed circuit board, copper-clad laminate and method of producing printed wiring board
JP2014172179A (en) * 2013-03-05 2014-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-provided copper foil, method of producing carrier-provided copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate and method of producing printed wiring board
JP2014198884A (en) * 2013-03-29 2014-10-23 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with carrier, print wiring board, print circuit sheet, copper clad laminate and manufacturing method of print wiring board
JP2014201777A (en) * 2013-04-02 2014-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil
JP2014201830A (en) * 2013-04-03 2014-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil, production method thereof, extremely thin copper layer and printed wiring board
JP2014224313A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board
JP2014224318A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil for high-frequency circuit, copper-clad laminate sheet for high-frequency circuit, printed wiring board for high-frequency circuit, carrier-provided copper foil for high-frequency circuit, electronic apparatus and method of producing printed wiring board
CN105408525A (en) * 2013-07-23 2016-03-16 Jx日矿日石金属株式会社 Treated surface copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed circuit board, copper clad laminate, and printed circuit board manufacturing method
CN105408525B (en) * 2013-07-23 2019-03-08 Jx日矿日石金属株式会社 Surface treatment copper foil, Copper foil with carrier, the manufacturing method of substrate, resin base material, printing distributing board, copper-cover laminated plate and printing distributing board
JP2015076610A (en) * 2013-10-10 2015-04-20 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Surface-treated copper foil and copper-clad laminate plate including the same, printed circuit board using the same, and method for manufacturing the same
JP2015142976A (en) * 2014-01-31 2015-08-06 セーレン株式会社 Metal foil laminate, and manufacturing method thereof
JP2015199355A (en) * 2014-03-31 2015-11-12 Jx日鉱日石金属株式会社 Carrier-provided copper foil, printed wiring board, laminate, laminate sheet, electronic equipment and method of producing printed wiring board
WO2016067943A1 (en) * 2014-10-29 2016-05-06 住友金属鉱山株式会社 Laminate film and electrode substrate film, and production method therefor
JPWO2016067943A1 (en) * 2014-10-29 2017-04-27 住友金属鉱山株式会社 LAMINATE FILM, ELECTRODE SUBSTRATE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
US10752985B2 (en) 2014-10-29 2020-08-25 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Laminate film and electrode substrate film, and method of manufacturing the same
JP2016194112A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 Jx金属株式会社 Metal foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, manufacturing method of metal foil with carrier and manufacturing method of printed wiring board
JP2017114070A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 三井金属鉱業株式会社 Carrier-fitted copper foil, laminated sheet for core-less supporting body, wiring layer-fitted core-less supporting body, and method for producing print circuit board
JP2017172047A (en) * 2017-05-08 2017-09-28 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier and manufacturing method therefor, ultrathin copper layer, manufacturing method of copper-clad laminate and manufacturing method of printed wiring board
JP2017137583A (en) * 2017-05-08 2017-08-10 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier and manufacturing method therefor, ultrathin copper layer, manufacturing method of copper-clad laminate and manufacturing method of printed wiring board
CN113661275A (en) * 2019-05-09 2021-11-16 纳美仕有限公司 Composite copper component
JP7409602B2 (en) 2019-05-09 2024-01-09 ナミックス株式会社 composite copper parts
WO2020226159A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Method for manufacturing metal member having metal layer
JP2020183573A (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Composite copper member
JP7456579B2 (en) 2019-05-09 2024-03-27 ナミックス株式会社 Method for manufacturing a metal member having a metal layer
WO2020226161A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Composite copper member
JP2020183572A (en) * 2019-05-09 2020-11-12 ナミックス株式会社 Production method of metallic component having metal layer
CN113614284A (en) * 2019-05-09 2021-11-05 纳美仕有限公司 Method for producing metal material having metal layer
TWI829898B (en) * 2019-05-09 2024-01-21 日商納美仕有限公司 Method for manufacturing metal components with metal layers
CN112226790A (en) * 2020-10-19 2021-01-15 九江德福科技股份有限公司 Production method of ultrathin high-strength electronic copper foil
CN112853408B (en) * 2020-12-31 2021-11-16 江西理工大学 Preparation method of ultrathin carrier-attached copper foil easy to peel and pure in interface
CN112853408A (en) * 2020-12-31 2021-05-28 江西理工大学 Preparation method of ultrathin carrier-attached copper foil easy to peel and pure in interface
CN114540606B (en) * 2022-03-09 2023-08-11 西部金属材料股份有限公司 Preparation method of high-hardness titanium alloy sheet and foil
CN114540606A (en) * 2022-03-09 2022-05-27 西部金属材料股份有限公司 Preparation method of high-hardness titanium alloy sheet and foil
CN115948773A (en) * 2023-01-04 2023-04-11 山东大学 Preparation method of ultrathin copper foil based on crystalline-amorphous composite stripping layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013001993A (en) Ultrathin copper foil with carrier foil and method of manufacturing the same
JP3670186B2 (en) Method for producing surface-treated copper foil for printed wiring board
JP4144711B2 (en) Surface treated copper foil for low dielectric substrate, copper-clad laminate and printed wiring board using the same
KR101614624B1 (en) Copper foil with carrier
US8674229B2 (en) Ultra-thin copper foil with carrier and copper-clad laminate board or printed circuit board substrate
JP4429979B2 (en) Ultra-thin copper foil with carrier and method for producing ultra-thin copper foil with carrier
TWI704048B (en) Surface-treated copper foil and copper clad laminate made of it
US6605369B1 (en) Surface-treated copper foil and method for producing the same
US8530749B2 (en) Copper foil attached to the carrier foil, a method for preparing the same and printed circuit board using the same
WO2005120139A1 (en) Surface-treated copper foil and flexible copper-clad laminate plate and film carrier tape manufactured by use of the surface-treated copper foil
US6777108B1 (en) Electrolytic copper foil with carrier foil and method for manufacturing the same and copper-clad laminate using the electrolytic copper foil with carrier foil
JP4172704B2 (en) Surface-treated copper foil and substrate using the same
KR20030077028A (en) Electrolyte copper foil having carrier foil,manufacturing method thereof, and layered plate using the electrolyte copper foil having carrier foil
JP2010006071A (en) Surface treatment copper foil, extremely thin copper foil with carrier, flexible copper clad laminate, and polyimide based flexible printed wiring board
KR101607381B1 (en) Copper foil for high frequency circuit, copper clad laminate for high frequency circuit, printed wiring board for high frequency circuit, copper foil attached with carrier for high frequency circuit, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
JP3306404B2 (en) Method for producing surface-treated copper foil and copper-clad laminate using surface-treated copper foil obtained by the method
JP5215631B2 (en) Surface treated copper foil
JP3661763B2 (en) Method for producing surface-treated copper foil for printed wiring board
JP3670185B2 (en) Method for producing surface-treated copper foil for printed wiring board
WO2014042412A1 (en) Method for surface-treating copper foil and copper foil surface-treated thereby
WO2010074061A1 (en) Rolled copper foil or electrolytic copper foil for electronic circuit, and method for forming electronic circuit using the rolled copper foil or electrolytic copper foil
JP2006028635A (en) Method for manufacturing surface treated copper foil for microfabrication circuit substrate
JP4748519B2 (en) Ultra thin copper foil with carrier, manufacturing method thereof, printed wiring board using ultra thin copper foil with carrier
JP2020183565A (en) Electrolytic copper foil, surface-treated copper foil using electrolytic copper foil, copper-clad laminate using surface-treated copper foil, and printed circuit board
JP2002030481A (en) Copper or copper alloy foil and its production method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140902