KR101516953B1 - 구리나노선의 제조방법, 이에 의해 제조된 구리나노선, 잉크 조성물 및 투명전도막의 제조방법 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 20
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 claims description 14
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 claims description 14
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 claims description 14
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical class C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical class CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 phosphate ester Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 4
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SHRGCOIDGUJGJI-UHFFFAOYSA-N 1-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCC(O)OCCCOC SHRGCOIDGUJGJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007753 roll-to-roll coating process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000003760 tallow Substances 0.000 claims description 3
- 238000007647 flexography Methods 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000004135 Bone phosphate Substances 0.000 claims 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 9
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 9
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 7
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 7
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 7
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 4
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 4
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LKDRXBCSQODPBY-VRPWFDPXSA-N D-fructopyranose Chemical compound OCC1(O)OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O LKDRXBCSQODPBY-VRPWFDPXSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 2
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N acetone oxime Chemical compound CC(C)=NO PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 2
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 2
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 2
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 2
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- KOUDKOMXLMXFKX-UHFFFAOYSA-N sodium oxido(oxo)phosphanium hydrate Chemical compound O.[Na+].[O-][PH+]=O KOUDKOMXLMXFKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004799 tryptophan Drugs 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N (3r,5r)-1,3,4,5-tetrahydroxycyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N 0.000 description 1
- SXYRTDICSOVQNZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOC(C)O SXYRTDICSOVQNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 2-[(1s)-1,2-dihydroxyethyl]-3,4-dihydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound OC[C@H](O)C1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 0.000 description 1
- GDTHVMAIBQVUMV-UHFFFAOYSA-N 2-oxopentanal Chemical compound CCCC(=O)C=O GDTHVMAIBQVUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 2-phenylacetic acid Chemical compound O[14C](=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N Cordycepinsaeure Natural products OC1CC(O)(C(O)=O)CC(O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZZDUJRFHYVLCJF-UHFFFAOYSA-N O[Br][Na] Chemical compound O[Br][Na] ZZDUJRFHYVLCJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N Quinic acid Natural products O[C@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N 0.000 description 1
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006035 Tryptophane Substances 0.000 description 1
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- FLNKWZNWHZDGRT-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrochloride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Cl-].[Cl-] FLNKWZNWHZDGRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009699 high-speed sintering Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229960005137 succinic acid Drugs 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 1
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 1
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- B22F2301/10—Copper
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- H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents
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Abstract
구리나노선의 제조방법, 이에 의해 제조된 구리나노선, 잉크 조성물 및 투명전도막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 구리나노선의 제조방법은 증류수에 염화제이구리, 환원제 및 구리 캡핑제를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 80℃ 내지 120℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조하는 단계; 및 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는 단계를 포함한다. 염화제이구리 및 증류수를 사용하므로 제조공정이 간단하고 저렴한 제조비용으로 구리나노선을 제조할 수 있고, 이에 의해 효율이 향상된 투명전도막을 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 구리나노선의 제조방법은 증류수에 염화제이구리, 환원제 및 구리 캡핑제를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 80℃ 내지 120℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조하는 단계; 및 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는 단계를 포함한다. 염화제이구리 및 증류수를 사용하므로 제조공정이 간단하고 저렴한 제조비용으로 구리나노선을 제조할 수 있고, 이에 의해 효율이 향상된 투명전도막을 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 구리나노선의 제조방법, 이에 의해 제조된 구리나노선, 잉크 조성물 및 투명전도막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 염화제이구리와 증류수를 사용한 높은 종횡비를 갖는 구리나노선의 제조방법, 이에 의해 제조된 구리나노선, 잉크 조성물 및 투명전도막의 제조방법에 관한 것이다.
디스플레이, 터치 패널, 광전지(PV), 전자종이, 정전 차폐 등에 활용할 수 있는 다양한 유연전자소자의 경우 가볍고, 떨어뜨려도 쉽게 부서지지 않으며, 구부리거나 말아서 휴대가 용이한 소자로 개발되어야 한다.
기존의 투명전극으로 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide)는 높은 전기 전도도와 우수한 화학적 안정성 및 높은 광투과 특성으로 인해 현재 모든 디스플레이 기기에 주로 사용되고 있다. 하지만 인듐(Indium)은 매장량이 한정적이며 수요에 대비해 공급이 불안정하고 인체에 유해할 뿐만 아니라 구부릴 경우 유연성이 취약하다는 문제점이 있다. 또한 ITO 박막은 스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법(E-beam evaporation) 등과 같은 물리증착방법(Physical Vapor Deposition, PVD)에 의해 기판에 증착되기 때문에 대면적화가 어렵다는 단점이 있다.
이에 따라 ITO를 대체할 투명전극 소재로 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(Carbon nanotube, CNT), 전도성 폴리머가 새로운 소재로 연구되고 있다. 하지만 이러한 소재들은 전극의 두께가 두꺼워 질수록 낮은 면저항 특성을 나타내기 때문에 낮은 면저항 특성을 얻기 위해서는 막의 두께가 두꺼워 져야하는데, 막이 두꺼울수록 투광도는 오히려 떨어지므로 이는 높은 투광도를 요구하는 디스플레이용 투명전극으로 사용하기에는 부적합하다.
