KR101505700B1 - 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 및 프로세스 - Google Patents
웨이퍼형 물품의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 및 프로세스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101505700B1 KR101505700B1 KR1020107012432A KR20107012432A KR101505700B1 KR 101505700 B1 KR101505700 B1 KR 101505700B1 KR 1020107012432 A KR1020107012432 A KR 1020107012432A KR 20107012432 A KR20107012432 A KR 20107012432A KR 101505700 B1 KR101505700 B1 KR 101505700B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- wafer
- peripheral region
- article
- section
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 306
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
웨이퍼형 물품 (W) 의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 (1) 가 개시된다. 이 디바이스는, 그 에지에서 웨이퍼형 물품을 홀딩하고 회전시키기 위한 홀딩 수단 (20, 50), 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 1 액체 처리 유닛 (30), 및 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 2 액체 처리 유닛 (60) 을 포함한다. 홀딩 수단은 그 에지에서 웨이퍼형 물품을 구동시키기 위한 롤러 (23, 53) 를 포함한다. 제 1 액체 처리 유닛은 주변 영역의 제 1 섹션을 습윤시키기 위해 제 1 액체를 제공하는 제 1 액체 캐리어, 제 1 액체 캐리어에 액체를 공급하는 제 1 액체 공급 노즐, 및 제 1 액체 캐리어로부터 액체를 제거하기 위한 제 1 액체 방출 채널을 포함한다. 제 2 액체 처리 유닛은, 주변 영역의 제 2 섹션을 습윤시키기 위해 제 2 액체를 제공하는 제 2 액체 캐리어, 제 2 액체 캐리어에 액체를 공급하는 제 2 액체 공급 노즐, 제 2 액체 캐리어로부터 액체를 제거하는 제 2 액체 방출 채널, 및 주변 영역으로부터 제 2 액체의 대부분을 제거하기 위해 제 2 액체로 처리되어 있는 주변 영역을 향해 가스를 공급하기 위한 가스 공급 노즐과, 가스 및 제거된 액체를 방출하기 위한 가스 방출 채널을 갖는 제 2 가스 처리 섹션을 포함한다. 또한, 관련 방법이 개시된다.
Description
본 발명은, 웨이퍼형 물품 (wafer-shaped article) 의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 및 프로세스에 관한 것이다.
US 6,435,200 는 디스크형 (disc-like) 물품의 주변 영역을 에칭하기 위한 장치를 개시한다. 척과 대면하지 않는 디스크형 물품의 표면에 액체가 공급되고, 디스크형 물품과 링 사이의 갭에서 홀딩된다.
특정 용도에서, 그 주변 영역을 적절하게 처리하기 위해서, 예를 들어, 주변 지역으로부터 특정층을 제거하기 위해서는, 기계적인 힘 (mechanical force) 이 바람직하다. 때때로, 특정층을 적절하게 제거하기 위해서는 매우 공격적인 조성물 (aggressive composition) 이 사용되어야만 한다. 또한, 이러한 조성물은 장치에 해로울 수도 있다.
WO2003/023825A2 는 웨이퍼형 물품의 주변 지역을 에칭하기 위한 장치를 개시하고 있다. 액체가, 단일의 포인트 (single point) 에 공급되고, 그 직후에 제거된다. 한 번에 오직 하나의 액체만이 공급될 수 있다. 이 액체가 적절하게 제거되지 않으면, 구동 롤러 (driving roller) 가 공격적인 액체와 접촉한다.
본 발명의 목적은, 주변 영역을 철저하게 처리할 수 있고, 해로운 조성물과 접촉하는 기계 부품을 보호하고, 더욱 플렉서블한 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 처리하기 위한 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명은, 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스를 제공함으로써 이러한 목적을 충족시킨다. 이 디바이스는, 웨이퍼형 물품을 그 에지에서 홀딩하고 회전시키기 위한 홀딩 수단, 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 1 액체 처리 유닛, 및 그 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 2 액체 처리 유닛을 포함한다.
홀딩 수단은, 그 에지에서 웨이퍼형 물품을 구동시키기 위한 롤러를 포함한다. 적어도 하나의 롤러는 모터에 의해 구동된다. 롤러는, 웨이퍼형 물품이 축 위치에서 단단하게 고정되도록, 원주 그루브 (circumferential groove) 를 가질 수도 있다.
제 1 액체 처리 유닛은, 주변 영역의 제 1 섹션을 습윤하기 위해 제 1 액체를 제공하는 제 1 액체 캐리어, 액체를 그 제 1 액체 캐리어에 공급하기 위한 제 1 액체 공급 노즐, 및 제 1 액체 캐리어로부터 액체를 제거하기 위한 제 1 액체 방출 채널을 포함한다.
제 2 액체 처리 유닛은, 주변 영역의 제 2 섹션을 습윤하기 위해 제 2 액체를 제공하는 제 2 액체 캐리어, 제 2 액체 캐리어에 액체를 공급하기 위한 제 2 액체 공급 노즐, 제 2 액체 캐리어로부터 액체를 제거하기 위한 제 2 액체 방출 채널, 및 주변 영역으로부터 제 2 액체의 대부분을 제거하기 위해 제 2 액체로 처리되어 있는 주변 영역을 향해서 가스를 공급하기 위한 가스 공급 노즐과, 가스 및 제거된 액체를 방출하기 위한 가스 방출 채널을 갖는 제 2 가스 처리 섹션을 포함한다.
