KR101629988B1 - 광전 소자를 위한 하우징 - Google Patents

광전 소자를 위한 하우징 Download PDF

Info

Publication number
KR101629988B1
KR101629988B1 KR1020117009043A KR20117009043A KR101629988B1 KR 101629988 B1 KR101629988 B1 KR 101629988B1 KR 1020117009043 A KR1020117009043 A KR 1020117009043A KR 20117009043 A KR20117009043 A KR 20117009043A KR 101629988 B1 KR101629988 B1 KR 101629988B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing body
housing
segment
strips
support members
Prior art date
Application number
KR1020117009043A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110070883A (ko
Inventor
칼헤인츠 아른트
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20110070883A publication Critical patent/KR20110070883A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101629988B1 publication Critical patent/KR101629988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

광전 소자를 위한 하우징(1)이 제공된다. 하우징(1)은 하우징 몸체(2), 그리고 제1 및 제2전기 연결 스트립(11, 12)을 포함하고, 상기 연결 스트립은 부분적으로 상기 하우징 몸체(2)의 내부에 연장되며, 제1측면(4a)에서 하우징 몸체(2)로부터 도출된다. 하우징 몸체(2)의 외부에서 두 연결 스트립(11, 12)은 각지게 형성되되, 상기 연결 스트립이 상기 제1측면(4a)에 대해 가로지르는 방향으로 연장된 제1세그먼트(11c, 12c), 및 상기 제1측면(4a)을 따라 간격(D)을 두고 연장되는 제2세그먼트(11d, 12d)을 포함하도록 형성된다. 또한, 이러한 하우징(1)의 제조 방법이 제공된다.

Description

광전 소자를 위한 하우징{HOUSING FOR AN OPTOELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 광전 소자를 위한 하우징에 관한 것이다.
소위 측면 방출체라고 하는 측면 방출형 소자를 위해 특히 적합한 하우징에 제공된다. 또한, 이와 같은 하우징의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 과제는 안정성이 개선된 하우징을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 이와 같은 하우징을 제조하기 위한 간단한 방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제는 특허청구범위 제1항에 따른 하우징 및 특허청구범위 제14항에 따른 방법에 의하여 해결된다.
하우징 및 제조 방법의 유리한 형성예 및 발전예는 각각의 종속항에 제공된다.
바람직한 실시예에 따르면, 하우징은 하우징 몸체, 그리고 제1 및 제2연결 스트립으로 구성된다. 제1 및 제2연결 스트립은, 특히, 광전 반도체칩의 전기적 공급을 위해 제공되고, 광전 반도체칩은 하우징에 배치될 수 있다. 또한, 연결 스트립은 구동 시 생성된 손실열을 하우징으로부터 다른 쪽으로 안내하기에 적합하여 유리하다.
하우징 몸체는 제1측면을 포함하고, 상기 제1측면은 하우징 몸체의 전방측 및 후방측에 대하여 가로지르는 방향으로, 즉 평행하지 않게 배치된다. 연결 스트립은 부분적으로 하우징 몸체의 내부에 연장되며, 제1측면에서 하우징 몸체로부터 빠져나온다. 하우징 몸체의 외부에서 연결 스트립은 제1측면에 대하여 가로지르는 방향으로, 즉 바람직하게는 수직으로 연장되는 제1세그먼트, 및 상기 제1측면을 따라 간격을 두어 연장되는 제2세그먼트를 포함하도록 각지게 형성된다.
하우징의 유리한 형성예에서, 제1측면과, 연결 스트립의 제2세그먼트간의 간격은 0.4 mm와 0.6 mm 사이이다. 특히, 간격은 0.5 mm이다.
제1 및 제2연결 스트립은 상호간에 평행하게 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 스트립들은 하우징 몸체의 내부뿐만 아니라 외부에서도 공통의 평면으로 연장되는 것이 유리하다. 또한, 연결 스트립은 특히 1개를 초과하지 않는 곡률부를 포함한다.
본 발명은, 특히, 소자의 장시간 안정성을 위해 열에 의한 손상을 줄이기 위해서는 소자로부터의 열 소산이 양호하게 작동해야 한다는 생각에 근거한다.
이와 관련하여, 비교적 두꺼운 연결 스트립이 유리한 것으로 확인되었다. 바람직하게는, 연결 스트립은 적어도 0.2 mm 두께이다. 더욱 바람직하게는, 연결 스트립의 두께는 적어도 0.3 mm이다.
연결 스트립을 위해 적합한 물질은 금속, 금속 화합물 또는 금속을 함유한 물질이다. 바람직하게는, 연결 스트립은 구리 합금으로 이루어진다. 더욱 바람직하게는, 연결 스트립은 CuCrSiTi(K75)로 구성된다.
하우징 몸체를 위해 적합한 물질은 플라스틱이고, 특히 열가소성 물질이다. 이러한 물질은 변형되기 쉬우므로, 두꺼워진 연결 스트립에 의해 개선된 열 소산이 하우징 몸체의 장시간 안정성에 매우 유리한 영향을 미친다. 바람직하게는, 하우징 몸체를 위해 폴리프탈아미드(PPA)가 사용된다.
유리하게는, 하우징은 표면 실장 가능하고, 즉 도체판 또는 기타 연결 캐리어 상에 실장될 수 있고, 이러한 도체판 또는 연결 캐리어에 와이어 없이 전기적으로 연결될 수 있다. 이를 위해, 하우징은 연결 캐리어 상에 안착되되, 제1측면이 연결 캐리어를 향해있도록 안착된다. 마찬가지로, 두 연결 스트립도 연결 캐리어를 향해있고, 이때 특히 연결 스트립의 제2세그먼트는 연결 캐리어를 따라 연장된다. 예를 들면 땜납과 같은 접합 수단에 의해 연결 스트립의 제2세그먼트는 연결 캐리어와 기계적으로뿐만 아니라 전기적으로도 결합될 수 있다.
유리한 발전예에 따르면, 연결 스트립의 제2세그먼트는 연결 캐리어와 0°보다 큰 각도를 이룬다. 바람직하게는, 각은 1°과 2°사이이다. 각각의 제1세그먼트와 제2세그먼트 사이의 각은 90°보다 크다. 그 결과, 제2세그먼트는 연결 캐리어에 대해 약간 경사짐으로써, 제2세그먼트와 연결 캐리어 사이에 작은 간극이 발생하고, 유리하게도 접합 물질은 상기 간극에 수집되어, 연결 스트립과 연결 캐리어 간의 양호한 부착 증진을 위해 역할할 수 있다.
바람직한 형성예에서, 하우징은 지지 부재를 포함하고, 상기 지지 부재는 하우징 몸체와 함께 결합되며 제1측면의 평면으로부터 돌출한다. 지지 부재는 연결 스트립의 측에서 하우징을 지지하기 위해 고려된다. 바람직하게는, 지지 부재는 하우징 몸체와 일체형으로 형성된다.
유리한 실시예에 따르면, 지지 부재의 높이는 적어도, 제1측면에 대한 제2세그먼트의 간격에 연결 스트립의 두께를 더한 것과 상응한다. 따라서, 지지 부재는 적어도 연결 스트립만큼 제1측면의 평면으로부터 돌출한다. 특히, 하우징은 연결 스트립에서가 아니라 지지 부재에서 연결 캐리어 상에 안착한다. 이러한 점에 의해, 연결 스트립의 진행과 무관하게 연결 캐리어 상에 하우징이 평면 배치되기가 용이하다. 연결 캐리어에 대해 상대적인 하우징의 위치는 지지 부재에 의해 정해질 수 있다. 그러므로, 예를 들면 연결 캐리어에 대해 상대적인 연결 스트립의 약간 경사진 진행은 하우징의 위치에 부정적으로 작용하지 않는다.
예를 들면, 지지 부재는 신장된 형태를 가질 수 있다. 특히, 지지 부재는 하우징 몸체의 전방측으로부터 후방측으로 연장될 수 있다. 이러한 점은, 연결 캐리어 상에서 하우징의 안정적인 배치를 위해 역할한다.
바람직하게는, 지지 부재는 연결 스트립의 제2세그먼트에 대해 평행하게 연장되고, 이때 연결 스트립은 지지 부재들 사이에 배치된다. 지지 부재에 의해, 터널형 중공이 형성되고, 상기 중공에 연결 스트립이 위치한다. 연결 스트립은 하우징 몸체의 전방측에서 노출되어, 하우징의 실장 이후에 특히 솔더 필렛(solder filet)과 같은 접합 수단의 평가가 가능하다. 따라서, 품질 관리가 개선된다.
바람직한 실시예에 따르면, 두 연결 스트립은 갭에 의해 서로 분리되고, 특히 하우징 몸체의 외부에서 이러한 갭은 지지 부재의 폭보다 작다. 그러므로, 하우징의 지지 부재는 복수 개의 하우징들이 이송될 때 다른 하우징의 연결 스트립 사이에 끼일 수 없다.
유리한 형성예에서, 하우징 몸체는 후방측에서 중공을 포함한다. 이는 제조 조건에 따른 이점이다. 특히, 이러한 방식으로 사출 성형을 이용하여 하우징 몸체의 제조 시 기포(blowhole)의 형성이 감소될 수 있다.
또한, 유리하게도, 연결 스트립은 중공까지 연장된다. 따라서, 후방측으로부터 연결 스트립에 접근 가능하다. 이로 인하여, 예를 들면, 연결 캐리어 상에 하우징이 실장된 후 납땜 결합의 후처리가 가능하다.
중공은 하우징 몸체의 후측벽, 그리고 제2, 제3 및 제4측벽에 의해 한정된다. 제2측벽에서 외부를 가리키는 측면은 제2측면이라고 하는데, 상기 제2측면은 제1측면에 대해 평행하게 배치된다. 유리하게는, 제2측벽은 연결 스트립보다 돌출하고, 상기 연결 스트립을 위한 커버를 형성하여, 연결 스트립이 상측에서 보호된다. 또한, 제2측면은 흡착면으로서 역할하며, 제조상의 오류가 발생할 때 하우징이 상기 흡착면에 들러붙는다. 이때 하우징이 쓸데없이 기울어지는 경우를 방지하기 위해, 제2측면은 정사각형 형태를 가지는 것이 유리하다. 제3 및 제4측벽은 제1측벽에 대해 가로지르는 방향으로, 바람직하게는 제1측벽에 대해 수직으로 배치된다. 이러한 측벽은 닫혀있지 않고, 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀은 특히 하우징 몸체의 후방측 중공으로 이어진다. 제3 및 제4측벽의 관통홀은 유리하게도 서로 대향하여, 고정장치가 관통홀을 관통하여 문제없이 밀어넣어질 수 있다. 상기 고정장치는 예를 들면 본딩 와이어의 고정 시 하우징을 안정화할 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 하우징 몸체는 전방측에서 리세스를 포함하고, 리세스는 광전 반도체칩의 수용을 위해 제공된다. 하우징 몸체의 내부에서 진행하는 제1연결 스트립의 돌출부는 유리하게도 리세스 안으로 연장된다. 반도체칩은 상기 돌출부 상에 배치되고, 상기 돌출부와 전기적으로 결합될 수 있다. 또한, 리세스를 측면에서 한정하는 내벽은 함몰부를 포함할 수 있고, 상기 함몰부에서 제2연결 스트립의 일부가 노출된다. 이러한 부분과 반도체칩은 본딩 와이어를 이용하여 결합될 수 있다.
측면 방출 소자의 바람직한 변형예에서, 소자는 상기에 기술된 형성예들 중 하나에 따른 하우징 및 상기 하우징 몸체의 내부에 배치된 복사 방출 반도체칩을 포함하고, 이때 소자는 연결 캐리어 상에 배치되되, 연결 스트립의 제2세그먼트가 연결 캐리어를 따라 연장되고 전기 전도성 결합 수단에 의해 연결 캐리어와 결합되도록 배치된다. 소자의 주 방출 방향은 연결 캐리어에 대해 평행하다. 하우징 몸체로부터의 방출은 전방측에서 이루어지고, 즉 리세스의 측에서 이루어진다.
복사 방출 반도체칩은 복사 생성을 위해 pn접합을 가진 활성 영역을 포함한다. pn 접합은 가장 간단한 경우 상호간 직접 접해있는 p형 반도체층과 n형 반도체층을 이용하여 형성될 수 있다. 바람직하게는, p형층과 n형층 사이에 고유의 복사 생성 구조가 가령 도핑되거나 도핑되지 않은 양자 구조의 형태로 형성된다. 양자 구조는 단일 양자 우물 구조(SQW, single quantum well) 또는 다중 양자 우물 구조(MQW, multiple quantum well) 또는 양자선 또는 양자점 구조로서 형성될 수 있다.
바람직하게는, 반도체칩은 AlnGamIn1 -n- mP 또는 AlnGamIn1 -n- mN과 같은 화합물 반도체 물질을 함유하고, 이때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1이다.
상기에 기술된 하우징의 제조 방법에 대한 바람직한 변형예에 따르면, 평편한 제1 및 제2연결 스트립을 포함한 연결 프레임은 성형 장치에 삽입되고, 이때 연결 스트립의 각각의 제1 및 제2세그먼트는 장치로부터 돌출된다. 또한, 장치는 하우징 몸체를 형성하기 위한 하우징 몸체 재료로 충전되고, 연결 스트립이 적어도 부분적으로 하우징 몸체 재료에 매립된다. 연결 스트립은 하우징 몸체의 제조 이전 또는 이후에 곡률부를 구비하여, 각각의 제1세그먼트가 제2세그먼트에 대해 가로지르는 방향으로 연장된다.
연결 프레임은 프레임형 영역을 포함하고, 상기 영역의 프레임에 제1 및 제2연결 스트립이 끼워진다. 각 연결 스트립은 2개의 결합 브리지를 이용하여 프레임형 영역과 결합된다. 하우징 몸체의 제조 이후에, 결합 브리지는 프레임 영역으로부터 분리된다. 두 연결 스트립은 더 이상 결합되지 않는다. 연결 스트립은 별도의 부재로서 부분적으로 하우징 몸체에 매립된다. 연결 스트립들간의 결합 풀림은 그로 인하여 소자의 구동 시 단락이 발생하지 않는다는 점에서 중요하다.
바람직하게는, 하우징은 연속 제조 방식으로 제조되며, 이로써 하우징은 비용 효과적으로 제조된다. 이를 위해, 유리하게는 복수 개의 연결 프레임들을 포함한 연결 프레임 결합물이 사용된다. 예를 들면, 연결 프레임 결합물은 컨베이어 벨트일 수 있다.
방법의 유리한 실시예에서, 하우징 몸체는 사출 성형 방법을 이용하여 제조된다. 바람직하게는, 하우징 몸체 재료로서 플라스틱 물질이 사용된다. 더욱 바람직하게는, 하우징 몸체는 열 가소성 물질로 제조된다.
하우징이 연속 제조와 관련하여, 사출 성형 방법은 매우 유리하다. 이때, 이미 기술된 연결 프레임 결합물은 복수 개의 성형 장치를 구비한 사출 성형 기계에 삽입될 수 있다. 성형 장치는 하우징 몸체 재료로 충전되고, 개별적인 하우징 몸체들이 형성된다. 하우징 몸체의 제조 이후에, 연결 프레임 결합물이 개별화될 수 있어서, 개별적 하우징들이 제공된다.
측면 방출 소자의 제조 시, 바람직하게는, 개별 소자들로의 개별화 공정은 하우징에 반도체칩의 고정 이후에 비로소 시작된다. 특히, 연결 프레임 결합물은 하우징 몸체의 제조 이후에 컨베이어 벨트로서 유지되거나, 약 20 cm의 길이를 가진 스트립들로 절단되고, 이때 각각의 개별적 스트립은 복수 개의 연결 프레임을 포함한다.
연결 스트립은 하우징 몸체의 제조 이전 또는 이후에 곡률부를 구비할 수 있다. 특히, 곡률부는 연결 스트립의 휨에 의해 형성된다.
연결 스트립이 하우징 몸체의 제조 이후에 휘어지면, 연결 스트립은 제1세그먼트의 영역에 끼워질 수 있어서, 휘어질 때 어떠한 힘도 하우징 몸체에 유도되지 않는다. 그러므로, 하우징에서 발생하는 손상이 감소할 수 있다. 특히, 더 두꺼운 연결 스트립의 경우와 같이 힘이 클 경우에, 상기 끼워짐은 유리한 처리로서 확인되었다.
연결 스트립이 하우징 몸체의 제조 이전에 휘어지면, 차후에 하우징 몸체에 휨력이 작용하지 않아도 되고, 휨력에 의한 하우징 손상을 우려하지 않아도 된다는 점에서 유리하다. 물론, 각진 연결 스트립을 하우징 몸체 재료를 이용하여 변형하는 것은 더욱 복잡하게 될 수 있다. 왜냐하면 연결 스트립의 곡률부 영역에서는, 성형 장치를 밀폐하여 장치로부터 하우징 몸체 재료가 나오지 않게 하기가 어렵기 때문이다. 그래서, 바람직하게는, 제1세그먼트는 장치가 닫히는 평면에 대해 평행하게 연장된다. 이를 통해, 장치는 제1세그먼트의 영역에서 조밀하게 닫힐 수 있어서, 하우징 몸체의 제조 시 장치로부터 재료가 바깥으로 나오지 않는다.
다른 이점 및 유리한 형성예는 도 1 내지 8과 관련한 이하의 설명으로부터 도출된다.
도 1 내지 4는 하우징의 제조 방법에 대한 바람직한 변형예를 위한 다양한 단계를 개략적으로 도시한다.
도 5 내지 8은 하우징의 바람직한 실시예를 위한 다양한 개략도를 도시한다.
실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 효과를 가진 요소는 동일한 참조번호를 가진다.
도 1은 연결 프레임 결합물(10)의 제조를 나타낸다. 이때, 펀칭을 이용하여 평편한 판금(sheet metal)에 개구부(15)가 삽입된다(도 2 참조). 판금은, 결합된 복수 개의 연결 프레임(14)이 형성되도록 펀칭된다. 판금은 특히 구리 합금, 바람직하게는 CuCrSiTi(K75)를 함유한다.
각각의 연결 프레임은 각각 제1연결 스트립(11) 및 제2연결 스트립(12) 그리고 프레임형 영역(13)을 포함하고, 상기 프레임형 영역의 프레임에 두 연결 스트립(11, 12)이 끼워진다. 제1연결 스트립(11)은 2개의 결합 브리지(11a, 11b)를 이용하여 프레임형 영역(13)과 결합된다. 마찬가지로, 제2연결 스트립(12)은 2개의 결합 브리지(12a, 12b)를 이용하여 프레임형 영역(13)과 결합한다.
도 2는 연결 프레임 결합물의 확대된 일부(A)를 도시한다. 두 연결 스트립(11, 12)이 다른 방법 단계에 따라 곡률부를 포함하는 것을 확인할 수 있다. 곡률부는 특히 두 연결 스트립(11, 12)의 휨에 의해 생성된다. 곡률부는 두 연결 스트립(11, 12)가 각진 형태를 가지게 하고, 이때 각각의 제1세그먼트(11c, 12c)는 제2세그먼트(미도시)에 대해 가로지르는 방향으로 연장된다.
다음 단계(도 3 참조)에서, 하우징 몸체(2)가 제조된다. 특히, 복수 개의 하우징 몸체들(2)은 결합된 상태로 제조된다. 결합하고 있는 부재는 연결 프레임 결합물(10)과 이에 결합된 연결 프레임(14)이다. 각 연결 프레임(14)에서 펀칭된 개구부(15)에 각각 하우징 몸체(2)가 배치되어, 두 연결 스트립(11, 12)이 부분적으로 하우징 몸체에 매립된다.
바람직하게는, 하우징 몸체(2)는 사출 성형된다. 이를 위해, 복수 개의 성형 장치들을 구비한 사출 성형 기계가 사용된다(미도시). 성형 장치는 제1세그먼트(11c, 12c)의 영역에서 닫힌다. 도 4는 도 3에 도시된 결합물의 확대된 일부(A)이며, 상기 부분에서 제1세그먼트(11c, 12c)를 더욱 잘 볼 수 있다.
연결 스트립(11, 12)은 하우징 몸체(2)의 제조 이전에 이미 휘어지므로, 제1세그먼트(11c, 12c)가 없는 경우에, 연결 스트립(11, 12)의 휘어진 영역에서 각각의 장치가 닫힐 때 문제가 있을 수 있다. 제1세그먼트는 장치가 닫히는 평면에서 연장되며, 따라서 하우징 몸체 재료의 충전 시 장치를 충분히 밀폐할 수 있다.
하우징 몸체 재료의 경화 이후에, 결합물은 사출 성형 기계로부터 꺼낸다. 결합물은 분리선(B)을 따라 분할된다. 이때, 제1 및 제2연결 스트립(11, 12)은 결합 브리지(11a, 11b, 12a, 12b)에서 프레임형 영역(13)으로부터 분리된다. 따라서, 제1 및 제2연결 스트립(11, 12)은 더 이상 상호간 결합되지 않는다. 하우징에 배치되는 반도체칩은 두 연결 스트립(11, 12)을 이용하여 전기적으로 공급될 수 있다.
도 5는 도 1 내지 4와 관련하여 설명한 방법에 따라 제조되는 것이 바람직한 하우징(1)의 전방측을 개략적 평면도로 도시한다.
하우징(1)은 하우징 몸체(2) 및 제1연결 스트립(11)과 제2연결 스트립(12)을 포함한다. 하우징 몸체(2)의 제1측면(4a)은 하우징 몸체(2)의 전방측 및 후방측에 대해 가로지르는 방향으로 배치된다. 양 연결 스트립(11, 12)은 부분적으로 하우징 몸체(2)의 내부를 통과하여, 제1측면(4a)에서 하우징 몸체(2)로부터 빠져나온다. 하우징 몸체(2)의 외부에서 양 연결 스트립(11, 12)은 각지게 형성되되, 상기 연결 스트립이 각각 제1측면(4a)에 대해 가로지르는 방향으로 연장되고 바람직하게는 수직으로 연장되는 제1세그먼트(11c, 12c), 그리고 제1측면(4a)을 따라, 바람직하게는 제1측면(4)에 대해 평행하게 또는 2°미만의 각도로 간격(D)(도 6 참조)을 두어 연장되는 제2세그먼트(11d)(도 6 참조)를 포함하도록 형성된다.
하우징(2)은 두 연결 스트립(11, 12)의 측에서 지지 부재(3)를 포함하고, 지지 부재는 측면(4a)의 평면으로부터 돌출된다. 바람직하게는, 지지 부재(3)는 하우징 몸체(2)의 일부이다. 지지 부재는 하우징을 지지하기 위한 역할을 한다. 하우징의 중량은 두 연결 스트립(11, 12) 상에 부하를 주지 않고, 지지 부재(3) 상에 부하를 준다. 이를 보장하기 위해, 지지 부재(3)는 적어도 간격(D)에 연결 스트립(11, 12)의 두께(S)(도 6 참조)를 더한 것과 상응하는 높이(H)를 가지는 것이 유리하다. 또한, 바람직하게는, 지지 부재(3)는 두 연결 스트립(11, 12) 간의 갭(6)보다 더 좁지 않다. 이는, 하우징의 지지 부재(3)가 다른 하우징의 갭(6)에 끼이는 경우를 방지할 수 있다.
하우징 몸체(2)는 중앙의 리세스(5)를 포함하고, 상기 리세스에 광전 반도체칩이 배치될 수 있다. 반도체칩은 제1연결 스트립(11)의 돌출부(11e)(도 2 참조) 상에 배치될 수 있다. 돌출부(11c)는 리세스(5)의 바닥(8)에 위치하고, 상기 리세스 안으로 연장된다(도 5에 도시되어 있지 않음).
리세스(5)를 측면에서 한정하는 하우징 몸체(2)의 내벽(7)은 실질적으로 회전 대칭 형태를 가지며 매끄러운 표면을 포함한다. 두 연결 스트립(11, 12)의 영역에서만, 내벽(7)은 함몰부(7a, 7b)를 구비하고, 함몰부가 있어 두 연결 스트립(11, 12)으로 접근할 수 있다. 특히, 제2연결 스트립(12)에서 함몰부(7b)에 의해 노출되는 영역은 본딩 와이어의 설치를 위해 제공된다. 본딩 와이어는 제2연결 스트립(12)으로부터 반도체칩까지 달하며, 상기 반도체칩은 리세스(5)의 바닥(8)에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 반도체칩은 리세스 안으로 연장되는 제1연결 스트립(11)의 돌출부(11e) 상에 납땜된다. 반도체칩은 제1 및 제2연결 스트립(11, 12)을 이용하여 전기적으로 공급될 수 있다.
리세스(5)와 반대로 하우징 몸체(2)는, 기본 형태만 본다면 회전 대칭인 기본 형태를 가진다. 상기 기본 형태는 제1측면(4a), 제2측면(4b) 및 이에 대해 가로질러 연장되는 제3 및 제4측면(4c, 4d)으로 그 테두리가 형성됨으로써 얻어진다.
내벽(7)의 형태는 특히 원뿔대의 래터럴면과 동일하며, 상기 원뿔대는 전방측을 향하여 개방된다. 유리하게는, 하우징 몸체(2)를 위해 반사도가 높은 물질이 사용되어, 내벽(7)은 반사체를 나타낸다. 특히, 하우징 몸체(2)는 백색으로 보이는 물질, 바람직하게는 PPA를 함유한다.
제3 및 제4측면(4c, 4d)에서 결합 브리지(11a, 11b, 12a, 12b)의 나머지는 하우징 몸체(2)로부터 빠져나온다. 상기 나머지 부분은 하우징 몸체가 프레임형 영역(13)(도 4 참조)으로부터 분리될 때 잔류한다.
도 6은 선분(AA')(도 5 참조)을 따라 하우징(1)의 단면도를 도시한다. 여기서, 제1연결 스트립(11)의 진행을 양호하게 확인할 수 있다. 제1연결 스트립(11)의 일부는 하우징 몸체(2)의 내부에 연장되고, 리세스(5)로부터 제1측면(4a)까지 연장된다. 제1연결 스트립(11)의 다른 부분은 하우징 몸체(2)의 외부에 배치되고, 상호간 가로질러 연장되는 제1 및 제2세그먼트(11c, 11d)로 세분될 수 있다.
또한, 도 6으로부터, 하우징 몸체(2)가 후방측에서 중공(9)을 포함한다는 것을 알 수 있다. 중공(9)은 후측벽(16), 제2 및 제3측벽(40b, 40c), 그리고 제4측벽(미도시)에 의해 한정된다. 하우징 몸체(2)가 중공(9)을 포함하여 형성되면, 사출 성형 방법의 이용 시 기포의 생성이 방지될 수 있다.
제1연결 스트립(11) 및 제2연결 스트립(미도시)의 제2세그먼트(11d)의 말단은 중공(9) 안으로 연장된다. 따라서, 하우징(1)이 연결 캐리어 상에 실장된 후에도 여전히 하우징(1)과 연결 캐리어 간의 결합, 특히 납땜 결합이 후방측으로부터 처리될 수 있다.
제2측벽(40b)은 제1연결 스트립(11) 및 제2연결 스트립보다 돌출하고, 일종의 덮개를 형성하여, 상기 덮개에 의해 연결 스트립이 위로부터 보호된다.
도 7은 도 5 및 6에 도시된 하우징(1)의 후방측에 대한 배면도를 도시한다. 제3측벽(40c) 및 제4측벽(40d)이 속이 채워진 벽이 아니라, 관통홀(17)을 포함한다는 것을 알 수 있다. 관통홀(17)은 중공(9) 안으로 이어진다. 관통홀(17) 및 중공(9)을 관통하여 고정장치가 밀어질 수 있다. 고정장치는 반도체칩의 와이어 본딩 시 하우징(1)을 고정할 수 있다.
도 8은 도 5 내지 7에 도시된 하우징(1)의 사시도를 도시한다. 지지 부재(3)는 활주날 형상을 가지며, 제3 및 제4측면(4c, 4d)을 따라 하우징 몸체(2)의 전방측으로부터 후방측으로 연장된다.
제2측면(4b)은 정사각형 면을 포함하여, 하우징(1)의 흡착 시 기울어짐을 우려할 필요가 없어 유리하다.
바람직한 실시예에 따르면, 하우징(1)은 이하의 치수를 가진다: 폭(B)은 4.6 mm, 높이(L)는 4.6 mm(도 7 참조), 또한 깊이(T)는 3.8 mm(도 8 참조). 지지 부재의 높이(H)는 0.85 mm일 수 있다.
바람직하게는, 연결 스트립은 0.34 mm의 두께로 사용된다. 이와 같은 연결 스트립은 하우징(1)으로부터의 열배출을 양호하게 한다. 손실열의 대부분은 반도체칩의 영역에서 생성되며, 즉 본원의 경우에 제1연결 스트립(11)의 영역에서 생성된다. 그러므로, 제1연결 스트립(11)은 제2연결 스트립(12)보다 더 넓게 형성되는 것이 유리하다.
측면 방출 소자에서, 리세스(5)에는 측면 방출 반도체칩이 배치된다(미도시). 하우징(1)은 두 연결 스트립(11, 12)의 측면에서 연결 캐리어 상에 실장된다. 바람직하게는, 제2세그먼트(11d, 12d)는 연결 캐리어를 따라 연장되며, 상기 연결 캐리어와 전기적으로 결합된다. 구동 시, 반도체칩은 복사를 주 방출 방향으로 방출하고, 상기 주 방출 방향은 바람직하게는 평편한 연결 캐리어에 대해 평행하다.
본 발명은 실시예에 의거한 설명에 의하여 이러한 실시예에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하며, 이러한 점은 특히, 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허청구범위 또는 실시예에 제공되지 않더라도, 특허청구범위에서의 특징들의 각 조합을 포괄한다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2008 048259.5의 우선권을 청구하며, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.

Claims (15)

  1. 광전 소자용 하우징(1)에 있어서,
    제1측면(4a)을 가진 하우징 몸체(2) - 상기 제1측면은 상기 하우징 몸체(2)의 전방측 및 후방측에 대해 가로지르는 방향으로 배치되어 있음 - 와,
    광전 반도체칩의 전기적 공급을 위해 제공되는 전기적인 제1 및 제2연결 스트립(11, 12) - 상기 연결 스트립들은 부분적으로 상기 하우징 몸체(2)의 내부에 연장되되, 상기 제1측면(4a)에서 상기 하우징 몸체(2)로부터 빠져나오며, 상기 하우징 몸체(2)의 외부에서, 상기 연결 스트립들은 상기 제1측면(4a)에 대해 가로지르는 방향으로 연장되는 제1세그먼트(11c, 12c) 및 상기 제1측면(4a)을 따라 0보다 큰 간격(D)을 두어 연장되는 제2세그먼트(11d, 12d)를 포함하도록 각지게 형성되어 있음 - 과,
    지지 부재들(3)
    을 포함하고, 상기 지지 부재들은 상기 하우징 몸체(2)와 결합되며, 상기 제1측면(4a)의 평면으로부터 돌출되고,
    상기 지지 부재들(3)은 세장형이고, 상기 하우징 몸체(2)의 전방측으로부터 완전히 후방측으로 연장되고,
    상기 지지 부재들(3)은 터널형 중공을 형성하며, 상기 중공 내에 상기 연결 스트립(11, 12)이 위치하고,
    상기 터널형 중공은 상기 하우징 몸체(2)의 전방측으로부터 후방측으로 관통하여 연장되고,
    상기 지지 부재(3)는 제1측면에 대해 가로지르는 제3 및 제4측면(4c, 4d)을 따라 연장되고,
    상기 지지 부재(3)는 활주날 형상을 가지며, 제3 및 제4측면(4c, 4d)을 포함하는 평면에서 상기 하우징 몸체(2)의 실장면까지 연장되고,
    상기 지지 부재(3)는 상기 실장면에 인접한 섹션에서 실장면을 향해 연속적으로 좁아지므로, 상기 섹션에서 지지 부재들(3) 사이의 간격은 실장면을 향해 커지는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 연결 스트립(11, 12)의 제1측면(4a)과 제2세그먼트(11d, 12d) 간의 간격(D)는 0.4 mm와 0.6 mm 사이인 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1세그먼트(11c, 12c) 및 상기 제2세그먼트(11d, 12d)는 90°보다 큰 각을 이루는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 연결 스트립(11, 12)은 적어도 0.2 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 지지 부재들(3)은 적어도, 상기 제1측면(4a)에 대한 제2세그먼트(11d, 12d)의 간격(D)에 상기 연결 스트립(11, 12)의 두께(S)를 더한 것과 상응하는 높이(H)를 가지는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 부재들(3)은 상기 연결 스트립의 측에서 상기 하우징을 지지하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  7. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(2)는 상기 제1측면(4a)에 대해 평행하게 배치된 제2측면(4b)을 포함하고, 상기 제2측면은 정사각형 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  8. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    양 연결 스트립(11, 12)은 갭(6)에 의해 서로 분리되고, 상기 갭은 상기 지지 부재들(3)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  9. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(2)는 전방측에서 리세스(5)를 포함하고, 상기 리세스는 광전 반도체칩을 수용하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  10. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(2)의 내부에 연장되는 제1연결 스트립(11)의 돌출부(11e)가 상기 리세스(5) 안으로 연장되는 것을 특징으로 하는 하우징(1).
  11. 청구항 1에 따른 하우징(1) 및 하우징 몸체(2)의 내부에 배치된 복사 방출 반도체칩을 포함한 측면 방출 소자에 있어서,
    상기 소자는 연결 캐리어 상에, 연결 스트립(11, 12)의 제2세그먼트(11d, 12d)가 상기 연결 캐리어를 따라 연장되고 전기 전도성 결합 수단에 의해 상기 연결 캐리어와 결합되도록, 배치되는 것을 특징으로 하는 측면 방출 소자.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 청구항 1에 따른 하우징(1)의 제조 방법에 있어서,
    평편한 제1 및 제2연결 스트립(11, 12)을 포함한 연결 프레임(14)을 성형 장치에 삽입하되, 상기 연결 스트립(11, 12)의 제1 및 제2세그먼트(11c, 11d, 12c, 12d)를 각각 상기 장치로부터 돌출시키는 단계와,
    상기 연결 스트립(11, 12)이 적어도 부분적으로 하우징 몸체 재료에 매립되도록 하우징 몸체(2)를 형성하기 위해, 하우징 몸체 재료를 상기 장치에 충전하는 단계로서, 상기 연결 스트립(11, 12)은 각각의 제1세그먼트(11c, 12c)가 상기 제2세그먼트(11d, 12d)에 대해 가로지르는 방향으로 연장되도록 상기 하우징 몸체(2)의 제조 이전 또는 이후에 곡률부를 포함하는 것인, 하우징 몸체 재료를 상기 장치에 충전하는 단계와,
    지지 부재들(3)을 제공하는 단계
    를 포함하고,
    상기 지지 부재들은 상기 하우징 몸체(2)와 결합되되, 상기 제1측면(4a)의 평면으로부터 돌출되며, 상기 지지 부재들(3)은 세장형이되 상기 하우징 몸체(2)의 전방측으로부터 후방측으로 연장되고, 상기 지지 부재들(3)은 터널형 중공을 형성하며, 상기 중공 내에 상기 전기적인 제1 및 제2연결 스트립(11, 12)이 위치하는 것을 특징으로 하는 하우징의 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 하우징 몸체(2)는 사출 성형 방법을 이용해 열 가소성 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 하우징의 제조 방법.
KR1020117009043A 2008-09-22 2009-08-31 광전 소자를 위한 하우징 KR101629988B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008048259.5 2008-09-22
DE102008048259A DE102008048259A1 (de) 2008-09-22 2008-09-22 Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110070883A KR20110070883A (ko) 2011-06-24
KR101629988B1 true KR101629988B1 (ko) 2016-06-13

Family

ID=41507997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117009043A KR101629988B1 (ko) 2008-09-22 2009-08-31 광전 소자를 위한 하우징

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8558271B2 (ko)
EP (1) EP2329538B1 (ko)
JP (1) JP2012503316A (ko)
KR (1) KR101629988B1 (ko)
CN (1) CN102160200B (ko)
DE (1) DE102008048259A1 (ko)
TW (1) TW201017036A (ko)
WO (1) WO2010031373A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141470B1 (ko) * 2010-07-08 2012-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102015109755A1 (de) 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
US11545481B2 (en) * 2019-04-02 2023-01-03 Vanguard International Semiconductor Corporation Electrostatic discharge protection devices
CN111136862B (zh) * 2020-01-06 2021-08-27 上海可运机械有限公司 一种橡胶注塑零件嵌入装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002049334A (ja) * 1999-11-01 2002-02-15 Rohm Co Ltd 発光表示装置およびその製造方法
JP2006093359A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Koha Co Ltd 発光装置
US20070235845A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Cotco Holdings Limited, A Hong Kong Corporation Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2007281130A (ja) 2006-04-05 2007-10-25 Luminous:Kk 青色発光ダイオードおよび青色発光ダイオードの製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4642419A (en) * 1981-04-06 1987-02-10 International Rectifier Corporation Four-leaded dual in-line package module for semiconductor devices
JPS6055676A (ja) * 1983-09-07 1985-03-30 Nec Corp 半導体装置
EP0200462A3 (en) * 1985-04-22 1987-10-07 Savage, John M., jr. Circuit component mount
JPH0783082B2 (ja) * 1989-05-18 1995-09-06 株式会社東芝 半導体装置
EP0400175B1 (de) * 1989-05-31 1994-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US5116229A (en) 1990-12-17 1992-05-26 Savage John Jun Light unit terminals maintained in bent condition
GB9223306D0 (en) * 1992-11-06 1992-12-23 Bt & D Technologies Ltd Optoelectronic devices
JPH06163991A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Rohm Co Ltd 側面発光用ｌｅｄ
JP3331720B2 (ja) * 1994-01-14 2002-10-07 松下電器産業株式会社 発光ダイオード
JP2001518692A (ja) * 1997-07-29 2001-10-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 光電素子
JP2891692B1 (ja) * 1997-08-25 1999-05-17 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH11317326A (ja) * 1998-03-06 1999-11-16 Rohm Co Ltd 電子部品
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE19931122A1 (de) * 1999-07-06 2001-01-25 Tyco Electronics Logistics Ag Vorrichtung für den Anschluß von Lichtwellenleitern an eine elektrische Schaltung
JP4198284B2 (ja) * 1999-10-07 2008-12-17 ローム株式会社 面実装用光半導体装置
US7057273B2 (en) * 2001-05-15 2006-06-06 Gem Services, Inc. Surface mount package
JP2002368285A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Omron Corp 発光器、発光モジュール及びその製造方法
JP4703903B2 (ja) * 2001-07-17 2011-06-15 ローム株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
DE10214208B9 (de) * 2002-03-28 2006-12-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gußform für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement
US7429757B2 (en) * 2002-06-19 2008-09-30 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness
DE10243247A1 (de) * 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
WO2004084317A2 (en) * 2003-03-20 2004-09-30 Firecomms Limited An optical sub-assembly for a transceiver
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
EP1720794A2 (en) * 2004-03-01 2006-11-15 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
JP2007048775A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Koito Mfg Co Ltd 発光ダイオードおよび車両用灯具
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102006059994A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US7993038B2 (en) * 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
JP4795293B2 (ja) * 2007-03-30 2011-10-19 ローム株式会社 半導体発光装置
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
US8120055B2 (en) * 2009-04-20 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002049334A (ja) * 1999-11-01 2002-02-15 Rohm Co Ltd 発光表示装置およびその製造方法
JP2006093359A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Koha Co Ltd 発光装置
US20070235845A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Cotco Holdings Limited, A Hong Kong Corporation Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2007281130A (ja) 2006-04-05 2007-10-25 Luminous:Kk 青色発光ダイオードおよび青色発光ダイオードの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010031373A1 (de) 2010-03-25
US8558271B2 (en) 2013-10-15
CN102160200B (zh) 2014-05-28
US20110303944A1 (en) 2011-12-15
KR20110070883A (ko) 2011-06-24
JP2012503316A (ja) 2012-02-02
TW201017036A (en) 2010-05-01
DE102008048259A1 (de) 2010-04-08
EP2329538A1 (de) 2011-06-08
CN102160200A (zh) 2011-08-17
EP2329538B1 (de) 2019-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI481070B (zh) 薄型發光二極體封裝
KR101693642B1 (ko) 발광소자 패키지 제조방법
JP5325197B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20170162769A1 (en) Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
CN104112982B (zh) 光源装置
US11038086B2 (en) Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor
US8587118B2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
CN106571418B (zh) 半导体发光装置
US8987775B2 (en) Light emitting device package
KR101629988B1 (ko) 광전 소자를 위한 하우징
KR101851818B1 (ko) 발광 장치와 회로 기판의 제조 방법
JP4765408B2 (ja) 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材
TW201409763A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101946313B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛
US9461438B2 (en) Housing for laser diodes and method for producing a housing
CN110383513B (zh) 发光二极管封装件及包括该发光二极管封装件的发光模块
TWI531096B (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5359135B2 (ja) 発光装置
JP5180124B2 (ja) マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置
KR101863549B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101877236B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP7305909B2 (ja) 半導体発光装置
KR101824589B1 (ko) 반도체 발광소자 구조물
KR101863546B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2024018311A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 4