KR20150049180A

KR20150049180A - Apparatus for Processing Substrate

Info

Publication number: KR20150049180A
Application number: KR1020130129401A
Authority: KR
Inventors: 김장현
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-10-29
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2015-05-08

Abstract

Disclosed is an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate comprises: a chamber with a processing space formed inside; a susceptor which is located inside the chamber and supports the substrate; a heating unit which is located under the susceptor and heats the substrate; a partitioning plate which is located between the susceptor and heating unit and partitions the processing space into a first space and a second space; and a purge gas supply unit which has a first purge gas supply line supplying purge gas into an interstitial space between the susceptor and partitioning plate.

Description

[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 퍼지 가스(purge gas)를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a purge gas.

반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조를 위해 기판에 박막을 증착하는 공정이 요구된다. 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율 및 고출력 엘이디(LED)의 개발 등에 따라 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법(CVD)들 중 하나로 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판 상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다. 기판은 발광다이오드의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.There is a need for a process for depositing a thin film on a substrate for the production of an integrated circuit such as a semiconductor chip or a light emitting diode (LED). Recently, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) has been attracting attention in the deposition process due to miniaturization of semiconductor devices and development of high-efficiency and high-power LEDs. Metal organic chemical vapor deposition (CVD) is one of chemical vapor deposition (CVD) methods in which a metal compound is deposited and deposited on a substrate using a thermal decomposition reaction of an organic metal. The substrate can be sapphire (Al 2 O 3) and silicon carbide (SiC) substrates used in the manufacture of Epi wafers during the manufacturing process of light emitting diodes, or silicon wafers used in the fabrication of semiconductor integrated circuits (IC).

일반적으로 금속 유기물 화학 기상 증착 장치는 고온의 조건에서 공정을 진행한다. 장치는 기판을 지지하는 서셉터 및 기판을 가열하는 히터를 포함한다. 서셉터에 기판이 안착되면, 히터는 기판을 가열한다. 가열된 기판으로 공정가스가 공급하여 박막을 증착한다. 공정이 진행되는 동안 발생되는 공정가스 및 공정부산물은 기판뿐만 아니라 히터에 부착되어 히터를 산화시키거나 파티클로 작용할 수 있다.Generally, a metalorganic chemical vapor deposition apparatus is operated under a high temperature condition. The apparatus includes a susceptor for supporting the substrate and a heater for heating the substrate. When the substrate is placed on the susceptor, the heater heats the substrate. A process gas is supplied to the heated substrate to deposit a thin film. The process gas and process by-products generated during the process may be attached to the heater as well as the substrate to oxidize the heater or act as a particle.

본 발명은 챔버 내 히터가 제공되는 영역으로 반응 가스가 유입되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a reaction gas from flowing into a region where a heater is provided in a chamber.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성된 챔버와, 상기 챔버의 내부에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 서셉터와, 상기 서셉터의 하부에 위치하여 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과, 상기 서셉터와 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 처리 공간을 제1 공간과 제2 공간으로 구획하는 격판, 및 상기 서셉터와 상기 격판 사이의 틈새 공간으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급라인을 가지는 퍼지 가스 공급 유닛을 포함한다. The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space formed therein, a susceptor disposed inside the chamber, for supporting the substrate, And a heating unit disposed between the susceptor and the heating unit for partitioning the processing space into a first space and a second space and a first space for supplying a purge gas into the space between the susceptor and the partition, And a purge gas supply unit having a purge gas supply line.

일 예에 의하면, 상기 퍼지 가스 공급 유닛은, 상기 제2 공간으로 퍼지 가스를 공급하는 제2 퍼지가스 공급라인을 더 포함하되, 상기 틈새 공간과 상기 제2 공간은 상기 서셉터의 반경 방향의 내측단에서 통하게 제공된다.According to an embodiment, the purge gas supply unit further includes a second purge gas supply line for supplying a purge gas into the second space, wherein the gap space and the second space are located radially inward of the susceptor It is provided through the terminal.

일 예에 의하면, 상기 제1 퍼지가스 공급라인은, 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부를 관통하여 형성된다. According to an embodiment, the first purge gas supply line is formed to penetrate a susceptor supporting portion that supports the susceptor.

일 예에 의하면, 상기 퍼지 가스의 공급 방향은, 상기 서셉터의 반경 방향과 평행하게 상기 틈새 공간으로 공급된다.According to one example, the supply direction of the purge gas is supplied to the clearance space in parallel with the radial direction of the susceptor.

일 예에 의하면, 상기 틈새 공간은, 상기 서셉터의 반경 방향의 외측단에서 상기 제1 공간과 통하게 제공된다. According to one example, the interstitial space is provided communicating with the first space at the radially outer end of the susceptor.

일 예에 의하면, 상기 제1 퍼지가스 공급라인과 상기 제2 퍼지가스 공급라인은, 퍼지가스 공급량을 서로 독립적으로 조절한다. According to an example, the first purge gas supply line and the second purge gas supply line adjust the purge gas supply amounts independently of each other.