특히, 그래핀은 수 나노미터(∼㎚) 크기에 0.2㎚ 정도의 두께를 갖기 때문에 잉크 제조 시 분산안정성 확보가 어렵고 이를 이용하여 투명 전극막으로 제작하더라도 대면적화하기가 어렵다. 더욱이, 그래핀을 투명 전도막으로 사용하기 위해서는 환원시켜야 하는데 이때 오랜 시간의 환원과정이 필요하다. 하지만 오랜 시간 동안 환원시킨 그래핀이라 하더라도 투광도는 높지만 그 면저항 값은 ITO에 비해 아직도 300%이상 높게 나타나 사용에 제한이 있다.
최근에는, 은(Ag) 나노와이어를 이용한 투명전극이 ITO와 비슷한 특성 수준의 면저항 및 투광도를 나타낼 수 있어 많이 연구되고 있다. 하지만 은 또한 가격이 비싼 귀금속으로 희소성면에서 ITO와 유사하다.
그러나, 구리(Cu)의 경우 풍부한 매장량으로 인해 은(Ag)이나 인듐(In)보다 100배 이상 저렴하고, 전기전도도가 매우 우수하여 이를 구리나노선을 제조하여 투명전극 소재로 활용케 된다면 높은 부가가치가 예상된다.
종래의 금속 나노선 제조방법으로 전기화학적 방법, 화학증착법, 용액법(수용액 중에서 구리나노선을 생성 및 성장시키는 방법), 수열합성법 등 다양한 방법들이 알려져 있다. 하지만 전기화학적 방법 및 화학증착법은 대량 생산을 위해서는 고가의 장비가 필요하고 합성 부생성물의 제거공정이 추가로 요구된다. 이에 반해 용액법 및 수열합성법은 공정이 간단하고 저가고 대량생산이 용이하고 나노선의 크기 제어가 가능하다.
미국 공개특허 US 2013/0008690에서는 구리나노선을 제조하는 방법을 개시하였다. 이 특허에서는 Cu(NO3)2를 에틸렌디아민을 함유하는 수용액 내에서 NaOH 및 하이드라진을 환원제로 사용하여 90㎚의 직경에 6㎛의 길이를 갖는 구리나노선 제조방법을 개시하였다. 또한 Advanced Material (2010), 22, 3558-3563에서는 Cu(NO3)2, NaOH, 에틸렌 디아민(EDA), 증류수를 사용하여 90㎚ 두께의 비교적 균일한 구리나노선을 제조하였으며 이를 투명전극으로 응용하여 광투과율 69%에 면저항 20Ω/□ 이하의 특성을 갖는 투명전도막을 형성하였다.
하지만, 이러한 방법들은 나노구리선은 제조과정에서 고가의 장비를 필요로 하므로 제조비용이 높고, 대량생산에 적용하기에는 미흡한 종횡비, 광투과율 및 면저항을 가지므로 이를 개선할 필요가 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 제조공정이 간단하고 제조비용이 저렴한 구리나노선의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 상기 제조방법에 의해 제조된 종횡비가 우수한 구리나노선을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 세 번째 과제는 상기 구리나노선을 포함하는 잉크 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 네 번째 과제는 상기 잉크 조성물을 이용한 투명전도막의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫 번째 과제를 달성하기 위해서,
(a) 증류수에 염화제이구리, 환원제 및 구리 캡핑제를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b) 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 80℃ 내지 120℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는 단계를 포함하는 구리나노선의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 혼합 용액은 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 환원제는 프룩토오스, 포타슘 브로마이드, 소듐 브로하아드라이드, 하이드라진, 소듐 클로라이드, 소듐 하이드록사이드, 암모늄 클로라이드, 소듐 포스피네이트 모노하이드레이트, 아스코르빅산, L(+)-아스코르빅산, 아스코르빅산 유도체, 옥살산, 말산, 포름산, 포스파이트, 글루코오스, 설파이트, 세틸트리메틸암모늄브로마이드 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 구리 캡핑제는 헥사데실아민, 트라이에틸렌다이아민, 에틸렌다이아민, 프로판-1,3-다이아민, 부탄-1,4-다이아민, 펜탄-1,5-다이아민, 에틸렌다이아민테트라아세트산, 1,2-사이클로헥산다이아민-N,N,N′,N′-테트라아세트산, 글리신, 아스코르브산, 이미노다이아세트산, 니트릴로트라이아세트산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 시스테인, 글루탐산, 글루타민, 히스티딘, 이소류신, 류신, 라이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 프롤린, 세린, 쓰레오닌, 트립토판, 티로신, 발린, 갈산, 붕산, 아세트산, 아세톤 옥심, 아크릴산, 아디프산, 베타인, 다이메틸 글리옥심, 포름산, 푸마르산, 글루콘산, 글루타르산, 글리세르산, 글리콜산, 글리옥실산, 이소프탈산, 이타콘산, 락트산, 말레산, 말레산 무수물, 말산, 말론산, 만델산, 2,4-펜탄다이온, 페닐아세트산, 프탈산, 프롤린, 프로피온산, 피로카테골, 피로멜리트산, 퀸산, 소르비톨, 숙신산, 타르타르산, 테레프탈산, 트라이멜리트산, 트라이메스산, 자일리톨, 이들의 염, 이들의 유도체 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 계면활성제는 에톡실레이트, 알콕실레이트, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 이들의 공중합체 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 계면활성제는 설포네이트, 설페이트, 디설포네이트 염, 설포숙시네이트, 포스페이트 에스테르 및 플루오르 계면활성제 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 고압 반응기의 압력범위가 1bar 내지 20bar일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 (c)단계는
(a)′상기 나노 구리선을 용매에 분산시켜 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b)′상기 혼합 용액의 상청액을 분리하여 증류수로 재희석하는 단계;및
(c)′상기 (a)′,(b)′를 반복하여 정제하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 용매는 증류수, 메탄올, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 2-펜타논 및 3-펜타논 중에서 선택된 어느 하나 일 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 과제를 달성하기 위해서, 상기 구리나노선 제조방법에 의해 제조된 구리나노선을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 구리 나노선의 직경은 30㎚ 내지 60㎚이고 길이는 30㎛ 내지 50㎛이며 종횡비는 500 내지 2,000일 수 있다.
