KR101684980B1 - 배리어 적층체 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
고분자 또는 유기물을 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 상에 형성된 내플라즈마 물질을 포함하는 제2 층, 그리고 상기 제2 층 상에 형성된 무기물을 포함하는 제3 층을 포함하고, 상기 제2 층과 상기 제3 층은 밀도 및 굴절률(refractive index) 중 적어도 하나가 상이한 배리어 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Description
배리어 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 장치(organic light emitting devices, OLED)와 같은 소자는 외부로부터 유입되는 수분과 같은 액체, 산소와 같은 기체, 또는 공정 또는 저장 중에 사용되는 다양한 화학액의 침투에 의해 열화될 수 있다. 이러한 액체, 기체 및 화학액의 침투를 줄이기 위하여, 소자는 배리어 코팅되거나 소자의 일면 또는 양면에 인접하게 배리어 적층체로 밀봉될 수 있다.
상기 배리어 코팅은 일반적으로 단일 층이며, 예컨대 알루미늄, 실리콘, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기물을 포함한다. 그러나 이러한 단일 층의 배리어 코팅은 수분 또는 산소의 침투를 방지하는데 충분하지 않다. 예컨대 매우 낮은 수준의 수분 및 산소 투과율이 요구되는 유기 발광 장치의 경우, 이러한 단일 층의 배리어 코팅은 액체, 기체 또는 화학액의 침투를 충분하게 방지할 수 없다. 따라서 이러한 소자는 배리어 적층체를 구비함으로써 액체, 기체 또는 화학액의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.
일반적으로, 상기 배리어 적층체는 적어도 하나의 배리어 층과 적어도 하나의 디커플링 층(decoupling layer)을 포함하고, 상기 배리어 적층체는 소자 위에 직접 형성되거나 별도의 필름 또는 지지체 위에 형성된 후 소자 위에 적층될 수 있다.
상기 배리어 층과 상기 디커플링 층은 예컨대 진공 증착(vacuum deposition) 또는 대기 공정(atmospheric process)과 같은 다양한 방법으로 형성될 수 있고, 층을 형성하는 물질에 에너지를 공급함으로써 적절한 배리어 특성을 가지는 치밀한 층을 형성할 수 있다. 상기 에너지는 열 에너지(thermal energy)일 수 있으나, 많은 증착 공정에서 플라즈마에서 이온 생성을 높이고 증착 물질의 이온 수를 증가시키기 위하여 이온화 조사(ionization radiation)가 사용될 수도 있다. 생성된 이온들은 기판에 DC 또는 AC 바이어스를 인가하거나 플라즈마와 기판 사이에 전위 차를 걸어줌으로써 기판 측으로 가속될 수 있다.
예컨대, 저에너지 플라즈마는 산화물의 배리어 층을 형성하는데 사용될 수 있다. 그러나 상기 저에너지 플라즈마를 사용하여 형성된 층은 표면 결함(surface defects) 및 낮은 막 밀도를 가지게 되어 전술한 액체, 기체 및 화학액의 침투로부터 소자를 보호하는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 상기 디커플링 층 및 상기 배리어 층을 포함한 다층 적층체에 대하여 연구되고 있다. 그러나 이러한 다층 적층체는 공정 비용 및 공정 시간이 증가될 수 있다.
또한 상기 배리어 층 및 상기 디커플링 층을 형성하는데 사용되는 플라즈마는 소자를 손상시킬 수 있다. 특히 유기 발광 장치와 같은 소자는 플라즈마에 민감하여 플라즈마 계열의 증착 공정 또는 플라즈마를 보조로 사용하는 증착 공정에서도 손상 받을 수 있다. 플라즈마로 인한 손상은 소자의 전기적 특성 및 발광 특성에 부정적 영향을 미칠 수 있다. 예컨대 유기 발광 장치에서 플라즈마로 인한 손상의 효과는 구동 전압의 증가, 휘도의 감소 및 유기 화합물의 열화 등을 들 수 있다.
이러한 플라즈마로 인한 손상을 해결하기 위한 방법은 상기 배리어 적층체의 형성시 플라즈마 사용을 중단하는 것이지만, 이러한 방법이 항상 유용하거나 가능한 것만은 아니다. 한편, RF 스퍼터닝, 원자층 증착(atomic layer deposition) 및 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)과 같은 저에너지 증착 방법이 제안되었지만, 이러한 방법들은 속도가 느리고 고진공에 따른 높은 비용이 요구되어 비현실적이다.
따라서 최근에는 상기 배리어 적층체의 제조시 플라즈마로 인한 손상으로부터 소자를 보호하는데 초점이 맞추어져 있다. 예컨대 합성 무기 배리어 층을 포함하는 배리어 적층체가 제안되었다. 상기 합성 무기 배리어 층은 고압 조건에서 증착된 제1 산화막 및 저압 조건에서 증착된 제2 산화막을 포함하는 합성층이다. 고압 조건에서 증착된 제1 산화막은 배리어 층으로서 역할을 하지 않고 고에너지 플라즈마 증착 공정(저압 조건)에서 하부 고분자 디커플링 층이 손상되는 것을 방지하기 위한 목적으로 사용될 수 있다. 고압 조건에서 증착된 제1 산화막은 연속적으로 증착되는 제2 산화막에 표면 결함이 전달되는 것을 피할 수 있을 정도로 충분히 얇아야 하는 동시에 하부 고분자 디커플링 층을 보호할 수 있을 정도로 충분히 두꺼워야 한다. 이러한 상충되는 목적을 동시에 달성할 수 있는 두께를 정하는 것은 매우 어렵다. 또한 고압 조건에서의 증착은 느려서 효율이 낮다.