이러한 디바이스에 의해, 기본적으로 2 개의 액체를 혼합하지 않고 2 개의 상이한 액체에 의해 웨이퍼형 물품이 동시에 처리될 수 있다.
예를 들어, 에칭 액체는 주변 영역의 제 1 섹션을 향해서 공급될 수 있고, 여기서, 에칭 액체는 주변 영역의 제 1 특정 섹션만을 습윤한다. 이 제 1 특정 섹션은 그 형상과 형태가 제 1 액체 캐리어와 일치한다. 웨이퍼형 물품을 회전시킴으로써, 습윤된 섹션은 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 따라서 이동한다. 액체의 대부분은 표면 강도에 의해 제거된다. 즉, 주변 영역은 액체 캐리어에 의해 제공된 액체 존을 통해서 이동한다. 액체는 영구적으로 액체 캐리어의 액체 존으로 공급되고 그로부터 제거된다. 따라서, 액체 캐리어 내부의 또는 그 상부의 액체는 영구적으로 보충된다 (renewed). (액체 캐리어 내에 액체 존을 남긴 후에) 액체 잔여물이 웨이퍼형 물품의 주변 영역 상에 남아있는 경우, 공급 노즐에 의해 공급된 것보다 더 적은 양의 액체가 액체 방출 채널을 통해서 제거될 것이다.
주변 영역 상에 남겨진 액체 잔여물은, 주변 영역이 제 2 액체 캐리어에 의해 제공된 제 2 액체 존을 통해서 구동할 때까지, 주변 영역을 더 처리 (에칭 또는 주변 영역과 반응) 할 수도 있다. 제 2 액체 캐리어 내에서의 액체 처리는 제 1 캐리어에서와 동일한 방식으로 발생한다. 액체 처리 이후에, 액체 잔여물은 주변 영역에서 분출되고, 혹시 발생된 미스트 (possibly generated mist) 를 포함하는 가스는 가스 방출 노즐을 통해서 방출된다.
제 2 액체가 세정액인 경우에, 웨이퍼형 물품의 주변 영역은 제 2 액체 처리 유닛을 남겨둔 후에 그리고 제 1 액체 캐리어의 액체 존으로 다시 침지시키기 전에 세정되고 건조된 상태로 유지된다.
본 발명에 따른 디바이스에서, 동시에 공급되지 않아야만 하거나 또는 동시에 공급될 수 없는 2 개의 상이한 에칭 액체로 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 처리하는 것이 가능하다. 제 1 액체는 산화 액체 (예를 들어, 퍼술페이트 용액) 일 수도 있고, 제 2 액체는 유기 액체 (예를 들어, THF, 또는 IPA) 일 수도 있다.
제 1 액체 처리 유닛 뿐만 아니라 제 2 액체 처리 유닛 모두에 의해, 웨이퍼형 물품의 주변 영역의 각각의 섹션과 액체 캐리어 사이에 갭이 형성되도록, 웨이퍼형 물품의 표면에 평행하게 위치된 플레이트로서 액체 캐리어가 형성될 수도 있다. 따라서, 액체는 액체 캐리어와 웨이퍼 사이의 모세관력 (capillary force) 에 의해 홀딩된다. 그 결과, 액체 존은 액체 캐리어에 남아있다.
바람직한 실시형태에서, 제 1 액체 처리 유닛과 제 2 액체 처리 유닛 사이에 어떠한 롤러도 배치되지 않는다. 이는, 주변 영역으로 공급되는 제 1 액체의 잔여물이 롤러와 접촉되지 않는다는 이점을 갖는다. 따라서, 롤러는 항상 웨이퍼형 물품의 건조하고 세정된 에지를 구동한다.
바람직하게, 제 2 액체 처리 유닛은 제 1 액체 처리 유닛보다 더 큰 주변 영역을 처리하도록 구성된다. 따라서, 제 1 액체 처리 유닛에 의해 처리된 주변 영역뿐만 아니라, 제 1 액체 처리 유닛에 의해 처리된 주변 영역보다 더 내측으로 도달하는 영역도 제 2 액체 처리 유닛에 의해 처리된다. 결과적으로, 제 1 액체 처리 유닛의 내부 경계는 양측으로부터 처리된다.
다른 실시형태에서, 제 1 액체 처리 유닛은, 주변 영역으로부터 제 1 액체의 대부분을 제거하기 위해 제 1 액체로 처리된 주변 영역을 향해서 가스를 공급하기 위한 가스 공급 노즐, 및 가스와 제거된 액체를 방출하기 위한 가스 방출 채널을 갖는 가스 처리 섹션을 더 포함한다.
다른 실시형태를 통해서, 적어도 하나의 액체 캐리어는, 그 그루브가 3㎜ 의 최대폭을 갖는 웨이퍼형 물품의 중심을 향해서 개방된 그루브의 형태를 갖는다. 웨이퍼형 물품이 존재하는 경우, 웨이퍼-형상의 물품의 에지는 그루브의 측벽을 터치하지 않고 그루브로 삽입된다. 그루브는 웨이퍼형 물품의 에지를 외피한다 (envelope). 액체가 그루브로 공급될 때, 이 액체는 그루브에서 적하하지 않고 모세관력에 의해 홀딩된다. 이 효과는, 웨이퍼형 물품의 에지가 그루브 내에 존재할 때 더 지지된다 (supported). 웨이퍼형 물품이 약 0.6㎜ 의 두께를 갖는다고 가정하면, 그루브의 측벽들과 웨이퍼형 물품 사이의 갭은, 이 물품이 그루브의 중심에서 홀딩되고, 낮은 표면 강도의 액체가 모세관력에 의해 홀딩될 수 있도록, 충분히 작은 최대 약 1.2㎜ 이다.
