KR101602706B1 - 방열 금속이 부착된 임베디드 기판 및 그 제작 방법 - Google Patents

방열 금속이 부착된 임베디드 기판 및 그 제작 방법 Download PDF

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KR101602706B1
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heating element
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김현호
차상석
이종태
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재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
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Abstract

방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 적어도 하나의 베이스 기판; 상기 적어도 하나의 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자; 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역을 포함한다.

Description

방열 금속이 부착된 임베디드 기판 및 그 제작 방법{EMBEDDED SUBSTRATE HAVING METAL FOIL FOR RADIATING HEAT AND METHOD MANUFACTURING METHOD THEREOF}
아래의 실시예들은 방열을 위하여 방열 금속이 부착된 임베디드 기판 및 그 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 발열 소자를 포함하는 임베디드 기판의 표면 실장 영역과 구별되는 방열 영역에 heavy copper, 알루미늄 등과 같은 방열 금속을 배치함으로써, 발열 소자 또는 SMT에 의해 발생하는 열을 효율적으로 방출하기 위한 기술에 관한 것이다.
산업 발달 및 전자기술의 발달로 모든 전자기기가 박막화, 소형화, 다기능화를 지향한다. 이러한 박막화, 소형화, 다기능화로 인하여, 회로 기판에는 많은 수동 소자, 능동 소자, 집적 회로 등이 임베딩되거나 실장되며, 이것은 회로 기판에서 많은 열을 발생시킨다. 따라서, 최근의 회로 기판은 좋은 방열 특성을 요구한다.
최근, 회로 기판의 방열 특성을 개선하기 위하여, 방열 재료를 사용하는 것이 제안된다. 특히, 가격이 저렴하고, 좋은 방열 특성을 갖는 구리, 알루미늄 등이 반도체 기판에 사용된다. 다만, 기존의 기술들은 방열 특성을 개선하기 위하여 회로 기판의 내부에 구리, 알루미늄 등과 같은 방열 금속을 삽입하는 방법을 사용한다.
본 발명의 실시예들은 방열 특성을 개선하면서도 회로 기판의 소형화, 박막화에 기여할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 일정 두께 이상인 heavy copper 또는 알루미늄을 사용함으로써, 회로 기판에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 방열한다.
본 발명의 실시예들은 SMT 영역을 피하여 heavy copper 또는 알루미늄과 같은 방열 금속을 부착함으로써, 방열 특성을 개선하면서도 회로 기판의 단락 등으로 인한 에러를 최소화한다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 적어도 하나의 베이스 기판; 상기 적어도 하나의 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자; 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역을 포함한다.
상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
상기 방열 금속은 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper 또는 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에, 상기 방열 금속의 두께는 상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 아래로 노출될 수 있도록 상한을 가질 수 있다.
상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 물리적으로 떨어져 있을 수 있다.
상기 방열 금속은 상기 베이스 기판과 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 부착될 수 있다.
상기 적어도 하나의 발열 소자는 능동 소자, 수동 소자 또는 집적 회로(Integrated Circuit) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 상부 베이스 기판; 하부 베이스 기판; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 하부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역을 포함한다.
상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에, 상기 방열 금속의 두께는 상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 아래로 노출될 수 있도록 상한을 가질 수 있다.
상기 하부 베이스 기판에서 상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
상기 방열 금속은 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper 또는 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 상부 베이스 기판; 하부 베이스 기판; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 상부 베이스 기판의 표면 및 상기 하부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역을 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 상부 베이스 기판; 하부 베이스 기판; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자; 상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 상부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역을 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판은 적어도 하나의 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 적어도 하나의 베이스 기판을 이용하여 적어도 하나의 발열 소자를 임베딩하는 단계; 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 표면 실장 영역을 형성하는 단계; 및 상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 방열 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들은 방열 특성을 개선하면서도 회로 기판의 소형화, 박막화에 기여할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 일정 두께 이상인 heavy copper 또는 알루미늄을 사용함으로써, 회로 기판에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 방열한다.
본 발명의 실시예들은 SMT 영역을 피하여 heavy copper 또는 알루미늄과 같은 방열 금속을 부착함으로써, 방열 특성을 개선하면서도 회로 기판의 단락 등으로 인한 에러를 최소화한다.
도 1은 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 2는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 상부 및 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 3은 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 상부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 4는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 소자가 실장되고, 베이스 기판의 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 5는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 SMT 영역에 소자가 실장되고, 베이스 기판의 상부 및 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 6은 임베디드 기판의 하부 면 또는 상부 면을 나타낸 도면이다.
도 7은 임베디드 기판의 제조 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 발열 소자(120)는 적어도 하나의 베이스 기판(110)에 의해 임베딩된다. 또한, 적어도 하나의 베이스 기판(110)에는 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)이 적용될 수 있으며, 그에 따라 표면 실장 영역(140)이 형성될 수 있다. 그리고, 베이스 기판(110)의 상부에는 소정의 형상으로 패터닝이 이루어질 수 있다.
베이스 기판(110)은 폴리머(Polymer), 글래스(Glass) 또는 실리콘(Silicon) 등으로 구성될 수 있다. 그리고, 발열 소자(120)는 LED, 파워 모듈, 프로세서, CIS, 집적 회로, 수동 소자 등과 같이 반도체 기판에 장착 가능한 모든 소자들을 의미한다.
이 때, 본 발명에 의하면, 방열 금속(150)이 베이스 기판(110)의 하부에 부착될 수 있다. 이 때, 방열 금속(150)은 heavy copper 또는 알루미늄으로 구성될 수 있으며, 특히, 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper가 바람직할 수 있다. 방열 금속(150)은 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 베이스 기판(110)의 SMT 영역(140)을 제외한 나머지 영역에 부착된다. 또한, 방열 금속(150)은 CNT(Carbon Nanotubes) 물질을 통하여 접착될 수 있다. 이를 통하여 열전도성이 향상되고, 투명성, 고강도, 난연성, 광택성, 내화학성 특성 등을 복합적으로 구현할 수 있다. 이러한 방열 금속(150)을 통하여 발열 소자(120) 및 표면 실장 영역(140)에 의하여 발생된 열은 효율적으로 외부로 방열될 수 있다.
이 때, 표면 실장 영역(140)에 형성된 전극들이 커넥터인 경우, 방열 금속(150)보다 커넥터가 더 아래로 노출될 수 있다.
도 2는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 상부 및 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 발열 소자(220)는 적어도 하나의 베이스 기판(210)에 의해 임베딩된다. 또한, 적어도 하나의 베이스 기판(210)에는 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)이 적용될 수 있으며, 그에 따라 표면 실장 영역(240)이 형성될 수 있다. 그리고, 베이스 기판(210)의 상부에는 소정의 형상으로 패터닝이 이루어질 수 있다.
이 때, 본 발명에 의하면, 방열 금속(150)이 베이스 기판의 상부 및 하부에 부착될 수 있다. 이 때, 방열 금속(150)은 heavy copper 또는 알루미늄으로 구성될 수 있으며, 특히, 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper가 바람직할 수 있다. 방열 금속(150)은 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 상부 베이스 기판 및 하부 베이스 기판의 SMT 영역(240)을 제외한 나머지 영역에 부착된다. 이러한 방열 금속(250)을 통하여 발열 소자(220) 및 표면 실장 영역(240)에 의하여 발생된 열은 효율적으로 외부로 방열될 수 있다.
이 때, 표면 실장 영역(240)에 형성된 전극들이 커넥터인 경우, 방열 금속(250)보다 커넥터가 더 아래로 노출될 수 있다.
도 3은 임베디드 기판에서 SMT 영역에 커넥터들이 형성되고, 베이스 기판의 상부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 발열 소자(320)는 적어도 하나의 베이스 기판(310)에 의해 임베딩된다. 또한, 적어도 하나의 베이스 기판(310)에는 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)이 적용될 수 있으며, 그에 따라 표면 실장 영역(340)이 형성될 수 있다. 그리고, 베이스 기판(310)의 상부에는 소정의 형상으로 패터닝이 이루어질 수 있다.
이 때, 본 발명에 의하면, 방열 금속(350)이 베이스 기판의 상부에 부착될 수 있다. 이 때, 방열 금속(350)은 heavy copper 또는 알루미늄으로 구성될 수 있으며, 특히, 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper가 바람직할 수 있다. 방열 금속(350)은 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 상부 베이스 기판의 SMT 영역(340)을 제외한 나머지 영역에 부착된다.
도 4는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 소자가 실장되고, 베이스 기판의 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 발열 소자(420)는 적어도 하나의 베이스 기판(410)에 의해 임베딩된다. 또한, 적어도 하나의 베이스 기판(410)에는 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)이 적용될 수 있으며, 그에 따라 표면 실장 영역(440)이 형성될 수 있다. 그리고, 베이스 기판(410)의 상부에는 소정의 형상으로 패터닝이 이루어질 수 있다.
이 때, 본 발명에 의하면, 방열 금속(450)이 베이스 기판의 상부 및 하부에 부착될 수 있다. 이 때, 방열 금속(450)은 heavy copper 또는 알루미늄으로 구성될 수 있으며, 특히, 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper가 바람직할 수 있다. 방열 금속(450)은 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 하부 베이스 기판의 SMT 영역(440)을 제외한 나머지 영역에 부착된다. 이러한 방열 금속(450)을 통하여 발열 소자(420) 및 표면 실장 영역(440)에 의하여 발생된 열은 효율적으로 외부로 방열될 수 있다.
이 때, 표면 실장 영역(440)에 형성된 전극들이 소자인 경우, 방열 금속(450)이 소자봐 더 아래로 노출될 수 있다.
도 5는 임베디드 기판에서 SMT 영역에 SMT 영역에 소자가 실장되고, 베이스 기판의 상부 및 하부에 방열 금속이 부착된 경우를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 발열 소자(520)는 적어도 하나의 베이스 기판(510)에 의해 임베딩된다. 또한, 적어도 하나의 베이스 기판(510)에는 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)이 적용될 수 있으며, 그에 따라 표면 실장 영역(540)이 형성될 수 있다. 그리고, 베이스 기판(510)의 상부에는 소정의 형상으로 패터닝이 이루어질 수 있다.
이 때, 본 발명에 의하면, 방열 금속(550)이 베이스 기판의 상부 및 하부에 부착될 수 있다. 이 때, 방열 금속(550)은 heavy copper 또는 알루미늄으로 구성될 수 있으며, 특히, 100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper가 바람직할 수 있다. 방열 금속(550)은 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 상부 베이스 기판 및 하부 베이스 기판의 SMT 영역(540)을 제외한 나머지 영역에 부착된다. 이러한 방열 금속(550)을 통하여 발열 소자(520) 및 표면 실장 영역(540)에 의하여 발생된 열은 효율적으로 외부로 방열될 수 있다.
이 때, 표면 실장 영역(540)에 형성된 전극들이 소자인 경우, 방열 금속(550)이 소자보다 더 아래로 노출될 수 있다.
도 6은 임베디드 기판의 하부 면 또는 상부 면을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 임베디드 기판에서 SMT 영역(610)을 제외한 나머지 영역(620)에는 방열 금속이 부착될 수 있다. 즉, 나머지 영역(620)에는 heavy copper 또는 알루미늄과 같은 방열 금속이 부착됨으로써 방열 영역이 형성된다. 따라서, 방열 영역 및 SMT 영역은 동일한 레이어에 형성된다.
도 7은 본 발명의 실시에에 따른 방열 금속이 부착된 임베디드 기판을 제조하는 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 적어도 두 개의 베이스 기판이 준비된다(710). 이 때, 발열 소자는 적어도 두 개의 베이스 기판에 의하여 임베딩된다(720). 이러한 임베딩은 다양한 구조 및 형태에 따라 수행될 수 있다.
또한, 상부 베이스 기판 및/또는 하부 베이스 기판에는 SMT가 적용됨으로써, 표면 실장 영역이 형성된다(730). 이 때, 방열 금속은 표면 실장 영역을 피하여 부착된다(740).
도 7에 도시된 제조 방법에 대해서는 도 1 내지 도 6을 통해 설명된 내용이 그대로 적용될 수 있으므로, 보다 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (14)

  1. 적어도 하나의 베이스 기판;
    상기 적어도 하나의 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자;
    상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및
    상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역
    을 포함하고,
    상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에,
    상기 방열 금속의 두께는
    상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 위 또는 아래로 노출될 수 있도록 상한을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 동일한 레이어에 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방열 금속은
    100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 물리적으로 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 방열 금속은
    상기 베이스 기판과 솔더 페이스트(solder paste), 페이스트 접착(paste attach) 또는 테이핑 중 어느 하나의 방법을 통하여 부착되는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 발열 소자는
    능동 소자, 수동 소자 또는 집적 회로(Integrated Circuit) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  8. 상부 베이스 기판;
    하부 베이스 기판;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및
    상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 하부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역
    을 포함하고,
    상기 하부 베이스 기판의 상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에,
    상기 방열 금속의 두께는
    상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 아래로 노출될 수 있도록 상한을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 하부 베이스 기판에서 상기 표면 실장 영역과 상기 방열 영역은 동일한 레이어에 형성되는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 방열 금속은
    100 마이크로미터 이상의 두께를 갖는 heavy copper 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  12. 상부 베이스 기판;
    하부 베이스 기판;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및
    상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 상부 베이스 기판의 표면 및 상기 하부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역
    을 포함하고,
    상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에,
    상기 방열 금속의 두께는
    상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 위 또는 아래로 노출될 수 있도록 상한을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  13. 상부 베이스 기판;
    하부 베이스 기판;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판에 의하여 임베딩되는 적어도 하나의 발열 소자;
    상기 상부 베이스 기판 및 상기 하부 베이스 기판 중 적어도 하나의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 형성되는 표면 실장 영역; 및
    상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 상부 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 형성되는 방열 영역
    을 포함하고,
    상기 상부 베이스 기판의 상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에,
    상기 방열 금속의 두께는
    상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 위로 노출될 수 있도록 상한을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판.
  14. 적어도 하나의 베이스 기판을 준비하는 단계
    상기 적어도 하나의 베이스 기판을 이용하여 적어도 하나의 발열 소자를 임베딩하는 단계;
    상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 표면 실장 기술(Surface Mount Technology)을 적용함으로써 표면 실장 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 표면 실장 영역과 구별되고, 상기 적어도 하나의 베이스 기판의 표면에 방열 금속을 부착함으로써 방열 영역을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 표면 실장 영역에서 형성된 상기 적어도 하나의 발열 소자를 위한 전극들이 커넥터인 경우에,
    상기 방열 금속의 두께는
    상기 커넥터가 상기 방열 금속보다 더 위 또는 아래로 노출될 수 있도록 상한을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 금속이 부착된 임베디드 기판을 제조하는 방법.
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