본 발명은 상기 세 번째 과제를 달성하기 위해서, 상기 구리나노선, 용매, 계면활성제를 포함하는 잉크 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 용매는 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 3가 부탄올, 3가 아밀 알콜, 메틸글리콜, 부톡시 에탄올, 메톡시프로판올, 메톡시프로폭시프로판올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜의 수용성 올리고머, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜의 수용성 올리고머, 글리세롤, 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 글리세롤 에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디옥산 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 계면활성제는 에톡실레이트, 알콕실레이트, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 이들의 공중합체 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 계면활성제는 설포네이트, 설페이트, 디설포네이트 염, 설포숙시네이트, 포스페이트 에스테르 및 플루오르 계면활성제 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 잉크 조성물은 잉크 조성물 100 중량부를 기준으로 구리나노선이 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함할 수 있다.
본 발명은 상기 네 번째 과제를 달성하기 위해서,
(a)″상기 잉크 조성물을 기판에 코팅하여 투명전도막을 형성하는 단계; 및
(b)″상기 투명전도막을 열소성 또는 광소성하는 단계를 포함하는 투명전도막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 (a)″단계의 코팅 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 롤투롤 코팅, 그라비아 공정, 슬롯다이(slot die) 공정, 잉크젯 공정, 스크린 공정, 그라비아 공정, 플렉소그래피(flexography) 공정, 옵셋 공정, 그라비아 옵셋 공정, 리버스 그라비아 옵셋 공정, 임플린트 공정 및 바 코팅 방법 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 광소성은 백색광 단펄스를 이용하고, 상기 백색광 단펄스는 1ms 내지 10ms의 펄스 지속 시간, 1ms 내지 50 ms의 펄스 휴지 시간, 1개 내지 100개의 펄스 수 및 1J/㎠ 내지 80J/㎠의 펄스 에너지를 이용하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 구리나노선의 제조방법은 염화제이구리와 증류수를 이용하므로 제조공정이 간단하고 저비용, 대량생산이 가능하며, 상기 제조방범에 따라 제조된 구리나노선은 30~60nm의 직경과 30~50㎛의 길이를 가지며 500 내지 2,000의 종횡비를 가진다. 또한 상기 구리나노선을 포함하는 잉크 조성물을 사용하고 대면적 연속공정 코팅 방법으로 이용하는 높은 투과율 및 낮은 면저항을 갖는 투명전도막의 제조방법을 제공한다. 또한, 상기 투명전도막은 광소결 과정을 이용하여 제조되므로 나노선간의 접촉 저항을 개선 시켜 전기전도도를 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예 1의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 2는 실시예 2의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 비교예 1의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 실시예 3의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 실시예 4의 투광율 그래프이다.
도 2는 실시예 2의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 비교예 1의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 실시예 3의 구리나노선 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 실시예 4의 투광율 그래프이다.
본 발명은 증류수 및 염화제이구리가 포함된 혼합용액으로부터 구리나노선을 제조하는 대량 생산이 가능하고 제조비용이 저렴한 구리나노선의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 구리나노선 제조 방법은 기존의 제조 방법이 요구했던 높은 압력 및 질소 등의 가스 분위기가 필요하지 않을 뿐만 아니라, 반응용매도 유기용매가 아닌 증류수를 사용하므로, 구리나노선의 대량 생산이 가능하고 복잡하지 않은 제조공정 및 안전한 제조환경을 제공할 수 있다. 또한 염화제이구리와 증류수를 이용하므로 제조비용의 비약적인 절감을 가져올 수 있다.