또한 플라즈마 손상을 줄이기 위한 수단으로 내플라즈마 고분자 조성물 또한 제안되었지만, 내플라즈마 특성을 가지면서 배리어 적층체에서 요구되는 특성을 동시에 만족하는 고분자 층을 설계하기 어렵다.
일 구현예는 수분 및 기체의 침투로부터 소자를 보호하기 위한 배리어 적층체를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 고분자 또는 유기물을 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 상에 형성된 내플라즈마 물질을 포함하는 제2 층, 그리고 상기 제2 층 상에 형성된 무기물을 포함하는 제3 층을 포함하고, 상기 제2 층과 상기 제3 층은 밀도 및 굴절률(refractive index) 중 적어도 하나가 상이한 배리어 적층체를 제공한다.
상기 배리어 적층체는 제4 층을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 층은 상기 제4 층 위에 위치할 수 있다.
상기 고분자 또는 유기물은 유기 고분자, 무기 고분자, 유기금속 고분자, 하이브리드 유무기 고분자, 실리케이트, 아크릴레이트 함유 고분자, 알킬아크릴레이트 함유 고분자, 메타크릴레이트 함유 고분자, 실리콘계 고분자 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제3 층의 무기물은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산질화물(metal oxynitrides), 금속 탄화물(metal carbides), 금속 산붕화물(metal oxyborides), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 층의 내플라즈마 물질은 내플라즈마 고분자, 내플라즈마 금속, 내플라즈마 금속 산화물, 내플라즈마 금속 질화물, 내플라즈마 금속 산화질화물, 내플라즈마 금속 탄화물, 내플라즈마 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 내플라즈마 고분자는 실리콘계 고분자, 탄소계 고분자, 실리콘 수지(silicone), 폴리부타디엔, 스티렌 부타디엔 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 층은 굴절률이 1.6 보다 높거나 1.5 보다 낮을 수 있고, 20nm 내지 100nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 제3 층은 굴절률이 1.6 이상일 수 있고, 20nm 내지 100nm 두께를 가질 수 있다.
상기 제4 층은 20nm 내지 60nm 두께를 가질 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 고분자 또는 유기물을 포함하는 제1 층 위에 내플라즈마 물질을 포함하는 제2 층을 형성하고, 상기 제2 층 위에 무기물을 포함하는 제3 층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제2 층과 제3 층은 밀도 및 굴절률 중 적어도 하나가 상이한 배리어 적층체의 제조 방법을 제공한다.
상기 제조 방법은 제4 층 위에 상기 제1 층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 고분자 또는 유기물은 유기 고분자, 무기 고분자, 유기금속 고분자, 하이브리드 유무기 고분자, 실리케이트, 아크릴레이트 함유 고분자, 알킬아크릴레이트 함유 고분자, 메타크릴레이트 함유 고분자, 실리콘계 고분자 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제3 층의 무기물은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 층의 내플라즈마 물질은 내플라즈마 고분자, 내플라즈마 금속, 내플라즈마 금속 산화물, 내플라즈마 금속 질화물, 내플라즈마 금속 산화질화물, 내플라즈마 금속 탄화물, 내플라즈마 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 내플라즈마 물질은 실리콘계 고분자, 탄소계 고분자, 실리콘 수지(silicone), 폴리부타디엔, 스티렌 부타디엔 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 층은 1.6 보다 높거나 1.5 보다 낮은 굴절률 및 20nm 내지 100nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 제3 층은 1.6 이상의 굴절률 및 20nm 내지 100nm 두께를 가질 수 있다.
상기 제4 층은 20nm 내지 60nm 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 층은 무기물을 포함할 수 있고, 상기 제2 층을 형성하는 것을 펄스 DC 스퍼터링하는 것을 포함할 수 있고, 상기 제3 층을 형성하는 것은 AC 스퍼터링하는 것을 포함할 수 있다.
수분 및 기체의 침투로부터 소자를 효과적으로 보호할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이고,
도 3은 또 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이다.
도 2는 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이고,
도 3은 또 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
이하 일 구현예에 따른 배리어 적층체를 설명한다.
일 구현예에 따른 배리어 적층체는 디커플링(decoupling) 층(또는 평탄화 층)과 산화물 배리어 층 사이에 내플라즈마 보호층(plasma resistant protective layer)을 포함한다. 상기 내플라즈마 보호층은 상기 산화물 배리어 층의 형성시 예컨대 높은 파워, 높은 전압 및 낮은 압력과 같은 강한 플라즈마 조건을 사용할 수 있도록 한다. 상기 강한 플라즈마 조건에 의해 높은 배리어 성능과 함께 양질의 치밀한 무기층을 얻을 수 있다. 또한 상기 내플라즈마 보호층에 의해 높은 증착 속도로 배리어 층을 형성할 수 있어서 높은 효율 및 생산성을 얻을 수 있다.
일 구현예에 따른 배리어 적층체는 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함한다. 상기 배리어 적층체의 층들은 소자 위에 직접 형성될 수도 있고 별도의 기판 또는 지지체 위에 형성된 후 소자 위에 적층될 수도 있다.
상기 제1 층은 평탄화, 디커플링 및/또는 단차 제거할 수 있는 고분자 또는 다른 유기 화합물과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 특히 상기 제1 층은 표면 거칠기를 감소시키고 패인 부분, 스크래치 및 구멍과 같은 표면 결함을 덮음으로써 후속 층들을 형성할 때 평탄한 표면을 제공할 수 있다. 이하에서 제1 층, 단차 제거 층(smoothing layer), 디커플링 층(decoupling layer) 및 평탄화 층(planarization layer)은 모두 동일한 의미로 사용된다.
