KR20090086374A - Reactor for depositing thin film on wafer - Google Patents

Reactor for depositing thin film on wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20090086374A
KR20090086374A KR1020090060331A KR20090060331A KR20090086374A KR 20090086374 A KR20090086374 A KR 20090086374A KR 1020090060331 A KR1020090060331 A KR 1020090060331A KR 20090060331 A KR20090060331 A KR 20090060331A KR 20090086374 A KR20090086374 A KR 20090086374A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
reactor
substrate support
gas
gas supply
Prior art date
Application number
KR1020090060331A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101334643B1 (en
Inventor
이호영
한창희
박상준
허진필
안철현
이정환
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020090060331A priority Critical patent/KR101334643B1/en
Publication of KR20090086374A publication Critical patent/KR20090086374A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101334643B1 publication Critical patent/KR101334643B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A thin film depositing device is provided to facilitate management of an exhaust path by preventing the mixture of the source gas in a reactor and an exhaust line. A substrate support unit(210) is rotatably installed in a reactor(200). A plurality of substrate mounting parts are formed in the upper side of the substrate support unit. A gas injector(220) includes a plurality of source gas supply units and a plurality of purge gas supply units. The plurality of source gas supply units supply the different kind of source gas on the substrate support unit. The plurality of purge gas supply units supply the purge gas on the substrate support unit. An exhaust unit(230) includes an exhaust groove unit and a plurality of partitions. An exhaust pipe is formed in the exhaust groove part to exhaust the source gas. The plurality of partitions divide the exhaust groove part into the plurality of exhaust paths.

Description

박막증착장치{Reactor for depositing thin film on wafer}Thin film deposition apparatus {Reactor for depositing thin film on wafer}

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반응기 내부의 오염을 줄일 수 있는 박막증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus that can reduce the contamination inside the reactor.

반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있다. 또한 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(step coverage)에 대한 문제가 점점 더 심각해 지고 있다. 이에 따른 여러 가지 문제들을 극복할 수 있는 새로운 증착방법으로서, 원자층증착(atomic layer deposition, ALD) 방법이 대두되고 있다. 일반적으로 원자층증착 방법은 기판에 각각의 원료가스들을 분리 공급하여 원료가스들의 표면 포화에 의해 박막이 형성되도록 하는 방법이다. 이러한 원자층증착이 안정적으로 유지되기 위해서는 제1원료가스와 제2원료가스가 기판 상의 증착 공간에서 서로 혼합되지 않도록 분리되어서 반응기 내에 공급되어야 한다.As the scale of semiconductor devices is gradually reduced, the demand for ultra-thin films is increasing. In addition, as the contact hole size is reduced, the problem of step coverage becomes more and more serious. As a new deposition method capable of overcoming various problems, an atomic layer deposition (ALD) method has emerged. In general, the atomic layer deposition method is a method of separating and supplying each source gas to the substrate to form a thin film by the surface saturation of the source gases. In order for the atomic layer deposition to be stably maintained, the first raw material gas and the second raw material gas must be separated and supplied into the reactor so as not to mix with each other in the deposition space on the substrate.

미국특허 제5,730,802호에서는 반응기를 격벽으로 분리하고, 격벽으로 구획된 공간에 제1원료가스, 제2원료가스 및 분리용가스를 각각 공급하는 가스 분사장치가 있고, 기판 홀더가 회전함으로써 원자층증착과정이 이루어지는 박막증착장치와 박막증착방법을 개시하고 있다. In US Patent No. 5,730,802, there is a gas injector that separates a reactor into partitions and supplies a first raw material gas, a second raw material gas, and a separation gas into a space partitioned by partition walls, and the substrate holder rotates to deposit an atomic layer. A thin film deposition apparatus and a thin film deposition method are disclosed.

상기 특허발명에 따른 박막증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 박막증착장치(1)는 반응기(10), 반응기(10) 내부에 위치하며 회전 가능하도록 설계된 기판 홀더(20), 원료가스 공급구(30, 40), 분리용가스 공급구(50) 및 원료가스의 혼합을 막기 위한 격벽(60)으로 구성되어 있다. 기판 홀더(20)의 회전에 의하여 원료가스 공급구(30, 40)를 통해 공급되는 원료가스와 분리용가스 공급구(50)를 통해 공급되는 분리용가스가 기판(w)의 상방에 시간차를 두고 교대로 공급되게 되어 원자층 증착이 이루어지게 된다. 1 is a view illustrating a schematic configuration of a thin film deposition apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 1, the thin film deposition apparatus 1 is a reactor 10, a substrate holder 20, a source gas supply port 30, 40, and a separation gas supply, which are designed to be rotatable and positioned in the reactor 10. It consists of a partition 60 for preventing mixing of the sphere 50 and source gas. The source gas supplied through the raw material gas supply ports 30 and 40 by the rotation of the substrate holder 20 and the separation gas supplied through the separation gas supply port 50 are time-deviated above the substrate w. It is alternately supplied, and atomic layer deposition is performed.

그러나 박막증착장치(1)는 격벽(60)에 의해 복수의 원료가스들이 퍼지가스에 의해 기판(w) 상에서 혼합되는 것은 차단되지만, 미반응된 복수의 원료가스들이 배기 되는 과정에서 반응기(10) 내에서 혼합이 일어나게 된다. 이와 같이 미반응된 복수의 원료가스가 반응기(10) 내에서 혼합이 일어나게 되면 원치않는 부산물이 발생하게 된다. 그리고 발생된 부산물은 대체로 고상(固狀)으로 형성되므로 반응기(10) 내부를 오염시키는 원인이 되는 문제점이 있다.However, although the thin film deposition apparatus 1 blocks the plurality of source gases from being mixed on the substrate w by the purge gas by the partition wall 60, the reactor 10 is in the process of exhausting a plurality of unreacted source gases. Mixing will occur within. As such, when unreacted plurality of raw material gases are mixed in the reactor 10, unwanted by-products are generated. And the generated by-products are generally formed in a solid phase (固 狀), there is a problem that causes contamination inside the reactor (10).

그리고, 이러한 부산물은 펌프가 오작동하는 경우나 펌프가 작동을 멈추는 경우에 반응기 내로 역류할 수 있고, 펌프의 고장의 원인으로 작용할 수 있다. 그리고 이러한 부산물들이 극심하게 배기 경로 내에 쌓일 경우, 배기 경로가 부산물에 의해서 막히는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 경우, 펌프를 분해하여 부산물을 제거하거나 또는 펌프를 교체하여야 한다. 또한, 배기 경로들을 교체하거나 배기 경로 내의 부산물을 제거해주어야 한다. 이러한 보수 내지 유지 관리에는 많은 노력과 시간이 소요되므로, 반도체 소자의 양산에 저해 요소로 작용하게 된다.In addition, such by-products may flow back into the reactor when the pump malfunctions or the pump stops operating, and may act as a cause of the failure of the pump. And when these by-products are extremely accumulated in the exhaust path, a problem may occur that the exhaust path is blocked by the by-product. In this case, the pump must be disassembled to remove by-products or the pump must be replaced. In addition, the exhaust paths must be replaced or the by-products in the exhaust path must be removed. Since such repair and maintenance takes a lot of effort and time, it acts as a deterrent to mass production of semiconductor devices.

또한, 펌프 이후의 배기 경로 상에서는 실질적으로 낮은 유속을 나타내고 펌프로부터 스크러버로 이러한 미반응 반응체가 이동할 때는 상압 및 상온 조건에 해당하게 되어 원료가스의 종류에 따라 스크러버 등에서 폭발이 일어날 위험도 있어 배기 경로를 관리하는데 어려움이 있게 된다.In addition, when the unreacted reactant moves from the pump to the scrubber, it corresponds to normal pressure and room temperature conditions, and there is a risk of explosion in the scrubber, etc., depending on the type of source gas. There is a difficulty.

이에 따라 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 반응기 내에서 원료가스들이 혼합되지 않는 박막증착장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus in which source gases are not mixed in a reactor.

상기 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 박막증착장치는 반응기; 상기 반응기 내부에 회전 가능하게 설치되며 상면에 기판을 안착시키는 복수의 기판 안착부를 구비하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부의 상부에 서로 다른 종류의 원료가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 원료가스 공급장치와 상기 복수의 원료가스 공급장치 사이에 배치되어 상기 원료가스를 퍼지하는 퍼지가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 퍼지가스 공급장치가 방사형으로 설치되는 가스 분사부; 및 상기 복수의 원료가스를 상기 반응기 외부로 가이드하여 배기시키도록 복수의 배기구가 마련된 배기홈부와, 상기 배기홈부에 설치되어 상기 배기홈부를 상호 격리된 복수의 배기유로로 분할하는 복수의 격벽이 형성되어 있으며, 상기 기판 지지부 둘레를 감싸도록 고리형으로 배치되는 배기부;를 구비한다.In order to solve the above problems, the thin film deposition apparatus according to the present invention is a reactor; A substrate support part rotatably installed in the reactor and having a plurality of substrate seating parts for mounting a substrate on an upper surface thereof; The substrate support part includes a purge gas disposed between the plurality of source gas supply devices for supplying different kinds of source gases onto the substrate support part and the plurality of source gas supply devices on the substrate support part to purge the source gas. A gas injection unit in which a plurality of purge gas supply devices for supplying air are radially installed; And a plurality of exhaust walls provided with a plurality of exhaust ports to guide and exhaust the plurality of source gases to the outside of the reactor, and a plurality of partition walls provided in the exhaust grooves to divide the exhaust grooves into a plurality of exhaust flow paths which are isolated from each other. And an exhaust part disposed in an annular shape so as to surround the substrate support part.