적어도 하나의 액체 처리 유닛에 의한 또 다른 실시형태에서, 액체 캐리어 및 액체 제거 섹션 모두는 그 중심을 향해서 개방된 그루브의 형태를 갖고, 여기서 액체 캐리어의 그루브의 폭은 액체 제거 섹션의 그루브의 폭 보다 적어도 1㎜ 만큼 작다. 이는, 액체 캐리어 내의 모세관력에 의해 홀딩되는 액체가 액체 제거 섹션에 의해서는 홀딩되지 않는 유리한 효과로 유도한다. 따라서, 웨이퍼형 물품의 에지가 액체 제거 섹션을 향해서 이동할 때, 액체는 액체 캐리어 내에서 보유된다. 즉, 모세관 (capillary) 은 에지가 액체 캐리어를 떠날 때 억제되고, 대부분의 액체는 액체 캐리어의 그루브에 남게 된다.
다른 실시형태에서, 적어도 하나의 가스 처리 섹션은 웨이퍼형 물품에 대해 서로 대향하는 적어도 2 개의 가스 공급 노즐을 포함한다. 이는, 웨이퍼형 물품의 단지 하나의 측면에서 가스 노즐이 사용되는 경우에 제 1 측면에서 내뿜어진 액체가 웨이퍼형 물품의 제 2 측면으로 에지를 이동시킬 수도 있기 때문에 유리하다.
바람직하게, 웨이퍼형 물품을 홀딩하고 회전시키기 위한 홀딩 수단은 적어도 2 개의 롤러를 포함하는 적어도 하나의 롤러 유닛을 포함한다. 이는, 예를 들어, 그 에지 (예를 들어, 반도체 웨이퍼) 에 노치를 가질 때 웨이퍼형 물품을 회전시키는 것을 돕는다. 이 경우, 바람직하게는 적어도 하나의 롤러 유닛이 모터에 의해 구동되는 적어도 하나의 롤러를 포함한다.
바람직하게, 액체 처리 유닛이 롤러 유닛과 함께 웨이퍼형 물품의 에지로/에지로부터 이동가능하도록, 적어도 하나의 액체 처리 유닛이 구동 유닛에 탑재된다. 이는, 웨이퍼형 물품의 직경과는 거의 개별적으로 에지에 대해 액체 처리 유닛을 조절하는 것을 돕는다.
본 발명의 일 실시형태에서, 제 1 액체 공급 노즐 및 제 2 액체 공급 노즐은 웨이퍼형 물품의 원주에서 측정된 적어도 10㎝ 의 거리에 배치된다.
다른 실시형태에서, 스핀 척 및 그 스핀 척을 둘러싸는 챔버가 롤러의 아래에 배치되어 그 스핀 척이 롤러로부터 직접적으로 웨이퍼형 물품을 수납할 수 있다. 이러한 배치에 의해, 웨이퍼형 물품은 추가적인 처리의 필요성 없이 완전한-표면 처리 직전 또는 직후에 그 에지에서 처리될 수 있다.
바람직하게, 일 액체 처리 유닛에는 액체 처리 (예를 들어, 층의 제거) 를 강화하기 위해 액체의 추가적인 교반을 위한 초음파 트랜스듀서가 장착될 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 처리하기 위한 프로세스이며, 이하의 단계를 포함한다.
- 홀딩 수단을 갖는 그 에지에서 웨이퍼형 물품을 홀딩하고 회전시키는 단계,
여기서, 홀딩 수단은 그 에지에서 웨이퍼형 물품을 구동시키기 위한 롤러를 포함한다.
- 제 1 액체 처리 유닛에 의해 주변 영역의 제 1 섹션을 향해서 제 1 액체를 공급하는 단계,
여기서, 제 1 액체를 공급하는 단계는,
· 웨이퍼형 물품이 회전함에 따라서 그 주변 영역의 섹션이 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 따라서 이동하도록, 상기 주변 영역의 제 1 섹션을 제 1 액체로 습윤시키는 단계, 그리고,
· 제 1 액체의 대부분을 제거하는 단계를 포함하고,
- 제 2 액체 처리 유닛에 의해 주변 영역의 제 2 섹션을 향해서 제 2 액체를 공급하는 단계,
여기서, 제 2 액체를 공급하는 단계는,
·웨이퍼형 물품이 회전함에 따라서 그 주변 영역의 섹션이 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 따라서 이동하도록, 상기 주변 영역의 제 2 섹션을 제 2 액체로 습윤시키는 단계,
· 주변 영역으로부터 제 2 액체의 잔여물을 제거하기 위해 제 2 액체로 처리되어 있는 주변 영역의 섹션을 향해서 가스를 공급하는 단계, 그리고,
· 공급된 가스 및 제거된 액체를 방출하는 단계를 포함한다.
