JPH05326665A - 汚染物質捕集装置 - Google Patents
汚染物質捕集装置Info
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- JPH05326665A JPH05326665A JP13397192A JP13397192A JPH05326665A JP H05326665 A JPH05326665 A JP H05326665A JP 13397192 A JP13397192 A JP 13397192A JP 13397192 A JP13397192 A JP 13397192A JP H05326665 A JPH05326665 A JP H05326665A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体装置の製造工程における汚染
状態を調査する際に用いる汚染物質捕集装置に関し、半
導体ウエハ上の付着成分を簡単に捕集することを目的と
する。 【構成】半導体ウェハＷ上の付着物を離脱させる高さの
温度に該半導体ウェハＷを加熱する加熱槽１と、前記半
導体ウェハＷから離脱した前記付着物を前記加熱槽１か
ら外部に追い出すキャリアガスを供給するガス供給部２
と、前記キャリアガスにより追い出された前記付着物を
バブリングにより溶液中に捕集する捕集槽４とを含み構
成する。
状態を調査する際に用いる汚染物質捕集装置に関し、半
導体ウエハ上の付着成分を簡単に捕集することを目的と
する。 【構成】半導体ウェハＷ上の付着物を離脱させる高さの
温度に該半導体ウェハＷを加熱する加熱槽１と、前記半
導体ウェハＷから離脱した前記付着物を前記加熱槽１か
ら外部に追い出すキャリアガスを供給するガス供給部２
と、前記キャリアガスにより追い出された前記付着物を
バブリングにより溶液中に捕集する捕集槽４とを含み構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、汚染物質捕集装置に関
し、より詳しくは、半導体装置の製造工程における汚染
状態を調査する際に用いる汚染物質捕集装置に関する。
し、より詳しくは、半導体装置の製造工程における汚染
状態を調査する際に用いる汚染物質捕集装置に関する。
【０００２】近年の半導体品産業では、回路の高集積化
が要求されており、それに伴い、製造過程で半導体ウェ
ハに付着する汚染物質の制御も重要になり、汚染不純物
の評価装置が必要になってくる。
が要求されており、それに伴い、製造過程で半導体ウェ
ハに付着する汚染物質の制御も重要になり、汚染不純物
の評価装置が必要になってくる。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置の製造工程でウェハ表面に付
着する汚染物によって、素子に構造的な欠陥が生じたり
電気的特性が劣化することがある。このような不都合を
未然に防止するために、汚染物捕獲用のウェハを使用し
て、その汚染物となる有機物、無機物、その他の微粒子
等の付着成分を分析することが行われている。
着する汚染物によって、素子に構造的な欠陥が生じたり
電気的特性が劣化することがある。このような不都合を
未然に防止するために、汚染物捕獲用のウェハを使用し
て、その汚染物となる有機物、無機物、その他の微粒子
等の付着成分を分析することが行われている。
【０００４】付着物を捕集する場合には、汚染物捕獲用
の半導体ウェハを使用して、その表面に直に付着した付
着物を水洗により捕集したり、或いは、半導体ウェハ上
の酸化膜の表面の付着物を酸化膜の表層とともに選択的
にエッチングして、付着物を溶媒中に採り出すことが行
われている。
の半導体ウェハを使用して、その表面に直に付着した付
着物を水洗により捕集したり、或いは、半導体ウェハ上
の酸化膜の表面の付着物を酸化膜の表層とともに選択的
にエッチングして、付着物を溶媒中に採り出すことが行
われている。
【０００５】そして、付着物を含んだ溶液を試料にし
て、原子吸光光度計やイオンクロマトグラフなどにより
付着物を分析し、評価を行っている。
て、原子吸光光度計やイオンクロマトグラフなどにより
付着物を分析し、評価を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、水洗等により
付着物を捕集する場合には、半導体ウエハを１枚単位で
処理しているために、分析時間の大部分が付着物の捕集
作業に費やされ、作業効率が悪いといった問題がある。
付着物を捕集する場合には、半導体ウエハを１枚単位で
処理しているために、分析時間の大部分が付着物の捕集
作業に費やされ、作業効率が悪いといった問題がある。
【０００７】しかも、半導体ウェハやその上の酸化膜の
浅い層にある付着物を捕獲する作業は熟練を要するた