상기 제1 층은 소자 위에 직접 형성될 수도 있고 별도의 지지체 위에 형성될 수도 있다. 상기 제1 층은 예컨대 진공 또는 대기 분위기에서 수행되는 어떠한 공정에 의해서도 형성될 수 있다. 진공 분위기에서 수행되는 공정으로는 예컨대 연속적 중합(in situ polymerization)을 수반한 플래시 증발(flash evaporation)이거나 플라즈마 증착과 중합 공정을 포함할 수 있다. 대기 분위기에서 수행되는 공정으로는 예컨대 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 분사를 포함할 수 있다.
상기 제1 층은 평탄화 및/또는 디커플링 역할을 할 수 있는 물질이라면 제한없이 포함할 수 있다. 상기 제1 층은 예컨대 유기 고분자(organic polymer), 무기 고분자(inorganic polymer), 유기금속 고분자(organometallic polymer), 하이브리드 유무기 고분자(hybrid organic/inorganic polymer system), 실리케이트(silicate) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 제1 층은 예컨대 아크릴레이트 함유 고분자(acrylate-containing polymer), 알킬아크릴레이트 함유 고분자(alkylacrylate-containing polymer), 메타크릴레이트 함유 고분자, 실리콘계 고분자 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 층은 표면을 실질적으로 평탄화할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 여기서 '실질적으로'는 정상적인 범위 내에서의 변형 및 오차를 고려한 대략적인 범위를 포함한다. 예컨대 상기 제1 층의 두께는 약 100nm 내지 1000nm 일 수 있다.
상기 제2 층은 무기물 또는 중합 물질을 포함하고, 후술하는 제3 층의 형성시 발생하는 플라즈마 손상으로부터 상기 제1 층 및 하부에 위치한 인캡슐된 소자를 보호하는 보호층으로서 역할을 한다.
상기 제2 층은 상기 제1 층 위에 형성되고 후술하는 제3 층의 하부에 형성되므로, 상기 제1 층과 상기 제3 층 사이에 위치한다. 상기 제2 층은 물질에 따라 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 층이 산화물과 같은 무기물을 포함하는 경우, 상기 제2 층은 예컨대 펄스 DC 스퍼터링(pulsed DC sputtering)으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 층이 중합 물질을 포함하는 경우, 상기 제2 층은 예컨대 습식 코팅으로 형성될 수 있다.
상기 펄스 DC 스퍼터링으로 형성되는 경우, 스퍼터링 조건은 증착될 물질 및 사용 기체에 따라 다양할 수 있다. 이 기술 분야에 속하는 연구자들은 적절한 스퍼터링 조건 및 기체 종류를 선택할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 층은 하부에 위치하는 제1 층 및 인캡슐된 소자를 적절히 보호할 수 있도록 적절한 두께, 막 밀도 및 굴절률(refractive index)을 가질 수 있다. 이 기술 분야에 속하는 연구자들은 두께가 막 밀도에 의존하고 막 밀도가 굴절률과 상관 관계가 있다는 사실을 여러 문헌들을 참조하여 알 수 있다 (Smith, et al., "Void formation during film growth: A molecular dynamics simulation study," J. Appl. Phys., 79 (3), pgs. 1448-1457 (1996); Fabes, et al., "Porosity and composition effects in sol-gel derived interference filters," Thin Solid Films, 254 (1995), pgs. 175-180; Jerman, et al., "Refractive index of this films of SiO2, ZrO2, and HfO2 as a function of the films' mass density," Applied Optics, vol. 44, no. 15, pgs. 3006-3012 (2005); Mergel, et al., "Density and refractive index of TiO2 films prepared by reactive evaporation," Thin Solid Films, 3171 (2000) 218-224; and Mergel, D., "Modeling TiO2 films of various densities as an effective optical medium," Thin Solid Films, 397 (2001) 216-222). 또한 막 밀도와 배리어 특성의 상관 관계는 예컨대 Yamada, et al., "The Properties of a New Transparent and Colorless Barrier Film," Society of Vacuum Coaters, 505/856-7188, 38th Annual Technical Conference Proceedings (1995) ISSN 0737-5921을 참조할 수 있다.
한편, 배리어 막의 막 밀도는 배리어 특성에 영향을 미치지만, 상기 문헌들은 하부 보호층의 밀도와 플라즈마 손상으로부터 디커플링 층 또는 인캡슐된 소자의 보호에 대한 이의 효과를 언급하지 않는다. 여기서는 상기 무기물을 포함하는 제2 층이 펄스 DC 스퍼터링에 의해 형성되는 것으로 기재되었지만, 적절한 밀도 및 굴절률을 가지는 제2 층을 형성할 수 있는 방법이면 특히 한정되지 않는다.
상기 제2 층은 후에 생성되는 제3 층에 영향을 미칠 수 있는 표면 결함을 발생시키지 않으면서 하부의 제1 층 및 소자에 가해지는 손상을 방지하거나 실질적으로 감소시키기에 충분한 밀도 및 굴절률을 가질 수 있다. 예컨대 상기 제2 층은 약 1.6 보다 높거나 1.5 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 여기서 상기 굴절률은 예컨대 금속 산화물 중의 금속 원자 개수와 같은 증착 물질에 따라 결정될 수 있다. 예컨대 알루미늄 산화물(Al2O3)와 같은 산화물을 포함하는 층은 약 1.6 내지 1.7의 굴절률을 가질 수 있는 반면, 실리콘 산화물(SiO2)과 같은 다른 산화물을 포함하는 층은 약 1.3 내지 1.5의 굴절률을 가질 수 있다.
