CN107541702A - 一种高效为核球镀层的方法与装置 - Google Patents

一种高效为核球镀层的方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107541702A
CN107541702A CN201710806922.5A CN201710806922A CN107541702A CN 107541702 A CN107541702 A CN 107541702A CN 201710806922 A CN201710806922 A CN 201710806922A CN 107541702 A CN107541702 A CN 107541702A
Authority
CN
China
Prior art keywords
caryosphere
evaporation
space
coating
steam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710806922.5A
Other languages
English (en)
Inventor
朱俊
潘鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhangjiagang Create Metal Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhangjiagang Create Metal Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhangjiagang Create Metal Technology Co Ltd filed Critical Zhangjiagang Create Metal Technology Co Ltd
Priority to CN201710806922.5A priority Critical patent/CN107541702A/zh
Publication of CN107541702A publication Critical patent/CN107541702A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种高效为核球镀层的方法与装置,属于真空蒸镀的技术领域。其特征在于:核球通过可闭合落孔式阀门均匀下落,进入蒸镀空间,蒸汽颗粒附在核球上,形成镀层。装置设有蒸镀速度控制器,通过温度传感器监测坩埚温度,膜厚传感器监测蒸汽量,反馈数据传给蒸镀速度控制器,控制电阻加热器的加热温度;装置设有陶瓷挡板,防止蒸汽冷凝在真空腔室上;通过冷却水将装置分成三个温度区间,对应落料空间、蒸镀空间、收集空间;该方法及装置形成的镀层纯度高,质量好,厚度可较准确控制,成膜速率快,效率高。适合工业化生产。

Description

一种高效为核球镀层的方法与装置
技术领域
本发明属于真空蒸镀的技术领域,特别涉及一种高效为核球镀层的方法与装置。
背景技术
随着电子技术的飞速发展,封装的小型化和组装的高密度化以及各种新型封装技术的不断涌现,对电子组装质量的要求也越来越高。其实电子封装产品简单的来说就是电子产品的保护罩,让电子产品免受外界环境的影响。比如化学腐蚀,比如大气环境,氧化等。为了让电子产品更好的经久耐用,提高寿命。所以电子封装工艺技术就非常的重要了。电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳,起着安放固定密封,保护集成电路内置芯片,增强环境适应的能力,并且集成电路芯片上的铆点也就是接点,是焊接到封装管壳的引脚上的。
传统的BGA锡球经反复受热后,焊接点会熔化,导致封装变形。目前使用较多的是采用电镀的方式为核球镀上镍锡金等金属,核球选择熔点高的金属,经多次加热,核球仍存在于焊盘内并维持空间。但是电镀具有镀层表面粗糙,槽液可能污染镀层,镀层致密性差,与核球的结合力不良等问题。
本发明利用真空蒸镀的方式,解决镀层致密性差,与核球结合力弱,镀层污染等问题。
发明内容
针对电镀方式为核球镀层,存在粗糙,污染,致密性差、结合力不良等问题,提供了一种高效为核球镀层的方法及装置,真空蒸镀的设备简单、操作容易,气态镀层材料粒径小,达到纳米级别,制成的薄膜纯度高、质量好,厚度准确控制、成膜速度快、效率高。
一种高效为核球镀层的方法,其特征在于:首先对真空腔室(2)抽真空,然后将处理后的核球(12)置于落料室(10)中,并对落料室(10)再次抽真空,接着启动上、下部水冷系统(3)、(8),首先将落料空间(13),收集空间(21)处于低温状态,此时加热镀层材料(19),待蒸汽量达到一定程度,打开可闭合落孔式阀门(14),使核球(12)进入蒸镀空间(16),最后成品(23)落入收集部(9)。其具体操作步骤如下:
(a)装料,该装置初始为真空状态,首先打开进气阀(15),然后打开落料室仓门(11)和蒸发部仓门(7),将核球(12)、镀层材料(19)置于落料室(10)和坩埚(17)中;
(b)抽真空,关闭进气阀(15),利用真空泵(6)、(6’)对整个装置抽真空,使之达到高真空状态,10-1~10-5Pa;
(c)降温,启动上下部水冷系统(3)、(8),使落料空间(13)、收集空间(21)维持稳定低温状态;
(d)加热,启动电阻加热器(18)加热镀层材料(19),根据膜厚传感器(4),温度传感器(20)反馈的数据,传递给蒸镀速度控制器(1),调节电阻加热器(18)以控制蒸汽量;
(e)落料,打开可闭合落孔式阀门(14),通过多次开合的方式控制核球(12)经小孔(24)均匀下落,进入蒸镀空间(16);
(f)收集,核球(12)穿过蒸镀空间(16)后镀上一层蒸镀材料(19),同时穿过下部水冷系统(8)冷凝形成成品(23),落入收集部(9)中;
(g)关闭装置,依次关闭电阻加热器(18),上、下部水冷系统(3),(8)以及信息处理系统,待真空腔室(2)内温度降低后,打开进气阀(15),最后打开收集部仓门(22)取出成品(23);
(h)筛选,部分镀层材料(19)蒸汽遇到低温空间同时冷凝下落,进入收集部(9),冷凝后的蒸汽颗粒尺寸小,易于筛选出成品(23);
(i)清洗、安装、抽真空,清洗腔室内壁、膜厚传感器(4)、陶瓷挡板(5)和坩埚(7)等并安装,关闭进气阀(15),对整个装置抽真空。
本发明提供了一种高效为核球镀层的装置,该装置主要由落料系统,蒸镀系统,水冷系统,收集系统,信息处理系统组成,整个装置位于真空腔室(2)中,落料系统由真空泵(6’),落料室(10),落料室仓门(11)和可闭合落孔式阀门(14)组成,蒸镀系统由坩埚16,电阻加热器17和镀层材料(19)组成,收集系统由收集部(9)和收集部仓门(22)组成,信息系统由蒸镀速度控制器(1),膜厚传感器(4)和温度传感器(20)组成。
该装置处于高真空状态,防止蒸发原子与空气分子碰撞使膜层受到污染;
该装置设有蒸镀速度控制器(1),通过采集的数据控制加热温度,实现蒸镀空间(16)的蒸汽均匀化;
该装置设有陶瓷挡板(5),为了便于制备工作完成后的清理工作,防止蒸汽冷凝在真空腔室(2)壁上。
本发明的关键技术在于:
(a)该装置设有可闭合落孔式阀门(14),利用可闭合落孔式阀门(14)通过多次开合达到核球(12)经小孔(24)均匀下落的目的;
(b)为防止气态镀层材料(19)进入落料室(10)和收集部(9),采用上下水冷系统(3)、(8),在蒸发前降低落料空间(13)、收集空间(21)的温度,上部蒸汽遇到低温冷凝进入蒸镀空间(16)再次蒸发,下部蒸汽遇到低温冷凝形成细小颗粒进入收集部(9);
本发明的有益效果在于:本发明的制备效率高,通过核球穿过蒸镀空间镀上膜层,制备时间短,适合工业化生产;本发明为核球镀的膜层比电镀更加致密均匀,因为蒸汽颗粒的粒径达到纳米级别,而且可以通过设置蒸镀空间的高度达到不同膜厚的制备要求。
附图说明
附图1是一种高效为核球镀层的装置示意图。图中:(1)蒸镀速度控制器,(2)真空腔体,(3)上部水冷系统,(4)膜厚传感器,(5)陶瓷挡板,(6)、(6’)真空泵,(7)蒸发部仓门,(8)下部水冷系统,(9)收集部,(10)落料室,(11)落料室仓门,(12)核球,(13)落料空间,(14)可闭合落孔式阀门,(15)进气阀,(16)蒸镀空间,(17)坩埚,(18)电阻加热器,(19)镀层材料,(20)温度传感器,(21)收集空间,(22)收集部仓门,(23)成品附图2是附图1中可闭合落孔式阀门(14),图中:(24)小孔,闭合开关并未图示。
具体实施方式
下面结合具体的实施例和附图对本发明做进一步说明。
本发明的技术方案是首先对真空腔室(2)抽真空,然后将处理后的核球(12)置于落料室(10)中,并对落料室(10)再次抽真空,接着启动上下部水冷系统(3)、(8),首先将落料空间(13),收集空间(21)处于低温状态,此时加热镀层材料(19),待蒸汽量达到一定程度,打开可闭合落孔式阀门(14),使核球(12)进入蒸镀空间(16),最后成品(23)落入收集部(9)。
实施例:
材料说明:氮化铝具有优良的力学、热学、电学性能,如:比强度高、高热导率、与硅相匹配的线膨胀系数等,是目前最值得开发利用的电子封装材料。
批量制备氮化铝核镀锡球的具体实施方式:
(a)筛选封装,对氮化铝粉末进行尺寸筛选、真圆度筛选并做表面处理,粉末粒径可为0.05mm~0.50mm,真圆度小于0.03,因为氮化铝易氧化,需做真空封装;
(b)装料,该装置初始为真空状态,首先打开进气阀(15),然后打开落料室仓门(11)和蒸发部仓门(7),将封装氮化铝(12)、镀层材料(19)锡置于落料室(10)和坩埚(17)中;
(b)抽真空,关闭进气阀(15),利用真空泵(6)、(6’)对整个装置抽真空,使之达到高真空状态,10-1~10-5Pa;
(c)降温,启动上下部水冷系统(3)、(8),使落料空间(13)、收集空间(21)维持稳定低温状态;
(d)加热,锡在高真空状态下的蒸发温度低于1250℃,氮化铝的熔点高于2200℃,启动电阻加热器(18)加热坩埚(7),根据膜厚传感器(4),温度传感器(20)反馈的数据,传递给蒸镀速度控制器(1),调节电阻加热器(18)以控制蒸汽量;
(e)落料,根据氮化铝易氧化的特点,需要设置使真空封装氮化铝实现落料室(10)内打开的装置,氮化铝粉末进入落料室(10)后,接着打开可闭合落孔式阀门(14),通过多次开合的方式控制氮化铝粉末经小孔(24)均匀下落,进入蒸镀空间(16);
(f)收集,氮化铝粉末穿过蒸镀空间(16)后镀上一层锡,根据蒸镀空间(16)高度的调整,锡层的厚度可为1μm~40μm,同时穿过下部水冷系统(8)冷凝形成成品(23),落入收集部(9)中;
(g)关闭装置,依次关闭电阻加热器(18),上、下部水冷系统(3),(8)以及信息处理系统,待真空腔室(2)内温度降低后,打开进气阀(15),最后打开收集部仓门(22)取出成品(23);
(h)筛选,部分锡蒸汽遇到低温空间同时冷凝下落,进入收集部(9),冷凝后的蒸汽颗粒尺寸小,易于筛选出成品(23);
(i)清洗、安装、抽真空,清洗腔室内壁、膜厚传感器(4)、陶瓷挡板(5)和坩埚(7)等并安装,关闭进气阀(15),对整个装置抽真空。

Claims (3)

1.一种高效为核球镀层的方法,其特征在于:首先对真空腔室(2)抽真空,然后将处理后的核球(12)置于落料室(10)中,并对落料室(10)再次抽真空,接着启动上、下部水冷系统(3)、(8),将落料空间(13)、收集空间(21)处于低温状态,此时加热镀层材料(19),待蒸汽量达到一定程度,打开可闭合落孔式阀门(14),使核球(12)进入蒸镀空间(16),最后成品(23)落入收集部(9),其具体操作步骤如下:
(a)装料,该装置初始为真空状态,首先打开进气阀(15),然后打开落料室仓门(11)和蒸发部仓门(7),将核球(12)、镀层材料(19)置于落料室(10)和坩埚(17)中;
(b)抽真空,关闭进气阀(15),利用真空泵(6)、(6’)对整个装置抽真空,使之达到高真空状态,10-1~10-5Pa;
(c)降温,启动上下部水冷系统(3)、(8),使落料空间(13)、收集空间(21)维持稳定低温状态;
(d)加热,启动电阻加热器(18)加热镀层材料(19),根据膜厚传感器(4),温度传感器(20)反馈的数据,传递给蒸镀速度控制器(1),调节电阻加热器(18)以控制蒸汽量;
(e)落料,打开可闭合落孔式阀门(14),通过多次开合的方式控制核球(12)经小孔(24)均匀下落,进入蒸镀空间(16);
(f)收集,核球(12)穿过蒸镀空间(16)后镀上一层蒸镀材料(19),同时穿过下部水冷系统(8)冷凝形成成品(23),落入收集部(9)中;
(g)关闭装置,依次关闭电阻加热器(18),上、下部水冷系统(3),(8)以及信息处理系统,待真空腔室(2)内温度降低后,打开进气阀(15),最后打开收集部仓门(22)取出成品(23);
(h)筛选,部分镀层材料(19)蒸汽遇到低温空间同时冷凝下落,进入收集部(9),冷凝后的蒸汽颗粒尺寸小,易于筛选出成品(23);
(i)清洗、安装、抽真空,清洗腔室内壁、膜厚传感器(4)、陶瓷挡板(5)和坩埚(7)等并安装,关闭进气阀(15),对整个装置抽真空。
2.一种高效为核球镀层的装置,其特征在于:该装置主要由落料系统,蒸镀系统,水冷系统,收集系统,信息处理系统组成,整个装置位于真空腔室(2)中,落料系统由真空泵(6’),落料室(10),落料室仓门(11)和可闭合落孔式阀门(14)组成,蒸镀系统由坩埚(16),电阻加热器(17)和镀层材料(19)组成,收集系统由收集部(9)和收集部仓门(22)组成,信息系统由蒸镀速度控制器(1),膜厚传感器(4)和温度传感器(20)组成。
3.根据权利要求2所述的一种高效为核球镀层的装置,其特征在于:坩埚(16)有两个,即有两个蒸发源,镀层材料(19)可以是同种材料,也可以是不同材料,如两种不同的金属,蒸发后产生混合蒸汽,制得合金镀层。
CN201710806922.5A 2017-09-08 2017-09-08 一种高效为核球镀层的方法与装置 Pending CN107541702A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710806922.5A CN107541702A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 一种高效为核球镀层的方法与装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710806922.5A CN107541702A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 一种高效为核球镀层的方法与装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107541702A true CN107541702A (zh) 2018-01-05

Family

ID=60958753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710806922.5A Pending CN107541702A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 一种高效为核球镀层的方法与装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107541702A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111364007A (zh) * 2020-04-26 2020-07-03 昆明理工大学 一种耐高温颗粒表面真空蒸镀镁的方法及装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3772174A (en) * 1971-04-21 1973-11-13 Nasa Deposition of alloy films
CN1209721A (zh) * 1997-08-27 1999-03-03 华通电脑股份有限公司 球阵式封装板电镀锡球的方法
CN1386609A (zh) * 2001-05-18 2002-12-25 廖永丰 电子封装焊球结构
US20060055054A1 (en) * 2002-09-27 2006-03-16 Neomax Materials Co., Ltd. Solder-coated ball and method for manufacture thereof, and method for forming semiconductor interconnecting structure
CN103703168A (zh) * 2012-03-23 2014-04-02 株式会社新王材料 焊料包覆球及其制造方法
CN104607648A (zh) * 2015-01-15 2015-05-13 太原理工大学 一种制备纳米或亚微米级锡或锡合金微球的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3772174A (en) * 1971-04-21 1973-11-13 Nasa Deposition of alloy films
CN1209721A (zh) * 1997-08-27 1999-03-03 华通电脑股份有限公司 球阵式封装板电镀锡球的方法
CN1386609A (zh) * 2001-05-18 2002-12-25 廖永丰 电子封装焊球结构
US20060055054A1 (en) * 2002-09-27 2006-03-16 Neomax Materials Co., Ltd. Solder-coated ball and method for manufacture thereof, and method for forming semiconductor interconnecting structure
CN103703168A (zh) * 2012-03-23 2014-04-02 株式会社新王材料 焊料包覆球及其制造方法
CN104607648A (zh) * 2015-01-15 2015-05-13 太原理工大学 一种制备纳米或亚微米级锡或锡合金微球的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111364007A (zh) * 2020-04-26 2020-07-03 昆明理工大学 一种耐高温颗粒表面真空蒸镀镁的方法及装置
CN111364007B (zh) * 2020-04-26 2021-09-28 昆明理工大学 一种耐高温颗粒表面真空蒸镀镁的方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105177338B (zh) 一种尺度可调的纳米多孔金属材料的制备方法
CN109791825A (zh) 磁热材料参数的受控变化
JP2002155305A (ja) 単分散粒子の製造装置及び単分散粒子の製造方法及びその製造方法で製造された単分散粒子
CN108500279A (zh) 冷床熔炼式气雾化粉末制备方法与装置
CN107541702A (zh) 一种高效为核球镀层的方法与装置
CN104325149B (zh) 应用电子反应束制作超细金属粉末的装置及方法
CN109665533B (zh) 一种电加热生产高纯超细球形硅微粉的装置和方法
CN109175354A (zh) 一种金刚石/W-Cu复合材料的制备方法
CN113857488B (zh) 一种利用高铼酸铵制备高纯超细铼粉的方法
CN110883338A (zh) 一种射频等离子体制备微纳米粉末材料的装置
CN108500280A (zh) 铜铟镓合金粉末制备装置及方法
CN100402201C (zh) 一种短流程制备金属颗粒的工艺
CN107289788A (zh) 连续式真空炉
TWI220873B (en) Process for production of metallic powder and producing device thereof
CN104878345B (zh) 一种纳米材料真空镀膜机
CN106158764A (zh) 功率模块用底板及功率模块
CN105798319A (zh) 银钨电触头材料的制备方法和装置及电触头材料、电触头
CN106367750B (zh) 一种可控气氛冷喷涂制备铜薄膜的方法
WO2023065581A1 (zh) 一种物理气相法制备超细粉体材料用的金属蒸气成核装置
US9399586B2 (en) Device for making nano-scale particles of titanium dioxide and method of making nano-scale particles of titanium dioxide using the device
CN104907575B (zh) 物理气相沉积法制备二元亚微米金属合金粉末的加料方法
CN211588532U (zh) 一种射频等离子体制备微纳米粉末材料的装置
CN208066328U (zh) 一种气液混合高压雾化制备化合物粉末材料的装置
CN204276913U (zh) 应用电子反应束制作超细金属粉末的装置
CN206145974U (zh) 一种雾化制粉设备的气体加热装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180105