상기의 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 다른 박막증착장치는 반응기와, 상기 반응기 내부에 회전 가능하게 설치되며 상면에 기판을 안착시키는 복수의 기판 안착부를 구비하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상부에 서로 다른 종류의 원료가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 원료가스 공급장치와 상기 복수의 원료가스 공급장치 사이에 배치되어 상기 원료가스를 퍼지하는 퍼지가 스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 퍼지가스 공급장치가 방사형으로 설치되는 가스 분사부와, 상기 복수의 원료가스를 상기 반응기 외부로 가이드하여 배기시키도록 복수의 배기구가 마련된 배기홈부와, 상기 배기홈부에 설치되어 상기 배기홈부를 상호 격리된 복수의 배기유로로 분할하는 복수의 격벽이 형성되어 있으며, 상기 기판 지지부 둘레를 감싸도록 고리형으로 배치되는 배기부를 구비하는 복수의 공정챔버; 및 상기 공정챔버 내의 가스를 외부로 배기하기 위한 복수의 펌프;를 구비하며, 상기 복수의 펌프 각각은 상기 각 공정챔버의 복수의 배기유로 중 동일한 가스를 배기하는 배기유로와 연결된다.Another thin film deposition apparatus according to the present invention for solving the above problems is a substrate support portion having a reactor, a plurality of substrate seating portion rotatably installed in the reactor and seating the substrate on the upper surface, and the substrate support portion A purge gas is disposed between the plurality of source gas supply devices for supplying different kinds of source gases onto the substrate support part and the plurality of source gas supply devices to purge the source gas onto the substrate support part. A gas injection unit provided with a plurality of purge gas supply devices radially; an exhaust groove portion provided with a plurality of exhaust ports to guide and exhaust the plurality of source gases to the outside of the reactor; and an exhaust groove provided in the exhaust groove portion. A plurality of partition walls are formed which divide the portion into a plurality of exhaust flow paths which are isolated from each other. A plurality of process chambers having an exhaust portion arranged in an annular shape so as to surround the support portion; And a plurality of pumps for exhausting the gas in the process chamber to the outside, wherein each of the plurality of pumps is connected to an exhaust passage for exhausting the same gas among the plurality of exhaust passages of the respective process chambers.

본 발명에 따른 박막증착장치는 격리된 배기유로를 갖는 배기부를 사용함에 따라, 반응기 내에서 원료가스들이 혼합되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 되어 박막증착장치의 오염이 줄어들게 된다. As the thin film deposition apparatus according to the present invention uses an exhaust portion having an isolated exhaust passage, it is possible to effectively prevent the mixing of the source gases in the reactor, thereby reducing the contamination of the thin film deposition apparatus.

결과적으로, 원료가스의 종류만큼 배기라인과 펌프를 구성하여 반응기 내부뿐만 아니라 배기라인에서도 원료가스들이 혼합되는 것이 방지되어, 배기경로를 관리하는데 소모되는 노력 및 비용을 크게 절감할 수 있다. As a result, by configuring the exhaust line and the pump as much as the type of the raw material gas, the raw material gases are prevented from being mixed not only in the reactor but also in the exhaust line, thereby greatly reducing the effort and cost of managing the exhaust path.

그리고 복수의 공정챔버에서 같은 종류의 원료가스가 이용되는 경우 같은 종류의 원료가스는 하나의 펌프를 이용하여 배기함으로써 비용을 절감할 수 있다.In addition, when the same kind of raw material gas is used in a plurality of process chambers, the same kind of raw material gas may be exhausted by using one pump to reduce costs.

이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예 에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the thin film deposition apparatus according to the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.

도 2는 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 일 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 단면도, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막증착장치는 반응기(200), 기판 지지부(210), 가스 분사부(220), 배기부(230), 펌프부(240) 및 스크러버부(250)를 구비한다.2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a preferred embodiment of a thin film deposition apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 2 to 4, the thin film deposition apparatus according to the present invention includes a reactor 200, a substrate support 210, a gas injection unit 220, an exhaust unit 230, a pump unit 240, and a scrubber unit ( 250).

반응기(200)는 바닥부(201), 외벽부(202) 및 상측 플레이트(203)를 구비한다. 바닥부(201)는 원판의 형상으로 이루어져 있고, 외벽부(202)는 바닥부(201)의 가장자리로부터 상방으로 수직하게 연장 형성되어 폐곡면 형상으로 이루어져 있다. 그리고 외벽부(202)에는 기판(w)이 출입하는 기판(w) 이송통로(도면 미도시)가 형성되어 있다. 상측 플레이트(203)는 원판 형상으로 이루어져 있고, 외벽부(202)의 상면에 분리 가능하게 결합된다. 상측 플레이트(203)가 외벽부(202)의 상면에 결합되면 반응기(200) 내부에 일정한 공간이 형성되며, 특히 후술할 기판 지지부(210)의 상방으로 기판 지지부(210)와 가스 분사부(220)의 사이에 박막증착공간(205)이 형성된다. 상측 플레이트(203)의 하면과 외벽부(202)의 상면 사이에는 오링(O-ring)(도면 미도시) 등과 같은 밀폐부재가 개재되어 위 공간을 밀폐시킨다. 그리고 반응기(200) 내부에 잔존하는 불필요 가스 및 파티클을 배출하기 위한 배기구(도면 미도시)가 바닥부(201) 또는 외벽부(202)에 마련되어 있다. The reactor 200 has a bottom 201, an outer wall 202, and an upper plate 203. The bottom part 201 is formed in the shape of a disc, and the outer wall part 202 extends vertically upward from the edge of the bottom part 201 and has a closed curved shape. And the outer wall part 202 is provided with the board | substrate w conveyance path (not shown) which the board | substrate w enters and exits. The upper plate 203 has a disc shape and is detachably coupled to the upper surface of the outer wall portion 202. When the upper plate 203 is coupled to the upper surface of the outer wall portion 202, a predetermined space is formed inside the reactor 200, and in particular, the substrate support 210 and the gas injection unit 220 above the substrate support 210 to be described later. The thin film deposition space 205 is formed in between. A sealing member such as an O-ring (not shown) is interposed between the lower surface of the upper plate 203 and the upper surface of the outer wall portion 202 to seal the upper space. An exhaust port (not shown) for discharging unnecessary gas and particles remaining inside the reactor 200 is provided in the bottom portion 201 or the outer wall portion 202.

기판 지지부(210)는 반응기(200) 내부에 설치되며, 서셉터(210), 기판 안착부(213), 샤프트(211) 및 히터(도면 미도시)를 구비한다. The substrate support 210 is installed inside the reactor 200 and includes a susceptor 210, a substrate seating portion 213, a shaft 211, and a heater (not shown).

서셉터(210)는 원판의 형상으로 반응기(200) 내부에 회전 가능하게 설치되어 있다. 서셉터(210)에는 기판 안착부(213) 6개가 오목하게 형성되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 기판 안착부(213)들은 기판 지지부(210) 상면의 둘레방향을 따라 배치되며, 각 기판 안착부(213)에는 기판(w)이 안착된다.The susceptor 210 is rotatably installed in the reactor 200 in the shape of a disc. Six substrate mounting portions 213 are formed in the susceptor 210 to be concave. As shown in FIG. 3, the substrate mounting parts 213 are disposed along the circumferential direction of the upper surface of the substrate support part 210, and the substrate w is mounted on each substrate mounting part 213.

샤프트(211)는 양단부 중 일단부가 서셉터(210)의 하면과 결합되어 있고, 타단부가 반응기(200)를 관통하여 예컨대, 모터(도면 미도시) 등의 회전 구동수단과 연결되어 있다. 따라서 샤프트(211)가 회전함에 따라 서셉터(210)가 도 2에 도시된 회전 중심축(A)을 중심으로 회전하게 된다. 또한 샤프트(211)는 서셉터(210)가 승강이 가능하도록 하는 승강 구동수단과 연결되어 있다. 승강 구동수단으로는 예컨대, 모터 및 기어 조립체(도면 미도시) 등이 있다. 히터(도면 미도시)는 서셉터(210) 아래에 매설되어 기판(w)의 온도를 조절한다.One end of the shaft 211 is coupled to a lower surface of the susceptor 210, and the other end penetrates through the reactor 200, and is connected to a rotation driving means such as a motor (not illustrated). Accordingly, as the shaft 211 rotates, the susceptor 210 rotates about the rotation center axis A shown in FIG. 2. In addition, the shaft 211 is connected to the lifting drive means for allowing the susceptor 210 to lift. Lifting drive means include, for example, a motor and a gear assembly (not shown). A heater (not shown) is buried under the susceptor 210 to adjust the temperature of the substrate w.

