KR20200008385A - 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법 - Google Patents

기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐니스터(B100), 캐니스터의 인렛으로 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제1라인(L11), 캐니스터(B100)의 아웃렛으로부터 유출되는 물질이 처리 설비로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제2라인(L12), 제1라인(L11)으로부터 분기되어 제2라인(L12)으로 합류하는 분기 라인(L13)으로서, 제1라인(L11)을 통해서 이동하는 유체의 적어도 일부가 제2라인(L12)으로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 분기 라인(L13), 분기 라인(L13)에 위치되어, 분기 라인(L13)을 통해서 이동되는 유체의 양을 조절할 수 있는 컨트롤 밸브(CV100), 및 제1라인(L11)에 위치된 구성요소를 포함하며, 여기서 구성요소는 유체의 흐름을 조절하는 밸브와 유체의 흐름에 저항하는 유체 부하 중 어느 하나인 것인, 기화기 시스템이 개시된다.

Description

기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법{SYSTEM AND METHOD CAPABLE OF MAINTAINING STEADILY VAPORIZATION AND PRELIMINARY PURGE}
본 발명은 기화 시스템 및 기화 방법에 관한 것으로, 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이, 발광다이오드 등 전자재료의 제조 공정에 있어서 필수적인 박막을 입히는 화학기상장치(CVD)나 원자층 증착장치(ALD) 등과 같은 처리 설비에 사용되는 각종 원료(소스)는 가스, 액체, 또는 고체의 형태로 공급된다.
가스의 형태를 가진 원료의 경우는 압력을 조절하여 일정량을 공급할 수 있는 방법으로 사용되지만 액체나 고체의 경우에는 자체적인 압력이 매우 낮기 때문에 대부분 캐니스터라는 앰플에 담아서, 캐리어 가스(불활성 가스)를 이용한 버블링이나 가열을 통한 증기 발생을 통해서 기화를 시킨 이후에 반응 챔버로 공급하는 방법을 사용하고 있다.
캐니스터에 액체 형태의 원료를 넣은 후 일정량씩 기화시켜 사용하는 방법에 대하여 다양한 기술들이 공지되어 있고, 고체 형태의 원료를 기화시키기 위해서도 다양한 기술들이 공지되어 있다. 예를 들면, 고체 원료를 기화시키는 종래 기술의 하나로서 한국특허 공개공보 제10-2010-0137016호(2010. 12. 29)("기화기, 기화기 사용 방법, 기화 장치 사용 방법, 용기, 기화기 유닛 및 반도체 프로세스 챔버용 증기 발생 방법")나 미국특허등록공보 US6,296,025(2001. 10. 2)("Chemical Delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques")에 개시된 기술들이 있다.
통상적으로 캐니스터에는 소스가 채워진 유로가 구비되어 있고, 그러한 소스 위를 캐리어 가스가 이동하면서 소스의 기화를 촉진시킨다. 유로에 채워진 소스는 소정의 압력과 온도에서 기화되며, 캐리어 가스와 접촉됨으로써 소스의 기화가 촉진되게 된다.
한편, 처리 설비에 제공되는 기화량은 일정해야 바람직한데 여러 가지 요인에 의해 기화량을 일정하게 유지하는 것이 쉽지 않다. 예를 들면, 캐니스터에 저장된 소스의 레벨에 따라 기화량이 다를 수 있고, 공정 횟수에 따라 소스의 기화열에 의해 온도가 미세하게 떨어지므로 기화량이 달라질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화 모드에서 캐니스터로 주입되는 캐리어 가스의 양을 조절함으로써 기화량을 일정하게 유지할 수 있는 기화 시스템 및 기화 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화 모드에서 기화량을 일정하게 유지하면서 동시에 퍼지 동작을 수행할 수 있는 기화 시스템 및 기화 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면
소스를 저장할 수 있는 통형상을 가지며, 외부로부터 유체를 유입 받을 수 있는 인렛과 기화된 가스를 외부로 유출할 수 있는 아웃렛을 가진 캐니스터; 상기 캐니스터의 인렛으로 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제1라인; 상기 캐니스터의 아웃렛으로부터 유출되는 물질이 처리 설비로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제2라인; 제1라인으로부터 분기되어 제2라인으로 합류하는 분기 라인으로서, 제1라인을 통해서 이동하는 유체의 적어도 일부가 제2라인으로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 상기 분기 라인; 상기 분기 라인에 위치되어, 상기 분기 라인을 통해서 이동되는 유체의 양을 조절할 수 있는 컨트롤 밸브; 및 제1라인에 위치된 구성요소로서, 상기 분기 라인이 분기되는 분기점으로부터 상기 인렛 사이에 위치되는 상기 구성요소; 를 포함하며, 상기 구성요소는 유체의 흐름을 조절하는 밸브와 유체의 흐름에 저항하는 유체 부하 중 어느 하나인 것인, 기화기 시스템이 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면
제8항에 따른 기화기 시스템이 기화 모드를 수행함으로써 소스를 기화시키는 단계; 상기 기화 모드에서 질량 유량계가 제2라인에 흐르는 유체의 양을 측정하는 단계; 및 제어부가 상기 질량 유량계에 측정된 측정값과 설정 값에 기초하여 상기 기화시키는 단계의 수행결과 기화되는 기화량이 일정하도록 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 단계; 를 포함하며, 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 단계의 수행에 의해서, 제1라인 상에 흐르는 유체의 일부가 상기 분기 라인을 통해서 상기 합류점으로 흐르는 것인, 기화 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 기화 모드에서 캐리어 가스의 일부를 분기 라인으로 흐르게 함으로써 캐니스터로 주입되는 캐리어 가스의 양을 조절하여 기화량을 일정하게 유지할 수 있고, 동시에 기화 모드에서도 퍼지 동작을 수행할 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 4 내지 도 6는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 설정 값을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기화 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서의 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장되거나 축소된 것이다.