め、作業効率を一層低下させている。本発明はこのよう
な問題に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハ上
の付着成分を簡単に捕集することができる汚染物質捕獲
装置を提供することを目的とする。
浅い層にある付着物を捕獲する作業は熟練を要するた
め、作業効率を一層低下させている。本発明はこのよう
な問題に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハ上
の付着成分を簡単に捕集することができる汚染物質捕獲
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、半導体ウェハＷ上の付着物を離脱させ
る高さの温度に該半導体ウェハＷを加熱する加熱槽１
と、前記半導体ウェハＷから離脱した前記付着物を前記
加熱槽１から外部に追い出すキャリアガスを供給するガ
ス供給部２と、前記キャリアガスにより追い出された前
記付着物をバブリングにより溶液中に捕集する捕集槽４
とを有することを特徴とする汚染物質捕集装置により達
成する。
例示するように、半導体ウェハＷ上の付着物を離脱させ
る高さの温度に該半導体ウェハＷを加熱する加熱槽１
と、前記半導体ウェハＷから離脱した前記付着物を前記
加熱槽１から外部に追い出すキャリアガスを供給するガ
ス供給部２と、前記キャリアガスにより追い出された前
記付着物をバブリングにより溶液中に捕集する捕集槽４
とを有することを特徴とする汚染物質捕集装置により達
成する。
【０００９】または、図３に例示するように、清浄な半
導体ウェハＷを収納する加熱槽２１と、所定の雰囲気中
のガスを前記加熱槽２１中に導入して前記半導体ウェハ
Ｗの表面に汚染物を付着させる試料ガス供給部２３と、
前記加熱槽２１内の温度を上昇させて前記半導体ウェハ
Ｗ上の付着物を離脱させる熱制御部３５と、前記加熱槽
３５内の前記付着物を外に追い出すキャリアガスを供給
するキャリアガス供給部２３と、前記キャリアガスによ
り追い出された前記付着物をバブリングにより溶液中に
捕集する捕集槽２８とを有することを特徴とする汚染物
質捕集装置により達成する。
導体ウェハＷを収納する加熱槽２１と、所定の雰囲気中
のガスを前記加熱槽２１中に導入して前記半導体ウェハ
Ｗの表面に汚染物を付着させる試料ガス供給部２３と、
前記加熱槽２１内の温度を上昇させて前記半導体ウェハ
Ｗ上の付着物を離脱させる熱制御部３５と、前記加熱槽
３５内の前記付着物を外に追い出すキャリアガスを供給
するキャリアガス供給部２３と、前記キャリアガスによ
り追い出された前記付着物をバブリングにより溶液中に
捕集する捕集槽２８とを有することを特徴とする汚染物
質捕集装置により達成する。
【００１０】または、前記半導体ウェハＷ上の前記付着
物を離脱させるための加熱温度を段階的に変化させる加
熱器１ａ，２１ａを有することを特徴とする汚染物質捕
集装置により達成する。
物を離脱させるための加熱温度を段階的に変化させる加
熱器１ａ，２１ａを有することを特徴とする汚染物質捕
集装置により達成する。
【００１１】または、前記捕集槽４，２８に収容された
前記溶液を採取してして分析機に供給する機構を備えた
ことを特徴とする汚染物質捕集装置によって達成する。
前記溶液を採取してして分析機に供給する機構を備えた
ことを特徴とする汚染物質捕集装置によって達成する。
【００１２】
【作 用】本発明によれば、半導体ウェハＷを加熱し
て、その表面に付着した成分を加熱処理により揮発さ
せ、これをバブリングにより溶液中に捕獲している。
て、その表面に付着した成分を加熱処理により揮発さ
せ、これをバブリングにより溶液中に捕獲している。
【００１３】このような汚染物質捕集装置によれば、半
導体ウェハＷの付着物の離脱処理を一度に多数枚行える
ために、付着物の捕集作業は軽減される。しかも、ウェ
ハ処理の枚数を増やして付着物の捕獲量を多くすること
が容易となり、分析精度が向上する。
導体ウェハＷの付着物の離脱処理を一度に多数枚行える
ために、付着物の捕集作業は軽減される。しかも、ウェ
ハ処理の枚数を増やして付着物の捕獲量を多くすること
が容易となり、分析精度が向上する。
【００１４】また、半導体ウェハＷの汚染物の付着は第
１の発明のように外部で行い、その後に、加熱槽１内で
付着物を離脱させるようにしてもよいし、また、第２の
発明のように、加熱槽２１内に清浄な半導体ウェハＷを
収納し、この中に外気を導入して半導体ウェハＷに汚染
物質を付着させ、同一の加熱槽２１内で付着物を離脱さ
せてもよい。
１の発明のように外部で行い、その後に、加熱槽１内で
付着物を離脱させるようにしてもよいし、また、第２の
発明のように、加熱槽２１内に清浄な半導体ウェハＷを