전술한 바와 같이,굴절률과 밀도는 관련되어 있으므로 굴절률로부터 막 밀도를 계산하는 방법은 전술한 문헌들에 이미 알려져 있다.
상기 제2 층의 밀도 또는 굴절률은 또한 층의 두께와 관련된다. 예컨대 상기 제2 층의 두께는 약 20nm 내지 100nm, 구체적으로 약 20nm 내지 50nm, 보다 구체적으로 약 20nm 내지 40nm 일 수 있다. 또한 일 예로서 상기 제2 층의 두께는 약 30nm 또는 약 40nm 일 수 있다.
실질적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 배리어 적층체는 후술하는 제3 층에 실질적으로 결함이 전파되지 않도록 하기 위해 더 두꺼운 제2 층을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 층을 형성하는데 사용되는 펄스 DC 스퍼터링(또는 다른 적합한 기술)은 제3 층으로 전파될 수 있는 표면 결함을 막거나 피하는 굴절률 및 밀도를 갖는 층을 형성한다. 너무 낮은 밀도를 갖는 층은 후속으로 생성되는 층에 영향을 미치는 표면 결함을 가질 수 있고, 그 결과 낮은 밀도를 갖는 층은 그러한 표면 결함을 피하기 위한 노력으로 상당히 얇게 형성될 수 있다. 그러나 그러한 얇은 층은 후속 공정에서 발생하는 플라즈마 손상으로부터 하부 층 및 인캡슐된 소자를 충분히 보호할 수 없다. 본 구현예에 따르면, 상기 증착 기술은 상기 제2 층에 표면 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있을 정도로 두꺼운 제2 층을 형성할 수 있다. 이러한 두꺼운 제2 층은 상기 소자의 특성에 실질적인 영향을 미치지 않으면서도 상기 제1 층 및 소자의 추가적인 보호를 제공할 수 있다.
상기 제2 층을 형성하기 위한 상기 펄스 DC 스퍼터링은 상술한 특성, 예를 들어 적합한 굴절률, 밀도 및 두께와 같은 특성들을 가지는 제2 층을 형성할 수 있는 조건이면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 상기 펄스 DC 스퍼터링 조건은 일반적으로 타겟의 크기 및 타겟과 기판 사이의 간격에 따라 다양할 수 있으며, 이 기술 분야에 속하는 기술자라면 원하는 특성, 예컨대 원하는 굴절률, 밀도 및 두께를 가지는 제2 층을 형성하기에 적절한 조건을 설정할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 펄스 DC 스퍼터링의 조건은 약 2 내지 6kW, 예컨대 3.2 내지 4.9kW의 파워, 약 1 내지 5mTorr, 예컨대 약 2.5mTorr의 압력, 약 150 내지 400V, 예컨대 약 290V의 타겟 전압, 약 50 내지 80sccm, 예컨대 약 65sccm의 기체 유량(flow rate) 및 약 50 내지 80cm/min, 예컨대 약 64cm/min의 트랙 스피드(track speed)일 수 있다. 또한 상기 펄스 DC 스퍼터링 공정에서 사용되는 불활성 기체는 예컨대 헬륨, 제논, 크립톤과 같은 적절한 불활성 기체에서 선택될 수 있으며, 예컨대 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar)일 수 있다.
상기 제2 층의 물질은 하부의 제1 층 및 인캡슐된 소자를 플라즈마 손상으로부터 보호할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대 상기 제2 층의 물질은 후술하는 제3 층의 물질과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 상기 제2 층의 물질의 비제한적인 예로는 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 산화붕화물 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 이 기술 분야에 속하는 기술자라면 상기 제2 층이 원하는 광학 특성에 기초하여 산화물, 질화물, 산화질화물에 사용될 수 있는 적절한 금속을 선택할 수 있을 것이다. 예컨대 상기 금속은 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr) 또는 티타늄(Ti)일 수 있다. 또한, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화질화물과 같은 실리콘계 물질이 사용될 수도 있다. 상기 금속계 물질에 더하여, 반도체 물질 또한 상기 제2 층의 물질로 사용될 수 있다.
상기 제2 층이 예컨대 중합 물질과 같은 유기물인 경우, 상기 제2 층은 후속하는 제3 층의 형성시 플라즈마 손상으로부터 하부에 위치하는 제1 층 및 인캡슐된 소자를 보호할 수 있는 적절한 중합 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 층의 유기물은 내플라즈마 고분자(plasma-resistant polymer)일 수 있다. 이러한 내플라즈마 고분자의 예는 US 7,767,498호(Moro et al, 2010.08.03)에 개시되어 있다. 예컨대 상기 제2 층의 유기물은 실리콘계 고분자 또는 탄소계 고분자일 수 있다. 상기 실리콘계 고분자 또는 탄소계 고분자의 비제한적인 예로는 실리콘 수지, 폴리부타디엔, 스티렌 부타디엔 및 이들의 조합을 들 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제2 층은 무기 층이거나 유기 층일 수 있다.
무기 층을 사용할 때의 이점은 상기 무기 층이 기체, 액체 및 화학물질에 대한 효과적인 배리어로서 작용할 수 있으므로 상기 배리어 적층체의 배리어 성능을 높일 수 있다는 것이다. 무기 층을 사용할 때의 또 다른 이점은 무기 층이 고에너지 플라즈마에 의해 형성되므로 넓은 공정 범위 뿐만 아니라 높은 증착 속도, 높은 처리 속도 및 생산성을 가질 수 있다는 것이다. 이들 이점들로 인해, 무기 층이 치밀한 비정질 막(dense amorphous film)의 표면에서 성장될 수 있으므로, 양질의 제2 층(보호층)을 얻을 수 있다.