본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성된 챔버와, 상기 챔버의 내부에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과, 상기 기판 지지 유닛의 하부에 위치하여 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과, 상기 기판 지지 유닛과 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 처리 공간을 제1 공간과 제2 공간으로 구획하는 격판과, 상기 제1 공간으로 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 유닛, 및 상기 기판 지지 유닛과 상기 격판 사이의 틈새 공간으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급라인을 가지는 퍼지 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판을 지지하는 서셉터와, 상기 서셉터의 상면에 형성되는 기판 수용홈에 위치하는 기판 지지판과, 상기 기판 지지판의 하부에 배치되어 상기 기판 지지판을 부양 및 회전시키는 가스를 공급하는 가스 공급 라인과, 상기 서셉터의 하부에서 상기 서셉터를 지지하고 회전시키는 서셉터 구동부를 포함하고, 상기 반응 가스 공급 유닛은, 상기 서셉터의 중앙영역과 대향되게 위치하고, 그 길이방향이 상기 서셉터에 수직하게 배치되는 노즐과, 상기 노즐의 측면에서 상기 제1 공간으로 상기 반응 가스를 공급하는 복수의 반응 가스 분사구를 포함한다.According to another example of the substrate processing apparatus of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber in which a processing space is formed, a substrate supporting unit disposed inside the chamber, for supporting the substrate, A heating unit arranged to heat the substrate and positioned between the substrate supporting unit and the heating unit, and partitioning the processing space into a first space and a second space; And a first purge gas supply line for supplying a purge gas into the space between the substrate support unit and the partition plate, wherein the substrate support unit comprises: A substrate support plate disposed in a substrate receiving groove formed on an upper surface of the susceptor; And a susceptor driving unit for supporting and rotating the susceptor at a lower portion of the susceptor, wherein the reaction gas supply unit includes a central region of the susceptor, And a plurality of reaction gas ejection openings for supplying the reactive gas from the side surface of the nozzle to the first space.

일 예에 의하면, 상기 퍼지 가스 공급 유닛은, 상기 제2 공간으로 퍼지 가스를 공급하는 제2 퍼지가스 공급라인을 더 포함하되, 상기 틈새 공간과 상기 제2 공간은 상기 서셉터의 반경 방향의 내측단에서 통하게 제공된다. According to an embodiment, the purge gas supply unit further includes a second purge gas supply line for supplying a purge gas into the second space, wherein the gap space and the second space are located radially inward of the susceptor It is provided through the terminal.

일 예에 의하면, 상기 틈새 공간은, 상기 서셉터의 반경 방향의 외측단에서 상기 제1 공간과 통하게 제공된다.According to one example, the interstitial space is provided communicating with the first space at the radially outer end of the susceptor.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버 내 히터가 제공되는 영역으로 반응 가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent the reaction gas from flowing into the region where the heater in the chamber is provided.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버 내 고온의 조건에서 공정 처리 후 반응 가스의 유입으로 인하여 처리 영역과 히터가 제공되는 영역으로 구획하는 상기 격판이 변색 되는 것을 방지할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent discoloration of the partition, which is partitioned into a processing region and a region where the heater is provided, due to the inflow of the reaction gas after the processing at a high temperature in the chamber.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 퍼지 가스 공급 유닛의 다른 실시예를 추가한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 퍼지 가스 공급 유닛의 다른 실시예를 추가한 측면도이다.
도 5는 도 3의 기판 지지 유닛의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 3의 기판 지지 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view of another embodiment of the purge gas supply unit shown in Fig. 1. Fig.
3 is a cross-sectional view schematically showing a part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a side view showing another embodiment of the purge gas supply unit shown in Fig. 3. Fig.
Fig. 5 is a plan view showing an example of the substrate supporting unit of Fig. 3;
Fig. 6 is a cross-sectional view showing an example of the substrate supporting unit of Fig. 3;

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다. Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Therefore, the shapes and the like of the illustrated components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clear explanation.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 엘이디(LED) 제조용 금속 유기 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 사파이어 및 실리콘카바이드 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판 처리 장치는 반도체 칩 제조용 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus is a metal organic chemical vapor deposition apparatus for manufacturing an LED, and the substrate may be a sapphire substrate and a silicon carbide substrate. Alternatively, the substrate processing apparatus may be a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing semiconductor chips, and the substrate may be a silicon wafer.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1에 퍼지 가스 공급 유닛의 다른 실시예를 추가한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. Fig. 2 is a cross-sectional view of another embodiment of the purge gas supply unit shown in Fig. 1. Fig.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 챔버(20), 서셉터(32), 가열 유닛(40), 격판(50), 그리고 퍼지 가스 공급 유닛(70)을 포함한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 각 구성에 대해 상세히 설명한다. 1, a substrate processing apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention includes a chamber 20, a susceptor 32, a heating unit 40, a partition plate 50, and a purge gas supply unit 70). Hereinafter, each configuration will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

챔버(20)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(20)는 직육면체의 통 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(200)는 상부벽(21), 측벽(23), 그리고 하부벽(24)을 가진다. 챔버(20)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간(22)을 가진다. 상부벽(21)은 내부를 개폐할 수 있는 구조로 제공될 수 있다. 작업자는 상부벽(21)을 개방하여 챔버(20) 내부에 제공되는 구조물을 유지 보수할 수 있다. 또한, 작업자는 상부벽(21)을 개방하여 챔버(20)로 기판(S)을 반입하거나, 챔버(20)로부터 기판을 반출할 수 있다. 챔버(20)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 챔버(20)는 스테인레스(stainless) 재질로 제공될 수 있다. The chamber 20 provides a space in which process processing is performed. The chamber 20 may be provided in a cylindrical shape of a rectangular parallelepiped. The chamber 200 has an upper wall 21, a side wall 23, and a lower wall 24. The chamber 20 has a processing space 22 in which a substrate is processed. The upper wall 21 may be provided with a structure capable of opening and closing the inside thereof. The operator can open the upper wall 21 to maintain the structure provided inside the chamber 20. [ Further, the operator can open the upper wall 21 to carry the substrate S into the chamber 20, or take out the substrate from the chamber 20. [ The chamber 20 may be made of a metal material. According to one example, the chamber 20 may be provided of a stainless material.