따라서, 웨이퍼형 물품의 주변 지역은 적어도 2 개의 액체에 의해 처리될 수 있다 (여기서, 이 2 개의 액체 모두는 웨이퍼형 물품으로 동시에 공급되고, 하나의 액체 다음에 다른 하나의 액체가 주변 지역의 특정 포인트로 반복적으로 공급된다). 주변 지역의 각각의 포인트는 상이한 액체에 의해 순차적으로 반복적으로 습윤된다 (여기서, 기본적으로 각각의 액체는 다른 액체가 공급되기 전에 제거된다).
본 발명에 따른 바람직한 실시형태에서, 프로세스는 주변 영역으로부터 제 1 액체의 잔여물을 제거하기 위해 제 1 액체로 처리된 주변 영역의 섹션을 향해서 가스를 제공하는 단계, 및 공급된 가스 및 제거된 제 1 액체를 방출하는 단계를 더 포함한다. 이는, 제 1 액체가 공급된 후에 제 1 액체의 잔여물을 감소시킨다.
바람직하게, 제 1 액체는, 제 1 액체 캐리어에 액체를 공급하기 위한 제 1 액체 공급 노즐, 및 제 1 액체 캐리어로부터 액체를 제거하기 위한 제 1 액체 방출 채널을 포함하는, 정지 (stationary) 제 1 액체 캐리어에 의해 제공된다.
웨이퍼형 물품의 에지가, 제 1 액체에 의해 처리된 후 그리고 제 2 액체에 의해 처리되기 전에 롤러를 터치하지 않으면, 제 1 액체는 롤러를 오염시킬 수 없는데, 이는 매우 공격적인 에칭 조성물이 제 1 액체로서 사용되는 경우에 바람직하다.
프로세스의 제 1 실시형태에서, 웨이퍼형 물품은 1 rpm 내지 60 rpm 범위에서 스핀 속도로 회전한다.
프로세스의 다른 실시형태에서, 제 1 액체 공급 노즐 및 제 2 액체 공급 노즐은 서로에 대해 선택된 거리에 배치되고, 스핀 속도는 제 1 액체가 공급되고 나서 제 2 액체가 공급될 때까지의 시간이 1 초 내지 10 초 범위에 놓이도록 각각의 값으로 설정된다.
본 발명의 추가적인 실시형태는 이하의 설명 및 관련 도면에 의해 명백하게 될 것이다.
도 1 은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 디바이스의 개략적인 사시도를 나타낸다.
도 2 는 액체 처리 유닛의 평면도를 나타낸다.
도 3 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 III-III 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 4 는 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 IV-IV 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 5 는 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 V-V 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 6 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 VI-VI 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 7 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 VII-VII 에서의 정면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 8 은 도 1 에서 도시된 디바이스의 단면도를 나타낸다.
도 2 는 액체 처리 유닛의 평면도를 나타낸다.
도 3 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 III-III 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 4 는 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 IV-IV 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 5 는 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 V-V 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 6 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 VI-VI 에서의 측단면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 7 은 도 2 에서 도시된 바와 같이 방향 VII-VII 에서의 정면도로 액체 처리 유닛의 세부사항을 나타낸다.
도 8 은 도 1 에서 도시된 디바이스의 단면도를 나타낸다.
도 1 은 웨이퍼 W 의 주변 영역 P 을 처리하기 위한 디바이스 (1) 를 도시한다. 디바이스는 웨이퍼 W 를 수납하기 위한 환상 챔버 (10; annular chamber) 를 포함한다. 챔버 (10) 의 상부에서, 롤러 유닛 (20) 이 선형 이동 유닛 (21) 과 함께 챔버 (10) 에 탑재되고, 구동 유닛 (50) 이 선형 이동 유닛 (51) 과 함께 챔버 (10) 에 탑재된다. 롤러 유닛 (20) 및 구동 유닛 (50) 은 처리중에 웨이퍼의 회전축 A 에 대해 서로 실질적으로 대향하고 있다.
선형 이동 유닛 (21) 은 회전축 A 에 실질적으로 수직하는 방향 D 를 따라서 롤러 유닛 (20) 을 이동시킬 수 있다. 선형 이동 유닛 (51) 은 회전축 A 에 실질적으로 수직하는 방향 C 를 따라서 구동 유닛 (50) 을 이동시킬 수 있다.
롤러 유닛 (20) 은 아래쪽으로 향하는 돌출축 (downwardly projecting axis) 에 탑재된 비구동 롤러 (23) 를 포함한다.
구동 유닛 (50) 은, 아래쪽으로 향하는 돌출축에 탑재된 구동 롤러 (53) 를 구동하는 모터 (15) 를 포함한다. 이 축은 구동 벨트 (미도시) 에 의해 구동된다.
구동 롤러 (53) 뿐만 아니라 비구동 롤러 (23) 는 원주 그루브를 포함한다.
롤러 유닛 (20) 과 구동 유닛 (50) 이 서로를 향해서 이동될 때, 롤러 (23) 와 롤러 (53) 사이에 위치된 웨이퍼 W 는 그립된다.
롤러 유닛 (20) 에, 제 1 액체 처리 유닛 (30) 의 선형 움직임 B 를 위한 선형 이동 유닛 (25) 이 탑재된다. 선형 움직임 B 는 회전축 A 에 대해 수직하게 수행된다.
구동 유닛 (50) 에, 제 2 액체 처리 유닛 (60) 의 선형 움직임 E 를 위한 선형 이동 유닛 (55) 이 탑재된다. 선형 움직임 E 은 회전축 A 에 대해 수직하게 수행된다.
구동 유닛 (50) 은 방향 R 로 웨이퍼 W 를 구동시킨다.
제 1 액체 처리 유닛 (30) 및 제 2 액체 처리 유닛 (60) 모두는 기본적으로 동일한 형상이고, 이는 도 2, 도 3, 도 4, 도 5, 도 6 및 도 7 을 참조하여 추가적으로 설명된다.
앞서 언급한 바와 같이, 도 2 는 평면도를 나타내는 반면에, 도 3 내지 도 6 은 측단면도를 나타낸다.
액체 처리 유닛은 액체 처리 섹션 (31) 및 가스 처리 섹션 (41) 을 포함한다.
액체 처리 섹션 (31) 은 액체 공급 파이프 (33), 및 액체 방출 파이프 (36) 를 포함한다. 액체 처리 섹션 (31) 은 액체 존으로의 입구 (35) 로부터 액체 존으로부터의 출구 (37) 로 연장한다.
가스 처리 섹션 (41) 은 가스 공급 파이프 (43), 및 가스 방출 파이프 (46) 를 포함한다.
액체 처리는 웨이퍼 W 의 액체 처리된 주변 영역의 폭 X 에서 수행된다.
도 3 은 액체 공급 파이프 (33) 를 통한 액체 처리 섹션 (31) 의 수직 단면도, 및 액체 충진 모세관 (34) 에 대한 확대도를 도시한다. 모세관 (34) (액체 캐리어) 은 2㎜ 의 폭 d1 만큼 내측으로 개방된 그루브이다. 웨이퍼 W 는 그것을 터치하지 않고 모세관 (34) 으로 삽입되어, 웨이퍼 및 그루브가 폭 X 을 오버랩한다. 따라서, 주변 영역 P 가 처리된다. 액체 공급 파이프 (33) 에 의해 공급되는 액체는 액체 공급 노즐 (331) 에 의해 그루브 (34) 로 도입된다.
도 4 는 액체 충진된 모세관 (34) 및 액체 방출 파이프 (36) 를 통한 액체 처리 섹션 (31) 의 수직 단면도이다. 액체는 액체 방출 노즐 (361) 을 통해서 액체 수집 챔버 (362) 로 방출되고 액체 방출 파이프 (36) 를 통해서 또한 방출된다. 액체 방출 파이프는 진공 소스에 연결된다. 모세관의 폭 d1 (액체 캐리어의 그루브의 폭) 은 액체 공급 노즐 (331) 과 동일하다.
선택적으로, 초음파 트랜스듀서 (70) 가 액체 처리 유닛에 부착되어 있다.
도 5 는 가스 처리 그루브 (44) 및 제 1 세트의 가스 공급 노즐 (431) 을 통한 가스 처리 섹션 (41) 의 수직 단면도를 나타낸다. 가스 처리 그루브 (44) 는 d1 보다 상당히 큰 4㎜ 의 폭 d2 를 갖는다. 웨이퍼 W 가 모세관 (34) 에 의해 홀딩되는 액체를 회전시킬 때, 웨이퍼는 모세관 (34) 과 그루브 (44) 사이의 단차 (step) 때문에 가스 처리 그루브 (44) 로 이동하지 않는다. 액체는 모세관 (34) 내에서 얼마간 보류된다.
가스는 가스 공급 파이프 (43) 를 통해서 가스 분배 채널 (433) 로 공급되고, 양 측으로부터 가스 공급 노즐 (431) 을 통해서 웨이퍼의 주변 영역을 향해서 지향된다.
도 6 은 가스 방출 파이프 (46) 및 제 2 세트의 가스 공급 노즐 (432) 을 통한 가스 처리 섹션 (41) 의 수직 단면도를 도시한다. 또한, 제 2 세트의 가스 공급 노즐 (432) 은 가스 분배 채널 (433) 을 통해서 공급된다. 가스 및 미스트는 진공 소스에 연결된 가스 방출 파이프 (46), 및 가스 방출 노즐 (463) 에 의해 제거된다.
도 7 은 중심으로부터 액체 처리 유닛 (30) 의 정면도를 도시한다.
액체 처리 유닛은 액체 처리 섹션 (31) 및 가스 처리 섹션 (41) 을 포함한다.
액체 처리 섹션 (31) 은 액체 존으로의 입구 (35) 로부터 액체 존으로부터의 출구 (37) 로 연장한다. 액체 존 외부의 출구 (37) 는 날카로운 에지 (이 경우에서는, 90°) 를 갖는 단차로서 형성된다. 따라서, 액체는 입구 (35) 와 출구 (37) 사이에서 홀딩된다.
도 8 은 도 1 의 디바이스 (1) 의 단면도를 도시한다. 디바이스는 웨이퍼 W 를 수납하기 위한 환상 챔버 (10) 를 포함한다. 챔버 (10) 의 상부에서, 롤러 유닛 (20) 및 구동 유닛 (50) 이 챔버 (10) 에 탑재된다. (예를 들어, US 5,513,668 에 기재된 바와 같이) 스핀 척 (11) 이 챔버 (10) 의 중심에 위치된다. 스핀 척은 그 수직축 A 를 따라서 수직으로 (V) 이동가능하다. 스핀 척 (11), 롤러 유닛 (20) 및 구동 유닛 (50) 은, 롤러 유닛 (20) 과 구동 유닛 (50) 사이에 웨이퍼가 홀딩될 때 스핀 척 (11) 이 웨이퍼 W 를 직접적으로 수용할 수 있도록 서로에 대해 구성되고 배치된다. 웨이퍼 W 가 스핀 척 (11) 의 핀들에 의해 그립되면, 롤러 유닛 (20) 및 구동 유닛 (50) 은 각각 방향 C 및 방향 D 으로 웨이퍼 W 로부터 멀리 이동된다.
