KR101395240B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버의 내부를 배기시키는 배기부재를 구비하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 배기부재는 배기링 및 차단판을 포함한다. 배기링은 복수 개의 배기홀들을 구비한다. 각각의 배기홀을 통해 챔버의 내부는 배기된다. 그러나 열팽창으로 인해 각각의 배기홀의 직경은 상이해지고, 차단판은 상기 배기홀들의 개구율을 균등하도록 조절한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus having an exhaust member for exhausting the interior of a chamber and a substrate processing method. The exhaust member includes an exhaust ring and a blocking plate. The exhaust ring has a plurality of exhaust holes. The inside of the chamber is evacuated through each exhaust hole. However, due to the thermal expansion, the diameters of the respective exhaust holes become different, and the blocking plate adjusts the opening ratio of the exhaust holes to be even.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Apparatus and method for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 기판을 지지하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supporting a semiconductor substrate.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서 기판 상에 박막을 증착하는 방법으로, 금속 유기 화합물과 수소 화합물의 가스 열분해 반응을 이용하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)공정이 사용되고 있다. 일반적으로 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.As a method of depositing a thin film on a substrate in the process of manufacturing a semiconductor device, a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process using a gas thermal decomposition reaction of a metal organic compound and a hydrogen compound is used. In general, the substrate used in the thin film deposition process may be, for example, sapphire (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (SiC) substrates used in the manufacture of Epi wafers during the manufacturing process of LEDs, A silicon wafer used for manufacturing an integrated circuit (IC).

이 금속 유기물 화학 기상 증착 공정은 복수 개의 배기홀들을 통해 챔버의 내부를 진공상태로 유지하고, 서셉터에 안착된 기판을 기설정된 온도까지 가열한 후, 상기 기판으로 공정가스를 공급하여 박막을 증착한다. 이때 챔버의 내부는 1000℃이상으로 고온을 유지되며, 배기홀들은 챔버의 내부를 펌핑하여 챔버의 내부 압력을 일정하게 유지시킨다.In this metal organic chemical vapor deposition process, the interior of the chamber is maintained in a vacuum state through a plurality of exhaust holes, a substrate placed on the susceptor is heated to a predetermined temperature, and a process gas is supplied to the substrate to deposit a thin film do. At this time, the inside of the chamber is kept at a high temperature of 1000 ° C or higher, and the exhaust holes pumping the inside of the chamber to keep the internal pressure of the chamber constant.

그러나 상기 공정은 장시간동안 진행됨에 따라 각각의 배기홀의 직경은 챔버의 내부 온도로 인해 팽창되고, 이는 초기 조건(배기홀의 개방면적)에서 벗어나게 된다. 또는 경우에 따라 배기홀의 직경이 서로 상이하게 변형되어 챔버 내 영역에 따라 배기압력이 상이해진다. 이는 기판에 증착되는 박막 균일도에 대한 신뢰성을 저하시킨다.However, as the process progresses for a long time, the diameter of each exhaust hole is expanded due to the internal temperature of the chamber, which deviates from the initial condition (opening area of the exhaust hole). Or the diameters of the exhaust holes are deformed differently from each other as the case may be, and the exhaust pressure differs depending on the region in the chamber. This lowers the reliability of thin film uniformity deposited on the substrate.

본 발명은 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the uniformity of a thin film deposited on a substrate.

본 발명은 각각의 배기홀 간에 발생하는 배기압력의 차이를 최소화할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing a difference in exhaust pressure generated between respective exhaust holes.

본 발명은 열 팽창으로 인해 배기홀의 직경이 변경됨에 따라 초기 조건(배기홀의 개방 면적)이 변경되는 것을 최소화할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing an initial condition (opening area of an exhaust hole) from changing as the diameter of the exhaust hole changes due to thermal expansion.

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다. 본 발명의 일 예에 있어서, 기판처리장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 상기 챔버 내에서 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와; 상기 챔버로부터 상기 공정가스를 외부로 배출시키는 배기부재를 포함하되; 상기 배기부재는, 상기 기판지지부재를 감싸는 링 형상으로 제공되고, 복수 개의 배기홀들을 구비하는 배기링과; 상기 배기홀의 개구율을 조절하는 차단판을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. In one example of the present invention, a substrate processing apparatus includes a chamber; A substrate support member for supporting the substrate in the chamber; A gas supply member for supplying a process gas into the substrate in the chamber; And an exhaust member for exhausting the process gas from the chamber to the outside; Wherein the exhaust member is provided in a ring shape surrounding the substrate support member and includes a plurality of exhaust holes; And a shield plate for adjusting the aperture ratio of the exhaust hole.