서셉터(32)는 챔버(20) 내부에 위치한다. 서셉터(32)는 기판(S)을 지지한다. 서셉터(32)는 대체로 원기둥 형상을 가진다. 서셉터(32)의 상면에는 복수의 기판 지지판 수용홈이 제공된다. 기판 지지판 수용홈들에는 기판 지지판(34)이 놓인다.The susceptor 32 is located within the chamber 20. The susceptor 32 supports the substrate S. The susceptor 32 has a substantially cylindrical shape. On the upper surface of the susceptor 32, a plurality of substrate support plate receiving grooves are provided. A substrate support plate (34) is placed in the substrate support plate receiving grooves.

서셉터(32)의 상면 중앙영역에는 중앙홈(36)이 형성된다. 중앙홈(36)에는 노즐(620의 끝단이 위치될 수 있다. 서셉터 지지부(38)는 서셉터(32)의 하부에 위치한다. 서셉터 지지부(38)는 서셉터(32)를 지지, 회전 및 승강시킬 수 있다. A central groove 36 is formed in the center region of the upper surface of the susceptor 32. The end of the nozzle 620 may be located in the central groove 36. The susceptor support 38 is located below the susceptor 32. The susceptor support 38 supports the susceptor 32, And can be lifted and lowered.

가열 유닛(40)은 서셉터(32)의 하부에 위치한다. 가열 유닛(40)은 서셉터(32)의 하면으로부터 소정 거리 이격된다. 가열 유닛(40)은 코일로 제공될 수 있다. 가열 유닛(40)에서 발생된 열은 서셉터(32)와 기판 지지판(34)을 통해 기판(S)으로 전달되며, 기판(S)을 가열한다. 가열 유닛(40)은 공정 진행시 챔버(20) 내부를 공정 온도로 유지한다. 일 예에 의하면, 기판(S)은 가열 유닛(40)에 의해 700℃ 내지 1300℃로 가열될 수 있다.The heating unit 40 is located below the susceptor 32. The heating unit 40 is spaced a predetermined distance from the lower surface of the susceptor 32. The heating unit 40 may be provided with a coil. Heat generated in the heating unit 40 is transferred to the substrate S through the susceptor 32 and the substrate supporting plate 34 to heat the substrate S. [ The heating unit 40 maintains the inside of the chamber 20 at the process temperature during the process. According to one example, the substrate S may be heated by the heating unit 40 to 700 占 폚 to 1300 占 폚.

격판(50)은 상부 격판(50a)와 측부 격판(50b)을 포함한다. 상부 격판(50a)은 서셉터(32)와 가열 유닛(40) 사이에 길이방향으로 배치된다. 측부 격판(50b)은 상부 격판(50a)과 가스 배기 유닛(90)의 내측면의 사이에 높이방향으로 배치된다. 격판(50)은 처리 공간(22)을 제1 공간(22a)과 제2 공간(22b)로 구획한다. 제1 공간(22a)은 기판(S)이 배치되어 처리 공정이 수행되는 공간이다. 제2 공간에는 가열 유닛(40)이 배치된다. 제2 공간(22b)에는 공정 수행 중 퍼지 가스(purge gas)가 공급될 수 있다. 처리 공정이 진행되는 동안 발생되는 공정 가스 및 공정 부산물(이하, 공정 가스 등)은 가열 유닛(40)에 부착되어 가열 유닛(40)을 산화시키거나 파티클(particle)로 작용할 수 있다. 격판(50)은 공정 가스 등이 제2 공간(22b) 내로 유입되는 것을 차단한다. The diaphragm 50 includes an upper diaphragm 50a and a side diaphragm 50b. The upper diaphragm 50a is disposed longitudinally between the susceptor 32 and the heating unit 40. The side partition plates 50b are arranged in the height direction between the upper partition plate 50a and the inner side surface of the gas exhaust unit 90. [ The diaphragm 50 divides the processing space 22 into a first space 22a and a second space 22b. The first space 22a is a space in which the substrate S is disposed and a processing process is performed. A heating unit (40) is disposed in the second space. A purge gas may be supplied to the second space 22b during the process. The process gas and process by-products generated during the treatment process (hereinafter, process gas, etc.) may be attached to the heating unit 40 to oxidize the heating unit 40 or act as a particle. The diaphragm 50 blocks the process gas or the like from entering the second space 22b.

퍼지 가스 공급 유닛(70)은 제1 퍼지가스 공급라인(72)과 제2 퍼지가스 공급라인(74)을 포함한다. The purge gas supply unit 70 includes a first purge gas supply line 72 and a second purge gas supply line 74.

서셉터(32)와 상부 격판(50a) 사이에는 틈새 공간(22c)이 형성될 수 있다. 틈새 공간(22c)은 서셉터(32)의 하부와 상부 격판(50a)의 상부에서 형성된다. 틈새 공간(22c)은 서셉터(32)의 회전 등 기판 처리 장치(10)의 구조적 또는 기능적인 면으로 인해 형성될 수 있다. 틈새 공간(22c)은 서셉터(32)의 반경 방향의 외측단에서 제1 공간(22a)과 통하게 제공된다. 또한, 틈새 공간(22c)은 서셉터(32)의 내측단에서 제2 공간(22b)과 통하게 제공된다. 따라서 공정 가스 등은 틈새 공간(22c)을 통해 제2 공간(22b)으로 유입될 수 있다. 공정 가스 등은 상부 격판(50a)과 제2 공간(22b)에 제공될 수 있다. 유입된 공정 가스 등은 상부 격판(50a)에서 증착(deposition)되거나, 고온에 의한 변색 등의 문제를 발생시킨다. 더불어, 제2 공간(22b)에 위치하는 가열 유닛(40)에 부착되어 산화 등의 문제를 야기할 수 있다.A gap space 22c may be formed between the susceptor 32 and the upper partition plate 50a. The clearance space 22c is formed at the lower portion of the susceptor 32 and at the upper portion of the upper partition plate 50a. The interstitial space 22c may be formed due to the structural or functional aspects of the substrate processing apparatus 10, such as the rotation of the susceptor 32. The clearance space 22c is communicated with the first space 22a at the radially outer end of the susceptor 32. [ Further, the clearance space 22c is communicated with the second space 22b at the inner end of the susceptor 32. [ Therefore, the process gas or the like can be introduced into the second space 22b through the clearance space 22c. Process gas or the like may be provided in the upper partition plate 50a and the second space 22b. The introduced process gas or the like is deposited on the upper partition plate 50a or causes a problem such as discoloration due to high temperature. In addition, it may adhere to the heating unit 40 located in the second space 22b, causing problems such as oxidation.