이하, 도면 및 실시예를 통하여 본 발명을 설명하고자 한다. 그러나 상기 도면 및 실시예에 의하여 본 발명의 범위는 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 구리나노선의 제조방법은 다음의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a) 증류수에 염화제이구리, 환원제 및 구리 캡핑제를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b) 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 80℃ 내지 120℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는 단계
상기 제조방법을 보다 자세히 설명하면, 먼저 염화제이구리를 증류수에 분산시킨 후 교반하여 제1 용액을 제조하고, 상기 제1 용액에 환원제를 첨가한 후 교반하여 구리 이온이 형성된 제2 용액을 제조하고, 상기 제2 용액에 구리 캡핑제를 첨가한 후 교반하여 혼합 용액을 제조한다. 이 후 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 80℃ 내지 125℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조한다. 그 다음으로 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는다.
본 발명에 따라 제조 된 구리 나노선의 대표적인 제조방법은 하기 반응식 1로 나타낸다.
[반응식 1]
CuCl2 + H2O → Cu2 + + 2Cl- + H+ + (OH)-
Fructose + (OH)- → RCH=O
RCH=O + Cu2 + → 2Cu0
증류수에 염화제이구리(CuCl2)를 첨가한 용액에 프룩토오스(Fructose, C6H12O6)를 첨가하면 구리 이온과 반응하여 구리착화물(Cu2 +)을 형성한다. 여기에 헥사데실아민(hexadecylamine)과 같은 구리 캡핑제(copper capping agent)를 첨가하여 구리착화물을 둘러싸게 하면 구리 캡핑제의 아민 사슬이 용매와 상호작용하여 구리착화물이 일렬로 배열되게 된다.
상기 (a) 단계의 염화제이구리(CuCl2, copper(Ⅱ) chloride)는 구리전구체로서 나노구리선 형성에 필요한 구리이온을 공급한다.
상기 구리전구체는 염화제일구리(copper(I) chloride), 염화제이구리(copper(II) chloride), 초산구리(copper acetate), 질산구리(copper nitrate, 황산구리(copper sulfate), 브롬화구리(copper bromide), 아이오딘화구리(copper iodide), 인산구리(copper phosphate) 및 탄산구리(copper carbonate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 구리전구체는 염화제이구리가 바람직하다.
상기 (a) 단계의 증류수는 구리 전구체를 용해시키는 용매이다.
상기 용매는 증류수, 에탄올, 메탄올, 2-메톡시에톡시에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA) 또는 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 폴리알릴아민 및 폴리에틸렌이민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 용매는 증류수가 바람직하다.
상기 (a) 단계의 환원제는 상기 구리전구체로부터 공급된 구리이온과 반응하여 구리착화물을 형성한다.
상기 환원제는 프룩토오스(fructose), 포타슘 브로마이드(potassium bromide), 소듐 브로하아드라이드(sodium borohydride), 하이드라진(hydrazine), 소듐 클로라이드(sodium chloride), 소듐 하이드록사이드(sodium hydroxide), 암모늄 클로라이드(ammonium chloride), 소듐 포스피네이트 모노하이드레이트(sodium phosphinate monohydrate), 아스코르빅산(ascorbic acid), L(+)-아스코르빅산(L(+)-ascorbic acid), 아스코르빅산 유도체(ascorbic acid derivative), 옥살산oxalic acid), 말산(malic acid), 포름산(formic acid), 포스파이트(phosphite), 글루코오스(glucose), 설파이트(sulfite) 및 세틸트리메틸암모늄브로마이드(cetytrimethyl ammonium bromide) 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 환원제는 프룩토오스(fructose) 및 포타슘 브로마이드(potassium bromide)를 단독 또는 2종으로 사용하나는 것이 바람직하다.
상기 (a) 단계의 구리 캡핑제는 성장하는 구리 원자들의 조립을 이방성 상태로 변경하는 화합물이다.
