KR101453123B1 - 기판 처리 장치 및 배기 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 배기 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101453123B1
KR101453123B1 KR1020100024310A KR20100024310A KR101453123B1 KR 101453123 B1 KR101453123 B1 KR 101453123B1 KR 1020100024310 A KR1020100024310 A KR 1020100024310A KR 20100024310 A KR20100024310 A KR 20100024310A KR 101453123 B1 KR101453123 B1 KR 101453123B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
gas
ionizing
flow path
processing chamber
Prior art date
Application number
KR1020100024310A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100105493A (ko
Inventor
준 야마와쿠
준지 오이카와
히로유키 나카야마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20100105493A publication Critical patent/KR20100105493A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101453123B1 publication Critical patent/KR101453123B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 처리실 용기(챔버)로부터 배출되는 배출 가스에 포함되는 대전한 파티클이 배기유로의 내벽면에 부착되는 것에 의한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있는 배기 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(50)와, 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기유로(51)와, 배기유로(51)에 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 마련된 드라이 펌프(52) 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치(53)를 갖는 기판 처리 장치의 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서, 배기유로(51)를 흐르는 배기가스에, 드라이 펌프(52)의 상류측의 배기유로(51)에 접속된 이온화가스 공급관(55)으로부터 이온화가스를 공급해서 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하고, 배기가스와 함께 계외로 배출한다.

Description

기판 처리 장치 및 배기 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND EXHAUST METHOD THEREFOR}
본 발명은 기판 처리 장치 및 배기 방법에 관한 것으로, 특히, 기판 처리 장치의 처리실 용기로부터 용기내 가스를 배기하는 배기 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 소형화에 따라, 반도체 디바이스용의 기판의 표면에 있어서의 회로 패턴을 보다 미세하게 형성할 필요가 생기고 있다. 이러한 기판 표면에 형성되는 회로 패턴의 미세화에 따라, 문제가 되지 않던 작은 입경의 파티클, 예를 들면, 반도체 디바이스에 있어서 단선을 발생시키거나 소자 특징을 손상할 우려가 있는 수십nm 레벨 사이즈(예를 들면, 30nm∼80nm)의 파티클을 이물질로서 관리, 제어할 필요성이 생기고 있다.
이물질로서의 파티클이 다른 부재, 예를 들면, 기판에 흡착하는 흡착력은, 입경이 작아짐에 따라서 정전기력이 지배적으로 영향을 준다. 따라서, 피처리 기판을 정전 척(ESC)에 흡착, 고정해서 플라즈마 에칭하는 기판 처리 장치에 있어서는, 대전한 파티클이 피처리 기판 등의 다른 부재에 부착되는 파티클 부착을 회피하는 것이 중요해진다.
도 7은 파티클에 있어서의 사이즈(파티클 직경)와 그 흡착력간의 관계를 도시하는 도면이다. 도 ７에 있어서, 종축은 흡착력 (Deposition Velocity)(cm/s)을 나타내고, 횡축은 입경(nm)을 나타낸다. 파티클 사이즈가 작아짐에 따라, 흡착력에 있어서 정전기력이 지배적으로 되는 것을 알 수 있다. 따라서, 피처리 기판 등에의 파티클 부착을 방지하기 위해서는, 파티클을 대전시키지 않는 것, 즉 기판처리장치 내에 있어서의 정전기의 축적을 없애는 것이 유효하다.
또, 정전기는, 피처리 기판 등에의 파티클 부착의 원인이 될 뿐만 아니라, 전자부품의 고장을 초래하는 원인이 되는 경우가 있다. 즉, 반도체 디바이스는, 1000V 전후의 정전기에 의해 고장 또는 파손되는 경우가 있고, 피처리 기판을 고정하기 위해서 정전 척(ESC)을 채용하는 기판 처리 장치에 있어서는, 대전한 피처리 기판이 다른 부품으로 전하를 방출할 때에 데미지(damage)를 받거나, 방전 흔적이 남거나 해서 양품률이 저하하는 일도 있다.
도 8은, 기판 처리 장치에 있어서의 정전기의 영향을 설명하기 위한 도이다. 도 ８에 있어서, 이 기판 처리 장치는, 피처리 기판(이하, 간단히 「 웨이퍼」라 함)에 소정의 처리를 실시하는 프로세스 모듈(81)과, 웨이퍼를 반송하는 반송실로서의 로더 모듈(82)과, 로더 모듈(82)에 장착된 웨이퍼를 수납하는 후프(83)와, 로더 모듈(82)과 프로세스 모듈(81)을 연결하는 로드·록 모듈(84)을 주로 해서 구성되어 있어, 프로세스 모듈(81)의 처리실 용기(이하, 「챔버」라 함)에는, 용기내의 가스를 배출하는 배기유로(85) 및 드라이 펌프(86)가 마련되어 있다.
이러한 기판 처리 장치에 있어서, 장치 내에 축적한 정전기는 이하와 같은 문제를 발생시키는 원인이 된다. 즉, 후프(83) 내에 축적한 정전기는, 후프(83) 내에 부유하는 파티클을 대전시켜, 파티클이 웨이퍼에 부착되는 원인이 되고, 후프(83)와 해당 후프(83)에 수용된 웨이퍼의 사이에서 방전이 발생해서 웨이퍼(W)에 방전 흔적이 생기는 원인으로도 된다. 또한, 로더 모듈(82) 내에 축적한 정전기는, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 파티클 오염의 원인이 된다.
로드·록 모듈(84)에 있어서는, 대기압과 진공 사이에서 가압 및 감압이 반복되므로, 이것에 의해 정전기가 축적하기 쉬워진다. 축적한 정전기는, 웨이퍼 등에의 파티클 부착의 원인이 된다. 또한, 프로세스 모듈(81)에서는, 플라즈마가 조사될 때, 또는 정전 척(ESC)으로부터 웨이퍼(W)가 탈착될 때에 웨이퍼가 대전하여, 웨이퍼에의 파티클 부착의 원인이 된다.
게다가, 프로세스 모듈(81)의 챔버 내 가스를 배출하는 배기유로(85)에서는, 처리 가스의 화학 에칭 반응 등에 의해 생성한 반응 생성물 및 미반응 잔류물이 배기유로(85)의 내벽면과의 마찰에 의한 정전기에 의해 대전해서 내벽면에 부착 및 퇴적하고, 점차로 퇴적량이 증대해서 최종적으로는 배기유로의 막힘이 발생하는 일도 있다.
이러한 기판 처리 장치의 각 부위에 있어서의 정전기에 기인하는 문제의 발생을 미연에 방지하기 위한 종래 기술이 개시된 공지문헌으로서 특허문헌 1을 들 수 있다. 특허문헌 1에는, 피처리 기판으로서의 웨이퍼를 처리실과 외부와의 사이에서 반출입하는 통로가 되는 에어록실에 제전기를 마련하는 것이 개시되어 있다. 제전기는, 에어록실내에 이온 류를 방출하여 이온성 파티클을 제전(정전기 제거)한다. 그 후, 에어록실내의 기체가 진공 흡인되고, 이것에 의해, 에어 록 실로부터 파티클이 배출 및 제거된다.
또한, 특허문헌 1에는, 에어록실의 내벽에 부착된 파티클을 배출 및 제거한 후에, 에어록실에 웨이퍼를 반입하고, 웨이퍼의 상방에 마련된 전극에, 웨이퍼의 대전 상태를 고려한 전압을 인가하고, 이것에 의해 웨이퍼에 부착된 대전 파티클을 전극에 흡착시키는 것도 기재되어 있다.
(특허문헌 1) 일본 특허공개 2003-353086호 공보
그러나, 상기 종래 기술은, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 챔버로부터 배출되는 배기가스 중의 대전한 파티클에 기인하는 배기유로의 막힘을 회피하는 것에 관해서는 조금도 언급하지 않고 있다.
또한, 상기 종래 기술은, 반송 챔버내에 배치된 제전기에 있어서의 구체적인 이온 발생 방법에 대해서는 규정하지 않고, 양 이온과 음이온을 밸런스 좋게 발생시키는 방법으로서 코로나 방전을 이용하는 것을 시사하고 있다. 그러나, 코로나 방전에 의한 이온 발생 방법을 이용한 경우에는, 방전에 의해 파티클이 발생하고, 발생한 파티클이 웨이퍼에 부착하여 새로운 오염원이 될 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 기판 처리 장치의 챔버로부터 배출되는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클이 배기유로의 내벽면에 부착되는 것에 의한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 배기 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해(除害) 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하기 위한 이온화가스를 공급하는 이온화가스 공급부를 마련한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 이온화가스 공급부가, 상기 배기펌프의 적어도 하나에 또는 상기 배기유로에 있어서의 상기 배기펌프의 적어도 하나의 바로 위에 또는 바로 아래에 마련된다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 이온화가스는, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 가스 이온화 장치를 마련한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 가스 이온화 장치는, 상기 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련된다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 가스 이온화 장치는, 연(軟)X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저 중 어느 하나 또는 복수이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 배기 방법은, 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서, 상기 배기유로를 흐르는 배기가스에, 이온화가스를 공급해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 이온화가스 공급 스텝을 가진다.
본 발명에 따른 배기 방법에 있어서, 상기 이온화가스를, 상기 배기펌프의 적어도 하나 내에 또는 상기 배기유로에 있어서의 상기 배기펌프의 적어도 하나의 바로 위 혹은 바로 아래에 공급한다.
본 발명에 따른 배기 방법에 있어서, 상기 이온화가스는 양이온 및 음이온을 포함하는 가스이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 배기 방법은, 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서, 상기 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화시켜, 해당 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 배기가스 이온화 스텝을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배기 방법에 있어서, 상기 배기가스를, 상기 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련된 가스 이온화 장치에 의해 이온화한다.
본 발명에 따른 배기 방법에 있어서, 상기 가스 이온화 장치는, 연X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저 중 어느 하나 또는 복수이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면，처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로에, 배기유로를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하기 위한 이온화가스를 공급하는 이온화가스 공급부를 마련했으므로, 챔버로부터 배출되는 배출 가스에 포함되는 대전한 파티클 및 배기유로 내벽면을 이온화가스로 제전해서 배기유로의 내벽면에 파티클이 부착되는 것에 의한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면，이온화가스 공급부가, 배기펌프의 적어도 하나에 또는 배기유로에 있어서의 배기펌프중 적어도 하나의 바로 위 혹은 바로 아래에 마련되어 있으므로, 감압 상태로부터 대기압 상태로 이행하는 배기펌프의 하류측의 배기가스 중에 생성되기 쉬운 파티클을 민첩하게 제전해서 배기유로의 내벽면에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 배기 방법에 의하면，이온화가스가, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스이므로, 음이온이 플러스로 대전한 파티클과 결합하고, 양이온이 마이너스로 대전한 파티클과 결합한다. 배관 내벽면에 있어서는, 가스 분자와 배관 내벽면의 마찰에 의해 대전이 발생한다. 배관내의 대전에 있어서도, 이온화가스의 도입에 의해 제전이 가능하다. 이것에 의해 대전한 파티클을 제전해서 배기유로 내벽면에의 파티클 부착을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면，처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로에, 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화해서 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 가스 이온화 장치를 마련했으므로, 이온화한 배기가스에 의해 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전할 수 있고, 이것에 의해 배기유로의 내벽면에 파티클이 부착되는 것에 기인한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면，가스 이온화 장치가, 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련되어 있으므로, 감압 상태로부터 대기압 상태로 이행하는 배기펌프의 하류측의 배기가스 중에서 생성되기 쉬운 파티클을 민첩하게 제전해서 배기유로 내벽면에의 파티클 부착 및 배기유로의 막힘을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 배기 방법에 의하면，가스 이온화 장치를, 연X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저 중 적어도 하나 또는 복수로 하였으므로, 펌프의 부하가 증가하는 것과 같은 과잉의 파티클을 발생시키지 않고, 대기압 상태이어도 이온화가스를 생성해서 대전한 파티클을 제전할 수 있다.