제1 퍼지가스 공급라인(72)은 틈새 공간(22c)으로 직접 퍼지 가스를 공급한다. 도 1 및 도 2의 챔버(20) 하부 영역의 실선 화살표는 제1 퍼지가스 공급라인(72)을 통해 공급된 퍼지 가스의 흐름을 도시한 것이다. 제1 퍼지가스 공급라인(72)은 서셉터 지지부(38)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 퍼지가스 공급라인(72)은 서셉터 지지부(38)를 관통하여 형성될 수 있다. 제1 퍼지가스 공급라인(72)은 챔버(20)의 하부벽(24)을 관통하여 제2 공간(22b)을 거쳐 틈새 공간(22c)으로 직접 연결된다. 제1 퍼지가스 공급라인(72)의 상부 끝단은 틈새 공간(22c)을 향해 절곡 형성될 수 있다. 퍼지 가스의 공급 방향은 서셉터(32)의 반경 방향과 평행하게 틈새 공간(22c)으로 직접 공급한다. 퍼지 가스(purge gas)는 불활성이며 화학적으로도 안정된 질소(N₂)나 수소(H₂) 등이 이용될 수 있다. The first purge gas supply line 72 supplies the purge gas directly to the clearance space 22c. The solid line arrows in the lower region of the chamber 20 of FIGS. 1 and 2 show the flow of the purge gas supplied through the first purge gas supply line 72. The first purge gas supply line 72 may be disposed on the side of the susceptor support 38. 1 and 2, the first purge gas supply line 72 may be formed through the susceptor support portion 38. In this case, The first purge gas supply line 72 penetrates the lower wall 24 of the chamber 20 and is directly connected to the clearance space 22c through the second space 22b. The upper end of the first purge gas supply line 72 may be bent toward the clearance space 22c. The supply direction of the purge gas is directly supplied to the gap space 22c in parallel with the radial direction of the susceptor 32. The purge gas is inert and chemically stable, such as nitrogen (N ₂ ) or hydrogen (H ₂ ).

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 제1 퍼지가스 공급라인(72)을 통해 틈새 공간(22c)에 퍼지 가스를 공급함으로써, 틈새 공간(22c)에 공정 가스 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 제1 퍼지가스 공급라인(72)에서 분사되는 퍼지 가스(이하, 제1 퍼지가스)는 틈새 공간(22c)을 고압의 상태로 유지하여 공정 가스 등이 유입되는 것을 차단한다.The substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention supplies the purge gas to the clearance space 22c through the first purge gas supply line 72 so that the process gas or the like flows into the clearance space 22c . A purge gas (hereinafter referred to as a first purge gas) injected from the first purge gas supply line 72 keeps the gap space 22c at a high pressure state to block the flow of process gases and the like.

도 2를 참조하면, 제2 퍼지가스 공급라인(74)은 챔버(20)의 하부벽(24)을 관통하여 배치된다. 도 2의 점선 화살표는 제2 퍼지가스 공급라인(74)을 통해 공급된 퍼지 가스의 흐름을 도시한 것이다. 제2 퍼지가스 공급라인(74)은 제2 공간(22b)으로 퍼지 가스를 공급한다. 즉, 제2 퍼지가스 공급라인(74)은 챔버(20)의 하단부에서 제2 공간(22b)으로 퍼지 가스를 공급한다(점선 화살표 흐름 참조). 제2 퍼지가스 공급라인(74)를 통해 공급되는 퍼지 가스(이하, 제2 퍼지가스)는 제2 공간(22b)을 모두 채운 후에야 비로소 틈새 공간(22c)으로 유입될 수 있다. 따라서 제2 퍼지가스는 그 흐름이 원활하지 않고, 압력도 약해 제1 퍼지가스에 비해 틈새 공간(22c)으로 유입되는 것이 용이하지 않다. 따라서 제2 퍼지가스 공급라인(74)은 제1 퍼지가스 공급라인(72)에 추가적 혹은 보완적으로 이용된다.Referring to FIG. 2, a second purge gas supply line 74 is disposed through the lower wall 24 of the chamber 20. The dashed arrows in Fig. 2 show the flow of purge gas supplied through the second purge gas supply line 74. The second purge gas supply line 74 supplies the purge gas to the second space 22b. That is, the second purge gas supply line 74 supplies the purge gas from the lower end of the chamber 20 to the second space 22b (see the dotted arrow flow). The purge gas supplied through the second purge gas supply line 74 (hereinafter referred to as the second purge gas) can be introduced into the clearance space 22c only after the second space 22b is completely filled. Therefore, the flow of the second purge gas is not smooth and the pressure is weak, so that it is not easy to flow into the clearance space 22c as compared with the first purge gas. Therefore, the second purge gas supply line 74 is used additionally or supplementally to the first purge gas supply line 72.

챔버(20) 외부의 제1 퍼지가스 공급라인(72)과 제2 퍼지가스 공급라인(74)에는 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스의 공급량을 각각 조절할 수 있는 조절밸브(73,75)가 배치될 수 있다. 조절밸브(73,75)는 챔버(20)내 온도, 압력 또는 회전속도 등에 따라 제1 또는 제2 퍼지가스의 공급량을 서로 독립적으로 조절할 수 있다.The first purge gas supply line 72 and the second purge gas supply line 74 outside the chamber 20 are provided with regulating valves 73 and 75 capable of regulating the supply amounts of the first purge gas and the second purge gas, respectively . The control valves 73 and 75 can independently adjust the supply amounts of the first and second purge gases according to temperature, pressure, rotation speed, and the like in the chamber 20.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 격판(50)에 반응 가스나 공정 가스 등이 유입되어 격판(50)에서 증착이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 챔버(20) 내 고온의 조건에서 공정 가스 등의 유입으로 인하여 격판(50)이 변색 등이 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 가스 등이 가열 유닛(40)에 부착됨으로써 가열 유닛(40)이 산화되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can prevent the reaction gas, the process gas, and the like from flowing into the diaphragm 50 and causing deposition on the diaphragm 50. In addition, the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can prevent the diaphragm 50 from being discolored due to inflow of process gas or the like under a high temperature condition in the chamber 20. [ In addition, the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can prevent the heating unit 40 from being oxidized by attaching the process gas or the like to the heating unit 40.

가스 배기 유닛(90)은 챔버(20) 내부를 공정 압력으로 유지하고, 챔버(20)에서 발생한 반응 부산물을 챔버(20) 외부로 배기한다. 가스 배기 유닛(90)은 배기홀(91)과 배기 유로(92)를 포함한다. 가스 배기 유닛(90)의 상면은 서셉터(32)의 상면에 대응하거나 그보다 낮게 위치할 수 있다. 가스 배기 유닛(90)의 상면 중 내측 영역에는 배기홀(91)이 형성된다. 배기홀(91)은 복수 개가 제공된다. 배기홀(91)들은 서로 조합되어 링 형상을 이루도록 배치된다.The gas exhaust unit 90 maintains the inside of the chamber 20 at a process pressure and exhausts reaction byproducts generated in the chamber 20 to the outside of the chamber 20. The gas exhaust unit 90 includes an exhaust hole 91 and an exhaust passage 92. The upper surface of the gas exhaust unit 90 may correspond to the upper surface of the susceptor 32 or may be located lower. An exhaust hole (91) is formed in an inner middle area of the upper surface of the gas exhaust unit (90). A plurality of exhaust holes 91 are provided. The exhaust holes 91 are arranged so as to form a ring in combination with each other.

가스 배기 유닛(90)의 내부에는 배기 유로(92)가 형성된다. 배기 유로(92)는 가스 배기 유닛(90)의 내부에 링 형상으로 형성될 수 있으며, 배기홀(91)들과 연통된다.An exhaust passage 92 is formed in the interior of the gas exhaust unit 90. The exhaust flow path 92 can be formed in a ring shape inside the gas exhaust unit 90 and communicated with the exhaust holes 91.

배기홀(91)들에 진공펌프(미도시)로부터 인가된 진공압은 제1 공간(22a)에 인가되며, 제1 공간(22a)에 머무르는 가스는 배기홀(91)들로 유입된다. 가스는 배기홀(91)들 각각에 균일하게 유입될 수 있다.The vacuum pressure applied from the vacuum pump (not shown) to the exhaust holes 91 is applied to the first space 22a, and the gas staying in the first space 22a flows into the exhaust holes 91. The gas can be uniformly introduced into each of the exhaust holes 91. [

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 퍼지 가스 공급 유닛의 다른 실시예를 추가한 측면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a part of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a side view showing another embodiment of the purge gas supply unit.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(200), 기판 지지 유닛(300), 가열 유닛(400), 격판(500), 반응 가스 공급 유닛(600), 그리고 퍼지 가스 공급 유닛(700)을 포함한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 각 구성에 대해 상세히 설명한다. 다만, 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치와 중복되는 일부 구성요소와 관련하여 반복되는 설명은 생략한다.3 and 4, a substrate processing apparatus 100 according to a second embodiment of the present invention includes a chamber 200, a substrate supporting unit 300, a heating unit 400, a partition plate 500, A supply unit 600, and a purge gas supply unit 700. Hereinafter, each configuration will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Repeated descriptions will be omitted with respect to some components overlapping with the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 지지 유닛의 일 예를 보여주는 평면도이다. 기판 지지 유닛(300)은 챔버(200) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 복수 매의 기판(S)을 동시에 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 서셉터(320), 기판 지지판(340), 가스 공급 라인(360), 그리고 서셉터 구동부(380)를 포함한다.5 is a plan view showing an example of a substrate holding unit of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention. The substrate support unit 300 supports the substrate S inside the chamber 200. The substrate supporting unit 300 supports a plurality of substrates S at the same time. The substrate support unit 300 includes a susceptor 320, a substrate support plate 340, a gas supply line 360, and a susceptor driver 380.

서셉터(320)는 챔버(200) 내부에 위치한다. 서셉터(320)는 기판(S)을 지지한다. 서셉터(320)는 대체로 원기둥 형상을 가진다. 서셉터(320)의 상면에는 복수의 기판 지지판 수용홈(322)이 제공된다. 기판 지지판 수용홈(322)은 원형 홈으로 제공될 수 있다. 기판 지지판 수용홈(322)들에는 기판 지지판(340)이 놓인다. 일 예에 의하면, 기판 지지판 수용홈(322)은 서셉터(320)의 상면 가장자리 영역에 제공된다. 기판 지지판 수용홈(322)들은 서로 조합하여 링 형상으로 배치될 수 있다.The susceptor 320 is located inside the chamber 200. The susceptor 320 supports the substrate S. The susceptor 320 has a substantially cylindrical shape. On the upper surface of the susceptor 320, a plurality of substrate support plate receiving grooves 322 are provided. The substrate support plate receiving groove 322 may be provided with a circular groove. A substrate support plate 340 is placed in the substrate support plate receiving grooves 322. According to one example, the substrate support plate receiving grooves 322 are provided in the upper surface edge region of the susceptor 320. The substrate support plate receiving grooves 322 may be arranged in a ring shape in combination with each other.

기판 지지판 수용홈(322)들의 바닥면에는 돌기(323), 분사홀(324), 그리고 안내홈(325)이 형성된다. 돌기(323)는 기판 지지판 수용홈(322)의 바닥면 중앙에서 소정 높이로 돌출된다. 분사홀(324)은 돌기(323) 주변에 복수 개 형성된다. 분사홀(324)들은 가스를 공급하는 가스 공급 라인(360)들과 연결된다. 가스 공급 라인(360)들은 기판 지지판(340)의 하부에 배치된다. 분사홀(324)들로부터 분사된 가스는 기판 지지판 수용홈(322)에 놓인 기판 지지판(340)을 부양시킨다. 안내홈(325)은 복수 개 형성되며, 분사홀(324)들과 각각 연결된다. 안내홈(325)은 소정 길이를 가지며 라운드지게 제공된다. 안내홈(325)은 분사홀(324)에서 분사된 가스의 흐름을 안내한다. 가스는 안내홈(325)을 따라 이동하며, 부양된 기판 지지판(340)을 회전시킨다. 상술한 바와 달리 기판 지지판은 장치에 제공되지 않고, 기판 지지판 수용홈(322)에는 기판이 직접 놓일 수 있다. Projections 323, injection holes 324, and guide grooves 325 are formed on the bottom surfaces of the substrate support plate receiving grooves 322. The protrusion 323 protrudes from the center of the bottom surface of the substrate support plate receiving groove 322 to a predetermined height. A plurality of injection holes 324 are formed around the projections 323. The injection holes 324 are connected to gas supply lines 360 for supplying gas. The gas supply lines 360 are disposed below the substrate support plate 340. The gas ejected from the ejection holes 324 floats the substrate support plate 340 placed in the substrate support plate receiving groove 322. A plurality of guide grooves 325 are formed and connected to the injection holes 324, respectively. The guide groove 325 has a predetermined length and is provided round. The guide groove 325 guides the flow of the gas injected from the injection hole 324. The gas moves along the guide groove 325 and rotates the floated substrate support plate 340. Unlike the above, the substrate support plate is not provided in the apparatus, and the substrate can be directly placed in the substrate support plate receiving groove 322. [

서셉터(320)의 상면 중앙영역에는 중앙홈(321)이 형성된다. 중앙홈(321)에는 노즐(620)의 끝단이 위치될 수 있다. A central groove 321 is formed in the central region of the upper surface of the susceptor 320. The end of the nozzle 620 may be positioned in the central groove 321.

서셉터 구동부(380)는 서셉터(320)의 하부에 위치한다. 서셉터 구동부(380)는 서셉터(320)를 지지, 회전 및 승강시킨다. 서셉터 구동부(380)는 회전축(381) 및 모터(382)를 포함한다. 회전축(381)은 서셉터(320)의 하부에서 서셉터(320)를 지지한다. 모터(382)는 회전축(381)을 회전시킨다. 일 예에 의하면, 모터(382)는 기판 지지판(340)이 회전되는 동안, 서셉터(320)를 회전시킬 수 있다. The susceptor driving unit 380 is positioned below the susceptor 320. The susceptor driving unit 380 supports, rotates, and lifts the susceptor 320. The susceptor driving unit 380 includes a rotating shaft 381 and a motor 382. The rotating shaft 381 supports the susceptor 320 at a lower portion of the susceptor 320. The motor 382 rotates the rotation shaft 381. According to one example, the motor 382 may rotate the susceptor 320 while the substrate support plate 340 is rotated.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 지지 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing an example of a substrate supporting unit of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 기판 지지판(340)은 두께가 얇은 원판 형상을 가진다. 기판 지지판(340)은 공정 진행시 기판 지지판 수용홈(322)에 수용된다. 기판 지지판(340)의 상면에는 기판 수용홈(341)이 형성된다. 기판 수용홈(341)은 소정 깊이로 형성되며, 기판(S)을 수용한다. 기판 수용홈(341)은 기판(S)의 반경에 상응하거나 그보다 조금 큰 반경을 가질 수 있다. 기판 지지판(340)의 저면에는 고정홈(342)이 형성된다. 고정홈(342)에는 기판 지지판 수용홈(322)의 바닥면에 형성된 돌기(323)가 삽입된다. 기판 지지판(340)은 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 지지판(340)은 흑연 재질로 제공될 수 있다. 기판 지지판(340)은 복수 개 제공되며, 하나의 기판 지지판(340)은 하나의 기판 지지판 수용홈(322)에 수용된다. Referring to FIG. 6, the substrate support plate 340 has a thin disk shape. The substrate support plate 340 is received in the substrate support plate receiving groove 322 during the process. A substrate receiving groove 341 is formed on an upper surface of the substrate supporting plate 340. The substrate receiving groove 341 is formed to a predetermined depth, and receives the substrate S. The substrate receiving groove 341 may have a radius corresponding to or slightly larger than the radius of the substrate S. [ A fixing groove 342 is formed on the bottom surface of the substrate support plate 340. The projection 323 formed on the bottom surface of the substrate support plate receiving groove 322 is inserted into the fixing groove 342. [ The substrate support plate 340 may be provided with a material having a high electrical conductivity. For example, the substrate support plate 340 may be provided with a graphite material. A plurality of substrate supporting plates 340 are provided, and one substrate supporting plate 340 is accommodated in one substrate supporting plate receiving groove 322.

상술한 바와 달리 기판 지지판(340)에는 고정홈(342)이 제공되지 않고, 기판(S)은 기판 지지판(340)의 상면에 직접 놓일 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리 하나의 기판 지지판(340)에는 복수의 기판(S)이 동시에 놓일 수 있다.The substrate S can be directly placed on the upper surface of the substrate supporting plate 340 without providing the fixing groove 342 in the substrate supporting plate 340. [ In addition, unlike the above, a plurality of substrates S may be placed on one substrate support plate 340 at the same time.

가열 유닛(400)은 코일로 제공될 수 있다. 코일은 동일 높이에서 나선 형상으로 회전축(381) 주변에 복수 회 감기도록 제공될 수 있다. The heating unit 400 may be provided as a coil. The coil may be provided so as to be wound plural times around the rotary shaft 381 in a spiral shape at the same height.

반응 가스 공급 유닛(600)은 제1 공간(220a)으로 반응 가스를 공급한다. 반응 가스 공급 유닛(600)은 노즐(620)과 반응 가스 분사구(640)를 포함한다. The reaction gas supply unit 600 supplies the reaction gas to the first space 220a. The reaction gas supply unit 600 includes a nozzle 620 and a reactive gas injection port 640.

노즐(620)은 서셉터(320)의 중앙영역과 대향되게 위치한다. 노즐(620)은 챔버(200)의 상부벽(210) 중앙에 장착된다. 노즐(620)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 배치된다. 따라서 노즐(620)은 그 길이방향이 서셉터(320)의 상면에 수직하게 배치된다. 일 예에 의하면, 노즐(620)은 서셉터(320)의 중심축 상에 놓일 수 있다. 노즐(620)의 끝단은 서셉터(320)의 중앙홈(321)에 위치한다. 노즐(620)의 상단은 챔버(200)의 상부벽(210)에 의해 지지될 수 있다. 노즐(620)은 내부에 복수 개로 구획된 공간을 가질 수 있다. 각각의 구획된 공간에는 다른 종류의 반응 가스가 공급될 수 있다. The nozzle 620 is positioned to face the central region of the susceptor 320. The nozzle 620 is mounted in the center of the upper wall 210 of the chamber 200. The nozzle 620 is arranged such that its longitudinal direction is directed up and down. Accordingly, the nozzle 620 is disposed so that its longitudinal direction is perpendicular to the upper surface of the susceptor 320. [ According to one example, the nozzle 620 may be placed on the center axis of the susceptor 320. An end of the nozzle 620 is located in the center groove 321 of the susceptor 320. The top of the nozzle 620 may be supported by the top wall 210 of the chamber 200. The nozzle 620 may have a plurality of spaces defined therein. A different kind of reaction gas may be supplied to each of the divided spaces.

노즐(620)의 측면에는 복수의 반응 가스 분사구(640)들이 형성된다. 반응 가스 분사구(640)들은 서로 다른 높이에 제공된다. 반응 가스 분사구(640)들은 각각 위에서 아래로 순차적으로 제공될 수 있다. 반응 가스 분사구(640)들은 각각 복수의 홀로 제공될 수 있다. 홀은 원형으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반응 가스 분사구(640)들은 각각 일정 높이에서 노즐(620)의 측벽을 따라 제공되어, 전체적으로 링 형상으로 배치될 수 있다. 반응 가스 분사구(640)들은 제1 공간(220a)으로 반응 가스를 공급한다. 각각의 반응 가스 분사구(640)들에서는 다른 종류의 반응 가스가 분사될 수 있다. 다른 종류의 반응 가스는 서로 반응하여 기판(S) 상에 증착된다.A plurality of reaction gas ejection openings 640 are formed on the side surface of the nozzle 620. The reaction gas ejection openings 640 are provided at different heights. The reaction gas ejection openings 640 may be sequentially provided from top to bottom. The reaction gas ejection openings 640 may be provided in a plurality of holes, respectively. The holes may be provided in a circular shape. According to an example, the reaction gas ejection openings 640 may be provided along the side wall of the nozzle 620 at a constant height, and may be arranged in a ring shape as a whole. The reaction gas ejection openings 640 supply the reaction gas to the first space 220a. Different reaction gases may be injected at the respective reaction gas injection openings 640. The other kind of reaction gas reacts with each other and is deposited on the substrate (S).

퍼지 가스 공급 유닛(700)은 제1 퍼지가스 공급라인(720)과 제2 퍼지가스 공급라인(740)을 포함한다. 기판 지지 유닛(300)과 상부 격판(500a) 사이에는 틈새 공간(220c)이 형성될 수 있다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 퍼지가스 공급라인(720)은 서셉터 구동부(380)의 측면에 배치될 수 있다. The purge gas supply unit 700 includes a first purge gas supply line 720 and a second purge gas supply line 740. A gap space 220c may be formed between the substrate supporting unit 300 and the upper partition plate 500a. As shown in FIGS. 3 and 4, the first purge gas supply line 720 may be disposed on the side of the susceptor driving unit 380.

라이너 유닛(800)은 공정 진행시 반응 부산물이 챔버(200) 내벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(800)은 챔버(200) 내부에 위치하며, 챔버(200) 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(800)은 챔버(200) 내벽에 반응 가스가 부착되거나, 챔버(200) 내벽이 손상되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(800)은 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)를 포함한다.The liner unit 800 prevents reaction by-products from depositing on the inner wall of the chamber 200 during the process. The liner unit 800 is located inside the chamber 200 and protects the inner wall of the chamber 200. The liner unit 800 prevents the reaction gas from adhering to the inner wall of the chamber 200 or damaging the inner wall of the chamber 200. The liner unit 800 includes an upper liner 810 and a side liner 820.

상부 라이너(810)는 두께가 얇은 판 형상을 가진다. 상부 라이너(810)는 서셉터(320)의 상부에서 서셉터(320)의 상면과 나란하게 배치된다. 상부 라이너(810)는 챔버(200)의 상부벽(210)으로부터 아래 방향으로 이격하여 위치한다. 상부 라이너(810)는 서셉터(320)의 상면보다 큰 면적을 가진다. 상부 라이너(810)의 중심에는 통공이 형성된다. 통공에는 노즐(620)이 삽입된다. 챔버(200)의 상부벽(210)에는 상부 라이너(810)와 챔버(200)의 상부벽(210) 사이로 가스를 공급하는 가스 공급 라인(미도시)이 연결될 수 있다. 가스는 공정 진행시 상부 라이너(810)를 냉각한다.The upper liner 810 has a thin plate shape. The top liner 810 is disposed parallel to the top surface of the susceptor 320 at the top of the susceptor 320. The top liner 810 is spaced downwardly away from the top wall 210 of the chamber 200. The upper liner 810 has a larger area than the upper surface of the susceptor 320. A through hole is formed at the center of the upper liner 810. The nozzle 620 is inserted into the through hole. The upper wall 210 of the chamber 200 may be connected to a gas supply line (not shown) for supplying gas between the upper liner 810 and the upper wall 210 of the chamber 200. The gas cools the top liner 810 during processing.

측부 라이너(820)는 상·하면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된 통 형상을 가진다. 측부 라이너(820)는 상부 라이너(810)의 하부에서 상부 라이너(810)를 지지한다. 측부 라이너(820)는 상부 라이너(810)에 상응하는 반경을 가진다. 측부 라이너(820)의 상단에는 상부 라이너(810)가 놓인다. 측부 라이너(820)는 서셉터(320)의 상부 영역을 감싸도록 배치된다. 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)에 의해 감싸여지는 공간은 기판에 대한 공정 처리가 수행되는 처리 공간(220)으로 제공된다.The side liner 820 has upper and lower openings and a tubular shape in which a space is formed therein. The side liner 820 supports the top liner 810 at the bottom of the top liner 810. The side liner 820 has a radius corresponding to the top liner 810. A top liner 810 is placed on top of the side liner 820. The side liner 820 is disposed to surround the upper region of the susceptor 320. The space enclosed by the upper liner 810 and the side liner 820 is provided to the processing space 220 where the processing for the substrate is performed.

상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)는 챔버(200)보다 내열성이 우수한 재질로 제공된다. 예컨대, 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)는 그라파이트 재질로 제공될 수 있다.The upper liner 810 and the side liner 820 are provided with a material superior in heat resistance to the chamber 200. For example, the top liner 810 and the side liner 820 may be provided with a graphite material.

상부 라이너(810)는 체결 부재(830)에 의해 챔버(200)의 상부벽(210)에 고정된다. 체결 부재(830)는 플랜지(831)와 볼트(832)를 포함한다. 플랜지(831)는 통공이 형성된 상부 라이너(810)의 내측단에 고정 체결된다. 볼트(832)는 챔버(200)의 상부벽(210)과 플랜지(831)를 체결한다.The upper liner 810 is secured to the upper wall 210 of the chamber 200 by a fastening member 830. The fastening member 830 includes a flange 831 and a bolt 832. The flange 831 is fastened to the inner end of the upper liner 810 with the through-hole formed therein. The bolt 832 engages the flange 831 with the top wall 210 of the chamber 200.

가스 배기 유닛(900)의 상면 중 외측 영역에는 측부 라이너(820)가 놓인다. 가스 배기 유닛(900)의 상면은 측부 라이너(820)를 지지할 수 있다.A side liner 820 is placed on the outside of the top surface of the gas exhaust unit 900. The upper surface of the gas exhaust unit 900 can support the side liner 820.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10, 100 : 기판 처리 장치 20, 200 : 챔버
22, 220 : 처리 공간 22a, 220a : 제1 공간
22b, 220b : 제2 공간 22c, 220c : 틈새 공간
300 : 기판 지지 유닛 32, 320 : 서셉터
34, 340: 기판 지지판 40, 400 : 가열 유닛
50, 500 : 격판 60, 600 : 반응 가스 공급 유닛
62, 620 : 노즐 64, 640 : 반응 가스 분사구
70, 700 : 퍼지 가스 공급 유닛 72, 720 : 제1 퍼지가스 공급라인
74, 740 : 제2 퍼지가스 공급라인 800 : 라이너 유닛
90, 900 : 가스 배기 유닛 91, 910 : 배기홀
92, 920 : 배기 유로10, 100: substrate processing apparatus 20, 200: chamber
22, 220: processing space 22a, 220a: first space
22b, 220b: a second space 22c, 220c: a gap space
300: substrate holding unit 32, 320: susceptor
34, 340: substrate supporting plate 40, 400: heating unit
50, 500: diaphragm 60, 600: reaction gas supply unit
62, 620: nozzle 64, 640: reaction gas nozzle
70, 700: purge gas supply unit 72, 720: first purge gas supply line
74, 740: second purge gas supply line 800: liner unit
90, 900: gas exhaust unit 91, 910: exhaust hole
92, 920:

Claims

In the substrate processing apparatus,
A chamber having a processing space formed therein;
A susceptor positioned within the chamber and supporting the substrate;
A heating unit positioned below the susceptor to heat the substrate;
A diaphragm disposed between the susceptor and the heating unit, the diaphragm dividing the processing space into a first space and a second space; And
And a purge gas supply unit having a first purge gas supply line for supplying purge gas into the space between the susceptor and the partition.

The method according to claim 1,
The purge gas supply unit includes:
And a second purge gas supply line for supplying the purge gas into the second space,
Wherein the gap space and the second space are communicated at an inner end in the radial direction of the susceptor.