이하, 웨이퍼의 에지 습윤 처리를 위한 2 개의 통상적인 프로세스를 설명한다.
실시예 1 : 희석된 플루오르화 수소 (dHF) 에 의해 에지로부터 실리콘 산화물 층을 제거하기 위한 프로세스:
롤러 유닛 (20) 과 구동 유닛 (50) 사이에 (예를 들어, US 5,762,391 에 기재된 바와 같은 에지-콘택트-온리 그리퍼 (edge-contact-only gripper) 에 의해) 상부로부터 웨이퍼가 로딩된다. 롤러 유닛 (20) 및 구동 유닛 (50) 은, 그 롤러가 웨이퍼를 그립하도록, 서로를 향해서 이동된다. 로딩 이후에, 웨이퍼는 5rpm 의 스핀 속도로 회전된다.
제 1 액체 처리 유닛 (30) 의 액체 캐리어는 25℃ 에서 dHF 로 충진된다. 제 1 액체 캐리어 내의 액체 (dHF) 는 5ml/min 의 흐름으로 보충된다 (renewed).
웨이퍼 W 가 회전되면, 25℃ 에서 탈이온수로 충진된 제 2 액체 처리 유닛 (60) 은 웨이퍼의 에지를 향해서 이동된다. 동시에 또는 직후에, 제 1 액체 처리 유닛 (30) 이 웨이퍼의 에지로 이동된다. 제 2 액체 캐리어 내의 액체 (탈이온수) 는 10ml/min 의 흐름으로 보충된다.
가스 공급 노즐을 통해서 공급된 건조 불활성 가스 (이 예시에서는, 질소) 는 개별적으로 조절되는 흐름 (제 1 액체 처리 유닛에서의 가스 처리를 위해서는 15 l/min 및 제 2 액체 처리 유닛에서의 가스 처리를 위해서는 5 l/min) 을 가지고서 제 1 및 제 2 액체 처리 유닛 모두에서 스위치 온 된다. 웨이퍼 상의 프로세스 영역 (주변 영역) 은 웨이퍼의 전면측 (하부측) 위에서 뿐만 아니라 후면측 (상부측) 위에서 1㎜ (X=1㎜) 로 설정된다. 제 1 액체 처리 유닛의 액체 캐리어의 선택된 그루브는 이에 따라 형성되고 적절한 거리에 위치된다.
제 2 액체 캐리어의 프로세스 영역은, 모든 최종적인 잔류 산이 린싱되고 건조되는 것을 보장하게 위해 제 1 프로세스 영역 보다 약간 크다. 요구되는 프로세스 시간 (1min) 이 경과한 후, 제 1 액체의 액체 흐름은 스위치 오프되고, 잔류 액체는 제 1 액체 캐리어 외부에서 흡인된다. 그후, 제 1 액체 처리 유닛이 제거된다 (방향 B). 웨이퍼의 마지막으로 프로세싱된 부분이 제 2 액체 처리 유닛을 통과할 때까지, 제 2 액체 처리 유닛은 여전히 린싱하고 건조한다. 그후, 제 2 액체 처리 유닛 (60) 이 제거된다 (방향 E). 제 2 액체 처리 유닛 (60) 이 제거된 후, 웨이퍼 W 의 회전은 정지되고, 스핀 척 (11) 은 롤러 (23, 53) 로부터 웨이퍼 W 를 들어올린다. 웨이퍼의 전면측 및/또는 후면측에 대한 규칙적인 도포가 수행될 수 있다 (예를 들어, 액체 디스펜서 (12) 를 통해서 액체가 공급된다).
실시예 2 : 에지 폴리머 제거용 프로세스.
이 프로세스는 기본적으로 이하의 편차를 갖는 실시예 1 에서와 동일한 방식으로 수행된다.
제 1 액체 처리 유닛에 사용된 액체는 황산 및 과산화수소의 혼합물이다.
300kHz 로 트랜스듀서 (70) 를 통해 에지에 초음파 교반이 적용된다.
웨이퍼의 상부 측면은 1㎜ (X=1㎜) 의 주변 영역에서 처리되고 하부 측면은 3㎜ (X=3㎜) 의 주변 영역에서 처리되도록, 액체 캐리어의 그루브가 형성된다. 따라서, 액체 캐리어는 상이한 높이 또는 얼마간의 깊이의 측벽들을 갖는 비대칭 그루브의 형상을 갖는다 (예를 들어, 상부 측벽은 1.5㎜ 의 깊이를 갖는 반면에 하부 측벽은 3.5㎜ 의 깊이를 갖는다).
제 1 액체 처리 유닛에 사용된 액체는 55℃ 의 온도에서 공급된다.
제 2 액체 처리 유닛은 제 1 액체 캐리어와 대략 동일한 형상의 제 2 액체 캐리어를 갖지만, 제 1 액체 캐리어보다 약간 더 내측으로 도달한다.
제 1 액체의 반응시간을 더 유지하기 위해, 제 1 액체는 제 1 액체 처리 유닛에서 불활성 가스에 의해 제거되지 않고, 제 2 액체 처리 유닛이 제 1 액체 (산성 혼합물) 를 린싱할 때까지 웨이퍼 상에 잔류한다.
