CN105785658B - 液晶面板结构及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶面板结构及制作方法，上基板的第一配向层与下基板的第二配向层均采用表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜，相比于采用PI配向膜材，配向层具有更为稳定的物理、及化学性质，从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性；另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理，对液晶分子提供的预倾角可在一定范围内进行调整，从而可以对液晶分子提供合适的预倾角，且与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程，进而液晶层中不需要加入反应型单体，从而进一步提高了液晶面板的信赖性；再者，氮化硅的生长工艺，在TFT‑LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，从而大大缩减了制程成本和材料成本。

Description

液晶面板结构及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶面板结构及制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的LCD大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板、夹于CF基板与TFT基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)层及密封胶框(Sealant)组成。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
在液晶显示面板中，还需要在TFT基板及CF基板上分别形成一层配向膜，该配向膜与LC接触后，能够使得LC产生一定方向的预倾角，从而给液晶分子提供一个承载的角度(预倾角的大小对TFT-LCD的驱动电压、对比度、响应时间、视角等具有重要影响)，配向膜的材料通常选用聚酰亚胺(Polyimide，PI)材料，主要分为摩擦配向型PI材料和光配向型PI材料，但是，无论哪种配向材料都有各自的缺点。其中，摩擦配向型PI材料通过摩擦配向法(Rubbing)形成配向膜，摩擦配向法是在高分子PI膜表面用绒布滚轮进行接触式的定向机械摩擦，摩擦高分子表面所提供的能量使高分子主链因延伸而定向排列，从而控制支链与LC相互作用，使LC按照预倾角的方向排列；因此，在摩擦配向时容易造成粉尘颗粒、静电残留、刷痕等问题降低工艺良率。而光配向型PI材料通过光配向法(photo-alignmenttechnology)形成配向膜，光配向法是利用紫外光敏聚合物单体材料的光化学反应产生各向异性，液晶分子与配向膜表面支链相互作用，为达到能量最小的稳定状态，液晶分子沿着光配向所定义的受力最大的方向排列，该光配向型PI材料可以解决上述问题，但由于材料特性受限，耐热性和耐老化性不佳，同时锚定LC的能力也较弱，从而影响面板的品质。除此之外，PI材料本身就具有高极性和高吸水性，存储和运送容易造成变质而导致配向不均，并且PI材料价格昂贵，在TFT-LCD上成膜的工艺也较为复杂，导致面板成本提高。
另外，就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。其中，聚合物稳定垂直配向(Polymer Stabilized-Vertical Alignment，PSVA)技术能够使液晶显示面板具有较快的响应时间、穿透率高等优点，其特点是通过紫外光(UV)光照使液晶材料中的反应型单体在配向膜表面形成聚合物突起，从而使液晶分子具有预倾角。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶面板结构，采用物理、化学性质稳定的氮化硅膜作为对液晶进行配向的配向层，可靠性高，制作工艺简单。
本发明的目的还在于提供一种液晶面板的制作方法，采用物理、化学性质稳定的氮化硅膜作为对液晶进行配向的配向层，可靠性高，制作工艺简单。
为实现上述目的，本发明首先提供一种液晶面板结构，包括相对设置的上基板与下基板、及设于所述上基板与下基板之间的液晶层；
所述上基板包括第一衬底基板、及设于所述第一衬底基板靠近所述液晶层一侧的第一配向层；
所述下基板包括第二衬底基板、及设于所述第二衬底基板靠近所述液晶层一侧的第二配向层；
所述第一、第二配向层为靠近所述液晶层一侧的表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜；
所述液晶层的材料包含液晶分子，所述第一、第二配向层与所述液晶层中的液晶分子相接触，对其进行配向。
所述上基板还包括黑色矩阵、彩色滤光膜、第一ITO电极层、及隔垫物；
所述黑色矩阵设于所述第一衬底基板靠近所述液晶层的一侧上，所述彩色滤光膜设于所述第一衬底基板与黑色矩阵靠近所述液晶层的一侧上，所述第一ITO电极层设于所述彩色滤光膜靠近所述液晶层的一侧上，所述隔垫物设于所述第一ITO电极层靠近所述液晶层的一侧上，所述第一配向层设于所述第一ITO电极层靠近所述液晶层的一侧上。
可选的，所述下基板还包括TFT阵列层、钝化保护层、及第二ITO电极层；
所述TFT阵列层设于所述第二衬底基板靠近所述液晶层的一侧上，所述钝化保护层设于所述TFT阵列层靠近所述液晶层的一侧上，所述第二ITO电极层设于所述钝化保护层靠近所述液晶层的一侧上，所述第二配向层设于所述第二ITO电极层靠近所述液晶层的一侧上。
可选的，所述下基板还包括TFT阵列层、及图案化的第二ITO电极层；
所述TFT阵列层设于所述第二衬底基板靠近所述液晶层的一侧上，所述第二配向层设于所述TFT阵列层靠近所述液晶层的一侧上，所述第二ITO电极层设于第二配向层靠近所述液晶层的一侧上；
所述第二ITO电极层上具有间隙，所述第二配向层通过所述第二ITO电极层上的间隙与所述液晶层中的液晶分子相接触。
所述第一、第二配向层的厚度为40～80nm，所述第一、第二配向层靠近所述液晶层一侧的表面经过氩等离子体的离子束轰击处理，所述第一、第二配向层对所述液晶层中的液晶分子提供80～90°的预倾角。
本发明还提供一种液晶面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第一配向层，得到上基板；
步骤2、提供第二衬底基板，在所述第二衬底基板的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层，得到下基板；
步骤3、在所述上基板或下基板的一侧上滴注包含液晶分子的液晶材料，并使所述第一衬底基板设有第一配向层的一侧与第二衬底基板设有第二配向层的一侧相面对，将上基板和下基板进行真空对组贴合，形成上基板和下基板之间的液晶层，得到液晶面板；
所述第一、第二配向层与所述液晶层中的液晶分子相接触，对其进行配向。
所述步骤1和步骤2中，通过PECVD法沉积形成氮化硅膜的过程具体为，向PECVD反应室内通入硅烷、氨气、和氮气，在280～350℃的温度下通过反应形成氮化硅膜，其中，硅烷、氨气、和氮气的气体流量比为100:1:200，所形成的氮化硅膜的厚度为40～80nm；
所述步骤1和步骤2中，对氮化硅膜表面进行离子束轰击处理的过程具体为，向离子束轰击反应器内通入氩气，形成氩等离子，在10-4Torr的工作压力下由氩等离子构成的离子束按照与氮化硅膜表面为30～50°的角度对氮化硅膜表面进行轰击，其中，离子束轰击反应器内氩等离子的浓度为1014～1015离子/cm2。
所述步骤1还包括，在形成第一配向层之前，在所述第一衬底基板上形成黑色矩阵，在所述第一衬底基板和黑色矩阵上形成彩色滤光膜，在所述彩色滤光膜上形成第一ITO电极层，在所述第一ITO电极层上形成隔垫物；
所述步骤1中，第一配向层形成于所述第一ITO电极层上，所得到的上基板包括第一衬底基板、黑色矩阵、彩色滤光膜、第一ITO电极层、隔垫物、及第一配向层。
可选的，所述步骤2还包括，在形成第二配向层之前，在所述第二衬底基板上形成TFT阵列层，在所述TFT阵列层上形成钝化保护层，在所述钝化保护层上形成第二ITO电极层；
所述步骤2中，所述第二配向层形成于所述第二ITO电极层上，所得到的下基板包括第二衬底基板、TFT阵列层、钝化保护层、第二ITO电极层、及第二配向层。
可选的，所述步骤2还包括，在形成第二配向层之前，在所述第二衬底基板上形成TFT阵列层，在形成第二配向层之后，在所述第二配向层上形成图案化的第二ITO电极层；
所述步骤2中，所述第二配向层形成于所述形成TFT阵列层上，对所述TFT阵列层进行保护，所得到的下基板包括第二衬底基板、TFT阵列层、第二配向层、及第二ITO电极层；
所述第二ITO电极层上具有间隙，所述步骤3得到的液晶面板中，所述第二配向层通过所述第二ITO电极层上的间隙与所述液晶层中的液晶分子相接触。
本发明的有益效果：本发明的液晶面板结构及制作方法，采用氮化硅膜作为对液晶进行配向的配向层，相比于现有技术具有以下优势：
(1)氮化硅相较于PI材料，其物理、化学性质更为稳定，可以提供液晶面板更可靠的信赖性；
(2)氮化硅膜表面通过离子束轰击处理后可以对液晶提供合适的预倾角，与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程；
(3)与PSVA技术相比，由于不需要进行后续的UV光照反应，无需在液晶材料中添加反应型单体，进一步提高了液晶面板的信赖性；
(4)氮化硅的生长工艺，在TFT-LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，另外，氮化硅膜还可以同时用作钝化保护层，从而大大缩减了制程成本和材料成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的液晶面板结构的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的液晶面板结构的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的液晶面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段极其效果，以下结合本发明的优选实施例极其附图进行详细描述。
请参阅图1，为本发明的液晶面板结构的第一实施例的结构示意图，本实施例的液晶面板结构包括，相对设置的上基板10与下基板20、及设于所述上基板10与下基板20之间的液晶层30。
具体地，所述上基板10为彩膜基板，包括第一衬底基板11、设于第一衬底基板11上的黑色矩阵13、设于所述第一衬底基板11与黑色矩阵13上的彩色滤光层14、设于所述彩色滤光层14上的第一ITO电极层15、设于第一ITO电极层15上的隔垫物16、及设于第一ITO电极层15上的第一配向层12，第一配向层12也覆盖于隔垫物16上。。
具体地，所述下基板20为TFT阵列基板，包括第二衬底基板21、设于所述第二衬底基板21上的TFT阵列层23、设于所述TFT阵列层23上的钝化保护层24、及设于所述钝化保护层24上的第二配向层22。
具体地，所述第一、第二配向层12、22为靠近所述液晶层30一侧的表面经过离子束轰击处理的氮化硅(SiNx)膜。
具体地，所述液晶层30的材料包含液晶分子31，所述第一、第二配向层12、22与所述液晶层30中的液晶分子31相接触，对其进行配向。
具体地，所述第一、第二配向层12、22的厚度为40～80nm，所述第一、第二配向层12、22靠近所述液晶层30一侧的表面经过与其呈一定角度的氩等离子体的离子束的轰击处理，优选地，氩等离子体的离子束与第一、第二配向层12、22靠近液晶层30一侧的表面的角度呈30～50°，所述第一、第二配向层12、22对所述液晶层30中的液晶分子31提供80～90°的预倾角。
请参阅图2，为本发明的液晶面板结构的第二实施例的结构示意图，与上述第一实施例相比，在本实施例中，所述下基板20包括第二衬底基板21、TFT阵列层23、,第二ITO电极层25’、及第二配向层22，特别的，该第二ITO电极层25’为图案化(pattern)的膜层，其上为具有间隙的图案，所述下基板20不包括钝化保护层24，所述第二配向层22取代第一实施例中钝化保护层24而位于TFT阵列层23与所述第二ITO电极层25’之间，并且所述第二配向层22通过第二ITO电极层25’上的间隙与所述液晶层30中的液晶分子31相接触，从而所述第二配向层22在本实施例中既用作钝化保护层对TFT阵列层23进行保护，又用作配向层对液晶分子31进行配向。
本发明的液晶面板结构，上基板10的第一配向层12与下基板20的第二配向层22为靠近所述液晶层30一侧的表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜，相比于采用PI配向膜材，配向层具有更为稳定的物理、化学性质，从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性；另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理，对液晶分子31提供的预倾角可在80～90°范围内进行调整，从而可以对液晶分子31提供合适的预倾角，且与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程，进一步地相对于PSVA技术，液晶层30中不需要加入反应型单体，从而进一步提高了液晶面板的信赖性；再者，氮化硅的生长工艺，在TFT-LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，从而大大缩减了制程成本和材料成本。
请参阅图3，本发明还提供一种液晶面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板11，在所述第一衬底基板11上形成黑色矩阵13，在所述第一衬底基板11和黑色矩阵13上形成彩色滤光膜14，在所述彩色滤光膜14上形成第一ITO电极层15，在所述第一ITO电极层15上形成隔垫物16，在所述ITO电极层15上通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第一配向层12，得到包括第一衬底基板11、黑色矩阵13、彩色滤光膜14、第一ITO电极层15、隔垫物16、及第一配向层12的上基板10。
步骤2、提供第二衬底基板21，在所述第二衬底基板21上形成TFT阵列层23，在所述TFT阵列层23上形成钝化保护层24，在所述钝化保护层24上形成第二ITO电极层25，在所述第二ITO电极层25上通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层22，得到包括第二衬底基板21、TFT阵列层23、钝化保护层24、第二ITO电极层25、及第二配向层22的下基板20。
具体地，所述步骤1和步骤2中，通过PECVD法沉积形成氮化硅膜的过程具体为，向PECVD反应室内通入硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、和氮气(N2)，在280～350℃的温度下通过反应形成氮化硅膜，其中，硅烷、氨气、和氮气的气体流量比为100:1:200，所形成的氮化硅膜的厚度为40～80nm。
具体地，所述步骤1和步骤2中，对氮化硅膜表面进行离子束轰击处理的过程具体为，向离子束轰击反应器内通入氩气，形成氩等离子，在10-4Torr的工作压力下由氩等离子构成的离子束按照与氮化硅膜表面为30～50°的角度对氮化硅膜表面进行轰击，其中，离子束轰击反应器内氩等离子的浓度为1014～1015离子/cm2。
步骤3、在所述上基板10或下基板20的一侧上滴注包含液晶分子31的液晶材料，并使所述第一衬底基板11设有第一配向层12的一侧与第二衬底基板21设有第二配向层22的一侧相面对，将上基板10和下基板20进行真空对组贴合，形成上基板10和下基板20之间的液晶层30，得到如图1所示的液晶面板。
具体地，所述第一、第二配向层12、22与所述液晶层30中的液晶分子31相接触，对其进行配向。
在本发明的液晶面板的制作方法的另一实施例中，与上述实施例相比，区别在于，所述步骤2中，在形成TFT阵列层23之后，不形成钝化保护层24，而是在所述TFT阵列层23上通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层22，然后在所述第二配向层22上形成图案化的第二ITO电极层25’，从而该步骤2得到的下基板不包括钝化保护层24，步骤3中得到为如图2所示的液晶面板，其中所述第二配向层22通过第二ITO电极层25’上的间隙与所述液晶层30中的液晶分子31相接触，从而所述第二配向层22在本实施例中既用作钝化保护层对TFT阵列层23进行保护，又用作配向层对液晶分子31进行配向。
本发明的液晶面板的制作方法，上基板10的第一配向层12与下基板20的第二配向层22均采用表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜，相比于采用PI配向膜材，配向层具有更为稳定的物理、化学性质，从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性；另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理，对液晶分子31提供的预倾角可在80～90°范围内进行调整，从而可以对液晶分子31提供合适的预倾角，且与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程，进一步地相对于PSVA技术，液晶层30中不需要加入反应型单体，从而进一步提高了液晶面板的信赖性；再者，氮化硅的生长工艺，在TFT-LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，从而大大缩减了制程成本和材料成本。
综上所述，本发明的液晶面板结构及制作方法，上基板的第一配向层与下基板的第二配向层均采用表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜，相比于采用PI配向膜材，配向层具有更为稳定的物理、化学性质，从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性；另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理，对液晶分子提供的预倾角可在一定范围内进行调整，从而可以对液晶分子提供合适的预倾角，且与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程，进而液晶层中不需要加入反应型单体，从而进一步提高了液晶面板的信赖性；再者，氮化硅的生长工艺，在TFT-LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，从而大大缩减了制程成本和材料成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板(11)，在所述第一衬底基板(11)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第一配向层(12)，得到上基板(10)；
步骤2、提供第二衬底基板(21)，在所述第二衬底基板(21)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层(22)，得到下基板(20)；
步骤3、在所述上基板(10)或下基板(20)的一侧上滴注包含液晶分子(31)的液晶材料，并使所述第一衬底基板(11)设有第一配向层(12)的一侧与第二衬底基板(21)设有第二配向层(22)的一侧相面对，将上基板(10)和下基板(20)进行真空对组贴合，形成上基板(10)和下基板(20)之间的液晶层(30)，得到液晶面板；
所述第一、第二配向层(12、22)与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触，对其进行配向；
所述步骤1和步骤2中，通过PECVD法沉积形成氮化硅膜的过程具体为，向PECVD反应室内通入硅烷、氨气、和氮气，在280～350℃的温度下通过反应形成氮化硅膜，其中，硅烷、氨气、和氮气的气体流量比为100:1:200，所形成的氮化硅膜的厚度为40～80nm；
所述步骤1和步骤2中，对氮化硅膜表面进行离子束轰击处理的过程具体为，向离子束轰击反应器内通入氩气，形成氩等离子，在10-4Torr的工作压力下由氩等离子构成的离子束按照与氮化硅膜表面为30～50°的角度对氮化硅膜表面进行轰击，其中，离子束轰击反应器内氩等离子的浓度为1014～1015离子/cm2。
2.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1还包括，在形成第一配向层(12)之前，在所述第一衬底基板(11)上形成黑色矩阵(13)，在所述第一衬底基板(11)和黑色矩阵(13)上形成彩色滤光膜(14)，在所述彩色滤光膜(14)上形成第一ITO电极层(15)，在所述第一ITO电极层(15)上形成隔垫物(16)；
所述步骤1中，第一配向层(12)形成于所述第一ITO电极层(15)上，所得到的上基板(10)包括第一衬底基板(11)、黑色矩阵(13)、彩色滤光膜(14)、第一ITO电极层(15)、隔垫物(16)、及第一配向层(12)。
3.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括，在形成第二配向层(22)之前，在所述第二衬底基板(21)上形成TFT阵列层(23)，在所述TFT阵列层(23)上形成钝化保护层(24)，在所述钝化保护层(24)上形成第二ITO电极层(25)；
所述步骤2中，所述第二配向层(22)形成于所述第二ITO电极层(25)上，所得到的下基板(20)包括第二衬底基板(21)、TFT阵列层(23)、钝化保护层(24)、第二ITO电极层(25)、及第二配向层(22)。
4.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括，在形成第二配向层(22)之前，在所述第二衬底基板(21)上形成TFT阵列层(23)，在形成第二配向层(22)之后，在所述第二配向层(22)上形成图案化的第二ITO电极层(25’)；
所述步骤2中，所述第二配向层(22)形成于所述形成TFT阵列层(23)上，对所述TFT阵列层(23)进行保护，所得到的下基板(20)包括第二衬底基板(21)、TFT阵列层(23)、第二配向层(22)、及第二ITO电极层(25’)；
所述第二ITO电极层(25’)上具有间隙，所述步骤3得到的液晶面板中，所述第二配向层(22)通过所述第二ITO电极层(25’)上的间隙与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触。
5.一种采用如权利要求1所述的液晶面板的制作方法所制作的液晶面板结构，其特征在于，包括相对设置的上基板(10)与下基板(20)、及设于所述上基板(10)与下基板(20)之间的液晶层(30)；
所述上基板(10)包括第一衬底基板(11)、及设于所述第一衬底基板(11)靠近所述液晶层(30)一侧的第一配向层(12)；
所述下基板(20)包括第二衬底基板(21)、及设于所述第二衬底基板(21)靠近所述液晶层(30)一侧的第二配向层(22)；
所述第一、第二配向层(12、22)为靠近所述液晶层(30)一侧的表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜；
所述液晶层(30)的材料包含液晶分子(31)，所述第一、第二配向层(12、22)与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触，对其进行配向；
所述第一、第二配向层(12、22)的厚度为40～80nm，所述第一、第二配向层(12、22)靠近所述液晶层(30)一侧的表面经过氩等离子体的离子束轰击处理，所述第一、第二配向层(12、22)对所述液晶层(30)中的液晶分子(31)提供80～90°的预倾角。
6.如权利要求5所述的液晶面板结构，其特征在于，所述上基板(10)还包括黑色矩阵(13)、彩色滤光膜(14)、第一ITO电极层(15)、及隔垫物(16)；
所述黑色矩阵(13)设于所述第一衬底基板(11)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述彩色滤光膜(14)设于所述第一衬底基板(11)与黑色矩阵(13)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第一ITO电极层(15)设于所述彩色滤光膜(14)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述隔垫物(16)设于所述第一ITO电极层(15)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第一配向层(12)设于所述第一ITO电极层(15)靠近所述液晶层(30)的一侧上。
7.如权利要求5所述的液晶面板结构，其特征在于，所述下基板(20)还包括TFT阵列层(23)、钝化保护层(24)、及第二ITO电极层(25)；
所述TFT阵列层(23)设于所述第二衬底基板(21)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述钝化保护层(24)设于所述TFT阵列层(23)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第二ITO电极层(25)设于所述钝化保护层(24)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第二配向层(22)设于所述第二ITO电极层(25)靠近所述液晶层(30)的一侧上。
8.如权利要求5所述的液晶面板结构，其特征在于，所述下基板(20)还包括TFT阵列层(23)、及图案化的第二ITO电极层(25’)；
所述TFT阵列层(23)设于所述第二衬底基板(21)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第二配向层(22)设于所述TFT阵列层(23)靠近所述液晶层(30)的一侧上，所述第二ITO电极层(25’)设于第二配向层(22)靠近所述液晶层(30)的一侧上；
所述第二ITO电极层(25’)上具有间隙，所述第二配向层(22)通过所述第二ITO电极层(25’)上的间隙与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触。
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