본 발명에 따른 배기 방법에 의하면，처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로를 흐르는 배기가스에, 이온화가스를 공급해서 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하므로, 배기유로의 내벽면에의 파티클 부착을 억제해서 배기유로의 막힘을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 배기 방법에 의하면，이온화가스를, 배기펌프의 적어도 하나 내에 또는 배기유로에 있어서의 배기펌프의 적어도 하나의 바로 위 혹은 바로 아래에 공급하도록 했으므로, 감압 상태로부터 대기압 상태로 이행하는 배기펌프 하류측의 배기가스 중에서 생성되기 쉬운 파티클을 민첩하게 제전해서 배기유로 내벽면에의 파티클 부착 및 배기유로의 막힘을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 배기 방법에 의하면， 배기유로 내를 흐르는 배기가스를 이온화시켜, 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 이온화한 배기가스에 의해 제전하므로, 배기유로 내벽면에의 파티클 부착을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 배기 방법에 의하면，배기가스를, 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련된 가스 이온화 장치에 의해 이온화하도록 했으므로, 감압 상태로부터 대기압 상태로 이행하는 배기펌프 하류측의 배기가스 중에서 생성되기 쉬운 파티클을 민첩하게 제전해서 배기유로 내벽면에의 파티클 부착을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배기 방법이 적용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 프로세스 모듈의 처리실 용기(챔버)에 연결된 배기유로의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 3a와 3b는 배기유로 내에 있어서의 정전기의 발생 및 파티클 부착의 상황을 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 그 변형예의 요부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 배기유로 내에 도입된 이온화가스와 배기가스 중의 파티클의 거동을 나타내는 설명도이다.
도 6a와 6b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 그 변형예의 요부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 7은 파티클에 있어서의 사이즈와 그 흡착력간의 관계를 도시하는 도면이다.
도 8은 기판 처리 장치에 있어서의 정전기의 영향을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 배기 방법이 적용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는, 피처리 기판으로서의 웨이퍼(W)에 RIE (Reactive Ion Etching) 처리를 실시하는 2개의 프로세스 쉽(11)과, 2개의 프로세스 쉽(11)이 각각 접속된 직사각형 형상의 공통 반송실로서의 대기 반송실(이하, 「로더 모듈」이라 함)(13)을 구비한다.
로더 모듈(13)에는, 상술한 프로세스 쉽(11) 외에, 예를 들면, 25장의 웨이퍼(W)를 수용하는 기판 수납 용기로서의 후프(14)가 각각 탑재되는 3개의 후프 탑재대(15)와, 후프(14)로부터 반출된 웨이퍼(W)의 위치를 사전정렬하는 오리엔터(16)와, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)의 후처리를 실행하는 후처리실(After Treatment Chamber)(17)이 접속되어 있다.
2개의 프로세스 쉽(11)은, 로더 모듈(13)의 길이 방향으로 측벽에 접속되는 동시에 로더 모듈(13)을 사이에 두고 3개의 후프 탑재대(15)와 대향하도록 배치되며, 오리엔터(16)는 로더 모듈(13)의 길이 방향으로 일 단부에 배치되고, 후 처리실(17)은 로더 모듈(13)의 길이 방향으로 타 단부에 배치된다.
로더 모듈(13)은, 내부에 배치된，웨이퍼(W)를 반송하는 기판 반송 유닛으로서의 스칼라(Selective Compliance Assembly Robot Arm (SCARA))형 듀얼 아암 타입의 반송 아암 기구(19)와, 각후프 탑재대(15)에 대응하도록 측벽에 배치된 웨이퍼(W)의 투입구인 3개의 후프 접속구로서의 로드 포트(20)를 가진다. 로드 포트(20)에는, 각각 개폐 도어가 마련되어 있다. 반송 아암 기구(19)는, 후프 탑재대(15)에 탑재된 후프(14)로부터 웨이퍼(W)를 로드 포트(20)를 경유해서 취출하고, 해당 취출한 웨이퍼(W)를 프로세스 쉽(11), 오리엔터(16) 또는 후처리실(17)로 반출입한다.
프로세스 쉽(11)은, 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 처리실 용기(챔버)를 구비한 프로세스 모듈(25)과, 해당 프로세스 모듈(25)에 웨이퍼(W)를 수수하는 링크형 싱글 픽 타입의 반송 아암(26)을 내장하는 로드·록 모듈(27)을 갖는다.
프로세스 모듈(25)은, 원통형의 챔버와, 해당 챔버내에 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 가지며, 해당 상부 전극과 하부 전극 사이의 거리는 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하기 위한 적절한 간격으로 설정되어 있다. 또한, 하부 전극은 웨이퍼(W)를 쿨롱력 등에 의해 흡착 및 고정하는 ESC(28)를 그 정상부에 가진다.
프로세스 모듈(25)에서는, 챔버 내부에 처리 가스, 예를 들면, 취화 수소 가스나 염소 가스를 도입하고, 상부 전극 및 하부 전극 사이에 전기장을 발생시키는 것에 의해 도입된 처리 가스를 플라즈마화해서 이온 및 래디컬을 발생시키고, 해당 이온 및 래디컬에 의해 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하여, 웨이퍼(Ｗ)상의, 예를 들면, 폴리 실리콘층을 에칭한다.
로더 모듈(13)의 내부의 압력은 대기압으로 유지되는 한편, 프로세스 모듈(25)의 내부 압력은 진공으로 유지된다. 그 때문에, 로드·록 모듈(27)은, 프로세스 모듈(25)과의 연결부에 진공 게이트 밸브(29)를 구비하는 동시에, 로더 모듈(13)과의 연결부에 대기 게이트 밸브(30)를 구비하는 것에 의해, 그 내부 압력을 조정할 수 있는 진공 예비 반송실로서 구성된다.
로드·록 모듈(27)의 내부에는, 대략 중앙부에 반송 아암(26)이 설치되고, 해당 반송 아암(26)으로부터 프로세스 모듈(25)측에 제 １ 버퍼(31)가 설치되며, 반송 아암(26)으로부터 로더 모듈(13)측에는 제 ２ 버퍼(32)가 설치된다. 제 1 버퍼(31) 및 제 2 버퍼(32)는, 반송 아암(26)의 선단부에 배치된 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부(피크)(33)가 이동하는 궤도상에 배치되며, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지부(33)의 궤도의 상방으로 대피시킴으로써, RIE 미처리의 웨이퍼(W)와 RIE 처리완료의 웨이퍼(W)의 프로세스 모듈(25)에 있어서의 원활한 교체를 가능하게 한다.
또한, 기판 처리 장치(10)는, 프로세스 쉽(11), 로더 모듈(13), 오리엔터(16) 및 후처리실(17)(이하, 정리해서 「각 구성요소」라 함)의 동작을 제어하는 시스템 컨트롤러(도시하지 않음)와, 로더 모듈(13)의 길이 방향을 따른 일 단부에 배치된 오퍼레이션 컨트롤러(21)를 구비한다.
시스템 컨트롤러는, RIE 처리나 웨이퍼(W)의 반송 처리에 대응하는 프로그램으로서의 레시피(recipe)에 따라 각 구성요소의 동작을 제어하고, 오퍼레이션 컨트롤러(21)는, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display)로 이루어지는 상태 표시부를 가지며, 해당 상태 표시부는 각 구성요소의 동작 상황을 표시한다.
도 2는, 도 1에 있어서의 프로세스 모듈(25)의 처리실 용기(챔버)에 연결된 배기유로의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2에 있어서, 프로세스 모듈(25) 내에 마련된 챔버(40)의 배기유로(41)에는, 배기펌프로서의 드라이 펌프(42)와, 배기가스 중의 유해 성분을 포집하여 제거하는 제해 장치(43)를 주로 해서 구성되어 있다.
챔버(40)에서는, 처리 가스로서 환경 또는 인체에 유독한 가스가 사용되는 일이 있고, 또한 화학 에칭 반응에 의해 유해물질이 생성될 수도 있다. 이 때문에，챔버(40)의 용기내 가스를 배기하는 배기유로(41)에는, 제해 장치(43)가 마련되어 있다. 제해 장치(43)의 내부에는, 예를 들면, 활성탄 흡착층(44)이 마련되어 있고, 활성탄 흡착층(44)에 의해 배기가스에 포함된 유해물을 흡착한다. 유해물이 흡착 및 제거되어서 무해화된 배기가스는, 예를 들면, 대기로 방출된다.
그런데, 챔버(40) 내가 진공에 가까운 감압 상태인 것에 비해서 드라이 펌프(42)의 후류(後流)측은 대기압에 가까우므로, 배기가스의 온도가 저하하는 동시에, 챔버(40) 내에서 발생한 반응 생성물, 반응 잔류물 등의 농도가 상승하여, 배기가스 중에서 응집해서 입자상 물질(파티클)이 된다. 그 후, 생성한 파티클은, 배기유로내를 흐르는 배기가스와의 마찰에 의해 정전기를 띠고, 정전기력에 의해 별도의 파티클과 부착되어서 배기유로(41)의 내벽면에 퇴적한다. 또한, 챔버(40)로부터 배출되는 파티클은, 접지된 배기유로(41)의 내벽면에 접촉하는 것에 의해 제전되지만, 다른 파티클과의 결합에 있어서 정전기력보다도 분자간력이 지배적인 경우는, 배기가스류에 의해 하류로 흘러 나가기 전에, 예를 들면, 중력에 의해 배기유로의 내벽면에 부착하여 퇴적한다. 퇴적물의 표면은, 배기가스와의 마찰에 의해 대전하고, 배기가스 중의 가스 성분을 끌어당기는 것에 의해 퇴적량이 증대한다.
도 3a와 3b는, 배기유로 내에 있어서의 정전기의 발생 및 파티클 부착의 상황을 나타내는 설명도이다. 도 3a에 있어서, 배기유로(41)의 내벽면에 가까운 부분일수록 마찰이 크고, 마찰에 기인하는 정전기가 발생하기 쉬운 것을 알 수 있다. 또한, 가스의 유속이 빠른 것은 배관의 중심부이며, 벽면에 가까울수록 흐름이 늦어진다. 이 때문에， 파티클은 배관내에 잔류하기 쉬워진다. 또한, 도 3b에 있어서, 배기유로(41)는 그라운드(ground)에 접속되어 있지만, 배기유로(41)의 내벽면에 부착된 파티클(P)과 배기가스와의 마찰에 의해 파티클(P)이 대전하고, 그 위에 다른 파티클(P)이 더욱 부착하여 퇴적해서 퇴적량이 증가하며, 최종적으로는 배기유로(41)를 막히게 하는 문제가 된다.
본 발명자는, 기판 처리 장치의 챔버내 가스를 배기하는 배기유로에 있어서의 파티클의 퇴적에 의한 막힘을 피하기 위해서, 각종실험을 실행한 바, 배기유로 내를 제전하는 것, 즉, 배기유로 내에 이온화가스를 도입함으로써，또는 배기유로를 유통하는 배기가스를 이온화함으로써 대전한 파티클을 제전할 수 있고, 이것에 의해 배기유로 내벽면에의 파티클 부착이 억제되어, 배기유로의 막힘을 방지할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명에 도달했다.
이하, 본 발명의 제 １ 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
도 4(A)는, 본 발명의 제 １ 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부의 개략 구성을 도시한 도면, 도 4(B)는, 그 변형예를 도시하는 도면이다. 도 4(A)에 있어서, 이 기판 처리 장치는 피처리 기판인 웨이퍼(W)에 소정의 에칭 처리를 실시하는 프로세스 모듈(25) 내에 마련된 챔버(50)와, 챔버(50)의 (배기유로(51a, 51b)를 포함하는) 배기유로(51)와, 배기유로(51)에 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 마련된 드라이 펌프(52) 및 제해 장치(53)와, 드라이 펌프(52)의 상류측의 배기유로(51a)에 접속된 이온화가스 공급부로서의 이온화가스 공급관(55)을 주로 해서 구성되어 있다. 제해 장치(53) 내에는 활성탄 흡착층(54)이 마련되어 있다.
이러한 구성의 기판 처리 장치에 있어서, 챔버(50)의 용기내 가스를 배기할 때, 드라이 펌프(52)에 의해 챔버(50)의 용기내 가스가 흡인되어, 배기유로(51a 및 5lb)를 통해서 배출된다. 이 때, 드라이 펌프(52)의 상류 측의 배기유로(51a)에 접속된 이온화가스 공급관(55)으로부터 이온화가스가 도입된다(이온화가스 공급 스텝). 이온화가스는, 질소 가스 등의 불활성 가스에, 예를 들면, 연X선 이오나이저로부터 연X선을 조사하고, 이것에 의해 질소원자로부터 전자가 튀어 나간 양이온과, 양이온과 동량의 음이온을 포함하는 가스를 말한다.
이온화가스 공급관(55)으로부터 도입된 이온화가스는, 배기유로(5lb)를 흐르는 배기가스 중의 파티클과 결합해서 대전한 파티클을 제전한다. 즉, 플러스 전하를 띤 파티클은 이온화가스 중의 음이온과 결합해서 전하를 잃고, 마이너스 전하를 띤 파티클은 이온화가스 중의 양이온과 결합해서 전하를 잃는다. 전하를 잃은 파티클은, 배기유로(5lb)의 내벽면에 부착되지 않고 배기가스류를 따라서 제해 장치(53)에 유입하고, 여기에서, 필터(도시하지 않음) 등에 의해 포집되어 분리된다. 따라서, 배기유로(5lb)의 내벽면으로의 파티클 부착이 억제된다. 파티클이 분리된 배기가스는, 활성탄 흡착층(54)에서 유해물질이 분리되어 회수된 후, 대기로 방출된다. 또한, 제전된 파티클을 배기가스와 함께 기판 처리 장치의 시스템 밖으로 배출하고, 그 후, 파티클을 회수하도록 해도 좋다.
도 5는, 배기유로(51a) 내에 도입된 이온화가스와 배기가스 중의 파티클(P)간의 거동을 나타내는 설명도이다. 도 5에 있어서, 배기가스 중에 이온화가스를 도입함으로써，마찰에 의해 플러스 전하를 띤 파티클(P)은 이온화가스 중의 음이온과 결합해서 전하를 잃고, 마이너스 전하를 띤 파티클(P)은 이온화가스 중의 양 이온과 결합해서 전하를 잃는다. 이것에 의해, 배기유로(51) 내벽면으로의 파티클 부착이 억제된다.
본 실시예에 의하면，챔버(50)의 용기내 가스를 배출하는 배기유로(51)에 있어서 드라이 펌프(52)의 상류 측에 이온화가스 공급관(55)을 접속했으므로, 배기유로(5lb)를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 이온화가스에 의해 제전해서 전기적으로 중성으로 하는 것이 가능하다. 따라서, 파티클의 배기유로(5lb)의 내벽면에의 부착을 억제해서 배기유로(5lb)의 막힘을 방지할 수 있다.
또한, 종래에 배기유로(51)의 막힘을 회피하기 위해서, 배기유로의 거의 전역에 배기가스의 온도 저하를 방지하기 위한 가열 히터를 설치하고 있었지만, 본 실시예를 적용함으로써，히터의 설치 대수를 대폭 삭감 또는 없애는 것이 가능하다.
본 실시예에 있어서, 이온화가스 공급관(55)을 드라이 펌프(52)의 바로 상류부에 마련하는 것이 바람직하다. 배기유로(51)에 있어서의 드라이 펌프(52)의 상류측(배기유로(51a))의 압력은 진공(감압) 상태이고, 하류측(배기유로(5lb))의 압력은 대기압 상태이며, 파티클은 대기압 상태의 배기가스 내에서 생성하기 쉽기 때문이다． 또한, 이온화가스에 의한 제전 거리는, 예를 들면, 1000 mm 이하이며, 배기가스 중의 파티클을 효율적으로 제전하기 위해서는, 이온화가스를, 파티클 농도가 높다고 생각되는 대기압 상태의 배기가스가 유통하는 배기유로(5lb)의 바로 상류측에 도입하는 것이 바람직하기 때문이다．
본 실시예에 있어서, 이온화가스 공급관(55)을 드라이 펌프(52)의 상류측에 마련했지만, 이온화가스 도입관(55)의 접속 장소는, 드라이 펌프(52)의 상류측에 한정되는 것이 아니며, 하류측에 마련할 수도 있다. 이 경우, 이온화가스 공급관(55)을 드라이 펌프(52)의 바로 하류부에 마련하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 배기유로(5lb) 내를 유통하는 배기가스와 도입된 이온화가스의 제해 장치(53)까지의 혼합 경로를 길게 확보할 수 있으므로, 대전한 파티클의 제전이 촉진되어, 파티클 부착에 의한 배기유로(5lb)의 막힘 방지 효과가 향상한다.
또한, 제해 장치(53)를 구비한 배기유로(51)에는, 보통 유해 성분을 희석하기 위해서, 드라이 펌프(52)에 유해 성분 희석용의 불활성 가스, 예를 들면, 질소 가스가 도입된다. 따라서, 이 유해 성분 희석용 가스를 이온화하고, 이온화한 유해 성분 희석용 가스를 드라이 펌프(52)에 직접 도입하도록 하여도 좋다. 이것에 의해, 새로운 가스 공급계를 마련할 필요를 없애는 것이 가능하다.
이온화가스 공급관(55)을 드라이 펌프(52)의 하류측에 마련한 경우에도, 이온화한 유해 성분 희석용 가스를 드라이 펌프(52)에 직접 도입하는 경우에도, 상기 실시예와 마찬가지로 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전해서 배기유로(5lb)의 내벽면에의 파티클 부착을 억제하고, 이것에 의해 배기유로(5lb)의 막힘을 방지할 수 있다.
도 4(A)의 변형예를 나타내는 도 4(B)에 있어서, 이 기판 처리 장치가 도 4(A)에 도시된 기판 처리 장치와 다른 점은, 배기펌프로서, 배기유로(51)의 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 터보 펌프(57) 및 드라이 펌프(52)를 마련하고, 드라이 펌프(52)의 바로 위에 이온화가스 공급관(55)을 접속한 점이다. 이러한 구성의 기판 처리 장치에 있어서도, 상기 실시예와 마찬가지로 파티클의 배기유로(51c)의 내벽면에의 부착을 억제해서 배기유로(51c)의 막힘을 방지할 수 있다.
도 6a는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부의 개략 구성을 도시하는 도면, 도 6b는 그 변형예를 도시하는 도면이다. 도 6a에 있어서, 이 기판 처리 장치가 도 4(A)의 기판 처리 장치와 다른 점은, 드라이 펌프의 상류에 접속된 이온화가스 도입관 대신에, 드라이 펌프의 하류측에 연X선 이오나이저를 마련한 점이다. 즉, 이 기판 처리 장치는, 피처리 기판인 웨이퍼(W)에 소정의 에칭 처리를 실시하는 프로세스 모듈(25) 내에 마련된 챔버(60)와, 챔버(60)의 (배기유로(61a, 61b)를 포함하는) 배기유로(61)와, 배기유로(61)에 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 마련된 드라이 펌프(62) 및 제해 장치(63)와, 드라이 펌프(62)의 하류측의 배기유로(6lb)에 마련된 연X선 이오나이저(66)를 주로 해서 구성되어 있다. 제해 장치(63)에는, 활성탄흡착층(64)이 마련되어 있다.
이러한 구성의 기판 처리 장치에 있어서, 챔버(60)의 용기내 가스를 배출할 때, 용기내 가스는 드라이 펌프(62)에 의해 흡인되어, 배기유로(61)내를 통해서 배기된다. 이 때, 드라이 펌프(62)의 하류 측에 마련된 연X선 이오나이저(66)로부터 배기가스를 향해서 연X선이 조사되어, 배기가스 성분으로부터 전자가 튀어 나와서 양이온이 생성된다. 한편, 양이온과 동량의 음이온도 생성된다. 이렇게 하여 배기가스 성분이 이온화되어 이온화가스가 된다(배기가스 이온화 스텝). 배기가스 중의 플러스 전하를 띤 파티클은 이온화가스의 음이온과 결합해서 제전된다. 또한, 마이너스 전하를 띤 파티클은, 이온화가스의 양이온과 결합해서 제전된다. 이렇게 하여, 배기가스 중의 대전한 파티클이 제전되어, 정전기에 기인하는 배기유로(6lb)의 내벽면에의 파티클 부착이 억제된다. 제전된 파티클은, 배기유로(6lb)의 내벽면에 부착되지 않고 배기가스류를 따라서 제해 장치(63)에 유입하고, 여기에서, 필터(도시하지 않음) 등에 의해 포집되어 분리된다. 파티클이 분리된 배기가스는, 활성탄 흡착층(64)에 의해 유해물질이 제거된 후, 대기로 방출된다. 또, 제전된 파티클을 배기가스와 함께 기판 처리 장치의 계외에 배출하고, 그 후, 파티클을 분리하도록 하여도 좋다.
본 실시예에 의하면，챔버(60)의 용기내 가스의 배기유로(61)에 있어서 드라이 펌프(62)의 하류측에 연X선 이오나이저(66)를 마련했으므로, 연X선 이오나이저(66)로부터 배기유로(6lb)를 유통하는 배기가스를 향해 연X선을 조사함으로써， 배기가스 성분으로부터 전자가 방출되어 양이온이 형성됨과 동시에, 생성된 양이온과 동량의 음이온이 형성된다. 그리고 배기가스 중의 플러스 전하를 띤 파티클은 이온화가스 중의 음이온을 흡착해서 전하를 잃고, 마이너스 전하를 띤 파티클은 이온화가스 중의 양 이온을 흡착해서 전하를 잃는다. 이것에 의해, 배기유로(6lb)의 내벽면에의 파티클 부착이 억제된다.
본 실시예에 있어서, 연X선 이오나이저(66)는 드라이 펌프(62)의 바로 하류부에 배치하는 것이 바람직하다. 배기유로(61)에 있어서의 드라이 펌프(62)의 상류측(배기유로(61a))의 압력은 진공(감압) 상태이며, 하류측 (배기유로(6lb))의 압력은 대기압 상태이고, 파티클은 대기압 상태의 배기가스 내에서 생성되기 쉽기 때문이다． 또한, 연X선 이오나이저에 의해 생성된 이온화가스에 의한 제전 거리는, 예를 들면, 1000 mm 이하이다. 따라서, 유효 제전 거리를 확보해서 배기가스 중의 대전한 파티클을 효율적으로 제전하기 위해서는, 이온화가스를, 파티클 농도가 높다고 생각되는 드라이 펌프(62) 후류의 대기압 상태의 배기가스의 상류부 근방에서 발생시키는 것이 바람직한 때문이다. 연X선이란, 예를 들면, 파장이 0.1∼10nm로 비교적 길고, 에너지가 0.1∼2keV로 비교적 작은 X선을 말한다.
본 실시예에 있어서, 가스 이온화 장치로서 연X선 이오나이저(66)를 적용했지만, 연X선 이오나이저 이외의 가스 이온화 장치로서, 동일한 작용 효과를 나타내는, 예를 들면, UV광 조사형 이오나이저나 국소 플라즈마, 코로나 방전 이오나이저 등을 이용할 수도 있다.
도 6a의 변형예를 나타내는 도 6b에 있어서, 이 기판 처리 장치가, 도 6a의 기판 처리 장치와 다른 점은, 배기펌프로서, 배기유로(61)의 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 터보 펌프(67) 및 드라이 펌프(62)를 마련하고, 드라이 펌프(52)의 바로 아래에 연X선 이오나이저(66)를 마련한 점이다. 이러한 구성의 기판 처리 장치에 있어서도, 상기 실시예와 같이 파티클의 배기유로(61c)의 내벽면에의 부착을 억제해서 배기유로(61c)의 막힘을 방지할 수 있다.
상술한 각 실시예에 있어서, 플라즈마 처리가 실시되는 기판은 반도체 디바이스용의 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display) 등을 포함하는 FPD(Flat Panel Display) 등에 이용하는 각종 기판이나, 포토 마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
또한, 본 발명의 목적은, 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를, 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독해 실행함으로써도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 것으로 되고, 그 프로그램 코드 및 해당 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하는 것으로 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들면, 플로피(등록상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CDRW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW 등의 광디스크, 자기 테이프, 비휘발성의 메모리 카드, ROM 등을 이용하는 것도 가능하다. 또는, 프로그램 코드를 네트워크를 거쳐서 다운로드해도 좋다.
또한, 컴퓨터가 판독한 프로그램 코드를 실행하는 것에 의해, 상술한 각 실시예의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 컴퓨터 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현될 경우도 포함된다.
더구나, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 확장 기능을 확장 보드나 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현될 경우도 포함된다.
10: 기판 처리 장치
25: 프로세스 모듈
40, 50, 60: 처리실 용기(챔버)
41, 51, 61: 배기유로
42, 52, 62: 드라이 펌프
43, 53, 63: 제해 장치
44, 54, 64: 활성탄 흡착층
55: 이온화가스 공급관
66: 연(軟)X선 이오나이저

Claims (15)

  1. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 1개 또는 복수의 배기펌프와 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하기 위한 이온화가스를 공급하는 이온화가스 공급부를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 1개 또는 복수의 배기펌프와 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하기 위한 이온화가스를 공급하는 이온화가스 공급부를 마련하고,
    상기 이온화가스 공급부는, 상기 배기펌프의 적어도 하나에 또는 상기 배기유로에 있어서 상기 배기펌프의 적어도 하나의 바로 위 혹은 바로 아래에 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 1개 또는 복수의 배기펌프와 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하기 위한 이온화가스를 공급하는 이온화가스 공급부를 마련하고,
    상기 이온화가스는, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 가스 이온화 장치를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 가스 이온화 장치를 마련하고,
    상기 가스 이온화 장치는, 상기 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기유로에, 해당 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 가스 이온화 장치를 마련하고,
    상기 가스 이온화 장치는, 연X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저 중 어느 하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서,
    상기 배기유로를 흐르는 배기가스에 이온화가스를 공급해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 이온화가스 공급 스텝을 가지는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  8. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서,
    상기 배기유로를 흐르는 배기가스에 이온화가스를 공급해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 이온화가스 공급 스텝을 가지고,
    상기 이온화가스를, 상기 배기펌프의 적어도 하나 내에 또는 상기 배기유로에 있어서 상기 배기펌프의 적어도 하나의 바로 위 혹은 바로 아래에 공급하는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  9. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서,
    상기 배기유로를 흐르는 배기가스에 이온화가스를 공급해서 상기 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 이온화가스 공급 스텝을 가지고,
    상기 이온화가스는, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  10. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서,
    상기 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화시켜, 해당 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 배기가스 이온화 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  11. 피처리 기판을 수용하는 처리실 용기와, 해당 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기유로와, 해당 배기유로에 마련된 하나 또는 복수의 배기펌프 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 용기내의 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서,
    상기 배기유로를 흐르는 배기가스를 이온화시켜, 해당 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하는 배기가스 이온화 스텝을 가지고,
    상기 배기가스를, 상기 배기펌프의 적어도 하나의 하류측에 마련된 가스 이온화 장치에 의해 이온화하는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스 이온화 장치는, 연X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저중 어느 하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 이온화가스는, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 가스 이온화 장치는, 연X선 이오나이저, 코로나 방전 이오나이저, 국소 플라즈마, UV광 조사형 이오나이저 중 어느 하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 이온화가스는, 양이온 및 음이온을 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 배기 방법.
KR1020100024310A 2009-03-19 2010-03-18 기판 처리 장치 및 배기 방법 KR101453123B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-068285 2009-03-19
JP2009068285A JP2010225640A (ja) 2009-03-19 2009-03-19 基板処理装置及び排気方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100105493A KR20100105493A (ko) 2010-09-29
KR101453123B1 true KR101453123B1 (ko) 2014-10-27

Family

ID=42736368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100024310A KR101453123B1 (ko) 2009-03-19 2010-03-18 기판 처리 장치 및 배기 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8398745B2 (ko)
JP (1) JP2010225640A (ko)
KR (1) KR101453123B1 (ko)
CN (1) CN101853779B (ko)
TW (1) TWI497581B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5485056B2 (ja) * 2010-07-21 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム
JP2016058642A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社東芝 粒子供給装置及び方法
CN110381657B (zh) * 2019-07-22 2022-11-04 Tcl华星光电技术有限公司 消除静电的设备
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
US11866203B2 (en) * 2020-10-01 2024-01-09 Hamilton Sundstrand Corporation Dust removal in deep space environment
WO2023150161A1 (en) * 2022-02-07 2023-08-10 Applied Materials, Inc. Chamber ionizer for reducing electrostatic discharge

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030081592A (ko) * 2002-04-12 2003-10-22 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 배기라인 부산물 제거장치
KR20070066390A (ko) * 2005-12-22 2007-06-27 주식회사 래디언테크 플라즈마 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01317558A (ja) * 1988-06-18 1989-12-22 Chikuma Giken Kogyo Kk 有機溶剤のミスト又はガスの回収方法
US4872887A (en) * 1988-09-12 1989-10-10 Electric Power Research Institute, Inc. Method for flue gas conditioning with the decomposition products of ammonium sulfate or ammonium bisulfate
US5922105A (en) * 1992-12-02 1999-07-13 Ebara Research Co., Ltd. Method and apparatus for the preparation of clean gases
US5992244A (en) * 1998-03-04 1999-11-30 Regents Of The University Of Minnesota Charged particle neutralizing apparatus and method of neutralizing charged particles
US6843835B2 (en) * 2001-03-27 2005-01-18 The Procter & Gamble Company Air cleaning apparatus and method for cleaning air
JP2002353086A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Sony Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
US6610123B2 (en) * 2001-12-17 2003-08-26 Intel Corporation Filtered mask enclosure
US6770117B2 (en) * 2002-10-31 2004-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Ion implantation and wet bench systems utilizing exhaust gas recirculation
JP4418193B2 (ja) * 2003-08-22 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置
GB0326500D0 (en) * 2003-11-13 2003-12-17 Oxford Instr Plasma Technology Gas port assembly
JP2005262085A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Daikin Ind Ltd 空気浄化装置
US7368003B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-06 S.C. Johnson & Son, Inc. Systems for and methods of providing air purification in combination with odor elimination
GB0521842D0 (en) * 2005-10-26 2005-12-07 Boc Group Plc Apparatus for treating a gas stream
JP2007227805A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Fujitsu Ltd 成膜装置と成膜装置のパーティクル制御方法
JP5036354B2 (ja) * 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
US7559976B2 (en) * 2006-10-24 2009-07-14 Henry Krigmont Multi-stage collector for multi-pollutant control
US7361207B1 (en) * 2007-02-28 2008-04-22 Corning Incorporated System and method for electrostatically depositing aerosol particles
US7393385B1 (en) * 2007-02-28 2008-07-01 Corning Incorporated Apparatus and method for electrostatically depositing aerosol particles
JP4938516B2 (ja) * 2007-03-20 2012-05-23 株式会社テクノ菱和 衝撃波を用いた無発塵除電除塵システム
JP5081527B2 (ja) * 2007-07-26 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 気体清浄化装置及び気体清浄化方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030081592A (ko) * 2002-04-12 2003-10-22 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 배기라인 부산물 제거장치
KR20070066390A (ko) * 2005-12-22 2007-06-27 주식회사 래디언테크 플라즈마 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8398745B2 (en) 2013-03-19
JP2010225640A (ja) 2010-10-07
KR20100105493A (ko) 2010-09-29
US20100236406A1 (en) 2010-09-23
CN101853779B (zh) 2012-08-08
CN101853779A (zh) 2010-10-06
TW201108322A (en) 2011-03-01
TWI497581B (zh) 2015-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101453123B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기 방법
US10115614B2 (en) Transfer chamber and method for preventing adhesion of particle
TWI496241B (zh) Impurity introduction layer forming device and electrostatic chuck protection method
US20100214712A1 (en) Method for charge-neutralizing target substrate and substrate processing apparatus
US8945313B2 (en) Vacuum exhaust method and a substrate processing apparatus therefor
JP5388643B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP5127147B2 (ja) 基板吸着脱離方法
KR101310513B1 (ko) 기판 세정 방법
KR102541747B1 (ko) 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법
JP2005072374A (ja) 基板処理装置
KR100743275B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
JP2002353086A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP2004304123A (ja) 処理装置および処理方法
JP4679813B2 (ja) パーティクル付着防止装置及び方法、大気搬送装置、真空搬送装置、並びに半導体製造装置
JP4806165B2 (ja) 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム
JP2008277480A (ja) 基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置
WO2009128431A1 (ja) 雰囲気清浄化装置
JP2005044975A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH06140294A (ja) 真空処理装置
JP2019169536A (ja) 基板搬送システム及び基板除電方法
JP2004342856A (ja) 基板処理装置
JPH06299349A (ja) イオン注入装置
JP2003309157A (ja) 基板除電装置及び真空処理装置
JP2013115183A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 5