KR101448007B1 - 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 무기막을 적층하는 단계, 그리고 상기 무기막 위에 마스크를 배치시키고 이온 빔을 복수의 방향에서 조사하여 상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계를 포함하며, 상기 이온 빔의 조사 시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리는 100㎛이하이다. 이렇게 하면 배향 불량 영역을 줄여 표시 불량을 방지할 수 있다.
액정 표시 장치, 배향막, 무기막, 이온 빔 배향 방법

Description

액정 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온 빔 배향 방법을 이용하여 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 표시 장치로서, 기판에 전기장 생성 전극이 형성된 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함하며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 제어함으로써 투과되는 빛의 양을 조절한다.
액정 표시 장치는 액정분자의 광학적 이방성에 기인한 협시야각 등의 단점이 있으나 OCB(optically compensated bend) 모드나 IPS(in-plain switching) 모드, 혹은 복수의 도메인(domain)을 이용한 여러 가지 수직 배향(vertically aligned) 모드 등이 개발되어 광시야각을 실현하고 있다. 복수의 도메인은 인위적으로 전기장을 왜곡함으로써 형성될 수 있다.
복수의 도메인을 형성하는 수단으로 전기장 생성 전극에 돌기 또는 절개부를 형성하는 방법이 있다. 이 방법에 의하면 돌기 또는 절개부의 가장자리와 이와 마 주하는 전기장 생성 전극 사이에 형성되는 프린지 필드(fringe field)에 의해 액정이 프린지 필드에 수직하는 방향으로 배향됨으로써 복수의 도메인이 형성된다. 그러나 돌기나 절개부를 만드는 공정은 어렵고 복잡하여 표시 장치의 제조 단가가 높아지며, 이들로 인해 개구율이 떨어진다. 또한 돌기 또는 절개부에 가까이 위치한 액정은 프린지 필드에 수직하는 방향으로 쉽게 배향될 수 있지만 절개부에서 멀리 떨어진 중앙부에 위치하는 액정은 랜덤 모션(random motion)이 발생하여 응답 속도가 느려지고 역방향 도메인이 형성되어 순간 잔상이 나타날 수 있다.
하나의 화소에 복수의 도메인을 형성하는 다른 수단으로 배향막에 광 또는 이온을 조사하여 액정의 배향 방향 및 배향 각도를 제어하는 광 배향 및 이온 빔 배향 방법이 있다. 광 배향 및 이온 빔 배향 방법은 전기장 생성 전극에 돌기 또는 절개부를 형성할 필요가 없어서 개구율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 광 배향 또는 이온 빔 배향 시 발생하는 선 경사각(pretilt angle)에 의해 액정의 응답시간도 개선할 수 있다.
여기서 광 배향 방법은 기판 위에 유기막 표면에 자외선(UV)을 한 화소마다 복수의 다른 방향으로 조사하여 복수의 도메인을 형성하는 방법이며, 이온 빔 배향은 기판 위에 형성된 무기막 표면에 한 화소마다 복수의 다른 방향으로 이온 빔을 조사하여 복수의 도메인을 형성하는 방법이다.
그런데 광 배향의 경우 경화되지 않은 유기물 성분에 의한 잔상 문제가 존재 하고 시간이 지남에 따라 배향 규제력(anchoring energy)이 약해져서 액정의 초기 배향이 흐트러질 수 있다. 그리고 광 배향 및 이온 빔 배향 방법에 의해 복수의 도메인을 형성하기 위해서는 마스크를 사용하는데, 이 경우 마스크의 경계 부분에서 이온 빔(Ar ions)이 간접 조사된 영역 즉 배향 불량 영역이 발생한다. 이러한 배향 불량 영역이 차광 부재에 의해 완전히 차단되지 않으면 표시 불량을 유발한다. 배향 불량 영역에 따른 표시 불량은, 도 16에서 보는 바와 같이, 액정 표시 장치의 제조 후 액정 배향 상태를 검사함으로써 확인할 수 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 배향 불량 영역을 줄여 표시 불량을 방지할 수 있고 큰 배향 규제력을 유지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 복수의 박막트랜지스터, 상기 복수의 박막트랜지스터 위에 각각 형성된 복수의 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 적어도 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제1 무기 배향막, 상기 제1 기판에 대응하는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성된 공통 전극, 상기 공통 전극 위에 적어도 상기 제1 무기 배향막의 배향 방향과 다른 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제2 무기 배향막을 포함하고, 상기 제1 무기 배향막은 상기 데이터선과 실질적으로 평행한 방향으로 조사된 이온 빔에 의해 형성된 것이고 상기 제2 무기 배향막은 상기 게이트선과 실질적으로 평행한 방 향으로 조사된 이온 빔에 의해 형성된 것일 수 있다.
