KR101502857B1 - Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 상기 안착홈에 잔류된 공정가스를 용이하게 제거하고자, 분사부재는 공정이 완료되어 기판이 언로딩된 안착홈으로 퍼지가스를 분사한다. 이로 인해 안착홈의 표면은 균일해지며, 이후에 로딩되는 기판은 안착홈으로부터 기울어지지않고 로딩된다.The present invention relates to a substrate supporting member including a susceptor having a mounting groove on which a substrate is mounted and a jetting member having a nozzle for injecting the purge gas into the mounting groove, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method. In the present invention, in order to easily remove the process gas remaining in the mounting recess, the injection member ejects the purge gas to the mounting groove in which the process is completed and the substrate is unloaded. As a result, the surface of the mounting groove becomes uniform, and the substrate to be subsequently loaded is loaded without being tilted from the mounting groove.

Description

기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법{Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate supporting member, a substrate processing apparatus having the substrate supporting member,

본 발명은 반도체 제조장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 기판을 지지하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a substrate supporting member for supporting a semiconductor substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서 기판 상에 박막을 증착하는 방법으로, 금속 유기 화합물과 수소 화합물의 가스 열분해 반응을 이용하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법이 사용되고 있다. 일반적으로 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.As a method of depositing a thin film on a substrate in a semiconductor device fabrication process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method using a gas thermal decomposition reaction of a metal organic compound and a hydrogen compound is used. In general, the substrate used in the thin film deposition process may be, for example, sapphire (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (SiC) substrates used in the manufacture of Epi wafers during the manufacturing process of LEDs, A silicon wafer used for manufacturing an integrated circuit (IC).

이 금속 유기물 화학 기상 증착 방법은 서셉터에 기판의 크기와 동일하거나 이보다 크게 형성된 안착홈으로 기판을 안착시킨 후, 상기 기판으로 공정가스가 공급하여 기판 상에 박막이 증착시킨다. 이후 공정이 완료된 기판은 다음 공정을 위해 챔버로부터 언로딩되고, 잔류된 공정가스는 챔버의 외부로 배출된다. 그러나 장시간동안 진행되는 공정으로 인해 공정가스는 안착홈과 기판 사이에 형성된 틈으로 유입되고, 안착홈에 증착된 공정가스는 쉽게 제거되지 않는다. 이로 인해 안착홈의 표면은 평탄하지 않고, 이후에 로딩되는 기판은 안착홈의 내부에 기울어진 상태로 로딩될 수 있다.In this metal organic chemical vapor deposition method, a substrate is placed on a susceptor by a seating groove formed to be equal to or larger than the size of the substrate, and then a process gas is supplied to the substrate to deposit a thin film on the substrate. Subsequently, the processed substrate is unloaded from the chamber for the next process, and the remaining process gas is discharged to the outside of the chamber. However, due to the prolonged process, the process gas is introduced into the gap formed between the mounting groove and the substrate, and the process gas deposited in the mounting groove is not easily removed. As a result, the surface of the seating groove is not flat, and the substrate to be subsequently loaded can be loaded in a tilted state inside the seating groove.

본 발명은 기판 상으로 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate supporting member capable of improving the uniformity of a thin film deposited on a substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method.

또한 본 발명은 안착홈 내에 반응 부산물을 효과적으로 제거할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate supporting member capable of effectively removing reaction by-products in a mounting groove, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method.

또한 본 발명은 기판이 홈의 내부에 기울어진 상태로 로딩되는 것을 최소화할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate supporting member, a substrate processing apparatus having the substrate supporting member, and a substrate processing method capable of minimizing the loading of the substrate in a tilted state inside the groove.

본 발명은 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다. 일 예에 있어서, 기판처리장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와; 상기 공정가스를 외부로 배기시키는 배기부재를 포함하되; 상기 기판지지부재는, 상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와; 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함한다.The present invention provides a substrate supporting member, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method. In one example, the substrate processing apparatus includes a chamber; A substrate support member for supporting the substrate in the chamber; A gas supply member for supplying a process gas to the substrate; And an exhaust member for exhausting the process gas to the outside; Wherein the substrate supporting member comprises: a susceptor having a seating groove on which the substrate is seated; And a jetting member having a nozzle for jetting the purge gas into the mounting groove.

상기 분사부재는, 상기 서셉터의 상면 중앙부에 위치되며 상기 노즐이 설치되는 몸체를 더 포함하고, 상기 안착홈은 상기 몸체를 감싸도록 복수 개로 배치될 수 있다. 상기 안착홈 및 상기 노즐은 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고, 상기 몸체는 N개의 측벽을 구비하여 상기 측벽들 각각에 상기 노즐이 제공될 수 있다. 상기 배기부재는 상기 서셉터를 둘러싸도록 배치되어 복수 개의 홀을 구비한 링 형상의 배기링을 더 포함할 수 있다. 상기 노즐은 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사질 수 있다. 상기 몸체는 회전할 수 있다.The jetting member may further include a body disposed at a central portion of an upper surface of the susceptor and provided with the nozzle, and the mounting groove may be disposed in plural to surround the body. The mounting groove and the nozzle are provided in N (N is a natural number of 3 or more), and the body has N side walls so that each of the side walls can be provided with the nozzle. The exhaust member may further include a ring-shaped exhaust ring arranged to surround the susceptor and having a plurality of holes. The nozzle may be inclined downwardly away from the body. The body may be rotated.

또한 기판지지부재는 상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와; 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 분사부재를 포함하되; 상기 분사부재는,상기 서셉터의 상면 중앙에 설치되는 몸체와; 상기 몸체와 결합되어 상기 안착홈으로 상기 퍼지가스를 분사하는 노즐을 포함한다.The substrate supporting member may include a susceptor having a seating groove on which the substrate is seated; And a jet member for jetting the purge gas into the mounting groove; Wherein the injection member comprises: a body provided at the center of the upper surface of the susceptor; And a nozzle coupled to the body for spraying the purge gas into the seating groove.

상기 안착홈은 상기 몸체를 둘러싸도록 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고, 상기 노즐은 N개로 제공될 수 있다. 상기 노즐은 N개로 제공된 상기 몸체의 측벽 각각에 설치되어 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사질 수 있다.The mounting grooves are provided in N (N is a natural number of 3 or more) to surround the body, and the nozzles may be provided in N number. The nozzles may be provided on each of the side walls of the body provided with N and may be inclined downward as the body is away from the body.

또한 서셉터에 제공된 안착홈 내에 기판을 안착시켜 공정가스를 공급하는 공정을 수행하는 방법에 있어서, 기판처리방법은 상기 기판이 안착되기 전, 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하여 상기 안착홈의 내부를 퍼지한다.A method of performing a process of supplying a process gas by placing a substrate in a mounting groove provided in a susceptor, wherein the substrate processing method includes the steps of injecting a purge gas into the mounting groove, .

상기 안착홈은 복수 개로 제공되고, 상기 퍼지가스는 상기 서셉터의 중앙에 제공된 노즐에 의해 분사될 수 있다.The mounting grooves are provided in plural, and the purge gas can be injected by a nozzle provided at the center of the susceptor.

본 발명에 의하면, 기판 상으로 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, uniformity of a thin film deposited on a substrate can be improved.

본 발명에 의하면, 기판은 안착홈의 내에 잔류하는 반응 부산물을 효율적으로 제거할 수 있다.According to the present invention, the substrate can efficiently remove the reaction by-products remaining in the mounting groove.

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 기판지지부재를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도3은 본 발명의 일 예인 분사부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도4는 도1의 서셉터에 다른 예의 분사부재가 결합된 상태를 보여주는 평면도이다.
도5는 도4의 몸체를 개략적으로 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
2 is a plan view schematically showing the substrate support member of FIG.
3 is a perspective view schematically showing an injection member, which is an example of the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing a state in which another example of the injection member is coupled to the susceptor of FIG. 1;
Fig. 5 is a perspective view schematically showing the body of Fig. 4;

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리장치(1000)는 챔버(10), 기판지지부재(100), 가스공급부재(200), 배기부재(300), 그리고 히터(400)를 포함한다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 10, a substrate supporting member 100, a gas supplying member 200, an exhaust member 300, and a heater 400.