본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
용어의 정의
본원 명세서에서, '유로'는 가스가 이동될 수 있는 공간을 의미한다.
본원 명세서에서, '흐름을 조절'한다고 함은 흐름을 막거나, 흐름을 허용하거나, 흐르는 양을 조절하는 것을 포함하는 개념이다. 예를 들면, 유체의 흐름을 조절할 수 있는 구성요소는 유체의 흐름을 막거나, 유체의 흐름을 허용하거나, 흐르는 유체의 양을 조절하는 있는 구성요소로서, 밸브나 유체 부하가 있을 수 있다.
본원 명세서에서, '밸브'는 유체의 흐름을 조절할 수 있는 구성요소이며, 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하거나 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 구성요소를 의미하며, 예를 들면 온-오프 밸브와 컨트롤 밸브와 같은 기기들일 수 있다.
본원 명세서에서, '온-오프 밸브'는 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하는 밸브를 의미하고, '컨트롤 밸브'는 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하거나 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 밸브를 의미한다.
본원 명세서에서, '상류'와 '하류'는 유체가 흐르는 라인('유로')에서의 위치를 나타내기 위한 용어들로서, 구성요소 A가 구성요소 B보다 상류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 A에 먼저 도달하고 구성요소 A에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 B에 도달하는 것을 의미한다. 또한, 구성요소 A가 구성요소 B보다 하류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 B에 먼저 도달하고 구성요소 B에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 A에 도달하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화 모드에서 캐니스터로 주입되는 캐리어 가스의 양을 조절함으로써 기화량을 일정하게 유지한다. 구체적으로, 캐리어 가스의 일부를 분기 라인으로 흐르게 함으로써, 캐니스터로 주입되는 캐리어 가스의 양을 조절한다. 이렇게 기화 모드에서 캐리어 가스의 일부를 분기 라인으로 흐르게 함으로써 예비적인 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 기화 시스템은 소스를 기화시켜서 처리 설비로 제공하는 장치이다.
여기서, 처리 설비는 예를 들면 화학증기증착(CVD: chemical vapor deposition) 장치 또는 이온 주입장치(ion implanter)와 같은 반도체 가공장비의 공정챔버(process chamber)와 같은 장치들이 될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기화 시스템은 소스를 저장할 수 있는 통 형상을 가지며, 외부로부터 유체를 유입 받을 수 있는 인렛과 기화된 가스를 외부로 배출할 수 있는 아웃렛을 가진 캐니스터(B100), 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 라인들, 라인들에 흐르는 유체들의 흐름을 조절하기 위한 구성요소들, 질량유량제어기(MASS FLOW CONTROLLER:이하, 'MFC'), 질량 유량계(MASS FLOW METER: 이하, 'MFM'), 및 제어 모듈을 포함할 수 있다.
여기서, 소스는 고체 소스 또는 액체 소스일 수 있으며, 예를 들면 붕소(B: boron), 인(P: phosphorous), 구리(Cu: copper), 갈륨(Ga:gallium), 비소(As:arsenic), 루테늄(Ru: ruthenium), 인듐(In: indium), 안티몬(Sb: antimony), 란탄(La: lanthanum), 탄탈륨(Ta: tantalum), 이리듐(Ir: iridium), 데카보란(B10H14: decaborane), 사염화 하프늄(HfCl4: hafnium tetrachloride), 사염화 지르코늄(ZrCl4: zirconium tetrachloride), 삼염화 인듐(InCl3: indium trichloride), 금속 유기 베타-디케토네이트 착물(metal organic β-diketonate complex), 사이클로펜타디에닐 사이클로헵타트리에틸 티타늄(CpTiChT:cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), 삼염화 알루미늄(AlCl3: aluminum trichloride), 요오드화 티타늄(TixIy:titanium iodide), 사이클로옥타테트라엔 사이틀로펜타디에닐 티타늄((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디아지드 [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], 텅스텐 카르보닐(Wx(CO)y: tungsten carbonyl)(여기서, x와 y는 자연수), 비스(사이클로펜타디에닐)루테늄(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], 삼염화 루테늄(RuCl3: ruthenium trichloride), 및/또는 텅스텐 클로라이드(WxCly)(여기서, x와 y는 자연수)을 포함하는 물질일 수 있다. 상술한 소스들은 예시적인 것으로서 본원 발명은 그러한 소스들에만 한정되는 것이 아님을 당업자는 알아야 한다.