유기 층을 사용할 때의 이점은 습식 증착 방법을 사용할 수 있다는 것이다. 상기 습식 증착 방법은 빠르고 생산 비용을 줄일 수 있다. 또한 유기 층은 상기 제1 층에 대하여 다른 층들의 접착성을 높일 수 있다. 또한 상기 유기 층은 액상으로 습식 증착되므로, 층 표면이 매우 매끈하여 하부의 제1 층의 표면 결함을 덮을 수 있다. 또한 상기 유기 층의 유기물은 예컨대 UV 보호 특성과 같은 원하는 다른 특성들을 도입할 수 있도록 기능화될 수 있으며 상기 제2 층의 물질로 사용되는 고분자의 범위를 확대할 수 있다.
상기 배리어 적층체의 제3 층은 배리어 층으로 작용하여 소자에 기체, 액체 및 화학 물질의 침투를 방지할 수 있다. 이하에서는 '제3 층'과 '배리어 층'이 동일한 의미로 사용된다. 상기 제3 층은 상기 제2 층 위에 형성되고, 상기 제3 층은 사용되는 물질에 따라 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제3 층의 굴절률 및/또는 밀도가 상기 제2 층의 굴절률 및/또는 밀도와 상이하게 형성될 수 있는 한, 상기 제3 층의 형성 방법 및 형성 조건은 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 제3 층은 예컨대 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition), 금속유기 화학기상증착(metalorganic chemical vapor deposition), 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition), 증발법(evaporation), 승화법(sublimation), 전자사이클로트론 공명-플라즈마 화학기상증착(electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 이들의 조합과 같은 진공 공정에 의해 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 제3 층은 AC 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 상기 AC 스퍼터링은 빠른 증착, 개선된 막 특성, 공정 안정성, 공정 제어성, 적은 파티클(particles) 및 적은 아크(arcs)의 이점을 제공한다. 상기 AC 스퍼터링 증착 조건은 특별히 제한되지 않으며, 이 기술 분야에 속하는 기술자들은 타겟의 면적 및 타겟과 기판의 간격에 따라 다양하게 조건을 바꿀 수 있다. 일 예로, 상기 AC 스퍼터링의 조건은 약 3 내지 6kW, 예컨대 4kW의 파워, 약 2 내지 6mTorr, 예컨대 약 4.4mTorr의 압력, 약 80 내지 120sccm, 예컨대 약 100sccm의 아르곤 유량, 약 350 내지 550V, 예컨대 약 480V의 타겟 전압, 약 90 내지 200cm/min, 예컨대 약 141cm/min의 트랙 스피드일 수 있다. 또한 상기 AC 스퍼터링에서 사용되는 불활성 기체는 예컨대 헬륨, 제논, 크립톤과 같은 적절한 불활성 기체에서 선택될 수 있으며, 예컨대 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar)일 수 있다.
상기 제3 층의 물질은 인캡슐된 소자에 손상을 주는 기체, 액체 및 화학 물질(예를 들어, 산소 및 수증기)의 침투를 방지 또는 실질적으로 감소시킬 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대 상기 제3 층의 물질은 상기 제2 층의 물질과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 상기 제3 층의 물질의 비제한적인 예로는 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 산화붕화물 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 이 기술 분야에 속하는 기술자라면 상기 제3 층이 원하는 특성에 기초하여 산화물, 질화물, 산화질화물에 사용될 수 있는 적절한 금속을 선택할 수 있을 것이다. 예컨대 상기 금속은 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 실리콘(Si) 또는 티타늄(Ti)일 수 있다. 예컨대 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화질화물과 같은 실리콘계 물질은 상기 제2 층 및 상기 제3 층에 동시에 사용될 수 있다.
한편, 상기 제3 층은 상기 제2 층과 동일한 물질을 포함할 수 있는 반면, 상기 제3 층은 상기 제2 층과 형성 방법이 상이하므로(예컨대 펄스 DC 스퍼터링 vs AC 스퍼터링) 상기 제2 층과 다른 밀도 및/또는 굴절률 및/또는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 일 예로 상기 제2 층은 상기 제3 층보다 밀도가 높을 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 상기 제2 층이 상기 제3 층보다 밀도가 낮은 것을 배제하는 것은 아니다.
상기 제3 층의 밀도 및 굴절률은 특별히 한정되는 것은 아니고 물질에 따라 다양할 수 있다. 일 예로, 상기 제3 층은 약 1.6 이상의 굴절률을 가질 수 있고, 예컨대 1.675의 굴절률을 가질 수 있다. 전술한 바와 같이, 이 기술 분야에 속하는 기술자는 굴절률로부터 막 밀도를 계산할 수 있을 것이다. 상기 제3 층의 두께 또한 특별히 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 제3 층은 약 20nm 내지 약 100nm의 두께를 가질 수 있고, 예컨대 약 40nm 내지 약 70nm의 두께를 가질 수 있다. 일 예로, 상기 제3 층의 두께는 약 40nm일 수 있다.
일 구현예에 따른 배리어 적층체의 일 예는 도 1 및 도 2에 도시되어 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이고, 도 2는 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이고, 도 3은 또 다른 구현예에 따른 배리어 적층체를 보여주는 개략도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 배리어 적층체(100)는 고분자를 포함하는 제1 층(110), 산화물 또는 실리콘 보호층을 포함하는 제2 층(120), 그리고 산화물 배리어 층을 포함하는 제3 층(130)을 포함한다. 도 1에서 배리어 적층체(100)는 예컨대 유리와 같은 기판(150) 위에 형성되어 있고, 도 2에서 배리어 적층체(100)는 예컨대 유기 발광 소자와 같은 소자(160) 위에 직접 형성되어 있다.