収納し、この中に外気を導入して半導体ウェハＷに汚染
物質を付着させ、同一の加熱槽２１内で付着物を離脱さ
せてもよい。
【００１５】さらに、加熱槽１，２１の温度を変化させ
ることで、揮発性成分の特定は容易になる。
ることで、揮発性成分の特定は容易になる。
【００１６】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （ａ）本発明の第１の実施例の説明 図１は、本発明の第１の実施例を示す構成図である。
いて説明する。 （ａ）本発明の第１の実施例の説明 図１は、本発明の第１の実施例を示す構成図である。
【００１７】図１において符号１は、複数の半導体ウェ
ハＷを間隔をおいて収納する加熱槽で、ヒータ１ａによ
り半導体ウェハＷを加熱してその表面の付着物を離脱さ
せるように構成されている。また、加熱槽１の一端に
は、高純度窒素ガスのような高純度ガスを導入するガス
供給管２が接続され、その他端には、加熱槽１内のガス
を外部に導くためのガス搬送管３が接続されており、高
純度ガスにより加熱槽１内部のガスを外部に追い出すよ
うに構成されている。
ハＷを間隔をおいて収納する加熱槽で、ヒータ１ａによ
り半導体ウェハＷを加熱してその表面の付着物を離脱さ
せるように構成されている。また、加熱槽１の一端に
は、高純度窒素ガスのような高純度ガスを導入するガス
供給管２が接続され、その他端には、加熱槽１内のガス
を外部に導くためのガス搬送管３が接続されており、高
純度ガスにより加熱槽１内部のガスを外部に追い出すよ
うに構成されている。
【００１８】４は、純水Ａを入れて密閉される付着物捕
集槽で、その液面よりも下の位置には、ガス搬送管３の
端部が延在し、また、液面の上には、排気ポンプ５に繋
がる排気管６の一端が配設されており、付着物捕集槽４
内を減圧してガス搬送管３から放出されたガスを純水Ａ
内でバブリングするように構成されている。
集槽で、その液面よりも下の位置には、ガス搬送管３の
端部が延在し、また、液面の上には、排気ポンプ５に繋
がる排気管６の一端が配設されており、付着物捕集槽４
内を減圧してガス搬送管３から放出されたガスを純水Ａ
内でバブリングするように構成されている。
【００１９】次に、上記実施例の作用について説明す
る。上述した実施例において、半導体装置を製造する所
定の雰囲気中に付着物捕獲用の半導体ウェハＷを複数枚
置いて、その雰囲気に存在する有機物、無機物、その他
の微粒子等の汚染物を表面に吸着させる。
る。上述した実施例において、半導体装置を製造する所
定の雰囲気中に付着物捕獲用の半導体ウェハＷを複数枚
置いて、その雰囲気に存在する有機物、無機物、その他
の微粒子等の汚染物を表面に吸着させる。
【００２０】そして、汚染物を吸着した半導体ウェハＷ
を回収し、それらを加熱槽１内に間隔をおいて入れ、ヒ
ータ１ａにより例えば２００〜８００℃程度の温度で10
分〜２時間程度加熱して半導体ウェハＷ表面の汚染付着
物を離脱させる。この場合、加熱槽１には高純度の窒素
ガスを充填しておく。
を回収し、それらを加熱槽１内に間隔をおいて入れ、ヒ
ータ１ａにより例えば２００〜８００℃程度の温度で10
分〜２時間程度加熱して半導体ウェハＷ表面の汚染付着
物を離脱させる。この場合、加熱槽１には高純度の窒素
ガスを充填しておく。
【００２１】この後に、ガス供給管２を通して加熱槽１
内に高純度の窒素ガスを供給するとともに排気ポンプ５
により付着物捕集槽４内を減圧すると、加熱槽１内に拡
散した付着物は、窒素ガスの流れに沿ってガス搬送管３
から付着物捕獲槽４へと追い出され、その付着物はバブ
リングの際に純水Ａの中に捕集される。
内に高純度の窒素ガスを供給するとともに排気ポンプ５
により付着物捕集槽４内を減圧すると、加熱槽１内に拡
散した付着物は、窒素ガスの流れに沿ってガス搬送管３
から付着物捕獲槽４へと追い出され、その付着物はバブ
リングの際に純水Ａの中に捕集される。
【００２２】この後に、付着物を含む純水Ａをシリンジ
等によって移送し、その付着物を原子吸光光度計やイオ
ンクロマトグラフィー、ＴＯＣ（total organic carbo
n；全有機炭素）計等により分析する。
等によって移送し、その付着物を原子吸光光度計やイオ
ンクロマトグラフィー、ＴＯＣ（total organic carbo
n；全有機炭素）計等により分析する。
【００２３】このような汚染物質捕集装置によれば、ウ
ェハからの付着物離脱処理を一度に多数枚行えるため
に、付着物の捕集作業は軽減される。しかも、ウェハ処
理枚数を増やして付着物の捕獲量を多くすることが容易
となり、分析精度を向上することができる。
ェハからの付着物離脱処理を一度に多数枚行えるため
に、付着物の捕集作業は軽減される。しかも、ウェハ処
理枚数を増やして付着物の捕獲量を多くすることが容易