제1실시예에 따른 기화 시스템은 히터(미 도시)를 더 포함할 수 있고, 히터는 캐니스(B100)의 내부에 저장된 소스를 기화시키기 위해서 캐니스터(B100)에 열을 가할 수 있다.
인렛은 유체를 주입하기 위한 주입구를 포함한다. 주입구는 캐니스터(B100)의 상부에 형성될 수 있다.
인렛은 밸브(V105)를 더 포함할 수 있다. 밸브(V015)는 예를 들면 주입구에 결합되어 주입구로 주입되는 유체의 흐름을 막거나 허용할 수 있는 온-오프 밸브일 수 있다.
아웃렛은 물질을 배출하기 위한 배출구를 포함한다. 여기서, 배출구는 캐니스터(B100)의 상부에 형성될 수 있다.
아웃렛은 밸브(V106)를 더 포함할 수 있다. 밸브(V106)는 예를 들면 배출구에 결합되어 배출구로 배출되는 유체의 흐름을 막거나 허용할 수 있는 온-오프 밸브일 수 있다.
제1실시예에 따르면, 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 라인들은, 제1라인(L11), 제2라인(L12), 및 분기 라인(L13)을 포함할 수 있다.
제1라인(L11)은 캐니스터(B100)의 인렛으로 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공할 수 있다.
제1실시예에서, 제1라인(L11)에 질량유량제어기(MFC)와 밸브(V101)가 위치될 수 있다. 여기서, 질량유량제어기(MFC)는 밸브(V101)의 상류에 위치한다. 밸브(V101)는 분기 라인(L13)이 분기되는 분기점(P11)으로부터 인렛 사이에 위치되는 구성요소이다. 한편, 밸브(V101)는 온-오프 밸브 또는 컨트롤 밸브로 구현될 수 있다.
일 대안으로, 제1라인(L11)에 질량유량제어기(MFC)와 유체 부하가 위치될 수 있다. 여기서, 질량유량제어기(MFC)는 유체 부하의 상류에 위치한다. 유체 부하는 분기 라인(L13)이 분기되는 분기점(P11)으로부터 인렛 사이에 위치되는 구성요소이다. 유체 부하는 예를 들면 오리피스와 같이 유체의 흐름을 방해하는 구성요소일 수 있다. 유체 부하의 다른 예를 들면 유로가 제1라인보다 좁은 밸브일 수 있다.
다른 대안으로, 제1라인(L11)에 질량유량제어기(MFC), 밸브(V101), 및 유체 부하가 위치될 수 있다. 유체 부하와 밸브(V101)는 분기 라인(L13)이 분기되는 분기점(P11)으로부터 인렛 사이에 위치되는 구성요소들이다. 여기서, 질량유량제어기(MFC)는 유체 부하와 밸브(V101)의 상류에 위치하고, 유체 부하는 밸브(V101)의 상류에 위치한다.
질량유량제어기(MFC)는 분기 라인(L13)이 분기되는 분기점(P11) 이전의 제1라인(L11)에 위치되어 제1라인(L11)에 흐르는 유체의 양을 일정하게 조절할 수 있다.
제2라인(L12)은 캐니스터(B100)의 아웃렛으로부터 처리설비까지 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공할 수 있다.
제2라인(L12)에는 질량 유량계(MFM)와 밸브(V104)가 위치된다. 밸브(V104)는 온-오프 밸브 또는 컨트롤 밸브일 수 있다.
제1실시예에 따르면, 질량 유량계(MFM)는 밸브(V104)의 하류에 위치한다. 예를 들면, 질량 유량계(MFM)는 분기 라인(L13)과 제2라인(L12)이 합류하는 합류점(P12)보다 하류에 위치될 수 있으며, 제2라인(L12)에 흐르는 유체의 양을 측정할 수 있다. 합류점(P12)보다 하류의 제2라인(L12)에는 분기 라인(L13)에 흐르던 유체와 캐니스터(B100)에서 기화된 소스가 합쳐진 것이므로, 질량 유량계(MFM)에 의해 측정되는 유체는, 분기 라인(L13)에 흐르는 유체와 기화된 소스가 합쳐진 것이다.
일 대안으로, 질량 유량계(MFM)가 합류점(P12)과 아웃렛 사이에 위치될 수 있다. 다른 대안으로, 질량 유량계(MFM)는 밸브(V104)와 아웃렛 사이에 위치될 수 있다. 이러한 대안들에 따르면, 질량 유량계(MFM)는 캐니스터(B100)로부터 배출되는 가스의 양을 측정할 수 있다.
분기 라인(L13)은 제1라인으로부터 분기되어 제2라인으로 합류하는 라인으로서, 제1라인을 통해서 이동하는 유체의 적어도 일부가 제2라인으로 이동할 수 있는 경로를 제공한다.
분기 라인(L13)에는 분기 라인(L13)에 흐르는 유체를 조절할 수 있는 컨트롤 밸브(CV100)가 위치된다. 제1실시예에서 컨트롤 밸브(CV100)는 제어 모듈의 제어하에 분기 라인(L13)에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있다.
분기 라인(L13)에는 밸브(V103)가 추가적으로 위치될 수 있고, 밸브(V103)는 컨트롤 밸브(CV100)의 하류에 위치된다. 예를 들면, 밸브(V103)는 컨트롤 밸브(CV100)와 합류점(P12) 사이에 위치된다. 밸브(V103)는 온-오프 밸브 또는 컨트롤 밸브일 수 있다.
제1실시예에 따른 기화 시스템은 커플러들(C101, C102)을 추가적으로 포함할 수 있다. 커플러(C101)는 분리 및 결합 가능한 구조를 가지며, 제1라인에 위치되어 인렛과 밸브(V101)를 연결시킬 수 있다. 또한, 커플러(C102)도 분리 및 결합 가능한 구조를 가지며, 제2라인에 위치되어 아웃렛과 밸브(V104)를 연결시킬 수 있다.
제어 모듈은 설정(SET) 값과 질량 유량계(MFM)에 의해 측정된 유체의 양에 기초하여 컨트롤 밸브(CV100)를 제어할 수 있다. 컨트롤 밸브(CV100)는 제어 모듈의 제어에 의해 분기 라인(L13)에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있다.
본 실시예에서, 제어 모듈은 기화되는 소스의 양을 일정하게 유지하기 위해서 질량 유량계(MFM)의 측정값을 이용한다. 제어 모듈은 질량 유량계(MFM)의 측정값의 변화 정도에 따라서, 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절한다. 캐리어 가스는 예를 들면 N2, Ar, 및/또는 He 와 같은 유체일 수 있다.
구체적으로, 제어 모듈은 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절함으로써, 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절한다. 본 실시예에서, 제어 모듈은 질량 유량계(MFM)의 측정값의 변화 정도에 따라서 분기 라인(L13)에 위치된 컨트롤 밸브(CV)를 PID(proportional integral derivative control) 제어함으로써 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절한다.
제어 모듈은 질량 유량계(MFM)의 측정값의 변화 정도를 알기 위해서, 설정(SET) 값을 이용한다. 설정(SET) 값은 일종의 기준 값으로서, 제어 모듈은 질량 유량계(MFM)의 측정값과 설정(SET) 값의 차이에 기초하여 기화량의 변화 정도를 알 수 있다.
예를 들면, 제어 모듈은 질량 유량계(MFM)가 측정한 측정값이 설정 값 보다 커지면, 분기 라인(L13)으로 흐르는 유체(예를 들면 캐리어 가스)의 양이 증가 되도록(즉, 인렛으로 주입되는 유체(예를 들면 캐리어 가스)의 양은 감소되도록) 컨트롤 밸브(CV100)의 동작을 제어한다.
한편, 제어 모듈은 질량 유량계(MFM)가 측정한 측정값이 설정 값 보다 작아지면, 분기 라인(L13)으로 흐르는 유체(예를 들면 캐리어 가스)의 양이 감소되도록(즉, 인렛으로 주입되는 유체(예를 들면 캐리어 가스)의 양은 증가되도록) 컨트롤 밸브(CV100)의 동작을 제어한다.
본 발명에 따른 실시예들에서, 설정 값은 다음 수식
ZERO 값 < 설정 값 < SPAN 값
을 만족하도록 정해질 수 있고, ZERO 값과 SPAN 값을 결정하는 방법은 도 10을 참조하여 상세히 후술하기로 한다.
제1실시예는 기화 모드와 퍼지 모드와 같은 동작모드를 포함할 수 있으며, 이하에서는, 도 2와 도 3을 참조하여 동작모드들을 순차적으로 설명하기로 한다.
기화 모드
도 2를 참조하면, 기화 모드는 캐니스터(B100)에 저장된 소스가 기화되는 동작이 수행되는 모드이며, 소스의 기화를 위한 열이 히터(미 도시)에 의해 캐니스터(B100)에게 제공된다.
기화 모드에서, 제1라인(L11)에 위치된 밸브(V101)와 밸브(V105)는 제1라인(L11)에 캐리어 가스가 캐니스터(B100)로 흐르도록 개방되어 있고, 분기라인(L13)에 위치된 컨트롤 밸브(CV100)는 분기 라인(L13)에 캐리어 가스의 일부가 흐르도록 개방되어 있고, 밸브(V103)는 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스가 합류점(P12)으로 흐르도록 개방되어 있고, 밸브(V104)는 캐니스터(B100)에서 기화된 소스가 처리 설비 방향으로 흐르도록 개방된 상태이다.
질량유량제어기(MFC)는 제1라인(L11)으로 일정한 양의 캐리어 가스가 흐르도록 동작한다. 질량유량제어기(MFC)에 의해 제공되는 캐리어 가스의 양은 일정하게 유지되므로, 분기 라인(L13)으로 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절함으로써 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절할 수 있다.
예를 들면, 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양이 감소되면, 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스는 증가된다. 이렇게 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스가 증가되면 기화되는 소스의 양이 증가 된다. 한편, 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양이 증가되면, 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스는 감소된다. 이렇게 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스가 감소되면 기화되는 소스의 양(즉, 기화량)이 감소된다. 즉, 처리 설비에 기화량을 일정하게 제공하기 위해서, 캐니스터(B100)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절하는 것이다.
질량유량제어기(MFC)를 경유한 캐리어 가스의 일부는 인렛을 통해서 캐니스터(B100)에 제공되고, 나머지 캐리어 가스는 분기 라인(L13)으로 흐른다. 분기 라인(L13)을 흐르는 캐리어 가스는 제2라인(L12)과 분기 라인(L13)이 합류하는 합류점(P12)에서 기화된 가스(즉, 소스가 기화된 것임)와 합류하여 제2라인(L12)을 흐르게 된다. 합류점(P12)의 하류에 위치된 질량유량계(MFM)는 제2라인(L12)에 흐르는 유체의 양을 측정한다. 여기서 측정되는 유체는, 캐리어 가스(인렛으로 주입된 캐리어 가스 + 분기 라인을 통해서 흐르는 캐리어 가스)와 소스가 기화된 가스이다.
한편, 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양은 컨트롤 밸브(CV100)에 의해 조절되며, 컨트롤 밸브(CV100)의 동작은 제어 모듈에 의해 제어된다.
질량유량계(MFM)의 측정값은 제어 모듈로 제공되며, 제어 모듈은 설정(SET) 값과 질량유량계(MFM)에 의해 측정된 값을 비교하여, 컨트롤 밸브(CV100)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제어 모듈은 설정(SET) 값과 질량유량계(MFM)에 의해 측정된 값을 비교하여, 소스의 기화량이 높거나 낮다고 판단할 경우 분기라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 높이거나 낮추는 동작을 수행한다. 즉, 제어 모듈은 컨트롤 밸브(CV100)의 동작을 제어함으로써, 컨트롤 밸브(CV100)는 제어 모듈의 제어에 따라서 분기 라인(L13)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절한다.
본 실시예에 따르면, 기화 모드에서 캐리어 가스의 일부가 분기 라인(P13)으로 흐르므로, 밸브들에 잔류하는 유체를 제거할 수 있게 된다. 즉, 퍼지 모드가 수행되기 전에 기화 모드에서도 퍼지 동작이 예비적으로 수행되게 된다.
퍼지 모드
도 3을 참조하면, 퍼지 모드는 캐니스터(B100)에 연결된 라인들(L11, L12, L13)과 밸브들을 청소시키기 위한 동작이 수행되는 모드이다.
퍼지 모드에서, 캐리어 가스는 모두 분기 라인(L13)으로 흐르게 된다.
퍼지 모드에서, 밸브들(V101, V104)은 폐쇄된(Closed) 상태이고 컨트롤 밸브(CV100)와 밸브(V103)는 개방된 상태이다. 따라서, 퍼지 가스는 분기 라인을 통해서 외부로 배출된다.
도 4 내지 도 6는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 제2실시예에 따른 기화 시스템은 소스를 저장할 수 있는 통 형상을 가지며, 외부로부터 유체를 유입 받을 수 있는 인렛과 기화된 가스를 외부로 유출할 수 있는 아웃렛을 가진 캐니스터(B200), 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 라인들, 라인들에 흐르는 유체들을 조절하기 위한 구성요소들, 질량유량제어기(MFC), 질량 유량계(MFM), 및 제어 모듈을 포함할 수 있다.
제2실시예에 따른 기화 시스템도 히터(미 도시)를 더 포함할 수 있으며, 히터는 캐니스(B200)의 내부에 저장된 소스를 기화시키기 위해서 캐니스터(B200)에 열을 가할 수 있다.
제1실시예와 제2실시예를 비교하면, 제2실시예는 밸브들(V103, V104)를 포함하지 않다는 점에서만 제1실시예와 차이가 있다. 즉, 제2실시예에서, 분기 라인(L23)에 제1실시예의 밸브(V103)에 대응되는 밸브가 없고, 제2라인(L22)에 제1실시예의 밸브(V104)에 대응되는 밸브가 없다.
제1실시예와 제2실시예의 공통되는 구성요소들은 동일한 기능을 하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이제, 도 5와 도 6을 참조하여 제2실시예의 동작을 설명하기로 한다. 제2실시예도 기화 모드와 퍼지 모드와 같은 동작모드를 포함할 수 있다.
기화 모드
도 5를 참조하면, 기화 모드는 캐니스터(B200)에 저장된 소스가 기화되는 동작이 수행되는 모드이며, 소스의 기화를 위한 열이 히터(미 도시)에 의해 캐니스터(B200)에게 제공된다.
기화 모드에서, 제1라인(L21)에 위치된 밸브(V201)와 밸브(V205)는 제1라인(L21)에 캐리어 가스가 캐니스터(B200)로 흐르도록 개방되어 있고, 분기라인(L23)에 위치된 컨트롤 밸브(CV200)는 분기 라인(L23)에 캐리어 가스의 일부가 흐르도록 개방되어 있다.
질량유량제어기(MFC)는 제1라인(L21)으로 일정한 양의 캐리어 가스가 흐르도록 동작한다. 질량유량제어기(MFC)에 의해 제공되는 캐리어 가스의 양은 일정하게 유지되므로, 분기 라인(L23)으로 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절함으로써 캐니스터(B200)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절할 수 있다. 제1실시예처럼 제2실시예 역시, 처리 설비에 기화량을 일정하게 제공하기 위해서, 캐니스터(B200)에 제공되는 캐리어 가스의 양을 조절하는 것이다.
질량유량제어기(MFC)를 경유한 캐리어 가스의 일부는 인렛을 통해서 캐니스터(B200)에 제공되고, 나머지 캐리어 가스는 분기 라인(L23)으로 흐른다. 분기 라인(L23)을 흐르는 캐리어 가스는 제2라인(L22)과 분기 라인(L23)이 합류하는 합류점(P12)에서 기화된 가스와 합류하여 제2라인(L22)을 흐르게 된다. 합류점(P22)의 하류에 위치된 질량유량계(MFM)는 제2라인(L22)에 흐르는 유체의 양을 측정한다.
여기서 측정되는 유체는, 질량유량제어기(MFC)에 의해 제1라인(L21)에 흐르도록 조절된 캐리어 가스(인렛으로 주입된 캐리어 가스 + 분기 라인을 통해서 흐르는 캐리어 가스)와 기화된 소스이다.
한편, 분기 라인(L23)에 흐르는 캐리어 가스의 양은 컨트롤 밸브(CV200)에 의해 조절되며, 컨트롤 밸브(CV100)의 동작은 제어 모듈에 의해 제어된다.
질량유량계(MFM)의 측정값은 제어 모듈로 제공되며, 제어 모듈은 설정(SET) 값과 질량유량계(MFM)의 측정값을 비교하여, 컨트롤 밸브(CV200)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제어 모듈은 설정(SET) 값과 질량유량계(MFM)의 측정값을 비교하여, 소스의 기화량이 기준보다 높거나 낮다고 판단할 경우 분기라인(L23)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 높이거나 낮추는 동작을 수행한다. 즉, 제어 모듈은 컨트롤 밸브(CV200)의 동작을 제어함으로써, 컨트롤 밸브(CV200)는 제어 모듈의 제어에 따라서 분기 라인(L23)에 흐르는 캐리어 가스의 양을 조절한다.
본 실시예에 따르면, 기화 모드에서 캐리어 가스의 일부가 분기 라인(P23)으로 흐르므로, 밸브들에 잔류하는 유체를 제거할 수 있게 된다. 즉, 퍼지 모드가 수행되기 전에 기화 모드에서도 퍼지 동작이 예비적으로 수행되게 된다.
퍼지 모드
도 6을 참조하면, 퍼지 모드는 캐니스터(B200)에 연결된 라인들(L21, L22, L23)과 밸브들을 청소시키기 위한 동작이 수행되는 모드이다.
퍼지 모드에서, 캐리어 가스는 모두 분기 라인(L23)으로 흐르게 된다.
퍼지 모드에서, 밸브(V201)는 폐쇄된(Closed) 상태이고 컨트롤 밸브(CV200)는 개방된 상태이다. 퍼지 가스는 분기 라인을 통해서 외부로 배출된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 설정 값을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 설정 값을 결정하는 방법은, ZERO 값을 측정하는 단계(S101), SPAN 값을 측정하는 단계(S103), 및 설정(SET) 값을 설정하는 단계(S105)를 포함할 수 있다.
ZERO 값은 캐리어 가스를 캐니스터에 주입하지 않은 상태에서 소스를 기화시켰을 때 측정되는 값이고, SPAN 값은 캐리어 가스를 분기 라인으로 보내지 않고(즉, 컨트롤 밸브가 분기 라인에 캐리어 가스가 흐르지 못하도록 동작하는 상태) 모든 캐리어 가스를 캐니스터로 주입되는 상태에서 소스를 기화시켰을 때 측정되는 값이다. 즉, 질량유량제어기(MFC)에 의해 일정량의 캐리어 가스가 제1라인으로 제공되는데, 제공된 캐리어 가스 전부가 캐니스터로 제공될 때 측정되는 값이 SPAN 값이고, 캐리어 가스가 캐니스터로 전혀 제공하지 않은 상태에서 측정되는 값이 ZERO 값이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 기화기에 본 발명의 일 실시예에 따른 설정 값을 결정하는 방법을 적용되었다고 가정하고, 본 방법을 설명하기로 한다.
ZERO 값을 측정하는 단계(S101)는, 기화모드에서, 밸브(V101) 또는 밸브(V105)가 폐쇄된 상태에서 제2라인(L12)에 흐르는 유체(기화된 소스가 포함되어 있음)를 질량유량계(MFM)가 측정하는 단계이다.
SPAN 값을 측정하는 단계(S103)는, 기화모드에서, 밸브(V101)와 밸브(V105)가 완전히 개방되어 있고 컨트롤 밸브(CV100)는 완전히 폐쇄된 상태이고 밸브(V104)과 밸브(V106)는 완전히 개방된 상태에서, 제2라인(L12)에 흐르는 유체(기화된 소스가 포함되어 있음)를 질량유량계(MFM)가 측정하는 단계이다.
설정(SET) 값을 설정하는 단계(S105)는 다음 수식
ZERO 값 < SET 값 < SPAN 값
을 만족하도록 설정(SET) 값을 결정하는 단계이다. 상술한 바와 같이 S105 단계에서 결정된 설정(SET) 값은 제어 모듈에 저장된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기화 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 기화 방법은 본 발명의 실시예들에 따른 기화기 시스템이 기화 모드를 수행함으로써 소스를 기화시키고, 기화 모드에서 질량 유량계가 분기 라인과 제2라인의 합류점보다 하류에 흐르는 유체의 양을 측정하는 단계(S201), 제어 모듈이 질량 유량계의 측정값과 설정(SET) 값에 기초하여 기화량이 변화되었는지를 판단하고(S203), 그 판단결과에 따라서 컨트롤 밸브를 구동(즉, 제어)하는 단계(S205)를 포함할 수 있다.
S203 단계에서 제어 모듈이 기화량이 변화되었는지를 판단하는 방법은, 질량 유량계의 측정값과 설정(SET) 값의 차이가 있는지 여부를 확인함으로써 수행될 수 있다.
S205 단계는, 질량 유량계의 측정값과 설정(SET) 값의 차이의 정도에 따라서 컨트롤 밸브를 제어하는 동작을 수행한다.
상술한 기화 방법은 질량 유량계(MFM)가 분기 라인과 제2라인의 합류점보다 하류에 위치된 경우에 적용될 수 있다.
한편, 질량 유량계(MFM)가 합류점(P12)과 아웃렛 사이에 위치되는 대안적 실시예의 경우, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화 방법은 다음과 같은 방식으로 수행될 수 있다.
즉, 기화기 시스템이 기화 모드를 수행함으로써 소스를 기화시키고, 기화 모드에서 질량 유량계가 합류점(P12)과 아웃렛 사이에 흐르는 유체의 양을 측정하는 단계, 제어 모듈이 질량 유량계의 측정값과 설정(SET) 값에 기초하여 기화량이 변화되었는지를 판단하고, 그 판단결과에 따라서 컨트롤 밸브를 구동(즉, 제어)하는 단계를 포함할 수 있다.
질량 유량계(MFM)가 합류점(P12)과 아웃렛 사이에 위치되거나, 질량 유량계(MFM)가 밸브(V104)와 아웃렛 사이에 위치되는 대안적 실시예들의 경우, 본 발명에 따른 기화 방법은 다음과 같은 방식으로 수행될 수 있다.
즉, 기화기 시스템이 기화 모드를 수행함으로써 소스를 기화시키고, 기화 모드에서 질량 유량계가 합류점(P12)과 아웃렛 사이에 흐르는 유체의 양을 측정하는 단계, 제어 모듈이 질량 유량계의 측정값과 설정(SET) 값에 기초하여 기화량이 변화되었는지를 판단하고, 그 판단결과에 따라서 컨트롤 밸브를 구동(즉, 제어)하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
캐니스터:B100, B200
밸브: V101, V102, V103, V104. V105
커플러: C101, C102
라인: L11, L12, L13

Claims (14)

  1. 기화기 시스템에 있어서,
    소스를 저장할 수 있는 통형상을 가지며, 외부로부터 유체를 유입 받을 수 있는 인렛과 기화된 가스를 외부로 유출할 수 있는 아웃렛을 가진 캐니스터;
    상기 캐니스터의 인렛으로 유체가 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제1라인;
    상기 캐니스터의 아웃렛으로부터 유출되는 물질이 처리 설비로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 제2라인;
    제1라인으로부터 분기되어 제2라인으로 합류하는 분기 라인으로서, 제1라인을 통해서 이동하는 유체의 적어도 일부가 제2라인으로 이동할 수 있는 경로를 제공하는 상기 분기 라인;
    상기 분기 라인에 위치되어, 상기 분기 라인을 통해서 이동되는 유체의 양을 조절할 수 있는 컨트롤 밸브; 및
    제1라인에 위치된 구성요소로서, 상기 분기 라인이 분기되는 분기점으로부터 상기 인렛 사이에 위치되는 상기 구성요소; 를 포함하며,
    상기 구성요소는 유체의 흐름을 조절하는 밸브와 유체의 흐름에 저항하는 유체 부하 중 어느 하나인 것인, 기화기 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분기 라인에 위치된 밸브로서, 상기 컨트롤 밸브와 상기 분기 라인과 제2라인이 합류하는 합류점 사이에 위치된 상기 밸브;를 더 포함하며,
    상기 밸브는 상기 분기 라인에서 상기 합류점으로 흐르는 유체 전체를 차단 또는 허용하거나, 또는 상기 밸브는 상기 합류점으로 흐르는 유체의 일부를 차단하거나 허용할 수 있는 것인, 기화기 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 분기 라인에 위치된 밸브는 상기 분기 라인 상에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 컨트롤 밸브인 것인, 기화기 시스템.
