KR101804128B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이종(異種) 가스 간의 반응에 의한 부산물의 발생을 억제할 수 있는 기판처리장치에 관한 것으로서, 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와; 상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와; 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;을 포함하며, 박막 증착에 사용된 서로 다른 가스가 챔버 외부로 배출되는 과정에서 서로 혼합되어 부산물을 생성하는 현상을 방지할 수 있다. The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of suppressing the generation of byproducts due to reaction between different types of gases, and more particularly, to a substrate processing apparatus comprising two material gas regions to which a material gas is supplied along a circumferential direction, And a plurality of purge gas regions for separating the source gas regions and the first reaction gas region from each other and supplied with the purge gas are formed in the first reaction gas region, A chamber in which a plurality of exhaust ports are formed; A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted; And a plurality of gas injection units installed on top of the space part so as to face the substrate support part and hermetically seal the space and inject the corresponding gas into the respective gas areas; A raw material gas exhaust passage connected to any one of the plurality of exhaust openings, and a plurality of exhaust openings communicating with the plurality of exhaust openings, And a gas exhaust unit in which a reaction gas exhaust flow passage communicating with the other one of the exhaust holes is annularly installed along the inner wall of the chamber. In the process of discharging the different gases used for the thin film deposition to the outside of the chamber, It is possible to prevent the phenomenon of generation.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종(異種) 가스 간의 반응에 의한 부산물의 발생을 억제할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of suppressing the generation of by-products due to reaction between different kinds of gases.

반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단위 면적당 보다 많은 소자들을 집적시키기 위하여 디자인 룰(design rule)이 감소되고 있다. 이에 따라 보다 얇은 박막의 증착과 우수한 단차피복성(step coverage)을 구현할 수 있는 증착 방법이 요구되고 있다. 이에 부합되는 증착 방법으로는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, a design rule is reduced to integrate more devices per unit area. Accordingly, there is a demand for a deposition method capable of realizing thinner film deposition and excellent step coverage. A suitable deposition method is an atomic layer deposition (ALD) method.

일반적으로 원자층 증착방법은 기판에 각각의 원료가스들을 분리 공급하여 원료가스들의 표면 포화에 의해 박막이 형성되도록 하는 방법이다. In general, the atomic layer deposition method is a method in which a thin film is formed by separately supplying the respective source gases to a substrate, thereby surface saturation of the source gases.

원자층 박막 증착방법의 원리를 간단하게 설명하면 다음과 같다. 제1원료가스가 챔버 내로 공급되면 기판 표면과의 반응을 통해 단원자층이 기판 표면에 화학 흡착된다. 그러나 기판 표면이 제1원료가스로 포화되면 단원자층 이상의 제1원료가스들은 동일한 리간드간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태에 있게 된다. 퍼지(purge)가스가 공급되면 이 물리 흡착 상태의 제1원료가스들은 퍼지가스에 의해서 제거된다. 첫 번째 단원자층 위에 제2원료가스(반응가스)가 공급되면 제1원료가스와 제2원료가스의 리간드 상호간 치환반응을 통해 두 번째 층이 성장하고, 첫 번째 층과 반응하지 못한 제2원료가스들은 물리 흡착 상태에 있게 되어 퍼지가스에 의해 제거된다. 그리고 이 두 번째 층의 표면은 제1원료가스와 반응할 수 있는 상태에 있게 된다. 상기한 과정이 하나의 사이클을 이루고 여러 사이클의 반복에 의해 박막이 증착되는 것이다.The principle of the atomic layer thin film deposition method will be briefly described as follows. When the first source gas is supplied into the chamber, the monolayer is chemically adsorbed on the substrate surface through reaction with the substrate surface. However, when the surface of the substrate is saturated with the first source gas, the first source gases above the monolayer can not form the chemisorption state due to the non-reactivity between the same ligands, and are in the state of physically adsorbed. When the purge gas is supplied, the first source gases in the physically adsorbed state are removed by the purge gas. When the second raw material gas (reaction gas) is supplied onto the first monolayer layer, the second layer is grown through mutual exchange reaction between the first source gas and the second source gas, and the second source gas Are in a physically adsorbed state and are removed by the purge gas. And the surface of the second layer is in a state capable of reacting with the first raw material gas. The above process forms one cycle, and the thin film is deposited by repeating several cycles.

이와 같은 방법은 챔버 내에 장착된 기판에 원료가스, 반응가스 등의 공정가스와 퍼지가스를 순차적으로 공급 및 배출시킴으로써 수행되는 시간 분할 방식의 원자층 증착방법으로서, 한 개 또는 복수 개의 기판이 장착되는 기판지지부를 고정시킨 상태에서 공정가스 및 퍼지가스를 교대로 반복해서 공급함으로써 박막을 증착할 수 있다. Such a method is a time-division type atomic layer deposition method, which is performed by sequentially supplying and discharging a process gas such as a source gas, a reactive gas, and the like to a substrate mounted in a chamber, and one or a plurality of substrates are mounted The thin film can be deposited by alternately and repeatedly supplying the process gas and the purge gas while the substrate supporting portion is fixed.

반면에, 기판지지부에 복수 개의 기판을 장착하고, 기판지지부를 회전시키면서 박막을 증착하는 경우에는 공정가스 및 퍼지가스를 동시에 공급하면서 박막을 증착하게 된다. 이 경우에는 가스를 공급하는 가스분사체를 공정가스와 퍼지가스가 서로 혼합되지 않도록 형성하여 기판에 공정가스와 퍼지가스가 교대로 공급되도록 한다. On the other hand, when a plurality of substrates are mounted on the substrate supporting part and the thin film is deposited while rotating the substrate supporting part, the thin film is deposited while simultaneously supplying the process gas and the purge gas. In this case, the gas jetting body for supplying the gas is formed so that the process gas and the purge gas are not mixed with each other so that the process gas and the purge gas are alternately supplied to the substrate.

이와 같이 기판지지부를 회전시키고, 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 동시에 공급하면, 각각의 기판은 공정가스와 퍼지가스와 교대로 접촉하게 되고, 이에 기판 상에 박막이 형성되게 된다. 이런 원자층 증착 방법은 공간 분할 방식의 원자층 증착방법으로서, 기판지지부와 가스분사체 간에 상대적인 회전을 부여하고 원료가스와 반응가스를 동시에 분사하면서 복수 개의 기판에 박막을 증착할 수 있다.When the substrate support is rotated and the source gas, the reactive gas, and the purge gas are simultaneously supplied, the substrates are alternately brought into contact with the process gas and the purge gas, and a thin film is formed on the substrate. Such an atomic layer deposition method is a space division atomic layer deposition method in which a thin film can be deposited on a plurality of substrates while giving relative rotation between the substrate support and the gas injection body and simultaneously spraying the source gas and the reaction gas.

여기에서 전자와 같이 시간 분할 방식의 원자층 증착방법에서는 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 등의 공정 가스들이 순차적으로 공급되고 배출되기 때문에 원료가스와 반응가스가 챔버 내부에서나 배기되는 과정에서 혼합되는 일이 거의 없다. In the time-divisional atomic layer deposition method such as the former, since the process gases such as the raw material gas, the reactive gas and the purge gas are sequentially supplied and discharged, the raw material gas and the reactive gas are mixed in the process of being exhausted from the inside of the chamber There are few.

