KR101572086B1 - 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 - Google Patents

4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101572086B1
KR101572086B1 KR1020140027158A KR20140027158A KR101572086B1 KR 101572086 B1 KR101572086 B1 KR 101572086B1 KR 1020140027158 A KR1020140027158 A KR 1020140027158A KR 20140027158 A KR20140027158 A KR 20140027158A KR 101572086 B1 KR101572086 B1 KR 101572086B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
transition metal
linear
metal precursor
branched
Prior art date
Application number
KR1020140027158A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150105021A (ko
Inventor
박보근
정택모
김창균
전동주
한정환
김다혜
이영국
안기석
이선숙
Original Assignee
한국화학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국화학연구원 filed Critical 한국화학연구원
Priority to KR1020140027158A priority Critical patent/KR101572086B1/ko
Publication of KR20150105021A publication Critical patent/KR20150105021A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101572086B1 publication Critical patent/KR101572086B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112014022498464-pat00007

(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)

Description

4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법{GROUP IV TRANSITION METAL PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME}
본 발명은 신규의 4족 전이금속 전구체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 낮은 온도에서 쉽게 양질의 4족 전이금속을 포함한 박막의 제조가 가능한 4족 전이금속 전구체 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 이용하여 4족 전이금속을 포함한 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 공정에 있어서, 실리콘 산화물(SiO2)은 제조 공정이 비교적 단순하기 때문에 주로 게이트 유전체로 사용되어 왔으나, 비교적 낮은 유전 상수(k)를 지니기 때문에, 두께를 10 미만으로 하는 경우, 게이트로부터 채널로 누설 전류(gate-to-channel leakage current)의 문제가 발생하였다. 이에 따라, 장치 성능을 개선시키기 위해서 아주 얇고 신뢰할 수 있으며 저결함 게이트 유전체를 제공하기 위한 적합한 대체 박막 재료 및 공정 기술에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 절연성이 뛰어나고 유전율이 높으며 유전 손실이 적은 고유전 물질로서, 높은-k 금속 산화물 재료가 게이트 또는 커패시터 유전체를 위한 대안적인 유전체 재료로서 제안되고 있는데, 구체적으로 4족 전이금속 전구체, 예컨대, 티타늄-함유, 지르코늄-함유, 및 하프늄-함유 전구체 및 이들의 조합물의 필요성이 높아지고 있다.
그러나, 종래 기술, 예를 들어 US 8471049 등에 따른 4족 전이금속 전구체들은 고온에서 열적으로 안정하지 않으며, 이에 따라 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 및 단원자층증착(atomic layer deposition, ALD) 공정 시에 낮은 증착률 및 성장률을 갖는다는 단점이 있었다. 이에 본 발명자들은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 열적 안정성 및 휘발성이 향상된 신규의 4족 전이금속 산화물 전구체를 개발하기에 이르렀다.
US 8471049 B2 KR 2009-0000491 A
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열적 안정성과 휘발성이 개선되어 쉽게 양질의 4족 전이금속을 포함한 박막의 제조가 가능한 신규의 4족 전이금속 전구체를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112014022498464-pat00001
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
또한 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는 상기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체의 제조 방법을 제공한다.
[화학식 2]
Figure 112014022498464-pat00002
(상기 식에서, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이다.)
[화학식 3]
M(NR4R5)4
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기다.)
또한 본 발명은 상기 화학식 1의 4족 전이금속 전구체를 이용하여 4족 전이금속을 포함한 박막을 성장시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체는 뛰어난 열적 안정성과 높은 휘발성을 가지고 있기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 4족 전이금속을 포함한 박막을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 4족 전이금속 전구체 화합물의 TGA 그래프를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 4족 전이금속 전구체 화합물의 TGA 그래프를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 4족 전이금속 전구체 화합물의 TGA 그래프를 나타낸 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112014022498464-pat00003
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체에 있어서, 상기 R1은 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3 및 C6H5로부터 선택되고, 상기 R2, R3은 각각 서로 독립적으로 H, CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되고, R4, R5는 각각 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체의 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 2]
Figure 112014022498464-pat00004
(상기 식에서, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이다.)
구체적으로 본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체의 제조방법은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
M(NR4R5)4
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기다.)
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R2, R3은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
상기 반응식 1에 따르면, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 헥산, 디에틸에테르 등과 같은 용매에서 상온에서 12시간 내지 24시간 동안 치환 반응을 진행한 뒤 혼합물을 여과하고, 용매를 감압 제거하여 액체 화합물을 수득한다. 또한, 상기 반응식 1의 반응 중에 부산물이 생성될 수 있으며, 이들을 증류법을 이용하여 제거함에 따라 고순도의 신규의 4족 전이금속 전구체를 얻을 수 있다.
상기 반응들에서 반응물들은 화학양론적 당량비로 사용된다.
상기 화학식 1로 표시되는 신규의 4족 전이금속 전구체는 상온에서 안정한 액체로서, 열적으로 안정하고 좋은 휘발성을 가진다.
본 발명의 신규의 4족 전이금속 전구체는 4족 전이금속을 포함한 박막 제조용 전구체로서, 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)을 사용하는 공정에 바람직하게 적용될 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
4족 금속 전구체 물질의 합성
실시예 1: [ Ti ( NMe 2 ) 2 (1,3- pentadiene -2,4- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Ti(NMe2)4 (2.24 g, 0.01 mol, 1 eq)와 헥산 (30 mL)을 넣고 교반한 용액에 아세틸아세톤(acetylacetone (acacH)) (1 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 상온에서 15시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 감압 하에서 용매를 제거하여 노란색 액체 화합물(1.5 g, 수율: 64%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (70 ℃/10-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6) 및 13C-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 1.98 (s, 3H), 2.39 (s, 6H), 2.58 (s, 6H),
4.03 (s, 1H), 4.08 (s, 1H), 4.79 (s, 1H).
13C NMR (C6D6 , 300 MHz): δ 16.9, 39.9, 40.6, 86.2, 99.9, 147.2, 154.3.
실시예 2: [ Ti ( NMe 2 ) 2 (5,5,5- trifluoropenta -1,3- pentadiene -2,4- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Ti(NMe2)4 (2.24 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (30 mL)으로 녹인 용액에 1,1,1-트리플루오로아세틸아세톤 (1,1,1-Trifluoroacetylacetone (tfacH)) (1.54 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과한 후, 감압 하에서 용매를 제거하여 갈색 액체 화합물 (1.3 g, 수율: 45%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (70 ℃/10-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 2.30 (s, 6H), 2.48 (s, 6H), 3.77 (s, 1H),
3.97 (s, 1H), 5.85 (s, 1H).