となり、分析精度を向上することができる。
【００２４】なお、付着物を追い出すための高純度ガス
は、窒素ガスに限るものではなく、ライトエッチング可
能なクリーニングガス、或いは酸化性ガス、還元性ガス
等を使用してもよく、また、付着物捕集用の液体として
は純水に限るものでなく、付着物との反応を利用したい
場合には、各種の目的に合わせた捕集用溶媒として色々
な有機溶剤を用いてもよい（以下の実施例でも同様であ
る）。
は、窒素ガスに限るものではなく、ライトエッチング可
能なクリーニングガス、或いは酸化性ガス、還元性ガス
等を使用してもよく、また、付着物捕集用の液体として
は純水に限るものでなく、付着物との反応を利用したい
場合には、各種の目的に合わせた捕集用溶媒として色々
な有機溶剤を用いてもよい（以下の実施例でも同様であ
る）。
【００２５】また、汚染物の捕獲は、半導体ウェハによ
り直に行ってもよいし、半導体ウェハ上の酸化膜等によ
ることも可能である（以下の実施例でも同様である）。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 上記した実施例の装置は、ウェハ表面の付着物を捕集し
てこれを分析するものであるが、初期状態の半導体ウェ
ハに付着物が付着していることもあるので、これを考慮
して付着物評価を行う装置を次に説明する。
り直に行ってもよいし、半導体ウェハ上の酸化膜等によ
ることも可能である（以下の実施例でも同様である）。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 上記した実施例の装置は、ウェハ表面の付着物を捕集し
てこれを分析するものであるが、初期状態の半導体ウェ
ハに付着物が付着していることもあるので、これを考慮
して付着物評価を行う装置を次に説明する。
【００２６】図２は、本発明の第２実施例の装置を示す
構成図である。この装置は、第１実施例と同様に、第一
の加熱槽１、ガス搬送管３、第一の付着物捕集槽４及び
排気ポンプ５を備えている。
構成図である。この装置は、第１実施例と同様に、第一
の加熱槽１、ガス搬送管３、第一の付着物捕集槽４及び
排気ポンプ５を備えている。
【００２７】図中符号７は、半導体装置の製造工程の雰
囲気中に置かれないブランクな半導体ウェハＷ1 を複数
枚設置するための第２の加熱槽で、ヒータ７ａにより半
導体ウェハＷ1 を加熱してその表面の付着物を離脱させ
るように構成されている。そして、加熱槽７の一端には
第１の加熱槽１に分岐して高純度ガスを供給するガス供
給管８が接続され、またその他端には、第二の加熱槽７
内のガスを外部に導くための第二のガス搬送管９が接続
されており、高純度ガスにより第二の加熱槽７内部のガ
スを外部に追い出すように構成されている。
囲気中に置かれないブランクな半導体ウェハＷ1 を複数
枚設置するための第２の加熱槽で、ヒータ７ａにより半
導体ウェハＷ1 を加熱してその表面の付着物を離脱させ
るように構成されている。そして、加熱槽７の一端には
第１の加熱槽１に分岐して高純度ガスを供給するガス供
給管８が接続され、またその他端には、第二の加熱槽７
内のガスを外部に導くための第二のガス搬送管９が接続
されており、高純度ガスにより第二の加熱槽７内部のガ
スを外部に追い出すように構成されている。
【００２８】１０は、純水Ｂを入れて密閉される第二の
付着物捕集槽で、その液面よりも下の位置には、ガス搬
送管９の端部が延在し、また、液面の上には、排気ポン
プ１１に繋がる排気管１２の一端が配設されており、こ
れにより第二の付着物捕集槽１０内を減圧してガス搬送
管９から放出されたガスを純水Ｂ内でバブリングするよ
うに構成されている。
付着物捕集槽で、その液面よりも下の位置には、ガス搬
送管９の端部が延在し、また、液面の上には、排気ポン
プ１１に繋がる排気管１２の一端が配設されており、こ
れにより第二の付着物捕集槽１０内を減圧してガス搬送
管９から放出されたガスを純水Ｂ内でバブリングするよ
うに構成されている。
【００２９】また、第二の付着物捕集層１０の中には、
シリンジ１３に繋がる吸液管１４が配置されており、第
二の付着物捕集槽１０中の液体を取出して図示しない原
子吸光光度計やイオンクロマトグラフィー等により分析
するように構成されている。
シリンジ１３に繋がる吸液管１４が配置されており、第
二の付着物捕集槽１０中の液体を取出して図示しない原
子吸光光度計やイオンクロマトグラフィー等により分析
するように構成されている。
【００３０】なお、図中符号１５は、第一の付着物捕集
槽４内に延びる吸液管、１６は、その吸液管１５に繋が
るシリンジを示している。次に、この実施例の作用につ
いて説明する。
槽４内に延びる吸液管、１６は、その吸液管１５に繋が
るシリンジを示している。次に、この実施例の作用につ