도 3을 참고하면, 배리어 적층체(100)는 제1 층(110), 제2 층(120) 및 제3 층(130)에 더하여, 제1 층(110)과 기판(150) 사이 또는 제1 층(110)과 소자(160) 사이에 제4 층(140)을 더 포함할 수 있다. 여기서는 일 구현예로 제1 내지 제4 층(110, 120, 130, 140)이 순차적으로 적층된 배리어 적층체(100)를 도시하였지만, 제1 내지 제4 층(110, 120, 130, 140)은 기판(150) 또는 소자(160) 위에 어떠한 순서로 적층될 수 있으며 제1 내지 제4 층(110, 120, 130, 140)이 적층 순서를 의미하는 것은 아니다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 제4 층(140)은 제1 층(110)이 형성되기 전에, 기판(150) 또는 소자(150) 위에 형성될 수 있다.
제4 층(140)은 접착층(tie layer)으로서 역할을 하며 배리어 적층체(100)의 층들과 기판(150) 또는 소자(160) 사이의 접착성을 개선할 수 있다. 제4 층(140)의 물질은 특별히 한정되지 않고 전술한 제2 층 및 제3 층에 사용된 물질을 포함할 수 있다. 또한 제4 층(140)은 제2 층(120) 또는 제3 층(130)과 동일하거나 다른 물질을 포함할 수 있다. 제2 층(120) 또는 제3 층(130)의 물질은 전술한 바와 같다.
또한 제4 층(140)은 기판(150) 또는 소자(160) 위에 전술한 제2 및 제3 층의 형성 방법을 포함한 어떠한 방법으로도 형성될 수 있다. 일 예로, 제4 층(140)은 전술한 제3 층과 유사한 조건으로 AC 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 또한 제4 층(140)의 두께는 특별히 제한되지 않으며 배리어 적층체의 제1 층(110)과 기판(150) 사이 또는 배리어 적층체의 제1 층(110)과 소자(160) 사이에 양호한 접착성을 제공할 수 있는 두께이면 한정되지 않는다. 일 예로, 제4 층(140)은 약 20nm 내지 약 60nm, 예컨대 약 40nm 두께를 가질 수 있다.
도 3을 참고하면, 배리어 적층체(100)는 산화물 접착층을 포함하는 제4 층(140), 고분자를 포함하는 제1 층(110), 산화물 또는 실리콘 보호층을 포함하는 제2 층(120), 그리고 산화물 배리어 층을 포함하는 제3 층(130)을 포함한다. 도 3에서, 배리어 적층체(100)는 예컨대 유리와 같은 기판(150) 위에 형성되어 있으나 이에 한정되지 않고, 도 2에 도시한 바와 같이 예컨대 유기 발광 소자와 같은 소자(160) 위에 직접 교대로 형성될 수도 있다.
이하 다른 구현예에 따른 배리어 적층체의 제조 방법을 설명한다.
일 구현예에 따른 배리어 적층체의 제조 방법은 기판(150)을 준비하는 단계, 기판 상에 제1 층(110)을 형성하는 단계, 제1 층(110) 위에 제2 층(120)을 형성하는 단계, 및 제2 층(120) 위에 제3 층(130)을 형성하는 단계를 포함한다.
기판(150)은 별도의 기판 지지체이거나 유기 발광 소자와 같은 소자(160)일 수 있다.
제1 층(110)은 전술한 바와 같이 디커플링 및 평탄화 층으로서 역할을 한다. 또한 전술한 바와 같이 제1 층(110)은 소자(160) 또는 기판(150) 위에 어떠한 적절한 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 상기 방법은 예컨대 진공 공정 및 대기 공정을 포함한다. 진공 분위기에서 수행되는 공정으로는 예컨대 진공 하에서 연속적 중합(in situ polymerization)을 수반한 플래시 증발(flash evaporation)이거나 플라즈마 증착과 중합 공정을 포함할 수 있다. 대기 분위기에서 수행되는 공정으로는 예컨대 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 분사(spraying)를 포함할 수 있다.
제2 층(120)은 전술한 바와 같이 제3 층(130)의 형성시 플라즈마 손상으로부터 제1 층(110) 및 하부의 소자를 보호하고 제3 층(130)으로 표면 결함이 전파되는 것을 실질적으로 막거나 줄일 수 있는 보호층 역할을 한다. 제2 층(120)은 전술한 바와 같이 물질에 따라 형성 방법이 결정될 수 있으며, 예컨대 제2 층(120)의 물질이 산화물과 같은 무기물인 경우 제2 층은 예컨대 DC 스퍼터링에 의해 형성될 수 있고 예컨대 제2 층(120)의 물질이 고분자와 같은 유기물인 경우 제2 층은 예컨대 습식 코팅법에 의해 형성될 수 있다. 이들 방법은 상기에서 상세하게 설명되었다. 또한 제2 층이 적절한 굴절률 또는, 밀도 및 두께를 가지는 한 어떠한 증착 방법도 사용될 수 있다.
제3 층(130)은 전술한 바와 같이 하부 소자에 손상을 주는 기체, 액체 및 화학 물질의 침투를 방지하거나 감소시켜 배리어 적층체의 배리어 층으로서 역할을 한다. 제3 층(130)의 형성 방법은 물질에 따라 다양할 수 있으며, 예컨대 제3 층(130)의 굴절률 및/또는 밀도가 제2 층(120)의 굴절률 및/또는 밀도와 상이하게 형성될 수 있는 한, 제3 층(130)의 형성 방법 및 형성 조건은 제한되지 않는다. 예컨대, 제3 층(130)은 스퍼터링, 화학기상증착, 금속유기 화학기상증착, 플라즈마 화학기상증착, 증발법, 승화법, 전자사이클로트론 공명-플라즈마 화학기상증착 또는 이들의 조합에 의해 형성될 수 있다. 일 예로, 제3 층(130)은 AC 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
다른 구현예로, 상기 제조 방법은 기판(150) 또는 소자(160)와 제1 층(110) 사이에 제4 층(140)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제4 층(140)은 전술한 바와 같이 기판 또는 소자와 제1 층 사이의 접착성을 개선하는 접착층으로서 역할을 한다. 제4 층(140)은 전술한 어떠한 방법으로도 형성될 수 있으며, 예컨대 AC 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
이하 실시예의 ATR-FTIR 스펙트럼에서 각 스펙트럼은 2800-3000cm-1의 영역에서 CHx 사슬 피크로 정규화(normalized)되었다.
실시예
1
배리어 적층체는 기판/제4 층/제1 층/산화물층 구조를 포함한다. 기판은 유리이고, 제4 층은 두께 40nm의 AC로 증착된 산화물이고, 제1 층은 라우릴 아크릴레이트(lauryl acrylate), 1,12-도데칸디올 디메타아크릴레이트(1,12-dodecanediol dimethacrylate), 트리메틸프로판 트리아크릴레이트(trimethylpropane triacrylate) 및 광 개시제(Darocur TPO)의 혼합물을 포함하는 고분자 층이고, 산화물 층은 펄스 DC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층을 포함한다. 상기 펄스 DC 스퍼터링 조건은 파워 3.2kW, 압력 2.5mTorr, 아르곤 유량 65sccm, 타겟 전압 290V 및 트랙 스피드 64cm/min에서 2단계(2 passes)를 포함한다. 상기 펄스 DC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층의 두께는 40nm이다.
실시예
2
배리어 적층체는 기판/제4 층/제1 층/산화물층 구조를 포함한다. 기판은 유리이고, 제4 층은 두께 40nm의 AC 형성 산화물이고, 제1 층은 라우릴 아크릴레이트, 1,12-도데칸디올 디메타아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트 및 광 개시제(Darocur TPO)의 혼합물을 포함하는 고분자 층이고, 산화물 층은 AC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층을 포함한다. 상기 AC 스퍼터링 조건은 파워4kW, 압력 4.4mTorr, 아르곤 유량 100sccm, 타겟 전압 480V 및 트랙 스피드 141cm/min에서 2단계를 포함한다. AC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층의 두께는 40nm이다.
실시예
3
배리어 적층체는 기판/제4 층/제1 층/산화물층 구조를 포함한다. 기판은 유리이고, 제4 층은 두께 40nm의 AC 형성 산화물이고, 제1 층은 라우릴 아크릴레이트, 1,12-도데칸디올 디메타아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트 및 광 개시제(Darocur TPO)의 혼합물을 포함하는 고분자 층이고, 산화물 층은 펄스 DC 스퍼터링 알루미늄 산화물을 포함하는 제2 층과 AC 스퍼터링 알루미늄 산화물을 포함하는 제3 층을 포함한다. 상기 펄스 DC 스퍼터링 조건은 전원 3.2kW, 압력 2.5mTorr, 아르곤 유량 65sccm, 타겟 전압 290V 및 트랙 스피드 64cm/min에서 1단계(1 pass)를 포함한다. 펄스 DC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층의 두께는 20nm이다. 상기 AC 스퍼터링 조건은 전원 4kW, 압력 4.4mTorr, 아르곤 유량 100sccm, 타겟 전압 480V 및 트랙 스피드 141cm/min에서 2단계를 포함한다. AC 스퍼터링 알루미늄 산화물 층의 두께는 40nm이다.
실시예
4
펄스 DC 스퍼터링의 트랙 스피드를 64cm/min 대신 68cm/min로 바꾼 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 배리어 적층체를 형성한다.
실시예
5
펄스 DC 스퍼터링의 트랙 스피드를 64cm/min 대신 68cm/min로 바꾼 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 배리어 적층체를 형성한다.
실시예
6
펄스 DC 스퍼터링 층의 두께를 20nm 대신 30nm로 바꾼 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 배리어 적층체를 형성한다.
평가
하부 고분자 층의 손상을 방지하거나 감소시킨 다양한 산화물 층들의 효과를 확인하기 위하여, CO2의 양을 측정한다. 고분자가 플라즈마 손상되는 경우 아크릴레이트 결합이 깨지면서 CO2를 발생하므로, 플라즈마 손상이 클수록 더 많은 CO2가 발생된다. 따라서 최상부 산화물 층을 형성한 후 배리어 적층체 내의 CO2의 함량을 측정함으로써 하부 고분자 층의 손상 정도를 평가할 수 있다. 상부 산화물층이 CO2의 투과에 대해 우수한 배리어 특성을 나타내기 때문에, CO2는 검출될 수 있다. 상부 산화물층이 형성되는 경우, 플라즈마 증착에 의해 형성된 CO2는 상부 산화물 배리어층을 통과할 수 없으므로 배리어 적층체 내에 남아있게 된다.