상기 제1 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함할 수 있고, 상기 제2 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함 포함할 수 있고, 상기 제2 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 무기 배향막의 이온빔의 조사각도는 수평면에 대하여 60도 내지 85도일 수 있고, 상기 이온빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2일 수 있다.
상기 무기막의 두께는 50nm로 할 수 있다.
상기 무기막은 산화규소 또는 질화규소를 포함할 수 있다.
이러한 액정 표시 장치는 제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 무기 막을 적층하는 단계, 그리고 상기 무기막 위에 마스크를 배치하고 이온 빔을 조사하여 상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계를 포함하는 제조 방법을 통해 제조할 수 있다.
상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계는 상기 제1 배향막을 제1 및 제2 스트라이트 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제1 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행한 제1 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계, 상기 제1 스트라이프 영역과 인접한 상기 제2 스트라이프 영역에 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성 할 수 있다.
상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 서로 다른 화소에 각각 형성 할 수 있다.
상기 이온 빔의 조사시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 100㎛ 이하 일 수 있다.
상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 조사 각도는 60°내지 85° 일 수 있다.
상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2 일 수 있다.
상기 무기막의 적층 단계에서, 상기 무기막은 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착되며, 증착 온도는 75℃ 내지 300℃일 수 있다.
상기 이온 빔 소스는 CHC형의 이온 빔 소스일 수 있다.
상기 이온 빔은 아르곤 이온을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판과 마주하고 있는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계; 상기 공통 전극 위에 무기막을 적층하는 단계; 상기 무기막을 이온 빔을 조사하여 제2 배향막으로 변환하는 단계; 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 무기막을 제2 배향막으로 변환하는 단계는 상기 제2 배향막을 제3 및 제4 스트라이트 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제3 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행한 제3방향으로 이온 빔을 조사하는 단계, 상기 제3 스트라이프 영역과 인접한 상기 제4 스트라이프 영역에 상기 제3 방향과 반대의 방향인 제4 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제3 스트라이프 영역과 제4 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성되거나, 서로 다른 화소에 각각 형성될 수 있다.
상기 액정층은 좌상(左上), 좌하(左下), 우상(右上) 및 우하(右下) 방향으로 배향되는 복수의 도메인을 포함할 수 있다.
상기 이온 빔의 조사 시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 20㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.
상기 마스크는 상기 이온 빔이 통과하는 개구부를 가지며, 상기 개구부의 폭은 100㎛ 내지 2000㎛ 일 수 있다.
상기 마스크는 스테인레스 또는 알루미늄으로 만들어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 배향 불량 영역을 줄여 표시 불량을 방지할 수 있으며 큰 배향 규제력을 유지할 수 있다. 또한 이온 빔 배향에 의한 복수의 도메 인이 높은 열적 안정성을 가질 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 “바로 위에” 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판 및 이온 빔 배향을 위한 마스크를 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 액정 표시 장치는 표시판부(300) 및 조명부(400)를 포함한다. 표시판부(300)는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(도시하지 않음)을 포함한다.
먼저 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다. 박막 트랜지스터 표시판(100)은 기판(110), 화소 전극(191) 및 배향막(11)을 포함한다.
기판(110)은 유리 또는 플라스틱 따위의 투명 절연 물질로 만들어진다. 기판(110) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 만들어진다.
기판(110)과 화소 전극(191) 사이에는 복수의 박막 소자 구조물(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 박막 소자 구조물은 박막 트랜지스터, 게이트선 및 데이터선 등의 신호선, 색필터, 차광 부재 등을 포함할 수 있다. 박막 소자 구조물의 한 예에 대하여 간략하게 설명한다.