챔버(10)는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(10)는 하부벽(11), 측벽(12), 그리고 상부벽(13)을 포함한다. The chamber 10 provides a space for the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process to proceed. The chamber 10 is provided in a cylindrical shape. The chamber 10 includes a lower wall 11, a side wall 12, and a top wall 13.

하부벽(11)은 원형으로 제공되어 중앙부에는 홀이 형성된다. 이 홀에는 후술할 회전축(120)이 삽입된다. The lower wall 11 is provided in a circular shape, and a hole is formed at the center thereof. In this hole, a rotation shaft 120 to be described later is inserted.

측벽(12)은 하부벽(11)의 가장자리로부터 수직한 상부 방향으로 연장된다. 측벽(12)은 그 내부에 통로가 제공되어 공정가스가 공급되는 공간을 제공한다. The side wall 12 extends vertically upward from the edge of the lower wall 11. The sidewalls 12 are provided with a passage therein to provide a space for supplying the process gas.

상부벽(13)은 하부벽(11)과 마주보도록 배치되는 링 형상으로 제공되고, 그 가장자리는 측벽(12)으로부터 수직하게 연장된다. 이로 인해 챔버(10)는 상부에 개구가 형성된 원통 형상으로 제공된다. 이 개구에는 도어(14)가 탈착 가능하도록 제공되어 기판(W)이 반입/반출할 수 있다.The upper wall 13 is provided in a ring shape disposed to face the lower wall 11, and the edge extends vertically from the side wall 12. As a result, the chamber 10 is provided in the shape of a cylinder having an opening formed thereon. The door 14 is detachably provided to the opening so that the substrate W can be loaded / unloaded.

도2는 도1의 기판지지부재를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판지지부재(100)는 서셉터(110), 회전축(120), 그리고 분사부재(150)를 포함한다.2 is a plan view schematically showing the substrate support member of FIG. 2, the substrate supporting member 100 includes a susceptor 110, a rotating shaft 120, and a jetting member 150. [

서셉터(110)는 원판의 형상으로 제공된다. 서셉터(110)의 상면에는 상부가 개방된 원형의 안착홈(115)이 복수 개로 제공된다. 각각의 안착홈(115)에는 기판(W)이 안착된다. 일 예에 의하면, 안착홈(115)은 3 개로 제공될 수 있다. 안착홈(115)들은 서셉터(110)의 중심축을 둘러싸도록 배열된다. 또한 안착홈(115)들은 서로 간에 동일한 간격으로 이격되게 배치된다. 안착홈(115)은 그 폭이 기판(W)과 동일하거나 이보다 조금 크게 제공된다. 이로 인해 안착홈(115)의 내측벽과 기판(W)의 외측 사이에는 틈이 형성된다. The susceptor 110 is provided in the form of a disc. The upper surface of the susceptor 110 is provided with a plurality of circular seating grooves 115 having open upper portions. A substrate W is seated in each of the seating grooves 115. According to one example, the seating grooves 115 may be provided in three. The seating grooves 115 are arranged so as to surround the central axis of the susceptor 110. Also, the seating grooves 115 are spaced apart from each other at equal intervals. The seating groove 115 is provided with a width equal to or slightly larger than the width of the substrate W. [ As a result, a gap is formed between the inner wall of the seating groove 115 and the outer side of the substrate W.

본 발명의 일 예에서는 서셉터(110)에 제공된 안착홈(115)을 3 개로 개시하였으나, 이 안착홈(115)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 안착홈(115)은 한 개 또는 두 개로 제공될 수 있고, 이와 달리 네 개 이상으로 제공될 수 있다.The number of the seating grooves 115 provided in the susceptor 110 is three, but the number of the seating grooves 115 is not limited thereto. For example, the seating groove 115 may be provided in one or two, or alternatively, in four or more.