いて説明する。
【００３１】まず、所定の雰囲気中の汚染物を付着させ
た半導体ウェハＷを第一の加熱槽１内に複数枚設置する
ととに、第二の加熱槽７内にはブランクな半導体ウェハ
Ｗ1を複数枚収納する。
た半導体ウェハＷを第一の加熱槽１内に複数枚設置する
ととに、第二の加熱槽７内にはブランクな半導体ウェハ
Ｗ1を複数枚収納する。
【００３２】そして、第一の加熱槽１と第二の加熱槽７
を２００〜８００℃の範囲で同一温度に設定して、それ
らの中の半導体ウェハＷ1 、Ｗの表面の付着物を熱によ
り離脱させる。この後に、各加熱槽１，７内にある付着
物を高純度のガスにより各付着物捕集槽４，１０内に追
い出して純水Ａ，Ｂ中に捕集することになる。
を２００〜８００℃の範囲で同一温度に設定して、それ
らの中の半導体ウェハＷ1 、Ｗの表面の付着物を熱によ
り離脱させる。この後に、各加熱槽１，７内にある付着
物を高純度のガスにより各付着物捕集槽４，１０内に追
い出して純水Ａ，Ｂ中に捕集することになる。
【００３３】この場合、ブランクな半導体ウェハＷ1 の
表面に付着物が存在する場合には、第二の捕集槽１０内
の純水Ｂに取り込まれるので、これを原子吸光光度計等
により分析すれば、半導体ウェハＷ1 の初期状態で吸着
している付着物が分析されることになる。
表面に付着物が存在する場合には、第二の捕集槽１０内
の純水Ｂに取り込まれるので、これを原子吸光光度計等
により分析すれば、半導体ウェハＷ1 の初期状態で吸着
している付着物が分析されることになる。
【００３４】そして、第一の付着物捕集槽４取り出して
分析した付着物から第二の付着物捕集槽１０内の付着物
を差し引けば、半導体装置製造過程の所定の場所におけ
る付着物の正確な成分を算出することができ、高精度の
付着物評価を行える。
分析した付着物から第二の付着物捕集槽１０内の付着物
を差し引けば、半導体装置製造過程の所定の場所におけ
る付着物の正確な成分を算出することができ、高精度の
付着物評価を行える。
【００３５】（ｃ）本発明の第３の実施例の説明 図３(a) は、本発明の第３の実施例の装置を示す構成
図、同図(b) は、その動作説明図である。
図、同図(b) は、その動作説明図である。
【００３６】図３(a) において符号２１は、複数の半導
体ウェハＷ0 を間隔をおいて収納する加熱槽で、ヒータ
２１ａにより半導体ウェハＷ0 を加熱してその表面の付
着物を離脱させるように構成されている。また、加熱槽
２１の一端には、ガスを導入する吸気口２２が設けら
れ、この吸気口２２には所定の雰囲気中の空気を導入す
るための試料用ガス供給管２３と、高純度ガスを導入す
るキャリアガス供給管２４が並列に接続され、それらに
は第一の電磁弁２５ａと第二の電磁弁２５ｂが取り付け
られている。
体ウェハＷ0 を間隔をおいて収納する加熱槽で、ヒータ
２１ａにより半導体ウェハＷ0 を加熱してその表面の付
着物を離脱させるように構成されている。また、加熱槽
２１の一端には、ガスを導入する吸気口２２が設けら
れ、この吸気口２２には所定の雰囲気中の空気を導入す
るための試料用ガス供給管２３と、高純度ガスを導入す
るキャリアガス供給管２４が並列に接続され、それらに
は第一の電磁弁２５ａと第二の電磁弁２５ｂが取り付け
られている。
【００３７】また、加熱槽２１の他端の排気口２６には
ガス搬送管２７が取り付けられ、その先端は、後述する
付着物捕集槽２８内の液面よりも下に位置されている。
付着物捕集槽２８は、ガス搬送管２７より放出されたガ
スの中から付着物を捕集するもので、液供給管３０から
放出された純水を貯えて密閉されている。また付着物捕
集槽２８の上部には、液面に達しない部分に先端を位置
させた排気管３１が取り付けられ、この排気管３１を通
して排気ポンプ３２により付着物捕集槽２８内を減圧す
るように構成されている。
ガス搬送管２７が取り付けられ、その先端は、後述する
付着物捕集槽２８内の液面よりも下に位置されている。
付着物捕集槽２８は、ガス搬送管２７より放出されたガ
スの中から付着物を捕集するもので、液供給管３０から
放出された純水を貯えて密閉されている。また付着物捕
集槽２８の上部には、液面に達しない部分に先端を位置
させた排気管３１が取り付けられ、この排気管３１を通
して排気ポンプ３２により付着物捕集槽２８内を減圧す
るように構成されている。
【００３８】さらに、付着物捕集槽２８には吸液管３３
が取付けられていて、ここから採取された液体はＴＯＣ
計３４に供給され、このＴＯＣ計３４により有機炭素の
量を測定して半導体ウェハＷ0 の有機系付着物を分析す
るように構成されている。
が取付けられていて、ここから採取された液体はＴＯＣ
計３４に供給され、このＴＯＣ計３４により有機炭素の
量を測定して半導体ウェハＷ0 の有機系付着物を分析す