기판(110) 위에 게이트선이 형성되어 있다. 게이트선 위에는 게이트 절연막, 반도체, 저항성 접촉 부재(ohmic contact)가 차례로 형성되어 있고, 그 위에는 데이터선 및 드레인 전극이 형성되어 있다. 게이트선은 복수의 게이트 전극을 포함하고, 데이터선은 복수의 소스 전극을 포함한다. 게이트 전극, 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극은 박막 트랜지스터를 이룬다. 반도체, 데이터선 및 드레인 전극 위에는 보호막이 형성되며, 보호막 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막에 뚫린 접촉 구멍(contact hole)을 통하여 드레인 전극과 연결된다. 한편, 박막 소자 구조물은 반도체 위에 형성되는 색필터, 공통 전극 또는 이 두 가지 모두를 포함할 수도 있다.
화소 전극(191) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있으며, 이는 수직 배향막일 수 있다. 배향막(11)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위의 무기 물질로 만들어진다.
공통 전극 표시판(200)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하고 있으며, 복수의 박막 소자 구조물을 포함한다. 공통 전극 표시판(200)의 구조에 대해서는 도 8을 함께 참고하여 설명한다.
기판(210) 위에 차광 부재가 형성되어 있으며, 차광 부재는 화소 전극(191)과 마주 보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부를 가지고 있다. 기판(210) 및 차광 부재 위에는 덮개막(overcoat)이 형성되어 있으며, 덮개막 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 기판(210)과 보호막 사이에는 복수의 색필터가 형성되어 있다. 각 색필터는 차광 부재의 개구부 내에 대부분 존재할 수 있으며, 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 공통 전극 표시판(200)에서 색필터는 생략될 수도 있다. 공통 전극(270) 위에는 무기 물질로 만들어진 배향막(21)이 형성되어 있다. 상기 배향막들(11, 21)은 한 화소마다 다른 배향 방향을 가지는 복수의 영역을 포함하도록 형성될 수도 있고, 또는 이웃하는 화소 사이에서 서로 다른 배향 방향을 가지도록 형성될 수도 있다. 이때, 배향막 사이에는 액정층이 개재되어 있다. 하나의 화소에 위치한 액정층의 액정 분자들은 배향 방향이 서로 다르게 제어되며, 이에 따라 복수의 도메인이 형성된다. 액정 분자들의 배향 방향은 배향 규제력에 의해 결정될 수 있는데, 배향 규제력은 무기막에 이온 빔을 조사하여 만들어진 배향막(11)에 큰 영향을 받는다. 상기 배향막들(11, 21)은 둘 중 하나가 게이트선과 실질적으로 평행한 방향에서 조사된 이온 빔에 의하여 형성되고, 나머지 하나가 데이터선과 실 질적으로 평행한 방향에서 조사된 이온 빔에 의하여 형성될 수 있다.
무기막에 이온 빔을 조사하여 배향막(11, 21)으로 변환하기 위해서는 복수의 개구부(75)를 가지는 마스크(70)가 필요하다. 이온 빔 배향시 사용하는 마스크(70)는 기판(110)의 장변과 수직한 방향으로 형성되어 있는 복수의 개구부(75)를 가진다. 또한 마스크는 기판의 장변과 평행하게 형성되어 있는 복수의 개구부를 가질 수 있다. 마스크(70)의 개구부(75) 폭(s)은 100㎛ 내지 2000㎛일 수 있다.
마스크(70)는 스테인레스 또는 알루미늄으로 만들어질 수 있다.
조명부(400)는 표시판부(300)로 빛을 공급하며, 광원, 도광판 및 반사 부재를 포함할 수 있다. 광원으로는 형광 램프 또는 LED(light emitting diode) 등이 사용될 수 있고, 액정 표시 장치의 상태와는 무관하게 일정한 밝기의 빛을 조사한다. 도광판은 광원으로부터 조사된 광을 유도하며, 반사 부재는 도광판으로부터 반사된 광을 표시판부(300)로 향하게 하여 광손실을 최소화 한다.
다음 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 3 내지 도 11을 참고하여 설명한다.