회전축(120)은 그 길이방향이 상하로 제공된 원통 형상을 가진다. 회전축(120)은 서셉터(110)에 회전력을 제공한다. 회전축(120)은 그 일단이 서셉터(110)의 저면 중앙부에 고정 결합되고, 타단은 구동기(미도시)에 결합된다. 이로 인해 회전축(120)은 구동기(미도시)로부터 동력을 제공받아 회전되면, 이와 고정 결합된 서셉터(110)는 회전축(120)과 동시에 회전된다. 예컨대 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.The rotary shaft 120 has a cylindrical shape whose longitudinal direction is provided up and down. The rotating shaft 120 provides rotational force to the susceptor 110. [ One end of the rotary shaft 120 is fixedly coupled to the center of the bottom surface of the susceptor 110, and the other end is coupled to a driver (not shown). Accordingly, when the rotating shaft 120 is rotated by receiving power from a driver (not shown), the susceptor 110 fixedly coupled to the rotating shaft 120 rotates simultaneously with the rotating shaft 120. For example, a driver (not shown) may be a motor.

도3은 본 발명의 일 예인 분사부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도3을 참조하면, 분사부재(150)는 몸체(153), 노즐(155), 공급라인(157)을 포함한다. 3 is a perspective view schematically showing an injection member, which is an example of the present invention. Referring to FIG. 3, the injection member 150 includes a body 153, a nozzle 155, and a supply line 157.

몸체(153)는 삼각기둥의 형상으로 제공된다. 몸체(153)는 서셉터(110)의 상면 중앙부에 고정설치된다. 상부에서 바라볼 때 몸체(153)는 각각의 안착홈(115)과 중첩되지 않도록 제공된다. 또한 몸체(153)의 측벽들 각각은 서셉터(110)의 중심으로부터 각각의 안착홈(115)의 중심을 연결하는 선과 수직을 이룬다. 이로 인해 몸체(153)의 측벽들 각각은 안착홈(115)들과 일대일 대응되도록 배치된다. The body 153 is provided in the form of a triangular prism. The body 153 is fixed to the center of the upper surface of the susceptor 110. The body 153 is provided so as not to overlap with the respective seating recesses 115 when viewed from above. Each of the side walls of the body 153 is perpendicular to a line connecting the centers of the respective seating recesses 115 from the center of the susceptor 110. As a result, each of the side walls of the body 153 is disposed so as to correspond one-to-one with the seating recesses 115.

상술한 몸체(153)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대 몸체(153)는 그 형상이 서셉터(110)에 제공되는 안착홈(115)의 개수에 따라 사각기둥 및 오각기둥 등으로 제공될 수 있다. The shape of the body 153 described above can be variously changed. For example, the body 153 may be provided in a square pillar and a pentagonal column depending on the number of the seating grooves 115 provided in the susceptor 110 in its shape.

노즐(155)은 몸체(153)의 각 측벽에 제공된다. 노즐(155)은 그 측벽으로부터 돌출된 형상으로 제공된다. 노즐(155)은 몸체(153)와 멀어질수록 하향경사질 수 있다. 이로 인해 각각의 노즐(155)은 안착홈(115)과 일대일 대응되도록 배치된다. 노즐(155)은 후술할 공급라인(157)으로부터 퍼지가스를 공급받아 각각의 안착홈(115)에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 선택적으로 각 측벽에는 2 개 이상의 노즐(155)이 제공될 수 있다. 이 경우 각 측벽에는 노즐(155)들은 동일한 높이에 제공되거나 서로 상이한 높이에 제공될 수 있다.A nozzle 155 is provided on each side wall of the body 153. The nozzle 155 is provided in a shape protruding from its side wall. The nozzle 155 may be inclined downward as it is away from the body 153. Thus, the respective nozzles 155 are disposed so as to correspond one-to-one with the seating grooves 115. The nozzle 155 can supply the purge gas from the supply line 157 to be described later and inject the purge gas into each of the seating grooves 115. Optionally, two or more nozzles 155 may be provided on each side wall. In this case, the nozzles 155 on each side wall may be provided at the same height or may be provided at different heights.