るように構成されている。
【００３９】３５は、図３(b) に示すような順で各機構
を制御するシーケンス回路で、このシーケンス回路３５
は、上記した第１、第２の電磁弁２５ａ、２５ｂと、液
供給管３０に取付けらえた第三の電磁弁２５ｃと、吸液
管３３に取付けられた第四の電磁弁２５ｄと、付着物捕
集槽２８の底部の排液管３６に取り付けられた電磁弁２
５ｅと排気管３１に取付けられた電磁弁２５ｆに接続さ
れており、次に示すような手順でそれらの電磁弁２５ａ
〜ｆを操作するとともに、加熱槽２１の温度制御や排気
ポンプ３２の制御を行うように構成されている。
を制御するシーケンス回路で、このシーケンス回路３５
は、上記した第１、第２の電磁弁２５ａ、２５ｂと、液
供給管３０に取付けらえた第三の電磁弁２５ｃと、吸液
管３３に取付けられた第四の電磁弁２５ｄと、付着物捕
集槽２８の底部の排液管３６に取り付けられた電磁弁２
５ｅと排気管３１に取付けられた電磁弁２５ｆに接続さ
れており、次に示すような手順でそれらの電磁弁２５ａ
〜ｆを操作するとともに、加熱槽２１の温度制御や排気
ポンプ３２の制御を行うように構成されている。
【００４０】まず、シーケンス回路３５により全ての電
磁弁２５ａ〜ｆを閉じる。そして、加熱槽２１内に清浄
な半導体ウェハＷ0 を複数枚収容するとともに、付着物
捕集槽２８の中を清浄な状態で空にして密閉する。
磁弁２５ａ〜ｆを閉じる。そして、加熱槽２１内に清浄
な半導体ウェハＷ0 を複数枚収容するとともに、付着物
捕集槽２８の中を清浄な状態で空にして密閉する。
【００４１】次に、電磁弁25ｆを用いて，排気ポンプ３
２を駆動して付着部捕集槽２８内を減圧するとともに、
試料用ガス供給管２３の電磁弁２５ａを開いて所定雰囲
気の空気を加熱槽２１内に供給すると、その空気中に含
まれた付着物の一部は各半導体ウェハＷ0 の表面に吸着
される。
２を駆動して付着部捕集槽２８内を減圧するとともに、
試料用ガス供給管２３の電磁弁２５ａを開いて所定雰囲
気の空気を加熱槽２１内に供給すると、その空気中に含
まれた付着物の一部は各半導体ウェハＷ0 の表面に吸着
される。
【００４２】この後に、試料用ガス供給管２３の電磁弁
２５ａを閉じるとともに、キャリアガス供給管２４の電
磁弁２５ｂを一時的に開いて加熱槽２１内と付着物捕集
槽２８内の空気を外部に排気する。
２５ａを閉じるとともに、キャリアガス供給管２４の電
磁弁２５ｂを一時的に開いて加熱槽２１内と付着物捕集
槽２８内の空気を外部に排気する。
【００４３】ついで、液供給管３０の電磁弁２５ｃを開
いて純水Ｃを付着物捕集槽２８に供給し、所定の水位と
なった時点でその電磁弁２５ｃを閉じる。次に、加熱槽
２１を加熱し、その内部を２００〜８００℃の間の適当
な一定温度に維持し、半導体ウェハＷ0 に吸着された付
着物をその表面から離脱させる。この加熱とほぼ同時に
キャリアガス供給管２４の電磁弁２５ｂを開いて加熱槽
２１内に高純度の窒素ガスを流して離脱した付着物を外
部に追い出すとともに、排気ポンプ３２を作動し、電磁
弁２５ｆを開いて付着物捕集槽２８内を減圧する。
いて純水Ｃを付着物捕集槽２８に供給し、所定の水位と
なった時点でその電磁弁２５ｃを閉じる。次に、加熱槽
２１を加熱し、その内部を２００〜８００℃の間の適当
な一定温度に維持し、半導体ウェハＷ0 に吸着された付
着物をその表面から離脱させる。この加熱とほぼ同時に
キャリアガス供給管２４の電磁弁２５ｂを開いて加熱槽
２１内に高純度の窒素ガスを流して離脱した付着物を外
部に追い出すとともに、排気ポンプ３２を作動し、電磁
弁２５ｆを開いて付着物捕集槽２８内を減圧する。
【００４４】これにより、窒素ガスに追い出された付着
物は付着物捕集槽２８内のバブリングによって純水Ｃに
混入することになる。このようにして純水Ｃにより付着
物を捕集した後に、排気ポンプ３２を停止するととも
に、全ての電磁弁２５ａ〜ｅを閉じてから、吸液管３３
の電磁弁２５ｄを一定時間開いて付着物捕集槽２８内の
液をＴＯＣ計３４に送り、全有機炭素の測定を行って付
着物を分析する。
物は付着物捕集槽２８内のバブリングによって純水Ｃに
混入することになる。このようにして純水Ｃにより付着
物を捕集した後に、排気ポンプ３２を停止するととも
に、全ての電磁弁２５ａ〜ｅを閉じてから、吸液管３３
の電磁弁２５ｄを一定時間開いて付着物捕集槽２８内の
液をＴＯＣ計３４に送り、全有機炭素の測定を行って付
着物を分析する。
【００４５】この後に、排液管３６の電磁弁２５ｅを開
き、付着物捕集槽２８内の液を排出する。このような実
施例によれば、付着物評価のための測定が自動化される
ばかりでなく、半導体ウェハを置く余裕がない場所の汚
染物の評価を行うことが可能になる。
き、付着物捕集槽２８内の液を排出する。このような実
