KR20120076077A - Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A substrate support member, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method are provided to minimize a substrate to be loaded in a groove as the tilted state. CONSTITUTION: A substrate support member(100) supports a substrate(W) within a chamber(10). The substrate support member comprises a susceptor(110) and a spraying member(150). The spraying member comprises a nozzle(155) spraying purge gas to a plurality of seating grooves. The nozzle is installed on a body. The plurality of seating grooves surrounds the body. A gas supply member(200) supplies process gas to the substrate. An exhaust member(300) exhausts the process gas to outside. A heater(400) is installed at the lower side of the susceptor.

Description

기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법{Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate}Member for supporting substrate, apparatus for treating substrate with the member and method for treating substrate}

본 발명은 반도체 제조장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 기판을 지지하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a substrate support member for supporting a semiconductor substrate, a substrate processing apparatus and a substrate processing method having the same.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서 기판 상에 박막을 증착하는 방법으로, 금속 유기 화합물과 수소 화합물의 가스 열분해 반응을 이용하는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법이 사용되고 있다. 일반적으로 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 LED의 제조 공정 중 에피(Epi) 웨이퍼의 제조에 사용되는 사파이어(Sapphire, Al2O3) 및 실리콘카바이드(SiC) 기판, 또는 반도체 집적 회로(IC)의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 등일 수 있다.As a method of depositing a thin film on a substrate in the manufacturing process of a semiconductor device, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method using a gas pyrolysis reaction of a metal organic compound and a hydrogen compound is used. In general, a substrate used in a thin film deposition process is, for example, a sapphire (Al 2 O 3 ) and silicon carbide (SiC) substrate, or a semiconductor integrated circuit used for the production of epi wafers during the LED manufacturing process Silicon wafers and the like used for the production of (IC).

이 금속 유기물 화학 기상 증착 방법은 서셉터에 기판의 크기와 동일하거나 이보다 크게 형성된 안착홈으로 기판을 안착시킨 후, 상기 기판으로 공정가스가 공급하여 기판 상에 박막이 증착시킨다. 이후 공정이 완료된 기판은 다음 공정을 위해 챔버로부터 언로딩되고, 잔류된 공정가스는 챔버의 외부로 배출된다. 그러나 장시간동안 진행되는 공정으로 인해 공정가스는 안착홈과 기판 사이에 형성된 틈으로 유입되고, 안착홈에 증착된 공정가스는 쉽게 제거되지 않는다. 이로 인해 안착홈의 표면은 평탄하지 않고, 이후에 로딩되는 기판은 안착홈의 내부에 기울어진 상태로 로딩될 수 있다.In the metal organic chemical vapor deposition method, the substrate is seated in a mounting groove formed in the susceptor equal to or larger than the size of the substrate, and then a process gas is supplied to the substrate to deposit a thin film on the substrate. After the process is completed, the substrate is unloaded from the chamber for the next process, the remaining process gas is discharged to the outside of the chamber. However, due to the process proceeding for a long time, the process gas is introduced into the gap formed between the seating groove and the substrate, the process gas deposited on the seating groove is not easily removed. As a result, the surface of the mounting groove is not flat, and the substrate loaded thereafter may be loaded in an inclined state inside the mounting groove.

본 발명은 기판 상으로 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate support member, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method capable of improving the uniformity of a thin film deposited on a substrate.

또한 본 발명은 안착홈 내에 반응 부산물을 효과적으로 제거할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate support member, a substrate treating apparatus having the same, and a substrate treating method capable of effectively removing reaction by-products in a seating groove.

또한 본 발명은 기판이 홈의 내부에 기울어진 상태로 로딩되는 것을 최소화할 수 있는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate support member, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing method capable of minimizing the loading of the substrate in an inclined state inside the groove.

본 발명은 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다. 일 예에 있어서, 기판처리장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와; 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와; 상기 공정가스를 외부로 배기시키는 배기부재를 포함하되; 상기 기판지지부재는, 상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와; 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함한다.The present invention provides a substrate supporting member, a substrate treating apparatus having the same, and a substrate treating method. In one example, the substrate processing apparatus includes a chamber; A substrate support member for supporting a substrate in the chamber; A gas supply member supplying a process gas to the substrate; It includes an exhaust member for exhausting the process gas to the outside; The substrate support member includes: a susceptor having a mounting groove on which the substrate is mounted; It includes an injection member having a nozzle for injecting purge gas into the seating groove.

상기 분사부재는, 상기 서셉터의 상면 중앙부에 위치되며 상기 노즐이 설치되는 몸체를 더 포함하고, 상기 안착홈은 상기 몸체를 감싸도록 복수 개로 배치될 수 있다. 상기 안착홈 및 상기 노즐은 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고, 상기 몸체는 N개의 측벽을 구비하여 상기 측벽들 각각에 상기 노즐이 제공될 수 있다. 상기 배기부재는 상기 서셉터를 둘러싸도록 배치되어 복수 개의 홀을 구비한 링 형상의 배기링을 더 포함할 수 있다. 상기 노즐은 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사질 수 있다. 상기 몸체는 회전할 수 있다.The injection member may further include a body positioned at a central portion of the upper surface of the susceptor and having the nozzle installed therein, and the seating groove may be disposed in plural to surround the body. The seating groove and the nozzle may be provided in N (N is a natural number of 3 or more), and the body may have N side walls, and the nozzle may be provided in each of the side walls. The exhaust member may further include a ring-shaped exhaust ring disposed to surround the susceptor and having a plurality of holes. The nozzle may be inclined downward as it moves away from the body. The body can rotate.

또한 기판지지부재는 상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와; 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 분사부재를 포함하되; 상기 분사부재는,상기 서셉터의 상면 중앙에 설치되는 몸체와; 상기 몸체와 결합되어 상기 안착홈으로 상기 퍼지가스를 분사하는 노즐을 포함한다.In addition, the substrate support member includes a susceptor having a mounting groove on the upper surface is seated; Including a spray member for injecting a purge gas into the seating groove; The injection member, and the body is installed in the center of the upper surface of the susceptor; It is coupled to the body includes a nozzle for injecting the purge gas to the seating groove.

상기 안착홈은 상기 몸체를 둘러싸도록 N개(N은 3 이상의 자연수)로 제공되고, 상기 노즐은 N개로 제공될 수 있다. 상기 노즐은 N개로 제공된 상기 몸체의 측벽 각각에 설치되어 상기 몸체로부터 멀어질수록 하향경사질 수 있다.The seating groove may be provided in N (N is a natural number of 3 or more) to surround the body, the nozzle may be provided in N. The nozzles may be installed on each of the side walls of the N provided bodies, and may be inclined downward as the nozzles move away from the body.

또한 서셉터에 제공된 안착홈 내에 기판을 안착시켜 공정가스를 공급하는 공정을 수행하는 방법에 있어서, 기판처리방법은 상기 기판이 안착되기 전, 상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하여 상기 안착홈의 내부를 퍼지한다.In addition, in the method of performing a process for supplying the process gas by seating the substrate in the seating groove provided in the susceptor, substrate processing method is to spray the purge gas into the seating groove before the substrate is seated, the inside of the seating groove To purge.

상기 안착홈은 복수 개로 제공되고, 상기 퍼지가스는 상기 서셉터의 중앙에 제공된 노즐에 의해 분사될 수 있다.The seating groove may be provided in plurality, and the purge gas may be injected by a nozzle provided at the center of the susceptor.

본 발명에 의하면, 기판 상으로 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.

본 발명에 의하면, 기판은 안착홈의 내에 잔류하는 반응 부산물을 효율적으로 제거할 수 있다.According to the present invention, the substrate can efficiently remove the reaction by-products remaining in the seating grooves.

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 기판지지부재를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도3은 본 발명의 일 예인 분사부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도4는 도1의 서셉터에 다른 예의 분사부재가 결합된 상태를 보여주는 평면도이다.
도5는 도4의 몸체를 개략적으로 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the substrate supporting member of FIG. 1. FIG.
3 is a perspective view schematically showing an injection member as an example of the present invention.
Figure 4 is a plan view showing a state in which the injection member of another example is coupled to the susceptor of Figure 1;
5 is a perspective view schematically showing the body of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도1은 본 발명의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리장치(1000)는 챔버(10), 기판지지부재(100), 가스공급부재(200), 배기부재(300), 그리고 히터(400)를 포함한다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 10, a substrate support member 100, a gas supply member 200, an exhaust member 300, and a heater 400.

챔버(10)는 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD) 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(10)는 하부벽(11), 측벽(12), 그리고 상부벽(13)을 포함한다. The chamber 10 provides a space for the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. The chamber 10 is provided in a cylindrical shape. The chamber 10 includes a lower wall 11, a side wall 12, and an upper wall 13.

하부벽(11)은 원형으로 제공되어 중앙부에는 홀이 형성된다. 이 홀에는 후술할 회전축(120)이 삽입된다. The lower wall 11 is provided in a circular shape so that a hole is formed in the center portion. The shaft 120 is inserted into this hole.

측벽(12)은 하부벽(11)의 가장자리로부터 수직한 상부 방향으로 연장된다. 측벽(12)은 그 내부에 통로가 제공되어 공정가스가 공급되는 공간을 제공한다. The side wall 12 extends in the vertical direction vertically from the edge of the lower wall 11. The side wall 12 is provided with a passage therein to provide a space for supplying the process gas.

상부벽(13)은 하부벽(11)과 마주보도록 배치되는 링 형상으로 제공되고, 그 가장자리는 측벽(12)으로부터 수직하게 연장된다. 이로 인해 챔버(10)는 상부에 개구가 형성된 원통 형상으로 제공된다. 이 개구에는 도어(14)가 탈착 가능하도록 제공되어 기판(W)이 반입/반출할 수 있다.The upper wall 13 is provided in the shape of a ring disposed to face the lower wall 11, the edge of which extends vertically from the side wall 12. As a result, the chamber 10 is provided in a cylindrical shape with an opening formed thereon. The opening 14 is provided in this opening so that removal is possible, and the board | substrate W can carry in / out of this.

도2는 도1의 기판지지부재를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판지지부재(100)는 서셉터(110), 회전축(120), 그리고 분사부재(150)를 포함한다.FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the substrate supporting member of FIG. 1. FIG. Referring to FIG. 2, the substrate supporting member 100 includes a susceptor 110, a rotation shaft 120, and an injection member 150.

서셉터(110)는 원판의 형상으로 제공된다. 서셉터(110)의 상면에는 상부가 개방된 원형의 안착홈(115)이 복수 개로 제공된다. 각각의 안착홈(115)에는 기판(W)이 안착된다. 일 예에 의하면, 안착홈(115)은 3 개로 제공될 수 있다. 안착홈(115)들은 서셉터(110)의 중심축을 둘러싸도록 배열된다. 또한 안착홈(115)들은 서로 간에 동일한 간격으로 이격되게 배치된다. 안착홈(115)은 그 폭이 기판(W)과 동일하거나 이보다 조금 크게 제공된다. 이로 인해 안착홈(115)의 내측벽과 기판(W)의 외측 사이에는 틈이 형성된다. The susceptor 110 is provided in the shape of a disc. The upper surface of the susceptor 110 is provided with a plurality of circular seating grooves 115 of which the top is open. The substrate W is seated in each seating groove 115. According to one example, the seating groove 115 may be provided in three. The seating recesses 115 are arranged to surround the central axis of the susceptor 110. In addition, the mounting grooves 115 are spaced apart from each other at the same interval. The mounting groove 115 is provided with a width that is equal to or slightly larger than the substrate W. As a result, a gap is formed between the inner wall of the seating recess 115 and the outer side of the substrate W. FIG.

본 발명의 일 예에서는 서셉터(110)에 제공된 안착홈(115)을 3 개로 개시하였으나, 이 안착홈(115)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 안착홈(115)은 한 개 또는 두 개로 제공될 수 있고, 이와 달리 네 개 이상으로 제공될 수 있다.In an example of the present invention, three seating recesses 115 provided in the susceptor 110 are disclosed, but the number of seating recesses 115 is not limited thereto. For example, the seating groove 115 may be provided in one or two, alternatively may be provided in four or more.

회전축(120)은 그 길이방향이 상하로 제공된 원통 형상을 가진다. 회전축(120)은 서셉터(110)에 회전력을 제공한다. 회전축(120)은 그 일단이 서셉터(110)의 저면 중앙부에 고정 결합되고, 타단은 구동기(미도시)에 결합된다. 이로 인해 회전축(120)은 구동기(미도시)로부터 동력을 제공받아 회전되면, 이와 고정 결합된 서셉터(110)는 회전축(120)과 동시에 회전된다. 예컨대 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.The rotating shaft 120 has a cylindrical shape whose longitudinal direction is provided up and down. The rotation shaft 120 provides a rotational force to the susceptor 110. One end of the rotation shaft 120 is fixedly coupled to the center of the bottom surface of the susceptor 110, and the other end thereof is coupled to the driver (not shown). As a result, when the rotation shaft 120 is rotated by receiving power from a driver (not shown), the susceptor 110 fixedly coupled thereto is rotated at the same time as the rotation shaft 120. For example, the driver (not shown) may be a motor.

도3은 본 발명의 일 예인 분사부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도3을 참조하면, 분사부재(150)는 몸체(153), 노즐(155), 공급라인(157)을 포함한다. 3 is a perspective view schematically showing an injection member as an example of the present invention. Referring to FIG. 3, the injection member 150 includes a body 153, a nozzle 155, and a supply line 157.

몸체(153)는 삼각기둥의 형상으로 제공된다. 몸체(153)는 서셉터(110)의 상면 중앙부에 고정설치된다. 상부에서 바라볼 때 몸체(153)는 각각의 안착홈(115)과 중첩되지 않도록 제공된다. 또한 몸체(153)의 측벽들 각각은 서셉터(110)의 중심으로부터 각각의 안착홈(115)의 중심을 연결하는 선과 수직을 이룬다. 이로 인해 몸체(153)의 측벽들 각각은 안착홈(115)들과 일대일 대응되도록 배치된다. The body 153 is provided in the shape of a triangular prism. The body 153 is fixedly installed at the center of the upper surface of the susceptor 110. When viewed from the top, the body 153 is provided so as not to overlap with each seating groove 115. In addition, each of the side walls of the body 153 is perpendicular to a line connecting the center of each of the mounting groove 115 from the center of the susceptor 110. For this reason, each of the side walls of the body 153 is disposed to have a one-to-one correspondence with the mounting grooves 115.

상술한 몸체(153)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대 몸체(153)는 그 형상이 서셉터(110)에 제공되는 안착홈(115)의 개수에 따라 사각기둥 및 오각기둥 등으로 제공될 수 있다. The shape of the body 153 described above may be variously changed. For example, the body 153 may be provided in a square pillar, a pentagonal pillar, and the like according to the number of the seating recesses 115 provided in the susceptor 110.

노즐(155)은 몸체(153)의 각 측벽에 제공된다. 노즐(155)은 그 측벽으로부터 돌출된 형상으로 제공된다. 노즐(155)은 몸체(153)와 멀어질수록 하향경사질 수 있다. 이로 인해 각각의 노즐(155)은 안착홈(115)과 일대일 대응되도록 배치된다. 노즐(155)은 후술할 공급라인(157)으로부터 퍼지가스를 공급받아 각각의 안착홈(115)에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 선택적으로 각 측벽에는 2 개 이상의 노즐(155)이 제공될 수 있다. 이 경우 각 측벽에는 노즐(155)들은 동일한 높이에 제공되거나 서로 상이한 높이에 제공될 수 있다.The nozzle 155 is provided on each side wall of the body 153. The nozzle 155 is provided in a shape protruding from its side wall. The nozzle 155 may be inclined downward as it moves away from the body 153. As a result, each nozzle 155 is disposed to correspond one-to-one with the seating groove 115. The nozzle 155 may receive the purge gas from the supply line 157 to be described later and inject the purge gas into each of the seating grooves 115. Optionally, two or more nozzles 155 may be provided on each sidewall. In this case, the nozzles 155 may be provided at the same height or at different heights on each sidewall.

다시 도1을 참조하면, 공급라인(157)은 노즐(155)에 퍼지가스를 공급한다. 공급라인(157)은 회전축(120) 및 서셉터(110)의 내부에 배치된다. 공급라인(157)은 서셉터(110)의 상면 중앙부에 설치된 몸체(153)의 내부까지 연장되어 노즐(155)과 연결된다. 이로 인해 공급라인(157)은 회전축(120)으로부터 서셉터(110)를 관통하여 몸체(153)의 측면에 제공된 노즐(155)까지 퍼지가스를 공급할 수 있다. 공급라인(157)은 몸체(153)의 내부에서 각각의 노즐(155)과 연결되도록 분기된다. Referring back to FIG. 1, the supply line 157 supplies purge gas to the nozzle 155. The supply line 157 is disposed inside the rotation shaft 120 and the susceptor 110. The supply line 157 extends to the inside of the body 153 installed at the center of the upper surface of the susceptor 110 and is connected to the nozzle 155. As a result, the supply line 157 may supply the purge gas from the rotation shaft 120 to the nozzle 155 provided on the side surface of the body 153 through the susceptor 110. The supply line 157 is branched to be connected to each nozzle 155 inside the body 153.

상술한 바와 달리 공급라인(157)은 각각의 노즐(155)에 대응되도록 복수 개로 제공될 수 있다. 이로 인해 각각의 노즐(155)로 공급되는 퍼지가스의 유량 및 분사속도를 서로 상이하게 제공할 수 있다.Unlike the above, the supply line 157 may be provided in plural numbers to correspond to the nozzles 155. This may provide different flow rates and injection speeds of the purge gas supplied to the nozzles 155.

가스공급부재(200)는 샤워노즐(210)을 포함한다. 샤워노즐(210)은 챔버(10) 내에서 서셉터(110)의 상면과 대응되는 위치에 배치된다. 샤워노즐(210)은 도어(14)의 내부에 형성된 통로를 통해 공정가스를 공급받는다. 샤워노즐(210)은 그 내부에 공급된 공정가스를 임시로 저장할 수 있는 공간를 구비하고, 그 저면에는 상기 공간과 통하여 공정가스를 아래로 토출할 수 있는 토출홀(215)들이 복수 개로 제공된다. 따라서 샤워노즐(210)은 복수 개의 토출홀(215)들을 통해 공정가스를 기판 상으로 균일하게 공급할 수 있다.The gas supply member 200 includes a shower nozzle 210. The shower nozzle 210 is disposed at a position corresponding to the top surface of the susceptor 110 in the chamber 10. The shower nozzle 210 receives a process gas through a passage formed in the door 14. The shower nozzle 210 has a space for temporarily storing the process gas supplied therein, and a plurality of discharge holes 215 for discharging the process gas downward through the space are provided at the bottom thereof. Therefore, the shower nozzle 210 may uniformly supply the process gas onto the substrate through the plurality of discharge holes 215.

배기부재(300)는 배기링(310) 및 배기관(320)을 포함한다. The exhaust member 300 includes an exhaust ring 310 and the exhaust pipe 320.

배기링(310)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(310)은 챔버(10)의 측벽과 서셉터(110)의 측부 사이에 배치된다. 배기링(310)은 그 높이가 서셉터(110)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(310)의 상단에는 복수 개의 배기홀들이 나란하게 배열되도록 형성된다. 상기 배기홀들은 배기링(310)의 내부와 통하도록 제공된다. The exhaust ring 310 is provided in a ring shape. The exhaust ring 310 is disposed between the side wall of the chamber 10 and the side of the susceptor 110. The exhaust ring 310 is provided at the same height or lower than the height of the susceptor 110. The upper end of the exhaust ring 310 is formed so that a plurality of exhaust holes are arranged side by side. The exhaust holes are provided to communicate with the interior of the exhaust ring 310.

배기관(320)은 배기링(310)의 하단에 연결되어 배기링을 지지한다. 배기관(320)은 중공을 가진 원통 형상으로 제공된다. 배기관(320)의 내부는 배기링(310)의 내부와 연통된다. 배기관(320)은 외부의 펌프(미도시)와 연결되어 압력이 조절된다. 배기부재(300)는 배기홀을 통해 챔버(10) 내의 압력은 조절하고, 이 압력을 통해 챔버(10) 내에 잔류된 공정가스를 외부로 배출할 수 있다.The exhaust pipe 320 is connected to the lower end of the exhaust ring 310 to support the exhaust ring. The exhaust pipe 320 is provided in a cylindrical shape having a hollow. The inside of the exhaust pipe 320 communicates with the inside of the exhaust ring 310. The exhaust pipe 320 is connected to an external pump (not shown) to adjust the pressure. The exhaust member 300 may control the pressure in the chamber 10 through the exhaust hole, and discharge the process gas remaining in the chamber 10 to the outside through the pressure.

히터(400)는 서셉터(110)의 하부에 설치된다. 히터(400)는 상부에서 바라볼 때 나선형 형상으로 배치된다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열할 수 있다. 히터(400)가 기설정된 온도로 서셉터(110)를 가열하면, 이 온도는 서셉터(110)를 통해 기판(W)으로 전도된다. 상술한 바와 달리 히터(400)는 서셉터(110)의 내부에 배치되어 서셉터(110)를 가열할 수 있다.The heater 400 is installed below the susceptor 110. The heater 400 is disposed in a spiral shape when viewed from the top. The heater 400 may heat the susceptor 110. When the heater 400 heats the susceptor 110 to a predetermined temperature, the temperature is conducted to the substrate W through the susceptor 110. Unlike the above, the heater 400 may be disposed inside the susceptor 110 to heat the susceptor 110.

다음은, 몸체(153')의 다른 예를 설명한다.Next, another example of the body 153 'will be described.

도4는 도1의 서셉터에 다른 예의 분사부재가 결합된 상태를 보여주는 평면도이고, 도5는 도4의 몸체를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 몸체(153')는 원통의 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 몸체(153')는 각각의 안착홈(115)과 중첩되지 않도록 제공된다. 몸체(153')의 측부에는 복수 개의 노즐(155)들이 상기 측부의 원주면을 따라 나란하게 배열된다. 노즐(155)은 공급라인(157)으로부터 공급되는 퍼지가스를 퍼지한다. 또한 몸체(153')는 서셉터(110)와 독립적으로 회전가능하다. 이로 인해 노즐(155)은 회전하며 퍼지가스를 공급하여 안착홈(115)의 내부에 잔류된 공정부산물을 보다 용이하게 제거할 수 있다. 상술한 예에 의하면, 노즐(155)은 몸체(153')에 복수 개로 제공되었지만, 노즐(155)은 1 개로 제공될 수 있다. 또한 도4에는 각각의 노즐(155)은 동일한 높이에 제공되는 것으로 도시하였지만, 노즐(155)들은 서로 상이한 높이에 제공될 수 있다.4 is a plan view showing a state in which another example of the injection member is coupled to the susceptor of Figure 1, Figure 5 is a perspective view schematically showing the body of FIG. 4 and 5, the body 153 'is provided in the shape of a cylinder. When viewed from the top, the body 153 ′ is provided so as not to overlap with each seating groove 115. On the side of the body 153 ', a plurality of nozzles 155 are arranged side by side along the circumferential surface of the side. The nozzle 155 purges the purge gas supplied from the supply line 157. In addition, the body 153 ′ is rotatable independently of the susceptor 110. As a result, the nozzle 155 may rotate and supply purge gas to more easily remove process by-products remaining in the seating groove 115. In the above-described example, the nozzle 155 is provided in plural in the body 153 ', but the nozzle 155 may be provided in one. In addition, although FIG. 4 shows that each nozzle 155 is provided at the same height, the nozzles 155 may be provided at different heights from each other.

다음은 상술한 본 발명의 일 예에서 개시한 기판처리장치(1000)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법이다. 챔버(10)의 상부벽으로부터 도어(14)가 분리되고, 기판(W)은 서셉터(110)에 형성된 안착홈(115)에 로딩된다. 이후 도어(14)는 상부벽(13)에 장착되어 챔버(10)를 외부로부터 밀폐시키고, 배기부재(300)를 통해 챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지한다. 히터(400)는 서셉터(110)를 가열하여 기판(W)을 기설정 온도까지 가열한다. 서셉터(110)는 회전축(120)에 의해 회전되면, 기판(W)은 서셉터(110)와 동일하게 회전된다. 회전 중인 기판(W)으로 샤워노즐(210)은 공정가스를 분사하여 기판(W) 상으로 박막을 형성한다. 공정이 완료되면, 챔버(10) 내에 잔류된 공정부산물은 배기부재(300)에 의해 제거된다. 이후 도어(14)는 상부벽(13)으로부터 분리되어 챔버(10)의 상부는 개방되면, 기판(W)은 언로딩된다. 이때 안착홈(115)의 표면에는 기판(W)과 안착홈(115) 간의 틈을 통해 유입된 공정가스가 제거되지 않은 채로 잔류된다. 이 잔류된 공정부산물을 제거하기 위해 서셉터(110)의 상면 중앙부에 설치된 분사부재(200)는 각각의 안착홈(115)으로 퍼지가스를 퍼지한다. 분사부재(150)는 퍼지가스를 서셉터(110)의 반경방향으로 분사하여 잔류된 공정부산물을 배기부재(300)가 배치된 방향으로 퍼지한다. 이로 인해 배기부재(300)는 잔류된 공정부산물을 보다 용이하게 제거할 수 있다.The following is a method of processing the substrate W using the substrate processing apparatus 1000 disclosed in the above-described example of the present invention. The door 14 is separated from the upper wall of the chamber 10, and the substrate W is loaded into the seating groove 115 formed in the susceptor 110. Then, the door 14 is mounted on the upper wall 13 to seal the chamber 10 from the outside, and maintains the interior of the chamber 10 in a vacuum state through the exhaust member 300. The heater 400 heats the susceptor 110 to heat the substrate W to a predetermined temperature. When the susceptor 110 is rotated by the rotation shaft 120, the substrate W is rotated in the same manner as the susceptor 110. The shower nozzle 210 sprays a process gas onto the rotating substrate W to form a thin film on the substrate W. FIG. When the process is completed, the process by-products remaining in the chamber 10 are removed by the exhaust member 300. After the door 14 is separated from the upper wall 13 and the top of the chamber 10 is opened, the substrate W is unloaded. At this time, the process gas introduced through the gap between the substrate W and the mounting groove 115 is left on the surface of the mounting groove 115 without being removed. In order to remove the residual process by-products, the injection member 200 installed at the center of the upper surface of the susceptor 110 purges the purge gas to each of the seating grooves 115. The injection member 150 injects purge gas in the radial direction of the susceptor 110 to purge the residual process by-products in the direction in which the exhaust member 300 is disposed. As a result, the exhaust member 300 may more easily remove the remaining process by-products.

이상으로, 본 발명은 금속 유기물 화학 기상 증착 공정을 통해 기판(W)에 증착 공정을 수행하는 기판지지부재, 이를 갖는 기판처리장치 및 기판처리방법을 설명하였다. 그러나 이는 일 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 기판(W)에 박막을 증착하는 공정이라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다. 또한 기판이 홈에 안착되는 구성이라면 증착 공정 외에서도 사용 가능하다.In the above, the present invention has been described a substrate support member for performing a deposition process on the substrate (W) through a metal organic chemical vapor deposition process, a substrate processing apparatus and a substrate processing method having the same. However, this is only an example, and if the process of depositing a thin film on the substrate W, various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. In addition, if the substrate is mounted in the groove can be used outside the deposition process.

10: 챔버 100: 기판지지부재
110: 서셉터 150: 분사부재
153: 몸체 155: 노즐
200: 가스공급부재 300: 배기부재
400: 히터10: chamber 100: substrate support member
110: susceptor 150: injection member
153: body 155: nozzle
200: gas supply member 300: exhaust member
400: heater

Claims (2)

챔버와;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판지지부재와;
상기 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와;
상기 공정가스를 외부로 배기시키는 배기부재를 포함하되;
상기 기판지지부재는,
상면에 상기 기판이 안착되는 안착홈을 가지는 서셉터와;
상기 안착홈으로 퍼지가스를 분사하는 노즐을 구비한 분사부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber;
A substrate support member for supporting a substrate in the chamber;
A gas supply member supplying a process gas to the substrate;
It includes an exhaust member for exhausting the process gas to the outside;
The substrate support member,
A susceptor having a mounting groove on which the substrate is mounted;
And an injection member including a nozzle for injecting purge gas into the seating groove. 제1항에 있어서,
상기 분사부재는,
상기 서셉터의 상면 중앙부에 위치되며 상기 노즐이 설치되는 몸체를 더 포함하고,
상기 안착홈은 상기 몸체를 감싸도록 복수 개로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The injection member,
It further comprises a body which is located in the center of the upper surface of the susceptor, the nozzle is installed,
The seating groove is disposed in a plurality of substrate processing apparatus, characterized in that to surround the body.
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