다시 도1을 참조하면, 공급라인(157)은 노즐(155)에 퍼지가스를 공급한다. 공급라인(157)은 회전축(120) 및 서셉터(110)의 내부에 배치된다. 공급라인(157)은 서셉터(110)의 상면 중앙부에 설치된 몸체(153)의 내부까지 연장되어 노즐(155)과 연결된다. 이로 인해 공급라인(157)은 회전축(120)으로부터 서셉터(110)를 관통하여 몸체(153)의 측면에 제공된 노즐(155)까지 퍼지가스를 공급할 수 있다. 공급라인(157)은 몸체(153)의 내부에서 각각의 노즐(155)과 연결되도록 분기된다. Referring again to FIG. 1, the supply line 157 supplies purge gas to the nozzles 155. The supply line 157 is disposed inside the rotating shaft 120 and the susceptor 110. The supply line 157 extends to the inside of the body 153 provided at the center of the upper surface of the susceptor 110 and is connected to the nozzle 155. The supply line 157 can supply the purge gas through the susceptor 110 from the rotating shaft 120 to the nozzle 155 provided on the side surface of the body 153. [ The supply line 157 branches to connect with the respective nozzles 155 inside the body 153.

상술한 바와 달리 공급라인(157)은 각각의 노즐(155)에 대응되도록 복수 개로 제공될 수 있다. 이로 인해 각각의 노즐(155)로 공급되는 퍼지가스의 유량 및 분사속도를 서로 상이하게 제공할 수 있다.Unlike the above, the supply line 157 may be provided in plurality so as to correspond to the respective nozzles 155. The flow rate and the injection speed of the purge gas supplied to the respective nozzles 155 can be different from each other.

가스공급부재(200)는 샤워노즐(210)을 포함한다. 샤워노즐(210)은 챔버(10) 내에서 서셉터(110)의 상면과 대응되는 위치에 배치된다. 샤워노즐(210)은 도어(14)의 내부에 형성된 통로를 통해 공정가스를 공급받는다. 샤워노즐(210)은 그 내부에 공급된 공정가스를 임시로 저장할 수 있는 공간를 구비하고, 그 저면에는 상기 공간과 통하여 공정가스를 아래로 토출할 수 있는 토출홀(215)들이 복수 개로 제공된다. 따라서 샤워노즐(210)은 복수 개의 토출홀(215)들을 통해 공정가스를 기판 상으로 균일하게 공급할 수 있다.The gas supply member 200 includes a shower nozzle 210. The shower nozzle 210 is disposed in the chamber 10 at a position corresponding to the upper surface of the susceptor 110. The shower nozzle 210 is supplied with the process gas through the passage formed in the door 14. The shower nozzle 210 has a space for temporarily storing the process gas supplied therein, and a plurality of discharge holes 215 are provided on the bottom surface of the shower nozzle 210, through which the process gas can be discharged. Accordingly, the shower nozzle 210 can uniformly supply the process gas onto the substrate through the plurality of discharge holes 215.

배기부재(300)는 배기링(310) 및 배기관(320)을 포함한다. The exhaust member (300) includes an exhaust ring (310) and an exhaust pipe (320).

배기링(310)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(310)은 챔버(10)의 측벽과 서셉터(110)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(310)은 그 높이가 서셉터(110)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(310)의 상단에는 복수 개의 배기홀들이 나란하게 배열되도록 형성된다. 상기 배기홀들은 배기링(310)의 내부와 통하도록 제공된다. The exhaust ring 310 is provided in a ring shape. The exhaust ring 310 is disposed between the side wall of the chamber 10 and the side of the susceptor 110. The exhaust ring 310 is provided at a height equal to or lower than the height of the susceptor 110. At the upper end of the exhaust ring 310, a plurality of exhaust holes are formed to be arranged in parallel. The exhaust holes are provided to communicate with the inside of the exhaust ring 310.