그러나 후자의 공간 분할 방식의 원자층 증착방법에서는 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 등의 공정 가스들이 가스분사체를 통해 동시에 공급되고, 하나의 배기유로 및 배기구를 통해 배출되기 때문에 기판 상부를 제외한 챔버 내부나 배기유로 및 배기구에서 원료가스와 반응가스가 필연적으로 혼합되게 된다. 특히, 한 번에 2 주기 또는 그 이상의 주기로 박막을 증착하는 경우에는 챔버 내부 공간이나 배기유로 내에서 원료가스와 반응가스뿐만 아니라, 다원계 원료가스 사이, 반응가스와 반응가스가 서로 반응하면서 부산물이 생성되는 것을 피할 수 없다. 이와 같이 생성된 부산물은 챔버나 배기유로 내에 부착되어 오염원으로 작용하며, 특히 박막을 증착하는 과정에서 기판 상에 부착되어 형성되는 박막의 품질을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 이와 같이 부착된 부산물은 그 제거가 어려워 이를 제거하는데 많은 시간과 노력이 요구되고, 이에 따라 공정 효율 및 생산성이 저하되는 문제점도 있다However, in the latter atomic layer deposition method, the process gases such as the raw material gas, the reactive gas and the purge gas are simultaneously supplied through the gas injector and discharged through one exhaust passage and the exhaust port. Therefore, The raw material gas and the reactive gas are inevitably mixed in the inside, the exhaust passage and the exhaust port. Particularly, when a thin film is deposited at a cycle of two cycles or more at a time, the reaction gas and the reaction gas react with each other not only between the raw material gas and the reaction gas but also between the multi-component raw material gas in the chamber interior space or the exhaust passage, Can not be avoided. The by-products thus generated are adhered to the chamber or the exhaust flow path to act as contaminants. Particularly, there is a problem of deteriorating the quality of the thin film formed on the substrate during the deposition of the thin film. In addition, since the by-products thus adhered are difficult to remove, a great deal of time and effort is required to remove the byproducts, which leads to a reduction in process efficiency and productivity

KRKR 09203240920324 B1B1

본 발명은 공간 분할 방식의 원자층 증착과정에서 1turn 2cycle로 박막을 증착하는 경우 공정가스 간의 혼합으로 인한 부산물의 발생을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing generation of by-products due to mixing of process gases in the case of depositing a thin film by one turn and two cycles in a process of atomic layer deposition in a space division system.

본 발명은 공간 분할 방식의 원자층 증착과정에서 3원계 이상의 박막을 증착하는 경우 공정가스 간의 혼합에 의해 부산물이 생성되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing by-products from being formed by mixing between process gases when a thin film of a ternary system or higher is deposited in a process of atomic layer deposition in a space division system.

본 발명은 우수한 품질의 박막을 증착할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of depositing a thin film of excellent quality.

본 발명은 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving process efficiency and productivity.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와; 상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와; 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;을 포함하고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로에 인접하게 형성되는 제2배기유로이며, 상기 제1배기유로는, 상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및 복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고, 상기 제2배기유로는, 상기 제1격벽 상부에 형성되는 제2격벽; 및 복수 개의 제2배기홀이 형성되며, 상기 제2격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제2배플;을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 복수 개의 제2배기홀 중 일부는 상기 제2배기유로를 가로지르는 제1연결관을 통해 상기 복수 개의 제1배기홀에 연결되고, 상기 제2배기유로는 상기 제1배플을 관통하여 상기 제1배기유로를 가로지르는 제2연결관을 통해 상기 배기구에 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와; 상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와; 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;을 포함하고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로에 인접하게 형성되는 제2배기유로이며, 상기 제1배기유로는, 상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및 복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고, 상기 제2배기유로는, 상기 제1격벽에 이격되어 형성되는 제2격벽과; 복수 개의 제2배기홀이 형성되고, 상기 제2격벽의 상부와 상기 제1격벽의 상부를 연결하는 제2배플;을 포함하고, 상기 복수 개의 제1배기홀과 상기 복수 개의 제2배기홀은 서로 중첩되지 않는 방향에서 각각 그룹을 지어 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와; 상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와; 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;을 포함하고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고, 상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로와 이격되어 상기 챔버 내부의 상부 내벽을 따라 형성되는 제2배기유로이며, 상기 제1배기유로는, 상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및 복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고, 상기 제2배기유로는, 상기 제1배플과 이격되어 형성되며, 상기 챔버의 상부 내벽에 이격되어 형성되는 제2격벽; 및 복수 개의 제2배기홀이 형성되며, 상기 제2격벽의 상부와 상기 챔버의 상부 내벽을 연결하는 제2배플;을 포함하며, 상기 복수 개의 제1배기홀과 상기 복수 개의 제2배기홀은 서로 중첩되지 않는 방향에서 각각 그룹을 지어 형성될 수 있다.
상기 공간부는 상기 제1반응가스영역과 대향되는 상기 원료가스영역 사이의 퍼지 가스영역 내에 상기 반응가스가 공급되는 제2반응가스영역을 더 포함하고, 상기 가스분사체는 상기 제2반응가스영역에 대응하는 영역에 반응가스를 분사하는 가스분사유닛을 더 포함하며, 상기 반응가스 배기유로는 상기 제2반응가스영역에 대응되는 부분에 상기 반응가스를 배기하는 배기홀을 더 포함할 수 있다.
상기 제1배기유로와 상기 제2배기유로는 서로 다른 배기구에 연결될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes two material gas regions to which a material gas is supplied along a circumferential direction and a first reaction gas A chamber in which a plurality of exhaust ports are formed, in which a space defined by a plurality of purge gas regions for separating the source gas regions and the first reaction gas region from each other and to which purge gas is supplied is formed; A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted; And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions; And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes And a gas exhaust unit having an exhaust hole through which the first reaction gas is exhausted and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber, Wherein one of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber and the other one of the material gas exhaust passage or the reaction gas exhaust passage communicates with the first exhaust passage A second exhaust passage formed adjacent to the first exhaust passage, the first exhaust passage including a first partition wall spaced apart from a lower inner wall of the chamber; And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein, the first baffle connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber, and the second exhaust passage includes a first baffle A second bank formed; And a second baffle having a plurality of second exhaust holes formed therein, the second baffle connecting the upper surface of the second partition and the lower inner wall of the chamber.
Wherein a part of the plurality of second exhaust holes is connected to the plurality of first exhaust holes through a first connection pipe which crosses the second exhaust passage and the second exhaust passage passes through the first baffle, And may be connected to the exhaust port through a second connection pipe which crosses the first exhaust passage.
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes two material gas regions to which a material gas is supplied along a circumferential direction and a first reaction gas A chamber in which a plurality of exhaust ports are formed, in which a space defined by a plurality of purge gas regions for separating the source gas regions and the first reaction gas region from each other and to which purge gas is supplied is formed; A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted; And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions; And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes And a gas exhaust unit having an exhaust hole through which the first reaction gas is exhausted and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber, Wherein one of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber and the other one of the material gas exhaust passage or the reaction gas exhaust passage communicates with the first exhaust passage A second exhaust passage formed adjacent to the first exhaust passage, the first exhaust passage including a first partition wall spaced apart from a lower inner wall of the chamber; And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein, the first baffle connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber, wherein the second exhaust passage is spaced apart from the first partition, A second barrier rib formed on the first barrier rib; And a second baffle having a plurality of second exhaust holes and connecting an upper portion of the second partition and an upper portion of the first partition, wherein the plurality of first exhaust holes and the plurality of second exhaust holes They can be formed in groups in a direction that does not overlap each other.
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes two material gas regions to which a material gas is supplied along a circumferential direction and a first reaction gas A chamber in which a plurality of exhaust ports are formed, in which a space defined by a plurality of purge gas regions for separating the source gas regions and the first reaction gas region from each other and to which purge gas is supplied is formed; A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted; And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions; And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes And a gas exhaust unit having an exhaust hole through which the first reaction gas is exhausted and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber, Wherein one of the source gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber and the other of the raw material gas exhaust passage or the reaction gas exhaust passage is communicated with the first exhaust passage And a second exhaust passage spaced apart from the first exhaust passage and formed along an upper inner wall of the chamber, A first partition wall which is spaced apart is formed on; And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein and connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber, wherein the second exhaust passage is spaced apart from the first baffle A second partition wall spaced apart from an upper inner wall of the chamber; And a second baffle formed with a plurality of second exhaust holes and connecting an upper portion of the second partition and an upper inner wall of the chamber, wherein the plurality of first exhaust holes and the plurality of second exhaust holes They can be formed in groups in a direction that does not overlap each other.
Wherein the space portion further includes a second reaction gas region into which the reaction gas is supplied in a purge gas region between the first reaction gas region and the material gas region opposing the first reaction gas region, And a gas injection unit for injecting a reaction gas into a corresponding region, wherein the reaction gas exhaust passage may further include an exhaust hole for exhausting the reaction gas to a portion corresponding to the second reaction gas region.
The first exhaust passage and the second exhaust passage may be connected to different exhaust ports.

