JP6376266B1 - 核材料およびはんだ継手およびバンプ電極の形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
濃度比率は、79.1〜118.8%の範囲内となされたことを特徴とするものである。
はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
濃度比率は、71.8〜118.8%の範囲内となされたことを特徴とするものである。(Sn−5質量%Sb)は、以下(Sn−5Sb)と表記する。
はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
濃度比率は、79.1〜120.1%の範囲内となされたことを特徴とするものである。(Sn−10質量%Sb)は、以下(Sn−10Sb)と表記する。
はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
濃度比率は、79.1〜118.8%の範囲内となされた核材料を電極上に搭載する工程と、搭載した核材料を加熱することによりバンプ電極を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100
として表することができる。
(1)下記条件にてはんだめっき層16の組成が(Sn−5Sb)となるCu核ボール10を作成した。
・Cuボール12の直径 :250μm
・Ni下地めっき層14の膜厚:2μm
・はんだめっき層16の膜厚 :23μm
・Cu核ボール10の直径 :300μm
(2)試料としては、同一組成の(Sn−5Sb)系はんだ合金のはんだめっき層が形成されたCu核ボール10を10個用意した。これらを試料Aとして使用した。
(3)それぞれの試料A1〜A10を樹脂で封止する。
(4)封止した各試料A1〜A10を、樹脂ごと研磨して各試料A1〜A10の断面を観察する。観察機材は日本電子製のFE−EPMAJXA−8530Fを使用した。
濃度比率(%)=(計測値/5)×100・・・(1)
内層領域17a=4.79(質量%)(濃度比率95.8%)
中間層領域17b=5.12(質量%)(濃度比率102.4%)
外層領域17c=4.82(質量%)(濃度比率96.5%)
となった。
濃度比率(%)=(計測値の平均値/5)×100・・・(2)
Cu核ボールの作製方法は、実施例1と同じである。
濃度比率(%)=(計測値の平均値/10)×100・・・(3)
濃度比率(%)=(計測値/目標値)×100・・・(4)
Claims (9)
- 核表面に電気はんだめっきされたSnと0.1〜30.0質量%のSbからなる(Sn−Sb)系はんだ合金の電気はんだめっき層を有する核材料において、
前記核は、Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mgの金属単体かこれらの二種以上の合金、金属酸化物、あるいは金属混合酸化物からなり、
前記はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
前記濃度比率は、79.1〜118.8%の範囲内となされた
ことを特徴とする核材料。 - 核表面に電気はんだめっきされたSnと5質量%のSbからなる(Sn−5Sb)系はんだ合金の電気はんだめっき層を有する核材料において、
前記核は、Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mgの金属単体かこれらの二種以上の合金、金属酸化物、あるいは金属混合酸化物からなり、
前記はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
前記濃度比率は、71.8〜118.8%の範囲内となされた
ことを特徴とする核材料。 - 核表面に電気はんだめっきされたSnと10質量%のSbからなる(Sn−10Sb)系はんだ合金の電気はんだめっき層を有する核材料において、
前記核は、Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mgの金属単体かこれらの二種以上の合金、金属酸化物、あるいは金属混合酸化物からなり、
前記はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
前記濃度比率は、79.1〜120.1%の範囲内となされた
ことを特徴とする核材料。 - Ni及びCoから選択される1元素以上からなる下地めっき層で被覆された前記核が、前記はんだめっき層で被覆される
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の核材料。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の核材料であって、前記核としてCuボールが使用されている
ことを特徴とする核材料。 - 請求項5に記載の核材料であって、真球度が0.98以上である
ことを特徴とする核材料。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の核材料であって、核としてCuカラムが使用されていることを特徴とする核材料。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の核材料がはんだバンプとして使用された
ことを特徴とするはんだ継手。 - 核表面に電気はんだめっきされたSnと0.1〜30.0質量%のSbからなる(Sn−Sb)系はんだ合金の電気はんだめっき層を有する核材料であって、前記核は、Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mgの金属単体かこれらの二種以上の合金、金属酸化物、あるいは金属混合酸化物からなり、
前記はんだめっき層中に含まれるSbの濃度比率(%)を、
濃度比率(%)=(計測値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100、
あるいは、
濃度比率(%)=(計測値の平均の値(質量%)/目標とする含有量(質量%))×100として表したとき、
前記濃度比率は、79.1〜118.8%の範囲内となされた核材料を電極上に搭載する工程と、
搭載した前記核材料を加熱することによりバンプ電極を形成する工程を含む
ことを特徴とするバンプ電極の形成方法。
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