Claims (18)
- 웨이퍼형 물품 (W) 의 주변 영역을 처리하기 위한 디바이스로서,
- 상기 웨이퍼형 물품 (W) 을 상기 웨이퍼형 물품의 에지에서 홀딩하고 회전시키기 위한 홀딩 수단 (20, 50),
- 상기 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 1 액체 처리 유닛 (30), 및
- 상기 주변 영역을 향해서 액체를 공급하기 위한 제 2 액체 처리 유닛 (60) 을 포함하고,
상기 홀딩 수단은, 상기 웨이퍼형 물품을 상기 웨이퍼형 물품의 에지에서 구동시키기 위한 롤러 (23, 53) 를 포함하고,
상기 제 1 액체 처리 유닛 (30) 은,
· 상기 주변 영역의 제 1 섹션을 습윤시키기 위해 제 1 액체를 제공하기 위한 제 1 액체 캐리어 (31, 34),
· 상기 제 1 액체 캐리어 (31, 34) 에 액체를 공급하기 위한 제 1 액체 공급 노즐 (331), 및
· 상기 제 1 액체 캐리어 (31, 34) 로부터 액체를 제거하기 위한 제 1 액체 방출 채널 (361) 을 포함하고,
상기 제 2 액체 처리 유닛 (60) 은,
· 상기 주변 영역의 제 2 섹션을 습윤시키기 위해 제 2 액체를 제공하기 위한 제 2 액체 캐리어,
· 상기 제 2 액체 캐리어에 액체를 공급하기 위한 제 2 액체 공급 노즐,
· 상기 제 2 액체 캐리어로부터 액체를 제거하기 위한 제 2 액체 방출 채널, 및
· 상기 웨이퍼형 물품의 회전 방향으로 상기 제 2 액체 캐리어의 다운스트림에서 제공된 가스 처리 섹션을 포함하며, 상기 가스 처리 섹션은, 상기 주변 영역으로부터 상기 제 2 액체의 적어도 일부를 제거하기 위해 상기 제 2 액체로 처리되어 있는 상기 주변 영역을 향해서 가스를 공급하기 위한 가스 공급 노즐과, 가스 및 제거된 액체를 방출하기 위한 가스 방출 채널을 갖는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액체 처리 유닛과 상기 제 2 액체 처리 유닛 사이에는 어떠한 롤러도 배치되지 않는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
적어도 하나의 상기 액체 캐리어는 상기 웨이퍼형 물품의 중심을 향해서 개방된 그루브 (34) 의 형태를 갖고,
상기 그루브는 3㎜ 의 최대 폭을 갖는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액체 공급 노즐 및 상기 제 2 액체 공급 노즐은 상기 웨이퍼형 물품의 원주에서 측정된 적어도 10㎝ 의 거리에 배열되는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 디바이스. - 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 처리하기 위한 방법으로서,
- 홀딩 수단에 의해 상기 웨이퍼형 물품의 에지에서 상기 웨이퍼형 물품을 홀딩하고 회전시키는 단계로서, 상기 홀딩 수단은 상기 웨이퍼형 물품의 에지에서 상기 웨이퍼형 물품을 구동시키기 위한 롤러를 포함하는, 상기 홀딩하고 회전시키는 단계;
- 제 1 액체 처리 유닛의 제 1 액체 캐리어에 의해 상기 주변 영역의 제 1 섹션을 향해서 제 1 액체를 공급하는 단계, 및
- 제 2 액체 처리 유닛의 제 2 액체 캐리어에 의해 상기 주변 영역의 제 2 섹션을 향해서 제 2 액체를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 액체를 공급하는 단계는:
· 상기 주변 영역의 상기 제 1 섹션이 상기 웨이퍼형 물품이 회전함에 따라 상기 웨이퍼형 물품의 상기 주변 영역을 따라서 이동하도록, 상기 제 1 액체에 의해 상기 주변 영역의 상기 제 1 섹션을 습윤시키는 단계, 및
· 상기 제 1 액체의 대부분을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 액체를 공급하는 단계는:
· 상기 주변 영역의 상기 제 2 섹션이 상기 웨이퍼형 물품이 회전함에 따라 상기 웨이퍼형 물품의 상기 주변 영역을 따라서 이동하도록, 상기 제 2 액체에 의해 상기 주변 영역의 상기 제 2 섹션을 습윤시키는 단계,
· 상기 웨이퍼형 물품의 회전 방향으로 상기 제 2 액체의 다운스트림에 제공된 가스 처리 섹션에 의해 상기 주변 영역으로부터 상기 제 2 액체의 잔여물을 제거하기 위해 상기 제 2 액체로 처리되어 있는 상기 주변 영역의 섹션을 향해서 가스를 공급하는 단계, 및
· 상기 가스 처리 섹션에 의해 상기 공급된 가스와 제거된 액체를 방출시키는 단계를 포함하는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 웨이퍼형 물품의 에지는, 상기 제 1 액체에 의해 처리된 후 그리고 상기 제 2 액체에 의해 처리되기 전에, 롤러를 터치하지 않는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 방법. - 제 5 항에 있어서,
제 1 액체 공급 노즐 및 제 2 액체 공급 노즐이 서로에 대해 선택된 거리로 배열되고,
상기 제 1 액체가 제거된 때와 상기 제 2 액체가 공급된 때 사이의 시간이 1 초 내지 10 초 범위에 놓이도록, 스핀 속도가 각각의 값으로 설정되는, 웨이퍼형 물품의 주변 영역 처리 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT19062007 | 2007-11-23 | ||
ATATA1906/2007 | 2007-11-23 | ||
PCT/EP2008/065371 WO2009065757A1 (en) | 2007-11-23 | 2008-11-12 | Device and process for wet treating a peripheral area of a wafer-shaped article |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100106339A KR20100106339A (ko) | 2010-10-01 |
KR101505700B1 true KR101505700B1 (ko) | 2015-03-24 |
Family
ID=40300366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107012432A KR101505700B1 (ko) | 2007-11-23 | 2008-11-12 | 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 및 프로세스 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8801865B2 (ko) |
EP (1) | EP2215651A1 (ko) |
JP (1) | JP5336506B2 (ko) |
KR (1) | KR101505700B1 (ko) |
CN (1) | CN102084458B (ko) |
TW (1) | TWI433251B (ko) |
WO (1) | WO2009065757A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5412230B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | コート材除去装置及びコート材除去方法 |
US8858755B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-10-14 | Tel Nexx, Inc. | Edge bevel removal apparatus and method |
US9038262B2 (en) * | 2012-02-23 | 2015-05-26 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Device for holding disk-shaped articles and method thereof |
CN103418563B (zh) * | 2012-05-22 | 2016-12-14 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 晶片边缘清洗装置 |
JP6140439B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び研磨方法 |
JPWO2014129167A1 (ja) * | 2013-02-21 | 2017-02-02 | 凸版印刷株式会社 | 塗布膜除去装置 |
TWI597770B (zh) * | 2013-09-27 | 2017-09-01 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US9640418B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-05-02 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs |
US10249521B2 (en) * | 2016-03-17 | 2019-04-02 | Lam Research Ag | Wet-dry integrated wafer processing system |
WO2018058506A1 (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性触控面板清洗设备 |
DE102017212887A1 (de) | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Gebr. Schmid Gmbh | Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