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본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 박막 증착에 사용된 서로 다른 가스가 챔버 외부로 배출되는 과정에서 서로 혼합되어 부산물을 생성하는 현상을 방지할 수 있다. 예컨대 공간 분할 방식을 이용한 원자층 증착방법에서 1turn 2cycle 증착 또는 3원계 이상의 박막을 증착하는 경우 공정가스 간의 혼합으로 인한 부산물의 발생을 방지할 수 있다. 이를 통해 공정을 안정적으로 수행할 수 있어 우수한 품질의 박막을 증착할 수 있다. 또한, 장치를 청정하게 유지할 수 있어 장치의 유지보수에 소요되는 비용과 시간을 절감할 수 있으며, 생산성도 향상시킬 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent the by-products from being mixed with each other in the course of discharging the different gases used for the thin film deposition to the outside of the chamber. For example, in the atomic layer deposition method using the space division method, when the one-turn 2 cycle deposition or the ternary or higher-order thin film is deposited, the generation of by-products due to the mixing of the process gases can be prevented. Thus, the process can be performed stably and a thin film of excellent quality can be deposited. In addition, it is possible to keep the apparatus clean, thereby reducing the cost and time required for maintenance of the apparatus, and also improving the productivity.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 2는 도 1의 가스분사장치에 적용되는 배기유로의 구조를 개념적으로 보여주는 도면.
도 3은 도 1의 가스분사장치에 적용된 배기유로의 일 예를 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치에 적용되는 배기유로의 변형 예를 개략적으로 보여주는 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a conceptual view showing a structure of an exhaust passage applied to the gas injection apparatus of FIG. 1. FIG.
3 is a view showing an example of an exhaust passage applied to the gas injection apparatus of FIG.
4 is a cross-sectional view schematically showing a modified example of an exhaust flow path applied to a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know.

이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지부(120), 가스분사체(130) 및 가스배출유닛을 포함한다. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, a substrate support 120, a gas jet 130, and a gas discharge unit.

챔버(100)는 상부가 개방된 본체(102)와, 본체(102)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(132)를 구비한다. 탑리드(132)가 본체(102)의 상부에 결합되어 본체(102) 내부를 폐쇄하면, 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 행해지는 공간부(110)가 형성된다.The chamber 100 includes a main body 102 with an open top and a top lead 132 which is openable and closable at the top of the main body 102. When the top lead 132 is coupled to the upper portion of the main body 102 to close the inside of the main body 102, a space portion 110 in which processing for the substrate W, such as a deposition process, Is formed.

이때, 챔버(100) 내부의 공간부(110)는 복수의 영역으로 구분될 수 있다. 예컨대 공간부(110)는 원료가스영역과, 반응가스영역 및 퍼지가스영역으로 구분될 수 있다. 또한, 원료가스영역과 반응가스영역은 적어도 두 개 이상씩 구비될 수 있으며, 이들은 퍼지가스영역에 의해 상호 분리된다. 예컨대 3원계 증착의 경우, 공간부(110)에는 두 개의 서로 다른 원료가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 두 개의 원료가스 영역 사이 중 어느 한쪽에 반응가스가 공급되는 반응가스영역이 형성될 수 있으며, 이들 가스영역들은 퍼지가스 영역에 의해 상호 분리된다. 또한, 1turn 2cycle 증착의 경우, 공간부(110)에는 동일한 원료가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 원료가스영역 사이에 서로 대향하도록 형성되는 두 개의 반응가스영역이 형성될 수 있다. 이와 같은 구조는 후술하는 가스분사체(130)으로부터 분사되는 가스의 종류에 따라 구분될 수 있다. At this time, the space 110 inside the chamber 100 can be divided into a plurality of regions. For example, the space portion 110 may be divided into a raw gas region, a reactive gas region, and a purge gas region. Further, at least two of the source gas region and the reactive gas region may be provided, and they are separated from each other by the purge gas region. For example, in the case of the ternary deposition, the space portion 110 is formed with two source gas regions to which two different source gases are supplied and a reaction gas region to which the reaction gas is supplied to either one of the two source gas regions And these gas regions are separated from each other by a purge gas region. Also, in the case of 1 turn 2 cycle deposition, two space of the raw material gas to which the same raw material gas is supplied and two reaction gas regions which are formed to face each other between the raw material gas region may be formed in the space portion 110. Such a structure can be classified according to the type of gas injected from a gas jet body 130 described later.

공간부(110)는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 챔버(100)의 소정 위치에는 공간부(110)에 존재하는 가스의 배출을 위한 가스배출유닛이 마련될 수 있다. 이때, 가스배출유닛은 챔버(100)의 내부 가장자리를 따라 형성되는 복수 개의 배기유로(162, 172)와, 각각의 배기유로(162, 172)와 연통되는 복수 개의 배기구(105, 106)로 이루어지며, 복수 개의 배기유로(162, 172)는 배기구(105, 106)를 통해 외부의 펌프(미도시)와 연결되는 복수 개의 배기관(150, 152)에 독립적으로 연결된다. 배기유로(162, 172)는 도 1에 도시된 것처럼 챔버(100) 내벽, 예컨대 측벽 및 하부면을 이용하여 형성될 수도 있고, 중공의 배관 등을 이용하여 형성될 수도 있다. 배기유로(162, 172)가 챔버(100)의 내벽을 이용하여 형성되는 경우, 배기유로(162, 172)는 챔버(100)의 내부 측벽으로부터 이격되어 형성되는 격벽(160, 170)과, 격벽(160, 170)과 챔버(100)의 내부 측벽을 연결하는 배플(164, 174)에 의해 형성될 수 있다. 여기에서는 설명의 편의상 격벽(160, 170)과 배플(164, 174)이 분리된 것으로 설명하고 있으나, 격벽(160, 170)과 배플(164, 174)은 통상 일체로 형성된다. 배플(164, 174)에는 복수 개의 배기홀(166, 176)이 형성되어 공간부(110) 내의 공기나 박막 증착 시 잔류하는 가스, 부산물 등을 흡입하여 배기유로(162, 172)를 통해 배기구(105, 106)에 연결되는 배기관(150, 152)으로 배출시킨다. 여기에서 배기홀(166, 176)은 전술한 원료가스영역과 반응가스영역에 대응하는 위치에 각각 형성되며, 이들 배기홀(166, 176)은 원료가스와 반응가스를 배기하기 위한 배기유로(162, 176)와 각각 연통된다. 본 발명의 실시 예에서는 이종(異種) 가스의 혼합을 억제할 수 있도록 복수 개의 배기유로(162, 172)를 포함하는 가스배출유닛을 형성하였다. 이때, 각각의 배기유로(162, 172)는 동일한 가스를 배출시킬 수 있도록 형성되는 것이 바람직하며, 예컨대 3원계 박막 증착을 위해 2종류의 원료가스를 이용하는 경우에는 각각의 원료가스가 서로 다른 배기유로를 통해 배출될 수 있도록 한다. 이와 같이 형성되는 가스배출유닛의 구체적인 구조는 후술하는 실시 예에서 다시 설명하기로 한다.Since the space 110 is generally formed in a vacuum atmosphere, a gas discharge unit for discharging the gas existing in the space 110 may be provided at a predetermined position of the chamber 100. The gas exhaust unit includes a plurality of exhaust passages 162 and 172 formed along the inner edge of the chamber 100 and a plurality of exhaust ports 105 and 106 communicating with the exhaust passages 162 and 172 And a plurality of exhaust passages 162 and 172 are independently connected to a plurality of exhaust pipes 150 and 152 connected to an external pump (not shown) through the exhaust ports 105 and 106. The exhaust passages 162 and 172 may be formed using the inner wall of the chamber 100, for example, the side wall and the lower surface, as shown in FIG. 1, or may be formed using a hollow pipe or the like. In the case where the exhaust flow paths 162 and 172 are formed by using the inner wall of the chamber 100, the exhaust flow paths 162 and 172 are formed by the partition walls 160 and 170 formed apart from the inner side wall of the chamber 100, And baffles 164 and 174 that connect the inner side walls of the chamber 100 and the chambers 160 and 170, respectively. Although the partition walls 160 and 170 and the baffles 164 and 174 are described as being separated from each other for convenience of explanation, the partition walls 160 and 170 and the baffles 164 and 174 are generally integrally formed. A plurality of exhaust holes 166 and 176 are formed in the baffles 164 and 174 to suck in gas or byproducts remaining in the space 110 when depositing the air or the thin film and exhaust the exhausted air through the exhaust passages 162 and 172 105, and 106 through the exhaust pipes 150 and 152, respectively. The exhaust holes 166 and 176 are formed at positions corresponding to the raw material gas region and the reactive gas region described above, respectively. The exhaust holes 166 and 176 are formed in the exhaust passage 162 for exhausting the raw material gas and the reactive gas And 176, respectively. In the embodiment of the present invention, a gas exhaust unit including a plurality of exhaust passages 162 and 172 is formed so as to suppress mixing of heterogeneous gases. In this case, it is preferable that each of the exhaust flow paths 162 and 172 is formed so as to discharge the same gas. For example, when two kinds of source gases are used for the deposition of the three-element thin film, And the like. The specific structure of the gas exhaust unit thus formed will be described again in the following embodiments.

또한, 챔버(100)의 바닥면에는 후술할 기판지지부(120)의 회전축(126)이 삽입되는 관통공(104)이 형성되어 있다. 본체(102)의 측벽에는 기판(W)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트벨브(미도시)가 형성되어 있다. A through hole 104 is formed in the bottom surface of the chamber 100 to receive a rotation shaft 126 of the substrate support 120, which will be described later. A gate valve (not shown) is formed on the side wall of the main body 102 to carry the substrate W into or out of the chamber 100.

기판지지부(120)는 기판(W)을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트(122)와 회전축(126)을 구비한다. 지지플레이트(122)는 원판 형상으로 챔버(100) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(126)은 지지플레이트(122)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(126)은 관통공(104) 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 지지플레이트(122)를 승강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(126)과 관통공(104) 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 박막을 증착하는 과정에서 챔버(100) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다.The substrate support 120 has a support plate 122 and a rotation shaft 126 for supporting the substrate W. The support plate 122 is provided in a disc shape in the horizontal direction inside the chamber 100 and the rotation axis 126 is vertically connected to the bottom surface of the support plate 122. The rotation shaft 126 is connected to driving means (not shown) such as a motor outside the through hole 104 to lift and rotate the support plate 122. At this time, the gap between the rotating shaft 126 and the through hole 104 is sealed by using a bellows (not shown) or the like to prevent the vacuum in the chamber 100 from being released in the process of depositing the thin film.

또한, 지지플레이트(122)의 상부에는 복수의 기판안착부(124)가 일정 간격을 가지며 형성된다. 기판안착부(124)는 박막 증착을 위한 지지플레이트(122)의 회전 시 장착된 기판(W)의 이탈을 방지할 수 있도록 함몰된 형태로 형성되는 것이 좋다. 또한 지지플레이트(122)의 하측 또는 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판(W)을 일정한 공정 온도로 가열할 수도 있다. Also, a plurality of substrate seating portions 124 are formed on the upper surface of the support plate 122 at regular intervals. The substrate seating part 124 may be formed in a recessed shape so as to prevent the substrate W mounted on rotation of the support plate 122 for thin film deposition. Further, a heater (not shown) may be provided below or inside the support plate 122 to heat the substrate W to a predetermined process temperature.

가스분사체(130)는 기판지지부(120) 상부에 이격되어 구비되며, 기판지지부(120) 측으로 원료가스(S), 반응가스(R), 퍼지가스(P) 등 공정가스를 분사한다. The gas spraying body 130 is spaced apart from the upper part of the substrate supporting part 120 and injects a process gas such as a raw material gas S, a reactive gas R and a purge gas P toward the substrate supporting part 120.

가스분사체(130)는 서로 다른 종류의 가스를 분사하는 복수의 가스분사유닛을 포함하며, 각각의 가스분사유닛은 부채꼴과 유사한 형태를 이루며 지지플레이트(122)의 중심점을 기준으로 배열된다. 이러한 가스분사유닛의 배열은 공간부(110)의 원료가스영역, 반응가스영역 및 퍼지가스영역과 대응된다. The gas ejecting body 130 includes a plurality of gas ejecting units for ejecting different types of gas, and each gas ejecting unit has a shape similar to a fan shape and is arranged with respect to the center point of the support plate 122. The arrangement of these gas injection units corresponds to the source gas region, the reactive gas region and the purge gas region of the space portion 110.

또한, 각각의 가스분사유닛은 탑리드(132)의 일부분씩을 점유하는 형태로 탑리드(132)를 공유하며, 탑리드(132) 하부에 복수의 가스분사공(136)이 형성된 분사플레이트(134)가 결합되어 형성된다. 이렇게 형성된 가스분사유닛은 분사플레이트(134)와 탑리드(132) 사이에 가스확산공간(C)을 형성된다.Each of the gas injection units share a top lead 132 in a form occupying a part of the top leads 132 and a plurality of gas injection holes 136 are formed under the top leads 132 134 are combined. The gas injection unit thus formed forms a gas diffusion space C between the injection plate 134 and the top lead 132.

그리고 탑리드(132)에는 가스분사유닛의 개수와 대응하는 개수로 가스도입구(140)가 형성되어 탑리드(132)와 분사플레이트(134) 사이의 가스확산공간(C)과 연통된다. 각각의 가스도입구(140)는 외부의 다양한 가스공급원(미도시)과 선택적으로 연결된다. A gas inlet 140 corresponding to the number of the gas injection units is formed in the top lead 132 to communicate with the gas diffusion space C between the top lead 132 and the injection plate 134. Each gas inlet 140 is selectively connected to various external gas sources (not shown).

여기에서는 분사플레이트(134)가 탑리드(132)의 일부분씩을 점유하며 결합되어 가스분사유닛을 형성한 예에 대해서 설명하고 있지만, 복수의 가스분사유닛은 개별적으로 형성될 수도 있다. 그리고 가스분사유닛들의 중앙에는 퍼지가스를 분사하는 중앙 가스분사유닛(138)을 더 구비함으로써 원료가스와 반응가스가 기판지지부(120)의 중앙에서 상호 혼합되는 것을 방지할 수도 있다. Although an example in which the injection plate 134 occupies a portion of the top lead 132 and is combined to form a gas injection unit is described, a plurality of gas injection units may be formed separately. Further, the center of the gas injection units may further include a central gas injection unit 138 for injecting purge gas, thereby preventing the source gas and the reactive gas from intermingling at the center of the substrate support 120.

또한, 탑리드(132)와 분사플레이트(134) 사이에 분사공(미도시)이 형성된 중간플레이트(미도시)가 개재될 수도 있다. 이 경우 가스도입구(140)를 통해 가스분사유닛으로 유입된 가스는 탑리드(132)와 중간플레이트 사이 그리고 중간플레이트와 분사플레이트 (134) 사이에 형성되는 가스확산공간 내에서 고르게 확산될 수 있다. 즉, 가스도입구(140)을 통해 유입된 공정가스는 가스확산공간(C)에서 완전히 확산된 후 기판(W)으로 공급되어야 만이 공정가스가 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 고르게 공급될 수 있다. 이에 탑리드(132)와 분사플레이트(134) 사이에 중간플레이트를 개재함으로써, 가스도입구(140)로부터 공급되는 가스를 중간플레이트와 탑리드(132) 사이에서 1차적으로 확산시킨 후 중간플레이트에 형성된 분사공을 통해 배출되게 하고, 다시 중간플레이트와 분사플레이트 (134) 사이에서 2차적으로 확산시킨 후 기판(W)으로 공급되게 한다. 공정가스는 2번의 확산과정을 통해 가스확산공간(C)에서 완전히 확산됨으로써 기판(W) 전체 영역에 고르게 분사될 수 있다.
An intermediate plate (not shown) in which a spray hole (not shown) is formed between the top lead 132 and the spray plate 134 may be interposed. In this case, the gas introduced into the gas injection unit through the gas inlet 140 can evenly diffuse in the gas diffusion space formed between the top lead 132 and the intermediate plate and between the intermediate plate and the injection plate 134 . That is, the process gas introduced through the gas inlet 140 is completely diffused in the gas diffusion space C and then supplied to the substrate W so that the process gas can be uniformly supplied over the entire area of the substrate W have. The intermediate plate is interposed between the top lead 132 and the spray plate 134 so that the gas supplied from the gas inlet 140 is primarily diffused between the intermediate plate and the top lead 132, And then is diffused secondarily between the intermediate plate and the spray plate 134, and is then supplied to the substrate W. [ The process gas can be uniformly sprayed over the entire area of the substrate W by being completely diffused in the gas diffusion space C through two diffusion processes.

이와 같이 구성된 기판처리장치는 박막을 증착하는 과정에서 가스분사체(130)를 통해 원료가스(S), 반응가스(R) 및 퍼지가스(P)를 기판(W) 상부로 지속적으로 공급되고, 잔류가스 및 부산물 등은 가스배출유닛을 통해 배기관(150, 152)으로 배출된다. The substrate processing apparatus constructed as described above continuously supplies the source gas S, the reactive gas R and the purge gas P to the upper portion of the substrate W through the gas spraying body 130 in the process of depositing the thin film, Residual gas and byproducts are discharged to the exhaust pipes 150 and 152 through the gas exhaust unit.

앞서 언급한 바와 같이 본 발명의 실시 예에서는 가스배출유닛을 형성함에 있어서 복수 개의 배기유로를 이용하여 원료가스(S)와 반응가스(R)를 각각 배출시킴으로써 원료가스(S)와 반응가스(R)가 서로 혼합되는 것을 방지한다. 이에 원료가스(S)와 반응가스(R)의 혼합에 의한 부산물의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 퍼지가스(P)는 통상 다른 가스와 반응을 일으키지 않는 아르곤(Ar) 등과 같은 불활성 가스를 사용하기 때문에 인접한 배기유로를 통해 배출되어도 무방하다. As described above, in the embodiment of the present invention, the raw gas (S) and the reactive gas (R) are exhausted by using a plurality of exhaust channels in forming the gas exhaust unit, ) From mixing with each other. Thus, the generation of by-products by mixing the raw material gas (S) and the reactive gas (R) can be suppressed. On the other hand, since the purge gas P usually uses an inert gas such as argon (Ar) which does not react with other gases, it may be discharged through an adjacent exhaust passage.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스배출유닛의 구조를 개념적으로 보여주는 도면으로서, G는 가스분사체(130)를 통해 분사되는 가스의 분포 영역을 나타낸다.2 is a conceptual view of the structure of a gas exhaust unit according to an embodiment of the present invention, in which G represents a distribution region of gas injected through the gas jet body 130. Fig.

가스배출유닛은 원료가스(S)를 포함하는 가스를 흡입하여 제1배기관(150)으로 배출하기 위한 제1배기유로(162)와, 반응가스(R)를 포함하는 가스를 흡입하여 제2배기관(152)으로 배출하기 위한 제2배기유로(172)를 포함한다. 도면에서는 가스배출유닛이 원료가스(S)와 반응가스(R)가 배출되는 2개의 배기유로를 포함하여 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 원료가스(S)가 서로 다른 종류인 경우 또 다른 배기유로(미도시)를 통해 배출될 수도 있다. 이 경우, 서로 다른 원료가스(S)를 배출하는 각각의 배기유로는 동일한 배기구와 연통되도록 형성된다. 그러나 서로 다른 종류의 반응가스(R)가 사용되는 경우에는 동일한 배기유로를 통해 배출된다. The gas exhaust unit includes a first exhaust passage 162 for sucking the gas containing the raw material gas S and discharging the gas to the first exhaust pipe 150 and a second exhaust pipe 162 for sucking the gas containing the reactive gas R, And a second exhaust passage 172 for exhausting the exhaust gas to the second exhaust passage 152. Although the figure shows that the gas exhaust unit includes two exhaust passages through which the raw material gas S and the reactive gas R are discharged, when the raw material gases S are different kinds, Not shown). In this case, the respective exhaust passages for discharging the different raw material gases S are formed to communicate with the same exhaust port. However, when different kinds of reaction gases R are used, they are exhausted through the same exhaust passage.

제1배기유로(162)와 제2배기유로(172)는 챔버 내부의 하부에서 서로 인접하도록 형성될 수도 있고, 상하방향으로 서로 이격되어 형성될 수도 있다. 이와 같이 형성되는 제1배기유로(162)와 제2배기유로(172)는 서로 다른 종류의 가스를 배출할 수 있도록 형성되며, 여기에서는 편의상 제1배기유로(162)는 원료가스(S)를, 제2배기유로(172)는 반응가스(R)를 흡입하여 배출하는 것으로 설명하도록 한다. 또한, 제1배기유로(162)는 원료가스(S)의 종류에 따라, 예컨대 1turn 2cycle 증착 또는 3원계 박막 증착에서는 그 개수가 증가할 수도 있다.
The first exhaust passage 162 and the second exhaust passage 172 may be formed so as to be adjacent to each other at a lower portion inside the chamber or may be formed to be spaced apart from each other in the vertical direction. The first exhaust passage 162 and the second exhaust passage 172 are formed so as to discharge different kinds of gas. Here, for convenience, the first exhaust passage 162 is formed of the raw material gas S , And the second exhaust passage 172 sucks and discharges the reactive gas (R). Also, the number of the first exhaust flow path 162 may be increased depending on the kind of the raw material gas S, for example, in the case of 1 turn 2 cycle deposition or ternary thin film deposition.

이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 가스배출유닛의 구체적인 구조에 대해서 설명한다.Hereinafter, a specific structure of the gas exhaust unit according to the embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스배출유닛의 구조를 보여주는 도면으로서, 도 1과 연관지어 설명한다. 3 is a view showing the structure of a gas exhaust unit according to an embodiment of the present invention, which will be described in connection with FIG.

도 3을 참조하면, 가스배출유닛은 제1배기유로(162)와 제2배기유로(172)가 상하방향으로 적층되어 형성된다. 즉, 제1배기유로(162)는 챔버(100) 내부 하부에, 제2배기유로(172)는 제1배기유로(162)의 상부에 형성된다. Referring to FIG. 3, the gas exhaust unit is formed by stacking a first exhaust passage 162 and a second exhaust passage 172 in the vertical direction. That is, the first exhaust passage 162 is formed in the lower portion of the chamber 100, and the second exhaust passage 172 is formed in the upper portion of the first exhaust passage 162.

제1배기유로(162)는 챔버(100)의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽(160)과, 제1격벽(160)과 챔버(100)의 하부 내벽 사이를 연결하는 제1배플(164)에 의해 형성된다. 이때, 제1배플(164)에는 복수 개의 제1배기홀(166)이 형성된다. 또한, 제2배기유로(172)는 제1격벽(162) 상부에 형성되는 제2격벽(170)과 제2격벽(170) 상부와 챔버(100)의 하부 내벽을 연결하는 제2배플(174)에 의해 형성된다. 이때, 제2배플(174)에도 복수 개의 제2배기홀(176)이 형성된다. 이와 같이 형성된 가스배출유닛에서는 상부측에 구비되는 제2배기유로(172)는 배기구(106)와 연통되지 않기 때문에, 내부에 흡입된 가스, 예를 들어 반응가스(R)를 챔버(100) 바닥의 배기구(106)에 연결된 제2배기관(152)으로 배출할 수 없다. 또한, 하부측에 구비되는 제1배기유로(162)를 통해서는 가스, 예를 들어 원료가스(S)가 흡입되지 않는다. 즉, 제1배기유로(162)와 제2배기유로(172)는 제1배플(164)에 의해 서로 차단되어 있기 때문이다. The first exhaust passage 162 includes a first partition 160 formed to be spaced apart from a lower inner wall of the chamber 100 and a second partition 160 connected to the first partition 160 and the lower inner wall of the chamber 100 164). At this time, a plurality of first exhaust holes 166 are formed in the first baffle 164. The second exhaust passage 172 includes a second partition 170 formed on the first partition 162 and a second baffle 174 connecting the upper portion of the second partition 170 and the lower inner wall of the chamber 100. [ . At this time, a plurality of second exhaust holes 176 are also formed in the second baffle 174. Since the second exhaust passage 172 provided at the upper side of the gas exhaust unit thus formed does not communicate with the exhaust port 106, the gas sucked therein, for example, the reactive gas R, To the second exhaust pipe (152) connected to the exhaust port (106). Further, the gas, for example, the raw material gas S is not sucked through the first exhaust passage 162 provided at the lower side. That is, the first exhaust passage 162 and the second exhaust passage 172 are blocked by the first baffle 164.

따라서 본 발명의 실시 예에서는 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 제2배기유로(172)를 구성하는 제2배플(174)에는 원료가스(S)와 반응가스(R)가 분사되는 영역에 대응하는 부분에 복수 개의 제2배기홀(176)을 형성하고, 복수 개의 제2배기홀(176) 중 일부를 제2배기유로(172)를 가로지르는 제1연결관(168)을 이용하여 제1배기홀(166)과 연결한다. 그리고 제2배기유로(172)는 제1배플(164)을 관통하여 제1배기유로(162)를 가로지르는 제2연결관(178)을 이용하여 배기구(106)를 통해 제2배기관(152)에 연결한다. 여기에서 제1격벽(160)과 제1배플(164) 및 제2격벽(170)과 제2배플(174)은 서로 분리된 상태로 설명하고 있지만, 'ㄱ'자 형태의 일체형으로 형성될 수도 있다. Therefore, in the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3 (a), the second baffle 174 constituting the second exhaust passage 172 is provided with a region where the raw material gas S and the reactive gas R are injected A plurality of second exhaust holes 176 are formed in portions corresponding to the first exhaust holes 176 and a part of the plurality of second exhaust holes 176 is formed by using a first connection pipe 168 crossing the second exhaust passage 172 And connects with the first exhaust hole 166. The second exhaust passage 172 is connected to the second exhaust pipe 152 through the exhaust port 106 through the second connection pipe 178 passing through the first exhaust passage 162 through the first baffle 164, Lt; / RTI > Although the first barrier 160 and the first baffle 164 and the second barrier 170 and the second baffle 174 are described as being separated from each other, have.

이와 같은 구성은 도 3의 a)에 도시된 선A-A 및 선B-B에 따른 단면 구조를 보여주는 도 3의 (b) 및 (c)를 통해 상세하게 파악될 수 있다. This configuration can be understood in detail through FIGS. 3 (b) and 3 (c) showing the cross-sectional structure taken along line A-A and line B-B shown in FIG.

도 3의 (b)를 참조하면, 원료가스(S)를 포함하는 가스는 제2배기유로(172)에 형성된 제2배기홀(176)로 흡입되어 제1연결관(168)을 거쳐 제1배기유로(162)를 통해 제1배기관(150)으로 배출된다. 3 (b), the gas containing the raw material gas S is sucked into the second exhaust hole 176 formed in the second exhaust passage 172, and is introduced into the first exhaust pipe 172 through the first connection pipe 168, And is discharged to the first exhaust pipe 150 through the exhaust passage 162.

그리고 도 3의 (c)를 참조하면, 반응가스(R)를 포함하는 가스는 제2배기홀(176)을 통해 제2배기유로(172)로 배출되어 제2연결관(178)을 통해 제2배기관(152)으로 배출된다. 3 (c), the gas containing the reactive gas R is discharged to the second exhaust passage 172 through the second exhaust hole 176 and is discharged through the second connection pipe 178 And is discharged to the second exhaust pipe 152.

이와 같은 구성을 통해 원료가스(S)와 반응가스(R)는 배기유로 내에서 거의 혼합되지 않고 배기구으로 배출되기 때문에 배기유로 내에 부산물이 생성되는 현상을 억제할 수 있다.
By virtue of such a constitution, since the raw material gas S and the reactive gas R are discharged into the exhaust port without being mixed with each other in the exhaust passage, it is possible to suppress the generation of byproducts in the exhaust passage.

도 4는 본 발명에 따른 가스배출유닛의 변형 예를 보여주는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a modified example of the gas exhaust unit according to the present invention.

여기에서 설명하는 가스배출유닛은 도 3에 도시된 가스배출유닛과 배치형태가 상이할 뿐 거의 동일한 방법으로 형성될 수 있다. The gas discharging unit described here can be formed in almost the same manner as the gas discharging unit shown in Fig.

도 4의 (a)를 참조하면, 가스배출유닛은 챔버(100) 내부의 하부 가장자리를 따라 형성되는 제1배기유로(260)와, 제1배기유로(260) 내측에 형성되는 제2배기유로(270)를 포함한다. 이때, 제1배기유로(260)와 제2배기유로(270)는 수평방향으로 배열되는 형태로 형성되어, 이들 제1배기유로(260)와 제2배기유로(270)는 동일한 높이 위치하기 때문에 제1배기유로(260)에 형성되는 제1배기홀(미도시)과 제2배기유로(270)에 형성되는 제2배기홀(미도시)은 해당 배기유로를 통해 흡입하기 위한 공정가스가 분사되는 영역에 각각 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 제1배기홀과 제2배기홀은 서로 중첩되지 않는 방향에서 그룹을 형성하며 배열된다. 이와 같은 경우 제1배기유로(260)와 제2배기유로(270)는 지지플레이트(122)의 가장자리로부터 이격되는 거리가 서로 다르기 때문에, 제1배기유로(260)를 통해 배출되는 원료가스(S)와 제2배기유로(270)를 통해 배출되는 반응가스(R)의 배출되는 속도에 차이가 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제1배기유로(260)와 제2배기유로(270)에 각각 형성되는 제1배기홀과 제2배기홀의 크기, 간격 및 위치 등을 조절하거나 가스분사유닛을 통해 분사되는 가스의 양을 조절할 수도 있다. 4A, the gas exhaust unit includes a first exhaust passage 260 formed along the lower edge of the interior of the chamber 100, a second exhaust passage 260 formed inside the first exhaust passage 260, (Not shown). At this time, the first exhaust passage 260 and the second exhaust passage 270 are arranged in the horizontal direction, and the first exhaust passage 260 and the second exhaust passage 270 are located at the same height A first exhaust hole (not shown) formed in the first exhaust flow path 260 and a second exhaust hole (not shown) formed in the second exhaust flow path 270 are connected to a process gas Respectively, as shown in Fig. That is, the first exhaust hole and the second exhaust hole are arranged so as to form a group in a direction not overlapping with each other. The distance between the first exhaust passage 260 and the second exhaust passage 270 is different from the distance between the edge of the support plate 122 and the first exhaust passage 260. Therefore, And the exhaust gas R discharged through the second exhaust passage 270 may be different from each other. In order to solve such a problem, the size, spacing, and position of the first exhaust hole and the second exhaust hole formed in the first exhaust passage 260 and the second exhaust passage 270 are adjusted, The amount of gas can also be adjusted.

도 4의 (b)를 참조하면, 가스배출유닛은 챔버(100) 내부의 하부 가장자리를 따라 형성되는 제1배기유로(460)와, 제1배기유로(460)와 이격되어 챔버(100) 내부의 상부 가장자리를 따라 형성되는 제2배기유로(470)를 포함한다. 여기에서는 앞에서 설명한 다른 가스배출유닛과는 달리, 제1배기유로(460)와 제2배기유로(470)가 챔버(100) 내부의 상부 및 하부에 이격되어 형성된다. 이 경우, 챔버(100) 내부의 상부에 형성되는 제2배기유로(470)로 배출된 공정가스를 외부로 배출하기 위하여 제2배기관(152)이 탑리드(132)에 형성될 수도 있다. 4B, the gas exhaust unit includes a first exhaust passage 460 formed along a lower edge of the chamber 100 and a second exhaust passage 460 separated from the first exhaust passage 460, And a second exhaust passage 470 formed along the upper edge of the second exhaust passage 470. Here, unlike the above-described other gas exhaust unit, the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470 are formed in the upper part and the lower part of the chamber 100, respectively. In this case, the second exhaust pipe 152 may be formed in the top lead 132 to discharge the process gas discharged to the second exhaust channel 470 formed in the upper part of the chamber 100 to the outside.

또한, 제1배기유로(460)와 제2배기유로(470)가 이격되어 형성되기 때문에, 공정가스가 이들을 통해 균일하게 배출될 수 있도록 제1배기유로(460)와 제2배기유로(470)의 이격거리를 적절하게 조절할 필요가 있다. 이때, 제1배기유로(460)와 제2배기유로(470) 간의 이격거리는 기판(W)이 안착되는 지지플레이트(122)의 상부면을 기준으로 조절될 수도 있다. Since the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470 are spaced apart from each other so that the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470 can be uniformly discharged through the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470, It is necessary to appropriately adjust the separation distance. The distance between the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470 may be adjusted based on the upper surface of the support plate 122 on which the substrate W is mounted.

그리고 제1배기유로(460)와 제2배기유로(470)에 각각 형성되는 배기홀들은 도 4의 (a)에서와 마찬가지로 서로 중첩되는 않는 방향에서 그룹을 이루며 형성됨으로써 서로 다른 종류의 공정가스를 배출할 수 있도록 한다.
4A, the exhaust holes formed in the first exhaust passage 460 and the second exhaust passage 470 are grouped in a direction that does not overlap with each other as shown in FIG. 4A, So that it can be discharged.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims and equivalents thereof.

100 : 챔버 120 : 공간부
102 : 본체 104 : 관통공
105, 106 : 배기구 120 : 기판지지부
130 : 가스분사체 132 : 탑리드
143 : 분사플레이트 136 : 가스분사공
140 : 가스도입구 122 : 지지플레이트
124 : 기판안착부 126 : 회전축
150 : 제1배기관 152 : 제2배기관
160 제1격벽 162, 260, 360, 460 : 제1배기유로
164 : 제1배플 166 : 제1배기홀
168 : 제1연결관 170 : 제2격벽
172, 270, 370, 470 : 제2배기유로 174 : 제2배플
176 : 제2배기홀 178 : 제2연결관 100: chamber 120:
102: main body 104: through hole
105, 106: exhaust port 120: substrate support
130: gas jetting body 132: top lead
143: injection plate 136: gas injection hole
140: gas inlet 122: support plate
124: substrate mounting portion 126:
150: first exhaust pipe 152: second exhaust pipe
160 First partition 162, 260, 360, 460: First exhaust passage
164: first baffle 166: first exhaust hole
168: first connection pipe 170: second partition
172, 270, 370, 470: a second exhaust passage 174: a second baffle
176: second exhaust hole 178: second connection pipe

Claims (8)