상기 차단판은 각각의 상기 배기홀과 일대일 대응되도록 복수 개로 제공되고, 서로 간에 독립적으로 이동할 수 있다. 상기 배기링은 그 높이가 상기 기판지지부재와 동일하거나 이보다 낮게 제공되고, 상기 배기홀들은 상기 배기링의 상단에 나란하게 배열될 수 있다. 상기 차단판은 상기 배기링 내에 위치될 수 있다. 상기 차단판은 상기 배기링의 원주방향을 따라 이동될 수 있다. 상기 기판지지부재는, 상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터를 더 포함하되; 상기 안착홈은 상기 서셉터의 중심축을 감싸도록 복수 개로 배치될 수 있다.The blocking plates are provided in a plurality of one-to-one correspondence with the respective exhaust holes, and can move independently of each other. The exhaust ring may be provided at a height equal to or lower than that of the substrate support member, and the exhaust holes may be arranged in parallel to the upper end of the exhaust ring. The blocking plate may be located in the exhaust ring. The blocking plate can be moved along the circumferential direction of the exhaust ring. The substrate supporting member may further include a susceptor having a seating groove on which the substrate is seated on an upper surface thereof, The seating grooves may be arranged in plural to surround the central axis of the susceptor.

또한 본 발명의 일 예와 달리 상기 차단판은 하나의 구동부재에 의해 동시 이동할 수 있다.Also, unlike an example of the present invention, the blocking plate can be moved simultaneously by one driving member.

또한 본 발명의 일 예에 있어서, 상기 기판처리장치를 이용하여 상기 기판을 처리하는 기판처리방법은 상기 기판지지부재에 기판을 로딩하고, 상기 기판으로 상기 공정가스를 공급하여 공정을 수행하며, 상기 공정가스는 상기 배기홀들의 일부의 개구율이 서로 간에 상이한 상태로 배기된다.In one embodiment of the present invention, the substrate processing method for processing the substrate using the substrate processing apparatus includes the steps of loading the substrate on the substrate support member, supplying the process gas to the substrate, The process gas is exhausted such that the opening ratios of a part of the exhaust holes are different from each other.

상기 기판을 처리하는 공정은 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD)방법 일 수 있다.The step of processing the substrate may be a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.

본 발명에 의하면, 기판 상에 균일한 박막을 증착할 수 있다.According to the present invention, a uniform thin film can be deposited on a substrate.

본 발명에 의하면, 각각의 배기홀 간에 발생하는 배기압력의 차이를 최소화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to minimize the difference in exhaust pressure generated between the respective exhaust holes.

본 발명에 의하면, 열 팽창으로 인해 배기홀의 직경이 변경됨에 따라 초기 설정조건(배기홀의 개방 면적)이 변경되는 것을 최소화할 수 있다.According to the present invention, since the diameter of the exhaust hole changes due to the thermal expansion, it is possible to minimize the change of the initial setting condition (the opening area of the exhaust hole).

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 배기부재를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도3은 도1의 배기부재를 a-a'방향으로 절단한 단면도이다.
도4는 배기링 내에서 차단판들이 독립적으로 이동된 상태를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
Fig. 2 is a plan view schematically showing the exhaust member of Fig. 1; Fig.
3 is a cross-sectional view taken along the line a-a 'of the exhaust member of Fig. 1;
4 is a cross-sectional view showing the state in which the blocking plates are independently moved in the exhaust ring.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도1은 본 발명의 기판처리장치(1000)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리장치(1000)는 챔버(10), 기판지지부재(100), 가스공급부재(200), 배기부재(300), 그리고 히터(400)를 포함한다. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus 1000 according to the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 10, a substrate supporting member 100, a gas supplying member 200, an exhaust member 300, and a heater 400.

챔버(10)는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(10)는 하부벽(11), 측벽(12), 그리고 상부벽(13)을 포함한다. The chamber 10 provides a space for the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process to proceed. The chamber 10 is provided in a cylindrical shape. The chamber 10 includes a lower wall 11, a side wall 12, and a top wall 13.

하부벽(11)은 원형으로 제공되어 중앙부에는 홀이 형성된다. 이 홀에는 후술할 회전축(120)이 삽입된다. The lower wall 11 is provided in a circular shape, and a hole is formed at the center thereof. In this hole, a rotation shaft 120 to be described later is inserted.

측벽(12)은 하부벽(11)의 가장자리로부터 수직한 상부 방향으로 연장되는 중공의 원통 형상으로 제공된다. 측벽(12)은 그 내부에 통로가 제공되어 공정가스가 공급되는 공간을 제공한다. The side wall 12 is provided in the shape of a hollow cylinder extending vertically upward from the edge of the lower wall 11. The sidewalls 12 are provided with a passage therein to provide a space for supplying the process gas.

상부벽(13)은 하부벽(11)과 마주보도록 배치되는 링 형상으로 제공되고, 그 가장자리는 측벽(12)으로부터 수직하게 연장된다. 이로 인해 챔버(10)는 상부에 개구가 형성된 원통 형상으로 제공된다. 이 개구에는 도어(14)가 탈착 가능하도록 제공된다. 개구에 도어(14)가 장착 시 챔버(10)는 외부로부터 밀폐된다. 도어(14)는 후술할 샤워헤드와 일체형으로 제공될 수 있다.The upper wall 13 is provided in a ring shape disposed to face the lower wall 11, and the edge extends vertically from the side wall 12. As a result, the chamber 10 is provided in the shape of a cylinder having an opening formed thereon. A door 14 is detachably provided in this opening. When the door 14 is fitted to the opening, the chamber 10 is sealed from the outside. The door 14 may be provided integrally with a showerhead to be described later.

기판지지부재(100)는 서셉터(110) 및 회전축(120)을 포함한다.The substrate support member 100 includes a susceptor 110 and a rotation axis 120.

서셉터(110)는 원판의 형상으로 제공된다. 서셉터(110)의 상면에는 원형의 안착홈(115)들이 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 안착홈(115)들은 3 개로 제공될 수 있다. 안착홈(115)들은 서셉터(110)의 중심축을 감싸도록 배열된다. 또한 안착홈(115)들은 서로 간에 동일한 간격으로 이격된다. 안착홈(115)은 그 폭이 기판(W)과 동일하거나 이보다 조금 크게 제공될 수 있다.The susceptor 110 is provided in the form of a disc. On the upper surface of the susceptor 110, a plurality of circular seating grooves 115 are provided. According to one example, the seating grooves 115 may be provided in three. The seating grooves 115 are arranged to surround the center axis of the susceptor 110. Further, the seating grooves 115 are spaced apart from each other at equal intervals. The seating groove 115 may be provided with a width equal to or slightly larger than that of the substrate W. [

본 발명에서 상술한 서셉터(110)는 그 일 예로 3 개의 안착홈(115)을 제공한다. 그러나 서셉터(110)에 제공된 안착홈(115)의 개수는 이에 한정된 것이 아니며, 이보다 많거나 적게 제공될 수 있다.The susceptor 110 described above in the present invention provides three seating grooves 115 as an example thereof. However, the number of the seating grooves 115 provided in the susceptor 110 is not limited to this, and more or less can be provided.

회전축(120)은 그 길이방향이 상하로 제공된 원통 형상을 가진다. 회전축(120)은 서셉터(110)에 회전력을 제공한다. 회전축(120)은 그 일단이 서셉터(110)의 저면 중앙부에 고정 결합되고, 타단은 구동기(미도시)에 결합된다. 이로 인해 회전축(120)은 구동기로부터 동력을 제공받아 회전되고, 이와 결합된 서셉터(110)는 회전축(120)과 동시에 회전되다. 예컨대 구동기(미도시)는 모터일 수 있다. The rotary shaft 120 has a cylindrical shape whose longitudinal direction is provided up and down. The rotating shaft 120 provides rotational force to the susceptor 110. [ One end of the rotary shaft 120 is fixedly coupled to the center of the bottom surface of the susceptor 110, and the other end is coupled to a driver (not shown). As a result, the rotating shaft 120 is rotated by receiving power from the driving unit, and the susceptor 110 coupled thereto is rotated simultaneously with the rotating shaft 120. For example, a driver (not shown) may be a motor.

가스공급부재(200)는 샤워헤드(210)를 포함한다. The gas supply member 200 includes a shower head 210.

샤워헤드(210)는 원통의 형상으로 제공된다. 샤워헤드(210)는 챔버(10) 내에서 서셉터(110)의 상면과 대응되도록 배치된다. 샤워헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 각각의 기판(W)과 중첩될 수 있다. 샤워헤드(210)는 도어(14)의 내부에 형성된 통로를 통해 공정가스를 공급받는다. 샤워헤드(210)는 그 내부에 공급된 공정가스가 임시로 저장되는 공간과 그 저면에 상기 공간과 통하는 토출홀(211)들을 복수 개로 구비한다. 이로 인해 샤워헤드(210)는 기판(W)으로 공정가스를 균일하게 토출할 수 있다. The showerhead 210 is provided in the shape of a cylinder. The showerhead 210 is disposed so as to correspond to the upper surface of the susceptor 110 in the chamber 10. The showerhead 210 may overlap the respective substrates W when viewed from above. The shower head 210 is supplied with the process gas through a passage formed in the door 14. The shower head 210 has a space for temporarily storing the process gas supplied therein and a plurality of discharge holes 211 communicating with the space on the bottom surface thereof. This allows the showerhead 210 to uniformly discharge the process gas to the substrate W. [

도2는 도1의 배기부재(300)를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도3은 도1의 배기부재(300)를 a-a'방향으로 절단한 단면도이다. 도2 및 도3을 참조하면, 배기부재(300)는 배기링(310), 차단판(315), 그리고 배기관(320)을 포함한다. FIG. 2 is a plan view schematically showing the exhaust member 300 of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line a-a 'of the exhaust member 300 of FIG. 2 and 3, the exhaust member 300 includes an exhaust ring 310, a blocking plate 315, and an exhaust pipe 320.

배기링(310)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(310)은 챔버(10)의 측벽(12)과 서셉터(110)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(310)은 그 높이가 서셉터(110)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(310)의 상단에는 복수 개의 배기홀(311)들이 제공된다. 배기홀(311)들은 배기링(310)의 상단에서 원주방향을 따라 형성된다. 배기링(310)은 내부에 배기홀(311)과 통하는 공간이 형성된다.The exhaust ring 310 is provided in a ring shape. The exhaust ring 310 is disposed between the side wall 12 of the chamber 10 and the side of the susceptor 110. The exhaust ring 310 is provided at a height equal to or lower than the height of the susceptor 110. At the upper end of the exhaust ring 310, a plurality of exhaust holes 311 are provided. The exhaust holes 311 are formed along the circumferential direction at the upper end of the exhaust ring 310. The exhaust ring 310 has a space communicating with the exhaust hole 311 therein.

차단판(315)은 배기링(310)의 내부에 위치한다. 차단판(315)은 배기홀(311)의 개구율과 동일하거나 이보다 크게 형성된다. 차단판(315)은 복수 개로 제공되며, 각각의 배기홀(311)과 일대일 대응되도록 원주방향을 따라 배치된다. 차단판(315)은 서로 간에 독립적으로 이동이 가능하다. 각각의 차단판(315)에는 실린더(316)가 연결되고, 이 실린더는 차단판(315)을 배기링(310)의 원주방향으로 이동시킬 수 있다. 각각의 차단판(315)은 배기홀(311)들 간의 배기율이 모두 동일하게 유지될 수 있도록 조절한다. 차단판(315)은 공정 전, 각각의 위치를 설정하고, 그 설정된 위치는 공정 진행 중에 그 위치가 고정될 수 있다. 선택적으로 각각의 차단판(315)은 그 위치가 공정 중에도 변경될 수 있다.The blocking plate 315 is located inside the exhaust ring 310. The blocking plate 315 is formed to be equal to or larger than the opening ratio of the exhaust hole 311. A plurality of the blocking plates 315 are provided and arranged along the circumferential direction so as to correspond one-to-one with the respective exhaust holes 311. The blocking plate 315 is movable independently of each other. A cylinder 316 is connected to each of the blocking plates 315 and this cylinder can move the blocking plate 315 in the circumferential direction of the exhaust ring 310. Each blocking plate 315 is adjusted so that the exhaust rates between the exhaust holes 311 are all kept equal. The blocking plate 315 sets each position before the process, and its set position can be fixed in position during the process. Alternatively, each blocking plate 315 can be changed in position during the process.

배기관(320)은 중공을 가진 원통 형상으로 제공된다. 배기관(320)은 그 일단이 배기링(310)의 하단과 연결되어 배기링(310)을 지지한다. 배기관(320)의 내부는 배기링(310)의 내부 공간과 연통된다. 배기관(320)의 타단은 외부의 펌프(미도시)와 연결된다. 이로 인해 펌프는 배기링(310)에 형성된 배기홀(311)을 통해 챔버(10)의 내부 압력을 조절할 수 있고, 챔버(10) 내에 잔류된 공정부산물을 외부로 배출시킬 수 있다.The exhaust pipe 320 is provided in a hollow cylindrical shape. One end of the exhaust pipe 320 is connected to the lower end of the exhaust ring 310 to support the exhaust ring 310. The inside of the exhaust pipe (320) communicates with the internal space of the exhaust ring (310). The other end of the exhaust pipe 320 is connected to an external pump (not shown). This allows the pump to adjust the internal pressure of the chamber 10 through the exhaust hole 311 formed in the exhaust ring 310 and to discharge the process byproducts remaining in the chamber 10 to the outside.

히터(400)는 서셉터(110)의 하부에 설치된다. 히터(400)는 상부에서 바라볼 때 나선형의 형상으로 배치된다. 히터(400)는 서셉터(110)에 안착된 기판(W)을 가열하기 위해 기설정된 온도로 서셉터(110)를 가열하면, 이 온도는 서셉터(110)를 통해 기판(W)으로 전도된다. 이는 서셉터(110) 및 기판(W) 뿐만 아니라 챔버(10)의 내부 온도도 증가된다.The heater 400 is installed below the susceptor 110. The heater 400 is arranged in a spiral shape when viewed from above. The heater 400 heats the susceptor 110 at a predetermined temperature to heat the substrate W placed on the susceptor 110 and this temperature is conducted to the substrate W through the susceptor 110. [ do. This increases the internal temperature of the chamber 10 as well as the susceptor 110 and the substrate W. [

상술한 바와 달리 히터(400)는 서셉터(110)의 내부에 설치되어 서셉터(110)를 가열할 수 있다.Unlike the above, the heater 400 may be installed inside the susceptor 110 to heat the susceptor 110.

다음은 상술한 일 예의 기판처리장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법이다. 도4는 도3의 차단판(315)이 이동된 상태를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 기판(W)은 서셉터(110)에 형성된 안착홈(115)에 로딩된다. 도어(14)는 상부벽(13)에 장착되어 챔버(10)를 외부로부터 밀폐시킨다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열하여 기판(W)을 기설정 온도까지 가열하고, 배기링(310)과 연결된 펌프는 배기홀(311)을 통해 챔버(10)의 내부압력을 진공상태로 유지시킨다. 기판(W)의 온도가 기설정된 공정온도까지 가열되면, 기판(W)으로 공정가스가 공급된다. 그러나 챔버(10)의 내부로 공급되는 공정가스로 인해 그 챔버(10)의 내부 압력이 증가될 수 있다. 이로 인해 펌프는 배기홀(311)을 통해 계속적으로 챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지시킨다. 히터(400)는 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 공정온도로 유지하여야 하므로 챔버(10)의 내부는 고온으로 가열된다. 상기 고온으로 인해 배기링(310)은 열팽창이 일어나면, 배기홀(311)들 간에 직경이 상이해진다. 따라서 각각의 차단판(315)을 이동하여 각각의 배기홀(311)들 간에 배기율이 동일하도록 조절한다. 이는 각각의 배기홀(311)을 통해 펌핑되는 압력차는 균등하게 유지할 수 있고, 공정가스는 기판(W)으로 균일하게 공급될 수 있다.The following is a method of processing the substrate W by using the above-described one example of the substrate processing apparatus. FIG. 4 is a sectional view showing a state in which the blocking plate 315 of FIG. 3 is moved. Referring to FIG. 4, the substrate W is loaded into a seating groove 115 formed in the susceptor 110. The door 14 is mounted on the upper wall 13 to seal the chamber 10 from the outside. The heater 400 heats the susceptor 110 to heat the substrate W to a preset temperature and the pump connected to the exhaust ring 310 is connected to a vacuum through the exhaust hole 311, State. When the temperature of the substrate W is heated to a predetermined processing temperature, the process gas is supplied to the substrate W. However, the process gas supplied into the interior of the chamber 10 may increase the internal pressure of the chamber 10. As a result, the pump keeps the interior of the chamber 10 in a vacuum continuously through the exhaust hole 311. Since the heater 400 must maintain the substrate W at the processing temperature during the process, the inside of the chamber 10 is heated to a high temperature. When the exhaust ring 310 is thermally expanded due to the high temperature, the diameters of the exhaust holes 311 are different from each other. Therefore, the respective blocking plates 315 are moved to adjust the exhaust rates to be equal between the respective exhaust holes 311. This allows the pressure difference pumped through each of the exhaust holes 311 to be maintained uniformly and the process gas can be uniformly supplied to the substrate W. [

상술한 일 예와 달리, 차단판(315)들은 하나의 구동부재에 의해 동시에 이동되며, 전체 배기홀(311)들의 개구율을 동시에 조절할 수 있다. Unlike the above-described example, the blocking plates 315 are simultaneously moved by one driving member, and the opening ratio of the entire exhaust holes 311 can be adjusted simultaneously.

이상으로, 본 발명은 금속 유기물 화학 기상 증착 공정을 통해 기판(W)에 증착 공정을 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 설명하였다. 그러나 이는 일 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 챔버의 내부 압력을 조절하여 기판(W)을 처리하는 공정(식각, 애싱등)이라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다. As described above, the present invention has described a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a deposition process on a substrate W through a metalorganic chemical vapor deposition process. However, this is merely an example, and various changes and modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention if the process of processing the substrate W by controlling the internal pressure of the chamber (etching, ashing, etc.) Do.

100: 기판지지부재 200: 가스공급부재
300: 배기부재 310: 배기링
310: 배기홀 315: 차단판
400: 히터100: substrate support member 200: gas supply member
300: exhaust member 310: exhaust ring
310: exhaust hole 315: shield plate
400: heater

Claims (9)

챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와;
상기 챔버 내에서 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와;
상기 챔버로부터 상기 공정가스를 외부로 배출시키는 배기부재를 포함하되;
상기 배기부재는,
상기 기판지지부재를 감싸는 링 형상으로 제공되고, 상면에 복수의 배기홀들이 나란하게 배열되며, 내부에 상기 배기홀들과 통하는 공간을 가지는 배기링과;
중공을 가지는 통 형상으로 제공되며, 상기 중공은 상기 공간과 연통되도록 제공되는 배기관과;
상기 중공에 배기압을 제공하는 펌프와;
상기 공간에서 상기 배기홀들 각각에 일대일 대응되도록 위치되며, 상기 배기홀의 개구율을 조절하는 차단판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber;
A substrate support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying a process gas into the substrate in the chamber;
And an exhaust member for exhausting the process gas from the chamber to the outside;
Wherein the exhaust member
An exhaust ring provided in a ring shape surrounding the substrate support member and having a plurality of exhaust holes arranged in parallel on an upper surface thereof and having a space communicating with the exhaust holes therein;
The hollow being provided in a cylindrical shape having a hollow, the hollow being provided to communicate with the space;
A pump for providing an exhaust pressure to the hollow;
And a shield plate positioned to correspond to each of the exhaust holes in the space in a one-to-one correspondence manner, the shield plate adjusting the aperture ratio of the exhaust hole. 제1항에 있어서,
상기 차단판은 복수 개로 제공되며, 서로 간에 독립적으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of barrier plates are provided and movable independently of each other. 제1항에 있어서,
상기 차단판은 하나의 구동부재에 의해 동시 이동가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the blocking plate is movable simultaneously by one driving member. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 배기링은 그 높이가 상기 기판지지부재와 동일하거나 이보다 낮게 제공되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the exhaust ring is provided at a height equal to or lower than that of the substrate support member. 제4항에 있어서,
상기 차단판은 상기 배기링 내에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 4,
Wherein the blocking plate is positioned within the exhaust ring. 제5항에 있어서,
상기 차단판은 상기 배기링의 원주방향을 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
And the blocking plate is moved along the circumferential direction of the exhaust ring. 제1항에 있어서,
상기 기판지지부재는,
상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터를 더 포함하되;
상기 안착홈은 상기 서셉터의 중심축을 감싸도록 복수 개로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate support member comprises:
And a susceptor having a seating groove on which the substrate is seated on an upper surface thereof;
Wherein the plurality of seating grooves are arranged so as to surround the central axis of the susceptor. 제2항의 상기 기판처리장치를 이용하여 상기 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판지지부재에 기판을 로딩하고,
상기 기판으로 상기 공정가스를 공급하여 공정을 수행하며,
상기 공정가스는 상기 배기홀들의 일부의 개구율이 서로 간에 상이한 상태로 배기되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 2,
Loading a substrate onto the substrate support member,
Supplying the process gas to the substrate to perform a process,
Wherein the process gas is exhausted such that the opening ratios of a part of the exhaust holes are different from each other. 제8항에 있어서,
상기 기판을 처리하는 공정은 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD)방법 인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.9. The method of claim 8,
Wherein the substrate processing step is a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.
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