도 3 내지 도 11은 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 특히 도 5는 이온 빔 배향할 때 사용하는 두 개의 마스크를 보여주는 개략도이고, 도 6 내지 도 9는 도 5의 마스크를 사용하여 이온 빔을 조사하는 방법을 보여주는 개략도이고, 도 10 및 도 11은 이러한 이온 빔 배향 방법에 의해 형성된 액정 분자의 배향 방향을 보여주는 개략도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 우선 기판(110) 위에 각종 신호선, 박막 트랜지스 터 등의 박막 소자 구조물을 형성하고, 이어서 박막 소자 구조물 위에 박막 트랜지스터의 출력 단자와 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
다음으로 화소 전극(191) 위에 비정질 산화규소 따위를 적층하여 무기막(10)을 형성한다. 무기막(10)은 고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering) 방법으로 증착될 수 있다. 무기막의 두께(t)는 50 nm일 수 있고, 증착 온도는 75℃ 내지 300℃일 수 있다.
다음으로 도 4에 도시한 바와 같이, 무기막(10) 위에 마스크(70)를 배치하고 개구부(75)를 통해 A 영역에 이온 빔을 1차 조사한다. 이때 이온 빔을 소정 각도(θ) 기울여 조사한다. 그런 후 마스크(70)의 개구부(75)가 C 영역 위에 오도록 배치시킨 후 C 영역에 이온 빔을 2차 조사한다. 이 경우 1차 조사 때와 마찬가지로 이온 빔을 소정 각도(θ) 기울여 조사한다. 그러나 이온 빔의 조사 방향은 1차 조사 때와 반대 방향의 소정각도(-θ)로 기울여 조사할 수 있다. 이와 같은 방법으로 이온 빔을 조사하면 무기막(10)은 배향막(11, 21)으로 변환된다. 여기서 B 영역은 배향 불량 영역 예컨대 이온 빔이 간접 조사된 영역이다.
본 실시예에서 이온 빔의 조사 각도(θ)는 60°내지 85°이고, 이온 빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이며, 그리고 이온 빔의 조사 밀도는 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2일 수 있다. 마스크(70)의 개구부(75) 폭(s)은 100㎛ 내지 2000㎛이고, 마스크(70)와 배향막(11) 표면 사이의 거리(d)는 100㎛이하일 수 있다. 반대각도의 이온빔의 조사시도 각도만 - θ 가 되고 나머지 조사빔의 조건의 동일할 수 있다.
이와 같은 조건으로 이온 빔 배향을 수행하면, 배향 규제력이 2×10-4J/m2이상 확보될 수 있으며, 복수 도메인의 열적 안정성은 120℃까지 확보된다. 그리고 배향 불량 영역(B)의 너비는 20㎛이하로 할 수 있다. 배향 불량 영역(B)이 20㎛이하일 경우 차광 부재에 의해 완전히 차단될 수 있으므로 표시 불량을 유발하지 않는다.
다음으로 공통 전극(270), 배향막(21) 등을 구비한 공통 전극 표시판(200)을 박막 트랜지스터 표시판(100)과 결합한다. 공통 전극 표시판(200)의 배향막(21)의 형성 조건은 위에서 설명한 것과 대략 동일하다.
다음으로 박막 트랜지스터 표시판(100) 또는 공통 전극 표시판(200) 위에 액정층을 적하하고 이어서 두 표시판(100, 200)을 결합한다. 그러나 두 표시판(100, 200)을 결합한 후에 액정층을 주입할 수도 있다. 이 경우 배향 방향이 서로 다른 배향막(11, 21)에 의해 선 경사 방향이 다른 복수의 도메인이 형성될 수 있다.
이온 빔 배향 방법에 대하여 도 5 내지 도 9를 참고하여 좀 더 상세하게 설명한다.
도 5를 참고하면, 이온 빔 배향 시 사용하는 마스크는 기판의 장변과 평행한 방향과 나란하게 복수의 개구부(75)가 형성되어 있는 제1 마스크(70)와 기판의 장변과 수직한 방향과 나란하게 복수의 개구부(85)가 형성되어 있는 제2 마스크(80)가 사용될 수 있다.