배기관(320)은 배기링(310)의 하단에 연결되어 배기링을 지지한다. 배기관(320)은 중공을 가진 원통 형상으로 제공된다. 배기관(320)의 내부는 배기링(310)의 내부와 연통된다. 배기관(320)은 외부의 펌프(미도시)와 연결되어 압력이 조절된다. 배기부재(300)는 배기홀을 통해 챔버(10) 내의 압력은 조절하고, 이 압력을 통해 챔버(10) 내에 잔류된 공정가스를 외부로 배출할 수 있다.The exhaust pipe 320 is connected to the lower end of the exhaust ring 310 to support the exhaust ring. The exhaust pipe 320 is provided in a hollow cylindrical shape. The inside of the exhaust pipe (320) communicates with the inside of the exhaust ring (310). The exhaust pipe 320 is connected to an external pump (not shown) to regulate the pressure. The exhaust member 300 can adjust the pressure in the chamber 10 through the exhaust hole and discharge the process gas remaining in the chamber 10 through this pressure to the outside.

히터(400)는 서셉터(110)의 하부에 설치된다. 히터(400)는 상부에서 바라볼 때 나선형 형상으로 배치된다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열할 수 있다. 히터(400)가 기설정된 온도로 서셉터(110)를 가열하면, 이 온도는 서셉터(110)를 통해 기판(W)으로 전도된다. 상술한 바와 달리 히터(400)는 서셉터(110)의 내부에 배치되어 서셉터(110)를 가열할 수 있다.The heater 400 is installed below the susceptor 110. The heater 400 is arranged in a spiral shape when viewed from above. The heater 400 can heat the susceptor 110. When the heater 400 heats the susceptor 110 at a predetermined temperature, the temperature is conducted to the substrate W through the susceptor 110. Unlike the above, the heater 400 may be disposed inside the susceptor 110 to heat the susceptor 110.

다음은, 몸체(153')의 다른 예를 설명한다.Next, another example of the body 153 'will be described.

도4는 도1의 서셉터에 다른 예의 분사부재가 결합된 상태를 보여주는 평면도이고, 도5는 도4의 몸체를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 몸체(153')는 원통의 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 몸체(153')는 각각의 안착홈(115)과 중첩되지 않도록 제공된다. 몸체(153')의 측부에는 복수 개의 노즐(155)들이 상기 측부의 원주면을 따라 나란하게 배열된다. 노즐(155)은 공급라인(157)으로부터 공급되는 퍼지가스를 퍼지한다. 또한 몸체(153')는 서셉터(110)와 독립적으로 회전가능하다. 이로 인해 노즐(155)은 회전하며 퍼지가스를 공급하여 안착홈(115)의 내부에 잔류된 공정부산물을 보다 용이하게 제거할 수 있다. 상술한 예에 의하면, 노즐(155)은 몸체(153')에 복수 개로 제공되었지만, 노즐(155)은 1 개로 제공될 수 있다. 또한 도4에는 각각의 노즐(155)은 동일한 높이에 제공되는 것으로 도시하였지만, 노즐(155)들은 서로 상이한 높이에 제공될 수 있다.FIG. 4 is a plan view showing a state in which another embodiment of the injection member is coupled to the susceptor of FIG. 1, and FIG. 5 is a perspective view schematically showing the body of FIG. 4 and 5, the body 153 'is provided in the shape of a cylinder. The body 153 'is provided so as not to overlap with each of the seating recesses 115 when viewed from above. At the side of the body 153 ', a plurality of nozzles 155 are arranged side by side along the circumferential surface of the side portion. The nozzle 155 purges the purge gas supplied from the supply line 157. The body 153 'is also rotatable independently of the susceptor 110. This allows the nozzle 155 to rotate and supply the purge gas to more easily remove process by-products remaining in the seating groove 115. According to the above example, the plurality of nozzles 155 are provided in the body 153 ', but the nozzles 155 may be provided in one. Although each of the nozzles 155 is shown in FIG. 4 as being provided at the same height, the nozzles 155 may be provided at different heights.

다음은 상술한 본 발명의 일 예에서 개시한 기판처리장치(1000)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법이다. 챔버(10)의 상부벽으로부터 도어(14)가 분리되고, 기판(W)은 서셉터(110)에 형성된 안착홈(115)에 로딩된다. 이후 도어(14)는 상부벽(13)에 장착되어 챔버(10)를 외부로부터 밀폐시키고, 배기부재(300)를 통해 챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지한다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열하여 기판(W)을 기설정 온도까지 가열한다. 서셉터(110)는 회전축(120)에 의해 회전되면, 기판(W)은 서셉터(110)와 동일하게 회전된다. 회전 중인 기판(W)으로 샤워노즐(210)은 공정가스를 분사하여 기판(W) 상으로 박막을 형성한다. 공정이 완료되면, 챔버(10) 내에 잔류된 공정부산물은 배기부재(300)에 의해 제거된다. 이후 도어(14)는 상부벽(13)으로부터 분리되어 챔버(10)의 상부는 개방되면, 기판(W)은 언로딩된다. 이때 안착홈(115)의 표면에는 기판(W)과 안착홈(115) 간의 틈을 통해 유입된 공정가스가 제거되지 않은 채로 잔류된다. 이 잔류된 공정부산물을 제거하기 위해 서셉터(110)의 상면 중앙부에 설치된 분사부재(200)는 각각의 안착홈(115)으로 퍼지가스를 퍼지한다. 분사부재(150)는 퍼지가스를 서셉터(110)의 반경방향으로 분사하여 잔류된 공정부산물을 배기부재(300)가 배치된 방향으로 퍼지한다. 이로 인해 배기부재(300)는 잔류된 공정부산물을 보다 용이하게 제거할 수 있다.The following is a method of processing the substrate W by using the substrate processing apparatus 1000 disclosed in the example of the present invention described above. The door 14 is detached from the upper wall of the chamber 10 and the substrate W is loaded into the seating groove 115 formed in the susceptor 110. [ The door 14 is then mounted on the top wall 13 to seal the chamber 10 from the outside and to maintain the interior of the chamber 10 in a vacuum through the exhaust member 300. The heater 400 heats the susceptor 110 to heat the substrate W to a preset temperature. When the susceptor 110 is rotated by the rotating shaft 120, the substrate W is rotated in the same manner as the susceptor 110. The shower nozzle 210 with a rotating substrate W forms a thin film on the substrate W by spraying a process gas. When the process is completed, the process by-products remaining in the chamber 10 are removed by the exhaust member 300. Thereafter, when the door 14 is separated from the upper wall 13 and the upper portion of the chamber 10 is opened, the substrate W is unloaded. At this time, the process gas introduced through the gap between the substrate W and the seating groove 115 remains on the surface of the seating groove 115 without being removed. In order to remove this residual process byproduct, the injection member 200 installed at the center of the upper surface of the susceptor 110 purges the purge gas into the respective mounting grooves 115. The injection member 150 injects the purge gas in the radial direction of the susceptor 110 to purge the residual process by-products in the direction in which the exhaust member 300 is disposed. This allows the exhaust element 300 to more easily remove residual process byproducts.

이상으로, 본 발명은 금속 유기물 화학 기상 증착 공정을 통해 기판(W)에 증착 공정을 수행하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 설명하였다. 그러나 이는 일 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 기판(W)에 박막을 증착하는 공정이라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다. 또한 기판이 홈에 안착되는 구성이라면 증착 공정 외에서도 사용 가능하다.As described above, the present invention has described a substrate supporting member for performing a deposition process on a substrate W through a metalorganic chemical vapor deposition process, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method. However, this is merely an example, and various changes and modifications can be made within the scope of the present invention without departing from the scope of the present invention if the process of depositing a thin film on the substrate W is performed. Also, if the substrate is placed in the groove, it can be used outside the deposition process.

10: 챔버 100: 기판지지부재
110: 서셉터 150: 분사부재
153: 몸체 155: 노즐
200: 가스공급부재 300: 배기부재
400: 히터10: chamber 100: substrate support member
110: susceptor 150: injection member
153: body 155: nozzle
200: gas supply member 300: exhaust member
400: heater

Claims (11)

챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와;
상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와;
상기 공정가스를 외부로 배기시키는 배기부재를 포함하되;
상기 기판지지부재는,
상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와;
상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함하되,
상기 분사부재는,
상기 서셉터의 상면 중앙부에 위치되며 상기 노즐이 설치되는 몸체를 더 포함하고,
상기 안착홈은 상기 몸체를 감싸도록 복수 개로 배치되며,
상기 노즐은 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사지고,
상기 노즐은 상기 기판이 언로딩된 상기 서셉터에 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber;
A substrate support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying a process gas to the substrate;
And an exhaust member for exhausting the process gas to the outside;
Wherein the substrate support member comprises:
A susceptor having a seating groove on which the substrate is seated;
And a jetting member having a nozzle for jetting purge gas into the mounting groove,
Wherein the injection member
Further comprising a body located at the center of the upper surface of the susceptor and provided with the nozzle,
Wherein the plurality of seating recesses are arranged to surround the body,
Wherein the nozzle is inclined downwardly away from the body,
Wherein the nozzle ejects purge gas to the susceptor in which the substrate is unloaded. 제1항에 있어서,
상기 노즐의 분사구는 상기 안착홈을 향하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein an ejection port of the nozzle is provided so as to face the seating groove. 제1항에 있어서,
상기 안착홈 및 상기 노즐은 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고,
상기 몸체는 N개의 측벽들을 구비하여 상기 측벽들 각각에 상기 노즐이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The mounting groove and the nozzle are provided in N (N is a natural number of 3 or more)
Wherein the body has N sidewalls, each of the sidewalls being provided with the nozzle. 제1항에 있어서,
상기 배기부재는 상기 서셉터를 둘러싸도록 배치되어 복수 개의 홀을 구비한 링 형상의 배기링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the exhaust member further comprises a ring-shaped exhaust ring arranged to surround the susceptor and having a plurality of holes. 삭제delete 제1항 내지 4항 중 어느 한항에 있어서,
상기 몸체는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the body is rotatable. 상면에 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와;
상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함하되,
상기 분사부재는,
상기 서셉터의 상면 중앙에 설치되는 몸체와;
상기 몸체와 결합되어 상기 안착홈으로 상기 퍼지가스를 분사하는 노즐을 포함하고,
상기 안착홈은 상기 몸체를 감싸도록 복수 개로 배치되며,
상기 노즐은 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사지고,
상기 노즐은 상기 기판이 언로딩된 상기 서셉터의 상기 안착홈에 퍼지가스를 분사하는 것 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 기판지지부재.A susceptor having a seating groove on which an upper surface of the substrate is seated;
And a jetting member having a nozzle for jetting purge gas into the mounting groove,
Wherein the injection member
A body installed at the center of the upper surface of the susceptor;
And a nozzle coupled to the body for spraying the purge gas into the seating groove,
Wherein the plurality of seating recesses are arranged to surround the body,
Wherein the nozzle is inclined downwardly away from the body,
Characterized in that the nozzle injects purge gas into the seating groove of the susceptor in which the substrate is unloaded. 제7항에 있어서,
상기 안착홈은 상기 몸체를 둘러싸도록 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고,
상기 노즐은 N개로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판지지부재.8. The method of claim 7,
(N is a natural number of 3 or more) so as to surround the body,
Wherein the nozzles are provided in N number. 제8항에 있어서,
상기 노즐은 N개로 제공된 상기 몸체의 측벽 각각에 설치되어 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사지는 것을 특징으로 하는 기판지지부재.9. The method of claim 8,
Wherein the nozzles are provided on each of the side walls of the body provided with N, and are inclined downward as the body is away from the body. 제1항의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서
상기 서셉터에 제공된 상기 안착홈 내에 상기 기판을 안착시켜 공정가스를 공급하는 공정을 수행하되,
상기 기판이 언로딩된 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하여 상기 안착홈의 내부를 퍼지하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.A method for processing a substrate using the substrate processing apparatus according to claim 1
Placing the substrate in the seating groove provided in the susceptor to supply a process gas,
Wherein the substrate is purged by injecting a purge gas into the unloaded mounting recess. 제10항에 있어서,
상기 안착홈은 복수 개로 제공되고, 상기 퍼지가스는 상기 서셉터의 중앙에 제공된 노즐에 의해 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.11. The method of claim 10,
Wherein a plurality of the seating grooves are provided, and the purge gas is injected by a nozzle provided at the center of the susceptor.
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