가스 분사부(220)는 기판 지지부(210)의 상방에 설치된 상측 플레이트(203)에 결합되며, 가스 공급장치(270a, 270b, 270c)를 구비한다. 가스 공급장치(270a, 270b, 270c)는 공급되는 가스의 종류에 따라, 제1가스 공급장치(270a), 제2가스 공급장치(270b) 및 퍼지가스 공급장치(270c)로 구분된다. 제1가스 공급장치(270a)는 예컨대, 사일렌(SiH4)과 같은 제1원료가스를 기판 지지부(210) 상으로 공급하고, 제2가스 공급장치(270b)는 예컨대, 산소(O2)와 같은 제2원료가스를 기판 지지부(210) 상으로 공급한다. 퍼지가스 공급장치(270c)는 제1원료가스와 제2원료가스를 퍼지(purge)하는 퍼지가스를 기판 지지부(210) 상으로 공급한다. 즉 제1가스 공급장치(270a)와 제2가스 공급장치(270b)는 기판(w) 상에 박막이 증착되도록 하는 원료가스를 공급하는 장치이고, 퍼지가스 공급장치(270c)는 박막형성공간(205)에 잔류하는 미반응된 원료가스를 퍼지하여 기판 지지부(210) 상에서 혼합되지 않도록 하는 퍼지가스를 공급하는 장치이다. 그리고 각각의 가스 공급장치(270a, 270b, 270c)는 샤워헤드 형태로 구성될 수 있다.The gas injector 220 is coupled to the upper plate 203 installed above the substrate support 210, and includes gas supply devices 270a, 270b, and 270c. The gas supply devices 270a, 270b, and 270c are classified into a first gas supply device 270a, a second gas supply device 270b, and a purge gas supply device 270c according to the type of gas to be supplied. The first gas supply device 270a supplies, for example, a first raw material gas, such as xylene (SiH 4 ), onto the substrate support 210, and the second gas supply device 270b is, for example, oxygen (O 2 ). The second raw material gas such as is supplied onto the substrate support 210. The purge gas supply device 270c supplies a purge gas for purging the first raw material gas and the second raw material gas onto the substrate support 210. That is, the first gas supply device 270a and the second gas supply device 270b are devices for supplying a source gas for depositing a thin film on the substrate w, and the purge gas supply device 270c is a thin film forming space ( A device for supplying a purge gas to purge the unreacted raw material gas remaining in the 205 so as not to be mixed on the substrate support 210. Each gas supply device 270a, 270b, and 270c may be configured in the form of a showerhead.

도 4에 도시된 바와 같이 제1가스 공급장치(270a), 제2가스 공급장치(270b) 및 퍼지가스 공급장치(270c)는 가스 분사부(220) 둘레방향을 따라 방사형으로 설치된다. 그리고 도 4에 도시된 10개의 가스 공급장치(270a, 270b, 270c) 중에서 제1원료가스와 제2원료가스를 공급하는 가스 공급장치(270a, 270b)는 제1원료가스와 제2원료가스의 혼합이 용이치 않도록 반대편에 설치된다. 그리고 퍼지가스 공급장치(270c)는 제1가스 공급장치(270a)와 제2가스 공급장치(270b) 사이에서 제1원료가스와 제2원료가스가 혼합되지 않도록 각 4개씩 배치된다. 퍼지할 원료가스의 양이 많지 않을 때, 퍼지가스 공급장치(270c) 중 일부는 퍼지가스가 공급되지 않도록 할 수 있다. As shown in FIG. 4, the first gas supply device 270a, the second gas supply device 270b, and the purge gas supply device 270c are radially installed along the circumferential direction of the gas injector 220. In addition, the gas supply devices 270a and 270b for supplying the first raw material gas and the second raw material gas among the ten gas supply devices 270a, 270b and 270c shown in FIG. It is installed on the opposite side so that mixing is not easy. In addition, four purge gas supply devices 270c are disposed between the first gas supply device 270a and the second gas supply device 270b so as not to mix the first raw material gas and the second raw material gas. When the amount of source gas to be purged is not large, some of the purge gas supply device 270c may prevent the purge gas from being supplied.

퍼지가스를 공급하는 목적은 가스 분사부(220)를 통해 공급된 서로 다른 종류의 원료가스가 기판(w) 상에서 혼합되는 것을 방지하기 위함이다. 그러나 제1원료가스와 제2원료가스를 공급하는 가스 공급장치(270a, 270b) 사이에 퍼지가스 공급장치(270c)를 배치하는 것만으로는 기판 지지부(210)의 중앙부분을 통해 제1원료 가스와 제2원료가스가 혼합되는 것을 차단하기 어렵다. 따라서, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 가스 분사부(220)의 중앙부에 제1원료가스와 제2원료가스를 퍼지하는 퍼지가스를 기판 지지부(210) 상으로 공급하는 중앙퍼지가스 공급장치(260)가 설치된다. 중앙퍼지가스 공급장치(260)에서 공급된 퍼지가스로 인해 제1원료가스와 제2원료가스가 기판 지지부(210)의 중앙부분에서 혼합되는 것이 방지된다. 그리고 중앙퍼지가스 공급장치(260)도 샤워헤드 형태로 구성될 수 있다. The purpose of supplying the purge gas is to prevent the different types of source gases supplied through the gas injection unit 220 from being mixed on the substrate w. However, only by disposing the purge gas supply device 270c between the gas supply devices 270a and 270b for supplying the first raw material gas and the second raw material gas, the first raw material gas is provided through the central portion of the substrate support 210. And it is difficult to block the mixing of the second raw material gas. Therefore, as shown in FIGS. 2 and 4, a central purge gas supply device for supplying a purge gas for purging the first raw material gas and the second raw material gas to the center of the gas injector 220 onto the substrate support 210. 260 is installed. The purge gas supplied from the central purge gas supply device 260 prevents the first raw material gas and the second raw material gas from being mixed at the central portion of the substrate support 210. In addition, the central purge gas supply device 260 may also be configured in the form of a shower head.

이와 같이 설치된 가스 분사부(220) 아래로 기판(w)이 안착된 기판 지지부(210)가 회전하게 되면 제1원료가스, 퍼지가스, 제2원료가스 및 퍼지가스가 주기적으로 기판(w) 상에 공급되게 되므로 원자층증착이 가능하게 된다.When the substrate support part 210 on which the substrate w is mounted is rotated below the gas injection unit 220 installed as described above, the first raw material gas, the purge gas, the second raw material gas, and the purge gas are periodically on the substrate w. Since it is supplied to the atomic layer deposition is possible.

*가스 분사부(220)를 통해 공급되는 원료가스는 플라즈마화시켜 공급될 수 있다. 이를 위해 반응기(200) 외부에 설치된 별도의 플라즈마 발생기(도면 미도시)를 이용하거나 가스 분사부(220)의 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판 지지부(210) 상면에 공급할 수도 있다.* The source gas supplied through the gas injection unit 220 may be supplied by plasma. To this end, a separate plasma generator (not shown) installed outside the reactor 200 may be used or plasma may be generated inside the gas injector 220 and supplied to the upper surface of the substrate support 210.

도 5는 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구성을 설명하기 위한 일부 절개 사시도이고, 도 6은 도 2의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도이다. 배기부와 가스 분사부의 배치관계를 명확하게 하기 위하여, 도 6에는 가스 분사부와 배플의 유입공들을 점선으로 표시하여 격벽 및 배기구와 함께 나타내었다.FIG. 5 is a partially cutaway perspective view illustrating a schematic configuration of a preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 2. In order to clarify the arrangement relationship between the exhaust part and the gas injector, inflow holes of the gas injector and the baffle are shown in dotted lines and shown together with the partition and the exhaust port.

배기부(230)는 반응기(200) 내에 잔류하는 가스를 배기시키기 위한 것으로 서, 도 5 및 도 6을 도 2와 함께 참조하면, 배기부(230)는 배기홈부(237a, 237b), 격벽(235) 및 배플(231)을 구비한다.The exhaust unit 230 is for exhausting gas remaining in the reactor 200. Referring to FIGS. 5 and 6 together with FIG. 2, the exhaust unit 230 includes exhaust grooves 237a and 237b and a partition wall. 235 and baffle 231.

배기홈부(237a, 237b)는 외벽부(202), 내벽부(233) 및 바닥부(201)에 의하여 둘러싸여 형성된다. 보다 상세하게 설명하면, 외벽부(202)는 반응기(200)의 외벽 중 내면을 지칭하는 것으로서 고리형으로 형성된다. The exhaust grooves 237a and 237b are formed surrounded by the outer wall portion 202, the inner wall portion 233, and the bottom portion 201. In more detail, the outer wall portion 202 is formed in an annular shape as referring to the inner surface of the outer wall of the reactor 200.

본 실시예에서, 바닥부(201)는 반응기(200)의 바닥면을 지칭하는 것으로서, 바닥부(201)는 원판 형상으로 일체로 형성된 것이지만, 두 영역 즉, 후술할 내벽부(233)를 기준으로 외측에 배치된 하륜부(239)와 내측에 배치된 중앙부(232)로 구분할 수 있다. 하륜부(239)는 외벽부(202)로부터 수평하게 돌출되어 전체적으로 고리형으로 형성된 부분을 가리키며, 중앙부(232)는 하륜부(239)로부터 연장형성된 부분을 가리킨다. 그리고 중앙부(232)의 가운데 부분에는 상술한 샤프트(211)가 관통할 수 있도록 관통공(234)이 형성되어 있고, 하륜부(239)에는 상면과 하면 사이를 관통하는 2개의 배기구(238a, 238b)가 상호 대칭되게 양측에 형성되어 있다.In the present embodiment, the bottom portion 201 refers to the bottom surface of the reactor 200, the bottom portion 201 is formed integrally in the shape of a disc, but based on two areas, that is, the inner wall portion 233 to be described later As a result it can be divided into a lower wheel portion 239 disposed on the outside and a central portion 232 disposed on the inside. The lower wheel part 239 indicates a part which protrudes horizontally from the outer wall part 202 and is formed in an annular shape as a whole, and the center part 232 indicates a part extending from the lower wheel part 239. In addition, a through hole 234 is formed in the center portion of the center portion 232 to allow the above-described shaft 211 to penetrate, and the lower wheel portion 239 includes two exhaust ports 238a and 238b penetrating between the upper surface and the lower surface. ) Are formed on both sides symmetrically with each other.

내벽부(233)는 하륜부(239)로부터 수직 상방으로 연장형성되며, 외벽부(202)와 일정거리 이격되도록 기판 지지부(210)와 외벽부(202) 사이에 고리형으로 배치된다. 외벽부(202)와 내벽부(233)의 상면에는 후술할 배플(231)이 설치될 수 있도록 각각 단차가 형성되어 있다. The inner wall portion 233 extends vertically upward from the lower wheel portion 239 and is disposed in a ring shape between the substrate support portion 210 and the outer wall portion 202 so as to be spaced apart from the outer wall portion 202 by a predetermined distance. Steps are formed on the upper surfaces of the outer wall portion 202 and the inner wall portion 233 so that the baffle 231 to be described later is installed.

격벽(235)은 외벽부(202)와 내벽부(233) 사이에 배치되어, 하나로 연통되어 있는 배기홈부(237)를 두 개의 격리된 배기홈부(237a, 237b)로 분리시킨다. 이 격벽(235)은 배기홈부(237)의 양측에 한 쌍이 배치된다. 본 실시예서, 원료가스 공급 장치(270a, 270b)는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이 상기 가스 분사부(220)의 중심점을 기준으로 제1가스 공급장치(270a)와 제2가스 공급장치(270b)는 정반대편에 마주보게 배치된다. 그리고 격벽(235)은 퍼지가스 공급장치(270c)의 외측 하방에 원료가스 공급장치(270a, 270b)와 멀리 떨어지도록 배치된다. 보다 바람직하게는, 도 6에 도시된 바와 같이, 격벽(235)은 두 원료가스 공급장치(270a, 270b)의 중심을 잇는 직선과 수직하며, 가스 분사부(220)의 중심을 지나는 직선의 하방에 배치된다. 그리고 배기구(238a, 238b)는 격벽에 의해 분리된 하륜부(239)의 양측에 하나씩 배기구(238a, 238b)가 형성된다. 보다 바람직하게는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1가스 공급장치(270a)의 외측 하방에 하나의 배기구(238a)가 배치되고 제2가스 공급장치(270b)의 외측 하방에 다른 하나의 배기구(238b)가 배치된다. 이와 같이 격벽(235)이 배치되면, 제1원료가스와 제2원료가스는 서로 다른 배기홈부(237a, 237b)로 각각 유입되고 배기홈부(237a, 237b)는 격벽(235)에 의해 격리되어 있어서 원료가스들은 서로 혼합되지 않게 된다.The partition wall 235 is disposed between the outer wall portion 202 and the inner wall portion 233 to separate the exhaust grooves 237 which are in communication with the two isolated exhaust grooves 237a and 237b. The partition 235 is disposed in pairs on both sides of the exhaust groove 237. In the present embodiment, the raw material gas supply devices 270a and 270b have the first gas supply device 270a and the second gas supply device based on the center point of the gas injector 220 as shown in FIGS. 4 and 6. 270b is disposed opposite to each other. The partition wall 235 is disposed to be far from the source gas supply devices 270a and 270b below the purge gas supply device 270c. More preferably, as shown in FIG. 6, the partition wall 235 is perpendicular to a straight line connecting the centers of the two source gas supply devices 270a and 270b, and is downward of the straight line passing through the center of the gas injection unit 220. Is placed on. The exhaust ports 238a and 238b are formed at both sides of the lower wheel part 239 separated by the partition wall. More preferably, as shown in FIG. 6, one exhaust port 238a is disposed below the outside of the first gas supply device 270a and the other exhaust port below the outside of the second gas supply device 270b. 238b is disposed. When the partition wall 235 is disposed as described above, the first raw material gas and the second raw material gas flow into the different exhaust grooves 237a and 237b, respectively, and the exhaust grooves 237a and 237b are separated by the partition wall 235. Source gases are not mixed with each other.

배플(231)은 고리형의 판상으로 형성되어 배기홈부(237a, 237b)의 개방된 상측을 덮도록, 상술한 바와 같이 외벽부(202)와 내벽부(233)에 형성되어 있는 단차와 격벽(235) 위에 설치된다. 그리고 배플(231)에는 가스가 배기홈부(237a, 237b)로 유입될 수 있도록 상면과 하면 사이를 관통하는 유입공(236a, 236b)이 배플(231)의 상면을 따라 소정의 각도 간격으로 복수 개 형성되어 있다. 이와 같이 배플(231)을 설치하면, 배플(231)에 형성된 유입공들(236a, 236b)의 크기 및 개수를 조절하여 배기 유량을 제어하는 것이 가능하다. 또한, 배기 유량을 제어하여 반 응기(200) 내의 압력을 조절할 수도 있다. 후술할 펌프(240a, 240b)에 의해 배기구(238a, 238b)가 펌핑되고 있고 퍼지가스에 의해 원료가스가 확산되는 것이 차단되어서, 제1가스 공급장치(270a)를 통해 공급되는 제1원료가스는 제1가스 공급장치(270a)의 주변에 인접하게 형성되어 있는 유입공(236a)을 통해 배기홈부(237a)로 유입된다. 마찬가지로 제2원료가스는 제1가스 공급장치(270b)의 주변에 인접하게 형성되어 있는 유입공(236b)을 통해 배기홈부(237b)로 유입된다.The baffle 231 is formed in an annular plate shape to cover the open upper sides of the exhaust grooves 237a and 237b, and the steps and the partition walls formed in the outer wall portion 202 and the inner wall portion 233 as described above. 235). In addition, a plurality of inflow holes 236a and 236b penetrating between the upper and lower surfaces of the baffle 231 are disposed at predetermined angle intervals along the upper surface of the baffle 231 to allow gas to flow into the exhaust grooves 237a and 237b. Formed. When the baffle 231 is installed in this way, it is possible to control the exhaust flow rate by adjusting the size and the number of the inflow holes 236a and 236b formed in the baffle 231. In addition, the pressure in the reactor 200 may be adjusted by controlling the exhaust flow rate. The exhaust ports 238a and 238b are pumped by the pumps 240a and 240b to be described later, and the diffusion of the source gas by the purge gas is blocked, so that the first raw material gas supplied through the first gas supply device 270a is The gas is introduced into the exhaust groove 237a through an inlet hole 236a which is formed adjacent to the first gas supply device 270a. Similarly, the second raw material gas is introduced into the exhaust groove 237b through the inlet hole 236b formed adjacent to the first gas supply device 270b.

상술한 구성의 배기부(230)는 두 개의 격리된 배기유로를 형성한다. 즉, 한 쌍의 격벽(235)을 중심으로 양측으로 나누어져 제1배기유로와 제2배기유로가 형성된다. 제1배기유로는 배플(231)의 복수의 유입공(236a, 236b) 중 격벽(235)의 일측에 배치된 유입공(236a)과, 이 유입공(236a)의 하측에 배치되어 있는 배기홈부(237a) 및 배기구(238a)에 의하여 형성된다. 마찬가지로, 제2배기유로는 배플(231)의 복수의 유입공(236a, 236b) 중 격벽(235)의 타측에 배치된 유입공(236b)과 이 유입공(236b)의 하측에 배치되어 있는 배기홈부(237b) 및 배기구(238b)에 의하여 형성된다. 이와 같이 제1배기유로와 제2배기유로가 형성된다.The exhaust unit 230 having the above-described configuration forms two isolated exhaust passages. That is, the first exhaust passage and the second exhaust passage are divided into two sides around the pair of partition walls 235. The first exhaust passage has an inlet hole 236a disposed on one side of the partition wall 235 among the plurality of inlet holes 236a and 236b of the baffle 231 and an exhaust groove part disposed under the inlet hole 236a. 237a and exhaust port 238a. Similarly, the second exhaust passage is an inlet hole 236b disposed on the other side of the partition wall 235 among the plurality of inlet holes 236a and 236b of the baffle 231 and an exhaust gas disposed below the inlet hole 236b. It is formed by the groove part 237b and the exhaust port 238b. In this way, the first exhaust passage and the second exhaust passage are formed.

다시 도 2에서, 펌프부(240)는 반응기(200) 내의 미반응 가스를 반응기(200) 외부로 배출하기 위한 것으로서, 제1펌프(240a)와 제2펌프(240b)를 구비한다. 제1펌프(240a)는 제1배기유로와 연결되게 설치되고, 제2펌프(240b)는 제2배기유로와 연결되게 설치된다. 이와 같이 2개의 펌프(240a, 240b)를 설치하면, 제1원료가스와 제2원료가스가 반응기(200)의 내부뿐 아니라 반응기(200) 외부에서도 혼합될 가능성이 없게 된다. 다만, 펌프부(240)는 하나의 펌프만을 구비하여, 하나의 펌프로서 제1배기유로를 통해 유입된 제1원료가스와 제2배기유로를 통해 유입된 제2원료가스를 모두 반응기(200) 외부로 배출할 수 있다. 하나의 펌프만으로 구성되어도 반응기(200) 내에서 원료가스들이 혼합되지 않는다.2 again, the pump unit 240 is for discharging the unreacted gas in the reactor 200 to the outside of the reactor 200, and includes a first pump 240a and a second pump 240b. The first pump 240a is installed to be connected to the first exhaust channel, and the second pump 240b is installed to be connected to the second exhaust channel. When the two pumps 240a and 240b are installed as described above, the first raw material gas and the second raw material gas are not likely to be mixed not only inside the reactor 200 but also outside the reactor 200. However, the pump unit 240 includes only one pump, and the reactor 200 includes both the first raw material gas introduced through the first exhaust channel and the second raw material gas introduced through the second exhaust channel as one pump. Can be discharged to the outside. Even if only one pump is configured, the source gases are not mixed in the reactor 200.

스크러버부(250)는 배기 경로 상 펌프부(240)의 후단에 설치되어 배기된 가스를 여과하는 것으로서, 제1스크러버(250a)와 제2스크러버(250b)를 구비한다. 제1스크러버(250a)는 제1원료가스의 배기 경로 상 제1펌프(240a)의 후단에 설치되어, 제1원료가스를 여과하고, 제2스크러버(250b)는 제2원료가스의 배기 경로 상 제2펌프(240b)의 후단에 설치되어, 제2원료가스를 여과한다. 이와 같이 각 펌프(240a, 240b)마다 스크러버(250a, 250b)를 설치하면 모든 배기 경로에서까지 원료가스들이 혼합하게 될 가능성이 없게 되어 배기경로를 관리하는데 소모되는 노력 및 비용을 크게 절감할 수 있게 된다. The scrubber unit 250 is installed at the rear end of the pump unit 240 on the exhaust path to filter the exhaust gas, and includes a first scrubber 250a and a second scrubber 250b. The first scrubber 250a is installed at the rear end of the first pump 240a on the exhaust path of the first raw material gas to filter the first raw material gas, and the second scrubber 250b is on the exhaust path of the second raw material gas. It is provided at the rear end of the second pump 240b to filter the second raw material gas. In this way, when the scrubbers 250a and 250b are installed in each of the pumps 240a and 240b, there is no possibility of mixing the source gases in all the exhaust paths, thereby greatly reducing the effort and cost of managing the exhaust paths. do.

이하, 상기한 구성으로 이루어진 박막증착장치의 배기과정에 대하여 설명한다. 설명의 편의상, 제1배기유로를 형성하는 유입공, 배기홈부 및 배기구를 각각 제1유입공(236a), 제1배기홈부(237a) 및 제1배기구(238a)라 하고, 제2배기유로를 형성하는 유입공, 배기홈부 및 배기구를 각각 제2유입공(236a), 제2배기홈부(237a) 및 제2배기구(238a)라 한다. 그리고 제1유입공(236a)은 제1가스 공급장치(270a)의 하방에 배치되고, 제2유입공(236b)은 제2가스 공급장치(270b)의 하방에 배치된다. Hereinafter, the exhaust process of the thin film deposition apparatus having the above-described configuration will be described. For convenience of description, the inlet hole, the exhaust groove portion, and the exhaust port forming the first exhaust passage are called the first inlet hole 236a, the first exhaust groove portion 237a, and the first exhaust mechanism 238a, respectively, and the second exhaust passage is The inflow hole, the exhaust groove portion, and the exhaust port to be formed are referred to as a second inlet hole 236a, a second exhaust groove portion 237a, and a second exhaust mechanism 238a, respectively. The first inlet hole 236a is disposed below the first gas supply device 270a, and the second inlet hole 236b is disposed below the second gas supply device 270b.

제1원료가스는 제1가스 공급장치(270a)를 통해 공급되고, 제2원료가스는 제2가스 공급장치(270b)를 통해 공급된다. 그리고 퍼지가스는 퍼지가스 공급장치(270c)와 중앙퍼지가스 공급장치(260)를 통해 공급된다. 이렇게 제1원료가스, 제 2원료가스 및 퍼지가스가 공급되는 가운데 기판 지지부(210)가 회전하므로, 주기적으로 제1원료가스와 제2원료가스가 기판(w) 상에 공급되어 박막이 증착된다.The first raw material gas is supplied through the first gas supply device 270a, and the second raw material gas is supplied through the second gas supply device 270b. The purge gas is supplied through the purge gas supply device 270c and the central purge gas supply device 260. Since the substrate support part 210 rotates while the first raw material gas, the second raw material gas, and the purge gas are supplied, the first raw material gas and the second raw material gas are periodically supplied onto the substrate w to deposit a thin film. .

제1원료가스 중 박막증착에 관여하지 않은 가스는 제1배기유로를 통해 배기된다. 즉, 제1가스 공급장치(270a) 하방에 배치된 제1유입공(236a)을 통해 제1배기홈부(237a)로 유입되고, 제1배기홈부(237a)로 유입된 제1원료가스는 다시 제1배기구(238a)를 통해 반응기(200) 외부로 배출된다. 그리고 제1펌프(240a)는 제1배기구(238a)와 연결되어 배기를 원활하게 하고, 반응기(200) 외부로 배출된 제1원료가스는 제1스크러버(250a)에 의해 여과된다. 마찬가지로, 제2원료가스 중 박막증착에 관여하지 않은 가스는 제2배기유로를 통해 배기된다. 즉, 제2가스 공급장치(270b) 하방에 배치된 제2유입공(236b)을 통해 제2배기홈부(237b)로 유입되고, 제2배기홈부(237b)로 유입된 제2원료가스는 다시 제2배기구(238b)를 통해 반응기(200) 외부로 배기된다. 그리고 제2펌프(240b)는 제2배기구(238b)와 연결되어 배기를 원활하게 하고, 반응기(200) 외부로 배출된 제2원료가스는 제2스크러버(250b)에 의해 여과된다. Gas not involved in thin film deposition in the first raw material gas is exhausted through the first exhaust channel. That is, the first raw material gas is introduced into the first exhaust groove 237a through the first inlet hole 236a disposed below the first gas supply device 270a, and the first raw material gas introduced into the first exhaust groove 237a is again. It is discharged to the outside of the reactor 200 through the first exhaust 238a. In addition, the first pump 240a is connected to the first exhaust port 238a to facilitate the exhaust, and the first raw material gas discharged to the outside of the reactor 200 is filtered by the first scrubber 250a. Similarly, a gas not involved in thin film deposition in the second raw material gas is exhausted through the second exhaust channel. That is, the second raw material gas is introduced into the second exhaust groove 237b through the second inflow hole 236b disposed below the second gas supply device 270b, and the second raw material gas introduced into the second exhaust groove 237b is again. It is exhausted to the outside of the reactor 200 through the second exhaust port (238b). In addition, the second pump 240b is connected to the second exhaust port 238b to facilitate the exhaust, and the second raw material gas discharged to the outside of the reactor 200 is filtered by the second scrubber 250b.

그리고 퍼지가스는 제1배기유로와 제2배기유로 중 어느 배기유로를 통해서도 배기될 수 있다. 더욱 상세하게는, 제1가스 공급장치(270a) 양측에 설치된 2개씩의 퍼지가스 공급장치(270c)를 통해 공급된 퍼지가스는 제1배기유로를 통해 배기되고, 제2가스 공급장치(270b) 양측에 설치된 2개씩의 퍼지가스 공급장치(270c)를 통해 공급된 퍼지가스는 제2배기유로를 통해 배기된다. 이와 같이 배기유로가 구성됨으로써, 제1원료가스와 제2원료가스는 반응기 내에서 혼합되지 않는다. 또한 반응기 외부의 배기라인인 펌프, 스크러버 등에서도 혼합되지 않게 된다. 한편, 중앙퍼지가스 공급장치(260)에서 퍼지가스가 공급되므로 기판 지지부(210)의 중앙부분을 통해서도 원료가스가 혼합되지 않는다.The purge gas may be exhausted through any of the first exhaust passage and the second exhaust passage. More specifically, the purge gas supplied through the two purge gas supply devices 270c provided on both sides of the first gas supply device 270a is exhausted through the first exhaust flow path, and the second gas supply device 270b is provided. The purge gas supplied through the two purge gas supply devices 270c provided on both sides is exhausted through the second exhaust flow path. Thus, the exhaust flow passage is configured so that the first raw material gas and the second raw material gas are not mixed in the reactor. In addition, it is not mixed in the pump, scrubber, and the like exhaust line outside the reactor. On the other hand, since the purge gas is supplied from the central purge gas supply device 260, the source gas is not mixed even through the central portion of the substrate support 210.

이상에서는 배기부의 바닥부와 반응기의 바닥면이 동일한 것으로 도시하고 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 바닥부는 반응기 바닥면으로부터 상방으로 이격되게 설치되며, 외벽부로부터 돌출되어 고리형으로 배치될 수도 있다. 또한, 격벽은 반응기와 일체로 형성된 것으로 설명 및 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 반응기와 일체로 형성되지 않고 배플의 하면으로부터 하방으로 연장형성될 수도 있다. 격벽이 반응기와 일체로 형성되면 격벽의 개수를 조절하기 어렵지만, 이와 같이 격벽이 반응기와는 별도의 부재로 형성되면서, 배플과 일체로 구성되면, 원료가스의 종류, 특성 등에 따라 격벽의 개수를 조절하기가 용이하다. 그리고 배기구는 배기부의 바닥부에 형성되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 반응기 외벽부에 외벽부의 내면과 외면 사이를 관통하도록 형성될 수도 있다.Although the bottom portion of the exhaust portion and the bottom surface of the reactor are illustrated and described above, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, the bottom portion may be spaced upward from the reactor bottom surface, and protruded from the outer wall portion to be disposed in a ring shape. May be In addition, the partition wall is described and illustrated as being integrally formed with the reactor, but is not necessarily limited thereto. For example, the partition wall may be formed downward from the bottom surface of the baffle without being integrally formed with the reactor. If the barrier rib is formed integrally with the reactor, it is difficult to control the number of barrier ribs. However, when the barrier rib is formed as a separate member from the reactor, and the barrier rib is formed integrally with the baffle, the number of barrier ribs is adjusted according to the type and characteristics of the raw material gas. Easy to do Although the exhaust port is illustrated and described as being formed at the bottom of the exhaust unit, the exhaust port is not necessarily limited thereto. For example, the exhaust port may be formed to penetrate between the inner surface and the outer surface of the outer wall portion.

그리고 상술한 바와 같이, 배기부(230)는 배플(231)을 제외한 나머지 부분이 반응기(200)와 일체로 형성되도록 구성될 수도 있으나, 도 7 및 도 8에 에 도시한 바와 같이 배기부(230)가 반응기(200)와 별도의 부재로 이루어져 반응기(200)에 결합되는 형태로도 가능하다.As described above, the exhaust unit 230 may be configured such that the remaining portion other than the baffle 231 is integrally formed with the reactor 200, as shown in FIGS. 7 and 8. ) Is made of a separate member from the reactor 200 may be in the form of being coupled to the reactor 200.

도 7은 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 다른 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선 단면도이다.FIG. 7 is a perspective view showing a schematic configuration of another preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 8 is a sectional view taken along line VII-VII of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 배기부(230')는 배플(231), 내주부(310), 외주부(320), 저면부(330) 및 격벽(235)을 구비한다. 그리고 이와 같은 배기부(230')를 기판 지지부(210)의 외면과 반응기(200) 외벽부(202)의 내면 사이에 배치시킨다. 그리고 외주부(320)와 반응기(200) 외벽부(202)의 내면을 결합시키고 내주부(310)와 기판 지지부(210)의 외면과 결합시킨다. 내주부(310), 외주부(320) 및 저면부(330)에 대한 설명은 도 5 및 도 6에 나타낸 내벽부(233), 외벽부(202) 및 바닥부(201)와 반응기(200)와 일체로 형성된 것이라는 설명만 제외하면 동일하다. 그리고 도 5 및 도 6의 참조번호와 동일하게 표시된 것에 대한 설명은 도 5 및 도 6의 설명과 동일하다.7 and 8, the exhaust unit 230 ′ includes a baffle 231, an inner circumferential portion 310, an outer circumferential portion 320, a bottom surface portion 330, and a partition wall 235. The exhaust part 230 ′ is disposed between the outer surface of the substrate support part 210 and the inner surface of the outer wall part 202 of the reactor 200. In addition, the inner circumferential portion 320 and the inner surface of the outer wall portion 202 of the reactor 200 are coupled, and the inner circumferential portion 310 and the outer surface of the substrate support portion 210 are coupled. The inner circumferential portion 310, the outer circumferential portion 320, and the bottom 330 may be described in detail with reference to the inner wall portion 233, the outer wall portion 202, the bottom portion 201, and the reactor 200 shown in FIGS. 5 and 6. The same is true except that it is formed integrally. 5 and 6, the descriptions of the same reference numerals are the same as those of FIGS. 5 and 6.

그리고 지금까지 원료가스들이 기판 지지부(210)의 중앙부분에서 혼합되는 것을 방지하기 위한 수단으로 중앙퍼지가스 공급장치(260)가 설치되는 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 9는 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 다른 실시예를 나타내는 도면이다.And so far described and described an embodiment in which the central purge gas supply device 260 is installed as a means for preventing the source gas is mixed in the central portion of the substrate support 210, but is not limited thereto. 9 is a view showing another preferred embodiment of the thin film deposition apparatus according to the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 원료가스들이 기판 지지부(210)의 중앙부분에서 혼합되는 것을 방지하기 위한 다른 수단으로 가스 분사부(220)는 그 중앙에 바닥면에 대해 하방으로 돌출되는 돌출부(225)를 구비할 수 있다. 그리고 가스 분사부(220)의 돌출부(225)가 기판 지지부(210)에 수용되도록 기판 지지부(210)는 돌출부(225)와 대응되는 위치에 삽입홈부(215)를 구비할 수 있다. 돌출부(225)가 삽입홈부(215)에 삽입되더라도 기판 지지부(210)가 회전할 때 가스 분사부(220)에 영향 을 미치지 않도록 가스 분사부(220)의 돌출부(225)의 외측면과 기판 지지부(210)의 삽입홈부(215)의 사이에 약간의 공간이 존재하여야 한다. 이와 같이 가스 분사부(220)의 돌출부(225)에 의해 원료가스들이 기판 지지부(210)의 중앙부분에서 혼합되는 것이 물리적으로 차단되게 된다. 그리고 이 경우에 복수의 가스 공급장치(270a, 270b, 270c)는 돌출부(225)를 중심으로 방사형으로 배치되고, 복수의 기판 안착부(213)는 삽입홈부(215)를 중심으로 방사형으로 배치된다. 도 9에 표시된 참조번호 중 도 2에 표시된 것과 동일한 것에 대한 설명은 도 2에 설명한 내용과 동일하므로 생략한다.As shown in FIG. 9, the gas injector 220 protrudes downwardly from the bottom surface of the gas injector 220 as another means for preventing the source gases from being mixed at the central portion of the substrate support 210. ) May be provided. In addition, the substrate supporter 210 may include an insertion groove 215 at a position corresponding to the protrusion 225 so that the protrusion 225 of the gas injection unit 220 is accommodated in the substrate supporter 210. Even when the protrusion 225 is inserted into the insertion groove 215, the outer surface and the substrate support of the protrusion 225 of the gas injector 220 do not affect the gas injector 220 when the substrate support 210 rotates. There should be some space between the insertion grooves 215 of 210. As such, the mixing of the source gases at the central portion of the substrate support 210 by the protrusion 225 of the gas injector 220 is physically blocked. In this case, the plurality of gas supply devices 270a, 270b, and 270c are radially disposed around the protrusion 225, and the plurality of substrate seating parts 213 are radially disposed about the insertion groove 215. . Since the same reference numerals as those shown in FIG. 2 among the reference numerals shown in FIG. 9 are the same as those described with reference to FIG. 2, they will be omitted.

또한, 위의 경우와 반대로 가스 분사부(220)에는 삽입홈부가 형성되고, 기판 지지부(210)에는 돌출부가 형성되어도 동일한 효과를 기대할 수 있다. In addition, in contrast to the above case, even when the insertion groove is formed in the gas injection unit 220 and the protrusion is formed in the substrate support unit 210, the same effect can be expected.

도 10은 본 발명에 따른 박막증착치의 배기라인의 구성에 대한 바람직한 일 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.10 is a view showing a schematic configuration of a preferred embodiment of the configuration of the exhaust line of the thin film deposition value according to the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 박막증착장치는 복수의 공정챔버(800), 제1펌프(840a) 및 제2펌프(840b)를 구비한다.Referring to FIG. 10, the thin film deposition apparatus according to the present invention includes a plurality of process chambers 800, a first pump 840a, and a second pump 840b.

공정챔버(800)는 반응기, 기판 지지부, 가스 분사부 및 배기부를 구비한다. 도 10의 공정챔버(800)가 구비한 반응기, 기판 지지부, 가스 분사부 및 배기부는 상술한 도 2의 반응기(200), 기판 지지부(210), 가스 분사부(220) 및 배기부(230)와 중요 구성 및 효과가 동일하다.The process chamber 800 includes a reactor, a substrate support, a gas injector and an exhaust. The reactor, substrate support, gas injector, and exhaust unit of the process chamber 800 of FIG. 10 include the reactor 200, the substrate support 210, the gas injector 220, and the exhaust unit 230 of FIG. 2. And the important composition and effect is the same.

제1펌프(840a)는 복수의 공정챔버(800) 각각에 공급된 제1원료가스를 각각의 반응기 외부로 배출하기 위하여, 복수의 공정챔버(800) 각각의 제1배기유로(290a) 와 연결되게 설치된다. 제2펌프(840b)는 복수의 공정챔버(800) 각각에 공급된 제2원료가스를 각각의 반응기 외부로 배출하기 위하여, 복수의 공정챔버(800) 각각의 제2배기유로(290b)와 연결되게 설치된다. 즉 동일한 종류의 원료가스의 배기를 위해서는 펌프 및 스크러버를 공통으로 이용할 수 있게 되어 비용이 절약되게 된다.The first pump 840a is connected to the first exhaust passage 290a of each of the plurality of process chambers 800 to discharge the first raw material gas supplied to each of the plurality of process chambers 800 to the outside of each reactor. It is installed. The second pump 840b is connected to the second exhaust passage 290b of each of the plurality of process chambers 800 in order to discharge the second source gas supplied to each of the plurality of process chambers 800 to the outside of each reactor. It is installed. In other words, the pump and the scrubber can be used in common to exhaust the same kind of raw material gas, thereby reducing the cost.

이상에서 2종류의 원료가스가 공급되어 박막증착 공정이 수행되는 박막증착장치에 대해서 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 3종류 이상의 원료가스들이 공급되어 박막증착 공정이 수행되는 경우에도 유사하다. 다만 3종류 이상의 원료가스들이 공급되기 위해서 가스 분사부(220)는 제1가스 공급장치(270a)와 제2가스 공급장치(270b) 외에 원료가스 공급장치를 추가로 구비하고, 각 원료가스 공급장치 사이에 퍼지가스 공급장치를 추가로 구비해야 한다. 그리고 배기부(230)는 각 원료가스를 배기하기 위한 별도의 독립적인 배기유로를 원료가스의 종류에 대응하는 개수만큼 형성해야 하고, 이를 위해서 배기부(230)는 추가의 격벽을 구비해야 한다. 또한, 배기라인 상에서도 원료가스들이 혼합되지 않게 하기 위해서는 원료가스의 종류에 대응하는 개수만큼의 펌프와 스크러버가 추가 구비되어야 한다.Although a thin film deposition apparatus in which two kinds of raw material gases are supplied to perform a thin film deposition process is illustrated and described above, the present invention is not limited thereto. However, in order to supply three or more kinds of source gases, the gas injection unit 220 may further include a source gas supply device in addition to the first gas supply device 270a and the second gas supply device 270b, and each source gas supply device. An additional purge gas supply device is to be provided between. In addition, the exhaust unit 230 should form a separate independent exhaust flow path for exhausting each source gas corresponding to the type of source gas, and for this purpose, the exhaust unit 230 should be provided with additional partitions. In addition, in order to prevent the raw material gases from being mixed on the exhaust line, the number of pumps and scrubbers corresponding to the type of raw material gases should be additionally provided.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.

도 1은 종래의 원자층 증착을 위한 박막증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 구성도,1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a conventional thin film deposition apparatus for atomic layer deposition;

도 2는 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 일 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 구성도, 2 is a schematic view showing a schematic configuration of a preferred embodiment of a thin film deposition apparatus according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 박막증착장치에 사용되는 기판 지지부와 배플의 개략적인 구성을 나타내는 도면으로서, 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도, 3 is a view showing a schematic configuration of a substrate support and a baffle used in the thin film deposition apparatus according to the present invention, a cross-sectional view taken along line III-III of FIG.

도 4는 본 발명에 따른 박막증착장치에 사용되는 가스 분사부의 개략적인 구성을 나타내는 도면으로서, 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도, 4 is a view showing a schematic configuration of a gas injection unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention, a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG.

도 5는 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구성을 설명하기 위한 일부 절개 사시도,5 is a partially cutaway perspective view illustrating a schematic configuration of a preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 일 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 도면으로서, 도 2의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도,6 is a view showing a schematic configuration of a preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention, a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG.

도 7은 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 다른 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 사시도, 7 is a perspective view showing a schematic configuration of another preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention;

도 8은 본 발명에 따른 박막증착장치에 이용되는 배기부에 대한 바람직한 다른 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 도면으로서, 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선 단면도, FIG. 8 is a view showing a schematic configuration of another preferred embodiment of the exhaust unit used in the thin film deposition apparatus according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 다른 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 도면, 그리고,9 is a view showing a schematic configuration of another preferred embodiment of a thin film deposition apparatus according to the present invention, and

도 10은 본 발명에 따른 박막증착장치의 배기라인의 구성에 대한 바람직한 일 실시예에 대한 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.10 is a view showing a schematic configuration of a preferred embodiment of the configuration of the exhaust line of the thin film deposition apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200: 반응기 210: 기판 지지부 220: 가스 분사부200 reactor 210 substrate support 220 gas injection unit

230: 배기부 240: 펌프부 250: 스크러버부230: exhaust portion 240: pump portion 250: scrubber portion

260: 중앙퍼지가스 공급장치 270a, 270b, 270c: 가스 공급장치260: central purge gas supply device 270a, 270b, 270c: gas supply device

212: 서셉터 205: 박막증착공간 231: 배플 212: susceptor 205: thin film deposition space 231: baffle

236a, 236b: 유입공 238a, 238b: 배기구 235: 격벽 236a, 236b: inflow hole 238a, 238b: exhaust port 235: partition wall

237: 배기홈부 202: 외벽부 233: 내벽부 237: exhaust groove portion 202: outer wall portion 233: inner wall portion

201: 바닥부 239: 하륜부201: Bottom 239: Lower Wheel

Claims (9)

반응기;Reactor; 상기 반응기 내부에 회전 가능하게 설치되며 상면에 기판을 안착시키는 복수의 기판 안착부를 구비하는 기판 지지부;A substrate support part rotatably installed in the reactor and having a plurality of substrate seating parts for mounting a substrate on an upper surface thereof; 상기 기판 지지부의 상부에 서로 다른 종류의 원료가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 원료가스 공급장치와 상기 복수의 원료가스 공급장치 사이에 배치되어 상기 원료가스를 퍼지하는 퍼지가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 퍼지가스 공급장치가 방사형으로 설치되는 가스 분사부; 및The substrate support part includes a purge gas disposed between the plurality of source gas supply devices for supplying different kinds of source gases onto the substrate support part and the plurality of source gas supply devices on the substrate support part to purge the source gas. A gas injection unit in which a plurality of purge gas supply devices for supplying air are radially installed; And 상기 복수의 원료가스를 상기 반응기 외부로 가이드하여 배기시키도록 복수의 배기구가 마련된 배기홈부와, 상기 배기홈부에 설치되어 상기 배기홈부를 상호 격리된 복수의 배기유로로 분할하는 복수의 격벽이 형성되어 있으며, 상기 기판 지지부 둘레를 감싸도록 고리형으로 배치되는 배기부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.An exhaust groove provided with a plurality of exhaust ports for guiding and exhausting the plurality of source gases to the outside of the reactor, and a plurality of partition walls provided in the exhaust groove to divide the exhaust grooves into a plurality of exhaust passages that are isolated from each other; And an exhaust part disposed in an annular shape so as to surround the substrate support part. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배기홈부는,The exhaust groove portion, 상기 반응기의 외벽부와, 상기 반응기 외벽부로부터 상기 기판 지지부를 향해 연장형성되어 고리형으로 배치되는 바닥부와, 상기 바닥부로부터 상측으로 연장형성되며 상기 반응기 외벽부와 일정거리 이격되도록 상기 기판 지지부와 반응기 외벽부 사이에 고리형으로 배치되는 내벽부에 의하여 둘러싸여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.An outer wall portion of the reactor, a bottom portion extending from the outer wall portion of the reactor toward the substrate support portion and being disposed in an annular shape, and extending upwardly from the bottom portion and being spaced apart from the outer wall portion of the reactor by a predetermined distance; And a thin film deposition apparatus surrounded by an inner wall portion disposed annularly between the reactor outer wall portion. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 격벽은 상기 외벽부와 내벽부 및 바닥부와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The partition wall is a thin film deposition apparatus, characterized in that formed integrally with the outer wall portion, the inner wall portion and the bottom portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 배기부는,The exhaust unit, 고리형의 판상으로 형성되어 상기 배기홈부의 개방된 상측을 덮도록 설치되며, 상기 복수의 원료가스가 상기 배기홈부로 유입될 수 있도록 상면과 하면 사이를 관통하는 복수의 유입공이 형성되어 있는 배플을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.A baffle is formed in an annular plate shape so as to cover the open upper side of the exhaust groove, and a plurality of inflow holes penetrating between an upper surface and a lower surface to allow the plurality of source gases to flow into the exhaust groove. Thin film deposition apparatus further comprising. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 격벽은 상기 배플과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The partition wall is thin film deposition apparatus, characterized in that formed integrally with the baffle. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 가스 분사부는, The gas injection unit, 상기 방사형으로 배치된 원료가스 공급장치들의 중앙부에 배치되어, 상기 복수의 원료가스들이 상기 기판 지지부의 상부에서 혼합되지 않도록 상기 원료가스들을 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 중앙퍼지가스 공급장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.A central purge gas supply device disposed in the center of the radially disposed source gas supply devices, and supplied with a purge gas for purging the source gases such that the plurality of source gases are not mixed at an upper portion of the substrate support part; Thin film deposition apparatus, characterized in that. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 가스 분사부와 상기 기판 지지부의 각 중앙부 중 어느 하나에는 볼록하게 돌출부가 형성되며, 다른 하나에는 상기 돌출부를 수용하기 위하여 오목하게 삽입홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.A thin film deposition apparatus, characterized in that the protrusion is formed in one of each of the central portion of the gas injection portion and the substrate support, the convex insertion groove is formed in the other concave to accommodate the protrusion. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 각 배기유로로 유입된 가스를 상기 반응기 외부로 배출하기 위하여, 상기 각 배기유로와 연결되는 복수의 펌프를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.And a plurality of pumps connected to the respective exhaust passages to discharge the gas introduced into the respective exhaust passages to the outside of the reactor. 반응기와,Reactor, 상기 반응기 내부에 회전 가능하게 설치되며 상면에 기판을 안착시키는 복수의 기판 안착부를 구비하는 기판 지지부와,A substrate support part rotatably installed in the reactor and having a plurality of substrate seating parts on which a substrate is mounted on an upper surface thereof; 상기 기판 지지부의 상부에 서로 다른 종류의 원료가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 원료가스 공급장치와 상기 복수의 원료가스 공급장치 사이 에 배치되어 상기 원료가스를 퍼지하는 퍼지가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 복수의 퍼지가스 공급장치가 방사형으로 설치되는 가스 분사부와,The substrate support part includes a purge gas disposed between the plurality of source gas supply devices for supplying different kinds of source gases onto the substrate support part and the plurality of source gas supply devices on the substrate support part to purge the source gas. A gas injection unit in which a plurality of purge gas supply devices to be supplied to the air are radially installed; 상기 복수의 원료가스를 상기 반응기 외부로 가이드하여 배기시키도록 복수의 배기구가 마련된 배기홈부와, 상기 배기홈부에 설치되어 상기 배기홈부를 상호 격리된 복수의 배기유로로 분할하는 복수의 격벽이 형성되어 있으며, 상기 기판 지지부 둘레를 감싸도록 고리형으로 배치되는 배기부를 구비하는 복수의 공정챔버; 및An exhaust groove provided with a plurality of exhaust ports for guiding and exhausting the plurality of source gases to the outside of the reactor, and a plurality of partition walls provided in the exhaust groove to divide the exhaust grooves into a plurality of exhaust passages that are isolated from each other; And a plurality of process chambers having an exhaust part disposed in an annular shape so as to surround the substrate support part. And 상기 공정챔버 내의 가스를 외부로 배기하기 위한 복수의 펌프;를 구비하며,And a plurality of pumps for exhausting the gas in the process chamber to the outside, 상기 복수의 펌프 각각은 상기 각 공정챔버의 복수의 배기유로 중 동일한 가스를 배기하는 배기유로와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.And each of the plurality of pumps is connected to an exhaust passage for exhausting the same gas among the plurality of exhaust passages of the respective process chambers.
KR1020090060331A 2009-07-02 2009-07-02 Reactor for depositing thin film on wafer KR101334643B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090060331A KR101334643B1 (en) 2009-07-02 2009-07-02 Reactor for depositing thin film on wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090060331A KR101334643B1 (en) 2009-07-02 2009-07-02 Reactor for depositing thin film on wafer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070076163A Division KR100967882B1 (en) 2007-07-30 2007-07-30 Reactor for depositing thin film on wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090086374A true KR20090086374A (en) 2009-08-12
KR101334643B1 KR101334643B1 (en) 2013-12-02

Family

ID=41205863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090060331A KR101334643B1 (en) 2009-07-02 2009-07-02 Reactor for depositing thin film on wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101334643B1 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011129492A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 세메스 주식회사 Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same
KR101135083B1 (en) * 2010-10-29 2012-04-16 세메스 주식회사 Apparatus and method for depositing thin layer
WO2013100462A1 (en) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing device
KR101395240B1 (en) * 2010-12-31 2014-05-15 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR101502857B1 (en) * 2010-12-29 2015-03-18 세메스 주식회사 Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate
KR20150103603A (en) * 2014-03-03 2015-09-11 주성엔지니어링(주) Device treating substrate
KR20170039839A (en) * 2015-10-02 2017-04-12 주식회사 원익아이피에스 Substrate treating apparatus
KR20190074922A (en) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 원익아이피에스 Apparatus and Method of Processing wafer
US20210032747A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
CN116676588A (en) * 2023-06-07 2023-09-01 江苏迈纳德微纳技术有限公司 Novel atomic layer deposition experiment machine

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102372893B1 (en) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition apparatus for fabricating light emitting diode(LED)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332314B1 (en) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 Reactor for depositing thin film on wafer
KR100497748B1 (en) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 ALD equament and ALD methode
KR100502420B1 (en) * 2003-05-29 2005-07-20 삼성전자주식회사 Deposition apparatus used in manufacturing semiconductor devices
KR100616486B1 (en) * 2004-02-09 2006-08-28 백용구 Apparatus and method for atomic layer depostion using on independent gas flowing segment cell

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2560193A1 (en) * 2010-04-12 2013-02-20 Semes Co., Ltd. Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same
WO2011129492A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 세메스 주식회사 Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same
EP2560193A4 (en) * 2010-04-12 2014-07-02 Semes Co Ltd Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same
KR101135083B1 (en) * 2010-10-29 2012-04-16 세메스 주식회사 Apparatus and method for depositing thin layer
KR101502857B1 (en) * 2010-12-29 2015-03-18 세메스 주식회사 Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate
KR101395240B1 (en) * 2010-12-31 2014-05-15 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
WO2013100462A1 (en) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing device
KR20150103603A (en) * 2014-03-03 2015-09-11 주성엔지니어링(주) Device treating substrate
KR20170039839A (en) * 2015-10-02 2017-04-12 주식회사 원익아이피에스 Substrate treating apparatus
KR20190074922A (en) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 원익아이피에스 Apparatus and Method of Processing wafer
US20210032747A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
CN114174554A (en) * 2019-07-29 2022-03-11 应用材料公司 Semiconductor processing chamber and method for cleaning same
KR20220035488A (en) * 2019-07-29 2022-03-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
US11952660B2 (en) * 2019-07-29 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
CN116676588A (en) * 2023-06-07 2023-09-01 江苏迈纳德微纳技术有限公司 Novel atomic layer deposition experiment machine

Also Published As

Publication number Publication date
KR101334643B1 (en) 2013-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100967881B1 (en) Reactor for depositing thin film on wafer
KR101334643B1 (en) Reactor for depositing thin film on wafer
TWI496199B (en) Reactor for depositing thin film on wafer
KR101311362B1 (en) Reactor for depositing thin film on wafer
TWI423367B (en) Film deposition apparatus and substrate process apparatus
TWI418650B (en) Film deposition apparatus
JP4630226B2 (en) Chemical vapor deposition method and apparatus using showerhead
US8944077B2 (en) Film deposition apparatus, cleaning method for the same, and computer storage medium storing program
JP4629110B2 (en) Thin film deposition apparatus and method
US7648578B1 (en) Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
TWI505358B (en) Film deposition apparatus
KR101132262B1 (en) Gas injecting assembly and Apparatus for depositing thin film on wafer using the same
US20070218702A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070218701A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
KR101072670B1 (en) Apparatus for atomic layer deposition
KR100967882B1 (en) Reactor for depositing thin film on wafer
KR101185376B1 (en) Gas injecting assembly and Apparatus for depositing thin film on wafer using the same
KR101804128B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20140049170A (en) Substrate processing apparatus
TW201610216A (en) Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
KR101452834B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR20110077743A (en) Apparatus for multi component layer deposition for atomic layer deposition
KR101171677B1 (en) Apparatus for multi component layer deposition for atomic layer deposition
KR101829669B1 (en) Method of depositing thin film and Apparatus for depositing thin film
KR101622909B1 (en) Gas supply unit and thin film deposition apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 7