KR101710859B1 - 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 - Google Patents
웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101710859B1 KR101710859B1 KR1020160074991A KR20160074991A KR101710859B1 KR 101710859 B1 KR101710859 B1 KR 101710859B1 KR 1020160074991 A KR1020160074991 A KR 1020160074991A KR 20160074991 A KR20160074991 A KR 20160074991A KR 101710859 B1 KR101710859 B1 KR 101710859B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sample
- wafer
- solution
- scanning
- scan
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160074991A KR101710859B1 (ko) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 |
PCT/KR2017/006313 WO2017217804A1 (fr) | 2016-06-16 | 2017-06-16 | Appareil et procédé de mesure de contaminants ioniques sur la surface d'une tranche |
TW106120230A TWI648803B (zh) | 2016-06-16 | 2017-06-16 | 晶圓表面上之離子污染物之量測設備及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160074991A KR101710859B1 (ko) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101710859B1 true KR101710859B1 (ko) | 2017-03-02 |
Family
ID=58427066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160074991A KR101710859B1 (ko) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101710859B1 (fr) |
TW (1) | TWI648803B (fr) |
WO (1) | WO2017217804A1 (fr) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101970338B1 (ko) | 2017-10-12 | 2019-04-18 | 주식회사 위드텍 | 스피닝 방식의 웨이퍼 표면 분석 장치 및 방법 |
WO2019147321A1 (fr) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | Applied Materials, Inc. | Appareil et procédé de nettoyage d'équipement |
CN110838454A (zh) * | 2018-08-16 | 2020-02-25 | 江德明 | 晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备 |
KR20210108564A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-03 | 삼성전자주식회사 | 이온 분석 장치 및 분석 방법 |
WO2021210969A1 (fr) * | 2020-04-18 | 2021-10-21 | 엔비스아나(주) | Système de balayage |
KR102353581B1 (ko) | 2021-08-02 | 2022-01-21 | 주식회사 위드텍 | 가스포켓을 이용한 시료 분석 시스템 및 이를 이용한 시료 분석 방법 |
KR102542740B1 (ko) * | 2022-04-01 | 2023-06-14 | 주식회사 위드텍 | 멀티 샘플루프가 구비되는 웨이퍼 표면 오염물 샘플링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 샘플링 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6675652B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-04-01 | 株式会社 イアス | 基板分析方法および基板分析装置 |
US11841353B2 (en) | 2019-05-22 | 2023-12-12 | Fugro N.V. | Method of and apparatus for scanning with an underwater mass spectrometer |
CN112255362A (zh) * | 2020-07-28 | 2021-01-22 | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 | 一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺 |
CN111983430A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法 |
CN112802767A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-14 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 测量晶圆表面金属含量的方法 |
CN113533489A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-22 | 上海富乐德智能科技发展有限公司 | 一种半导体设备零部件通孔内微污染的测试方法 |
CN117129636B (zh) * | 2023-10-23 | 2024-01-26 | 中用科技有限公司 | 一种面向半导体制造的气态分子污染物在线监测系统 |
CN117393452B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-03-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 采集晶圆表面金属的方法 |
CN117637591B (zh) * | 2024-01-25 | 2024-04-19 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 晶圆金属元素分析方法及分析系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000155079A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの不純物分析方法およびこの方法に用いられる試料作製装置 |
JP2005327996A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sigma Meltec Ltd | 試験液収集装置 |
KR101210295B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2013-01-14 | 글로벌게이트 주식회사 | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 |
KR101581376B1 (ko) | 2014-08-22 | 2015-12-30 | 엔비스아나(주) | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326665A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | 汚染物質捕集装置 |
TWI289887B (en) * | 2005-08-08 | 2007-11-11 | Sti Co Ltd | Automatic etching system for LCD glass |
KR100801708B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 오염물질 분석장비 및 방법 |
KR100968781B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-07-08 | 코리아테크노(주) | 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캐닝 암과, 이를이용한 스캐닝 유닛 |
US20110146717A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Systems And Methods For Analysis of Water and Substrates Rinsed in Water |
