JP2005327996A - 試験液収集装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハ表面にノズル等を当接させることなく、ウェハの厚みを測定し、この測定された厚みに相応してウェハとノズルとの間のギャップを制御しつつ試験液の収集を行う装置を提供する。
【解決手段】ウェハWの表面に滴下された試験液を捕捉し、この捕捉された試験液でこのウェハW表面上をスキャンすることによりこのウェハW表面上の汚染物質をこの試験液とともに回収するノズルNを備えた試験液収集装置であって、このウェハWを載置し固定するステージ4aと、このステージ4aを回転させる駆動手段4bと、このウェハWの表面に試験液を滴下する試験液滴下手段5と、このノズルNを備えた少なくとも上下に移動可能なノズル移動手段7と、このウェハWの厚みwを計測する非接触型センサ8と、この計測されたウェハWの厚みwに相応してこのウェハWと上記ノズルN間のギャップGを制御する制御手段10とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図2(a)
【解決手段】ウェハWの表面に滴下された試験液を捕捉し、この捕捉された試験液でこのウェハW表面上をスキャンすることによりこのウェハW表面上の汚染物質をこの試験液とともに回収するノズルNを備えた試験液収集装置であって、このウェハWを載置し固定するステージ4aと、このステージ4aを回転させる駆動手段4bと、このウェハWの表面に試験液を滴下する試験液滴下手段5と、このノズルNを備えた少なくとも上下に移動可能なノズル移動手段7と、このウェハWの厚みwを計測する非接触型センサ8と、この計測されたウェハWの厚みwに相応してこのウェハWと上記ノズルN間のギャップGを制御する制御手段10とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図2(a)
Description
本発明は、ウェハ表面上の汚染物質を試験液と共に回収するノズルを備えた試験液収集装置に関し、特に、ウェハとノズルとの間のギャップを好適に調整することにより試験液の回収率の向上が図れる試験液収集装置に関するものである。
半導体製造プロセスでは、シリコンウェハはクリーンルーム環境、及び薄膜形成、エッチング注入などの工程における原料、設備、人体に由来する汚染に常に曝されており、これらの汚染は、製品の特性、歩留まりの低下を招き、デバイス製造に悪影響をもたらす。従って、この汚染を及ぼしている要因がどのような汚染物質(金属不純物、貴金属不純物等)に由来するものかを分析することは特に重要である。
従来から、この汚染物質の分析方法として、誘導結合プラズマ質量分析法(以下「ICP−MS」という。)や全反射蛍光X線分析法がある。
このどちらの分析法を用いるにおいても、ウェハ表面上の汚染物質を回収する必要があり、その回収方法として従来から、以下のようなものがある。
汚染物質を含むSi自然酸化膜で覆われたシリコンウェハを、HF(フッ酸)蒸気雰囲気に導入して自然酸化膜を溶解し、このとき生成される水に汚染物質を溶解させるという気相分解(以下「VPD」という。)を行い、ウェハ表面の溶解物を一箇所に集めこれを一滴として回収する方法や、HFに酸化剤を添加した試験液をウェハ表面上に微量滴下し、これをウェハ表面上で転がしてウェハ表面上の貴金属を含む金属不純物を回収するという方法(以下「液滴走査法」という。)がある。
この液滴走査法を用いるものとしては、例えば、特開2003−344243号公報があるが、これは、ウェハ表面上に試験液を滴下し、これをノズルで捕捉し、この捕捉した試験液をウェハ上で転がし(スキャン)、ウェハ表面全面を全てスキャンした後これを吸引するというものである。この滴下された試験液を取り逃がすことなく捕捉し、スキャンし、及び試験液の取りこぼしを減らすためには、ウェハ表面とノズルとの間のギャップが重要となる。
この点、上記公報においては、このギャップをウェハ毎に調整するとしている。
