JP6329731B2 - Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board - Google Patents

Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP6329731B2
JP6329731B2 JP2013094609A JP2013094609A JP6329731B2 JP 6329731 B2 JP6329731 B2 JP 6329731B2 JP 2013094609 A JP2013094609 A JP 2013094609A JP 2013094609 A JP2013094609 A JP 2013094609A JP 6329731 B2 JP6329731 B2 JP 6329731B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
copper
carrier
copper foil
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013094609A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014213574A5 (en
JP2014213574A (en
Inventor
友太 永浦
友太 永浦
新井 英太
英太 新井
敦史 三木
敦史 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority to JP2013094609A priority Critical patent/JP6329731B2/en
Publication of JP2014213574A publication Critical patent/JP2014213574A/en
Publication of JP2014213574A5 publication Critical patent/JP2014213574A5/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6329731B2 publication Critical patent/JP6329731B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Description

本発明は、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法に関し、特に、ファインパターン用のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a copper foil with a carrier, a printed wiring board, a printed circuit board, a copper-clad laminate, and a method for producing a printed wiring board, and in particular, a copper foil with a carrier used when producing a printed wiring board for a fine pattern, It is related with the manufacturing method of a wiring board, a printed circuit board, a copper clad laminated board, and a printed wiring board.

プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められている。   Generally, a printed wiring board is manufactured through a process in which an insulating substrate is bonded to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a conductor pattern is formed on the copper foil surface by etching. In recent years, with the increasing needs for miniaturization and higher performance of electronic devices, higher density mounting of components and higher frequency of signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequency than printed circuit boards. Response is required.

ファインピッチ化に対応して、最近では厚さ9μm以下、更には厚さ5μm以下の銅箔が要求されているが、このような極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される。露出した極薄銅層上にレジストで回路パターンを形成した後に、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法(MSAP:Modified−Semi−Additive−Process)により、微細回路が形成される。   Recently, copper foils with a thickness of 9 μm or less and further with a thickness of 5 μm or less have been required in response to the fine pitch, but such ultra-thin copper foils have low mechanical strength and are used in the manufacture of printed wiring boards. Copper foil with a carrier has appeared, in which a thick metal foil is used as a carrier, and an ultrathin copper layer is electrodeposited through a release layer, since it is easily broken or wrinkled. After bonding the surface of the ultrathin copper layer to an insulating substrate and thermocompression bonding, the carrier is peeled and removed through the peeling layer. After forming a circuit pattern with a resist on the exposed ultrathin copper layer, the ultrathin copper layer is etched away with a sulfuric acid-hydrogen peroxide etchant (MSAP: Modified-Semi-Additive-Process). Is formed.

ここで、樹脂との接着面となるキャリア付銅箔の極薄銅層の表面に対しては、主として、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が十分であること、そしてその剥離強度が高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分に保持されていることが要求される。極薄銅層と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル(凹凸、粗さ)を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。   Here, for the surface of the ultra-thin copper layer of the copper foil with carrier, which becomes the adhesive surface with the resin, the peel strength between the ultra-thin copper layer and the resin substrate is mainly sufficient, and the peel strength Is required to be sufficiently retained after high-temperature heating, wet processing, soldering, chemical processing, and the like. As a method of increasing the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin base material, generally, a large amount of roughened particles are adhered on the ultrathin copper layer having a large surface profile (unevenness, roughness). The method is representative.

しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル(凹凸、粗さ)の大きい極薄銅層を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。   However, if a very thin copper layer with such a large profile (irregularity, roughness) is used on a semiconductor package substrate that needs to form a particularly fine circuit pattern among printed wiring boards, unnecessary copper particles during circuit etching Will remain, causing problems such as poor insulation between circuit patterns.

このため、特許文献1では、半導体パッケージ基板をはじめとする微細回路用途のキャリア付銅箔として、極薄銅層の表面に粗化処理を施さないキャリア付銅箔を用いることが試みられている。このような粗化処理を施さない極薄銅層と樹脂との密着性(剥離強度)は、その低いプロファイル(凹凸、粗度、粗さ)の影響で一般的なプリント配線板用銅箔と比較すると低下する傾向がある。そのため、キャリア付銅箔について更なる改善が求められている。   For this reason, Patent Document 1 attempts to use a copper foil with a carrier that is not subjected to roughening treatment on the surface of an ultrathin copper layer as a copper foil with a carrier for use in a fine circuit including a semiconductor package substrate. . The adhesion (peeling strength) between the ultrathin copper layer not subjected to such roughening treatment and the resin is affected by the low profile (unevenness, roughness, roughness) of the general copper foil for printed wiring boards. There is a tendency to decrease when compared. Therefore, the further improvement is calculated | required about copper foil with a carrier.

そこで、特許文献2及び特許文献3では、キャリア付極薄銅箔のポリイミド系樹脂基板と接触(接着)する面に、Ni層又は/及びNi合金層を設けること、クロメート層を設けること、Cr層又は/及びCr合金層を設けること、Ni層とクロメート層とを設けること、Ni層とCr層とを設けることが記載されている。これらの表面処理層を設けることにより、ポリイミド系樹脂基板とキャリア付極薄銅箔との密着強度を粗化処理なし、または粗化処理の程度を低減(微細化)しながら所望のピール強度を得ている。更に、シランカップリング剤で表面処理したり、防錆処理を施したりすることも記載されている。   Therefore, in Patent Document 2 and Patent Document 3, an Ni layer or / and an Ni alloy layer are provided on a surface that comes into contact (adhesion) with the polyimide resin substrate of the ultrathin copper foil with a carrier, a chromate layer is provided, Cr It is described that a layer or / and a Cr alloy layer are provided, a Ni layer and a chromate layer are provided, and a Ni layer and a Cr layer are provided. By providing these surface treatment layers, the adhesion strength between the polyimide resin substrate and the ultra-thin copper foil with carrier is not roughened, or the desired peel strength is achieved while reducing (miniaturizing) the level of the roughening treatment. It has gained. Further, it is described that the surface treatment is performed with a silane coupling agent or the rust prevention treatment is performed.

また、銅箔と樹脂との接着後の剥離性について改善する技術としては、特許文献4に、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルトめっき層或いはコバルト−ニッケル合金めっき層を形成する方法が開示されている。これは、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成する銅箔の処理方法である。非常に有効な発明であり、今日の、銅箔回路材料の主要製品の一つとなっている。   In addition, as a technique for improving the peelability after adhesion between the copper foil and the resin, Patent Document 4 discloses that after the surface of the copper foil is roughened by copper-cobalt-nickel alloy plating, a cobalt plating layer or cobalt-nickel is used. A method for forming an alloy plating layer is disclosed. This is a copper foil treatment method in which a cobalt-nickel alloy plating layer is formed on the surface of the copper foil after a roughening treatment by copper-cobalt-nickel alloy plating, and further a zinc-nickel alloy plating layer is formed. It is a very effective invention and has become one of the main products of copper foil circuit materials today.

銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成する銅箔の表面処理について、本発明者は多くの提案を行い、銅箔の特性の改善にいくつか大きな進展があった。銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理の初期の技術は、特許文献5、特許文献6、特許文献7に開示されている。   There are many inventors about the surface treatment of the copper foil which forms the cobalt-nickel alloy plating layer after the roughening process by copper-cobalt-nickel alloy plating on the surface of the copper foil, and further forms the zinc-nickel alloy plating layer. There have been some major advances in improving the properties of copper foil. The initial techniques of the roughening treatment by copper-cobalt-nickel alloy plating are disclosed in Patent Document 5, Patent Document 6, and Patent Document 7.

WO2004/005588号WO2004 / 005588 特開2007−007937号公報JP 2007-007937 A 特開2010−006071号公報JP 2010-006071 A 特公平6−54831号公報Japanese Patent Publication No. 6-54831 特許第2849059号公報Japanese Patent No. 2849059 特開平4−96395号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-96395 特開平10−18075号公報JP-A-10-18075

しかしながら、従来のコバルト−ニッケル合金めっき層を形成した銅箔は、その表面に形成された銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化粒子の形状が樹枝状であるために、この樹枝の上部又は根元から剥がれ落ち、一般に粉落ち現象と言われる問題を生じた。   However, the conventional copper foil formed with a cobalt-nickel alloy plating layer has a dendritic shape of roughened particles made of copper-cobalt-nickel alloy plating formed on the surface thereof, so It peeled off from the roots and caused a problem commonly referred to as the powdering phenomenon.

この粉落ち現象は厄介な問題であり、銅−コバルト−ニッケル合金めっきの粗化処理層は、樹脂層との密着性に優れており、耐熱性にも優れているという特徴を有しているにもかかわらず、外力により粒子が脱落し易く、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が生ずるという問題を生じた。   This powder-off phenomenon is a troublesome problem, and the roughened layer of copper-cobalt-nickel alloy plating has excellent adhesion to the resin layer and is also excellent in heat resistance. Nevertheless, the particles easily fall off due to an external force, causing problems such as peeling due to “rubbing” during processing, contamination of the roll with peeling powder, and etching residue due to peeling powder.

そこで、本発明は、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が良好であると共に、極薄銅層表面に形成された粗化粒子が当該表面から剥がれ落ちる現象、いわゆる「粉落ち」の発生が良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention provides a phenomenon in which the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin base material is good and the roughened particles formed on the surface of the ultrathin copper layer peel off from the surface, so-called “powder off”. It is an object of the present invention to provide a carrier-attached copper foil whose generation is satisfactorily suppressed.

本発明者は、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に所定の粗化粒子層を形成し、且つ、当該粗化粒子層の二次元表面積に対する三次元表面積の比を制御することが、キャリア付銅箔の極薄銅層と樹脂基材との剥離強度及び極薄銅層表面における粉落ちの抑制に極めて効果的であることを見出した。   The inventor forms a predetermined roughened particle layer on the surface of the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, and controls the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area of the roughened particle layer. The present inventors have found that it is extremely effective for the peel strength between the ultrathin copper layer of the attached copper foil and the resin substrate and the suppression of powder falling on the surface of the ultrathin copper layer.

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されているキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面に、一次粒子層を有し、前記一次粒子層の上に、二次粒子層を有し、前記一次粒子層および二次粒子層を形成した面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比が2.03以上2.2未満であるキャリア付銅箔である。 The present invention has been completed on the basis of the above knowledge, and in one aspect, a carrier, an intermediate layer, a copper foil with a carrier in which an ultrathin copper layer is laminated in this order, and on the surface of the ultrathin copper layer, having a primary particle layer on top of the primary particles layer has a secondary particle layer, three-dimensional relative two-dimensional surface area, as measured using a laser microscope of the surface forming the primary particles layer and the secondary particle layer It is a copper foil with a carrier whose surface area ratio is 2.03 or more and less than 2.2.

本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法である。 The present invention in another aspect is a method for producing a print wiring board using the copper foil with carrier of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法である。 The present invention in yet another aspect, a method of producing a copper-clad laminate using a copper foil with carrier of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate of the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the copper foil with carrier and the insulating substrate, After the lamination, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then the circuit is formed by any of the semi-additive method, the subtractive method, the partial additive method, or the modified semi-additive method. It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming.

本発明によれば、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が良好であると共に、極薄銅層表面に形成された粗化粒子が当該表面から剥がれ落ちる現象、いわゆる「粉落ち」の発生が良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供することができる。   According to the present invention, the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin base material is good, and the roughened particles formed on the surface of the ultrathin copper layer are peeled off from the surface, so-called “powder off”. It is possible to provide a copper foil with a carrier in which generation is satisfactorily suppressed.

従来の銅箔上に、銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を行った場合の粉落ちの様子を示す概念説明図である。It is a conceptual explanatory drawing which shows the mode of the powder fall at the time of performing the roughening process which consists of copper-cobalt-nickel alloy plating on the conventional copper foil. 本発明の、銅箔上に予め一次粒子層を形成し、この一次粒子層の上に銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる二次粒子層を形成した粉落ちのない銅箔処理層の概念説明図である。Conceptual explanation of a copper foil treatment layer without powder falling, in which a primary particle layer is formed in advance on a copper foil and a secondary particle layer made of copper-cobalt-nickel alloy plating is formed on the primary particle layer of the present invention. FIG. 従来の銅箔上に、銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を行った場合の表面の顕微鏡写真である。It is the microscope picture of the surface at the time of performing the roughening process which consists of copper-cobalt-nickel alloy plating on the conventional copper foil. 本発明の、銅箔上に予め一次粒子層を形成し、この一次粒子層の上に銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる二次粒子層を形成した粉落ちのない銅箔処理面の層の顕微鏡写真である。The primary particle layer is previously formed on the copper foil of the present invention, and the secondary particle layer made of copper-cobalt-nickel alloy plating is formed on the primary particle layer. It is a micrograph.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Career>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum. It is provided in the form of alloy foil, insulating resin film, polyimide film, LCP (liquid crystal polymer) film, and fluororesin film.
Carriers that can be used in the present invention are typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. Examples of copper foil materials include high-purity copper such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011), for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr A copper alloy such as a copper alloy added with Zr or Mg, or a Corson copper alloy added with Ni, Si or the like can also be used. In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば5μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には8〜70μmであり、より典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には5μm以上35μm以下であり、好ましくは5μm以上18μm以下であり、好ましくは5μm以上12μm以下であり、好ましくは5μm以上11μm以下であり、好ましくは5μm以上10μm以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。   The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, and may be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 8 to 70 μm, more typically 12 to 70 μm, and more typically 18 to 35 μm. Moreover, it is preferable that the thickness of a carrier is small from a viewpoint of reducing raw material cost. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 μm or more and 35 μm or less, preferably 5 μm or more and 18 μm or less, preferably 5 μm or more and 12 μm or less, preferably 5 μm or more and 11 μm or less, preferably 5 μm or more and 10 μm or less. It is as follows. In addition, when the thickness of a carrier is small, it is easy to generate | occur | produce a wrinkle in the case of a carrier foil. In order to prevent the generation of folding wrinkles, for example, it is effective to smooth the transport roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier and to shorten the distance between the transport roll and the next transport roll.