  4. 제2항에 있어서,
    제2라인에 위치된 구성요소로서, 상기 분기 라인과 제2라인이 합류하는 합류점과 상기 아웃렛 사이에 위치된 밸브;를 더 포함하며,
    상기 밸브는 상기 제2라인에 흐르는 유체의 적어도 일부를 차단하거나 허용하는 것인, 기화기 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구성요소로서의 상기 밸브는 제1라인에 흐르는 유체의 흐름을 차단하거나 허용할 수 있는 것인, 기화기 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 구성요소로서의 상기 밸브는 제1라인에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 컨트롤 밸브인 것인, 기화기 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유체부하는 오리피스 또는 유로가 제1라인보다 좁은 밸브인 것인, 기화기 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 분기 라인이 분기되는 분기점 이전의 제1라인 상에 위치되어 제1라인에 흐르는 유체의 양을 제어할 수 있는 질량유량제어기(MFC); 및
    제2라인에 위치하되, 상기 분기 라인과 제2라인이 합류하는 합류점보다 하류에 위치되며, 상기 합류점보다 하류에 흐르는 유체의 양을 측정할 수 있는 질량 유량계(MFM);를 더 포함하며,
    상기 컨트롤 밸브는 상기 분기 라인에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 것인, 기화기 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 질량 유량계에 측정된 유체의 양과 설정 값에 기초하여 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 제어 모듈;을 더 포함하며,
    상기 컨트롤 밸브는 상기 제어 모듈의 제어에 의해 상기 분기 라인에 흐르는 유체의 양을 조절하는 것인, 기화기 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 설정 값은
    ZERO 값 < 설정 값 < SPAN 값
    을 만족하며,
    상기 기화기 시스템이 기화 모드에서 동작할 때,
    상기 ZERO 값은 캐리어 가스를 상기 캐니스터로 제공하지 않은 상태에서 제2라인에 흐르는 유체의 양을 상기 질량 유량계가 측정한 값이고,
    상기 SPAN 값은 캐리어 가스 전부가 상기 캐니스터로 제공되고 상기 분기 라인으로는 캐리어 가스가 흐르지 않는 상태에서 제2라인에 흐르는 유체의 양을 상기 질량 유량계가 측정한 값인 것인, 기화기 시스템.
  11. 기화 방법에 있어서,
    제8항에 따른 기화기 시스템이 기화 모드를 수행함으로써 소스를 기화시키는 단계;
    상기 기화 모드에서 질량 유량계가 제2라인에 흐르는 유체의 양을 측정하는 단계; 및
    제어부가 상기 질량 유량계에 측정된 측정값과 설정 값에 기초하여 상기 기화시키는 단계의 수행결과 기화되는 기화량이 일정하도록 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 단계; 를 포함하며,
    상기 컨트롤 밸브를 제어하는 단계의 수행에 의해서, 제1라인 상에 흐르는 유체의 일부가 상기 분기 라인을 통해서 상기 합류점으로 흐르는 것인, 기화 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 설정 값은
    ZERO 값 < 설정 값 < SPAN 값
    을 만족하며,
    상기 기화기 시스템이 기화 모드에서 동작할 때,
    상기 ZERO 값은 캐리어 가스를 상기 캐니스터로 주입하지 않은 상태에서 소스를 기화시켰을 때 제2라인에 흐르는 유체의 양을 질량 유량계가 측정한 값이고,
    상기 SPAN 값은 캐리어 가스를 분기 라인으로 보내지 않고 캐리어 가스 전부를 상기 캐니스터로 주입한 상태에서 소스를 기화시켰을 때 제2라인에 흐르는 유체의 양을 질량 유량계가 측정한 값인 것인, 기화 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 질량 유량계는 상기 캐니스터의 아웃렛과 분기 라인과 제2라인이 합류하는 합류점 사이에 위치하는 것인, 기화 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 질량 유량계는 분기 라인과 제2라인이 합류하는 합류점의 하류에 위치하는 것인, 기화 방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079469A (ko) * 2003-03-07 2004-09-16 삼성전자주식회사 소스 가스 공급 장치
JP2009094401A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2010056576A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-20 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
KR20130102383A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 주성엔지니어링(주) 증착 물질 공급 장치 및 이의 제어 방법
KR20150058040A (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치, 성막 장치, 가스 공급 방법 및 기억 매체
KR101689148B1 (ko) * 2010-12-01 2017-01-02 주성엔지니어링(주) 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079469A (ko) * 2003-03-07 2004-09-16 삼성전자주식회사 소스 가스 공급 장치
JP2009094401A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2010056576A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-20 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
KR101689148B1 (ko) * 2010-12-01 2017-01-02 주성엔지니어링(주) 소스 공급 장치 및 소스 공급 장치의 배관 내부를 퍼지하는 방법
KR20130102383A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 주성엔지니어링(주) 증착 물질 공급 장치 및 이의 제어 방법
KR20150058040A (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치, 성막 장치, 가스 공급 방법 및 기억 매체

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