確かに、このギャップをこのようにウェハ毎に調整すれば、例えば、何百回もVPD処理してウェハの厚みが薄くなった試験用ウェハ等を検査する際においても適性なギャップとすることが可能であるが、この特開2003−344243号公報のものにあっては、この際に、ノズルをウェハに当接させることにより行うとしており、このような方法では、ノズルによりウェハを傷つけてしまったり、破壊してしまう恐れがある。また、このノズルで試験液を捕捉する時、スキャンする時及び試験液を回収する時には夫々に適正なギャップがあり、この各時において夫々適正なギャップに調整することが試験液の取りこぼしを減らすためには特に有効であるが、上記公報開示の技術ではこのようなギャップの調整をすることはできなかった。
そこで、本発明の目的は、ウェハ表面にノズル等を当接させることなく、ウェハの厚みを測定し、この測定された厚みに相応してウェハとノズルとの間のギャップを制御しつつ試験液の収集を行う試験液収集装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の試験液収集装置は、ウェハの表面に滴下された試験液を捕捉し、この捕捉された試験液でこのウェハ表面上をスキャンすることによりこのウェハ表面上の汚染物質をこの試験液とともに回収するノズルを備えた試験液収集装置であって、上記ウェハを載置し固定するステージと、上記ステージを回転させる駆動手段と、上記ウェハの表面に上記試験液を滴下する試験液滴下手段と、上記ノズルを備えた少なくとも上下に移動可能なノズル移動手段と、上記ウェハの厚みを計測する非接触型センサと、この計測されたウェハの厚みに相応してこのウェハと上記ノズル間のギャップを制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
この試験液は、例えば、HF(フッ酸)にHNO3やH2O2のような酸化剤を添加した溶液等であり、また、ここで言う汚染物質とは、金属不純物、貴金属不純物等をいう。
また、ここで言う回収とは、例えば、ダイアフラム式ポンプやその他の吸引ポンプ等により、ノズルを用いて金属不純物等とともに試験液をウェハ表面上から吸引することを言い、このノズルとは、筒状の管をいう。
以上のように、非接触型センサにより測定されたウェハの厚みに相応してウェハとノズルの間のギャップを制御するとしたことから、ウェハにノズルを当接せずに、ウェハの厚みに影響されないノズルとウェハ間の正確なギャップを把握することができるので、ウェハを傷つけることとなく、最適なギャップで試験液の収集が可能となる。
また、上記制御手段は、上記非接触型センサにより上記ステージとの間の距離及び上記ウェハとの間の距離を算出し、夫々得られた算出値から減算処理によりウェハの厚みを算出するように構成してもよい。
ここで言う非接触型センサとは、ウェハ表面にノズルを当接させることなくウェハの厚みを測定できるものであり、超音波や光等の入射及び反射を利用したセンサである。例えば、発光部と受光部を有する光センサで構成されており、ウェハ表面にレーザー光線等の光を発射しその反射光を読み取る構成のものである。この光センサがウェハ表面に光を発射し、この反射光を受け取ることにより、ウェハとこの光センサ間の距離が測定され、上記ステージとこの光センサとの間の距離とこの測定距離との減算をすることによりウェハの厚みが算出される。
また、この試験液収集装置は、更に、上記制御手段に、上記試験液の捕捉時の上記ギャップが、上記スキャン時の上記ギャップより大きくなるよう制御させるように構成してもよい。
この試験液の捕捉時においては、この液滴にノズルが触れたときに液滴の表面張力により、液滴がノズル先端部の円周上に張り付くようなギャップであればよいが、一方、このギャップのままスキャンすると、液滴をノズルに保持し続けることができないおそれがあるので、このスキャン時にはこの捕捉時のギャップより小さくするのが好適である。
また、この試験液収集装置は、更に、上記制御手段に、上記スキャン時の上記ギャップが、0.2〜1.0mmとなるよう制御させるように構成してもよい。
このスキャン時のギャップが0.2mmより小さいと、スキャン時に液滴が弾けてしまう恐れがあり、1.0mmより大きいと液滴を取り逃がしてしまう恐れがあるので、スキャン時のギャップは、0.2〜1.0mmが好適である。
また、この試験液収集装置は、更に、上記制御手段に、上記試験液の捕捉時の上記ギャップが、上記スキャン時の上記ギャップより0.3〜0.5mm大きくなるよう制御するように構成してもよい。
この捕捉時のギャップとスキャン時のギャップの差が0.3mmより小さいと、捕捉時に液滴を弾いてしまう恐れがあり、0.5mmより大きいと液滴を取り逃がす恐れがあるので、このようにするのが好適である。
また、この試験液収集装置は、更に、上記制御手段に、上記スキャン後の試験液の回収時において、初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを小さくなるよう制御するように構成してもよい。
ここで、初期回収時とは、試験液によりウェハ表面上を全てスキャンし終わった後、ノズルによりこのスキャン終了後の試験液を吸引する際の吸い始めを言い、一方、終期回収時とは、この試験液の吸引終了間近を言う。
試験液の吸引し始めにおいては、試験液滴はノズルの先端部の円周上全面に渡り表面張力により張り付いているが、吸引終了間近においては試験液が少なくなるので、この吸引し始めのギャップのままでは、このノズルの先端部の円周上において試験液滴の非接触部分が生ずることとなる。その結果、ノズルでは吸引出来ない試験液をウェハ上に残してしまうこととなるので、ウェハ表面上の未回収の試験液の残量が少なくなった時点においては、初期回収時よりこのギャップを小さくするのが好適であり、このようにすることにより試験液の回収率を向上させることができる。
また、この試験液収集装置は、更に、上記制御手段に、上記スキャン後の試験液の回収時において、初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを0.2〜1.0mm小さくなるよう制御するように構成してもよい。
本発明にあっては、上記の如く、ウェハにノズルを当接させることなく非接触型センサによりウェハの厚みを測定し、この測定されたウェハの厚みに相応してこのウェハと上記ノズルとの間のギャップを制御するとしたことから、ウェハ表面を傷つけることなく、ウェハの厚みに影響しない最適なギャップを設定することができる。
また、試験液の捕捉時のギャップよりスキャン時のギャップを小さくするようにギャップを制御すれば、捕捉時及びスキャン時の夫々に最適なギャップとすることができ、より取りこぼしや取り逃がしの防止が図れる。
更に、スキャン後の試験液の回収時において、初期回収時のギャップよりも終期回収時のギャップを小さくするように構成すれば、試験液の回収率の向上を図れる。
以下、この発明に係る試験液収集装置の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に記すのは本願発明の1つの実施形態にすぎず、これに限定されるものではない。
図1は、本発明の試験液収集装置を適用したウェハ検査前処理装置の模式配置図である。このウェハ検査前処理装置は、以下の部門からなる。即ち、ウェハ表面上の汚染物質分析に用いるウェハが格納されているローダ1と、このローダ1から取り出したウェハをVPD(気相分解)処理するVPD処理部3と、このVPD処理されたウェハの表面上の金属不純物を試験液に取り込む(以下「スキャン」という。)SCAN部4と、このスキャン後の試験液を汚染物質分析であるICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析)用の分析試料を作成するICP−MS部9と、このウェハ検査前処理装置を制御する制御手段10とから構成される。
また、本発明のウェハ表面上の試験液収集装置を適用したウェハ検査前処理装置は、ウェハの厚みを測定する非接触型センサ8と、VPD処理部3及びSCAN部4へウェハの搬送を行うウェハ移動手段2と、SCAN部4に載置されたウェハ上に試験液供給部6から試験液を採取しこの採取した試験液をウェハ上に滴下する試験液滴下手段5と、この滴下された試験液でウェハ表面上をスキャンしこのスキャン後の試験液を回収し、この回収された試験液をICP−MS部9へ搬送するノズル移動手段7を備える。
次に、本発明の試験液収集装置の一実施形態について図2(a)を用いて説明する。
本発明の試験液収集装置は、上記SCAN部4がウェハWを載置し固定するステージ4aとこのステージ4aを回転させる駆動手段4bとで構成されるとともに、このステージ4aに載置し固定されたウェハWの厚みwを測定する非接触型センサ8と、このウェハWの表面に試験液を滴下する試験液滴下手段5と、このウェハWに滴下された試験液滴Sを捕捉し、この捕捉された試験液滴SでウェハW表面上をスキャンし、スキャン終了後にこの試験液滴Sを回収するノズルNを備えたノズル移動手段7と、このノズルNと導入管Dを通して接続されるとともに、ウェハWの表面上の試験液滴Sを吸引するポンプPと、これら一連の動作を制御する制御手段10とからなる。
制御手段10は、図示しないCPU、ROM、RAMから構成されており、ROMには、ステージ4aにウェハWが載置されてから、このウェハWの厚みwの測定、試験液の滴下、捕捉、スキャン、そして回収するまでの一連の動作を各機器に行わせるようなプログラムが格納されており、これをRAMに書き込みCPUで演算処理を行うことにより、以下のような一連の動作を行うように構成されている。
以下に、この試験液収集装置の動作説明を図2(a)を用いて行う。
まず、図示しないウェハ搬送用ロボット又はアームによりウェハWがステージ4aまで搬送され、このステージ4aに載置される。すると、非接触型センサ8がこのステージ4aに載置されたウェハWの厚みwを測定し、この測定された厚みに関する情報が制御手段10に送られる。これと同時に試験液滴下手段5が、試験液供給部6より定量の試験液を採取し、この試験液をステージ4aに載置されたウェハW上の所定の位置に滴下する。以上の処理を制御手段10のCPUが行う。
他方、制御手段10のCPUは、非接触型センサ8により測定された実際のウェハWの厚みwからこれに相応したウェハWとノズルNとの間のギャップを算出し、この算出されたギャップとなるようにノズル移動手段7のZ軸を調整する。
更に具体的にこのウェハWの厚みwの算出方法を図2(a)、(b)を用いて説明する。まず、図に示すように、駆動手段4bの上部に設けられたステージ4aの上面のZ軸座標を0(基準)として、非接触型センサ8のZ軸方向の位置座標、即ち、ステージ4aと非接触型センサ8の距離が制御手段10のROMあるいはRAMに予め設定されている。(ここでは、この距離をLとしている。)ここで、非接触型センサ8が、例えば、発光部と受光部を有する光センサで構成されており、この光センサの発光部よりレーザー光線等の光をウェハWに向けて発射する。すると発射されたレーザー光線は、ウェハWに当たって反射し、この反射光を非接触型センサ8の受光部が受け取るとともに、この非接触型センサ8は制御手段10に対し信号を送る。すると、この信号を受け取った制御手段10のCPUは、非接触型センサ8から光が発射されてからこの反射光を受け取るまでに要した時間と、この光の速度から、ウェハWと非接触型センサ8の距離を算出する。(ここでは、L1としている。)次に、制御手段10のCPUは、予めROMあるいはRAMに設定されたステージ4aと非接触型センサ8との距離とこの算出されたウェハWと非接触型センサ8との減算処理を行う。その結果、ウェハWの厚みwが算出される。
次に、このウェハWの厚みwからウェハWとノズルNとの間のギャップGを調整する動作について説明する。制御手段10のROMあるいはRAMには、例えば、ウェハWの基準の厚み(以下「基準厚み」という。)が予め設定されており、更に、この厚みに相応して試験液収集に適正なギャップ(以下「基準ギャップ」という。)が予め設定されている。この制御手段10のCPUは、ウェハWの厚みwを算出すると、次に基準厚みとこの計測されたウェハWの厚みwの比較を行う。そして、小さい場合には、ノズルNを下げるようにノズル移動手段7を制御し、一方、大きい場合には、ノズルNを上げるようにノズル移動手段7を制御するようにして、このギャップGの調整を行う。
ここで、上記において、試験液がウェハW上に滴下される位置と、ノズル移動手段7のノズルNのウェハW上の位置を所定の位置としたが、この位置は滴下された試験液をノズルNが、例えば、下記のように捕捉することができるような位置として予め制御手段10のROM或いはRAMに設定されている。
次に、制御手段10のCPUは、ステージ4aを回転させる。すると、このステージ上のウェハW上の試験液滴Sは、円を描くようにこのウェハW上を移動し、この円周上に位置するノズルNに接触することにより、このノズルNが試験液滴Sを捕捉する。
更に、制御手段10のCPUは、ウェハW上をスキャンさせるべくノズル移動手段7を、水平方向で、かつ一方向、更にウェハWの中心方向に移動させる。すると、ステージ4aも上記のように回転しているので、このノズルNはウェハW上を渦巻状にスキャンすることとなる。
このノズルNがウェハWの中心まで移動しスキャンが終了すると、制御手段10のCPUはノズル移動手段7の移動を停止させ、ノズルNと導入管Dにより接続されているポンプPにスキャン終了後の試験液滴Sの吸引をさせ、試験液を回収させる。
以上のように、ウェハWにノズルNを当接させることなく、ウェハWの厚みwを非接触型センサ8により測定し、この厚みに相応してウェハWとノズルNとの間のギャップを制御するとしたことから、ウェハW表面を傷つけずにウェハWの厚みwに影響されないギャップの算出が可能となる。
また、他の実施形態では、本発明の試験液収集装置は、更に試験液の捕捉時のウェハWとノズルNとの間のギャップが、スキャン時のギャップより大きくなるように制御手段10が制御するように構成されている。
この場合の捕捉時とスキャン時のギャップの調整について図3を用いて説明する。
非接触型センサ8によりウェハWの厚みwが測定され、これに相応したギャップとなるようにノズル移動手段7のノズルNのギャップを調整する(ステップ100)。その後、試験液滴下手段5は試験液滴SをウェハWに滴下する(ステップ200)。次にこの試験液を捕捉したかどうかの判断がなされ(ステップ300)、捕捉した場合には、ノズルNを下げ(ステップ300)、ノズル移動手段7にスキャンを開始(ステップ500)させ、試験液滴Sを回収(ステップ600)させる。以上の処理を制御手段10のCPUが行う。
ここで、この捕捉したかどうかをどのように判断するかの一例を以下に説明すると、ノズル移動手段7のノズルNが制御手段10のROMあるいはRAMに予め設定されたウェハW表面上方の位置においてギャップ初期調整された後、このノズルNの位置とウェハWの中心からの距離と、ウェハWの中心から試験液の液滴下の位置との距離が、同じになるように試験液滴下手段5に試験液滴SをウェハW表面上に滴下させ、これと同時にウェハWが回転するように構成する。このウェハWの回転速度は予め一定となるように制御手段10のROMあるいはRAMに設定されている。試験液滴Sの滴下位置の円周上にノズルNが位置しており、かつ、夫々の座標も制御手段10のROMあるいはRAMに予め設定されているので、試験液滴Sが滴下された位置からノズルNまでの円弧の長さが算出される。これより、この円弧の長さと上記回転速度から試験液滴Sの滴下時からノズルNが試験液滴Sを捕捉するまでの時間が算出されるので、この時間が経過した時点を捕捉時と判断するように構成すればよい。以上の処理を制御手段10のCPUにおいて行う。
この試験液の捕捉時においては、この液滴にノズルNが触れたときに液滴の表面張力により、液滴がノズル先端部の円周上に張り付くようなギャップであればよいが、一方、このギャップのままスキャンすると、液滴をノズルNに保持し続けることができないおそれがあるので、このスキャン時にはこの捕捉時のギャップより小さくするのが好適である。
また、この場合、スキャン時のギャップが、0.2〜1.0mmとなるように制御してもよい。
このスキャン時のギャップが0.2mmより小さいと、スキャン時に液滴が弾けてしまう恐れがあり、1.0mmより大きいと液滴を取り逃がしてしまう恐れがあるので、スキャン時のギャップは、0.2〜1.0mmが好適である。
また、試験液の捕捉時のギャップが、スキャン時のギャップより0.3〜0.5mm大きくなるように制御するようにしてもよい。
この捕捉時のギャップとスキャン時のギャップの差が0.3mmより小さいと、捕捉時に液滴を弾いてしまう恐れがあり、0.5mmより大きいと液滴を取り逃がす恐れがあるので、このようにするのが好適である。
また、更に、前記スキャン後の試験液の回収時において、初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを小さくなるように制御するようにしてもよい。
ここで、初期回収時とは、試験液によりウェハW表面上を全てスキャンし終わった後、ノズルNによりこのスキャン終了後の試験液を吸引する際の吸い始めを言い、一方、終期回収時とは、この試験液の吸引終了間近を言う。
試験液の吸引し始めにおいては、液滴はノズルNの先端部の円周上全面に渡り表面張力により張り付いているが、吸引終了間近においては試験液が少なくなるので、この吸引し始めのギャップのままでは、このノズルNの先端部の円周上において液滴の非接触部分が生ずることとなる。その結果、ノズルNでは吸引出来ない試験液をウェハW上に残してしまうこととなるので、ウェハW表面上の未回収の試験液の残量が少なくなった時点においては、初期回収時よりこのギャップを小さくするのが好適であり、このようにすることにより試験液の回収率を向上させることができる。
また、この際、スキャン後の試験液の回収時において、初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを0.2〜1.0mm小さくなるように制御するようにしてもよい。
1 ローダ
2 ウェハ移動手段
3 VPD処理部
4 SCAN部
4a ステージ
4b 駆動手段
5 試験液滴下手段
6 試験液供給部
7 ノズル移動手段
8 非接触型センサ
9 ICP−MS部
10 制御手段
N ノズル
S 試験液滴
P ポンプ
D 導入管
G ギャップ
L ステージ4aから非接触型センサ8までの距離
L1 ウェハWから非接触型センサ8までの距離
W ウェハ
w ウェハWの厚み
2 ウェハ移動手段
3 VPD処理部
4 SCAN部
4a ステージ
4b 駆動手段
5 試験液滴下手段
6 試験液供給部
7 ノズル移動手段
8 非接触型センサ
9 ICP−MS部
10 制御手段
N ノズル
S 試験液滴
P ポンプ
D 導入管
G ギャップ
L ステージ4aから非接触型センサ8までの距離
L1 ウェハWから非接触型センサ8までの距離
W ウェハ
w ウェハWの厚み
Claims (7)
- ウェハの表面に滴下された試験液を捕捉し、この捕捉された試験液でこのウェハ表面上をスキャンすることによりこのウェハ表面上の汚染物質をこの試験液とともに回収するノズルを備えた試験液収集装置であって、
上記ウェハを載置し固定するステージと、
上記ステージを回転させる駆動手段と、
上記ウェハの表面に上記試験液を滴下する試験液滴下手段と、
上記ノズルを備えた少なくとも上下に移動可能なノズル移動手段と、
上記ウェハの厚みを計測する非接触型センサと、
この計測されたウェハの厚みに相応してこのウェハと上記ノズル間のギャップを制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記非接触型センサにより上記ステージとの間の距離及び上記ウェハとの間の距離を算出し、夫々得られた算出値から減算処理によりウェハの厚みを算出すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記試験液の捕捉時の上記ギャップが、上記スキャン時の上記ギャップより大きくなるように制御すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記スキャン時の上記ギャップが、0.2〜1.0mmとなるように制御すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記試験液の捕捉時の上記ギャップが、上記スキャン時の上記ギャップより0.3〜0.5mm大きくなるように制御すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記スキャン後の試験液の回収時において、
初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを小さくなるように制御すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。 - 上記制御手段は、
上記スキャン後の試験液の回収時において、
初期回収時の上記ギャップより終期回収時の上記ギャップを0.2〜1.0mm小さくなるように制御すること
を特徴とする請求項1記載の試験液収集装置。
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