KR101689148B1 - 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법 - Google Patents

소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 공정챔버 내로 소스가스를 공급하는 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법에 관한 것이다. 상기 소스 공급 장치는, 소스물질을 수용하는 소스용기; 상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내로 캐리어가스를 공급하기 위한 가스배관; 상기 가스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 가스밸브; 상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내의 소스물질을 외부로 이송하기 위한 소스배관; 상기 소스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 소스밸브; 상기 가스배관과 상기 소스배관을 연결하는 바이패스배관; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 소스 공급 장치에 설치되는 배관 및 밸브의 퍼지가 용이하고 퍼지상태를 검출할 수 있는 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법을 제공할 수 있다.

Description

소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법{Appratus for supplying source and method for purging pipes of source supplying apparatus}
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 공정챔버 내로 소스가스를 공급하는 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자나 집적회로의 제작에는 다양한 종류의 박막(Thin film)이 증착된다. 이러한 박막 증착 방법은 크게 물리 증착법(PVD: physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용한 화학 증착법(CVD: chemical vapor deposition)이 있다.
이중 화학 증착법은 증착하고자 하는 소스가스를 공정챔버 내의 웨이퍼 표면으로 이동시켜 가스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법으로서 재료의 선택에 따라 각종의 박막 형성이 가능하며, 비교적 간단한 공정으로 대량의 작업 처리가 가능하다는 장점이 있어 폭넓게 사용되고 있다. 또한, 화학 증착법은 미세 박막층의 형성에 용이하기 때문에 반도체 소자의 절연층과 능동층, 액정 표시 소자의 투명 전극, 전기 발광표시 소자의 발광층과, 보호층 등의 여러 분야로의 응용이 가능한 장점이 있다.
공정챔버 내로 소스가스를 공급하기 위해 예를 들어, 캐니스터(canister)와 같은 소스 공급 장치가 사용되고 있다. 이러한 소스 공급 장치는 액상의 소스를 기화시켜 소스가스를 생성한 후, 그 소스가스를 공정챔버 내로 공급한다.
도 1은 종래의 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다.
소스 공급 장치(1)는 소스용기(10), 가스배관(20), 소스배관(30) 등을 포함한다.
소스용기(10)는 박막 증착 공정이 수행되는 공정챔버(70) 내로 공급하기 위한 소스물질(S)을 저장하는 용기이다.
가스배관(20)은 캐리어가스공급원(50)과 연결되어, 소스용기(10)로 캐리어가스를 공급한다. 가스배관(20)에는 유로의 유량을 제어하기 위한 가스밸브(21)가 설치된다. 캐리어가스는 소스용기(10) 내로 압력을 가해 소스물질이 공정챔버(70)로 공급되도록 함과 동시에, 배관 내부를 퍼지하는 퍼지가스로 사용된다. 캐리어가스로는 N2가 사용될 수 있다.
소스배관(30)은 공정챔버(70)와 연결되어, 소스용기(10) 내의 소스물질을 공정챔버(70)로 공급한다. 소스배관(30)에는 유로의 유량을 제어하기 위한 소스밸브(31)가 설치된다.
소스용기(10)에는 소스공급원(60)과 연결된 소스충전배관(40)이 설치될 수 있다. 소스충전배관(40)은 소스용기(10) 내에 소스를 충전하는 역할을 한다. 소스충전배관(40)에는 유로의 유량을 제어하는 소스충전밸브(41)가 설치된다.
소스용기(10)를 설치 또는 교환할 때에는 배관 내에 존재하는 이물질을 제거하기 위해 배관 내부를 퍼지하게 된다. 이러한 퍼지가스로는 불활성가스, 예를 들어 N2를 사용할 수 있다. 이 경우, 종래에는 N2를 가스배관(20) 내부에 충전하였다가 펌핑하는 과정을 수십 회 반복하여 가스배관(20) 내부의 이물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 방법은 시간이 오래 걸리고, 이물질의 제거가 원활하지 않으며, 퍼지 후 배관 및 밸브의 이물질이 충분히 제거되었는지를 확인하기 어려운 문제점이 있다. 또한, 배관의 오염 정도를 확인하지 않은 상태에서 소스 공급 장치에 소스용기(10)를 연결했을 경우 소스용기(10) 내의 소스물질을 모두 오염시키게 될 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 소스 공급 장치에 설치되는 배관 및 밸브의 퍼지가 용이하고 퍼지 상태를 검출할 수 있는 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법을 제공하고자 함에 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 소스 공급 장치는, 소스물질을 수용하는 소스용기; 상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내로 캐리어가스를 공급하기 위한 가스배관; 상기 가스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 가스밸브; 상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내의 소스물질을 외부로 이송하기 위한 소스배관; 상기 소스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 소스밸브; 상기 가스배관과 상기 소스배관을 연결하는 바이패스배관; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바이패스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 바이패스밸브; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스밸브는 상기 가스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에 설치되고, 상기 소스밸브는 상기 소스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스밸브 또는 상기 소스밸브는 삼방밸브인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 소스밸브 상단의 상기 소스배관에 설치되어 상기 소스배관 내의 이물질을 검출하기 위한 검출기; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 검출기는 상기 소스배관 내의 수분을 검출하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내로 소스물질을 충전하기 위한 소스충전배관; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스배관과 연결된 캐리어가스 공급원; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 소스밸브 상단의 상기 소스배관과 연결된 펌핑장치; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법은, 소스물질이 수용된 소스용기 내로 캐리어가스를 공급하는 가스배관과 상기 소스용기 내의 소스물질을 외부로 이송하는 소스배관을 연결하는 바이패스배관을 설치하는 단계; 상기 가스배관과 바이패스배관이 만나는 분기점 및 상기 바이패스배관과 상기 소스배관이 만나는 분기점에서 상기 소스용기측 유로를 폐쇄하는 단계; 상기 가스배관으로 퍼지가스를 공급하는 단계; 상기 소스배관과 연결된 펌핑장치에 의해 상기 퍼지가스를 상기 가스배관, 상기 바이패스배관 및 상기 소스배관을 통해 유동시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 소스배관과 연결된 검출기에 의해 상기 소스배관을 통과하는 퍼지가스 중에 포함된 이물질들을 검출하는 단계; 상기 검출결과에 따라 퍼지의 계속 여부를 결정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점 또는 상기 소스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에는 삼방밸브가 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 소스 공급 장치에 설치되는 배관 및 밸브의 퍼지가 용이하고 퍼지 상태를 검출할 수 있는 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 소스 공급 장치에서 배관 내부를 퍼지할 때의 퍼지 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다.
소스 공급 장치(100)는 소스용기(110), 가스배관(120), 가스밸브(121), 소스배관(130), 소스밸브(131), 바이패스배관(140), 검출기(150) 등을 포함한다.
소스용기(110)는 소스물질(S)을 저장하는 용기이다. 소스용기(110) 내의 소스물질(S)은 소스가스 형태로 되어 박막 증착 공정이 수행되는 공정챔버(180) 내로 공급된다. 이러한 소스물질(S)은 실리콘, 피리딘, MO(Metal Organic) 소스 등이 될 수 있다.
가스배관(120)은 소스용기(110)와 연결되어 상기 소스용기(110) 내로 캐리어가스를 공급한다. 가스배관(120)에는 캐리어가스를 저장하는 캐리어가스 공급원(160)이 연결되어, 이러한 캐리어가스 공급원(160)으로부터 캐리어가스가 제공될 수 있다. 캐리어가스는 소스용기(110) 내에 압력을 가해 소스물질이 공정챔버(180)로 공급될 수 있도록 한다. 캐리어가스는 소스용기(110) 내의 액상의 소스물질(S)을 흔들어 줌으로써 소스물질(S)이 기화되기 쉽도록 할 수 있다. 또한, 캐리어가스는 배관 및 밸브 내부를 퍼지하기 위한 퍼지가스로 사용될 수 있다. 이러한 캐리어가스로는 불활성가스, 예를 들어 N2가 사용될 수 있다.
가스밸브(121)는 소스용기(110)의 상단에 인접한 가스배관(120)에 설치되어 가스배관(120)의 유량을 제어한다. 가스밸브(121)의 개폐에 의해 소스용기(110) 내로 공급되는 캐리어가스의 양이 조절될 수 있다. 가스밸브(121)는 가스배관(120)과 바이패스배관(140)이 만나는 분기점에 설치될 수 있다.
소스배관(130)은 소스용기(110)와 연결되어, 소스용기(110) 내의 소스물질을 외부로 이송하는 역할을 한다. 소스배관(130)을 통해 이송되는 소스물질은 소스가스 형태로 공정챔버(180)에 공급되어 반도체 기판 상에 박막을 증착하기 위한 증착가스로 사용된다. 소스배관(130)을 통과하는 소스물질은 액상이거나 기상일 수 있다. 소스배관(130)을 통과하는 소스물질이 기상인 경우, 소스용기(110)에는 가열기(도시안됨)가 위치되고, 이러한 가열기에 의해 기화된 소스가스가 소스배관(130)을 통해 이송된다. 소스배관(130)을 통과하는 소스물질이 액상인 경우, 소스배관(130)에는 가열기(도시안됨)가 위치되고, 이러한 가열기에 의해 기화된 소스가스가 공정챔버(180)로 공급된다.
소스밸브(131)는 소스용기(110)의 상단에 인접한 소스배관(130)에 설치되어 소스배관(130)의 유량을 제어한다. 소스밸브(131)의 개폐에 의해 소스용기(110)로부터 공정챔버(180)로 공급되는 소스물질의 양이 조절될 수 있다. 소스밸브(131)는 소스배관(130)과 바이패스배관(140)이 만나는 분기점에 설치될 수 있다.
바이패스배관(140)은 가스배관(120)과 소스배관(130)을 서로 연결하여, 가스배관(120), 바이패스배관(140) 및 소스배관(130)을 통해 가스가 유동될 수 있도록 한다. 바이패스배관(140)에는 유량을 제어하기 위한 바이패스밸브(141)가 설치될 수 있다. 이러한 바이패스배관(140)은 배관 및 밸브를 퍼지할 때, 퍼지가스가 유동하는 통로를 제공하여 배관과 밸브 내부를 효율적으로 청소할 수 있게 한다.
소스밸브(131) 상단의 소스배관(130)에는 검출기(150)가 설치될 수 있다. 검출기(150)는 소스배관(130) 내를 통과하는 이물질을 검출한다. 이러한 이물질은 파티클(particle) 또는 수분(H2O)이 될 수 있다.
소스용기(110)에는 소스충전배관(175)이 연결될 수 있다. 소스충전배관(175)은 소스 공급원(170)과 연결되어, 소스용기(110) 내에 소스물질이 부족한 경우 소스용기(110) 내로 소스물질을 충전한다. 소스충전배관(175)에는 유량을 제어하기 위한 소스충전밸브(176)가 설치된다.
소스밸브(131) 상단의 소스배관(130)에는 펌핑장치(190)가 연결될 수 있다. 소스용기(110)를 설치 또는 교환할 때에는 배관 및 밸브 내에 존재하는 이물질을 제거하기 위해 퍼지가스로 배관 내부를 퍼지하게 된다. 이러한 퍼지가스로는 불활성가스, 예를 들어 N2를 사용할 수 있다. 상기 펌핑장치(190)는 배관 내부를 퍼지할 때, 퍼지가스를 펌핑하는 역할을 한다.
본 실시예에서는, 가스밸브(121)와 소스밸브(131) 사이에 바이패스배관(140)이 설치되어, 가스배관(120), 가스밸브(121), 바이패스배관(140), 소스밸브(131), 소스배관(130)을 연결하는 통로를 제공한다. 따라서, 이러한 통로를 통해 퍼지가스를 유동시킴으로써, 배관 및 밸브 내부에 존재하는 이물질들을 신속하고 간편하게 제거할 수 있다. 또한, 소스배관(130)에는 배관 내부에 존재하는 이물질들을 검출하는 검출기(150)가 설치되어, 검출 결과에 따라 퍼지를 계속할지 여부를 결정할 수 있어 퍼지과정이 신속하고 정확하게 이루어질 수 있게 한다.
도 3은 본 발명의 소스 공급 장치에서 배관 내부를 퍼지할 때의 퍼지 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
최근에는 반도체 기판 상에 형성되는 패턴 사이의 간격이 매우 좁아지고 있어서, 증착 과정에서 이물질에 대한 기준이 엄격해지고 있다. 공정챔버(180)로 공급되는 소스가스 중에 이물질이 포함되어 있으면, 증착되는 박막의 품질에 악영향을 미치므로 박막 증착 과정에서의 이물질 제거는 매우 중요한 문제가 되고 있다.
소스 공급 장치의 배관 및 밸브 내부에 존재하는 이물질들은 퍼지가스에 의해 제거된다. 특히, 소스 공급 장치에서 소스용기(110)(또는 캐니스터)를 신규로 설치하거나 교체할 때는 소스 공급 장치의 작동이 중단되므로, 배관 및 밸브 내부에 있던 소스가스가 냉각되어 응축된 고상의 소스물질이 배관 및 밸브에 부착된다. 따라서, 이러한 경우에는 퍼지가스에 의해 배관 내부를 퍼지한 후, 소스용기(110)를 소스 공급 장치에 연결하게 된다.
배관 내부를 퍼지할 때는,가스밸브(121) 및 소스밸브(131)를 폐쇄하고, 바이패스밸브(141)를 개방하여, 가스배관(120), 가스밸브(121), 바이패스배관(140), 소스밸브(131), 소스배관(130)으로 이어지는 통로를 형성한다. 상기 가스밸브(121) 및 소스밸브(131)는 수동 밸브일 수 있고, 상기 바이패스밸브(141)는 공압으로 작동되는 자동 밸브일 수 있다.
캐리어가스 공급원(160)으로부터 퍼지가스, 예를 들어 N2를 배관 내부로 공급하면서 소스배관(130)과 연결된 펌핑장치(190)를 작동시키면, 퍼지가스는 화살표로 도시된 바와 같이 가스배관(120), 가스밸브(121), 바이패스배관(140), 소스밸브(131), 소스배관(130)을 따라 유동하면서 그 내부를 청소하게 된다. 이와 같이, 퍼지가스를 연속적으로 유동시킴으로써, 숨어있는 공간에 부착된 이물질도 효율적으로 제거될 수 있다.
퍼지가스를 공급하면서, 소스배관(130)과 연결된 검출기(150)를 통해 소스배관(130)을 통과하는 퍼지가스 중에 이물질의 존재 여부를 확인할 수 있다. 검출기(150)에서의 검출결과에 따라 퍼지의 계속 여부를 결정하게 된다. 검출기(150)에서 더이상 이물질이 검출되지 않으면, 퍼지과정을 중단하고 소스 공급 장치에 소스용기(110)를 연결한다. 다음에, 가스밸브(121) 및 소스밸브(131)를 개방하고 바이패스밸브(141)를 폐쇄하여 소스가스에 의한 박막 증착 공정을 진행하게 된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 공급 장치를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시된 실시예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
소스 공급 장치(200)는 가스배관(120)과 소스배관(130)을 서로 연결하는 바이패스배관(140)을 포함한다. 이러한 바이패스배관(140)은 배관 및 밸브를 퍼지할 때, 퍼지가스가 유동하는 통로를 제공하여 배관과 밸브 내부를 효율적으로 퍼지할 수 있게 한다.
가스밸브(221)는 가스배관(120)과 바이패스배관(140)이 만나는 분기점에 설치된다. 가스밸브(221)는 삼방밸브로 설치될 수 있다. 이러한 삼방밸브는 소스용기(110)로 유동하는 통로 및 바이패스배관(140)으로 유동하는 통로를 선택적으로 개폐할 수 있게 한다.
또한, 소스밸브(231)는 바이패스배관(140)과 소스배관(130)이 만나는 분기점에 설치된다. 소스밸브(231)는 삼방밸브로 설치될 수 있다. 이러한 삼방밸브는 소스용기(110)로의 통로 및 바이패스배관(140)으로의 통로를 선택적으로 개폐할 수 있게 한다.
본 발명에 따르면, 가스배관(120), 가스밸브(121, 221), 바이패스배관(140), 소스밸브(131, 231), 소스배관(130)을 따라 퍼지가스를 연속적으로 유동시킬 수 있어, 소스 공급 장치의 배관 및 밸브의 이물질을 신속하고 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 검출기에 의해 배관에 이물질의 존재 여부를 모니터링하면서 퍼지를 계속할지 여부를 결정할 수 있어, 퍼지과정이 신속하고 확실하게 수행될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
100 : 소스 공급 장치 110 : 소스용기
120 : 가스배관 121 : 가스밸브
130 : 소스배관 131 : 소스밸브
140 : 바이패스배관 141 : 바이패스밸브
150 : 검출기 160 : 캐리어가스 공급원
170 : 소스 공급원 175 : 소스충전배관
176 : 소스충전밸브 180 : 공정챔버
190 : 펌핑장치 221 : 가스밸브
231 : 소스밸브

Claims (12)

  1. 소스물질을 수용하는 소스용기;
    상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내로 캐리어가스를 공급하기 위한 가스배관;
    상기 가스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 가스밸브;
    상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내의 소스물질을 외부로 이송하기 위한 소스배관;
    상기 소스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 소스밸브;
    상기 가스배관과 상기 소스배관을 연결하는 바이패스배관;을 포함하고,
    상기 가스밸브는 상기 가스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에 설치되고,
    상기 소스밸브는 상기 소스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에 설치되는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바이패스배관에 설치되어 유량을 제어하기 위한 바이패스밸브;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가스밸브 또는 상기 소스밸브는 삼방밸브인 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소스배관은, 상기 소스밸브의 일측과 상기 소스용기를 연결하는 제1구간과, 상기 소스밸브의 타측에 연결되는 제2구간을 포함하고,
    상기 소스배관의 상기 제2구간에 설치되어 상기 소스배관 내의 이물질을 검출하기 위한 검출기;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 소스배관 내의 수분을 검출하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스용기와 연결되어 상기 소스용기 내로 소스물질을 충전하기 위한 소스충전배관;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스배관과 연결된 캐리어가스 공급원;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 소스배관의 상기 제2구간에 연결된 펌핑장치를 더 포함하고,
    상기 검출기는 상기 소스밸브와 상기 펌핑장치 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치.
  10. 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법에 있어서,
    소스물질이 수용된 소스용기 내로 캐리어가스를 공급하는 가스배관과 상기 소스용기 내의 소스물질을 외부로 이송하는 소스배관을 연결하는 바이패스배관을 설치하는 단계;
    상기 가스배관과 바이패스배관이 만나는 분기점 및 상기 바이패스배관과 상기 소스배관이 만나는 분기점에서 상기 소스용기측 유로를 폐쇄하는 단계;
    상기 가스배관으로 퍼지가스를 공급하는 단계;
    상기 소스배관과 연결된 펌핑장치에 의해 상기 퍼지가스를 상기 가스배관, 상기 바이패스배관 및 상기 소스배관을 통해 유동시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 가스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점 또는 상기 소스배관과 상기 바이패스배관이 만나는 분기점에는 삼방밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 소스배관과 연결된 검출기에 의해 상기 소스배관을 통과하는 퍼지가스 중에 포함된 이물질들을 검출하는 단계;
    검출결과에 따라 퍼지의 계속 여부를 결정하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법.
  12. 삭제
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200008385A (ko) * 2018-07-16 2020-01-28 (주)지오엘리먼트 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법
WO2020037005A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Lam Research Corporation Symmetric precursor delivery

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101695204B1 (ko) * 2015-04-10 2017-01-12 주식회사 레이크머티리얼즈 반도체 제조공정용 소스물질의 계량 공급 장치
KR20200117199A (ko) * 2019-04-03 2020-10-14 캡시스템(주) 디스플레이 제조용 잉크젯 프린터에 이용되는 약액을 공급하는 약액 공급 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579148B1 (ko) 2002-07-10 2006-05-12 동경 엘렉트론 주식회사 성막 장치 및 이것을 사용하는 원료 공급 장치, 가스 농도검출 방법
KR100633891B1 (ko) 2002-02-07 2006-10-13 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 그 보수 방법
KR100666877B1 (ko) * 2005-12-30 2007-01-10 주식회사 아이피에스 박막증착장치용 직접액체분사시스템

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG63825A1 (en) * 1997-03-11 1999-03-30 Applied Materials Inc In situ monitoring of contaminants in semiconductor processing chambers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100633891B1 (ko) 2002-02-07 2006-10-13 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 그 보수 방법
KR100579148B1 (ko) 2002-07-10 2006-05-12 동경 엘렉트론 주식회사 성막 장치 및 이것을 사용하는 원료 공급 장치, 가스 농도검출 방법
KR100666877B1 (ko) * 2005-12-30 2007-01-10 주식회사 아이피에스 박막증착장치용 직접액체분사시스템

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200008385A (ko) * 2018-07-16 2020-01-28 (주)지오엘리먼트 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법
KR102196514B1 (ko) * 2018-07-16 2020-12-31 (주)지오엘리먼트 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법
WO2020037005A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Lam Research Corporation Symmetric precursor delivery

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