실시예 3: [ Ti ( NMe 2 ) 2 (1- phenyl -1,3- butadiene -1,3- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Ti(NMe2)4 (1.38 g, 6.17×10-3 mol, 1 eq)을 톨루엔 (30 mL)으로 녹인 용액에 1-페닐-1,3-부탄디온 (1-Phenyl-1,3-butanedione) (1 g, 6.17×10-3 mol, 1 eq)을 톨루엔 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 15시간 동안 환류하였다. 반응 혼합물을 여과한 후, 감압 하에서 용매를 제거하여 갈색 액체 화합물 (1.2 g, 수율: 66%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (85 ℃/10-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 2.35 (s, 6H), 2.53 (s, 6H), 3.83 (s, 1H),
3.85 (s, 1H), 5.10 (s, 1H), 7.16 (t, 3H),
7.43 (d, 2H)
실시예 4: [ Zr ( NMe ) 2 (1,3- pentadiene -2,4- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Zr(NMe2)4 (2.68 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (30 mL)으로 녹인 용액에 아세틸아세톤 (acetylactone (acacH)) (1 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과한 후, 감압 하에서 용매를 제거하여 갈색 액체 화합물 (1.2 g 수율: 43%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (80℃/10-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6) 및 13C-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 1.98 (s, 3H), 2.38 (s, 6H), 2.59 (s, 6H),
4.07 (s, 1H), 4.11 (s, 1H), 4.82 (s, 1H).
13C NMR (C6D6 , 75 MHz): δ 16.9, 39.9, 40.7, 86.2, 99.9, 147.3, 154.3.
실시예 5: [ Zr ( NEtMe ) 2 (1,3- pentadiene -2,4- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Zr(NEtMe)4 (3.2 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (30 mL)으로 녹인 용액에 아세틸아세톤 (acetylacetone (acacH)) (1 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과한 후, 감압 하에서 용매를 제거하여 갈색 액체 화합물 (1.4 g 수율: 46%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (80 ℃/110-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6) 및 13C-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 0.75 (t, 3H), 0.90 (t, 3H), 2.02 (s, 3H),
2.42 (s, 3H), 2.60 (s, 3H), 2.84 (q, 2H),
3.08 (q, 2H), 4.01 (s, 1H), 4.07 (s, 1H),
4.79 (s, 1H).
13C NMR (C6D6 , 300 MHz): δ 11.7, 12.1, 16.5, 36.7, 36.9, 46.1, 47.0,
85.9, 99.9, 145.6, 152.9.
실시예 6: [ Hf ( NEtMe ) 2 (1,3- pentadiene -2,4- diolate )]의 제조
150 mL 슐렝크 플라스크에 Hf(NEtMe)4 (4.11 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (30 mL)으로 녹인 용액에 아세틸아세톤 (acetylacetone (acacH)) (1 g, 0.01 mol, 1 eq)을 헥산 (15 mL)으로 녹인 용액을 첨가한 후, 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과한 후, 감압 하에서 용매를 제거하여 갈색 액체 화합물 (1.3 g 수율: 33%)을 얻었다. 이를 감압 증류하여 (85 ℃/10-1 torr) 정제하였다.
상기에서 얻은 화합물에 대한 1H-NMR(C6D6)을 아래와 같이 나타내었다.
1H NMR (C6D6, 300 MHz): δ 0.75 (t, 3H), 0.94 (t, 3H), 2.04 (s, 3H),
2.42 (s, 3H), 2.61 (s, 3H), 2.84 (q, 2H),
3.10 (q, 2H), 4.06 (s, 1H), 4.11 (s, 1H),
4.82 (s, 1H).
4족 전이금속 전구체 물질의 분석
상기 4족 전이금속 전구체의 열적 안정성 및 휘발성과 분해 온도를 측정하기 위해, 열무게 분석(thermogravimetric analysis, TGA)법을 이용하였다. 상기 TGA 방법은 생성물을 10 ℃/분의 속도로 900 ℃까지 가온시키면서, 1.5 bar/분의 압력으로 아르곤 기체를 주입하였다.
상기 실시예 1, 실시예 5 및 실시예 6에서 합성한 4족 전이금속 전구체 화합물의 TGA 그래프를 도 1 내지 도 3에 도시하였다.
먼저, 실시예 1에서 수득한 4족 전이금속 화합물 (Ti(NMe2)2(1,3-pentadiene-2,4-diolate))의 경우에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 95 ℃ 부근에서 질량 감소가 일어 났으며, 183 ℃에서 약 91%의 질량 감소가 관찰되었다.
실시예 5에서 수득한 4족 전이금속 화합물 (Zr(NEtMe)2(1,3-pentadiene-2,4-diolate))의 경우에는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 110 ℃ 부근에서 질량 감소가 일어 났으며, 210 ℃ 부근에서 약 94%의 질량 감소가 관찰되었다.
실시예 6에서 수득한 4족 전이금속 화합물 (Hf(NEtMe)2(1,3-pentadiene-2,4-diolate))의 경우에는, 105 ℃ 부근에서 질량 감소가 일어 났으며, 210 ℃ 부근에서 약 95%의 질량 감소가 관찰되었다.

Claims (5)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 전구체:
    [화학식 1]
    Figure 112015100622359-pat00005

    (상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R1은 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3 및 C6H5로부터 선택되고, 상기 R2, R3은 각각 서로 독립적으로 H, CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되고, R4, R5는 각각 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택된다.)
  2. 삭제
  3. 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 청구항 1의 4족 전이금속 전구체의 제조 방법:
    [화학식 2]
    Figure 112015100622359-pat00006

    (상기 식에서, R1은 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3 및 C6H5로부터 선택되고, 상기 R2, R3은 각각 서로 독립적으로 H, CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택된다.)
    [화학식 3]
    M(NR4R5)4
    (상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R4, R5는 각각 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택된다.)
  4. 청구항 1의 4족 전이금속 전구체를 이용하여 4족 전이금속을 포함한 박막을 성장시키는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020140027158A 2014-03-07 2014-03-07 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 KR101572086B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140027158A KR101572086B1 (ko) 2014-03-07 2014-03-07 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140027158A KR101572086B1 (ko) 2014-03-07 2014-03-07 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150105021A KR20150105021A (ko) 2015-09-16
KR101572086B1 true KR101572086B1 (ko) 2015-11-26

Family

ID=54244535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140027158A KR101572086B1 (ko) 2014-03-07 2014-03-07 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101572086B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002069641A (ja) 2000-06-12 2002-03-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
WO2007005088A2 (en) 2005-07-01 2007-01-11 Honeywell International Inc. Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002069641A (ja) 2000-06-12 2002-03-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
WO2007005088A2 (en) 2005-07-01 2007-01-11 Honeywell International Inc. Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150105021A (ko) 2015-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100804413B1 (ko) 지르코늄 산화물 박막 증착용 유기금속 선구물질 및 이의제조 방법
KR101538982B1 (ko) 고분자량 알킬알릴 코발트트리카르보닐 착체 및 유전체 박막 제조를 위한 그 용도
KR102215341B1 (ko) 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막
KR20090054922A (ko) 트리덴테이트 베타­케토이미네이트의 금속 착물
KR101742391B1 (ko) 인듐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
JP2017511308A (ja) 有機ゲルマニウムアミン化合物、及びそれを利用した薄膜蒸着方法
KR101806987B1 (ko) 4 족 금속 원소-함유 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 막 증착용 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 막의 증착 방법
KR20140131219A (ko) 루테늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR101306811B1 (ko) 신규의 텅스텐 아미노아미드 할로겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR101629696B1 (ko) 신규한 인듐 전구체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막
KR101572086B1 (ko) 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR101306810B1 (ko) 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR102283752B1 (ko) 신규한 4족 전이금속 화합물 및 이의 제조방법
JP5919882B2 (ja) コバルト化合物の混合物、及び当該コバルト化合物の混合物を用いたコバルト含有薄膜の製造方法
KR102080218B1 (ko) 이중치환 사이클로펜타디엔 화합물, 유기금속 화합물 및 그 제조방법
KR20140074162A (ko) 4 족 전이금속-함유 전구체 화합물, 및 이를 이용하는 박막의 증착 방법
KR101306812B1 (ko) 신규의 텅스텐 실릴아미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR100634814B1 (ko) 새로운 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법
KR102418179B1 (ko) 원자층 증착 또는 화학적 기상증착용 전구체로서의 신규한 유기-지르코늄 화합물 및 그 제조방법
KR101306813B1 (ko) 신규의 텅스텐 아미노아미드 아지드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR101093817B1 (ko) 신규의 티타늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조방법
KR102129055B1 (ko) 지르코늄 아미노알콕사이드계 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR20150035855A (ko) 4 족 전이금속-함유 전구체 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 박막의 증착 방법
KR100962431B1 (ko) 신규의 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법
KR20160015037A (ko) 란탄족 금속 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 5