<中間層>
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on one or both sides of the carrier. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included. The intermediate layer may be a plurality of layers.

また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。   Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A layer made of a hydrate or oxide of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn. It can comprise by forming.

中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。   When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that some of the attached metal such as chromium and zinc may be hydrates or oxides.

また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。 Further, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the amount of chromium deposited on the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.

また、キャリアの片面又は両面上にはNiを含む中間層を設けてもよい。中間層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか1種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層がこの順で積層されて構成されているのが好ましい。そして、ニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか1種の層、及び/または、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層に亜鉛が含まれているのが好ましい。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。ニッケルを含む合金は3種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。クロム合金は3種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層はクロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。   Further, an intermediate layer containing Ni may be provided on one side or both sides of the carrier. The intermediate layer is formed by laminating any one layer of nickel or an alloy containing nickel on the carrier and a layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and an oxide of chromium in this order. It is preferable. In addition, it is preferable that zinc is contained in any one layer of nickel or an alloy containing nickel and / or a layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and an oxide of chromium. Here, the alloy containing nickel is composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The alloy containing nickel may be an alloy composed of three or more elements. The chromium alloy is an alloy composed of chromium and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. Say. The chromium alloy may be an alloy composed of three or more elements. Further, the layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and a chromium oxide may be a chromate treatment layer. Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a pure chromate treatment layer and a zinc chromate treatment layer. In the present invention, a chromate treatment layer treated with an anhydrous chromic acid or potassium dichromate aqueous solution is referred to as a pure chromate treatment layer. In the present invention, a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc is referred to as a zinc chromate treatment layer.

また、中間層は、キャリア上にニッケル、ニッケル-亜鉛合金、ニッケル-リン合金、ニッケル-コバルト合金のいずれか1種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか1種の層がこの順で積層されて構成されているのが好ましく、中間層は、キャリア上にニッケル層またはニッケル-亜鉛合金層、及び、亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されている、又は、ニッケル-亜鉛合金層、及び、純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されているのが更に好ましい。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロメート処理層との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。また、中間層にクロムめっきではなくクロメート処理層を形成するのが好ましい。クロムめっきは表面に緻密なクロム酸化物層を形成するため、電気めっきで極薄銅箔を形成する際に電気抵抗が上昇し、ピンホールが発生しやすくなる。クロメート処理層を形成した表面は、クロムめっきとくらべ緻密ではないクロム酸化物層が形成されるため、極薄銅箔を電気めっきで形成する際の抵抗になりにくく、ピンホールを減少させることができる。ここで、クロメート処理層として、亜鉛クロメート処理層を形成することにより、極薄銅箔を電気めっきで形成する際の抵抗が、通常のクロメート処理層より低くなり、よりピンホールの発生を抑制することができる。   In addition, the intermediate layer is any one of nickel, nickel-zinc alloy, nickel-phosphorus alloy, nickel-cobalt alloy, zinc chromate treatment layer, pure chromate treatment layer, and chromium plating layer on the carrier. It is preferable that one kind of layer is laminated in this order, and the intermediate layer is constituted by laminating a nickel layer or a nickel-zinc alloy layer and a zinc chromate treatment layer in this order on the carrier. It is more preferable that the nickel-zinc alloy layer and the pure chromate-treated layer or the zinc chromate-treated layer are laminated in this order. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesive force between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and the chromate treatment layer. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Further, it is preferable to form a chromate treatment layer on the intermediate layer instead of chrome plating. Since chromium plating forms a dense chromium oxide layer on the surface, when an ultrathin copper foil is formed by electroplating, the electrical resistance increases and pinholes are likely to occur. The surface on which the chromate treatment layer is formed has a chromium oxide layer that is less dense than chrome plating, so resistance to formation of ultrathin copper foil by electroplating is less likely to reduce pinholes. it can. Here, by forming a zinc chromate treatment layer as a chromate treatment layer, the resistance when forming an ultrathin copper foil by electroplating is lower than that of a normal chromate treatment layer, and the generation of pinholes is further suppressed. be able to.

キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。   When using electrolytic copper foil as a carrier, it is preferable to provide an intermediate layer on the shiny surface from the viewpoint of reducing pinholes.

中間層のうちクロメート処理層は極薄銅層の界面に薄く存在することが、絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能であるという特性を得る上で好ましい。ニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル-亜鉛合金層)を設けずにクロメート処理層をキャリアと極薄銅層の境界に存在させた場合は、剥離性はほとんど向上しないし、クロメート処理層がなくニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル-亜鉛合金層)と極薄銅層を直接積層した場合は、ニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル-亜鉛合金層)におけるニッケル量に応じて剥離強度が強すぎたり弱すぎたりして適切な剥離強度は得られない。   Among the intermediate layers, the chromate treatment layer is thinly present at the interface of the ultrathin copper layer, while the ultrathin copper layer does not peel off from the carrier before the laminating process on the insulating substrate, while after the laminating process on the insulating substrate It is preferable for obtaining the property that the ultrathin copper layer can be peeled from the carrier. If a chromate treatment layer is present at the boundary between the carrier and the ultrathin copper layer without providing a nickel layer or an alloy layer containing nickel (for example, a nickel-zinc alloy layer), the peelability is hardly improved and the chromate treatment layer If the nickel layer or nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer) and the ultrathin copper layer are directly laminated, the nickel amount in the nickel layer or nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer) Accordingly, the peel strength is too strong or too weak to obtain an appropriate peel strength.

また、クロメート処理層がキャリアとニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル-亜鉛合金層)の境界に存在すると、極薄銅層の剥離時に中間層も付随して剥離されてしまう、すなわちキャリアと中間層の間で剥離が生じてしまうので好ましくない。このような状況は、キャリアとの界面にクロメート処理層を設けた場合のみならず、極薄銅層との界面にクロメート処理層を設けたとしてもクロム量が多すぎると生じ得る。これは、銅とニッケルは固溶しやすいので、これらが接触していると相互拡散によって接着力が高くなり剥離しにくくなる一方で、クロムと銅は固溶しにくく、相互拡散が生じにくいので、クロムと銅の界面では接着力が弱く、剥離しやすいことが原因と考えられる。また、中間層のニッケル量が不足している場合、キャリアと極薄銅層の間には微量のクロムしか存在しないので両者が密着して剥がれにくくなる。   In addition, if the chromate treatment layer is present at the boundary between the carrier and the nickel layer or an alloy layer containing nickel (for example, a nickel-zinc alloy layer), the intermediate layer is also peeled off along with the peeling of the ultrathin copper layer. And the intermediate layer is undesirably peeled off. Such a situation may occur not only when the chromate treatment layer is provided at the interface with the carrier, but also when the amount of chromium is excessive even if the chromate treatment layer is provided at the interface with the ultrathin copper layer. This is because copper and nickel are likely to be in solid solution, so if they are in contact with each other, the adhesive force increases due to mutual diffusion and is difficult to peel off, while chromium and copper are less likely to dissolve and cause mutual diffusion. It is considered that the adhesion between the chromium and copper interface is weak and easy to peel off. Further, when the nickel amount in the intermediate layer is insufficient, there is only a very small amount of chromium between the carrier and the ultrathin copper layer, so that they are in close contact with each other and are difficult to peel off.

中間層のニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル-亜鉛合金層)は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、CVD及びPDVのような乾式めっきにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。なお、キャリアが樹脂フィルムの場合には、CVD及びPDVのような乾式めっきまたは無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっきにより中間層を形成することができる。
また、クロメート処理層は、例えば電解クロメートや浸漬クロメート等で形成することができるが、クロム濃度を高くすることができ、キャリアからの極薄銅層の剥離強度が良好となるため、電解クロメートで形成するのが好ましい。
また、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2、クロムの付着量が5〜100μg/dm2、亜鉛の付着量が1〜70μg/dm2であるのが好ましい。また、キャリアから極薄銅層を剥離後の、キャリア側の極薄銅層表面のNi付着量を5〜300μg/dm2とした場合、極薄銅層のエッチング性が向上するため好ましい。キャリアを剥離した後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Cr、Zn)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、中間層のNi含有量は、100〜40000μg/dm2であるのが好ましく、200μg/dm2以上20000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、500μg/dm2以上10000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、700μg/dm2以上5000μg/dm2以下であるのが更に好ましい。また、Crは5〜100μg/dm2含有するのが好ましく、8μg/dm2以上50μg/dm2以下であるのが更に好ましく、10μg/dm2以上40μg/dm2以下であるのが更に好ましく、12μg/dm2以上30μg/dm2以下であるのが更に好ましい。Znは1〜70μg/dm2含有するのが好ましく、3μg/dm2以上30μg/dm2以下であるのが更に好ましく、5μg/dm2以上20μg/dm2以下であるのが更に好ましい。
Intermediate nickel layer or nickel-containing alloy layer (eg nickel-zinc alloy layer) is formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV can do. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost. When the carrier is a resin film, the intermediate layer can be formed by dry plating such as CVD and PDV or wet plating such as electroless plating and immersion plating.
In addition, the chromate treatment layer can be formed with, for example, electrolytic chromate or immersion chromate, but the chromium concentration can be increased, and the peel strength of the ultra-thin copper layer from the carrier is improved. Preferably formed.
Further, the amount of adhered 100~40000μg / dm 2 of nickel in the intermediate layer, the adhesion amount of chromium 5~100μg / dm 2, the amount of deposition of zinc is preferably 1~70μg / dm 2. Moreover, it is preferable when the Ni adhesion amount on the surface of the ultrathin copper layer on the carrier side after peeling the ultrathin copper layer from the carrier is 5 to 300 μg / dm 2 because the etching property of the ultrathin copper layer is improved. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling the carrier, a metal species (Cr that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side while reducing the Ni adhesion amount of the intermediate layer) , Zn) is preferably contained in the intermediate layer. From this point of view, Ni content of the intermediate layer is preferably from 100~40000μg / dm 2, more preferably not less 200 [mu] g / dm 2 or more 20000μg / dm 2 or less, 500 [mu] g / dm 2 or more 10000 / more preferably at dm 2 or less, and even more preferably 700 [mu] g / dm 2 or more 5000 [mu] g / dm 2 or less. Further, Cr is preferably contained 5~100μg / dm 2, more preferably not less 8 [mu] g / dm 2 or more 50 [mu] g / dm 2 or less, more preferably at 10 [mu] g / dm 2 or more 40 [mu] g / dm 2 or less, More preferably, it is 12 μg / dm 2 or more and 30 μg / dm 2 or less. Zn is preferably contained 1~70μg / dm 2, more preferably not less 3 [mu] g / dm 2 or more 30 [mu] g / dm 2 or less, and even more preferably 5 [mu] g / dm 2 or more 20 [mu] g / dm 2 or less.

<極薄銅層表面のNi付着量>
極薄銅層表面のNi付着量は以下のようにして測定することができる。
キャリア付銅箔を極薄銅層側をBT樹脂(トリアジン−ビスマレイミド系樹脂、三菱瓦斯化学株式会社製)に貼り付けて220℃で2時間加熱圧着した。その後、JIS C 6471(方法A)に準拠して極薄銅層を銅箔キャリアから剥がした。続いて、極薄銅層の中間層側の表面のNiの付着量を、サンプルを濃度20質量%の硝酸で溶解してICP発光分析することで測定した。なお、極薄銅層の中間層側の表面とは反対側の表面にNiを含む表面処理がされている場合には、極薄銅層の中間層側の表面付近のみを溶解する(表面から0.5μm厚みのみ、又は極薄銅層の厚みの10%溶解する。)ことで、極薄銅層の中間層側の表面のNiの付着量を測定することができる。
<Ni adhesion amount on ultrathin copper layer surface>
The amount of Ni deposited on the surface of the ultrathin copper layer can be measured as follows.
The copper foil with a carrier was bonded to a BT resin (triazine-bismaleimide resin, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) on the ultrathin copper layer side and thermocompression bonded at 220 ° C. for 2 hours. Thereafter, the ultrathin copper layer was peeled off from the copper foil carrier in accordance with JIS C 6471 (Method A). Subsequently, the adhesion amount of Ni on the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer was measured by dissolving the sample with nitric acid having a concentration of 20% by mass and performing ICP emission analysis. In addition, when the surface treatment containing Ni is performed on the surface opposite to the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is dissolved (from the surface). It is possible to measure the adhesion amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer on the intermediate layer side by dissolving only 0.5 μm thickness or 10% of the thickness of the ultrathin copper layer.

<中間層の金属付着量>
中間層の金属付着量は以下のように測定することができる。
ニッケル付着量はサンプルを濃度20質量%の硝酸で溶解してICP発光分析によって測定し、亜鉛、クロム及びモリブデン付着量はサンプルを濃度7質量%の塩酸にて溶解して、原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。なお、前記ニッケル、亜鉛、クロム、モリブデン付着量の測定は以下のようにして行った。まず、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後、極薄銅層の中間層側の表面付近のみを溶解して(表面から0.5μm厚みのみ、又は極薄銅層の厚みの10%溶解する。)、極薄銅層の中間層側の表面の付着量を測定する。また、極薄銅層を剥離した後に、キャリアの中間層側の表面付近のみを溶解して(表面から0.5μm厚みのみ溶解する)、キャリアの中間層側の表面の付着量を測定する。そして、極薄銅層の中間層側の表面の付着量とキャリアの中間層側の表面の付着量とを合計した値を、中間層の金属付着量とした。
<Metal adhesion amount of intermediate layer>
The metal adhesion amount of the intermediate layer can be measured as follows.
The amount of nickel deposited was measured by ICP emission analysis after dissolving the sample in nitric acid at a concentration of 20% by mass. The amount of zinc, chromium and molybdenum deposited was dissolved in hydrochloric acid at a concentration of 7% by mass and determined by atomic absorption spectrometry. It was measured by performing an analysis. In addition, the measurement of the said nickel, zinc, chromium, and molybdenum adhesion amount was performed as follows. First, after peeling an ultrathin copper layer from a copper foil with a carrier, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is dissolved (only 0.5 μm thickness from the surface or 10 of the thickness of the ultrathin copper layer). %), And measure the amount of adhesion on the surface of the intermediate layer side of the ultrathin copper layer. Further, after peeling off the ultrathin copper layer, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the carrier is dissolved (only the thickness of 0.5 μm from the surface is dissolved), and the amount of adhesion on the surface of the carrier on the intermediate layer side is measured. And the value which totaled the adhesion amount of the surface by the side of the intermediate | middle layer of an ultra-thin copper layer and the adhesion amount of the surface by the side of the intermediate | middle layer of a carrier was made into the metal adhesion amount of an intermediate | middle layer.

本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。なお、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。ニッケルを含む合金は3種以上の元素からなる合金でもよい。また、本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上に窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。なお、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。ニッケルを含む合金は3種以上の元素からなる合金でもよい。また、キャリアから極薄銅層を剥離後の、キャリア側の極薄銅層表面のNi付着量を5〜300μg/dm2とした場合、極薄銅層のエッチング性が向上するため好ましい。キャリアを剥離した後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、中間層のNi含有量は、100〜40000μg/dm2であるのが好ましく、200μg/dm2以上20000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、300μg/dm2以上10000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、500μg/dm2以上5000μg/dm2以下であるのが更に好ましい。また、当該窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物としては、BTA(ベンゾトリアゾール)、MBT(メルカプトベンゾチアゾール)等が挙げられる。 The intermediate layer of the carrier-attached copper foil of the present invention is laminated in the order of a nickel layer or an alloy layer containing nickel, and an organic material layer containing any of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid on the carrier. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40,000 μg / dm 2 . The alloy containing nickel is an alloy composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. I mean. The alloy containing nickel may be an alloy composed of three or more elements. Moreover, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is an organic layer containing any one of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid on the carrier, and a nickel layer or an alloy layer containing nickel. It is constituted by being laminated, and the adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40,000 μg / dm 2 . The alloy containing nickel is an alloy composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. I mean. The alloy containing nickel may be an alloy composed of three or more elements. Moreover, it is preferable when the Ni adhesion amount on the surface of the ultrathin copper layer on the carrier side after peeling the ultrathin copper layer from the carrier is 5 to 300 μg / dm 2 because the etching property of the ultrathin copper layer is improved. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling the carrier, the nitrogen-containing organic compound that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side while reducing the amount of Ni deposited on the intermediate layer It is preferable that the intermediate layer includes an organic material layer containing any of a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid. From this point of view, Ni content of the intermediate layer is preferably from 100~40000μg / dm 2, more preferably not less 200 [mu] g / dm 2 or more 20000μg / dm 2 or less, 300 [mu] g / dm 2 or more 10000 / more preferably at dm 2 or less, and even more preferably 500 [mu] g / dm 2 or more 5000 [mu] g / dm 2 or less. Moreover, BTA (benzotriazole), MBT (mercaptobenzothiazole), etc. are mentioned as an organic substance containing either the said nitrogen containing organic compound, sulfur containing organic compound, and carboxylic acid.

また、中間層が含有する有機物としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなるものを用いることが好ましい。窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のうち、窒素含有有機化合物は、置換基を有する窒素含有有機化合物を含んでいる。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで25nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
Moreover, as an organic substance which an intermediate | middle layer contains, it is preferable to use what consists of 1 type, or 2 or more types selected from a nitrogen containing organic compound, a sulfur containing organic compound, and carboxylic acid. Among the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound, and the carboxylic acid, the nitrogen-containing organic compound includes a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Specific nitrogen-containing organic compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1 which are triazole compounds having a substituent. 2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like are preferably used.
For the sulfur-containing organic compound, it is preferable to use mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol, and the like.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like.
The organic material is preferably contained in a thickness of 25 nm to 80 nm, more preferably 30 nm to 70 nm. The intermediate layer may contain a plurality of types (one or more) of the aforementioned organic substances.
In addition, the thickness of organic substance can be measured as follows.

<中間層の有機物厚み>
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
<Thickness of organic material in the intermediate layer>
After peeling off the ultrathin copper layer of the carrier-attached copper foil from the carrier, the surface of the exposed ultrathin copper layer on the intermediate layer side and the exposed surface of the intermediate layer side of the carrier are subjected to XPS measurement to create a depth profile. The depth at which the carbon concentration first becomes 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is defined as A (nm), and the carbon concentration is initially 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the carrier. The resulting depth can be defined as B (nm), and the sum of A and B can be defined as the thickness (nm) of the organic substance in the intermediate layer.
XPS operating conditions are shown below.
・ Device: XPS measuring device (ULVAC-PHI, Model 5600MC)
・ Achieving vacuum: 3.8 × 10 −7 Pa
X-ray: Monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle between sample and detector 45 °
Ion beam: ion species Ar + , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm × 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (in terms of SiO 2 )

中間層が含有する有機物の使用方法について、以下に、キャリア箔上への中間層の形成方法についても述べつつ説明する。キャリア上への中間層の形成は、上述した有機物を溶媒に溶解させ、その溶媒中にキャリアを浸漬させるか、中間層を形成しようとする面に対するシャワーリング、噴霧法、滴下法及び電着法等を用いて行うことができ、特に限定した手法を採用する必要性はない。このときの溶媒中の有機系剤の濃度は、上述した有機物の全てにおいて、濃度0.01g/L〜30g/L、液温20〜60℃の範囲が好ましい。有機物の濃度は、特に限定されるものではなく、本来濃度が高くとも低くとも問題のないものである。なお、有機物の濃度が高いほど、また、上述した有機物を溶解させた溶媒へのキャリアの接触時間が長いほど、中間層の有機物厚みは大きくなる傾向にある。そして、中間層の有機物厚みが厚い場合、Niの極薄銅層側への拡散を抑制するという、有機物の効果が大きくなる傾向にある。また、中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層されて構成されていることが好ましい。ニッケルと銅との接着力は、モリブデンまたはコバルトと銅との接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。   The method for using the organic substance contained in the intermediate layer will be described below with reference to the method for forming the intermediate layer on the carrier foil. The intermediate layer is formed on the carrier by dissolving the above-mentioned organic substance in a solvent and immersing the carrier in the solvent, or showering, spraying method, dropping method and electrodeposition method on the surface on which the intermediate layer is to be formed. Etc., and there is no need to adopt a particularly limited method. At this time, the concentration of the organic agent in the solvent is preferably in the range of a concentration of 0.01 g / L to 30 g / L and a liquid temperature of 20 to 60 ° C. in all the organic substances described above. The concentration of the organic substance is not particularly limited, and there is no problem even if the concentration is originally high or low. In addition, the organic substance thickness of an intermediate | middle layer tends to become large, so that the density | concentration of organic substance is high, and the contact time of the carrier to the solvent which dissolved the organic substance mentioned above is long. And when the organic substance thickness of an intermediate | middle layer is thick, it exists in the tendency for the effect of organic substance to suppress the spreading | diffusion to the ultra-thin copper layer side of Ni to become large. In addition, the intermediate layer is preferably configured by stacking nickel and molybdenum or cobalt or a molybdenum-cobalt alloy in this order on a carrier. Since the adhesion force between nickel and copper is higher than the adhesion force between molybdenum or cobalt and copper, when peeling the ultrathin copper layer, the interface between the ultrathin copper layer and molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy It will come off. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer.

なお、前述のニッケルはニッケルを含む合金であっても良い。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。また、前述のモリブデンはモリブデンを含む合金であっても良い。ここで、モリブデンを含む合金とはモリブデンと、コバルト、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。また、前述のコバルトはコバルトを含む合金であっても良い。ここで、コバルトを含む合金とはコバルトと、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。   The aforementioned nickel may be an alloy containing nickel. Here, the alloy containing nickel is composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The molybdenum described above may be an alloy containing molybdenum. Here, the alloy containing molybdenum is composed of molybdenum and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The cobalt described above may be an alloy containing cobalt. Here, the alloy containing cobalt is made of cobalt and one or more elements selected from the group consisting of molybdenum, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy.

モリブデン−コバルト合金はモリブデン、コバルト以外の元素(例えばコバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素)を含んでも良い。
キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。
Molybdenum-cobalt alloy is an element other than molybdenum and cobalt (for example, one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium). May be included.
When using electrolytic copper foil as a carrier, it is preferable to provide an intermediate layer on the shiny surface from the viewpoint of reducing pinholes.

中間層のうちモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層は極薄銅層の界面に薄く存在することが、絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能であるという特性を得る上で好ましい。ニッケル層を設けずにモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層をキャリアと極薄銅層の境界に存在させた場合は、剥離性はほとんど向上しない場合があり、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層がなくニッケル層と極薄銅層を直接積層した場合はニッケル層におけるニッケル量に応じて剥離強度が強すぎたり弱すぎたりして適切な剥離強度は得られない場合がある。   Among the intermediate layers, the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is thinly present at the interface of the ultrathin copper layer, while the ultrathin copper layer does not peel off from the carrier before the lamination process to the insulating substrate, while the insulating substrate It is preferable for obtaining the property that the ultrathin copper layer can be peeled off from the carrier after the lamination step. If a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is present at the boundary between the carrier and the ultrathin copper layer without providing a nickel layer, the peelability may be hardly improved, and the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer When the nickel layer and the ultrathin copper layer are directly laminated, the peel strength may be too strong or too weak depending on the amount of nickel in the nickel layer, and an appropriate peel strength may not be obtained.

また、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層がキャリアとニッケル層の境界に存在すると、極薄銅層の剥離時に中間層も付随して剥離されてしまう場合がある、すなわちキャリアと中間層の間で剥離が生じてしまうので好ましくない場合がある。このような状況は、キャリアとの界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けた場合のみならず、極薄銅層との界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けたとしてもモリブデン量またはコバルト量が多すぎると生じ得る。これは、銅とニッケルとは固溶しやすいので、これらが接触していると相互拡散によって接着力が高くなり剥離しにくくなる一方で、モリブデンまたはコバルトと銅とは固溶しにくく、相互拡散が生じにくいので、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層と銅との界面では接着力が弱く、剥離しやすいことが原因と考えられる。また、中間層のニッケル量が不足している場合、キャリアと極薄銅層の間には微量のモリブデンまたはコバルトしか存在しないので両者が密着して剥がれにくくなる場合がある。   In addition, if the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is present at the boundary between the carrier and the nickel layer, the intermediate layer may be additionally peeled off when the ultrathin copper layer is peeled off, that is, between the carrier and the intermediate layer. May cause undesirable peeling. Such a situation is not only when a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is provided at the interface with the carrier, but also when a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is provided at the interface with the ultrathin copper layer. This can occur if the amount of molybdenum or cobalt is too high. This is because copper and nickel are likely to be in solid solution, so if they are in contact with each other, the adhesive force increases due to mutual diffusion and it is difficult to peel off, while molybdenum or cobalt and copper are less likely to dissolve and mutual diffusion. This is considered to be because the adhesive force is weak at the interface between the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer and copper and is easily peeled off. Further, when the amount of nickel in the intermediate layer is insufficient, since only a small amount of molybdenum or cobalt is present between the carrier and the ultrathin copper layer, they may be in close contact and difficult to peel off.

中間層のニッケル及びコバルトまたはモリブデン−コバルト合金は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、CVD及びPDVのような乾式めっきにより形成することができる。また、モリブデンはCVD及びPDVのような乾式めっきのみにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。   The intermediate layer nickel and cobalt or molybdenum-cobalt alloy can be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV. Molybdenum can be formed only by dry plating such as CVD and PDV. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost.

中間層において、ニッケルの付着量は100〜40000μg/dm2であり、モリブデンの付着量は10〜1000μg/dm2であり、コバルトの付着量は10〜1000μg/dm2であることが好ましい。また、キャリアから極薄銅層を剥離後の、キャリア側の極薄銅層表面のNi付着量を5〜300μg/dm2とした場合、極薄銅層のエッチング性が向上するため好ましい。キャリアを剥離した後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Co、Mo)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、ニッケル付着量は100〜40000μg/dm2とすることが好ましく、200〜20000μg/dm2とすることが好ましく、300〜15000μg/dm2とすることがより好ましく、300〜10000μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にモリブデンが含まれる場合には、モリブデン付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、モリブデン付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にコバルトが含まれる場合には、コバルト付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、コバルト付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。 In the intermediate layer, the adhesion amount of nickel is preferably 100 to 40000 μg / dm 2 , the adhesion amount of molybdenum is 10 to 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of cobalt is preferably 10 to 1000 μg / dm 2 . Moreover, it is preferable when the Ni adhesion amount on the surface of the ultrathin copper layer on the carrier side after peeling the ultrathin copper layer from the carrier is 5 to 300 μg / dm 2 because the etching property of the ultrathin copper layer is improved. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling off the carrier, the amount of Ni deposited on the intermediate layer is reduced and the metal species (Co) that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side is reduced. , Mo) is preferably contained in the intermediate layer. From this viewpoint, the amount of nickel deposited is preferably to 100~40000μg / dm 2, preferably to 200~20000μg / dm 2, more preferably to 300~15000μg / dm 2, 300~10000μg / Dm 2 is more preferable. If included molybdenum in the intermediate layer, a molybdenum deposition amount is preferably set to 10~1000μg / dm 2, the molybdenum deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably. If included cobalt in the intermediate layer, the cobalt coating weight is preferably set to 10~1000μg / dm 2, cobalt deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably.

なお、上述のように中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層した場合には、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けるためのめっき処理での電流密度を低くし、キャリアの搬送速度を遅くするとモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層の密度が高くなる傾向にある。モリブデン及び/またはコバルトを含む層の密度が高くなると、ニッケル層のニッケルが拡散し難くなり、剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御することができる。   As described above, the intermediate layer is plated for providing a molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer when nickel and molybdenum, cobalt, or a molybdenum-cobalt alloy are stacked in this order on a carrier. When the current density in the treatment is lowered and the carrier conveyance speed is lowered, the density of the molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer tends to increase. When the density of the layer containing molybdenum and / or cobalt increases, nickel in the nickel layer becomes difficult to diffuse, and the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling can be controlled.

<ストライクめっき>
中間層の上には極薄銅層を設ける。その前に極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。
<Strike plating>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Before that, strike plating with a copper-phosphorus alloy may be performed in order to reduce pinholes in the ultrathin copper layer. Examples of the strike plating include a copper pyrophosphate plating solution.

<極薄銅層>
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には2〜5μmである。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the release layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used in general electrolytic copper foil with high current density. Since a copper foil can be formed, a copper sulfate bath is preferable. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5-12 μm, more typically 2-5 μm.

<粗化処理>
通常、銅箔の、樹脂基材と接着する面即ち粗化面には積層後の極薄銅層の引き剥し強さを向上させることを目的として、キャリア付銅箔の極薄銅層の表面に、「ふしこぶ」状の電着を行なう粗化処理が施される。本発明においては、こうした前処理及び仕上げ処理をも含め、銅箔粗化と関連する公知の処理を必要に応じて含め、「粗化処理」と云っている。
<Roughening treatment>
Usually, the surface of the copper foil of the copper foil with a carrier is used for the purpose of improving the peel strength of the ultrathin copper layer after lamination on the surface to be bonded to the resin substrate, that is, the roughened surface. In addition, a roughening treatment for performing “fist-knot” -shaped electrodeposition is performed. In the present invention, including such pretreatment and finishing treatment, a known treatment related to copper foil roughening is included as necessary, and is referred to as “roughening treatment”.

この粗化処理を、銅−コバルト−ニッケル合金を含むめっき等のめっき処理により行うとき(以下の説明においては、当該めっきの粗化処理を、前工程との差異を明確にするために、「二次粒子層」と呼称する。)、単純に銅箔の上に銅−コバルト−ニッケル合金を含むめっき層等のめっき処理層を形成しただけでは、上記の通り、粗化粒子の形状が樹枝状であるために、この樹枝の上部又は根元から剥がれ落ちる「粉落ち」等の問題が発生する。   When this roughening treatment is performed by a plating treatment such as plating containing a copper-cobalt-nickel alloy (in the following description, in order to clarify the difference between the roughening treatment of the plating and the previous step, “ Secondary particle layer "), simply by forming a plating layer such as a plating layer containing a copper-cobalt-nickel alloy on the copper foil, as described above, the shape of the roughened particles becomes dendritic. Therefore, problems such as “powder falling” that peels off from the upper part or root of this tree branch occur.

銅箔の上に銅−コバルト−ニッケル合金を含むめっき層を形成した銅箔の表面の顕微鏡写真を図3に示す。この図3に示すように、樹枝状に発達した微細な粒子を見ることができる。一般に、この図3に示す樹枝状に発達した微細な粒子は高電流密度で作製される。
このような高電流密度で処理された場合には、初期電着における粒子の核生成が抑制されるため、粒子先端に新たな粒子の核が形成されるため、次第に樹枝状に、細く長く粒子が成長することになる。
したがって、これを防止するために、電流密度を下げて電気めっきすると、鋭い立ち上がりがなくなり、粒子が増加し、丸みを帯びた形状の粒子が成長する。このような状況下においても、粉落ちはやや改善されるが、十分なピール強度が得られず、本願発明の目的を達成するためには十分でない。
The microscope picture of the surface of the copper foil which formed the plating layer containing a copper-cobalt-nickel alloy on copper foil is shown in FIG. As shown in FIG. 3, fine particles developed in a dendritic shape can be seen. In general, the fine particles developed in a dendritic shape shown in FIG. 3 are produced at a high current density.
When processed at such a high current density, particle nucleation during initial electrodeposition is suppressed, and new particle nuclei are formed at the tip of the particle. Will grow.
Therefore, to prevent this, when electroplating is performed at a reduced current density, there is no sharp rise, the number of particles increases, and rounded particles grow. Even under such circumstances, powder falling is slightly improved, but sufficient peel strength cannot be obtained, which is not sufficient for achieving the object of the present invention.

図3に示すような銅−コバルト−ニッケル合金を含むめっき層が形成された場合の、粉落ちの様子を、図1の概念説明図に示す。この粉落ちの原因は、上記の通り銅箔上に樹枝状に微細な粒子が生ずるためであるが、この樹枝状の粒子は、外力により樹枝の一部が折れ易く、又根元から脱落する。この微細な樹枝状の粒子は、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が生ずる原因となる。   The state of powder falling when a plating layer containing a copper-cobalt-nickel alloy as shown in FIG. 3 is formed is shown in the conceptual explanatory diagram of FIG. The cause of this powder fall is that fine particles are formed in a dendritic shape on the copper foil as described above. However, the dendritic particles are easily broken by an external force and fall off from the root. The fine dendritic particles cause peeling due to “rubbing” during the process, contamination of the roll with peeling powder, and etching residue due to peeling powder.

本願発明においては、極薄銅層表面に、事前に一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、二次粒子層を形成するものである。極薄銅層上に、この一次粒子及び二次粒子を形成した表面の顕微鏡写真を図4に示す。
これによって、処理中の「こすれ」による剥離、剥離粉によるロールの汚れ、剥離粉によるエッチング残渣が無くなり、粉落ちの発生を抑制することができ、ピール強度を高めることのできるキャリア付銅箔を得ることができる。
In this invention, after forming a primary particle layer in advance on the surface of an ultrathin copper layer, a secondary particle layer is formed on the primary particle layer. FIG. 4 shows a photomicrograph of the surface on which the primary particles and secondary particles are formed on the ultrathin copper layer.
This eliminates peeling due to “rubbing” during processing, dirt on the roll due to peeling powder, etching residue due to peeling powder, suppressing occurrence of powder falling, and improving the peel strength of the copper foil with carrier. Can be obtained.

前記一次粒子層の平均粒子径を0.10〜0.45μm、二次粒子層の平均粒子径を0.35以下μmとするのが粉落ちを防止する最適な条件である。
前記一次粒子層の平均粒子径の下限は好ましくは0.27μm以上、好ましくは0.29μm以上、より好ましくは0.30μm以上、より好ましくは0.33μm以上である。前記一次粒子層の平均粒子径の上限は、好ましくは0.44μm以下、好ましくは0.43μm以下、好ましくは0.40μm以下、好ましくは0.39μm以下である。また、前記二次粒子層の平均粒子径の上限は好ましくは0.34μm以下、好ましくは0.33μm以下、好ましくは0.32μm以下、好ましくは0.31μm以下、好ましくは0.30μm以下、好ましくは0.28μm以下、好ましくは0.27μm以下である。また、二次粒子層の平均粒子径の下限は特に限定する必要はないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.01μm以上、あるいは0.05μm以上、あるいは0.09μm以上、あるいは0.10μm以上、あるいは0.12μm以上、あるいは0.15μm以上である。
The optimum condition for preventing powder falling is to set the average particle size of the primary particle layer to 0.10 to 0.45 μm and the average particle size of the secondary particle layer to 0.35 μm or less.
The lower limit of the average particle diameter of the primary particle layer is preferably 0.27 μm or more, preferably 0.29 μm or more, more preferably 0.30 μm or more, more preferably 0.33 μm or more. The upper limit of the average particle diameter of the primary particle layer is preferably 0.44 μm or less, preferably 0.43 μm or less, preferably 0.40 μm or less, preferably 0.39 μm or less. The upper limit of the average particle size of the secondary particle layer is preferably 0.34 μm or less, preferably 0.33 μm or less, preferably 0.32 μm or less, preferably 0.31 μm or less, preferably 0.30 μm or less, preferably Is 0.28 μm or less, preferably 0.27 μm or less. Further, the lower limit of the average particle diameter of the secondary particle layer is not particularly limited. For example, 0.001 μm or more, or 0.01 μm or more, or 0.05 μm or more, or 0.09 μm or more, or 0.10 μm or more. Or 0.12 μm or more, or 0.15 μm or more.

上記一次粒子層及び二次粒子層は、電気めっき層により形成する。この二次粒子の特徴は、前記一次粒子の上に成長した1又は複数個の樹枝状の粒子である。または前記一次粒子の上に成長した正常めっきである。すなわち、本明細書において用語「二次粒子層」を用いた場合には、被せめっき等の正常めっき層も含まれるものとする。また、二次粒子層は粗化粒子により形成される層を一層以上有する層であってもよく、正常めっき層を一層以上有する層であってもよく、粗化粒子により形成される層と正常めっき層とをそれぞれ一層以上有する層であってもよい。
このようにして形成された一次粒子層及び二次粒子層のピール強度0.80kg/cm以上、さらには接着強度0.90kg/cm以上を達成することができる。
The primary particle layer and the secondary particle layer are formed by an electroplating layer. The secondary particles are characterized by one or more dendritic particles grown on the primary particles. Or normal plating grown on the primary particles. That is, in the present specification, when the term “secondary particle layer” is used, a normal plating layer such as overlay plating is also included. Further, the secondary particle layer may be a layer having one or more layers formed of roughened particles, or may be a layer having one or more normal plating layers, and is normal with a layer formed of roughened particles. A layer having one or more plating layers may be used.
The peel strength of the primary particle layer and the secondary particle layer thus formed can be 0.80 kg / cm or more, and further, the adhesive strength can be 0.90 kg / cm or more.

一次粒子層及び二次粒子層を極薄銅層上に形成したキャリア付銅箔において、さらに重要なことは、粗化処理面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比を1.9以上2.2未満とすることである。
このような表面積比の制限と調整については、極薄銅層の粗化処理面が個々の粗化粒子の集合体である粒子層から形成されており、粒子層を粒子の成長制御よりもマクロな範囲で制御することで、ゆらぎの無い、すなわち安定したピール強度の向上と安定した粉落ち現象を防止できる効果を有する。また、個々の粗化粒子サイズを制御しても、微細な粗化粒子が高さ方向に積み重なってしまった場合は粉落ちが発生してしまう。よって三次元的な粗化粒子構成となる表面積比の制限と調整が重要となる。
In the copper foil with carrier in which the primary particle layer and the secondary particle layer are formed on an ultrathin copper layer, more importantly, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area measured using a laser microscope on the roughened surface Is 1.9 or more and less than 2.2.
Regarding the restriction and adjustment of the surface area ratio, the roughened surface of the ultrathin copper layer is formed from a particle layer that is an aggregate of individual roughened particles, and the particle layer is more macroscopic than particle growth control. By controlling in such a range, there is no fluctuation, that is, an effect of improving the stable peel strength and preventing a stable powder falling phenomenon. Further, even if the size of each roughened particle is controlled, if fine roughened particles are stacked in the height direction, powder falling occurs. Therefore, it is important to limit and adjust the surface area ratio that provides a three-dimensional roughened particle structure.

前記表面積比が2.0未満ではピール強度が不十分となる。レーザー顕微鏡を用いて標準圧延銅箔の粗化処理前の無粗化の状態での三次元表面粗さを測定した結果20043μm2であり、二次元表面積に対する三次元表面積比が2.02となったため、ピール強度確保のために2.03以上が望ましいと言える。また2.2を超えると粉落ち現象が発生し易くなるので、上記の範囲とするのが望ましいと言える。
なお、前記表面積比(二次元表面積に対する三次元表面積比)の上限は好ましくは2.19以下、好ましくは2.17以下、好ましくは2.15以下である。また、前記表面積比(二次元表面積に対する三次元表面積比)の下限は、好ましくは2.04以上、好ましくは2.05以上、好ましくは2.06以上である。
レーザー顕微鏡による測定法は、株式会社キーエンス製レーザーマイクロスコープVK8500を用いて粗化処理面の100×100μm相当面積、実データでは9924.4μm2における範囲の三次元表面積を測定して、三次元表面積÷二次元表面積=表面積比とする手法により設定を行う。
When the surface area ratio is less than 2.0, the peel strength is insufficient. As a result of measuring the three-dimensional surface roughness of the standard rolled copper foil before roughening using a laser microscope, it was 20043 μm 2 and the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area was 2.02. Therefore, it can be said that 2.03 or more is desirable for securing the peel strength. Moreover, since it will become easy to generate | occur | produce a powder fall phenomenon when it exceeds 2.2, it can be said that it is desirable to set it as said range.
The upper limit of the surface area ratio (three-dimensional surface area ratio to two-dimensional surface area) is preferably 2.19 or less, preferably 2.17 or less, preferably 2.15 or less. The lower limit of the surface area ratio (three-dimensional surface area ratio to two-dimensional surface area) is preferably 2.04 or more, preferably 2.05 or more, and preferably 2.06 or more.
The measurement method using a laser microscope is to measure a three-dimensional surface area in a range equivalent to 100 × 100 μm of the roughened surface using a laser microscope VK8500 manufactured by Keyence Corporation, and in the actual data range of 9944.4 μm 2 . ÷ Set by the method of 2D surface area = surface area ratio.

一次粒子層は銅を含んでもよい。また、二次粒子層はニッケル及びコバルトからなる群から選択される一種以上を含み、かつ銅を含んでもよい。また、二次粒子層が銅、コバルト及びニッケルを含んでもよく、銅、コバルト及びニッケルからなる合金を含んでもよい。一次粒子層および二次粒子層に銅が含まれる場合、回路形成の際に、一次粒子層がエッチングにより除去されやすくなるため、プリント配線板を生産する際の生産性が向上するという利点がある。また、二次粒子層にコバルトまたはニッケルが含まれる場合には、加熱後の樹脂と極薄銅層とのピール強度が劣化しにくくなるという利点がある。   The primary particle layer may include copper. Further, the secondary particle layer contains one or more selected from the group consisting of nickel and cobalt, and may contain copper. Moreover, a secondary particle layer may contain copper, cobalt, and nickel, and may contain the alloy which consists of copper, cobalt, and nickel. When copper is contained in the primary particle layer and the secondary particle layer, the primary particle layer is easily removed by etching at the time of circuit formation, so that there is an advantage that productivity in producing a printed wiring board is improved. . In addition, when cobalt or nickel is contained in the secondary particle layer, there is an advantage that the peel strength between the heated resin and the ultrathin copper layer is hardly deteriorated.

(一次粒子を形成するためのめっき条件)
一次粒子のめっき条件の一例を挙げると、下記の通りである。
なお、このめっき条件はあくまで好適な例を示すものであり、一次粒子はキャリア付銅箔上に形成される粒子が脱落して生じる粉落ちを防止する役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のめっき条件であることは何ら妨げるものではない。本発明はこれらを包含するものである。
なお、下記のように電流密度、クーロン量を制御することで一次粒子の平均粒径を制御することができる。また、前記表面積比を制御することができる。
なお、一次粒子を形成するためのめっき浴としては以下のような銅めっき浴以外に銀めっき浴、金めっき浴、ニッケルめっき浴、コバルトめっき浴、亜鉛めっき浴、ニッケル亜鉛合金めっき浴等が挙げられ、これ等の公知のめっき浴を用いることができる。
また、めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜50℃
<第一段階>
電流密度 :40〜65A/dm2
クーロン量:30〜80As/dm2
<第二段階>
電流密度 :1〜20A/dm2
クーロン量:2〜30As/dm2
(Plating conditions for forming primary particles)
An example of the primary particle plating conditions is as follows.
In addition, this plating condition shows a suitable example to the last, and a primary particle bears the role which prevents the powder fall produced by the particle | grains formed on copper foil with a carrier falling off. Therefore, as long as the average particle diameter falls within the range of the present invention, the plating conditions other than those indicated below are not disturbed. The present invention includes these.
In addition, the average particle diameter of primary particles can be controlled by controlling the current density and the coulomb amount as described below. Further, the surface area ratio can be controlled.
In addition to the following copper plating baths, plating baths for forming primary particles include silver plating baths, gold plating baths, nickel plating baths, cobalt plating baths, zinc plating baths, nickel zinc alloy plating baths, etc. These known plating baths can be used.
Various additives (metal ions, inorganic substances, organic substances) may be added to the plating solution.
Liquid composition: Copper 10-20 g / L, sulfuric acid 50-100 g / L
Liquid temperature: 25-50 degreeC
<First stage>
Current density: 40 to 65 A / dm 2
Coulomb amount: 30-80 As / dm 2
<Second stage>
Current density: 1 to 20 A / dm 2
Coulomb amount: 2-30 As / dm 2

(被せめっき条件)
めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜35℃
電流密度 :15〜20A/dm2
クーロン量:30〜60As/dm2
(Cover plating conditions)
Various additives (metal ions, inorganic substances, organic substances) may be added to the plating solution.
Liquid composition: Copper 10-20 g / L, sulfuric acid 50-100 g / L
Liquid temperature: 25-35 degreeC
Current density: 15-20 A / dm 2
Coulomb amount: 30-60 As / dm 2

(二次粒子を形成するためのめっき条件)
なお、上記と同様に、このめっき条件はあくまで好適な例を示すものであり、二次粒子は一次粒子の上に形成されるものであり、平均粒子径が粉落ち防止の役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のめっき条件であることは何ら妨げるものではない。本発明はこれらを包含するものである。
なお、下記のように電流密度、クーロン量を制御することで二次粒子の平均粒径を制御することができる。また、前記表面積比を制御することができる。
なお、二次粒子を形成するためのめっき浴としては以下のような銅とその他の元素との合金めっき浴以外に、銀とその他の元素との合金めっき浴、金とその他の元素との合金めっき浴、ニッケルとその他の元素との合金めっき浴、コバルトとその他の元素との合金めっき浴、亜鉛とその他の元素との合金めっき浴、ニッケル亜鉛合金めっき浴等が挙げられ、これ等の公知のめっき浴を用いることができる。
めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。
液組成 :銅10〜20g/L、ニッケル5〜15g/Lまたは/およびコバルト5〜15g/L
pH :2〜3
液温 :30〜50℃
電流密度 :20〜30A/dm2
クーロン量:10〜30As/dm2
(Plating conditions for forming secondary particles)
As described above, this plating condition is merely a suitable example, the secondary particles are formed on the primary particles, and the average particle diameter plays a role in preventing powder falling. is there. Therefore, as long as the average particle diameter falls within the range of the present invention, the plating conditions other than those indicated below are not disturbed. The present invention includes these.
In addition, the average particle diameter of the secondary particles can be controlled by controlling the current density and the amount of coulomb as described below. Further, the surface area ratio can be controlled.
The plating bath for forming secondary particles is not limited to the following alloy plating baths of copper and other elements, but also alloy plating baths of silver and other elements, alloys of gold and other elements. Examples include plating baths, alloy plating baths of nickel and other elements, alloy plating baths of cobalt and other elements, alloy plating baths of zinc and other elements, nickel zinc alloy plating baths, and the like. The plating bath can be used.
Various additives (metal ions, inorganic substances, organic substances) may be added to the plating solution.
Liquid composition: Copper 10-20 g / L, nickel 5-15 g / L or / and cobalt 5-15 g / L
pH: 2-3
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 20-30 A / dm 2
Coulomb amount: 10-30 As / dm 2

(耐熱層1を形成するめっき条件)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに耐熱層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル5〜20g/L、コバルト1〜8g/L
pH :2〜3
液温 :40〜60℃
電流密度 :5〜20A/dm2
クーロン量:10〜20As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 1)
In the present invention, a heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: Nickel 5-20 g / L, cobalt 1-8 g / L
pH: 2-3
Liquid temperature: 40-60 degreeC
Current density: 5 to 20 A / dm 2
Coulomb amount: 10-20 As / dm 2

(耐熱層2を形成するめっき条件)
本発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。
液組成 :ニッケル2〜30g/L、亜鉛2〜30g/L
pH :3〜4
液温 :30〜50℃
電流密度 :1〜2A/dm2
クーロン量:1〜2As/dm2
(Plating conditions for forming the heat-resistant layer 2)
In the present invention, the following heat-resistant layer can be further formed on the secondary particle layer. The plating conditions are shown below.
Liquid composition: nickel 2-30 g / L, zinc 2-30 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 1 to 2 A / dm 2
Coulomb amount: 1-2 As / dm 2

(防錆層を形成するめっき条件)
本発明は、さらに次の防錆層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。下記においては、浸漬クロメート処理の条件を示したが、電解クロメート処理でも良い。
液組成 :重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH :3〜4
液温 :50〜60℃
電流密度 :0〜2A/dm2(浸漬クロメート処理のため)
クーロン量:0〜2As/dm2(浸漬クロメート処理のため)
(Plating conditions for forming a rust prevention layer)
The present invention can further form the following antirust layer. The plating conditions are shown below. In the following, conditions for the immersion chromate treatment are shown, but electrolytic chromate treatment may be used.
Liquid composition: potassium dichromate 1-10 g / L, zinc 0-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 50-60 degreeC
Current density: 0 to 2 A / dm 2 (for immersion chromate treatment)
Coulomb amount: 0 to 2 As / dm 2 (for immersion chromate treatment)

(耐候性層の種類)
一例として、ジアミノシラン水溶液の塗布を挙げることができる。
(Type of weather-resistant layer)
As an example, application of a diaminosilane aqueous solution can be mentioned.

上記二次粒子としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が10〜30mg/dm2銅−100〜3000μg/dm2コバルト−50〜500μg/dm2ニッケルの3元系合金層を形成することができる。
Co付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性が悪くなり、またエッチング性も悪くなる。Co付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化が考慮され得る。
The copper-cobalt-nickel alloy plating as the secondary particles is a ternary alloy of 10-30 mg / dm 2 copper-100-3000 μg / dm 2 cobalt-50-500 μg / dm 2 nickel by electrolytic plating. A layer can be formed.
When the Co adhesion amount is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance is deteriorated and the etching property is also deteriorated. If the amount of Co adhesion exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into account, etching spots occur, and deterioration of acid resistance and chemical resistance can be considered.

Ni付着量が50μg/dm2未満であると、耐熱性が悪くなる。他方、Ni付着量が500μg/dm2を超えると、エッチング性が低下する。すなわち、エッチング残ができ、またエッチングできないというレベルではないが、ファインパターン化が難しくなる。好ましいCo付着量は500〜2000μg/dm2であり、そして好ましいニッケル付着量は50〜300μg/dm2である。
以上から、銅−コバルト−ニッケル合金めっきの付着量は、10〜30mg/dm2銅−100〜3000μg/dm2コバルト−50〜500μg/dm2ニッケルであることが望ましいと言える。この3元系合金層の各付着量はあくまで、望ましい条件であり、この量を超える範囲を否定するものではない。
When the Ni adhesion amount is less than 50 μg / dm 2 , the heat resistance deteriorates. On the other hand, when the Ni adhesion amount exceeds 500 μg / dm 2 , the etching property is lowered. That is, although it is not at a level where etching remains and etching cannot be performed, it becomes difficult to form a fine pattern. Preferred Co deposition amount is 500~2000μg / dm 2, and preferably nickel coating weight is 50~300μg / dm 2.
From the above, it can be said that the adhesion amount of the copper-cobalt-nickel alloy plating is desirably 10 to 30 mg / dm 2 copper-100 to 3000 μg / dm 2 cobalt-50 to 500 μg / dm 2 nickel. Each adhesion amount of the ternary alloy layer is a desirable condition, and a range exceeding this amount is not denied.

ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Coが溶解せずに残ってしまうことを意味し、そしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Niが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。
一般に、回路を形成する場合には、下記の実施例の中で説明するようなアルカリ性エッチング液及び塩化銅系エッチング液を用いて行われる。このエッチング液及びエッチング条件は、汎用性のあるものであるが、この条件に限定されることはなく、任意に選択できることは理解されるべきことである。
Here, the etching stain means that Co remains without being dissolved when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni remains undissolved when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means to end.
In general, when a circuit is formed, an alkaline etching solution and a copper chloride based etching solution as described in the following examples are used. Although this etching solution and etching conditions are versatile, it should be understood that they are not limited to these conditions and can be arbitrarily selected.

本発明は上記の通り、二次粒子を形成した後(粗化処理後)、粗化面上にコバルト−ニッケル合金めっき層を形成することができる。
このコバルト−ニッケル合金めっき層は、コバルトの付着量が200〜3000μg/dm2であり、かつコバルトの比率が60〜66質量%とするのが望ましい。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。
このコバルト−ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板のピール強度を実質的に低下させない程度に行なう必要がある。コバルト付着量が200μg/dm2未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪くなり、また処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。
また、コバルト付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化が考慮される。好ましいコバルト付着量は400〜2500μg/dm2である。
In the present invention, as described above, after the secondary particles are formed (after the roughening treatment), a cobalt-nickel alloy plating layer can be formed on the roughened surface.
The cobalt-nickel alloy plating layer preferably has a cobalt adhesion amount of 200 to 3000 μg / dm 2 and a cobalt ratio of 60 to 66 mass%. This treatment can be regarded as a kind of rust prevention treatment in a broad sense.
This cobalt-nickel alloy plating layer needs to be performed to such an extent that the peel strength between the copper foil and the substrate is not substantially lowered. A cobalt adhesion amount of less than 200 μg / dm 2 is not preferable because the heat-resistant peel strength is lowered, the oxidation resistance and chemical resistance are deteriorated, and the treated surface becomes reddish.
On the other hand, when the cobalt adhesion amount exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into consideration, etching spots occur, and deterioration of acid resistance and chemical resistance is considered. A preferable cobalt adhesion amount is 400 to 2500 μg / dm 2 .

また、コバルト付着量が多いと、ソフトエッチングの染み込み発生の原因となる場合がある。このことからコバルトの比率が60〜66質量%とするのが望ましいと言える。
後述するように、ソフトエッチングの染み込み発生の直接の大きな原因は、亜鉛−ニッケル合金めっき層からなる耐熱防錆層であるが、コバルトもソフトエッチングの際の染み発生の原因になることもあるので、上記に調整することが、より望ましいとする条件である。
一方、ニッケル付着量が少ない場合には、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が低下する。また、ニッケル付着量が多すぎる場合には、アルカリエッチング性が悪くなるので、上記コバルト含有量とのバランスで決めることが望ましい。
Moreover, when there is much cobalt adhesion amount, it may become a cause of generation | occurrence | production of a soft etching penetration. From this, it can be said that the ratio of cobalt is preferably 60 to 66 mass%.
As will be described later, the direct cause of soft etching soaking is a heat-resistant rust-preventing layer consisting of a zinc-nickel alloy plating layer, but cobalt may also cause stains during soft etching. The above adjustment is a more desirable condition.
On the other hand, when the nickel adhesion amount is small, the heat-resistant peel strength is lowered, and the oxidation resistance and chemical resistance are lowered. Further, when the nickel adhesion amount is too large, the alkali etching property is deteriorated, so it is desirable to determine the balance with the cobalt content.

本発明は、コバルト−ニッケル合金めっき上に更に、亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することができる。亜鉛−ニッケル合金めっき層の総量を150〜500μg/dm2とし、かつニッケルの比率を16〜40質量%とする。これは、耐熱防錆層という役割を有するものである。この条件も、あくまで好ましい条件であって、他の公知の亜鉛−ニッケル合金めっきを使用することができる。この亜鉛−ニッケル合金めっきは、本発明においては、好ましい付加的条件であることが理解されるであろう。 In the present invention, a zinc-nickel alloy plating layer can be further formed on the cobalt-nickel alloy plating. The total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 μg / dm 2 , and the nickel ratio is 16 to 40% by mass. This has a role of a heat-resistant rust-proof layer. This condition is also a preferable condition, and other known zinc-nickel alloy plating can be used. It will be understood that this zinc-nickel alloy plating is a preferred additional condition in the present invention.

また、従来の技術では、樹脂に極薄銅層を熱圧着で接合した二層材における亜鉛−ニッケル合金めっき層を備えた微小な回路では、ソフトエッチングの際に、回路のエッジ部に染み込みによる変色が発生する。ニッケルは、ソフトエッチングの際に使用するエッチング剤(H2SO4:10wt%、H22:2wt%のエッチング水溶液)の染み込みを抑制する効果がある。
上記の通り、前記亜鉛−ニッケル合金めっき層の総量を150〜500μg/dm2とすると共に、当該合金層中のニッケル比率の下限値を16質量%に、上限値を40質量%とし、かつニッケルの含有量を50μg/dm2以上とすることが、耐熱防錆層という役割を備えると共に、ソフトエッチングの際に使用するエッチング剤の染み込みを抑制し、腐食に回路の接合強度の弱体化を防止することができるという効果を有する。
Further, in the conventional technology, in a minute circuit provided with a zinc-nickel alloy plating layer in a two-layer material in which an ultra-thin copper layer is bonded to a resin by thermocompression bonding, the edge portion of the circuit is infiltrated during soft etching. Discoloration occurs. Nickel has an effect of suppressing penetration of an etching agent (etching aqueous solution of H 2 SO 4 : 10 wt%, H 2 O 2 : 2 wt%) used in soft etching.
As described above, the total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is 150 to 500 μg / dm 2 , the lower limit of the nickel ratio in the alloy layer is 16% by mass, the upper limit is 40% by mass, and nickel A content of 50 μg / dm 2 or more serves as a heat-resistant rust-preventing layer and suppresses the penetration of the etchant used during soft etching to prevent weakening of the circuit joint strength due to corrosion. It has the effect that it can be done.

なお、亜鉛−ニッケル合金めっき層の総量が150μg/dm2未満では、耐熱防錆力が低下して耐熱防錆層としての役割を担うことが難しくなり、同総量が500μg/dm2を超えると、耐塩酸性が悪くなる傾向がある。
また、合金層中のニッケル比率の下限値が16質量%未満では、ソフトエッチングの際の染み込み量が9μmを超えるので、好ましくない。ニッケル比率の上限値40質量%については、亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成できる技術上の限界値である。
In addition, when the total amount of the zinc-nickel alloy plating layer is less than 150 μg / dm 2 , the heat resistance and rust prevention ability is lowered and it becomes difficult to play a role as a heat resistance rust prevention layer, and when the total amount exceeds 500 μg / dm 2 The hydrochloric acid resistance tends to deteriorate.
Moreover, if the lower limit of the nickel ratio in the alloy layer is less than 16% by mass, the amount of penetration at the time of soft etching exceeds 9 μm, which is not preferable. The upper limit of 40% by mass of the nickel ratio is a technical limit value at which a zinc-nickel alloy plating layer can be formed.

上記の通り、本発明は、二次粒子層としての銅−コバルト−ニッケル合金を含むめっき層上に、必要に応じてコバルト−ニッケル合金めっき層、さらには亜鉛−ニッケル合金めっき層を順次形成することができる。これら層における合計量のコバルト付着量及びニッケル付着量を調節することもできる。コバルトの合計付着量が300〜4000μg/dm2、ニッケルの合計付着量が150〜1500μg/dm2とすることが望ましい。
コバルトの合計付着量が300μg/dm2未満では、耐熱性及び耐薬品性が低下し、コバルトの合計付着量が4000μg/dm2 を超えると、エッチングシミが生じることがある。また、ニッケルの合計付着量が150μg/dm2未満では、耐熱性及び耐薬品性が低下する。ニッケルの合計付着量が1500μg/dm2を超えると、エッチング残が生じる。
好ましくは、コバルトの合計付着量は1500〜3500μg/dm2であり、そしてニッケルの合計付着量は500〜1000μg/dm2である。上記の条件を満たせば、特にこの段落に記載する条件に制限される必要はない。
As described above, the present invention sequentially forms a cobalt-nickel alloy plating layer and further a zinc-nickel alloy plating layer as necessary on a plating layer containing a copper-cobalt-nickel alloy as a secondary particle layer. be able to. The total amount of cobalt and nickel deposited in these layers can also be adjusted. It is desirable that the total deposition amount of cobalt is 300 to 4000 μg / dm 2 and the total deposition amount of nickel is 150 to 1500 μg / dm 2 .
When the total deposition amount of cobalt is less than 300 μg / dm 2 , the heat resistance and chemical resistance are lowered, and when the total deposition amount of cobalt exceeds 4000 μg / dm 2 , etching spots may occur. Moreover, if the total adhesion amount of nickel is less than 150 μg / dm 2 , heat resistance and chemical resistance are lowered. When the total adhesion amount of nickel exceeds 1500 μg / dm 2 , an etching residue is generated.
Preferably, the total adhesion amount of the cobalt is 1500~3500μg / dm 2, and the total deposition amount of nickel is 500~1000μg / dm 2. If the above conditions are satisfied, the conditions described in this paragraph need not be particularly limited.

この後、必要に応じ、防錆処理が実施される。本発明において好ましい防錆処理は、クロム酸化物単独の皮膜処理或いはクロム酸化物と亜鉛/亜鉛酸化物との混合物皮膜処理である。クロム酸化物と亜鉛/亜鉛酸化物との混合物皮膜処理とは、亜鉛塩または酸化亜鉛とクロム酸塩とを含むめっき浴を用いて電気めっきにより亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とより成る亜鉛−クロム基混合物の防錆層を被覆する処理である。
めっき浴としては、代表的には、K2Cr27、Na2Cr27等の重クロム酸塩やCrO3等の少なくとも一種と、水溶性亜鉛塩、例えばZnO 、ZnSO4・7H2Oなど少なくとも一種と、水酸化アルカリとの混合水溶液が用いられる。代表的なめっき浴組成と電解条件例は次の通りである。
Thereafter, a rust prevention treatment is performed as necessary. In the present invention, a preferable antirust treatment is a coating treatment of chromium oxide alone or a mixture coating treatment of chromium oxide and zinc / zinc oxide. Chromium oxide and zinc / zinc oxide mixture coating treatment is zinc or zinc comprising zinc oxide and chromium oxide by electroplating using a plating bath containing zinc salt or zinc oxide and chromate. It is the process which coat | covers the antirust layer of a chromium group mixture.
As the plating bath, typically, at least one kind of dichromate such as K 2 Cr 2 O 7 and Na 2 Cr 2 O 7 and CrO 3 and a water-soluble zinc salt such as ZnO 2, ZnSO 4 · 7H are used. A mixed aqueous solution of at least one kind of 2 O and an alkali hydroxide is used. A typical plating bath composition and electrolysis conditions are as follows.

こうして得られた銅箔は、優れた耐熱性剥離強度、耐酸化性及び耐塩酸性を有する。また、CuCl2エッチング液で150μmピッチ回路巾以下の回路をエッチングでき、しかもアルカリエッチングも可能とする。また、ソフトエッチングの際の、回路エッジ部への染み込みを抑制できる。
ソフトエッチング液には、H2SO4:10wt%、H22:2wt%の水溶液が使用できる。処理時間と温度は任意に調節できる。
アルカリエッチング液としては、例えば、NH4OH:6モル/リットル、NH4Cl:5モル/リットル、CuCl2:2モル/リットル(温度50℃)等の液が知られている。
The copper foil thus obtained has excellent heat resistance peel strength, oxidation resistance and hydrochloric acid resistance. In addition, a circuit having a pitch of 150 μm or less can be etched with the CuCl 2 etching solution, and alkali etching can be performed. In addition, penetration into the circuit edge portion during soft etching can be suppressed.
As the soft etching solution, an aqueous solution of H 2 SO 4 : 10 wt% and H 2 O 2 : 2 wt% can be used. Processing time and temperature can be adjusted arbitrarily.
As the alkaline etching solution, for example, NH 4 OH: 6 mol / liter, NH 4 Cl: 5 mol / liter, CuCl 2 : 2 mol / liter (temperature: 50 ° C.) and the like are known.

上記の全工程で得られた銅箔は、黒色〜灰色を有している。黒色〜灰色は、位置合わせ精度及び熱吸収率の高いことの点から、意味がある。例えば、リジッド基板及びフレキシブル基板を含め回路基板は、ICや抵抗、コンデンサ等の部品を自動工程で搭載していくが、その際センサーにより回路を読み取りながらチップマウントを行なっている。このとき、カプトンなどのフィルムを通して銅箔処理面での位置合わせを行なうことがある。また、スルーホール形成時の位置決めも同様である。
処理面が黒に近い程、光の吸収が良いため、位置決めの精度が高くなる。更には、基板を作製する際、銅箔とフィルムとを熱を加えながらキュワリングして接着させることが多い。このとき、遠赤外線、赤外線等の長波を用いることにより加熱する場合、処理面の色調が黒い方が、加熱効率が良くなる。
The copper foil obtained in all the above steps has a black to gray color. Black to gray is significant in terms of alignment accuracy and high heat absorption rate. For example, circuit boards including rigid boards and flexible boards are mounted with components such as ICs, resistors and capacitors in an automatic process, and chip mounting is performed while reading circuits with sensors. At this time, alignment on the copper foil treated surface may be performed through a film such as Kapton. This also applies to positioning when forming a through hole.
The closer the processing surface is to black, the better the light absorption and the higher the positioning accuracy. Furthermore, when producing a substrate, the copper foil and the film are often cured and bonded together while applying heat. At this time, when heating is performed using long waves such as far infrared rays and infrared rays, the heating efficiency is improved when the color tone of the treated surface is black.

最後に、必要に応じ、極薄銅層と樹脂基板との接着力の改善を主目的として、防錆層上の少なくとも粗化面にシランカップリング剤を塗布するシラン処理が施される。
このシラン処理に使用するシランカップリング剤としては、オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シランを挙げることができるが、これらを適宜選択して使用することができる。
塗布方法は、シランカップリング剤溶液のスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれでもよい。例えば、特公昭60−15654号は、極薄銅層の粗面側にクロメート処理を施した後シランカップリング剤処理を行なうことによって極薄銅層と樹脂基板との接着力を改善することを記載している。詳細はこれを参照されたい。この後、必要なら、極薄銅層の延性を改善する目的で焼鈍処理を施すこともある。
なお、二次粒子層の上に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、二次粒子層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
Finally, if necessary, silane treatment for applying a silane coupling agent to at least the roughened surface on the rust preventive layer is performed mainly for the purpose of improving the adhesion between the ultrathin copper layer and the resin substrate.
Examples of the silane coupling agent used for the silane treatment include olefin silane, epoxy silane, acrylic silane, amino silane, and mercapto silane, and these can be appropriately selected and used. .
The application method may be any of spraying a silane coupling agent solution by spraying, coating with a coater, dipping, pouring and the like. For example, Japanese Patent Publication No. 60-15654 discloses that the adhesion between an ultrathin copper layer and a resin substrate is improved by subjecting the rough surface side of the ultrathin copper layer to chromate treatment and then silane coupling agent treatment. It is described. Refer to this for details. Thereafter, if necessary, an annealing treatment may be performed for the purpose of improving the ductility of the ultrathin copper layer.
In addition, a heat-resistant layer or a rust-proof layer may be formed on the secondary particle layer with a simple substance or alloy of nickel, cobalt, copper, zinc, etc., and further, a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment is performed on the surface. May be applied. That is, you may form 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate process layer, and a silane coupling process layer on the surface of a secondary particle layer. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer, and silane coupling treatment layer may each be formed of a plurality of layers (for example, 2 layers or more, 3 layers or more, etc.).

<プリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板>
キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁樹脂板に貼り付けて熱圧着させ、キャリアを剥がすことで銅張積層板を作製することができる。また、その後、極薄銅層部分をエッチングすることにより、プリント配線板やプリント回路板の銅回路を形成することができる。ここで用いる絶縁樹脂板はプリント配線板やプリント回路板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。このようにして作製したプリント配線板、プリント回路板、銅張積層板は、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。
<Printed wiring boards, printed circuit boards, and copper-clad laminates>
A copper clad laminate can be produced by attaching a copper foil with a carrier to the insulating resin plate from the ultrathin copper layer side, thermocompression bonding, and peeling the carrier. Thereafter, a copper circuit of a printed wiring board or a printed circuit board can be formed by etching the ultrathin copper layer portion. The insulating resin plate used here is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board or a printed circuit board. For example, a paper base phenolic resin, a paper base epoxy resin for rigid PWB, Use synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite base epoxy resin, glass cloth / glass non-woven composite base epoxy resin, glass cloth base epoxy resin, etc., polyester film or polyimide film etc. for FPC Can be used. The printed wiring board, printed circuit board, and copper-clad laminate produced in this manner can be mounted on various electronic components that require high-density mounting of the mounted components.

また、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
Moreover, the copper foil with a carrier provided with the copper foil carrier and the ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer on the copper foil carrier is roughened on the ultrathin copper layer. A layer may be provided, and one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be provided on the roughening treatment layer.
Further, a roughening treatment layer may be provided on the ultrathin copper layer, a heat resistant layer and a rust prevention layer may be provided on the roughening treatment layer, and a chromate treatment is performed on the heat resistance layer and the rust prevention layer. A layer may be provided, and a silane coupling treatment layer may be provided on the chromate treatment layer.
The carrier-attached copper foil includes a resin layer on the ultrathin copper layer, the roughened layer, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, or the silane coupling-treated layer. May be. The resin layer may be an insulating resin layer.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. Although the type is not particularly limited, for example, a resin including an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, or the like can be given as a preferable one. .

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。   These resins are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to obtain a resin liquid, which is applied to the ultrathin copper layer, the heat-resistant layer, the rust-preventing layer, the chromate-treated layer, or the silane cup. On the ring agent layer, for example, it is applied by a roll coater method or the like, and then heat-dried as necessary to remove the solvent to obtain a B-stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The copper foil with a carrier provided with the resin layer (copper foil with a carrier with resin) is superposed on the base material, and the whole is thermocompression bonded to thermally cure the resin layer, and then the carrier is peeled off. Thus, the ultrathin copper layer is exposed (which is naturally the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon.

この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   If this resin-attached copper foil with a carrier is used, the number of prepreg materials used when manufacturing a multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは0.1〜80μmであることが好ましい。
In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 μm.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。   When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with the resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two.

一方、樹脂層の厚みを80μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。   On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 80 μm, it is difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。   Furthermore, as another product form of this copper foil with a carrier with a resin, on the ultra-thin copper layer, or on the heat-resistant layer, rust-preventing layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer After coating with a resin layer and making it into a semi-cured state, the carrier can then be peeled off and manufactured in the form of a copper foil with resin without the carrier.

<プリント配線板の製造方法>
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
<Method for manufacturing printed wiring board>
In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, the carrier After laminating the attached copper foil and the insulating substrate so that the ultrathin copper layer side faces the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method, The method includes a step of forming a circuit by any one of the modified semi-additive method, the partly additive method, and the subtractive method. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultra-thin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a partly additive method, a step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Applying catalyst nuclei to the region containing the through-holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided,
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.

以下、実施例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。また、実施例16は参考例である。

Hereinafter, description will be made based on Examples and Comparative Examples. In addition, a present Example is an example to the last, and is not restrict | limited only to this example. That is, other aspects or modifications included in the present invention are included. Example 16 is a reference example.

キャリアとして、厚さ35μmの長尺の電解銅箔(JX日鉱日石金属社製JTC)を用意した。この銅箔の光沢面(シャイニー面)に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μm/dm2の付着量のNi層を形成した。 A long electrolytic copper foil (JTC made by JX Nippon Mining & Metals) having a thickness of 35 μm was prepared as a carrier. A Ni layer having an adhesion amount of 4000 μm / dm 2 was formed on the glossy surface (shiny surface) of the copper foil by electroplating on a roll-to-roll continuous plating line under the following conditions.

(Ni層)
硫酸ニッケル:200〜300g/L
クエン酸三ナトリウム:2〜10g/L
pH:2〜4
浴温:40〜70℃
電流密度:1〜15A/dm2
(Ni layer)
Nickel sulfate: 200-300 g / L
Trisodium citrate: 2 to 10 g / L
pH: 2-4
Bath temperature: 40-70 ° C
Current density: 1-15 A / dm 2

水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Ni層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
(電解クロメート処理)
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
After washing with water and pickling, on the roll-to-roll-type continuous plating line, a Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was deposited on the Ni layer by electrolytic chromate treatment under the following conditions. .
(Electrolytic chromate treatment)
Liquid composition: potassium dichromate 1-10 g / L, zinc 0-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 50-60 degreeC
Current density: 0.1-2.6 A / dm 2
Coulomb amount: 0.5-30 As / dm 2

引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Cr層の上に厚み2〜15μmの極薄銅層を、以下の実施例及び比較例に示す条件で電気めっきすることにより形成して、キャリア付銅箔を製造した。
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
にかわ:1〜20ppm
電流密度:10〜100A/dm2
Subsequently, on a roll-to-roll type continuous plating line, an ultrathin copper layer having a thickness of 2 to 15 μm was formed on the Cr layer by electroplating under the conditions shown in the following examples and comparative examples. A copper foil with a carrier was produced.
-Ultrathin copper layer Copper concentration: 30-120 g / L
H 2 SO 4 concentration: 20 to 120 g / L
Electrolyte temperature: 20-80 ° C
Nika: 1-20ppm
Current density: 10 to 100 A / dm 2

(実施例1〜16)
前述の極薄銅層の表面に、下記に示す条件範囲で、一次粒子層(Cu)、二次粒子層(銅−コバルト−ニッケル合金めっき等)形成した。
使用した浴組成及びめっき条件は、表1〜3の通りである。
(Examples 1 to 16)
A primary particle layer (Cu) and a secondary particle layer (copper-cobalt-nickel alloy plating, etc.) were formed on the surface of the ultrathin copper layer described above under the conditions shown below.
The used bath composition and plating conditions are as shown in Tables 1 to 3.

上記の一次粒子層の形成(Cuめっき)及び二次粒子層の形成(Cu−Co−Ni合金めっき)の条件を調整して、粗化処理面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.9以上2.2未満であるとなるようにした。表面積の測定は、上記レーザー顕微鏡による測定法を用いた。   Adjusting the conditions for the formation of the primary particle layer (Cu plating) and the formation of the secondary particle layer (Cu-Co-Ni alloy plating), and the two-dimensional surface area measured using a laser microscope on the roughened surface The ratio of the three-dimensional surface areas was 1.9 or more and less than 2.2. The surface area was measured by the measurement method using the laser microscope.

(比較例1〜6)
比較例において、前記極薄銅層上に粗化処理層(一次粒子層および二次粒子層)を形成するために使用した浴組成及びめっき条件は、表1〜3の通りである。
(Comparative Examples 1-6)
In the comparative example, the bath composition and plating conditions used for forming the roughened layer (primary particle layer and secondary particle layer) on the ultrathin copper layer are as shown in Tables 1 to 3.

上記実施例により形成した極薄銅層上の一次粒子層(Cuめっき)及び二次粒子層(Cu−Co−Ni合金めっき)を形成した場合の、一次粒子の平均粒径、二次粒子の平均粒径、粉落ち、ピール強度、粗化処理面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比を測定した結果を表1に示す。粗化処理面の一次粒子および二次粒子の平均粒径は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製S4700を用いて、30000倍の倍率で粒子観察を行い、粒子径の平均値を測定した。なお、粒子径とは粒子を取り囲む最小円の直径とした。そして、各20個の一次粒子および二次粒子について粒子径を測定しその平均値をそれぞれ一次粒子の平均粒径および二次粒子の平均粒径とした。粉落ち特性は極薄銅層の粗化処理面上に透明なメンディングテープを貼り付け、このテープを剥がした際にテープ粘着面に付着する脱落粗化粒子により、テープが変色する様子から粉落ち特性を評価した。すなわちテープの変色が無い場合(表中では「◎」評価)、または僅かな場合(表中では「○」評価)は粉落ちOKとして、テープが灰色に変色する場合(表中では「×」評価)は粉落ちNGとした。常態ピール強度は極薄銅層粗化処理面とFR4樹脂基板を熱プレスにて張り合わせて銅張積層板を作製し、極薄銅層と銅めっき層の厚みが合計で15μmとなるように、極薄銅層上に銅めっき層を設けた後に、一般的な塩化銅回路エッチング液を使用して10mm回路を作製し、10mm回路を基板から剥いて、90°方向に引っ張りながら常態ピール強度を測定した。
また、比較例として、同様の結果を表1に示す。
なお、表1の一次粒子電流条件欄に電流条件、クーロン量が2つ記載されている例は、左に記載されている条件でめっきを行った後に、右に記載されている条件で更にめっきを行ったことを意味する。例えば、実施例1の一次粒子電流条件欄には「(65A/dm2、80As/dm2)+(20A/dm2、30As/dm2)」と記載されているが、これは一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2、クーロン量を80As/dm2でめっきを行った後に、更に一次粒子を形成する電流密度を20A/dm2、クーロン量を30As/dm2としてめっきを行ったことを示す。
When the primary particle layer (Cu plating) and the secondary particle layer (Cu—Co—Ni alloy plating) on the ultrathin copper layer formed by the above example are formed, the average particle size of the primary particles, Table 1 shows the results of measuring the average particle size, powder fall, peel strength, and the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area measured using a laser microscope on the roughened surface. The average particle size of the primary particles and secondary particles of the roughened surface was observed with a magnification of 30000 times using S4700 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, and the average value of the particle sizes was measured. The particle diameter is the diameter of the smallest circle surrounding the particle. And the particle diameter was measured about each 20 primary particles and secondary particles, and the average value was made into the average particle diameter of a primary particle, and the average particle diameter of a secondary particle, respectively. The powder-off characteristics are based on the fact that the tape is discolored due to falling rough particles adhering to the adhesive surface of the tape when a transparent mending tape is applied to the roughened surface of the ultra-thin copper layer. The falling characteristics were evaluated. In other words, when there is no discoloration of the tape ("◎" evaluation in the table), or when it is slight ("○" evaluation in the table), the powder is OK, and the tape turns gray ("×" in the table). Evaluation) was set to powder NG. The normal peel strength is obtained by laminating the ultrathin copper layer roughened surface and the FR4 resin substrate with a hot press to produce a copper clad laminate, and the total thickness of the ultrathin copper layer and the copper plating layer is 15 μm. After providing a copper plating layer on an ultra-thin copper layer, a 10 mm circuit is prepared using a general copper chloride circuit etchant, and the 10 mm circuit is peeled from the substrate, and the normal peel strength is obtained while pulling in the 90 ° direction. It was measured.
Moreover, the same result is shown in Table 1 as a comparative example.
In addition, in the example in which the current condition and two coulomb amounts are described in the primary particle current condition column in Table 1, after performing plating under the conditions described on the left, further plating is performed under the conditions described on the right. Means that For example, in the primary particle current condition column of Example 1, “(65 A / dm 2 , 80 As / dm 2 ) + (20 A / dm 2 , 30 As / dm 2 )” is described. After plating with a current density of 65 A / dm 2 and a coulomb amount of 80 As / dm 2 , plating was further performed with a current density of forming primary particles of 20 A / dm 2 and a coulomb amount of 30 As / dm 2 . It shows that.

表1から明らかなように、本発明の実施例の結果は、次の通りである。
実施例1は、一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2と20A/dm2とし、クーロン量を80As/dm2と30As/dm2とした場合で、二次粒子を形成する電流密度を28A/dm2とし、クーロン量を20As/dm2とした場合である。
なお、一次粒子を形成する電流密度とクーロン量が2段階になっているが、通常一次粒子を形成する場合には、2段階の電気めっきが必要となる。すなわち、第1段階の核粒子形成のめっき条件と第2段階の核粒子の成長の電気めっきである。
最初のめっき条件は、第1段階の核形成粒子形成のための電気めっき条件であり、次のめっき条件は、第2段階の核粒子の成長のための電気めっき条件である。以下の実施例及び比較例についても同様なので、説明は省略する。
As is apparent from Table 1, the results of the examples of the present invention are as follows.
In Example 1, the current density for forming the primary particles is 65 A / dm 2 and 20 A / dm 2 , and the coulomb amounts are 80 As / dm 2 and 30 As / dm 2. This is a case where 28 A / dm 2 is used and the coulomb amount is 20 As / dm 2 .
In addition, although the current density and the amount of Coulomb which form primary particles are two steps, when forming primary particles normally, two steps of electroplating are required. That is, the plating conditions for the first stage core particle formation and the electroplating for the second stage core particle growth.
The first plating conditions are electroplating conditions for forming the first stage nucleating particles, and the second plating conditions are electroplating conditions for growing the second stage nucleating particles. The same applies to the following examples and comparative examples, and the description is omitted.

実施例1〜16は一次粒子層、二次粒子層を有し、かつ二次元表面積に対する三次元表面積の比の値が1.90以上2.20未満であったため、粉落ちが少なくかつピール強度が良好な値となった。   Examples 1 to 16 had a primary particle layer and a secondary particle layer, and the value of the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area was 1.90 or more and less than 2.20. Was a good value.

これに対して、比較例は、次の結果となった。
比較例1は、一次粒子を形成した後に二次粒子を形成しなかった場合である。この結果、耐熱性劣化率(常態ピール測定後に180℃48時間加熱後のピール強度を測定してその差を劣化率とした)が劣化した。
On the other hand, the comparative example has the following results.
Comparative Example 1 is a case where secondary particles were not formed after primary particles were formed. As a result, the heat resistance deterioration rate (the peel strength after heating at 180 ° C. for 48 hours after the normal peel measurement was measured and the difference was taken as the deterioration rate) was deteriorated.

比較例2は、一次粒子径が存在せず、二次粒子層のみの従来例を示すものである。二次元表面積に対する三次元表面積の比は大きくなり、粗化粒子の粉落ちが多量に発生した。   Comparative Example 2 shows a conventional example in which there is no primary particle size and only a secondary particle layer. The ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area increased, and a large amount of powdered coarse particles occurred.

比較例3は、二次粒子を形成するクーロン量を73As/dm2と多くした場合である。
この結果、二次元表面積に対する三次元表面積の比は2.20となり、本発明の条件を満たしていなかった。粉落ちが多量に発生した。
In Comparative Example 3, the amount of coulomb forming the secondary particles is increased to 73 As / dm 2 .
As a result, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area was 2.20, which did not satisfy the conditions of the present invention. A large amount of powder fall occurred.

比較例4、5は、二次粒子を形成する電流密度を31A/dm2と高くし、クーロン量を40As/dm2と多くした場合である。
この結果、二次元表面積に対する三次元表面積の比が大きくなり、粉落ちが多量に発生した。
Comparative Examples 4 and 5 are cases where the current density for forming the secondary particles was increased to 31 A / dm 2 and the coulomb amount was increased to 40 As / dm 2 .
As a result, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area increased, and a large amount of powder falling occurred.

比較例6は一次粒子を形成する第一段階のめっき条件の電流密度を40A/dm2と低くし、クーロン量を25As/dm2と少なくし、二次粒子を形成する電流密度を20A/dm2と低くし、クーロン量を5As/dm2と少なくした場合である。
この結果、二次元表面積に対する三次元表面積の比が小さくなり、ピール強度が劣化した。
In Comparative Example 6, the current density of the first stage plating conditions for forming the primary particles is reduced to 40 A / dm 2 , the coulomb amount is decreased to 25 As / dm 2, and the current density for forming the secondary particles is 20 A / dm 2. This is a case where the coulomb amount is reduced to 2 As / dm 2 .
As a result, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area was reduced, and the peel strength was deteriorated.

また、以下のように、種々の中間層を備えたキャリア付銅箔についての評価を行った。
(実施例17)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCo−Mo合金を形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Co−Mo合金中間層は、以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成:CoSO4・7H2O 0.5〜100g/L、Na2MoO4・2H2O 0.5〜100g/L、クエン酸ナトリウム二水和物 20〜300g/L
温度:10〜70℃
pH:3〜5
電流密度:0.1〜60A/dm2
Moreover, evaluation about the copper foil with a carrier provided with various intermediate | middle layers was performed as follows.
(Example 17)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that a Co—Mo alloy was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Co—Mo alloy intermediate layer was produced by plating in a plating solution having the following liquid composition.
Liquid composition: CoSO 4 .7H 2 O 0.5 to 100 g / L, Na 2 MoO 4 .2H 2 O 0.5 to 100 g / L, sodium citrate dihydrate 20 to 300 g / L
Temperature: 10-70 ° C
pH: 3-5
Current density: 0.1 to 60 A / dm 2

(実施例18)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCrを形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
pH:1〜4
液温:45〜60℃
電流密度:10〜40A/dm2
(Example 18)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that Cr was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Cr intermediate layer was produced by plating in a plating solution having the following liquid composition.
Liquid composition: CrO 3 200 to 400 g / L, H 2 SO 4 1.5 to 4 g / L
pH: 1-4
Liquid temperature: 45-60 degreeC
Current density: 10 to 40 A / dm 2

(実施例19)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCr/CuPを形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr/CuP中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることによりで作製した。
液組成1:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
pH:1〜4
液温:45〜60℃
電流密度:10〜40A/dm2
液組成2:Cu227・3H2O 5〜50g/L、K427 50〜300g/L
液温:30〜60℃
pH:8〜10
電流密度:0.1〜1.0A/dm2
(Example 19)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that Cr / CuP was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Cr / CuP intermediate layer was produced by plating in a plating solution having the following liquid composition.
Liquid composition 1: CrO 3 200~400g / L, H 2 SO 4 1.5~4g / L
pH: 1-4
Liquid temperature: 45-60 degreeC
Current density: 10 to 40 A / dm 2
Liquid composition 2: Cu 2 P 2 O 7 · 3H 2 O 5~50g / L, K 4 P 2 O 7 50~300g / L
Liquid temperature: 30-60 degreeC
pH: 8-10
Current density: 0.1 to 1.0 A / dm 2

(実施例20)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてNi/Crを形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Ni/Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成1:NiSO4・6H2O 250〜300g/L、NiCl2・6H2O 35〜45g/L、ホウ酸 10〜50g/L
液温:30〜70℃
pH:2〜6
電流密度:0.1〜50A/dm2
液組成2:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
液温:45〜60℃
pH:1〜4
電流密度:10〜40A/dm2
(Example 20)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that Ni / Cr was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Ni / Cr intermediate layer was produced by plating in a plating solution having the following liquid composition.
Liquid composition 1: NiSO 4 · 6H 2 O 250 to 300 g / L, NiCl 2 · 6H 2 O 35 to 45 g / L, boric acid 10 to 50 g / L
Liquid temperature: 30-70 degreeC
pH: 2-6
Current density: 0.1 to 50 A / dm 2
Liquid composition 2: CrO 3 200~400g / L, H 2 SO 4 1.5~4g / L
Liquid temperature: 45-60 degreeC
pH: 1-4
Current density: 10 to 40 A / dm 2

(実施例21)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCo/クロメート処理の層を形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、Co/クロメート処理の中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成1:CoSO4・7H2O 10〜100g/L、クエン酸ナトリウム二水和物 30〜200g/L
液温:10〜70℃
pH:3〜5
電流密度:0.1〜60A/dm2
液組成2:CrO3 1〜10g/L
液温:10〜70℃
pH:10〜12
電流密度:0.1〜1.0A/dm2
(Example 21)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that a Co / chromate-treated layer was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil.
In this case, the Co / chromate intermediate layer was produced by plating in a plating solution having the following liquid composition.
Liquid composition 1: CoSO 4 · 7H 2 O 10~100g / L, sodium citrate dihydrate 30 to 200 g / L
Liquid temperature: 10-70 degreeC
pH: 3-5
Current density: 0.1 to 60 A / dm 2
Liquid composition 2: CrO 3 1-10 g / L
Liquid temperature: 10-70 degreeC
pH: 10-12
Current density: 0.1 to 1.0 A / dm 2

(実施例22)
キャリアと銅箔との間に、中間層として有機物層を形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、有機物層の中間層は液温40℃、pH5、濃度1〜10g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール水溶液を、10〜60秒間噴霧という条件で作製した。
試験条件及び評価結果を表4に示す。
(Example 22)
A copper layer was formed under the same conditions as in Example 4 except that an organic layer was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil.
In this case, the intermediate layer of the organic layer was prepared by spraying an aqueous carboxybenzotriazole solution having a liquid temperature of 40 ° C., pH 5, and a concentration of 1 to 10 g / L for 10 to 60 seconds.
Test conditions and evaluation results are shown in Table 4.

実施例17〜22は、いずれも二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.9以上2.2未満であり、粉落ちが良好に抑制されており、且つ、良好なピール強度を示した。   In each of Examples 17 to 22, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area was 1.9 or more and less than 2.2, powder falling was suppressed well, and good peel strength was exhibited.

上記実施例及び比較例の対比から明らかなように、極薄銅層の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金を含む二次粒子層を形成した場合において、粗化処理面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.9以上2.2未満であるとすることにより、粉落ちと言われる現象を、安定して抑制することができるという優れた効果を有し、さらにピール強度を高めることができる。
また、一次粒子層の平均粒径を0.25〜0.45μm、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金を含む二次粒子層の平均粒子径を0.30μm以下とするのが、上記の効果を達成する上で、さらに有効である。
As is clear from the comparison of the above examples and comparative examples, after forming a primary particle layer of copper on the surface of the ultrathin copper layer, a ternary system composed of copper, cobalt and nickel is formed on the primary particle layer. When a secondary particle layer containing an alloy is formed, the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area measured using a laser microscope on the roughened surface is 1.9 or more and less than 2.2. It has an excellent effect of being able to stably suppress the phenomenon called powder falling and can further increase the peel strength.
The average particle size of the primary particle layer is 0.25 to 0.45 μm, and the average particle size of the secondary particle layer containing a ternary alloy composed of copper, cobalt and nickel is 0.30 μm or less. It is more effective in achieving the effect.

Claims (8)

キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されているキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層表面に、一次粒子層を有し、前記一次粒子層の上に、二次粒子層を有し、
前記一次粒子層および二次粒子層を形成した面のレーザー顕微鏡を用いて測定した二次元表面積に対する三次元表面積の比が2.03以上2.2未満であるキャリア付銅箔。
Carrier, intermediate layer, ultrathin copper layer is a copper foil with a carrier laminated in this order,
The ultra-thin copper layer surface has a primary particle layer, and the primary particle layer has a secondary particle layer,
The copper foil with a carrier whose ratio of the three-dimensional surface area with respect to the two-dimensional surface area measured using the laser microscope of the surface in which the said primary particle layer and the secondary particle layer were formed is 2.03 or more and less than 2.2.
以下の(A)〜(G)のいずれか一つ以上を満たす請求項1に記載のキャリア付銅箔。
(A)前記一次粒子層の平均粒子径が0.10〜0.45μmである、
(B)前記二次粒子層の平均粒子径が0.35μm以下である、
(C)前記一次粒子層が銅を含む、
(D)前記二次粒子層がニッケル及びコバルトからなる群から選択される一種以上を含み、かつ銅を含む、
(E)前記二次粒子層が銅、コバルト及びニッケルを含む、
(F)前記二次粒子層が銅、コバルト及びニッケルからなる合金を含む、
(G)前記二次粒子層に含まれる二次粒子が、前記一次粒子層に含まれる一次粒子の上に成長した1又は複数個の樹枝状の粒子または前記一次粒子の上に成長した正常めっき層である。
The copper foil with a carrier according to claim 1 satisfying any one or more of the following (A) to (G).
(A) The average particle diameter of the primary particle layer is 0.10 to 0.45 μm.
(B) The average particle diameter of the secondary particle layer is 0.35 μm or less.
(C) the primary particle layer contains copper,
(D) the secondary particle layer includes one or more selected from the group consisting of nickel and cobalt, and includes copper;
(E) the secondary particle layer contains copper, cobalt and nickel;
(F) the secondary particle layer includes an alloy made of copper, cobalt and nickel,
(G) One or a plurality of dendritic particles grown on the primary particles contained in the primary particle layer, or normal plating grown on the primary particles. Is a layer.
前記極薄銅層の前記一次粒子層および二次粒子層を有する面側とFR4樹脂基板を220℃で2時間熱プレスにて張り合わせて銅張積層板を作製し、キャリアを剥離した後に極薄銅層と銅めっき層の厚みが合計で15μmとなるように、極薄銅層上に銅めっき層を設けた後に、塩化銅回路エッチング液を使用して10mm回路を作製し、10mm回路を前記FR4樹脂基板から剥いで、90°方向に引っ張りながら常態ピール強度を測定した場合に前記常態ピール強度が0.80kg/cm以上である請求項1または2に記載のキャリア付銅箔。 The surface side of the ultrathin copper layer having the primary particle layer and the secondary particle layer and the FR4 resin substrate are bonded to each other by hot pressing at 220 ° C. for 2 hours to produce a copper clad laminate, and after the carrier is peeled off, the ultrathin as the thickness of the copper layer and the copper plating layer is 15μm in total, after a copper plating layer provided on the ultra-thin copper layer, to prepare a 10mm circuits using copper chloride circuit etchant, a 10mm circuit the 3. The copper foil with a carrier according to claim 1, wherein the normal peel strength is 0.80 kg / cm or more when the normal peel strength is measured while peeling from the FR4 resin substrate and pulling in a 90 ° direction. 前記二次粒子層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜3のいずれかに記載のキャリア付銅箔。   The surface of the said secondary particle layer has 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. Copper foil with carrier. 前記二次粒子層上又は前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項1〜4のいずれかに記載のキャリア付銅箔。   5. The resin layer is provided on the secondary particle layer or on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer. The copper foil with a carrier as described in crab. 請求項1〜5のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法。   The method to manufacture a printed wiring board using the copper foil with a carrier in any one of Claims 1-5. 請求項1〜5のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法。   The method to manufacture a copper clad laminated board using the copper foil with a carrier in any one of Claims 1-5. 請求項1〜5のいずれかに記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
Preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to any one of claims 1 to 5,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the carrier-attached copper foil and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the carrier-attached copper foil,
Then, the manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit by any method of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
JP2013094609A 2013-04-26 2013-04-26 Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board Active JP6329731B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013094609A JP6329731B2 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013094609A JP6329731B2 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014213574A JP2014213574A (en) 2014-11-17
JP2014213574A5 JP2014213574A5 (en) 2016-05-26
JP6329731B2 true JP6329731B2 (en) 2018-05-23

Family

ID=51939801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013094609A Active JP6329731B2 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6329731B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017193778A (en) * 2016-04-15 2017-10-26 Jx金属株式会社 Copper foil, copper foil for high frequency circuit, copper foil with carrier, copper foil with carrier for high frequency circuit, laminate, method for manufacturing printed wiring board and method for producing electronic apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5181618B2 (en) * 2007-10-24 2013-04-10 宇部興産株式会社 Metal foil laminated polyimide resin substrate
JP5215631B2 (en) * 2007-10-24 2013-06-19 三井金属鉱業株式会社 Surface treated copper foil
US9580829B2 (en) * 2010-05-07 2017-02-28 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil for printed circuit
JP5467009B2 (en) * 2010-07-22 2014-04-09 Jx日鉱日石金属株式会社 RESIST-FORMED WIRING BOARD AND ELECTRONIC CIRCUIT MANUFACTURING METHOD
JP5373995B2 (en) * 2011-08-31 2013-12-18 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with carrier

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014213574A (en) 2014-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9788423B2 (en) Copper foil with carrier
KR101607381B1 (en) Copper foil for high frequency circuit, copper clad laminate for high frequency circuit, printed wiring board for high frequency circuit, copper foil attached with carrier for high frequency circuit, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
KR101736537B1 (en) Copper foil for high frequency circuit, copper clad laminate for high frequency circuit, printed wiring board for high frequency circuit, copper foil attached with carrier for high frequency circuit, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
JP5997080B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6511225B2 (en) Copper foil for high frequency circuit, copper clad laminate for high frequency circuit, printed wiring board for high frequency circuit, copper foil with carrier for high frequency circuit, electronic device, and method of manufacturing printed wiring board
JP5386652B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP5449596B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6140481B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP5298252B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6140480B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6329731B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6329727B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6176948B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, method for producing printed circuit board, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6336142B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, method for producing printed circuit board, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6271134B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6246486B2 (en) Copper foil with carrier and method for producing the same, method for producing copper-clad laminate and method for producing printed wiring board
JP5481586B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP2013166995A (en) Copper foil with carrier and method for producing the same
JP6254357B2 (en) Copper foil with carrier

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160331

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170328

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180423

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6329731

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250