JP5819123B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-11-18 | 東レ株式会社 | 口金洗浄方法 |
JP6077437B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびノズル洗浄方法 |
JP6180827B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-08-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料導入装置 |
-
2016
- 2016-06-16 KR KR1020160074991A patent/KR101710859B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-16 TW TW106120230A patent/TWI648803B/zh active
- 2017-06-16 WO PCT/KR2017/006313 patent/WO2017217804A1/fr active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000155079A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの不純物分析方法およびこの方法に用いられる試料作製装置 |
JP2005327996A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sigma Meltec Ltd | 試験液収集装置 |
KR101210295B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2013-01-14 | 글로벌게이트 주식회사 | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 |
KR101581376B1 (ko) | 2014-08-22 | 2015-12-30 | 엔비스아나(주) | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101970338B1 (ko) | 2017-10-12 | 2019-04-18 | 주식회사 위드텍 | 스피닝 방식의 웨이퍼 표면 분석 장치 및 방법 |
WO2019147321A1 (fr) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | Applied Materials, Inc. | Appareil et procédé de nettoyage d'équipement |
US10695804B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Equipment cleaning apparatus and method |
TWI748150B (zh) * | 2018-01-25 | 2021-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 裝備清潔用的設備及方法 |
CN110838454A (zh) * | 2018-08-16 | 2020-02-25 | 江德明 | 晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备 |
KR20210108564A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-03 | 삼성전자주식회사 | 이온 분석 장치 및 분석 방법 |
KR102584275B1 (ko) * | 2020-02-26 | 2023-09-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 분석 장치 및 분석 방법 |
WO2021210969A1 (fr) * | 2020-04-18 | 2021-10-21 | 엔비스아나(주) | Système de balayage |
KR20210128848A (ko) * | 2020-04-18 | 2021-10-27 | 엔비스아나(주) | 스캔 시스템 |
KR102349483B1 (ko) * | 2020-04-18 | 2022-01-10 | 엔비스아나(주) | 스캔 시스템 |
KR102353581B1 (ko) | 2021-08-02 | 2022-01-21 | 주식회사 위드텍 | 가스포켓을 이용한 시료 분석 시스템 및 이를 이용한 시료 분석 방법 |
KR102542740B1 (ko) * | 2022-04-01 | 2023-06-14 | 주식회사 위드텍 | 멀티 샘플루프가 구비되는 웨이퍼 표면 오염물 샘플링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 샘플링 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201810480A (zh) | 2018-03-16 |
WO2017217804A1 (fr) | 2017-12-21 |
TWI648803B (zh) | 2019-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101710859B1 (ko) | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 | |
KR20090105584A (ko) | 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 vpd유닛과 그도어개폐장치 | |
KR101581376B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 | |
JP7366533B2 (ja) | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム | |
KR101210295B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법 | |
US6241827B1 (en) | Method for cleaning a workpiece | |
KR102217638B1 (ko) | 웨이퍼 표면의 오염물 샘플링장치 및 방법 | |
KR101368485B1 (ko) | 초순수용액 온라인 모니터링 시스템 | |
US20070246065A1 (en) | Ion sampling method for wafer | |
CN114464546A (zh) | 基板污染物分析装置及基板污染物分析方法 | |
KR102357431B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR101970338B1 (ko) | 스피닝 방식의 웨이퍼 표면 분석 장치 및 방법 | |
US20230317472A1 (en) | Scanning system | |
KR102267278B1 (ko) | 운송 인클로저 내부 오염도 측정 및 운송 인클로저에 포함된 웨이퍼의 표면오염 동시 측정 시스템. | |
KR101581303B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR102542740B1 (ko) | 멀티 샘플루프가 구비되는 웨이퍼 표면 오염물 샘플링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 샘플링 방법 | |
KR102226471B1 (ko) | 기판 검사기의 시료 용액 샘플링 방법 및 그 장치 | |
KR101548632B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR102606809B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치 | |
KR102250369B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101756456B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR101653987B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR102295704B1 (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 | |
KR102670421B1 (ko) | 웨이퍼 샘플링 및 세정 시스템 및 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 및 세정 방법 | |
KR20160121384A (ko) | 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |