JP5325197B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2、200、400:サブマウント
10:サファイア基板
11、302:n型層
12、303:発光層
13、304:p型層
14、309:nパッド電極
15、305:ITO電極
16、306:pパッド電極
17、18、20、201a〜d、307、401:貫通孔
19、308:絶縁膜
22、202a〜d、402:棒状電極
23、203、403:配線電極
301:GaN基板
Claims (8)
- 絶縁性の基板上に形成された半導体層と、同一面側に形成されたnパッド電極およびpパッド電極とを有したフェイスアップ型の発光素子を、サブマウント上に実装した発光装置の製造方法において、
前記発光素子に、前記nパッド電極および前記pパッド電極をそれぞれ通って貫通する2つの貫通孔を形成し、
前記貫通孔の側面に露出した前記半導体層を絶縁膜で覆い、
前記サブマウント上に、前記発光素子の厚さよりも長く棒状に突出した2つの棒状電極を、前記発光素子の実装位置であって前記発光素子の前記貫通孔に対向する位置に形成し、
前記発光素子の前記貫通孔に、前記サブマウントの前記棒状電極を差し込み、前記棒状電極の先端を潰して、前記棒状電極と前記nパッド電極および前記pパッド電極とを接続する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - サブマウント上に、導電性基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたpパッド電極と、前記導電性基板の前記半導体層形成側とは反対側の面に形成されたn電極と、を有した発光素子を、前記n電極側を前記サブマウント側として実装した発光装置の製造方法において、
前記発光素子に、前記pパッド電極を通って貫通する貫通孔を形成し、
前記貫通孔の側面に露出した前記半導体層および前記導電性基板を絶縁膜で覆い、
前記サブマウント上に、前記発光素子の厚さよりも長く棒状に突出した棒状電極を、前記発光素子の実装位置であって前記発光素子の前記貫通孔に対向する位置に形成し、
前記発光素子の前記貫通孔に、前記サブマウントの前記棒状電極を差し込み、前記棒状電極の先端を潰して、前記棒状電極と前記pパッド電極とを接続する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 複数の前記発光素子を同時に前記サブマウント上に実装することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子は、III 族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 絶縁性の基板上に形成された半導体層と、同一面側に形成されたnパッド電極およびpパッド電極とを有したフェイスアップ型の発光素子を、サブマウント上に実装した発光装置において、
前記発光素子は、
前記nパッド電極および前記pパッド電極をそれぞれ通って貫通する2つの貫通孔と、
前記貫通孔の側面に露出した前記半導体層を覆う絶縁膜と、を有し、
前記サブマウントは、
前記発光素子の実装位置であって前記発光素子の前記貫通孔に対向する位置に、前記発光素子の厚さよりも長く棒状に突出した2つの棒状電極を有し、
前記発光素子の前記貫通孔に、前記サブマウントの前記棒状電極が差し込まれ、前記棒状電極の先端が潰されて前記棒状電極と前記nパッド電極および前記pパッド電極とが接続されている、
ことを特徴とする発光装置。 - サブマウント上に、導電性基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたpパッド電極と、前記導電性基板の前記半導体層形成側とは反対側の面に形成されたn電極と、を有した発光素子を、前記n電極側を前記サブマウント側として実装した発光装置において、
前記発光素子は、
前記pパッド電極を通って貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の側面に露出した前記半導体層を覆う絶縁膜と、を有し、
前記サブマウントは、
前記発光素子の実装位置であって前記発光素子の前記貫通孔に対向する位置に、前記発光素子の厚さよりも長く棒状に突出した棒状電極を有し、
前記発光素子の前記貫通孔に、前記サブマウントの前記棒状電極が差し込まれ、前記棒状電極の先端が潰されて前記棒状電極と前記pパッド電極とが接続されている、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記サブマウント上に複数の発光素子が実装され、それらの発光素子が直列接続あるいは並列接続されている、ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、III 族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項5ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光装置。
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