施例によれば、付着物評価のための測定が自動化される
ばかりでなく、半導体ウェハを置く余裕がない場所の汚
染物の評価を行うことが可能になる。
【００４６】（ｄ）本発明のその他の実施例の説明 上記した実施例では加熱槽内の設定温度を一定にして半
導体ウェハ表面の付着物を離脱させるようにしたが、そ
の加熱温度によって離脱する物質が異なる場合があるの
で、加熱温度を変化させることにより微量分析を行って
もよい。
導体ウェハ表面の付着物を離脱させるようにしたが、そ
の加熱温度によって離脱する物質が異なる場合があるの
で、加熱温度を変化させることにより微量分析を行って
もよい。
【００４７】例えば、第１段階で２００℃に半導体ウェ
ハを加熱して、その表面の付着物を離脱させた後に、付
着物捕集槽の中の液体を新たなものと交換し、さらに第
２段階として温度を上昇させて半導体ウェハを加熱して
第１段階よりも半導体ウェハの深い部分に付着した不純
物を離脱させるようにすれば、揮発性成分がより詳細に
特定できることになる。
ハを加熱して、その表面の付着物を離脱させた後に、付
着物捕集槽の中の液体を新たなものと交換し、さらに第
２段階として温度を上昇させて半導体ウェハを加熱して
第１段階よりも半導体ウェハの深い部分に付着した不純
物を離脱させるようにすれば、揮発性成分がより詳細に
特定できることになる。
【００４８】また、上記した実施例では、半導体ウェハ
の表面の汚染物質を付着させてこれを捕集するようにし
ているが、半導体ウェハの上に酸化膜を形成し、この酸
化膜の表面に付着した物質を捕集する場合にも同様にし
て付着物を捕集することができる。
の表面の汚染物質を付着させてこれを捕集するようにし
ているが、半導体ウェハの上に酸化膜を形成し、この酸
化膜の表面に付着した物質を捕集する場合にも同様にし
て付着物を捕集することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体ウェハを加熱して、その表面に付着した成分を加熱処
理により揮発させ、これをバブリングにより溶液中に捕
獲したので、このような汚染物質捕集装置によれば、半
導体ウェハの付着物の離脱処理を一度に多数枚行えるた
めに、付着物の捕集作業を軽減することができる。しか
も、ウェハ処理の枚数を増やして付着物の捕獲量を多く
することが容易となり、分析精度を向上することができ
る。
体ウェハを加熱して、その表面に付着した成分を加熱処
理により揮発させ、これをバブリングにより溶液中に捕
獲したので、このような汚染物質捕集装置によれば、半
導体ウェハの付着物の離脱処理を一度に多数枚行えるた
めに、付着物の捕集作業を軽減することができる。しか
も、ウェハ処理の枚数を増やして付着物の捕獲量を多く
することが容易となり、分析精度を向上することができ
る。
【００５０】また、加熱槽の温度を変化させることで、
揮発性成分の特定は容易になる。
揮発性成分の特定は容易になる。
【図１】本発明の第１実施例を示す装置の構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２実施例を示す装置の構成図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３実施例を示す装置の構成図とその
動作説明図である。
動作説明図である。
１ 加熱槽 ２ ガス供給管 ３ ガス搬送管 ４ 付着物捕集槽 ５ 排気ポンプ ６ 排気管 ２１ 加熱槽 ２３ 試料用ガス供給管 ２４ キャリアガス供給管 ２５ａ〜ｅ 電磁弁 ２７ ガス搬送管 ２８ 付着物保守槽 ３０ 液供給管 ３１ 排気管 ３２ 排気ポンプ ３３ 吸液管 ３４ ＴＯＣ計 ３５ シーケンス回路
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウェハ（Ｗ）上の付着物を離脱させ
る高さの温度に該半導体ウェハ（Ｗ）を加熱する加熱槽
（１）と、 前記半導体ウェハ（Ｗ）から離脱した前記付着物を前記
加熱槽（１）から外部に追い出すキャリアガスを供給す
るガス供給部（２）と、 前記キャリアガスにより追い出された前記付着物をバブ
リングにより溶液中に捕集する捕集槽（４）とを有する
ことを特徴とする汚染物質捕集装置。 - 【請求項２】清浄な半導体ウェハ（Ｗ）を収納する加熱
槽（２１）と、 所定の雰囲気中のガスを前記加熱槽（２１）中に導入し
て前記半導体ウェハ（Ｗ）の表面に汚染物を付着させる
試料ガス供給部（２３）と、 前記加熱槽（２１）内の温度を上昇させて前記半導体ウ
ェハ（Ｗ）上の付着物を離脱させる熱制御部（３５）
と、 前記加熱槽（３５）内の前記付着物を外に追い出すキャ
リアガスを供給するキャリアガス供給部（２３）と、 前記キャリアガスにより追い出された前記付着物をバブ
リングにより溶液中に捕集する捕集槽（２８）とを有す