JP2003077879A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003347271A (ja) | 2002-05-10 | 2003-12-05 | Dns Korea Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP2006120666A (ja) | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59407361D1 (de) * | 1993-02-08 | 1999-01-14 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Träger für scheibenförmige Gegenstände |
AT640U1 (de) * | 1993-10-22 | 1996-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Greifer für halbleiterwafer und andere scheibenförmige gegenstände |
JP4127866B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2008-07-30 | 東京応化工業株式会社 | 基板端縁部被膜の除去方法 |
DE59900743D1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-02-28 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
US6186873B1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Wafer edge cleaning |
US7000622B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
JP3954881B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2007-08-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびそれを備えたメッキ装置 |
US20070062647A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Bailey Joel B | Method and apparatus for isolative substrate edge area processing |
JP3985250B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2007-10-03 | 和夫 田▲邉▼ | ウエーハエッジのエッチング処理装置 |
JP4095478B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-06-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板のエッチング装置及びエッチング方法 |
JP2004214695A (ja) * | 2004-03-22 | 2004-07-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006060161A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4601452B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4594767B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-12-08 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周処理装置 |
KR20080005974A (ko) * | 2005-04-25 | 2008-01-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판의 에지를 세정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2008198667A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-11-12 US US12/743,474 patent/US8801865B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-12 KR KR1020107012432A patent/KR101505700B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-11-12 TW TW097143677A patent/TWI433251B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-11-12 EP EP08852012A patent/EP2215651A1/en not_active Withdrawn
- 2008-11-12 WO PCT/EP2008/065371 patent/WO2009065757A1/en active Application Filing
- 2008-11-12 CN CN200880118477.2A patent/CN102084458B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-12 JP JP2010534445A patent/JP5336506B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
JP2003077879A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003347271A (ja) | 2002-05-10 | 2003-12-05 | Dns Korea Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP2006120666A (ja) | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2215651A1 (en) | 2010-08-11 |
KR20100106339A (ko) | 2010-10-01 |
US8801865B2 (en) | 2014-08-12 |
TW200933794A (en) | 2009-08-01 |
JP2011504653A (ja) | 2011-02-10 |
CN102084458B (zh) | 2014-07-09 |
CN102084458A (zh) | 2011-06-01 |
US20100288312A1 (en) | 2010-11-18 |
TWI433251B (zh) | 2014-04-01 |
JP5336506B2 (ja) | 2013-11-06 |
WO2009065757A1 (en) | 2009-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101505700B1 (ko) | 웨이퍼형 물품의 주변 영역을 습윤 처리하기 위한 디바이스 및 프로세스 | |
KR101280768B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US8122899B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
US8127391B2 (en) | Subtrate treatment apparatus | |
US7802579B2 (en) | Apparatus and method for treating substrates | |
JP5712061B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理ユニット | |
KR101467974B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세척 방법 및 장치 | |
US9346084B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP2005191511A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5481366B2 (ja) | 液処理方法および液処理装置 | |
JP2008027931A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20180054598A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP5192853B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2003034479A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5016525B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2004172573A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101927919B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101052821B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그 방법 | |
KR100831989B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN114429921A (zh) | 晶片加工装置及晶片加工方法 | |
JP5710738B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
JP2001267277A (ja) | ウェハの洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2019129162A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180307 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |