KR101455737B1 - apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상으로 공급되는 공정가스의 흐름을 원활하게 할 수 있는 기판지지부재를 제공한다. 기판지지부재는 기판홀더 및 서셉터를 포함한다. 기판홀더는 기판을 지지하고, 그 상면이 라운드지도록 제공되어 공정가스의 흐름을 원활하게 한다. 예컨대 기판홀더의 상면은 위로 볼록하게 형성된다. 서셉터는 상기 기판홀더를 지지한다.The present invention provides a substrate support member capable of smoothly flowing a process gas supplied onto a substrate. The substrate support member includes a substrate holder and a susceptor. The substrate holder supports the substrate and is provided with its top surface rounded to facilitate the flow of process gas. For example, the upper surface of the substrate holder is convexly formed. The susceptor supports the substrate holder.

Description

기판처리장치{apparatus for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 기판을 지지하는 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a substrate supporting member for supporting a semiconductor substrate and a substrate processing apparatus having the same.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서 기판 상에 박막을 증착하는 방법으로, 금속 유기 화학물과 수소 화학물의 가스 열분해 반응을 이용하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법이 사용되고 있다. 일반적으로 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.As a method of depositing a thin film on a substrate in a semiconductor device fabrication process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method using a gas thermal decomposition reaction between a metal organic chemical and a hydrogen chemical is used. In general, the substrate used in the thin film deposition process may be, for example, sapphire (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (SiC) substrates used in the manufacture of Epi wafers during the manufacturing process of LEDs, A silicon wafer used for manufacturing an integrated circuit (IC).

이 금속 유기물 화학 기상 증착 방법은 기판홀더에 형성된 안착홈으로 기판을 안착시키고, 기판 상으로 공정가스를 공급한다. 기판홀더 및 기판의 상면은 지면으로부터 수평한 상태에서 공정이 진행되고, 이 기판홀더 및 기판의 상부에서 공급되는 공정가스는 기판홀더 및 기판의 상면과 바운딩된다. 이로 인해 공정가스의 흐름은 원활하지 못하고, 그 공정가스의 유속이 저하되어 기판으로 증착되는 박막은 균일하게 형성되지 못한다. This metalorganic chemical vapor deposition method places the substrate on a mounting groove formed in the substrate holder and supplies the process gas onto the substrate. The substrate holder and the upper surface of the substrate are processed horizontally from the ground, and the substrate holder and the process gas supplied from above the substrate are bound to the substrate holder and the upper surface of the substrate. As a result, the flow of the process gas is not smooth, the flow rate of the process gas is reduced, and the thin film deposited on the substrate is not uniformly formed.

본 발명은 기판 상에 균일한 박막을 증착할 수 있는 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate support member capable of depositing a uniform thin film on a substrate and a substrate processing apparatus having the same.

본 발명은 기판 상으로 공급되는 공정가스가 원활하게 흐를 수 있는 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate support member and a substrate processing apparatus having the same, wherein the process gas supplied onto the substrate can flow smoothly.

본 발명은 기판 상으로 공급되는 공정가스의 유속이 저하되는 것을 최소화할 수 있는 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate support member and a substrate processing apparatus having the substrate support member, which can minimize a decrease in the flow rate of the process gas supplied onto the substrate.

본 발명은 반도체 기판을 지지하는 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치를 제공한다. 본 발명에 있어서, 기판처리장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와; 상기 챔버 내에 반응부산물을 상기 챔버의 외부로 배출시키는 배기부재를 포함하되; 상기 기판지지부재는, 상면이 라운드진 기판홀더와; 상기 기판홀더가 안착되는 홈을 구비한 서셉터를 포함한다.The present invention provides a substrate supporting member for supporting a semiconductor substrate and a substrate processing apparatus having the same. In the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber; A substrate support member for supporting the substrate in the chamber; A gas supply member for supplying a process gas to the substrate; And an exhaust member for exhausting reaction byproducts from the chamber to the outside of the chamber; The substrate supporting member includes: a substrate holder having an upper surface rounded; And a susceptor having a groove on which the substrate holder is seated.

상기 기판홀더의 상면은 위로 볼록하게 형성될 수 있다. 상기 홈은 상기 서셉터의 중심축을 감싸도록 제공될 수 있다. 상기 기판홀더는 상기 기판이 안착되는 복수 개의 안착홈을 구비할 수 있다. 상기 가스공급부재는, 상기 서셉터의 상면과 대응되게 배치되어 측면에 복수 개의 분사홀을 구비한 샤워헤드를 더 포함할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 샤워헤드는 상기 기판홀더와 중첩되지 않을 수 있다. 상기 배기부재는, 상기 서셉터를 둘러싸도록 링 형상으로 배치되며, 복수 개의 배기홀을 가지는 배기링을 더 포함할 수 있다. The upper surface of the substrate holder may be convex upward. The grooves may be provided to surround the center axis of the susceptor. The substrate holder may include a plurality of seating grooves on which the substrate is mounted. The gas supply member may further include a shower head disposed in correspondence with the upper surface of the susceptor and having a plurality of jet holes on a side surface thereof. The showerhead may not overlap the substrate holder when viewed from above. The exhaust member may further include an exhaust ring arranged in a ring shape so as to surround the susceptor and having a plurality of exhaust holes.

또한 본 발명에 있어서, 기판지지부재는 기판이 안착되는 안착홈을 구비하고, 상면이 위로 볼록하게 형성된 원형의 기판홀더와; 상기 기판홀더가 안착되는 홈을 구비한 서셉터를 포함한다.Further, in the present invention, the substrate supporting member may include: a circular substrate holder having a seating groove on which the substrate is seated, the upper surface of the substrate holder being convex; And a susceptor having a groove on which the substrate holder is seated.

상기 홈은 복수 개로 제공되어 상기 서셉터의 중앙부를 감싸도록 배치될 수 있다.The grooves may be provided so as to surround a central portion of the susceptor.

본 발명에 의하면, 기판 상으로 균일한 박막을 증착할 수 있다.According to the present invention, a uniform thin film can be deposited on a substrate.

본 발명에 의하면, 챔버 내에서 공정가스의 흐름을 원활하게 할 수 있다.According to the present invention, it is possible to smoothly flow the process gas in the chamber.

본 발명에 의하면, 공정가스는 기판홀더의 상면을 따라 유속의 저하없이 원활하게 흐를 수 있다.According to the present invention, the process gas can smoothly flow along the upper surface of the substrate holder without deteriorating the flow velocity.

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도3은 본 발명의 기판홀더를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도4는 도3의 기판홀더가 도4의 서셉터에 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다.
도5는 도1의 샤워헤드를 개략적으로 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
2 is a plan view schematically showing the susceptor of FIG.
3 is a perspective view schematically showing the substrate holder of the present invention.
4 is a plan view showing the state where the substrate holder of FIG. 3 is inserted into the susceptor of FIG.
Fig. 5 is a perspective view schematically showing the shower head of Fig. 1;

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도1은 본 발명의 기판처리장치(1000)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리장치(1000)는 챔버(10), 기판지지부재(100), 가스공급부재(200), 배기부재(300), 그리고 히터(400)를 포함한다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus 1000 according to the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 10, a substrate supporting member 100, a gas supplying member 200, an exhaust member 300, and a heater 400.

챔버(10)는 상술한 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 하부벽(11), 측벽(12), 그리고 상부벽(13)을 포함한다.The chamber 10 provides a space in which the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process described above is performed. The chamber 10 includes a lower wall 11, a side wall 12, and a top wall 13.

하부벽(11)은 지면으로부터 수평하게 제공된 원형으로 제공된다. 하부벽(11)의 중앙부에는 홀이 형성된다. 이 홀에는 후술할 회전축(130)이 삽입된다. The lower wall 11 is provided in a circular shape provided horizontally from the ground. A hole is formed in a central portion of the lower wall 11. In this hole, a rotation shaft 130 to be described later is inserted.

측벽(12)은 하부벽(11)의 가장자리로부터 수직한 상부 방향으로 연장된다. 측벽(12)은 중공의 원통형상으로 제공된다. The side wall 12 extends vertically upward from the edge of the lower wall 11. The side wall 12 is provided as a hollow cylindrical shape.

상부벽(13)은 측벽(12)의 상단 가장자리로부터 수직한 방향으로 연장되고, 하부벽(11)과 마주보는 링 형상으로 제공된다. 상부벽(13)에는 도어(14)가 탈착가능하게 제공된다. 도어(14)는 상기 내측에 장착 시 챔버(10)를 외부로부터 밀폐시킨다. 도어(14)는 후술할 샤워헤드(210)와 일체형으로 제공될 수 있다.The upper wall 13 extends in the vertical direction from the upper edge of the side wall 12 and is provided in a ring shape facing the lower wall 11. [ A door 14 is detachably provided on the upper wall 13. The door (14) seals the chamber (10) from the outside when mounted on the inside. The door 14 may be provided integrally with the shower head 210, which will be described later.

기판지지부재(100)는 서셉터(110), 기판홀더(120), 그리고 회전축(130)을 포함한다.The substrate support member 100 includes a susceptor 110, a substrate holder 120, and a rotation shaft 130.

도2는 도1의 서셉터(110)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 서셉터(110)는 원판의 형상으로 제공된다. 서셉터(110)의 상면에는 원형의 홈들(115)이 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 홈들(115)은 6 개로 제공될 수 있다. 홈들(115)은 서셉터(110)의 중심축을 감싸도록 제공된다. 이 홈들(115)은 서로 동일한 간격으로 이격되게 배치된다. 각각의 홈(115)에는 후술할 기판홀더(120)가 삽입되고, 홈(115) 내에는 기판홀더(120)를 부양 및 회전시키기 위한 가스가 흐르는 통로가 형성될 수 있다.2 is a plan view schematically showing the susceptor 110 of FIG. Referring to Fig. 2, the susceptor 110 is provided in the form of a disc. On the upper surface of the susceptor 110, a plurality of circular grooves 115 are provided. According to one example, the grooves 115 may be provided in six. The grooves 115 are provided to surround the center axis of the susceptor 110. These grooves 115 are spaced apart from each other at equal intervals. A substrate holder 120 to be described later is inserted into each of the grooves 115 and a gas passage for floating and rotating the substrate holder 120 may be formed in the grooves 115.

상술한 본 발명의 서셉터(110)는 그 일 예로 6 개의 홈(115)이 제공되었다. 그러나 서셉터(110)에 제공된 홈(115)의 개수는 이에 한정된 것이 아니며, 이보다 많거나 적게 제공될 수 있다.The susceptor 110 of the present invention described above is provided with six grooves 115 as an example thereof. However, the number of the grooves 115 provided in the susceptor 110 is not limited to this, and more or less can be provided.

도3은 본 발명의 기판홀더(120)를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도4는 도3의 기판홀더(120)가 도4의 서셉터(110)에 삽입된 상태를 보여주는 평면도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 기판홀더(120)는 상부에서 바라볼 때 원판의 형상으로 제공된다. 기판홀더(120)는 그 폭이 서셉터(110)에 형성된 홈(115)과 동일하거나 이보다 조금 작게 제공된다. 기판홀더(120)는 그 상면이 라운드진 형상으로 제공된다. 예컨대 기판홀더(120)의 상면은 위로 볼록한 형상을 가질 수 있다. 기판홀더(120)의 상면에는 기판(W)이 안착되는 원형의 안착홈(121)이 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 안착홈(121)은 3 개로 제공될 수 있다. 안착홈(121)들은 기판홀더(120)의 중심축을 감싸도록 배열된다. 각각의 안착홈(121)은 서로 간에 동일한 간격으로 이격되게 배치된다. 안착홈(121)은 그 깊이가 기판(W)의 두께와 동일하거나 이보다 높게 제공되어 기판(W)이 안착홈(121)으로부터 돌출되지 않도록 형성될 수 있다.FIG. 3 is a perspective view schematically showing the substrate holder 120 of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing a state in which the substrate holder 120 of FIG. 3 is inserted into the susceptor 110 of FIG. Referring to Figures 3 and 4, the substrate holder 120 is provided in the shape of a disc as viewed from above. The substrate holder 120 is provided with a width equal to or slightly smaller than the groove 115 formed in the susceptor 110. The substrate holder 120 is provided with its upper surface rounded. For example, the upper surface of the substrate holder 120 may have a convex shape. On the upper surface of the substrate holder 120, a plurality of circular seating grooves 121 on which the substrate W is placed are provided. According to one example, the seating groove 121 may be provided in three. The seating grooves 121 are arranged to surround the central axis of the substrate holder 120. Each of the seating grooves 121 is spaced apart from each other at equal intervals. The seating groove 121 may be formed so that its depth is equal to or higher than the thickness of the substrate W so that the substrate W does not protrude from the seating groove 121. [

상술한 본 발명의 일 예에 의하면, 기판홀더(120)는 서셉터(110)에 형성된 홈(115)으로 삽입되고, 기판(W)은 기판홀더(120)에 형성된 안착홈(121)에 삽입된다. 그러나 상술한 바와 달리, 기판(W)은 서셉터(110)에 형성된 각각의 홈(115)으로 삽입되고, 서셉터(110)의 상면은 라운드진 형상으로 제공될 수 있다.The substrate holder 120 is inserted into the grooves 115 formed in the susceptor 110 and the substrate W is inserted into the seating grooves 121 formed in the substrate holder 120. In this case, do. However, unlike the above, the substrate W is inserted into each groove 115 formed in the susceptor 110, and the upper surface of the susceptor 110 can be provided in a rounded shape.

다시 도1을 참조하면, 회전축(130)은 그 길이방향이 상하로 제공된 원통 형상을 가진다. 회전축(130)은 서셉터(110)에 회전력을 제공한다. 회전축(130)은 그 일단이 서셉터(110)의 저면 중앙부에 고정 결합되고, 타단은 구동기(미도시)에 결합된다. 이로 인해 회전축(130)이 구동기(미도시)로부터 동력을 제공받아 회전되면, 이와 고정 결합된 서셉터(110)는 회전축(130)과 동시에 회전된다. 예컨대 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.Referring again to FIG. 1, the rotation shaft 130 has a cylindrical shape whose longitudinal direction is provided up and down. The rotation axis 130 provides a rotational force to the susceptor 110. One end of the rotation shaft 130 is fixedly coupled to the center of the bottom surface of the susceptor 110, and the other end is coupled to a driver (not shown). Accordingly, when the rotating shaft 130 is rotated by receiving power from a driver (not shown), the susceptor 110 fixedly coupled to the rotating shaft 130 rotates simultaneously with the rotating shaft 130. For example, a driver (not shown) may be a motor.

도5는 도1의 샤워헤드(210)를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도5를 참조하면, 가스공급부재(200)는 샤워헤드(210)를 포함한다. 샤워헤드(210)는 원통의 형상으로 제공되고, 챔버(10) 내에서 서셉터(110)의 상면 중앙부와 대응되도록 배치된다. 샤워헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 각각의 기판홀더(120)와 중첩되지 않도록 제공된다. 샤워헤드(210)는 상부벽(13) 및 도어(14)에 형성된 통로를 통해 공정가스를 공급받는다. 샤워헤드(210)는 그 내부에 공급된 공정가스를 임시로 저장할 수 있는 공간를 구비하고, 그 측부에는 상기 공간과 통하여 공정가스를 토출할 수 있는 토출홀(211)들을 복수 개로 구비한다. 토출홀(211)은 샤워헤드(210)의 원주방향을 따라 배열된다. 이로 인해 샤워헤드(210)로 공급된 공정가스는 복수 개의 토출홀들(211)을 통해 기판(W) 상으로 균일하게 공급된다. 5 is a perspective view schematically showing the shower head 210 of FIG. Referring to FIG. 5, the gas supply member 200 includes a shower head 210. The showerhead 210 is provided in the shape of a cylinder and is arranged to correspond to the upper center portion of the susceptor 110 in the chamber 10. The showerhead 210 is provided so as not to overlap with the respective substrate holders 120 when viewed from above. The showerhead 210 is supplied with the process gas through the passages formed in the upper wall 13 and the door 14. The showerhead 210 has a space for temporarily storing the process gas supplied therein and has a plurality of discharge holes 211 at the side thereof for discharging the process gas through the space. The discharge holes 211 are arranged along the circumferential direction of the shower head 210. Accordingly, the process gas supplied to the shower head 210 is uniformly supplied onto the substrate W through the plurality of discharge holes 211.

상술한 본 발명의 일 예에 의하면, 토출홀들(211)은 샤워헤드(210)의 측부에 형성되었지만, 선택적으로 토출홀들(211)은 샤워헤드(210)의 저면에 형성될 수 있다.The discharging holes 211 are formed on the bottom of the shower head 210 although the discharging holes 211 are formed on the side of the shower head 210. In this case,

다시 도1을 참조하면, 배기부재(300)는 배기링(310) 및 배기관(320)을 포함한다. Referring again to Fig. 1, the exhaust member 300 includes an exhaust ring 310 and an exhaust pipe 320.

배기링(310)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(310)은 챔버(10)의 측벽(12)과 서셉터(110)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(310)은 그 높이가 서셉터(110)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(310)의 상단에는 복수 개의 배기홀들(311)이 배기링(310)의 가장자리를 따라 나란하게 배열된다. 상기 배기홀(311)들은 배기링(310)의 내부와 통하도록 제공된다. The exhaust ring 310 is provided in a ring shape. The exhaust ring 310 is disposed between the side wall 12 of the chamber 10 and the side of the susceptor 110. The exhaust ring 310 is provided at a height equal to or lower than the height of the susceptor 110. At the upper end of the exhaust ring 310, a plurality of exhaust holes 311 are arranged along the edge of the exhaust ring 310. The exhaust holes 311 are provided to communicate with the inside of the exhaust ring 310.

배기관(320)은 배기링(310)의 하단에 연결되어 배기링(310)을 지지한다. 배기관(320)은 중공을 가진 원통 형상으로 제공된다. 배기관(320)은 그 내부가 배기링(310)의 내부와 연통된다. 배기관(320)은 외부의 펌프(미도시)와 연결된다. 이로 인해 상기 펌프(미도시)로부터 압력을 조절되면, 배기홀(311)을 통해 챔버(10) 내의 압력은 조절되고, 이 압력을 통해 챔버(10) 내에 잔류된 공정가스를 외부로 배출될 수 있다.The exhaust pipe 320 is connected to the lower end of the exhaust ring 310 to support the exhaust ring 310. The exhaust pipe 320 is provided in a hollow cylindrical shape. The inside of the exhaust pipe (320) communicates with the inside of the exhaust ring (310). The exhaust pipe 320 is connected to an external pump (not shown). Accordingly, when the pressure from the pump (not shown) is adjusted, the pressure in the chamber 10 is adjusted through the exhaust hole 311, and the process gas remaining in the chamber 10 through the pressure can be discharged to the outside have.

히터(400)는 서셉터(110)의 하부에 설치된다. 히터(400)는 상부에서 바라볼 때 나선형 형상으로 배치된다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열할 수 있다. 히터(400)가 기설정된 온도로 서셉터(110)를 가열하면, 이 온도는 서셉터(110)를 통해 기판(W)으로 전도된다. 상술한 바와 달리 히터(400)는 서셉터(110)의 내부에 배치되어 서셉터(110)를 가열할 수 있다.The heater 400 is installed below the susceptor 110. The heater 400 is arranged in a spiral shape when viewed from above. The heater 400 can heat the susceptor 110. When the heater 400 heats the susceptor 110 at a predetermined temperature, the temperature is conducted to the substrate W through the susceptor 110. Unlike the above, the heater 400 may be disposed inside the susceptor 110 to heat the susceptor 110.

상술한 본 발명의 일 예에서 개시한 기판처리장치(1000)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법이다. 기판(W)이 기판홀더(120)에 삽입되면, 챔버(10)는 외부로부터 밀폐된다. 배기부재(300)는 외부에 연결된 펌프를 통해 챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지시킨다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열하여 기판(W)이 기설정 온도까지 가열될 수 있도록 온도를 유지한다. 서셉터(110)는 회전축에 의해 회전되고, 기판홀더(120)는 홈(115)의 중앙 하부면으로부터 흐르는 가스로 인해 서셉터(110)와 독립적으로 회전된다. 이로 인해 기판홀더(120)는 서셉터(110)의 가장자리를 따라 회전하면서 자기중심축을 중심으로 회전한다. 서셉터(110)의 중앙 상부에서 샤워헤드(210)의 측부에 형성된 토출홀(211)을 통해 분사되는 공정가스는 서셉터(110)의 중앙부로부터 이의 가장자리로 흐르도록 유도된다. 공정가스는 서셉터(110) 및 기판홀더(120)에 바운딩되어 위로 볼록하게 형성된 기판홀더(120)의 상면을 따라 원활한 흐름을 유지할 수 있다. 공정이 완료된 후, 챔버(10) 내에 잔류된 공정가스는 서셉터(110)의 측부에 배치된 배기링(310)을 통해 외부로 배출된다. A method of processing the substrate W using the substrate processing apparatus 1000 disclosed in the example of the present invention described above. When the substrate W is inserted into the substrate holder 120, the chamber 10 is sealed from the outside. The exhaust member 300 maintains the inside of the chamber 10 in a vacuum state via a pump connected to the outside. The heater 400 heats the susceptor 110 to maintain the temperature so that the substrate W can be heated to a predetermined temperature. The susceptor 110 is rotated by the rotation axis and the substrate holder 120 is rotated independently of the susceptor 110 due to the gas flowing from the lower central surface of the groove 115. This causes the substrate holder 120 to rotate about the magnetic center axis while rotating along the edge of the susceptor 110. The process gas injected through the discharge hole 211 formed in the upper portion of the center of the susceptor 110 on the side of the showerhead 210 is guided to flow from the center portion of the susceptor 110 to the edge thereof. The process gas may be bound to the susceptor 110 and the substrate holder 120 to maintain a smooth flow along the upper surface of the substrate holder 120 which is convex upward. After the process is completed, the process gas remaining in the chamber 10 is discharged to the outside through the exhaust ring 310 disposed on the side of the susceptor 110. [

이상으로, 본 발명은 금속 유기물 화학 기상 증착 공정을 통해 기판에 증착 공정을 수행하는 기판지지부재(100), 이를 갖는 기판처리장치(1000)를 설명하였다. 그러나 이는 일 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 기판(W)에 박막을 증착하는 공정이라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다. 또한 기판(W)이 홈에 안착되는 구성이라면 증착 공정 외에서도 사용 가능하다.As described above, the present invention has been described with respect to a substrate supporting member 100 for performing a deposition process on a substrate through a metal organic chemical vapor deposition process, and a substrate processing apparatus 1000 having the same. However, this is merely an example, and various changes and modifications can be made within the scope of the present invention without departing from the scope of the present invention if the process of depositing a thin film on the substrate W is performed. Further, if the substrate W is placed in the groove, it can be used outside the deposition process.

10: 챔버 100:기판지지부재
110: 서셉터 120: 기판홀더
200: 가스공급부재 300:배기부재
400:히터10: chamber 100: substrate support member
110: susceptor 120: substrate holder
200: gas supply member 300: exhaust member
400: heater

Claims (10)

챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와;
상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와;
상기 챔버 내에 반응부산물을 상기 챔버의 외부로 배출시키는 배기부재를 포함하되;
상기 기판지지부재는,
상면이 라운드지고, 상기 상면에 기판이 안착되는 안착홈이 형성되는 기판홀더와;
상기 기판홀더가 안착되는 홈을 구비한 서셉터를 포함하되,
상기 기판홀더의 라운드진 상기 상면은 상기 서셉터보다 높게 위치되고,
상기 가스공급부재는,
상기 서셉터의 상면과 대응되게 배치되고, 측면에 복수 개의 분사홀들을 구비한 샤워헤드를 포함하되,
상기 분사홀들은 상기 기판홀더보다 높게 위치되는 기판처리장치.A chamber;
A substrate support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying a process gas to the substrate;
And an exhaust member for exhausting reaction byproducts from the chamber to the outside of the chamber;
Wherein the substrate support member comprises:
A substrate holder on which an upper surface is rounded and a seating groove on which the substrate is seated is formed;
And a susceptor having a groove on which the substrate holder is seated,
Wherein the rounded upper surface of the substrate holder is positioned higher than the susceptor,
Wherein the gas supply member comprises:
A showerhead disposed corresponding to an upper surface of the susceptor and having a plurality of spray holes on a side surface thereof,
Wherein the injection holes are positioned higher than the substrate holder. 제1항에 있어서,
상기 기판홀더의 상면은 위로 볼록하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the substrate holder is convex upward. 제1항에 있어서,
상기 홈은 상기 서셉터의 중심축을 감싸도록 제공된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the groove is provided so as to surround the central axis of the susceptor. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판홀더는 상기 안착홈이 복수 개로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the substrate holder has a plurality of the seating grooves. 삭제delete 제1항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 샤워헤드는 상기 기판홀더와 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the shower head does not overlap the substrate holder when viewed from the top. 제6항에 있어서,
상기 배기부재는,
상기 서셉터를 둘러싸도록 링 형상으로 배치되며, 복수 개의 배기홀을 가지는 배기링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

The method according to claim 6,
Wherein the exhaust member
Further comprising an exhaust ring arranged in a ring shape so as to surround the susceptor and having a plurality of exhaust holes.

삭제delete 삭제delete 삭제delete
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