ることを特徴とする汚染物質捕集装置。 - 【請求項３】前記半導体ウェハ（Ｗ）上の前記付着物を
離脱させるための加熱温度を段階的に変化させる加熱器
（１ａ，２１ａ）を有することを特徴とする請求項１又
は２記載の汚染物質捕集装置。 - 【請求項４】前記捕集槽（４，２８）に収容された前記
溶液を採取して分析機に供給する機構を備えたことを特
徴とする請求項１又は２記載の汚染物質捕集装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13397192A JPH05326665A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 汚染物質捕集装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13397192A JPH05326665A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 汚染物質捕集装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326665A true JPH05326665A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15117359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13397192A Withdrawn JPH05326665A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 汚染物質捕集装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326665A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005195568A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-07-21 | Denso Corp | 異物検査方法および異物検査装置 |
| KR100525636B1 (ko) * | 1999-05-24 | 2005-11-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조공정의 파티클 성분분석용 포집장치 |
| WO2017217804A1 (ko) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 주식회사 위드텍 | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 |
| JP2019049451A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | キヤノン株式会社 | 集塵装置、基板処理システム、および物品の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP13397192A patent/JPH05326665A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525636B1 (ko) * | 1999-05-24 | 2005-11-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조공정의 파티클 성분분석용 포집장치 |
| JP2005195568A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-07-21 | Denso Corp | 異物検査方法および異物検査装置 |
| JP4538788B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2010-09-08 | 株式会社デンソー | 異物検査方法および異物検査装置 |
| WO2017217804A1 (ko) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 주식회사 위드텍 | 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법 |
| JP2019049451A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | キヤノン株式会社 | 集塵装置、基板処理システム、および物品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |