KR101461125B1 - 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법 - Google Patents

땜납 피복 볼 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101461125B1
KR101461125B1 KR1020137030786A KR20137030786A KR101461125B1 KR 101461125 B1 KR101461125 B1 KR 101461125B1 KR 1020137030786 A KR1020137030786 A KR 1020137030786A KR 20137030786 A KR20137030786 A KR 20137030786A KR 101461125 B1 KR101461125 B1 KR 101461125B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solder
plating
solder layer
mass
ball
Prior art date
Application number
KR1020137030786A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130133097A (ko
Inventor
켄 아사다
준코 니시무라
Original Assignee
히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 filed Critical 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Publication of KR20130133097A publication Critical patent/KR20130133097A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101461125B1 publication Critical patent/KR101461125B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262—Sn as the principal constituent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/17—Metallic particles coated with metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/264—Bi as the principal constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C12/00—Alloys based on antimony or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C22C13/02—Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/16—Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk
    • C25D17/22—Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk having open containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/1316—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/1319—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13575—Plural coating layers
    • H01L2224/1358—Plural coating layers being stacked
    • H01L2224/13582—Two-layer coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13611—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13613—Bismuth [Bi] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/36—Material effects
    • H01L2924/365—Metallurgical effects
    • H01L2924/3651—Formation of intermetallics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/041—Solder preforms in the shape of solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Abstract

본 발명에 의한 실시 형태의 땜납 피복 볼(10A)은, 볼 형상의 코어(11)와, 코어(11)를 피복하도록 형성된 땜납층(12)을 갖고, 땜납층(12)은 Sn과 Bi를 함유하고, Bi 함유율이 45 질량% 이상 65 질량% 이하이고, 또한 Bi 함유율은 안쪽에서 높고 바깥쪽에서 낮다. 다른 땜납 피복 볼(10B)은 코어(11)와 땜납층(12) 사이에 Ni 도금층(13)을 더 갖는다.

Description

땜납 피복 볼 및 그 제조 방법{SOLDER-COATED BALL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 반도체 패키지의 입출력 단자에 이용되는 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
땜납 피복 볼은, 주로, 전기·전자 기기의 부품을 접속하기 위해 이용된다. 구체적으로 땜납 피복 볼은, 예를 들면 부품 주위에 리드 단자를 갖는 QFP(Quard Flat Package)나, 비교적 소형이면서 다핀화가 가능한 BGA(Ball Grid Array) 및 CSP(Chip Size Package) 등의 반도체 패키지의 입출력 단자에 이용된다. 땜납 피복 볼은, 예를 들면 직경이 50㎛ 내지 1.5㎜ 정도의 금속 또는 수지로 형성된 미소구의 표면에 납(Pb)을 함유하는 땜납층이 마련된 구조를 갖고 있다.
최근, 납을 함유하는 땜납은 환경 문제에 대응해 무연 땜납(Pb 프리 땜납)으로 대체되고 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에는, 납을 함유하지 않는 주석-은(Sn-Ag)계 땜납층을 갖는 땜납 피복 볼이 개시되어 있다. 그러나, 주석-은계의 땜납층은 융점이 높다(예를 들면 220℃)고 하는 문제가 있다.
따라서, 특허 문헌 3에는, 주석-비스머스(Sn-Bi) 2원계의 땜납층을 갖는 땜납 피복 볼이 개시되어 있다. 특허 문헌 3에 의하면, 주석-비스머스 2원계의 땜납층의 Bi 함유율을 가장 안쪽 둘레에서 15.0 질량% 내지 22.0 질량%, 가장 바깥 둘레에서 29.0 질량% 내지 44.0 질량%로 함으로써, 땜납층의 융점을 140℃까지 낮출 수 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개 2004-114123호 공보 특허 문헌 2: 일본 특허공개 2004-128262호 공보 특허 문헌 3: 일본 특허공개 2007-46087호 공보
그러나, 본 발명자의 검토에 의하면, 특허 문헌 3에 기재된 기술에는 아래와 같은 문제가 있다.
도 7에 나타내는 주석-비스머스 2원계의 상태도로부터 이해할 수 있듯이, Bi 함유율이 낮은 조성이라도 140℃에서 액상이 출현할 수 있다. 그러나, 특허 문헌 3에 기재되어 있는 조성 범위의 땜납층을 완전히 용융 상태(액상)로 하기 위해서는 200℃ 초과의 온도로 가열할 필요가 있기 때문에, 특허 문헌 3의 실시예에서는 220℃에서 리플로우하고 있는 것으로 생각된다. 또한, 특허 문헌 3에 기재되어 있는 조성 범위는 고액 공존 상태가 되는 조성을 많이 포함하므로, 200℃ 초과의 온도로 가열하지 않으면 용융 상태가 불안정하게 되어, 고화(固化) 후의 땜납층의 구조가 불균일하게 되기 쉽다. 즉, 특허 문헌 3에 기재된 땜납 피복 볼을 160℃ 이하의 온도에서 리플로우하면, 고화 후의 땜납층의 구조가 불균일하게 되어, 결과적으로, 기계 특성의 편차가 커진다는 문제가 있다. 또한, 특허 문헌 3에 기재된 바와 같이, Bi 농도를 땜납층의 바깥쪽에서 높게 하기 위해서는, 도금을 행하면서 도금액에 Bi를 보충할 필요가 있어, 도금액 중의 Bi 농도의 관리가 어렵다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 160℃ 이하의 온도에서 리플로우 가능한 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의한 실시 형태의 땜납 피복 볼은, 볼 형상의 코어와, 상기 코어를 피복하도록 형성된 땜납층을 갖고, 상기 땜납층은 Sn과 Bi를 함유하고, Bi 함유율이 45 질량% 이상 65 질량% 이하이고, 또한, Bi 함유율은 안쪽에서 높고 바깥쪽에서 낮다. 상기 땜납층은 실질적으로 Sn과 Bi만을 함유하는 2원계 합금으로 형성된다. 여기에서, 「실질적으로 Sn과 Bi만을 함유한다」란, 본 발명의 효과가 얻어지지 않을 정도까지 융점에 영향을 미치지 않는 한 다른 원소를 함유할 수 있는 것을 의미한다.
일 실시 형태에서, 승온 속도 10℃/분으로 측정한 DSC 곡선에서의 오프셋(offset) 온도는 160℃ 이하이다. 이때, 온셋(onset) 온도는 135℃ 이상인 것이 바람직하다.
일 실시 형태에서, 상기 땜납 피복 볼은 상기 코어와 상기 땜납층 사이에 Ni 도금층을 더 갖는다. 이때, 상기 코어는 동으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 실시 형태의 땜납 피복 볼의 제조 방법은, 상기 어느 하나에 기재된 땜납 피복 볼을 제조하는 방법으로서, 볼 형상의 코어를 준비하는 공정과, 수직축을 중심으로 회전하는 도금조 내의 도금액 중에서 상기 코어에 도금법으로 땜납층을 형성하는 공정을 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 160℃ 이하의 온도에서 리플로우 가능한 땜납층을 갖는 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법이 제공된다.
도 1의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼(10A 및 10B)의 모식적인 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼의 제작에 이용되는 고속 회전 도금 장치(100)의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3의 (a), (b) 및 (c)는, 본 발명의 실시 형태에 의한 실시예의 땜납 피복 볼 A, B 및 C의 DSC 곡선을 각각 나타내는 도면이다.
도 4의 (a) 및 (b)는, 비교예의 땜납 피복 볼 D 및 E의 DSC 곡선을 각각 나타내는 도면이다.
도 5의 (a) 및 (b)는, 땜납 피복 볼 A의 단면 SEM상(조성상)을 나타내는 도면이다.
도 6은 회전 배럴법으로 제작한 땜납 피복 볼의 단면 SEM상(조성상)을 나타내는 도면이다.
도 7은 주석-비스머스 2원계의 상태도이다.
이하, 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법을 설명한다.
도 1의 (a) 및 (b)에, 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼(10A 및 10B)의 모식적인 단면도를 나타낸다.
도 1의 (a)에 나타내는 땜납 피복 볼(10A)은, 볼 형상(구상)의 코어(11)와, 코어(11)를 피복하도록 형성된 땜납층(12)을 갖는다. 땜납층(12)은 Sn과 Bi를 함유하고, Bi 함유율이 45 질량% 이상 65 질량% 이하이고, 또한, Bi 함유율은 안쪽에서 높고 바깥쪽에서 낮다. 땜납층(12)은 실질적으로 Sn과 Bi만을 함유하는 2원계 합금으로 형성된다. 코어(11)는 금속 또는 수지로 형성된다. 금속은, 예를 들면 동(Cu) 또는 동을 함유하는 합금, 스테인리스 스틸(SUS)이다. 코어(11)의 직경은, 예를 들면 50㎛ 이상 1.5㎜ 이하이다.
도 1의 (b)에 나타내는 땜납 피복 볼(10B)은, 코어(11)의 표면에 도금층(13)을 더 갖고, 도금층(13) 위에 땜납층(12)을 갖는 점에서, 땜납 피복 볼(10A)과 상이하다. 도금층(13)은, 예를 들면 니켈(Ni) 도금층이다. 도금층(13)의 두께는, 예를 들면 0.1㎛ 이상 4㎛ 이하이다. 예를 들면, 동(Cu)으로 형성된 코어(11)에 직접 땜납층(12)이 형성된 땜납 피복 볼(10A)을 리플로우하면, 코어(11)와 땜납층(12)의 계면에 Cu6Sn5의 금속간 화합물이 생성되어 낙하 충격성이 낮아질 수 있다. 도금층(13)을 마련함으로써, 상기 금속간 화합물이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
실질적으로 Sn과 Bi만을 함유하는 2원계 합금에서, Bi 함유율이 45 질량% 이상 65 질량% 이하인 조성은 공정(共晶) 조성(Bi 함유율이 58 질량%, 도 7 참조)에 가깝고, 고액 공존 상태가 되는 온도 범위가 139℃ 이상 160℃ 이하로 좁다. 따라서, 160℃ 이하의 온도에서 리플로우 가능할 뿐만 아니라, 균일하고 안정적인 용융 상태가 얻어지므로, 고화 후(접합 후)의 땜납층 구조의 균일성이 높고, 기계 특성의 편차가 작다. 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼(10A 및 10B)이 갖는 땜납층(12)은, 승온 속도 10℃/분으로 측정한 DSC 곡선에서의 오프셋 온도가 160℃ 이하이고, 온셋 온도는 135℃ 이상인 것이 바람직하다.
Bi 함유율이 안쪽(코어(11)쪽)에서 높고, 바깥쪽에서 낮은 Bi의 농도 분포는 용이하게 형성할 수 있다. 도금액 중에서 Sn은 양극의 용해에 의해 수시로 도금액 중에 보급되는데 대해, Bi는 도금의 초기에 첨가한 후 보충하지 않으면, 도금이 진행됨에 따라 도금액 중의 Sn의 존재 비율이 증대(Bi의 존재 비율이 저하)하게 된다. 따라서, 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼(10A 및 10B)은, 특허 문헌 3에 기재된 땜납 피복 볼에 비해 용이하게 제조할 수 있다는 이점을 갖는다.
본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼의 제조 방법은, 상기의 땜납 피복 볼을 제조하는 방법으로서, 볼 형상의 코어를 준비하는 공정과, 수직축(연직축)을 중심으로 회전하는 도금조 내의 도금액 중에서 코어에 도금법으로 땜납층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
수직축을 중심으로 도금조를 회전시키면서 도금을 행하는 공정은, 예를 들면, 도 2에 나타내는 고속 회전 도금 장치(100)를 이용해 실시할 수 있다.
고속 회전 도금 장치(100)는, 수직으로 연장되는 회전축(1)에 지지된, 수평 회전 가능한 원통형의 도금조(7)를 갖는다. 도금조(7)는 원반상의 바닥부(7a)와, 바닥부(7a)에 접속되고 바닥부(7a)를 확장하도록 이어지는 경사부(7b)와, 경사부(7b)에 접속되고 음극을 갖는 제1 원통부(7c)와, 제1 원통부(7c)에 접속되고 제1 원통부(7c)보다 내경이 작은 제2 원통부(7d)를 갖고 있다. 도금조(7)의 상면은 바닥부(7a)와 평행한 평판상의 상부 덮개(6)로 덮이고, 제2 원통부(7d)에 접속되어 있다. 회전축(1)은, 예를 들면 모터의 축이며, 도금조 바닥부(7a)를 지지함과 함께, 도금조(7)를 회전시킬 수 있다. 물론, 정회전과 역회전이 모두 가능하도록 해도 된다(예를 들면, 최대 회전수 1000 rpm).
도금 장치(100)는, 도금조(7)의 제1 원통부(7c)에 음극이 마련된다. 피도금물(5)이 음극에 접촉했을 때, 피도금물(5)에 통전되어 도금층이 형성된다. 제1 원통부(7c)에 배치하는 음극으로는, 예를 들면 티타늄, 놋쇠, 스테인리스 스틸, 동 등을 사용할 수 있다.
상부 덮개(6)는, 양극(3)을 도금조(7) 내로 넣기 위한 개구부를 그 중앙부에 갖는다. 여기에서 양극(3)으로는 주석(Sn)을 이용한다. 도금 장치(100)는 도시하지 않은 직류 전원을 갖고, 제1 원통부(7c)의 음극과 양극(3) 사이에 전압을 인가한다. 인가 전압은 인가 전류치 또는 전압을 일정하게 유지하도록 제어된다. 한편, 전류 밀도를 일정하게 유지하도록 제어해도 되지만, 조작이 번잡해진다.
상부 덮개(6)의 개구부는 원통 부재(8)로 둘러싸여 있다. 원통 부재(8)는 도금조(7)의 고속 회전시 또는 반전시에 도금액(4)이 비산하는 것을 방지한다.
또한, 상부 덮개(6)는 도금조(7)의 고속 회전시에 도금조(7) 중심부의 도금액면의 변동을 억제한다. 따라서, 양극(3)의 전체 또는 대부분이 도금액(4)으로부터 노출되는 것을 방지할 수 있으므로, 막두께가 균일하고 양호한 외관의 도금층을 형성할 수 있다.
또한, 도금조(7)는 내주부에 경사부(7b)를 가지므로, 원심력을 받은 피도금물(5)은 경사부(7b)를 따라 타고오른다. 이에 따라, 피도금물(5)이 도금조(7)의 바닥부에 모이는 것을 방지해, 피도금물(5)을 용이하게 제1 원통부(7c)의 음극에 접촉시킬 수 있다. 또한, 제1 원통부(7c) 위에, 제1 원통부(7c)보다 내경이 작은 제2 원통부(7d)를 가지므로, 피도금물(5)을 제1 원통부(7c)의 음극에 효율적으로 접촉시킬 수 있다. 경사부(7b)의 경사각 α는 0˚ 초과 90˚ 미만으로, 피도금물(5)의 양이나 도금조(7)의 회전 속도 등에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 예를 들면, α는 45˚이다. 한편, 제2 원통부(7d)의 내경은, 경사부(7b)의 최소 내경과 동일한 정도인 것이 바람직하다.
다음으로, 몇 가지 실험 결과를 예시해, 본 발명의 실시 형태에 의한 땜납 피복 볼(10A) 및 그 제조 방법을 자세하게 설명한다.
이하의 실험예에서는, 도 2에 나타낸 고속 회전 도금 장치(100)를 이용해, 땜납층(12)을 갖는 땜납 피복 볼(10A)을 제작했다. 여기에서, 도금 장치(100)의 도금조(7)의 외주는 180㎜이고, 회전 속도는 350 rpm으로 했다. 도금액(4)으로는, 메탄술폰산계의 도금액(예를 들면, 다이와카세이(大和化成) 연구소가 시판하고 있다)을 이용할 수 있다. 도금액은 메탄술폰산 Sn, 메탄술폰산 Bi, 메탄술폰산 및 계면활성제를 함유하고 있다. 이 외에, 특허 문헌 3에 기재되어 있는 도금액 등 공지의 도금액을 이용할 수 있다. 각각의 농도는 형성하는 땜납층(12)의 조성에 따라 조정했다. 한편, 도금을 개시하고 나서는 메탄술폰산 Bi를 추가하지 않고, 인가 전류를 일정하게 유지하도록 전압을 조정해, Bi 함유율이 안쪽에서 높고 바깥쪽에서 낮은 땜납층을 형성했다. 코어(11)로는 직경이 560㎛인 동의 구를 이용했다. 땜납층(12)의 두께는 약 20㎛로 했다.
도 3의 (a), (b) 및 (c)에, 본 발명의 실시 형태에 의한 실시예의 땜납 피복 볼 A, B 및 C의 DSC 곡선을 각각 나타낸다. 땜납 피복 볼 A는 Bi를 53 질량% 함유하는 Sn-Bi 2원계 땜납층을 갖고, 땜납 피복 볼 B는 Bi를 45 질량% 함유하는 Sn-Bi 2원계 땜납층을 갖고, 땜납 피복 볼 C는 Bi를 65 질량% 함유하는 Sn-Bi 2원계 땜납층을 갖는다. 도 4의 (a) 및 (b)에, 비교예의 땜납 피복 볼 D 및 E의 DSC 곡선을 나타낸다. 땜납 피복 볼 D는 Bi를 18 질량% 함유하는 Sn-Bi 2원계 땜납층을 갖고, 땜납 피복 볼 E는 Bi를 79 질량% 함유하는 Sn-Bi 2원계 땜납층을 갖는다.
DSC의 측정에는 에스아이아이·나노테크놀로지사 제품의 시차 주사 열량계 DSC6220를 이용했다. 시료는 40㎎의 땜납 피복 볼로, 알루미늄제의 팬을 이용했다. 승온 속도는 10℃/분이고, 측정 온도 범위는 100℃ 내지 250℃로 하고, 샘플링 간격은 0.2초로 했다. 캐리어 가스로는 아르곤을 이용했다.
도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, Bi 함유율이 53 질량%인 땜납 피복 볼 A의 DSC 곡선에서, 온셋 온도(융해 개시 온도)는 137.4℃이고, 오프셋 온도(융해 종료 온도)는 144.8℃이다. 이와 같이, 땜납층(12)의 조성이 공정 조성(Bi가 58 질량%)에 가깝기 때문에, 융해 피크는 좁고, 160℃ 이하의 온도에서 충분히 리플로우가 가능한, 균질한 땜납층(12)을 얻을 수 있다.
또한, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, Bi 함유율이 45 질량%인 땜납 피복 볼 B의 DSC 곡선에서, 온셋 온도는 136.9℃이고, 오프셋 온도는 153.3℃이다. 이와 같이, Bi 함유율이 45 질량%라도 융해 피크는 좁고, 160℃ 이하의 온도에서 충분히 리플로우 가능한, 균질한 땜납층(12)을 얻을 수 있다.
또한, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, Bi 함유율이 65 질량%인 땜납 피복 볼 C의 DSC 곡선에서, 온셋 온도는 136.9℃이고, 오프셋 온도는 159.8℃이다. 이와 같이, Bi 함유율이 65 질량%라도, 융해 피크는 좁고, 160℃ 이하의 온도에서 충분히 리플로우 가능한, 균질한 땜납층(12)을 얻을 수 있다.
한편, 도 4의 (a)에 나타내는, Bi 함유율이 18 질량%인 땜납 피복 볼 D의 DSC 곡선에서는, 온셋 온도는 138.0℃로 충분히 낮지만, 오프셋 온도는 185.2℃로 160℃을 넘는다. 또한, 도 4의 (b)에 나타내는, Bi 함유율이 79 질량%인 땜납 피복 볼 E의 DSC 곡선에서는, 온셋 온도는 136.9℃로 충분히 낮지만, 오프셋 온도가 195.8℃로 160℃을 크게 넘고 있다. 이와 같이, 공정 조성으로부터 크게 벗어나면, 땜납층은 160℃ 이하의 온도에서 완전하게 융해하지 않고, 또한, 고화 후의 구조도 불균일하게 되기 쉽다.
따라서, 160℃ 이하의 온도에서 리플로우 가능하고, 균질한 땜납층(12)을 얻기 위해서는, Bi 함유율은 45 질량% 이상인 것이 바람직하다. 한편, Bi 함유율은 65 질량% 이하인 것이 바람직하고, 또한 Bi 함유량이 적은 것이 융점이 보다 낮아지기 때문에, Bi 함유율이 58 질량% 미만인(공정 조성보다 Bi 함유율이 낮다) 것이 더욱 바람직하다. 도 7의 상태도로부터는, Bi 함유율이 45 질량%인 합금과 동일한 융점이 되는 Bi 함유율은 65 질량%를 넘지만, Bi 함유율이 너무 크면, 땜납의 접합 강도의 편차가 커지는 등의 문제가 발생한다. 이는 Bi 함유율이 공정 조성을 넘으면, Bi의 용융 상태가 불안정하게 되어, 땜납층(12)을 용융 고화한 후의 구조가 불균일하게 되기 때문이라고 생각된다. 특히, Bi 함유율이 65 질량%를 넘으면, 기계 특성의 편차가 커진다.
도 5의 (a) 및 (b)에, 상기 땜납 피복 볼 A의 단면 SEM에 의한 조성상을 나타내고 있다. 도 5의 (a)는 도 5의 (b)의 확대도이다. 도 6에, 특허 문헌 3에 기재된 회전 배럴법으로 제작한 땜납 피복 볼의 단면 SEM상(조성상)을 나타낸다.
도 5의 (a), (b)와 도 6의 비교로부터, 배럴 도금법을 채용하면 땜납층 내에 「구멍(공극)」이 형성되는데 대해(도 6), 고속 회전 도금 장치를 이용함으로써 「구멍」이 없는 치밀한 땜납층(12)이 얻어지는 것을 알 수 있다(도 5의 (a) 및 (b)).
또한, 도 5의 (a) 및 (b)에서, 비교적 밝은 점이 안쪽에 많이 분포하고 있는 것으로부터, Sn보다 중원소인 Bi 함유율이 안쪽(코어측)에서 높아지고 있는 것을 알 수 있다. 일반적으로, SEM의 조성상에서 경원소는 비교적 어둡고, 중원소는 비교적 밝게 관찰된다.
이와 같이, 고속 회전 도금 장치를 이용하면, 치밀한 땜납층을 갖는 실시예의 땜납 피복 볼을 용이하게 제조할 수 있다.
〈산업상의 이용 가능성〉
본 발명은, 반도체 패키지의 입출력 단자에 이용되는 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법으로 적합하게 이용된다.
10A, 10B 피복 볼
11 코어
12 땜납층
13 도금층(Ni 도금층)

Claims (4)

  1. 동(Cu), 동을 함유하는 합금 및 스테인리스 스틸로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속, 또는 수지로 형성된 볼 형상의 코어와,
    상기 코어를 피복하도록 형성된 땜납층과,
    상기 코어와 상기 땜납층 사이에 Ni 도금층을 갖고,
    상기 땜납층은, Sn과 Bi를 함유하는 2원계 합금으로서, Bi 함유율이 45 질량% 이상 65 질량% 이하이고, 나머지는 Sn이며, 또한 Bi 함유율은 안쪽에서 높고 바깥쪽에서 낮은 땜납 피복 볼.
  2. 제1항에 있어서,
    승온 속도 10℃/분으로 측정한 DSC 곡선에서의 오프셋 온도가 160℃ 이하인 땜납 피복 볼.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 땜납 피복 볼의 제조 방법으로서,
    상기 볼 형상의 코어를 준비하는 공정과,
    수직축을 중심으로 회전하는 도금조 내의 도금액 중에서 상기 코어에 도금법으로 상기 땜납층을 형성하는 공정을 포함하는, 땜납 피복 볼의 제조 방법.
KR1020137030786A 2012-03-23 2013-03-15 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법 KR101461125B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012066940 2012-03-23
JPJP-P-2012-066940 2012-03-23
PCT/JP2013/057484 WO2013141166A1 (ja) 2012-03-23 2013-03-15 はんだ被覆ボールおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130133097A KR20130133097A (ko) 2013-12-05
KR101461125B1 true KR101461125B1 (ko) 2014-11-13

Family

ID=49222625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137030786A KR101461125B1 (ko) 2012-03-23 2013-03-15 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5367924B1 (ko)
KR (1) KR101461125B1 (ko)
CN (1) CN103703168B (ko)
TW (1) TWI531437B (ko)
WO (1) WO2013141166A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9351407B1 (en) 2015-01-08 2016-05-24 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming multilayer device having solder filled via connection
CN105345304B (zh) * 2015-12-02 2017-07-25 华北水利水电大学 一种过饱和钎料及其制备方法
JP6587099B2 (ja) * 2015-12-15 2019-10-09 三菱マテリアル株式会社 ハンダ粉末及びその製造方法並びにこの粉末を用いたハンダ用ペーストの調製方法
WO2018056313A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 複層金属ボール
JP6217836B1 (ja) * 2016-12-07 2017-10-25 千住金属工業株式会社 核材料および半導体パッケージおよびバンプ電極の形成方法
CN106825981B (zh) * 2017-01-12 2019-05-24 江苏兴达钢帘线股份有限公司 用于太阳能电池的导电焊丝的制备方法
WO2018189901A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 Ykk株式会社 めっき材及びその製造方法
CN107541702A (zh) * 2017-09-08 2018-01-05 张家港创博金属科技有限公司 一种高效为核球镀层的方法与装置
JP6376266B1 (ja) * 2017-10-24 2018-08-22 千住金属工業株式会社 核材料およびはんだ継手およびバンプ電極の形成方法
CN107877030B (zh) * 2017-11-07 2020-01-14 深圳市汉尔信电子科技有限公司 一种纳米锡铋复合焊膏及制备方法
CN108176850B (zh) * 2017-12-28 2019-12-10 北京康普锡威科技有限公司 一种离心雾化锡包铜复合粉末的制备方法
JP7442268B2 (ja) 2019-03-26 2024-03-04 日本製鉄株式会社 地下躯体構造
JP6761199B1 (ja) 2019-10-25 2020-09-23 千住金属工業株式会社 核材料、電子部品及びバンプ電極の形成方法
JP6892621B1 (ja) 2020-09-10 2021-06-23 千住金属工業株式会社 核材料、電子部品及びバンプ電極の形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11317416A (ja) * 1998-03-05 1999-11-16 Tokyo Tungsten Co Ltd 複合マイクロボールとその製造方法と製造装置
KR20020096522A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 정재필 저융점 도금층을 이용한 무연솔더
JP2007046087A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Millenium Gate Technology Co Ltd 金属ボール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3924552B2 (ja) * 2003-06-16 2007-06-06 シャープ株式会社 導電性ボールおよびそれを用いた電子部品の外部電極形成方法
CN101323056B (zh) * 2007-06-13 2012-11-28 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 锡球及使用该锡球的电连接器
CN101869982A (zh) * 2010-06-26 2010-10-27 上海交通大学 核壳型铝锡铋无铅焊料及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11317416A (ja) * 1998-03-05 1999-11-16 Tokyo Tungsten Co Ltd 複合マイクロボールとその製造方法と製造装置
KR20020096522A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 정재필 저융점 도금층을 이용한 무연솔더
JP2007046087A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Millenium Gate Technology Co Ltd 金属ボール

Also Published As

Publication number Publication date
CN103703168B (zh) 2015-04-08
TW201347891A (zh) 2013-12-01
CN103703168A (zh) 2014-04-02
JP5367924B1 (ja) 2013-12-11
JPWO2013141166A1 (ja) 2015-08-03
TWI531437B (zh) 2016-05-01
WO2013141166A1 (ja) 2013-09-26
KR20130133097A (ko) 2013-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101461125B1 (ko) 땜납 피복 볼 및 그 제조 방법
US10888957B2 (en) Soldering material
JP5846341B1 (ja) はんだ材料、はんだペースト、フォームはんだ、はんだ継手、およびはんだ材料の管理方法
JP6217836B1 (ja) 核材料および半導体パッケージおよびバンプ電極の形成方法
JP2007081141A (ja) Ｃｕコアボールとその製造方法
JP2010040691A (ja) 鉛フリーバンプ形成方法
Jung et al. Characteristics of Sn–Cu solder bump formed by electroplating for flip chip
JP6376266B1 (ja) 核材料およびはんだ継手およびバンプ電極の形成方法
JP2007046087A (ja) 金属ボール
CN113767469B (zh) 芯材料、电子部件和凸点电极的形成方法
JP4175857B2 (ja) はんだ被覆ボールの製造方法
JP6892621B1 (ja) 核材料、電子部品及びバンプ電極の形成方法
JP2002331385A (ja) はんだ材料及びその製造方法、並びにはんだペースト
JP6572997B1 (ja) Ｃｕ核ボール、はんだ継手、はんだペースト及びフォームはんだ
JP2002299381A (ja) はんだめっきボールおよびそれを用いた半導体接続構造の製造方法
Yin et al. Development of micro-alloying method for Cu pillar solder bump by solid liquid interaction
JP2019214759A (ja) Ｃｕ核ボール、はんだ継手、はんだペースト及びフォームはんだ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181023

Year of fee payment: 5