상기 구리 킵핑제는 헥사데실아민(hexadecylamine), 트라이에틸렌다이아민(triethylenediamine), 에틸렌다이아민(ethylenediamine), 프로판-1,3-다이아민(propane-1,3-diamine), 부탄-1,4-다이아민(butane-1,4-diamine), 펜탄-1,5-다이아민(pentane-1,5-diamine), 에틸렌다이아민테트라아세트산(ethylenediamine tetraacetic acid), 1,2-사이클로헥산다이아민-N,N,N′,N′-테트라아세트산(1,2-cyclohexane diamine-N,N,N′,N′-tetraacetic acid), 글리신(glycine), 아스코르브산(ascorbic acid), 이미노다이아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트라이아세트산(nitrilotriacetic acid), 알라닌(alanine), 아르기닌(arginine), 아스파라긴(asparagine), 아스파르트산(aspartic acid), 시스테인(cysteine), 글루탐산(glutamic acid), 글루타민(glutamine), 히스티딘(histidine), 이소류신(isoleucine), 류신(leucine), 라이신(lysine), 메티오닌(methionine), 페닐알라닌(phenylalanine), 프롤린(proline), 세린(serine), 쓰레오닌(threonine), 트립토판(tryptophane), 티로신(tyrosine), 발린(valine), 갈산(galic acid), 붕산(boric acid), 아세트산(acetic acid), 아세톤 옥심(acetone oxime), 아크릴산(acrylic acid), 아디프산(adipic acid), 베타인(betaine), 다이메틸 글리옥심(dimethylgloxime), 포름산(formic acid), 푸마르산(fumaric acid), 글루콘산(gluconic acid), 글루타르산(glutaric acid), 글리세르산(glyceric acid), 글리콜산(glycollic acid), 글리옥실산(glyoxylic acid), 이소프탈산(isophthalic acid), 이타콘산(itaconic acid), 락트산(lactic acid), 말레산(maleic acid), 말레산 무수물(malelic anhydride), 말산(malic acid), 말론산(malonic acid), 만델산(mandelic acid), 2,4-펜탄다이온(2,4-pentandione), 페닐아세트산(phenylacetic acid), 프탈산(phthalic acid), 프롤린(proline), 프로피온산(propionic acid), 피로카테골(pyrocatechol), 피로멜리트산(pyromellitic acid), 퀸산(quinic acid), 소르비톨(sorbitol), 숙신산(succinic acid), 타르타르산(tartaric acid), 테레프탈산(terephthalic acid), 트라이멜리트산(trimellitic acid), 트라이메스산(trimesic acid), 자일리톨(xylitol), 이들의 염 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 구리 캡핑제는 헥사데실아민으로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 구리나노선의 제조방법은 상기 혼합 용액에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 계면활성제는 구리 나노선의 응집을 최소화하고 구리 나노선의 길이를 증가시키고 구리나노선의 폭을 감소시킨다.
상기 계면활성제는 에톡실레이트(ethoxylate), 알콕실레이트(alkoxilate), 에틸렌 옥사이드(ethylene oxide), 프로필렌 옥사이드(propylene oxide) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 계면활성제는 설포네이트(sulfonate), 설페이트(sulfate), 디설포네이트 염(disulfonate salt), 설포숙시네이트(sulfosuccinate), 포스페이트 에스테르(phosphate ester) 및 플루오르 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 (b) 단계에서는 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압반응기에 넣고 60~180℃에서, 바람직하게는 80~120℃에서 6시간 내지 24시간 동안 반응시켜 구리 이온이 구리 금속으로 환원되어 구리나노선이 생성된 반응용액을 제조한다.
만일 온도 범위가 80℃ 미만이면 구리나노선 형태로 성장이 되지 않고 구형의 분말 형태가 형성되고, 120℃를 초과하면 구리나노선의 직경이 400㎚ 이상이 되고 큐빅 형태의 분말이 형성되는 문제점이 발생한다. 또한 만일 반응 시간이 6시간 미만이면 완전한 반응이 이루어지지 않아 구리 분말 및 나노 로드(nano rod) 형태의 짧은 구리나노선이 형성되고, 24시간을 초과하면 구리나노선들 사이에서 응집현상이 발생하여 재분산이 되지않는 문제점이 발생한다.
상기 상압반응기는 대기압 하에서 반응시킬 때 사용하는 통상적인 반응기로 본 발명의 일 실시예에서는 플라스크를 사용하였다
상기 고압반응기는 통상적인 수열합성에 사용되는 반응기를 의미하는 것이다.
본 발명에서의 고압 반응기의 압력범위는 1bar 내지 20 bar인 것을 특징으로 하는 데, 만일 상기 압력범위가 1bar 미만이면 구형 분말이 형성되고, 20bar를 초과하면 직경이 10㎚ 이하인 구리 나노 분말이 형성되는 된는 문제가 발생한다.
본 발명에 따른 상기 (c) 단계는 다음의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a)′상기 나노 구리선을 용매에 분산시켜 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b)′상기 혼합 용액의 상청액을 분리하여 증류수로 재희석하는 단계;및
(c)′상기 (a)′,(b)′를 반복하여 정제하는 단계
또한, 상기 (a)′단계의 용매는 증류수, 메탄올, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 2-펜타논, 3-펜타논 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 제조된 구리 나노선들은 반응용매, 반응 첨가물 및 반응 부산물들을 포함하고 있다. 이는 향후 구리나노선의 전기적인 특성에 영향을 미치기 때문에 상기 용매로 정제과정을 반복하여 정제된 구리나노선을 취득할 수 있다. 상기 반복되는 정제과정에서 구리나노선은 응집 및 재분산 과정이 반복된다.
상기 상청액은 침전 또는 침전물의 상부에 존재하는 액체를 말한다.
상기 용매는 구리나노선의 제조시 사용한 용매와 같은 물질로 구성할 수 있다. 바람직하게는 케톤 또는 증류수를 포함하는 용매일 수 있다.
상기 제조방법에 따라 제조된 구리나노선은 직경이 30㎚ 내지 60nm이고 길이는 30㎛ 내지 50㎛이며 종횡비는 500 내지 2,000인 것을 특징으로 한다.
상기 종횡비는 구리나노선의 직경과 길이의 비로서 종횡비가 높을수록 투과명도가 우수하다는 것을 의미한다.
종횡비가 클수록 높은 투명성을 나타내며, 구리나노선의 낮은 밀도에서 큰 종횡비를 갖는 나노선 들로 인해 더 효율적인 도전 네트워크들이 형성될 수 있다. 즉, 높은 종횡비들을 갖는 구리나노선 들이 사용될 때, 낮은 밀도에서도 나노선 들의 접촉점들이 많아져 도전 특성을 향상된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 구리나노선은 500 내지 2,000의 종횡비를 가지므로 우수한 투과성을 나타냄을 알 수 있다.
본 발명에 따른 잉크 조성물은 상술한 구리나노선, 용매, 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 용매는 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 3가 부탄올, 3가 아밀 알콜, 메틸글리콜, 부톡시 에탄올, 메톡시프로판올, 메톡시프로폭시프로판올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜의 수용성 올리고머, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜의 수용성 올리고머, 글리세롤, 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 글리세롤 에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 계면활성제는 상기 용매 내에서 본 발명에 따라 제조된 구리 나노선이 용이하게 분산되게 하는 것으로, 상기 계면활성제는 에톡실레이트(ethoxylate), 알콕실레이트(alkoxilate), 에틸렌 옥사이드(ethylene oxide), 프로필렌 옥사이드(propylene oxide) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 계면활성제는 설포네이트(sulfonate), 설페이트(sulfate), 디설포네이트 염(disulfonate salt), 설포숙시네이트(sulfosuccinate), 포스페이트 에스테르(phosphate ester) 및 플루오르 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 상기 잉크 조성물은 잉크 조성물 100 중량부를 기준으로 구리나노선이 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 데, 만일 상기 구리나노선의 함량이 0.1 중량부 미만이면 낮은 구리 나노선의 함량으로 인해 전기적 특성이 저하되고, 10 중량부를 초과하면 높은 구리나노선의 함량으로 인해 이를 이용하여 투명전극을 제조하면 투명전극의 투과율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법은 다음의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a)″상기 잉크 조성물을 기판에 코팅하여 투명전도막을 형성하는 단계; 및
(b)″상기 투명전도막을 열소성 또는 광소성하는 단계
상기 (a)″단계의 코팅 공정은 잉크 조성물의 물성에 따라 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 롤투롤 코팅, 그라비아 공정, 슬롯다이(slot die) 공정, 잉크젯 공정, 스크린 공정, 그라비아 공정, 플렉소그래피(flexography) 공정, 옵셋 공정, 그라비아 옵셋 공정, 리버스 그라비아 옵셋 공정, 임플린트 공정 및 바 코팅 방법 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나 특별히 제한되지는 않는다. 본 발명의 일 실시예에서는 스프레이 코팅 또는 슬롯다이 공정을 사용하였다.
상기 (a)″단계의 기판은 투명전도막 형성시 구리나노선을 포함하는 잉크에 대한 우수한 반응성을 갖는 기판으로 금속 기판, 유리 기판, 세라믹 기판, 종이 기판, 섬유 기판, 폴리에스터 기판, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판, 폴리에스터 나프탈레이트 기판, 폴리카보네이트 기판, 폴리올레핀 기판, 폴리비닐 기판, 폴리비닐 클로라이드 기판, 폴리비닐리덴 클로라이드 기판, 폴리비닐 아세탈 기판, 폴리스타이렌 기판, 폴리아크릴레이트 기판, 셀룰로오스 에스터 베이스 기판, 셀룰로오스 트리아세테이트 기판, 셀룰로오소 아세테이트 기판, 폴리에테르설폰 기판, 폴리설폰 기판, 폴리이미드 기판 및 실리콘 기판에서 선택된 어느 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서, 본 발명에 따른 구리나노선을 포함하는 투명전도막은 우수한 박막 특성을 가지며, 강성(rigid) 기판뿐만 아니라 가요성(flexible) 기판에도 사용할 수 있다.
상기 (b)″단계는 상기 (a)″단계에서 형성된 투명전도막을 건조시킨 후, 열 또는 광을 이용하여 구리나노선 간의 접촉 저항을 개선시켜 투명전도막의 전기전도도, 기판과의 접착력 등의 박막특성을 향상시키기 위한 열처리 과정이다.
상기 열처리 과정은 열소성 또는 광소성 과정일 수 있다. 본 발명의 열처리 과정은 광소성 과정을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막 제도방법에서 상기 광소성 과정은 백색광 단펄스를 이용하고, 상기 백색광 단펄스는 1ms 내지 10ms의 펄스 지속 시간, 1ms 내지 50 ms의 펄스 휴지 시간, 1개 내지 100개의 펄스 수 및 1J/㎠ 내지 80J/㎠의 펄스 에너지를 이용하는 것을 특징으로 한다.
상기 백색광 단펄스를 이용하는 이유는 상온 및 대기압 하에서 대면적 소결 및 초고속 소결이 가능하며, 사용하고자 하는 기판에 제한이 없으며, 초고속 소결로 인하여 구리나노선의 산화를 막을 수 있기 때문이다. 상기 펄스 지속 시간은 1ms 내지 10ms이고, 상기 펄스 휴지 시간이 1ms 내지 50ms이며, 펄스 수는 1개 내지 100개인 경우가 본 발명에서는 바람직하다.
펄스 에너지가 1J/㎠ 미만이면 낮은 에너지로 인해 구리나노선의 접촉저항 및 접착력 개선에 영향을 미치지 못하게 되고, 80J/㎠를 초과하면 사용하고자 하는 가요성 기판에 변형이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 구리나노선을 포함하는 잉크를 사용하고, 스프레이 코팅 또는 롤투롤 코팅 공정을 통하여 투명전도막을 제조하였다. 상기 투명전도막은 광투과율이 90% 이상이고 면저항 28Ω/□ 이하인 우수한 특성을 나타내었다.
실시예
실시예
1
상압
반응기를 이용한
구리나노선의
제조
실온에서 탈이온수(DI water) 70 mL와 염화제이구리(CuCl2) 0.23 g을 혼합하고 30분간 교반하였다. 이 혼합물에 프룩토오스(C6H12O6) 0.5g을 첨가한 후 30 분간 교반시켰다. 프룩토오스가 첨가되기 전에는 구리이온이 발생되지 않으나 프룩토오스가 첨가됨에 따라 천천히 구리 이온의 색인 푸른색을 띄었다. 상기 용액에 캡핑제로 헥사데실아민 1.8g을 첨가하여 빠른 속도로 8시간 교반 한 후 최종적으로 포타슘 브로마이드를 0.06g 첨가 후 1시간 교반하여 최종 반응용액을 제조하였다.
제조된 반응 용액을 구형의 플라스크에 넣고 110℃ 오일 베스 내에서 100rpm으로 교반하며 24시간 반응시켜 직경 50~80nm, 길이 30㎛ 이상의 최종 구리 나노선을 제조 하였다.
도 1은 실시예 1의 방법에 의해 제조된 고직선성의 구리나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
실시예
2
상압
반응기를 이용한
구리나노선의
제조
실온에서 탈이온수 70 mL와 염화제이구리(CuCl2) 0.35 g을 혼합하고 30분간 교반하였다. 이 혼합물에 프룩토오스(C6H12O6) 0.5 g을 첨가한 후 30 분간 교반시켰다. 상기 용액에 헥사데실아민(HDA) 1.8g을 첨가하여 빠른 속도로 8시간 교반 한 후 최종적으로 포타슘 브로마이드를 0.05g 첨가 후 1시간 교반하여 최종 반응용액을 제조하였다.
제조된 반응 용액을 구형의 플라스크에 넣고 115℃ 오일 베스 내에서 150rpm으로 교반하며 24시간 반응시켜 직경 36~80nm, 길이 30㎛ 이상의 최종 구리나노선을 제조하였다.
도 2는 실시예 2의 방법에 의해 제조된 고직선성의 구리나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
실시예 1 및 실시예 2에서 확인되는 바와 같이 성분들의 농도, 반응 온도 및 반응 시간을 변화시켜 나노구리선의 직경과 크기를 조절할 수 있다.
표 1은 본 발명에 따라 구리나노선을 제조하기 위한 반응물의 조건 범위를 보여준다.
구리 나노선 제조 조건 범위 | |||
Reactant | Minimun | Maximum | Optimal |
CuCl2 | 0.31% | 0.55% | 0.481% |
Fructose | 0.48% | 0.827% | 0.68% |
HDA | 2.068% | 2.61% | 2.47% |
Potassium bromide | 0.013% | 0.13% | 0.07% |
Temperature | 100℃ | 125℃ | 115∼120℃ |
Time | 6 hours | 24 hours | 24 hours |
비교예
비교예
1
구형 입자 모양을 갖은 구리나노선의 제조
프룩토오스를 0.3%, 헥사데실아민을 1%로 사용했다는 것을 제외 하고는, 실시예 2와 동일하게 구리나노선을 제조하였다. 그 결과 나노선과 함께 구형의 입자 모양을 갖는 구리나노선을 확인할 수 있다.
도 3는 비교예 1의 방법에 의해 제조된 구리나노선의 주사전자현미경 사진이다.
실시예
3
수열합성 반응으로 제조한
나노구리선의
제조
상기 실시예 2에서 오일 베스의 반응온도를 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 최종반응 용액을 제조하였다. 제조된 반응 용액을 수열합성 용기에 넣고 120℃ 오븐 내에서 24시간 반응시켜 직경 32~60nm, 길이 30㎛ 이상의 최종 구리나노선을 제조하였다.
도 4는 실시예 3의 방법에 의해 제조된 고직선성의 구리나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
실시예
4
투명전도막의 제조
실시예1, 실시예2 및 실시예3에 의해 제조된 구리나노선을 증류수, 에탄올 및 메탄올로 정제과정을 반복하여 정제된 구리나노선을 취득하였다. 정제된 구리나노선을 에탄올에 분산시켜 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판에 스프레이 코팅 및 롤투롤 방법으로 각각 투명전도성막을 형성하여 투광율을 관찰하였다.
도 5는 구리나노선을 이용한 투명전도막의 투광율 그래프를 나타낸 것이다.
도 5에서 보는 바와 같이 스프레이 및 슬롯다이 두 코팅방법으로 제조한 투명전도성막은 가시광선 550nm 영역에서 90% 이상의 높은 투광율을 보이며 면저항 역시 28~35Ω/□로 우수한 값을 나타내었다.
Claims (18)
- (a) 증류수에 염화제이구리, 프룩토오스, 포타슘 브로마이드 및 헥사데실아민을 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b) 상기 혼합 용액을 상압 또는 고압 반응기에 넣고 100℃ 내지 125℃ 에서 6시간 내지 24시간 반응시켜 구리나노선이 형성된 반응용액을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 반응용액을 냉각 및 정제하여 구리나노선을 얻는 단계를 포함하는 구리나노선의 제조방법으로서;
상기 혼합 용액 전체 중량을 기준으로 상기 염화제이구리의 함량은 0.31 내지 0.55 중량%, 상기 프룩토오스의 함량은 0.48 내지 0.827 중량%, 상기 헥사데실아민의 함량은 2.068 내지 2.61 중량%, 상기 포타슘 브로마이드의 함량은 0.013 내지 0.13 중량%인 것을 특징으로 하는 구리나노선의 제조방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계의 혼합 용액이 계면 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구리나노선의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 2 항에 있어서, 상기 계면활성제는 에톡실레이트, 알콕실레이트, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 이들의 공중합체 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리나노선 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 계면활성제는 설포네이트, 설페이트, 디설포네이트 염, 설포숙시네이트, 포스페이트 에스테르 및 플루오르 계면활성제 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리나노선 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고압 반응기의 압력범위가 1bar 내지 20bar인 것을 특징으로 하는 구리나노선 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계는
(a)′상기 나노 구리선을 용매에 분산시켜 혼합 용액을 제조하는 단계;
(b)′상기 혼합 용액의 상청액을 분리하여 증류수로 재희석하는 단계;및
(c)′상기 (a)′,(b)′를 반복하여 정제하는 단계를 포함하고,
상기 용매는 증류수, 메탄올, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 2-펜타논 및 3-펜타논 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 구리나노선 제조방법. - 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 구리나노선.
- 제 9 항에서 있어서, 상기 구리 나노선의 직경은 30㎚ 내지 60㎚이고 길이는 30㎛ 내지 50㎛이며 종횡비는 500 내지 2,000인 것을 특징으로 하는 구리나노선.
- 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 구리나노선, 용매, 계면활성제를 포함하는 잉크 조성물.
- 제 11 항에 있어서, 상기 용매는 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 3가 부탄올, 3가 아밀 알콜, 메틸글리콜, 부톡시 에탄올, 메톡시프로판올, 메톡시프로폭시프로판올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜의 수용성 올리고머, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜의 수용성 올리고머, 글리세롤, 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 글리세롤 에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디옥산 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.
- 제 11 항에 있어서, 상기 계면활성제는 에톡실레이트, 알콕실레이트, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 이들의 공중합체 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.
- 제 11 항에 있어서, 상기 계면활성제는 설포네이트, 설페이트, 디설포네이트 염, 설포숙시네이트, 포스페이트 에스테르 및 플루오르 계면활성제 및 이들의 조합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.
- 제 11 항에 있어서, 상기 잉크 조성물은 잉크 조성물 100 중량부를 기준으로 구리나노선이 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.
- (a)″제 11 항의 잉크 조성물을 기판에 코팅하여 투명전도막을 형성하는 단계; 및
(b)″상기 투명전도막을 열소성 또는 광소성하는 단계를 포함하는 투명전도막의 제조방법. - 제 16 항에 있어서, 상기 (a)″단계의 코팅 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 롤투롤 코팅, 그라비아 공정, 슬롯다이(slot die) 공정, 잉크젯 공정, 스크린 공정, 그라비아 공정, 플렉소그래피(flexography) 공정, 옵셋 공정, 그라비아 옵셋 공정, 리버스 그라비아 옵셋 공정, 임플린트 공정 및 바 코팅 방법 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 광소성은 백색광 단펄스를 이용하고, 상기 백색광 단펄스는 1ms 내지 10ms의 펄스 지속 시간, 1ms 내지 50 ms의 펄스 휴지 시간, 1개 내지 100개의 펄스 수 및 1J/㎠ 내지 80J/㎠의 펄스 에너지를 이용하는 것을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130141315A KR101516953B1 (ko) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 구리나노선의 제조방법, 이에 의해 제조된 구리나노선, 잉크 조성물 및 투명전도막의 제조방법 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR101516953B1 true KR101516953B1 (ko) | 2015-05-04 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR101516953B1 (ko) |
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