도 5의 (a), 도 6 및 도 7을 참고하면, 배향막(11)이 도포되어 있는 박막 트랜지스터 표시판(100) 위에 제1 마스크(70)를 배치하고 아르곤 이온이나 CHC형 이온 따위의 빔을 비스듬한 각도로 기울여 1차 조사한다. 이어서 1차 조사 때와 반대 방향으로 이온 빔을 비스듬하게 기울여 2차 조사한다.
이 때 이온 빔 조사는 마스크(70)의 개구부(75)의 장축과 평행한 방향, 즉 도 5의 (a)에서 상하 방향(화살표 방향)을 따라 이동하며 수행한다. 배향막(11) 표면에 비스듬하게 이온 빔을 조사하는 방법은 기판(110)을 기울이거나 이온 빔 조사 장치(도시하진 않음)를 기울임으로써 가능하다.
예컨대 화소 영역의 좌반부는 아래에서 위로 경사 방향을 가지도록 수행하고 화소 영역의 우반부는 위에서 아래로 경사 방향을 가지도록 수행할 수 있다. 이에 따라 도 10의 (a) 및 도 11의 (a)와 같이 경사 방향이 반대인 두 영역이 형성될 수 있다.
마찬가지로, 도 5의 (b), 도 8 및 도 9를 참고하면, 배향막(21)이 도포되어 있는 공통 전극 표시판(200) 위에 제2 마스크(80)를 배치하고 아르곤 이온 따위의 빔을 비스듬한 각도로 기울여 3차 조사한다. 이어서 3차 조사 방향과 반대 방향으로 이온 빔을 비스듬하게 기울여 4차 조사한다.
이 때 이온 빔 조사는 마스크(80)의 개구부(85)의 장축과 평행한 방향, 즉 도 5의 (b)에서 좌우 방향(화살표 방향)을 따라 이동하며 수행한다. 예컨대 화소 영역의 상반부는 왼쪽에서 오른쪽으로 경사방향을 가지도록 수행하고 화소 영역의 하반부는 오른쪽에서 왼쪽으로 경사방향을 가지도록 수행함으로써, 도 10의 (b)와 같이 경사 방향이 반대인 두 영역이 형성될 수 있다. 또는 예컨대 화소 영역의 상반부는 오른쪽에서 왼쪽으로 경사 방향을 가지도록 수행하고 화소 영역의 하반부는 왼쪽에서 오른쪽으로 경사방향을 가지도록 수행함으로써, 도 11의 (b)와 같이 경사 방향이 반대인 두 영역이 형성될 수 있다.
이와 같이 배향막(11, 21) 표면에 대하여 비스듬한 각도로 이온 빔을 조사함으로써 배향막(11, 21) 표면이 일정한 방향으로 러빙(rubbing)된 것과 동일한 효과를 가진다. 즉 배향막(11, 21)의 표면은 이온 빔 조사 방향에 따라서 배향 방향이 달라지므로 하나의 화소를 복수의 영역으로 나눠 상기와 같이 이온 빔을 조사함으로써 하나의 화소에 액정 분자의 선 경사 방향이 서로 다른 복수의 도메인을 형성할 수 있다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 좌반부와 우반부에 반대 방향으로 이온 빔 조사된 박막 트랜지스터 표시판(100)(a)과 상반부와 하반부에 반대 방향으로 광 조사된 공통 전극 표시판(200)(b)을 합착하는 경우 도 10의 (c) 및 도 11의 (c)와 같이 좌상(左上), 좌하(左下), 우상(右上) 및 우하(右下) 방향으로 배향되는 네 개의 도메인을 형성할 수 있다.
이상에서는 하나의 화소를 복수의 스트라이프 영역으로 나누고, 서로 다른 방향에서 이온 빔을 조사함으로서 하나의 화소에 복수의 도메인이 형성되는 경우를 예시하고 있으나, 이와는 달리 복수의 화소를 묶어 하나의 스트라이프 영역으로 하고 이웃하는 스트라이프 영역에 서로 반대 방향에서 이온 빔을 조사하여, 이웃하는 화소 사이에 액정의 배향 방향이 다르게 되도록 할 수도 있다. 예를 들어, 2X2 행 렬을 이루는 4개의 화소를 포함하는 액정 표시 장치에서, 좌측 화소열와 우측 화소열에 서로 반대 방향으로 이온 빔이 조사된 박막 트랜지스터 표시판과 상측 화소 행과 하측 화소행에 서로 반대 방향으로 광 조사된 공통 전극 표시판을 합착하는 경우, 4개의 화소에서 액정이 각각 좌상(左上), 좌하(左下), 우상(右上) 및 우하(右下) 방향으로 배향될 수 있다.
다음 위에서 설명한 조건 및 방법에 따라 이온 빔 배향을 한 경우 발생하는 효과에 대해 도 12 내지 도 15의 실험 데이터를 도 3 및 도 4와 함께 참고하여 설명한다.
도 12는 배향막과 마스크 거리에 따른 배향 불량 영역의 크기를 나타낸 그래프이고, 도 13은 이온 빔의 조사 각도에 따른 선 경사각의 크기를 나타낸 그래프이고, 도 14는 복수의 도메인을 형성하기 위해 필요한 이온 빔 에너지 및 이온 빔 조사 밀도의 범위를 나타낸 그래프이고, 도 15는 배향막 형성 온도에 따른 배향 규제력 및 열적 안정성을 나타낸 그래프이다.
본 실험에서, 이온 빔 소스는 CHC(cold hollow cathode)형의 이온 빔 소스, 이온 빔 에너지는 70eV, 이온 빔의 조사각도는 80°, 이온 빔의 조사 시간은 1s, 그리고 이온 빔 조사밀도는 3.12×1013 Ar+/s.cm2의 조건으로 설정하였다.
도 12를 참고하면, 배향막(11, 21)과 마스크(70, 80) 사이의 거리(d)가 100㎛이하일 경우, 배향 불량 영역(B)의 너비(disclination width)가 20㎛이하로 유지될 수 있다. 이러한 범위의 배향 불량 영역(B)은 액정 표시 장치의 차광 부재로 완전하게 차단될 수 있다. 만약 배향 불량 영역(B)의 너비가 20㎛보다 크면 도 16에서 보는 바와 같이 표시 불량이 발생한다. 배향막(11, 21)과 마스크(70, 80) 사이의 거리(d)를 50㎛ 이하로 하면 배향 불량 영역(B)의 너비가 15㎛이하로 유지될 수 있어서, 표시 불량을 방지하는데 더욱 유리하다. 그러나 배향막(11, 21)과 마스크(70, 80) 사이의 거리(d)를 20㎛ 이하로 하면 마스크(70, 80)의 제어가 어려워질 수 있다. 마스크와 액정배향막과의 거리는 100㎛ 이하가 적절할 수 있고, 20㎛ 내지 50㎛ 사이가 더욱 적절할 수 있다.
도 13을 참고하면, 이온 빔의 조사 각도(incident angle)(θ)가 60°내지 85°이고 하나의 화소에 복수의 도메인을 형성할 때 선 경사각(pretilt angle)이 85°내지 89°사이가 됨을 알 수 있다. 복수의 도메인 형성에 의한 투과도 향상을 위해서는 선 경사각 형성이 필수적이지만, 선 경사각이 85°보다 작아 기울기가 커지면 노멀리 블랙 상태에서 빛샘이 발생해 완전한 블랙 상태를 구현할 수 없다. 따라서 선 경사각은 85°내지 89°범위에 속하는 것이 적절할 수 있다. 한편, 하나의 화소에 하나의 도메인을 형성하면 이온 빔의 조사 각도(θ)가 작아짐에 따라 선 경사각의 변화량이 급격히 감소함을 알 수 있다.
한편, 하나의 화소에 하나의 도메인을 형성하는 실험과, 하나의 화소에 복수의 도메인을 형성하는 실험을 한 결과, 하나의 도메인은 이온 빔 에너지 40eV 내지 80eV, 이온 빔 조사밀도 1-4×1013 Ar+/s.cm2에서 수직 배향이 형성되었고, 복수의 도메인은 이온 빔 에너지 50eV 내지 70eV, 이온 빔 조사밀도 2.5-4×1013 Ar+/s.cm2 에서 수직 배향이 형성되었다. 결국 하나의 화소에 복수의 도메인을 형성하기 위해서는, 도 14에서 보는 바와 같이, 이온 빔 에너지가 50eV 내지 70eV이고, 이온 빔 조사 밀도가 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2범위에 속할 수 있다.
도 15를 참고하면, 가로축은 화소 전극(191) 위에 배향막(11, 21) 형성을 위한 무기막의 증착 온도를 나타내며, 왼쪽 세로축은 배향 규제력을 나타내고, 오른쪽 세로축은 열적 안정성을 나타낸다. 무기막을 75℃ 내지 300℃에서 증착하면 액정 표시 장치의 배향 규제력이 2×10-4J/m2 이상 확보되고, 열적 안정성도 100℃ 내지 120℃까지 확보되는 것을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 사시도이고,
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판 및 이온 빔 배향을 위한 마스크를 도시한 사시도이고,
도 3 내지 도 11은 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 12은 배향막과 마스크 거리에 따른 배향 불량 영역의 크기를 나타낸 그래프이고,
도 13은 이온 빔의 조사 각도에 따른 선 경사각의 크기를 나타낸 그래프이고,
도 14는 복수의 도메인을 형성하기 위해 필요한 이온 빔 에너지 및 이온 빔 조사 밀도의 범위를 나타낸 그래프이고,
도 15는 배향막 형성 온도에 따른 배향 규제력 및 열적 안정성을 나타낸 그래프이고,
도 16은 배향 불량 영역에 따른 표시 불량을 나타낸 도면이다.
<도면 부호의 설명>
10: 무기막 11, 21: 배향막
70, 80: 마스크 75, 85: 개구부
100: 박막 트랜지스터 표시판 110, 210: 기판
191: 화소 전극 200: 공통 전극 표시판
270: 공통 전극 300: 표시판부
400: 광원

Claims (29)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 복수의 박막트랜지스터,
    상기 복수의 박막트랜지스터 위에 각각 형성된 복수의 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 적어도 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제1 무기 배향막,
    상기 제1 기판에 대응하는 제2 기판,
    상기 제2 기판 위에 형성된 공통 전극,
    상기 공통 전극 위에 적어도 상기 제1 무기 배향막의 배향 방향과 다른 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제2 무기 배향막
    을 포함하고,
    상기 제1 무기 배향막의 상기 적어도 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역들 사이 및 상기 제2 무기 배향막의 상기 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역들 사이에 위치하는 배향 불량 영역의 너비는 20㎛이하인 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제2 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제2 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 무기 배향막의 이온빔의 조사각도는 수평면에 대하여 60도 내지 85도인 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 이온빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2인 액정 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 무기 배향막의 두께는 50nm로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 및 제2 무기 배향막은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 화소 전극 위에 무기막을 적층하는 단계, 그리고
    상기 무기막 위에 마스크를 배치하고 이온 빔을 조사하여 상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계
    를 포함하고,
    상기 이온 빔의 조사시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 20㎛ 내지 100㎛ 인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계는
    상기 제1 배향막을 제1 및 제2 스트라이프 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제1 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행한 제1 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계,
    상기 제1 스트라이프 영역과 인접한 상기 제2 스트라이프 영역에 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 서로 다른 화소에 각각 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 제10항에서,
    상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 조사 각도는 60°내지 85°인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2.5×1013 Ar+/s.cm2 내지 3.12×1013 Ar+/s.cm2인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에서,
    상기 무기막의 적층 단계에서, 상기 무기막은 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착되며, 증착 온도는 75℃ 내지 300℃인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 무기막의 두께는 50nm로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 무기막은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제10항에서,
    상기 이온 빔 소스는 CHC형의 이온 빔 소스인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제10항에서,
    상기 이온 빔은 아르곤 이온을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제10항에서,
    상기 제1 기판과 마주하고 있는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 공통 전극 위에 무기막을 적층하는 단계;
    상기 무기막을 이온 빔을 조사하여 제2 배향막으로 변환하는 단계;
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에서,
    상기 무기막을 제2 배향막으로 변환하는 단계는
    상기 제2 배향막을 제3 및 제4 스트라이트 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제3 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행 한 제3방향으로 이온 빔을 조사하는 단계,
    상기 제3 스트라이프 영역과 인접한 상기 제4 스트라이프 영역에 상기 제3 방향과 반대의 방향인 제4 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에서,
    상기 제3 스트라이프 영역과 제4 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제23항에서,
    상기 제3 스트라이프 영역과 제4 스트라이프 영역은 서로 다른 화소에 각각 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제22항에서,
    상기 액정층은 좌상(左上), 좌하(左下), 우상(右上) 및 우하(右下) 방향으로 배향되는 복수의 도메인을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제10항에서,
    상기 이온 빔의 조사 시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 50㎛이하인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제10항에서,
    상기 마스크는 상기 이온 빔이 통과하는 개구부를 가지며, 상기 개구부의 폭은 100㎛ 내지 2000㎛인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제28항에서,
    상기 마스크는 스테인레스 또는 알루미늄으로 만들어지는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101469035B1 (ko) * 2008-05-28 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20100024533A (ko) * 2008-08-26 2010-03-08 삼성전자주식회사 표시 기판의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 및 표시 기판
CN104597661B (zh) * 2014-11-21 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 垂直配向液晶显示器及其制作方法
CN105785658B (zh) * 2016-05-13 2018-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板结构及制作方法
KR102058173B1 (ko) * 2018-03-21 2019-12-20 (주)비젼에이드 엘코스(LCoS) 디스플레이용 무기 배향막 형성 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980020647A (ko) * 1996-09-10 1998-06-25 구자홍 화소분할용 마스크 및 이를 이용한 액정셀 배향방향 제어방법
KR20020014991A (ko) * 2000-06-20 2002-02-27 포만 제프리 엘 다중 도메인 및 ｉｐｓ 액정 디스플레이
KR20070074986A (ko) * 2006-01-11 2007-07-18 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355591B2 (ja) 1994-09-30 2002-12-09 大日本印刷株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JPH08313916A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液晶配向膜
JPH09244027A (ja) 1996-03-05 1997-09-19 Nissin Electric Co Ltd 液晶パネルの製造方法
US5770826A (en) 1996-05-10 1998-06-23 International Business Machines Corporation Atomic beam alignment of liquid crystals
US6020946A (en) * 1998-02-23 2000-02-01 International Business Machines Corporation Dry processing for liquid-crystal displays using low energy ion bombardment
KR100477979B1 (ko) 2002-11-09 2005-03-23 백홍구 액정 디스플레이용 액정배향막의 제조방법
KR20040083127A (ko) 2003-03-21 2004-10-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 이온 빔 조사를 이용한 배향막 형성 방법
KR20040088935A (ko) 2003-04-14 2004-10-20 삼성전자주식회사 원자빔으로 배향막에 멀티 도메인을 형성하는 방법, 이를이용한 광시야각 액정표시장치의 제조 방법, 광시야각액정표시장치 및 액정 배향 장치
KR100845410B1 (ko) 2003-05-14 2008-07-10 엘지디스플레이 주식회사 멀티 도메인 배향막 형성 방법
US6967340B2 (en) 2003-08-19 2005-11-22 Alps Electric Co., Ltd. Ion beam irradiation device and operating method thereof
JP2005084147A (ja) 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 配向膜の形成方法、配向膜、電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器
KR100737538B1 (ko) 2005-01-13 2007-07-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 이온빔 배향을 이용한 액정표시장치의 배향막 형성방법
JP4113547B2 (ja) 2005-12-12 2008-07-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 配向層形成装置および配向層形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980020647A (ko) * 1996-09-10 1998-06-25 구자홍 화소분할용 마스크 및 이를 이용한 액정셀 배향방향 제어방법
KR20020014991A (ko) * 2000-06-20 2002-02-27 포만 제프리 엘 다중 도메인 및 ｉｐｓ 액정 디스플레이
KR20070074986A (ko) * 2006-01-11 2007-07-18 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
차성수, ‘산화규소 박막위에 이온빔을 이용하여 액정을 수직 배향하는 기술에 관한 연구’, 부산대학교 전자공학과, 2007년2월*
차성수, '산화규소 박막위에 이온빔을 이용하여 액정을 수직 배향하는 기술에 관한 연구', 부산대학교 전자공학과, 2007년2월 *

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