그 결과, 실시예 2 (AC 스퍼터링 상부 산화물 층)에서 측정된 CO2 양(가장 높은 CO2 피크 세기)이 다른 실시예들에서 측정된 것보다 높게 나왔다. 실시예 3(이중 펄스 DC/AC 산화물 층)에서 생성된 CO2 피크 세기는 실시예 2 (AC 스퍼터링 산화물 층)보다 낮았으나 실시예 1 (펄스 DC 스퍼터링 산화물 층)과 비교해서는 높았다. 이는 20nm 두께의 펄스 DC 산화물 층은 AC 스퍼터링에 의한 플라즈마 손상으로부터 고분자 층을 보호하기에 충분하지 않다는 것을 제시한다. 그러나 실시예 5 및 6(각각 20nm 및 30nm의 펄스 DC 두께 및 68cm/min의 트랙 스피드)의 CO2 피크의 세기는 실시예 1의 피크과 유사하며 실시예 2와 비교해서는 낮았다. 상기 결과로부터 펄스 DC/AC 산화물 층이 AC 스퍼터링 산화물 층보다 고분자 층을 더욱 효과적으로 보호한다는 것을 확인할 수 있다.
실시예 3과 실시예 1의 비교 및 실시예 4와 실시예 1의 비교는, 실시예 1의 펄스 DC 산화물 층의 두께가 측정 값보다 실제로 두껍거나 플라즈마에 더 장시간 노출된 것에 기인된 것으로 판단된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 배리어 적층체
110: 제1 층
120: 제2 층
130: 제3 층
140: 제4 층
150: 기판
160: 소자
110: 제1 층
120: 제2 층
130: 제3 층
140: 제4 층
150: 기판
160: 소자
Claims (19)
- 고분자 또는 유기물을 포함하는 제1 층,
상기 제1 층 상에 형성된 내플라즈마 물질을 포함하는 제2 층, 그리고
상기 제2 층 상에 형성된 무기물을 포함하는 제3 층
을 포함하고,
상기 제2 층의 상기 내플라즈마 물질과 상기 제3 층의 상기 무기물은 동일하고,
상기 제2 층과 상기 제3 층은 밀도 및 굴절률(refractive index) 중 적어도 하나가 상이하며,
상기 제2 층의 굴절률은 1.6보다 높거나 1.5보다 낮고,
상기 제2 층은 펄스 DC 스퍼터링에 의해 형성되고 상기 제3 층은 AC 스퍼터링에 의해 형성되는 배리어 적층체.
- 삭제
- 제1항에서,
상기 고분자 또는 유기물은 유기 고분자, 무기 고분자, 유기금속 고분자, 하이브리드 유무기 고분자, 실리케이트, 아크릴레이트 함유 고분자, 알킬아크릴레이트 함유 고분자, 메타크릴레이트 함유 고분자, 실리콘계 고분자 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체.
- 제1항에서,
상기 제3 층의 무기물은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물(metal oxynitrides), 금속 탄화물(metal carbides), 금속 산화붕화물(metal oxyborides), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체.
- 제1항에서,
상기 제2 층의 내플라즈마 물질은 내플라즈마 금속, 내플라즈마 금속 산화물, 내플라즈마 금속 질화물, 내플라즈마 금속 산화질화물, 내플라즈마 금속 탄화물, 내플라즈마 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체.
- 삭제
- 제1항에서,
상기 제2 층은 20nm 내지 100nm의 두께를 가지는 배리어 적층체.
- 제1항에서,
상기 제3 층은 1.6 이상의 굴절률 및 20nm 내지 100nm 두께를 가지는 배리어 적층체.
- 제1항에서,
상기 배리어 적층체는 접착층인 제4 층을 더 포함하고,
상기 제1 층은 상기 제4 층 위에 위치하며,
상기 제4 층은 20nm 내지 60nm 두께를 가지는 배리어 적층체.
- 고분자 또는 유기물을 포함하는 제1 층을 형성하고,
상기 제1 층 위에 내플라즈마 물질을 포함하는 제2 층을 형성하고,
상기 제2 층 위에 무기물을 포함하는 제3 층을 형성하는 것을 포함하고,
상기 제2 층의 상기 내플라즈마 물질과 상기 제3 층의 상기 무기물은 동일하고,
상기 제2 층과 제3 층은 밀도 및 굴절률 중 적어도 하나가 상이하며,
상기 제2 층의 굴절률은 1.6보다 높거나 1.5보다 낮고,
상기 제2 층을 형성하는 것은 펄스 DC 스퍼터링하는 것을 포함하고,
상기 제3 층을 형성하는 것은 AC 스퍼터링하는 것을 포함하는
배리어 적층체의 제조 방법.
- 삭제
- 제10항에서,
상기 고분자 또는 유기물은 유기 고분자, 무기 고분자, 유기금속 고분자, 하이브리드 유무기 고분자, 실리케이트, 아크릴레이트 함유 고분자, 알킬아크릴레이트 함유 고분자, 메타크릴레이트 함유 고분자, 실리콘계 고분자 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 제10항에서,
상기 제3 층의 무기물은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물, 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 제10항에서,
상기 제2 층의 내플라즈마 물질은 내플라즈마 금속, 내플라즈마 금속 산화물, 내플라즈마 금속 질화물, 내플라즈마 금속 산화질화물, 내플라즈마 금속 탄화물, 내플라즈마 금속 산화붕화물, 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합에서 선택되는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 삭제
- 제10항에서,
상기 제2 층은 20nm 내지 100nm의 두께를 가지는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 제10항에서,
상기 제3 층은 1.6 이상의 굴절률 및 20nm 내지 100nm 두께를 가지는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 제10항에서,
상기 제1 층을 형성하는 단계 전에 제4 층을 형성하고,
상기 제4 층은 20nm 내지 60nm 두께를 가지는 배리어 적층체의 제조 방법.
- 삭제
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