내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와;
상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와;
상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와;
상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;
을 포함하고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로에 인접하게 형성되는 제2배기유로이며,
상기 제1배기유로는,
상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및
복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고,
상기 제2배기유로는,
상기 제1격벽 상부에 형성되는 제2격벽; 및
복수 개의 제2배기홀이 형성되며, 상기 제2격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제2배플;을 포함하여 형성되는 기판 처리 장치.A first reaction gas region in which the reaction gas is supplied to one of two raw material gas regions to which the raw material gas is supplied along the circumferential direction and between the raw material gas regions and a second reaction gas region in which the raw material gas regions and the first reaction A chamber in which a plurality of purge gas regions separated from each other by a plurality of purge gas regions are formed and a plurality of exhaust ports are formed;
A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted;
And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions;
And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes A gas exhaust unit in which a raw material gas exhaust passage for exhausting the first reaction gas and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber;
/ RTI >
Wherein one of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber,
And the other of the raw material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a second exhaust passage formed adjacent to the first exhaust passage,
The first exhaust passage
A first partition wall spaced apart from a lower inner wall of the chamber; And
And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein, the first baffle connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber,
The second exhaust passage
A second bank formed above the first bank; And
And a second baffle having a plurality of second exhaust holes formed therein, the second baffle connecting the upper surface of the second partition and the lower inner wall of the chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 복수 개의 제2배기홀 중 일부는 상기 제2배기유로를 가로지르는 제1연결관을 통해 상기 복수 개의 제1배기홀에 연결되고,
상기 제2배기유로는 상기 제1배플을 관통하여 상기 제1배기유로를 가로지르는 제2연결관을 통해 상기 배기구에 연결되는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein some of the plurality of second exhaust holes are connected to the plurality of first exhaust holes through a first connection pipe which crosses the second exhaust passage,
And the second exhaust passage is connected to the exhaust port through a second connection pipe passing through the first baffle and across the first exhaust passage. 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와;
상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와;
상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와;
상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;
을 포함하고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로에 인접하게 형성되는 제2배기유로이며,
상기 제1배기유로는,
상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및
복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고,
상기 제2배기유로는,
상기 제1격벽에 이격되어 형성되는 제2격벽과;
복수 개의 제2배기홀이 형성되고, 상기 제2격벽의 상부와 상기 제1격벽의 상부를 연결하는 제2배플;을 포함하고,
상기 복수 개의 제1배기홀과 상기 복수 개의 제2배기홀은 서로 중첩되지 않는 방향에서 각각 그룹을 지어 형성된 기판처리장치.A first reaction gas region in which the reaction gas is supplied to one of two raw material gas regions to which the raw material gas is supplied along the circumferential direction and between the raw material gas regions and a second reaction gas region in which the raw material gas regions and the first reaction A chamber in which a plurality of purge gas regions separated from each other by a plurality of purge gas regions are formed and a plurality of exhaust ports are formed;
A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted;
And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions;
And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes A gas exhaust unit in which a raw material gas exhaust passage for exhausting the first reaction gas and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber;
/ RTI >
Wherein one of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber,
And the other of the raw material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a second exhaust passage formed adjacent to the first exhaust passage,
The first exhaust passage
A first partition wall spaced apart from a lower inner wall of the chamber; And
And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein, the first baffle connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber,
The second exhaust passage
A second barrier rib spaced apart from the first barrier rib;
And a second baffle for forming a plurality of second exhaust holes and connecting an upper portion of the second partition to an upper portion of the first partition,
Wherein the plurality of first exhaust holes and the plurality of second exhaust holes are grouped in a direction that does not overlap each other. 내부에 원주 방향을 따라 원료 가스가 공급되는 두 개의 원료가스영역과, 이들 원료가스영역 사이 중 어느 한 쪽에 위치하며 반응가스가 공급되는 제1반응가스영역과, 상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역을 상호 분리하며 퍼지가스가 공급되는 복수 개의 퍼지가스영역으로 구분되는 공간부가 형성되고, 복수의 배기구가 형성되는 챔버와;
상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부와;
상기 공간부의 상부에 상기 기판 지지부와 대향되게 설치되어 상기 공간부를 밀폐하며 상기 각 가스영역에 해당 가스를 분사하는 다수의 가스분사유닛을 포함하는 가스 분사체와;
상기 원료가스영역들 및 제1반응가스영역에 대응되는 위치에 해당 영역으로 공급된 가스가 각각 배기되는 배기홀을 포함하고, 상기 원료가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 어느 하나와 연결되는 원료가스 배기유로 및 상기 제 1 반응가스가 배기되는 배기홀과 상기 복수의 배기구 중 나머지 하나와 연통되는 반응가스 배기유로가 상기 챔버의 내벽을 따라 환형으로 설치되는 가스 배출 유닛;
을 포함하고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 어느 하나는 상기 챔버 내부의 하부 내벽을 따라 형성되는 제1배기유로이고,
상기 원료가스 배기유로 또는 반응가스 배기유로 중 나머지 하나는 상기 제1배기유로와 이격되어 상기 챔버 내부의 상부 내벽을 따라 형성되는 제2배기유로이며,
상기 제1배기유로는,
상기 챔버의 하부 내벽에 이격되어 형성되는 제1격벽; 및
복수 개의 제1배기홀이 형성되며, 상기 제1격벽의 상부면과 상기 챔버의 하부 내벽을 연결하는 제1배플;을 포함하여 형성되고,
상기 제2배기유로는,
상기 제1배플과 이격되어 형성되며, 상기 챔버의 상부 내벽에 이격되어 형성되는 제2격벽; 및
복수 개의 제2배기홀이 형성되며, 상기 제2격벽의 상부와 상기 챔버의 상부 내벽을 연결하는 제2배플;을 포함하며,
상기 복수 개의 제1배기홀과 상기 복수 개의 제2배기홀은 서로 중첩되지 않는 방향에서 각각 그룹을 지어 형성되는 기판처리장치.A first reaction gas region in which the reaction gas is supplied to one of two raw material gas regions to which the raw material gas is supplied along the circumferential direction and between the raw material gas regions and a second reaction gas region in which the raw material gas regions and the first reaction A chamber in which a plurality of purge gas regions separated from each other by a plurality of purge gas regions are formed and a plurality of exhaust ports are formed;
A substrate support rotatably installed in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted;
And a plurality of gas injection units disposed on the upper portion of the space portion so as to face the substrate supporting portion to seal the space portion and to inject the corresponding gas into the respective gas regions;
And an exhaust hole through which the gas supplied to the corresponding region is exhausted at a position corresponding to the source gas regions and the first reaction gas region, wherein the exhaust hole is connected to any one of the plurality of exhaust holes A gas exhaust unit in which a raw material gas exhaust passage for exhausting the first reaction gas and a reaction gas exhaust passage communicating with the other one of the plurality of exhaust holes are annularly arranged along the inner wall of the chamber;
/ RTI >
Wherein one of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a first exhaust passage formed along a lower inner wall of the chamber,
And the other of the material gas exhaust passage and the reaction gas exhaust passage is a second exhaust passage spaced apart from the first exhaust passage and formed along an upper inner wall of the chamber,
The first exhaust passage
A first partition wall spaced apart from a lower inner wall of the chamber; And
And a first baffle having a plurality of first exhaust holes formed therein, the first baffle connecting the upper surface of the first partition and the lower inner wall of the chamber,
The second exhaust passage
A second baffle formed spaced apart from the first baffle and spaced apart from an upper inner wall of the chamber; And
And a second baffle having a plurality of second exhaust holes formed therein and connecting an upper portion of the second partition and an upper inner wall of the chamber,
Wherein the plurality of first exhaust holes and the plurality of second exhaust holes are formed in groups in a direction that do not overlap each other. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공간부는 상기 제1반응가스영역과 대향되는 상기 원료가스영역 사이의 퍼지 가스영역 내에 상기 반응가스가 공급되는 제2반응가스영역을 더 포함하고,
상기 가스분사체는 상기 제2반응가스영역에 대응하는 영역에 반응가스를 분사하는 가스분사유닛을 더 포함하며,
상기 반응가스 배기유로는 상기 제2반응가스영역에 대응되는 부분에 상기 반응가스를 배기하는 배기홀을 더 포함하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the space portion further includes a second reaction gas region into which the reactive gas is supplied in a purge gas region between the source gas regions opposed to the first reaction gas region,
Wherein the gas jetting body further comprises a gas injection unit for injecting a reactive gas into a region corresponding to the second reaction gas region,
Wherein the reaction gas exhaust passage further comprises an exhaust hole for exhausting the reaction gas to a portion corresponding to the second reaction gas region. 청구항 5에 있어서,
상기 제1배기유로와 상기 제2배기유로는 서로 다른 배기구에 연결되는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the first exhaust passage and the second exhaust passage are connected to different exhaust ports. 삭제delete 삭제delete
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